JP5255779B2

JP5255779B2 - 表示装置の製造方法及びそれにより製造された表示装置

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Publication number: JP5255779B2
Application number: JP2007090853A
Authority: JP
Inventors: 俊朗高橋
Original assignee: ユー・ディー・シーアイルランドリミテッド
Priority date: 2007-03-30
Filing date: 2007-03-30
Publication date: 2013-08-07
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Also published as: US20080242181A1; JP2008249969A

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）、液晶素子等を用いた表示装置の製造方法及びそれにより製造された表示装置に関する。

近年、液晶素子、有機ＥＬ素子などを用いた薄型の表示装置が多く利用されている。図１０は、有機ＥＬ素子１の構成を概略的に示している。ガラス等の基板２上に、陽極３、有機ＥＬ層８（正孔輸送層４、発光層５、及び電子輸送層６）、陰極７等が形成されている。引出配線（端子）９を介して外部の配線と接続し、両極３，７に電界を印加することにより、電極３，７間に挟まれた領域の発光層５が励起状態となって発光する。

カラー表示をする場合には、一般的に、基板上の直交する方向、例えば縦横に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）といった発光色が異なるサブピクセルを含む画素を多数配列する必要がある。
有機ＥＬ素子によりカラー表示が可能な表示装置を製造する場合は、例えば、基板上に陽極をストライプ状に形成した後、陽極上にＲＧＢに対応した有機ＥＬ層が繰り返し現れるように有機色素材料の蒸着を順次行う。次いで、有機ＥＬ層上に陰極を形成し、さらに、各電極の端子（外部接続端子）に制御配線、信号配線等の外部配線を接続する。これにより、電極間に挟まれた隣接するＲＧＢの有機ＥＬ層がサブピクセルとなって１つの画素を構成し、図１１に示すように、ＲＧＢのサブピクセルを含む多数の画素７４が基板７２の縦横２方向に配列されることになる。

画素が形成される基板（表示用基板）に関しては、ガラス基板のほか、樹脂フィルムや薄い金属板等の可撓性基板を用いた表示装置が提案されている（例えば特許文献１〜３参照）。可撓性基板であれば大きく曲げてもガラス基板のように割れず、耐衝撃性が高い表示装置とすることができる。特に樹脂フィルムからなる可撓性基板であれば、光透過性が高く、軽量であるといった利点もある。

一方、外部配線に関しては、一般的にポリイミド等の樹脂フィルムにＣｕ等の配線が形成された配線基板７６，７８が用いられる。配線基板７６，７８には、外部接続端子と接続するように所定のピッチで配線が形成されている。接着剤中に導電性粒子が分散された異方性導電性材料（ＡＣＦ等）を表示用基板と配線基板との間に付与し、外部接続端子と外部配線とが電気的に接続するように位置合わせをした上で加熱圧着する。

圧着の際、レーザー光を照射して高速で接着させる方法（特許文献４参照）や、表示用基板と配線基板にそれぞれ別々の接着剤を付与し、常温加圧で接着させる方法（特許文献５参照）などが提案されている。しかし、これらの方法は、表示装置の製造過程における基板の加熱やフォトリソ工程の影響、また、保管時の大気中の水分などによる圧着前の基板の寸法変化は考慮されていない。
圧着前の可撓性基板の寸法変化量が大きい場合、例えば図１２に示すように各電極の外部接続端子８０と外部配線８２との位置が合わず、精度良く圧着ができないといった問題が生じる。

特開平７−７８６９０号公報特開２００２−１５８５９号公報特開２００４−３６１７７４号公報特開平１０−３２１２６５号公報特開２００６−２５３６６５号公報

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、可撓性基板を用いて表示装置を製造する際、圧着前の基板の寸法変化の影響を抑え、外部接続端子と外部配線との圧着時の位置精度を向上させることができる表示装置の製造方法を提供することを主な目的とする。

上記目的を達成するため、本発明では以下の表示装置の製造方法等が提供される。
＜１＞画素を、可撓性基板上の交差する２つの方向に配列するように形成する工程を含み、前記基板上の２つの方向に配列した画素をそれぞれ外部の配線に接続する全ての端子を、前記基板上の２つの方向のうち該基板の寸法変化率が小さい方向に並列するように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。

