JP5239688B2 - 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置 - Google Patents
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Description
(1)(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化触媒、(D)無機充填剤、(E)白色顔料、(F)添加剤及び(G)離型剤を含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、 上記樹脂組成物の硬化物を150℃の高温条件下に500時間放置した後に測定される光波長400nmにおける光拡散反射率が80%以上であり、トランスファー成形時のせん断離型力が10ショット以内に200KPa以下となることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物。
R0は、炭素数3〜50のアルキル基、アリール基、アルコキシ基又はエポキシ基を有する1価の有機基、炭素数3〜50のカルボキシル基を有する1価の有機基、及び炭素数3〜500のポリアルキレンエーテル基から選ばれる置換基であり、
M1は、第3周期の金属元素、IIA族のアルカリ土類金属元素、IVB族、IIB族、VIII族、IB族、IIIA族、IIIB、及びIVA族に属する金属元素から選ばれる金属元素であり、
qは、1〜4の整数である)
イソシアヌル酸誘導体としては、1,3,5−トリス(1−カルボキシメチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(3−カルボキシプロピル)イソシアヌレート、1,3−ビス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレートなどが挙げられる。これらは単独で使用しても、2種以上併用してもよい。
フェノール系硬化剤としては、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノールなどのフェノール類及び/又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレンなどのナフトール類と、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒドなどのアルデヒド基を有する化合物とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られるノボラック型フェノール樹脂; フェノール類及び/又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス(メトキシメチル)ビフェニルとから合成されるフェノール・アラルキル樹脂; ビフェニレン型フェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂などのアラルキル型フェノール樹脂; フェノール類及び/又はナフトール類とジシクロペンタジエンとの共重合によって合成される、ジシクロベンタジエン型フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型ナフトールノボラック樹脂などのジシクロペンタジエン型フェノール樹脂; トリフェニルメタン型フェノール樹脂; テルペン変性フェノール樹脂; パラキシリレン及び/又はメタキシリレン変性フェノール樹脂; メラミン変性フェノール樹脂; シクロペンタジエン変性フェノール樹脂; およびこれら2種以上を共重合して得られるフェノール樹脂などが挙げられる。
(実施例1〜14及び比較例1〜14)
1.熱硬化性光反射用樹脂組成物の調製
各実施例及び各比較例において使用した原料は以下の通りである。
*1:トリグリシジルイソシアヌレート(日産化学株式会社製、商品名「TEPIC−S」、エポキシ当量100)
*2:ヘキサヒドロ無水フタル酸(和光純薬株式会社製)
*3:日本化学工業株式会社製、商品名「PX−4ET」
*4:トリメトキシエポキシシラン(東レダウコーニング株式会社製、商品名「A−187」)
*5:溶融シリカ(電気化学工業株式会社製、商品名「FB−301」)
*6:中空粒子(住友3M株式会社製、商品名「S60−HS」)
*7:アルミナ(アドマテックス株式会社製、商品名「AO−25R」)
添加剤8(三菱レイヨン株式会社製、商品名「S2001」。これは、コアシェル型の微粒子化合物であり、コア部がアクリロニトリル/スチレン/ジメチルシロキサン/アクリル酸アルキルの共重合体、及びシェル部がポリメチルメタクリレートから構成され、平均粒径が0.3μmである)
添加剤9(三菱レイヨン株式会社製、商品名「KS5535」。これは、コアシェル型の微粒子化合物であり、コア部がアクリゴム、及びシェル部がポリメチルメタクリレートから構成され、平均粒径が0.3μmである)
添加剤10(三菱レイヨン株式会社製、商品名「SRK200」。これはコアシェル型微粒子化合物であり、コア部がアクリロニトリル/スチレン/ジメチルシロキサン/アクリル酸アルキル共重合体、及びシェル部がアクリロニトリルから構成され、平均粒径が0.3μmである)
*10:離型剤2(日本油脂株式会社製、商品名「アルミニウムステアレート300」)
*11:離型剤3(カルナバワックス、東亜化成株式会社製、商品名「カルナバワックス」)
*12:離型剤4(シリコーン系ワックス、信越化学工業株式会社製、商品名「KF910」(シロキサンを主鎖とするポリアルキルシロキサン化合物))
*13:離型剤5(モンタン酸エステル系ワックス、クラリアントジャパン株式会社製、商品名「LICOWAX E」)
*14:離型剤6(アルキルポリエーテル系ワックス、東洋ペトロライト株式会社製、商品名「ユニトックス420」)
先に調製した実施例1〜14及び比較例1〜14の各熱硬化性光反射用樹脂組成物について、以下に示す各種特性試験を実施した。その結果を下記表2及び表3に示す。
先に調製した各熱硬化性光反射用樹脂組成物を、成形金型温度180℃、成型圧力6.9MPa、硬化時間90秒の条件でトランスファー成形した後、150℃で2時間にわたって後硬化することによって、厚み1.0mmの試験片を作製した。次いで、積分球型分光光度計V−750型(日本分光株式会社製)を用いて、波長400nmにおける各試験片の光反射率を測定し、これを初期光反射率とした。また、作製した試験片を150℃のオーブン中に入れ、72時間及び500時間にわたってそれぞれ熱処理を行った後、先と同様にして光反射率の測定を実施し、これを熱処理後の光反射率とした。このような熱処理後の光反射率は、樹脂組成物の耐熱着色性を評価する指標となる。特に、500時間熱処理後に測定される光反射率は長期耐熱着色性を評価する指標となる。各測定結果を表2及び表3に示す。
初期光反射率の評価基準:
優:光波長400nmにおいて光反射率90%以上
良:光波長400nmにおいて光反射率80%以上、90%未満
可:光波長400nmにおいて光反射率70%以上、80%未満
不可:光波長400nmにおいて光反射率70%未満
優:光波長400nmにおいて光反射率90%以上
良:光波長400nmにおいて光反射率80%以上、90%未満
