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JP5333362B2 - Semiconductor device and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To realize stable joining of a resin sheet and a lead frame by preventing molding resin and/or bubbles from intruding between both of them, in a semiconductor device formed by sealing a material in which the lead frame, a conductive joint material and a semiconductor chip are laminated sequentially on the resin sheet with the molding resin. <P>SOLUTION: A manufacturing method of the semiconductor device comprises the steps of: using a resin sheet 10 formed of thermosetting resin; using thermosetting silver paste 30 for heating and curing as the conductive joint material; and sequentially laminating a lead frame 20, silver paste 30 in an uncured state and a semiconductor chip 40 on the resin sheet 10 in an uncured state. The method further comprises the steps of: pressing, in a laminate portion with which these four components 10-40 overlap, the laminate portion with a load from the top face of the semiconductor chip 40 to deform the resin sheet 10 so as to be crushed in the laminating direction; after that, heating the resin sheet 10 and the silver paste 30 to complete the curing of the resin sheet 10 and the silver paste 30 and to join the components at the laminate portion; and succeedingly sealing them with molding resin 50. <P>COPYRIGHT: (C)2012,JPO&amp;INPIT

Description

本発明は、樹脂シート上にリードフレーム、導電性接合部材、半導体チップを順次積層したものを、モールド樹脂で封止してなる半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device in which a lead frame, a conductive bonding member, and a semiconductor chip are sequentially laminated on a resin sheet and sealed with a mold resin.

従来より、樹脂シート上にリードフレーム、はんだ等の導電性接合部材、半導体チップを順次積層したものを、モールド樹脂で封止してなる半導体装置として、たとえば特許文献１に記載のものが提案されている。このような半導体装置の製造方法としては、一般に、以下の３つの方法が採用されていた。   Conventionally, for example, a semiconductor device described in Patent Document 1 is proposed as a semiconductor device in which a lead frame, a conductive joining member such as solder, and a semiconductor chip are sequentially laminated on a resin sheet and sealed with a mold resin. ing. In general, the following three methods have been adopted as a method for manufacturing such a semiconductor device.

第１の方法としては、金型に樹脂シートを設置し、そこに半導体チップを接合したリードフレームを搭載し、モールド樹脂の封止により、リードフレームと樹脂シートとの接合を得るものである。   As a first method, a resin sheet is set on a mold, a lead frame having a semiconductor chip bonded thereto is mounted thereon, and the bonding between the lead frame and the resin sheet is obtained by sealing the mold resin.

第２の方法としては、事前にリードフレーム上に半導体チップをはんだ付け等によって固定しておき、金型内に樹脂シート、リードフレームの順で設置してモールド時に、半導体チップ以外の部位にてリードフレームをピンで押さえながら成型することで、リードフレームと樹脂シート間の接合を得るものである。   As a second method, the semiconductor chip is fixed on the lead frame by soldering in advance, and the resin sheet and the lead frame are placed in the mold in this order, and at the part other than the semiconductor chip during molding. The lead frame and the resin sheet are joined by molding while holding the lead frame with pins.

第３の方法としては、モールド直前に、半導体チップを接合したリードフレームとＢステージ状態の樹脂シートとを仮固定し、モールド時に、半導体チップ以外の部位にてリードフレームをピンで押さえて成型することで、リードフレームと樹脂シート間の接合を得るものである。   As a third method, immediately before molding, a lead frame to which a semiconductor chip is bonded and a B-stage resin sheet are temporarily fixed, and at the time of molding, the lead frame is pressed with a pin at a portion other than the semiconductor chip and molded. Thus, the bonding between the lead frame and the resin sheet is obtained.

特開２００８−４９７１号公報JP 2008-4971 A

しかしながら、上記した従来の製造方法では、以下のような問題が生じる。図１１は、本発明者が従来技術に基づいて試作した半導体装置を示す図であり、（ａ）は全体概略断面図、（ｂ）は（ａ）中のＥ部の拡大図である。この図１１を参照して、当該問題を説明することとする。なお、ここでは、樹脂シート１０のリードフレーム２０との接合面とは反対側の面には、樹脂シート１０の貼り付け防止のため、銅箔１１が貼り付けられている。   However, the above-described conventional manufacturing method has the following problems. 11A and 11B are diagrams showing a semiconductor device prototyped by the inventor based on the prior art, in which FIG. 11A is an overall schematic cross-sectional view, and FIG. 11B is an enlarged view of an E portion in FIG. The problem will be described with reference to FIG. Here, the copper foil 11 is affixed to the surface of the resin sheet 10 opposite to the surface where the resin sheet 10 is bonded to the lead frame 20 to prevent the resin sheet 10 from being affixed.

まず、上記従来の第１の方法では、モールド時には、リードフレーム２０と樹脂シート１０とが接合されていないため、樹脂シート１０とリードフレーム２０との間にモールド樹脂や気泡が入り込み、放熱性を阻害したり、樹脂シート１０部分が下面に押し出されたような状態で膨れてしまうといった問題が生じる。   First, in the first conventional method, since the lead frame 20 and the resin sheet 10 are not joined at the time of molding, mold resin or bubbles enter between the resin sheet 10 and the lead frame 20 to improve heat dissipation. There arises a problem that the resin sheet 10 is hindered or swells in a state where the resin sheet 10 is pushed out to the lower surface.

また、上記従来の第２の方法および第３の方法では、半導体チップ４０以外の部位にてリードフレーム２０を図示しないピンで押さえるため、ピンの加重制御を誤ると、半導体チップ４０の直下のリードフレーム２０が浮いて樹脂シート１０と離れてしまい、リードフレーム２０と樹脂シート１０との接合が不安定になる。また、モールド時にピンを使用するため、ピンの洗浄等のメンテナンスが必要となる。   In the second and third conventional methods described above, the lead frame 20 is pressed by a pin (not shown) at a portion other than the semiconductor chip 40, so that if the weight control of the pin is wrong, the lead directly under the semiconductor chip 40 is used. The frame 20 floats away from the resin sheet 10 and the bonding between the lead frame 20 and the resin sheet 10 becomes unstable. Further, since pins are used at the time of molding, maintenance such as pin cleaning is required.

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、樹脂シート上にリードフレーム、導電性接合部材、半導体チップを順次積層したものを、モールド樹脂で封止してなる半導体装置において、樹脂シートとリードフレームとの間にモールド樹脂や気泡が入り込むのを防止して、これら両者の安定した接合を実現することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above problems, and in a semiconductor device in which a lead frame, a conductive bonding member, and a semiconductor chip are sequentially laminated on a resin sheet and sealed with a mold resin, the resin sheet An object of the present invention is to prevent mold resin and air bubbles from entering between the lead frame and the lead frame, and to realize stable bonding between them.

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明においては、樹脂シート（１０）として加熱により硬化する熱硬化性樹脂よりなるものを用い、導電性接合部材（３０）に加熱により硬化するペースト材料を用い、未硬化状態にある樹脂シート（１０）上にリードフレーム（２０）、未硬化状態にある導電性接合部材（３０）、半導体チップ（４０）を順次積層し、樹脂シート（１０）、リードフレーム（２０）、導電性接合部材（３０）、半導体チップ（４０）が、その積層方向にて重なり合っている積層部にて、半導体チップ（４０）の上面から当該積層部に荷重を加えて加圧し、当該加圧によって樹脂シート（１０）を積層方向に押し潰すように変形させた後、未硬化状態にある樹脂シート（１０）および導電性接合部材（３０）を加熱して、これら両部材（１０、３０）の硬化を完了させることにより、積層部における各部材間の接合を行い、続いて、モールド樹脂（５０）による封止を行うことを特徴とする。   In order to achieve the above object, in the invention according to claim 1, a paste made of a thermosetting resin that is cured by heating is used as the resin sheet (10), and the conductive bonding member (30) is cured by heating. Using the materials, a lead frame (20), an uncured conductive bonding member (30), and a semiconductor chip (40) are sequentially laminated on an uncured resin sheet (10) to form a resin sheet (10). The lead frame (20), the conductive bonding member (30), and the semiconductor chip (40) apply a load to the stacked portion from the upper surface of the semiconductor chip (40) at the stacked portion where the semiconductor chip (40) overlaps in the stacking direction. The resin sheet (10) is deformed so as to be crushed in the laminating direction by the pressurization, and then the uncured resin sheet (10) and the conductive bonding member (30) are added. And, by completing the cure of these two members (10, 30), the junction between the respective members in the laminated unit, subsequently, and performing sealing with the mold resin (50).

それによれば、未硬化の導電性接合部材（３０）を介して半導体チップ（４０）上から加圧を行うので、半導体チップ（４０）下の軟らかい導電性接合部材（３０）が加圧時の半導体チップ（４０）に対する機械的衝撃を吸収する。そして、樹脂シート（１０）、リードフレーム（２０）、導電性接合部材（３０）、半導体チップ（４０）の接合を完了させた状態で、このものをモールド樹脂（５０）で封止するので、モールド時に従来のような押さえピンが不要となる。   According to this, since pressure is applied from above the semiconductor chip (40) via the uncured conductive bonding member (30), the soft conductive bonding member (30) under the semiconductor chip (40) is pressed. Absorbs mechanical shocks to the semiconductor chip (40). Since the resin sheet (10), the lead frame (20), the conductive bonding member (30), and the semiconductor chip (40) are completely bonded, this is sealed with the mold resin (50). A conventional pressing pin is not required at the time of molding.

よって、樹脂シート（１０）とリードフレーム（２０）との間にモールド樹脂（５０）や気泡が入り込むのを防止して、これら両者（１０、２０）の安定した接合を実現することができる。   Therefore, it is possible to prevent the molding resin (50) and air bubbles from entering between the resin sheet (10) and the lead frame (20), and to realize stable bonding between the two (10, 20).

ここで、積層工程では、未硬化状態にある樹脂シート（１０）上にリードフレーム（２０）、未硬化状態にある銀ペースト（３０）、半導体チップ（４０）を、すべて一括して積層してもよいが、請求項２に記載の発明のように、未硬化状態にある樹脂シート（１０）上にリードフレーム（２０）を積層した後、いったんリードフレーム（２０）の上面から加圧してリードフレーム（２０）と樹脂シート（１０）とを仮止めし、続いて、リードフレーム（２０）の上に未硬化状態にある導電性接合部材（３０）、半導体チップ（４０）を順次積層するようにしてもよい。   Here, in the lamination step, the lead frame (20), the uncured silver paste (30), and the semiconductor chip (40) are all laminated together on the uncured resin sheet (10). However, as in the invention described in claim 2, after the lead frame (20) is laminated on the uncured resin sheet (10), the lead frame (20) is pressed once from the upper surface of the lead frame (20). The frame (20) and the resin sheet (10) are temporarily fixed, and then the conductive bonding member (30) and the semiconductor chip (40) in an uncured state are sequentially stacked on the lead frame (20). It may be.

それによれば、樹脂シート（１０）とリードフレーム（２０）との位置決めが容易に行えるとともに、これら両者（１０、２０）をいったん仮止めするから、その上に半導体チップ（４０）を積層するときに、樹脂シート（１０）とリードフレーム（２０）との位置
ずれが発生しにくくなる利点がある。 According to this, since positioning of the resin sheet (10) and the lead frame (20) can be easily performed, and both of these (10, 20) are temporarily fixed, when the semiconductor chip (40) is laminated thereon, And the positions of the resin sheet (10) and the lead frame (20).
There is an advantage that deviation is less likely to occur.

ここで、請求項３に記載の発明のように、請求項２の製造方法において、樹脂シート（１０）としてリードフレーム（２０）側の面とは反対側の面に金属箔（１１）が貼り付けられているものを用いた場合には、リードフレーム（２０）と樹脂シート（１０）との仮止め後における樹脂シート（１０）の長さ１ｍｍあたりの反り量を５．８μｍ以下とすることが好ましい。   Here, as in the invention described in claim 3, in the manufacturing method of claim 2, the metal foil (11) is attached to the surface opposite to the surface on the lead frame (20) side as the resin sheet (10). When the attached one is used, the amount of warpage per 1 mm length of the resin sheet (10) after temporary fixing between the lead frame (20) and the resin sheet (10) should be 5.8 μm or less. Is preferred.

