JP5287774B2

JP5287774B2 - Ceramic package

Info

Publication number: JP5287774B2
Application number: JP2010065353A
Authority: JP
Inventors: 征司増田
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2010-03-22
Filing date: 2010-03-22
Publication date: 2013-09-11
Anticipated expiration: 2030-03-22
Also published as: JP2011199083A

Description

本発明は、複数枚のセラミックシートが積層して成るセラミックパッケージに関するものである。 The present invention relates to a ceramic package formed by laminating a plurality of ceramic sheets.

従来、例えば特許文献１に示されるように、複数のグリーンシートを積層・加圧してグリーンシート積層体を作成した後に、グリーンシート積層体を切断・焼成することで、複数の積層セラミックパッケージ（セラミックパッケージ）を製造する、セラミックパッケージの製造方法が提案されている。 Conventionally, as shown in Patent Document 1, for example, a plurality of green sheets are laminated and pressed to form a green sheet laminate, and then the green sheet laminate is cut and fired to obtain a plurality of multilayer ceramic packages (ceramics). A method for manufacturing a ceramic package has been proposed.

特許文献１に示されるグリーンシートの表面には、導体パターンが形成され、表面とその裏面とを貫通するスルーホールが穿設され、そのスルーホールに導体が詰めこまれている。グリーンシートそれぞれに形成された導体パターンやスルーホールに詰め込まれた導体が電気的に接続されることで、上記した配線部が形成され、セラミックパッケージの表面やその内部に配線部が形成されている。 A conductive pattern is formed on the surface of the green sheet disclosed in Patent Document 1, and a through hole penetrating the front surface and the back surface is formed, and the through hole is filled with a conductor. The wiring pattern is formed by electrically connecting the conductor pattern formed in each green sheet and the conductor packed in the through hole, and the wiring part is formed on the surface of the ceramic package or inside thereof. .

特開平７−２２１４５４号公報JP-A-7-212454

ところで、特許文献１に示されるセラミックパッケージでは、その内部に、セラミックとは線膨張係数の異なる導体が設けられている。そのために、セラミックパッケージの内部で、セラミックと導体との線膨張係数差に起因する熱応力が発生し、セラミックパッケージの形状が歪む虞がある。したがって、特許文献１に示されるセラミックパッケージにセンサチップが搭載される場合、上記した熱応力に起因する歪みがセンサチップに印加され、センサチップの検出精度が低下する虞がある。 By the way, in the ceramic package shown by patent document 1, the conductor from which a linear expansion coefficient differs from a ceramic is provided in the inside. For this reason, thermal stress due to the difference in linear expansion coefficient between the ceramic and the conductor is generated inside the ceramic package, and the shape of the ceramic package may be distorted. Therefore, when the sensor chip is mounted on the ceramic package disclosed in Patent Document 1, the strain due to the above-described thermal stress is applied to the sensor chip, and the detection accuracy of the sensor chip may be reduced.

そこで、本発明は上記問題点に鑑み、熱応力によるセンサチップの検出精度の低下が抑制されたセラミックパッケージを提供することを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a ceramic package in which a decrease in detection accuracy of a sensor chip due to thermal stress is suppressed.

