JP5328733B2 - Array substrate inspection method and inspection apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、アレイ基板の検査方法及び検査装置に関し、さらに詳しくは、液晶表示装置用アレイ基板の検査方法及び検査装置に関する。 The present invention relates to an inspection method and an inspection apparatus for an array substrate, and more particularly to an inspection method and an inspection apparatus for an array substrate for a liquid crystal display device.
アクティブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板は、図20及び図21に示すように、データ信号線1と、データ信号線1と交差する走査信号線2と、データ信号線1及び走査信号線2の交点に配置された画素3とを備える。各画素3は、薄膜トランジスタ(TFT)と、画素容量とからなる。
As shown in FIGS. 20 and 21, the array substrate of the active matrix liquid crystal display device includes a
ここで、アレイ基板を検査する従来の方法を説明する。 Here, a conventional method for inspecting the array substrate will be described.
まずデータ信号をデータ信号線1に供給し、かつ1本の走査信号線2Aを駆動する。これにより1本の走査信号線2Aに接続された画素3に電荷が蓄積される(データ信号の書き込み)。
First, a data signal is supplied to the
次に、積分器などの検出回路4を各データ信号線1に接続し、かつ1本の走査信号線2Aを駆動する。これにより1本の走査信号線2Aに接続された画素3に蓄積された電荷が検出回路4により検出される(データ信号の読み出し)。
Next, a detection circuit 4 such as an integrator is connected to each
上記動作を全ての走査信号線2について繰り返すことにより、アレイ基板全体を検査する。
By repeating the above operation for all
この検査方法によれば、不良画素から検出される電荷量は正常画素から検出される電荷量と異なるため、画素3の良否を判別することができる。
According to this inspection method, since the charge amount detected from the defective pixel is different from the charge amount detected from the normal pixel, the quality of the
この検査方法は、走査信号線2を1本ずつ順番に駆動するので、不良画素のアドレスを特定することができるが、全ての画素3を検査するのに長時間を要するという問題がある。以下、この従来の検査方法を「1画素順次測定方法」という。
In this inspection method, since the
下記特許文献1は、アクティブマトリクス型液晶表示装置の検査方法を開示する。この検査方法は、データ信号を供給する2本のビデオバスを短絡するために2つのアナログスイッチを同時にオンにすることにより線状欠陥を検出している。しかし、特許文献1は、複数の走査信号線を同時に駆動するという本発明の特徴を全く開示していない。
本発明の目的は、アレイ基板の検査時間を短縮可能な検査方法及び検査装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide an inspection method and an inspection apparatus that can shorten the inspection time of an array substrate.
本発明によるアレイ基板の検査方法は、複数の信号線を有するアレイ基板の検査方法であって、各々が複数の信号線を含むN1(2以上の整数)個の第1検査ブロックにアレイ基板を分割するステップと、第1検査ブロックの各々から1本ずつ合計N1本の信号線を選択するステップと、選択したN1本の信号線を同時に検査するステップとを含む。 Inspection method of the array substrate according to the present invention is an inspection method of an array substrate having a plurality of signal lines, N 1 (2 or more integer) of the array substrate in the first inspection block, each containing the plurality of signal lines , A step of selecting a total of N 1 signal lines from each of the first inspection blocks, and a step of simultaneously inspecting the selected N 1 signal lines.
この検査方法によれば、2本以上の信号線をまとめて検査できるので、検査時間を短縮することができる。 According to this inspection method, since two or more signal lines can be inspected together, the inspection time can be shortened.
好ましくは、上記検査方法はさらに、各々が複数の信号線を含むN2(N1と異なる2以上の整数)個の第2検査ブロックにアレイ基板を分割するステップと、第2検査ブロックの各々から1本ずつ合計N2本の信号線を選択するステップと、選択したN2本の信号線を同時に再検査するステップとを含む。 Preferably, the inspection method further includes dividing the array substrate into N 2 (an integer greater than or equal to 2 different from N 1 ) second inspection blocks each including a plurality of signal lines, and each of the second inspection blocks. And selecting a total of N 2 signal lines one by one and re-inspecting the selected N 2 signal lines simultaneously.
この場合、最初の検査と再検査とで共通して不良候補に挙がったアドレスを不良アドレスと特定できる。 In this case, it is possible to specify an address that is common among the initial inspection and the re-inspection as a defective candidate as a defective address.
好ましくは、N1は2である。上記検査方法はさらに、第1検査ブロックの一方の信号線を再検査するステップを含む。 Preferably N 1 is 2. The inspection method further includes a step of reinspecting one signal line of the first inspection block.
この場合、不良候補に挙がるアドレスは2つであるから、一方の信号線を再検査すれば、他方の信号線を再検査しなくても、不良アドレスを特定できる。 In this case, since there are two addresses listed as defect candidates, if one signal line is reexamined, the defect address can be specified without reexamining the other signal line.
さらに好ましくは、上記再検査のステップは、各々が複数の信号線を含むN2(2以上の整数)個の第2検査ブロックにアレイ基板を分割するステップと、第2検査ブロックの各々から1本ずつ合計N2本の信号線を選択するステップと、選択したN2本の信号線を同時に検査するステップとを含む。 More preferably, the re-inspection step includes dividing the array substrate into N 2 (integer of 2 or more) second inspection blocks each including a plurality of signal lines, and 1 from each of the second inspection blocks. The method includes a step of selecting a total of N 2 signal lines one by one and a step of simultaneously inspecting the selected N 2 signal lines.
この場合、2本以上の信号線をまとめて再検査できるので、再検査時間を短縮することができる。 In this case, since two or more signal lines can be reinspected together, the reinspection time can be shortened.
好ましくは、上記検査方法はさらに、検査の結果に従って不良の信号線の数をカウントするステップと、カウントした数が予め定められた数よりも少ないとき、不良の信号線を再検査するステップと、カウントした数が予め定められた数よりも多いとき、各々が複数の信号線を含むN2(N1と異なる2以上の整数)個の第2検査ブロックにアレイ基板を分割するステップと、第2検査ブロックの各々から1本ずつ合計N2本の信号線を選択するステップと、選択したN2本の信号線を同時に再検査するステップとを含む。 Preferably, the inspection method further includes a step of counting the number of defective signal lines according to the result of the inspection, and a step of re-inspecting the defective signal lines when the counted number is smaller than a predetermined number; Dividing the array substrate into N 2 (an integer greater than or equal to 2 different from N 1 ) second test blocks each including a plurality of signal lines when the counted number is larger than a predetermined number; Selecting a total of N 2 signal lines, one from each of the 2 test blocks, and re-inspecting the selected N 2 signal lines simultaneously.
