JP5337672B2 - Memory device and method for manufacturing memory device - Google Patents
Memory device and method for manufacturing memory device Download PDFInfo
- Publication number
- JP5337672B2 JP5337672B2 JP2009256914A JP2009256914A JP5337672B2 JP 5337672 B2 JP5337672 B2 JP 5337672B2 JP 2009256914 A JP2009256914 A JP 2009256914A JP 2009256914 A JP2009256914 A JP 2009256914A JP 5337672 B2 JP5337672 B2 JP 5337672B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetic
- thin film
- magnetic body
- convex
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 125
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 48
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 27
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 10
- 238000011900 installation process Methods 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
本発明は、メモリ素子およびメモリ素子の製造方法に係り、たとえば、ハードディスクドライブに使用されるものに関する。 The present invention relates to a memory element and a method for manufacturing the memory element, and for example, relates to one used for a hard disk drive.
図５〜図７は、垂直磁気記録方式のハードディスクドライブに使用される従来のメモリ素子（ハードディスク基板）１００の製造方法の概略を示す図である。垂直磁気記録方式は、ハードディスク基板１００が記録（記憶）できる情報量を増やすために近年において採用されている方式である。
5 to 7 are diagrams showing an outline of a manufacturing method of a conventional memory element (hard disk substrate) 100 used for a perpendicular magnetic recording type hard disk drive. The perpendicular magnetic recording method is a method that has recently been adopted to increase the amount of information that can be recorded (stored) by the
ハードディスク基板１００は、図７（ｈ）で示すように、中央に円形な貫通孔ｈ１を備えた円板状に形成されており、基板１０２と磁性体１０４と非磁性体１０６と保護膜（図示せず）とを備えて構成されている。保護膜は、磁性体１０４と非磁性体１０６との上面を覆っている。ハードディスクドライブに使用された場合、ハードディスク基板１００は中心軸Ｃ１を中心にして回転するようになっている。
As shown in FIG. 7 (h), the
ハードディスク基板１００の製造では、まず、図５（ａ）で示すように、基板１０２に磁性体膜１０８とレジスト膜１１０とを設ける。図５（ａ）に参照符号Ｍで示すものは型であり、型Ｍには微細な凹凸で形成された転写パターンＭＡが形成されている。微細な凹凸で形成された転写パターンＭＡの形成は、たとえば非特許文献１に記載されているような電子線描画法等によりなされている。
In the manufacture of the
図５（ａ）で示す状態から、型Ｍで磁性体膜１０８とレジスト膜１１０とが設けられている基板１０２を押圧し（図５（ｂ）参照）、型Ｍに設けられている微細な凹凸の転写パターンＭＡをレジスト膜１１０に転写する（図５（ｃ）参照）。図５（ｃ）で示す状態では、レジスト膜１１０は硬化しており、また、レジスト膜１１０の凹部の底部には、厚さｔ２０の残膜が形成されている。
From the state shown in FIG. 5A, the
図５（ｃ）で示す状態から、Ｏ２アッシング等のアッシングにより残膜を除去すると、図６（ｄ）で示すように、レジスト膜１１０の凹部の底部で磁性体膜１０８が露出した状態になる。
When the remaining film is removed by ashing such as O 2 ashing from the state shown in FIG. 5C, the
図６（ｄ）で示す状態において、エッチングにより磁性体膜１０８の一部（レジスト膜１１０の凹部の底部における磁性体膜１０８）を除去し（図６（ｅ）参照）、レジスト膜１１０を除去すると、図６（ｆ）で示すように、微細な磁性体１０４を備えた基板１０２が形成される。
In the state shown in FIG. 6D, a part of the magnetic film 108 (the
図６（ｆ）で示す状態において、基板１０２と微細な磁性体１０４とを覆うように非磁性体膜１１２を設け（図７（ｇ）参照）、この後、化学機械研磨で、磁性体１０４が露出するように、非磁性体膜１１２の上部を除去する。この除去後に図示しない保護膜を設けることにより、図７（ｈ）で示すハードディスク基板１００を得ている。
In the state shown in FIG. 6F, a
なお、従来の技術に関連する文献として特許文献１、非特許文献２をさらに掲げることができる。 In addition, Patent Literature 1 and Non-Patent Literature 2 can be further listed as documents related to the conventional technology.