上記した目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、複数枚のセラミックシートが積層して成るセラミックパッケージであって、積層されたセラミックシートのセラミック層によって形成されたセラミック部と、該セラミック部の内部とその表面に設けられた配線部と、を備え、セラミック部は、セラミックシートの積層方向における一面が、センサチップの搭載領域とされた固定部と、該固定部と一体化され、固定部の周囲を取り囲む周囲部と、を有し、配線部が、周囲部に設けられ、周囲部は、固定部よりも積層方向の厚さが厚い側壁部と、該側壁部によって囲まれた、固定部よりも積層方向の厚さが薄い薄肉部と、を有し、側壁部に、配線部が設けられ、周囲部に、バンプを介して実装基板と機械的及び電気的に接続するための外部電極が形成され、固定部における積層方向に対して垂直な平面形状が、矩形に形成され、薄肉部における積層方向に対して垂直な平面形状が、固定部の周囲の一部を囲むように、Ｌ字状に形成され、側壁部における積層方向に対して垂直な平面形状が、薄肉部と固定部の周囲を囲むように、環状に形成されていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is a ceramic package formed by laminating a plurality of ceramic sheets, and a ceramic part formed by the ceramic layers of the laminated ceramic sheets; The ceramic part includes a wiring part provided on the surface of the ceramic part, and the ceramic part has a fixing part in which one surface in the stacking direction of the ceramic sheets is a sensor chip mounting area, and the fixing part is integrated with the fixing part. A wiring portion is provided in the peripheral portion, and the peripheral portion is surrounded by the side wall portion having a thicker thickness in the stacking direction than the fixing portion. A thin-walled portion that is thinner in the stacking direction than the fixed portion, a wiring portion is provided on the side wall portion, and a peripheral portion is mechanically and electrically connected to the mounting substrate via bumps. in order to The planar electrode perpendicular to the stacking direction in the fixed part is formed into a rectangle, and the planar shape perpendicular to the stacking direction in the thin part surrounds a part of the periphery of the fixed part. The planar shape perpendicular to the stacking direction in the side wall portion is formed in an annular shape so as to surround the thin portion and the fixed portion .

このように本発明によれば、複数枚のセラミックシートが積層してなるセラミック層が、センサチップの搭載領域とされた固定部と、該固定部と一体化され、固定部の周囲を取り囲む周囲部と、を有し、この周囲部に、配線部が設けられている。これによれば、配線部が設けられた周囲部では、セラミックと配線との線膨張係数差に起因する熱応力が発生するが、センサチップが搭載される固定部では熱応力が発生しない。このように、本発明に係るセラミックパッケージでは、配線部を含むセラミック層にセンサチップが搭載される構成と比べて、センサチップに熱応力が印加され難くなっている。これにより、熱応力によって、センサチップの検出精度が低下することが抑制される。 As described above, according to the present invention, the ceramic layer formed by laminating a plurality of ceramic sheets includes the fixed portion that is the mounting region of the sensor chip, and the periphery that is integrated with the fixed portion and surrounds the periphery of the fixed portion. And a wiring portion is provided around the peripheral portion. According to this, although the thermal stress resulting from the difference in the linear expansion coefficient between the ceramic and the wiring is generated in the peripheral portion where the wiring portion is provided, no thermal stress is generated in the fixing portion where the sensor chip is mounted. As described above, in the ceramic package according to the present invention, it is difficult for thermal stress to be applied to the sensor chip as compared with the configuration in which the sensor chip is mounted on the ceramic layer including the wiring portion. Thereby, it is suppressed that the detection accuracy of a sensor chip falls by thermal stress.

また、周囲部は、固定部よりも積層方向の厚さが厚い側壁部と、該側壁部によって囲まれた、固定部よりも積層方向の厚さが薄い薄肉部と、を有し、側壁部に、配線部が設けられている。これによれば、固定部と側壁部との機械的な接続面積が小さくなるので、側壁部で発生した熱応力が、固定部に伝達され難くなる。これにより、熱応力によって、センサチップの検出精度が低下することが抑制される。 The peripheral portion includes a side wall portion having a thickness in the stacking direction larger than that of the fixed portion, and a thin wall portion surrounded by the side wall portion and having a thickness in the stacking direction thinner than that of the fixed portion. the wiring portion. According to this, since the mechanical connection area between the fixed portion and the side wall portion is reduced, the thermal stress generated in the side wall portion is hardly transmitted to the fixed portion. Thereby, it is suppressed that the detection accuracy of a sensor chip falls by thermal stress.

