JP5342256B2

JP5342256B2 - Wafer processing film and method for manufacturing semiconductor device using wafer processing film

Info

Publication number: JP5342256B2
Application number: JP2009023532A
Authority: JP
Inventors: 一貴建部
Original assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Current assignee: Furukawa Electric Co Ltd
Priority date: 2009-02-04
Filing date: 2009-02-04
Publication date: 2013-11-13
Anticipated expiration: 2029-02-04
Also published as: JP2010182777A

Description

本発明は、ウエハ加工用フィルムに関し、特に、ダイシングテープとダイボンディングフィルムの２つの機能を有するダイシング・ダイボンディングフィルムや、ダイシングテープの機能を備えるダイボンディングフィルムを含むウエハ加工用フィルムに関する。また、前記ウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法に関する。 The present invention relates to a wafer processing film, and more particularly to a dicing die bonding film having two functions of a dicing tape and a die bonding film, and a wafer processing film including a die bonding film having the function of a dicing tape. The present invention also relates to a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film.

近時、半導体ウエハを個々のチップに切断分離（ダイシング）する際に半導体ウエハを固定するためのダイシングテープと、切断された半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するため、又は、スタックドパッケージにおいては、半導体チップ同士を積層、接着するためのダイボンディングフィルム（ダイアタッチフィルムともいう）との２つの機能を併せ持つダイシング・ダイボンディングフィルムが開発されている。 Recently, a dicing tape for fixing a semiconductor wafer when the semiconductor wafer is cut and separated into individual chips (dicing) and a semiconductor chip that has been cut are bonded to a lead frame, a package substrate, or the like, or stacked. As a package, a dicing die bonding film having both functions of a die bonding film (also referred to as a die attach film) for laminating and adhering semiconductor chips has been developed.

このようなダイシング・ダイボンディングフィルムとしては、ウエハへの貼り付けや、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け等の作業性を考慮して、プリカット加工が施されたものがある。 As such a dicing / die bonding film, there is a film that has been precut in consideration of workability such as attachment to a wafer and attachment to a ring frame during dicing.

プリカット加工されたダイシング・ダイボンディングフィルムの例を、図９及び図１０に示す。図９、図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）は、それぞれダイシング・ダイボンディングフィルム６５を備えたウエハ加工用フィルム６０の概要図、平面図、断面図である。ウエハ加工用フィルム６０は、保護フィルム６１と、接着剤層６２と、粘着フィルム６３とからなる。接着剤層６２は、ウエハの形状に対応する円形に加工されたものであり、円形ラベル形状を有する。粘着フィルム６３は、ダイシング用のリングフレームの形状に対応する円形部分の周辺領域が除去されたものであり、図示するように、円形ラベル部６３ａと、その外側を囲むような周辺部６３ｂとを有する。接着剤層６２と粘着フィルム６３の円形ラベル部６３ａとは、その中心を揃えて積層され、また、粘着フィルム６３の円形ラベル部６３ａは、接着剤層６２を覆い、且つ、その周囲で保護フィルム６１に接触している。そして、接着剤層６２と粘着フィルム６３の円形ラベル部６３ａとからなる積層構造により、ダイシング・ダイボンディングフィルム６５が構成される。 An example of a pre-cut processed dicing die bonding film is shown in FIGS. FIGS. 9, 10 </ b> A, and 10 </ b> B are a schematic view, a plan view, and a cross-sectional view, respectively, of a wafer processing film 60 provided with a dicing die bonding film 65. The wafer processing film 60 includes a protective film 61, an adhesive layer 62, and an adhesive film 63. The adhesive layer 62 is processed into a circle corresponding to the shape of the wafer, and has a circular label shape. The adhesive film 63 is obtained by removing the peripheral area of the circular portion corresponding to the shape of the ring frame for dicing. As shown in the drawing, the adhesive film 63 includes a circular label portion 63a and a peripheral portion 63b surrounding the outside. Have. The adhesive layer 62 and the circular label portion 63a of the pressure-sensitive adhesive film 63 are laminated with their centers aligned, and the circular label portion 63a of the pressure-sensitive adhesive film 63 covers the adhesive layer 62 and has a protective film around it. 61 is in contact. The dicing / die bonding film 65 is constituted by a laminated structure including the adhesive layer 62 and the circular label portion 63 a of the adhesive film 63.

ウエハをダイシングする際には、積層状態の接着剤層６２及び粘着フィルム６３から保護フィルム６１を剥離し、図１１に示すように、接着剤層６２上に半導体ウエハＷの裏面を貼り付け、粘着フィルム６３の円形ラベル部６３ａの外周部にダイシング用リングフレームＲを粘着固定する。この状態で半導体ウエハＷをダイシングし、その後、粘着フィルム６３に紫外線照射等の硬化処理を施して半導体チップをピックアップする。このとき、粘着フィルム６３は、硬化処理によって粘着力が低下しているので、接着剤層６２から容易に剥離し、半導体チップは裏面に接着剤層６２が付着した状態でピックアップされる。半導体チップの裏面に付着した接着剤層６２は、その後、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際に、ダイボンディングフィルムとして機能する。 When dicing the wafer, the protective film 61 is peeled off from the laminated adhesive layer 62 and the adhesive film 63, and the back surface of the semiconductor wafer W is pasted on the adhesive layer 62 as shown in FIG. A dicing ring frame R is adhesively fixed to the outer peripheral portion of the circular label portion 63 a of the film 63. In this state, the semiconductor wafer W is diced, and then the adhesive film 63 is subjected to a curing process such as ultraviolet irradiation to pick up a semiconductor chip. At this time, the pressure-sensitive adhesive film 63 has a low adhesive strength due to the curing process, and thus easily peels off from the adhesive layer 62, and the semiconductor chip is picked up with the adhesive layer 62 attached to the back surface. The adhesive layer 62 attached to the back surface of the semiconductor chip then functions as a die bonding film when the semiconductor chip is bonded to a lead frame, a package substrate, or another semiconductor chip.

ところで、上記のようなウエハ加工用フィルム６０は、図９及び図１０に示すように、接着剤層６２と粘着フィルム６３の円形ラベル部６３ａとが積層された部分が、他の部分よりも厚い。このため、図１２に示す従来の巻き芯７０、すなわち、回転中心に円筒状の空洞部７３が形成された巻き芯７０を用いて、図１３に示すように、ウエハ加工用フィルム６０を製品としてロール状に巻いた際、接着剤層６２と粘着フィルム６３の円形ラベル部６３ａとの積層部分に、粘着フィルム６３が除去されることにより形成された粘着フィルム６３と保護フィルム６１との段差が重なりあい、柔軟な接着剤層６２表面に段差が転写される現象、すなわち図１４に示すような転写痕（ラベル痕、シワ、又は、巻き跡ともいう）が発生する。このような転写痕の発生は、特に、接着剤層６２が柔らかい樹脂で形成される場合や厚みがある場合、及びテープ６０の巻き数が多い場合などに顕著である。そして、転写痕が発生すると、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気を巻き込み、密着せず、その結果、接着不良を引き起こし、ウエハの加工時に不具合が生じるおそれがある。 By the way, as shown in FIGS. 9 and 10, the wafer processing film 60 as described above has a thicker portion where the adhesive layer 62 and the circular label portion 63a of the adhesive film 63 are laminated than the other portions. . Therefore, using the conventional core 70 shown in FIG. 12, that is, the core 70 in which the cylindrical cavity 73 is formed at the center of rotation, as shown in FIG. 13, the wafer processing film 60 is used as a product. When wound in a roll shape, the step between the adhesive film 63 formed by removing the adhesive film 63 and the protective film 61 overlaps the laminated portion of the adhesive layer 62 and the circular label portion 63a of the adhesive film 63. On the other hand, a phenomenon in which a step is transferred to the surface of the flexible adhesive layer 62, that is, a transfer mark (also referred to as a label mark, a wrinkle, or a winding mark) as shown in FIG. 14 occurs. Such a transfer mark is particularly noticeable when the adhesive layer 62 is formed of a soft resin or has a thickness, or when the number of windings of the tape 60 is large. When the transfer mark is generated, air is caught between the adhesive layer and the semiconductor wafer and does not come into close contact with each other. As a result, adhesion failure occurs, and there is a possibility that a defect may occur during processing of the wafer.

上記転写痕の発生を抑制するためには、フィルムの巻き取り圧を弱くすることが考えられるが、この方法では、製品の巻きズレが生じ、例えばテープマウンターへのセットが困難となる等、フィルムの実使用時に支障を来すおそれがある。 In order to suppress the occurrence of the transfer marks, it is conceivable to reduce the film winding pressure. However, in this method, the winding of the product occurs, for example, the film is difficult to set on the tape mounter. There is a risk of hindrance during actual use.

また、特許文献１には、上記のようなラベル痕の発生を抑制するために、剥離基材上の接着剤層及び粘着フィルムの外方に、接着剤層及び粘着フィルムの合計の膜厚と同等又はそれ以上の膜厚を有する支持層を設けた接着シートが開示されている。特許文献１の接着シートは、支持層を備えることで、接着シートにかかっていた巻き取りの圧力を分散するか或いは支持層に集め、転写痕の発生を抑制している。 Moreover, in patent document 1, in order to suppress generation | occurrence | production of the label traces as described above, the total film thickness of the adhesive layer and the adhesive film on the outside of the adhesive layer and the adhesive film on the release substrate An adhesive sheet provided with a support layer having an equivalent or greater film thickness is disclosed. The adhesive sheet of Patent Document 1 is provided with a support layer, so that the winding pressure applied to the adhesive sheet is dispersed or collected in the support layer to suppress the generation of transfer marks.

