JP5283666B2 - 低級炭化水素の芳香族化合物化触媒ならびに低級炭化水素を原料とする芳香族化合物及び水素の製造方法 - Google Patents
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Description
またメタンやアセチレンの熱分解法による製造方法では、数%以上の変換効率でナフタレン類を製造するには1000℃以上の反応温度が必要であるにもかかわらず、ナフタレン類の収量は変換メタンあるいはアセチレンの数%以下であり、実用上問題があった。
しかし、芳香族化合物及び水素の製造効率をさらに高めるために、その反応効率について一層優れた触媒の開発が望まれている。
すなわち、本発明の低級炭化水素の芳香族化合物化触媒のうち第1の発明は、一酸化炭素及び/又は二酸化炭素の共存下で、メタンを含む低級炭化水素を反応させる触媒であって、レニウムまたはその化合物で構成される群から選択される一種以上と、亜鉛、Ga、鉄またはそれらの化合物で構成される群から選択される一種以上とを触媒材料として含み、かつ該触媒材料を担持する担体として実質的に4.5〜6.5Å径の細孔を有し、表面積が200〜1000m 2 /gである多孔質メタロシリケートを含むことを特徴とする。
また、この反応を一酸化炭素又は二酸化炭素の共存下に行うことにより、低級炭化水素の反応転化率を向上させることができ、さらにベンゼン等の芳香族化合物及び水素の生成速度の低下を効果的に抑制することができ、長時間に亘って安定した触媒能を得ることができる。
ここで、本発明で原料として用いられる低級炭化水素としては、重量%で少なくとも50%、好ましくは、少なくとも70%のメタンを含有する天然ガス等を示すことができる。メタン含有量がこの範囲であれば、その他に炭素数が2〜6の飽和及び不飽和炭化水素が含まれていても差し支えない。これらの炭化水素の例としては、エタン、エチレン、プロパン、プロピレン、n−ブタン、イソブタン、n−ブチン及びイソブテン等が例示できる。
また、例えばアルミノシリケートの場合、シリカとアルミナの含有比としては、通常入手し得る多孔質担体のシリカ/アルミナ比=1〜8000のものを用いることができるが、本発明の低級炭化水素の芳香族化反応を、実用的な低級炭化水素の転化率及び芳香族化合物への選択率で実施するためには、シリカ/アルミナ比は10〜100であることが好ましい。
例えば、レニウムの前駆体の例としては、レニウムカルボニル化合物(Re2(CO)10、Re6(CO)、(C5H5)2Re(CO)2、CH3ReO3)酸の他に、塩化物、臭化物等のハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩、リン酸塩等の鉱酸塩、炭酸塩、酢酸塩、蓚酸塩等のカルボン酸塩等が例示できる。
また、各材料の前駆体として複合錯塩や複合酸化物を用いることもできる。
本発明としては、上記触媒材料をメタロシリケートに担持させる際の担持量に特に制限はないが、各群毎に、全触媒重量に基づいて質量比で、0.001〜50%、好ましくは0.01〜40%が良好な担持量範囲である。
なお、複数の群から触媒材料を選択する場合は、触媒材料の担持量の合計は、全触媒重量に基づいて0.002〜50%、好ましくは0.02〜40%の範囲が望ましい。なお、上記担持量範囲は、触媒材料に前駆体を用いる場合には前駆体としての担持量を示す。
また、複合酸化物や複合錯塩を用いて触媒を得る場合にも同様の担持方法や、加熱処理方法によって複合酸化物塩や複合錯塩からなる触媒を得ることができる。
これは触媒として特に重要な作用を果たす第一成分を最初に担持することによって、第一成分がメタロシリケートに確実に担持されることになり、触媒の耐久性が向上するためと考えられる。
また、本発明で用いる触媒は、芳香族化合物を生成する誘導期を短縮するため、水素ガスやヒドラジン、金属水素化合物、例えばBH3、NaH、AlH3等による前処理を含む触媒活性化過程を施してもよい。
この際には、一酸化炭素及び二酸化炭素から選ばれた一種又は二種のガスの共存下に反応を行う。一酸化炭素及び/又は二酸化炭素の共存下に反応を行うことにより、低級炭化水素の反応転化率を向上させ、さらにベンゼンおよび水素の生成速度が著しく低下するのを抑制することができる。
なお、一酸化炭素や二酸化炭素は、それぞれ単独で添加しても両者を混合して添加しても差し支えない。
一酸化炭素及び/又は二酸化炭素の添加量は、反応系に供給する原料ガスにおける容量%として0.01〜30%、好ましくは0.1〜25%の範囲である。これは、この範囲よりも添加量が少ないとその効果が小さく、また、この範囲より添加量が多いと反応器の容積効率が悪くなるためである。
反応は、メタン等の低級炭化水素原料を、一酸化炭素及び/又は二酸化炭素の存在下で300〜800℃、好ましくは450〜775℃の温度で触媒と接触させることによって行うのが望ましい。
