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JP5282873B2 - A pair of probes for substrate inspection and a jig for substrate inspection - Google Patents
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JP5282873B2 - A pair of probes for substrate inspection and a jig for substrate inspection - Google Patents

A pair of probes for substrate inspection and a jig for substrate inspection Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pair of probes for substrate inspection capable of performing four-terminal measurement, even with respect to a high-density wiring pattern. <P>SOLUTION: Each of the pair of probes has a contact part which is to be brought into contact with an inspection point on a substrate to be inspected, and one probe is used as a probe for signal measurement; and the other is used as a probe for signal supply. At least a part of the contact part of one probe of the pair of probes is positioned inside the other probe. <P>COPYRIGHT: (C)2010,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、回路基板上の配線パターン間の抵抗値の測定や断線検査のための基板検査用の一対のプローブ及び基板検査用治具に関する。   The present invention relates to a pair of probes for board inspection for measuring a resistance value between wiring patterns on a circuit board and a disconnection inspection, and a jig for board inspection.

この出願書類で使用する用語の「回路基板」は、半導体パッケージ用のパッケージ基板やフィルムキャリアに限らず、プリント配線基板、例えば、フレキシブル基板、多層配線基板、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ用の電極板など種々の配線が施される基板を総称する。即ち、回路基板には、四端子測定の対象となり得る全ての基板が含まれる。   The term “circuit board” used in the application documents is not limited to a package substrate for a semiconductor package or a film carrier, but a printed wiring board, for example, a flexible board, a multilayer wiring board, an electrode plate for a liquid crystal display or a plasma display, etc. A generic term for substrates to which various wirings are applied. That is, the circuit board includes all boards that can be subjected to four-terminal measurement.

近年、導通のみではなく回路基板の配線の抵抗値を正確に測定して導通検査を行うため、プローブの接触抵抗の影響を排除してその抵抗値を測定することができる四端子測定が使用されている。   In recent years, in order to conduct continuity tests by accurately measuring not only continuity but also circuit board wiring resistance, four-terminal measurement has been used that can measure the resistance value without the influence of probe contact resistance. ing.

そのような四端子測定では、電圧測定用プローブと電流印加用プローブとができるだけ接近して配置されて、同一検査点に確実に接触する必要があり、そのための手段が種々提案されている。
特開2005−315775号 この文献1には、2本のプローブを並列に並べて被検査点のパッドに接触させる構成が開示されている。
In such a four-terminal measurement, it is necessary that the voltage measurement probe and the current application probe be arranged as close as possible and reliably contact the same inspection point, and various means have been proposed.
JP 2005-315775 A discloses a configuration in which two probes are arranged in parallel and brought into contact with a pad at a point to be inspected.

そのように、2本のプローブを並列に並べることによって行う四端子測定は、配線ピッチの間隔の広い配線パターンが形成されたものを検査する際には容易に対応できるが、比較的配線ピッチが狭く高密度の配線パターンが形成された基板を対象とする際には対応が難しい面がある。   As described above, the four-terminal measurement performed by arranging two probes in parallel can be easily handled when inspecting a wiring pattern having a wide wiring pitch interval, but the wiring pitch is relatively small. When targeting a substrate on which a narrow and high-density wiring pattern is formed, there is a face that is difficult to cope with.

また、球面を有する半田バンプに並列に並んだ2本のプローブを接触させると、2本のプローブが、反対方向に下降する球面に接触するため、互いに離れようとしてしまうという傾向を有していた。   Further, when two probes arranged in parallel on a spherical solder bump are brought into contact with each other, the two probes come into contact with the spherical surface descending in the opposite direction, so that they tend to be separated from each other. .

配線ピッチが狭く高密度の配線パターンが形成された検査基板を対象として四端子測定を行うために、単位面積当たりの四端子プローブの本数を増加させることのできる基板検査用の一対のプローブ及び基板検査用治具を提供する。   A pair of probes and substrates for substrate inspection that can increase the number of four-terminal probes per unit area in order to perform four-terminal measurement on an inspection substrate on which a wiring pattern with a narrow wiring pitch and a high density is formed Provide inspection jigs.

また、球面を有する半田バンプに2本のプローブを接触させる際であっても、2本のプローブを確実に半田バンプと接触させることのできる基板検査用の一対のプローブ及び基板検査用治具を提供する。   Further, even when two probes are brought into contact with a solder bump having a spherical surface, a pair of probes for substrate inspection and a substrate inspection jig capable of reliably bringing the two probes into contact with the solder bumps are provided. provide.

上記課題を解決するために、本発明に係る基板検査用の一対のプローブは、各々が、被検査基板上の被検査点に接触する接触部を有し、一方が信号測定用のプローブとして用いられ、他方が信号供給用のプローブとして用いられ、さらに、一方のプローブの接触部の少なくとも一部が、他方のプローブの内部に位置することを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned problems, each of the pair of probes for inspecting a substrate according to the present invention has a contact portion that contacts an inspection point on the inspected substrate, and one of the probes is used as a probe for signal measurement The other is used as a signal supply probe, and at least a part of the contact portion of one probe is located inside the other probe.