＜２＞画素を、可撓性基板上の交差する２つの方向に配列するようにパターニングするフォトリソグラフィー工程を含み、前記基板上の２つの方向に配列した画素をそれぞれ外部の配線に接続する全ての端子を、前記基板上の２つの方向のうち前記フォトリソグラフィー工程前後の基板の寸法変化率が小さい方向に並列するように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。

＜３＞前記画素の長手方向が、前記寸法変化率が大きい方向と同一となるように前記画素を形成することを特徴とする＜１＞又は＜２＞に記載の表示装置の製造方法。

＜４＞前記基板の寸法変化率が、該基板の熱寸法変化率であることを特徴とする＜１＞〜＜３＞のいずれかに記載の表示装置の製造方法。

＜５＞前記画素として、発光色が異なる複数のサブピクセルを含む画素を形成することを特徴とする＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の表示装置の製造方法。

＜６＞＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の表示装置の製造方法によって製造された表示装置であって、
可撓性基板と、
前記基板上の交差する２つの方向に配列した画素と、
前記基板上の２つの方向に配列した画素をそれぞれ外部の配線に接続する端子と、
を含み、
前記端子が、全て、前記基板上の２つの方向のうち該基板の寸法変化率が小さい方向に並列していることを特徴とする表示装置。

本発明によれば、可撓性基板を用いて表示装置を製造する際、圧着前の基板の寸法変化の影響を抑え、外部接続端子と外部配線との圧着時の位置精度を向上させることができる表示装置の製造方法が提供される。

以下、添付の図面を参照しながら、主に有機ＥＬ素子による表示装置を製造する場合について説明する。

表示装置に用いるフィルム基板としては、ＰＥＮ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などの樹脂を一方向にのみ延伸すると強度や伸びに方向性が生じてしまうため、機械的強度、寸法安定性、熱安定性などの向上のため、一般的に、直角２方向に延伸した、いわゆる二軸延伸フィルムが使用される。そして、このような二軸延伸フィルム等の可撓性基板を用いて表示装置を製造する場合、基板の方向性については特に考慮せずに表示素子が形成されていた。

ところが、二軸延伸では、ポリマーをロール・ツー・ロール（ＲｔｏＲ）でフィルム状に形成するため、縦横に力が均一に掛からず、フィルムの寸法安定性や熱安定性が軸方向により異なってしまう。そして、本発明者の研究によれば、可撓性基板を用いて表示装置を製造する際、例えば、ＰＥＮ又はＰＥＴで成形した２００ｍｍ×２００ｍｍの二軸延伸フィルムを基板として用いても、蒸着時の加熱や、フォトリソグラフィー工程での溶剤により基板の寸法が変化し、軸方向によって２００μｍ程度の伸びの差が生じることがわかった。
一方、基板上に１辺が数十μｍ〜数百μｍ程度のサイズの画素を形成する場合、このような微小な画素に接続する端子の幅やピッチもμｍオーダーとなる。そのため、基板の寸法変化率のわずかな違いが端子と外部配線との接続に大きな影響を及ぼしてしまう。

そこで、本発明者は、上記のような可撓性基板の寸法変化率の違いを考慮し、表示装置を製造する際、可撓性基板上の交差する２つの方向に配列した画素をそれぞれ外部の配線に接続する端子を、前記基板上の２つの方向のうち該基板の寸法変化率が小さい方向に並列するように形成すれば、外部接続端子と外部配線との圧着時の位置精度を向上させることができることを見出した。

図１は、本発明により有機ＥＬ表示装置を製造する際、可撓性の樹脂フィルム基板２０上に形成された画素２０、引出配線１２，１６、及び端子１４，１８の配列の一例を示している。基板上１０上の縦横の２つの方向ＸＹに多数の画素２０が配列しており、画素部の周囲には、縦横の画素列ごとに引出配線１２，１６が形成されている。各引出配線１２，１６の先端部には、外部の配線に接続するための端子１４，１８が形成されており、各外部接続端子１４，１８は、画素２０が配列された基板１０上の２つの方向ＸＹのうち該基板１０の寸法変化率が小さい方向Ｘに並列するように形成されている。