また、周囲部に、バンプを介して実装基板と機械的及び電気的に接続するための外部電極が形成されている。これによれば、周囲部では、周囲部の構成材料とバンプとの線膨張係数差に起因する熱応力が発生するが、固定部では発生しない。このように、本発明に係るセラミックパッケージでは、周囲部とバンプとの間で発生した熱応力が固定部（センサチップ）に印加され難くなっているので、熱応力によるセンサチップの検出精度の低下が抑制される。さらに、積層方向に対して垂直な平面形状が、固定部では、矩形とされ、薄肉部では、固定部の周囲の一部を囲むようにＬ字状とされ、側壁部では、薄肉部と固定部の周囲を囲むように環状とされている。 Further, the peripheral portion, the external electrodes for connecting mounting with the substrate mechanically and electrically via a bump is formed. According to this, although the thermal stress resulting from the linear expansion coefficient difference between the constituent material of the peripheral portion and the bump is generated in the peripheral portion, it does not occur in the fixed portion. As described above, in the ceramic package according to the present invention, since the thermal stress generated between the peripheral portion and the bump is difficult to be applied to the fixed portion (sensor chip), the detection accuracy of the sensor chip is reduced due to the thermal stress. Is suppressed. In addition, the planar shape perpendicular to the stacking direction is rectangular at the fixed part, the thin part is L-shaped so as to surround a part of the periphery of the fixed part, and the thin part is fixed to the side wall part. It is made into a ring so as to surround the periphery of the part.

請求項２に記載のように、側壁部における、薄肉部を介して固定部の周囲の一部を囲む部位に配線部が形成された構成が良い。これによれば、側壁部で発生した熱応力が、薄肉部を介して固定部に印加されるので、熱応力によって、センサチップの検出精度が低下することが抑制される。 According to a second aspect of the present invention, it is preferable that the wiring portion is formed in a portion of the side wall portion that surrounds a part of the periphery of the fixed portion via the thin portion. According to this, since the thermal stress generated in the side wall portion is applied to the fixed portion through the thin portion, it is possible to suppress the detection accuracy of the sensor chip from being lowered due to the thermal stress.

請求項３に記載のように、固定部におけるセンサチップの搭載領域の面積が、センサチップにおける搭載領域との対向面の面積よりも小さい構成が良い。これによれば、搭載領域の面積が、対向面の面積以上の構成と比べて、センサチップと搭載領域との接触面積が小さくなる。したがって、周囲部で発生した熱応力が、固定部を介して、センサチップに印加されることが抑制される。According to a third aspect of the present invention, it is preferable that the area of the mounting area of the sensor chip in the fixed portion is smaller than the area of the surface facing the mounting area of the sensor chip. According to this, the contact area between the sensor chip and the mounting region is smaller than the configuration in which the area of the mounting region is larger than the area of the opposing surface. Therefore, it is suppressed that the thermal stress which generate | occur | produced in the surrounding part is applied to a sensor chip via a fixing | fixed part.

第１実施形態に係るセラミックパッケージの概略構成を示す上面図である。It is a top view which shows schematic structure of the ceramic package which concerns on 1st Embodiment. 図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。It is sectional drawing which follows the II-II line | wire of FIG.

以下、本発明に係るセラミックパッケージに、センサチップが収容された場合の実施形態を図に基づいて説明する。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るセラミックパッケージの概略構成を示す平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 Hereinafter, an embodiment when a sensor chip is accommodated in a ceramic package according to the present invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the ceramic package according to the first embodiment. 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.

