JP5295240B2 - Linear voltage regulator and method for regulating voltage using linear voltage regulator - Google Patents
Linear voltage regulator and method for regulating voltage using linear voltage regulator Download PDFInfo
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Description
本出願は、線形電圧調整器(linear voltageregulator)に関する。 The present application relates to a linear voltage regulator.
電圧調整器は、装置に印加された電圧を制御するために使用されてきた。電圧調整器に関する問題は、電圧調整器が電圧源から高周波雑音と低周波雑音の両方を効果的に除去できなかったことである。さらに、電圧調整器は、比較的大量の電力を使用する少なくとも2つの比較的高価な比較器チップを使用する。 Voltage regulators have been used to control the voltage applied to the device. The problem with voltage regulators is that they could not effectively remove both high and low frequency noise from the voltage source. In addition, the voltage regulator uses at least two relatively expensive comparator chips that use a relatively large amount of power.
したがって、本出願の発明者は、上述の問題を最小限にするかまたは解消するかあるいはその両方を行う改良された電圧調整器の必要性を認識している。 Accordingly, the inventors of the present application recognize the need for an improved voltage regulator that minimizes or eliminates the above problems or both.
模範的な一実施形態により線形電圧調整器が提供される。この線形電圧調整器は、電圧源から第1の電圧を受け取り、第1の周波数範囲内の第1の電圧の周波数成分を除去して、1次出力ノードで出力電圧を得るように構成された第1の回路を含む。この線形電圧調整器は、第1の回路の1次出力ノードに電気的に結合された第1および第2のインバータを有する第2の回路をさらに含む。第2の回路は、出力電圧を受け取り、第2の周波数範囲内の出力電圧の周波数成分を除去するように構成されている。第2の周波数範囲は第1の周波数範囲より大きい。 In accordance with an exemplary embodiment, a linear voltage regulator is provided. The linear voltage regulator is configured to receive a first voltage from a voltage source and remove a frequency component of the first voltage within a first frequency range to obtain an output voltage at the primary output node. A first circuit is included. The linear voltage regulator further includes a second circuit having first and second inverters electrically coupled to the primary output node of the first circuit. The second circuit is configured to receive the output voltage and remove a frequency component of the output voltage within the second frequency range. The second frequency range is greater than the first frequency range.
他の模範的な実施形態により線形電圧調整器が提供される。この線形電圧調整器は、第1の入力端子と第1の出力端子とを有する第1のインバータを含む。第1の入力端子は第1の出力端子に電気的に結合されている。第1の入力端子は、電気的接地にさらに結合されているコンデンサにさらに電気的に結合されている。第1の出力端子上の第1の電圧が1次出力ノードの出力電圧より小さくなるように、第1のインバータは1次出力ノードにさらに電気的に結合されている。この線形電圧調整器は、第2の入力端子と第2の出力端子とを有する第2のインバータをさらに含む。第2の入力端子は第1のインバータの第1の出力端子に電気的に結合されている。第2のインバータは、1次出力ノードにさらに電気的に結合され、第1のインバータから第1の電圧を受け取る。この線形電圧調整器は、ゲート端子とドレイン端子とソース端子とを有するpチャネル電界効果トランジスタ(P−FETトランジスタ)をさらに含む。ソース端子は電圧源に電気的に結合されている。ドレイン端子は1次出力ノードに結合されている。1次出力ノードの出力電圧が増加したときに、第1のインバータの第1の出力端子上の第1の電圧が1次出力ノード上の出力電圧より小さくなり、それにより、第2の出力端子上で高い論理電圧を出力するように第2のインバータを誘導するように、ゲート端子は第2のインバータの第2の出力端子と直接または間接的に電気的に通じている。P−FETトランジスタは、高い論理電圧に応答して1次出力ノード上の出力電圧を低減する。 According to another exemplary embodiment, a linear voltage regulator is provided. The linear voltage regulator includes a first inverter having a first input terminal and a first output terminal. The first input terminal is electrically coupled to the first output terminal. The first input terminal is further electrically coupled to a capacitor that is further coupled to electrical ground. The first inverter is further electrically coupled to the primary output node such that the first voltage on the first output terminal is less than the output voltage of the primary output node. The linear voltage regulator further includes a second inverter having a second input terminal and a second output terminal. The second input terminal is electrically coupled to the first output terminal of the first inverter. The second inverter is further electrically coupled to the primary output node and receives a first voltage from the first inverter. The linear voltage regulator further includes a p-channel field effect transistor (P-FET transistor) having a gate terminal, a drain terminal, and a source terminal. The source terminal is electrically coupled to the voltage source. The drain terminal is coupled to the primary output node. When the output voltage of the primary output node increases, the first voltage on the first output terminal of the first inverter becomes less than the output voltage on the primary output node, thereby causing the second output terminal The gate terminal is in direct or indirect electrical communication with the second output terminal of the second inverter so as to induce the second inverter to output a high logic voltage above. The P-FET transistor reduces the output voltage on the primary output node in response to a high logic voltage.