この場合、最初の検査で不良数をカウントし、不良数に応じて再検査の方法を切り替える。不良数が少ない場合は不良の信号線を個別に再検査し、不良数が多い場合は2本以上の信号線をまとめて再検査しているので、不良数に関係なく、検査時間を短縮することができる。 In this case, the number of defects is counted in the first inspection, and the re-inspection method is switched according to the number of defects. When the number of defects is small, the defective signal lines are individually re-inspected. When the number of defects is large, two or more signal lines are re-inspected together, reducing the inspection time regardless of the number of defects. be able to.
本発明によるアレイ基板の検査装置は、複数のデータ信号線とデータ信号線と交差する複数の走査信号線とデータ信号線及び走査信号線の交点に対応する複数の素子とを有するアレイ基板を検査するための検査装置であって、走査信号線のうちN1本の走査信号線を駆動する駆動手段と、N1本の走査信号線の駆動により対応するN1個の素子からデータ信号線の各々に読み出されたデータ信号を検出する検出手段とを備える。駆動手段は、N 1 個の素子から読み出されたデータ信号が検出手段により検出された後に、走査信号線のうちN 2 (N 1 と異なる2以上の整数)本の走査信号線を駆動する。N 1 本の走査信号線とN 2 本の走査信号線とは共通する走査信号線を有する。検出手段は、N 2 本の走査信号線の駆動により対応するN 2 個の素子からデータ信号線の各々に読み出されたデータ信号を検出する。駆動手段によるN 1 本の走査信号線の駆動と、検出手段によるN 1 個の素子から読み出されたデータ信号の検出とによりN 1 本の走査信号線が同時に検査される。駆動手段によるN 2 本の走査信号線の駆動と、検出手段によるN 2 個の素子から読み出されたデータ信号の検出とによりN 2 本の走査信号線が同時に検査される。 An inspection apparatus for an array substrate according to the present invention inspects an array substrate having a plurality of data signal lines, a plurality of scanning signal lines intersecting the data signal lines, and a plurality of elements corresponding to the intersections of the data signal lines and the scanning signal lines. A scanning means for driving N1 scanning signal lines out of the scanning signal lines, and driving the N1 scanning signal lines to read each of the data signal lines from the corresponding N1 elements. Detecting means for detecting the outputted data signal. The driving unit drives N 2 ( an integer greater than or equal to 2 different from N 1 ) scanning signal lines among the scanning signal lines after the data signal read from the N 1 elements is detected by the detecting unit. . The N 1 scanning signal lines and the N 2 scanning signal lines have a common scanning signal line. Detecting means detects the data signal read out from the corresponding N 2 pieces of element by driving the two scanning signal lines N to each of the data signal lines. N 1 scanning signal lines are simultaneously inspected by driving the N 1 scanning signal lines by the driving means and detecting the data signals read from the N 1 elements by the detecting means . N 2 scanning signal lines are simultaneously inspected by driving the N 2 scanning signal lines by the driving means and detecting the data signals read from the N 2 elements by the detecting means .
この検査装置によれば、2本以上の走査信号線が駆動され、対応する2個以上の素子からデータ信号が読み出され、これらがまとめて検出されるので、検査時間を短縮することができる。また、最初の検査と再検査とで共通して不良候補に挙がったアドレスを不良アドレスと特定できる。 According to this inspection apparatus, two or more scanning signal lines are driven, data signals are read from two or more corresponding elements, and these are detected together, so that the inspection time can be shortened. . In addition, an address that is common among the initial inspection and the re-inspection can be identified as a defective address.
本発明によるアレイ基板の検査装置は、複数のデータ信号線とデータ信号線と交差する複数の走査信号線とデータ信号線及び走査信号線の交点に対応する複数の素子とを有するアレイ基板を検査するための検査装置であって、走査信号線のうち2本の走査信号線を駆動する駆動手段と、2本の走査信号線の駆動により対応する2個の素子からデータ信号線の各々に読み出されたデータ信号を検出する検出手段とを備える。駆動手段は、2個の素子から読み出されたデータ信号が検出手段により検出された後に、駆動した2本の走査信号線のうち一方を再駆動し、他方を再駆動しない。検出手段は、一方の走査信号線の再駆動により対応する1個の素子からデータ信号線の各々に読み出されたデータ信号を検出する。駆動手段による2本の走査信号線の駆動と、検出手段による2個の素子から読み出されたデータ信号の検出とにより2本の走査信号線が同時に検査される。駆動手段による一方の走査信号線の再駆動と、検出手段による1個の素子から読み出されたデータ信号の検出とにより一方の走査信号線が再検査される。 An inspection apparatus for an array substrate according to the present invention inspects an array substrate having a plurality of data signal lines, a plurality of scanning signal lines intersecting the data signal lines, and a plurality of elements corresponding to the intersections of the data signal lines and the scanning signal lines. A scanning means for driving two scanning signal lines out of the scanning signal lines, and reading the data signals from each of the two corresponding elements by driving the two scanning signal lines. Detecting means for detecting the outputted data signal. After the data signal read from the two elements is detected by the detection unit, the driving unit redrives one of the two driven scanning signal lines and does not redrive the other. The detecting means detects a data signal read from each corresponding element to each of the data signal lines by re- driving one of the scanning signal lines. The two scanning signal lines are simultaneously inspected by driving the two scanning signal lines by the driving means and detecting the data signals read from the two elements by the detecting means. One scanning signal line is re-inspected by re-driving one scanning signal line by the driving means and detecting a data signal read from one element by the detecting means .
この検査装置によれば、2本の走査信号線が駆動され、対応する2個の素子からデータ信号が読み出され、これらがまとめて検出されるので、検査時間を短縮することができる。また、不良候補に挙がるアドレスは2つであるから、一方の信号線を再検査すれば、他方の信号線を再検査しなくても、不良アドレスを特定できる。 According to this inspection apparatus, the two scanning signal lines are driven, the data signals are read from the corresponding two elements, and these are detected together, so the inspection time can be shortened. In addition, since there are two addresses listed as defect candidates, if one signal line is reexamined, the defect address can be specified without reexamining the other signal line.
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一又は相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated.
本発明の実施の形態による検査方法を説明するに先立って、検査の対象となるアレイ基板の構成を簡単に説明する。ここでは、アクティブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板を例に挙げて説明する。 Prior to describing the inspection method according to the embodiment of the present invention, the configuration of an array substrate to be inspected will be briefly described. Here, an array substrate of an active matrix liquid crystal display device will be described as an example.