このように金属箔（１１）がある場合は、金属箔（１１）の加工癖により、金属箔（１１）に反りが生じる。また、仮止め時の熱履歴によって、樹脂シート（１０）が硬化収縮し、金属箔（１１）付きの樹脂シート（２０）は、初期より反りが増大する。このような反りが生じた樹脂シート（１０）に、その後、半導体チップ（４０）を積層し加圧すると、リードフレーム（２０）のエッジ部分に負荷が集中し、樹脂シート（１０）にクラックが生じ、耐圧が低下することがある。特に仮止め時の熱履歴によって，硬化が進み硬くなった樹脂シート（１０）では、この耐圧低下が顕著に現れる。   When there is a metal foil (11) in this way, warpage occurs in the metal foil (11) due to the processing flaw of the metal foil (11). Moreover, the resin sheet (10) cures and shrinks due to the heat history at the time of temporary fixing, and the warp of the resin sheet (20) with the metal foil (11) increases from the initial stage. Then, when the semiconductor chip (40) is laminated and pressed on the warped resin sheet (10), the load concentrates on the edge portion of the lead frame (20), and the resin sheet (10) is cracked. May occur and the withstand voltage may decrease. In particular, in the resin sheet (10) that has been hardened and hardened due to the heat history at the time of temporary fixing, this reduction in pressure resistance is noticeable.

そこで、本発明者は、後述する図６に示されるように、仮止め後の樹脂シート（１０）の反り量を調べ、耐圧低下を極力防止可能な反り量の範囲を調べた。それによれば、仮止め後における樹脂シート（１０）の長さ１ｍｍあたりの反り量を５．８μｍ以下とすれば、耐圧低下の抑制に好ましいことがわかった。また、この場合、金属箔（１１）として銅箔を用いる場合の厚さは１０５μｍ以下が好ましいこともわかった。   Therefore, as shown in FIG. 6 to be described later, the present inventor examined the amount of warpage of the resin sheet (10) after temporary fixing, and examined the range of the amount of warpage that can prevent the pressure-resistant decrease as much as possible. According to this, it was found that if the amount of warpage per 1 mm length of the resin sheet (10) after temporary fixing is 5.8 μm or less, it is preferable for suppressing the decrease in pressure resistance. Moreover, it turned out that the thickness in the case of using copper foil as a metal foil (11) is 105 micrometers or less in this case.

また、請求項４に記載の発明のように、請求項１〜３に記載の製造方法においては、積層部の加圧工程では、積層部において半導体チップ（４０）の上面のみに加圧用治具（１００）を接触させ、加圧用治具（１００）から半導体チップ（４０）を介して積層部への加圧を行うものにできる。   In the manufacturing method according to any one of claims 1 to 3, as in the invention according to claim 4, in the pressurizing step of the stacked portion, the pressing jig is applied only to the upper surface of the semiconductor chip (40) in the stacked portion. (100) is brought into contact with the laminated part through the semiconductor chip (40) from the pressing jig (100).

また、請求項５に記載の発明では、請求項１〜３に記載の製造方法において、導電性接合部材として銀ペースト（３０）を用いるものであり、半導体チップ（４０）の下方にて銀ペースト（３０）を、半導体チップ（４０）の外郭よりも内側に位置させるように配置し、樹脂シート（１０）およびリードフレーム（２０）は、半導体チップ（４０）よりも平面サイズが大きく半導体チップ（４０）の外郭よりはみ出しているものとする。   Moreover, in invention of Claim 5, in the manufacturing method of Claims 1-3, a silver paste (30) is used as an electroconductive joining member, A silver paste is provided under a semiconductor chip (40). (30) is arranged so as to be located inside the outline of the semiconductor chip (40), and the resin sheet (10) and the lead frame (20) have a larger planar size than the semiconductor chip (40). 40) It protrudes from the outline.

さらに、請求項５の製造方法では、積層部の加圧工程では、積層部において半導体チップ（４０）の上面に第１の加圧用治具（１１０）を接触させて、第１の加圧用治具（１１０）によって半導体チップ（４０）を積層方向に加圧するとともに、半導体チップ（４０）の外側に位置するリードフレーム（２０）の上面に第２の加圧用治具（１２０）を接触させるとともに、第２の加圧用治具（１２０）と銀ペースト（３０）とを非接触の状態とし、第２の加圧用治具（１２０）によってリードフレーム（２０）を積層方向に加圧することを特徴とする。   Furthermore, in the manufacturing method of claim 5, in the pressurizing step of the stacked portion, the first pressurizing jig (110) is brought into contact with the upper surface of the semiconductor chip (40) in the stacked portion, thereby the first pressurizing jig. The tool (110) presses the semiconductor chip (40) in the stacking direction, and the second pressing jig (120) is brought into contact with the upper surface of the lead frame (20) located outside the semiconductor chip (40). The second pressing jig (120) and the silver paste (30) are brought into a non-contact state, and the lead frame (20) is pressed in the stacking direction by the second pressing jig (120). And

それによれば、第１の加圧用治具（１１０）による半導体チップ（４０）の加圧だけでなく、第２の加圧用治具（１２０）により半導体チップ（４０）と重なっていないリードフレーム（２０）の部分も加圧して、当該部分が樹脂シート（１０）に押し付けられるので、より安定した接合が期待される。特に、リードフレーム（２０）の平面サイズが半導体チップ（４０）よりも大幅に大きい場合には、有効である。   According to this, not only the pressing of the semiconductor chip (40) by the first pressing jig (110) but also the lead frame (not overlapping the semiconductor chip (40) by the second pressing jig (120) ( Since the part 20) is pressurized and the part is pressed against the resin sheet (10), more stable joining is expected. This is particularly effective when the plane size of the lead frame (20) is significantly larger than that of the semiconductor chip (40).

また、請求項６に記載の発明では、請求項１〜３に記載の製造方法において、導電性接合部材として銀ペースト（３０）を用いるものであり、樹脂シート（１０）およびリードフレーム（２０）は、半導体チップ（４０）よりも平面サイズが大きく半導体チップ（４０）の外郭よりはみ出しているものであり、半導体チップ（４０）の外側に位置するリードフレーム（２０）の上面には、銀ペースト（３０）の下地膜（７０）が、当該下地膜（７０）の膜厚の分、当該上面よりも突出して設けられており、下地膜（７０）は、銀ペースト（３０）の平面サイズよりも大きく半導体チップ（４０）の外郭よりも所定長さにてはみ出しているものとする。   Moreover, in invention of Claim 6, in the manufacturing method of Claims 1-3, a silver paste (30) is used as an electroconductive joining member, A resin sheet (10) and a lead frame (20) Is larger in plane size than the semiconductor chip (40) and protrudes from the outline of the semiconductor chip (40), and a silver paste is applied to the upper surface of the lead frame (20) located outside the semiconductor chip (40). The base film (70) of (30) is provided so as to protrude from the upper surface by the thickness of the base film (70), and the base film (70) is larger than the planar size of the silver paste (30). It is assumed that it protrudes beyond the outline of the semiconductor chip (40) by a predetermined length.

さらに、請求項６の製造方法では、積層部の加圧工程では、積層部において半導体チップ（４０）の上面に第１の加圧用治具（１１０）を接触させて、第１の加圧用治具（１１０）によって半導体チップ（４０）を積層方向に加圧するとともに、半導体チップ（４０）の外側に位置するリードフレーム（２０）の上面のうち下地膜（７０）よりも外側に位置する部位に、第２の加圧用治具（１２０）を接触させ、第２の加圧用治具（１２０）によってリードフレーム（２０）を積層方向に加圧することを特徴とする。   Furthermore, in the manufacturing method of claim 6, in the pressurizing step of the stacked portion, the first pressurizing jig (110) is brought into contact with the upper surface of the semiconductor chip (40) in the stacked portion, so that the first pressurizing treatment is performed. The tool (110) pressurizes the semiconductor chip (40) in the stacking direction, and at a portion of the upper surface of the lead frame (20) located outside the semiconductor chip (40), located outside the base film (70). The second pressurizing jig (120) is brought into contact, and the lead frame (20) is pressed in the stacking direction by the second pressurizing jig (120).

それによれば、第１の加圧用治具（１１０）による半導体チップ（４０）の加圧だけでなく、第２の加圧用治具（１２０）により半導体チップ（４０）と重なっていないリードフレーム（２０）の部分も加圧して、当該部分が樹脂シート（１０）に押し付けられるので、より安定した接合が期待される。   According to this, not only the pressing of the semiconductor chip (40) by the first pressing jig (110) but also the lead frame (not overlapping the semiconductor chip (40) by the second pressing jig (120) ( Since the part 20) is pressurized and the part is pressed against the resin sheet (10), more stable joining is expected.

また、半導体チップ（４０）と重なっていないリードフレーム（２０）の部分を加圧するとき、下地膜（７０）上を加圧すると、その下地膜（７０）の膜厚分の段差により、下地膜（７０）以外の部分ではリードフレーム（２０）の上面に第２の加圧用治具（１２０）が接触せずに、第２の加圧用治具（１２０）によるリードフレーム（２０）の加圧が不十分となる。   Further, when the portion of the lead frame (20) that does not overlap the semiconductor chip (40) is pressed, when the pressure on the base film (70) is increased, the base film is caused by a step corresponding to the film thickness of the base film (70). In portions other than (70), the second pressurizing jig (120) is not in contact with the upper surface of the lead frame (20), and the lead frame (20) is pressed by the second pressurizing jig (120). Is insufficient.

その点、本発明では、その下地膜（７０）を避けて、第２の加圧用治具（１２０）とリードフレーム（２０）とを接触させて、加圧を行っているから、より安定した接合が期待される。   In that respect, in the present invention, the second pressurizing jig (120) and the lead frame (20) are brought into contact with each other while avoiding the base film (70), and pressurization is performed. Joining is expected.

また、請求項７に記載の発明では、導電性接合部材が銀ペースト（３０）である請求項５または６に記載の製造方法において、第２の加圧用治具（１２０）は、卑金属よりなるものとすることを特徴とする。   Moreover, in invention of Claim 7, an electroconductive joining member is a silver paste (30), In the manufacturing method of Claim 5 or 6, a 2nd pressurization jig | tool (120) consists of base metals. It is characterized by being.

上記請求項４または請求項５に記載の製造方法では、加圧開始時には、第２の加圧用治具（１１０）は銀ペースト（３０）と非接触の状態にあるが、加圧の進行に伴い、銀ペースト（３０）が潰れて押し拡がり、第２の加圧用治具（１２０）に接触する可能性がある。そのような場合に、第２の加圧用治具（１２０）を卑金属により構成されたものとすれば、第２の加圧用治具（１２０）と銀ペースト（３０）とが接触したとしても、これら接触した両者の融着が防止され、好ましい。   In the manufacturing method according to claim 4 or 5, the second pressing jig (110) is not in contact with the silver paste (30) at the start of pressurization. Along with this, the silver paste (30) may be crushed and expanded, and may come into contact with the second pressing jig (120). In such a case, if the second pressurizing jig (120) is made of a base metal, even if the second pressurizing jig (120) and the silver paste (30) come into contact with each other, It is preferable because fusion between the two in contact is prevented.

また、請求項８に記載の発明では、請求項６または７に記載の製造方法において、積層部の加圧工程では、第１の加圧用治具（１１０）と第２の加圧用治具（１２０）との間に、第３の加圧用治具（１３０）を配置し、この第３の加圧用治具（１３０）を、半導体チップ（４０）の外郭よりはみ出している下地膜（７０）の上面に接触させるとともに、第３の加圧用治具（１３０）と銀ペースト（３０）とを非接触の状態とし、第３の加圧用治具（１３０）によって下地膜（７０）を介してリードフレーム（２０）を積層方向に加圧することを特徴とする。   Further, in the invention according to claim 8, in the manufacturing method according to claim 6 or 7, in the pressurizing step of the laminated portion, the first pressurizing jig (110) and the second pressurizing jig ( 120), a third pressurizing jig (130) is arranged, and the third pressurizing jig (130) protrudes from the outer periphery of the semiconductor chip (40). The third pressurizing jig (130) and the silver paste (30) are brought into a non-contact state with the third pressurizing jig (130) through the base film (70). The lead frame (20) is pressurized in the stacking direction.

それによれば、さらに下地膜（７０）の部分でも、第３の加圧用治具（１３０）によってリードフレーム（２０）を樹脂シート（１０）に加圧できるから、より安定した接合が期待される。   According to this, even in the portion of the base film (70), the lead frame (20) can be pressed against the resin sheet (10) by the third pressing jig (130), so that more stable bonding is expected. .

さらに、請求項９に記載の発明では、請求項８に記載の製造方法において、第３の加圧用治具（１３０）は、卑金属よりなるものとすることを特徴とする。   Furthermore, the invention according to claim 9 is characterized in that, in the manufacturing method according to claim 8, the third pressing jig (130) is made of a base metal.

上記請求項８に記載の製造方法のように導電性接合部材が銀ペースト（３０）の場合では、加圧開始時には、第３の加圧用治具（１３０）は銀ペースト（３０）と非接触の状態にあるが、加圧の進行に伴い、銀ペースト（３０）が潰れて押し拡がり、第３の加圧用治具（１３０）に接触する可能性がある。そのような場合に、第３の加圧用治具（１３０）を卑金属により構成されたものとすれば、第３の加圧用治具（１３０）と銀ペースト（３０）とが接触したとしても、これら接触した両者の融着が防止され、好ましい。   In the case where the conductive joining member is a silver paste (30) as in the manufacturing method according to claim 8, the third pressing jig (130) is not in contact with the silver paste (30) at the start of pressing. However, as the pressurization proceeds, the silver paste (30) may be crushed and expanded, and may come into contact with the third pressurizing jig (130). In such a case, if the third pressurizing jig (130) and the silver paste (30) are in contact with each other, if the third pressurizing jig (130) is made of a base metal, It is preferable because fusion between the two in contact is prevented.

請求項１０に記載の発明では、樹脂シート（１０）上にリードフレーム（２０）、導電性接合部材（３０）、半導体チップ（４０）を順次積層したものを、モールド樹脂（５０）で封止してなる半導体装置において、導電性接合部材（３０）は導電性ペースト（３０）よりなるものであり、樹脂シート（１０）はリードフレーム（２０）よりも平面サイズが大きく、リードフレーム（２０）の外郭よりはみだしているものであり、樹脂シート（１０）のうちリードフレーム（２０）と重なり合っている部位は、リードフレーム（２０）の外郭よりはみ出している部位に比べて、当該樹脂シート（１０）内部に存在する欠陥の密度が小さいことを特徴とする。   In the invention according to claim 10, a laminate in which a lead frame (20), a conductive bonding member (30), and a semiconductor chip (40) are sequentially laminated on a resin sheet (10) is sealed with a mold resin (50). In this semiconductor device, the conductive bonding member (30) is made of a conductive paste (30), and the resin sheet (10) has a larger planar size than the lead frame (20), and the lead frame (20). The portion of the resin sheet (10) that overlaps the lead frame (20) is larger than the portion of the resin sheet (10) that protrudes from the outer frame of the lead frame (20). ) The density of defects existing inside is small.

上記請求項１の製造方法によれば、樹脂シート（１０）の方がリードフレーム（２０）よりも平面サイズが大きい場合、樹脂シート（１０）のうちリードフレーム（２０）からの加圧を受けて押し潰されるように変形した部分では、ボイド等の欠陥は大幅に低減され、リードフレーム（２０）からの加圧を受けない部分では欠陥が残るから、本発明のような構造の半導体装置ができあがる。   According to the manufacturing method of claim 1, when the planar size of the resin sheet (10) is larger than that of the lead frame (20), the resin sheet (10) receives pressure from the lead frame (20). In the portion deformed so as to be crushed, defects such as voids are greatly reduced, and in the portion not subjected to the pressure from the lead frame (20), the defect remains. It ’s done.

このように、本半導体装置は、上記請求項１の製造方法により適切に製造されたものであり、請求項１と同様に、樹脂シート（１０）とリードフレーム（２０）との間にモールド樹脂（５０）や気泡が入り込むのを防止して、これら両者（１０、２０）の安定した接合を実現することができる。   As described above, the semiconductor device is appropriately manufactured by the manufacturing method according to claim 1, and the mold resin is formed between the resin sheet (10) and the lead frame (20) as in the case of claim 1. (50) and bubbles can be prevented from entering, and stable bonding of both (10, 20) can be realized.

ここで、請求項１１に記載の発明のように、請求項１０に記載の半導体装置における導電性ペーストは銀ペーストであるものにできる。さらに、この場合、請求項１２に記載の発明のように、樹脂シート（１０）におけるリードフレーム（２０）側の面とは反対側の面には、銅箔（１１）が貼り付けられており、この銅箔（１１）の厚さは１０５μｍ以下であるものにできる。   Here, as in the invention described in claim 11, the conductive paste in the semiconductor device described in claim 10 can be a silver paste. Furthermore, in this case, as in the invention described in claim 12, the copper foil (11) is attached to the surface of the resin sheet (10) opposite to the surface on the lead frame (20) side. The thickness of the copper foil (11) can be 105 μm or less.

この銅箔（１１）の厚さを１０５μｍ以下とすることにより、上記した仮止め後における樹脂シート（１０）の長さ１ｍｍあたりの反り量を５．８μｍ以下とすることが容易に実現されるので、耐圧低下の抑制に好ましい。   By setting the thickness of the copper foil (11) to 105 μm or less, it is easily realized that the amount of warpage per 1 mm of the resin sheet (10) after temporary fixing is 5.8 μm or less. Therefore, it is preferable for suppressing the decrease in pressure resistance.

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。   In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.

（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の全体概略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ部拡大図である。(A) is the whole schematic sectional drawing of the semiconductor device which concerns on 1st Embodiment of this invention, (b) is the A section enlarged view in (a). 上記第１実施形態の半導体装置の製造方法における積層工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the lamination process in the manufacturing method of the semiconductor device of the said 1st Embodiment. 上記第１実施形態の半導体装置の製造方法における加圧工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the pressurization process in the manufacturing method of the semiconductor device of the said 1st Embodiment. 図３に示される加圧工程の詳細を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the detail of the pressurization process shown by FIG. 本発明者の実験結果を示すグラフである。It is a graph which shows the experimental result of this inventor. 本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法における積層工程および加圧工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the lamination process and pressurization process in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法における積層部の加圧工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the pressurization process of the laminated part in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法における積層部の加圧工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the pressurization process of the laminated part in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製造方法における積層部の加圧工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the pressurization process of the laminated part in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態に係る半導体装置の製造方法における積層部の加圧工程を示す工程図である。It is process drawing which shows the pressurization process of the laminated part in the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th Embodiment of this invention. 本発明者が試作した半導体装置を示す図であり、（ａ）は全体概略断面図、（ｂ）は（ａ）中のＥ部の拡大図である。It is a figure which shows the semiconductor device made as an experiment by this inventor, (a) is a whole schematic sectional drawing, (b) is an enlarged view of the E section in (a).

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。また、以下の各実施形態では導電性接合部材に銀ペーストを用いて説明するが、同様の効果を得られるならば、その他の導電性ペースト材を用いてもよい。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description. In the following embodiments, a silver paste is used for the conductive bonding member, but other conductive paste materials may be used as long as the same effect can be obtained.

（第１実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の全体概略断面構成を示す図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中の丸で囲まれたＡ部の拡大図である。 (First embodiment)
FIG. 1A is a diagram showing an overall schematic cross-sectional configuration of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a circled portion A in FIG. FIG.

本実施形態の半導体装置は、大きくは、樹脂シート１０上にリードフレーム２０、導電性接合部材３０、半導体チップ４０を順次積層したものを、モールド樹脂５０で封止してなる。   The semiconductor device according to the present embodiment is roughly formed by sealing a resin sheet 10 in which a lead frame 20, a conductive bonding member 30, and a semiconductor chip 40 are sequentially laminated with a mold resin 50.

半導体チップ４０は、たとえばシリコン半導体などよりなり、一般的な半導体プロセスにより形成されたパワー素子やＩＣチップなどである。また、リードフレーム２０は、Ｃｕや４２アロイなどの板材をエッチングやプレスなどにより、半導体チップ４０の搭載部と、外部接続用のリード部とにパターニングしてなる一般的なものである。   The semiconductor chip 40 is made of, for example, a silicon semiconductor, and is a power element or an IC chip formed by a general semiconductor process. The lead frame 20 is generally formed by patterning a plate material such as Cu or 42 alloy into a mounting portion of the semiconductor chip 40 and a lead portion for external connection by etching or pressing.

また、導電性接合部材３０は、加熱により硬化する銀ペースト３０が用いられている。この銀ペースト３０は、一般的なものと同様、たとえばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂に銀フィラーを含有させたものである。そして、銀ペースト３０は硬化された状態で、リードフレーム２０と半導体チップ４０との間に介在することにより、これら両者２０、４０の電気的・機械的な接合を行っている。   The conductive bonding member 30 is made of a silver paste 30 that is cured by heating. The silver paste 30 is made by adding a silver filler to a thermosetting resin such as an epoxy resin, for example, as in a general case. Then, the silver paste 30 is cured and interposed between the lead frame 20 and the semiconductor chip 40, thereby electrically and mechanically joining the two 20 and 40.

また、樹脂シート１０は、この種の一般的なものであり、加熱により硬化する熱硬化性樹脂よりなるものが用いられている。具体的には、たとえばエポキシ樹脂などの一般的な熱硬化性樹脂とされる。この樹脂シート１０とリードフレーム２０とは、樹脂シート１０の硬化による接着力によって機械的に接合されている。   The resin sheet 10 is a general one of this type, and a resin sheet 10 made of a thermosetting resin that is cured by heating is used. Specifically, for example, a general thermosetting resin such as an epoxy resin is used. The resin sheet 10 and the lead frame 20 are mechanically joined by an adhesive force due to the hardening of the resin sheet 10.

ここでは、樹脂シート１０におけるリードフレーム２０との接合面とは反対側の面には、金属箔としての銅箔１１が貼り付けられている。そして、この銅箔１１によって、当該反対側の面における樹脂シート１０の他部材との貼り付きを防止するようにしている。   Here, a copper foil 11 as a metal foil is affixed to the surface of the resin sheet 10 opposite to the joint surface with the lead frame 20. The copper foil 11 prevents the resin sheet 10 from sticking to the opposite surface.

なお、この貼り付き防止の目的のためには、銅箔１１に代えて、他の金属箔や樹脂板、セラミック板などを貼り付けたり、当該反対側の面のみを硬化させて粘着性を失わせたりしてもよい。また、当該貼り付き防止が不要ならば、銅箔１１を省略した構成であってもよい。   For the purpose of preventing sticking, other metal foils, resin plates, ceramic plates, etc. may be attached instead of the copper foil 11, or only the opposite surface is cured to lose the adhesiveness. You may let them. Moreover, the structure which abbreviate | omitted the copper foil 11 may be sufficient if the said sticking prevention is unnecessary.

ここで、樹脂シート１０、リードフレーム２０、銀ペースト３０および半導体チップ４０が、その積層方向にて重なり合っている部分を積層部とする。換言すれば、この積層部は、これら各部材１０〜４０の積層方向にて、半導体チップ４０、銀ペースト３０のうち半導体チップ４０が投影される領域に位置する部位、リードフレーム２０のうち半導体チップ４０が投影される領域に位置する部位、樹脂シート１０のうち半導体チップ４０が投影される領域に位置する部位よりなる。   Here, a portion where the resin sheet 10, the lead frame 20, the silver paste 30, and the semiconductor chip 40 overlap in the stacking direction is defined as a stacked portion. In other words, the stacked portion includes a semiconductor chip 40, a portion located in a region where the semiconductor chip 40 is projected in the silver paste 30, and a semiconductor chip of the lead frame 20 in the stacking direction of the members 10 to 40. It consists of the part located in the area | region where 40 is projected, and the part located in the area | region where the semiconductor chip 40 is projected among the resin sheets 10. FIG.