可:光波長400nmにおいて光反射率70%以上、80%未満
不可:光波長400nmにおいて光反射率70%未満
(せん断離型力)
せん断離型力測定用金型として、直径20mm、厚さ2mmの円板状の成形品を成形するための凹部と樹脂注入口を備えた上金型及び下金型から構成される金型を使用した。このせん断離型力測定用金型に、縦50mm×横35mm×厚さ0.4mmのクロムめっきステンレス板を挿入し、このステンレス板上に各実施例及び各比較例で調製した樹脂組成物を成形し、成形後、直ちにステンレス板を引き抜き、その際の最大引き抜き力をプッシュプルゲージ(株式会社今田製作所製、型名「SH」)を用いて測定した。成形条件は、成形金型温度180℃、成形圧力6.9MPa、硬化時間90秒とした。
各実施例及び各比較例の各熱硬化性光反射用樹脂組成物を、所定の形状を有する金型を用いて、直径50mm×厚さ3mmの円板に成形した。成形条件は、成形金型温度180℃、成形圧力6.9MPa、硬化時間90秒とした。成形後、直ちにショアD型硬度計を用いて円板の硬度を測定した。結果を表2及び表3に示す。
スパイラルフローの評価方法「EMMI−1−66」に準じ、スパイラルフロー測定用金型を用いて、先に調製した各熱硬化性光反射用樹脂組成物を所定の条件下で成形し、その際の樹脂組成物の流動距離(cm)を測定した。結果を表2及び表3に示す。
101 透明封止樹脂
102 ボンディングワイヤ
103 熱硬化性反射用樹脂(リフレクター)
104 Ni/Agめっき
105 金属配線
106 蛍光体
107 はんだバンプ
110 光半導体素子搭載用基板
200 光半導体素子搭載領域
300 LED素子
301 ワイヤボンド
302 透明封止樹脂
303 リフレクター
304 リード
305 蛍光体
306 ダイボンド材
307 メタル基板
400 せん断離型力測定用金型
410 上金型
412 樹脂注入口
414 凹部
416 下金型
420 ステンレス板
Claims (18)
- (A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(D)無機充填剤、(E)白色顔料、(F)添加剤及び(G)離型剤を含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、
前記(F)添加剤が、下記一般式(I)及び(II)で示される構造ユニットを有する化合物を含み、
前記(A)エポキシ樹脂100重量部に対して、前記(F)添加剤として使用する前記化合物の配合量が1〜50重量部である
ことを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物。
(式中、R 1 は、炭素数1〜10のアルキレン基である)
(式中、R 2 およびR 3 は、炭素数1〜10のアルキル基、アリール基、アルコキシ基、エポキシ基を有する1価の有機基、炭素数1〜10のカルボキシル基を有する1価の有機基又は炭素数3〜500のポリアルキレンエーテル基である) - 前記一般式(1-1)において、M1が、マグネシウム、カルシウム、バリウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅及び亜鉛から選ばれる金属元素であることを特徴とする請求項2に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記一般式(1-1)において、R0が、炭素数10〜50のアルキル基であることを特徴とする請求項2又は3に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記金属石鹸が、ステアリン酸亜鉛又はステアリン酸アルミニウムであることを特徴とする請求項2に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記化合物の数平均分子量Mnが、2000〜20000であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記化合物の分散度(Mw/Mn)が、1〜3であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記化合物において、前記式(I)で示される構造ユニットと前記式(II)で示される構造ユニットとの重量比(I)/(II)が、3/7〜7/3であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記化合物が、前記式(I)−(II)−(I)で示されるトリブロック共重合体であることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記(G)離型剤及び前記(F)添加剤の少なくとも一方が、前記(A)エポキシ樹脂の一部又は全量と予備混合されることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記(D)無機充填剤が、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、及び炭酸バリウムからなる群の中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記(E)白色顔料が、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、及び無機中空粒子からなる群の中から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記(E)白色顔料の中心粒径が、0.1〜50μmの範囲にあることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 前記(D)無機充填剤と前記(E)白色顔料との合計配合量が、樹脂組成物全体に対して、10体積%〜85体積%の範囲であることを特徴とする請求項1〜14のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物。
- 光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板であって、少なくとも前記凹部の内周側面が請求項1〜15のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物から構成されていることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。
- 光半導体素子搭載領域となる凹部が1つ以上形成されている光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、少なくとも前記凹部の内周側面を請求項1〜15のいずれか1項に記載の熱硬化性光反射用樹脂組成物を成形加工することにより形成することを特徴とする光半導体搭載用基板の製造方法。
- 請求項16に記載の光半導体素子搭載用基板と、前記基板における前記凹部底面に搭載された光半導体素子と、前記光半導体素子を覆うように前記凹部内に形成された蛍光体含有透明封止樹脂層とを少なくとも備えることを特徴とする光半導体装置。
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