図１及び図２に示すように、セラミックパッケージ１００は、要部として、セラミック部１０と、該セラミック部１０の内部及びその表面に形成された配線部２０と、を有する。本実施形態に係るセラミックパッケージ１００は、１０枚のセラミックシート３０〜３９が積層されて成る。セラミック部１０は、セラミックシート３０〜３９を構成する各セラミック層が積層されて成り、配線部２０は、各セラミックシート３０〜３９に形成された導体パターンが電気的に接続されて成る。 As shown in FIGS. 1 and 2, the ceramic package 100 includes a ceramic part 10 and a wiring part 20 formed inside and on the surface of the ceramic part 10 as main parts. The ceramic package 100 according to the present embodiment is formed by laminating ten ceramic sheets 30 to 39. The ceramic part 10 is formed by laminating ceramic layers constituting the ceramic sheets 30 to 39, and the wiring part 20 is formed by electrically connecting conductor patterns formed on the ceramic sheets 30 to 39.

セラミック部１０は、センサチップ５０が搭載される固定部１１と、該固定部１１の周りを囲む側壁部１２と、固定部１１と側壁部１２とを連結する薄肉部１３と、を有する。固定部１１は、５枚のセラミックシート３０〜３４が積層されて成り、側壁部１２は、１０枚のセラミックシート３０〜３９が積層されて成り、薄肉部１３は、１枚のセラミックシート３０から成る。図２に示すように、セラミック部１０は、１つの開口部を有する箱状を成し、その開口部が、図示しない蓋部によって閉塞される。セラミック部１０と蓋部とによって閉塞空間が構成され、この閉塞空間に固定部１１に搭載されたセンサチップ５０が収容される。これにより、センサチップ５０が、粉塵などから保護される。なお、側壁部１２と薄肉部１３とによって、特許請求の範囲に記載の周囲部が構成される。 The ceramic part 10 includes a fixing part 11 on which the sensor chip 50 is mounted, a side wall part 12 surrounding the fixing part 11, and a thin part 13 connecting the fixing part 11 and the side wall part 12. The fixing portion 11 is formed by stacking five ceramic sheets 30 to 34, the side wall portion 12 is formed by stacking ten ceramic sheets 30 to 39, and the thin portion 13 is formed from one ceramic sheet 30. Become. As shown in FIG. 2, the ceramic part 10 comprises the box shape which has one opening part, and the opening part is obstruct | occluded by the cover part which is not shown in figure. A closed space is constituted by the ceramic portion 10 and the lid portion, and the sensor chip 50 mounted on the fixed portion 11 is accommodated in the closed space. Thereby, the sensor chip 50 is protected from dust and the like. The side wall portion 12 and the thin portion 13 constitute a peripheral portion described in the claims.

図２に示すように、固定部１１は角柱状を成す。本実施形態では、固定部１１を構成する第５セラミックシート３４に、センサチップ５０が搭載される構成となっており、その搭載面３４ａの面積が、センサチップ５０における、搭載面３４ａとの対向面５０ａの面積よりも小さくなっている。搭載面３４ａが、特許請求の範囲に記載の搭載領域に相当する。 As shown in FIG. 2, the fixing portion 11 has a prismatic shape. In the present embodiment, the sensor chip 50 is mounted on the fifth ceramic sheet 34 constituting the fixing portion 11, and the area of the mounting surface 34 a is opposed to the mounting surface 34 a in the sensor chip 50. It is smaller than the area of the surface 50a. The mounting surface 34a corresponds to a mounting region described in the claims.

図１及び２に示すように、側壁部１２は幅の不定な枠形状を成し、薄肉部１３は幅の一定な環状を成す。薄肉部１３を介して、固定部１１と側壁部１２とが機械的に連結されており、薄肉部１３の積層方向の厚さが、固定部１１及び側壁部１２それぞれの積層方向の厚さよりも薄くなっている。 As shown in FIGS. 1 and 2, the side wall portion 12 has a frame shape with an indefinite width, and the thin portion 13 has an annular shape with a constant width. The fixing part 11 and the side wall part 12 are mechanically connected via the thin part 13, and the thickness in the stacking direction of the thin part 13 is larger than the thickness of each of the fixing part 11 and the side wall part 12 in the stacking direction. It is getting thinner.