＜基板＞
本発明で使用する基板１０は、表示装置の表示用基板として使用することができる可撓性基板であれば特に限定されず、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の樹脂を用いた二軸延伸フィルムを好適に用いることができる。このようなフィルム基板であれば、光透過性及び強度が高く、表示用基板として好適に使用することができる。
可撓性基板の厚さは、表示装置の使用目的等に応じて決めれば良いが、表示用基板としての強度、光透過性、可撓性等を考慮すると、好ましくは、５０μｍ〜３ｍｍ、より好ましくは、１００μｍ〜３００μｍ程度とすることができる。

また、上記のような樹脂製の可撓性基板には、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、有機ＥＬ素子の傷付きを防止するためのハードコート層、基板の平坦性や陽極との密着性を向上するためのアンダーコート層等を適宜備えることも可能である。

＜有機ＥＬ素子＞
上記のような可撓性基板１０上に発光層を含む有機ＥＬ素子を形成する。なお、本発明に係る表示装置の表示方式は、可撓性基板１０上の交差する２つの方向に画素２０を配列することができれば特に限定されず、塗り分け方式（色発光方式）、カラーフィルタ方式、色変換方式等、公知のいずれの方式も採用することができる。以下、塗り分け方式により有機ＥＬ素子を形成する場合について主に説明する。

有機ＥＬ素子の層構成は特に限定されるものではなく、目的に応じて適宜設定すればよい。例えば下記のような層構成が挙げられるが、本発明はこれらの構成に限定されるものではない。
・陽極／発光層／陰極
・陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極
・陽極／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／陰極
・陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／ブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極

＜陽極＞
まず、基板１０上に、陽極、引出配線１２、及び外部接続端子１４を形成する。陽極材料は公知のものを用いることができ、例えば、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、アルミニウムやガリウムをドープした酸化亜鉛（ＡＺＯ、ＧＺＯ）等の導電性金属酸化物を好適に用いることができる。このような陽極材料を用い、例えばスパッタ蒸着により基板１０上に全面蒸着した後、フォトリソグラフィーにより、陽極、引出配線１２、及び外部接続端子１４のパターニングを行う。このとき、例えば図２に示すように、陽極２８をストライプ状に形成するとともに、外部接続端子１４は基板１０上に画素が配列される交差する２つの方向ＸＹのうち、該基板１０の寸法変化率が小さい方向Ｘに並列するように形成する。

ここで、基板１０の寸法変化率は、電極材料や後述する有機ＥＬ層の蒸着等の際に基板１０が曝される温度等に応じて決めればよく、例えば、基板１０の蒸着時の温度に近い温度での寸法と、室温における寸法との差に基づいて決めることができる。具体的には、測定用の可撓性基板に対し、２０℃と８０℃での基板の縦横の寸法（Ｌ_２０、Ｌ_８０）をそれぞれ測定し、（Ｌ_８０−Ｌ_２０）／Ｌ_２０で表される寸法変化率（絶対値）を算出することで、寸法変化率の大きい方向（第１の方向）と小さい方向（第２の方向）を予め調べることができる。このように可撓性基板の熱寸法変化率の大小方向を調べた後、測定用の基板と同様に製造した可撓性基板１０を用い、基板１０上の所定の方向に陽極用の外部接続端子等を形成することができる。

なお、上記のように陽極２８、陽極用端子１４等をパターニングする際、陰極用の引出配線１６及び端子１８を同時に形成することもできる。例えば、ＩＴＯ等を用いて基板全面にスパッタ蒸着を行い、陽極２８のほか、両極の引出配線１２，１６及び外部接続端子１４，１８のパターニングを行う。この場合、陰極用端子１８も、画素２０が配列される交差する２つの方向ＸＹのうち、基板１０の寸法変化率が小さい方向Ｘに並列するように形成する。

＜有機ＥＬ層＞
陽極を形成した後、絶縁膜や隔壁を形成し、さらに発光層を含む有機ＥＬ層を形成する。有機ＥＬ層は少なくとも発光層を含み、電圧の印加により所定の発光色を呈することができれば、層構成、厚み、材料等は特に限定されるものではなく、公知の層構成、材料等を採用することができる。

