JP5286782B2 - 電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば液晶表示装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置は、製造工程において半導体プロセスが利用されるため、その過程で静電気等による不具合が発生し易い。このような不具合を防止するために、例えば装置を構成するマザー基板などの基板上に、静電気等の過剰な電流を拡散するための配線や回路を設けるという技術が提案されている。

例えば特許文献１では、基板上に短絡用配線を設けることにより、走査線駆動回路やデータ駆動回路等の周辺回路を静電気から保護するという技術が開示されている。

特開平１１−９５２５７号公報

しかしながら、上述した短絡用配線には複数種類の信号が供給されるため、供給される信号の種類によって消費電流が異なる。このため、例えば検査時における画像信号等の周波数が高く、消費電流が小さい信号に対しては、配線における抵抗値が高すぎると、正常な信号の伝達が妨げられてしまうおそれがある。他方で、静電気を効果的に拡散するためには、比較的高い抵抗値とすることが要求される。即ち、上述したような技術では、配線における抵抗値を、検査時などで供給される信号に合わせて適切なものとしなければ、適切に不具合を防止できないおそれがあるという技術的問題点がある。

本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、製造工程における不具合を適切に防止可能な電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。

本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、該基板上の画素領域に配列された複数の画素部と、前記基板上の前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に配置され、前記複数の画素部に信号を供給する周辺回路と、前記周辺領域に設けられた複数の入力端子と、該複数の入力端子から前記周辺回路へ引き回されており、前記複数の入力端子に入力された信号を前記周辺回路へ供給する複数の信号配線と、静電破壊防止用の外周配線と前記複数の入力端子のうち前記信号として画像信号以外の信号が入力される第１端子との間を電気的に接続するための第１抵抗配線と、前記第１抵抗配線より低い抵抗値を有し、前記外周配線と前記複数の入力端子のうち前記信号として画像信号が入力される第２端子との間を電気的に接続するための第２抵抗配線とを備える。

本発明に係る電気光学装置によれば、基板上の画素領域には、複数の画素部が配列される。複数の画素部は、例えば縦横に相互に間隔を隔ててマトリクス状に配列される。基板上の周辺領域には、複数の画素部に信号を供給する周辺回路が配置される。周辺回路は、例えば走査線駆動回路、データ線駆動回路、選択回路及び検査回路等の回路である。また周辺領域には、周辺回路に加えて複数の入力端子が設けられており、入力端子から周辺回路には信号配線が引き回されている。入力端子は、例えば基板外部の回路等と電気的に接続される外部回路接続端子等であり、入力された信号は、信号配線によって周辺回路に供給される。

本発明では、上述した複数の入力端子のうち画像信号以外の信号が入力される第１端子と、静電破壊防止用の外周配線との間を電気的に接続するための第１抵抗配線が設けられている。また、上述した複数の入力端子のうち画像信号が入力される第２端子と、静電破壊防止用の外周配線との間を電気的に接続するための第２抵抗配線が設けられている。第１端子及び第２端子は夫々、一つであっても複数であってもよく、複数である場合には夫々の端子が、外周配線に電気的に接続される。言い換えれば、第１端子及び第２端子が複数ある場合には、外周配線を介して相互に接続される。

尚、「外周配線」とは、例えば検査時に発生する静電気等の過剰な電流を拡散させることによって、装置の故障や誤動作を防止するための配線である。典型的には、その一部又は全部が、製造途中の基板を複数含むマザー基板上における最終的に切り落とされる部分に形成される。或いは、外周配線は、マザー基板からの切り離し後に各基板に残されて、エッチングによる穴あけ等で、カッティング或いは寸断されてもよい。いずれにしろ、製品段階ではもはや、第１及び第２端子並びに外周配線間は電気的に接続されておらず、外周配線又は第１若しくは第２抵抗配線が通常動作の妨げになることはない。