図1を参照すると、模範的な一実施形態による線形電圧調整器14を有する電気系統10が示されている。この電気系統は、電圧源12と負荷18とをさらに含む。線形電圧調整器14の利点は、電圧感応負荷装置について電圧偏差が最小である電圧をこの調整器が出力できることである。
Referring to FIG. 1, an
電圧源12は、所望の電圧レベルから外れる可能性のある電圧を出力するように設けられている。電圧源12は、線形電圧調整器14に電気的に結合されている。
The
線形電圧調整器14は、電圧源12から電圧を受け取り、所望の電圧レベルからの電圧偏差が最小である電圧を出力するように設けられている。線形電圧調整器14は、回路20と回路22とを含む。
The
回路20は、第1の周波数範囲内で電圧源12から受け取った電圧の周波数成分を除去し、電圧偏差が低減された出力電圧を1次電圧ノード36で得るように設けられている。模範的な一実施形態では、回路20は、0〜10メガヘルツの周波数範囲内で電圧源12から受け取った電圧の周波数成分を除去するように構成されている。当然のことながら、回路20の代替諸実施形態では、回路20は、他の周波数範囲内の周波数成分を除去することができる。回路20は、電圧基準装置30と、演算増幅器32と、P−FETトランジスタ34とを含む。演算増幅器32は、反転入力端子「−」と、非反転入力端子「+」と、出力端子とを有する。P−FETトランジスタは、ゲート端子(G1)と、ソース端子(S1)と、ドレイン端子(D1)とを有する。電圧基準装置30は、演算増幅器32の反転入力端子「−」に電気的に接続されている。電圧基準装置30は、所望の基準電圧レベルを出力するように構成されている。演算増幅器32の出力端子は、P−FETトランジスタ34のゲート端子(G1)に電気的に結合されている。演算増幅器32の非反転端子「+」は、P−FETトランジスタ34のドレイン端子(D1)に電気的に結合され、1次出力ノード36にさらに結合されている。
The
回路20の動作中に電圧源12の出力電圧が減少すると、演算増幅器32の非反転端子「+」によって受け取られる電圧は反転端子「−」上の高い論理電圧に比べて低い論理電圧を有し、それにより、低い論理電圧を出力するように演算増幅器32を誘導する。P−FETトランジスタ34のゲート端子(G1)上の低い論理電圧に応答して、P−FETトランジスタ34はソース端子(S1)からドレイン端子(D1)に流れる電流を増加し、それにより、1次出力ノード36上の出力電圧が増加する。代わって、電圧源12の出力電圧が増加すると、演算増幅器32の非反転端子「+」によって受け取られる電圧は反転端子「−」上の低い論理電圧に比べて高い論理電圧を有し、それにより、高い論理電圧を出力するように演算増幅器32を誘導する。P−FETトランジスタ34のゲート端子(G1)上の高い論理電圧に応答して、P−FETトランジスタ34はソース端子(S1)からドレイン端子(D1)に流れる電流を減少し、それにより、1次出力ノード36上の出力電圧が減少する。
When the output voltage of
回路22は、第2の周波数範囲内で電圧源12から受け取った電圧の周波数成分を除去し、電圧偏差が低減された出力電圧を1次電圧ノード36で得るように設けられている。模範的な一実施形態では、回路22は、10メガヘルツ〜6ギガヘルツの周波数範囲内で電圧源12から受け取った電圧の周波数成分を除去するように構成されている。当然のことながら、回路22の代替諸実施形態では、回路22は、他の周波数範囲内の周波数成分を除去することができる。回路22は、比較器回路62、50と、インバータ52、54、56、58、60と、P−FETトランジスタ62とを含む。
The
図1および図2を参照すると、比較器回路50は、1次出力ノード36上の電圧偏差を検出するように設けられている。比較器回路50は、インバータ80、82と、コンデンサ84とを含む。
Referring to FIGS. 1 and 2, the
インバータ80は、P−FETトランジスタ90と、FETトランジスタ92と、入力端子94と、出力端子96とを含む。P−FETトランジスタ90は、ゲート端子(G3)と、ソース端子(S3)と、ドレイン端子(D3)とを含む。FETトランジスタ92は、ゲート端子(G4)と、ソース端子(S4)と、ドレイン端子(D4)とを含む。P−FETトランジスタ90は、FETトランジスタ92に電気的に結合されている。特に、ゲート端子(G3)、(G4)は、入力端子94で電気的にまとめて結合されている。ソース端子(S3)は、1次出力ノード36に電気的に結合されている。ドレイン端子(D3)は、出力端子96でソース端子(S4)に電気的に結合されている。出力端子96は、入力端子94に電気的に結合されている。端子(D4)は電気的接地に電気的に結合されている。コンデンサ84は、入力端子94と電気的接地との間に電気的に結合されている。動作中に、出力端子96上の電圧は1次出力ノード36の出力電圧より小さい。特に、出力端子96上の電圧は、1次出力ノード36の電圧の約半分になる。
インバータ82は、P−FETトランジスタ100と、FETトランジスタ102と、入力端子104と、出力端子106とを含む。P−FETトランジスタ100は、ゲート端子(G5)と、ソース端子(S5)と、ドレイン端子(D5)とを含む。FETトランジスタ102は、ゲート端子(G6)と、ソース端子(S6)と、ドレイン端子(D6)とを含む。P−FETトランジスタ100は、FETトランジスタ102に電気的に結合されている。特に、ゲート端子(G5)、(G6)は、入力端子104で電気的にまとめて結合されている。入力端子104は、出力端子96に電気的に結合されている。ソース端子(S5)は、1次出力ノード36に電気的に結合されている。ドレイン端子(D5)は、出力端子106でソース端子(S6)に電気的に結合されている。出力端子106は、入力端子114に電気的に結合されている。端子(D6)は電気的接地に電気的に結合されている。
比較器回路50の動作中に1次出力ノード36の出力電圧が増加すると、インバータ80の出力端子96上の電圧は1次出力ノード36上の出力電圧より小さくなり、それにより、出力端子106上で高い論理電圧を出力するようにインバータ82を誘導する。この高い論理電圧は、その後、高い論理電圧に応答して1次出力ノード36上の出力電圧を低減するようにP−FETトランジスタ62を誘導するために使用される。代わって、1次出力ノード36の出力電圧が減少すると、インバータ80の出力端子96上の電圧は1次出力ノード36上の出力電圧より大きくなり、それにより、出力端子106上で低い論理電圧を出力するようにインバータ82を誘導する。この低い論理電圧は、その後、低い論理電圧に応答して1次出力ノード36上の出力電圧を増加するようにP−FETトランジスタ62を誘導するために使用される。
If the output voltage at the
図1および図3を参照すると、インバータ52、54、56、58、60の連鎖は、P−FETトランジスタ62のゲート端子(G2)によって受け取られた比較器回路50からの出力電圧を増幅するように設けられている。
1 and 3, the chain of
インバータ52は、P−FETトランジスタ110と、FETトランジスタ112と、入力端子114と、出力端子116とを含む。P−FETトランジスタ110は、ゲート端子(G7)と、ソース端子(S7)と、ドレイン端子(D7)とを含む。FETトランジスタ112は、ゲート端子(G8)と、ソース端子(S8)と、ドレイン端子(D8)とを含む。P−FETトランジスタ110は、FETトランジスタ112に電気的に結合されている。特に、ゲート端子(G7)、(G8)は、入力端子114で電気的にまとめて結合されている。ソース端子(S7)は、1次出力ノード36に電気的に結合されている。ドレイン端子(D7)は、出力端子116でソース端子(S8)に電気的に結合されている。出力端子116は、入力端子124に電気的に結合されている。端子(D8)は電気的接地に電気的に結合されている。動作中にインバータ52は、入力端子114で比較器回路50から出力電圧を受け取り、反転され増幅された出力電圧を出力端子116で出力する。