特開２００７−２１７３号公報JP 2007-2173 A

しかしながら、上記特許文献１の接着シートでは、剥離基板上の、半導体装置を製造する場合等に必要とされる接着剤層及び粘着フィルム以外の部分に、支持層が形成されることから、支持層の幅に制限があり、接着剤層及び粘着フィルムの外径に対して支持層の幅が狭く、ラベル痕の抑制効果が十分ではないという問題が生じていた。また、支持層は一般的に粘着性を有さず、剥離基材（ＰＥＴフィルム）と十分に貼り付いていないことから、支持層の最も狭い部分において剥離基材から浮き、ウエハにダイシング・ダイボンディングフィルムを貼り合わせる際に、上述した浮いた部分が装置に引っかかり、ウエハが損傷してしまうという問題が生じていた。 However, in the adhesive sheet of Patent Document 1, since the support layer is formed on a part other than the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film required when manufacturing a semiconductor device on the release substrate, the support layer The width of the support layer is limited with respect to the outer diameter of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, and the effect of suppressing the label traces is not sufficient. Also, since the support layer is generally not sticky and does not adhere well to the release substrate (PET film), it floats from the release substrate at the narrowest part of the support layer, and is diced to the wafer. When the bonding film is bonded, the above-described floating portion is caught by the apparatus, causing a problem that the wafer is damaged.

なお、支持層の幅を広くすることも考えられるが、ウエハ加工用フィルム全体の幅も広くなるため、既存設備の使用が困難となる。また、支持層は、最終的に廃棄される部分であることから、支持層の幅を広げることは材料コストの上昇に繋がる。 Although it is conceivable to increase the width of the support layer, the width of the entire wafer processing film is also increased, making it difficult to use existing equipment. In addition, since the support layer is a part that is finally discarded, increasing the width of the support layer leads to an increase in material cost.

そこで、本発明の目的は、接着剤層及び粘着フィルムを有するダイシング・ダイボンディングフィルムを含むウエハ加工用フィルムや、ダイシングテープの機能を備えるダイボンディングフィルムを含むウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層への転写痕の発生を十分に抑制することができるウエハ加工用フィルムを提供することにある。また、このようなウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to roll up a wafer processing film including a dicing die bonding film having an adhesive layer and an adhesive film, and a wafer processing film including a die bonding film having a function of a dicing tape in a roll shape. It is an object of the present invention to provide a film for wafer processing that can sufficiently suppress generation of transfer marks on an adhesive layer. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device using such a wafer processing film.

以上のような目的を達成するため、第１の発明のウエハ加工用フィルムは、
基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、
前記粘着剤層は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていないことを特徴とする。 In order to achieve the above object, the wafer processing film of the first invention is:
A base film, and an adhesive film comprising an adhesive layer provided on the base film;
An adhesive layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer,
The adhesive layer includes a radiation polymerizable compound and a photoinitiator,
The adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to the semiconductor wafer,
The pressure-sensitive adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to a ring frame.

上述した発明のウエハ加工用フィルムによれば、接着剤層は放射線重合性化合物及び光開始剤を含むことから感光性を有し、フォトマスクを介して露光することにより、所望の位置、大きさ及び形状で硬化した接着剤層部分と硬化していない接着剤層部分とを形成できる。従って、リングフレームに対応する位置の接着剤層を露光することにより、接着剤層のリングフレームに対応する部分を硬化させ、接着性を弱めることができる。 According to the film for wafer processing of the invention described above, the adhesive layer has photosensitivity because it contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator, and is exposed to a desired position and size through a photomask. And an adhesive layer portion cured in shape and an uncured adhesive layer portion can be formed. Therefore, by exposing the adhesive layer at the position corresponding to the ring frame, the portion of the adhesive layer corresponding to the ring frame can be cured and the adhesiveness can be weakened.

従来、接着剤層が被着体と剥離し難かったため、所望の形状（例えば、円形平面形状）にプリカットされた接着剤層を使用することにより、使用後のウエハ加工用フィルムを剥離する際にリングフレームへの接着剤の残存を防止していたが、接着剤層の接着性を弱められたことから、接着剤層及び粘着フィルムを所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 Conventionally, since the adhesive layer has been difficult to peel off from the adherend, when the wafer processing film after use is peeled off by using the adhesive layer pre-cut into a desired shape (for example, a circular planar shape) Although the adhesive remained on the ring frame was prevented, the adhesiveness of the adhesive layer was weakened, so it was not necessary to pre-cut the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film into a predetermined shape. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.

また、本発明に係るウエハ加工用フィルムとして、接着剤層の表面には、保護フィルムが剥離可能に貼合され、前記保護フィルムは、放射線遮蔽性を有するとともに、リングフレームに対応した切り込みが形成されていることが好ましい。 Moreover, as a film for wafer processing according to the present invention, a protective film is releasably bonded to the surface of the adhesive layer, and the protective film has radiation shielding properties and a notch corresponding to the ring frame is formed. It is preferable that

上述した発明によれば、リングフレームに対応した形状の保護フィルムを剥離した後、ウエハ加工用フィルムを露光すると、リングフレームに対応する接着剤層部分のみを感光させ、硬化させることが可能となり、接着性を弱めることができる。 According to the above-described invention, after the protective film having a shape corresponding to the ring frame is peeled off, when the wafer processing film is exposed, only the adhesive layer portion corresponding to the ring frame can be exposed and cured, Adhesiveness can be weakened.

なお、本発明に係るウエハ加工用フィルムとして、段階的に所望の部分を硬化させるために、粘着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、接着剤層に含まれる光開始剤と前記粘着剤層に含まれる光開始剤とは、異なる波長に反応することが望ましい。 In addition, in order to harden a desired part in steps as the film for wafer processing according to the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer includes a radiation polymerizable compound and a photoinitiator, and is included in the adhesive layer. It is desirable that the photoinitiator contained in the pressure-sensitive adhesive layer reacts with different wavelengths.

また、第２の発明のウエハ加工用フィルムは、
基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層は、半導体ウエハに対応した形状にプリカットされていないことを特徴とする。 The film for processing a wafer of the second invention is
A base film, and an adhesive layer provided on the base film;
The adhesive layer includes a radiation polymerizable compound and a photoinitiator,
The adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to a semiconductor wafer.

第２の発明のウエハ加工用フィルムは、第１の発明のウエハ加工用フィルムと比較して、粘着剤層がない構成のダイシング機能付きダイボンディングフィルムを含むウエハ加工用フィルムである。すなわち、接着剤層は、ウエハをダイシングする際にウエハを保持する粘着性を有し、かつ、紫外線硬化等により基材フィルムとの接着性が弱められ、基材フィルムと接着剤層との間で剥離可能とするものである。上述した第２の発明のウエハ加工用フィルムによれば、接着剤層は放射線重合性化合物及び光開始剤を含むことから、感光性を有し、フォトマスクを介して露光することにより、所望の位置、大きさ及び形状で硬化した接着剤層部分と硬化していない接着剤層部分とを形成できる。従って、リングフレームに対応する位置の接着剤層を露光して硬化させ、硬化させた接着剤層部分の接着性を弱めることができる。 The film for wafer processing of the second invention is a film for wafer processing including a die bonding film with a dicing function having a configuration without an adhesive layer as compared with the film for wafer processing of the first invention. That is, the adhesive layer has adhesiveness for holding the wafer when dicing the wafer, and the adhesiveness to the base film is weakened by ultraviolet curing or the like, so that the gap between the base film and the adhesive layer is reduced. Can be peeled off. According to the wafer processing film of the second invention described above, since the adhesive layer contains the radiation polymerizable compound and the photoinitiator, the adhesive layer has photosensitivity and is exposed through a photomask to obtain a desired An adhesive layer portion cured in position, size and shape and an uncured adhesive layer portion can be formed. Therefore, the adhesive layer at the position corresponding to the ring frame is exposed and cured, and the adhesiveness of the cured adhesive layer portion can be weakened.

さらに、リングフレームに対応する接着剤層部分を露光した後、ウエハに対応する接着剤層部分を露光し、感光させ、硬化させることにより、基材フィルムと硬化した接着剤層との間で剥離可能とすることができる。 Furthermore, after the adhesive layer portion corresponding to the ring frame is exposed, the adhesive layer portion corresponding to the wafer is exposed, exposed, and cured, thereby peeling between the base film and the cured adhesive layer. Can be possible.

従って、リングフレームへの接着剤の残存を防止するために、接着剤層を所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、従来、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 Therefore, it is not necessary to pre-cut the adhesive layer into a predetermined shape in order to prevent the adhesive from remaining on the ring frame. As a result, conventionally, when a wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.

上述した発明によれば、リングフレームに対応した形状の保護フィルムを剥離した後、ウエハ加工用フィルムを露光すると、リングフレームに対応する接着剤層部分のみを露光させ、硬化させることが可能となり、接着性を弱めることができる。 According to the above-described invention, after the protective film having a shape corresponding to the ring frame is peeled off, when the wafer processing film is exposed, only the adhesive layer portion corresponding to the ring frame can be exposed and cured, Adhesiveness can be weakened.

また、第３の発明のウエハ加工用フィルムは、
基材フィルム、及び、前記基材フィルム上に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムと、
前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層の半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分は、放射線が照射されることにより予め硬化されていることを特徴とする。 Moreover, the film for wafer processing of the third invention is
A base film, and an adhesive film comprising an adhesive layer provided on the base film;
An adhesive layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer,
The adhesive layer includes a radiation polymerizable compound and a photoinitiator,
Other than the portion corresponding to the semiconductor wafer of the adhesive layer, at least the portion corresponding to the ring frame is cured in advance by irradiation with radiation.

