JP5287006B2 - Electron beam drawing apparatus, electron beam drawing method, master disk manufacturing method, and information recording medium manufacturing method - Google Patents
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Description
本発明は、電子線描画装置、電子線描画方法、原盤製造方法、及び情報記録媒体製造方法に係り、更に詳しくは、電子線を用いて基板にパターンを描画する電子線描画装置、該電子線描画装置を用いた電子線描画方法、前記電子線描画装置を用いて原盤を製造する原盤製造方法、及び前記原盤を用いて情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法に関する。 The present invention relates to an electron beam drawing apparatus, an electron beam drawing method, a master disk manufacturing method, and an information recording medium manufacturing method, and more particularly, an electron beam drawing apparatus that draws a pattern on a substrate using an electron beam, and the electron beam The present invention relates to an electron beam drawing method using a drawing apparatus, a master manufacturing method for manufacturing a master using the electron beam drawing apparatus, and an information recording medium manufacturing method for manufacturing an information recording medium using the master.
インターネットの普及び高速化、それに伴う動画配信等の各種サービスの拡大、ハイビジョン画像受信再生機の普及などを背景に、情報機器等が取り扱うデータ量が急速に増大している。近年、これら増大する大量のデータを保存利用する為に、大容量の光ディスクあるいは大容量のハードディスクドライブの開発が盛んに行われている。特に、ハードディスクなどの記録媒体は、携帯電話、携帯用音楽記録再生装置、ビデオカメラなどのポータブル機器にも搭載されるなど、その用途が拡大し、最近では、小型大容量の記録媒体であるディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどが登場するに至っている。 The amount of data handled by information devices and the like is rapidly increasing against the background of the increasing speed and speed of the Internet, the expansion of various services such as moving picture distribution, and the widespread use of high-definition image receiving / playback devices. In recent years, a large-capacity optical disk or a large-capacity hard disk drive has been actively developed in order to store and use these increasing amounts of data. In particular, recording media such as hard disks are used in portable devices such as mobile phones, portable music recording and playback devices, and video cameras. Track media and patterned media have been introduced.
上述の記録媒体の原盤となる基板などへパターンを描画する方法としては、例えば特許文献1に記載されたX−θステージを備えた電子線描画装置を用いた描画方法が考えられる。この種の電子線描画装置を用いた描画方法では、基板上に螺旋状又は同心円状のトラックに沿って任意のパターンを描画形成することができる。 As a method of drawing a pattern on a substrate or the like serving as a master disk of the recording medium described above, for example, a drawing method using an electron beam drawing apparatus including an X-θ stage described in Patent Document 1 can be considered. In a drawing method using this type of electron beam drawing apparatus, an arbitrary pattern can be drawn and formed on a substrate along a spiral or concentric track.
上述したハードディスクなどに用いられる記録媒体では、各同心円トラックの描画開始位置を、例えばスイングアームに支持された記録再生ヘッドの移動軌跡上に位置させるのが一般的である。しかしながら、従来のように各同心円トラックを形成する円周トラックに沿ってパターンを描画する場合に、基板が一回転する毎に、すなわち各円周トラック毎に偏向信号を生成して、円周トラックそれぞれに個別的にパターンを描画すると、次の円周トラック(以下、次トラックという)の描画開始位置へ電子線の入射位置を移動させる際の基板の角度が、次トラックの描画開始位置に対応する基板の角度に一致していない場合があり、このときにはパターンが不連続になるなどの不都合が予想される。 In a recording medium used for the hard disk or the like described above, the drawing start position of each concentric track is generally located on the movement trajectory of a recording / reproducing head supported by a swing arm, for example. However, when a pattern is drawn along the circumferential track forming each concentric track as in the prior art, a deflection signal is generated every time the substrate rotates, that is, for each circumferential track. When each pattern is drawn individually, the angle of the substrate when moving the incident position of the electron beam to the drawing start position of the next circumferential track (hereinafter referred to as the next track) corresponds to the drawing start position of the next track. In some cases, the angle of the substrate does not match, and in this case, a disadvantage such as a discontinuous pattern is expected.
本発明は、かかる事情の下になされたもので、その第1の目的は、複数の円周トラックを有する同心円トラックに沿って、連続的に精度よくパターンを描画することが可能な電子線描画装置及び電子線描画方法を提供することにある。 The present invention has been made under such circumstances, and a first object of the present invention is to perform electron beam drawing capable of drawing a pattern continuously and accurately along a concentric track having a plurality of circumferential tracks. An apparatus and an electron beam drawing method are provided.
また、本発明の第2の目的は、記録媒体に、複数の円周トラックを有する同心円トラックに沿って連続的に精度よく形成されたパターンを転写するための原盤を製造する原盤製造方法を提供することにある。 The second object of the present invention is to provide a master manufacturing method for manufacturing a master for transferring a pattern formed continuously and accurately along a concentric track having a plurality of circumferential tracks to a recording medium. There is to do.
また、本発明の第3の目的は、複数の円周トラックを有する同心円トラックに沿って連続的に精度よくパターンが形成された情報記録媒体を製造するための情報記録媒体製造方法を提供することにある。 A third object of the present invention is to provide an information recording medium manufacturing method for manufacturing an information recording medium in which a pattern is formed continuously and accurately along concentric tracks having a plurality of circumferential tracks. It is in.