また、反応は、0.1〜10気圧、好ましくは1〜7気圧で好適に実施される。重量時間空間速度(WHSV)は0.1〜10であり、好ましくは0.5〜5.0である。
反応生成物から回収される未反応原料及び反応に添加される一酸化炭素又は二酸化炭素は、芳香族化反応に再循環させることができる。
上記した芳香族化合物と水素とは、いずれか一方を有効に利用してもよく、両方を有効利用しても良く、本発明としては利用方法が限定されるものではない。
また、その利用分野も特に限定されるものではない。
なお、この実施例で用いているメタン転化率、炭化水素選択率、炭化水素の分布及び水素生成速度は以下のように定義した。
メタン転化率(%)=〔(原料メタンモル数−未反応のメタンモル数)/原料メタンモル数〕×100
炭化水素選択率(%)=〔生成した全炭化水素のメタン換算モル数/(原料メタンモル数−未反応のメタンモル数)〕×100
炭化水素の分布(%)=〔着目する炭化水素のメタン換算モル数/生成した全炭化水素のメタン換算モル数〕×100
水素生成速度=触媒1gあたり、1秒間に生成した水素のnmol数
ベンゼン生成速度=触媒1gあたり、1秒間に生成したベンゼンのnmol数
触媒材料の前駆体としてパラレニウム酸アンモニウム塩1.20gを10mlの蒸留水に溶解し、これにメタロシリケート担体であるHZSM−5(シリカ/アルミナ比=40、表面積870m2/g、細孔径=5.4×5.6Å)の粉末12gを加え、充分に攪拌しながら回転式減圧エバポレーターを用いて蒸発乾固して、パラレニウム酸アンモニウムのHZSM−5担持体を得た。なお、上記担体の細孔は均等円孔でないため、孔の最小幅と最大幅で示した。これを石英製反応管(1.2cm径、長さ30cm、V字タイプ)に充填後、純酸素ガス流下(40ml/分、1気圧)、400℃で2時間焼成して薄草色粉末として、全触媒重量に基づいて質量比で6%のレニウムをHZSM−5に担持した触媒(以下、Re(6%)/HZSM−5と略記する)を得た。
実施例1と同様にしてパラレニウム酸アンモニウム塩をメタロシリケート担体であるHZSM−5(シリカ/アルミナ比=46、表面積800m2/g、細孔径=5.4×5.6Å)に担持させ、これを焼成、粉末化して、全触媒重量に基づいて質量比で6%のレニウムをHZSM−5に担持した触媒を得た。
該触媒0.3gを固定床流通式反応装置の石英製反応管(内径8mm)に充填し、反応温度750℃、3気圧で原料ガスとしてメタンガスに一酸化炭素を所定量添加したガスを26ml/minの流量で供給し、メタンの芳香族化反応を行った。
反応管流出物中には未反応のメタンの他に、水素、一酸化炭素、二酸化炭素、炭素数2〜5の炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、ナフタレン、メチルナフタレン、ジメチルナフタレン、アントラセン等が存在していた。 反応開始後、200分経過後、400分経過後、2000分経過後の結果を表2に示した。
また、比較例として、メタンガス中に一酸化炭素を添加しない以外は、参考例1と同様の方法でメタンの芳香族化反応を行った。反応開始後、100分経過後、400分経過後、1440分経過後の結果を同じく表2に示した。
この参考例では、参考例1における原料ガス中への一酸化炭素の添加を二酸化炭素の添加に変えた以外は、参考例1と同様の方法でメタンの芳香族化反応を行った。反応開始後、420分経過後および2000分経過後の結果を表3に示した。
この表3から明らかなように、二酸化炭素の共存下で反応を行う場合にも、参考例1と同様に反応転化率の大幅な向上、生成速度の経時的な低下が抑制されている。
なお、これら例では、一酸化炭素の共存下または二酸化炭素の共存下でのみ評価を行ったが、一酸化炭素と二酸化炭素がともに共存する環境においても同様の効果が得られることが確認されている。
Claims (3)
- 一酸化炭素及び/又は二酸化炭素の共存下で、メタンを含む低級炭化水素を反応させる触媒であって、レニウムまたはその化合物で構成される群から選択される一種以上と、亜鉛、Ga、鉄またはそれらの化合物で構成される群から選択される一種以上とを触媒材料として含み、かつ該触媒材料を担持する担体として実質的に4.5〜6.5Å径の細孔を有し、表面積が200〜1000m 2 /gである多孔質メタロシリケートを含むことを特徴とする低級炭化水素の芳香族化合物化触媒。
- 請求項1に記載の触媒の存在下、一酸化炭素及び/又は二酸化炭素の共存下で、メタンを含む低級炭化水素を反応させて芳香族炭化水素を主成分とする芳香族化合物と水素とを製造することを特徴とする低級炭化水素を原料とする芳香族化合物及び水素の製造方法。
- 前記一酸化炭素及び/又は二酸化炭素の添加量が、反応に供給する全原料ガスにおける容量%として0.01〜30%の範囲であることを特徴とする請求項2記載の低級炭化水素を原料とする芳香族化合物及び水素の製造方法。
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