製造工程における検査時には、例えば複数の入力端子に画像信号やクロック信号等の信号が供給される。即ち、通電が行われる。ここで、第１抵抗配線及び第２抵抗配線には夫々、比較的高い抵抗値が有されることで、通電の際に発生する静電気等の過剰な電流を効率的に拡散する。しかしながら、第２抵抗配線に接続された第２端子に入力される画像信号は、画像信号以外の信号と比べて消費電流が小さく周波数が高いため、抵抗値が高すぎると、誤動作等の原因となってしまうおそれがある。

これに対し本発明では特に、第２抵抗配線が、第１抵抗配線より低い抵抗値を有している。このため、上述したように、検査時における通電の際に誤動作等が発生してしまうことを防止することが可能である。また、第１抵抗配線に接続された第１端子に供給される画像信号以外の信号は、画像信号と比較して消費電流が大きいため、第２抵抗配線より高い抵抗値を有している場合であっても誤動作は発生しない。よって、第１抵抗配線においては、静電気等の過剰な電流を効果的に拡散することが可能である。尚、具体的には、例えば第１抵抗配線の抵抗値は約１ＭΩ、第２抵抗配線の抵抗値は数ｋΩとされる。

以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、第２抵抗配線の抵抗値を第１抵抗配線よりも低くすることで、検査時における誤動作を防止しつつ、静電気等の過剰な電流によって装置が故障してしまうことを防止することが可能である。即ち、製造工程における検査を、より好適に行うことが可能である。

本発明の電気光学装置の一態様では、前記基板は、マザー基板にマトリクス状に複数含まれており、前記外周配線は、前記マザー基板における相隣接する前記基板間の間隙に少なくとも部分的に引き回されており、前記基板が前記マザー基板から分断される際に、少なくとも部分的に切り落とされる。

この態様によれば、製造途中における基板は、マザー基板にマトリクス状に複数含まれており、最終的に分断されることによって、個々の装置として構成される。尚、「分断」とは、ダイシング、スクライビング及びカッティングなどによる様々な分断を意味しており、以降の態様でも同様の意味であるとする。

ここで外周配線は、上述したマザー基板における相隣接する基板間の間隙に少なくとも部分的に引き回された配線である。即ち、第１抵抗配線は、製造途中におけるマザー基板上に電気光学装置が構築されている最中に、外周配線と第１端子との間を電気的に接続するための配線である。同様に、第２抵抗配線は、製造途中におけるマザー基板上に電気光学装置が構築されている最中に、外周配線と第２端子との間を電気的に接続するための配線である。

外周配線は、基板がマザー基板から分断される際に、少なくとも部分的に切り落とされる。よって、マザー基板から分断された基板においては、外周配線は部分的にしか、或いは全く残らない。このように外周配線が切り落とされることにより、第１端子と外周配線との間の電気的な接続、及び第２端子と外周配線との間の電気的な接続が切断される。従って、第１及び第２端子並びに外周配線が、製品段階における装置の通常動作の妨げとならないようにすることが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板は、マザー基板にマトリクス状に複数含まれており、前記外周配線は、前記周辺領域又は前記基板の外周に、少なくとも部分的に引き回されており、前記外周配線は、前記基板が前記マザー基板から分断される際に、前記第１端子と前記外周配線との間の電気的な接続が切断されると共に前記第２端子と前記外周配線との間の電気的な接続が切断されるように、少なくとも部分的に切り落とされる。

この態様によれば、上述した態様と同様に、製造途中における基板は、マザー基板にマトリクス状に複数含まれている。そして、外周配線は、周辺領域又は基板の外周に、少なくとも部分的に引き回されている。即ち、第１抵抗配線は、製造途中におけるマザー基板上に電気光学装置が構築されている最中に、外周配線と第１端子との間を電気的に接続するための配線である。同様に、第２抵抗配線は、製造途中におけるマザー基板上に電気光学装置が構築されている最中に、外周配線と第２端子との間を電気的に接続するための配線である。