一対のプローブにおいて、他方のプローブの少なくとも一部が長手方向に沿った開口を有する壁面からなり、一方のプローブの本体の一部が開口に挿通されることによって一方のプローブの接触部の一部が、他方のプローブの内部に位置するようにしてもよい。   In a pair of probes, at least a part of the other probe is made of a wall surface having an opening along the longitudinal direction, and a part of the main body of one probe is inserted into the opening, thereby a part of the contact portion of one probe However, it may be located inside the other probe.

開口はスリットでもよく、一対のプローブに可撓性及び弾性を持たせてもよい。   The opening may be a slit, and the pair of probes may be flexible and elastic.

また、本発明に係る一つのプローブは、各々が、内部に空間が形成されるようにその空間を囲むように配置された部材からなるとともに、被検査基板上の被検査点に接触する接触部を有し、一方を信号測定用のプローブとして用い、他方を信号供給用のプローブとして用いることができ、各プローブの部材の側面にそれぞれ開口が形成されていて、開口に他方のプローブの部材の一部が挿通されることにより、互いに、一方のプローブの接触部の一部が、他方のプローブの内部に位置するようにすることを特徴とする。   In addition, each probe according to the present invention includes a member arranged so as to surround the space so that a space is formed therein, and a contact portion that contacts a point to be inspected on the substrate to be inspected. One of them can be used as a signal measurement probe, and the other can be used as a signal supply probe. Openings are formed on the side surfaces of the members of each probe, and the openings of the other probe members are formed in the openings. By inserting a part of the probe, a part of the contact portion of one probe is positioned inside the other probe.

また、本発明に係る基板検査用治具は、各々が、被検査基板上の被検査点に接触する接触部を有し、一方が信号測定用のプローブとして用いられ、他方が信号供給用のプローブとして用いられる一対のプローブであって、一方のプローブの接触部の少なくとも一部が、他方のプローブの内部に位置する、一対のプローブを複数対備え、さらに、複数対のプローブの中の信号供給用のプローブを信号発生部に接続し、信号測定用のプローブを信号測定部に接続するとともに、それらを保持する保持プレートと、接触部の近くを保持して案内するガイドプレートとを備え、保持プレートと複数対のプローブとの間に、マイクロスプリングを配置したことを特徴とする。   In addition, each of the substrate inspection jigs according to the present invention has a contact portion that contacts an inspection point on a substrate to be inspected, one of which is used as a signal measurement probe, and the other is for signal supply. A pair of probes used as probes, wherein at least part of the contact portion of one probe is provided with a plurality of pairs of probes located inside the other probe, and signals in the plurality of pairs of probes A probe for supply is connected to the signal generation unit, a probe for signal measurement is connected to the signal measurement unit, a holding plate that holds them, and a guide plate that holds and guides the vicinity of the contact part, A microspring is arranged between the holding plate and a plurality of pairs of probes.

本発明によると、高密度の配線パターンに対しても四端子測定を容易に行うことのできる基板検査用の一対のプローブ及び基板検査用治具を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a pair of probes for substrate inspection and a substrate inspection jig that can easily perform four-terminal measurement even for a high-density wiring pattern.

また、本発明によると、基板検査用治具のプローブの密度を高めることのできる基板検査用の一対のプローブ及び基板検査用治具を提供することができる。   Further, according to the present invention, it is possible to provide a pair of probes for substrate inspection and a substrate inspection jig that can increase the density of the probes of the substrate inspection jig.

さらに、本発明によると、例えば、半田バンプのように球面を有する検査点に対しより確実に一対のプローブを接触させることのできる基板検査用の一対のプローブ及び基板検査用治具を提供することができる。   Furthermore, according to the present invention, there is provided a pair of probes for substrate inspection and a substrate inspection jig capable of bringing a pair of probes into contact with an inspection point having a spherical surface such as a solder bump more reliably. Can do.

以下、本発明に係るプローブの望ましい実施形態について、添付の図面を参照しながら説明する。なお、図中、同じ要素に対しては同じ符号を付して、重複した説明は省略する。
[四端子測定]
図1は、四端子測定の概念を説明するための図である。図1に示すように、回路基板16の配線の抵抗14を測定する際には、第1及び第2電圧プローブ12S1,12S2と第1及び第2電流プローブ10F1,10F2とを、その配線の抵抗14の両端に接触するように配置し、第1及び第2電流プローブ10F1,10F2を経由して、電流発生部10から配線の抵抗14に測定用の所定の大きさの電流を供給する。
Hereinafter, preferred embodiments of a probe according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
[4-terminal measurement]
FIG. 1 is a diagram for explaining the concept of four-terminal measurement. As shown in FIG. 1, when measuring the resistance 14 of the wiring of the circuit board 16, the first and second voltage probes 12S1, 12S2 and the first and second current probes 10F1, 10F2 are connected to the resistance of the wiring. 14 is arranged so as to be in contact with both ends, and a current of a predetermined magnitude for measurement is supplied from the current generator 10 to the wiring resistor 14 via the first and second current probes 10F1 and 10F2.