図1に示すように、アレイ基板は、データ信号線1と、データ信号線1と交差する走査信号線2と、データ信号線1及び走査信号線2の交点に配置された画素3とを備える。各画素3は、TFT5と、画素容量6とからなる。TFT5の一方のソース/ドレインはデータ信号線1に接続され、他方のソース/ドレインは画素容量6の一方の電極に接続され、ゲートは走査信号線2に接続される。画素容量6の他方の電極は全て共通に接続される。データ信号線1はデータ信号線駆動回路7に接続される。走査信号線2は走査信号線駆動回路8に接続される。データ信号線駆動回路7はデータ信号をデータ信号線1に供給する。走査信号線駆動回路8は走査信号線2を選択的に駆動する。
As shown in FIG. 1, the array substrate includes a
[検査方法]
本実施の形態による検査方法は、まず最初の検査として「2画素同時測定方法」を実施し、次に再検査として「不良アドレス特定方法」を実施する。
[Inspection method]
In the inspection method according to the present embodiment, the “two-pixel simultaneous measurement method” is first performed as the first inspection, and then the “defective address specifying method” is performed as the re-inspection.
1.2画素同時測定方法(最初の検査)
(1)図2(a)に示すように、検査するアレイ基板10を準備する。ここでは、アレイ基板は900本の走査信号線を有し、700本目の走査信号線上に1つの不良画素3Dを有するものと仮定する。
1.2 Pixel simultaneous measurement method (first inspection)
(1) As shown in FIG. 2A, an
(2)図2(b)に示すように、アレイ基板10を仮想的に半分に分割する。具体的には、アレイ基板10を2個の検査ブロック10A及び10Bに分割する。各検査ブロック10A,10Bは、450本の走査信号線を含む。
(2) As shown in FIG. 2B, the
(3)図3に示すように、各検査ブロック10A,10Bから1本ずつ合計2本の走査信号線2Aを選択する。
(3) As shown in FIG. 3, a total of two
(4)選択した2本の走査信号線2Aを同時に検査する。具体的には、前半の検査ブロック10Aにおいて1本の走査信号線2Aを駆動すると同時に、後半の検査ブロック10Bにおいても1本の走査信号線2Aを駆動する。駆動されるべき2本の走査信号線2Aは、特に限定されないが、2個の検査ブロック10A及び10Bの間で相対的に同じ位置にある。
(4) The two selected
走査信号線2の検査は、データ信号を画素3に書き込み、その画素3からデータ信号を読み出すことにより行う。
The
まずデータ信号を画素3に書き込むために、データ信号線駆動回路7によりデータ信号をデータ信号線1に供給し、かつ走査信号線駆動回路8により2本の走査信号線2Aを同時に駆動する。これにより2本の走査信号線2Aに接続された2列のTFT5がオンになり、対応する2列の画素容量6に電荷が蓄積される。
First, in order to write a data signal to the
次にデータ信号を画素3から読み出すために、図4に示すように検出回路4を各データ信号線1に接続し、かつ走査信号線駆動回路8により2本の走査信号線2Aを同時に駆動する。これにより2本の走査信号線2Aに接続された2列のTFT5がオンになり、対応する2列の画素容量6に蓄積された電荷が検出回路4により検出される。
Next, in order to read out the data signal from the
同時に選択された2個の画素3がともに正常であれば、通常(1個の画素3から検出される電荷量)の2倍の電荷量(以下「基準電荷量」という)が検出される。仮に一方の画素3が不良であれば、基準電荷量と異なる電荷量が検出される。
If both of the two
(5)全ての走査信号線2について上記(3)及び(4)の動作を繰り返す。具体的には、最初に1本目及び451本目の走査信号線2を同時に駆動した後、450本目及び900本目の走査信号線2まで順番に2本ずつ駆動する。
(5) The operations (3) and (4) are repeated for all the
図2(c)に示すように、本例では、250(=700−450)本目の走査信号線2と700(=450+250)本目の走査信号線2とを同時に駆動したとき、基準電荷と異なる電荷量が検出される。したがって、これら2本の走査信号線2上の2個の画素3Cが不良候補として挙げられる。
As shown in FIG. 2C, in this example, when the 250 (= 700-450) -th
上述した2画素同時測定方法は、2個の画素3に蓄積された電荷量を同時に測定しているため、検査時間を短縮できる。もし結果的に不良画素がなければ、検査時間は従来の半分になる。最初の検査で不良画素はないと判明した場合、後述する再検査は必要ない。
Since the two-pixel simultaneous measurement method described above measures the charge amount accumulated in the two
ここでは最初の検査として2画素同時測定方法を採用したが、これに代え、アレイ基板を3個の検査ブロックに分割して3個の画素に蓄積された電荷量を同時に測定する「3画素同時測定方法」を採用してもよい。一般に、アレイ基板を複数の検査ブロックに分割して複数の画素に蓄積された電荷量を同時に測定する方法を以下「複数画素同時測定方法」という。 Here, the two-pixel simultaneous measurement method is adopted as the first inspection, but instead, the array substrate is divided into three inspection blocks and the charge amount accumulated in the three pixels is measured simultaneously. “Measurement method” may be adopted. In general, a method of measuring an amount of electric charges accumulated in a plurality of pixels by dividing an array substrate into a plurality of inspection blocks is hereinafter referred to as a “multiple pixel simultaneous measurement method”.
上述した2画素同時測定方法は、同時に選択された2個の画素3のうちいずれか一方が不良とは判別できるが、いずれが不良とまでは判別できない。いずれが不良かを判別するためには、次の不良アドレス特定方法を実施する。
The two-pixel simultaneous measurement method described above can determine that one of the two
2.不良アドレス特定方法(再検査)
不良画素のアドレスを特定する方法として、「不良候補画素個別測定方法」、「3画素同時測定方法」、「片側2画素同時測定方法」、及び「不良候補画素個別測定方法及び複数画素同時測定方法の切替方法」がある。以下、これらを順に説明する。
2. Defect address identification method (re-inspection)
As a method for specifying an address of a defective pixel, “defective candidate pixel individual measurement method”, “three-pixel simultaneous measurement method”, “one-side two-pixel simultaneous measurement method”, and “defective candidate pixel individual measurement method and multiple pixel simultaneous measurement method” Switching method ”. Hereinafter, these will be described in order.