外周配線は、基板がマザー基板から分断される際に、第１端子と外周配線との間の電気的な接続が切断されると共に、第２端子と外周配線との間の電気的な接続が切断されるように、少なくとも部分的に切り落とされる。よって、分断された基板において、第１及び第２端子に入力された信号が、第１及び第２抵抗配線を介して外周配線に供給されることはない。従って、第１及び第２端子並びに外周配線が、製品段階における装置の通常動作の妨げとならないようにすることが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記基板は、マザー基板にマトリクス状に複数含まれており、前記第１及び第２抵抗配線は、前記基板が前記マザー基板から分断される際に、前記第１端子と前記外周配線との間の電気的な接続が切断されると共に前記第２端子と前記外周配線との間の電気的な接続が切断されるように、部分的に切り落とされる。

この態様によれば、上述した態様と同様に、製造途中における基板は、マザー基板にマトリクス状に複数含まれている。そして、基板がマザー基板から分断される際に、第１抵抗配線が部分的に切り落とされることにより、第１端子と外周配線との間の電気的な接続が切断される。同様に、第２抵抗配線が部分的に切り落とされることにより、第２端子と外周配線との間の電気的な接続が切断される。

上述したように第１及び第２抵抗配線が切り落とされることにより、分断された基板において、第１及び第２端子に入力された信号が、第１及び第２抵抗配線を介して外周配線に供給されることはない。従って、第１及び第２端子並びに外周配線が、製品段階における装置の通常動作の妨げとならないようにすることが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記外周配線は、前記基板の外周に、少なくとも部分的に引き回されており、前記外周配線は、前記基板の外周が切り落とされる際に、前記第１端子と前記外周配線との間の電気的な接続が切断されると共に前記第２端子と前記外周配線との間の電気的な接続が切断されるように、少なくとも部分的に切り落とされる。

この態様によれば、製造途中における外周配線は、基板の外周に、少なくとも部分的に引き回されている。そして、製造工程において基板の外周が切り落とされる際に、外周配線が少なくとも部分的に切り落とされることにより、第１端子と外周配線との間の電気的な接続が切断される。また、第２端子と前記外周配線との間の電気的な接続も切断される。

上述したように外周配線が切り落とされることにより、外周が切り落とされた基板において、第１及び第２端子に入力された信号が、第１及び第２抵抗配線を介して外周配線に供給されることはない。従って、第１及び第２端子並びに外周配線が、製品段階における装置の通常動作の妨げとならないようにすることが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１及び第２抵抗配線は、前記基板の外周が切り落とされる際に、前記第１端子と前記外周配線との間の電気的な接続が切断されると共に前記第２端子と前記外周配線との間の電気的な接続が切断されるように、部分的に切り落とされる。

この態様によれば、製造工程において基板の外周が切り落とされる際に、第１抵抗配線が少なくとも部分的に切り落とされることにより、第１端子と外周配線との間の電気的な接続が切断される。同様に、第２抵抗配線が少なくとも部分的に切り落とされることにより、第２端子と前記外周配線との間の電気的な接続も切断される。

上述したように第１及び第２抵抗配線が切り落とされることにより、外周が切り落とされた基板において、第１及び第２端子に入力された信号が、第１及び第２抵抗配線を介して外周配線に供給されることはない。従って、第１及び第２端子並びに外周配線が、製品段階における装置の通常動作の妨げとならないようにすることが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１端子には、前記画像信号以外の信号としてクロック信号を含む信号が供給される。

この態様によれば、画像信号と比較して消費電流が大きいクロック信号を含む信号が、第１端子に供給される。ここで、第１端子と電気的に接続された第１抵抗配線は、第２抵抗配線より抵抗値が高いが、消費電流が大きい信号が供給される場合は、抵抗値が比較的高いものであっても、消費電流が小さい場合と比べて誤動作が起こり難い。従って、検査時における誤動作を防止しつつ、静電気等の過剰な電流によって装置が故障してしまうことを防止することが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第２抵抗配線の抵抗値は、前記画像信号の周波数に基づいて設定されている。