例えば、発光層は少なくとも一種の発光材料を含み、必要に応じて正孔輸送材、電子輸送材、ホスト材を含んでもよい。発光材料は特に限定されることはなく、蛍光発光材料または燐光発光材料のいずれも用いることができる。

蛍光発光材料としては、例えばベンゾオキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、スチリルベンゼン誘導体、ポリフェニル誘導体、ジフェニルブタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ナフタルイミド誘導体、クマリン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、オキサジアゾール誘導体、アルダジン誘導体、ピラリジン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、キナクリドン誘導体、ピロロピリジン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、スチリルアミン誘導体、芳香族ジメチリデン化合物、８−キノリノール誘導体の金属錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、およびポリフルオレン誘導体等の高分子化合物等が挙げられる。これらは１種または２種以上を混合して用いることができる。

燐光発光材料としては特に限定されることはないが、オルトメタル化金属錯体、又はポルフィリン金属錯体が好ましい。
上記オルトメタル化金属錯体を形成する配位子としては種々のものがあり、好ましい配位子としては、２−フェニルピリジン誘導体、７，８−ベンゾキノリン誘導体、２−（２−チエニル）ピリジン誘導体、２−（１−ナフチル）ピリジン誘導体、および２−フェニルキノリン誘導体等が挙げられる。これらの誘導体は必要に応じて置換基を有してもよい。また、上記オルトメタル化金属錯体は、上記配位子のほかに、他の配位子を有していてもよい。
また、ポルフィリン金属錯体の中ではポルフィリン白金錯体が好ましい。
燐光発光材料は１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。また、蛍光発光材料と燐光発光材料を同時に用いてもよい。

陽極２８上に必要に応じて正孔輸送層等を形成した後、ＲＧＢのサブピクセルの大きさに準じた孔（開口部）が形成されたマスク（シャドーマスク）を用い、所定のピッチ分だけずらしてＲＧＢに対応した発光層を順次蒸着して形成する。このようにＲＧＢごとに順次マスク蒸着を行うことで、図２に示すように陽極２８上にそれぞれＲＧＢに対応した発光層２２，２４，２６を形成することができる。なお、各発光層２２，２４，２６の形成方法は上記のようなマスク蒸着に限定されず、例えばインクジェット法、印刷法、型転写などを採用してもよい。
ＲＧＢに対応した発光層２２，２４，２６を形成した後、必要に応じて電子輸送層等を形成する。

有機ＥＬ層を上記のようにマスク蒸着により形成する際も、基板１０は加熱され、通常、縦横に徐々に伸びて寸法が変化し、基板１０上に形成されている各外部接続端子１４の間隔等も変化することになる。しかし、各端子１４は、基板１０上の画素２０が配列される交差する２つの方向ＸＹのうち基板１０の寸法変化率が小さい方向Ｘに並列するように形成されているため、工程中の基板１０の寸法変化による影響を小さく抑えることができる。

＜陰極＞
発光層を含む有機ＥＬ層を形成した後、例えば図３に示すように陽極２８と直交する方向にストライプ状の陰極２９を形成する。陰極２９を構成する材料も特に限定されず、公知の材料、例えばＡｌ、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ等を用いて蒸着により形成することができる。具体的には、陰極２９等を形成する領域にマスク蒸着を行うことで、陽極２８と直交する方向にストライプ状の陰極２９を形成するとともに、陰極用の引出配線１６及び外部接続端子１８を同時に形成する。この場合、陰極用端子１８は、陽極用端子１４と同様、画素２０が配列された基板１０上の交差する２つの方向ＸＹのうち該基板１０の寸法変化率が小さい方向Ｘに並列するように形成する。なお、前記したように陽極形成時に陰極用の外部接続端子１８等を既に形成した場合には、ここでは、陰極２９が引出配線１６と接続するようにパターニングを行えばよい。

上記のように陰極２９等を形成することで、両極２８，２９間に挟まれた隣接するＲＧＢに対応した発光層２２，２４，２６を含む有機ＥＬ素子がそれぞれサブピクセルとなって１つの画素２０を構成する。これにより、ＲＧＢのサブピクセルを含む多数の画素２０が基板１０上の縦横の直交する方向に配列されることになる。