2.1.不良候補画素個別測定方法
上記2画素同時測定方法で不良候補に挙げた全ての画素を1個ずつ順番に再検査する。図2(c)に示すように、本例では、まず250本目の走査信号線2Aを駆動してその上にある不良候補の画素3Cに蓄積された電荷量を測定し、次に700本目の走査信号線2Aを駆動してその上にある不良候補の画素3Cに蓄積された電荷量を測定する。250本目の走査信号線2A上の画素3Cは正常であるから通常の電荷量が検出されるが、700本目の走査信号線2A上の画素3Cは不良であるから通常と異なる電荷量が検出される。したがって、この画素3Cを不良と判別し、そのアドレスを特定できる。
2.1. Defective candidate pixel individual measuring method All pixels listed as defective candidates in the two-pixel simultaneous measuring method are re-inspected one by one in order. As shown in FIG. 2C, in this example, the 250th
しかし、不良候補画素個別測定方法は不良アドレスを特定するための再測定に長時間を要する。そのため、不良画素が多いと、検査時間が従来の1画素順次測定方法よりも長くなってしまう場合がある。複数画素同時測定方法及び不良候補画素個別測定方法の組み合わせを採用した場合の検査時間は次の式(1)で表される。
式(1)中、Tscanは1画素順次測定方法による全画素の測定に要する時間(不良画素の検出処理時間を含む)、Nは同時に測定する画素数、Tmodeは測定方法(モード)の切り替えに要する時間、Taddrは1画素当たりの不良アドレスの特定に要する時間(ただし、1画素順次測定方法ではTaddr=0)、Dは不良画素数、Tanaは1画素当たりの不良解析に要する時間をそれぞれ表す。 In equation (1), Tscan is the time required to measure all pixels by the one-pixel sequential measurement method (including the defective pixel detection processing time), N is the number of pixels to be measured simultaneously, and Tmode is a method for switching the measurement method (mode) Time required, Taddr represents the time required to specify a defective address per pixel (Taddr = 0 in the one-pixel sequential measurement method), D represents the number of defective pixels, and Tana represents the time required for defect analysis per pixel. .
たとえば1024×768画素のXGA(eXtended Graphics Array)を検査する場合、Tscan=4.67秒、Tmode=0.10秒、Taddr=0.11秒、Tana=1.20秒とすると、図5に示したグラフが得られる。縦軸が検査時間を表し、横軸が不良画素数を表す。グラフ中には、従来の1画素順次測定方法を採用した場合、最初の検査として2画素同時測定方法を採用した場合、及び最初の検査として3画素同時測定方法を採用した場合における検査時間の不良画素数依存性がそれぞれ示されている。 For example, in the case of inspecting an XGA (eXtended Graphics Array) of 1024 × 768 pixels, assuming that Tscan = 4.67 seconds, Tmode = 0.10 seconds, Taddr = 0.11 seconds, and Tana = 1.20 seconds, FIG. The graph shown is obtained. The vertical axis represents the inspection time, and the horizontal axis represents the number of defective pixels. In the graph, when the conventional one-pixel sequential measurement method is adopted, when the two-pixel simultaneous measurement method is adopted as the first inspection, and when the three-pixel simultaneous measurement method is adopted as the first inspection, the inspection time is poor. Each pixel number dependency is shown.
このグラフから明らかなように、不良画素数が少ないとき検査時間は1画素順次測定方法よりも2又は3画素同時測定方法の方が短いが、不良画素数が多くなると検査時間は1画素順次測定方法よりも2又は3画素同時測定方法の方が長くなる。本例では、7個以上の不良画素があると3画素同時測定方法の方が2画素順次測定方法よりも検査時間が長くなる。また、11個以上の不良画素があると2画素同時測定方法の方が1画素順次測定方法よりも検査時間が長くなる。 As is apparent from this graph, when the number of defective pixels is small, the inspection time is shorter for the two or three pixel simultaneous measurement method than for the one pixel sequential measurement method, but when the number of defective pixels increases, the inspection time is sequentially measured for one pixel. The 2 or 3 pixel simultaneous measurement method is longer than the method. In this example, if there are 7 or more defective pixels, the 3-pixel simultaneous measurement method takes a longer inspection time than the 2- pixel sequential measurement method. In addition, when there are 11 or more defective pixels, the two-pixel simultaneous measurement method takes longer than the one-pixel sequential measurement method.
以上のように、不良アドレス特定方法として不良候補画素個別測定方法を採用すると、不良画素数が多い場合、却って検査時間が長くなる。そのため、不良アドレス特定方法として、好ましくは次の3画素同時測定方法を採用する。 As described above, when the defective candidate pixel individual measurement method is adopted as the defective address specifying method, the inspection time becomes longer when the number of defective pixels is large. Therefore, the following three-pixel simultaneous measurement method is preferably employed as the defective address specifying method.