ところで、上述した従来のメモリ素子（ハードディスク基板）の製造方法では、Ｏ２アッシング等のアッシング工程やレジスト工程が必要なので、工程が煩雑であるという問題がある。 By the way, the conventional method for manufacturing a memory element (hard disk substrate) described above has a problem that the process is complicated because an ashing process such as O 2 ashing and a resist process are required.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、製造工程が従来に比べて簡素であるメモリ素子の製造方法およびメモリ素子を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a memory element and a memory element that have a simpler manufacturing process than conventional ones.
請求項１に記載の発明は、情報の記録が可能なメモリ素子の基板の表面に、非磁性で所定の粘度を備えた材料の薄膜を設ける薄膜設置工程と、前記薄膜設置工程で設けられた薄膜に、型に設けられ微細な凹凸で形成された転写パターンを転写する転写工程と、前記転写工程で微細な転写パターンが転写された薄膜を硬化させる硬化工程と、前記硬化工程で硬化した薄膜に磁性体の薄膜を設ける磁性膜設置工程と、前記磁性膜設置工程で磁性膜を設置した後、前記硬化工程で硬化した薄膜の微細な転写パターンの凹凸の側部に前記磁性膜設置工程で形成された磁性体を除去し、または、前記硬化工程で硬化した薄膜の微細な転写パターンの凹凸の側部と底部とに前記磁性膜設置工程で形成された磁性体を除去する磁性体除去工程と、前記磁性膜設置工程で設けられた磁性体の薄膜を、非磁性体の薄膜で覆う被覆工程と、前記磁性膜設置工程で設けられた磁性体が露出するまで、前記被覆工程で設けられた薄膜の一部を除去する薄膜除去工程とを有するメモリ素子の製造方法である。 The invention according to claim 1 is provided in a thin film installation step of providing a thin film of a non-magnetic material having a predetermined viscosity on a surface of a memory element substrate capable of recording information, and the thin film installation step. A transfer process for transferring a transfer pattern formed on a thin film with fine irregularities to a thin film, a curing process for curing the thin film to which a fine transfer pattern is transferred in the transfer process, and a thin film cured in the curing process Magnetic film installation step of providing a thin film of magnetic material on the film, and after the magnetic film is installed in the magnetic film installation step, the magnetic film installation step on the side of the unevenness of the fine transfer pattern of the thin film cured in the curing step Or removing the magnetic body formed in the magnetic film installation step on the side and bottom of the unevenness of the fine transfer pattern of the thin film cured in the curing step. a step, the magnetic layer A covering step of covering the magnetic thin film provided in the placing step with a non-magnetic thin film, and a portion of the thin film provided in the covering step until the magnetic material provided in the magnetic film installing step is exposed. A method for manufacturing a memory device, comprising: removing a thin film .
請求項２に記載の発明は、情報の記録が可能なメモリ素子において、平板状の基板と、非磁性の材料で構成され、前記基板の表面に膜状に設けられ、前記基板に接している面とは反対側の面に、微細な凹凸が形成されている凹凸膜と、前記凹凸膜の表面に膜状に設けられた後、凹凸の側部と底部の部分、または、凹凸の側部の部分を除去することにより、前記凹凸膜の頂部に所定の厚さで設けられ、または、前記凹凸膜の頂部と底部とに所定の厚さで設けられた磁性体と、前記凹凸膜の頂部に設けられた磁性体が露出するようにして、前記凹凸膜の凹部に設けられた非磁性体とを有するメモリ素子である。 According to a second aspect of the present invention, in the memory element capable of recording information, the memory element is made of a flat substrate and a nonmagnetic material, is provided in a film shape on the surface of the substrate, and is in contact with the substrate. An uneven film in which fine unevenness is formed on the surface opposite to the surface, and after being provided in a film shape on the surface of the uneven film, the uneven side and bottom portions, or the uneven side By removing the portion, the magnetic material provided with a predetermined thickness on the top of the uneven film, or provided with a predetermined thickness on the top and bottom of the uneven film, and the top of the uneven film And a non-magnetic material provided in the concave portion of the concavo-convex film in such a manner that the magnetic material provided in is exposed.
本発明によれば、製造工程が従来に比べて簡素であるメモリ素子の製造方法およびメモリ素子を提供することができるという効果を奏する。 According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a memory element and a memory element that have a simpler manufacturing process than conventional ones.
図１は、本発明の実施形態に係るメモリ素子１の概略構成を示す図である。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a memory element 1 according to an embodiment of the present invention.