上記したように、配線部２０は、セラミックシート３０〜３９に形成された導体パターンが電気的に接続されて成る。図２に示すように、セラミックシート３０〜３９それぞれには、積層方向に面する表面とその裏面とを貫通するスルーホール４０が形成され、そのスルーホール４０に導体４１が充填されている。また、積層方向に面する表面とその裏面それぞれに所定形状の配線パターン４２が形成され、それらがスルーホール４０に充填された導体４１と電気的に接続されて、ビアホール４３が形成されている。配線部２０は、上記したビアホール４３、及び外部に露出された配線パターン４２によって形成されており、側壁部１２のみに設けられている。 As described above, the wiring part 20 is formed by electrically connecting the conductor patterns formed on the ceramic sheets 30 to 39. As shown in FIG. 2, each of the ceramic sheets 30 to 39 is formed with a through hole 40 penetrating the front surface facing the stacking direction and the back surface thereof, and the through hole 40 is filled with a conductor 41. In addition, a wiring pattern 42 having a predetermined shape is formed on each of the front surface and the back surface thereof facing the stacking direction, and these are electrically connected to the conductor 41 filled in the through hole 40 to form a via hole 43. The wiring part 20 is formed by the above-described via hole 43 and the wiring pattern 42 exposed to the outside, and is provided only on the side wall part 12.

図２では、外部に露出された配線パターン４２として、側壁部１２を構成する第１０セラミックシート３９における蓋部との接合面３９ａに形成された接合配線４４と、側壁部１２を構成する第９セラミックシート３８の内面３８ａに形成された内部配線４５と、側壁部１２を構成する第１セラミックシート３０の外面３０ａに形成された外部配線４６と、を示す。接合配線４４は、側壁部１２と蓋部とを接合する接合部材（図示略）を介して、蓋部と電気的に接続され、内部配線４５は、ワイヤ６１を介して、センサチップ５０と電気的に接続され、外部配線４６は、バンプ（図示略）を介して実装基板（図示略）と電気的に接続される。図２に示すように、内部配線４５と外部配線４６とは、ビアホール４３を介して電気的に接続されており、センサチップ５０の電気信号が、内部配線４５と、ワイヤ６１と、ビアホール４３と、外部配線４６と、バンプと、を介して、実装基板に出力される。なお、外部配線４６が、特許請求の範囲に記載の外部電極に相当する。 In FIG. 2, as the wiring pattern 42 exposed to the outside, the bonding wiring 44 formed on the bonding surface 39 a with the lid portion of the tenth ceramic sheet 39 constituting the side wall portion 12 and the ninth portion constituting the side wall portion 12. An internal wiring 45 formed on the inner surface 38a of the ceramic sheet 38 and an external wiring 46 formed on the outer surface 30a of the first ceramic sheet 30 constituting the side wall portion 12 are shown. The bonding wiring 44 is electrically connected to the lid portion via a bonding member (not shown) that bonds the side wall portion 12 and the lid portion, and the internal wiring 45 is electrically connected to the sensor chip 50 via the wire 61. The external wiring 46 is electrically connected to a mounting substrate (not shown) via bumps (not shown). As shown in FIG. 2, the internal wiring 45 and the external wiring 46 are electrically connected via the via hole 43, and the electric signal of the sensor chip 50 is transmitted from the internal wiring 45, the wire 61, and the via hole 43. Then, the signal is output to the mounting substrate via the external wiring 46 and the bump. The external wiring 46 corresponds to the external electrode described in the claims.