2.2.3画素同時測定方法
図6(a)及び(b)に示すように、上述した通り最初の検査として2画素同時測定方法を実施し、不良画素の存在が判明した場合、図6(c)に示すように、検査ブロックの数を変更し、再びアレイ基板10全体を検査する。詳細は次の通り。
2.2.3 Simultaneous Measurement Method for Pixels As shown in FIGS. 6A and 6B, when the two-pixel simultaneous measurement method is performed as the first inspection as described above and the existence of a defective pixel is found, As shown in (c), the number of inspection blocks is changed, and the
(1)アレイ基板10を3個の検査ブロック10C、10D及び10Eに分割する。各検査ブロック10C,10D,10Eは、300本の走査信号線2を含む。
(1) The
(2)各検査ブロック10C,10D,10Eから1本ずつ合計3本の走査信号線2を選択する。
(2) A total of three
(3)選択した3本の走査信号線2を同時に検査する。具体的には、前3分の1の検査ブロック10Cにおいて1本の走査信号線2を駆動し、中3分の1の検査ブロック10Dにおいて1本の走査信号線2を駆動し、かつ後3分の1の検査ブロック10Eにおいて1本の走査信号線2を駆動する。その他は、最初の検査である2画素同時測定方法と基本的に同じである。すなわち、3個の画素3に蓄積された電荷量を同時に検出する。
(3) The three selected
(4)全ての走査信号線2について上記(2)及び(3)の動作を繰り返す。具体的には、最初に1本目、301本目及び601本目の走査信号線2を同時に駆動した後、300本目、600本目及び900本目の走査信号線2まで順番に3本ずつ駆動する。
(4) The operations (2) and (3) are repeated for all the
本例では、図6(b)に示した2画素同時測定方法を実施した結果、図7(a)に示すように250本目及び700本目の走査信号線2上の2個の画素3Cが不良候補として挙げられるが、図6(c)に示した3画素同時測定方法を実施した結果、図7(b)に示すように100(=700−300−300)本目、400(=100+300)本目及び700(=100+300+300)本目の走査信号線2上の3個の画素3Cが不良候補として挙げられる。
In this example, as a result of performing the two-pixel simultaneous measurement method shown in FIG. 6B, as shown in FIG. 7A, the two
(5)2画素同時測定方法及び3画素同時測定方法を実施した結果、両者に共通する700本目の走査信号線2A上の画素3Cを不良と判別する。したがって、不良画素3Dのアドレスを特定できる。また、2画素同時測定方法で検査した画素が両方とも不良であった場合においても、3画素同時測定方法ではこれらの画素は同時に検査されないため、それぞれの画素を不良と判別できる。
(5) As a result of performing the two-pixel simultaneous measurement method and the three-pixel simultaneous measurement method, the
ここでは最初の検査として2画素同時測定方法を採用し、再検査として3画素同時測定方法を採用している(以下「2−3画素同時測定検査」と表記する)が、これに限定されることはない。たとえば「2−5画素同時測定検査」、「3−4画素同時測定検査」、「3−2画素同時測定検査」、「4−5画素同時測定検査」、「4−6画素同時測定検査」などを採用してもよい。ただし、「2−4画素同時測定検査」などを採用することはできない。同時に検査対象となるアドレスが完全に重複するからである。要するに、一方の検査で同時に測定する画素の数が他方の検査で同時に検査する画素の数の約数又は倍数でなければよい。 Here, the 2-pixel simultaneous measurement method is adopted as the first inspection, and the 3-pixel simultaneous measurement method is adopted as the re-inspection (hereinafter referred to as “2-3 pixel simultaneous measurement inspection”), but is limited to this. There is nothing. For example, “2-5 pixel simultaneous measurement inspection”, “3-4 pixel simultaneous measurement inspection”, “3-2 pixel simultaneous measurement inspection”, “4-5 pixel simultaneous measurement inspection”, “4-6 pixel simultaneous measurement inspection” Etc. may be adopted. However, “2-4 pixel simultaneous measurement inspection” or the like cannot be adopted. This is because the addresses to be inspected are completely duplicated at the same time. In short, the number of pixels simultaneously measured in one inspection need not be a divisor or multiple of the number of pixels simultaneously inspected in the other inspection.
一般に、N1−N2画素同時測定検査を採用した場合の検査時間は次の式(2)で表される。
式(2)中、N1は最初の検査で同時に測定する画素数、N2は再検査で同時に測定する画素数、Fは不良画素の有無(不良画素がある場合は「1」、ない場合は「0」)をそれぞれ表す。その他は式(1)と同じである。 In Expression (2), N 1 is the number of pixels that are simultaneously measured in the first inspection, N 2 is the number of pixels that are simultaneously measured in the re-inspection, and F is the presence / absence of a defective pixel (“1” if there is a defective pixel; Represents “0”). Others are the same as Formula (1).
たとえばXGAを検査する場合、Tscan=4.67秒、Tmode=0.10秒、Tana=1.20秒とすると、図8に示したグラフが得られる。グラフ中には、従来の1画素順次測定方法を採用した場合、2−3画素同時測定検査を採用した場合、及び3−4画素同時測定検査を採用した場合における検査時間の不良画素数依存性がそれぞれ示されている。 For example, when XGA is inspected, if Tscan = 4.67 seconds, Tmode = 0.10 seconds, and Tana = 1.20 seconds, the graph shown in FIG. 8 is obtained. The graph shows the dependence of the inspection time on the number of defective pixels when the conventional one-pixel sequential measurement method is employed, when the 2-3 pixel simultaneous measurement inspection is employed, and when the 3-4 pixel simultaneous measurement inspection is employed. Are shown respectively.
このグラフから明らかなように、図5に示したような検査時間の逆転現象は起こらない。最初の検査で不良画素が全く存在しないと判明した場合、再検査は行わない。そのため、この場合の検査時間は最初の検査に要する時間だけとなり、1個でも不良画素が存在する場合に比べて極端に短くなる。 As is apparent from this graph, the reversal phenomenon of the inspection time as shown in FIG. 5 does not occur. If it is determined at the first inspection that there are no defective pixels, the re-inspection is not performed. Therefore, the inspection time in this case is only the time required for the first inspection, and is extremely short compared to the case where even one defective pixel exists.
2.3.片側2画素同時測定方法
図9(a)及び(b)に示すように、最初の検査で2画素同時測定方法を実施し、不良画素の存在が判明した場合、図9(c)に示すように、再検査でアレイ基板10の前半又は後半のみについて再び2画素同時測定方法を実施してもよい。前半又は後半の一方に不良画素が存在すれば、その画素のアドレスを特定すればよく、不良画素が存在しなければ、当該他方の画素のアドレスを特定すれば足りるからである。詳細は次の通り。
2.3. One-side two-pixel simultaneous measurement method As shown in FIGS. 9A and 9B, when the two-pixel simultaneous measurement method is performed in the first inspection and the existence of a defective pixel is found, as shown in FIG. 9C. In addition, the two-pixel simultaneous measurement method may be performed again only for the first half or the second half of the
(1)アレイ基板10の前半をさらに半分に分割する。具体的には、前半の検査ブロック10Aを2個の検査ブロック10F及び10Gに分割する。各検査ブロック10F,10Gは、225本の走査信号線2を含む。
(1) The first half of the
(2)各検査ブロック10F,10Gから1本ずつ合計2本の走査信号線2を選択する。
(2) A total of two
(3)選択した2本の走査信号線2を同時に検査する。具体的には、検査ブロック10Fにおいて1本の走査信号線2を駆動すると同時に、検査ブロック10Gにおいても1本の走査信号線2を駆動する。
(3) Two selected
(4)前半の検査ブロック10Aにおける全ての走査信号線2について上記(2)及び(3)の動作を繰り返す。具体的には、最初に1本目及び226本目の走査信号線2を同時に駆動した後、225本目及び450本目の走査信号線2まで順番に2本ずつ駆動する。
(4) The above operations (2) and (3) are repeated for all the
本例では、図9(b)に示した2画素同時測定方法を実施した結果、図7(a)に示すように250本目及び700本目の走査信号線2上の2個の画素3Cが不良候補として挙げられるが、図9(c)に示した2画素同時測定方法を再び実施した結果、前半には不良画素が存在しないことが判明する。その結果、後半の700本目の走査信号線2上の画素3Cを不良と判別する。したがって、不良画素3Dのアドレスを特定できる。
In this example, as a result of performing the two-pixel simultaneous measurement method shown in FIG. 9B, the two
この片側2画素同時測定方法よれば、最初の検査でも再検査でも同じ2画素同時測定方法を採用しているため、安定した検査結果が得られる。 According to this one-side two-pixel simultaneous measurement method, the same two-pixel simultaneous measurement method is adopted for the initial inspection and the re-inspection, so that a stable inspection result can be obtained.