＜封止部材＞
陰極２９を形成した後、水分や酸素による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するため、封止部材（保護層）により被覆する。封止部材としては、ガラス、金属、プラスチック等を用いることができる。

＜外部配線＞
封止後、例えば図４に示すように、制御配線、信号配線等の外部配線が形成された配線基板３０ａ，３０ｂ，３０ｃを、外部接続端子１４，１８が並列している表示用基板１０の縁に沿って配置し、位置合わせをして圧着させる。配線基板３０ａ，３０ｂ，３０ｃとしては、例えば、ポリイミド、ポリエステルなどの可撓性を有するフィルム基板上に、表示用基板１０上の各端子１４，１８の幅及びピッチに対応するようにＣｕ等のめっきにより予め配線を形成した配線基板を用いることができる。表示用基板１０が、蒸着時の加熱や、フォトリソグラフィー時の溶剤等により寸法が変化しても、両極の各端子１４，１８は、基板１０の寸法変化率の小さい方向に沿って並列するように形成されているため、設計位置からのずれが少ない。従って、図５に示すように、表示用基板１０上の外部接続端子１４，１８と配線基板３０の外部配線３２を高いアライメント精度で位置合わせすることができ、それらの間にＡＣＰ（異方性導電ペースト）、ＡＣＦ（異方性導電フィルム）等、接着剤３８中にＮｉ等の導電性粒子３９が分散された異方性導電性材料３６を付与して加熱圧着する。これにより各電極の端子１４，１８と外部配線３２とが精度良く接続された表示装置４０を製造することができる。従って、有機ＥＬ表示装置を連続生産する際、本発明を適用することで品質及び歩留りを確実に向上させることができる。

なお、両極の外部接続端子１４，１８の配列は図１に示したものに限定されず、画素２０が配列される表示用基板１０上の２つの方向ＸＹのうち該基板１０の寸法変化率が小さい方向Ｘに並列するように形成すればよい。すなわち、基板１０のＸ方向の寸法変化率が小さい場合には、両極の外部接続端子がともにＸ方向に並列すればよく、例えば、図６に示すように両極の外部接続端子４２，４４が、基板１０の同じ側で略半々に分かれて並列するようにパターニングしてもよいし、図７に示すように両極の外部接続端子５２，５４が基板１０の対向する側でそれぞれ並列するようにパターニングしてもよい。

画素の形状、配列、構成等も特に限定されず、例えば、ＲＢＧのサブピクセルで構成した縦型のストライプ配列のほか、横型のストライプ配列、デルタ配列、あるいは、１つの画素にＲＧＢのサブピクセルのほかに白色（Ｗ）のサブピクセルを含んでいてもよい。
また、単純マトリクス型の有機ＥＬ表示装置の場合など、図８に示すように画素２０の長手方向が、寸法変化率が大きい方向Ｙと同一となるようにパターニングを行えば画素の位置精度が向上するため好ましい。

＜カラーフィルタ方式の場合＞
上記ではマスク蒸着により各発光色に対応した発光層を塗り分ける方式について説明したが、カラーフィルタ方式や色変換方式を採用してもよい。
カラーフィルタによりカラー表示を行う場合は、例えば、図９に示すように可撓性基板６０上にＲＧＢに対応したカラーフィルタ６２が並列するようにフォトリソグラフィーによりパターニングし、その上に陽極６４、発光層（白色）を含む有機ＥＬ層６６、陰極６８を順次形成する。このようなフォトリソグラフィー工程では、基板６０へのレジストの塗布、露光、アルカリ現像、溶剤によるレジストの剥離などの処理が行われ、フォトリソグラフィー工程においてフィルム基板の寸法が変化し易い。

そこで、可撓性基板上に画素をパターニングするフォトリソグラフィー工程を含む場合は、両極の外部接続端子は、画素が配列される基板上の交差する２つの方向のうちフォトリソグラフィー工程前後の基板６０の寸法変化率が小さい方向に並列するように形成することが好ましい。すなわち、フォトリソグラフィー工程前後の基板の寸法変化率を基準とし、両極の外部接続端子を、基板の寸法変化率の小さい方向に沿って並列するように形成することで、各端子の設計位置からのずれが抑制され、各端子と外部配線との位置合わせを高精度に行うことができる。