インバータ54は、P−FETトランジスタ120と、FETトランジスタ122と、入力端子124と、出力端子126とを含む。P−FETトランジスタ120は、ゲート端子(G9)と、ソース端子(S9)と、ドレイン端子(D9)とを含む。FETトランジスタ122は、ゲート端子(G10)と、ソース端子(S10)と、ドレイン端子(D10)とを含む。P−FETトランジスタ120は、FETトランジスタ122に電気的に結合されている。特に、ゲート端子(G9)、(G10)は、入力端子124で電気的にまとめて結合されている。ソース端子(S9)は、1次出力ノード36に電気的に結合されている。ドレイン端子(D9)は、出力端子126でソース端子(S10)に電気的に結合されている。出力端子126は、入力端子134に電気的に結合されている。端子(D10)は電気的接地に電気的に結合されている。動作中にインバータ54は、入力端子124でインバータ52から出力電圧を受け取り、反転され増幅された出力電圧を出力端子126で出力する。
インバータ56は、P−FETトランジスタ130と、FETトランジスタ132と、入力端子134と、出力端子136とを含む。P−FETトランジスタ130は、ゲート端子(G11)と、ソース端子(S11)と、ドレイン端子(D11)とを含む。FETトランジスタ132は、ゲート端子(G12)と、ソース端子(S12)と、ドレイン端子(D12)とを含む。P−FETトランジスタ130は、FETトランジスタ132に電気的に結合されている。特に、ゲート端子(G11)、(G12)は、入力端子134で電気的にまとめて結合されている。ソース端子(S11)は、1次出力ノード36に電気的に結合されている。ドレイン端子(D11)は、出力端子136でソース端子(S12)に電気的に結合されている。出力端子136は、入力端子144に電気的に結合されている。端子(D12)は電気的接地に電気的に結合されている。動作中にインバータ56は、入力端子134でインバータ54から出力電圧を受け取り、反転され増幅された出力電圧を出力端子136で出力する。
インバータ58は、P−FETトランジスタ140と、FETトランジスタ142と、入力端子144と、出力端子146とを含む。P−FETトランジスタ140は、ゲート端子(G13)と、ソース端子(S13)と、ドレイン端子(D13)とを含む。FETトランジスタ142は、ゲート端子(G14)と、ソース端子(S14)と、ドレイン端子(D14)とを含む。P−FETトランジスタ140は、FETトランジスタ142に電気的に結合されている。特に、ゲート端子(G13)、(G14)は、入力端子144で電気的にまとめて結合されている。ソース端子(S13)は、1次出力ノード36に電気的に結合されている。ドレイン端子(D13)は、出力端子146でソース端子(S14)に電気的に結合されている。出力端子146は、入力端子154に電気的に結合されている。端子(D14)は電気的接地に電気的に結合されている。動作中にインバータ58は、入力端子144でインバータ56から出力電圧を受け取り、反転され増幅された出力電圧を出力端子146で出力する。
インバータ60は、P−FETトランジスタ150と、FETトランジスタ152と、入力端子154と、出力端子156とを含む。P−FETトランジスタ150は、ゲート端子(G15)と、ソース端子(S15)と、ドレイン端子(D15)とを含む。FETトランジスタ152は、ゲート端子(G16)と、ソース端子(S16)と、ドレイン端子(D16)とを含む。P−FETトランジスタ150は、FETトランジスタ152に電気的に結合されている。特に、ゲート端子(G15)、(G16)は、入力端子154で電気的にまとめて結合されている。ソース端子(S15)は、1次出力ノード36に電気的に結合されている。ドレイン端子(D15)は、出力端子156でソース端子(S16)に電気的に結合されている。出力端子156は、P−FETトランジスタ62のゲート端子(G2)に電気的に結合されている。端子(D16)は電気的接地に電気的に結合されている。動作中にインバータ60は、入力端子154でインバータ58から出力電圧を受け取り、反転され増幅された出力電圧を出力端子156で出力する。