センサチップ５０は、加速度を検出するセンシング部（図示略）が形成された第１チップ５１と、該第１チップ５１から出力された電気信号を処理する処理回路（図示略）が形成された第２チップ５２と、を有する。センサチップ５０は、第１チップ５１と第２チップ５２とが積層されて成り、接着部材６０を介して、固定部１１の搭載面３４ａに固定されている。そして、第２チップ５２に形成された電極５３に、ワイヤ６１の一端が電気的に接続されている。 The sensor chip 50 includes a first chip 51 in which a sensing unit (not shown) for detecting acceleration is formed and a processing circuit (not shown) that processes an electrical signal output from the first chip 51. 2 chips 52. The sensor chip 50 is formed by laminating a first chip 51 and a second chip 52, and is fixed to the mounting surface 34 a of the fixing unit 11 via an adhesive member 60. One end of the wire 61 is electrically connected to the electrode 53 formed on the second chip 52.

なお、本実施形態では、第２チップ５２における、搭載面３４ａとの対向面５２ａの面積が、搭載面３４ａよりも大きくなっている。換言すれば、搭載面３４ａの面積が、対向面５２ａの面積よりも小さくなっている。なお、第２チップ５２の対向面５２ａが、上記したセンサチップ５０の対向面５０ａに相当し、図２では、対向面５２ａを、対向面５０ａとして記述している。 In the present embodiment, the area of the facing surface 52a of the second chip 52 facing the mounting surface 34a is larger than that of the mounting surface 34a. In other words, the area of the mounting surface 34a is smaller than the area of the facing surface 52a. The facing surface 52a of the second chip 52 corresponds to the facing surface 50a of the sensor chip 50 described above. In FIG. 2, the facing surface 52a is described as the facing surface 50a.

次に、本実施形態に係るセラミックパッケージ１００の作用効果を説明する。上記したように、配線部２０は、側壁部１２にのみ設けられており、センサチップ５０は、固定部１１に固定されている。配線部２０と側壁部１２とを構成する材料は異なるので、側壁部１２では、その線膨張係数差に起因する熱応力が生じる。しかしながら、固定部１１には配線部２０が設けられていないので、固定部１１では、上記した熱応力が生じない。これのように、本実施形態に係るセラミックパッケージ１００では、配線部を含むセラミック層にセンサチップが搭載される構成と比べて、センサチップ５０に熱応力が印加され難くなっている。したがって、熱応力によって、センサチップ５０の検出精度が低下することが抑制される。 Next, functions and effects of the ceramic package 100 according to the present embodiment will be described. As described above, the wiring part 20 is provided only on the side wall part 12, and the sensor chip 50 is fixed to the fixing part 11. Since the materials composing the wiring part 20 and the side wall part 12 are different, the side wall part 12 generates thermal stress due to the difference in linear expansion coefficient. However, since the wiring part 20 is not provided in the fixed part 11, the above-described thermal stress is not generated in the fixed part 11. As described above, in the ceramic package 100 according to the present embodiment, it is difficult for thermal stress to be applied to the sensor chip 50 as compared with the configuration in which the sensor chip is mounted on the ceramic layer including the wiring portion. Therefore, it is suppressed that the detection accuracy of the sensor chip 50 decreases due to thermal stress.

また、本実施形態では、センサチップ５０が搭載される固定部１１と、配線部２０が設けられた側壁部１２とが、固定部１１及び側壁部１２よりも積層方向の厚さが薄い薄肉部１３によって機械的に接続されている。これによれば、固定部１１と側壁部１２との機械的な接続面積が小さくなるので、側壁部１２で発生した熱応力が固定部１１に伝達され難くなる。これにより、側壁部１２で発生した熱応力によって、センサチップ５０の検出精度が低下することが抑制される。 In the present embodiment, the fixed portion 11 on which the sensor chip 50 is mounted and the sidewall portion 12 on which the wiring portion 20 is provided are thin portions that are thinner in the stacking direction than the fixed portion 11 and the sidewall portion 12. 13 are mechanically connected. According to this, since the mechanical connection area between the fixing portion 11 and the side wall portion 12 is reduced, the thermal stress generated in the side wall portion 12 is hardly transmitted to the fixing portion 11. Thereby, it is suppressed that the detection precision of the sensor chip 50 falls by the thermal stress which generate | occur | produced in the side wall part 12. FIG.

また、本実施形態では、バンプを介して、実装基板と電気的及び機械的に接続するための外部配線４６が、側壁部１２に形成されている。これによれば、側壁部１２では、側壁部１２の構成材料とバンプとの線膨張係数差に起因する熱応力が発生するが、固定部１１では発生しない。このように、本実施形態に係るセラミックパッケージ１００では、側壁部１２とバンプとの間で発生した熱応力が固定部１１（センサチップ５０）に印加され難くなっているので、熱応力によるセンサチップ５０の検出精度の低下が抑制される。 In the present embodiment, the external wiring 46 for electrically and mechanically connecting to the mounting substrate is formed on the side wall portion 12 via the bumps. According to this, in the side wall part 12, thermal stress due to the difference in linear expansion coefficient between the constituent material of the side wall part 12 and the bump is generated, but not in the fixing part 11. As described above, in the ceramic package 100 according to the present embodiment, since the thermal stress generated between the side wall portion 12 and the bump is difficult to be applied to the fixing portion 11 (sensor chip 50), the sensor chip caused by the thermal stress. A decrease in detection accuracy of 50 is suppressed.

更に言えば、本実施形態では、固定部１１の搭載面３４ａの面積が、センサチップ５０の対向面５２ａの面積よりも小さくなっている。これによれば、搭載面３４ａの面積が、対向面５２ａの面積以上の構成と比べて、センサチップ５０と搭載面３４ａとの接触面積が小さくなるので、側壁部１２で発生した熱応力が、固定部１１を介して、センサチップ５０に印加されることが抑制される。これにより、熱応力によって、センサチップ５０の検出精度が低下することが抑制される。 Furthermore, in this embodiment, the area of the mounting surface 34 a of the fixed portion 11 is smaller than the area of the facing surface 52 a of the sensor chip 50. According to this, since the contact area between the sensor chip 50 and the mounting surface 34a is smaller than the configuration in which the area of the mounting surface 34a is equal to or larger than the area of the opposing surface 52a, the thermal stress generated in the side wall portion 12 is Application to the sensor chip 50 via the fixing portion 11 is suppressed. Thereby, it is suppressed that the detection accuracy of the sensor chip 50 falls due to thermal stress.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上記した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。 The preferred embodiments of the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

本実施形態では、薄肉部１３が環状である例を示した。しかしながら、薄肉部１３の形状は上記例に限定されず、例えば、固定部１１の周りの一部を囲むＬ字状を採用することができる。なお、この変形例では、固定部１１と側壁部１２の一部とが薄肉部１３を介さずに直接接続されることとなる。したがって、この変形例では、側壁部１２における、薄肉部１３を介して固定部１１の周りの一部を囲む部位、すなわち、薄肉部１３を介して固定部１１と機械的に接続された部位に、配線部２０が設けられる構成が好ましい。これによれば、側壁部１２に発生した熱応力が、薄肉部１３を介して固定部１１に印加されるので、熱応力によって、センサチップ５０の検出精度が低下することが抑制される。 In this embodiment, the thin part 13 showed the example which is cyclic | annular. However, the shape of the thin portion 13 is not limited to the above example, and for example, an L shape surrounding a part around the fixed portion 11 can be adopted. In this modification, the fixed portion 11 and a part of the side wall portion 12 are directly connected without the thin portion 13 being interposed. Therefore, in this modification, in the side wall portion 12, the portion surrounding the fixed portion 11 via the thin portion 13, that is, the portion mechanically connected to the fixed portion 11 via the thin portion 13. A configuration in which the wiring part 20 is provided is preferable. According to this, since the thermal stress which generate | occur | produced in the side wall part 12 is applied to the fixing | fixed part 11 via the thin part 13, it is suppressed that the detection accuracy of the sensor chip 50 falls by thermal stress.

本実施形態では、固定部１１が、５枚のセラミックシート３０〜３４が積層されて成り、側壁部１２が、１０枚のセラミックシート３０〜３９が積層されて成り、薄肉部１３が、１枚のセラミックシート３０から成る例を示した。しかしながら、薄肉部１３のセラミックシートの積層枚数が、固定部１１及び側壁部１２それぞれのセラミックシートの積層枚数よりも少なければ、すなわち、薄肉部１３の積層方向の厚さが、固定部１１及び側壁部１２それぞれの積層方向の厚さよりも薄ければ、固定部１１、側壁部１２、及び薄肉部１３を構成するセラミックシートの数は、上記例に限定されない。例えば、固定部１１が４枚のセラミックシート３０〜３３が積層されて成り、側壁部１２が６枚のセラミックシート３０〜３５が積層されて成り、薄肉部１３が２枚のセラミックシート３０，３１が積層されて成っても良い。 In the present embodiment, the fixing portion 11 is formed by stacking five ceramic sheets 30 to 34, the side wall portion 12 is formed by stacking ten ceramic sheets 30 to 39, and the thin portion 13 is one sheet. An example of the ceramic sheet 30 was shown. However, if the number of laminated ceramic sheets of the thin portion 13 is smaller than the number of laminated ceramic sheets of the fixed portion 11 and the side wall portion 12, that is, the thickness of the thin portion 13 in the stacking direction is the fixed portion 11 and the side wall. The number of ceramic sheets constituting the fixing part 11, the side wall part 12, and the thin part 13 is not limited to the above example as long as it is thinner than the thickness of each part 12 in the stacking direction. For example, the fixing portion 11 is formed by stacking four ceramic sheets 30 to 33, the side wall portion 12 is formed by stacking six ceramic sheets 30 to 35, and the thin portion 13 is formed by two ceramic sheets 30 and 31. May be laminated.

１０・・・セラミック部
１１・・・固定部
１２・・・側壁部
１３・・・薄肉部
２０・・・配線部
３０〜３９・・・セラミックシート
５０・・・センサチップ
１００・・・セラミックパッケージ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Ceramic part 11 ... Fixed part 12 ... Side wall part 13 ... Thin part 20 ... Wiring part 30-39 ... Ceramic sheet 50 ... Sensor chip 100 ... Ceramic package

Claims

A ceramic package formed by laminating a plurality of ceramic sheets,
A ceramic portion formed by a ceramic layer of the laminated ceramic sheets;
An interior of the ceramic part and a wiring part provided on the surface thereof,
The ceramic part has a fixing part in which one surface in the laminating direction of the ceramic sheet is a sensor chip mounting region, and a peripheral part that is integrated with the fixing part and surrounds the fixing part,
The wiring portion is provided in the peripheral portion ;
The peripheral portion includes a side wall portion that is thicker in the stacking direction than the fixed portion, and a thin wall portion that is surrounded by the side wall portion and is thinner in the stacking direction than the fixed portion. ,
The wiring portion is provided on the side wall portion,
External electrodes for mechanically and electrically connecting to the mounting substrate via bumps are formed in the peripheral portion,
A planar shape perpendicular to the stacking direction in the fixed portion is formed in a rectangle,
A planar shape perpendicular to the stacking direction in the thin portion is formed in an L shape so as to surround a part of the periphery of the fixed portion,
A ceramic package , wherein a planar shape perpendicular to the stacking direction in the side wall portion is formed in an annular shape so as to surround the thin portion and the fixed portion .

2. The ceramic package according to claim 1 , wherein the wiring portion is formed in a portion of the side wall portion surrounding a part of the periphery of the fixing portion via the thin portion.

3. The ceramic package according to claim 1 , wherein an area of the mounting region of the sensor chip in the fixing portion is smaller than an area of a surface of the sensor chip facing the mounting region.