また、当該積層方向から視たとき、半導体チップ４０、銀ペースト３０、リードフレーム２０、樹脂シート１０の各平面形状は、典型的には、後述の図２（ａ）に示されるように、矩形板状をなすものである。この図２（ａ）に示される例では、銀ペースト３０は半導体チップ４０よりも一回り大きな矩形状、リードフレーム２０は銀ペースト３０よりも一回り大きな矩形状、樹脂シート１０はリードフレーム２０よりも大きな矩形状をなしている。   When viewed from the stacking direction, each planar shape of the semiconductor chip 40, the silver paste 30, the lead frame 20, and the resin sheet 10 is typically rectangular as shown in FIG. It is plate-shaped. In the example shown in FIG. 2A, the silver paste 30 is a rectangle that is slightly larger than the semiconductor chip 40, the lead frame 20 is a rectangle that is slightly larger than the silver paste 30, and the resin sheet 10 is greater than the lead frame 20. Has a large rectangular shape.

このように、本半導体装置においては、樹脂シート１０はリードフレーム２０よりも平面サイズが大きく、リードフレーム２０の外郭よりはみだしているものである。そして、図１（ｂ）に示されるように、樹脂シート１０のうちリードフレーム２０と重なり合っている部位は、樹脂シート１０のうちリードフレーム２０の外郭よりはみ出している部位に比べて、樹脂シート１０内部に存在する欠陥Ｋの密度が小さい。   Thus, in this semiconductor device, the resin sheet 10 has a larger planar size than the lead frame 20 and protrudes from the outline of the lead frame 20. As shown in FIG. 1B, the portion of the resin sheet 10 that overlaps the lead frame 20 is more than the portion of the resin sheet 10 that protrudes from the outer periphery of the lead frame 20. The density of the defect K existing inside is small.

具体的には、欠陥Ｋはボイド等であり、樹脂シート１０のうちリードフレーム２０の外郭よりはみ出している部位では、欠陥Ｋが存在しているのに対して、リードフレーム２０と重なり合っている部位では、欠陥がつぶされて少なくなっている。この構成については、断面顕微鏡観察により明確に確認される。   Specifically, the defect K is a void or the like, and in the part of the resin sheet 10 that protrudes from the outline of the lead frame 20, the defect K exists, but the part that overlaps the lead frame 20. Then, the defects are crushed and reduced. About this structure, it is confirmed clearly by cross-sectional microscope observation.

つまり、樹脂シート１０のうちリードフレーム２０と重なり合っている部位は、リードフレーム２０の外郭よりはみ出している部位に比べて、上記積層方向（つまり樹脂シートの厚さ方向）に押し潰されて薄くなったものとされている。たとえば、当該両部位の厚さの差は数μｍ程度である。   That is, the portion of the resin sheet 10 that overlaps the lead frame 20 is crushed and thinned in the stacking direction (that is, the thickness direction of the resin sheet) as compared to the portion that protrudes from the outline of the lead frame 20. It is said that For example, the difference in thickness between the two parts is about several μm.

また、図１（ａ）に示されるように、リードフレーム２０のリード部と半導体チップ４０とは、たとえば金やアルミなどのボンディングワイヤ６０により結線され、電気的に接続されている。   As shown in FIG. 1A, the lead portion of the lead frame 20 and the semiconductor chip 40 are connected by a bonding wire 60 such as gold or aluminum and are electrically connected.

そして、これら樹脂シート１０、リードフレーム２０、銀ペースト３０、半導体チップ４０、ボンディングワイヤ６０は、モールド樹脂５０により封止されている。ここで、リードフレーム２０およびそのリード部の一部は、モールド樹脂５０より露出して、外部との電気的な接続を行うようにしている。また、樹脂シート１０に貼り付けられた銅箔１１もモールド樹脂５０より露出し、放熱を行うようにしている。   The resin sheet 10, the lead frame 20, the silver paste 30, the semiconductor chip 40, and the bonding wire 60 are sealed with a mold resin 50. Here, the lead frame 20 and a part of the lead portion are exposed from the mold resin 50 so as to be electrically connected to the outside. Moreover, the copper foil 11 affixed on the resin sheet 10 is also exposed from the mold resin 50 so as to dissipate heat.

次に、本実施形態の半導体装置の製造方法について、図２、図３、図４を参照して述べる。図２は積層工程を示す工程図であり、図３は積層部の加圧工程を示す工程図であり、図４は、当該加圧工程の詳細を示す概略断面図である。   Next, a method for manufacturing the semiconductor device of this embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a process diagram showing a laminating process, FIG. 3 is a process diagram showing a pressurizing process of a laminating section, and FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing details of the pressurizing process.

なお、本製造方法は、多連状態のリードフレーム２０を用いて、複数個の半導体チップ４０を組み付け、これらをモールド樹脂５０で封止した後、個々の半導体チップ４０の単位に分割して半導体装置とするものである。   In this manufacturing method, a plurality of semiconductor chips 40 are assembled using a lead frame 20 in a multiple state, and after these are sealed with a mold resin 50, the semiconductor chip 40 is divided into units of individual semiconductor chips 40. It is a device.

図２において、（ａ）はワークの概略平面図、（ｂ）は（ａ）中のＢ−Ｂ概略断面図、（ｃ）は（ａ）中のＣ―Ｃ概略断面図である。この図２においては、個々のリードフレーム２０が枠部２１により複数個連結された多連状態のリードフレーム２０を示している。また、ここでは、樹脂シート１０は、複数個のリードフレーム２０に渡って共通して設けられているが、１個のリードフレーム２０に１個の樹脂シート１０を設けてもよい。   2A is a schematic plan view of a workpiece, FIG. 2B is a schematic cross-sectional view taken along the line BB in FIG. 2A, and FIG. 2C is a schematic cross-sectional view taken along the line CC in FIG. In FIG. 2, a multiple lead frame 20 is shown in which a plurality of individual lead frames 20 are connected by a frame portion 21. Here, the resin sheet 10 is provided in common over the plurality of lead frames 20, but one resin sheet 10 may be provided in one lead frame 20.

まず、積層工程として、未硬化状態にある樹脂シート１０上にリードフレーム２０、未硬化状態にある銀ペースト３０、半導体チップ４０を順次積層する。未硬化状態の樹脂シート１０は、ペースト状のものでもよいが、取扱性などを考慮してＢステージ状態のものが望ましい。また、未硬化状態の銀ペースト３０はペースト状態のものである。こうして、積層工程を行うことにより、図２に示されるように、各部材１０〜４０が積層された状態となる。   First, as a laminating process, the lead frame 20, the uncured silver paste 30, and the semiconductor chip 40 are sequentially laminated on the uncured resin sheet 10. The uncured resin sheet 10 may be in the form of a paste, but is preferably in a B-stage state in consideration of handleability and the like. The uncured silver paste 30 is in a paste state. In this way, by performing a lamination process, as shown in Drawing 2, it will be in the state where each member 10-40 was laminated.

次に、図３、図４に示される積層部の加圧工程を行う。この工程では、上記図２に示されるワークを加圧用治具１００、２００で、当該ワークの積層方向の上方と下方から挟み込み、当該ワークを加圧する。これら加圧用治具１００、２００は、耐熱性に優れ、加圧に耐える強度を有するものであれば、材質は限定しないが、たとえばステンレスなどの鉄系金属やＣｕなどよりなる。   Next, the pressurization process of the lamination | stacking part shown by FIG. 3, FIG. 4 is performed. In this step, the workpiece shown in FIG. 2 is sandwiched by the pressing jigs 100 and 200 from above and below in the stacking direction of the workpiece, and the workpiece is pressurized. The pressurizing jigs 100 and 200 are made of iron-based metal such as stainless steel or Cu, for example, as long as the pressurizing jigs 100 and 200 have excellent heat resistance and have strength to withstand pressurization.

ここで、樹脂シート１０の銅箔１１側に位置する治具２００は、ワークを支持する支持部として機能し、半導体チップ４０側の加圧用治具１００により、半導体チップ４０の上面から押圧する。これら加圧用治具１００、２００は、一般的な熱プレス機と同様にして加圧を行えるものである。   Here, the jig 200 positioned on the copper foil 11 side of the resin sheet 10 functions as a support portion that supports the workpiece, and is pressed from the upper surface of the semiconductor chip 40 by the pressing jig 100 on the semiconductor chip 40 side. These pressurizing jigs 100 and 200 can pressurize in the same manner as a general hot press.

ここでは、複数個の半導体チップ４０を一括して加圧するが、個々の半導体チップ４０について、図３、図４に示されるように、上記積層部において半導体チップ４０の上面のみに加圧用治具１００を接触させる。そして、この接触状態にて、加圧用治具１００から半導体チップ４０を介して積層部への加圧を行う。   Here, a plurality of semiconductor chips 40 are pressed together. As shown in FIGS. 3 and 4, a pressing jig is applied only to the upper surface of the semiconductor chip 40 in the stacked portion. 100 is brought into contact. In this contact state, pressure is applied to the stacked portion from the pressing jig 100 via the semiconductor chip 40.

ここでは、図４に示されるように、リードフレーム２０にディプレス部が存在するため、半導体チップ４０側の加圧用治具１００には、半導体チップ４０よりも一回り大きい断面矩形をなす突出部が設けられている。そして、この突出部における当該矩形の先端面を半導体チップ４０の上面に接触させて、加圧を行うようにしている。   Here, as shown in FIG. 4, since the depressed portion exists in the lead frame 20, the pressing jig 100 on the semiconductor chip 40 side has a protruding portion having a cross-sectional rectangle that is slightly larger than the semiconductor chip 40. Is provided. Then, the rectangular tip end surface of the protruding portion is brought into contact with the upper surface of the semiconductor chip 40 so as to pressurize.

これにより、当該加圧工程では、樹脂シート１０、リードフレーム２０、銀ペースト３０、半導体チップ４０が、その積層方向にて重なり合っている積層部にて、半導体チップ４０の上面から当該積層部に荷重を加えて加圧がなされ、当該加圧によって樹脂シート１０を積層方向に押し潰すように変形させる。   Thereby, in the said pressurization process, load is applied to the said laminated part from the upper surface of the semiconductor chip 40 in the laminated part which the resin sheet 10, the lead frame 20, the silver paste 30, and the semiconductor chip 40 overlap in the lamination direction. The pressure is applied and the resin sheet 10 is deformed by the pressure so as to be crushed in the stacking direction.

この樹脂シート１０の変形は、上記図１（ｂ）に示したものであり、未硬化の樹脂シート１０は、たとえば厚さ方向に数μｍ、凹むこととなる。そして、この変形により当該変形した樹脂シート１０内部のボイド等の上記欠陥Ｋが押し潰されて、消滅する。   The deformation of the resin sheet 10 is as shown in FIG. 1B, and the uncured resin sheet 10 is recessed, for example, several μm in the thickness direction. As a result of this deformation, the defect K such as a void in the deformed resin sheet 10 is crushed and disappears.

このとき、当該加圧は、たとえば樹脂シート１０および銀ペースト３０の両部材の硬化温度以上で加熱しながら行う。この場合、当該両部材１０、３０の硬化は、ある程度時間を要するので、当該加圧・加熱の初期では起こらない。一方、樹脂シート１０は未硬化の状態であるから、加圧による樹脂シート１０の変形は瞬時に行われ、樹脂シート１０の変形の方が、当該硬化よりも先に完了する。   At this time, the pressurization is performed while heating at a temperature equal to or higher than the curing temperature of both the resin sheet 10 and the silver paste 30, for example. In this case, the curing of the members 10 and 30 takes some time, and therefore does not occur at the initial stage of the pressurization / heating. On the other hand, since the resin sheet 10 is in an uncured state, the deformation of the resin sheet 10 due to pressurization is instantaneously performed, and the deformation of the resin sheet 10 is completed before the curing.

そのため、当該加圧による樹脂シート１０の変形後、両部材１０、３０の硬化温度以上の加熱によって未硬化の両部材１０、３０の硬化が進行し、当該硬化が完了する。これにより、上記積層部における各部材１０〜４０間の接合が行われる。なお、樹脂シート１０および銀ペースト３０が、典型的なエポキシ樹脂よりなる場合、１５０℃〜２００℃程度で加熱し硬化を行う。   Therefore, after the resin sheet 10 is deformed by the pressurization, the uncured members 10 and 30 are cured by heating at a temperature equal to or higher than the curing temperature of the members 10 and 30, and the curing is completed. Thereby, joining between each member 10-40 in the said lamination | stacking part is performed. In addition, when the resin sheet 10 and the silver paste 30 consist of typical epoxy resin, it heats and hardens | cures at about 150 to 200 degreeC.

また、当該加圧については、圧力が高すぎると、リードフレーム２０の側面部分で樹脂シート１０が盛り上がるように変形し、亀裂等が生じて耐圧が低下する恐れがあるため、たとえば２０Ｍｐａ以下になるようにする必要がある。また、当該加圧の際の圧力が低すぎると、樹脂シート１０および銀ペースト３０による接着性が低下するため、たとえば２Ｍｐａ以上にする必要がある。   In addition, when the pressure is too high, the resin sheet 10 is deformed so as to rise at the side surface portion of the lead frame 20, and a crack or the like may be generated to reduce the pressure resistance. It is necessary to do so. Moreover, since the adhesiveness by the resin sheet 10 and the silver paste 30 will fall when the pressure in the case of the said pressurization is too low, it is necessary to set it as 2 Mpa or more, for example.

また、加圧工程では、加圧されていく過程で、半導体チップ４０の下に位置する未硬化のやわらかい銀ペースト３０が機械的衝撃を吸収し、半導体チップ４０の損傷を軽減することができる。   Further, in the pressurizing process, the uncured soft silver paste 30 located under the semiconductor chip 40 absorbs the mechanical shock in the process of being pressurized, and the damage to the semiconductor chip 40 can be reduced.

また、この銀ペースト３０の変形は、リードフレーム２０等の厚み交差、樹脂シート１０中の欠陥Ｋを押しつぶす過程で生じるシート厚みの変化を吸収する。具体的には、上述したように、加圧による樹脂シート１０の厚さ変化は数μｍであるが、未硬化の銀ペースト３０の厚さは十数μｍとすることで効果がある。   Further, the deformation of the silver paste 30 absorbs a change in sheet thickness that occurs in the process of crossing the thickness of the lead frame 20 and the like and crushing the defect K in the resin sheet 10. Specifically, as described above, the thickness change of the resin sheet 10 due to pressurization is several μm, but the thickness of the uncured silver paste 30 is effective by setting it to several tens of μm.

そのため、本実施形態のように、複数個の半導体チップ４０を同時に接合する際には、複数個の半導体チップ４０ごとに当該シート厚みの変化がばらついても、複数個の半導体チップ４０の上面と加圧用治具１００との接触が確保され、半導体チップ４０の直下におけるリードフレーム２０と樹脂シート１０との接合を安定して得ることができる。   Therefore, when the plurality of semiconductor chips 40 are bonded simultaneously as in the present embodiment, even if the change in the sheet thickness varies for each of the plurality of semiconductor chips 40, Contact with the pressing jig 100 is ensured, and the bonding between the lead frame 20 and the resin sheet 10 immediately below the semiconductor chip 40 can be stably obtained.

なお、上記例では、加圧工程は、上記両部材１０、３０の硬化温度以上で加熱しながら行ったが、常温よりも高く両部材の硬化温度未満（たとえば１２０〜１４０℃）で、先に当該加圧を行い、その後、ワークを上記両部材１０、３０の硬化温度以上として加熱・硬化を行ってもよい。   In the above example, the pressurizing step was performed while heating at a temperature equal to or higher than the curing temperature of both the members 10 and 30, but the temperature was higher than normal temperature and lower than the curing temperature of both members (for example, 120 to 140 ° C.), The pressurization may be performed, and then the workpiece may be heated and cured at a temperature higher than the curing temperature of both the members 10 and 30.

この場合、ワークを加圧用治具１００、２００に取り付けたまま、ヒータやオーブンなどで加熱してもよいし、ワークを加圧用治具１００、２００から取り外し、ワークのみをヒータやオーブンなどで加熱してもよい。   In this case, the workpiece may be heated with a heater or an oven while being attached to the pressurizing jigs 100 and 200, or the workpiece is removed from the pressurizing jigs 100 and 200, and only the workpiece is heated with the heater or an oven. May be.

こうして、加圧工程および上記両部材１０、３０の硬化を完了させて上記積層部における各部材１０〜４０間の接合を行った後、必要に応じてワイヤボンディング等を行い、当該ワークに対して、モールド樹脂５０による封止を行う。このモールド工程では、当該ワークを成形用の金型に投入し、トランスファーモールド法による樹脂成形を行う。   Thus, after completing the pressurizing step and curing of both the members 10 and 30 and joining the members 10 to 40 in the laminated portion, wire bonding or the like is performed as necessary, Then, sealing with the mold resin 50 is performed. In this molding step, the workpiece is put into a molding die and resin molding is performed by a transfer molding method.

こうして、モールド樹脂５０による封止が完了した後、多連状態のリードフレーム２０においてモールド樹脂５０の外部に位置する上記枠部２１をカットし、個片化すれば、本実施形態の半導体装置ができあがる。   In this way, after the sealing with the mold resin 50 is completed, the frame portion 21 positioned outside the mold resin 50 is cut and separated into pieces in the multiple lead frame 20, and the semiconductor device of the present embodiment is obtained. It ’s done.

ところで、本実施形態によれば、未硬化の銀ペースト３０を介して半導体チップ４０上から加圧を行うので、半導体チップ４０下の軟らかい未硬化の銀ペースト３０が加圧時の半導体チップ４０に対する機械的衝撃を吸収し、半導体チップ４０のダメージが軽減される。   By the way, according to the present embodiment, since pressure is applied from above the semiconductor chip 40 via the uncured silver paste 30, the soft uncured silver paste 30 below the semiconductor chip 40 is applied to the semiconductor chip 40 during pressurization. The mechanical shock is absorbed and damage to the semiconductor chip 40 is reduced.

そして、樹脂シート１０、リードフレーム２０、銀ペースト３０、半導体チップ４０の接合を完了させた状態で、このものをモールド樹脂５０で封止するので、モールド時に従来のような押さえピンが不要となる。   And since this thing is sealed with the mold resin 50 in the state which completed joining of the resin sheet 10, the lead frame 20, the silver paste 30, and the semiconductor chip 40, the conventional pressing pin is unnecessary at the time of molding. .

また、リードフレーム２０と樹脂シート１０との接着が、ピンを用いて押さえる手法ではないため、半導体チップ１０の直下のリードフレーム２０が浮いて樹脂シート１０と離れるといったことは起こらず、常に樹脂シート１０とリードフレーム２０との接合を安定して行うことができる。   Further, since the adhesion between the lead frame 20 and the resin sheet 10 is not a method of pressing using a pin, the lead frame 20 directly below the semiconductor chip 10 does not float and separate from the resin sheet 10, and the resin sheet is always used. 10 and the lead frame 20 can be stably joined.

よって、本実施形態によれば、樹脂シート１０上にリードフレーム２０、導電性接合部材としての銀ペースト３０、半導体チップ４０を順次積層したものを、モールド樹脂５０で封止してなる半導体装置において、樹脂シート１０とリードフレーム２０との間にモールド樹脂５０や気泡が入り込むのを防止して、これら両者１０、２０の安定した接合を実現することができる。   Therefore, according to this embodiment, in the semiconductor device in which the lead frame 20, the silver paste 30 as the conductive bonding member, and the semiconductor chip 40 are sequentially laminated on the resin sheet 10 are sealed with the mold resin 50. Further, it is possible to prevent the molding resin 50 and air bubbles from entering between the resin sheet 10 and the lead frame 20, and to realize stable bonding of the both 10 and 20.

また、本実施形態の製造方法によれば、樹脂シート１０の方がリードフレーム２０よりも平面サイズが大きい場合、樹脂シート１０のうちリードフレーム２０からの加圧を受けて押し潰されるように変形した部分では、ボイド等の欠陥Ｋは大幅に低減される。   Further, according to the manufacturing method of the present embodiment, when the planar size of the resin sheet 10 is larger than that of the lead frame 20, the resin sheet 10 is deformed so as to be crushed under pressure from the lead frame 20. In such a portion, the defect K such as a void is greatly reduced.

一方、樹脂シート１０のうちリードフレーム２０からはみ出してリードフレーム２０からの加圧を直接受けない部分では、欠陥Ｋが残るから、上記図１（ｂ）に示されるような本実施形態の半導体装置ができあがる。このように、本実施形態の半導体装置は、本実施形態の製造方法により適切に製造されるものである。   On the other hand, since a defect K remains in a portion of the resin sheet 10 that protrudes from the lead frame 20 and is not directly subjected to the pressure from the lead frame 20, the semiconductor device of the present embodiment as shown in FIG. Is completed. As described above, the semiconductor device of this embodiment is appropriately manufactured by the manufacturing method of this embodiment.

（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法における積層工程および加圧工程を示す工程図である。 (Second Embodiment)
FIG. 5 is a process diagram showing a stacking process and a pressing process in the method for manufacturing a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.

上記第１実施形態では、積層工程にて、樹脂シート１０、リードフレーム２０、銀ペースト３０、半導体チップ４０を積層した後に、一括して半導体チップ４０の上面から加圧するようにしたが、本実施形態の積層工程では、これら４部材１０〜４０の積層を分けて行うようにしたところが相違する。   In the first embodiment, after the resin sheet 10, the lead frame 20, the silver paste 30, and the semiconductor chip 40 are stacked in the stacking step, the pressure is collectively applied from the upper surface of the semiconductor chip 40. In the laminating step of the embodiment, the four members 10 to 40 are laminated separately.

図５（ａ）に示されるように、本実施形態では、未硬化状態にある樹脂シート１０上にリードフレーム２０を積層した後、いったんリードフレーム２０の上面から、仮止め用の加圧用治具１０１によってリードフレーム２０を加圧して、リードフレーム２０と樹脂シート１０とを仮止めする。   As shown in FIG. 5A, in this embodiment, after the lead frame 20 is laminated on the resin sheet 10 in an uncured state, a pressurizing jig for temporary fixing is temporarily provided from the upper surface of the lead frame 20. The lead frame 20 is pressurized by 101 to temporarily fix the lead frame 20 and the resin sheet 10 together.

続いて、さらにリードフレーム２０の上に未硬化状態にある銀ペースト３０、半導体チップ４０を順次積層する。これが、本実施形態の積層工程である。その後は、当該４部材１０〜４０が積層されたワークに対して、上記同様に、加圧工程において加圧治具１００による加圧を行う。   Subsequently, an uncured silver paste 30 and a semiconductor chip 40 are sequentially stacked on the lead frame 20. This is the lamination process of this embodiment. Thereafter, the workpiece in which the four members 10 to 40 are laminated is pressed by the pressing jig 100 in the pressing step in the same manner as described above.

このように、本実施形態によれば、樹脂シート１０とリードフレーム２０との位置決めが容易に行えるとともに、これら両者１０、２０をいったん仮止めするから、その上に半導体チップ４０を積層するときに、樹脂シート１０とリードフレーム２０との位置ずれが発生しにくくなる。   As described above, according to the present embodiment, the resin sheet 10 and the lead frame 20 can be easily positioned, and the both 10 and 20 are temporarily fixed. Therefore, when the semiconductor chip 40 is stacked thereon, The positional deviation between the resin sheet 10 and the lead frame 20 is less likely to occur.

その後は、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様に、樹脂シート１０および銀ペースト３０の両部材の硬化を完了させ、モールド工程を行ってモールド樹脂５０による封止を行えば、上記同様の半導体装置が完成する。   Thereafter, also in the present embodiment, as in the first embodiment, the curing of both the resin sheet 10 and the silver paste 30 is completed, and the molding process is performed to perform sealing with the mold resin 50. A similar semiconductor device is completed.

ここで、本実施形態では、樹脂シート１０としてリードフレーム２０側の面とは反対側の面に金属箔としての銅箔２０が貼り付けられているものを用いている。このような金属箔１１がある場合は、その加工癖により、金属箔１１に反りが生じる。また、上記仮止め時の熱履歴によって、樹脂シート１０が硬化収縮し、樹脂シート／金属箔は、初期より反りが増大する。   Here, in this embodiment, the resin sheet 10 is used in which a copper foil 20 as a metal foil is attached to a surface opposite to the surface on the lead frame 20 side. When such a metal foil 11 is present, the metal foil 11 is warped by the processing flaw. Further, the resin sheet 10 is cured and contracted by the heat history at the time of the temporary fixing, and the warpage of the resin sheet / metal foil increases from the initial stage.