それにより配線の抵抗14の両端部には電位差が発生するので、第1及び第2電圧プローブ12S1,12S2を介してその両端部の電位差を電圧測定部12で測定する。その電位差の値、つまり電圧値が求まると、測定用の電流値及びその測定した電圧値から配線の抵抗14の抵抗値を求めることができる。   As a result, a potential difference is generated at both ends of the resistance 14 of the wiring, and the voltage measurement unit 12 measures the potential difference between the both ends via the first and second voltage probes 12S1 and 12S2. When the value of the potential difference, that is, the voltage value is obtained, the resistance value of the wiring resistor 14 can be obtained from the current value for measurement and the measured voltage value.

この測定の際、一対の第1電流プローブ10F1と第1電圧プローブ12S1との間、また、他の一対の第1電流プローブ10F2と第1電圧プローブ12S2との間の配線のそれぞれの抵抗値を無視できるように小さくするため、それらの間の距離は小さいことが望ましい。
[基板検査用プローブの構成]
図2は、四端子測定によって基板の配線パターンの検査を行うための本発明に係る基板検査用治具を構成する一対のプローブの望ましい実施形態を示す。その一対のプローブは、電圧プローブ20Sと電流プローブ20Fとからなる。それらのプローブは、例えば、断面の直径が50から100μmで、厚みが10から15μmの、概略円筒状の部材を組み合わせたもので、それらのプローブにはそれぞれ長手方向に沿って均一の幅のスリット22,23(開口)が形成されている。電圧プローブ20Sのスリット22には、電流プローブ20Fの一部24が挿通され、電流プローブ20Fのスリット23には、電圧プローブ20Sの一部26が挿通されている。そのスリットの幅は、約10から20μmに亘って形成される。そのスリットの幅の大きさを変えることによって、2つのプローブのそれぞれの一部が互いに他方の内部に入り込む部分の長さの量を変えることができる。なお、このスリット22の幅は、上記の如き他方のプローブの内部に入り込むことができれば、特に限定されないが、少なくとも円筒プローブの厚み(絶縁膜の厚みを含む)より大きく円弧全体の1/4程度までの大きさが好ましい。例えば、最も大きなスリットを使用する場合には、電圧プローブ20Sの円周の4分の1の長さの円弧の長さを切り取ることによってスリット22を形成してもよい。
In this measurement, the resistance values of the wirings between the pair of first current probes 10F1 and the first voltage probe 12S1 and between the other pair of first current probes 10F2 and the first voltage probe 12S2 are calculated. It is desirable that the distance between them is small so that it can be ignored.
[Configuration of probe for substrate inspection]
FIG. 2 shows a preferred embodiment of a pair of probes constituting a substrate inspection jig according to the present invention for inspecting a wiring pattern on a substrate by four-terminal measurement. The pair of probes includes a voltage probe 20S and a current probe 20F. These probes are, for example, a combination of substantially cylindrical members having a cross-sectional diameter of 50 to 100 μm and a thickness of 10 to 15 μm. Each of these probes has a slit with a uniform width along the longitudinal direction. 22 and 23 (openings) are formed. A part 24 of the current probe 20F is inserted through the slit 22 of the voltage probe 20S, and a part 26 of the voltage probe 20S is inserted through the slit 23 of the current probe 20F. The width of the slit is formed over about 10 to 20 μm. By changing the width of the slit, it is possible to change the length of the portion where each part of the two probes enters the other. The width of the slit 22 is not particularly limited as long as it can enter the inside of the other probe as described above, but is at least larger than the thickness of the cylindrical probe (including the thickness of the insulating film) and about 1/4 of the entire arc. A size of up to is preferred. For example, when the largest slit is used, the slit 22 may be formed by cutting out the length of an arc that is a quarter of the circumference of the voltage probe 20S.

ここで、プローブの内部とは、プローブを形成する壁面によって形成される内部空間のことであり、図2の実施形態では、円筒形状のプローブの筒内部を指し示している。一対のプローブの内部空間に他方のプローブが収容されることにより、断面面積(平面における断面面積)が2つのプローブの断面面積の合計面積よりも小さくなる。   Here, the inside of the probe is an internal space formed by the wall surface forming the probe, and in the embodiment of FIG. 2, the inside of the cylinder of the cylindrical probe is indicated. By accommodating the other probe in the internal space of the pair of probes, the cross-sectional area (the cross-sectional area in the plane) becomes smaller than the total cross-sectional area of the two probes.

このスリット22の有する長さ方向の大きさは、図4では、長さ方向の全長に亘って形成されているが、一対のプローブが組み合わさって利用することができれば、全長にわたって形成されることには限定されない。ただし、少なくともプローブの全長の半分の長さを有することが望ましい。   The size of the slit 22 in the length direction is formed over the entire length in the length direction in FIG. 4, but if the pair of probes can be used in combination, the slit 22 can be formed over the entire length. It is not limited to. However, it is desirable to have at least half the total length of the probe.