代替一実施形態では、インバータ52、54、56、58、60を除去することにより線形電圧調整器14を構築することができ、インバータ82がP−FETトランジスタ62に直接、電気的に結合されることに留意されたい。さらに、他の代替諸実施形態では、比較器回路50からの電圧を増幅するためのインバータの連鎖内のインバータの数は、図1のインバータの連鎖内に示されているインバータの数より多くても少なくてもよい。
In an alternative embodiment,
図1を参照すると、P−FETトランジスタ62は、1次出力ノード36で電圧偏差を除去するように設けられている。特に、P−FETトランジスタ62は、第2の周波数範囲内の出力電圧の周波数成分を除去するように設けられている。P−FETトランジスタ62は、ゲート端子(G2)と、ソース端子(S2)と、ドレイン端子(D2)とを含む。ゲート端子(G2)は、インバータ60の出力端子156に電気的に結合されている。ソース端子(S2)は、電圧源12に電気的に結合されている。ドレイン端子(D2)は、1次出力ノード36に電気的に結合されている。抵抗器18は、1次出力ノード36と電気的接地との間に電気的に結合されている。抵抗器18は、線形電圧調整器14から出力電圧を受け取る負荷に相当する。動作中にP−FETトランジスタ62がゲート端子(G2)でインバータ60から高い論理電圧を受け取ると、その高い論理電圧に応答して、P−FETトランジスタ62はそこを流れる電流を減少し、1次出力ノード36上の出力電圧を低減する。代わって、P−FETトランジスタ62がゲート端子(G2)でインバータ60から低い論理電圧を受け取ると、その低い論理電圧に応答して、P−FETトランジスタ62はそこを流れる電流を増加し、1次出力ノード36上の出力電圧を増加する。
Referring to FIG. 1, a P-
図4〜図7を参照し、線形電圧調整器14によって生成される信号の模範的な概略図について簡単に説明する。図4を参照すると、電圧曲線170は、電圧源12によって生成された模範的な出力電圧に対応する。図示の通り、電圧曲線170は経時的な振動形状を有する。図5を参照すると、電圧曲線180は、1次出力ノード36で線形電圧調整器14によって生成された出力電圧に対応する。図示の通り、電圧曲線180は、所望の通り経時的に比較的一定である。図6を参照すると、電圧曲線190は、比較器50の出力端子96の出力電圧に対応する。図7を参照すると、電圧曲線200は、P−FETトランジスタ62の動作を制御するためにP−FETトランジスタ62のゲート端子(G2)で受け取った電圧に対応する。
An exemplary schematic diagram of the signal generated by the
図8〜図9を参照し、線形電圧調整器14を使用して電圧を調整するための方法の流れ図について説明する。
A flowchart of a method for adjusting the voltage using the
ステップ220で、線形電圧調整器14の回路20は電圧源12から第1の電圧を受け取る。回路20は1次出力ノード36を有する。
In
ステップ222で、回路20は第1の周波数範囲内の第1の電圧の周波数成分を除去して、1次出力ノード36で出力電圧を得る。
In
ステップ224で、線形電圧調整器14の回路22は、第2の周波数範囲内の出力電圧の周波数成分を除去するように1次出力ノード36に直接または間接的に電気的に結合されたインバータ80、82を有する。第2の周波数範囲は第1の周波数範囲より大きい。ステップ224は、ステップ230〜240を使用して実現される。
At
ステップ230で、インバータ80は、1次出力ノード36の出力電圧が増加したときに、1次出力ノード36上の出力電圧より小さい第2の電圧を出力端子96上で出力する。
In
ステップ232で、インバータ82は、第2の電圧が出力電圧より小さいことに応答して、出力端子106上で高い論理電圧を出力する。
In
ステップ234で、P−FETトランジスタ62は、高い論理電圧に応答して、1次出力ノード36上の出力電圧を低減する。
At
ステップ236で、インバータ80は、1次出力ノード36の出力電圧が減少したときに、1次出力ノード36上の出力電圧より大きい第2の電圧を出力端子96上で出力する。
In
ステップ238で、インバータ82は、第2の電圧が出力電圧より大きいことに応答して、出力端子106上で低い論理電圧を出力する。
In
ステップ240で、P−FETトランジスタ62は、低い論理電圧に応答して、1次出力ノード36上の出力電圧を増加する。ステップ240の後、この方法はステップ220に戻る。
At
この線形電圧調整器は、他の調整器より実質的に有利な点を提供する。特に、線形電圧調整器は、複数のインバータを使用して電圧の高周波成分を除去するという技術的効果を提供する。 This linear voltage regulator provides substantial advantages over other regulators. In particular, the linear voltage regulator provides the technical effect of using a plurality of inverters to remove high frequency components of the voltage.
模範的な一実施形態に関連して本発明について説明したが、当業者であれば、本発明の範囲を逸脱せずに、様々な変更を加えることができ、その要素の代わりに同等の要素を使用できることを理解するであろう。加えて、その範囲を逸脱せずに、特定の状況に適合させるために本発明の教示に対して多くの変更を行うことができる。したがって、本発明は本発明を実行するために開示されている実施形態に限定されず、本発明は意図された特許請求の範囲に該当するすべての実施形態を含むことが意図されている。その上、第1、第2などの用語の使用は重要性の順序を示すものではなく、むしろ、第1、第2などの用語はある要素と他の要素を区別するために使用されている。 Although the invention has been described with reference to an exemplary embodiment, those skilled in the art can make various modifications without departing from the scope of the invention, and equivalent elements instead of the elements. Will understand that can be used. In addition, many modifications may be made to the teachings of the invention to adapt to a particular situation without departing from its scope. Accordingly, the invention is not limited to the disclosed embodiments for carrying out the invention, but the invention is intended to include all embodiments falling within the scope of the intended claims. Moreover, the use of terms such as first, second, etc. does not indicate the order of importance; rather, terms such as first, second, etc. are used to distinguish one element from another. .
Claims (9)
前記第1の回路の前記1次出力ノードに電気的に結合された第1および第2のインバータを有する第2の回路であって、前記出力電圧を受け取り、第2の周波数範囲内の前記出力電圧の周波数成分を除去するように構成され、前記第2の周波数範囲内の周波数が前記第1の周波数範囲内の周波数より高い第2の回路と、
を含み、
前記第1のインバータが第1の入力端子と第1の出力端子とを有し、前記第1の入力端子が前記第1の出力端子に電気的に結合され、前記第1の入力端子が電気的接地にさらに結合されているコンデンサにさらに電気的に結合され、前記第1の出力端子上の第2の電圧が前記1次出力ノードの前記出力電圧より小さくなるように、前記第1のインバータが前記1次出力ノードにさらに電気的に結合され、
前記第2のインバータが第2の入力端子と第2の出力端子とを有し、前記第2の入力端子が前記第1のインバータの前記第1の出力端子に電気的に結合され、前記第2のインバータが前記1次出力ノードにさらに電気的に結合され、
前記第2の回路が、ゲート端子とドレイン端子とソース端子とを有するP−FETトランジスタをさらに含み、前記ソース端子が前記電圧源に電気的に結合され、前記ドレイン端子が前記1次出力ノードに電気的に結合され、前記1次出力ノードの前記出力電圧が増加したときに、前記第1のインバータの前記第1の出力端子上の前記第2の電圧が前記1次出力ノード上の前記出力電圧より小さくなり、それにより、前記第2の出力端子上で高い論理電圧を出力するように前記第2のインバータを誘導するように、前記ゲート端子が前記第2のインバータの前記第2の出力端子と直接または間接的に電気的に通じており、前記P−FETトランジスタが前記高い論理電圧に応答して前記1次出力ノード上の前記出力電圧を低減する、線形電圧調整器。 A first circuit configured to receive a first voltage from a voltage source, remove a frequency component of the first voltage within a first frequency range, and obtain an output voltage at a primary output node;
A second circuit having first and second inverters electrically coupled to the primary output node of the first circuit, the second circuit receiving the output voltage, and the output within a second frequency range A second circuit configured to remove frequency components of the voltage, wherein the frequency in the second frequency range is higher than the frequency in the first frequency range;
Only including,
The first inverter has a first input terminal and a first output terminal, the first input terminal is electrically coupled to the first output terminal, and the first input terminal is electrically connected. The first inverter such that a second voltage on the first output terminal is less than the output voltage of the primary output node, further electrically coupled to a capacitor further coupled to a common ground. Is further electrically coupled to the primary output node;
The second inverter has a second input terminal and a second output terminal, and the second input terminal is electrically coupled to the first output terminal of the first inverter; Two inverters are further electrically coupled to the primary output node;
Said second circuit further comprises a P-FET transistor having a gate terminal, a drain terminal and a source terminal, said source terminal is electrically coupled to the voltage source, the drain terminal is the primary output node When electrically coupled and the output voltage of the primary output node increases, the second voltage on the first output terminal of the first inverter becomes the output on the primary output node. The second output of the second inverter so that the gate terminal induces the second inverter to output a higher logic voltage on the second output terminal. terminal and is directly or indirectly in electrical communication, the P-FET transistor to reduce the output voltage on the primary output node in response to the logic high voltage, linear voltage Seiki.