上述した第３の発明のウエハ加工用フィルムによれば、予め硬化した部分は接着性が弱められており、リングフレームへの接着剤の残存を防止するために、接着剤層等を所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 According to the film for wafer processing of the third invention described above, the adhesiveness is weakened in the precured portion, and the adhesive layer is formed in a predetermined shape to prevent the adhesive from remaining on the ring frame. There is no need to pre-cut. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.

なお、本発明に係るウエハ加工用フィルムとして、粘着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、接着剤層に含まれる光開始剤と前記粘着剤層に含まれる光開始剤とは、異なる波長に反応することが望ましい。 As the wafer processing film according to the present invention, the pressure-sensitive adhesive layer includes a radiation polymerizable compound and a photoinitiator, and includes a photoinitiator included in the adhesive layer and a photoinitiator included in the pressure-sensitive adhesive layer. It is desirable to react to different wavelengths.

さらに、第４の発明のウエハ加工用フィルムは、
基材フィルムと、前記基材フィルム上に設けられた接着剤層とを有し、
前記接着剤層は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含み、
前記接着剤層の半導体ウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分は、放射線が照射されることにより予め硬化されていることを特徴とする。 Furthermore, the wafer processing film of the fourth invention is
A base film, and an adhesive layer provided on the base film;
The adhesive layer includes a radiation polymerizable compound and a photoinitiator,
Other than the portion corresponding to the semiconductor wafer of the adhesive layer, at least the portion corresponding to the ring frame is cured in advance by irradiation with radiation.

上述した第４の発明のウエハ加工用フィルムによれば、第３の発明のウエハ加工用フィルムと同様、予め硬化した部分は接着性が弱められており、リングフレームへの接着剤の残存を防止するために、接着剤層等を所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 According to the film for wafer processing of the fourth invention described above, like the film for wafer processing of the third invention, the precured portion has weakened adhesiveness and prevents the adhesive from remaining on the ring frame. Therefore, it is not necessary to pre-cut the adhesive layer or the like into a predetermined shape. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.

また、上述したウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法として、接着剤層のウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分を感光させて硬化させる感光工程と、接着剤層にウエハを貼合する工程と、感光工程により、接着剤層の硬化した部分にリングフレームを固定するリング固定工程とを含むことが好ましい。 Further, as a method of manufacturing a semiconductor device using the above-described wafer processing film, a photosensitive step of exposing and curing at least a portion corresponding to the ring frame other than the portion corresponding to the wafer of the adhesive layer; It is preferable to include a step of bonding the wafer to the adhesive layer and a ring fixing step of fixing the ring frame to the cured portion of the adhesive layer by the photosensitive step.

上述した発明の半導体装置を製造する方法によれば、接着剤層のウエハに対応する部分以外であって、少なくともリングフレームに対応する部分を硬化させて、接着剤層の接着性を弱めることができる。従って、硬化した接着剤部分（リングフレームに対応した形状の接着剤層部分）にリングフレームを固定し、使用後、ウエハ加工用フィルムからリングフレームを剥がしても、リングフレームに接着剤の残存を防止することができる。従って、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができる。 According to the method of manufacturing the semiconductor device of the invention described above, the adhesive layer can be weakened by curing at least the portion corresponding to the ring frame other than the portion corresponding to the wafer of the adhesive layer. it can. Therefore, even if the ring frame is fixed to the cured adhesive part (adhesive layer part having a shape corresponding to the ring frame) and the ring frame is peeled off from the wafer processing film after use, the adhesive remains on the ring frame. Can be prevented. Therefore, the design of the desired semiconductor device can be changed without a large-scale change of the existing equipment.

なお、上述した発明の半導体装置を製造する方法では、半導体装置を製造する前のウエハ加工用フィルムに関して、接着剤層等を所定の形状にプリカットする必要がないことから、製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 In the method for manufacturing a semiconductor device according to the invention described above, it is not necessary to pre-cut the adhesive layer or the like into a predetermined shape for the film for wafer processing before manufacturing the semiconductor device. It is possible to prevent transfer marks from being generated in the adhesive layer.

本発明のウエハ加工用フィルムによれば、接着剤層等を所定の形状にプリカットする必要がなくなり、ウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層での転写痕の発生を十分に抑制することができ、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気を巻き込み、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際、接着不良や、ウエハの加工時の不具合を防止できる。さらに、本発明のウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法によれば、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができる。 According to the wafer processing film of the present invention, it is not necessary to pre-cut the adhesive layer or the like into a predetermined shape, and when the wafer processing film is wound up in a roll shape, transfer marks are generated in the adhesive layer. It can be sufficiently suppressed, when air is entrained between the adhesive layer and the semiconductor wafer, and the semiconductor chip is bonded to the lead frame, the package substrate, or another semiconductor chip, the adhesion failure or the wafer processing You can prevent problems. Furthermore, according to the method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film of the present invention, it is possible to change the design of a desired semiconductor device without a large-scale change of existing equipment.

（Ａ）は第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図であり、（Ｂ）はその変形例の断面図である。(A) is sectional drawing of the film for wafer processing which concerns on 1st Embodiment, (B) is sectional drawing of the modification. （Ａ）は第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図であり、（Ｂ）はその変形例の断面図である。(A) is sectional drawing of the film for wafer processing which concerns on 2nd Embodiment, (B) is sectional drawing of the modification. 第３実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図である。It is sectional drawing of the film for wafer processing which concerns on 3rd Embodiment. 第４実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図である。It is sectional drawing of the film for wafer processing which concerns on 4th Embodiment. 第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図である。It is a figure explaining the method to manufacture a semiconductor device using the film for wafer processing concerning a 1st embodiment. 第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図である。It is a figure explaining the method to manufacture a semiconductor device using the film for wafer processing concerning a 1st embodiment. 第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図である。It is a figure explaining the method to manufacture a semiconductor device using the film for wafer processing concerning a 2nd embodiment. 第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図である。It is a figure explaining the method to manufacture a semiconductor device using the film for wafer processing concerning a 2nd embodiment. 従来のウエハ加工用フィルムの概要図である。It is a schematic diagram of the conventional film for wafer processing. （Ａ）は従来のウエハ加工用フィルムの平面図であり、（Ｂ）は断面図である。(A) is a top view of the conventional film for wafer processing, (B) is sectional drawing. ダイシング・ダイボンディングフィルムとダイシング用リングフレームとが貼り合わされた状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the state by which the dicing die-bonding film and the ring frame for dicing were bonded together. （Ａ）は従来の巻き芯の断面図であり、（Ｂ）は側面図である。(A) is sectional drawing of the conventional winding core, (B) is a side view. 従来の巻き芯を用いてウエハ加工用フィルムを巻き付けた状態を説明する図である。It is a figure explaining the state which wound the film for wafer processing using the conventional winding core. 従来のウエハ加工用フィルムの不具合を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the malfunction of the film for conventional wafer processing.

以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。図１（Ａ）は第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図であり、図１（Ｂ）はその変形例の断面図である。図２（Ａ）は第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図であり、図２（Ｂ）はその変形例の断面図である。図３は、第３実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図であり、図４は第４実施形態に係るウエハ加工用フィルムの断面図である。そして、図５及び図６は第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図であり、図７及び図８は第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1A is a cross-sectional view of a wafer processing film according to the first embodiment, and FIG. 1B is a cross-sectional view of a modification thereof. FIG. 2A is a cross-sectional view of a film for wafer processing according to the second embodiment, and FIG. 2B is a cross-sectional view of a modification thereof. FIG. 3 is a cross-sectional view of a wafer processing film according to the third embodiment, and FIG. 4 is a cross-sectional view of the wafer processing film according to the fourth embodiment. 5 and 6 are views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the first embodiment, and FIGS. 7 and 8 are wafer processing films according to the second embodiment. It is a figure explaining the method of manufacturing a semiconductor device using this.

＜第１実施形態＞
第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０Ａは、図１（Ａ）に示すように、基材フィルム１１及び基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２からなる粘着フィルム１４と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム１５である。また、接着剤層１３は、ウエハに対応した形状にプリカットされておらず、粘着剤層１２は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていない。本実施形態においては、粘着剤層１２及び接着剤層１３は、基材フィルム１１上に、基材フィルム１１と同様に長尺状に積層されており、ウエハ加工用フィルム１０Ａは、厚さが異なる部分を有していない。また、接着剤層１３には、放射線重合性化合物と光開始剤が含まれている。 <First Embodiment>
As shown in FIG. 1A, a wafer processing film 10A according to the first embodiment includes a base film 11 and an adhesive film 14 including an adhesive layer 12 provided on the base film 11, and an adhesive. A dicing die bonding film 15 having an adhesive layer 13 provided on the layer 12. Further, the adhesive layer 13 is not pre-cut into a shape corresponding to the wafer, and the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame. In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the adhesive layer 13 are laminated in a long shape on the base film 11 in the same manner as the base film 11, and the wafer processing film 10A has a thickness. Does not have different parts. The adhesive layer 13 contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator.

一般に、ダイシング・ダイボンディングフィルム１５は、製品として流通する場合、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等の保護フィルム１７（図５（Ａ）参照）が接着剤層１３側全面に貼り付けられ、ウエハ加工用フィルムとして市場に流通する。以下、ウエハ加工用フィルムの構成要素である接着剤層と、基材フィルム及び粘着剤層からなる粘着フィルムとについて説明する。 In general, when the dicing die bonding film 15 is distributed as a product, a protective film 17 (see FIG. 5A) such as a polyethylene terephthalate (PET) type, a polyethylene type, or a film subjected to a release treatment is bonded. Affixed to the entire surface of the agent layer 13 and distributed to the market as a film for wafer processing. Hereinafter, the adhesive layer, which is a component of the wafer processing film, and the adhesive film composed of the base film and the adhesive layer will be described.