電圧プローブ20Sと電流プローブ20Fとのそれぞれの全面にわたって絶縁膜が被覆されており、スリット22,23の端面にも絶縁膜が被覆されている。そのため、図2のように、スリット22,23に、それぞれのプローブの一部24,26が挿入された状態でも、電圧プローブ20Sと電流プローブ20Fと間の絶縁は保たれている。   An insulating film is covered over the entire surfaces of the voltage probe 20S and the current probe 20F, and the end faces of the slits 22 and 23 are also covered with an insulating film. Therefore, as shown in FIG. 2, the insulation between the voltage probe 20S and the current probe 20F is maintained even in a state where the probe portions 24 and 26 are inserted into the slits 22 and 23, respectively.

この絶縁膜の厚みは、特に限定されないが、1から10μmに形成され、プローブの両先端を除く部分に形成されている。この除く部分の大きさは、特に限定されないが、当接する検査点や他の部材と確実に導通接触することができる長さを有しておく必要がある。   Although the thickness of this insulating film is not particularly limited, it is formed to be 1 to 10 μm, and is formed at a portion excluding both ends of the probe. The size of the portion to be excluded is not particularly limited, but it is necessary to have a length that allows reliable contact with the abutting inspection point and other members.

基板検査の際には、図2のように構成した一対のプローブを2組用いて、一方の対を第1の電流プローブ及び電圧プローブとし、他方の対を第2の電流プローブ及び電圧プローブとする。プローブの検査点に当接する側の先端は、鋸歯形状や先鋭形状に形成してもよい。   At the time of substrate inspection, two pairs of probes configured as shown in FIG. 2 are used, one pair as a first current probe and voltage probe, and the other pair as a second current probe and voltage probe. To do. The tip of the probe that contacts the inspection point may be formed in a sawtooth shape or a sharp shape.

図3Aは、2組の一対のプローブ20−1,20−2を使用して四端子測定を行う状態を説明するための一部断面側面図である。検査対象は、基板34の表側(図3Aに向かって上側)に形成された比較的配線ピッチが狭く高密度の配線パターン部の半田バンプ30と31との間の配線36の抵抗値及び断線の有無とする。   FIG. 3A is a partial cross-sectional side view for explaining a state where four-terminal measurement is performed using two pairs of probes 20-1 and 20-2. The object to be inspected is the resistance value and disconnection of the wiring 36 between the solder bumps 30 and 31 of the wiring pattern portion having a relatively narrow wiring pitch and a high density formed on the front side of the substrate 34 (upper side in FIG. 3A). Presence or absence.

2組の一対のプローブ20−1,20−2は同じ構造である。例えば一対のプローブ20−1は、電流発生部に接続されたプローブ20F1と、電圧測定部に接続されたプローブ20S1とからなる。そのプローブ20F1とプローブ20S1とのそれぞれには、図2に示すようなスリット22,23が形成されていて、それらのスリットの間に互いのプローブの一部24,26が挿通されている。プローブ20F1及びプローブ20S1のそれぞれの端部の接触部24C,26Cは、半田バンプ31と接触している。また、他方の一対のプローブ20−2は、電流発生部に接続されたプローブ20F2と、電圧測定部に接続されたプローブ20S2とからなる。そのプローブ20F2及びプローブ20S2も同様に、図2に示すように、それぞれにスリット22,23が形成されていて、それらのスリット22,23の間に互いのプローブの一部24,26が挿通されている。プローブ20F2及びプローブ20S2のそれぞれの端部の接触部24C,26Cは、半田バンプ30と接触している。なお、基板に形成される半田バンプの直径は、例えば、40から200μmである。   The two pairs of probes 20-1 and 20-2 have the same structure. For example, the pair of probes 20-1 includes a probe 20F1 connected to the current generation unit and a probe 20S1 connected to the voltage measurement unit. Each of the probe 20F1 and the probe 20S1 is formed with slits 22 and 23 as shown in FIG. 2, and parts 24 and 26 of the probes are inserted between the slits. The contact portions 24C and 26C at the ends of the probe 20F1 and the probe 20S1 are in contact with the solder bumps 31. The other pair of probes 20-2 includes a probe 20F2 connected to the current generation unit and a probe 20S2 connected to the voltage measurement unit. Similarly, as shown in FIG. 2, the probes 20F2 and the probe 20S2 are formed with slits 22 and 23, respectively, and a part of the probes 24 and 26 are inserted between the slits 22 and 23, respectively. ing. The contact portions 24C and 26C at the ends of the probe 20F2 and the probe 20S2 are in contact with the solder bump 30. The diameter of the solder bump formed on the substrate is, for example, 40 to 200 μm.

図3Bに、図3Aの破線の楕円Aで囲む部分の拡大図を示す。その図から明らかなように、プローブ20F2及びプローブ20S2のそれぞれの端部の接触部24C,26Cが、半田バンプ30の頂部から少し水平方向にずれた少し下方の位置と接触している。また、プローブ20F2の一部24の接触部24Cは、プローブ20S2の内部に位置しており、逆に、プローブ20S2の一部26の接触部26Cは、プローブ20F2の内部に位置する。   FIG. 3B shows an enlarged view of a portion surrounded by a dashed ellipse A in FIG. 3A. As is apparent from the figure, the contact portions 24C and 26C at the ends of the probes 20F2 and 20S2 are in contact with positions slightly below the top of the solder bumps 30 that are slightly displaced in the horizontal direction. Further, the contact part 24C of the part 24 of the probe 20F2 is located inside the probe 20S2, and conversely, the contact part 26C of the part 26 of the probe 20S2 is located inside the probe 20F2.