この態様によれば、第２抵抗配線の抵抗値は、第２抵抗配線と電気的に接続された第２端子に供給される画像信号の周波数に基づいて設定される。検査時の誤動作については、信号の周波数によって起こり易さが異なり、典型的には、信号の周波数が高ければ高い程起こり易くなる。よって、例えば周波数が高い程、抵抗を高めるなど、画像信号の周波数に基づいて、第２抵抗配線の抵抗値を設定するようにすれば、誤動作を適切に防止することが可能となる。また、誤動作が起こらない範囲で抵抗値を高くすれば、静電気等の過剰な電流から装置を保護するという効果を高めることも可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１抵抗配線及び前記第２抵抗配線は、互いに異なる層に形成される。

この態様によれば、第１及び第２抵抗配線が互いに異なる層に形成されるため、互いに異なる抵抗値を有するように形成することが容易である。よって、第２抵抗配線の抵抗値を、第１抵抗配線の抵抗値より低いものとすることが容易である。

例えば、第１及び第２抵抗配線間で、長さや太さ等の形状が互いに異なるように形成しなくとも、構成する材料を別なものとすれば、抵抗値は異なる値となる。また、形状等を互いに異なるものとすることで、抵抗値を異なる値とする場合であっても、互いに異なる層であれば、形成工程を比較的容易に行うことが可能である。

本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１抵抗配線及び前記第２抵抗配線の少なくとも一方は、導電性のポリシリコンを含んでいる。

この態様によれば、第１及び第２抵抗配線の少なくとも一方が、導電性のポリシリコンを含んでいるため、高い抵抗値或いは所望の抵抗値を有するように形成することが容易である。配線における抵抗値は、材料が有する抵抗値の他に、配線の長さや太さに依存している。このため、例えばアルミニウム等の比較的抵抗値の低い材料を用いて、高い抵抗値を有する配線を形成しようとすると、配置スペースが大きなものとなってしまう。

これに対し、本態様では比較的抵抗値の高いポリシリコンを含んで第１及び第２抵抗配線を形成しているため、配置スペースの増大を防止することができる。即ち、省スペース化を実現することができる。加えて、導電性のポリシリコンは、基板上における画素部や駆動回路部を構成する半導体素子、配線、電極等を形成する際に用いられるものと共通でよいので、製造工程を増加させないで済ませることも可能となる。或いは導電性のポリシリコンの形成時に、ドーピングを専用に行うことで、所望の抵抗値を実現することも可能となる。よって、例えば装置の高精細化や小型化を、効率的に実現する際に極めて有効である。

本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。

本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、製造工程における検査を、より好適に行うことが可能な投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

＜マザー基板＞
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の製造工程におけるマザー基板の構成、及び製造工程における効果について、図１から図３を参照して説明する。ここに図１は、製造工程におけるマザー基板の構成を示す平面図であり、図２は、マザー基板における外部回路接続端子周辺の構成を示す拡大平面図である。また図３は、図２のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図３の断面図においては、説明の便宜上、抵抗配線が形成される層のみについて示し、その他の層は省略して図示してある。

図１に示すように、本実施形態に係る電気光学装置は、製造工程において、マザー基板１上に複数形成される。即ち、マザー基板１上において、電気光学装置を構成するＴＦＴアレイ基板１０がマトリクス状に配列するように形成される。各電気光学装置においては、図に示すように、本発明の「画素領域」の一例である画素表示領域１０ａの周辺に、本発明の「周辺回路」の一例であるデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４、並びに本発明の「入力端子」の一例である外部回路接続端子１０２が形成される。データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４と外部回路接続端子１０２とは、互いに信号配線１１０によって電気的に接続されている。

本実施形態に係る電気光学装置では特に、ＴＦＴアレイ基板１０の外周に沿うように、外周配線２００が形成されている。外周配線２００は、例えば製造工程における検査時等に発生する静電気等の過剰な電流を拡散するための配線であり、抵抗配線２１０によって外部回路接続端子１０２と電気的に接続されている。

図２において、外部回路接続端子１０２には、例えば画像を表示するための画像信号に加えて、画像信号を供給するタイミングを規定するクロック信号や電源電位等の複数種類の信号が入力される。ここで、外部回路接続端子１０２のうち、画像信号以外の信号が入力される端子を第１端子１０２ａとし、画像信号が入力される端子を第２端子１０２ｂとする。また、抵抗配線２１０のうち、第１端子１０２ａ及び外周配線２００間を接続するものを第１抵抗配線２１０ａとし、
第２端子１０２ｂ及び外周配線２００間を接続するものを第２抵抗配線２１０ｂとする。

図３に示すように、第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂは、互いに異なる層に形成されている。即ち、先ず第２抵抗配線２１０ｂが形成され、その上に第１層間絶縁膜４０１が形成される。続いて、第１層間絶縁膜４０１上に第１抵抗配線２１０ａが形成され、その上に第２層間絶縁膜４０２が形成される。第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂは、静電気等の過剰な電流を効率よく拡散するために、信号配線１１０と比べて高い抵抗値を有している方がよい。このため、第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂは、例えば比較的抵抗値の高い導電性のポリシリコン等を含んで形成される。

ここで本実施形態では特に、第２抵抗配線２１０ｂの抵抗値が、第１抵抗配線２１０ａの抵抗値より低いものとされている。即ち、画像信号が供給される第２端子１０２ｂに接続される抵抗配線が、画像信号以外の信号が供給される第１端子１０２ａに接続される抵抗配線よりも、抵抗値が低いものとされている。

製造工程における装置の検査時には、例えば外部回路接続端子１０２に対して、実際の動作（即ち、製品としての通常動作）の際に入力されるような複数の信号が入力される。そして、複数の信号の中でも、第２端子１０２ｂに入力される画像信号は、他の信号と比べて消費電流が小さく周波数が高い。よって、第２抵抗配線２１０ｂの抵抗値が高すぎると、信号が正確に伝達されず誤動作等の原因となってしまうおそれがある。本実施形態では、上述したように、第２抵抗配線２１０ｂが第１抵抗配線２１０ａより低い抵抗値を有することで、検査時に信号が入力された際に、誤動作等が発生してしまうことを防止することが可能である。

また、第１端子１０２ａに供給されるクロック信号等の画像信号以外の信号は、画像信号と比較して消費電流が大きい。よって、第１抵抗配線２１０ａは、比較的高い抵抗値を有していても誤動作は発生し難い。従って、第１抵抗配線２１０ａを第２抵抗配線２１０ｂより高い抵抗値とすることで、静電気等の過剰な電流を効果的に拡散することが可能である。

尚、第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂは、例えば配線の長さや太さ、或いは構成する材料が互いに異なるように形成することで、互いに異なる抵抗値とされる。また、例えばイオンインプランテーション等におけるイオンの注入濃度を互いに異なるものとすることで、異なる抵抗値となるようにしてもよい。

以上説明したように、第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂの抵抗値が互いに異なる値とされることで、検査時における誤動作を防止しつつ、静電気等の過剰な電流によって装置が故障してしまうことを防止することが可能である。即ち、電気光学装置の製造工程における検査を、より好適に行うことが可能である。

＜電気光学装置＞
次に、上述したマザー基板１から分断されてなる、本実施形態に係る電気光学装置について、図４から図９を参照して説明する。

＜第１実施形態＞
先ず、第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図５は、図４のＨ−Ｈ´線断面図である。

図４及び図５において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板、シリコン基板等の透明基板である。対向基板２０も、ＴＦＴアレイ基板１０と同様に、透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。

周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、上述したように、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。画素電極９ａは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電膜からなり、配向膜は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。他方、対向基板２０上には、格子状又はストライプ状の遮光膜２３が形成された後に、その全面に亘って対向電極２１が設けられており、更には最上層部分に配向膜が形成されている。対向電極２１は、ＩＴＯ膜などの透明導電膜からなり、配向膜は、ポリイミド膜などの有機膜からなる。このように構成され、画素電極９ａと対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。

尚、図４及び図５に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

また、第１実施形態に係る電気光学装置においては、図１及び図２において示した外周配線２００は、マザー基板１から各電気光学装置を分断する際に切り落とされており、第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂの一部が残存した状態とされている。これらの電気光学装置における構成については後に詳述する。

続いて、第１実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図６を参照して説明する。ここに図６は、第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。

図６において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９ａ及びＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９ａに電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９ａをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６ａは、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

ＴＦＴ３０のゲートには、走査線３ａが電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。

液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。

ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９ａと対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９ａの電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９ａと並列してＴＦＴ３０のドレインに接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。蓄積容量７０によれば、画素電極９ａにおける電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性の向上が可能となる。

続いて、第１実施形態に係る電気光学装置における外周配線及び抵抗配線の構成について、図７を参照して説明する。ここに図７は、第１実施形態に係る電気光学装置における外部回路接続端子周辺の構成を示す拡大平面図である。

図７において、第１実施形態に係る電気光学装置においては、外周配線２００が、第１抵抗配線２０１ａ及び第２抵抗配線２１０ｂの一部と共に、ＴＦＴアレイ基板１０の図中の下側の辺に沿って切り落とされている。即ち、製品としての電気光学装置には、外周配線２００は残されていない。尚、外周配線２００に加えて、第１抵抗配線２０１ａ及び第２抵抗配線２１０ｂの少なくとも一部若しくは全部は、例えばダイシング、スクライビング及びカッティング等によって、マザー基板１から各電気光学装置を分断する際に、或いは分断した後の基板の成形の際に切り落とされてもよい。加えて、外周配線２００を相隣接する基板間の中央線を交互に跨いで行き来する要領でジグザグに形成しておくことで、該中央線で分断することで、外周配線２００による電気的な接続を分断することも可能である。

上述したように外周配線２００が切り落とされることによって、外部回路接続端子１０２及び外周配線２００間の電気的な接続は切断される。第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂの一部は、図に示すように、電気光学装置におけるＴＦＴアレイ基板１０上に残っているが、外部回路接続端子１０２の以外とは電気的に接続されていない。よって、外部回路接続端子１０２に入力された信号は信号配線１１０側に流れ、第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂに流れることはない。

以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、外周配線２００が切り落とされているため、検査時に使用した外周配線２００、並びに第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂが、製品としての動作を妨げてしまうことを防止できる。また、上述したように、製造工程における検査をより好適に行うことが可能であるため、品質の高い装置を、より容易に製造することが可能である。

尚、マザー基板の分断は、ＴＦＴアレイ基板１０の素子形成後における、対向基板２０の貼り合せ前若しくは貼り合わせ後、液晶の封入前若しくは封入後、又は動作検査後若しくは表示検査後など、何らかの検査を終えた後に実行される。対向基板２０は、初めから個々に分断されたものが、マザー基板に対して貼り合わせられてもよいし、大板としてマザー基板に対して貼り合わせられた後に、マザー基板と一括で又は相前後して個々の対向基板２０へと分断されてもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る電気光学装置について、図８及び図９を参照して説明する。ここに図８は、第２実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図９は、第２実施形態に係る電気光学装置における外部回路接続端子周辺の構成を示す拡大平面図である。第２実施形態は、上述の第１実施形態と比べて、マザー基板からの分断のされ方が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。尚、図８及び図９においては、図４及び図７に示した第１実施形態に係る構成要素と同様の構成要素に同一の参照符合を付している。

図８において、第２実施形態に係る電気光学装置では、上述した第１実施形態と異なり、外周配線２００が、ＴＦＴアレイ基板１０から切り落とされていない。即ち、第２実施形態では、製品として完成された電気光学装置において、ＴＦＴアレイ基板１０上に外周配線２００が存在している。

図９に示すように、第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂは、例えばエッチング等によって配線の途中で切断されている。このため、外部回路接続端子１０２及び外周配線２００間の電気的な接続は切断される。よって、外部回路接続端子１０２に入力された信号は信号配線１１０側に流れ、第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂに流れることはない。即ち、第２実施形態に係る電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に外周配線２００が存在しているものの、電気的な導通関係を見れば、図７で示した第１実施形態に係る電気光学装置と同様のものといえる。

このように配線が表面に露出した段階で、配線をエッチング除去することに限らず、配線上に層間絶縁膜等の他の層が形成された後に、他の層及び配線を貫くコンタクトホール類似の穴を、エッチングにより開孔することで、配線を切断することも可能である。

以上説明したように、第２実施形態に係る電気光学装置によれば、上述した第１実施形態と同様に、検査時に使用した外周配線２００、並びに第１抵抗配線２１０ａ及び第２抵抗配線２１０ｂが、製品としての動作を妨げてしまうことを防止できる。また、製造工程における検査をより好適に行うことが可能であるため、品質の高い装置を、より容易に製造することが可能である。

＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１０は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。

図１０に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。

ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

尚、図１０を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

製造工程におけるマザー基板の構成を示す平面図である。 マザー基板における外部回路接続端子周辺の構成を示す拡大平面図である。 図２のＡ−Ａ´線断面図である。 第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。 図４のＨ−Ｈ´線断面図である。 第１実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成する各種素子、配線等の等価回路図である。 第１実施形態に係る電気光学装置における外部回路接続端子周辺の構成を示す拡大平面図である。 第２実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。 第２実施形態に係る電気光学装置における外部回路接続端子周辺の構成を示す拡大平面図である。 電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。

符号の説明

１…マザー基板、３ａ…走査線、６ａ…データ線、９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、２０…対向基板、２１…対向電極、３０…ＴＦＴ、５０…液晶層、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０２ａ…第１端子、１０２ｂ…第２端子、１０４…走査線駆動回路、１１０…信号配線、２００…外周配線、２１０…抵抗配線、２１０ａ…第１抵抗配線、２１０ｂ…第２抵抗配線、４０１…第１層間絶縁膜、４０２…第２層間絶縁膜

Claims (5)

1. マザー基板と、
   前記マザー基板にマトリクス状に設けられた複数の基板と、
   前記複数の基板の外周部において、少なくとも部分的に引き回された部分を有する外周配線と、
   前記複数の基板の各々に設けられ、画像信号が入力される第１の入力端子と、
   前記複数の基板の各々に設けられ、前記画像信号以外の信号が入力される第２の入力端子と、を有し、
   前記第１の入力端子と前記外周配線とは第１の抵抗配線を介して電気的に接続され、
   前記第２の入力端子と前記外周配線とは第２の抵抗配線を介して電気的に接続され、
   前記画像信号以外の信号は、クロック信号を含み、
   前記第１の抵抗配線は、第１の抵抗値を有し、
   前記第２の抵抗配線は、第２の抵抗値を有し、
   前記第１の抵抗値は、前記画像信号の周波数に基いて決められると共に、前記第１の抵抗値は前記第２の抵抗値よりも小さい値であり、
   前記マザー基板は、切断されることによって前記複数の基板の各々に分割され、
   前記外周配線は、切断されることによって電気的に分断される部分を有し、
   前記第１の抵抗配線は、切断されることによって前記第１の入力端子と前記外周配線とが電気的に分断される部分を有し、
   前記第２の抵抗配線は、切断されることによって前記第２の入力端子と前記外周配線とが電気的に分断される部分を有することを特徴とする電気光学装置用基板。
2. 請求項１に記載の電気光学装置用基板において、
   前記第１の抵抗配線及び前記第２の抵抗配線は、互いに異なる層に形成されていることを特徴とする電気光学装置用基板。
3. 請求項１または２に記載の電気光学装置用基板において、
   前記第１の抵抗配線と前記第２の抵抗配線とのうち少なくとも一方は、導電性のポリシリコンを含んでいることを特徴とする電気光学装置用基板。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置用基板を具備してなることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１乃至３のいずれかに記載の電気光学装置用基板を具備してなることを特徴とする電子機器。

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