（接着剤層）
接着剤層は、半導体ウエハ等が貼り合わされてダイシングされた後、チップをピックアップする際に、粘着フィルムから剥離してチップに付着し、チップを基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層は、チップをピックアップする際に、個片化された半導体に付着したままの状態で、粘着フィルムから剥離することができる剥離性を有し、さらに、ダイボンディングする際において、チップを基板やリードフレームに接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。 (Adhesive layer)
Adhesive layer is used as an adhesive when fixing a chip to a substrate or a lead frame when the chip is picked up after the semiconductor wafer is bonded and then picked up and then peeled off from the adhesive film It is what is done. Therefore, the adhesive layer has a releasability that can be peeled off from the adhesive film while still attached to the separated semiconductor when picking up the chip, and when die bonding, In order to bond and fix the chip to the substrate or the lead frame, it has sufficient bonding reliability.

接着剤層は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。また、チップやリードフレームに対する接着力を強化するために、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。 The adhesive layer is obtained by forming a film of an adhesive in advance. For example, a known polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyester resin, polyesterimide resin used for the adhesive , Phenoxy resin, polysulfone resin, polyethersulfone resin, polyphenylene sulfide resin, polyether ketone resin, chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyurethane resin, epoxy resin, polyacrylamide resin, melamine resin, etc. and their mixtures may be used it can. Moreover, in order to reinforce the adhesive force with respect to a chip | tip or a lead frame, it is desirable to add a silane coupling agent or a titanium coupling agent to the said material and its mixture as an additive.

接着剤層の厚さは特に制限されるものではないが、通常５〜１００μｍ程度が好ましい。また、本実施形態に係るウエハ加工用フィルムの接着剤層１３は、放射線重合性化合物と光開始剤とを含む。従って、リングフレームに対応する位置の接着剤層を露光することにより、接着剤層のリングフレームに対応する部分を硬化させ、接着性を弱めることができる。 Although the thickness of an adhesive bond layer is not specifically limited, Usually, about 5-100 micrometers is preferable. Moreover, the adhesive bond layer 13 of the film for wafer processing which concerns on this embodiment contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator. Therefore, by exposing the adhesive layer at the position corresponding to the ring frame, the portion of the adhesive layer corresponding to the ring frame can be cured and the adhesiveness can be weakened.

従来、接着剤層が被着体と剥離し難かったため、円形平面形状にプリカットされた接着剤層を使用することにより、使用後のウエハ加工用フィルムを剥離する際にリングフレームへの接着剤の残存を防止していたが、接着剤層の接着性を弱められたことから、接着剤層及び粘着フィルムを所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層と粘着フィルムとの積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 Conventionally, since the adhesive layer has been difficult to peel off from the adherend, the adhesive layer to the ring frame can be removed when peeling off the wafer processing film after use by using the adhesive layer pre-cut into a circular plane shape. Although the remaining was prevented, since the adhesiveness of the adhesive layer was weakened, it is not necessary to pre-cut the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film into a predetermined shape. As a result, when the wafer processing film is rolled as a product, there is no level difference that has occurred in the laminated portion of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive film, thereby preventing transfer marks from being generated in the adhesive layer. be able to.

接着剤層に含まれる放射線重合性化合物としては、紫外線や電子ビームなどの放射線の照射により重合し、硬化する化合物であれば、特に制限は無い。放射線重合性化合物の具体例としては、アクリル酸メチル、メタクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、ペンテニルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニルベンゼン、４−ビニルトルエン、４−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピロリドン、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、１，３−アクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、１，２−メタクリロイルオキシ−２−ヒドロキシプロパン、メチレンビスアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、トリス（β−ヒドロキシエチル）イソシアヌレートのトリアクリレート等が挙げられる。 The radiation polymerizable compound contained in the adhesive layer is not particularly limited as long as it is a compound that is polymerized and cured by irradiation with radiation such as ultraviolet rays or electron beams. Specific examples of the radiation polymerizable compound include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, pentenyl acrylate, tetrahydro Furfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, diethylene glycol dimethacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane diacrylate, trimethylolpropane Triacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, tri Tyrolpropane trimethacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate , Pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, styrene, divinylbenzene, 4-vinyltoluene, 4-vinylpyridine, N-vinylpyrrolidone, 2-hydroxyethyl acrylate, 2 -Hydroxyethyl methacrylate, 1,3-acryloyloxy-2-hydroxypropane, 1,2-methan Acryloyloxy-2-hydroxypropane, methylenebisacrylamide, N, N- dimethyl acrylamide, N- methylol acrylamide, triacrylate of tris (beta-hydroxyethyl) isocyanurate.

上記の化合物の他、官能基を含むビニル共重合体に、少なくとも１個のエチレン性不飽和基と、オキシラン環、イソシアネート基、水酸基、及びカルボキシル基等の官能基とを有する化合物を付加反応させて得られる、側鎖にエチレン性不飽和基を有する放射線重合性共重合体等を使用することができる。また、これらの放射線重合性化合物は、１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することもできる。 In addition to the above compound, a vinyl copolymer containing a functional group is subjected to an addition reaction with a compound having at least one ethylenically unsaturated group and a functional group such as an oxirane ring, an isocyanate group, a hydroxyl group, and a carboxyl group. The radiation-polymerizable copolymer etc. which have an ethylenically unsaturated group in the side chain obtained in this way can be used. Moreover, these radiation-polymerizable compounds can also be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

また、接着剤層に含まれる光開始剤としては、放射線照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤、あるいは放射線照射によって塩基を発生する光塩基発生剤などが挙げられる。放射線照射によって遊離ラジカルを生成する光重合開始剤としては、感度を良くするために、３００〜５００ｎｍにおいて吸収帯を有するものが好ましい。かかる光重合開始剤の具体例としては、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’−テトラメチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ’−テトラエチル−４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２−メチル−１−（４−（メチルチオ）フェニル）−２−モルフォリノプロパノン−１、２，４−ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（ｍ−メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−フェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２，４−ジ（ｐ−メトキシフェニル）−５−フェニルイミダゾール二量体、２−（２，４−ジメトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体、９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９’−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチル−ペンチルフォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６，−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイド等のビスアシルフォスフィンオキサイドなどが挙げられる。これらは１種を単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 Moreover, as a photoinitiator contained in an adhesive bond layer, the photoinitiator which produces | generates a free radical by irradiation, the photobase generator etc. which generate | occur | produce a base by irradiation are mentioned. As a photoinitiator which produces | generates a free radical by irradiation, in order to improve a sensitivity, what has an absorption band in 300-500 nm is preferable. Specific examples of such photopolymerization initiators include benzophenone, N, N′-tetramethyl-4,4′-diaminobenzophenone (Michler ketone), N, N′-tetraethyl-4,4′-diaminobenzophenone, 4-methoxy. -4′-dimethylaminobenzophenone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone-1,2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 1-hydroxy Aromatic ketones such as -cyclohexyl-phenyl-ketone, 2-methyl-1- (4- (methylthio) phenyl) -2-morpholinopropanone-1,2,4-diethylthioxanthone, 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, Benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin pheny Benzoin ethers such as ether, benzoins such as methylbenzoin and ethylbenzoin, benzyl derivatives such as benzyldimethyl ketal, 2- (o-chlorophenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2- (o-chlorophenyl) -4 , 5-di (m-methoxyphenyl) imidazole dimer, 2- (o-fluorophenyl) -4,5-phenylimidazole dimer, 2- (o-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer 2-mer, 2- (p-methoxyphenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, 2,4-di (p-methoxyphenyl) -5-phenylimidazole dimer, 2- (2,4-dimethoxy) 2,4,5-triarylimidazole dimer such as phenyl) -4,5-diphenylimidazole dimer, -Acridine derivatives such as phenylacridine, 1,7-bis (9,9'-acridinyl) heptane, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphosphine oxide, bis (2, And bisacylphosphine oxides such as 4,6, -trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

また、光塩基発生剤としては、放射線照射時に塩基を発生する化合物であれば特に制限は受けない。発生する塩基として、反応性、硬化速度の点から強塩基性化合物が好ましい。一般的には、塩基性の指標として酸解離定数の対数であるｐＫａ値が使用され、水溶液中でのｐＫａ値が７以上の塩基が好ましく、さらに９以上の塩基がより好ましい。 The photobase generator is not particularly limited as long as it is a compound that generates a base when irradiated with radiation. As the base to be generated, a strongly basic compound is preferable from the viewpoint of reactivity and curing speed. In general, a pKa value that is a logarithm of an acid dissociation constant is used as a basic index, and a base having a pKa value in an aqueous solution of 7 or more is preferable, and a base of 9 or more is more preferable.

このような放射線照射時に発生する塩基としては、例えば、イミダゾール、２，４−ジメチルイミダゾール、１−メチルイミダゾール等のイミダゾール誘導体、ピペラジン、２，５−ジメチルピペラジン等のピペラジン誘導体、ピペリジン、１，２−ジメチルピペリジン等のピペリジン誘導体、プロリン誘導体、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン等のトリアルキルアミン誘導体、４−メチルアミノピリジン、４−ジメチルアミノピリジン等の４位にアミノ基またはアルキルアミノ基が置換したピリジン誘導体、ピロリジン、ｎ−メチルピロリジン等のピロリジン誘導体、トリエチレンジアミン、１，８−ジアザビスシクロ（５，４，０）ウンデセン−１（ＤＢＵ）等の脂環式アミン誘導体、ベンジルメチルアミン、ベンジルジメチルアミン、ベンジルジエチルアミン等のベンジルアミン誘導体等が挙げられる。 Examples of the base generated during irradiation with radiation include imidazole derivatives such as imidazole, 2,4-dimethylimidazole and 1-methylimidazole, piperazine derivatives such as piperazine and 2,5-dimethylpiperazine, piperidine, and 1,2 -A piperidine derivative such as dimethylpiperidine, a proline derivative, a trialkylamine derivative such as trimethylamine, triethylamine, or triethanolamine, an amino group or an alkylamino group substituted at the 4-position of 4-methylaminopyridine, 4-dimethylaminopyridine, etc. Pyridine derivatives, pyrrolidine, pyrrolidine derivatives such as n-methylpyrrolidine, alicyclic amine derivatives such as triethylenediamine, 1,8-diazabiscyclo (5,4,0) undecene-1 (DBU), benzylmethylamine Benzyldimethylamine, and the like benzylamine derivatives such as benzyl diethylamine.