図3Cは、本発明に係る電流プローブ20F及び電圧プローブ20Sを半田バンプ35に接触させた場合のそれらのプローブの配置及び動きについて説明するための概略図である。それらの一対のプローブは、図2に示すように互いのスリット22,23に互いの一部24,26を挿通して組み合わせたものである。   FIG. 3C is a schematic view for explaining the arrangement and movement of the probe when the current probe 20F and the voltage probe 20S according to the present invention are brought into contact with the solder bump 35. FIG. As shown in FIG. 2, the pair of probes is a combination of the slits 22 and 23 inserted through the parts 24 and 26 of the mutual.

図3Cに示すように、電流プローブ20F及び電圧プローブ20Sのそれぞれの端部の接触部24C,26Cを半田バンプ35に押し当てると、半田バンプ35は曲面を有しているため、それらの接触部24C及び接触部26Cは、それぞれ、図面に向かって、左下方及び右下方に滑り落ちようとする。それに伴い、電流プローブ20F及び電圧プローブ20Sの一部24,26が、それぞれ左及び右方向に移動しようとする。つまり、電流プローブ20Fは矢印MFで示すように左側に移動しようとする一方、電圧プローブ20Sは矢印MSで示すように右側に移動しようとする。そのため、それらは互いに近寄ることになる。その結果、電流プローブ20Fと電圧プローブ20Sとは当接して移動が止まるため、それらのプローブを半田バンプ35に押し付けようとする力が、効果的にそれらのプローブを半田バンプに接触させるための軸方向への力として利用されることになる。   As shown in FIG. 3C, when the contact portions 24C and 26C at the ends of the current probe 20F and the voltage probe 20S are pressed against the solder bump 35, the solder bump 35 has a curved surface, and therefore, the contact portions thereof. 24C and the contact part 26C try to slide down to the lower left and the lower right, respectively, toward the drawing. Along with this, the parts 24 and 26 of the current probe 20F and the voltage probe 20S try to move in the left and right directions, respectively. That is, the current probe 20F attempts to move to the left as indicated by the arrow MF, while the voltage probe 20S attempts to move to the right as indicated by the arrow MS. Therefore, they are close to each other. As a result, the current probe 20F and the voltage probe 20S come into contact with each other and stop moving, so that the force for pressing the probes against the solder bumps 35 is an axis for effectively bringing the probes into contact with the solder bumps. It will be used as a force in the direction.

また、図3Cから明らかなように、電流プローブ20F及び電圧プローブ20Sの幅が、それぞれの直径の合計値よりも小さいため、プローブの配置密度を高めることができる。   Further, as apparent from FIG. 3C, since the width of the current probe 20F and the voltage probe 20S is smaller than the total value of the respective diameters, the arrangement density of the probes can be increased.

一方、図3Dには、従来のように、2本のプローブ12S,10Fを並列に並べた状態で半田バンプ35に接触させた状態を示す。その状態で、それぞれのプローブを半田バンプ35に押し付けると、左側に位置するプローブ12Sの接触部12Cは、半田バンプ35の左側の傾斜面を滑り落ちるように移動し、また、右側に位置するプローブ10Fの接触部10Cは、半田バンプ35の右側の傾斜面を滑り落ちるように移動する。それに伴い、それぞれの壁面12P,10Pがそれぞれ左側(矢印MS方向)及び右側(矢印MF方向)に移動するため、プローブ12S,10Fは、互いに離れる方向に移動することになる。つまり、それらのプローブ12S,10Fを半田バンプ35に押し付けるために加えた力は、それらのプローブと半田バンプ35とを引き離す方向への力と機能しており、それらを半田バンプに接触させるための力としては有効に機能していない。   On the other hand, FIG. 3D shows a state in which two probes 12S and 10F are brought into contact with the solder bump 35 in a state of being arranged in parallel as in the prior art. In this state, when each probe is pressed against the solder bump 35, the contact portion 12C of the probe 12S located on the left side moves so as to slide down the left inclined surface of the solder bump 35, and the probe 10F located on the right side. The contact portion 10 </ b> C moves so as to slide down the right inclined surface of the solder bump 35. Accordingly, the wall surfaces 12P and 10P move to the left (arrow MS direction) and the right (arrow MF direction), respectively, so that the probes 12S and 10F move away from each other. That is, the force applied to press the probes 12S and 10F against the solder bumps 35 functions as a force in a direction in which the probes and the solder bumps 35 are separated from each other. It is not functioning effectively as a force.

