JP5242736B2 - Semiconductor package mounting structure - Google Patents
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Description
本発明は、半導体パッケージおよび半導体パッケージの実装構造に関し、より詳細には配線基板にピン付き基板を接合して形成されるPGA(ピングリッドアレイ)型の半導体パッケージおよびこれをソケットに装着して構成される半導体パッケージの実装構造に関する。 The present invention relates to a mounting structure of a semiconductor package and a semiconductor package, constituting the PGA (pin grid array) type semiconductor packages and which is formed by bonding a pin attached substrate to the wiring board by mounting the socket more about the implementation structure of the semiconductor package to be.
PGA型の半導体パッケージには、図7に示すような、配線基板にピン付き基板を接合して形成された製品がある。図7(a)は、配線基板10にピン付き基板20を位置合わせする状態、図7(b)は配線基板10にピン付き基板20を接合して形成した半導体パッケージ30を示す。図示例の配線基板10は、内層に配線パターン12とビア14を形成したビルドアップ基板であり、ピン付き基板20を接合する一方の面にピン接続用のパッド16が形成され、他方の面に半導体素子を接合するパッド17が形成されている。
As a PGA type semiconductor package, there is a product formed by bonding a substrate with a pin to a wiring substrate as shown in FIG. 7A shows a state in which the pinned
ピン付き基板20は、配線基板10に形成されたパッド16に接合されるピン22が、薄平板状に形成された基板24に支持されて形成されている。ピン22のヘッド部22aは、配線基板10のパッド16と同一の平面配置に設けられ、パッド16に供給されたはんだ18により、ヘッド部22aをピン接続用のパッド16に接合して半導体パッケージ30が形成される。
The substrate with
なお、PGA型の半導体パッケージとして、配線基板とは別個にピン付き基板を用意し、ピン付き基板を配線基板に接合して構成した半導体パッケージが提案されている(たとえば、特許文献1、2参照)。In addition, as a PGA type semiconductor package, a semiconductor package in which a substrate with pins is prepared separately from a wiring substrate and the substrate with pins is joined to the wiring substrate has been proposed (for example, see Patent Documents 1 and 2). ).
ところで、PGA型の半導体パッケージをソケットに装着する際には、ソケットに設けられている枠形のセット部に半導体パッケージを挿入するようにして装着する。セット部の下側には、ピンと接触するコンタクトがピンの平面配置に合わせて配置されたベースプレートが設けられている。半導体パッケージをセット部に装着する際には、セット部の内側面で半導体パッケージの外形位置をガイドするようにして装着する。セット部の内側面に、半導体パッケージの外側面に接して位置合わせするガイド突起が設けられている場合もある。 By the way, when mounting a PGA type semiconductor package on a socket, the semiconductor package is mounted so as to be inserted into a frame-shaped set portion provided on the socket. A base plate is provided on the lower side of the set portion in which contacts that contact the pins are arranged in accordance with the planar arrangement of the pins. When the semiconductor package is mounted on the set part, the semiconductor package is mounted so that the outer position of the semiconductor package is guided by the inner surface of the set part. In some cases, a guide protrusion is provided on the inner side surface of the set portion so as to be in contact with the outer side surface of the semiconductor package.
このように、半導体パッケージをソケットに装着する際には、セット部の内側面に半導体パッケージを外形合わせして装着するから、PGA型の半導体パッケージでは、パッケージ本体の外形形状(外形寸法)を正確に形成する必要がある。
配線基板自体が厚く形成され、配線基板に貫設したピン装着孔にピンを差し込んで形成した従前のPGA型の半導体パッケージでは、配線基板自体の外形寸法を規定することによって半導体パッケージを位置決めすることができる。これに対して、図7に示す半導体パッケージ30では、配線基板10とピン付き基板20の外形形状を一致させ、配線基板10とピン付き基板20とを位置合わせして接合し、半導体パッケージをソケットに装着する際には、配線基板10の外側面とピン付き基板20の外側面をガイド位置(位置決め位置)として装着される。
配線基板10とピン付き基板20とをはんだ接合する際には、配線基板10とピン付き基板20とを支持治具に支持し、支持治具により配線基板10とピン付き基板20とを位置合わせした状態ではんだリフロー装置中を移送させて接合する。このはんだ接合操作では、配線基板10とピン付き基板20とは位置ずれしないとは限らないから、配線基板10とピン付き基板20の外形寸法を高精度に形成したとしても、半導体パッケージ30の外形寸法がばらつくことが避けられない。半導体パッケージ30の外形寸法のばらつきは、はんだ付けによる位置ずれと、配線基板10およびピン付き基板20の製造公差が重畳されたものとなる。
In this way, when mounting a semiconductor package in a socket, the semiconductor package is mounted on the inner surface of the set part with its outer shape aligned, so in the case of a PGA type semiconductor package, the package body's outer shape (outer dimensions) is accurate. Need to be formed.