（粘着フィルム）
本実施形態に係る粘着フィルム１４は、基材フィルム１１に粘着剤層１２を設けたものである。そして、粘着フィルム１４は、ウエハをダイシングする際にはウエハが剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後にチップをピックアップする際には容易に接着剤層から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。 (Adhesive film)
The pressure-sensitive adhesive film 14 according to this embodiment is obtained by providing a base film 11 with a pressure-sensitive adhesive layer 12. The adhesive film 14 has a sufficient adhesive strength so that the wafer does not peel when dicing the wafer, and has a low adhesive strength so that it can be easily peeled off from the adhesive layer when picking up the chip after dicing. It is what you have.

粘着フィルムの基材フィルムとしては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述するように、粘着剤層が放射線硬化性の放射線重合性化合物を含む場合、放射線透過性を有するものを使用することが好ましい。 As the base film of the pressure-sensitive adhesive film, any conventionally known film can be used without particular limitation. However, as will be described later, when the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation-curable radiation-polymerizable compound, radiation is used. It is preferable to use a material having permeability.

基材フィルムの材料として、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルムはこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。基材フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。 Examples of the material for the base film include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer, Α-olefin homopolymer or copolymer such as ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene or pentene copolymer, Listed are thermoplastic elastomers such as polyamide-polyol copolymers, and mixtures thereof. Further, the base film may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer. The thickness of the base film is not particularly limited and may be set as appropriate, but is preferably 50 to 200 μm.

粘着フィルムの粘着剤層に使用される樹脂としては、特に限定されるものではなく、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂等を使用することができる。 The resin used for the pressure-sensitive adhesive layer of the pressure-sensitive adhesive film is not particularly limited, and a known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin or the like used for the pressure-sensitive adhesive is used. be able to.

粘着剤層の樹脂には、アクリル系粘着剤、放射線重合性化合物、光開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。例えば、粘着剤層の樹脂に放射線重合性化合物を含む場合、放射線重合性化合物を粘着剤層に配合して放射線硬化により接着剤層から剥離しやすくすることができる。この場合、光開始剤としては、接着剤層に含まれる光開始剤と異なる波長に反応するものを選択する。粘着剤層の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５〜３０μｍが好ましい。 It is preferable to prepare a pressure-sensitive adhesive by appropriately blending an acrylic pressure-sensitive adhesive, a radiation polymerizable compound, a photoinitiator, a curing agent and the like into the resin of the pressure-sensitive adhesive layer. For example, when the resin of the pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation-polymerizable compound, the radiation-polymerizable compound can be blended in the pressure-sensitive adhesive layer and easily peeled from the adhesive layer by radiation curing. In this case, as the photoinitiator, one that reacts with a wavelength different from that of the photoinitiator contained in the adhesive layer is selected. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 5 to 30 μm.

＜第１実施形態の変形例＞
第１実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルム１０Ｂは、図１（Ｂ）に示すように、第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０Ａ（図１（Ａ））の接着剤層１３側全面に、剥離可能な保護フィルム１６が設けられているものである。具体的には、基材フィルム１１及び基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２からなる粘着フィルム１４と、粘着剤層１４上に設けられた接着剤層１３とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム１５’に対して、更に、接着剤層１３上に保護フィルム１６が設けられたものである。また、保護フィルム１６は放射線遮蔽性を有する。さらに、保護フィルム１６は、リングフレームに対応した切り込み１６ａが形成されている。切り込みは、リングフレームが貼着された際にリングフレームの内周および外周が位置する部分にそれぞれ形成するとよいが、内周が位置する部分にのみ形成してもよい。 <Modification of First Embodiment>
As shown in FIG. 1B, the wafer processing film 10B according to the modification of the first embodiment is on the side of the adhesive layer 13 of the wafer processing film 10A according to the first embodiment (FIG. 1A). A peelable protective film 16 is provided on the entire surface. Specifically, the dicing die bonding which has the adhesive film 14 which consists of the adhesive layer 12 provided on the base film 11 and the base film 11, and the adhesive layer 13 provided on the adhesive layer 14 A protective film 16 is further provided on the adhesive layer 13 with respect to the film 15 ′. Moreover, the protective film 16 has radiation shielding properties. Further, the protective film 16 has a cut 16a corresponding to the ring frame. The cuts may be formed in portions where the inner periphery and outer periphery of the ring frame are located when the ring frame is attached, but may be formed only in the portion where the inner periphery is positioned.

従って、放射線遮蔽性を有するとともに、リングフレームに対応した切り込み１６ａが形成された保護フィルム１６が、接着剤層１３の表面に、剥離可能に貼合されていることから、リングフレームに対応した保護フィルム部分を剥離した後、ウエハ加工用フィルムを露光すると、リングフレームに対応する接着剤層部分のみを感光させ、硬化させることが可能となり、接着性を弱めることができる。従って、リングフレームへの接着剤の残存を防止するために、接着剤層等を所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。また、全面保護フィルムを剥離した後に、別途用意したフォトマスクを貼着する必要がなく、工数およびコストを削減することができる。 Therefore, since the protective film 16 having radiation shielding properties and having the cut 16a corresponding to the ring frame is peelably bonded to the surface of the adhesive layer 13, the protection corresponding to the ring frame is provided. When the film for wafer processing is exposed after the film portion is peeled off, only the adhesive layer portion corresponding to the ring frame can be exposed and cured, and the adhesiveness can be weakened. Therefore, it is not necessary to pre-cut the adhesive layer or the like into a predetermined shape in order to prevent the adhesive from remaining on the ring frame. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer. In addition, it is not necessary to attach a separately prepared photomask after the entire protective film is peeled off, and man-hours and costs can be reduced.

（保護フィルム）
ウエハ加工用フィルムに用いられる保護フィルムとしては、放射線遮蔽性を有するものであれば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）系、ポリエチレン系、その他、離型処理がされたフィルム等周知のものを使用することができる。保護フィルムの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、２５〜５０μｍが好ましい。 (Protective film)
As the protective film used for the wafer processing film, a known film such as a polyethylene terephthalate (PET) type, a polyethylene type, or a film subjected to a release treatment may be used as long as it has radiation shielding properties. it can. The thickness of the protective film is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 25 to 50 μm.

放射線遮蔽性を有するフィルムのうち、紫外線遮蔽性を有するフィルムとしては、例えば、主成分としてアクリル系樹脂、フッ素系樹脂、塩化ビニル系樹脂等の熱可塑性樹脂を用い、これらの熱可塑性樹脂中に紫外線吸収剤を添加し練り込んだ熱可塑性樹脂組成物が成形されたフィルムが挙げられる。上記主成分として用いられる熱可塑性樹脂は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良いが、優れた耐候性を長期間にわたって確保するためには、アクリル系樹脂やフッ素系樹脂を用いることが好ましい。上記アクリル系樹脂及びフッ素系樹脂は、それぞれ単独で用いられても良いし、両者が併用されても良い。 Among the films having radiation shielding properties, as the film having ultraviolet shielding properties, for example, a thermoplastic resin such as an acrylic resin, a fluorine resin, or a vinyl chloride resin is used as a main component, and in these thermoplastic resins, Examples include a film formed of a thermoplastic resin composition in which an ultraviolet absorber is added and kneaded. The thermoplastic resin used as the main component may be used alone or in combination of two or more. In order to ensure excellent weather resistance over a long period of time, acrylic resin or fluorine It is preferable to use a resin. The acrylic resin and the fluorine resin may be used alone or in combination.

また、上記紫外線吸収剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収剤等が挙げられ、好適に用いられる。これらの紫外線吸収剤は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。 The ultraviolet absorber is not particularly limited, and examples thereof include benzophenone ultraviolet absorbers, benzotriazole ultraviolet absorbers, and cyanoacrylate ultraviolet absorbers, which are preferably used. These ultraviolet absorbers may be used alone or in combination of two or more.

＜第２実施形態＞
第２実施形態に係るウエハ加工用フィルム２０Ａは、図２（Ａ）に示すように、粘着剤層を有さず、基材フィルム２１と、基材フィルム２１上に設けられた接着剤層２３とを有するダイシング機能付きダイボンディングフィルム２５である。また、接着剤層２３は、リングフレームに対応した形状にプリカットされていないが、第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０Ａと同様、接着剤層２３には、放射線重合性化合物と光開始剤が含まれている。 Second Embodiment
As shown in FIG. 2A, the wafer processing film 20A according to the second embodiment does not have a pressure-sensitive adhesive layer, and has a base film 21 and an adhesive layer 23 provided on the base film 21. A die bonding film 25 with a dicing function. Further, the adhesive layer 23 is not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame, but, like the wafer processing film 10A according to the first embodiment, the adhesive layer 23 includes a radiation polymerizable compound and a photoinitiator. It is included.

第２実施形態に係るウエハ加工用フィルム２０Ａの接着剤層２３は、ウエハをダイシングする際のウエハを保持する粘着性を有し、かつ、紫外線硬化等の放射線硬化により基材フィルム２１との接着性が弱められ、基材フィルムと接着剤層との間で剥離可能とするものである。第２実施形態に係るウエハ加工用フィルム２０Ａによれば、接着剤層２３は放射線重合性化合物及び光開始剤を含むことから、感光性を有し、フォトマスクを介して、接着剤層２３のリングフレームに対応する部分を露光して硬化させ、硬化させた接着剤層部分の接着性を弱めることができる。 The adhesive layer 23 of the wafer processing film 20A according to the second embodiment has adhesiveness for holding the wafer when dicing the wafer, and adheres to the base film 21 by radiation curing such as ultraviolet curing. The property is weakened, and the film can be peeled between the base film and the adhesive layer. According to the wafer processing film 20A according to the second embodiment, since the adhesive layer 23 includes a radiation polymerizable compound and a photoinitiator, the adhesive layer 23 has photosensitivity, and the adhesive layer 23 is formed through a photomask. The part corresponding to the ring frame is exposed and cured, and the adhesiveness of the cured adhesive layer part can be weakened.

従って、リングフレームへの接着剤の残存を防止するために、接着剤層を所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 Therefore, it is not necessary to pre-cut the adhesive layer into a predetermined shape in order to prevent the adhesive from remaining on the ring frame. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.

＜第２実施形態の変形例＞
第２実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルム２０Ｂは、図２（Ｂ）に示すように、第２実施形態に係るウエハ加工用フィルム２０Ａ（図２（Ａ））の接着剤層２３側全面に、剥離可能な保護フィルム２６が設けられているものである。具体的には、基材フィルム２１と、基材フィルム２１上に設けられた接着剤層２３とを有するダイシング機能付きボンディングフィルム２５’に対して、更に、接着剤層２３上に保護フィルム２６が設けられたものである。また、保護フィルム２６は放射線遮蔽性を有する。さらに、保護フィルム２６は、リングフレームに対応した切り込み２６ａが形成されている。 <Modification of Second Embodiment>
As shown in FIG. 2B, the wafer processing film 20B according to the modification of the second embodiment is on the side of the adhesive layer 23 of the wafer processing film 20A according to the second embodiment (FIG. 2A). A peelable protective film 26 is provided on the entire surface. Specifically, with respect to the bonding film 25 ′ having a dicing function having the base film 21 and the adhesive layer 23 provided on the base film 21, a protective film 26 is further provided on the adhesive layer 23. It is provided. The protective film 26 has radiation shielding properties. Further, the protective film 26 has a cut 26a corresponding to the ring frame.

従って、放射線遮蔽性を有するとともに、リングフレームに対応した切り込み２６ａが形成された保護フィルム２６が、接着剤層２３の表面に、剥離可能に貼合されていることから、リングフレームに対応した形状の保護フィルム部分を剥離した後、ウエハ加工用フィルムを露光することにより、リングフレームに対応する接着剤層部分のみを感光させ、硬化させることが可能となり、接着性を弱めることができる。従って、リングフレームへの接着剤の残存を防止するために、接着剤層を所定の形状にプリカットする必要が無くなる。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。また、全面保護フィルムを剥離した後に、別途用意したフォトマスクを貼着する必要がなく、工数およびコストを削減することができる。 Therefore, since the protective film 26 having radiation shielding properties and having the cuts 26a corresponding to the ring frame is detachably bonded to the surface of the adhesive layer 23, the shape corresponding to the ring frame is obtained. After peeling off the protective film portion, by exposing the wafer processing film, only the adhesive layer portion corresponding to the ring frame can be exposed and cured, and the adhesiveness can be weakened. Therefore, it is not necessary to pre-cut the adhesive layer into a predetermined shape in order to prevent the adhesive from remaining on the ring frame. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer. In addition, it is not necessary to attach a separately prepared photomask after the entire protective film is peeled off, and man-hours and costs can be reduced.

＜第３実施形態＞
第３実施形態に係るウエハ加工用フィルム３０は、図３に示すように、第１実施形態に係るウエハ加工用フィルム１０Ａ（図１（Ａ））の接着剤層３３のリングフレームに対応する位置の接着剤層部分３３ａが予め硬化されたダイシング・ダイボンディングフィルム３５である。従って、硬化した接着剤層部分３３ａは接着性を弱められている。ここで、接着剤層３３及び粘着剤層３２は、放射線重合性化合物及び異なる波長に反応する光開始剤をそれぞれに含むものである。予め硬化された接着剤層部分３３ａは、接着剤層３３のリングフレームに対応する部分のみを露光し、感光させて硬化させたものである。なお、接着剤層３３及び粘着フィルム３４はリングフレームに対応した形状にプリカットされていないものである。 <Third Embodiment>
As shown in FIG. 3, the wafer processing film 30 according to the third embodiment is located at a position corresponding to the ring frame of the adhesive layer 33 of the wafer processing film 10A (FIG. 1A) according to the first embodiment. The adhesive layer portion 33a is a dicing / die bonding film 35 that has been cured in advance. Accordingly, the adhesive property of the cured adhesive layer portion 33a is weakened. Here, the adhesive layer 33 and the pressure-sensitive adhesive layer 32 each contain a radiation polymerizable compound and a photoinitiator that reacts to different wavelengths. The pre-cured adhesive layer portion 33a is obtained by exposing only the portion corresponding to the ring frame of the adhesive layer 33, exposing it to light, and curing it. The adhesive layer 33 and the adhesive film 34 are not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame.

従って、予め硬化した接着剤層部分３３ａは接着性が弱められていることから、リングフレームへの接着剤の残存を防止するために、接着剤層等を所定の形状にプリカットする必要が無い。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 Accordingly, since the adhesive layer portion 33a that has been cured in advance has weakened adhesiveness, it is not necessary to pre-cut the adhesive layer or the like into a predetermined shape in order to prevent the adhesive from remaining on the ring frame. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.

なお、ウエハをダイシングしてチップをピックアップする際には、少なくともウエハに対応する粘着剤層部分を、接着剤層３３の光開始剤が反応する波長の放射線と異なる波長の放射線により露光し、感光させ、硬化させることにより、接着剤層３３と硬化した粘着剤層３２との間で剥離可能とする。 When picking up a chip by dicing the wafer, at least the pressure-sensitive adhesive layer portion corresponding to the wafer is exposed to radiation having a wavelength different from that of the wavelength to which the photoinitiator of the adhesive layer 33 reacts, and photosensitive. It is made to peel between the adhesive layer 33 and the hardened adhesive layer 32 by making it harden | cure.

また、本実施の形態においては、接着剤層３３及び粘着剤層３２に、放射線重合性化合物及び異なる波長に反応する光開始剤を含めるようにしたが、粘着剤層３２には、放射線重合性化合物及び光開始剤に替えて、熱重合性化合物を含めるようにしてもよい。この場合、ピックアップ時に、接着剤層３３と粘着剤層３２との間で剥離可能とするために、粘着剤層３３に熱を照射して粘着剤層３２を硬化させ粘着力を低下させるとよい。 In the present embodiment, the adhesive layer 33 and the pressure-sensitive adhesive layer 32 include a radiation-polymerizable compound and a photoinitiator that reacts to different wavelengths. However, the pressure-sensitive adhesive layer 32 has a radiation-polymerizable property. Instead of the compound and the photoinitiator, a thermally polymerizable compound may be included. In this case, at the time of pick-up, in order to be able to peel between the adhesive layer 33 and the pressure-sensitive adhesive layer 32, heat is applied to the pressure-sensitive adhesive layer 33 to cure the pressure-sensitive adhesive layer 32 and reduce the pressure-sensitive adhesive force. .

＜第４実施形態＞
第４実施形態に係るウエハ加工用フィルム４０は、図４に示すように、第２実施形態に係るウエハ加工用フィルム２０Ａ（図２（Ａ））の接着剤層のうち、リングフレームに対応する位置の接着剤層部分４３ａが予め硬化されたダイシング機能付きダイボンディングフィルム４５である。硬化した接着剤層部分４３ａは接着性を弱められている。また、予め硬化された接着剤層４３は、放射線重合性化合物及び光開始剤を含む接着剤層４３のリングフレームに対応する部分のみを露光し、感光させて、硬化させたものである。なお、接着剤層４３はリングフレームに対応した形状にプリカットされていないものである。 <Fourth embodiment>
As shown in FIG. 4, the wafer processing film 40 according to the fourth embodiment corresponds to a ring frame in the adhesive layer of the wafer processing film 20 </ b> A (FIG. 2A) according to the second embodiment. The adhesive layer portion 43a at the position is a die bonding film 45 with a dicing function that has been cured in advance. The cured adhesive layer portion 43a has weak adhesion. In addition, the pre-cured adhesive layer 43 is obtained by exposing, exposing, and curing only a portion corresponding to the ring frame of the adhesive layer 43 containing the radiation polymerizable compound and the photoinitiator. The adhesive layer 43 is not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame.

従って、予め硬化した接着剤層部分４３ａは接着性が弱められており、リングフレームへの接着剤の残存を防止するために、接着剤層を所定の形状にプリカットする必要が無い。この結果、ウエハ加工用フィルムを製品としてロール状に巻いた際、接着剤層に転写痕が発生することを防止することができる。 Accordingly, the adhesive layer portion 43a that has been cured in advance has weakened adhesiveness, and it is not necessary to pre-cut the adhesive layer into a predetermined shape in order to prevent the adhesive from remaining on the ring frame. As a result, when the wafer processing film is wound as a product in a roll shape, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer.