次に、図4から図6に基づいて、本発明に係るプローブの組み立て方法について説明する。図4は、1本のプローブ20の平面図及び側面図である。その図に示すように、そこでは、内部に空間のある円筒状の部材をプローブ部材として用いる。そのプローブの長手方向の側面に沿って、スリット22が形成されている。そのスリット22の幅は、少なくとも他方のプローブ部材の一部が挿入できる大きさが必要である。そのスリットは、例えば、レーザーを用いて加工することができる。そのスリットを形成した後に、上下の端部の面を除いて全面に絶縁膜が被覆されている。   Next, a method for assembling the probe according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 4 is a plan view and a side view of one probe 20. As shown in the figure, a cylindrical member having a space inside is used as a probe member. A slit 22 is formed along the longitudinal side surface of the probe. The width of the slit 22 needs to be large enough to allow at least part of the other probe member to be inserted. The slit can be processed using, for example, a laser. After the slit is formed, the entire surface is covered with an insulating film except for the surfaces of the upper and lower end portions.

図5は、図4に示すプローブを2本準備し、それらを組み合わせている途中の過程を示す平面図及び側面図である。そこでは、一方のスリットは、プローブ20Sのスリット22に、他方のプローブ20Fの一部24を挿通し、また、他方のスリット23に、他方のプローブ20Sの一部26を挿通している。   FIG. 5 is a plan view and a side view showing a process in the middle of preparing two probes shown in FIG. 4 and combining them. In this case, one slit has a part 24 of the other probe 20 </ b> F inserted in the slit 22 of the probe 20 </ b> S and a part 26 of the other probe 20 </ b> S inserted in the other slit 23.

図6は、それぞれのプローブ20F,20Sのスリット23,22に、互いに、他方の一部26,24を完全に挿通した状態を示す平面図及び側面図である。そのプローブの対を一対の電圧及び電流プローブとして用いる。   FIG. 6 is a plan view and a side view showing a state in which the other parts 26 and 24 are completely inserted into the slits 23 and 22 of the probes 20F and 20S, respectively. The probe pair is used as a pair of voltage and current probes.

図7は、一対のプローブの組立工程の概略の流れを示す。最初に、ステップS71において、2本の円筒状のプローブ部材を準備する。次にステップS72において、図4に示すように、各プローブ部材の側面に長手方向に沿ってレーザーを照射して所定の幅の部分を取り除いてスリットを形成する。そのスリットの幅を広く形成すればするほど、2本のプローブを組み合わせた際の一対のプローブの直径方向への幅を小さくすることができる。ステップS73では、スリットを形成した後に、各プローブの全面に絶縁膜をコーティングする。ただし、電気的接触を行うための長手方向の両端部の面は除く。次に、ステップS74では、まず2本のプローブを長手方向に直列に配置して、図5に示すように、2本のプローブの内の一方のプローブの一部を他方のプローブのスリットに挿入し、相対的に長手方向に滑らせて移動して、図6に示すように、互いのプローブの一部の全長を他方のプローブのスリットに挿通させる。   FIG. 7 shows a schematic flow of the assembly process of a pair of probes. First, in step S71, two cylindrical probe members are prepared. Next, in step S72, as shown in FIG. 4, the side surface of each probe member is irradiated with a laser along the longitudinal direction to remove a predetermined width portion to form a slit. The wider the slit, the smaller the width in the diameter direction of the pair of probes when two probes are combined. In step S73, after the slit is formed, an insulating film is coated on the entire surface of each probe. However, the surfaces of both end portions in the longitudinal direction for making electrical contact are excluded. Next, in step S74, first, two probes are arranged in series in the longitudinal direction, and a part of one of the two probes is inserted into the slit of the other probe as shown in FIG. Then, it is slid and moved relatively in the longitudinal direction, and as shown in FIG. 6, the entire length of a part of each probe is inserted into the slit of the other probe.

図8は、3組の一対の電圧及び電流プローブ20−1,20−2,20−3を検査基板80上の半田バンプ30に接触させた状態の一例を示す。それらのプローブは、可撓性及び弾性を有する材料から形成されていて、端部が中間プレート84を貫通してベースプレート86によって保持されている。また、それらの先端部が、ガイドプレート82によって関連する半田バンプに導かれている。固定された端部は、それぞれ図示せぬ電流発生部及び電圧測定部に接続されている。   FIG. 8 shows an example of a state in which three pairs of voltage and current probes 20-1, 20-2 and 20-3 are in contact with the solder bumps 30 on the inspection substrate 80. These probes are formed of a material having flexibility and elasticity, and an end portion thereof is held by the base plate 86 through the intermediate plate 84. Further, the leading end portions thereof are guided to related solder bumps by the guide plate 82. The fixed ends are connected to a current generator and a voltage measuring unit (not shown), respectively.

図8において、ベースプレート86及び中間プレート84を下降して、3組の一対の電圧及び電流プローブ20−1,20−2,20−3の接触部24C、26Cを半田バンプに接触させ、さらに、その下降を続けると、初めに真っ直ぐであった電圧及び電流プローブ20−1,20−2が、図8に示すように撓んで湾曲した状態になる。これは、基板80及び配線回路の表面に凹凸があったり、半田バンプの高さに多少の相違があったりするため、中間プレート84と半田バンプの頂面との間の距離が異なることがあり、その距離の相違を、その相違に応じてそれぞれのプローブが撓んで湾曲することによって吸収するためである。プローブは弾性を有するため、それを上昇させて半田バンプから離れるようにすると元のまっすぐな状態に戻ることができる。   In FIG. 8, the base plate 86 and the intermediate plate 84 are lowered to bring the contact portions 24C, 26C of the three pairs of voltage and current probes 20-1, 20-2, 20-3 into contact with the solder bumps. If the descent continues, the voltage and current probes 20-1 and 20-2 that were straight at the beginning are bent and curved as shown in FIG. This is because the surface of the substrate 80 and the wiring circuit is uneven, or the height of the solder bumps is slightly different, so the distance between the intermediate plate 84 and the top surface of the solder bumps may be different. This is because the difference in distance is absorbed by the bending and bending of each probe in accordance with the difference. Since the probe has elasticity, it can return to its original straight state when it is lifted away from the solder bump.

また、図9は、図8と異なり、マイクロスプリング88を用いて3組の一対の電圧及び電流プローブ20−1,20−2,20−3を検査基板80上の半田バンプ30に接触させた状態の一例を示す。それらのプローブは、端部が中間プレート84を貫通してベースプレート86内に配置されたマイクロスプリング88の下端面に当接する。また、図8と同様に、測定のための先端部が、ガイドプレート82によって適切な半田バンプに導かれている。プローブの端部は、それぞれ電流発生部及び電圧測定部に接続されている。   9 differs from FIG. 8 in that three pairs of voltage and current probes 20-1, 20-2, and 20-3 are brought into contact with the solder bumps 30 on the test substrate 80 using the microspring 88. FIG. An example of a state is shown. These probes abut against the lower end surface of the microspring 88 disposed in the base plate 86 through the intermediate plate 84 at the end. Similarly to FIG. 8, the tip end for measurement is guided to an appropriate solder bump by the guide plate 82. The end portions of the probes are connected to the current generation unit and the voltage measurement unit, respectively.

図9において、ベースプレート86及び中間プレート84を下降して3組の一対の電圧及び電流プローブ20−1,20−2,20−3の接触部24C、26Cを半田バンプに接触させ、さらに、その下降を続けると、マイクロスプリングがプローブの端部から押されて縮むことになる。その縮む長さは、図8の場合と同様に、中間プレート84と半田バンプの頂面との距離の相違に対応する。それにより、基板80及び配線回路の表面の凹凸や半田バンプの高さの相違による誤差を吸収することができる。また、マイクロスプリングの付勢力によってより確実にプローブの接触部24C,26Cを半田バンプの表面に接触させることができる。
[代替例等]
以上、本発明の係る基板検査用治具の好ましい実施形態を説明したが、本発明はその実施形態に拘束されるものではなく、当業者が容易になしえる追加、削除、改変等は、本発明に含まれることを承知されたい。本発明の技術的範囲は、添付の特許請求の範囲の記載によって定められる。
In FIG. 9, the base plate 86 and the intermediate plate 84 are lowered to bring the contact portions 24C, 26C of the three pairs of voltage and current probes 20-1, 20-2, 20-3 into contact with the solder bumps. As the descent continues, the microspring is pushed from the end of the probe and contracts. The contracted length corresponds to the difference in the distance between the intermediate plate 84 and the top surface of the solder bump, as in the case of FIG. Thereby, it is possible to absorb errors due to the unevenness of the surface of the substrate 80 and the wiring circuit and the difference in the height of the solder bumps. Further, the contact portions 24C and 26C of the probe can be brought into contact with the surface of the solder bump more reliably by the biasing force of the microspring.
[Alternative examples]
The preferred embodiment of the substrate inspection jig according to the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the embodiment, and additions, deletions, modifications, etc. that can be easily made by those skilled in the art It should be understood that it is included in the invention. The technical scope of the present invention is defined by the description of the appended claims.

上記の実施例では、直径方向への断面が円筒形状のプローブの実施例を説明したが、円筒形状のものでなくても、例えば、U字形状、V字形状、C字形状のように、一部に切欠を有するような形状のものであれば、どのような形状のものでもよい。   In the above embodiment, an example of a probe having a cylindrical cross section in the diametrical direction has been described, but even if it is not cylindrical, for example, a U shape, a V shape, a C shape, Any shape may be used as long as the shape has a notch in part.