＜液晶表示装置の場合＞
上記では有機ＥＬ表示装置を製造する場合について説明したが、液晶素子を用いた表示装置の製造にも本発明を好適に適用することができる。
液晶表示装置を製造する場合は、一般的にカラーフィルタ方式が採用され、フォトリソグラフィー工程が含まれることになる。そこで、外部接続端子を、画素が配列される基板上の２つの方向のうちフォトリソグラフィー工程前後の基板の寸法変化率が小さい方向に並列するように形成する。これにより、各外部接続端子の設計位置からのずれが抑制され、各端子と外部配線との位置合わせを高精度に行うことができる。このようにして液晶表示装置を製造すれば、端子と外部配線とが確実に接続され、高精度の表示が可能な液晶表示装置を製造することができる。

以上、本発明について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。
例えば、可撓性基板は二軸延伸フィルムに限定されるものではなく、他の製造方法により成形したフィルム基板を用いることもできる。
また、本発明は、例えば複数の有機ＥＬ層を積層したマルチフォトンエミッション素子を備えた有機ＥＬ表示装置としてもよいし、無機ＥＬ素子、プラズマ素子、電気泳動素子などを用いた表示装置の製造にも適用することができる。

駆動方式も限定されず、パッシブマトリクス方式の表示装置及びアクティブマトリクス方式の表示装置のいずれにも本発明を適用することができる。表示もフルカラー表示に限らず、例えばエリアカラー表示の表示装置を製造する場合にも本発明を適用することができる。また、両面表示装置としてもよいし、片面表示装置としてもよい。

本発明により可撓性基板上に形成する外部接続端子の配列の一例を示す概略平面図である。陽極上にＲＧＢに対応する発光層を形成した状態を示す概略平面図である。有機ＥＬ層上に陰極を形成した状態を示す概略平面図である。表示用基板に配線基板を圧着した状態を示す概略平面図である。本発明により可撓性基板上に形成した外部接続端子と配線基板上の外部配線との位置関係を示す概略図である。外部接続端子の配列の他の例を示す概略平面図である。外部接続端子の配列のさらに他の例を示す概略平面図である。ＲＧＢのサブピクセルがストライプ状に配列（ストライプ配列）した画素の一例を示す概略図である。カラーフィルタによる表示方式の構成の一例を示す概略図である。有機ＥＬ素子の構成の一例を示す概略図である。配線基板の一般的な配置を示す概略平面図である。外部接続端子と外部配線との位置のずれを示す概略図である。

符号の説明

１０・・・可撓性基板（表示用基板）
１２・・・陽極用引出配線
１４・・・陽極用外部接続端子
１６・・・陰極用引出配線
１８・・・陰極用外部接続端子
２０・・・画素
２２，２４，２６・・・発光層
２８・・・陽極
２９・・・陰極
３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ・・・配線基板
３２・・・外部配線

Claims

画素を、可撓性基板上の交差する２つの方向に配列するように形成する工程を含み、前記基板上の２つの方向に配列した画素をそれぞれ外部の配線に接続する全ての端子を、前記基板上の２つの方向のうち該基板の寸法変化率が小さい方向に並列するように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
画素を、可撓性基板上の交差する２つの方向に配列するようにパターニングするフォトリソグラフィー工程を含み、前記基板上の２つの方向に配列した画素をそれぞれ外部の配線に接続する全ての端子を、前記基板上の２つの方向のうち前記フォトリソグラフィー工程前後の基板の寸法変化率が小さい方向に並列するように形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
前記画素の長手方向が、前記寸法変化率が大きい方向と同一となるように前記画素を形成することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の表示装置の製造方法。
前記基板の寸法変化率が、該基板の熱寸法変化率であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
前記画素として、発光色が異なる複数のサブピクセルを含む画素を形成することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法。
請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の表示装置の製造方法によって製造された表示装置であって、
可撓性基板と、
前記基板上の交差する２つの方向に配列した画素と、
前記基板上の２つの方向に配列した画素をそれぞれ外部の配線に接続する端子と、
を含み、
前記端子が、全て、前記基板上の２つの方向のうち該基板の寸法変化率が小さい方向に並列していることを特徴とする表示装置。