＜半導体装置を製造する方法＞
第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を、図５
及び図６を用いて説明する。図５及び図６は第１実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法を説明する図であって、図５（Ａ）は保護フィルム１７が接着剤層１３上に貼り付けられている状態を、図５（Ｂ）は保護フィルム１７を剥離した後、放射線遮蔽性を有し、かつ、リングフレームに対応した形状のマスクＭを用いてマスキングした状態を、図５（Ｃ）は放射線を照射し、マスクＭのパターンを接着剤層１３に投影して感光させ、リングフレームに対応する接着剤層１３ａ部分を硬化させた状態を、図５（Ｄ）はウエハＷがウエハ加工用フィルムに貼り付けられた状態を、図５（Ｅ）はウエハＷをダイシングした状態を、図５（Ｆ）はウエハに対応する位置を含む粘着剤層１２を硬化させた状態を示す断面図である。さらに、図６（Ａ）はダイシングされたウエハが貼り合わされたウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置に搭載した状態を、図６（Ｂ）はエキスパンド後のウエハ及びウエハ加工用フィルムを示す断面図である。 <Method for Manufacturing Semiconductor Device>
FIG. 5 shows a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the first embodiment.
And it demonstrates using FIG. 5 and 6 are views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the first embodiment. FIG. 5A shows a protective film 17 applied on the adhesive layer 13. FIG. 5 (B) shows a state where the protective film 17 is peeled off and then masked with a mask M having a radiation shielding property and a shape corresponding to the ring frame. 5C shows a state in which radiation is irradiated, the pattern of the mask M is projected onto the adhesive layer 13 to be exposed, the adhesive layer 13a corresponding to the ring frame is cured, and FIG. FIG. 5E shows a state in which the wafer W is diced, and FIG. 5F shows a state in which the adhesive layer 12 including the position corresponding to the wafer is cured. It is sectional drawing. Further, FIG. 6A is a sectional view showing a state in which the wafer processing film on which the diced wafer is bonded is mounted on the expanding apparatus, and FIG. 6B is a cross-sectional view showing the expanded wafer and the wafer processing film. .

（準備工程）
図５（Ａ）に示すように、まず、基材フィルム１１及び基材フィルム１１上に設けられた粘着剤層１２からなる粘着フィルム１４と、粘着剤層１２上に設けられた接着剤層１３とを有するダイシング・ダイボンディングフィルム１５に対して、接着剤層１３側から保護フィルム１７が貼り付けられているウエハ加工用フィルムを準備する。ウエハ加工用フィルムは、接着剤層等がプリカットされていないことから、保護フィルムが貼り合わされた製品としてロール状に巻いた際、接着剤層１３と粘着フィルム１４との積層部分に生じていた段差も存在しないため、接着剤層１３に転写痕が発生することを防止することができる。 (Preparation process)
As shown in FIG. 5A, first, a pressure-sensitive adhesive film 14 including a base film 11 and a pressure-sensitive adhesive layer 12 provided on the base film 11, and an adhesive layer 13 provided on the pressure-sensitive adhesive layer 12 are used. A wafer processing film is prepared in which a protective film 17 is attached from the adhesive layer 13 side to the dicing die bonding film 15 having the above. Since the film for wafer processing is not pre-cut with an adhesive layer or the like, the step formed in the laminated portion of the adhesive layer 13 and the pressure-sensitive adhesive film 14 when rolled as a product with a protective film attached thereto Therefore, transfer marks can be prevented from being generated in the adhesive layer 13.

（マスキング工程）
次に、保護フィルム１７を剥離した後、放射線遮蔽性を有するマスクＭを用いて、接着剤層１３の一部をマスキングする。後工程である感光工程において、接着剤層１３のリングフレームに対応する部分のみを露光するため、リングフレーム以外の接着剤層部分の表面に対してマスクＭを用いてマスキングする（図５（Ｂ））。なお、接着剤層は、少なくともリングフレームに対応する部分が硬化していればよいため、ウエハを貼着する部分以外（リングフレームに対応する部分を含む）を露光してもよい。 (Masking process)
Next, after peeling off the protective film 17, a part of the adhesive layer 13 is masked using a mask M having radiation shielding properties. In the subsequent exposure step, only the portion of the adhesive layer 13 corresponding to the ring frame is exposed, so that the surface of the adhesive layer portion other than the ring frame is masked using the mask M (FIG. 5B). )). Note that the adhesive layer only needs to be cured at least at a portion corresponding to the ring frame, and therefore, the portion other than the portion to which the wafer is attached (including the portion corresponding to the ring frame) may be exposed.

（感光工程）
次に、図５（Ｃ）に示すように、放射線を照射し、マスクＭのパターンを接着剤層１３に投影して感光させ、リングフレームに対応する接着剤層１３ａ部分を硬化させる。硬化した部分１３ａの接着力が弱められた結果、後工程のリング固定工程で固定されたリングフレームをウエハ加工用フィルムから剥がしても、リングフレーム上に接着剤が残存することはなく、良好にリングフレームとウエハ加工用フィルムを剥がすことができる。 (Photosensitive process)
Next, as shown in FIG. 5C, radiation is irradiated, the pattern of the mask M is projected onto the adhesive layer 13 and exposed to light, and the adhesive layer 13a portion corresponding to the ring frame is cured. As a result of the weakened adhesive strength of the hardened portion 13a, the adhesive does not remain on the ring frame even when the ring frame fixed in the subsequent ring fixing step is peeled off from the wafer processing film. The ring frame and wafer processing film can be peeled off.

（貼合工程）
次に、図５（Ｄ）に示すように、ウエハ加工フィルムの外周部、すなわち、硬化した接着剤層部分１３ａの所定位置にリングフレーム５０を貼り合わせ、ダイシング・ダイボンディングフィルム１５の接着剤層１３側から、接着剤層１３に対して半導体ウエハＷの裏面を貼り合わせる。なお、以後の工程において、リングフレーム５０及び半導体ウエハＷを長尺状のダイシング・ダイボンディングフィルム１５に貼り合わせた状態で各工程を搬送させるのではなく、リングフレーム５０及び半導体ウエハＷを１組ずつ個別に搬送させる場合には、リングフレーム５０を貼り合わせる前あるいは貼り合わせた後に、リングフレーム５０の外周に沿って、ダイシング・ダイボンディングフィルム１５を切断するとよい。 (Bonding process)
Next, as shown in FIG. 5D, a ring frame 50 is bonded to a predetermined position of the outer peripheral portion of the wafer processing film, that is, the cured adhesive layer portion 13a, and the adhesive layer of the dicing die bonding film 15 is bonded. The back surface of the semiconductor wafer W is bonded to the adhesive layer 13 from the 13th side. In the subsequent processes, the ring frame 50 and the semiconductor wafer W are not transported in a state in which the ring frame 50 and the semiconductor wafer W are bonded to the long dicing die bonding film 15. In the case where the ring frame 50 is individually conveyed, the dicing die bonding film 15 may be cut along the outer periphery of the ring frame 50 before or after the ring frame 50 is bonded.

（ダイシング工程）
リングフレーム５０を介してウエハ加工用フィルムを図示しないダイシング装置に固定し、ブレードを用いて、半導体ウエハＷを機械的に切断し、複数の半導体チップＣに分割するとともに、接着剤層１３も分割する（図５（Ｅ））。 (Dicing process)
A wafer processing film is fixed to a dicing apparatus (not shown) via a ring frame 50, and a semiconductor wafer W is mechanically cut using a blade to divide the wafer into a plurality of semiconductor chips C, and the adhesive layer 13 is also divided. (FIG. 5E).

（照射工程）
そして、図５（Ｆ）に示すように、放射線を粘着剤層１２に照射して硬化させる。硬化させた粘着剤層は粘着力が低下するため、粘着剤層１２上の接着剤層１３を剥離させることが可能となる。なお、接着剤層１３を粘着剤層１２から剥離するために、粘着剤層全体を硬化させる必要はなく、少なくともウエハに対応する粘着剤層部分を硬化させてもよい。 (Irradiation process)
Then, as shown in FIG. 5 (F), the adhesive layer 12 is irradiated with radiation and cured. Since the adhesive force of the cured adhesive layer is reduced, the adhesive layer 13 on the adhesive layer 12 can be peeled off. In order to peel the adhesive layer 13 from the pressure-sensitive adhesive layer 12, it is not necessary to cure the whole pressure-sensitive adhesive layer, and at least the pressure-sensitive adhesive layer portion corresponding to the wafer may be cured.

（載置工程）
照射工程の後、図６（Ａ）に示すように、分割された複数の半導体チップＣを保持するウエハ加工用フィルムをエキスパンド装置のステージ５１上に載置する。図中、符号５２は、エキスパンド装置の中空円柱形状の突き上げ部材である。 (Installation process)
After the irradiation process, as shown in FIG. 6A, a wafer processing film holding a plurality of divided semiconductor chips C is placed on the stage 51 of the expanding apparatus. In the figure, reference numeral 52 denotes a hollow cylindrical push-up member of the expanding device.

（エキスパンド工程）
そして、図６（Ｂ）に示すように、ダイシングされたチップＣ及び接着剤層１３を保持した基材フィルム１１及び粘着剤層１２からなる粘着フィルムをリングフレームの周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数のチップＣ及び接着剤層１３を保持した状態の粘着フィルムに対して、中空円柱形状の突き上げ部材５２を、粘着フィルムの下面側から上昇させ、上記粘着フィルムをリングフレームの周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、チップ同士の間隔を広げ、ＣＣＤカメラ等によるチップの認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接するチップ同士が接触することによって生じるチップ同士の再接着を防止することができる。 (Expanding process)
Then, as shown in FIG. 6 (B), an expanding process is performed in which the adhesive film composed of the base film 11 and the adhesive layer 12 holding the diced chip C and the adhesive layer 13 is stretched in the circumferential direction of the ring frame. To do. Specifically, the hollow cylindrical push-up member 52 is raised from the lower surface side of the adhesive film with respect to the adhesive film holding the plurality of diced chips C and the adhesive layer 13, and the adhesive film is Stretch in the circumferential direction of the ring frame. By the expanding step, it is possible to widen the distance between the chips and improve the chip recognizability by a CCD camera or the like, and to prevent re-adhesion of the chips caused by contact between adjacent chips during pickup.