メモリ素子１は、情報の記録、記録されている情報の再生、記録されている情報の消去が可能なものであり、基板（プラッタ）３と凹凸膜５と磁性体７と非磁性体９とを備えて構成されている。また、メモリ素子１として、たとえば、ディスクリートトラック記録方式（垂直磁気記録方式）を採用したハードディスクドライブ（ＤＴＲ−ＨＤＤ）のメモリ素子（ハードディスク基板；ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ））を掲げることができる。
The memory element 1 is capable of recording information, reproducing recorded information, and erasing recorded information. The memory element 1 includes a substrate (platter) 3, an
基板３は、たとえば、ガラスで構成されており、平板状に形成されている。凹凸膜５は、非磁性の材料（たとえば、非磁性のスピンオンガラスもしくは紫外線硬化樹脂等の樹脂）で構成されている。また、凹凸膜５は、基板３の表面（基板３の厚さ方向における一方の面）に固化した状態で膜状に設けられており、基板３に接している面とは反対側の面（上面）に、微細な凹凸が形成されている。
The
磁性体７（７Ａ）は、凹凸膜５の頂部に所定の厚さで設けられている。なお、図１では、磁性体７（７Ｂ）が、凹凸膜５の底部にも所定の厚さで設けられているが、磁性体７Ｂが、凹凸膜５の底部に設けられていない場合もある。非磁性体９は、凹凸膜５の頂部に設けられた磁性体７（７Ａ）が露出するようにして、凹凸膜５の凹部に設けられている。
The magnetic body 7 (7A) is provided on the top of the
すなわち、凹凸膜５の底部に磁性体７（７Ｂ）が設けられているか否かにかかわらず、非磁性体９が凹凸膜５の凹部を埋めて、凹凸膜５の頂部に設けられた磁性体７（７Ａ）の上面（凹凸膜５の頂部に接している面とは反対側の面）と、非磁性体９の上面とが１つの平面状に位置している。なお、図１で示す磁性体７（７Ａ）と非磁性体９との上面は、所定の厚さの保護膜（図示せず）で覆われている。
That is, regardless of whether or not the magnetic body 7 (7B) is provided on the bottom of the
次にメモリ素子１の製造工程について説明する。図２、図３は、メモリ素子１の製造工程を示す図である。 Next, the manufacturing process of the memory element 1 will be described. 2 and 3 are diagrams showing a manufacturing process of the memory element 1.
まず、図２（ａ）で示すように、基板３の表面に、非磁性で所定の粘度を備えた材料（たとえば、非磁性のスピンオンガラス）の薄膜１１を設ける。なお、スピンオンガラスに代えて紫外線硬化樹脂等の樹脂の薄膜を設けてあってもよい。基板３は、たとえば、円板状に形成されており、中央に円形状の貫通孔ｈ１が設けられて円環状に形成されている。
First, as shown in FIG. 2A, a
続いて、図２（ｂ）で示すように、薄膜１１に、型Ｍに設けられている転写パターンＭＡであって、微細な凹凸で形成された転写パターンＭＡを転写する。この転写により微細な凹凸の転写パターンＭＡが転写された薄膜１１（被転写膜５；凹凸膜５）が形成される（図２（ｃ）参照）。被転写膜（凹凸膜）５の断面は、たとえば、平面（図２（ｃ）で示す基準平面１３；基板３の厚さ方向における一方の面に平行な面）に、細長い微細な凸部１５を複数並べて設けた形態になっている。すなわち、被転写膜５は、ライン＆スペースの形態になっている。
Subsequently, as shown in FIG. 2B, the transfer pattern MA provided on the mold M, which is formed with fine irregularities, is transferred to the
ライン＆スペースの形態についてさらに説明する。１つの微細な凸部１５は、この長手方向に対して直交する平面による断面が、図２（ｃ）で示すように四角形状（たとえば、長方形状）になっている。そして、長方形における一対の辺（長いほうの辺でもよいし短いほうの辺でもよいが、図２（ｃ）では、たとえば、長いほうの辺）のうちの一方の辺が、基準平面１３に接するようにして、微細な凸部１５が基準平面１３に設けられている。各凸部１５は、所定のごくわずかな間隔（たとえば、基準平面１３に接している辺の長さＢ１の値よりも小さい間隔）Ｂ２をあけて、お互いが平行になって配置されている。
The line and space form will be further described. One fine