In the former PGA type semiconductor package, where the wiring board itself is formed thick and the pins are inserted into the pin mounting holes provided in the wiring board, the semiconductor package is positioned by defining the external dimensions of the wiring board itself. Can do. On the other hand, in the
When soldering the
また、近年はきわめて薄型の半導体パッケージが提供されるようになっており、配線基板にピン付き基板を接合して形成される半導体パッケージにおいては、厚さが1mm以下といったきわめて薄い配線基板が用いられるようになってきた。このように配線基板が薄くなると、配線基板自体の強度が低下し、配線基板が反ってしまうといった問題が生じることから、ピン付き基板によって配線基板を補強して半導体パッケージの反りを抑えるといったことが検討されている。In recent years, an extremely thin semiconductor package has been provided. In a semiconductor package formed by bonding a substrate with a pin to a wiring substrate, a very thin wiring substrate having a thickness of 1 mm or less is used. It has become like this. If the wiring board is thinned in this way, the strength of the wiring board itself is reduced and the wiring board is warped. Therefore, the wiring board is reinforced by a substrate with pins to suppress warping of the semiconductor package. It is being considered.
本発明は、反りが抑制された薄型の半導体パッケージおよびそれを備えた半導体パッケージの実装構造を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a thin semiconductor package in which warpage is suppressed and a mounting structure of the semiconductor package including the thin semiconductor package.
上記目的を達成するために、本発明は次の構成を備える。
すなわち、ピンが取り付けられたピン付き基板と、ピン接続用のパッドが形成された配線基板とを備え、前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成され、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出しており、前記配線基板の外形形状が前記ピン付き基板の外形形状よりも大きく、前記ピンの一端部と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されて、前記配線基板の外側面が前記ピン付き基板の外側面よりも外側に延出していることを特徴とする半導体パッケージである。
In order to achieve the above object, the present invention comprises the following arrangement.
That is, a board with pins to which pins are attached and a wiring board on which pads for connecting pins are formed. The board with pins is provided with the pins standing up integrally with a resin board formed by resin molding. One end of the pin is exposed from one surface of the resin substrate, the other end of the pin extends from the other surface of the resin substrate, and the outer shape of the wiring substrate is the pin Larger than the outer shape of the substrate with a pin, the one end of the pin and the pin connection pad are bonded, the substrate with the pin and the wiring substrate are bonded, and the outer surface of the wiring substrate has the pin The semiconductor package is characterized by extending outward from the outer surface of the substrate.
また、ピンが取り付けられたピン付き基板と、ピン接続用のパッドが形成された配線基板と有する半導体パッケージと、前記半導体パッケージが収容されるセット凹部および前記セット凹部の下側に前記ピンと電気的に接続されるコンタクトが設けられたソケットとを備え、前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成され、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出しており、前記半導体パッケージは、前記配線基板の外形形状が前記ピン付き基板の外形形状よりも大きく、前記ピンの一端部と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されて、前記配線基板の外側面が前記ピン付き基板の外側面よりも外側に延出しており、前記セット凹部の内側面に前記配線基板の外側面がガイドされて挿入された前記半導体パッケージが前記ソケットに装着されていることを特徴とする半導体パッケージの実装構造である。In addition, a semiconductor package having a substrate with pins to which pins are attached, a wiring substrate on which pads for pin connection are formed, a set recess in which the semiconductor package is accommodated, and the pins and the electrical contacts below the set recess A socket provided with a contact to be connected to the substrate, and the pin-attached substrate is formed by integrally standing the pin on a resin substrate formed by resin molding, and from one surface of the resin substrate One end of the pin is exposed, and the other end of the pin extends from the other surface of the resin substrate. In the semiconductor package, the outer shape of the wiring substrate is larger than the outer shape of the substrate with pins. The one end of the pin and the pad for connecting the pin are joined, the substrate with the pin and the wiring substrate are joined, and the outer surface of the wiring substrate is attached with the pin A semiconductor, wherein the semiconductor package extends outside the outer surface of the substrate and is inserted into the inner surface of the set recess with the outer surface of the wiring substrate being guided and inserted into the socket. This is a package mounting structure.
