JP5287117B2

JP5287117B2 - measuring device

Info

Publication number: JP5287117B2
Application number: JP2008262595A
Authority: JP
Inventors: 覚落合
Original assignee: Yokogawa Electric Corp
Current assignee: Yokogawa Electric Corp
Priority date: 2008-10-09
Filing date: 2008-10-09
Publication date: 2013-09-11
Anticipated expiration: 2028-10-09
Also published as: JP2010091458A

Description

本発明は、電圧、電流、その他の各種物理量の測定を行う測定装置に関する。 The present invention relates to a measuring apparatus that measures various physical quantities such as voltage, current, and the like.

従来から、電気信号の測定には電流計、電圧計、オシロスコープ、又はスペクトルアナライザ等の測定装置が用いられている。また、気体や流体の測定には圧力計、流量計、温度計、湿度計等の測定装置が用いられている。更に、近年においては、環境に対する関心が高まっており、ｐＨ計、酸素計、濃度計等の環境に関する物理量の測定を行う測定装置の開発も盛んに行われている。これら各種の測定装置は、発電プラント、石油化学プラント、その他の各種プラントにおいては、フィールド機器として設置される。 Conventionally, measuring devices such as an ammeter, a voltmeter, an oscilloscope, or a spectrum analyzer have been used for measuring an electric signal. In addition, measuring devices such as a pressure gauge, a flow meter, a thermometer, and a hygrometer are used for measuring gas and fluid. Furthermore, in recent years, interest in the environment has increased, and development of measuring devices that measure physical quantities related to the environment, such as pH meters, oxygen meters, and concentration meters, has been actively conducted. These various measuring devices are installed as field devices in power plants, petrochemical plants, and other various plants.

近年、上述した各種測定装置の多くは、利便性の向上、機能改善の容易化、多機能化等を図るためにプログラム制御により動作するものになっている。例えば、電圧を測定するフィールド機器は、電圧の測定を行う本来のセンサ部に加えて、センサ部の制御（例えば、バイアス制御等）を行うセンサ制御部と、センサ部で測定された測定データをフィールドバスを介して送信する通信部と、これらセンサ制御部や通信部の動作を所定のプログラムに基づいて統括制御する制御部とを備える構成である。 In recent years, many of the various measuring apparatuses described above operate under program control in order to improve convenience, facilitate function improvement, increase functionality, and the like. For example, a field device that measures voltage includes, in addition to an original sensor unit that measures voltage, a sensor control unit that controls the sensor unit (for example, bias control) and measurement data measured by the sensor unit. The configuration includes a communication unit that transmits via a field bus, and a control unit that performs overall control of operations of the sensor control unit and the communication unit based on a predetermined program.

以上の構成のフィールド機器は、フラッシュＲＯＭ（Read Only Memory）とＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable ＲＯＭ）とを備えており、制御部で用いられるプログラムをフラッシュＲＯＭに格納し、センサ制御部に対する調整値や設定値をＥＥＰＲＯＭに格納するものが多い。これは、フラッシュＲＯＭ及びＥＥＰＲＯＭの性質の相違によるものである。 The field device having the above-described configuration includes a flash ROM (Read Only Memory) and an EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM), stores a program used in the control unit in the flash ROM, and provides adjustment values for the sensor control unit. In many cases, the set value is stored in the EEPROM. This is due to the difference in properties between the flash ROM and the EEPROM.

ここで、フラッシュＲＯＭ及びＥＥＰＲＯＭは共に、電源を遮断してもデータが保持される不揮発性メモリである。しかしながら、フラッシュＲＯＭは１ビット単位でのデータ書き込みが可能であるがデータの消去は複数ビットからなるセクタ単位でしか行うことができないという性質があるのに対し、ＥＥＰＲＯＭはデータの消去と書き込みとをまとめて１ビット単位で行うことが可能であるという性質がある。 Here, both the flash ROM and the EEPROM are non-volatile memories that retain data even when the power is turned off. However, flash ROM has the property that data can be written in 1-bit units, but data can only be erased in units of sectors consisting of a plurality of bits, whereas EEPROM can erase and write data. There is a property that it can be performed in units of one bit at a time.

また、フラッシュＲＯＭは、セクタ単位でのデータの消去のみが可能であるという上記の性質に加えて、データの消去に長時間（例えば、１秒以上）を要し、しかも消去時の消費電流が大きく（例えば、数十ｍＡ）、更に消去回数にも制限がある（例えば、数万回程度）という性質がある。このため、フラッシュＲＯＭでは、消去が頻繁に行われる状況は望ましくない。 Further, in addition to the above-described property that only the data can be erased in units of sectors, the flash ROM requires a long time (for example, 1 second or more) to erase the data, and the current consumption at the time of erasing is high. It is large (for example, several tens of mA) and has a property that the number of erasures is also limited (for example, about several tens of thousands). For this reason, in a flash ROM, a situation where erasure is frequently performed is not desirable.

これに対し、ＥＥＰＲＯＭは、データをシリアル通信により転送しており、データの通信及び書き込みに要する時間が数ｍｓｅｃ程度の時間が必要になるという性質がある。また、ＥＥＰＲＯＭは信頼性が十分ではなく、格納されているプログラムやデータの一部が変化してしまうこともある。このため、信頼性を向上させるために、定期的にデータの読み出しを行ってデータが正常であるか否かの確認を行うチェック回路又はプログラムが設けられたり、或いはデータ（プログラム）を複数の領域に記憶して二重化し、一方のデータに変化が生じた場合には他方のデータを用いる切り替え回路が設けられることもある。 On the other hand, the EEPROM transfers data by serial communication, and has a property that time required for data communication and writing is about several milliseconds. Moreover, the reliability of the EEPROM is not sufficient, and some stored programs and data may change. For this reason, in order to improve the reliability, a check circuit or a program for periodically reading data and confirming whether the data is normal is provided, or data (program) is stored in a plurality of areas. When a change occurs in one data, a switching circuit using the other data may be provided.

尚、以下の特許文献１には、一の半導体チップ上に中央処理装置と不揮発性のフラッシュメモリとが設けられたマイクロコンピュータにおいて、内部昇圧電圧と外部高電圧の何れを用いてもフラッシュメモリに対するデータの消去、書込みを可能とする技術が開示されている。
特開平０７−０２９３８６号公報 In Patent Document 1 below, in a microcomputer in which a central processing unit and a non-volatile flash memory are provided on one semiconductor chip, the flash memory can be used regardless of whether the internal boosted voltage or the external high voltage is used. A technique that enables erasing and writing of data is disclosed.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-029386

ところで、従来の測定装置は、上述した通り、性質の異なる２種類の不揮発性メモリ（フラッシュＲＯＭ及びＥＥＰＲＯＭ）を備えており、記憶させるデータの種類（プログラムであるか、又は調整値若しくは設定値であるか）に応じて使用する不揮発性メモリの使い分けを行っている。また、ＥＥＰＲＯＭを設ける場合には、信頼性を高めるために、ＥＥＰＲＯＭに付随して上述したチェック回路や切り替え回路が設けられることもある。 Incidentally, as described above, the conventional measuring apparatus includes two types of non-volatile memories (flash ROM and EEPROM) having different properties, and the type of data to be stored (a program, an adjustment value, or a setting value). The nonvolatile memory to be used is properly used according to whether there is any). When an EEPROM is provided, the above-described check circuit and switching circuit may be provided along with the EEPROM in order to increase reliability.

複数種類の不揮発性メモリを備えることは測定装置のコストを上昇させる一因になるとともに、より多くの実装面積が必要になるという問題がある。また、上記のチェック回路や切り替え回路を設けた場合には、測定装置の更なるコスト上昇を招くとともにより多くの実装面積が必要になる。このため、コスト低減及び実装面積の低減のためには、チェック回路等の実装が必要となるＥＥＰＲＯＭを省略して搭載する不揮発性メモリをフラッシュＲＯＭに統一することが望ましい。 Providing a plurality of types of non-volatile memories increases the cost of the measuring apparatus and requires a larger mounting area. Further, when the above check circuit and switching circuit are provided, the cost of the measuring apparatus is further increased and a larger mounting area is required. Therefore, in order to reduce the cost and the mounting area, it is desirable to unify the nonvolatile memory to be mounted on the flash ROM by omitting the EEPROM that requires mounting of a check circuit or the like.

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、コスト及び実装面積の低減を図ることができるとともに信頼性を確保することができる測定装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a measuring apparatus capable of reducing cost and mounting area and ensuring reliability.

上記課題を解決するために、本発明の測定装置は、所定のプログラムに従って動作して、所定の物理量を測定する測定装置（１）において、１ビット単位でのデータの書き込みが可能であるとともに複数ビットからなるセクタ単位でのデータの消去が可能であって、前記プログラムを記憶する第１領域（Ｒ１）と前記所定の物理量の測定を行う上で用いられるデータを該データが有効であるか又は無効であるかを示す複数ビットのステータス情報とともに記憶する第２領域（Ｒ２）とが設けられた不揮発性メモリ（２４）と、前記不揮発性メモリの前記第２領域に記憶されているデータを更新する場合には、更新されるべき当該データ及び当該データに付随するステータス情報を消去することなく、前記第２領域内における未使用領域に対して更新すべき新たなデータ及び該データが有効である旨を示すステータス情報の書き込みを行うとともに、当該データに付随するステータス情報に対する１ビット単位での書き込みを行うことによって該ステータス情報を有効から無効に変えるメモリ制御部（２３）とを備えることを特徴としている。
この発明によると、不揮発性メモリの第１領域に記憶されたプログラムが読み出された場合には測定装置内でそのプログラムに従った動作が行われ、不揮発性メモリの第２領域に記憶されているデータが更新される場合には、第２領域に記憶されている更新されるべきデータ及びこのデータに付随するステータス情報の消去が行われることなく、更新すべき新たなデータ及びこのデータが有効である旨を示すステータス情報が第２領域内における未使用領域に書き込まれるとともに、上記の更新されるべきデータに付随するステータス情報に対する１ビット単位での書き込みが行われて、そのステータス情報が有効から無効に変えられる。
また、本発明の測定装置は、前記不揮発性メモリの前記第２領域に記憶されているデータであって付随する前記ステータス情報が有効であるデータと、該データが前記第２領域内において記憶されている位置を示すアドレス情報とを組にして一時的に記憶する揮発性メモリ（２５）を備えることを特徴としている。
また、本発明の測定装置は、前記メモリ制御部が、前記不揮発性メモリの前記第２領域に記憶されているデータの更新を行う必要が生じた場合には、前記揮発性メモリに記憶されたデータのうち更新を行う必要のあるデータに対応するデータの更新を行い、所定時間経過した後に、更新が行われた前記揮発性メモリに記憶されたデータを前記不揮発性メモリの前記第２領域に書き込むことを特徴としている。
また、本発明の測定装置は、前記メモリ制御部が、前記揮発性メモリに記憶されたデータを前記不揮発性メモリの前記第２領域に書き込んだ場合に、前記揮発性メモリに記憶されている前記データに付随するアドレス情報を、新たに書き込まれたデータの前記第２領域内における記憶位置を示すアドレス情報に更新することを特徴としている。
また、本発明の測定装置は、前記不揮発性メモリの前記第２領域が複数設けられており、前記メモリ制御部が、前記第２領域の何れかにおいて未使用領域が無くなった場合に、未使用領域が無くなった第２領域に記憶されているデータを未使用領域がある他の第２領域にコピーし、未使用領域が無くなった第２領域に記憶されているデータの一括消去を行うことを特徴としている。 In order to solve the above-described problems, a measuring apparatus according to the present invention operates in accordance with a predetermined program and can write data in units of 1 bit in a measuring apparatus (1) that measures a predetermined physical quantity. It is possible to erase data in units of sectors consisting of bits, and whether the data is valid for the first area (R1) for storing the program and the data used for measuring the predetermined physical quantity or Update the data stored in the second area of the nonvolatile memory and the nonvolatile memory (24) provided with the second area (R2) to be stored together with status information of multiple bits indicating invalidity when, without erasing the status information associated with the data and the data to be updated, with respect to an unused area in the second region With writing status information indicating new data and the data to be updated is valid, be disabled by writing 1-bit units to the status information associated with the data from the enable said status information And a memory control unit (23) to be changed .
According to the present invention, when a program stored in the first area of the nonvolatile memory is read out, an operation according to the program is performed in the measuring apparatus and stored in the second area of the nonvolatile memory. If the data to be updated is updated, the data to be updated stored in the second area and the status information associated with the data are not erased, and the new data to be updated and the data are valid. with status information indicating that it is written in the unused area in the second area, the writing in 1-bit units is performed on the status information associated with data to be above update, the status information is valid Can be changed to invalid.
Further , the measuring apparatus of the present invention stores data in the second area of the non-volatile memory in which the accompanying status information is valid , and the data is stored in the second area. And a volatile memory (25) for temporarily storing a pair of address information indicating the current position.
Further, in the measuring apparatus according to the present invention, when the memory control unit needs to update the data stored in the second area of the nonvolatile memory, the data is stored in the volatile memory. The data corresponding to the data that needs to be updated is updated, and the data stored in the updated volatile memory is stored in the second area of the nonvolatile memory after a predetermined time has elapsed. It is characterized by writing.
Further, in the measuring apparatus according to the present invention, when the memory control unit writes the data stored in the volatile memory to the second area of the nonvolatile memory, the memory controller stores the data stored in the volatile memory. The address information associated with the data is updated to address information indicating the storage position of the newly written data in the second area.
Further, the measurement apparatus of the present invention includes a plurality of the second areas of the nonvolatile memory, and the memory control unit is not used when there is no unused area in any of the second areas. Copying data stored in the second area where the area has disappeared to another second area where there is no unused area, and performing batch erasure of the data stored in the second area where the unused area has disappeared It is a feature.

本発明によれば、電源を遮断してもデータが保持される不揮発性のメモリとして、１ビット単位でのデータの書き込みが可能であるとともに複数ビットからなるセクタ単位でのデータの消去が可能であって、測定装置で用いられるプログラムを記憶する第１領域と、所定の物理量の測定を行う上で用いられるデータを有効又は無効を示す複数ビットのステータス情報とともに記憶する第２領域とが設けられた不揮発性メモリのみを備えているため、コスト及び実装面積の低減を図ることができるという効果がある。また、第２領域に記憶されたデータの更新を行う場合には、第２領域に記憶されている更新されるべきデータ及びこのデータに付随するステータス情報の消去を行うことなく、第２領域の未使用領域に対して更新すべき新たなデータ及びこのデータが有効である旨を示すステータス情報の書き込みを行うとともに、上記の更新されるべきデータに付随するステータス情報に対する１ビット単位での書き込みを行って、そのステータス情報を有効から無効に変えており、データ更新の度にデータ及びステータス情報の消去が行われることがないため、信頼性の向上及び消費電流の低減を図ることができるという効果がある。 According to the present invention, as a non-volatile memory that retains data even when the power is turned off, data can be written in 1-bit units, and data can be erased in units of multiple bits. A first area for storing a program used in the measuring apparatus and a second area for storing data used for measuring a predetermined physical quantity together with a plurality of bits of status information indicating validity or invalidity. In addition, since only the nonvolatile memory is provided, there is an effect that the cost and the mounting area can be reduced. In addition, when updating the data stored in the second area, the data to be updated stored in the second area and the status information associated with the data are not erased. Write new data to be updated to the unused area and status information indicating that this data is valid, and write status information associated with the data to be updated in 1-bit units. The status information is changed from valid to invalid, and the data and status information are not erased every time the data is updated, so that the reliability can be improved and the current consumption can be reduced. There is.

以下、図面を参照して本発明の一実施形態による測定装置について詳細に説明する。図１は、本発明の一実施形態による測定装置の要部構成を示すブロック図である。図１に示す通り、本実施形態の測定装置１は、センサ部１０及び制御部２０を備えており、所定のプログラムに従った動作を行って、所定の物理量の測定を行う。ここで、測定装置１は、センサ部１０の種類に応じて、電流、電圧、圧力、流量、温度、湿度、ｐＨ計、酸素、濃度等の様々な物理量の測定が可能である。本実施形態では、測定装置１が、プラントに設置された設備の電圧を測定するフィールド機器である場合を例に挙げて説明する。 Hereinafter, a measuring apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a main configuration of a measuring apparatus according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the measuring apparatus 1 of the present embodiment includes a sensor unit 10 and a control unit 20, performs an operation according to a predetermined program, and measures a predetermined physical quantity. Here, the measuring apparatus 1 can measure various physical quantities such as current, voltage, pressure, flow rate, temperature, humidity, pH meter, oxygen, and concentration according to the type of the sensor unit 10. In the present embodiment, the case where the measuring apparatus 1 is a field device that measures the voltage of equipment installed in a plant will be described as an example.

センサ部１０は、電圧の測定が行われる設備に設けられた端子等に電気的に接続され、その端子に現れる電圧の測定を行う。尚、センサ部１０は、周囲の温度変化等によって特性や測定精度が変化することがあるため、例えば特性を補正する制御又は測定精度を一定の精度に保つための制御（例えば、バイアス制御）が制御部２０によって行われる。 The sensor unit 10 is electrically connected to a terminal or the like provided in a facility where voltage measurement is performed, and measures the voltage appearing at the terminal. Since the sensor unit 10 may change its characteristics and measurement accuracy due to changes in ambient temperature or the like, for example, control for correcting the characteristics or control for maintaining the measurement accuracy at a certain level (for example, bias control) is performed. This is performed by the control unit 20.

制御部２０は、センサ制御部２１、通信部２２、ＣＰＵ（中央処理装置）２３（メモリ制御部）、フラッシュＲＯＭ２４（不揮発性メモリ）、及びＲＡＭ（Random Access Memory）２５（揮発性メモリ）を備える。この制御部２０は、プラント内に敷設されたフィールドバス等のバスＢに接続され、バスＢに接続されたコントローラ（図示省略）の制御の下でセンサ部１０に対する制御を行うとともに、センサ部１０の測定結果をバスＢを介してコントローラに送信する制御等の各種制御を行う。 The control unit 20 includes a sensor control unit 21, a communication unit 22, a CPU (central processing unit) 23 (memory control unit), a flash ROM 24 (nonvolatile memory), and a RAM (Random Access Memory) 25 (volatile memory). . The control unit 20 is connected to a bus B such as a field bus laid in the plant, and controls the sensor unit 10 under the control of a controller (not shown) connected to the bus B. Various controls such as control for transmitting the measurement result to the controller via the bus B are performed.

センサ制御部２１は、ＣＰＵ２３の制御の下で、センサ部１０に対して前述したバイアス制御等の制御を行う。通信部２２は、不図示のコントローラからバスＢを介して送信されてくる各種のデータを受信するとともに、センサ部１０の測定結果をバスＢを介して不図示のコントローラに送信する。ＣＰＵ２３は、フラッシュＲＯＭ２４に記憶されたプログラムに従って測定装置１の各部（センサ制御部２１、通信部２２、フラッシュＲＯＭ２４、及びＲＡＭ２５）を制御することにより測定装置１の動作を統括的に制御する。 The sensor control unit 21 performs control such as the above-described bias control on the sensor unit 10 under the control of the CPU 23. The communication unit 22 receives various data transmitted from the controller (not shown) via the bus B, and transmits the measurement result of the sensor unit 10 to the controller (not shown) via the bus B. The CPU 23 comprehensively controls the operation of the measuring device 1 by controlling each part (the sensor control unit 21, the communication unit 22, the flash ROM 24, and the RAM 25) of the measuring device 1 according to a program stored in the flash ROM 24.

具体的に、ＣＰＵ２３は、前述したセンサ部１０に対するバイアス制御をセンサ制御部２１に行わせる制御をし、通信部２２を制御してバスＢを介した不図示のコントローラとの間で行われる通信の制御をする。また、詳細は後述するが、フラッシュＲＯＭ２４に対するデータの書き込み制御を行う。ここで、ＣＰＵ２３は、フラッシュＲＯＭ２４の書き込み制御を行う場合には、フラッシュＲＯＭ２４に対して書き込むべきデータを一時的にＲＡＭ２５に記憶させることで、フラッシュＲＯＭ２４に対する頻繁な書き込みを防止する制御を行う。 Specifically, the CPU 23 performs control to cause the sensor control unit 21 to perform the bias control for the sensor unit 10 described above, and controls the communication unit 22 to perform communication with a controller (not illustrated) via the bus B. To control. Although details will be described later, data writing control to the flash ROM 24 is performed. Here, when performing writing control of the flash ROM 24, the CPU 23 performs control to prevent frequent writing to the flash ROM 24 by temporarily storing data to be written to the flash ROM 24 in the RAM 25.

フラッシュＲＯＭ２４は、測定装置１の電源を遮断してもデータが保持される不揮発性メモリであって、１ビット単位でのデータ書き込みは可能であるものの、データの消去は複数ビットからなるセクタ単位（例えば、６４ＫＢ）でしか行うことができないという性質がある。つまり、フラッシュＲＯＭ２４は、値が「１」であるビットを値「０」に変えることは容易に行うことができるが、逆に値が「０」であるビットを値「１」に変えることは困難であるという性質を有する。 The flash ROM 24 is a non-volatile memory in which data is retained even when the power of the measuring apparatus 1 is shut off. Although data can be written in 1-bit units, data is erased in units of sectors (multiple bits). For example, there is a property that it can be performed only at 64 KB). That is, the flash ROM 24 can easily change the bit having the value “1” to the value “0”, but conversely changing the bit having the value “0” to the value “1” is not possible. It has the property of being difficult.

図２は、フラッシュＲＯＭ２４のメモリマップの一例を示す図である。図２に示す通り、フラッシュＲＯＭ２４は、測定装置１の動作を規定するプログラムが記憶されるプログラム記憶領域Ｒ１（第１領域）、電圧の測定を行う上で用いられるデータが記憶されるデータ記憶領域Ｒ２（第２領域）、及びＣＰＵ２３の割り込み処理に用いられる割り込みベクタテーブルが記憶されるベクタテーブル記憶領域Ｒ３を備える。ここで、上記の電圧の測定を行う上で用いられるデータとは、センサ制御部２１に対する調整値や設定値である。 FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a memory map of the flash ROM 24. As shown in FIG. 2, the flash ROM 24 includes a program storage area R1 (first area) in which a program that defines the operation of the measuring apparatus 1 is stored, and a data storage area in which data used for measuring voltage is stored. R2 (second area) and a vector table storage area R3 for storing an interrupt vector table used for interrupt processing of the CPU 23 are provided. Here, the data used for measuring the voltage is an adjustment value or a setting value for the sensor control unit 21.

フラッシュＲＯＭ２４内に確保されるこれらの領域の容量は、基本的には上述した１セクタ（６４ｋＢ）の容量の整数倍の容量である。これは、データの消去を行う場合には、セクタ単位でしか行うことができないからである。プログラム記憶領域Ｒ１は、測定装置１で用いられるプログラムを十分に記憶できる容量が確保される。データ記憶領域Ｒ２は、例えば２セクタ分の容量（１２８ｋＢ）が確保される。ここで、データ記憶領域Ｒ２は、１セクタ分の容量を有する第１データ記憶領域Ｒ２１と第２データ記憶領域Ｒ２２とに分割して用いられる。これは、データの消去を効率的に行うためである。尚、データ記憶領域Ｒ２に対する初期データの書き込みは、プログラム記憶領域Ｒ１に対するプログラムの書き込みが行われる際に合わせて行われる。 The capacity of these areas secured in the flash ROM 24 is basically an integral multiple of the capacity of one sector (64 kB) described above. This is because data can be erased only in units of sectors. In the program storage area R1, a capacity capable of sufficiently storing a program used in the measuring apparatus 1 is secured. For example, a capacity (128 kB) for two sectors is secured in the data storage area R2. Here, the data storage area R2 is divided into a first data storage area R21 and a second data storage area R22 each having a capacity of one sector. This is for efficiently erasing data. The initial data is written to the data storage area R2 when the program is written to the program storage area R1.

ここで、フラッシュＲＯＭ２４のデータ記憶領域Ｒ２に記憶されるデータは、その種類（カテゴリ）毎に分類されており、またデータの状態（ステータス）を示す情報が付随している。図３は、フラッシュＲＯＭ２４に記憶されるデータのフォーマットを示す図である。図３に示す通り、フラッシュＲＯＭ２４に記憶されるデータは、データのステータスを示す情報（ＳＴ）が格納されるステータスフィールドＦ１、カテゴリ名称（Ｃ−Ｎａｍｅ）が格納されるカテゴリフィールドＦ２、及び実際のデータ（例えば、センサ部１０で測定された測定データ：Ｄａｔａ）が格納されるデータフィールドＦ３からなる。 Here, the data stored in the data storage area R2 of the flash ROM 24 is classified for each type (category), and is accompanied by information indicating the status (status) of the data. FIG. 3 is a diagram showing a format of data stored in the flash ROM 24. As shown in FIG. 3, the data stored in the flash ROM 24 includes a status field F1 in which information (ST) indicating data status is stored, a category field F2 in which a category name (C-Name) is stored, and an actual field. It consists of a data field F3 in which data (for example, measurement data measured by the sensor unit 10: Data) is stored.

ステータスフィールドＦ１及びカテゴリフィールドＦ２は固定長のフィールドであるが、データフィールドＦ３は可変長のフィールドである。ここで、図２に示す通り、データ記憶領域Ｒ２には、ステータスフィールドＦ１に格納されるステータスを示す情報（ＳＴ）、カテゴリフィールドＦ２に格納されるカテゴリの名称（Ｃ−Ｎａｍｅ）、及びデータフィールドＦ３に格納されるデータ（Ｄａｔａ）を組にしたものが連続して記憶される。また、データフィールドＦ３は可変長のフィールドであるため、図２を参照すると、各組毎のデータ（Ｄａｔａ）の長さがそれぞれ異なることが分かる。 The status field F1 and the category field F2 are fixed-length fields, while the data field F3 is a variable-length field. Here, as shown in FIG. 2, in the data storage area R2, information (ST) indicating the status stored in the status field F1, the name of the category (C-Name) stored in the category field F2, and the data field A set of data (Data) stored in F3 is continuously stored. Further, since the data field F3 is a variable length field, referring to FIG. 2, it can be seen that the length of the data (Data) for each group is different.

図４は、ステータスフィールドＦ１に格納されるステータスを示す情報の一例を示す図である。図４に示す通り、データのステータスを示す情報（ＳＴ）として、４つのステータス「ＧＤ」，「ＷＲ」，「ＢＤ」，「ＮＵ」が規定されている。ステータス「ＧＤ」はデータが有効（正常）である旨を示し、ステータス「ＷＲ」はフラッシュＲＯＭ２４に対するデータの書き込み中である旨を示す。また、ステータス「ＢＤ」はデータが無効である旨を示し、ステータス「ＮＵ」は未使用である旨を示す。 FIG. 4 is a diagram illustrating an example of information indicating the status stored in the status field F1. As shown in FIG. 4, four statuses “GD”, “WR”, “BD”, and “NU” are defined as information (ST) indicating the status of data. The status “GD” indicates that the data is valid (normal), and the status “WR” indicates that data is being written to the flash ROM 24. The status “BD” indicates that the data is invalid, and the status “NU” indicates that the data is not used.

これら４つのステータス「ＧＤ」，「ＷＲ」，「ＢＤ」，「ＮＵ」の実際の値は、それぞれ１６進数で「０ｘＡＡ」，「０ｘＦＡ」，「０ｘ００」，「０ｘＦＦ」である。これらの値は、値が「１」であるビットを値「０」に変えることは容易に行うことができるが、逆に値が「０」であるビットを値「１」に変えることは困難であるというフラッシュＲＯＭ２４の性質に基づいて定められたものである。つまり、データ記憶領域Ｒ２に記憶されたデータが更新される場合に、ステータスフィールドＦ１に格納されたステータスの変更を容易にするために、上記のステータスの実際の値が定められている。 The actual values of these four statuses “GD”, “WR”, “BD”, and “NU” are “0xAA”, “0xFA”, “0x00”, and “0xFF” in hexadecimal. These values can be easily changed from a bit having a value “1” to a value “0”, but it is difficult to change a bit having a value “0” to a value “1”. This is determined based on the nature of the flash ROM 24. In other words, when the data stored in the data storage area R2 is updated, the actual value of the status is determined to facilitate the change of the status stored in the status field F1.

図５は、カテゴリフィールドＦ２に格納されるカテゴリの名称の一例を示す図である。図５に示す通り、カテゴリの名称（Ｃ−Ｎａｍｅ）として、４つの名称「Ｓｅｎｓｏｒ」，「Ｃａｌｃｕｌａｔｅ」，「ａｄｊｕｓｔ」，「ｏｔｈｅｒ」が規定されている。名称「Ｓｅｎｓｏｒ」は、センサ部１０で測定されたデータ等のセンサ関連のデータに付され、名称「Ｃａｌｃｕｌａｔｅ」は、演算対象であるデータ又は演算を行って得られたデータ等の演算関連のデータに付される。また、名称「ａｄｊｕｓｔ」は、センサ部１０の制御等に用いられる調整関連のデータに付され、名称「ｏｔｈｅｒ」はその他のデータに付される。 FIG. 5 is a diagram showing an example of category names stored in the category field F2. As shown in FIG. 5, four names “Sensor”, “Calculate”, “adjust”, and “other” are defined as category names (C-Name). The name “Sensor” is attached to sensor-related data such as data measured by the sensor unit 10, and the name “Calculate” is calculation-related data such as data to be calculated or data obtained by performing the calculation. It is attached to. The name “adjust” is attached to adjustment-related data used for control of the sensor unit 10 and the name “other” is attached to other data.

尚、データの取り扱いを容易にするために、これら名称がそのままカテゴリフィールドＦ２に格納されることはなく、カテゴリ毎に一意に割り当てられた値がカテゴリフィールドＦ２に格納される。例えば、名称「Ｓｅｎｓｏｒ」，「Ｃａｌｃｕｌａｔｅ」，「ａｄｊｕｓｔ」，「ｏｔｈｅｒ」の代わりに、それぞれ１６進数で「０ｘ０００１」，「０ｘ０００２」，「０ｘ０００３」，「０ｘ０００４」なる値が格納される。 In order to facilitate the handling of data, these names are not stored as they are in the category field F2, but a value uniquely assigned to each category is stored in the category field F2. For example, instead of the names “Sensor”, “Calculate”, “adjust”, and “other”, values “0x0001”, “0x0002”, “0x0003”, and “0x0004” in hexadecimal are stored.

ＲＡＭ２５は、測定装置１の電源を遮断するとデータが消去される揮発性メモリであって、１ビット単位での書き込み及び消去が可能なメモリである。このＲＡＭ２５には、フラッシュＲＯＭ２４のデータ記憶領域Ｒ２に記憶されたデータとデータ記憶領域Ｒ２においてデータが記憶されている位置を示すアドレス（アドレス情報）とを組にして一時的に記憶する。また、フラッシュＲＯＭ２４から読み出されてＣＰＵ２３で実行されるプログラムで用いられる各種変数の値を一時的に記憶する。 The RAM 25 is a volatile memory from which data is erased when the power of the measuring apparatus 1 is shut off, and is a memory that can be written and erased in 1-bit units. The RAM 25 temporarily stores a combination of data stored in the data storage area R2 of the flash ROM 24 and an address (address information) indicating a position where the data is stored in the data storage area R2. Further, values of various variables that are read from the flash ROM 24 and used in a program executed by the CPU 23 are temporarily stored.

次に、上記構成における測定装置１の動作について説明する。尚、ＣＰＵ２３で実行されるべきプログラムは、予めフラッシュＲＯＭ２４のプログラム記憶領域Ｒ１に記憶されているとする。また、センサ制御部２１に対する調整値や設定値等の初期データは、図２に示す通り、予めフラッシュＲＯＭ２４のデータ記憶領域Ｒ２の第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されているものとする。本実施形態の測定装置１の動作は、電源投入時の動作、データ更新時の動作、及びデータ消去時の動作に大別される。以下、これらの動作について順に説明する。 Next, operation | movement of the measuring apparatus 1 in the said structure is demonstrated. It is assumed that the program to be executed by the CPU 23 is stored in advance in the program storage area R1 of the flash ROM 24. Further, it is assumed that initial data such as adjustment values and setting values for the sensor control unit 21 is stored in advance in the first data storage area R21 of the data storage area R2 of the flash ROM 24 as shown in FIG. The operation of the measuring apparatus 1 according to the present embodiment is roughly divided into an operation at power-on, an operation at data update, and an operation at data erasure. Hereinafter, these operations will be described in order.

〔電源投入時の動作〕
測定装置１の電源投入等によって測定装置１が起動されると、フラッシュＲＯＭ２４のプログラム記憶領域Ｒ１に記憶されたプログラムがＣＰＵ２３によって読み出されて実行され、そのプログラムに応じた処理が順次行われる。プログラムに応じた処理が開始されると、ＣＰＵ２３はフラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１を検索し、図３に示すステータスフィールドＦ１に格納されているステータスを示す情報（ＳＴ）が「ＧＤ」であるデータ（即ち、ステータスが有効であるデータ）を検索する。 [Operation at power-on]
When the measuring apparatus 1 is started by turning on the power of the measuring apparatus 1 or the like, the program stored in the program storage area R1 of the flash ROM 24 is read and executed by the CPU 23, and processing corresponding to the program is sequentially performed. When processing according to the program is started, the CPU 23 searches the first data storage area R21 of the flash ROM 24, and the information (ST) indicating the status stored in the status field F1 shown in FIG. 3 is “GD”. Search for some data (ie, data for which the status is valid).

尚、フラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されたデータは、前述した通り、カテゴリ毎に分類されている。このため、ＣＰＵ２３は、フラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１から、各々のカテゴリにおいてステータスが有効であるデータを読み出し、このデータと第１データ記憶領域Ｒ２１内におけるそのデータの記憶位置を示すアドレスとを組にしてＲＡＭ２５に記憶させる。 Note that the data stored in the first data storage area R21 of the flash ROM 24 is classified into categories as described above. For this reason, the CPU 23 reads data having a valid status in each category from the first data storage area R21 of the flash ROM 24, and this data and an address indicating the storage position of the data in the first data storage area R21. Are stored in the RAM 25.

以上の処理を行うのは、データの変更が生じた場合に、フラッシュＲＯＭ２４に記憶されたデータをその都度変更するのではなく、ＲＡＭ２５に記憶されたデータの変更を行い、所定の書き込み条件が成立したときにのみフラッシュＲＯＭ２４に記憶されたデータを変更することで、フラッシュＲＯＭ２４に対する書き込み回数を削減するためである。上記の所定の書き込み条件としては、例えば、ＲＡＭ２５に記憶されたデータが一定時間（例えば、３０秒）更新されないことが挙げられる。つまり、ＲＡＭ２５に記憶されたデータが一定時間更新されない場合には、それらのデータが、ＣＰＵ２３の制御によってフラッシュＲＯＭ２４のデータ記憶領域Ｒ２にコピーされる。 The above processing is performed when the data is changed, instead of changing the data stored in the flash ROM 24 each time, the data stored in the RAM 25 is changed, and a predetermined write condition is satisfied. This is because the number of times of writing to the flash ROM 24 is reduced by changing the data stored in the flash ROM 24 only at the time. An example of the predetermined write condition is that the data stored in the RAM 25 is not updated for a certain time (for example, 30 seconds). That is, when the data stored in the RAM 25 is not updated for a certain period of time, the data is copied to the data storage area R2 of the flash ROM 24 under the control of the CPU 23.

ここで、フラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１には、１つのカテゴリに対して複数のデータが記憶される場合がある。しかしながら、１つのカテゴリにおいてステータスが有効であるデータは１つのみであり、そのカテゴリにおける他のデータは図４に示すステータス「ＢＤ」が付された無効なデータである。このため、以上の処理では、各カテゴリ毎の有効なデータのみの読み出しが行われる。 Here, in the first data storage area R21 of the flash ROM 24, a plurality of data may be stored for one category. However, there is only one data whose status is valid in one category, and the other data in that category is invalid data with the status “BD” shown in FIG. For this reason, in the above process, only valid data for each category is read.

図６は、電源投入時にＲＡＭ２５に記憶されるデータの一例を示す図である。図６に示す通り、ＲＡＭ２５には、フラッシュＲＯＭ２４のデータ記憶領域Ｒ２から読み出されたデータと第１データ記憶領域Ｒ２１内におけるそのデータの記憶位置を示すアドレスとが組にされたカテゴリ毎のデータＤ１〜Ｄ４が記憶される。例えば、データＤ１は、名称が「Ｓｅｎｓｏｒ」であるカテゴリに属するデータであって、アドレスａ１とデータｄ１からなる。 FIG. 6 is a diagram illustrating an example of data stored in the RAM 25 when the power is turned on. As shown in FIG. 6, the RAM 25 stores data for each category in which data read from the data storage area R2 of the flash ROM 24 and an address indicating the storage position of the data in the first data storage area R21 are paired. D1 to D4 are stored. For example, the data D1 is data belonging to a category whose name is “Sensor”, and includes an address a1 and data d1.

また、データＤ２は、名称が「Ｃａｌｃｕｌａｔｅ」であるカテゴリに属するデータであってアドレスａ２とデータｄ２からなり、データＤ３は、名称が「ａｄｊｕｓｔ」であるカテゴリに属するデータであってアドレスａ３とデータｄ３からなる。同様に、データＤ４は、名称が「ｏｔｈｅｒ」であるカテゴリに属するデータであってアドレスａ４とデータｄ４からなる。以上の通り、測定装置１の電源投入時には、フラッシュＲＯＭ２４から読み出したデータ及びアドレスを組にしたデータをＲＡＭ２５に記憶させる動作が行われる。 Further, the data D2 is data belonging to the category having the name “Calculate” and is composed of the address a2 and the data d2. The data D3 is data belonging to the category having the name “adjust” and is the data including the address a3 and the data d3. Similarly, the data D4 is data belonging to a category whose name is “other”, and includes an address a4 and data d4. As described above, when the measuring apparatus 1 is turned on, an operation for storing data read from the flash ROM 24 and data obtained by combining addresses into the RAM 25 is performed.

〔データ更新時の動作〕
次に、フラッシュＲＯＭ２４のデータが更新される場合の動作について説明する。図７は、フラッシュＲＯＭ２４のデータ更新時に行われる動作の一例を示すフローチャートである。尚、図７に示すフローチャートは、上述した電源投入時の動作が終了した後に開始される。まず、ＣＰＵ２３は、フラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されたデータの更新の有無を判断する（ステップＳ１１）。 [Operation when updating data]
Next, the operation when the data in the flash ROM 24 is updated will be described. FIG. 7 is a flowchart showing an example of an operation performed when data in the flash ROM 24 is updated. Note that the flowchart shown in FIG. 7 is started after the above-described operation at the time of power-on is completed. First, the CPU 23 determines whether or not the data stored in the first data storage area R21 of the flash ROM 24 has been updated (step S11).

データの更新が有ったと判断した場合（ステップＳ１１の判断結果が「ＹＥＳ」である場合）には、ＣＰＵ２３は、フラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されたデータを直接更新するのではなく、ＲＡＭ２５に記憶されたデータの更新を行う（ステップＳ１２）。これは、前述した通り、フラッシュＲＯＭ２４に対する書き込み回数を削減するためである。例えば、名称が「Ｓｅｎｓｏｒ」であるカテゴリに属するデータＤ１のデータｄ１の更新が生じた場合には、ＣＰＵ２３はＲＡＭ２４に記憶されたデータｄ１を新たなデータに書き替える。 If it is determined that the data has been updated (when the determination result of step S11 is “YES”), the CPU 23 does not directly update the data stored in the first data storage area R21 of the flash ROM 24. Instead, the data stored in the RAM 25 is updated (step S12). This is because the number of times of writing to the flash ROM 24 is reduced as described above. For example, when the data d1 of the data D1 belonging to the category whose name is “Sensor” is updated, the CPU 23 rewrites the data d1 stored in the RAM 24 with new data.

これに対し、データの更新が無いと判断した場合（ステップＳ１１の判断結果が「ＮＯ」である場合）には、ＣＰＵ２３は、ＲＡＭ２５に記憶されたデータの更新を最後に行ってから一定時間（例えば、３０秒）経過したか否かを判断する（ステップＳ１３）。この判断結果が「ＮＯ」である場合は、ステップＳ１１に戻ってフラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されたデータの更新の有無を判断する。 On the other hand, when it is determined that there is no data update (when the determination result of step S11 is “NO”), the CPU 23 performs a certain period of time since the last update of the data stored in the RAM 25 ( For example, it is determined whether or not 30 seconds have elapsed (step S13). If the determination result is “NO”, the process returns to step S11 to determine whether or not the data stored in the first data storage area R21 of the flash ROM 24 has been updated.

他方、ステップＳ１３の判断結果が「ＹＥＳ」である場合には、ＣＰＵ２３は、ＲＡＭ２５に記憶されたデータをフラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１に書き込んでコピーする（ステップＳ１４）。ここで、ＣＰＵ２３は、フラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されているデータの上書き（即ち、更新されるべきデータを新たなデータに書き換える動作）を行うのではなく、更新されるべき元のデータの消去を行うことなく、第１データ記憶領域Ｒ２１における未使用領域に対して、更新すべき新たなデータの書き込み（追加書き込み）を行う。 On the other hand, if the determination result in step S13 is “YES”, the CPU 23 writes the data stored in the RAM 25 into the first data storage area R21 of the flash ROM 24 and copies it (step S14). Here, the CPU 23 does not perform overwriting of the data stored in the first data storage area R21 of the flash ROM 24 (that is, the operation of rewriting the data to be updated with new data), but the source to be updated. The new data to be updated (additional writing) is written to the unused area in the first data storage area R21 without erasing the data.

図８は、データ更新時におけるフラッシュＲＯＭ２４に記憶されるデータの変化の一例を示す図である。まず、図８（ａ）に示す通り、フラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域２１には、名称が「Ｓｅｎｓｏｒ」であるカテゴリに属するデータ、名称が「Ｃａｌｃｕｌａｔｅ」であるカテゴリに属するデータ、名称が「ａｄｊｕｓｔ」であるカテゴリに属するデータ、及び名称が「ｏｔｈｅｒ」であるカテゴリに属するデータであって、ステータスが「ＧＤ」である４つのデータが連続して順に記憶されているとする。 FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a change in data stored in the flash ROM 24 when data is updated. First, as shown in FIG. 8A, in the first data storage area 21 of the flash ROM 24, data belonging to the category whose name is “Sensor”, data belonging to the category whose name is “Calculate”, and the name “ It is assumed that data belonging to the category “adjust” and data belonging to the category “other” and having the status “GD” are sequentially stored.

ここで、データが記憶された第１データ記憶領域Ｒ２１に対し、上述したステップＳ１４の処理によって名称が「Ｓｅｎｓｏｒ」であるカテゴリに属するデータの追加書き込みが行われたとする。すると、この新たに追加書き込みされたデータは、図８（ｂ）中において斜線を付して示した通り、第１データ記憶領域Ｒ２１の未使用領域であって、名称が「ｏｔｈｅｒ」であるカテゴリに属するデータに続く位置に書き込まれる。 Here, it is assumed that additional writing of data belonging to the category whose name is “Sensor” has been performed on the first data storage area R21 in which data is stored by the process of step S14 described above. Then, the newly additionally written data is an unused area in the first data storage area R21 and has the name “other” as shown by hatching in FIG. 8B. Is written at a position following the data belonging to.

このとき、ＣＰＵ２３は、第１データ記憶領域Ｒ２１の未使用領域に対する書き込みを行った新たなデータに付随するステータス情報を、図８（ｂ）に示す通り、書き込み中である旨を示すステータス「ＷＲ」に設定する。つまり、書き込むべきデータのステータスフィールドＦ１（図３参照）にステータス「ＷＲ」を設定する。これは、瞬停等が発生してフラッシュＲＯＭ２４に対する書き込みが正常に完了できなかった場合を想定して、その状態を保存するためである。 At this time, as shown in FIG. 8B, the CPU 23 displays status information “WR” indicating that the new data that has been written to the unused area of the first data storage area R21 is being written. To "". That is, the status “WR” is set in the status field F1 (see FIG. 3) of the data to be written. This is to save the state assuming that a momentary power failure or the like has occurred and writing to the flash ROM 24 has not been completed normally.

次に、ＣＰＵ２３は、フラッシュＲＯＭの第１データ記憶領域Ｒ２１に対する上記の書き込みが終了したか否かを判断する（ステップＳ１５）。この判断結果が「ＮＯ」である場合には、ステップＳ１４に戻って書き込みを継続する。これに対し、ステップＳ１５の判断結果が「ＹＥＳ」である場合には、ＣＰＵ２３は、図８（ｃ）中において斜線を付して示した通り、フラッシュＲＯＭ２３の第１データ記憶領域Ｒ２１に新たに書き込みを行ったデータに付随するステータスを、書き込み中である旨を示す「ＷＲ」から有効である旨を示す「ＧＤ」に設定する（ステップＳ１６）。 Next, the CPU 23 determines whether or not the above writing to the first data storage area R21 of the flash ROM has been completed (step S15). If the determination result is “NO”, the process returns to step S14 to continue writing. On the other hand, if the determination result in step S15 is “YES”, the CPU 23 newly adds the first data storage area R21 of the flash ROM 23 as indicated by hatching in FIG. The status associated with the written data is set from “WR” indicating that data is being written to “GD” indicating that it is valid (step S16).

ここで、図４に示す通り、ステータス「ＷＲ」の実際の値は０ｘＦＡであり、ステータス「ＧＤ」の実際の値は０ｘＡＡである。前述した通り、フラッシュＲＯＭ２４は、値が「１」であるビットを値「０」に変えることは容易に行うことができるが、逆に値が「０」であるビットを値「１」に変えることは困難であるという性質を有する。このため、
第１データ記憶領域Ｒ２１に対する消去を行うことなく、第１記憶領域Ｒ２１の一部のビットの値を「１」から「０」に変えることでデータのステータスを変更することができる。 Here, as shown in FIG. 4, the actual value of the status “WR” is 0xFA, and the actual value of the status “GD” is 0xAA. As described above, the flash ROM 24 can easily change the bit having the value “1” to the value “0”, but conversely changes the bit having the value “0” to the value “1”. It has the property that it is difficult. For this reason,
The data status can be changed by changing the values of some bits of the first storage area R21 from “1” to “0” without erasing the first data storage area R21.

以上の処理が終了すると、ＣＰＵ２３は、フラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されていた元のデータ（図８（ａ）において、第１データ記憶領域Ｒ２１の先頭部分に記憶されているデータ）のステータスを無効に設定する処理を行う（ステップＳ１７）。具体的には、図８（ｃ）中において斜線を付して示した通り、有効である旨を示すステータス「ＧＤ」から、無効である旨を示す「ＢＤ」に変更する処理が行われる。 When the above processing is completed, the CPU 23 stores the original data stored in the first data storage area R21 of the flash ROM 24 (data stored in the head portion of the first data storage area R21 in FIG. 8A). ) Is set to invalid (step S17). Specifically, as shown by hatching in FIG. 8C, a process of changing the status “GD” indicating validity to “BD” indicating invalidity is performed.

以上の処理によって、フラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されていたデータの更新が完了する。第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されているデータが更新されると、フラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１内においてそれらのデータが記憶されている位置が変化する。このため、ＣＰＵ２３は、フラッシュＲＯＭ２４の第１データ記憶領域Ｒ２１における新たなデータの書き込みを終えると、その書き込み位置を示すアドレス（ＲＡＭ２５に記憶されているアドレス）の更新も併せて行う（ステップＳ１８）。以上の処理によって、データの更新が終了する。 With the above processing, the update of the data stored in the first data storage area R21 of the flash ROM 24 is completed. When the data stored in the first data storage area R21 is updated, the position where the data is stored in the first data storage area R21 of the flash ROM 24 changes. Therefore, when the CPU 23 finishes writing new data in the first data storage area R21 of the flash ROM 24, the CPU 23 also updates the address indicating the write position (address stored in the RAM 25) (step S18). . With the above processing, the data update is completed.

〔データ消去時の動作〕
次に、フラッシュＲＯＭ２４のデータ記憶領域Ｒ２に記憶されたデータを消去する際の動作について説明する。前述した通り、フラッシュＲＯＭ２４のデータ記憶領域Ｒ２は、第１データ記憶領域Ｒ２１と第２データ記憶領域Ｒ２２とに分割して用いられる。また、データの更新を行う場合には、前述した通り、第１データ記憶領域Ｒ２１の未使用領域に新たなデータを書き込む制御を行っている。このため、データの更新が行われる度に、第１データ記憶領域Ｒ２１の未使用領域は減少することになる。 [Operation when deleting data]
Next, an operation when erasing data stored in the data storage area R2 of the flash ROM 24 will be described. As described above, the data storage area R2 of the flash ROM 24 is divided into the first data storage area R21 and the second data storage area R22. When updating data, as described above, control is performed to write new data to an unused area of the first data storage area R21. For this reason, every time data is updated, the unused area of the first data storage area R21 decreases.

本実施形態では、第１データ記憶領域Ｒ２１の未使用領域が無くなって第１データ記憶領域Ｒ２１に対する追加書き込みを行えなくなったときに、ＣＰＵ２３は、第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されたデータを第２データ記憶領域Ｒ２２にコピーした後に、第１データ記憶領域Ｒ２１の消去を行う。前述した通り、第１データ記憶領域Ｒ２１の容量はセクタの整数倍であるため、他の領域（例えば、第２データ記憶領域Ｒ２２）に悪影響を与えることなく、第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されたデータのみを一括して消去することができる。 In the present embodiment, when there is no unused area in the first data storage area R21 and additional writing to the first data storage area R21 cannot be performed, the CPU 23 stores the data stored in the first data storage area R21 in the first data storage area R21. After copying to the two data storage area R22, the first data storage area R21 is erased. As described above, since the capacity of the first data storage area R21 is an integral multiple of the sector, it is stored in the first data storage area R21 without adversely affecting other areas (for example, the second data storage area R22). It is possible to erase only the stored data.

ここで、前述した通り、第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されるデータは、有効なものばかりではなく、無効なもの（データに付随するステータスが「ＢＤ」のもの）も含まれる。データの変化の履歴を必要としない場合には、無効なデータは不要なデータである。このため、ＣＰＵ２３は、ステータスが有効なもの（つまり、付随するステータスが「ＧＤ」のもの）のみを第１データ記憶領域Ｒ２１から第２データ記憶領域Ｒ２２にコピーする。かかる処理を行うことにより、不要なデータが削減され、第２データ記憶領域Ｒ２２の容量オーバーを防止しつつ、第２データ記憶領域Ｒ２２を有効利用することができる。 Here, as described above, the data stored in the first data storage area R21 includes not only valid data but also invalid data (the status associated with the data is “BD”). If no data change history is required, invalid data is unnecessary data. For this reason, the CPU 23 copies only those whose statuses are valid (that is, those whose accompanying status is “GD”) from the first data storage area R21 to the second data storage area R22. By performing such processing, unnecessary data is reduced, and the second data storage area R22 can be used effectively while preventing the capacity of the second data storage area R22 from being exceeded.

第１データ記憶領域Ｒ２１に記憶されていたデータを第２データ記憶領域Ｒ２２にコピーすることにより、データ記憶領域Ｒ２内における各々のデータの記憶位置が変化する。このため、ＣＰＵ２３は、第２データ記憶領域Ｒ２２を検索して、ＲＡＭ２５に記憶されている各々のデータのアドレスの変更を行う。 By copying the data stored in the first data storage area R21 to the second data storage area R22, the storage position of each data in the data storage area R2 is changed. Therefore, the CPU 23 searches the second data storage area R22 and changes the address of each data stored in the RAM 25.

尚、以上の説明では、第１データ記憶領域Ｒ２１の未使用領域が無くなった場合の動作について説明したが、第２データ記憶領域Ｒ２２の未使用領域が無くなった場合にも同様の動作によってデータの消去が行われる。つまり、第２データ記憶領域Ｒ２２の未使用領域が無くなった場合には、第２データ記憶領域Ｒ２２に記憶されたステータスが有効なデータのみが第１データ記憶領域Ｒ２１にコピーされ、第２データ記憶領域Ｒ２２の一括消去が行われた後に、ＲＡＭ２５に記憶されたアドレスが更新される。 In the above description, the operation when there is no unused area in the first data storage area R21 has been described. However, when the unused area in the second data storage area R22 runs out, Erasing is performed. That is, when there is no unused area in the second data storage area R22, only data with valid status stored in the second data storage area R22 is copied to the first data storage area R21, and the second data storage area R22 is stored. After the area R22 is erased collectively, the address stored in the RAM 25 is updated.

以上説明した通り、本実施形態では、従来の測定装置に設けられていたＥＥＰＲＯＭを削減し、プログラムが記憶されるプログラム記憶領域Ｒ１と各種のデータが記憶されるデータ記憶領域Ｒ２とが設けられたフラッシュＲＯＭ２４のみを備えた構成にしたため、コスト及び実装面積の低減を図ることができ、更にはノイズ対策にも有効である。また、フラッシュＲＯＭ２４のデータ記憶領域Ｒ２に記憶されたデータを更新する場合には、既に書き込まれているデータの消去は行わずに、データ記憶領域Ｒ２の未使用領域に新たなデータを書き込むようにし、データが更新される度にデータ記憶領域Ｒ２に記憶されたデータの消去が行われることがないため、信頼性の向上及び消費電流の低減を図ることができる。 As described above, in this embodiment, the EEPROM provided in the conventional measuring apparatus is reduced, and the program storage area R1 for storing programs and the data storage area R2 for storing various data are provided. Since only the flash ROM 24 is provided, the cost and mounting area can be reduced, and it is also effective for noise countermeasures. In addition, when updating data stored in the data storage area R2 of the flash ROM 24, new data is written to an unused area of the data storage area R2 without erasing the already written data. Since the data stored in the data storage area R2 is not erased every time the data is updated, the reliability can be improved and the current consumption can be reduced.

また、従来の測定装置に設けられていたＥＥＰＲＯＭは、書き込みが完了するまでにが数ｍｓｅｃ程度の時間が必要であったが、フラッシュＲＯＭ２４に対するデータの書き込みはＩ／Ｏアクセスにより高速に行うことができる。このため、本実施形態の測定装置１では、データの書き込みに要する時間を大幅に短縮することができる。また、ＥＥＰＲＯＭを備える従来の測定装置は、信頼性を高めるために、定期的にデータの読み出しを行ってデータが正常であるか否かの確認を行うチェック回路等を設ける必要があった。しかしながら、本実施形態では、フラッシュＲＯＭ２４の信頼性が高いため、チェック回路等を備える必要はない。これによっても、コストの低減及び実装面積の低減を図ることができる。 In addition, the EEPROM provided in the conventional measuring apparatus requires a time of about several milliseconds until the writing is completed. However, data writing to the flash ROM 24 can be performed at high speed by I / O access. it can. For this reason, in the measuring apparatus 1 of this embodiment, the time required for data writing can be greatly reduced. In addition, in order to improve reliability, a conventional measuring apparatus including an EEPROM has to be provided with a check circuit that periodically reads data to check whether the data is normal. However, in this embodiment, since the flash ROM 24 has high reliability, it is not necessary to provide a check circuit or the like. This also makes it possible to reduce the cost and the mounting area.

更に、従来は、測定装置の製造時に、測定装置で用いられるプログラムをフラッシュＲＯＭに格納するとともに、センサ制御部に対する調整値や設定値をＥＥＰＲＯＭに格納するという工程が別々に必要であった。しかしながら、本実施形態では、これらを同時にフラッシュＲＯＭに書き込むだけで良いため、測定装置１の製造工程を大幅に削減することができる。また更に、本実施形態では、測定装置１の起動時に、高速なフラッシュＲＯＭ２４からプログラム及びデータの読み出しが行われるため、起動に要する時間を短縮することも可能である。 Further, conventionally, when manufacturing the measuring apparatus, a process of storing a program used in the measuring apparatus in the flash ROM and storing adjustment values and setting values for the sensor control unit in the EEPROM is separately required. However, in this embodiment, since it is only necessary to write these simultaneously in the flash ROM, the manufacturing process of the measuring apparatus 1 can be greatly reduced. Furthermore, in the present embodiment, since the program and data are read from the high-speed flash ROM 24 when the measuring apparatus 1 is activated, the time required for activation can be shortened.

以上、本発明の一実施形態による測定装置について説明したが、本発明は上述した実施形態に制限されることなく、本発明の範囲内で自由に変更が可能である。例えば、上記実施形態では、データ記憶領域Ｒ２を第１データ記憶領域Ｒ２１と第２データ記憶領域Ｒ２２との２つに分割して用いる例について説明したが、データ記憶領域Ｒ２に対する書き込みが頻繁に発生する場合や、大量のデータを書き込む必要がある場合等には、データ記憶領域Ｒ２の容量を増加させて、データ記憶領域Ｒ３を３つ以上に分割してもよい。データ記憶領域Ｒ２の分割数を増加することで、消去回数を更に低減することができる。 The measurement apparatus according to the embodiment of the present invention has been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be freely changed within the scope of the present invention. For example, in the above-described embodiment, the example in which the data storage area R2 is divided into the first data storage area R21 and the second data storage area R22 has been described, but writing to the data storage area R2 frequently occurs. For example, when it is necessary to write a large amount of data, the data storage area R3 may be divided into three or more by increasing the capacity of the data storage area R2. By increasing the number of divisions of the data storage area R2, the number of erasures can be further reduced.

また、上記実施形態では、フラッシュＲＯＭ２４のデータ記憶領域Ｒ２に記憶されたデータの更新を行った場合には、元のデータのステータスを無効にする例（つまり、データに付随するステータスを「ＢＤ」に設定する例）について説明した。しかしながら、例えば１つ前に更新されたデータである旨を示すステータス「ｏｌｄ１」、２つ前に更新されたデータである旨を示すステータス「ｏｌｄ２」等を新たに設け、データの更新が行われる度に、順次ステータスの変更を行ってもよい。かかるステータスを設けることにより、例えばデータの変更履歴を得ることができ、測定装置１の設定を、必要に応じて１つ前の設定又は２つ前の設定に戻すことができる。 In the above embodiment, when the data stored in the data storage area R2 of the flash ROM 24 is updated, the status of the original data is invalidated (that is, the status associated with the data is “BD”). An example of setting to) has been described. However, for example, a status “old1” indicating that the data has been updated one time before, a status “old2” indicating that the data has been updated two times before, and the like are newly provided to update the data. The status may be changed sequentially each time. By providing such a status, for example, a data change history can be obtained, and the setting of the measuring apparatus 1 can be returned to the previous setting or the previous setting as necessary.

また、フラッシュＲＯＭ２４においてデータの消去を行う場合には大電流を伴うが、急激な電流増加を抑えるために間欠消去を実施しても良い。間欠消去を行うことで、データの消去に要するトータルの時間は長くなるものの、１回当たりの消去時間を短くすることで既存プログラムへの影響を軽減することができる。 Further, when erasing data in the flash ROM 24, a large current is involved, but intermittent erasing may be performed to suppress a rapid increase in current. By performing intermittent erasure, the total time required for erasing data becomes longer, but the influence on the existing program can be reduced by shortening the erase time per time.

本発明の一実施形態による測定装置の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the measuring apparatus by one Embodiment of this invention. フラッシュＲＯＭ２４のメモリマップの一例を示す図である。3 is a diagram showing an example of a memory map of a flash ROM 24. FIG. フラッシュＲＯＭ２４に記憶されるデータのフォーマットを示す図である。3 is a diagram showing a format of data stored in a flash ROM 24. FIG. ステータスフィールドＦ１に格納されるステータスを示す情報の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the information which shows the status stored in the status field F1. カテゴリフィールドＦ２に格納されるカテゴリの名称の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the name of the category stored in the category field F2. 電源投入時にＲＡＭ２５に記憶されるデータの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the data memorize | stored in RAM25 at the time of power activation. フラッシュＲＯＭ２４のデータ更新時に行われる動作の一例を示すフローチャートである。4 is a flowchart showing an example of an operation performed when data in the flash ROM 24 is updated. データ更新時におけるフラッシュＲＯＭ２４に記憶されるデータの変化の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the change of the data memorize | stored in the flash ROM 24 at the time of data update.

Explanation of symbols

１測定装置
２３ＣＰＵ
２４フラッシュＲＯＭ
２５ＲＡＭ
Ｒ１プログラム記憶領域
Ｒ２データ記憶領域
Ｒ２１第１データ記憶領域
Ｒ２２第２データ記憶領域 1 Measuring device 23 CPU
24 Flash ROM
25 RAM
R1 Program storage area R2 Data storage area R21 First data storage area R22 Second data storage area

Claims

In a measuring device that operates according to a predetermined program and measures a predetermined physical quantity,
Data can be written in units of 1 bit and data can be erased in units of sectors consisting of a plurality of bits, and used for measuring the first area storing the program and the predetermined physical quantity. A non-volatile memory provided with a second area for storing data to be stored together with a plurality of bits of status information indicating whether the data is valid or invalid ,
When updating the data stored in the second area of the non-volatile memory, the unused data in the second area is deleted without erasing the data to be updated and the status information associated with the data. Write new data to be updated to the area and status information indicating that the data is valid, and write the status information by writing to the status information accompanying the data in 1-bit units. And a memory control unit for changing from valid to invalid .

Data stored in the second area of the non-volatile memory and the accompanying status information is valid, and address information indicating a position where the data is stored in the second area The measuring apparatus according to claim 1, further comprising a volatile memory that temporarily stores the set.

The memory control unit needs to update the data stored in the volatile memory when the data stored in the second area of the nonvolatile memory needs to be updated. The data corresponding to the data is updated, and after a predetermined time elapses, the data stored in the updated volatile memory is written to the second area of the nonvolatile memory. The measuring device described.

When the data stored in the volatile memory is written to the second area of the non-volatile memory, the memory control unit newly updates address information associated with the data stored in the volatile memory. The measurement apparatus according to claim 3, wherein the data is updated to address information indicating a storage position in the second area of the data written in the data.

A plurality of the second regions of the nonvolatile memory are provided,
When there is no unused area in any of the second areas, the memory control unit transfers the data stored in the second area in which the unused area is lost to another second area in which there is an unused area. 5. The measuring apparatus according to claim 1, wherein the data is copied and the data stored in the second area in which the unused area disappears is collectively erased. 6.