本発明は第1の観点からすると、中心を共通にする、隣接する第1及び第2円周トラックを含む複数の円周トラック上へ、前記中心を通る同一直線上にない各円周トラックの描画開始位置からそれぞれの円周トラックに沿って、順次パターンを描画する電子線描画装置であって、基板表面の照射位置に向けて電子線を照射する照射装置と;回転する前記基板を前記照射装置に対して相対移動して、前記照射位置を基準位置から等ピッチ螺旋トラックに沿って等速移動させる移動装置と;前記螺旋トラック上の前記照射位置に向けて照射された前記電子線を偏向して、前記電子線を前記螺旋トラックに対応するいずれかの円周トラック上へ入射させる偏向装置と;を備え、前記偏向装置は、前記第1円周トラックの描画開始から前記基板が、前記第1円周トラック上の描画開始位置の、前記基準位置に基づく前記基板の累積回転角と、前記第2円周トラック上の描画開始位置の、前記基準位置に基づく前記基板の累積回転角との差に対応する角度だけ回転したときに、前記電子線の入射位置を前記第2円周トラックの描画開始位置へ位置決めし、前記位置決めの際、前記第1及び第2円周トラックをそれぞれk番目及びk+1番目の円周トラック、前記第1円周トラック上の描画開始位置に対応する前記螺旋トラック上の位置と前記基準位置との距離をR 0 、前記螺旋トラックのピッチをP、前記照射位置の前記螺旋トラックに対する相対移動速度をV、前記第1及び第2円周トラック間の描画開始位置の角度差をΔθte(k)としたときに、式R 0 ・(2π+Δθte(k+1))/V±P・((2π(k+1)+Σ(n=0→k+1)・Δθte(n)) 2 −(2π・k+Σ(n=0→k)・Δθte(n)) 2 )/(4π・V)を用いて算出される周期を有する偏向制御信号に基づいて、前記電子線を偏向する電子線描画装置である。 From a first aspect, the present invention is directed to a plurality of circumferential tracks including adjacent first and second circumferential tracks having a common center, and each circumferential track that is not collinear through the center. along each circumferential track from the drawing start position, an electron beam lithography system for drawing a sequential pattern, the irradiation device for irradiating the sagittal line electrostatic toward the irradiation position of the base plate surface; the rotating substrate A moving device that moves relative to the irradiation device to move the irradiation position from the reference position along the equal pitch spiral track; and the electron beam irradiated toward the irradiation position on the spiral track And deflecting the electron beam onto one of the circumferential tracks corresponding to the spiral track, and the deflection device is configured such that the substrate is moved from the start of drawing of the first circumferential track. ,Previous The cumulative rotation angle of the substrate based on the reference position at the drawing start position on the first circumferential track, and the cumulative rotation angle of the substrate based on the reference position at the drawing start position on the second circumferential track. When the electron beam is rotated by an angle corresponding to the difference between the first and second circumferential tracks, the incident position of the electron beam is positioned at the drawing start position of the second circumferential track, and each of the first and second circumferential tracks is k. The distance between the position on the spiral track corresponding to the drawing start position on the first and k + 1th circumferential tracks and the reference position and the reference position is R 0 , the pitch of the spiral track is P, and the irradiation the relative movement speed with respect to the spiral track of the position V, and angle difference of the drawing start position between the first and second circumferential track is taken as Δθte (k), wherein R 0 · (2π + Δθte ( k + 1)) V ± P · ((2π ( k + 1) + Σ (n = 0 → k + 1) · Δθte (n)) 2 - (2π · k + Σ (n = 0 → k) · Δθte (n)) 2) / (4π · V The electron beam drawing apparatus deflects the electron beam based on a deflection control signal having a cycle calculated by using () .
これによれば、照射装置に対して螺旋トラックに沿って等速移動する基板に、連続的に精度よく円周トラックに沿ってパターンを描画することが可能となる。 According to this, a substrate moving constant velocity along a spiral track with respect to irradiation morphism apparatus, it is possible to draw a pattern continuously accurately along the circumference track.
また、本発明は第2の観点からすると、本発明の電子線描画装置を用いた電子線描画方法である。これによれば、照射装置に対して螺旋トラックに沿って等速移動する基板に、連続的に精度よく円周トラックに沿ってパターンを描画することが可能となる。 Further, from the second viewpoint, the present invention is an electron beam drawing method using the electron beam drawing apparatus of the present invention. According to this, it becomes possible to draw a pattern along the circumferential track continuously and accurately on the substrate that moves at a constant speed along the spiral track with respect to the irradiation device.
また、本発明は第3の観点からすると、本発明の電子線描画装置によって基板にパターンを描画する工程と;前記基板上に形成されたパターンを現像する工程と;を含む情報記録媒体の原盤製造方法である。 According to a third aspect of the present invention, there is provided an information recording medium master comprising: a step of drawing a pattern on a substrate by the electron beam drawing apparatus of the present invention; and a step of developing the pattern formed on the substrate. It is a manufacturing method.
これによれば、原盤には、複数の円周トラックを有する同心円トラックに沿って連続的に精度よくパターンが形成される。そして、この原盤を用いることにより、情報記録媒体に、複数の円周トラックを有する同心円トラックに沿って連続的に精度よく形成されたパターンを転写することが可能となる。 According to this, a pattern is continuously and accurately formed on the master along a concentric track having a plurality of circumferential tracks. By using this master, it is possible to transfer a pattern formed continuously and accurately along the concentric tracks having a plurality of circumferential tracks to the information recording medium.
本発明は第4の観点からすると、本発明の原盤を用いて、記録媒体へパターンを転写することにより情報記録媒体を製造する情報記録媒体製造方法である。これによれば、情報記録媒体には、複数の円周トラックを有する同心円トラックに沿って連続的に精度よく形成されたパターンが転写される。 From a fourth aspect, the present invention is an information recording medium manufacturing method for manufacturing an information recording medium by transferring a pattern to the recording medium using the master disk of the present invention. According to this, a pattern formed continuously and accurately along a concentric track having a plurality of circumferential tracks is transferred to the information recording medium.
