JP5326468B2 - Imprint method - Google Patents
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Description
本発明は、インプリント法および該インプリント法を行うのに適したインプリントモールド、インプリント装置に関する。 The present invention relates to an imprint method and an imprint mold and an imprint apparatus suitable for performing the imprint method.
近年、インプリント法（もしくはナノインプリント法）と呼ばれる非常に簡易であるが大量生産に向き、従来の方法よりも格段に微細なパターンを忠実に転写可能な技術が提案されている（非特許文献１参照）。 In recent years, there has been proposed a technique called an imprint method (or nanoimprint method) that is very simple but suitable for mass production and can transfer a much finer pattern faithfully than conventional methods (Non-patent Document 1). reference).
インプリント法は、最終的に転写すべきパターンのネガポジ反転像に対応するパターンが形成されたインプリントモールドと呼ばれる原型を、樹脂に型押しし、その状態で樹脂を硬化させることで、パターン転写を行うものである。 In the imprint method, a pattern called an imprint mold on which a pattern corresponding to a negative-positive reversal image of a pattern to be finally transferred is formed is impressed on a resin, and the resin is cured in that state, thereby transferring the pattern. Is to do.
例えば、熱により樹脂を硬化させる熱インプリント法が提案されている（特許文献１参照）。 For example, a thermal imprint method in which a resin is cured by heat has been proposed (see Patent Document 1).
以下、一例として具体的に一般的な熱インプリント法について示す。
まず、転写パターンを形成しようとする転写基材上に、熱可塑性を示す樹脂を塗布し、加熱し、樹脂を軟化させる（図１（ａ））。
次に、転写基材の樹脂の塗布面側にインプリントモールドの凹凸パターン面側が対向するように転写基材とインプリントモールドとを重ね合わせ圧着する（図１（ｂ））。
次に、圧着した状態で樹脂が硬化するまで冷却し、インプリントモールドを脱着する。これにより、転写基材上の樹脂には、インプリントモールドの凹凸パターンに対応する転写パターンが形成される（図１（ｃ））。
次に、インプリントモールドの凸部に相当する部分が転写基板上に薄い残膜として残るため、残膜を除去する（図１（ｄ））。
Hereinafter, a general thermal imprint method will be specifically described as an example.
First, a resin showing thermoplasticity is applied to a transfer substrate on which a transfer pattern is to be formed, and heated to soften the resin (FIG. 1 (a)).
Next, the transfer substrate and the imprint mold are overlapped and pressure-bonded so that the uneven pattern surface side of the imprint mold faces the resin application surface side of the transfer substrate (FIG. 1B).
Next, it cools until resin hardens | cures in the state which crimped | bonded, and removes an imprint mold. As a result, a transfer pattern corresponding to the uneven pattern of the imprint mold is formed on the resin on the transfer substrate (FIG. 1C).
Next, since a portion corresponding to the convex portion of the imprint mold remains as a thin residual film on the transfer substrate, the residual film is removed (FIG. 1D).
一方、赤外領域に活性域を持つ感光性レジスト組成物が知られている（特許文献２参照）。
しかしながら、従来の熱インプリント法を用いたパターン形成方法では解決すべき問題があった。（１）転写の際の加熱・冷却のために処理時間が長くなり、スループットが低下してしまうこと、（２）転写の際、加熱させるため、熱膨張が起こり転写基材とインプリントモールドとの位置精度が悪化すること、である。 However, the pattern forming method using the conventional thermal imprint method has a problem to be solved. (1) Processing time becomes longer due to heating / cooling during transfer and throughput decreases, and (2) Heat is generated during transfer, so that thermal expansion occurs and the transfer substrate and imprint mold The positional accuracy of the is deteriorated.
そこで、本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、スループットが高く、安定的なインプリントが出来、精細なパターンを得ることの出来るインプリント法を提供することを目的とする。 Accordingly, the present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide an imprint method that has high throughput, can perform stable imprinting, and can obtain a fine pattern. To do.
請求項１に記載の本発明は、 転写基材に赤外線光硬化性樹脂を積層する工程と、前記転写基材とインプリントモールドとを対向して配置する工程と、前記転写基材とインプリントモールドとを接近し、赤外線光硬化性樹脂に赤外線を露光する工程と、を備えたことを特徴とするインプリント法である。
The present invention according to
請求項２に記載の本発明は、請求項１に記載のインプリント法であって、赤外線を露光する工程にあって、転写基材とインプリントモールドとを冷却することを特徴とするインプリント法である。 A second aspect of the present invention is the imprint method according to the first aspect, wherein the imprinting method includes the step of cooling the transfer substrate and the imprint mold in the step of exposing infrared rays. Is the law.
請求項３に記載の本発明は、請求項１または２のいずれかに記載のインプリント法であって、請求項１または２のいずれかに記載のインプリント法であって、インプリントモールドと転写基材とは、熱膨張率が同じ材料からなることを特徴とするインプリント法である。
The present invention described in
請求項４に記載の本発明は、凹凸パターンを転写するために用いるインプリントモールドにおいて、基板と、前記基板に形成された凹凸パターンと、前記凹凸パターンの転写させない部位に形成され、赤外線を遮光または反射する赤外線遮断膜と、を備えたことを特徴とするインプリントモールドである。 According to a fourth aspect of the present invention, in the imprint mold used for transferring the concavo-convex pattern, the imprint mold is formed on a substrate, the concavo-convex pattern formed on the substrate, and a portion where the concavo-convex pattern is not transferred, and shields infrared rays. Alternatively, the imprint mold includes an infrared shielding film that reflects light.
請求項５に記載の本発明は、請求項４に記載のインプリントモールドであって、基板は、シリコン基板であることを特徴とするインプリントモールドである。
The present invention according to
請求項６に記載の本発明は、請求項４または５のいずれかに記載のインプリントモールドであって、赤外線遮断膜は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）からなる群から選ばれた一つ以上の材料を含むことを特徴とするインプリントモールドである。 A sixth aspect of the present invention is the imprint mold according to the fourth or fifth aspect, wherein the infrared shielding film is made of aluminum (Al), silver (Ag), copper (Cu), platinum ( An imprint mold comprising one or more materials selected from the group consisting of Pt).
請求項７に記載の本発明は、凹凸パターンを転写するために用いるインプリント装置において、露光光として、赤外線を用いることを特徴とするインプリント装置である。 According to a seventh aspect of the present invention, in the imprint apparatus used for transferring the concavo-convex pattern, an infrared light is used as exposure light.
本発明のインプリント法は、赤外線光硬化性樹脂を用いて露光光に赤外線を用いることを特徴とする。
本発明の構成によれば、赤外線にて露光することにより、転写基材とインプリントモールドに加熱・冷却のサイクルを行うことがなく、パターンを転写することが出来る。また、加熱・冷却のサイクルを行わないため、転写基材とインプリントモールドと熱膨張を抑制できパターン転写の位置精度を向上させることが出来る。また、加熱・冷却のサイクルを行わないため、転写工程に要する時間を削減することができスループットの向上を行うことが出来る。
The imprint method of the present invention is characterized in that infrared light is used for exposure light using an infrared light curable resin.
According to the configuration of the present invention, the pattern can be transferred to the transfer substrate and the imprint mold without performing heating / cooling cycles by exposing with infrared rays. In addition, since the heating / cooling cycle is not performed, the thermal expansion of the transfer base material, the imprint mold, and the pattern transfer can be improved. In addition, since the heating / cooling cycle is not performed, the time required for the transfer process can be reduced and the throughput can be improved.
以下、具体的に本発明のインプリント法の説明を行う。 Hereinafter, the imprint method of the present invention will be specifically described.
＜転写基材に赤外線光硬化性樹脂を積層する工程＞
まず、転写基材に赤外線光硬化性樹脂を積層する。赤外線光硬化性樹脂は、赤外線（波長＝０．７μｍから１０００μｍ）が照射されたとき、硬化する樹脂である。転写基材に積層する方法としては、適宜公知の薄膜形成方法を用いて良い。例えば、スピンコート法などを用いても良い。
<Process of laminating infrared photocurable resin on transfer substrate>
First, an infrared photocurable resin is laminated on the transfer substrate. The infrared photocurable resin is a resin that cures when irradiated with infrared rays (wavelength = 0.7 μm to 1000 μm). As a method of laminating on the transfer substrate, a known thin film forming method may be appropriately used. For example, a spin coating method or the like may be used.
赤外線光硬化樹脂は、赤外線（波長＝０．７μｍから１０００μｍ）の波長領域の光エネルギーにより硬化する樹脂である。赤外線光硬化樹脂は、例えば、具体的には、近赤外線領域の一部又は全部に吸収帯を有する、有機又は無機の顔料や染料、有機色素、金属、錯体、を含むネガ型レジスト組成物、などが挙げられる。 The infrared photocurable resin is a resin that is cured by light energy in the wavelength region of infrared rays (wavelength = 0.7 μm to 1000 μm). Infrared light curable resin, for example, specifically, a negative resist composition containing an organic or inorganic pigment or dye, organic pigment, metal, complex, having an absorption band in part or all of the near infrared region, Etc.
＜転写基材とインプリントモールドとを対向して配置する工程＞
次に、赤外線光硬化性樹脂が積層された転写基材とインプリントモールドとを対向して配置する。このとき、転写基材とインプリントモールドと位置合わせ（アライメント）を行うことが好ましく、位置合わせ（アライメント）用のアライメントマークを設けた転写基材およびインプリントモールドを用いても良い。
<The process of arrange | positioning a transcription | transfer base material and an imprint mold facing>
Next, the transfer base material on which the infrared light curable resin is laminated and the imprint mold are arranged to face each other. At this time, it is preferable to perform alignment (alignment) between the transfer substrate and the imprint mold, and a transfer substrate and an imprint mold provided with alignment marks for alignment may be used.
＜赤外線を露光する工程＞
次に、転写基材とインプリントモールドとを接近し、赤外線光硬化性樹脂に赤外線を露光する。このとき用いるインプリントモールドは赤外線を透過することの出来るインプリントモールドであることが求められる。赤外線を透過するインプリントモールドを用いるとき、赤外線はインプリントモールドの凹凸パターン形成側とは反対側から露光光を照射する。
<Infrared exposure process>
Next, the transfer substrate and the imprint mold are brought close to each other, and infrared rays are exposed to the infrared photocurable resin. The imprint mold used at this time is required to be an imprint mold that can transmit infrared rays. When using an imprint mold that transmits infrared light, the infrared light irradiates exposure light from the side opposite to the concave / convex pattern forming side of the imprint mold.
また、転写基材とインプリントモールドとを接近するに際して、事前にインプリントモールドに離型処理を行っても良い。離型処理としては、例えば、離型剤の塗布、ＵＶ照射による表面処理などが挙げられる。 Further, when the transfer substrate and the imprint mold are brought close to each other, a release treatment may be performed on the imprint mold in advance. Examples of the release treatment include application of a release agent, surface treatment by UV irradiation, and the like.
本発明のインプリント法によれば、赤外線にて露光することにより、転写基材とインプリントモールドに加熱・冷却のサイクルを行うことがなく、パターンを転写することが出来る。また、加熱・冷却のサイクルを行わないため、転写基材とインプリントモールドと熱膨張を抑制できパターン転写の位置精度を向上させることが出来る。また、加熱・冷却のサイクルを行わないため、転写工程に要する時間を削減することができスループットの向上を行うことが出来る。 According to the imprint method of the present invention, the pattern can be transferred to the transfer substrate and the imprint mold without performing heating / cooling cycles by exposure with infrared rays. In addition, since the heating / cooling cycle is not performed, the thermal expansion of the transfer base material, the imprint mold, and the pattern transfer can be improved. In addition, since the heating / cooling cycle is not performed, the time required for the transfer process can be reduced and the throughput can be improved.
また、本発明のインプリント法では、赤外線を露光する工程にあって、転写基材とインプリントモールドとを冷却することが好ましい。これにより、赤外線の照射により転写基材とインプリントモールドとが熱膨張し、位置精度、寸法精度に歪みが生じることを減することが出来る。また、本発明のインプリント法では接近時に冷却するため、放熱のための時間を必要とせず、より転写工程に要する時間を削減することができスループットの向上を行うことが出来る。 In the imprint method of the present invention, it is preferable to cool the transfer substrate and the imprint mold in the step of exposing infrared rays. Thereby, it can reduce that a transfer base material and an imprint mold thermally expand by irradiation of infrared rays, and distortion arises in position accuracy and dimensional accuracy. Further, since the imprinting method of the present invention cools when approaching, it does not require time for heat dissipation, and the time required for the transfer process can be further reduced and the throughput can be improved.
また、本発明のインプリント法では、インプリントモールドと転写基材とは、熱膨張率が同じ材料からなることが好ましい。これにより、赤外線の照射により転写基材とインプリントモールドとが熱を持ったとしても、両者の熱膨張率が同じため、転写パターンの位置精度の悪化を抑制することが出来る。 Moreover, in the imprint method of this invention, it is preferable that an imprint mold and a transfer base material consist of the material with the same thermal expansion coefficient. Thereby, even if the transfer base material and the imprint mold have heat due to infrared irradiation, since the thermal expansion coefficient of both is the same, it is possible to suppress the deterioration of the positional accuracy of the transfer pattern.
また、赤外線光硬化性樹脂に赤外線を露光する工程にあたり、インプリントモールド側から赤外線を照射することが好ましい。赤外線（波長＝０．７μｍから１０００μｍ）はシリコン基板を透過する特性が知られており、インプリントモールド側から赤外線を照射する場合、シリコン基板からなるインプリントモールドを好適に用いることが出来る。 Moreover, it is preferable to irradiate infrared rays from the imprint mold side in the step of exposing infrared rays to the infrared photocurable resin. Infrared rays (wavelength = 0.7 μm to 1000 μm) are known to transmit through a silicon substrate. When irradiating infrared rays from the imprint mold side, an imprint mold made of a silicon substrate can be suitably used.
また、赤外線光硬化性樹脂に赤外線を露光する工程にあたり、転写基板側から赤外線を照射することが好ましい。転写基板を赤外線を透過する材料とし、転写基板側から赤外線を照射することにより、インプリントモールドの特性によらず、あらゆるインプリントモールドを本発明のインプリント法に用いることが出来る。この場合、用いるインプリントモールドは必ずしも、赤外線を透過する材料を用いる必要はない。 Moreover, it is preferable to irradiate infrared rays from the transfer substrate side in the step of exposing infrared rays to the infrared photocurable resin. Any imprint mold can be used in the imprint method of the present invention regardless of the characteristics of the imprint mold by using the transfer substrate as a material that transmits infrared rays and irradiating the transfer substrate with infrared rays. In this case, the imprint mold to be used does not necessarily need to use a material that transmits infrared rays.
以下、本発明のインプリント法を行うのに適したインプリントモールドについて説明を行う。 Hereinafter, an imprint mold suitable for performing the imprint method of the present invention will be described.
＜基板＞
本発明のインプリント法を好適に行うためには、インプリントモールドに用いる基板は赤外線を透過する基板を加工して製造することが好ましい。
<Board>
In order to suitably perform the imprint method of the present invention, the substrate used for the imprint mold is preferably manufactured by processing a substrate that transmits infrared rays.
また、基板はシリコン基板であることが好ましい。シリコン基板は赤外線（波長＝０．７μｍから１０００μｍ）を透過する特性が知られており、また、各種の微細加工技術に対して優れた加工特性を示すことから、本発明のインプリントモールドに用いる基板として特に好適である。 The substrate is preferably a silicon substrate. Since the silicon substrate is known to have characteristics of transmitting infrared rays (wavelength = 0.7 μm to 1000 μm) and exhibits excellent processing characteristics for various fine processing techniques, it is used for the imprint mold of the present invention. It is particularly suitable as a substrate.
＜凹凸パターン＞
凹凸パターンは、所望する転写パターンに応じて、適宜設計し、適宜公知の微細加工方法により形成して良い。このとき、微細加工方法としては、例えば、微細加工技術として、リソグラフィ方法、エッチング方法、微細機械加工法（レーザ加工、マシニング加工、研削加工など）などを用いても良い。
<Uneven pattern>
The concavo-convex pattern may be appropriately designed according to a desired transfer pattern, and may be appropriately formed by a known fine processing method. At this time, as a fine processing method, for example, a lithography method, an etching method, a fine machining method (laser processing, machining processing, grinding processing, or the like) may be used as a fine processing technique.
＜赤外線遮断膜＞
赤外線遮断膜は、凹凸パターンの転写させない部位に形成され、赤外線（波長＝０．７μｍから１０００μｍ）を遮断／反射させるために設けられる。赤外線遮断膜は、赤外線（波長＝０．７μｍから１０００μｍ）を遮断／反射させる特性を示す材料であればそれで足るものであり、該特性を満たす合金、樹脂、セラミックスなどを適宜選択し用いて良い。また、赤外線吸収によりインプリントモールドの温度が上昇してしまうため、赤外線を反射する膜の方がより望ましい。
<Infrared shielding film>
The infrared blocking film is formed at a portion where the uneven pattern is not transferred, and is provided to block / reflect infrared rays (wavelength = 0.7 μm to 1000 μm). The infrared blocking film is sufficient if it is a material showing the characteristic of blocking / reflecting infrared rays (wavelength = 0.7 μm to 1000 μm), and an alloy, resin, ceramic, or the like that satisfies the characteristic may be appropriately selected and used. . Moreover, since the temperature of the imprint mold rises due to infrared absorption, a film that reflects infrared rays is more desirable.
従来の熱インプリント法では、インプリントモールドと転写基材とが密着状態で加熱を行うため、転写基材上の樹脂は全体が硬化してしまい、不要なパターン部分である残膜が残留する（図１（ｃ））。このため、残膜部分を除去する工程（図１（ｄ））が必要となり、該工程において、転写パターンを形成する樹脂も併せて損なわれてしまい、寸法が変わってしまったり、膜減りするなど、パターン形状が劣化してしまっていたという問題があった。
赤外線遮断膜を設けることにより、赤外線を露光する工程において、凹凸パターンの部位に照射される赤外線を一部、遮断／反射することになり、該当部分の樹脂の硬化を行わないことが出来る。このとき、硬化されなかった樹脂は、続く現像工程などにおいて除去を行うことが容易である。よって、残膜の発生をなくし、良好な転写パターンを得ることが出来る。
In the conventional thermal imprint method, the imprint mold and the transfer substrate are heated in close contact with each other, so the entire resin on the transfer substrate is cured, and a residual film that is an unnecessary pattern portion remains. (FIG. 1 (c)). For this reason, a step of removing the remaining film portion (FIG. 1 (d)) is required, and in this step, the resin forming the transfer pattern is also damaged, the dimensions are changed, and the film is reduced. There was a problem that the pattern shape had deteriorated.
By providing the infrared shielding film, in the step of exposing the infrared rays, part of the infrared rays irradiated to the portion of the concavo-convex pattern is blocked / reflected, and the resin in the corresponding portion can not be cured. At this time, the uncured resin can be easily removed in a subsequent development process or the like. Therefore, generation of a residual film can be eliminated and a good transfer pattern can be obtained.
また、赤外線遮断膜は、「アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）からなる群」から選ばれた一つ以上の材料を含むことが好ましい。これらの材料は赤外線（波長＝０．７μｍから１０００μｍ）を遮断／反射する特性が知られており、また、各種の薄膜形成法に対して優れた加工特性を示すことから、本発明のインプリントモールドに用いる赤外線遮断膜として特に好適である。ここで、薄膜形成法としては、例えば、スパッタ法、ＣＶＤ法、めっき法などが挙げられる。 The infrared ray shielding film preferably contains one or more materials selected from “a group consisting of aluminum (Al), silver (Ag), copper (Cu), and platinum (Pt)”. These materials are known to have the characteristic of blocking / reflecting infrared rays (wavelength = 0.7 μm to 1000 μm), and exhibit excellent processing characteristics for various thin film forming methods. It is particularly suitable as an infrared shielding film used for a mold. Here, examples of the thin film forming method include a sputtering method, a CVD method, and a plating method.
また、特に、赤外線遮断膜にＡｌを用いることがより好ましい。Ａｌは薄膜状態でも良好に赤外線を反射（膜厚：１００ｎｍにおいて、赤外線における反射率は８２％）する特性を示し、材料単価も安価であるため調達が容易である。 In particular, it is more preferable to use Al for the infrared shielding film. Al exhibits a characteristic of reflecting infrared rays well even in a thin film state (film thickness: 100 nm, reflectance in infrared rays is 82%), and is easy to procure because the material unit price is low.
以下、本発明の実施の一例をしめす。当然のことながら、本発明の実施は下記の記載に限定されるものではない。 An example of the implementation of the present invention will be shown below. Of course, the practice of the present invention is not limited to the following description.
＜実施例１＞
＜インプリントモールドの製造＞
まず、インプリントモールドに用いる基板としてｐ型の８インチシリコン基板を準備し、この基板にスパッタ法にて、赤外線遮断膜としてアルミニウム１００ｎｍを均一に成膜した（図２（ａ））。
このとき、スパッタの条件は、ガス圧を０．４Ｐａ、放電電力を５００Ｗとした。
<Example 1>
<Manufacture of imprint mold>
First, a p-type 8-inch silicon substrate was prepared as a substrate used for the imprint mold, and 100 nm of aluminum was uniformly formed as an infrared shielding film on the substrate by sputtering (FIG. 2A).
At this time, the sputtering conditions were a gas pressure of 0.4 Pa and a discharge power of 500 W.
次に、基板に電子線レジスト（ＺＥＰ５２０／日本ゼオン）を２００ｎｍ厚コートし、１８０℃のプリベークにて乾燥させ、電子線描画装置にて５０〜２０００ｎｍのパターンを描画し（図２（ｂ））、有機現像によりレジストパターンを形成した（図２（ｃ））。
このとき、電子線露光の条件は、描画時のドーズを１００μＣ／ｃｍ２、現像時間を１分とした。
Next, the substrate is coated with an electron beam resist (ZEP520 / Nippon Zeon) to a thickness of 200 nm, dried by pre-baking at 180 ° C., and a pattern of 50 to 2000 nm is drawn with an electron beam drawing apparatus (FIG. 2B). Then, a resist pattern was formed by organic development (FIG. 2C).
At this time, the electron beam exposure conditions were a drawing dose of 100 μC / cm 2 and a development time of 1 minute.
次に、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたシリコンドライエッチングによって、深さ２００ｎｍの凹凸パターンを形成した（図２（ｄ））。
このとき、最表面であるアルミニウムのエッチング条件は、Ｃｌ２流量３０ｓｃｃｍ、ＣＨＣｌ３流量１０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー５００Ｗ、ＲＩＥパワー５００Ｗとし、シリコンエッチングの条件は、ＣＦ４流量３０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量３０ｓｃｃｍ、Ａｒ流量５０ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー５００Ｗ、ＲＩＥパワー５００Ｗとした。
Next, an uneven pattern having a depth of 200 nm was formed by silicon dry etching using an ICP dry etching apparatus (FIG. 2D).
At this time, the etching conditions of aluminum, which is the outermost surface, are Cl 2 flow rate 30 sccm, CHCl 3 flow rate 10 sccm, Ar flow rate 50 sccm,
次に、Ｏ２プラズマアッシング（条件：Ｏ２流量５００ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗ）によって電子線レジストを剥離した（図２（ｅ））。
以上より、本発明のインプリントモールドを製造することが出来た。
Next, the electron beam resist was removed by O 2 plasma ashing (conditions: O 2 flow rate 500 sccm, pressure 30 Pa, RF power 1000 W) (FIG. 2E).
As mentioned above, the imprint mold of this invention was able to be manufactured.