図1は、四端子測定法の概念を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining the concept of the four-terminal measurement method. 図2は、本発明に係る基板検査用治具に用いる一対のプローブの一実施形態の斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of an embodiment of a pair of probes used in the substrate inspection jig according to the present invention. 図3Aは、本発明に係る基板検査用治具の2組の一対のプローブを検査対象の基板の半田バンプに接触させた状態を示す一部断面側面図である。FIG. 3A is a partial cross-sectional side view showing a state where two pairs of probes of the board inspection jig according to the present invention are brought into contact with solder bumps of a board to be inspected. 図3Bは、図3Aにおける破線の楕円で囲む部分の拡大図である。FIG. 3B is an enlarged view of a portion surrounded by a dashed ellipse in FIG. 3A. 図3Cは、本発明に係る基板検査用治具の一対のプローブを半田バンプに接触させた状態を説明するための側面図である。FIG. 3C is a side view for explaining a state in which a pair of probes of the board inspection jig according to the present invention are in contact with solder bumps. 図3Dは、従来の2本のプローブを並列に並べて半田バンプに接触させた状態を説明するための側面図である。FIG. 3D is a side view for explaining a state in which two conventional probes are arranged in parallel and brought into contact with solder bumps. 図4は、本発明に係る基板検査用治具に用いる1本のプローブを説明するための平面図及び側面図である。4A and 4B are a plan view and a side view for explaining one probe used in the substrate inspection jig according to the present invention. 図5は、本発明に係る基板検査用治具に用いる一対のプローブを組み立てる過程を説明するための平面図及び側面図である。FIG. 5 is a plan view and a side view for explaining a process of assembling a pair of probes used in the board inspection jig according to the present invention. 図6は、本発明に係る基板検査用治具に用いる一対のプローブを組み立てた状態を説明するための平面図及び側面図である。6A and 6B are a plan view and a side view for explaining a state in which a pair of probes used in the board inspection jig according to the present invention is assembled. 図7は、本発明に係る基板検査用治具に用いる一対のプローブの組立工程を示す流れ図である。FIG. 7 is a flowchart showing an assembly process of a pair of probes used in the board inspection jig according to the present invention. 図8は、3組の一対の電圧及び電流プローブを検査基板上の半田バンプに接触させた状態の一例を示す側面図である。FIG. 8 is a side view showing an example of a state where three pairs of voltage and current probes are brought into contact with solder bumps on the inspection board. 図9は、3組の一対の電圧及び電流プローブを検査基板上の半田バンプに接触させた状態の他の例を示す側面図である。FIG. 9 is a side view showing another example of a state in which three pairs of voltage and current probes are in contact with solder bumps on the inspection board.

符号の説明Explanation of symbols

10:電圧測定部、 12:電流発生部、 20−1,20−2,20−3:一対のプローブ、 20S1,20S2,20S3:電圧プローブ、 20F1,20F2,20F3:電流プローブ、 22,23:スリット、 24,26:一部、 24C,26C:接触部 10: Voltage measurement unit, 12: Current generation unit, 20-1, 20-2, 20-3: A pair of probes, 20S1, 20S2, 20S3: Voltage probe, 20F1, 20F2, 20F3: Current probe, 22, 23: Slit, 24, 26: part, 24C, 26C: contact part

Claims (5)

各々が、被検査基板上の被検査点に接触する接触部を有し、一方が信号測定用のプローブとして用いられ、他方が信号供給用のプローブとして用いられる一対のプローブであって、
前記他方のプローブの少なくとも一部が長手方向に沿った開口を有する壁面からなり、前記一方のプローブの本体の一部が該開口に挿通されることによって前記一方のプローブの前記接触部の一部が、他方のプローブの内部に位置する、一対のプローブ。
Each has a contact portion that contacts a point to be inspected on a substrate to be inspected, one is used as a signal measuring probe, and the other is a pair of probes used as a signal supplying probe,
At least a part of the other probe is a wall surface having an opening along the longitudinal direction, and a part of the main body of the one probe is inserted into the opening so that a part of the contact portion of the one probe Is a pair of probes located inside the other probe.
請求項1の一対のプローブにおいて、前記開口がスリットである、一対のプローブ。The pair of probes according to claim 1, wherein the opening is a slit. 請求項1の一対のプローブにおいて、該一対のプローブが、可撓性及び弾性を有する、一対のプローブ。The pair of probes according to claim 1, wherein the pair of probes has flexibility and elasticity. 請求項1の一対のプローブが、内部に空間が形成されるようにその空間を囲むように配置された部材からなる、一対のプローブ。A pair of probes which consist of a member arrange | positioned so that a pair of probe of Claim 1 may surround the space so that a space may be formed in an inside. 各々が、被検査基板上の被検査点に接触する接触部を有し、一方が信号測定用のプローブとして用いられ、他方が信号供給用のプローブとして用いられる一対のプローブであって、前記他方のプローブの少なくとも一部が長手方向に沿った開口を有する壁面からなり、前記一方のプローブの本体の一部が該開口に挿通されることによって前記一方のプローブの前記接触部の一部が、他方のプローブの内部に位置する、一対のプローブを複数対備え、さらに、  Each has a contact portion that contacts an inspection point on a substrate to be inspected, one of which is used as a signal measurement probe and the other is a pair of probes used as a signal supply probe. At least a part of the probe is made of a wall surface having an opening along the longitudinal direction, and a part of the main body of the one probe is inserted into the opening so that a part of the contact portion of the one probe is A plurality of pairs of probes located inside the other probe, and
前記複数対のプローブの中の信号供給用のプローブを信号発生部に接続し、信号測定用のプローブを信号測定部に接続するとともに、それらを保持する保持プレートと、The signal supply probe of the plurality of pairs of probes is connected to the signal generation unit, the signal measurement probe is connected to the signal measurement unit, and a holding plate for holding them,
前記接触部の近くを保持して案内するガイドプレートとを備え、A guide plate for holding and guiding the vicinity of the contact portion,
前記保持プレートと前記複数対のプローブとの間に、マイクロスプリングを配置した、基板検査用治具。A substrate inspection jig in which a microspring is disposed between the holding plate and the plurality of pairs of probes.
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