なお、基板３が円板状に形成されているので、各凸部１５は、円環状に形成されており、円板状の基板３の中心軸（基板３の中心を通って基板３の厚さ方向に延びている軸）Ｃ１を中心にして同心で設けられている。また、すでに理解されるように、円環状の各凸部１５は、基板３の中心側に設けられているものは直径が小さく、基板３の外側に設けられているものほど、直径が次第に大きくなっている。
In addition, since the board |
凸部１５の長方形状断面の他方の辺（基準平面１３に接している辺と対向している辺;図２（ｃ）の上側の辺）で規定される円環状の平面が、微細な転写パターンが形成された薄膜１１（被転写膜５）の頂部（頂面）になる。各凸部１５の頂部は、たとえば、基準平面１３と平行な１つの平面上に存在している。また、各凸部１５の間に位置している間隔部分が、微細な転写パターンが形成された被転写膜５の凹部になっており、間隔部分における基準平面１３が、微細な転写パターン（被転写膜５）の底面（底部）になっている。底部と基板３の面との間には、図２（ｃ）に示す厚さｔａの残膜（被転写膜５で構成された残膜）が形成されている。
An annular plane defined by the other side (side facing the
さらに、凸部１５の長方形状断面の他の一対の辺（基準平面１３に接触している辺に隣接している辺；図２（ｃ）で上下方向に延びている辺）で規定される円柱側面状の面が、微細な転写パターンが形成された被転写膜５の側面（側部）になる。すでに理解されるように、微細な転写パターンが形成された被転写膜５の側面は、基準平面１３に対して直交している。換言すれば、被転写膜５の側面は、基準平面１３から直立しており、被転写膜５の各側面の中心軸は、基板３の中心軸Ｃ１と一致している。
Furthermore, it is defined by another pair of sides (sides adjacent to the side in contact with the
なお、微細な転写パターンが、基準平面１３に微細な直方体状等の凸部をわずかな間隔をあけて設けたドット＆スペースの形態になっていてもよい。
The fine transfer pattern may be in the form of dots and spaces in which fine rectangular parallelepiped convex portions are provided on the
続いて、図２（ｃ）で示すように、微細な転写パターンが転写された薄膜１１（被転写膜５）を硬化させる。この硬化は、設置された被転写膜５がスピンオンガラスの場合には、時間の経過によって硬化するスピンオンガラスを用い、微細なパターンを転写した後に所定の時間放置しておくことによりなされるものとする。また、設置された被転写膜５が紫外線硬化樹脂の場合には、紫外線を照射してなされるものとする。
Subsequently, as shown in FIG. 2C, the thin film 11 (the transferred film 5) to which the fine transfer pattern is transferred is cured. In the case where the film to be transferred 5 is spin-on glass, this curing is performed by using a spin-on glass that cures over time and leaving it for a predetermined time after transferring a fine pattern. To do. Further, when the transferred
なお、図２（ｂ）で示すような転写と図２（ｃ）で示すような硬化とをほぼ同時に行ってもよい。すなわち、図２（ｂ）で示す状態で（型Ｍを離型せず型Ｍを薄膜１１にたとえは押圧し接触させたままで）、薄膜１１を硬化させるようにしてもよい。このようにすることにより、離型するときに薄膜１１の硬化がすでに終了している。また、薄膜１１の硬化時間は、スピンオンガラスに加えてある揮発成分（もしくは有機成分）の量で調整することができ、たとえば、３分間程度に設定されている。
The transfer as shown in FIG. 2B and the curing as shown in FIG. 2C may be performed almost simultaneously. That is, the
続いて、硬化した薄膜１１（被転写膜５）の頂部に、たとえば、スパッタリングにより磁性体の薄膜７（７Ａ）を設ける（図３（ｄ）参照）。 Subsequently, the magnetic thin film 7 (7A) is provided on the top of the cured thin film 11 (transfer film 5), for example, by sputtering (see FIG. 3D).