図６（ａ）、（ｂ）は、本発明者の実験結果を示すグラフである。図６（ａ）は、樹脂シート１０の最大寸法幅の部分（ここでは３０ｍｍ）において一端を０として他端側へ向かう距離（単位：ｍｍ）と、各距離の部分における反り量（単位：μｍ）との関係を示すグラフであり、銅箔１１の厚さが１０５μｍの場合と、１７５μｍの場合とについての結果を示している。   6 (a) and 6 (b) are graphs showing the experimental results of the present inventors. FIG. 6A shows a distance (unit: mm) from one end to 0 in the maximum dimension width portion (here, 30 mm) of the resin sheet 10 and a warpage amount (unit: μm) at each distance portion. ), And shows the results when the thickness of the copper foil 11 is 105 μm and 175 μm.

また、図６（ｂ）は銅箔１１の厚さが１０５μｍである樹脂シート１０の場合と、１７５μｍである樹脂シート１０の場合とについて、樹脂シート１０の絶縁耐圧を測定した結果を示すグラフである。なお、この絶縁耐圧は、樹脂シート１０を挟んで位置する銅箔１１とリードフレーム２０との間の耐圧を調べたものである。また、この図６においては、樹脂シート１０の厚さは１５０μｍとしている。   FIG. 6B is a graph showing the results of measuring the withstand voltage of the resin sheet 10 in the case of the resin sheet 10 having a thickness of 105 μm and the case of the resin sheet 10 having a thickness of 175 μm. is there. In addition, this withstand voltage is obtained by examining the withstand voltage between the copper foil 11 and the lead frame 20 positioned with the resin sheet 10 interposed therebetween. In FIG. 6, the thickness of the resin sheet 10 is 150 μm.

この図６（ａ）に示されるように、厚さ１５０μｍの樹脂シート１０に厚さ１７５μｍの銅箔１１を使用した場合の反り量は、樹脂シート１０の長さ１ｍｍあたり１２．７μｍであり、厚さ１０５μｍの銅箔１１を使用した場合の反り量は、樹脂シート１０の長さ１ｍｍあたり５．８μｍ／ｍｍとなる。   As shown in FIG. 6 (a), the amount of warpage when the 175 μm thick copper foil 11 is used for the 150 μm thick resin sheet 10 is 12.7 μm per 1 mm length of the resin sheet 10, The amount of warping when the copper foil 11 having a thickness of 105 μm is used is 5.8 μm / mm per 1 mm length of the resin sheet 10.

このような反りが生じた樹脂シート１０に、半導体チップ４０を積層し加圧すると、リードフレーム２０のエッジ部分に負荷が集中し，樹脂シート１０にクラックが生じ、その耐圧が低下することがある。特に仮止め時の熱履歴によって、硬化が進み硬くなった樹脂シート１０では顕著に現れる。   When the semiconductor chip 40 is laminated and pressed on the resin sheet 10 in which such warpage has occurred, a load is concentrated on the edge portion of the lead frame 20, cracks are generated in the resin sheet 10, and the pressure resistance may be reduced. . In particular, it appears remarkably in the resin sheet 10 that has been hardened and hardened due to the heat history during temporary fixing.

そして、図６（ｂ）に示されるように、上記反り量が樹脂シート１０の長さ１ｍｍあたり５．８μｍである厚さ１０５μｍの銅箔１１を使用した場合は、十分な耐圧が確保され、その低下もみられなかったのに対し、上記反り量が樹脂シート１０の長さ１ｍｍあたり１２．７μｍである厚さ１７５μｍの銅箔１１を使用した場合は、耐圧が低下して不足する傾向が確認された。   Then, as shown in FIG. 6 (b), when the copper foil 11 having a thickness of 105 μm, in which the amount of warpage is 5.8 μm per 1 mm length of the resin sheet 10, is used, a sufficient withstand voltage is ensured, While the decrease was not observed, when using a copper foil 11 having a thickness of 175 μm with a warpage amount of 12.7 μm per 1 mm length of the resin sheet 10, it was confirmed that the pressure resistance decreased and the tendency to become insufficient It was done.

このことから、本実施形態では、仮止め後における樹脂シート１０の長さ１ｍｍあたりの反り量を５．８μｍ以下とすることが好ましい。また、銅箔１１が厚いほど、その反りによる応力は大きく、樹脂シート１０の反りも大きくなるが、銅箔１１の厚さが１０５μｍもしくはそれ以下であれば、十分な耐圧を確保できるといえる。   Therefore, in this embodiment, it is preferable that the amount of warpage per 1 mm length of the resin sheet 10 after temporary fixing is 5.8 μm or less. Further, the thicker the copper foil 11, the greater the stress due to the warp, and the greater the warp of the resin sheet 10. However, if the thickness of the copper foil 11 is 105 μm or less, it can be said that a sufficient breakdown voltage can be secured.

（第３実施形態）
図７は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置の製造方法における積層部の加圧工程を示す工程図である。本実施形態は、上記第１実施形態および第２実施形態に対して、加圧方法を一部変形したところが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。 (Third embodiment)
FIG. 7 is a process diagram showing a pressurizing process of the stacked portion in the method of manufacturing a semiconductor device according to the third embodiment of the present invention. This embodiment is different from the first embodiment and the second embodiment in that a part of the pressurization method is modified, and here, the difference will be mainly described.

上記各実施形態の積層工程では、銀ペースト３０は、半導体チップ４０よりも大きな平面サイズとされていたが、本実施形態の積層工程では、半導体チップ４０の下方にて銀ペースト３０を、半導体チップ４０の外郭よりも内側に位置させるように配置する。   In the laminating process of each of the above embodiments, the silver paste 30 has a larger planar size than the semiconductor chip 40. However, in the laminating process of this embodiment, the silver paste 30 is placed below the semiconductor chip 40. It arrange | positions so that it may be located inside 40 outlines.

たとえば、平面矩形の半導体チップ４０に対して、銀ペースト３０をそれよりも一回り小さい平面矩形とすることで、積層方向からみて半導体チップ４０の外郭から銀ペースト３０がはみださないようにする。   For example, the silver paste 30 is made a plane rectangle that is slightly smaller than the planar rectangular semiconductor chip 40 so that the silver paste 30 does not protrude from the outer periphery of the semiconductor chip 40 in the stacking direction. To do.

また、ここにおいても、樹脂シート１０およびリードフレーム２０は、半導体チップ４０よりも平面サイズが大きく半導体チップ４０の外郭よりはみ出しているものとする。具体的には、上記図２に示したものと同様、樹脂シート１０およびリードフレーム２０は、半導体チップ４０よりも一回り大きい平面矩形のものとする。   Also in this case, it is assumed that the resin sheet 10 and the lead frame 20 have a larger planar size than the semiconductor chip 40 and protrude from the outline of the semiconductor chip 40. Specifically, as in the case shown in FIG. 2, the resin sheet 10 and the lead frame 20 are planar rectangles that are slightly larger than the semiconductor chip 40.

このような状態で積層された樹脂シート１０、リードフレーム２０、銀ペースト３０、半導体チップ４０に対して、本実施形態の加圧工程では、積層部において半導体チップ４０の上面に第１の加圧用治具１１０を接触させる。この第１の加圧用治具１１０は、上記図４に示される加圧用治具１００の突出部に相当する形状をなす。   In the pressurization process of the present embodiment, the first pressurization is performed on the upper surface of the semiconductor chip 40 in the stacking portion with respect to the resin sheet 10, the lead frame 20, the silver paste 30, and the semiconductor chip 40 stacked in such a state. The jig 110 is brought into contact. The first pressing jig 110 has a shape corresponding to the protruding portion of the pressing jig 100 shown in FIG.

また、本加圧工程では、この第１の加圧用治具１００の外側に、第２の加圧用治具１２０を配置する。たとえば、断面矩形の第１の加圧用治具１１０の外側に、当該第１の加圧用治具１１０が入り込む矩形中空部を有する額縁状の第２の加圧用治具１２０を設けるようにする。これら第１、第２の加圧用治具１１０、１２０は上記第１実施形態の加圧用治具１００と同様の材質とすることができる。   In the pressurizing step, the second pressurizing jig 120 is disposed outside the first pressurizing jig 100. For example, the frame-shaped second pressurizing jig 120 having a rectangular hollow portion into which the first pressurizing jig 110 enters is provided outside the first pressurizing jig 110 having a rectangular cross section. The first and second pressing jigs 110 and 120 can be made of the same material as the pressing jig 100 of the first embodiment.

そして、半導体チップ４０の外側に位置するリードフレーム２０の上面、すなわち半導体チップ４０の外郭からはみ出しているリードフレーム２０の上面に、第２の加圧用治具１２０を接触させるとともに、第２の加圧用治具１２０と銀ペースト３０とを非接触の状態とする。   Then, the second pressurizing jig 120 is brought into contact with the upper surface of the lead frame 20 positioned outside the semiconductor chip 40, that is, the upper surface of the lead frame 20 protruding from the outline of the semiconductor chip 40, and the second pressurizing jig 120 is brought into contact therewith. The pressing jig 120 and the silver paste 30 are brought into a non-contact state.

そして、本加圧工程では、これら第１および第２の加圧用治具１１０、１２０の接触状態にて、第１の加圧用治具１１０によって半導体チップ４０を積層方向に加圧するとともに、第２の加圧用治具１２０によってリードフレーム２０を積層方向に加圧する。   In this pressurizing step, the semiconductor chip 40 is pressed in the stacking direction by the first pressurizing jig 110 while the first and second pressurizing jigs 110 and 120 are in contact with each other. The lead frame 20 is pressed in the stacking direction by the pressing jig 120.

その後は、本実施形態においても、上記同様に、樹脂シート１０および銀ペースト３０の両部材の硬化を完了させ、モールド工程を行ってモールド樹脂５０による封止を行えば、半導体装置が完成する。   Thereafter, also in the present embodiment, similarly to the above, the curing of both the resin sheet 10 and the silver paste 30 is completed, and the semiconductor device is completed by performing the molding process and sealing with the mold resin 50.

この本実施形態の加圧工程によれば、第１の加圧用治具１１０による半導体チップ４０の加圧だけでなく、第２の加圧用治具１２０により半導体チップ４０と重なっていないリードフレーム２０の部分も加圧して、当該部分が樹脂シート１０に押し付けられるので、より安定した両者１０、２０の接合が期待される。   According to the pressurizing process of this embodiment, the lead frame 20 not overlapping the semiconductor chip 40 by the second pressurizing jig 120 as well as pressurizing the semiconductor chip 40 by the first pressurizing jig 110. Since this part is also pressed and the part is pressed against the resin sheet 10, more stable joining of the two 10 and 20 is expected.

特に、リードフレーム２０の平面サイズが半導体チップ４０よりも大幅に大きい場合には、リードフレーム２０のうち半導体チップ４０と重ならず且つ半導体チップ４０からの加圧を十分に受けない部分の面積が大きくなるが、本実施形態では、当該部分も第２の加圧用治具１２０で直接加圧するので、有効である。   In particular, when the planar size of the lead frame 20 is significantly larger than the semiconductor chip 40, the area of the portion of the lead frame 20 that does not overlap the semiconductor chip 40 and does not receive sufficient pressure from the semiconductor chip 40. In this embodiment, the portion is also directly pressed by the second pressing jig 120, which is effective.

（第４実施形態）
図８は、本発明の第４実施形態に係る半導体装置の製造方法における積層部の加圧工程を示す工程図である。本実施形態は、上記第３実施形態に対して、リードフレーム２０の上面に銀ペースト３０の下地膜７０を設けたところが相違するものであり、ここでは、その相違点を中心に述べることとする。 (Fourth embodiment)
FIG. 8 is a process diagram showing a pressurizing process of the stacked portion in the method for manufacturing a semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention. The present embodiment is different from the third embodiment in that a base film 70 of silver paste 30 is provided on the upper surface of the lead frame 20, and here, the difference will be mainly described. .

図８に示されるように、本実施形態においても、樹脂シート１０およびリードフレーム２０は、半導体チップ４０よりも平面サイズが大きく半導体チップ４０の外郭よりはみ出しているものとする。   As shown in FIG. 8, also in this embodiment, it is assumed that the resin sheet 10 and the lead frame 20 have a larger planar size than the semiconductor chip 40 and protrude from the outline of the semiconductor chip 40.

ここで、半導体チップ４０の外側に位置するリードフレーム２０の上面には、銀ペースト３０の下地膜７０が、当該下地膜７０の膜厚の分、当該上面よりも突出して設けられている。また、この下地膜７０は、銀ペースト３０の平面サイズよりも大きく半導体チップ４０の外郭よりも所定長さにてはみ出している。   Here, a base film 70 of silver paste 30 is provided on the upper surface of the lead frame 20 located outside the semiconductor chip 40 so as to protrude from the upper surface by the thickness of the base film 70. Further, the base film 70 is larger than the planar size of the silver paste 30 and protrudes from the outline of the semiconductor chip 40 by a predetermined length.

たとえば、この下地膜７０は、銀メッキなどであり、その平面サイズが、銀ペースト３０よりは一回り大きく、リードフレーム２０よりは小さい矩形のものとすることができる。なお、本実施形態では、銀ペースト３０は、半導体チップ４０の外郭よりも内側に位置するものであってもよいし、半導体チップ４０よりも大きな平面サイズとされたものあってでもよい。   For example, the base film 70 is made of silver plating or the like, and the planar size of the base film 70 may be a rectangle that is slightly larger than the silver paste 30 and smaller than the lead frame 20. In the present embodiment, the silver paste 30 may be located inside the outline of the semiconductor chip 40 or may have a larger planar size than the semiconductor chip 40.

このような状態で積層された樹脂シート１０、リードフレーム２０、銀ペースト３０、半導体チップ４０に対して、本実施形態の加圧工程では、上記第３実施形態と同様に、積層部において半導体チップ４０の上面に第１の加圧用治具１１０を接触させる。   In the pressurization process of the present embodiment, the semiconductor chip in the stacked portion is applied to the resin sheet 10, the lead frame 20, the silver paste 30, and the semiconductor chip 40 laminated in such a state as in the third embodiment. The first pressing jig 110 is brought into contact with the upper surface of 40.

一方、半導体チップ４０の外側に位置するリードフレーム２０の上面のうち下地膜７０よりも外側に位置する部位に、第２の加圧用治具１２０を接触させる。ここで、一般的には、半導体チップ４０の外側に位置するリードフレーム２０の上面のうち下地膜７０が位置する部位の面積よりも、下地膜７０の外側に位置する部位の面積の方が大きい。   On the other hand, the second pressing jig 120 is brought into contact with a portion of the upper surface of the lead frame 20 located outside the semiconductor chip 40 and located outside the base film 70. Here, in general, the area of the portion located outside the base film 70 is larger than the area of the portion where the base film 70 is located on the upper surface of the lead frame 20 located outside the semiconductor chip 40. .

そして、本加圧工程では、これら第１および第２の加圧用治具１１０、１２０の接触状態にて、第１の加圧用治具１１０によって半導体チップ４０を積層方向に加圧するとともに、第２の加圧用治具１２０によってリードフレーム２０を積層方向に加圧する。   In this pressurizing step, the semiconductor chip 40 is pressed in the stacking direction by the first pressurizing jig 110 while the first and second pressurizing jigs 110 and 120 are in contact with each other. The lead frame 20 is pressed in the stacking direction by the pressing jig 120.

この本実施形態の加圧工程によれば、上記第３実施形態と同様、第１の加圧用治具１１０による半導体チップ４０の加圧だけでなく、第２の加圧用治具１２０により半導体チップ４０と重なっていないリードフレーム２０の部分も加圧して、当該部分が樹脂シート１０に押し付けられるので、より安定した両者１０、２０の接合が期待される。   According to the pressurizing process of the present embodiment, the semiconductor chip is not only pressed by the first pressurizing jig 110 but also by the second pressurizing jig 120 as in the third embodiment. Since the portion of the lead frame 20 that does not overlap with 40 is also pressed and pressed against the resin sheet 10, more stable joining of both the members 10 and 20 is expected.

また、半導体チップ４０と重なっていないリードフレーム２０の部分を加圧するとき、下地膜７０上を加圧すると、その下地膜７０の膜厚分の段差により、下地膜７０以外の部分ではリードフレーム２０の上面に第２の加圧用治具１２０が接触せずに、第２の加圧用治具１１０によるリードフレーム２０の加圧が不十分となる恐れがある。   Further, when the portion of the lead frame 20 that does not overlap with the semiconductor chip 40 is pressed, if the pressure on the base film 70 is pressed, the lead frame 20 is formed in a portion other than the base film 70 due to a step corresponding to the film thickness of the base film 70. There is a possibility that the pressure of the lead frame 20 by the second pressurizing jig 110 may be insufficient without the second pressurizing jig 120 being in contact with the upper surface.

その点、本実施形態では、半導体チップ４０と重なっていないリードフレーム２０の部分を加圧するにあたって、その下地膜７０を避け、一般にはより面積の大きい下地膜７０の外側の部分にて、第２の加圧用治具１２０とリードフレーム２０とを接触させて、加圧を行っているから、より安定した両者１０、２０の接合が期待される。   In this regard, in the present embodiment, when the portion of the lead frame 20 that does not overlap with the semiconductor chip 40 is pressed, the base film 70 is avoided, and the second portion is generally formed outside the base film 70 having a larger area. Since the pressurizing jig 120 and the lead frame 20 are brought into contact with each other and pressurization is performed, more stable joining of both the members 10 and 20 is expected.

（第５実施形態）
図９は、本発明の第５実施形態に係る半導体装置の製造方法における積層部の加圧工程を示す工程図である。本実施形態は、上記第４実施形態の加圧工程を一部変形したものであり、上記第４実施形態との相違点を中心に述べることとする。 (Fifth embodiment)
FIG. 9 is a process diagram showing a pressurizing process of the stacked portion in the method for manufacturing a semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention. The present embodiment is a partial modification of the pressurization process of the fourth embodiment, and the difference from the fourth embodiment will be mainly described.

本実施形態の加圧工程では、図９に示されるように、第１の加圧用治具１１０と第２の加圧用治具１２０との間に、第３の加圧用治具１３０を配置する。たとえば第３の加圧用治具１３０は、第１の加圧用治具１１０と第２の加圧用治具１２０との隙間に挿入される矩形額縁状のものである。   In the pressurizing process of the present embodiment, as shown in FIG. 9, the third pressurizing jig 130 is disposed between the first pressurizing jig 110 and the second pressurizing jig 120. . For example, the third pressurizing jig 130 has a rectangular frame shape inserted in the gap between the first pressurizing jig 110 and the second pressurizing jig 120.

そして、本加圧工程では、さらに、この第３の加圧用治具１３０を、半導体チップ４０の外郭よりはみ出している下地膜７０の上面に接触させるとともに、第３の加圧用治具１３０と銀ペースト３０とを非接触の状態とする。   In the pressurizing step, the third pressurizing jig 130 is brought into contact with the upper surface of the base film 70 protruding from the outer periphery of the semiconductor chip 40, and the third pressurizing jig 130 and the silver The paste 30 is brought into a non-contact state.

そして、第１および第２の加圧用治具１１０、１２０とともに、第３の加圧用治具１３０を図９中の下方に押し付ける。これにより、第１および第２の加圧用治具１１０、１２０による上記同様の加圧を行うとともに、第３の加圧用治具１３０によって下地膜７０を介してリードフレーム２０を積層方向に加圧する。   Then, the third pressurizing jig 130 is pressed downward in FIG. 9 together with the first and second pressurizing jigs 110 and 120. Thus, the same pressurization is performed by the first and second pressurization jigs 110 and 120, and the lead frame 20 is pressurized in the stacking direction by the third pressurization jig 130 via the base film 70. .

本実施形態の加圧工程によれば、半導体チップ４０と重なっていないリードフレーム２０の部分を加圧するにあたって、下地膜７０を避けた部分だけでなく、さらに下地膜７０の部分でも、第３の加圧用治具１３０によってリードフレーム２０を樹脂シート１０に加圧できるから、より安定した両者１０、２０の接合が期待される。   According to the pressurizing process of the present embodiment, when the portion of the lead frame 20 that does not overlap the semiconductor chip 40 is pressed, the third film is not only applied to the portion avoiding the base film 70 but also to the portion of the base film 70. Since the lead frame 20 can be pressed against the resin sheet 10 by the pressurizing jig 130, more stable joining of the two 10 and 20 is expected.

（第６実施形態）
図１０は、本発明の第６実施形態に係る半導体装置の製造方法における積層部の加圧工程を示す工程図であり、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）、（ｅ）は（ａ）中の丸で囲まれたＤ部の各状態を拡大して示す図である。 (Sixth embodiment)
FIG. 10 is a process diagram showing the pressurizing process of the stacked portion in the method for manufacturing a semiconductor device according to the sixth embodiment of the present invention, wherein (b), (c), (d), and (e) are It is a figure which expands and shows each state of the D section surrounded by the inside circle | round | yen.

本実施形態は、上記各実施形態のうち半導体チップ１０と重なっていないリードフレーム２０の部分を加圧する第２の加圧用治具１２０または第３の加圧用治具１３０を用いる場合に、適用されるものである。すなわち、本実施形態では、当該場合において、第２の加圧用治具１２０、第３の加圧用治具１３０をステンレス等の鉄系金属やＣｕなどの卑金属よりなるものとする。   This embodiment is applied when the second pressing jig 120 or the third pressing jig 130 that presses the portion of the lead frame 20 that does not overlap the semiconductor chip 10 is used in each of the above embodiments. Is. That is, in this embodiment, in this case, the second pressurizing jig 120 and the third pressurizing jig 130 are made of an iron-based metal such as stainless steel or a base metal such as Cu.

このように、第２の加圧用治具１２０、第３の加圧用治具１３０を卑金属よりなるものとする理由について、図１０を参照して述べる。ここでは、第２の加圧用治具１３０の例を説明する。   The reason why the second pressurizing jig 120 and the third pressurizing jig 130 are made of a base metal will be described with reference to FIG. Here, an example of the second pressing jig 130 will be described.

図１０（ａ）、（ｃ）に示されるように、半導体チップ１０と重なっていないリードフレーム２０の部分を、第２の加圧用治具１２０によって加圧する場合、加圧開始時には、第２の加圧用治具１２０と銀ペースト３０とを非接触の状態とする。   As shown in FIGS. 10A and 10C, when the portion of the lead frame 20 that does not overlap the semiconductor chip 10 is pressed by the second pressing jig 120, The pressing jig 120 and the silver paste 30 are brought into a non-contact state.

仮に、図１０（ｂ）に示されるように、第２の加圧用治具１２０の下に銀ペースト３０が入り込んだ状態で加圧を開始した場合、第２の加圧用治具１２０とリードフレーム２０との接触が不十分となり、加圧も不十分となる恐れがある。そのため、図１０（ａ）、（ｃ）に示されるように、加圧前および開始時には、第２の加圧用治具１２０と銀ペースト３０とを離しておく。   As shown in FIG. 10B, when pressing is started with the silver paste 30 entering under the second pressing jig 120, the second pressing jig 120 and the lead frame There is a possibility that the contact with 20 becomes insufficient and the pressurization becomes insufficient. Therefore, as shown in FIGS. 10A and 10C, the second pressing jig 120 and the silver paste 30 are separated before and at the start of pressing.

しかし、このように両者３０、１２０を非接触状態としても、加圧の進行に伴い、銀ペースト３０が潰れて押し拡がり、図１０（ｄ）に示されるように、第２の加圧用治具１２０の側面に接触し、出来上がり状態が図１０（ｅ）のようになる可能性がある。   However, even if the both 30 and 120 are in a non-contact state in this way, the silver paste 30 is crushed and expanded as the pressurization progresses, and as shown in FIG. There is a possibility that the side surface of 120 is touched and the completed state is as shown in FIG.

そのような場合に、本実施形態のように、第２の加圧用治具１２０を卑金属により構成されたものとすれば、第２の加圧用治具１２０と銀ペースト３０とが接触したとしても、これら接触した両者３０、１２０の融着が防止される。なお、これと同じことが、上記第３の加圧用治具１３０についても言えることは明らかである。   In such a case, if the second pressurizing jig 120 is made of a base metal as in the present embodiment, even if the second pressurizing jig 120 and the silver paste 30 are in contact with each other, The fusion of both the contacted 30 and 120 is prevented. It is obvious that the same can be said for the third pressurizing jig 130.