以下、本発明の一実施形態を図1〜図6に基づいて説明する。図1には本実施形態に係る電子線描画装置100の概略構成が示されている。この電子線描画装置100は、例えば真空度が10−4Pa程度の環境下において、表面にレジスト材がコーティングされた基板Wに電子線を照射して、基板Wの表面に微細パターンを描画する電子線描画装置である。本実施形態にかかる電子線描画装置100は、後述する照射ユニット10に対して基板Wを相対移動して、照射ユニット10の照射位置を図2に示される螺旋トラックSTrに沿って移動させるとともに、照射位置に向かう電子線を偏向させることにより、基板Wの回転中心oを共通の中心とする複数の円周トラックCTr1〜CTrn上の露光(描画)開始位置SP1〜SPnから、円周トラックCTr1〜CTrnに沿ってパターンを描画する。また、本実施形態では、各円周トラックCTr1〜CTrn上の描画開始位置は、中心oを通る同一直線上にはないものとする。
Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 shows a schematic configuration of an electron
図1に示されるように、この電子線描画装置100は、電子線を基板Wに照射する照射ユニット10、基板Wが載置される回転テーブル31を備える回転テーブルユニット30、及び回転テーブルユニット30などが収容される直方体状の真空チャンバ40と、パルス信号生成装置21、フォーマット信号生成装置22、偏向信号生成装置23、回転駆動制御装置25、及び送り駆動制御装置26などを含んで構成される制御系と、上記各部を統括的に制御するコントローラ20とを有している。
As shown in FIG. 1, the electron
前記回転テーブルユニット30は、真空チャンバ40内部の底壁面上に配置されている。この回転テーブルユニット30は、基板Wが載置される回転テーブル31、回転テーブル31を鉛直軸回りに所定の回転数で回転する回転機構32、回転機構32をX軸方向に移動可能に支持する移動ステージ34、及び前記移動ステージ34を所定のストロークでX軸方向に駆動するスライドユニット33を備えている。
The
前記回転テーブル31は、円形板状の部材であり、回転機構32によって鉛直軸回りに回転可能に保持されている。
The rotary table 31 is a circular plate-like member, and is held by a
前記回転機構32は、回転駆動制御装置25から供給される制御信号に基づいて、前記回転テーブル31を所定の回転数で回転させる。
The
前記移動ステージ34は、前記回転機構32を支持するとともに、スライドユニット33によってX軸方向に移動可能に保持されている。
The moving
前記スライドユニット33は、送り駆動制御装置26から供給される制御信号に基づいて、前記移動ステージ34をX軸方向へ所定の速度で移動させる。
The
また、上述のように構成された回転テーブルユニット30では、回転テーブル31の回転角、及び移動ステージ34の位置が、それぞれ回転角検出器37及び位置検出器38によって検出され、回転角検出器37及び位置検出器38からは、回転テーブル31の回転角及び移動ステージ34の位置に応じたパルス信号が出力されるようになっている。
Further, in the
前記照射ユニット10は、長手方向をZ軸方向とするケーシング11と、該ケーシング11の内部上方から下方に向かって順次配置された、電子銃12、磁界レンズ13、ブランキング電極14、アパーチャ部材15、偏向電極16、及び対物レンズ17を備えている。
The
前記ケーシング11は、下方が開放された円筒状のケーシングであり、真空チャンバ40の上面に形成された開口に、上方から隙間なく嵌合されている。そして、真空チャンバ40の内部に位置する部分は、その直径が−Z方向に向かって小さくなるテーパー形状となっている。
The
前記電子銃12は、前記ケーシング11の内部上方に配置されている。この電子銃12は、陰極から熱と電界により取り出した電子を射出する熱電界放射型の電子銃であり、例えば、直径20〜50nm程度の電子線を下方(−Z方向)へ射出する。
The
前記磁界レンズ13は、電子銃12の下方に配置された環状のレンズであり、電子銃12から下方に射出された電子線に対して集束する方向のパワーを作用させる。
The
前記ブランキング電極14は、X軸方向に所定間隔隔てて相互に対向するように配置された1組の長方形板状の電極を有し、フォーマット信号生成装置22から供給されるブランカ制御信号Bsigに応じて、磁界レンズ13を通過した電子線を、図中の点線で示されるように+X方向へ偏向する。
The
前記アパーチャ部材15は、中央に電子線が通過する開口が設けられた板状の部材である。このアパーチャ部材15は、ブランキング電極14を通過した電子線が収束する点近傍に開口が位置するように配置されている。
The
前記偏向電極16は、アパーチャ部材15の下方に配置されている。この偏向電極16は、X軸方向に相互に対向するように配置された1対の電極と、Y軸方向に相互に対向するように配置された1対の電極とを有し、偏向信号生成装置23から供給される偏向制御信号Dsigに応じて、アパーチャ部材15を通過した電子線をX軸方向又Y軸方向へ偏向する。
The
前記対物レンズ17は、偏向電極16の下方に配置され、偏向電極16を通過した電子線を、回転テーブル31に載置された基板Wの表面に収束する。
The
上述のように構成された照射ユニット10では、電子銃12から射出された電子線は、磁界レンズ13を通過することにより集束され、アパーチャ部材15に設けられた開口近傍(以下、クロスオーバポイントという)で一旦交差される。次に、クロスオーバポイントを通過した電子線は、発散しつつアパーチャ部材15を通過することによりその形状が整形される。そして、対物レンズ17によって、回転テーブル31に載置された基板Wの表面上の所定の照射位置に収束される。
In the
以下、説明の便宜上、前記照射位置とは、偏向電極16によって偏向されない電子線が入射する基板W上の位置であり、対物レンズ17をはじめとする照射ユニット10の軸上の位置をいうものとする。そして、基板W上の電子線が実際に入射する位置は入射位置というものとする。本実施形態では、上述の照射位置は、基板Wの回転中心を通りX軸に平行な直線上に位置するように、照射ユニット10と回転テーブル31との相対位置が調整されている。
Hereinafter, for convenience of explanation, the irradiation position is a position on the substrate W on which an electron beam that is not deflected by the
また、照射ユニット10では、ブランカ制御信号Bsigに基づいてブランキング電極14が制御され、電子線がX軸方向に偏向されることで、アパーチャ部材15で電子線が遮蔽され、基板Wに対する電子線のブランキングが行われるようになっている。また、偏向制御信号Dsigに基づいて偏向電極16が制御され、電子線がX軸方向又はY軸方向に偏向されることにより、基板W上の電子線の照射位置が調整されるようになっている。
In the
図3は、前記パルス信号生成装置21のブロック図である。図3に示されるように、パルス信号生成装置21は、基準クロック生成装置21a、フォーマッタ駆動クロック生成装置21b、回転指令パルス生成装置21d、及び送り指令パルス生成装置21eを有している。
FIG. 3 is a block diagram of the
前記基準クロック生成装置21aは、電子線描画装置100を構成する各装置を制御する際の基準となる所定の周波数の基準クロック信号CLKを生成し出力する。
The reference
フォーマッタ駆動クロック生成装置21bは、コントローラ20の指示の下、基準クロック信号CLKに基づいてフォーマッタ駆動クロック信号Fclkと、トラック終端信号TEsigとを生成し、フォーマット信号生成装置22、及び偏向信号生成装置23へ供給する。
The formatter
基板Wを回転するとともにX軸方向へ送りながら、図2中の露光開始位置SP1から螺旋トラックに沿って電子線の照射位置を等速で移動させて露光を行う場合には、露光開始位置SP1から螺旋トラック上の位置BP’までの間の螺旋トラックSTrの長さLは、次式(1)で示される。ただし、R0は基板Wの回転中心oから露光開始位置SP1までの距離であり、θtotは露光開始位置SP1から位置BP’まで照射位置が移動するまでの基板Wの全回転角度であり、Pは螺旋トラックSTrのピッチである。また、式(1)の2項目の符号は、螺旋トラックSTrに沿って基板Wの内側から外側へ照射位置を移動させる場合には+となり、螺旋トラックSTrに沿って基板Wの外側から内側へ照射位置を移動させる場合には−となる。 While feeding the X-axis direction together with the rotating the substrate W, in the case of performing exposure by moving at a constant speed the irradiation position of the electron beam along the spiral track from the exposure start position SP 1 in FIG. 2, the exposure start position the length L of the spiral track STr between the SP 1 to the position BP 'on the spiral track is represented by the following formula (1). However, R 0 is the distance from the rotation center o of the substrate W to the exposure start position SP 1 , and θ tot is the total rotation angle of the substrate W until the irradiation position moves from the exposure start position SP 1 to the position BP ′. Yes, P is the pitch of the spiral track STr. Further, the sign of the two items in the expression (1) is + when the irradiation position is moved from the inside to the outside of the substrate W along the spiral track STr, and from the outside to the inside of the substrate W along the spiral track STr. It is-when moving the irradiation position.
L=R0・(θtot) ± P・(θtot)2/(4・π) …(1) L = R 0 · (θ tot ) ± P · (θ tot ) 2 / (4 · π) (1)
そして、螺旋トラック上を電子線の照射位置が移動する速度をVとすると、電子線の照射位置が基準位置SP1から螺旋トラックSTr上の位置BP’まで移動する時間Tは次式(2)で示される。 When the speed of the upper spiral track irradiation position of the electron beam moves to is V, the time T the irradiation position of the electron beam is moved from the reference position SP 1 to the position BP 'on the spiral track STr following formula (2) Indicated by
T=L/V
=R0・(θtot)/V ± P・(θtot)2/(4・π・V)…(2)
T = L / V
= R 0 · (θ tot ) / V ± P · (θ tot ) 2 / (4 · π · V) (2)
円周トラックCTrnを、中心角を第1基準角度Δθとする円弧(第1単位トラック)に区分したときの個数をN1とすると、第1基準角度を整数倍した角度(整数倍角)θkは次式(3)で示される。そして式(2)と式(3)から次式(4)を導出することができる。なお、kは0、1、2…と連続する整数である。 The circumferential track CTr n, when the number of time obtained by dividing the circular arc (first unit track) to a central angle between the first reference angle Δθ and N 1, the angle in which the first reference angle by an integral multiple (an integer double angle) .theta.k Is represented by the following equation (3). Then, the following equation (4) can be derived from the equations (2) and (3). Note that k is an integer consecutive with 0, 1, 2,.
θk=Δθ・k=2π・k・N1 …(3)
T・k=2π・R0・k/(V・N1) ± π・P・k2/(V・N1 2)…(4)
θk = Δθ · k = 2π · k · N 1 (3)
T · k = 2π · R 0 · k / (V · N 1 ) ± π · P · k 2 / (V · N 1 2 ) (4)
上記式(4)より、第1基準角度Δθを中心角とする単位パターンが描画される時間間隔(周期)は、次式(5)で示される。 From the above equation (4), the time interval (cycle) at which the unit pattern having the first reference angle Δθ as the central angle is drawn is represented by the following equation (5).
Δt(k)=t・(k+1)−t(k)
=2π・R0・/(V・N1)
± π・P・(2k+1)/(V・N1 2)…(5)
Δt (k) = t · (k + 1) −t (k)
= 2π · R 0 · / (V · N 1 )
± π · P · (2k + 1) / (V · N 1 2 ) (5)
上記式(5)は、本実施形態のように螺旋トラックSTrに沿って照射位置を移動させつつ電子線を偏向させて、円周トラックCTrnに沿った、中心角が第1基準角度Δθとなる単位パターンを形成するための周期は、その初期値が次式(6)で与えられ、増減値が次式(7)で与えられることを意味している。ただし、R1は、同一中心角領域の円周トラックCTrn上の露光開始位置に対応する螺旋トラック上の位置(螺旋トラックSTr上の照射位置)と基板Wの回転中心oとの距離である。 The formula (5) by deflecting the electron beam while moving an irradiation position along the spiral track STr as in this embodiment, along the circumference track CTr n, the central angle and the first reference angle Δθ The period for forming the unit pattern means that the initial value is given by the following equation (6) and the increase / decrease value is given by the following equation (7). However, R 1 is a distance of a position on the spiral track corresponding to the exposure start position on the circumference track CTr n identical central angle region (irradiation position on the spiral track STr) and the rotation center o of the substrate W .
2π・R1・/(V・N1) ± π・P/(V・N1 2)…(6)
±2π・P・(V・N1 2)…(7)
2π · R 1 · / (V · N 1 ) ± π · P / (V · N 1 2 ) (6)
± 2π · P · (V · N 1 2 ) (7)
電子線描画装置100のフォーマッタ駆動クロック生成装置21bは、上記式(6)及び式(7)によって規定される周期でハイレベルとなるクロック信号Fclkを生成する。
The formatter drive
前記偏向クロック生成装置21cは、基準クロック生成装置21aによって生成された基準クロック信号CLKに基づいて、偏向クロック信号Dclkを生成して出力し、前記回転指令パルス生成装置21dは、回転指令パルス信号Tclkを生成して出力し、前記送り指令パルス生成装置21eは、送りパルス信号Sclkを生成して出力する。
The deflection
そして、本実施形態では、前記回転駆動制御装置25が、パルス信号生成装置21からの回転指令パルス信号Tclkと、回転角検出器37からのパルス信号とを比較して、この比較結果に応じて回転機構32を駆動することで、基板Wを所定の回転数で回転させ、また、前記送り駆動制御装置26が、パルス信号生成装置21からの送りパルス信号Sclkと、位置検出器38からのパルス信号とを比較して、この比較結果に応じてスライドユニット33を駆動することによって基板WをX軸方向へ所定の速度で移動させる。電子線描画装置100では、このように、回転駆動制御装置25と送り駆動制御装置26とが協働することにより、照射ユニット10の照射位置が、図2に示される螺旋トラックSTrに沿って基板W上を等速移動するようになっている。
In this embodiment, the rotation
また、前記偏向信号生成装置23は、パルス信号生成装置21からの偏向クロック信号Dclkと、トラック終端信号TEsigとから、偏向制御信号Dsigを生成し、偏向電極16へ供給する。
The
前記コントローラ20は、一例としてCPU、照射ユニット10及び回転テーブルユニット30を制御するためのプログラムやパラメータが格納されたメモリなどを含んで構成された制御用コンピュータである。このコントローラ20は、例えばユーザからの指令に基づいて、上述したように、フォーマッタ駆動クロック生成装置21b、偏向クロック生成装置21c、回転指令パルス生成装置21d及び送り指令パルス生成装置21eに対して、基板Wに対するパターンの描画を行うための指令等を供給する。また、フォーマット信号生成装置22に対して描画情報等を供給する。
As an example, the
上述したように、本実施形態では、各円周トラックCTr1〜CTrn上の描画開始位置は、中心oを通る同一直線上にはなく、例えば、円周トラックCTr1の描画開始位置SP1を基準とすると、円周トラックCTr2の描画開始位置SP2は、図4に示されるように、角度−Δθte1の位置にある。この位置は、図2を参酌するとわかるように、回転テーブル31が螺旋トラックSTrに沿って相対移動されてから、回転テーブル31が2π−Δθte1回転だけ回転したときの、照射位置の位置と角度的に一致する。 As described above, in the present embodiment, the drawing start position on the circumferential track CTr 1 ~CTr n is not on the same straight line passing through the center o, for example, drawing start position SP 1 of the circumferential track CTr 1 the If based, drawing start position SP 2 circumferential track CTr 2, as shown in FIG. 4, in the position of the angle -Δθte 1. As can be understood from FIG. 2, the position and angle of the irradiation position when the rotary table 31 is rotated by 2π−Δθte one rotation after the rotary table 31 is relatively moved along the spiral track STr. Match.
また、円周トラックCTr1の描画開始位置SP1を基準とすると、円周トラックCTr3の描画開始位置SP3は、図5に示されるように、角度+Δθte2の位置にある。この位置は、図2を参酌するとわかるように、回転テーブル31が螺旋トラックSTrに沿って相対移動されてから、回転テーブル31が4π+Δθte2回転だけ回転したときの、照射位置の位置と角度的に一致する。 Further, when a reference writing start position SP 1 of the circumferential track CTr 1, drawing start position SP 3 circumferential tracks CTr 3, as shown in FIG. 5, in the position of the angle + Δθte 2. As can be understood from FIG. 2, this position is angularly different from the position of the irradiation position when the rotary table 31 is rotated by 4π + Δθte 2 rotations after the rotary table 31 is relatively moved along the spiral track STr. Match.
電子線描画装置100では、円周トラックCTr1上の描画開始位置SP1から円周トラックCTr1に沿ってパターンの描画を開始してから、基板が2π−Δθte1回転した位置で、電子線をX軸方向へ偏向することで電子線の入射位置を円周トラックCTr2上へ位置決めする。具体的には、図4に示されるように、円周トラックCTr1上の描画開始位置SP1から描画終了位置EP1まで電子線の入射位置が移動し、さらに基板Wが回転することで電子線の入射位置が位置JP1に来たときに、電子線を偏向させて電子線を円周トラックCTr2の描画開始位置SP2へ入射させる。
In electron
そして、円周トラックCTr2上の描画開始位置SP2から円周トラックCTr2に沿ってパターンの描画を開始してから、基板が2π+Δθte1+Δθte2回転((4π+Δθte2)−(2π−Δθte1))した位置で、電子線をX軸方向へ偏向することで電子線の入射位置を円周トラックCTr3上へ位置決めする。具体的には、図5に示されるように、円周トラックCTr2上の描画開始位置SP2から描画終了位置EP2まで電子線の入射位置が移動し、さらに基板Wが回転することで電子線の入射位置が位置JP2に来たときに、電子線を偏向させて電子線を円周トラックCTr3の描画開始位置SP3へ入射させる。 Then, from the writing start position SP 2 on the circumference track CTr 2 to start drawing a pattern along the circumference track CTr 2, the substrate is 2π + Δθte 1 + Δθte 2 rotating ((4π + Δθte 2) - (2π-Δθte 1 )) in position, the incident position of the electron beam is positioned to the circumferential track CTr 3 above by deflecting the electron beam in the X-axis direction. Specifically, electrons by as shown in FIG. 5, the incident position of the electron beam from the drawing start position SP 2 on the circumference track CTr 2 to the marking end position EP 2 is moved further substrate W is rotated when the incident position of the line comes to a position JP 2, to deflect the electron beam is incident electron beam to the drawing start position SP 3 circumferential tracks CTr 3 in.
これにより、図4を参酌するとわかるように、基板Wの円周トラックCTr1の描画開始位置SP1からEP1までの区間が、ブランカ制御信号Bsigによって変調された電子線によって露光される。そして、描画終了位置EP1から位置JP1までの間は電子線がブランキングされた状態となり、電子線の入射位置に対応する位置が位置JP1に一致したときに、電子線が偏向制御信号Dsigによって偏向され、円周トラックCTr2の描画開始位置SP2に入射される。 Thus, as can be seen by reference to Figure 4, a section from the drawing start position SP 1 of the circumferential track CTr 1 of the substrate W to EP 1 is exposed by the electron beam which has been modulated by the blanker control signal Bsig. Then, the electron beam is blanked between the drawing end position EP 1 and the position JP 1, and when the position corresponding to the incident position of the electron beam coincides with the position JP 1 , the electron beam is transmitted to the deflection control signal. is deflected by Dsig, it enters the drawing start position SP 2 circumferential track CTr 2.
次に、図5を参酌するとわかるように、基板Wの円周トラックCTr2の描画開始位置SP2からEP2までの区間が、ブランカ制御信号Bsigによって変調された電子線によって露光される。そして、描画終了位置EP2から位置JP2までの間は電子線がブランキングされた状態となり、電子線の入射位置に対応する位置が位置JP2に一致したときに、電子線が偏向制御信号Dsigによって偏向され、円周トラックCTr3の描画開始位置SP3に入射される。以下、同様の動作が繰り返されることで、基板Wには円周トラックCTr1〜CTrnにそってパターンが描画される。 Next, as can be seen by reference to Figure 5, a section from the drawing start position SP 2 circumferential track CTr 2 of the substrate W to the EP 2 is exposed by the electron beam which has been modulated by the blanker control signal Bsig. Then, between the drawing end position EP 2 to the position JP 2 is a state in which the electron beam is blanked, when a position corresponding to the incident position of the electron beam coincides with the position JP 2, the electron beam deflection control signal is deflected by Dsig, enters the drawing start position SP 3 circumferential tracks CTr 3. Hereinafter, by the same operation is repeated, the substrate W pattern is drawn along the circumference track CTr 1 ~CTr n.
上述の電子線の偏向動作は、図6(A)及び図6(B)に示されるような偏向制御信号Dsigが偏向電極16に印加されることにより行われる。図6(A)に示される偏向制御信号Dsigは、トラックの描画開始位置で、偏向制御信号Dsigをリセットする例であり、図6(B)に示される偏向制御信号Dsigは、電子線の入射位置の移動量が隣接するトラックピッチ相当となるように電子線を偏向させる例である。
The above-described deflection operation of the electron beam is performed by applying a deflection control signal Dsig as shown in FIGS. 6 (A) and 6 (B) to the
図6(A)に示される偏向制御信号Dsigは、各トラック間の描画開始位置間の角度が小さい場合に用いるのに適しており、図6(B)に示される偏向制御信号Dsigは、生成するのに複雑な手順を要するが、各トラック間の描画開始位置間の角度が大きい場合に、精度よく電子線を位置決めするのに適している。 The deflection control signal Dsig shown in FIG. 6A is suitable for use when the angle between the drawing start positions between the tracks is small, and the deflection control signal Dsig shown in FIG. This requires a complicated procedure, but is suitable for accurately positioning the electron beam when the angle between the drawing start positions between the tracks is large.
また、隣接トラック間の描画開始位置の角度差をΔθte(k)とおくと、描画を開始してからk番目のトラックCTrkの描画開始位置が描画されるまでの時間t(k)は、上記式(2)に、θtot(k) = 2π・k +Σ(n=0→k)Δθte(n)(ただし、n=0→kは積算範囲n=0…kを示す)を代入することで得られる次式(8)で示される。 If the angle difference between the drawing start positions between adjacent tracks is Δθte (k), the time t (k) from when drawing is started until the drawing start position of the kth track CTrk is drawn is Substituting θ tot (k) = 2π · k + Σ (n = 0 → k) Δθte (n) (where n = 0 → k indicates the integration range n = 0... K) into the above equation (2). The following equation (8) is obtained.
t(k)=L/V
=R0・(2π・k+Σ(n=0→k)Δθte(n))/V
±P・(2π・k+Σ(n=0→k)Δθte(n))2/(4π・V)…(8)
t (k) = L / V
= R 0 · (2π · k + Σ (n = 0 → k) Δθte (n)) / V
± P · (2π · k + Σ (n = 0 → k) Δθte (n)) 2 / (4π · V) (8)
上記式(8)より、偏向制御信号Dsigの周期は、次式(9)で示される。
Δt(k)=t(k+1)―t(k)
=R0・(2π+Δθte(k+1))/V
±P・((2π・(k+1)+Σ(n=0→k+1)Δθte(n))2
−(2π・k+Σ(n=0→k)Δθte(n))2)/(4π・V)
=R0・(2π+Δθte(k+1))/V
±P・((4π・(k+1)(1+Σ(n=0→k+1)Δθte(n))
+(Σ(n=0→k+1)Δθte(n))2
−4π・k・Σ(n=0→k)Δθte(n)
−(Σ(n=0→k)Δθte(n))2 )/(4π・V)…(9)
From the above equation (8), the cycle of the deflection control signal Dsig is expressed by the following equation (9).
Δt (k) = t (k + 1) −t (k)
= R 0 · (2π + Δθte (k + 1)) / V
± P · ((2π · (k + 1) + Σ (n = 0 → k + 1) Δθte (n)) 2
− (2π · k + Σ (n = 0 → k) Δθte (n)) 2 ) / (4π · V)
= R 0 · (2π + Δθte (k + 1)) / V
± P · ((4π · (k + 1) (1 + Σ (n = 0 → k + 1) Δθte (n))
+ (Σ (n = 0 → k + 1) Δθte (n)) 2
−4π · k · Σ (n = 0 → k) Δθte (n)
− (Σ (n = 0 → k) Δθte (n)) 2 ) / (4π · V) (9)
また、Δθte(k)を、隣接トラック間の描画開始位置の角度差ではなく、描画開始位置SP1の角度(基準角度)に対する角度とした場合は、描画を開始してからk番目のトラックCTrkの描画開始位置が描画されるまでの時間t(k)は、式(2)に、θtot(k) = 2π・k +θte(k)を代入することで得られる次式(10)で示される。 Further, Derutashitate a (k), instead of the angular difference between the drawing start position between the adjacent tracks, when the angle to the angle of the drawing start position SP 1 (reference angle), k-th track CTr from the start of the drawing The time t (k) until the drawing start position of k is drawn is expressed by the following equation (10) obtained by substituting θ tot (k) = 2π · k + θte (k) into equation (2). Indicated.
t(k)=L/V
=R0・(2π・k+θte(k))/V
±P・(2π・k+θte(k))2/(4π・V)…(10)
t (k) = L / V
= R 0 · (2π · k + θte (k)) / V
± P · (2π · k + θte (k)) 2 / (4π · V) (10)
上記式(10)より、偏向制御信号Dsigの周期は、次式(11)で示される。
Δt(k)=t(k+1)―t(k)
=R0・(2π+θte(k+1)- θte(k))/V
±(P・((2π・(k+1)+θte(k+1))2
−(2π・k+θte(k))2)/(4π・V)
=R0・(2π+θte(k+1)θte(k))/V
±(P・(4π・(k+1+θte(k+1)−θte(k))
+θte(k+1)2−θte(k)2)/(4π・V)…(11)
From the above equation (10), the cycle of the deflection control signal Dsig is expressed by the following equation (11).
Δt (k) = t (k + 1) −t (k)
= R 0 · (2π + θte (k + 1) −θte (k)) / V
± (P · ((2π · (k + 1) + θte (k + 1)) 2
− (2π · k + θte (k)) 2 ) / (4π · V)
= R 0 · (2π + θte (k + 1) θte (k)) / V
± (P · (4π · (k + 1 + θte (k + 1) −θte (k))
+ Θte (k + 1) 2 −θte (k) 2 ) / (4π · V) (11)
以上説明したように、電子線描画装置100では、円周トラックCTr1上の描画開始位置SP1から円周トラックCTr1に沿ってパターンの描画を開始してから、基板が2π−Δθte1回転した位置で、電子線をX軸方向へ偏向することで電子線の入射位置を円周トラックCTr2上へ位置決めする。そして、円周トラックCTr2上の描画開始位置SP2から円周トラックCTr2に沿ってパターンの描画を開始してから、基板が2π+Δθte1+Δθte2回転((4π+Δθte2)−(2π−Δθte1))した位置で、電子線をX軸方向へ偏向することで電子線の入射位置を円周トラックCTr3上へ位置決めする。これにより、基板Wを照射ユニット10に対して螺旋トラックSTrに沿って相対移動させながら、基板Wの中心を通る同一直線上にない各円周トラックの描画開始位置からそれぞれの円周トラックに沿ってパターンを連続的に描画することができる。
As described above, in the electron
さらに本実施形態では、従来とは異なり、同一の円周トラックの描画開始位置から描画終了位置までの間に、電子線が他の円周トラックに位置決めされることがないので、同一の円周トラックに、パターンを構成する微小ピット(ドット)を連続的に形成することができる。 Furthermore, in the present embodiment, unlike the conventional case, since the electron beam is not positioned on another circumferential track between the drawing start position and the drawing end position of the same circumferential track, Small pits (dots) constituting a pattern can be continuously formed on the track.
また、本実施形態は、一例として図7に示されるように、スイングアームに対応した境界線で規定された例えば4つの領域に、円周トラックに沿って連続的にパターンを描画するのに好適である。 Further, as shown in FIG. 7 as an example, this embodiment is suitable for drawing a pattern continuously along a circumferential track in, for example, four regions defined by boundary lines corresponding to a swing arm. It is.
また、本発明はハードディスクメディアへの使用が検討されているディスクリートトラックメディア及びパターンドメディアの製造に好適である。 The present invention is also suitable for manufacturing discrete track media and patterned media that are being considered for use in hard disk media.
また、本発明にかかる電子線描画装置を用いて基板にパターンを描画し、その後基板の現像を行うことで、情報記録媒体を製造するための原盤を製作することができる。そして、この原盤を用いることで、パターンが形成された情報記録媒体を製造することができる。 In addition, a master for manufacturing an information recording medium can be manufactured by drawing a pattern on a substrate using the electron beam drawing apparatus according to the present invention and then developing the substrate. By using this master, an information recording medium on which a pattern is formed can be manufactured.
以上説明したように、本発明の電子線描画装置及び電子線描画方法は、基板にパターンを描画するのに適している。また、本発明の原盤製造方法は、情報記録媒体の原盤を製造するのに適している。また、本発明の情報記録媒体製造方法は、情報記録媒体を製造するのに適している。 As described above, the electron beam drawing apparatus and the electron beam drawing method of the present invention are suitable for drawing a pattern on a substrate. The master production method of the present invention is suitable for producing a master of an information recording medium. The information recording medium manufacturing method of the present invention is suitable for manufacturing an information recording medium.
10…照射ユニット、11…ケーシング、12…電子銃、13…磁界レンズ、14…ブランキング電極、15…アパーチャ部材、16…偏向電極、17…対物レンズ、20…コントローラ、21…パルス信号生成装置、21a…基準クロック生成装置、21b…フォーマッタ駆動クロック生成装置、21c…偏向クロック生成装置、21d…回転指令パルス生成装置、21e…送り指令パルス生成装置、22…フォーマット信号生成装置、23…偏向信号生成装置、25…回転駆動制御装置、26…送り駆動制御装置、30…回転テーブルユニット、31…回転テーブル、32…回転機構、33…スライドユニット、34…移動ステージ、37…回転角検出器、38…位置検出器、40…真空チャンバ、W…基板、CLK…基準クロック信号、Fclk…フォーマッタ駆動クロック信号、Bsig…ブランカ制御信号、Dclk…偏向クロック信号、Dsig…偏向制御信号、Tclk…回転指令パルス信号、TEsig…トラック終端信号、Sclk…送りパルス信号、CTr…円周トラック、STr…螺旋トラック。
DESCRIPTION OF
Claims (5)
基板表面の照射位置に向けて電子線を照射する照射装置と;
回転する前記基板を前記照射装置に対して相対移動して、前記照射位置を基準位置から等ピッチ螺旋トラックに沿って等速移動させる移動装置と;
前記螺旋トラック上の前記照射位置に向けて照射された前記電子線を偏向して、前記電子線を前記螺旋トラックに対応するいずれかの円周トラック上へ入射させる偏向装置と;を備え、
前記偏向装置は、前記第1円周トラックの描画開始から前記基板が、前記第1円周トラック上の描画開始位置の、前記基準位置に基づく前記基板の累積回転角と、前記第2円周トラック上の描画開始位置の、前記基準位置に基づく前記基板の累積回転角との差に対応する角度だけ回転したときに、前記電子線の入射位置を前記第2円周トラックの描画開始位置へ位置決めし、
前記位置決めの際、前記第1及び第2円周トラックをそれぞれk番目及びk+1番目の円周トラック、前記第1円周トラック上の描画開始位置に対応する前記螺旋トラック上の位置と前記基準位置との距離をR 0 、前記螺旋トラックのピッチをP、前記照射位置の前記螺旋トラックに対する相対移動速度をV、前記第1及び第2円周トラック間の描画開始位置の角度差をΔθte(k)としたときに、
式R 0 ・(2π+Δθte(k+1))/V±P・((2π(k+1)+Σ(n=0→k+1)・Δθte(n)) 2 −(2π・k+Σ(n=0→k)・Δθte(n)) 2 )/(4π・V)を用いて算出される周期を有する偏向制御信号に基づいて、前記電子線を偏向する電子線描画装置。 From a drawing start position of each circumferential track not on the same straight line passing through the center to each circumferential track, on a plurality of circumferential tracks including adjacent first and second circumferential tracks having a common center An electron beam drawing apparatus that sequentially draws a pattern along
An irradiation device for irradiating the sagittal line electrostatic toward the irradiation position of the base plate surface;
A moving device that relatively moves the rotating substrate with respect to the irradiation device, and moves the irradiation position from the reference position along a constant pitch spiral track;
A deflecting device that deflects the electron beam irradiated toward the irradiation position on the spiral track and causes the electron beam to be incident on any of the circumferential tracks corresponding to the spiral track;
In the deflecting device, the cumulative rotation angle of the substrate based on the reference position of the drawing start position on the first circumferential track from the start of drawing of the first circumferential track, and the second circumference When the drawing start position on the track is rotated by an angle corresponding to the difference from the accumulated rotation angle of the substrate based on the reference position, the incident position of the electron beam is moved to the drawing start position of the second circumferential track. Positioning ,
In the positioning, the first and second circumferential tracks are kth and k + 1th circumferential tracks, the position on the spiral track corresponding to the drawing start position on the first circumferential track, and the reference position, respectively. R 0 , the pitch of the spiral track P, the relative movement speed of the irradiation position with respect to the spiral track V, and the angle difference of the drawing start position between the first and second circumferential tracks Δθte (k )
Expression R 0 · (2π + Δθte (k + 1)) / V ± P · ((2π (k + 1) + Σ (n = 0 → k + 1) · Δθte (n)) 2 − (2π · k + Σ (n = 0 → k) · Δθte (N)) An electron beam drawing apparatus for deflecting the electron beam based on a deflection control signal having a period calculated using 2 ) / (4π · V) .
前記基板上に形成されたパターンを現像する工程と;を含む情報記録媒体の原盤製造方法。 A step of drawing a pattern on a substrate by the electron beam drawing apparatus according to any one of claims 1 to 3 ;
Developing a pattern formed on the substrate; and a method for producing an information recording medium master.
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