磁性体の薄膜（磁性膜）７（７Ａ）を設けるときには、微細な転写パターンが転写され硬化した薄膜１１（被転写膜５）の底部にも磁性体の薄膜（磁性膜）７（７Ｂ）が形成（設置）される。しかし、被転写膜５の側部には、磁性体７の薄膜が形成されない。この理由を説明する。スパッタリングは、図３（ｄ）で示す基板３等を陰極とし、基板３等の上方に陽極（図示せず）を設け、真空中で行われる。このときに陽極と陰極との間で、図３（ｄ）に矢印で示すように電場（基板３の厚さ方向の電場）が発生する。これにより、上記矢印に沿って磁性体の微細な粒子（電荷）が流れ、薄膜１１の側部には、磁性体７の薄膜が形成されない。
When the magnetic thin film (magnetic film) 7 (7A) is provided, the magnetic thin film (magnetic film) 7 (7B) is also formed on the bottom of the thin film 11 (transfer target film 5) to which the fine transfer pattern has been transferred and cured. Formed (installed). However, a thin film of the
また、被転写膜５の頂部に電荷が集中するので、図３（ｄ）で示す頂部の磁性体７Ａの厚さｔｂのほうが、底部の磁性体７Ｂの厚さｔｃよりも厚くなっている。
Further, since charges are concentrated on the top of the film to be transferred 5, the thickness tb of the top
さらに、被転写膜５の底部に形成された磁性体７Ｂの厚さｔｃの値は、被転写膜５の側部の高さ（基板３の厚さ方向における寸法；基板３の中心軸Ｃ１の延伸方向における寸法）よりも小さくなっている。
Furthermore, the value of the thickness tc of the
したがって、被転写膜５の頂部に形成された磁性体（磁性膜）７Ａと、被転写膜５の底部に形成された磁性体（磁性膜）７Ｂとは、お互いが分離されている。また、磁性体７を設けた後であっても、被転写膜５の頂部に形成された磁性体７Ａの上面と、被転写膜５の底部に形成された磁性体７Ｂの上面とは、お互いが離れており、磁性体７が設けられた基板３には、微細な凹凸が存在している。すなわち、磁性体７の表面は、被転写膜５の微細な凹凸に対応して凹凸状になっている。
Therefore, the magnetic body (magnetic film) 7A formed on the top of the transferred
続いて、図３（ｅ）で示すように、微細な転写パターンが転写され硬化した薄膜１１（被転写膜５）と、磁性体７の薄膜とを、非磁性体９の薄膜で覆う（リフィルする）。非磁性体９は、樹脂等で構成されており、磁性体７等を覆うときには、硬化しておらず流動体状になっているが、磁性体７等を覆った後は、硬化している。また、磁性体７等を非磁性体９で覆った状態では、非磁性体９が図３（ｄ）に示す凹部（磁性体７Ｂの上方）にも入り込んで、各磁性体７（頂部に設けられた磁性体７Ａと底部に設けられた磁性体７Ｂ）を覆っており、非磁性体９の薄膜の上面（磁性体７とは反対側の面）は、平面状になっている。
Subsequently, as shown in FIG. 3E, the thin film 11 (transfer target film 5) on which the fine transfer pattern is transferred and cured and the thin film of the
続いて、たとえば、化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）で、硬化した薄膜１１の頂部に設けられた磁性体７Ａが露出するまで、非磁性体の薄膜９の一部と、硬化した薄膜１１の頂部に設けられた磁性体７Ａの一部とを除去する。すなわち、図３（ｅ）で示す破線Ｌ１よりも上部の部位１７を除去する。
Subsequently, part of the non-magnetic thin film 9 and the top of the cured
非磁性体の薄膜（非磁性膜）９の一部等を除去し終えた状態では、図１で示すように、硬化した薄膜１１の底部に設けられた磁性体７Ｂが露出しておらず、硬化した薄膜１１の頂部に設けられた磁性体７Ａと、非磁性体９とで、平面（上面；基板３の厚さ方向の一方の面と平行な面）が形成されている。
In a state where a part of the non-magnetic thin film (non-magnetic film) 9 has been removed, the
続いて、上記除去により現れた平面を覆うように保護膜（図示せず）を設ける等の種々の工程を経てメモリ素子１を得る。 Subsequently, the memory element 1 is obtained through various processes such as providing a protective film (not shown) so as to cover the plane that appears by the removal.
完成したメモリ素子１をハードディスクドライブに使用した場合、このハードディスクドライブのヘッドにより、硬化した薄膜１１（被転写膜５）の頂部に設けられた磁性体７Ａのみに情報の書き込みができ、また、ヘッドにより、被転写膜５の頂部に設けられた磁性体７Ａのみから情報の読み取りができるようになっている。また、ヘッドにより、被転写膜５の頂部に設けられた磁性体７Ａに記録されている情報のみを消去することができるようになっている。被転写膜５の底部に設けられた磁性体７Ｂは、情報の記録等に関しては不要なものであり、被転写膜５の底部に設けられた磁性体７Ｂへのヘッドによる情報の書き込みや、被転写膜５の底部に設けられた磁性体７Ｂからの情報の読み取りや、被転写膜５の底部に設けられた磁性体７Ｂでのヘッドによる情報の消去は、できないようになっている。
When the completed memory element 1 is used in a hard disk drive, information can be written only to the
ところで、被転写膜５に転写された微細な転写パターンでは、たとえば、図２（ｃ）で示すように、微細な凹凸における凹部の深さＨ１が、凹部の幅Ｂ２よりも小さくなっているが、ここで、凹部の深さＨ１を凹部の幅Ｂ２より大きくしてもよいし、さらに、凸部１５の幅Ｂ１より大きくしてもよい。すなわち、たとえば、アスペクト比（凹部の深さＨ１／凹部の幅Ｂ２）が１よりも大きくなっていてもよい。これにより、スパッタリングで磁性体７を設ける場合、被転写膜５の頂部に電荷が一層集中し、図３（ｄ）で示す頂部の磁性体７Ａの厚さｔｂが、底部の磁性体７Ｂの厚さｔｃよりも一層厚くなる。もしくは、底部に磁性体が形成されないようになる。
By the way, in the fine transfer pattern transferred to the film to be transferred 5, for example, as shown in FIG. 2C, the depth H1 of the concave portion in the fine unevenness is smaller than the width B2 of the concave portion. Here, the depth H1 of the concave portion may be larger than the width B2 of the concave portion, or may be larger than the width B1 of the
なお、図３（ｄ）で示す矢印が若干曲がりもしくは斜めになり、薄膜１１（被転写膜５）の微細な転写パターンの凹凸の側部に磁性体の薄膜７Ｃが形成される場合がある（図４（ａ）参照）。ここで、各磁性体７の膜の厚さを比較すると、「頂部に形成された磁性体７Ａの膜厚ｔ２＞底部に形成された磁性体７Ｂの膜厚ｔ３＞側部に形成された磁性体７Ｃの膜厚ｔ４」になっている。
Note that the arrow shown in FIG. 3D may be slightly bent or slanted, and a
磁性体７Ｃが形成された場合、磁性体７を設置した後、薄膜１１（被転写膜５）における微細な転写パターンの凹凸の頂部に設けられた磁性体７Ａが残るようにして、たとえば、液体を用いたエッチングで、磁性体７Ｃを除去する。
When the
すなわち、図４（ａ）で示す状態から、磁性体７を厚さｔ４の分だけ除去する。これにより、図４（ｂ）で示すように、被転写膜５の微細な凹凸の頂部には、厚さｔ５（ｔ２−ｔ４）の磁性体７Ａが残り、微細な凹凸の底部には、厚さｔ６（ｔ６≦ｔ３−ｔ４）の磁性体７Ｂが残る。この後、図３（ｅ）で示すように、非磁性体９を設ける。
That is, the
なお、被転写膜５の凹凸の頂部に設けられた磁性体７Ａだけが残るように、たとえば、液体を用いたエッチングで、被転写膜５の微細な転写パターンの凹凸の側部と底部とに設けられた磁性体７Ｂ，７Ｃを除去してもよい。
In order to leave only the
すなわち、図４（ａ）で示す状態から、磁性体７を厚さｔ３の分だけ除去する。これにより、図４（ｃ）で示すように、被転写膜５の微細な凹凸の頂部に、厚さｔ７（ｔ７≦ｔ２−ｔ３）の磁性体７Ａが残る。
That is, the
また、図３（ｄ）で示すように、微細な凹凸の側部に磁性体７Ｃが形成されておらず、磁性体７Ａの厚さｔｂが磁性体７Ｂの厚さｔｃよりも厚い場合、上述した場合と同様にして、被転写膜５の底部の磁性体７Ｂのみを除去してもよい。
In addition, as shown in FIG. 3D, when the
メモリ素子１によれば、従来の製造方法で必要とされていたアッシングやレジスト膜の生成等が不要なので、製造工程を従来に比べて簡素にすることができる。 According to the memory element 1, ashing and generation of a resist film, which are required in the conventional manufacturing method, are unnecessary, so that the manufacturing process can be simplified as compared with the conventional method.