１０ 樹脂シート
２０ リードフレーム
３０ 銀ペースト
４０ 半導体チップ
５０ モールド樹脂
７０ 下地膜
１００ 加圧用治具
１１０ 第１の加圧用治具
１２０ 第２の加圧用治具
１３０ 第３の加圧用治具 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Resin sheet 20 Lead frame 30 Silver paste 40 Semiconductor chip 50 Mold resin 70 Base film 100 Pressurizing jig 110 First pressurizing jig 120 Second pressurizing jig 130 Third pressurizing jig

Claims (12)

樹脂シート（１０）上にリードフレーム（２０）、導電性接合部材（３０）、半導体チップ（４０）を順次積層したものを、モールド樹脂（５０）で封止してなる半導体装置の製造方法において、
前記樹脂シート（１０）として加熱により硬化する熱硬化性樹脂よりなるものを用い、
前記導電性接合部材（３０）に加熱により硬化するペースト材料を用い、
未硬化状態にある前記樹脂シート（１０）上に前記リードフレーム（２０）、未硬化状態にある前記導電性接合部材（３０）、前記半導体チップ（４０）を順次積層し、
前記樹脂シート（１０）、前記リードフレーム（２０）、前記導電性接合部材（３０）、前記半導体チップ（４０）が、その積層方向にて重なり合っている積層部にて、前記半導体チップ（４０）の上面から当該積層部に荷重を加えて加圧し、当該加圧によって前記樹脂シート（１０）を積層方向に押し潰すように変形させた後、
未硬化状態にある前記樹脂シート（１０）および前記導電性接合部材（３０）を加熱して、これら両部材（１０、３０）の硬化を完了させることにより、前記積層部における前記各部材間の接合を行い、
続いて、前記モールド樹脂（５０）による封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 In a method for manufacturing a semiconductor device, in which a lead frame (20), a conductive bonding member (30), and a semiconductor chip (40) are sequentially laminated on a resin sheet (10) and sealed with a mold resin (50). ,
Using the resin sheet (10) made of a thermosetting resin that is cured by heating,
A paste material that is cured by heating is used for the conductive bonding member (30),
The lead frame (20), the conductive bonding member (30) in an uncured state, and the semiconductor chip (40) are sequentially stacked on the resin sheet (10) in an uncured state,
The semiconductor chip (40) is a laminated portion in which the resin sheet (10), the lead frame (20), the conductive bonding member (30), and the semiconductor chip (40) overlap in the lamination direction. After applying a load to the laminated part from the upper surface of the sheet and applying pressure, the resin sheet (10) is deformed so as to be crushed in the lamination direction by the pressure,
By heating the resin sheet (10) and the conductive bonding member (30) in an uncured state to complete the curing of both the members (10, 30), between the members in the laminated portion Do the joining
Then, the manufacturing method of the semiconductor device characterized by sealing with the said mold resin (50). 前記積層工程では、未硬化状態にある前記樹脂シート（１０）上に前記リードフレーム（２０）を積層した後、いったん前記リードフレーム（２０）の上面から加圧して前記リードフレーム（２０）と前記樹脂シート（１０）とを仮止めし、続いて、前記リードフレーム（２０）の上に未硬化状態にある前記導電性接合部材（３０）、前記半導体チップ（４０）を順次積層することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。   In the laminating step, after the lead frame (20) is laminated on the resin sheet (10) in an uncured state, the lead frame (20) and the lead frame (20) are temporarily pressed from the upper surface of the lead frame (20). The resin sheet (10) is temporarily fixed, and then the conductive bonding member (30) and the semiconductor chip (40) in an uncured state are sequentially laminated on the lead frame (20). A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1. 前記樹脂シート（１０）として前記リードフレーム（２０）側の面とは反対側の面に金属箔（１１）が貼り付けられているものを用い、
前記リードフレーム（２０）と前記樹脂シート（１０）との仮止め後における前記樹脂シート（１０）の長さ１ｍｍあたりの反り量を５．８μｍ以下とすることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 As the resin sheet (10), a metal foil (11) is attached to the surface opposite to the surface on the lead frame (20) side,
The warpage amount per 1 mm length of the resin sheet (10) after temporary fixing between the lead frame (20) and the resin sheet (10) is 5.8 μm or less. Semiconductor device manufacturing method. 前記積層部の加圧工程では、前記積層部において前記半導体チップ（４０）の上面のみに加圧用治具（１００）を接触させ、前記加圧用治具（１００）から前記半導体チップ（４０）を介して前記積層部への加圧を行うことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。   In the pressing step of the stacked portion, a pressing jig (100) is brought into contact with only the upper surface of the semiconductor chip (40) in the stacked portion, and the semiconductor chip (40) is moved from the pressing jig (100). 4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein pressure is applied to the stacked portion through the semiconductor device. 5. 前記導電性接合部材として銀ペースト（３０）を用いるものであり、
前記半導体チップ（４０）の下方にて前記銀ペースト（３０）を、前記半導体チップ（４０）の外郭よりも内側に位置させるように配置し、
前記樹脂シート（１０）および前記リードフレーム（２０）は、前記半導体チップ（４０）よりも平面サイズが大きく前記半導体チップ（４０）の外郭よりはみ出しているものであり、
前記積層部の加圧工程では、前記積層部において前記半導体チップ（４０）の上面に第１の加圧用治具（１１０）を接触させて、前記第１の加圧用治具（１１０）によって前記半導体チップ（４０）を積層方向に加圧するとともに、
前記半導体チップ（４０）の外側に位置する前記リードフレーム（２０）の上面に第２の加圧用治具（１２０）を接触させるとともに、前記第２の加圧用治具（１２０）と前記銀ペースト（３０）とを非接触の状態とし、前記第２の加圧用治具（１２０）によって前記リードフレーム（２０）を積層方向に加圧することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 Silver paste (30) is used as the conductive bonding member,
The silver paste (30) is arranged below the semiconductor chip (40) so as to be positioned inside the outline of the semiconductor chip (40),
The resin sheet (10) and the lead frame (20) are larger in planar size than the semiconductor chip (40) and protrude from the outer periphery of the semiconductor chip (40),
In the pressing step of the stacked portion, a first pressing jig (110) is brought into contact with the upper surface of the semiconductor chip (40) in the stacked portion, and the first pressing jig (110) is used to While pressing the semiconductor chip (40) in the stacking direction,
A second pressing jig (120) is brought into contact with the upper surface of the lead frame (20) located outside the semiconductor chip (40), and the second pressing jig (120) and the silver paste are brought into contact with each other. (30) is in a non-contact state, and the lead frame (20) is pressed in the stacking direction by the second pressing jig (120). The manufacturing method of the semiconductor device as described in any one of. 前記導電性接合部材として銀ペースト（３０）を用いるものであり、
前記樹脂シート（１０）および前記リードフレーム（２０）は、前記半導体チップ（４０）よりも平面サイズが大きく前記半導体チップ（４０）の外郭よりはみ出しているものであり、
前記半導体チップ（４０）の外側に位置する前記リードフレーム（２０）の上面には、前記銀ペースト（３０）の下地膜（７０）が、当該下地膜（７０）の膜厚の分、当該上面よりも突出して設けられており、
前記下地膜（７０）は、前記銀ペースト（３０）の平面サイズよりも大きく前記半導体チップ（４０）の外郭よりも所定長さにてはみ出しており、
前記積層部の加圧工程では、前記積層部において前記半導体チップ（４０）の上面に第１の加圧用治具（１１０）を接触させて、前記第１の加圧用治具（１１０）によって前記半導体チップ（４０）を積層方向に加圧するとともに、
前記半導体チップ（４０）の外側に位置する前記リードフレーム（２０）の上面のうち前記下地膜（７０）よりも外側に位置する部位に、第２の加圧用治具（１２０）を接触させ、前記第２の加圧用治具（１２０）によって前記リードフレーム（２０）を積層方向に加圧することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。 Silver paste (30) is used as the conductive bonding member,
The resin sheet (10) and the lead frame (20) are larger in planar size than the semiconductor chip (40) and protrude from the outer periphery of the semiconductor chip (40),
On the upper surface of the lead frame (20) located outside the semiconductor chip (40), a base film (70) of the silver paste (30) has a thickness corresponding to the thickness of the base film (70). Is more protruding than
The base film (70) is larger than the planar size of the silver paste (30) and protrudes from the outline of the semiconductor chip (40) by a predetermined length,
In the pressing step of the stacked portion, a first pressing jig (110) is brought into contact with the upper surface of the semiconductor chip (40) in the stacked portion, and the first pressing jig (110) is used to While pressing the semiconductor chip (40) in the stacking direction,
A second pressing jig (120) is brought into contact with a portion of the upper surface of the lead frame (20) located outside the semiconductor chip (40) and located outside the base film (70); 4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the lead frame is pressed in the stacking direction by the second pressing jig. 前記第２の加圧用治具（１２０）は、卑金属よりなるものとすることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法。   The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 5, wherein the second pressing jig (120) is made of a base metal. 前記積層部の加圧工程では、前記第１の加圧用治具（１１０）と前記第２の加圧用治具（１２０）との間に、第３の加圧用治具（１３０）を配置し、
この第３の加圧用治具（１３０）を、前記半導体チップ（４０）の外郭よりはみ出している前記下地膜（７０）の上面に接触させるとともに、前記第３の加圧用治具（１３０）と前記銀ペースト（３０）とを非接触の状態とし、前記第３の加圧用治具（１２０）によって前記下地膜（７０）を介して前記リードフレーム（２０）を積層方向に加圧することを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。 In the pressurizing step of the stacked portion, a third pressurizing jig (130) is disposed between the first pressurizing jig (110) and the second pressurizing jig (120). ,
The third pressurizing jig (130) is brought into contact with the upper surface of the base film (70) protruding from the outline of the semiconductor chip (40), and the third pressurizing jig (130). The silver paste (30) is brought into a non-contact state, and the lead frame (20) is pressed in the stacking direction through the base film (70) by the third pressing jig (120). A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 6 or 7. 前記第３の加圧用治具（１３０）は、卑金属よりなるものとすることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。   The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8, wherein the third pressing jig (130) is made of a base metal. 樹脂シート（１０）上にリードフレーム（２０）、導電性接合部材（３０）、半導体チップ（４０）を順次積層したものを、モールド樹脂（５０）で封止してなる半導体装置において、
前記導電性接合部材（３０）は導電性ペースト（３０）よりなるものであり、
前記樹脂シート（１０）は前記リードフレーム（２０）よりも平面サイズが大きく、前記リードフレーム（２０）の外郭よりはみだしているものであり、
前記樹脂シート（１０）のうち前記リードフレーム（２０）と重なり合っている部位は、前記リードフレーム（２０）の外郭よりはみ出している部位に比べて、当該樹脂シート（１０）内部に存在する欠陥の密度が小さいことを特徴とする半導体装置。 In a semiconductor device in which a lead frame (20), a conductive bonding member (30), and a semiconductor chip (40) are sequentially laminated on a resin sheet (10) and sealed with a mold resin (50).
The conductive bonding member (30) is made of a conductive paste (30),
The resin sheet (10) has a larger planar size than the lead frame (20), and protrudes from the outline of the lead frame (20),
The portion of the resin sheet (10) that overlaps with the lead frame (20) has a defect existing inside the resin sheet (10) as compared to the portion that protrudes from the outline of the lead frame (20). A semiconductor device characterized by low density. 前記導電性ペーストは銀ペーストであることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。   The semiconductor device according to claim 10, wherein the conductive paste is a silver paste. 前記樹脂シート（１０）における前記リードフレーム（２０）側の面とは反対側の面には、銅箔（１１）が貼り付けられており、この銅箔（１１）の厚さは１０５μｍ以下であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
A copper foil (11) is attached to the surface of the resin sheet (10) opposite to the surface on the lead frame (20) side, and the thickness of the copper foil (11) is 105 μm or less. The semiconductor device according to claim 11, wherein the semiconductor device is provided.
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