（ピックアップ工程）
エキスパンド工程を実施した後、粘着フィルムをエキスパンドした状態のままで、チップＣをピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルムの下側からチップをピンによって突き上げるとともに、粘着フィルムの上面側から吸着冶具でチップを吸着することで、個片化されたチップＣを接着剤層１３とともにピックアップする。 (Pickup process)
After carrying out the expanding step, a picking up step for picking up the chip C is carried out with the adhesive film expanded. Specifically, the chip is pushed up from the lower side of the adhesive film with a pin, and the chip C is picked up together with the adhesive layer 13 by adsorbing the chip with an adsorption jig from the upper surface side of the adhesive film.

（ダイボンディング工程）
そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程でチップＣとともにピックアップされた接着剤層により、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板等に接着して、半導体装置を製造する。 (Die bonding process)
Then, after performing the pickup process, the die bonding process is performed. Specifically, a semiconductor device is manufactured by bonding a semiconductor chip to a lead frame, a package substrate, or the like by an adhesive layer picked up together with the chip C in a pickup process.

なお、第１実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、当該ウエハ加工用フィルム（図１（Ｂ））は、放射線遮蔽性を有するとともに、リングフレームに対応した切り込み１６ａが形成された保護フィルム１６が、接着剤層１３の表面に、剥離可能に貼合されていることから、リングフレームに対応した形状の保護フィルム部分を剥離することにより、接着剤層１３上に剥離されずに存在する保護フィルムをマスクＭ（図５）として用いることができる。従って、マスキング工程を省略することができる。 In addition, when manufacturing a semiconductor device using the film for wafer processing which concerns on the modification of 1st Embodiment, the said film for wafer processing (FIG. 1 (B)) has a radiation shielding property, and respond | corresponds to a ring frame. Since the protective film 16 formed with the cuts 16a is detachably bonded to the surface of the adhesive layer 13, the adhesive layer is peeled off from the protective film portion having a shape corresponding to the ring frame. A protective film that is present without being peeled off 13 can be used as the mask M (FIG. 5). Therefore, the masking process can be omitted.

さらに、第３実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、当該ウエハ加工用フィルム（図３））は、リングフレームに対応する接着剤層部分３３ａが予め硬化されていることから、マスキング工程や感光工程を省略することができる。 Furthermore, when a semiconductor device is manufactured using the wafer processing film according to the modification of the third embodiment, the adhesive layer portion 33a corresponding to the ring frame is previously cured in the wafer processing film (FIG. 3). Therefore, the masking process and the photosensitive process can be omitted.

一方、粘着剤層を有さない構成である第２実施形態に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、図７及び図８に示すように、準備工程（図７（Ａ））、マスキング工程（図７（Ｂ））、感光工程（図７（Ｃ））、貼合工程（図７（Ｄ））、ダイシング工程（図７（Ｅ））を同様に行うことができる。そして、照射工程においては、図７（Ｆ）に示すように、少なくともウエハに対応する部分の接着剤層に放射線を照射して硬化させる。硬化させた接着剤層の接着力を低下させた結果、基材フィルム２１上の硬化した接着剤層２３ｂを基材フィルム２１から剥離させることが可能となる。その後、ピックアップ工程（図８（Ａ））、エキスパンド工程（図８（Ｂ））、ダイボンディング工程を経て、半導体装置を製造することができる。 On the other hand, when a semiconductor device is manufactured using the wafer processing film according to the second embodiment having a configuration not having an adhesive layer, as shown in FIGS. 7 and 8, a preparation step (FIG. 7A). ), Masking step (FIG. 7B), photosensitive step (FIG. 7C), bonding step (FIG. 7D), and dicing step (FIG. 7E) can be performed in the same manner. In the irradiation step, as shown in FIG. 7F, at least a part of the adhesive layer corresponding to the wafer is irradiated with radiation to be cured. As a result of reducing the adhesive force of the cured adhesive layer, the cured adhesive layer 23b on the base film 21 can be peeled from the base film 21. Thereafter, a semiconductor device can be manufactured through a pickup process (FIG. 8A), an expanding process (FIG. 8B), and a die bonding process.

なお、第２実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、第１実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する場合と同様、当該ウエハ加工用フィルム（図２（Ｂ））は、放射線遮蔽性を有するとともに、リングフレームに対応した切り込み２６ａが形成された保護フィルム２６が、接着剤層２３の表面に、剥離可能に貼合されていることから、リングフレームに対応した形状の保護フィルム部分を剥離することにより、接着剤層２３上に剥離されずに存在する保護フィルムをマスクＭ（図７）として用いることができ、マスキング工程を省略することができる。 In addition, when manufacturing a semiconductor device using the film for wafer processing which concerns on the modification of 2nd Embodiment, when manufacturing a semiconductor device using the film for wafer processing which concerns on the modification of 1st Embodiment, The wafer processing film (FIG. 2B) has radiation shielding properties, and a protective film 26 in which a cut 26 a corresponding to the ring frame is formed is detachably bonded to the surface of the adhesive layer 23. Therefore, the protective film existing on the adhesive layer 23 without being peeled off can be used as the mask M (FIG. 7) by peeling off the protective film portion having a shape corresponding to the ring frame. The process can be omitted.

さらに、第４実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、第３実施形態の変形例に係るウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する場合と同様、当該ウエハ加工用フィルム（図４））は、リングフレームに対応する接着剤層部分４３ａが予め硬化されていることから、マスキング工程や感光工程を省略することができる。 Furthermore, when a semiconductor device is manufactured using the wafer processing film according to the modified example of the fourth embodiment, as in the case of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to the modified example of the third embodiment, In the wafer processing film (FIG. 4), since the adhesive layer portion 43a corresponding to the ring frame is cured in advance, the masking step and the photosensitive step can be omitted.

以上より、本実施形態に係るウエハ加工用フィルムによれば、ウエハ加工用フィルムをロール状に巻き取った場合に、接着剤層での転写痕の発生を十分に抑制することができ、接着剤層と半導体ウエハとの間に空気を巻き込み、半導体チップをリードフレームやパッケージ基板、あるいは他の半導体チップに接着する際、接着不良や、ウエハの加工時の不具合を防止できた。さらに、本発明のウエハ加工用フィルムを用いて半導体装置を製造する方法によれば、所望の半導体装置を、既存設備の大規模な変更を伴わず、設計変更することができた。 As mentioned above, according to the film for wafer processing concerning this embodiment, when the film for wafer processing is wound up in roll shape, generation | occurrence | production of the transfer trace in an adhesive bond layer can fully be suppressed, and adhesive agent When air was engulfed between the layer and the semiconductor wafer to adhere the semiconductor chip to the lead frame, the package substrate, or another semiconductor chip, it was possible to prevent adhesion failure and problems during processing of the wafer. Furthermore, according to the method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film of the present invention, the desired semiconductor device can be changed in design without a large-scale change of existing facilities.

１０Ａ，１０Ｂ，２０Ａ，２０Ｂ，３０，４０：ウエハ加工用フィルム
１１，２１，３１，４１：基材フィルム
１２，２２，３２：粘着剤層
１３，２３，３３，４３：接着剤層
１４，３４：粘着フィルム
１５，１５’，３５：ダイシング・ダイボンディングフィルム
２５，２５’，４５：ダイシング機能付きダイボンディングフィルム
１６，１７，２６：保護フィルム
１６ａ，２６ａ：保護フィルムの切り込み 10A, 10B, 20A, 20B, 30, 40: Wafer processing films 11, 21, 31, 41: Base film 12, 22, 32: Adhesive layers 13, 23, 33, 43: Adhesive layers 14, 34 : Adhesive films 15, 15 ', 35: Dicing / die bonding films 25, 25', 45: Die bonding films with dicing function 16, 17, 26: Protective films 16a, 26a: Cutting of protective film

Claims

A base film, and an adhesive film comprising an adhesive layer provided on the base film;
An adhesive layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer,
The adhesive layer includes a radiation polymerizable compound and a photoinitiator,
The adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to the semiconductor wafer,
The pressure-sensitive adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to the ring frame ,
A protective film is peelably bonded to the surface of the adhesive layer,
The film for wafer processing , wherein the protective film has radiation shielding properties and is formed with a cut corresponding to a ring frame .

The pressure-sensitive adhesive layer contains a radiation polymerizable compound and a photoinitiator,
The film for wafer processing according to claim 1, wherein the photoinitiator contained in the adhesive layer and the photoinitiator contained in the pressure-sensitive adhesive layer react with different wavelengths.

A base film, and an adhesive layer provided on the base film;
The adhesive layer includes a radiation polymerizable compound and a photoinitiator,
The adhesive layer is not pre-cut into a shape corresponding to the semiconductor wafer,
A protective film is peelably bonded to the surface of the adhesive layer,
The film for wafer processing , wherein the protective film has radiation shielding properties and is formed with a cut corresponding to a ring frame .

A method of manufacturing a semiconductor device using the wafer processing film according to claim 1,
Except for the part corresponding to the semiconductor wafer of the adhesive layer, at least a part corresponding to the ring frame is exposed and cured,
Bonding the semiconductor wafer to the adhesive layer;
A ring fixing step of fixing the ring frame to the cured portion of the adhesive layer by the photosensitive step.
A method characterized by that .