また、メモリ素子１において、被転写膜５における微細な凹凸のアスペクト比を１よりも大きくすれば、磁性体７をスパッタリングで設けるときに、微細な凹凸の底部における磁性体（ハードディスク基板では不要な磁性体）７Ｂの厚さを、微細な凹凸の頂部における磁性体７Ａの厚さよりも薄くすることができる。そして、メモリ素子１に記録された情報をハードディスクドライブのヘッドで読み取る等するときに、ヘッドが微細は凹凸の底部に設けられた磁性体７Ｂの影響を受けにくくなり、ノイズが低減される。また、メモリ素子１の製造工程において、磁性体７の使用量を少なくすることができる。
Further, in the memory element 1, if the aspect ratio of the fine irregularities in the film to be transferred 5 is larger than 1, when the
また、メモリ素子１において、図４（ａ）〜（ｃ）で示すように、被転写膜５に形成された微細な凹凸の側部や底部の磁性体７Ｂ、７Ｃを除去すれば、ノイズが発生しないメモリハードディスクドライブを提供することができる。
Further, in the memory element 1, as shown in FIGS. 4A to 4C, if the
なお、上記説明では、微細な凹凸の断面が長方形状に形成されているが、図４（ｄ）で示すように、被転写膜５の微細な凹凸の断面が等脚台形状等の矩形状以外の形状に形成されていてもよい。この場合、微細な凹凸の側面に磁性体が形成されるので、この側面に形成された磁性体は、上述した場合（図４（ａ）〜（ｃ）の場合）と同様にしてエッチングにより除去する。
In the above description, the cross section of the fine irregularities is formed in a rectangular shape, as shown in FIG. 4 (d), the rectangular cross section is such as equal isosceles fine irregularities of the
また、上記説明では、基板３の厚さ方向における一方の面に磁性体７等を設ける場合について説明したが、基板３の厚さ方向における両面に、たとえば同時に磁性体７を設ける等してもよいし、基板３の厚さ方向における両面に、たとえば片面ずつ磁性体７を設ける等してもよい。
In the above description, the case where the
１ メモリ素子（ハードディスク基板）
３ 基板
５ 被転写膜
７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ 磁性体
９ 非磁性体
１１ （スピンオンガラスの）薄膜
1 Memory device (hard disk substrate)
3
Claims (2)
前記薄膜設置工程で設けられた薄膜に、型に設けられ微細な凹凸で形成された転写パターンを転写する転写工程と、
前記転写工程で微細な転写パターンが転写された薄膜を硬化させる硬化工程と、
前記硬化工程で硬化した薄膜に磁性体の薄膜を設ける磁性膜設置工程と、
前記磁性膜設置工程で磁性膜を設置した後、前記硬化工程で硬化した薄膜の微細な転写パターンの凹凸の側部に前記磁性膜設置工程で形成された磁性体を除去し、または、前記硬化工程で硬化した薄膜の微細な転写パターンの凹凸の側部と底部とに前記磁性膜設置工程で形成された磁性体を除去する磁性体除去工程と、
前記磁性膜設置工程で設けられた磁性体の薄膜を、非磁性体の薄膜で覆う被覆工程と、
前記磁性膜設置工程で設けられた磁性体が露出するまで、前記被覆工程で設けられた薄膜の一部を除去する薄膜除去工程と、
を有することを特徴とするメモリ素子の製造方法。 A thin film installation step of providing a thin film of a non-magnetic material having a predetermined viscosity on the surface of a memory element substrate capable of recording information;
A transfer step of transferring a transfer pattern provided on the mold and formed with fine irregularities to the thin film provided in the thin film installation step;
A curing step of curing the thin film to which a fine transfer pattern is transferred in the transfer step;
And the magnetic film provision step of providing a thin film of magnetic thin films cured at the curing step,
After the magnetic film is installed in the magnetic film installation process, the magnetic material formed in the magnetic film installation process is removed from the uneven side of the fine transfer pattern of the thin film cured in the curing process, or the curing is performed. A magnetic body removing step of removing the magnetic body formed in the magnetic film installation step on the side and bottom of the unevenness of the fine transfer pattern of the thin film cured in the step;
A coating step of covering the magnetic thin film provided in the magnetic film installation step with a non-magnetic thin film;
A thin film removing step of removing a part of the thin film provided in the covering step until the magnetic material provided in the magnetic film installing step is exposed;
A method for manufacturing a memory element, comprising:
平板状の基板と、
非磁性の材料で構成され、前記基板の表面に膜状に設けられ、前記基板に接している面とは反対側の面に、微細な凹凸が形成されている凹凸膜と、
前記凹凸膜の表面に膜状に設けられた後、凹凸の側部と底部の部分、または、凹凸の側部の部分を除去することにより、前記凹凸膜の頂部に所定の厚さで設けられ、または、前記凹凸膜の頂部と底部とに所定の厚さで設けられた磁性体と、
前記凹凸膜の頂部に設けられた磁性体が露出するようにして、前記凹凸膜の凹部に設けられた非磁性体と、
を有することを特徴とするメモリ素子。 Oite to record a memory element of the information,
A flat substrate;
A concavo-convex film made of a non-magnetic material, provided in a film shape on the surface of the substrate, and having a fine concavo-convex formed on a surface opposite to the surface in contact with the substrate;
After being provided in a film shape on the surface of the concavo-convex film, the concavo-convex side and bottom portions or the concavo-convex side portions are removed to provide a predetermined thickness on the top of the concavo-convex film. Or a magnetic body provided at a predetermined thickness on the top and bottom of the concavo-convex film,
A non-magnetic material provided in the concave portion of the concave-convex film so that the magnetic material provided on the top of the concave-convex film is exposed;
Memory element, characterized in that it comprises a.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009256914A JP5337672B2 (en) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | Memory device and method for manufacturing memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009256914A JP5337672B2 (en) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | Memory device and method for manufacturing memory device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011103151A JP2011103151A (en) | 2011-05-26 |