2.4.不良候補画素個別測定方法及び複数画素同時測定方法の切替方法
実際のアレイ基板10では不良画素の数は0〜5個の場合が多い。不良画素の数が少ない場合、不良アドレス特定方法として不良候補画素個別測定方法を採用する方が複数画素同時測定方法を採用するよりも検査時間が短くなる。そのため、不良画素の数が少ない場合は不良アドレス特定方法を不良候補画素個別測定方法に切り替え、不良画素の数が多い場合は不良アドレス特定方法を複数画素同時測定方法に切り替えるようにしてもよい。この方法は、たとえば図10に示すようなソフトウエアで実現することができる。
2.4. Defect candidate individual pixel measurement method and switching method of multiple pixel simultaneous measurement method In the
(1)最初の検査で行った複数画素同時測定方法の結果に基づいて不良画素の数をカウントする(S1)。 (1) The number of defective pixels is counted based on the result of the multiple pixel simultaneous measurement method performed in the first inspection (S1).
(2)カウントした不良画素の数が予め定められた数以上か否かを判別する(S2)。 (2) It is determined whether or not the number of counted defective pixels is equal to or greater than a predetermined number (S2).
(3)カウントした不良画素の数が予め定められた数よりも少ない場合、上述した不良候補画素個別測定方法を実施することにより不良画素のアドレスを個別に特定する(S3)。 (3) When the number of counted defective pixels is smaller than a predetermined number, the defective pixel address is individually specified by performing the above-described defective candidate pixel individual measurement method (S3).
(4)カウントした不良画素の数が予め定められた数以上の場合、同時に測定する画素の数を変更した上で再び複数画素同時測定方法を実施する(S4)。 (4) If the number of counted defective pixels is greater than or equal to a predetermined number, the number of simultaneously measured pixels is changed, and the multiple pixel simultaneous measurement method is performed again (S4).
(5)最初の検査で行った複数画素同時測定方法の結果と、再検査で行った複数画素同時測定方法の結果とに基づいて共通するアドレスを不良画素のアドレスとしてを特定する(S5)。 (5) Based on the result of the multiple pixel simultaneous measurement method performed in the first inspection and the result of the multiple pixel simultaneous measurement method performed in the retest, the common address is specified as the address of the defective pixel (S5).
図11のグラフ中には、従来の1画素順次測定方法を採用した場合と、最初の検査に2画素同時測定方法を採用しかつ不良アドレス特定方法として再検査に不良候補画素個別測定方法及び3画素同時測定方法の切替方法を採用した場合における検査時間の不良画素数依存性がそれぞれ示されている。 In the graph of FIG. 11, when the conventional one-pixel sequential measurement method is adopted, the two-pixel simultaneous measurement method is adopted for the first inspection, and the defective candidate pixel individual measurement method and 3 for the re-examination as the defective address specifying method. The dependency of the inspection time on the number of defective pixels when the switching method of the simultaneous pixel measurement method is employed is shown.
不良アドレス特定方法を不良候補画素個別測定方法及び複数画素同時測定方法に切り替えるのに適した不良アドレスの数は、不良画素の数と検査時間の関係式から求められる。たとえば不良画素の数が7個以上の場合、不良アドレス特定方法を3画素同時測定方法に切り替える。 The number of defective addresses suitable for switching the defective address specifying method to the defective candidate pixel individual measuring method and the multiple pixel simultaneous measuring method can be obtained from the relational expression between the number of defective pixels and the inspection time. For example, when the number of defective pixels is 7 or more, the defective address identification method is switched to the three-pixel simultaneous measurement method.
[検査装置]
以上、検査方法を説明したが、次にこの検査方法を実現するための検査装置の例を説明する。
[Inspection equipment]
The inspection method has been described above. Next, an example of an inspection apparatus for realizing the inspection method will be described.
一般にアレイテスタと呼ばれる周知の検査装置は、図1に示した走査信号線駆動回路8を備える。走査信号線駆動回路8は、一般に図12に示すように、クロック発生器81と、ゲートアドレスカウンタ82と、ゲートドライバ83とを備える。クロック発生器81はクロック信号CKを発生し、ゲートアドレスカウンタ82及びゲートドライバ83に与える。ゲートアドレスカウンタ82は、駆動すべき走査信号線を特定するためのゲートアドレスを発生する。ゲートドライバ83はシフトレジスタ(図示せず)及び複数のトランジスタ(図示せず)を含み、ゲートアドレスに応じて入力されたスタート信号をシフトレジスタによりシフトさせ、トランジスタにより走査信号線を駆動する。
A known inspection apparatus generally called an array tester includes the scanning signal
たとえば1280×1024画素のSXGA(Super eXtended Graphics Array)は1024本の走査信号線を有するので、1本目の走査信号線と513本目の走査信号線とが同時に駆動されるように、図13に示したタイミングでスタート信号STが入力される。スタート信号STはゲートアドレスに応じてゲートドライバ83内のシフトレジスタに入力され、シフトレジスタ内でクロック信号CKに応じてシフトする。その結果、走査信号G1〜G1024(G515以降は図示せず)がゲートドライバ83から走査信号線に与えられる。本例では、時刻Ttest以降で2本の走査信号線が同時に駆動される。
For example, since a 1280 × 1024 pixel SXGA (Super eXtended Graphics Array) has 1024 scanning signal lines, the first scanning signal line and the 513th scanning signal line are driven simultaneously as shown in FIG. The start signal ST is input at the same timing. The start signal ST is input to the shift register in the
図14に示すように、切り替え可能な4個のゲートドライバ831〜834を用いてもよい。ゲートドライバ831〜834の各々は、256ビットのシフトレジスタ(図示せず)を含む。2画素同時測定方法を実施する場合は、2個のスイッチ835及び836をともにオンにし、ゲートドライバ831及び833の各第1ビットにスタート信号STを入力すればよい。ゲートドライバ831に入力されたスタート信号STはゲートドライバ831及び832内でシフトし、その結果、アレイ基板の前半にある走査信号線が順番に駆動される。同時に、ゲートドライバ833に入力されたスタート信号STはゲートドライバ833及び834内でシフトし、その結果、アレイ基板の後半にある走査信号線が順番に駆動される。また、アレイ基板の前半のみを選択する場合は、スイッチ835をオンにし、スイッチ836をオフにすればよい。アレイ基板の後半のみを選択する場合は、スイッチ835をオフにし、スイッチ836をオンにすればよい。
As shown in FIG. 14, four
上記のようにゲートドライバを用いる必要は必ずしもなく、所望の1又は2以上の走査信号線を駆動できさえすれば、いかなるハードウエアを用いてもよい。 It is not always necessary to use a gate driver as described above, and any hardware may be used as long as it can drive one or more desired scanning signal lines.