前記第1の回路で電圧源から第1の電圧を受け取るステップと、
前記第1の回路を使用して第1の周波数範囲内の前記第1の電圧の周波数成分を除去して、前記1次出力ノードで出力電圧を得るステップと、
前記第2の回路の前記第1および第2のインバータを使用して第2の周波数範囲内の前記出力電圧の周波数成分を除去するステップであって、前記第2の周波数範囲が前記第1の周波数範囲より大きいステップと、
を含み、
前記第2の回路がP−FETトランジスタをさらに含み、前記第1のインバータが第1の入力端子と第1の出力端子とを有し、前記第1の入力端子が前記第1の出力端子に電気的に結合され、前記第1の入力端子が電気的接地にさらに結合されているコンデンサにさらに電気的に結合され、前記第1のインバータが前記1次出力ノードにさらに電気的に結合され、前記第2のインバータが第2の入力端子と第2の出力端子とを有し、前記第2の入力端子が前記第1のインバータの前記第1の出力端子に電気的に結合され、前記第2のインバータが前記1次出力ノードにさらに電気的に結合され、前記P−FETトランジスタがゲート端子とドレイン端子とソース端子とを有し、前記ソース端子が前記電圧源に電気的に結合され、前記ドレイン端子が前記1次出力ノードに電気的に結合され、前記ゲート端子が前記第2のインバータの前記第2の出力端子と直接または間接的に電気的に通じており、前記第2の回路を使用して前記第2の周波数範囲内の前記出力電圧の周波数成分を除去する前記ステップが、
前記1次出力ノードの前記出力電圧が増加したときに、前記1次出力ノード上の前記出力電圧より小さい第2の電圧を前記第1のインバータの前記第1の出力端子上で出力するステップと、
前記第2の電圧が前記出力電圧より小さいことに応答して、前記第2の出力端子上で前記第2のインバータからの高い論理電圧を出力するステップと、
前記P−FETトランジスタを使用して、前記高い論理電圧に応答して、前記1次出力ノード上の前記出力電圧を低減するステップと、
を含む、方法。 A method for regulating a voltage using a linear voltage regulator, wherein the linear voltage regulator is electrically coupled to a first circuit having a primary output node and to the primary output node. And a second circuit having first and second inverters,
Receiving a first voltage from a voltage source in the first circuit;
Removing a frequency component of the first voltage within a first frequency range using the first circuit to obtain an output voltage at the primary output node;
Removing the frequency component of the output voltage within a second frequency range using the first and second inverters of the second circuit, wherein the second frequency range is the first frequency range; A step larger than the frequency range;
Only including,
The second circuit further includes a P-FET transistor, the first inverter has a first input terminal and a first output terminal, and the first input terminal is connected to the first output terminal. Electrically coupled, the first input terminal is further electrically coupled to a capacitor further coupled to electrical ground, and the first inverter is further electrically coupled to the primary output node; The second inverter has a second input terminal and a second output terminal, and the second input terminal is electrically coupled to the first output terminal of the first inverter; Two inverters are further electrically coupled to the primary output node, the P-FET transistor has a gate terminal, a drain terminal, and a source terminal, and the source terminal is electrically coupled to the voltage source; The drain A child is electrically coupled to the primary output node, and the gate terminal is in direct or indirect electrical communication with the second output terminal of the second inverter, using the second circuit And removing the frequency component of the output voltage within the second frequency range,
Outputting a second voltage lower than the output voltage on the primary output node on the first output terminal of the first inverter when the output voltage of the primary output node increases; ,
Outputting a high logic voltage from the second inverter on the second output terminal in response to the second voltage being less than the output voltage;
Using the P-FET transistor to reduce the output voltage on the primary output node in response to the high logic voltage;
Including the method .
前記1次出力ノードの前記出力電圧が減少したときに、前記1次出力ノード上の前記出力電圧より大きい前記第2の電圧を前記第1のインバータの前記第1の出力端子上で出力するステップと、
前記第2の電圧が前記出力電圧より大きいことに応答して、前記第2の出力端子上で前記第2のインバータからの低い論理電圧を出力するステップと、
前記P−FETトランジスタを使用して、前記低い論理電圧に応答して、前記1次出力ノード上の前記出力電圧を増加するステップと、
をさらに含む、請求項6記載の方法。 Removing the frequency component of the output voltage within the second frequency range using the second circuit;
Outputting the second voltage greater than the output voltage on the primary output node on the first output terminal of the first inverter when the output voltage of the primary output node decreases. When,
Outputting a low logic voltage from the second inverter on the second output terminal in response to the second voltage being greater than the output voltage;
Using the P-FET transistor to increase the output voltage on the primary output node in response to the low logic voltage;
The method of claim 6 further comprising:
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