ここで、前記ピンの一端部には、ヘッド部が形成されており、前記ヘッド部の端面が、前記樹脂基板の一方の面に面一に露出しており、前記ヘッド部の端面と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されている。Here, a head portion is formed at one end portion of the pin, and an end surface of the head portion is exposed flush with one surface of the resin substrate, and the end surface of the head portion and the pin The pad for connection is joined, and the substrate with pins and the wiring substrate are joined.
また、前記ピン付き基板は、前記他端部を摺入し、前記一端部の端面を被覆して前記ピンがセットされたモールド用の金型のキャビティに樹脂を充填して、前記樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成されたものである。In addition, the substrate with pins is slid into the other end portion, covers the end face of the one end portion, fills the mold cavity with the pins set therein, and fills the resin substrate with resin. The pins are integrally formed upright.
本発明によれば、反りが抑制された薄型の半導体パッケージおよびそれを備えた半導体パッケージの実装構造を提供することができる。According to the present invention, it is possible to provide a thin semiconductor package in which warpage is suppressed and a semiconductor package mounting structure including the same.
配線基板の外側面を位置決めに利用することによって、配線基板とピン付き基板を接合する際の位置ずれ量に関わりなく正確に位置決めすることができる。すなわち、配線基板の外形精度によって半導体パッケージを位置決めしてソケットに挿入することができる。By using the outer surface of the wiring board for positioning, the wiring board and the board with pins can be accurately positioned regardless of the amount of positional deviation. That is, the semiconductor package can be positioned and inserted into the socket according to the external accuracy of the wiring board.
なお、半導体パッケージをガイドしてセットするセット凹部の内側面は半導体パッケージを位置決めする作用をなすものであり、単に平坦面に形成する他に、半導体パッケージの外形位置を位置決めするガイド突起などのガイド部が形成されている場合を含む。The inner surface of the set recess for guiding and setting the semiconductor package serves to position the semiconductor package. In addition to simply forming the semiconductor package on a flat surface, guides such as guide protrusions for positioning the outer position of the semiconductor package are provided. Including the case where the part is formed.
以下、本発明に係る半導体パッケージの実装構造および半導体パッケージの好適な実施の形態について添付図面とともに詳細に説明する。
(半導体パッケージ)
図1は、本発明に係る半導体パッケージの第1の実施の形態の構成を示す断面図である。図1に示す半導体パッケージ40は、図7(b)に示す半導体パッケージ30と同様に、配線基板10とピン付き基板25とを接合して形成されている。本実施の形態の半導体パッケージ40において特徴的な構成は、ピン付き基板25の外形寸法を配線基板10の外形寸法よりも大きく設定し、ピン付き基板25の外側面(「外周側面」ともいう)が配線基板10の外側面(「外周側面」ともいう)よりも外側に位置する平面位置関係としたことにある。
Hereinafter, a semiconductor package mounting structure and a preferred embodiment of a semiconductor package according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
(Semiconductor package)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the configuration of a first embodiment of a semiconductor package according to the present invention. The
配線基板10の構成は図7に示す配線基板10と同様であり、複数層に積層して絶縁層13と配線パターン12(配線層)が形成され、絶縁層13に層間で配線パターン12を電気的に接続するビア14が形成されている。配線基板10のピン付き基板25が接合される一方の面は、ピン22のヘッド部22aが接合されるピン接続用のパッド16を露出させてソルダーレジスト層15aによって被覆され、配線基板10の他方の面は半導体素子と電気的に接続されるパッド17を露出させてソルダーレジスト層15bによって被覆されている。本実施形態の配線基板10はビルドアップ法によって形成したコアレス基板であるが、配線基板10の製造方法や配線基板10に形成する配線パターン12の積層数等が限定されるものではない。
The configuration of the
ピン付き基板25も図7に示したピン付き基板20と同様に、配線基板10に形成されたパッド16と同一の平面配置にピン22を配列したものである。本実施の形態のピン付き基板25は、両面を平坦面として樹脂成形によって形成された樹脂基板26と一体にピン22を立設して形成されている。ピン22は一端部に形成されたヘッド部22aの端面(頂部面)が配線基板10に対向する側の樹脂基板26の面に面一に露出するように取り付けられ、ピン22の他端部は樹脂基板26から下方に延出する。
Similarly to the pinned
図1に示す半導体パッケージ40は、配線基板10に形成されたピン接続用のパッド16にはんだ18を供給し、配線基板10とピン付き基板25とを位置合わせし、はんだリフロー工程により、配線基板10とピン付き基板25とをはんだ接合して形成される。もちろん、配線基板10とピン付け基板25とを接合する接合材としてははんだ以外の導電シート等を含む導電材を使用することができる。
The
(半導体パッケージの実装構造)
図2、3は、半導体パッケージ40に半導体素子100を搭載した半導体装置をソケット50に装着する半導体パッケージの実装構造の例を示す。半導体装置は半導体パッケージ40に半導体素子100をフリップチップ接続によって搭載した例を示す。ソケット50は、半導体パッケージ40の本体部分を収容するセット部52とコンタクト54が形成されたベースプレート56とを備える。
セット部52には半導体パッケージ40の配線基板10とピン付き基板25とを収容するセット凹部52aと、ピン22を挿通するピン挿通孔52bが設けられている。ピン挿通孔52bは半導体パッケージ40に取り付けられたピン22と同一の平面配置に設けられ、ピン22の外径よりも若干大径に形成されている。ベースプレート56に設けられたコンタクト54はセット凹部52aに半導体パッケージ40を挿入した状態でピン22の先端が接触して電気的導通がとられる。
(Semiconductor package mounting structure)
2 and 3 show examples of the mounting structure of the semiconductor package in which the semiconductor device having the
The set
図2は、ソケット50に半導体パッケージ40を挿入開始した状態を示す。ソケット50のセット部52に形成されているセット凹部52aは半導体パッケージ40を外形合わせして位置決めする作用をなす。本実施形態の半導体パッケージ40においてはピン付き基板25が配線基板10よりも外形寸法が大きく、ピン付き基板25の外側面が配線基板10の外側面よりも外側に延出する形態に形成されているから、セット凹部52aはピン付き基板25の外側面の寸法に合わせて形成される。すなわち、ソケット50のセット凹部52aは、ピン付き基板25の外形形状に合わせた平面形状に形成され、半導体パッケージ40をソケット50に装着する際に、ピン付き基板25の外側面がセット凹部52aの内側面52cによってガイドされて装着されるように設けられる。
FIG. 2 shows a state in which the
ソケット50に半導体パッケージ40を装着する際には、図2に示すように、セット凹部52aの内側面52cにピン付き基板25の外側面を摺接させるようにして挿入してセットする。セット凹部52aにピン付き基板25を挿入開始した時点では、ピン22の先端がピン挿通孔52bにまで達しないようにし、ピン付き基板25の外側面がセット凹部52aの内側面52cにガイドされて位置決めされてさらに挿入されたところでピン挿通孔52bにピン22の先端が挿入されるようにする。これによって、セット凹部52aにピン付き基板25が確実に位置決めされたところでピン22がピン挿通孔52bに挿入される。ピン挿通孔52bはピン22の位置精度のばらつきを考慮してピン22の外径よりも若干大径に形成されているから確実にピン22をピン挿通孔52bに挿入することができる。
When the
図3は、ソケット50のセット凹部52aにピン付き基板25の下面が当接した状態で、ソケット50に半導体パッケージ40が装着された状態を示す。ピン22はピン挿通孔52bを通過して、ベースプレート56に設けられたコンタクト54に接触する位置まで挿入されている。ピン付き基板25がセット凹部52aの内側面52cにガイドされることにより、半導体パッケージ40の位置ずれが防止され、半導体パッケージ40のピン22をコンタクト54に確実に接触させることができる。
配線基板10はピン付き基板25よりも外形寸法が小さく形成され、外側面はピン付き基板25の外側面よりも内側に位置しているから、セット凹部52aの内側面52cと配線基板10とが干渉することはない。
FIG. 3 shows a state where the
Since the
このように本実施形態の半導体パッケージ40をソケット50に実装する実装構造においては、ピン付き基板25の外形形状、具体的にはピン付き基板25を構成する樹脂基板26の外側面を位置決め位置としてソケット50に装着される。
ピン付き基板25の外側面の位置をソケット50に対する位置決め位置(ガイド位置)として半導体パッケージ40をソケット50に装着する方法によれば、半導体パッケージ40のピン位置のずれ量は、ピン付き基板25を製造する際の公差(ピン付き基板25の外形形成精度、ピン位置精度)のみによって規定され、従来のような、配線基板10とピン付き基板20とを接合する際の位置ずれや、配線基板10とピン付き基板20の製造公差が重畳的に位置ずれに作用するという問題が解消される。
As described above, in the mounting structure in which the
According to the method of mounting the
なお、本実施形態の半導体パッケージ40では、ピン付け基板25の外側面を半導体パッケージ40の位置決めに利用するから、配線基板10とピン付け基板25を接合した際に位置ずれしても、配線基板10の外側面がピン付け基板25の外側面よりも外側に突出しないようにする必要がある。このため、ピン付き基板25と配線基板10の外形寸法の差分を設定する際には、配線基板10とピン付き基板25とを接合する際に生じ得る最大の位置ずれ量よりも差分が大きくなるように設定する必要がある。
本実施形態の半導体パッケージ40のように、ピン付き基板25よりも配線基板10を小型に形成する場合には、ピン付き基板25の大きさには拘わらずに配線基板10の小型化を図ることができるという利点もある。
In the
When the
(ピン付き基板の製造方法)
図4は、本実施形態で使用しているピン付き基板25の製造方法を示す。ピン付き基板25は前述したように樹脂成形によって形成した樹脂基板26にピン22を一体的に立設して形成されている。樹脂成形によってピン付き基板25を形成するには、図4(a)に示すように、モールド用の金型の下型60にピン22をセットし、図4(b)に示すように、上型62と下型60とでピン22をクランプし、キャビティ66に樹脂を充填して樹脂成形すればよい(図4(c))。
(Manufacturing method of substrate with pins)
FIG. 4 shows a method of manufacturing the pinned
図4(a)に示すように、下型60には、ピン付き基板25におけるピン22の平面配置に合わせてピン22をセットするセット穴60aを形成する。セット穴60aはピン22の軸部が摺入される内径に形成され、ピン22をセットした状態でヘッド部22aが下型60の平坦面に形成された成形面60bから上方に突出するようにセット穴60aの深さを設定する。下型60の成形面60bから上方に突出するピン22の突出部分が樹脂基板26の厚さに相当する部分となる。
As shown in FIG. 4A, a
図4(b)に示すように、上型62には樹脂が充填されるキャビティ66を構成するための凹部が形成され、凹部の内底面62a(下型60の成形面60bに対向する面)は平坦面に形成されている。上型62の凹部内面はモールド用のフィルム64によって被覆され、上型62と下型60とでピン22をクランプすることによってキャビティ66が形成され、その際にピン22のヘッド部22aの端面(頂部面)がフィルム64に接触するように設定する。
As shown in FIG. 4B, the
モールド用のフィルム64には、モールド金型の加熱温度に耐えられる耐熱性を有し、金型面および樹脂から容易に剥離し、樹脂成形用の凹部の内面にならって容易に変形する柔軟性および伸展性を有する材料、たとえばPTFE、ETFE、PET、FEPフィルム、フッ素含浸ガラスクロス、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニリジン等が用いられる。また、フィルム64を凹部の内面にならうように上型62にエア吸着して支持した後、キャビティ66を減圧して樹脂70を充填することによって、樹脂中にボイドが混入することを防止して樹脂成形することができる。
The
図4(c)は、キャビティ66に樹脂70を充填して樹脂成形している状態である。樹脂70は上型62に設けられたゲート62bからキャビティ66に充填され、熱硬化される。ピン22のヘッド部22aの端面がモールド用のフィルム64によって被覆され、樹脂成形時にヘッド部22aの端面に樹脂70が侵入することが防止され、樹脂成形によって形成される樹脂基板26の上面と面一にヘッド部22aの端面が露出した状態で樹脂成形される。
FIG. 4C shows a state in which the
本実施形態のピン付き基板25のように、樹脂成形によって形成する樹脂基板26は、配線基板10と同等もしくはそれ以上に外形寸法(外形精度)を高精度に規定することが可能であり、本実施形態の半導体パッケージ40のように、ピン付き基板25の外形位置を基準としてソケット50に装着して実装する製品に好適に利用することができる。
また、樹脂成形方法を利用してピン付き基板25を製造する方法は、所定の強度を有する樹脂材、たとえばエポキシ系の樹脂あるいはエポキシ系の樹脂に補強用にシリカやアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を使用することによって、配線基板10を補強する効果的な作用を得ることができる。また、樹脂基板26の厚さを選択することによってピン付き基板25の強度を調節することも可能である。また、樹脂基板26の外面に面一にヘッド部22aの端面を露出させる形態に形成することによって、ピン付き基板25の薄形化を図ることができる。
Like the pinned
The method of manufacturing the pinned
(半導体パッケージの他の構成例)
図5に、本発明に係る半導体パッケージの第2の実施の形態の構成を示す。本実施形態の半導体パッケージ41も図1に示す半導体パッケージ40と同様に、配線基板にピン付き基板を接合して構成される。第1の実施の形態の半導体パッケージは配線基板10の外形寸法にくらべてピン付き基板25の外形寸法を大きく設定し、配線基板10とピン付き基板25とを接合した状態で、ピン付き基板25の外側面が配線基板10の外側面よりも外側に延出する形態としたのに対して、本実施形態の半導体パッケージ41では配線基板10の外形寸法をピン付き基板25の0外形寸法よりも大きく設定し、配線基板10とピン付き基板25とを接合した状態で、配線基板10の外側面がピン付き基板25の外側面よりも外側に延出するように構成したことを特徴とする。
(Other configuration examples of semiconductor packages)
FIG. 5 shows the configuration of the second embodiment of the semiconductor package according to the present invention. Similarly to the
本実施形態の半導体パッケージ41における配線基板10およびピン付き基板25の構成は第1の実施の形態における配線基板10およびピン付き基板25の構成と変わらないので、各部の構成についての説明は省略する。
半導体パッケージ41では、配線基板10の外側面がピン付き基板25の外側面よりも外側に延出しているから、図6に示すように、半導体パッケージ41に半導体素子100を搭載して形成した半導体装置をソケット50に装着する際には、配線基板10のみが半導体パッケージ41をソケット50に対して位置決めする作用をなす。
Since the configurations of the
In the
図6では、配線基板10の外側面がソケット50のセット凹部52aの内側面52cに摺接して挿入されることによって、半導体パッケージ41がソケット50に位置決めされることを示す。この場合に、ピン付き基板25の外側面はセット凹部52aの内側面52cからは離間し、内側面52cとは干渉しない位置にある。
半導体パッケージ41はセット凹部52aに配線基板10を位置決めして挿入されることにより、セット部52に形成されたピン挿通孔52bにピン22が位置決めされて挿入され、ベースプレート56に設けられたコンタクト54にピン22が挿入されて電気的な導通がとられる。
6 shows that the
The
配線基板10の製造工程においては、大判のワークについて所要の配線パターンを形成する等の工程の後に、スライサーによってワークから個片の製品として切り出しする。ワークを切り出しする際の切り出し位置は、ワークに設けられたマーキング位置を基準としてなされ、個片に形成された配線基板10の側面位置(外形寸法)は100μm以下といった高精度の単位で設定することが可能である。
第1の実施の形態における場合と同様に、本実施形態では、配線基板10の外形位置を基準位置として半導体パッケージ41がソケット50に位置決めされて装着されるから、半導体パッケージ41の位置決め精度は配線基板10の精度によって規定され、ピン付き基板25との相互位置による位置ずれを解消して装着することができる。
In the manufacturing process of the
As in the case of the first embodiment, in this embodiment, the
なお、ソケット50に半導体パッケージ40、41を装着する場合に、ピン付き基板25を基準として装着する第1の実施の形態においては、ピン22の位置精度はピン付き基板25の製造公差によるのに対して、配線基板10の外形位置を基準として位置出しする際には、配線基板10とピン付き基板25とを接合する際に生じる位置ずれによってピン22の位置ずれが生じる。この点で、第1の実施の形態の半導体パッケージ40の方が本実施形態の半導体パッケージ41よりも、より高精度にソケット50に装着させることができる。しかしながら、本実施形態の半導体パッケージ41においては、ピン付き基板25の製造公差が問題にならない点、配線基板10はきわめて高精度に外形加工できる点で、配線基板10とピン付き基板25から構成される半導体パッケージをソケットに位置決めして装着する構成として有効である。
In the first embodiment in which the
なお、上記実施形態では、配線基板10に接合するピン付き基板25として、樹脂成形によって樹脂基板26とピン22とを一体成形したものを使用した例を示したが、本発明はピン付き基板として樹脂成形によって形成したものを使用する場合に限られるものではない。たとえば、図7に示した、基板24にピン22を貫通させて形成したピン付き基板20についても同様に適用される。また、樹脂成形によって形成したピン付き基板25を使用する場合も、ピン22のヘッド部22aを樹脂基板26の外面から突出させて樹脂成形する等、種々の形態に形成することが可能である。
In the above-described embodiment, the example in which the