上記では不良アドレス特定方法として4つの方法を例示したが、他の方法を採用してもよい。 In the above, four methods are exemplified as the defective address specifying method, but other methods may be adopted.
上述した2画素同時測定方法は、図15に示すように、まず2個の画素にデータ信号DTを書き込むために、データ信号DTが与えられている間に走査信号G1及びG513を同時に活性化する。次に2個の画素からデータ信号DTを読み出すために、走査信号G1及びG513を同時に活性化する。読み出されたデータ信号DTは積分され、その2画素分の電荷量が測定される。 In the two-pixel simultaneous measurement method described above, as shown in FIG. 15, first, the scanning signals G1 and G513 are simultaneously activated while the data signal DT is applied in order to write the data signal DT to the two pixels. . Next, in order to read the data signal DT from the two pixels, the scanning signals G1 and G513 are simultaneously activated. The read data signal DT is integrated, and the charge amount for the two pixels is measured.
これに対し、もう1つの不良アドレス特定方法は、最初の検査として2画素同時測定方法を実施するときに、図16に示すように、まず2個の画素にデータ信号DTを書き込むために、データ信号DTが与えられている間に走査信号G1及びG513を順番に1つずつ活性化する。次に2個の画素からデータ信号DTを読み出すために、走査信号G1及びG513を順番に1つずつ活性化する。そうすることにより、最初に1つ目の画素からデータ信号DTが読み出され、次に2つ目の画素からデータ信号DTが読み出される。これらのデータ信号DTは連続して積分される。したがって、時刻T1でその積分値を取得すれば1画素分の電荷量を測定できる。時刻T2でその積分値を取得すれば2画素分の電荷量を測定できる。 On the other hand, in another defective address specifying method, when the two-pixel simultaneous measurement method is performed as the first inspection, the data signal DT is first written to the two pixels as shown in FIG. While the signal DT is applied, the scanning signals G1 and G513 are sequentially activated one by one. Next, in order to read out the data signal DT from the two pixels, the scanning signals G1 and G513 are activated one by one in order. By doing so, first, the data signal DT is read from the first pixel, and then the data signal DT is read from the second pixel. These data signals DT are continuously integrated. Therefore, if the integral value is acquired at time T1, the charge amount for one pixel can be measured. If the integral value is acquired at time T2, the charge amount for two pixels can be measured.
最初の検査では、上述した通り、測定した2画素分の電荷量に基づいて2画素の良否をまとめて判定する。再検査では、不良と判定された2画素のみを対象とし、測定した1画素分の電荷量に基づいてその1画素の良否を判定する。このように2画素のうちどちらが不良かを判定することで、不良画素のアドレスを特定できる。そのため、上述した4つのアドレス特定方法のように、アレイ基板を再スキャンする必要がない。 In the first inspection, as described above, the quality of the two pixels is collectively determined based on the measured charge amount for the two pixels. In the re-inspection, only two pixels determined to be defective are targeted, and the quality of the one pixel is determined based on the measured charge amount for one pixel. Thus, by determining which of the two pixels is defective, the address of the defective pixel can be specified. Therefore, it is not necessary to rescan the array substrate as in the four address identification methods described above.
この不良アドレス特定方法を実現するための検査装置は、図17に示すように、各データ信号線1に接続される2個のサンプルホールド(S&H)回路11及び12を備える。サンプルホールド回路11は、走査信号G1が不活性化されたる時刻T1で1画素分の電荷量をサンプリングしかつホールドする。サンプルホールド回路12は、走査信号G513が不活性化される時刻T2で2画素分の電荷量をサンプリングしかつホールドする。1画素分の電荷量データ及び2画素分の電荷量データはともにメモリ13に蓄積される。最初の検査である2画素同時測定方法では、2画素分の電荷量データのみがPCに転送され、これに基づいて良否が判定される。そして、2画素の中から不良画素のアドレスを特定するときに初めて、残りの1画素分の電荷量データもPCに転送される。
As shown in FIG. 17, the inspection apparatus for realizing this defective address specifying method includes two sample and hold (S & H)
現行のアレイテスタは、書込及び読出サイクルとして一定時間を確保しているため、その時間内であれば2本の走査信号線2を1本ずつ駆動しても検査時間が長くなることはない。また、測定した2画素分の電荷量のみをPCに転送し、良否を判定するため、電荷量の測定時間が上記の場合よりも長くなることはない。
Since the current array tester secures a fixed time as a writing and reading cycle, the inspection time does not increase even if the two
図16に示したタイミングで走査信号線を駆動するのが理想的であるが、実際には走査信号線とデータ信号線との間の容量結合で、図18に示すように走査信号G1の不活性化時T1にデータ信号DTにノイズが入る場合がある。このようなノイズが入ると、電荷量の測定値が不安定になる。 It is ideal to drive the scanning signal line at the timing shown in FIG. 16, but in actuality, due to capacitive coupling between the scanning signal line and the data signal line, as shown in FIG. Noise may enter the data signal DT at the time of activation T1. When such noise enters, the measured value of the charge amount becomes unstable.
そこで、このようなノイズを除外するためには、図19に示すように、走査信号G513を活性化した後も走査信号G1を活性化し続ければよい。この場合、時刻T1でサンプリングされかつホールドされた1画素分の電荷量には走査信号線とデータ信号線との間の結合容量も含まれることになる。しかし、最初の検査である2画素同時測定方法は測定した電荷量を周辺の数画素で測定した電荷量と比較するので、良否の判定精度は確保される。 Therefore, in order to exclude such noise, as shown in FIG. 19, the scanning signal G1 may be continuously activated even after the scanning signal G513 is activated. In this case, the amount of charge for one pixel sampled and held at time T1 includes the coupling capacitance between the scanning signal line and the data signal line. However, since the two-pixel simultaneous measurement method, which is the first inspection, compares the measured charge amount with the charge amount measured at several neighboring pixels, the accuracy of pass / fail judgment is ensured.
この検査方法は2本の走査信号線を同時に駆動していないが、2画素の電荷量をまとめて測定しているのであるから、2本の走査信号線を同時に検査していることに変わりはない。 This inspection method does not drive two scanning signal lines at the same time. However, since the charge amount of two pixels is measured together, the two scanning signal lines are simultaneously inspected. Absent.
上記では画素のスイッチング素子としてTFTのような3端子素子を用いたアレイ基板を例示したが、ダイオードのような2端子を用いたアレイ基板にも本発明は適用可能である。また、アクティブマトリクス型に限らず、単純マトリクス型液晶表示装置にも適用にも本発明は適用可能である。さらに、液晶表示装置に限定されることなく、複数の信号線を有するアレイ基板であれば本発明は適用可能である。 In the above, an array substrate using a three-terminal element such as a TFT as a pixel switching element has been exemplified, but the present invention can also be applied to an array substrate using two terminals such as a diode. Further, the present invention can be applied not only to the active matrix type but also to a simple matrix type liquid crystal display device. Further, the present invention is not limited to the liquid crystal display device and can be applied to any array substrate having a plurality of signal lines.
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。 While the embodiments of the present invention have been described above, the above-described embodiments are merely examples for carrying out the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be implemented by appropriately modifying the above-described embodiment without departing from the spirit thereof.
本発明は、複数の信号線を有するアレイ基板の検査に利用可能で、特にアクティブマトリクス型液晶表示装置のアレイ基板の検査に利用可能である。 The present invention can be used for inspection of an array substrate having a plurality of signal lines, and in particular, can be used for inspection of an array substrate of an active matrix liquid crystal display device.
1 データ信号線
2 走査信号線
3 画素
4 検出回路
7 データ信号線駆動回路
8 走査信号線駆動回路
10 アレイ基板
10A〜10G 検査ブロック
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記走査信号線のうちN1(2以上の整数)本の走査信号線を駆動する駆動手段と、
前記N1本の走査信号線の駆動により対応するN1個の素子から前記データ信号線の各々に読み出されたデータ信号を検出する検出手段とを備え、
前記駆動手段は、前記N 1 個の素子から読み出されたデータ信号が前記検出手段により検出された後に、前記走査信号線のうちN2(N1と異なる2以上の整数)本の走査信号線を駆動し、
前記N 1 本の走査信号線と前記N 2 本の走査信号線とは共通する走査信号線を有し、
前記検出手段は、前記N2本の走査信号線の駆動により対応するN2個の素子から前記データ信号線の各々に読み出されたデータ信号を検出し、
前記駆動手段による前記N 1 本の走査信号線の駆動と、前記検出手段による前記N 1 個の素子から読み出されたデータ信号の検出とにより前記N 1 本の走査信号線が同時に検査され、
前記駆動手段による前記N 2 本の走査信号線の駆動と、前記検出手段による前記N 2 個の素子から読み出されたデータ信号の検出とにより前記N 2 本の走査信号線が同時に検査されることを特徴とするアレイ基板の検査装置。 An inspection apparatus for inspecting an array substrate having a plurality of data signal lines, a plurality of scanning signal lines intersecting the data signal lines, and a plurality of elements corresponding to intersections of the data signal lines and the scanning signal lines. And
Drive means for driving N 1 (an integer greater than or equal to 2) scanning signal lines among the scanning signal lines;
Detecting means for detecting data signals read from the corresponding N 1 elements to the respective data signal lines by driving the N 1 scanning signal lines;
The driving means detects N 2 (two or more integers different from N 1 ) scanning signals among the scanning signal lines after the data signals read from the N 1 elements are detected by the detecting means. Drive the line,
The N 1 scanning signal lines and the N 2 scanning signal lines have a common scanning signal line,
It said detecting means detects a data signal read out to each of said data signal lines from the corresponding N 2 pieces of element by driving the N 2 scanning signal lines,
The N one scanning signal lines are simultaneously inspected by driving the N one scanning signal lines by the driving means and detecting a data signal read from the N one elements by the detecting means ,
The N 2 scanning signal lines are simultaneously inspected by driving the N 2 scanning signal lines by the driving unit and detecting a data signal read from the N 2 elements by the detecting unit. An inspection apparatus for an array substrate.
前記走査信号線のうち2本の走査信号線を駆動する駆動手段と、
前記2本の走査信号線の駆動により対応する2個の素子から前記データ信号線の各々に読み出されたデータ信号を検出する検出手段とを備え、
前記駆動手段は、前記2個の素子から読み出されたデータ信号が前記検出手段により検出された後に、駆動した2本の走査信号線のうち一方を再駆動し、他方を再駆動せず、
前記検出手段は、前記一方の走査信号線の再駆動により対応する1個の素子から前記データ信号線の各々に読み出されたデータ信号を検出し、
前記駆動手段による前記2本の走査信号線の駆動と、前記検出手段による前記2個の素子から読み出されたデータ信号の検出とにより前記2本の走査信号線が同時に検査され、
前記駆動手段による前記一方の走査信号線の再駆動と、前記検出手段による前記1個の素子から読み出されたデータ信号の検出とにより前記一方の走査信号線が再検査されることを特徴とするアレイ基板の検査装置。 An inspection apparatus for inspecting an array substrate having a plurality of data signal lines, a plurality of scanning signal lines intersecting the data signal lines, and a plurality of elements corresponding to intersections of the data signal lines and the scanning signal lines. And
Driving means for driving two of the scanning signal lines;
Detecting means for detecting a data signal read to each of the data signal lines from two corresponding elements by driving the two scanning signal lines;
The drive means re-drives one of the two driven scanning signal lines after the data signal read from the two elements is detected by the detection means , and does not re-drive the other,
The detecting means detects a data signal read to each of the data signal lines from one corresponding element by re- driving the one scanning signal line ,
The two scanning signal lines are simultaneously inspected by driving the two scanning signal lines by the driving unit and detecting a data signal read from the two elements by the detecting unit,
The one scanning signal line is re-inspected by re-driving the one scanning signal line by the driving unit and detecting a data signal read from the one element by the detecting unit. Array substrate inspection device.
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