＜実施例２＞
＜インプリント法＞
まず、インプリント法を行う前処理として、実施例１にて製造されたインプリントモールドの凹凸パターン面に、離型剤としてフッ素系表面処理剤（住友３Ｍ製、商品名：ＥＧＣ−１７２０）を浸漬処理した（図３（ａ））。
<Example 2>
<Imprint method>
First, as a pretreatment for performing the imprint method, a fluorine-based surface treatment agent (manufactured by Sumitomo 3M, trade name: EGC-1720) is used as a mold release agent on the uneven pattern surface of the imprint mold manufactured in Example 1. Immersion treatment was performed (FIG. 3A).
次に、転写基材として、８インチシリコン基板を使用し、該転写基材上に赤外線光硬化性樹脂を３００ｎｍ厚でコートした。 Next, an 8-inch silicon substrate was used as a transfer substrate, and an infrared light curable resin was coated on the transfer substrate with a thickness of 300 nm.
次に、転写基材とインプリントモールドとを対向して配置し、接近させ、インプリントモールド側から赤外線を露光し（図３（ｂ））、インプリントモールドを離型した。
このとき。インプリント条件は、露光量１０００μＣ／ｃｍ２、保持時間１分とした。
Next, the transfer substrate and the imprint mold were placed facing each other and brought close to each other, infrared rays were exposed from the imprint mold side (FIG. 3B), and the imprint mold was released.
At this time. The imprint conditions were an exposure amount of 1000 μC / cm 2 and a holding time of 1 minute.
次に、露光後の赤外線光硬化性樹脂を現像液により２分間現像し、非パターン部の未反応転写樹脂を除去することにより、非パターン部に残膜のない、良好な転写パターンを得ることが出来た（図３（ｃ））。 Next, the infrared photocurable resin after exposure is developed with a developer for 2 minutes to remove the unreacted transfer resin in the non-pattern part, thereby obtaining a good transfer pattern having no remaining film in the non-pattern part. (Fig. 3 (c)).
本発明のインプリント法は、微細構造パターンを形成することが求められる広範な分野に利用することが期待される。例えば、半導体デバイス、光学素子、配線回路、記録デバイス（ハードディスクやＤＶＤなど）、医療検査用チップ（ＤＮＡ分析用途など）、ディスプレイパネル、マイクロ流路、マイクロリアクタ、ＭＥＭＳデバイス、検査機器のプローブ先端部、電界放出素子などの製造工程において好適に利用することが期待出来る。 The imprint method of the present invention is expected to be used in a wide range of fields where it is required to form a fine structure pattern. For example, semiconductor devices, optical elements, wiring circuits, recording devices (such as hard disks and DVDs), medical testing chips (such as DNA analysis applications), display panels, microchannels, microreactors, MEMS devices, probe tips of test equipment, It can be expected to be suitably used in the manufacturing process of field emission devices.
１…樹脂
２…転写基材
３…熱インプリントモールド
４…残膜
５…転写パターン
６…赤外線遮断膜
７…基板
８…電子線用レジスト
８Ａ…レジストパターン
９…電子線露光
１０…凹凸パターン
１１…インプリントモールド
１２…剥離剤
１３…赤外線露光
DESCRIPTION OF
Claims (1)
前記転写基材とインプリントモールドとを対向して配置する工程と、
前記転写基材とインプリントモールドとを接近し、赤外線光硬化性樹脂に赤外線を露光する工程と、
を備え、
赤外線を露光する工程にあって、転写基材とインプリントモールドとを冷却すること
を特徴とするインプリント法。 A step of laminating an infrared photocurable resin on the transfer substrate;
Placing the transfer substrate and the imprint mold facing each other;
A step of approaching the transfer substrate and the imprint mold and exposing the infrared photocurable resin to infrared rays;
Equipped with a,
In the process of exposing infrared rays, cooling the transfer substrate and the imprint mold
Imprint method characterized by
Priority Applications (1)
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| JP2008254244A JP5326468B2 (en) | 2008-02-15 | 2008-09-30 | Imprint method |
Applications Claiming Priority (3)
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| JP2008034173 | 2008-02-15 | ||
| JP2008034173 | 2008-02-15 | ||
| JP2008254244A JP5326468B2 (en) | 2008-02-15 | 2008-09-30 | Imprint method |
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