以上、本発明を実施の形態に基づき具体的に説明した。樹脂成形によって形成された樹脂基板26に一体にピン22が立設されてなるピン付き基板25を用いることで、薄型化により強度が低下した配線基板10であっても補強され、反りが抑制された薄型の半導体パッケージ40、41を提供することができる。The present invention has been specifically described above based on the embodiments. By using the pinned
10 配線基板
13 絶縁層
15a、15b ソルダーレジスト層
16 ピン接続用のパッド
18 はんだ
20、25 ピン付き基板
22 ピン
22a ヘッド部
26 樹脂基板
30、40、41 半導体パッケージ
50 ソケット
52 セット部
52a セット凹部
52b ピン挿通孔
52c 内側面
54 コンタクト
56 ベースプレート
60 下型
62 上型
70 樹脂
100 半導体素子
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記半導体パッケージが収容されるセット凹部および前記セット凹部の下側に前記ピンと電気的に接続されるコンタクトが設けられたソケットとを備え、
前記ピン付き基板は、樹脂成形によって形成された樹脂基板に一体に前記ピンが立設されて形成され、前記樹脂基板の一方の面から前記ピンの一端部が露出し、前記樹脂基板の他方の面から前記ピンの他端部が延出しており、
前記半導体パッケージは、前記配線基板の外形形状が前記ピン付き基板の外形形状よりも大きく、前記ピンの一端部と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されて、前記配線基板の外側面が前記ピン付き基板の外側面よりも外側に延出しており、
前記セット凹部の内側面に前記配線基板の外側面がガイドされて挿入された前記半導体パッケージが前記ソケットに装着されていることを特徴とする半導体パッケージの実装構造。 A semiconductor package having a substrate with pins to which pins are attached and a wiring substrate on which pads for pin connection are formed;
A set recess in which the semiconductor package is accommodated and a socket provided with a contact electrically connected to the pin below the set recess;
The substrate with pins is formed by integrally standing the pins on a resin substrate formed by resin molding, one end of the pin is exposed from one surface of the resin substrate, and the other of the resin substrates is The other end of the pin extends from the surface,
In the semiconductor package, the outer shape of the wiring board is larger than the outer shape of the substrate with pins, and one end of the pin and the pin connection pad are joined to form the pinned substrate and the wiring substrate. Bonded, the outer surface of the wiring board extends outside the outer surface of the substrate with pins,
The semiconductor package mounting structure, wherein the semiconductor package, in which the outer surface of the wiring board is guided and inserted into the inner surface of the set recess, is mounted in the socket.
前記ヘッド部の端面が、前記樹脂基板の一方の面に面一に露出しており、
前記ヘッド部の端面と前記ピン接続用のパッドとが接合して前記ピン付き基板と前記配線基板とが接合されていることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージの実装構造。 A head portion is formed at one end of the pin,
The end surface of the head part is exposed flush with one surface of the resin substrate,
2. The semiconductor package mounting structure according to claim 1 , wherein an end surface of the head portion and the pin connection pad are joined to each other, and the substrate with pins and the wiring substrate are joined.
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