| JP5337672B2 true JP5337672B2 (en) | 2013-11-06 |
Family
ID=44193430
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009256914A Active JP5337672B2 (en) | 2009-11-10 | 2009-11-10 | Memory device and method for manufacturing memory device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5337672B2 (en) |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3190655B2 (en) * | 1989-10-24 | 2001-07-23 | ソニー株式会社 | Manufacturing method of magnetic recording media |
| JP3286291B2 (en) * | 1999-02-10 | 2002-05-27 | ティーディーケイ株式会社 | Magnetic recording media |
| JP4076889B2 (en) * | 2003-03-26 | 2008-04-16 | Ｔｄｋ株式会社 | Method for manufacturing magnetic recording medium |
| JP4593128B2 (en) * | 2004-02-26 | 2010-12-08 | Ｔｄｋ株式会社 | Magnetic recording medium and magnetic recording / reproducing apparatus |
| JP4550504B2 (en) * | 2004-07-22 | 2010-09-22 | 株式会社日立製作所 | Manufacturing method of recording medium |
| JP2007095162A (en) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Magnetic recording medium and manufacturing method thereof |
| JP4871809B2 (en) * | 2006-08-11 | 2012-02-08 | キヤノン株式会社 | Patterned media, method for manufacturing magnetic recording medium, and method for manufacturing substrate |
-
2009
- 2009-11-10 JP JP2009256914A patent/JP5337672B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011103151A (en) | 2011-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6590727B2 (en) | Master information carrier, method for producing the carrier, method and apparatus for writing information into magnetic record medium using the carrier | |
| JP4322096B2 (en) | RESIST PATTERN FORMING METHOD, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC HEAD MANUFACTURING METHOD | |
| JP4724060B2 (en) | Magnetic disk unit | |
| JP2006277868A (en) | Discrete track medium and manufacturing method thereof | |
| JP2008162101A (en) | Method for manufacturing mold structure | |
| CN1201293C (en) | Master information carrier | |
| CN1208759C (en) | Master information magnetic recorder | |
| KR101367906B1 (en) | Method of manufacturing a patterned magnetic recording media | |
| JP4008933B2 (en) | Magnetic recording medium, method for manufacturing the same, and magnetic recording apparatus | |
| JP5417728B2 (en) | Magnetic recording medium, magnetic recording / reproducing apparatus, and method of manufacturing magnetic recording medium | |
| JP5337672B2 (en) | Memory device and method for manufacturing memory device | |
| JP5284328B2 (en) | Pattern forming method and imprint mold manufacturing method | |
| JP2010009729A (en) | Imprint stamper, method of manufacturing imprint stamper, magnetic recording medium, method of manufacturing magnetic recording medium and magnetic disk apparatus | |
| JP2007141306A (en) | Magnetic recording medium | |
| JP4580017B2 (en) | Pattern transfer stamper, magnetic recording medium manufacturing method using the same, and magnetic recording medium | |
| JP2010157281A (en) | Magnetic recording medium, magnetic recording device, and method of manufacturing magnetic recording medium | |
| JP2010267357A (en) | Patterned media manufacturing method and manufacturing apparatus | |
| US7986492B2 (en) | Process for filling a patterned media of a hard disk with UV-cured lubricant | |
| JP2006216181A (en) | Manufacturing method of master disk for magnetic transfer | |
| JPH10320768A (en) | Master information carrier | |
| JP2010015669A (en) | Servo master which performs magnetic transfer of servo pattern to magnetic recording medium and magnetic transfer method using the same | |
| CN100470370C (en) | Method for forming resist pattern, method for manufacturing master information carrier, and magnetic recording medium | |
| JP2011165300A (en) | Magnetic recording medium, magnetic recording apparatus equipped with the magnetic recording medium, and transfer master carrier | |
| JP2010244645A (en) | Manufacturing method of resin stamper and manufacturing method of magnetic recording medium | |
| JP5829671B2 (en) | Method for producing a master recording medium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120906 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130509 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130514 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130627 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130730 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130805 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5337672 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |