JP5339288B2 - Perovskite oxide fluorescent thin film - Google Patents
Perovskite oxide fluorescent thin film Download PDFInfo
- Publication number
- JP5339288B2 JP5339288B2 JP2009204167A JP2009204167A JP5339288B2 JP 5339288 B2 JP5339288 B2 JP 5339288B2 JP 2009204167 A JP2009204167 A JP 2009204167A JP 2009204167 A JP2009204167 A JP 2009204167A JP 5339288 B2 JP5339288 B2 JP 5339288B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- nanosheet
- oxide fluorescent
- perovskite oxide
- perovskite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Luminescent Compositions (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
本発明は、ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体に係わり、特に、耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材上に大面積のペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜を形成したペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体に関する。 The present invention relates to a perovskite oxide fluorescent thin film, and more particularly to a perovskite oxide fluorescent thin film in which a perovskite oxide fluorescent thin film having a large area is formed on a heat-resistant clay-based flexible sheet substrate.
従来、有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料や無機EL材料等、多数の蛍光体が実用化されているが、これらの蛍光体は、主として酸化・湿化によって結晶性が低下し蛍光特性の経年劣化が著しい。このような短寿命の蛍光体を用いた工業製品は、使い捨てを是とする大量消費社会には馴染むものの、省資源という観点からは問題が大きい。また、蛍光体を照明や光源やディスプレイに応用する際には、省エネルギーの観点から低電圧駆動を実現することが必要不可欠である。一方、未だ実用化はなされていないものの、酸化物多結晶体の中には、蛍光特性と堅牢な化学的安定性を両立するものが知られている。さらに、酸化物蛍光体を高品質な薄膜としてEL素子に組み込んだ場合、他の無機EL材料の場合とは異なり、10V程度の低電圧で駆動できることが期待できることが明らかとなっている。また、一般照明及びディスプレイ応用には大面積化が必要である。 Conventionally, many phosphors such as organic electroluminescence (EL) materials and inorganic EL materials have been put to practical use. However, these phosphors are mainly deteriorated in crystallinity due to oxidation and moistening, and deterioration of fluorescence characteristics over time. It is remarkable. Industrial products using such short-lived phosphors are familiar to mass-consumption societies that require single use, but are problematic from the viewpoint of resource saving. In addition, when applying the phosphor to illumination, a light source, or a display, it is indispensable to realize low voltage driving from the viewpoint of energy saving. On the other hand, although not yet put into practical use, some oxide polycrystals are known which have both fluorescence characteristics and robust chemical stability. Furthermore, it has been clarified that when an oxide phosphor is incorporated into an EL element as a high-quality thin film, it can be expected to be driven at a low voltage of about 10 V, unlike other inorganic EL materials. Also, a large area is required for general lighting and display applications.
従って、省エネルギー、省資源によって我が国の経済社会の持続性を高めるためには、実用化に耐える蛍光特性を有する高品質な酸化物蛍光薄膜を大面積で作成できる技術の開発が急務である。3次元的にランダムな結晶の集合からなる多結晶薄膜は蛍光特性を示すが強度が非常に弱いので、結晶性の高い配向膜を成長させることによって、高強度の蛍光を得る必要がある。さらに、酸化物蛍光体は透明性が高いため、窓を利用したディスプレイとして利用することが期待されるが、それを実現するためには、透明かつ安価な基材上に酸化物蛍光薄膜を作成する必要がある。 Therefore, in order to increase the sustainability of Japan's economy and society through energy saving and resource saving, there is an urgent need to develop a technology that can produce a high-quality oxide fluorescent thin film having a fluorescent property that can withstand practical use in a large area. A polycrystalline thin film composed of a set of three-dimensionally random crystals exhibits fluorescence characteristics but has very low intensity. Therefore, it is necessary to obtain high-intensity fluorescence by growing an alignment film having high crystallinity. In addition, since oxide phosphors are highly transparent, they are expected to be used as displays using windows. To achieve this, an oxide phosphor thin film is created on a transparent and inexpensive substrate. There is a need to.
特許文献1には、無機母体材料に希土類金属イオンや遷移金属イオンを含有した材料に、機械的外力を印加することによって発光する薄膜の製造方法が示されている。
特許文献2には、多結晶体Snペロブスカイト酸化物系の蛍光特性が示されている。
特許文献3には、SrTiO3単結晶基板上にアルミニウム元素をペロブスカイトに置換した、多結晶ターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃以上800℃以下の温度でエピタキシャル成長により基板上に薄膜が形成された酸化物蛍光エピタキシャル薄膜が示されている。
特許文献4には、酸化物蛍光材料をターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃以上800℃以下の温度でエピタキシャル成長により基板上に薄膜を形成し、薄膜の形成後、酸素中または大気中で900℃以上1200℃以下の熱処理によって蛍光特性を向上させた酸化物蛍光エピタキシャル薄膜が示されている。
特許文献5には、ナノシートをシード層として固体基板上に吸着させ、その上に酸化物蛍光配向膜を作製し、ディスプレイ作製の基礎となる赤色、緑色、青色の3原色のうち、赤色が得られるペロブスカイト蛍光薄膜について示されている。
特許文献6には、水を含む分散媒と合成粘土とを含有する粘土分散液の液膜を形成する工程と、この液膜から分散媒を除去する乾燥工程とを備えた粘土膜の製造方法において、乾燥工程にかかる時間を短くするために粘土分散液の固形分濃度を高くしても、得られる粘土膜のヘイズ(曇度)を小さくできる方法が示されている。
Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a thin film that emits light by applying a mechanical external force to a material containing a rare earth metal ion or a transition metal ion in an inorganic base material.
Patent Document 2 shows fluorescence characteristics of a polycrystalline Sn perovskite oxide system.
In Patent Document 3, a thin film is formed on a substrate by epitaxial growth at a temperature of 600 ° C. or more and 800 ° C. or less by a pulse laser deposition method as a polycrystalline target material in which an aluminum element is replaced with a perovskite on a SrTiO 3 single crystal substrate. An oxide fluorescent epitaxial thin film is shown.
In Patent Document 4, a thin film is formed on a substrate by epitaxial growth at a temperature of 600 ° C. or higher and 800 ° C. or lower by a pulse laser deposition method using an oxide fluorescent material as a target material. An oxide fluorescent epitaxial thin film having improved fluorescence characteristics by heat treatment at 900 ° C. to 1200 ° C. is shown.
In Patent Document 5, a nanosheet is adsorbed on a solid substrate as a seed layer, and an oxide fluorescent alignment film is produced thereon, and red is obtained from the three primary colors of red, green, and blue, which are the basis of display production. The perovskite fluorescent thin film is shown.
Patent Document 6 discloses a method for producing a clay film comprising a step of forming a liquid film of a clay dispersion liquid containing a dispersion medium containing water and synthetic clay, and a drying step of removing the dispersion medium from the liquid film. Shows a method that can reduce the haze (cloudiness) of the resulting clay film even if the solid concentration of the clay dispersion is increased in order to shorten the time required for the drying step.
非特許文献1には、多結晶体Sn系層状ペロブスカイト構造において青色蛍光が得られることが示されている。
非特許文献2には、多結晶体CaSnO3において、Tbを置換した際に蛍光特性が得られることが示されている。
非特許文献3には、多結晶体層状ペロブスカイトSrn+1TiO3n+1系で赤色蛍光特性が得られることが示されている。
非特許文献4には、SrTiO3単結晶および薄膜に関し、酸素欠損により青白蛍光が得られることが示されている。
非特許文献5には、多結晶体SrTiO3 にPr原子を置換することにより、赤色蛍光特性が得られることが示されている。
非特許文献6には、多結晶体Pr原子置換(CaxSr1-x)TiO3において赤色蛍光特性が得られることが示されている。
Non-Patent Document 1 shows that blue fluorescence can be obtained in a polycrystalline Sn-based layered perovskite structure.
Non-Patent Document 2 shows that fluorescence characteristics can be obtained when polycrystal CaSnO 3 is substituted with Tb.
Non-Patent Document 3 shows that red fluorescent characteristics can be obtained with a polycrystalline layered perovskite Sr n + 1 TiO 3n + 1 system.
Non-Patent Document 4 shows that blue-white fluorescence can be obtained by oxygen vacancies in SrTiO 3 single crystals and thin films.
Non-Patent Document 5 shows that red fluorescence characteristics can be obtained by substituting Pr atoms for polycrystalline SrTiO 3 .
Non-Patent Document 6 shows that red fluorescence characteristics can be obtained in polycrystalline Pr atom substitution (Ca x Sr 1-x ) TiO 3 .
上記文献に示すように、酸化物多結晶体においては良好な蛍光体が得られることは知られているが、未だ、ディスプレイの作製上必要な赤色、緑色、及び青色の3原色の蛍光を発する酸化物蛍光エピタキシャル薄膜体は知られていない。特に、ディスプレイ応用の際には、薄膜によるELの開発が必要不可欠であり、石英等の固体基板上に酸化物蛍光エピタキシャル薄膜を成膜する開発が進められているが、フレキシブル(柔軟)性を有する基板上での酸化物蛍光エピタキシャル薄膜の成膜に着目したディスプレイの作製は未開発の状態にある。 As shown in the above document, it is known that a good phosphor can be obtained in an oxide polycrystal, but it still emits three primary colors of red, green, and blue, which are necessary for manufacturing a display. No oxide fluorescent epitaxial thin film is known. In particular, the development of thin-film EL is indispensable for display applications, and the development of oxide fluorescent epitaxial thin films on solid substrates such as quartz is underway. The production of a display that focuses on the formation of an oxide fluorescent epitaxial thin film on a substrate having the same has not yet been developed.
本発明の目的は、従来の石英等の固体基板上とは異なる、耐熱性を有する粘土性フレキシブル(柔軟)シート基材上に、ディスプレイ作製の基礎となる赤色の発色が可能であって、ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜を安価に形成することが可能なペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体を提供することにある。 The object of the present invention is to provide a red color which is the basis for display production on a heat-resistant clay-based flexible sheet base material, which is different from a conventional solid substrate such as quartz, and is a perovskite. It is an object to provide a perovskite oxide fluorescent thin film body capable of forming a type oxide fluorescent thin film at low cost.
本発明は、上記の課題を解決するために、次のような手段を採用した。
第1の手段は、耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材と、該耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材上に形成された金薄膜と、該金薄膜上に吸着されたナノシートと、該ナノシート上に気相成長法によって、500℃以上700℃以下の温度で(SrxCa1-x)1-yPryTiO3:0≦x≦0.8、0.001≦y≦0.01からなるペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜が成膜されることを特徴とするペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体である。
第2の手段は、第1の手段において、前記ナノシートが、[Ca2Nb3O10]−(CNO) ナノシートと[N(C18H37)2(CH3)2]+(DOA)ナノシート からなる複合LB膜であることを特徴とするペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体である。
第3の手段は、第1の手段又は第2の手段において、前記耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材が、クレースト(Claist:登録商標)であることを特徴とするペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体である。
第4の手段は、第1の手段ないし第3の手段のいずれか1つの手段において、前記ナノシートの一辺のサイズが、10nm以上10μm以下であることを特徴とするペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体である。
The present invention employs the following means in order to solve the above problems.
The first means includes a heat-resistant clay-based flexible sheet substrate, a gold thin film formed on the heat-resistant clay-based flexible sheet substrate, a nanosheet adsorbed on the gold thin film, Perovskite-type oxidation consisting of (Sr x Ca 1-x ) 1-y Pr y TiO 3 : 0 ≤ x ≤ 0.8, 0.001 ≤ y ≤ 0.01 by vapor phase epitaxy on nanosheets It is a perovskite oxide fluorescent thin film characterized in that a fluorescent material thin film is formed.
The second means is that, in the first means, the nanosheet is [Ca 2 Nb 3 O 10 ] − (CNO) nanosheet and [N (C 18 H 37 ) 2 (CH 3 ) 2 ] + (DOA) nanosheet. A perovskite oxide fluorescent thin film characterized in that it is a composite LB film comprising:
A third means is the perovskite oxide fluorescent thin film characterized in that, in the first means or the second means, the heat-resistant clay-based flexible sheet base material is Claist (registered trademark). Is the body.
A fourth means is the perovskite oxide fluorescent thin film body according to any one of the first means to the third means, wherein the size of one side of the nanosheet is 10 nm or more and 10 μm or less. is there.
本発明によれば、赤色の優れた蛍光特性を示すペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜がフレキシブルなシート状基板上に得られる。この結果、フレキシブルなシート状基板上にペロブスカイト型酸化物薄膜によるエレクトロルミネッセンスデバイスの開発が期待される。更に、フレキシブルなシート状基板上に金薄膜を下部電極としてペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜を成膜したエレクトロルミネッセンスデバイスは、低電圧駆動が可能なことから、システムの小型化が可能となる。更に、ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜を利用することによって、試料の大気中暴露による結晶性の劣化が極めて少ない利点を有するペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体が得られる。 According to the present invention, a perovskite oxide fluorescent thin film having excellent red fluorescence characteristics can be obtained on a flexible sheet-like substrate. As a result, development of an electroluminescence device using a perovskite oxide thin film on a flexible sheet-like substrate is expected. Furthermore, an electroluminescent device in which a perovskite oxide fluorescent thin film is formed on a flexible sheet-like substrate with a gold thin film as a lower electrode can be driven at a low voltage, and thus the system can be miniaturized. Furthermore, by using a perovskite oxide fluorescent thin film, a perovskite oxide fluorescent thin film having an advantage that the deterioration of crystallinity due to exposure of the sample to the atmosphere is extremely small can be obtained.
本発明の一実施形態を図1〜図3を用いて説明する。
図1は、本実施形態に係るペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体の概略構成を示す図である。
同図に示すように、このペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体1は、耐熱性を有する粘土性フレキシブル(柔軟)シート基材2上に、下部電極として金薄膜3を成膜し、この金薄膜3上にペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜5の格子定数と整合するナノシート4を吸着させ、その上にペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜5を成膜したものである。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a perovskite oxide fluorescent thin film according to this embodiment.
As shown in the figure, this perovskite oxide fluorescent thin film body 1 is formed by forming a gold thin film 3 as a lower electrode on a heat-resistant clay-based flexible sheet base material 2. The nanosheet 4 matching the lattice constant of the perovskite oxide fluorescent thin film 5 is adsorbed thereon, and the perovskite oxide fluorescent thin film 5 is formed thereon.
耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材2としては、例えば、ケイ酸塩粘土からなるフィルム状の鉱物性基礎材料からなるクレースト(Claist:登録商標)が好適である。クレーストの耐熱温度は700℃以上であり、しかも柔らかい基板として利用できる。クレースト基材上に直接成膜しても高い結晶性は期待できないので、ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜5とナノシート4の格子整合性を図ることによってペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜5の高い結晶性を図る。また、エレクトロルミネセンス素子を作製する際には下部電極が必要である。そのため、下部電極として容易に成膜可能で、化学的安定に優れた金薄膜3を粘土性フレキシブルシート基材2上に成膜し、その上に、ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜5の格子定数と整合したナノシート4を吸着する。ナノシート4は、[Ca2Nb3O10]−(CNO) ナノシートと[N(C18H37)2(CH3)2]+(DOA)ナノシート からなる複合LB膜(Langmuir-Blodgett膜)を予め金薄膜3上に堆積させておく。ナノシート材料4の格子定数は0.39nm前後であり、ペロブスカイト酸化物の多くの材料はこの近傍の格子定数を持つ。この数値範囲とすることにより、整合性が良くなり、結晶性の優れたペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜をエピタキシャル成長させることができる。 As the clay-based flexible sheet base material 2 having heat resistance, for example, Claist (registered trademark) made of a film-like mineral base material made of silicate clay is suitable. The heat-resistant temperature of the crater is 700 ° C. or higher, and it can be used as a soft substrate. Since high crystallinity cannot be expected even if the film is formed directly on the creest base material, high crystallinity of the perovskite oxide fluorescent thin film 5 is achieved by achieving lattice matching between the perovskite oxide fluorescent thin film 5 and the nanosheet 4. . Moreover, when producing an electroluminescent element, a lower electrode is required. Therefore, a gold thin film 3 that can be easily formed as a lower electrode and is excellent in chemical stability is formed on the clay-like flexible sheet substrate 2, and the lattice constant of the perovskite oxide fluorescent thin film 5 is formed on the gold thin film 3. The aligned nanosheet 4 is adsorbed. Nanosheet 4 is a composite LB film (Langmuir-Blodgett film) composed of [Ca 2 Nb 3 O 10 ] − (CNO) nanosheet and [N (C 18 H 37 ) 2 (CH 3 ) 2 ] + (DOA) nanosheet. It is deposited on the gold thin film 3 in advance. The lattice constant of the nanosheet material 4 is around 0.39 nm, and many materials of perovskite oxide have a lattice constant in the vicinity thereof. By setting it in this numerical range, it is possible to epitaxially grow a perovskite oxide fluorescent thin film with improved consistency and excellent crystallinity.
以下に、本発明の成膜法の詳細について述べる。ナノシート4上へのペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜5の成膜は、パルスレーザー堆積法を用いた。レーザー照射周波数は8Hzであり、成膜時間は30分である。また、耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材2とターゲット間距離は30mmとした。レーザーエネルギー密度は、ターゲット照射時、約1J/cm2である。ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜5は酸素気流中で成膜することができるため、酸化物薄膜成長時には酸素欠損等による電気的特性、蛍光特性の劣化を極めて少なくすることができる。パルスレーザー堆積法は、1Torr以下の低圧酸素中で、酸化物からなるターゲット材料にArF(波長193nm)エキシマレーザーを照射し、ターゲット材料をプラズマ化させてプルームを生成し、そのターゲット材料に対向した面に過熱した基材を配置し、薄膜を堆積させる手法である。1000℃以下の温度ではクラスター成長が支配的であり、ターゲット材料をその化学量論組成で成膜させることができる。 Details of the film forming method of the present invention will be described below. The perovskite oxide fluorescent thin film 5 was formed on the nanosheet 4 by a pulse laser deposition method. The laser irradiation frequency is 8 Hz, and the film formation time is 30 minutes. Further, the distance between the heat-resistant clay-based flexible sheet substrate 2 and the target was 30 mm. The laser energy density is about 1 J / cm 2 during target irradiation. Since the perovskite oxide fluorescent thin film 5 can be formed in an oxygen stream, the deterioration of electrical characteristics and fluorescent characteristics due to oxygen deficiency or the like can be extremely reduced during oxide thin film growth. In the pulsed laser deposition method, a target material made of oxide is irradiated with an ArF (wavelength: 193 nm) excimer laser in low-pressure oxygen of 1 Torr or less, and the target material is turned into plasma to generate a plume, which faces the target material. In this method, a superheated substrate is placed on the surface and a thin film is deposited. Cluster growth is dominant at temperatures below 1000 ° C., and the target material can be deposited with its stoichiometric composition.
図2は、本発明で作製した、耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材2上の金薄膜3上に、ナノシート4を吸着させ、ターゲット材料として、(SrxCa1-x)1-yPryTiO3:0≦x≦0.8、0.001≦y≦0.01(X=0.4,y=0.002)を用い、パルスレーザー堆積法によって700℃成長時におけるペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体1のX線回折の結果を示すグラフである。
同図に示すように、2θが30度以下で出現しているピークは、耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材2として用いたクレーストに由来するピークである。図中のPCSTOは(SrxCa1-x)1-yPryTiO3:0≦x≦0.8、0.001≦y≦0.01(X=0.4,y=0.002)の略である。
FIG. 2 shows a case in which a nanosheet 4 is adsorbed on a gold thin film 3 on a heat-resistant clay-based flexible sheet base material 2 produced in the present invention, and (Sr x Ca 1-x ) 1-y is used as a target material. X-ray diffraction of the perovskite oxide phosphor thin film 1 during growth at 700 ° C. by Pr laser using the Pr y TiO 3 : 0 ≦ x ≦ 0.8, 0.001 ≦ y ≦ 0.01 (X = 0.4, y = 0.002) It is a graph which shows the result.
As shown in the figure, the peak that appears when 2θ is 30 degrees or less is a peak derived from the crust used as the heat-resistant clay-based flexible sheet substrate 2. PCSTO in the figure (Sr x Ca 1-x) 1-y Pr y TiO 3: stands for 0 ≦ x ≦ 0.8,0.001 ≦ y ≦ 0.01 (X = 0.4, y = 0.002).
本発明に係るペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体5の作製は、最も良い蛍光特性が得られると考えられるペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜5の化学組成である(SrxCa1-x)1-yPryTiO3:0≦x≦0.8、0.001≦y≦0.01のx=0.4、y=0.002において、基材温度を600℃及び700℃において成膜して行った。 The production of the perovskite oxide fluorescent thin film 5 according to the present invention is the chemical composition of the perovskite oxide fluorescent thin film 5 (Sr x Ca 1-x ) 1-y Pr, which is considered to obtain the best fluorescence characteristics. y TiO 3 : Film formation was performed at a substrate temperature of 600 ° C. and 700 ° C. at x = 0.4 and y = 0.002 where 0 ≦ x ≦ 0.8 and 0.001 ≦ y ≦ 0.01.
図3は、耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材2の温度を600℃と700℃でペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜5を成膜したときの薄膜の蛍光特性の調査のうち、典型例として、基材2の温度を700℃で成膜したときの蛍光特性(励起波長330nm)を示すグラフである。
同図に示すように、615nmの波長で蛍光特性が得られ、赤色であることが分かる。最適な化学組成でこれらの結果が得られたことから推測すると、(SrxCa1-x)1-yPryTiO3:0≦x≦0.8、0.001≦y≦0.01の領域においても同様の蛍光特性が得られると考えられる。
FIG. 3 shows a typical example of the investigation of the fluorescence characteristics of the thin film when the perovskite oxide fluorescent thin film 5 is formed at a temperature of 600 ° C. and 700 ° C. of the clay-like flexible sheet base material 2 having heat resistance. It is a graph which shows the fluorescence characteristic (excitation wavelength 330nm) when forming into a film with the temperature of the base material 2 at 700 degreeC.
As shown in the figure, the fluorescence characteristic is obtained at a wavelength of 615 nm, and it can be seen that the color is red. Presuming that these results were obtained with an optimal chemical composition, (Sr x Ca 1-x ) 1-y Pr y TiO 3 : 0 ≦ x ≦ 0.8, 0.001 ≦ y ≦ 0.01 It is considered that fluorescence characteristics can be obtained.
1 ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜体
2 耐熱性を有する粘土性フレキシブルシート基材
3 金薄膜
4 ナノシート
5 ペロブスカイト型酸化物蛍光薄膜
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Perovskite type oxide fluorescent thin film 2 Clay-like flexible sheet base material having heat resistance 3 Gold thin film 4 Nanosheet 5 Perovskite type oxide fluorescent thin film
Claims (4)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009204167A JP5339288B2 (en) | 2009-09-03 | 2009-09-03 | Perovskite oxide fluorescent thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009204167A JP5339288B2 (en) | 2009-09-03 | 2009-09-03 | Perovskite oxide fluorescent thin film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011052159A JP2011052159A (en) | 2011-03-17 |
| JP5339288B2 true JP5339288B2 (en) | 2013-11-13 |
Family
ID=43941480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009204167A Expired - Fee Related JP5339288B2 (en) | 2009-09-03 | 2009-09-03 | Perovskite oxide fluorescent thin film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5339288B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6143047B2 (en) * | 2012-08-08 | 2017-06-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Wavelength conversion device and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4162049B2 (en) * | 2005-08-03 | 2008-10-08 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | Transparent film |
| JP4763400B2 (en) * | 2005-09-22 | 2011-08-31 | 株式会社巴川製紙所 | Clay thin film substrate, clay thin film substrate with electrode, and display element using them |
| JP5403497B2 (en) * | 2007-09-05 | 2014-01-29 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | Crystal growth substrate and crystal growth method using the same |
-
2009
- 2009-09-03 JP JP2009204167A patent/JP5339288B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2011052159A (en) | 2011-03-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Wang et al. | Optical and photoluminescent properties of sol-gel Al-doped ZnO thin films | |
| JP5093694B2 (en) | Oxide perovskite thin film EL device | |
| Fan et al. | Single violet luminescence emitted from ZnO films obtained by oxidation of Zn film on quartz glass | |
| Wang et al. | Photoluminescence of ZnO films prepared by rf sputtering on different substrates | |
| Sans et al. | Optical properties of thin films of ZnO prepared by pulsed laser deposition | |
| Ohkubo et al. | Investigation of ZnO/sapphire interface and formation of ZnO nanocrystalline by laser MBE | |
| Kowalik et al. | Structural and optical properties of low-temperature ZnO films grown by atomic layer deposition with diethylzinc and water precursors | |
| Shi et al. | Co-emission of UV, violet and green photoluminescence of ZnO/TiO2 thin film | |
| Ngom et al. | Structural, morphological and photoluminescence properties of W-doped ZnO nanostructures | |
| Matsumura et al. | Pulsed laser deposition and photoluminescence measurements of ZnO thin films on flexible polyimide substrates | |
| Miyake et al. | Luminescent properties of ZnO thin films grown epitaxially on Si substrate | |
| Du et al. | Influence of annealing on ZnO thin film grown by plasma-assisted MOCVD | |
| US7427367B2 (en) | Barium thioaluminate phosphor materials with novel crystal structures | |
| Kang et al. | Relationship between ultraviolet emission and electron concentration of ZnO thin films | |
| JP5182857B2 (en) | Oxide phosphor epitaxial thin film | |
| Kim et al. | Effects of growth temperature for buffer layers on properties of ZnO thin films grown on porous silicon by plasma-assisted molecular beam epitaxy | |
| JP5339288B2 (en) | Perovskite oxide fluorescent thin film | |
| JP4873464B2 (en) | Oxide phosphor epitaxial thin film | |
| Garcı́a-Hipólito et al. | Characterization of ZrO2: Mn, Cl luminescent coatings synthesized by the Pyrosol technique | |
| Maemoto et al. | Growth of ZnO/Zn1− xMgxO films by pulsed laser ablation | |
| JP5371044B2 (en) | Perovskite phosphor thin film | |
| Zhang et al. | Structural and photoluminescence properties of Zn0. 8Mg0. 2O thin films grown on Si substrate by pulsed laser deposition | |
| Hsu et al. | Vertical ZnO/ZnGa2O4 core–shell nanorods grown on ZnO/glass templates by reactive evaporation | |
| JP5019326B2 (en) | Method for producing MgaZn1-aO single crystal thin film | |
| Hwang et al. | Effects of pre-annealing conditions on the characteristics of ZnO nanorods and ZnO/p-Si heterojunction diodes grown through hydrothermal method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120223 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121210 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130115 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130723 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130730 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5339288 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |