JP5348751B2

JP5348751B2 - Ｔｆｔ液晶パネルの物性測定方法、及びｔｆｔ液晶パネルの物性測定装置

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Publication number: JP5348751B2
Application number: JP2008555021A
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Inventors: 勝井上; 佐々木　　邦彦; 直栗原; 康仁久米
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Priority date: 2007-01-25
Filing date: 2008-01-16
Publication date: 2013-11-20
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Description

本発明は、ＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法、及びＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置に関する。

従来より、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）液晶パネルに関しては、その回路構成上、当該ＴＦＴ液晶パネルにおける液晶層の各種物性を測定することは困難とされている。従って、液晶層に含まれる不純物イオンのイオン密度測定や電圧保持率等の各種物性の測定は、通常、ＴＦＴを有しないテスト用液晶セルを、ＴＦＴを有する実際の製品（ＴＦＴ液晶パネル）とは別途製作し、このテスト用液晶セルを用いた材料評価に代えられている。

しかしながら、テスト用液晶セルにおける各種物性測定により得られた測定結果は、実際の製品であるＴＦＴ液晶パネルにおける各種物性とは当然異なる。また、テスト用液晶セルを実際の製品とは別途製作する為の余計なコストも生じる。さらには、実際の製品における各種物性を測定できないということは、当然ながら実際の製品中に生じ得る不良品における各種物性を測定することもできない。

このような事情から、ＴＦＴ液晶パネルの電圧保持率を測定する為の技術として、例えば特開２００１−２６４８０５号公報に以下のような技術が開示されている。

すなわち、特開２００１−２６４８０５号公報に開示されている技術によれば、ＴＦＴの駆動時に液晶パネルの透過光強度の時間変化を測定し、電圧−透過率特性曲線を用いて、上記測定した透過光強度を電圧に換算して、上記透過光強度の時間変化に伴う上記電圧の減衰値を求め、ＴＦＴ液晶パネルの電圧保持率を求める。

しかしながら、特開２００１−２６４８０５号公報に開示されているＴＦＴ液晶パネルの電圧保持率測定方法は、光学的手法を用いた測定方法である為、その精密さは当然ながら電気的手法による測定方法よりも劣る。

ところで、ＴＦＴ液晶パネルではその製造プロセスにおいて、当業者間では注入口シミと称される不良領域が、当該ＴＦＴ液晶パネルにおける液晶注入口近傍においてイレギュラーに生じてしまう。従って、ＴＦＴ液晶パネルのうち所望の領域（画素）の液晶層のみについての物性測定を行うことを可能とする技術が望まれている。このような技術によれば、上記注入口シミの発生領域のみならず、当該ＴＦＴ液晶パネルのうち故障等に係る領域を発見することも可能となる。

しかしながら、ＴＦＴ液晶パネルにおける所望の領域（画素）の液晶層の物性を測定することが可能な技術は未だ提案されておらず、特開２００１−２６４８０５号公報に開示されている技術も、勿論そのような技術ではない。

本発明は、上記のような事情に鑑みて為されたものであり、実際の製品として用いられ得るＴＦＴ液晶パネルの液晶層における各種物性を、所望の領域（画素）毎に、電気的手法により精密に測定することを可能とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によるＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法は、ＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法であって、上記ＴＦＴ液晶パネルにおけるＴＦＴのソース−ドレイン間のインピーダンスの値を、定値以下の値に設定するインピーダンス設定ステップと、上記ＴＦＴ液晶パネルにおける液晶層、及び該液晶層に電気的に並列に接続された補助容量に対して、周期的に変化する電圧を印加すると共に上記ＴＦＴのソース電極の電位をグラウンドレベルに保持する電圧印加ステップと、上記電圧印加ステップによって上記周期的に変化する電圧を印加された上記液晶層に流れる過渡電流と上記補助容量に流れる過渡電流との合成電流を測定して、上記液晶層の特性と上記補助容量の特性とが合成された物性を測定する物性測定ステップと、を有し、上記液晶層における液晶分子は、上記ＴＦＴにより駆動される画素電極と、該画素電極に対向して設けられた共通電極とにより形成される電界によって駆動され、上記電圧印加ステップにおいては、上記共通電極に対して上記周期的に変化する電圧を印加することを特徴とする。

図１Ａは、本発明の第１実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を実現する装置構成を概略的に示す図である。図１Ｂは、図１Ａに示す装置の等価回路を示す図である。図２は、第１実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法のフローチャートを示す図である。図３は、液晶層に三角波が印加されたときに流れる過渡電流を測定して得られる電圧（時間）対電流プロットのグラフを示す図である。図４（ａ）は液晶層を抵抗とキャパシタンスに置き換えた等価回路を示す図である。図４（ｂ）は液晶層に三角波が印加されたときに流れる過渡電流を測定して得られる電圧（時間）対電流プロットのグラフを示す図である。図５は、補助容量における各種物性を測定する際の測定回路の構成を示す図である。図６Ａは、液晶層にパルス電圧を書き込む為の回路を示す図である。図６Ｂは、液晶層における電位の変化を検出する為の回路を示す図である。図７は、第１実施例における液晶層の電圧保持率測定方法のフローチャートを示す図である。図８は、液晶層にパルス電圧を書き込むときのパルス電圧を示すグラフ、及び液晶層における電位の変化を検出したグラフを示す図である。図９（ａ）及び（ｂ）は、液晶層の電圧保持率を求める際に、図８に示すグラフにおいて算出する面積を示すグラフ。図１０は、図１Ｂに示す回路の一変形例を示す図である。図１１は、液晶層の物性と補助容量の物性とを同時に測定する為の測定回路を示す図である。図１２は、液晶層及び補助容量に同時にパルス電圧を書き込む為の回路を示す図である。図１３は、液晶層と補助容量との合成された電位の変化を検出する為の回路を示す図である。図１４Ａは、第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を実現する装置構成の一例を示す図である。図１４Ｂは、第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を実現する装置構成の一例を示す図である。図１４Ｃは、第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を実現する装置構成の一例を示す図である。図１４Ｄは、第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を実現する装置構成の一例を示す図である。図１５は、第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法のフローチャートを示す図である。図１６Ａは、液晶層にパルス電圧を書き込む為の回路を示す図である。図１６Ｂは、液晶層における電位の変化を検出する為の回路を示す図である。図１７は、第２実施例における液晶層の電圧保持率測定方法のフローチャートを示す図である。

以下、本発明を実施するための最良の形態を図面を参照して説明する。

［第１実施例］
以下、図面を参照して本発明の第１実施例を説明する。

図１Ａは、本第１実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定置構成の一構成例を概略的に示す図である。すなわち、本第１実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置は、図１Ａに示すように測定装置２とＴＦＴ液晶パネル４とゲート電位保持装置６とから成る。

上記測定装置２は、Ｉ／Ｖアンプを含む電流測定部２Ａと、三角波ジェネレータ２Ｂとを有する。上記ＴＦＴ液晶パネル４は、ＴＦＴ４Ａと、液晶層４Ｂと、対向電極４Ｃと、画素電極４Ｄと、補助容量４Ｅ（図１Ａでは不図示、図１Ｂに示す等価回路参照）とを有する。ここで、上記ＴＦＴ４Ａは、ゲート電極４１Ａと、ソース電極４２Ａと、ドレイン電極４３Ａとを備える。

ここで、上記ゲート電位保持装置６は、上記ＴＦＴ４Ａにおけるゲート電極４１Ａの電位Ｖｇを所定の電位に保つ為の定電圧源６Ａを有する。また、上記ＴＦＴ４Ａにおける上記ソース電極４２Ａは、同図に示すように上記電流測定部２Ａによって仮想接地されている。これにより、上記ＴＦＴ４Ａにおける上記ソース電極４２Ａは、実質的にグラウンドレベルに保持される。

ところで、画素電極４Ｄを介して液晶層４Ｂに書き込まれた所定レベルの画像信号は、一定期間保持される。ここで、保持された画像信号がリークすることを防ぐことを目的として、液晶層４Ｂと並列に補助容量４Ｅが設けられている。

つまり、補助容量４Ｅによって、液晶層４Ｂにおける電荷の保持特性が改善され、表示ムラが発生しにくい表示装置が実現する。そして、本第１実施例によれば、詳しくは後述するが、上記補助容量４Ｅの抵抗値及びキャパシタンスを求めることができる。

ところで、図１Ａに示す装置の等価回路は図１Ｂに示すようになる。また、図２は、本第１実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法のフローチャートを示す図である。以下、図１Ｂ及び図２を参照して、本第１実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を説明する。

まず、上記ＴＦＴ４Ａにおける上記ゲート電極４１Ａの電位Ｖｇを、定電圧源６Ａによって所定の電位に保つ（ステップＳ１）。ここで、上記所定の電位とは、上記ＴＦＴ４Ａのインピーダンスを、上記液晶層４Ｂに流れる電流を測定することが可能な程度に小さな値と為し得る電位である。換言すれば、上記所定の電位とは、上記ＴＦＴにおけるソース電極４２Ａ−ドレイン電極４３Ａ間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴにおけるソース電極４２Ａ−ドレイン電極４３Ａ間が通電し得る値に為し得る電位である（詳細な数値は後述する）。

つまり、上記ＴＦＴ４Ａにおける上記ゲート電極４１Ａの電位Ｖｇを上記所定の電位に保持することで、ＴＦＴ液晶パネル４の液晶層４Ｂにおける各種物性を、電気的手法により精密に測定することが可能となる（詳細は後述する）。

なお、上記ゲート電極４１Ａの電位Ｖｇを上記所定の電位に保持するとしたが、上記ゲート電極４１Ａの電位Ｖｇは、上記ＴＦＴ４Ａのインピーダンスの値を、上記ＴＦＴにおけるソース電極４２Ａ−ドレイン電極４３Ａ間が通電し得る値に為し得る電位であればよく、必ずしも一定の値に保持する必要性はない。

つまり、上記ゲート電極４１Ａの電位Ｖｇは、上記ＴＦＴ４Ａのインピーダンスの値を、上記ＴＦＴにおけるソース電極４２Ａ−ドレイン電極４３Ａ間が通電し得る値に為し得る電位であれば、時間的に変化する電位としても勿論よい。

ところで、上記ステップＳ１における処理の後、上記三角波ジェネレータ２Ｂが発生した三角波を、上記ＴＦＴ液晶パネル４に印加する（ステップＳ２）。そして、上記液晶層４Ｂに流れる過渡電流を測定する（ステップＳ３）。このステップＳ３における過渡電流の測定から得られる電圧Ｖ（時間ｔ）対電流Ｉプロットのグラフを、図３に示す。

以下、図３を参照して、上記電圧Ｖ（時間ｔ）対電流Ｉプロットのグラフ（Ｖ−Ｉ曲線）と後述する各種物性との関係を示す。

まず、上記各種物性とは、主として次の５種類である。

１、液晶層４Ｂの抵抗値
２、液晶層４Ｂのキャパシタンス
３、液晶層４Ｂのスイッチング電圧
４、液晶層４Ｂのイオン密度
５、液晶層４Ｂのイオン移動度
そして、上記電圧Ｖ（時間ｔ）対電流Ｉプロットのグラフと上記の各種物性との関係は次の通りである。

まず、Ｖ軸（ｔ軸）に対する傾き２１は上記液晶層４Ｂの抵抗値を示す。また、図３に示す略平行四辺形状のグラフのＩ軸方向における幅２３は、上記液晶層４Ｂのキャパシタンスを示す。また、上記略平行四辺形状のグラフのＩ軸方向におけるピーク２５の電圧は、上記液晶層４Ｂのスイッチング電圧を示す。さらに、略平行四辺形状における突起部２７内の面積は、上記液晶層４Ｂのイオン密度を示す。そして、上記液晶層４Ｂのイオン移動度μは、下式から算出することができる。

ここで、ｄは上記液晶層４Ｂの厚み（ｃｍ）であり、ｔは上記突起部２７の頂点２９における時間（ｓｅｃ）であり、Ｖは突起部２７の頂点２９における電圧値（Ｖ）である。

以上説明した方法によって、上記液晶層４Ｂに三角波を印加したときに流れる過渡電流を測定して得られる電圧Ｖ（時間ｔ）対電流Ｉプロットのグラフから、液晶層４Ｂの抵抗値、液晶層４Ｂのキャパシタンス、液晶層４Ｂのスイッチング電圧、液晶層４Ｂのイオン密度、及び液晶層４Ｂのイオン移動度といった液晶層４Ｂの各種物性を求める（ステップＳ４）。

図４（ａ）は、上記液晶層４Ｂを抵抗Ｒ及びキャパシタンスＣで置き換えた場合の、上記液晶層４Ｂ（抵抗Ｒ及びキャパシタンスＣ）に三角波を印加する回路を示す図である。また、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す回路において上記液晶層４Ｂに三角波を印加したときに流れる過渡電流を測定して得られる電圧（時間）対電流プロットの電圧（時間）対電流プロットのグラフを示す図である。これら図４（ａ），（ｂ）を参照して、液晶層４Ｂに三角波が印加されたときに流れる過渡電流を測定して得られる電圧（時間）対電流プロットのグラフを考察する。

なお、図４（ａ）に示す回路は、上記液晶層４Ｂを単純に抵抗ＲとキャパシタンスＣとで置き換えた回路である為、図４（ｂ）に示すグラフの波形は、図３に示すような形状ではなく、単純な平行四辺形状となっている。

まず、液晶層４Ｂに対して三角波ジェネレータ２Ｂによって三角波を印加した場合に当該回路に流れる電流をＩ、上記抵抗Ｒに流れる電流をＩＲ、上記キャパシタンスＣに流れる電流をＩＣとすると、上記電流Ｉは、

と表される。

ここで、液晶層４Ｂに印加する電圧が三角波であることを考慮すると、上記電流Ｉは、ｄＶ／ｄｔ＞０の時の電流Ｉを電流Ｉｐとして、

と表される。

一方、ｄＶ／ｄｔ＜０の時の電流Ｉを電流Ｉｎとすると、電流Ｉｎは、

と表される。従って、上記電流Ｉｐ及び上記電流Ｉｎは、図４（ｂ）に示すような形状のグラフとして示される。ここで、上記電流Ｉｐと上記電流Ｉｎとの差を求めると次のようになる。

すなわち、上記（式５）から、上記キャパシタンスＣの値が、上記略平行四辺形のＩ軸方向における幅２３から求まることが分かる。また、上記（式２）をＶで微分すると、

となり、Ｖ軸（ｔ軸）に対する傾き２１から上記抵抗Ｒの値が求まることが分かる。

ところで、本第１実施例によれば、上述したような上記液晶層４Ｂにおける物性のみならず、上記補助容量４Ｅにおける各種物性を求めることもできる。ここで、上記補助容量４Ｅにおける物性とは、主として次の２種類である。

１、補助容量４Ｅの抵抗値
２、補助容量４Ｅのキャパシタンス
なお、上記補助容量４Ｅにおける各種物性を測定する際には、測定する為の回路構成を、図１Ｂに示す構成ではなく、図５に示す構成にする。すなわち、上記三角波ジェネレータ２Ｂを、上記対向電極４Ｃではなく、上記補助容量４Ｅに接続する。換言すれば、上記補助容量４Ｅに対して三角波を印加する回路構成とする。

なお、上記補助容量４Ｅは、液晶層を有さないので単純に抵抗Ｒ及びキャパシタンスＣで置き換えられる。この為、図４（ａ）に示す回路は、そのまま上記補助容量４Ｅ（抵抗Ｒ及びキャパシタンスＣ）に三角波を印加する回路として捉えることができる。また、図４（ａ）に示す回路において上記補助容量４Ｅに三角波を印加したときに流れる過渡電流を測定して得られる電圧（時間）対電流プロットのグラフは、図４（ｂ）に示すグラフそのものとなる。

ここで、ＴＦＴ液晶パネル４の液晶層４Ｂ及び補助容量４Ｅにおける各種物性を、電気的手法により精密に測定する為に要する各種条件の一例を示す。すなわち、例えば上記三角波ジェネレータ２Ｂによって印加される三角波の振幅を１０Ｖとし、その周波数を０．０１Ｈｚとした場合、上記ゲート電極４１Ａの電位Ｖｇを保持すべき上記所定の電位は＋１０Ｖとなる。

なお、上述したようにステップＳ１→ステップＳ２→ステップＳ３→ステップＳ４の順序で測定処理を進行してもよいが、この順序で測定処理を行わなければならない必然性は無く、他にも例えばステップＳ２→ステップＳ１→ステップＳ３→ステップＳ４の順序で測定処理を進行しても勿論よい。

以下、上記液晶層４Ｂにおける電圧保持率を求める方法を説明する。図６Ａは上記液晶層４Ｂにパルス電圧を書き込む為の回路を示し、図６Ｂは上記液晶層４Ｂにおける電位の変化を検出する為の回路を示している。図７は、上記液晶層４Ｂにおける電圧保持率測定方法のフローチャートを示す図である。

図６Ａ及び図６Ｂに示すように、上記液晶層４Ｂにおける電位の変化を、上記モニタ３３によって検出することを可能とする為に、上記ＴＦＴ４Ａにおけるゲート電極４１Ａの電位Ｖｇを、常に定電圧源６Ａによって所定の電位に保つ（ステップＳ２１）。

この所定の電位とは、上記ＴＦＴ４Ａのインピーダンスを、上記液晶層４Ｂに掛かる電圧を上記モニタ３３によって測定することが可能な程度に小さな値と為し得る電位である。

上記液晶層４Ｂにパルス電圧を書き込む為の回路では、図６Ａに示すように抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とオペアンプＯＰとから成る電圧印加部３１が、上記ＴＦＴ４Ａと上記液晶層４Ｂとを有するＴＦＴ液晶パネル４に接続されている。つまり、上記液晶層４Ｂは、上記電圧印加部３１によって、パルス電圧が書き込まれる。

また、上記電圧印加部３１は、上記パルス電圧を発生させる電圧源（不図示）に接続されており、該電圧源（不図示）から電圧信号を供給される。さらに、上記電圧印加部３１及び上記ＴＦＴ液晶パネル４は、上記液晶層４Ｂにおける電位の変化を検出する為のモニタ３３に、抵抗Ｒ３を介して接続されている。そして、上記ＴＦＴ４Ａにおけるソース電極４２Ａは接地されている。

上記のような回路構成の下、図６Ａに示すように、上記電圧印加部３１における抵抗Ｒ１の値と抵抗Ｒ２の値との比率によってその値が決定されるパルス電圧を、上記電圧源（不図示）によって上記液晶層４Ｂに印加し、上記液晶層４Ｂにパルス電圧を書き込む（ステップＳ２２）。

続いて、図６Ｂに示すように、上記ＴＦＴ４Ａにおけるソース電極４２Ａの出力を上記オペアンプＯＰに入力させる。換言すれば、上記ソース電極４２Ａの出力を上記オペアンプＯＰに負帰還させる。

このとき、上記液晶層４Ｂが抵抗成分と容量成分とを有することを鑑みると、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２と液晶層４ＢとオペアンプＯＰとから成る部分は、一種の積分器と捉えることができる。

つまり、図６Ｂに示す回路によれば、液晶層４Ｂにおける抵抗成分または容量成分に変化があった場合には、この変化は上記オペアンプＯＰの出力電圧の変化として表れる。したがって、この変化を上記モニタ３３によって検出することで、上記液晶層４Ｂの電圧保持率を測定する（ステップＳ２３）。以下、この測定方法を詳細に説明する。

図８は、図６Ａに示す回路によって上記液晶層４Ｂにパルス電圧を書き込むときのパルス電圧を示すグラフ（サンプルモード時のグラフ）、及び図６Ｂに示す回路によって上記液晶層４Ｂにおける電位の変化のグラフ（ホールドモード時のグラフ）を示す図である。

すなわち、サンプルモード時のグラフに示すように、上記液晶層４Ｂにパルス電圧を書き込むときのパルス電圧を、例えば１６．６７ｍｓ間隔にて６０μｓ幅のパルス電圧とする。そして、このようなパルス電圧を印加することで、上記液晶層４Ｂにおける電位はまずＶ１となり、その後当然ながら低下していく。ここで、次のパルス電圧を上記液晶層４Ｂに印加する直前の上記液晶層４Ｂにおける電位をＶ２とする。

このとき、上記液晶層４Ｂにおける電圧保持率は、横軸（時間軸）と上記液晶層４Ｂにおける電位変位グラフ（電位Ｖ１及び電位Ｖ２）とで囲まれて形成される台形の面積Ｓ１（図９（ａ）参照）と、上記液晶層４Ｂの電位が電位Ｖ１から低下しないと仮定した場合に得られる上記液晶層４Ｂのグラフと横軸（時間軸）とで囲まれて形成される長方形の面積Ｓ２（図９（ｂ）参照）と、の比として求まる（ホールドモード時のグラフ参照）。つまり、上記液晶層４Ｂにおける電圧保持率はＳ１／Ｓ２として求まる。

以上説明したように、本第１実施例によれば、実際の製品として用いられ得るＴＦＴ液晶パネルの液晶層のうち所望の領域（画素）における各種物性を電気的手法により精密に測定することを可能とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を提供することができる。

具体的には、ＴＦＴ液晶パネル４の上記液晶層４Ｂにおける各種物性の電気的手法による測定は、本発明の主要な特徴の一つである、ＴＦＴ４Ａにおけるゲート電極４１Ａの電位Ｖｇを上記所定の電位に保つこと、を実行することで初めて可能となる。

なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形及び応用が可能なことは勿論である。

[変形例]
例えば、図１Ｂを参照して説明した上記第１実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を実現する為の装置構成の等価回路は、図１０に示すような構成の回路に代えることができる。以下、図１Ｂに示す回路と図１０に示す回路との相違点を説明する。

まず、上記第１実施例では、上記測定装置２において仮想接地によりグラウンドレベルに保持している側（以降、ＧＮＤ側と称する）を、上記ＴＦＴ４Ａにおけるソース電極４２Ａに接続している。

一方、本変形例では、図１０に示すように上記測定装置２におけるＧＮＤ側を、上記電流測定部２Ａを介して上記液晶層４Ｂの対向電極４Ｃに接続する。

また、上記第１実施例では、上記測定装置２において上記三角波ジェネレータ２Ｂによって印加される電圧で電位が変動する側（以降、電位変動側と称する）に接続されるのは、上記ＴＦＴ液晶パネル４における上記液晶層４Ｂの対向電極４Ｃである。

一方、本変形例では、図１０に示すように上記測定装置２における電位変動側には、上記ＴＦＴ４Ａにおける上記ソース電極４２Ａを接続する。

さらに、本変形例においては、上記ＴＦＴ４Ａにおけるゲート電極４１Ａに定電圧を印加する為の定電圧源６Ａとして三角波ジェネレータを用いる。

なお、本変形例においては、定電圧源６Ａとして用いる三角波ジェネレータは、上記ＴＦＴ４Ａにおける上記ソース電極４２Ａに印加される電圧よりも所定値だけ高い電圧を出力するように、オフセットが加えられた三角波を出力する。これにより、本発明の主要な特徴の一つである、ＴＦＴ４Ａにおけるゲート電極４１Ａの電位Ｖｇを上記所定の電位に保つこと、が可能となる。

なお、上述した実施例及び変形例は、ＴＮ型液晶に限られず、例えばＩＰＳ(Ｉｎ−ＰｌａｎｅＳｗｉｔｃｈｉｎｇ)方式等の各種方式による各種構造を採る液晶パネルにも適用することができることは勿論である。

また、実際の測定においては、上述したＩ−Ｖ曲線（図３及び図４（ｂ）参照）が鈍らないように、上記ＴＦＴ４Ａにおけるソース−ドレイン間のインピーダンスを小さくすればよい。

ここで、ＴＦＴ４Ａにおけるソース−ドレイン間のインピーダンスが、上述した各種物性の測定に際して、充分に小さい値となっているか否かは、ゲート電極４１Ａの電位Ｖｇの値を例えばＶから徐々に大きくしていきながら（一般的なアモルファスＴＦＴや、ｎ型チャネルのＴＦＴにおいては、ゲート電極４１Ａの電位Ｖｇの値を大きくするとインピーダンスが下がる）、上記液晶層４Ｂにおけるイオン密度等の測定を行い、上述したＶ−Ｉ曲線が鈍っていないことで確認することができる。

そして、このようにして測定して得られたＶ−Ｉ曲線が鈍っていないときのゲート電極４１Ａの電位Ｖｇの値を用いて、上記の各種物性の測定を行えばよい。例えば、上述した実施例においては、ゲート電極４１Ａの電位Ｖｇの値を１０Ｖに保持して測定を行っている。また、ゲート電極４１Ａの電位Ｖｇの値を０Ｖとすると、Ｖ−Ｉ曲線が鈍ってしまい、測定には不適切となった。

このゲート電極４１Ａの電位Ｖｇの値及びソース−ドレイン間のインピーダンスの値は、液晶パネルの製品によって異なっている為、必ずしもゲート電極４１Ａの電位Ｖｇの値として１０Ｖが最も適切であるとは限らないし、また必ずしもゲート電極４１Ａの電位Ｖｇの値として０Ｖが不適切であるとも限らないことは勿論である。

なお、上述した実施例及び変形例においては、液晶層４Ｂ及び補助容量４Ｅの物性測定の際には、それぞれの物性を個別に測定していた。しかしながら、液晶層４Ｂの物性と補助容量４Ｅの物性とを同時に測定しても勿論よい。この場合の測定回路は、例えば図１１に示すようになる。

ここで、図１１に示す液晶層４Ｂの物性と補助容量４Ｅの物性とを同時に測定する為の測定回路と、図１Ｂに示す測定回路との相違点は、図１１に示す測定回路では、上記三角波ジェネレータ２Ｂに対して、液晶層４Ｂと補助容量４Ｅとを並列に接続する点である。

この図１１に示す測定回路を用いて、上述した実施例で説明した測定方法と同様の測定方法で測定することで、液晶層４Ｂの特性と補助容量４Ｅの特性とが合成された物性を求めることができる。すなわち、例えば図３に示す液晶層４Ｂのキャパシタンスを示す幅２３が、補助容量４Ｅのキャパシタンス分だけ大きな値となるようなＶ−Ｉ特性を得ることができる。そして、このＶ−Ｉ特性から、上述したように各種物性を求めることができる。

換言すれば、図１１に示す測定回路において、上記第１実施例において説明した測定方法を適用することで、上記三角波電圧を印加された上記液晶層４Ｂに流れる過渡電流と上記補助容量４Ｅに流れる過渡電流との合成電流を測定して、上記液晶層４Ｂの特性と上記補助容量４Ｅの特性とが合成された物性を求めることができる。

さらに、図１２及び図１３に示す回路において、上述した電圧保持率の測定方法を適用することで、液晶層４Ｂと、該液晶層４Ｂに電気的に並列に接続された補助容量４Ｅとにおける合成された電圧保持率を測定することができる。

ここで、図１２は、上記液晶層４Ｂ及び上記補助容量４Ｅに同時にパルス電圧を書き込む為の回路を示す図である。また、図１３は、上記液晶層４Ｂと上記補助容量４Ｅとにおける合成した電位の変化を検出する為の回路を示す図である。

なお、図１２及び図１３に示す回路と、図６Ａ及び図６Ｂに示す回路との相違点は、上記液晶層４Ｂに対して電気的に並列に上記補助容量４Ｅが接続されているか否かである。

［第２実施例］
以下、図面を参照して、本発明の第２実施例を説明する。

上記第１実施例においては、ＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法について、その測定原理を中心に説明した。本第２実施例においては、より具体的な測定方法を詳細に説明する。

図１４Ａは、本第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を実現する装置の一構成例を示す図である。図１５は、本第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法のフローチャートを示す図である。

以下、図１４Ａ及び図１５を参照して、本第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を説明する。なお、上記第１実施例と重複する説明は省略する。

図１４Ａに示すように、本第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法は、測定装置２００により実現される。つまり、上記測定装置２００によってＴＦＴ液晶パネル４００のうち所望の領域における各種物性を測定する。

上記測定装置２００は、Ｉ／Ｖアンプを含む電流測定部２００Ａ１乃至２００Ａｎと、三角波ジェネレータ２００Ｂと、後述するゲート線Ｇ１乃至Ｇｍの電位Ｖｇを所定の電位（ＶｇＨ，ＶｇＬ）に保持する為のゲート電位保持部２６０と、上記ゲート線Ｇ１乃至Ｇｍの電位Ｖｇを切り替える為の切り替えＳＷ２６０Ａ１乃至２６０Ａｍと、を備える。

上記ＴＦＴ液晶パネル４００は、同図に示すようにゲート線Ｇ１乃至Ｇｍと、データ線Ｓ１乃至Ｓｎと、ＴＦＴ４００Ａ１１乃至４００Ａｍｎと、液晶層４００Ｂ１１乃至４００Ｂｍｎと、対向電極４００Ｃ１１乃至４００Ｃｍｎと、画素電極４００Ｄ１１乃至４００Ｄｍｎと、を有する。つまり、同図に示す例では、上記ＴＦＴ液晶パネル４００はｍ×ｎ個の画素を有する。

詳細には、同図に示すように、例えば上記ＴＦＴ４００Ａ１１にはゲート線Ｇ１とデータ線Ｓ１とが接続されており、同様に上記ＴＦＴ４００Ａｍｎにはゲート電極Ｇｍとデータ線Ｓｎとが接続されている。

本第２実施例においては、上記ＴＦＴ液晶パネル４００における液晶層４００Ｂ１１乃至４００Ｂｍｎのうち所望の液晶層の物性を、上述した構成の測定装置２００を用いて測定する。なお、ここでは説明の便宜上、物性測定を実施する液晶層から成る領域（以降、測定対象領域と称する）を、例えば液晶層４００Ｂ１１，４００Ｂ１２，４００Ｂ１３，４００Ｂ２１，４００Ｂ２２，４００Ｂ２３，４００Ｂ３１，４００Ｂ３２，及び４００Ｂ３３から成る領域とする。

まず、測定対象領域に対応するデータ線Ｓ１乃至Ｓ３には、それぞれのデータ線に対応する電流測定部である上記電流測定部２００Ａ１乃至２００Ａ３をそれぞれ接続する（ステップＳ１１）。さらに、上記三角波ジェネレータ２００Ｂを、全ての画素に共通の対向電極（図１４Ａにおいては対向電極４００Ｃ１１乃至４００Ｃｍｎとして便宜的に個別に記している）に接続する。

そして、上記切り替えＳＷ２６０Ａ１乃至２６０Ａ３をＯＮに切り替え、測定対象領域に対応するゲート線Ｇ１乃至Ｇ３の電位Ｖｇを電位ＶｇＨに保つ（ステップＳ１２）。ここで、上記電位ＶｇＨとは、測定対象領域における各々のＴＦＴ（ここではＴＦＴ４００Ａ１１乃至４００Ａ３３；以降、測定対象領域におけるＴＦＴをＴＦＴ４００Ａと総称する）のインピーダンスを、液晶層４００Ｂ（ここでは液晶層４００Ｂ１１乃至４００Ｂ３３；以降、測定対象領域における液晶層を液晶層４００Ｂと総称する）に流れる電流を測定することが可能な程度に小さな値と為し得る電位である。

なお、測定対象領域内のＴＦＴ４００Ａにおけるソース４２０Ａ１１乃至４２０Ａ３３をソース４２０Ａと総称し、測定対象領域内のＴＦＴ４００Ａにおけるドレイン４３０Ａ１１乃至４３０Ａ３３を総称してドレイン４３０Ａと称する。

このような略称を用いて表現すると、上記ＶｇＨとは、測定対象領域内のＴＦＴである上記ＴＦＴ４００Ａにおけるソース４２０Ａ−ドレイン電極４３０Ａ間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴ４００Ａにおけるソース４２０Ａ−ドレイン４３０Ａ間が通電し得る値に為し得る電位である（詳細な数値は第１実施例にて述べた通りである）。

つまり、本第２実施例においては、測定対象領域に対応するゲート線を上記所定の電位に保持し、且つ測定対象領域に対応するデータ線を電流測定部に接続する。また、三角波ジェネレータ２００Ｂを全ての画素に共通の対向電極に接続する。そして、第１実施例において説明した測定方法を用いて、各種物性を測定する。これにより、測定対象領域の液晶層のみについての各種物性を精密に測定することが可能となる。

なお、上記ゲート電極４１０Ａの電位Ｖｇを上記電位ＶｇＨに保持するとしたが、上記ゲート電極４１０Ａの電位Ｖｇは、上記ＴＦＴ４００Ａのインピーダンスの値を、上記ＴＦＴにおけるソース４２０Ａ−ドレイン４３０Ａ間が通電し得る値に為し得る電位であればよく、必ずしも一定の値に保持する必要性はない。

つまり、上記ゲート電極４１０Ａの電位Ｖｇは、上記ＴＦＴ４００Ａのインピーダンスの値を、上記ＴＦＴにおけるソース４２０Ａ−ドレイン４３０Ａ間が通電し得る値に為し得る電位であれば、時間的に変化する電位としても勿論よい。

ところで、上記ステップＳ１２における処理の後、上記三角波ジェネレータ２００Ｂが発生した三角波信号を、上記ＴＦＴ液晶パネル４００における対向電極４００Ｃに印加し、上記液晶層４００Ｂに対して周期的に変化する電圧を印加する（ステップＳ１３）。なお、測定対象領域における対向電極４００Ｃ１１乃至４００Ｃ３３を総称して対向電極４００Ｃと称する。

上記ステップＳ１３における処理の後、上記液晶層４００Ｂに流れる過渡電流を測定し（ステップＳ１４）、上記液晶層４００Ｂにおける各種物性を測定する（ステップＳ１５）。上記ステップＳ１４における過渡電流の測定により得られる電圧Ｖ（時間ｔ）対電流Ｉプロットのグラフ、及び該グラフと各種物性との関係は、上記第１実施例において説明した通りである。

なお、上記測定対象領域以外の領域（以降、測定対象外領域と称する）に対応するデータ線及びゲート線の電位は、詳細には次のように設定する。

すなわち、上記測定対象外領域に対応する一つ又は複数のデータ線は、その一部又は全部を接地（グラウンド電位に保持）してもよいし、接地（グラウンド電位に保持）せず、他の電位に保持しても勿論よい。つまり、上記測定対象外領域に対応するデータ線の電位は、上記測定対象領域における上述した測定を阻害しない電位に保持すれば、どのような電位に保持してもよい。

他方、上記測定対象外領域に対応する一つ又は複数のゲート線は、その一部又は全部をＶｇＬに保持してもよいし、その他の電位に保持しても勿論よい。つまり、上記測定対象外領域に対応するゲート線（図１４に示す例ではゲート線Ｇ４，Ｇ５，・・・，Ｇｍ）の電位は、上記測定対象外領域中に存在し且つ上記測定対象領域に対応するソース線に繋がっている液晶層（図１４に示す例では液晶層４００Ｂ４１，４００Ｂ４２，４００Ｂ４３，４００Ｂ５１，４００Ｂ５２，４００Ｂ５３，・・・，４００Ｂｍ１，４００Ｂｍ２，４００Ｂｍ３）を通じて上記電流測定部２００Ａ１，２００Ａ２，２００Ａ３に流れる電流の値が上記測定対象領域を通じて流れる電流と比較して充分小さい値となるような値に保持すればよい。

なお、上記測定対象外領域に対応するゲート線の電位が、上記充分小さい値であるか否かは、例えばＶｇＬの値を少しずつ小さい値に設定していき、上記測定対象領域における測定波形（図３参照）に基づいて判断すればよい。

例えば、上記測定対象外領域に対応するゲート線の電位が上記充分小さい値でない場合、上記測定対象外領域からの電流が、上記測定対象領域における測定波形に反映されてしまう。この場合における測定電流は、上記測定対象外領域からの電流からの影響を受けない場合よりも、大きい値として算出されてしまう。従って、この場合の測定波形から算出される液晶層の容量は、実際の容量よりも大きい値として算出されてしまう。また、このような場合には、図３に示すような測定波形においては、当然ながら例えば歪み等が生じる。

以下、上記測定対象領域として様々な領域を想定して、ＴＦＴ液晶パネル４００における各種物性を測定する方法を、図１４Ｂ乃至図１４Ｄを参照して説明する。なお、説明の重複を避ける為、図１４Ａを参照して説明した測定装置及び測定方法との相違点のみを説明する。

図１４Ｂは、測定対象領域を当該ＴＦＴ液晶パネル４００全面とした場合における物性測定装置の一構成例を示す図である。同図に示すように、測定装置２００は、Ｉ／Ｖアンプを含む電流測定部２００Ａ１と、三角波ジェネレータ２００Ｂと、ゲート線Ｇ１乃至Ｇｍの電位Ｖｇを所定の電位（ＶｇＨ，ＶｇＬ）に保持する為のゲート電位保持部２６０と、上記ゲート線Ｇ１乃至Ｇｍの電位Ｖｇを切り替える為の切り替えＳＷ２６０Ａ１と、を備える。

詳細は後述するが、全てのゲート線（ゲート線Ｇ１乃至Ｇｍ）は、切り替えＳＷ２６０Ａ１を介してゲート電位保持部２６０に接続される。他方、全てのデータ線（データ線Ｓ１乃至Ｓｎ）は、上記電流測定部２００Ａ１に接続される。そして、上記三角波ジェネレータ２００Ｂは、全ての画素に共通の対向電極（図１４Ｂにおいては対向電極４００Ｃ１１乃至４００Ｃｍｎとして便宜的に個別に記している）に接続される。

以下、図１５に示すフローチャートを参照して、本第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を説明する。

まず、測定対象領域に対応するデータ線Ｓ１乃至Ｓｎには、上記電流測定部２００Ａ１を接続する（ステップＳ１１）。さらに、上記三角波ジェネレータ２００Ｂを、全ての画素に共通の対向電極（図１４Ｂにおいては対向電極４００Ｃ１１乃至４００Ｃｍｎとして便宜的に個別に記している）に接続する。

そして、上記切り替えＳＷ２６０Ａ１をＯＮに切り替え、測定対象領域に対応するゲート線Ｇ１乃至Ｇｍの電位Ｖｇを電位ＶｇＨに保つ（ステップＳ１２）。ここで、上記電位ＶｇＨとは、測定対象領域における各々のＴＦＴ（ここではＴＦＴ４００Ａ１１乃至４００Ａｍｎ；以降、測定対象領域におけるＴＦＴをＴＦＴ４００Ａと総称する）のインピーダンスを、液晶層４００Ｂ（ここでは液晶層４００Ｂ１１乃至４００Ｂｍｎ；以降、測定対象領域における液晶層を液晶層４００Ｂと総称する）に流れる電流を測定することが可能な程度に小さな値と為し得る電位である。

なお、測定対象領域内のＴＦＴ４００Ａにおけるソース４２０Ａ１１乃至４２０Ａｍｎをソース４２０Ａと総称し、測定対象領域内のＴＦＴ４００Ａにおけるドレイン４３０Ａ１１乃至４３０Ａｍｎを総称してドレイン４３０Ａと称する。

ところで、上記ステップＳ１２における処理の後、上記三角波ジェネレータ２００Ｂが発生した三角波信号を、上記ＴＦＴ液晶パネル４００における対向電極４００Ｃに印加し、上記液晶層４００Ｂに対して周期的に変化する電圧を印加する（ステップＳ１３）。なお、測定対象領域における対向電極４００Ｃ１１乃至４００Ｃｍｎを総称して対向電極４００Ｃと称する。

図１４Ｃは、当該ＴＦＴ液晶パネル４００を横方向に２分割した一方の分割領域（データ線Ｓ１乃至Ｓｋに対応する領域、又はデータ線Ｓｋ＋１乃至Ｓｎに対応する領域）を測定対象領域とする場合における物性測定装置の一構成例を示す図である。同図に示すように、測定装置２００は、Ｉ／Ｖアンプを含む電流測定部２００Ａ１，２００Ａ２と、三角波ジェネレータ２００Ｂと、ゲート線Ｇ１乃至Ｇｍの電位Ｖｇを所定の電位（ＶｇＨ，ＶｇＬ）に保持する為のゲート電位保持部２６０と、上記ゲート線Ｇ１乃至Ｇｍの電位Ｖｇを切り替える為の切り替えＳＷ２６０Ａ１と、を備える。

詳細は後述するが、全てのゲート線（ゲート線Ｇ１乃至Ｇｍ）は、切り替えＳＷ２６０Ａ１を介してゲート電位保持部２６０に接続される。他方、データ線（データ線Ｓ１乃至Ｓｋ）は上記電流測定部２００Ａ１に接続され、データ線（データ線Ｓｋ＋１乃至Ｓｎ）は上記電流測定部２００Ａ２に接続される。

そして、上記三角波ジェネレータ２００Ｂは、全ての画素に共通の対向電極（図１４Ｂにおいては対向電極４００Ｃ１１乃至４００Ｃｍｎとして便宜的に個別に記している）に接続される。

以下、図１５に示すフローチャートを参照して、本第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を説明する。ここでは、測定対象領域をデータ線Ｓ１乃至Ｓｋに接続されているＴＦＴを含む領域を測定対象領域とする。

まず、測定対象領域に対応するデータ線Ｓ１乃至Ｓｋには、上記電流測定部２００Ａ１を接続する（ステップＳ１１）。さらに、上記三角波ジェネレータ２００Ｂを、全ての画素に共通の対向電極（図１４Ｃにおいては対向電極４００Ｃ１１乃至４００Ｃｍｎとして便宜的に個別に記している）に接続する。

そして、上記切り替えＳＷ２６０Ａ１をＯＮに切り替え、測定対象領域に対応するゲート線Ｇ１乃至Ｇｍの電位Ｖｇを電位ＶｇＨに保つ（ステップＳ１２）。ここで、上記電位ＶｇＨとは、測定対象領域における各々のＴＦＴ（ここでは測定対象領域におけるＴＦＴをＴＦＴ４００Ａと総称する）のインピーダンスを、液晶層４００Ｂ（ここでは測定対象領域における液晶層を液晶層４００Ｂと総称する）に流れる電流を測定することが可能な程度に小さな値と為し得る電位である。

なお、測定対象領域内のＴＦＴ４００Ａにおけるソースをソース４２０Ａと総称し、測定対象領域内のＴＦＴ４００Ａにおけるドレインを総称してドレイン４３０Ａと称する。

ところで、上記ステップＳ１２における処理の後、上記三角波ジェネレータ２００Ｂが発生した三角波信号を、上記ＴＦＴ液晶パネル４００における対向電極４００Ｃに印加し、上記液晶層４００Ｂに対して周期的に変化する電圧を印加する（ステップＳ１３）。なお、測定対象領域における対向電極を総称して対向電極４００Ｃと称する。

なお、上記電流測定部２００Ａ１による測定結果から得られる各種物性は、データ線Ｓ１乃至Ｓｋに接続されているＴＦＴ４００Ａに対応する液晶層４００Ｂ（ここでは、液晶層４００Ｂ１１乃至４００Ｂｍｋ）における各種物性である。同様に、上記電流測定部２００Ａ２による測定結果から得られる各種物性は、データ線Ｓｋ＋１乃至Ｓｎに接続されているＴＦＴ４００Ａに対応する液晶層４００Ｂ（ここでは、液晶層４００Ｂ１（ｋ＋１）乃至４００Ｂｍｎ）における各種物性である。

図１４Ｄは、当該ＴＦＴ液晶パネル４００を縦方向に２分割した一方の分割領域（ゲート線Ｇ１乃至Ｇｋに対応する領域、又はゲート線Ｇｋ＋１乃至Ｇｎに対応する領域）を測定対象領域とする場合における物性測定装置の一構成例を示す図である。同図に示すように、測定装置２００は、Ｉ／Ｖアンプを含む電流測定部２００Ａ１と、三角波ジェネレータ２００Ｂと、ゲート線Ｇ１乃至Ｇｍの電位Ｖｇを所定の電位（ＶｇＨ，ＶｇＬ）に保持する為のゲート電位保持部２６０と、上記ゲート線Ｇ１乃至Ｇｋの電位Ｖｇを切り替える為の切り替えＳＷ２６０Ａ１と、上記ゲート線Ｇｋ＋１乃至Ｇｍの電位Ｖｇを切り替える為の切り替えＳＷ２６０Ａ２と、を備える。

詳細は後述するが、ゲート線Ｇ１乃至Ｇｋは上記切り替えＳＷ２６０Ａ１を介してゲート電位保持部２６０に接続され、ゲート線Ｇｋ＋１乃至Ｇｍは上記切り替えＳＷ２６０Ａ２を介してゲート電位保持部２６０に接続される。他方、データ線（データ線Ｓ１乃至Ｓｎ）は、上記電流測定部２００Ａ１に接続される。

以下、図１５に示すフローチャートを参照して、本第２実施例に係るＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を説明する。ここでは、測定対象領域をゲート線Ｇ１乃至Ｇｋに接続されているＴＦＴを含む領域を測定対象領域とする。

まず、データ線Ｓ１乃至Ｓｎには、上記電流測定部２００Ａ１を接続する（ステップＳ１１）。さらに、上記三角波ジェネレータ２００Ｂを、全ての画素に共通の対向電極（図１４Ｄにおいては対向電極４００Ｃ１１乃至４００Ｃｍｎとして便宜的に個別に記している）に接続する。

そして、上記切り替えＳＷ２６０Ａ１をＯＮに切り替え、測定対象領域に対応するゲート線Ｇ１乃至Ｇｋの電位Ｖｇを電位ＶｇＨに保つ（ステップＳ１２）。ここで、上記電位ＶｇＨとは、測定対象領域における各々のＴＦＴ（ここでは測定対象領域におけるＴＦＴをＴＦＴ４００Ａと総称する）のインピーダンスを、液晶層４００Ｂ（ここでは測定対象領域における液晶層を液晶層４００Ｂと総称する）に流れる電流を測定することが可能な程度に小さな値と為し得る電位である。

なお、このとき上記切り替えＳＷ２６０Ａ２はＯＦＦに切り替え、ゲート線Ｇｋ＋１乃至Ｇｍの電位Ｖｇを電位ＶｇＬに保つ。

ところで、測定対象領域内のＴＦＴ４００Ａにおけるソースをソース４２０Ａと総称し、測定対象領域内のＴＦＴ４００Ａにおけるドレインを総称してドレイン４３０Ａと称する。

なお、上記ゲート線Ｇ１乃至Ｇｋの電位をＶｇＨに保ち且つ上記ゲート線Ｇｋ＋１乃至Ｇｍの電位をＶｇＬに保つように、上記切り替えＳＷ２６０Ａ１，２６０Ａ２を切り替えた場合に、上記電流測定部２００Ａ１による測定結果から得られる各種物性は、上記ゲート線Ｇ１乃至Ｇｋに接続されているＴＦＴ４００Ａに対応する液晶層４００Ｂ（ここでは、液晶層４００Ｂ１１乃至４００Ｂｋｎ）における各種物性である。同様に、上記ゲート線Ｇｋ＋１乃至Ｇｍの電位をＶｇＨに保ち且つ上記ゲート線Ｇ１乃至Ｇｋの電位をＶｇＬに保つように、上記切り替えＳＷ２６０Ａ１，２６０Ａ２を切り替えた場合に、上記電流測定部２００Ａ１による測定結果から得られる各種物性は、上記ゲート線Ｇｋ＋１乃至Ｇｍに接続されているＴＦＴ４００Ａに対応する液晶層４００Ｂ（ここでは、液晶層４００Ｂ（ｋ＋１）１乃至４００Ｂｍｎ）における各種物性である。

以下、図１６Ａ及び図１６Ｂを参照して、本第２実施例における液晶層の電圧保持率を求める方法を説明する。

ここで、図１６Ａは上記液晶層４００Ｂにパルス電圧を書き込む為の回路を示し、図１６Ｂは液晶層４００Ｂにおける電位の変化を検出する為の回路を示している。図１７は、上記液晶層４００Ｂにおける電圧保持率を求める方法のフローチャートを示す図である。

上記液晶層４００Ｂにおける電位の変化を、上記モニタ３３０によって検出することを可能とする為に、図１６Ａ及び図１６Ｂに示すように上記ＴＦＴ４００Ａにおけるゲート電極４１０Ａの電位Ｖｇを、常に定電圧源６０Ａによって所定の電位に保つ（ステップＳ３１）。

上記液晶層４００Ｂにパルス電圧を書き込む為の回路では、図１６Ａに示すように抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とオペアンプＯＰとから成る電圧印加部３１０を、上記ＴＦＴ４００Ａと上記液晶層４００Ｂとを有するＴＦＴ液晶パネル４００に接続する。つまり、上記電圧印加部３１０によって、上記液晶層４００Ｂにパルス電圧を書き込む（ステップＳ３２）。

ところで、上記電圧印加部３１０は、上記パルス電圧を発生させる電圧源（不図示）に接続している。つまり、上記電圧印加部３１０には上記電圧源（不図示）から電圧信号を供給する。

さらに、上記電圧印加部３１０及び上記ＴＦＴ液晶パネル４００を、上記液晶層４００Ｂにおける電位の変化を検出する為のモニタ３３０に、抵抗Ｒ３を介して接続している。そして、上記ＴＦＴ４００Ａにおけるソース４２０Ａを接地している。

上述した回路構成の下、図１６Ａに示すように、上記電圧印加部３１０における抵抗Ｒ１の値と抵抗Ｒ２の値との比率によってその値が決定されるパルス電圧を、上記電圧源（不図示）によって上記液晶層４００Ｂに印加し、上記液晶層４００Ｂにパルス電圧を書き込む（ステップＳ３２）。

続いて、図１６Ｂに示す構成に切り替え、上記ＴＦＴ４００Ａにおけるソース４２０Ａの出力を上記オペアンプＯＰに入力させる。換言すれば、上記ソース電極４２０Ａの出力を上記オペアンプＯＰに負帰還させる。

なお、このとき測定対象領域内の液晶層４００Ｂに対応するＴＦＴ４００Ａのソース４２０Ａのみを上記オペアンプＯＰに入力させ、測定対象領域外の液晶層に対応するＴＦＴのソースは接地する。

ここで、上記液晶層４００Ｂが抵抗成分と容量成分とを有することを鑑みると、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２と液晶層４００ＢとオペアンプＯＰとから成る部分は、一種の積分器と捉えることができる。

つまり、図１６Ｂに示す回路によれば、液晶層４００Ｂにおける抵抗成分または容量成分に変化があった場合には、この変化は上記オペアンプＯＰの出力電圧の変化として表れる。したがって、この変化を上記モニタ３３０によって検出し、第１実施例において説明した測定方法を用いることで、上記液晶層４００Ｂの電圧保持率を測定する（ステップＳ３３）ことができる。

以上説明したように、本第２実施例によれば、実際の製品として用いられ得るＴＦＴ液晶パネルの液晶層のうち所望の領域（画素）における各種物性を電気的手法により精密に測定することを可能とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法を提供することができる。

以上、第１実施例及び第２実施例に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形及び応用が可能なことは勿論である。

例えば、第１実施例の変形例として図１１を参照して説明した“液晶層の物性と補助容量の物性とを同時に測定する方法”は、当然ながら第２実施例にも適用することができる。

同様に、第１実施例の変形例として図１２及び図１３を参照して説明した“電圧保持率の測定において液晶層と該液晶層に電気的に並列に接続された補助容量との合成された電圧保持率を測定する方法“も、当然ながら第２実施例にも適用することができる。

なお、第２実施例に関して、上記電流測定部２００Ａ１乃至２００Ａｎの個数は、画素の列数と同数であるｎ個に限られず、少なくとも一つ設ければよい。例えば、上記電流測定部を一つしか設けない場合、複数の列から成る測定対象領域を測定するには、当該電流測定部を上記データ線Ｓ１乃至Ｓｎへ順次接続して測定していけばよい。

但し、上記電流測定部の個数が多いほど、当該測定に係る時間を短縮できることは勿論である。

さらに、上述した実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成も発明として抽出され得る。
以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］
ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性測定方法であって、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）におけるＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間のインピーダンスの値を、所定値以下の値に設定するインピーダンス設定ステップ（ステップＳ１、ステップＳ１１、ステップＳ１２）と、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）における液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）に対して、周期的に変化する電圧を印加する電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）と、
上記電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）によって上記周期的に変化する電圧を印加された上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）に流れる過渡電流を測定して上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）における物性を測定する物性測定ステップ（ステップＳ３、ステップＳ４、ステップＳ１４、ステップＳ１５）と、
を有することを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［２］
上記インピーダンス設定ステップ（ステップＳ１、ステップＳ１１、ステップＳ１２）においては、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のゲート電極（４１Ａ、４１０Ａ）に対して、所定の値の電圧を印加することで、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間が通電し得る値に設定することを特徴とする［１］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［３］
上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）における液晶分子は、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）により駆動される画素電極（４Ｄ，４００Ｄ）と、該画素電極（４Ｄ，４００Ｄ）に対応して設けられた共通電極（４Ｃ，４００Ｃ）とにより形成される電界によって駆動され、
上記電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）においては、上記共通電極（４Ｃ，４００Ｃ）に対して上記周期的に変化する電圧として三角波電圧を印加することを特徴とする［２］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［４］
上記所定の値の電圧とは、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース電極（４２Ａ，４２０Ａ）及びドレイン電極（４３Ａ，４３０Ａ）に掛かる電圧よりも高い電圧であることを特徴とする［３］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［５］
上記電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）においては、さらに上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のソース電極（４２Ａ，４２０Ａ）の電位をグラウンドレベルに保持することを特徴とする［４］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［６］
上記電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）においては、仮想接地によって上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のソース電極（４２Ａ，４２０Ａ）の電位をグラウンドレベルに保持することを特徴とする［５］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［７］
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性とは、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）の抵抗値、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のキャパシタンス、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のスイッチング電圧、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のイオン密度、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のイオン移動度のうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする［１］乃至［［５］のうち何れか一つに記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［８］
ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性測定方法であって、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）におけるＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間のインピーダンスの値を、所定値以下の値に設定するインピーダンス設定ステップ（ステップＳ１、ステップＳ１１、ステップＳ１２）と、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）における液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）に電気的に並列に接続された補助容量（４Ｅ）に対して、周期的に変化する電圧を印加する電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）と、
上記電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）によって上記周期的に変化する電圧を印加された上記補助容量（４Ｅ）に流れる過渡電流を測定して上記補助容量（４Ｅ）における物性を測定する物性測定ステップ（ステップＳ３、ステップＳ４、ステップＳ１４、ステップＳ１５）と、
を有することを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［９］
上記インピーダンス設定ステップ（ステップＳ１、ステップＳ１１、ステップＳ１２）においては、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のゲート電極（４１Ａ、４１０Ａ）に対して、所定の値の電圧を印加することで、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間が通電し得る値に設定することを特徴とする［８］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［１０］
上記周期的に変化する電圧とは、三角波電圧であることを特徴とする［９］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［１１］
上記所定の値の電圧とは、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース電極（４２Ａ，４２０Ａ）及びドレイン電極（４３Ａ，４３０Ａ）に掛かる電圧よりも高い電圧であることを特徴とする［１０］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［１２］
上記補助容量（４Ｅ）の物性測定の際には、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のソース電極（４２Ａ，４２０Ａ）の電位をグラウンドレベルに保持することを特徴とする［１１］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［１３］
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性とは、上記補助容量（４Ｅ）の抵抗値及び上記補助容量（４Ｅ）のキャパシタンスのうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする［８］乃至［１２］のうち少なくとも何れか一つに記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［１４］
ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性測定方法であって、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）におけるＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のゲート電極（４１Ａ、４１０Ａ）に対して、所定の値の電圧を印加するステップ（ステップＳ２１、ステップＳ３１）と、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）における液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）にパルス電圧を書き込むステップ（ステップＳ２２、ステップＳ３２）と、
上記パルス電圧を書き込まれた上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）における電位の変化を検出して上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）における電圧保持率を測定するステップ（ステップＳ２３、ステップＳ３３）と、
を有することを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［１５］
上記所定の値の電圧とは、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース−ドレイン間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴにおけるソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間が通電し得る値の電圧であることを特徴とする［１４］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［１６］
ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性測定方法であって、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）におけるＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間のインピーダンスの値を、所定値以下の値に設定するインピーダンス設定ステップ（ステップＳ１、ステップＳ１１、ステップＳ１２）と、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）における液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）、及び該液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）に電気的に並列に接続された補助容量（４Ｅ）に対して、周期的に変化する電圧を印加する電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）と、
上記電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）によって上記周期的に変化する電圧を印加された上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）に流れる過渡電流と上記補助容量（４Ｅ）に流れる過渡電流との合成電流を測定して、上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）の特性と上記補助容量（４Ｅ）の特性とが合成された物性を測定する物性測定ステップ（ステップＳ３、ステップＳ４、ステップＳ１４、ステップＳ１５）と、
を有することを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［１７］
上記インピーダンス設定ステップ（ステップＳ１、ステップＳ１１、ステップＳ１２）においては、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のゲート電極（４１Ａ、４１０Ａ）に対して、所定の値の電圧を印加することで、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間が通電し得る値に設定することを特徴とする［１６］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［１８］
上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）における液晶分子は、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）により駆動される画素電極（４Ｄ，４００Ｄ）と、該画素電極（４Ｄ，４００Ｄ）に対応して設けられた共通電極（４Ｃ，４００Ｃ）とにより形成される電界によって駆動され、
上記電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）においては、上記共通電極（４Ｃ，４００Ｃ）に対して上記周期的に変化する電圧として三角波電圧を印加することを特徴とする［１７］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［１９］
上記所定の値の電圧とは、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース電極（４２Ａ，４２０Ａ）及びドレイン電極（４３Ａ，４３０Ａ）に掛かる電圧よりも高い電圧であることを特徴とする［１８］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［２０］
上記電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）においては、さらに上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のソース電極（４２Ａ，４２０Ａ）の電位をグラウンドレベルに保持することを特徴とする［１９］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［２１］
上記電圧印加ステップ（ステップＳ２、ステップＳ１３）においては、仮想接地によって上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のソース電極（４２Ａ，４２０Ａ）の電位をグラウンドレベルに保持することを特徴とする［２０］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［２２］
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性とは、上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）と上記補助容量（４Ｅ）との合成抵抗値、上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）と上記補助容量（４Ｅ）との合成キャパシタンス、上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）のスイッチング電圧、上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）のイオン密度、上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）のイオン移動度のうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする［１６乃至［２０］のうち何れか一つに記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［２３］
ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性測定方法であって、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）におけるＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のゲート電極（４１Ａ、４１０Ａ）に対して、所定の値の電圧を印加するステップ（ステップＳ２１、ステップＳ３１）と、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）における液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）、及び該液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）に電気的に並列に接続された補助容量（４Ｅ）にパルス電圧を書き込むステップ（ステップＳ２２、ステップＳ３２）と、
上記パルス電圧を書き込まれた上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）と上記補助容量（４Ｅ）との合成された電位の変化を検出して、上記液晶層（４Ｂ，４００Ｂ）と上記補助容量（４Ｅ）とにおける合成された電圧保持率を測定するステップ（ステップＳ２３、ステップＳ３３）と、
を有することを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［２４］
ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性測定装置であって、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）における液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）に三角波電圧を印加する為の三角波生成部（２Ｂ，２００Ｂ）と、
上記三角波生成部（２Ｂ，２００Ｂ）によって三角波電圧を印加された上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）に流れる過渡電流を測定する為の測定部（２，２００）と、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）におけるＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のゲート電極（４１Ａ，４１０Ａ）に対して、所定の値の電圧を印加する為のゲート電位保持部（６Ａ，６０Ａ，２６０）と、
を具備することを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［２５］
上記所定の値の電圧とは、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間が通電し得る値の電圧であることを特徴とする［２４］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［２６］
上記所定の値の電圧とは、上記三角波電圧における最大値であることを特徴とする［２４］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［２７］
上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）の物性測定の際には、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のソース電極（４２Ａ，４２０Ａ）の電位をグラウンドレベルに保持することを特徴とする［２４乃至［２６］のうち何れか一つに記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［２８］
上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のソース電極（４２Ａ，４２０Ａ）の電位は、仮想接地によってグラウンドレベルに保持することを特徴とする［２７］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［２９］
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性とは、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）の抵抗値、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のキャパシタンス、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のスイッチング電圧、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のイオン密度、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のイオン移動度、上記補助容量（４Ｅ）の抵抗値、及び上記補助容量（４Ｅ）のキャパシタンスのうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする［２８］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［３０］
ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性測定装置であって、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）における液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）にパルス電圧を書き込む為のパルス電圧印加回路（３１，３１０）と、
上記パルス電圧印加回路（３１，３１０）によってパルス電圧を印加された上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）における電位の変化を検出して上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）における電圧保持率を測定する為の電位変化検出回路（３１，３１０）と、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）におけるＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）のゲート電極（４１Ａ，４１０Ａ）に対して、所定の値の電圧を印加する為のゲート電位保持部（６Ａ，６０Ａ，２６０）と、
を具備することを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［３１］
上記所定の値の電圧とは、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴ（４Ａ，４００Ａ）におけるソース（４２Ａ，４２０Ａ）−ドレイン（４３Ａ，４３０Ａ）間が通電し得る値の電圧であることを特徴とする［３０］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［３２］
ＴＦＴ液晶パネル（４００）における液晶層（４００Ｂ）の物性測定方法であって、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４００）における物性測定対象領域内のＴＦＴ（４００Ａ）に対応するデータ線（Ｓ）に電流測定部（２００Ａ）を接続し且つ上記物性測定対象領域内のＴＦＴ（４００Ａ）に対応するゲート線（Ｇ）の電位を所定の電位に保つ設定ステップ（ステップＳ１１、ステップＳ１２）と、
上記物性測定対象領域内の上記液晶層（４００Ｂ）に対して、周期的に変化する電圧を印加する電圧印加ステップ（ステップＳ１３）と、
上記電圧印加ステップ（ステップＳ１３）によって上記周期的に変化する電圧を印加された上記液晶層（４００Ｂ）に流れる過渡電流を測定して上記液晶層（４００Ｂ）における物性を測定する物性測定ステップと（ステップＳ１４、ステップＳ１５）、
を有することを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［３３］
上記所定の電位とは、上記物性測定対象領域内の上記ＴＦＴ（４００Ａ）のゲート電極（４１０Ａ）に対して、所定の値の電圧を印加することで、上記ＴＦＴ（４００Ａ）におけるソース（４２０Ａ）−ドレイン（４３０Ａ）間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴ（４００Ａ）におけるソース（４２０Ａ）−ドレイン（４３０Ａ）間が通電し得る値の電位であることを特徴とする［３２］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［３４］
上記液晶層（４００Ｂ）における液晶分子は、上記ＴＦＴ（４００Ａ）により駆動される画素電極（４００Ｄ）と、該画素電極（４００Ｄ）に対応して設けられた共通電極（４００Ｃ）とにより形成される電界によって駆動され、
上記電圧印加ステップ（ステップＳ１３）においては、上記共通電極（４００Ｃ）に対して上記周期的に変化する電圧として三角波電圧を印加することを特徴とする［３３］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［３５］
上記所定の値の電圧とは、上記ＴＦＴ（４００Ａ）におけるソース（４２０Ａ）及びドレイン（４３０Ａ）に掛かる電圧よりも高い電圧であることを特徴とする［３４］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［３６］
上記電圧印加ステップ（ステップＳ１３）においては、さらに上記ＴＦＴ（４００Ａ）のソース（４２０Ａ）の電位をグラウンドレベルに保持することを特徴とする［３５］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［３７］
上記電圧印加ステップ（ステップＳ１３）においては、仮想接地によって上記ＴＦＴ（４００Ａ）のソース（４２０Ａ）の電位をグラウンドレベルに保持することを特徴とする［３６］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［３８］
上記ＴＦＴ液晶パネル（４００）の物性とは、上記液晶層（４００Ｂ）の抵抗値、上記液晶層（４００Ｂ）のキャパシタンス、上記液晶層（４００Ｂ）のスイッチング電圧、上記液晶層（４００Ｂ）のイオン密度、上記液晶層（４００Ｂ）のイオン移動度のうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする［３２］乃至［３７］のうち何れか一つに記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［３９］
ＴＦＴ液晶パネル（４００）の物性測定方法であって、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４００）における物性測定対象領域内のＴＦＴ（４００Ａ）に対応するデータ線（Ｓ）に電流測定部（２００Ａ）を接続し且つ上記物性測定対象領域内のＴＦＴ（４００Ａ）に対応するゲート線（Ｇ）の電位を所定の電位に保つ設定ステップ（ステップＳ１１、ステップＳ１２）と、
上記物性測定対象領域内の液晶層（４００Ｂ）に電気的に並列に接続された補助容量（４Ｅ）に対して、周期的に変化する電圧を印加する電圧印加ステップ（ステップＳ１３）と、
上記電圧印加ステップ（ステップＳ１３）によって上記周期的に変化する電圧を印加された上記補助容量（４Ｅ）に流れる過渡電流を測定して上記補助容量（４Ｅ）における物性を測定する物性測定ステップ（ステップＳ１４、ステップＳ１５）と、
を有することを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［４０］
上記インピーダンス設定ステップ（ステップＳ１１、ステップＳ１２）においては、上記ＴＦＴ（４００Ａ）のゲート電極（４１０Ａ）に対して、所定の値の電圧を印加することで、上記ＴＦＴ（４００Ａ）におけるソース（４２０Ａ）−ドレイン（４３０Ａ）間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴ（４００Ａ）におけるソース（４２０Ａ）−ドレイン（４３０Ａ）間が通電し得る値に設定することを特徴とする［３９］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［４１］
上記周期的に変化する電圧とは、三角波電圧であることを特徴とする［４０］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［４２］
上記所定の値の電圧とは、上記ＴＦＴ（４００Ａ）におけるソース電極（４２０Ａ）及びドレイン電極（４３０Ａ）に掛かる電圧よりも高い電圧であることを特徴とする［４１］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［４３］
上記補助容量（４Ｅ）の物性測定の際には、上記ＴＦＴ（４００Ａ）のソース電極（４２０Ａ）の電位をグラウンドレベルに保持することを特徴とする［４２］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［４４］
上記ＴＦＴ液晶パネル（４００）の物性とは、上記補助容量（４Ｅ）の抵抗値及び上記補助容量（４Ｅ）のキャパシタンスのうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする［３９乃至［４３］のうち少なくとも何れか一つに記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
［４５］
ＴＦＴ液晶パネル（４００）における液晶層（４００Ｂ）の物性測定装置であって、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４００）における物性測定対象領域内のＴＦＴ（４００Ａ）のゲート（４１０Ａ）に対して、所定の値の電圧を印加する定電圧源（６０Ａ）と、
上記物性測定対象領域内の上記ＴＦＴ液晶パネル（４００）における液晶層（４００Ｂ）にパルス電圧を書き込む為の電圧印加部（Ｒ１，Ｒ２，ＯＰ）と、
上記パルス電圧を書き込まれた上記液晶層（４００Ｂ）における電位の変化を検出して上記液晶層（４００Ｂ）における電圧保持率を測定する測定部（ＯＰ，３３０）と、
上記測定装置による電圧保持率の測定時には、上記物性測定対象領域内の上記ＴＦＴ（４００Ａ）のソース（４２０Ａ）の出力を上記電圧印加部（ＯＰ）へ帰還させる帰還部と、
を有することを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［４６］
上記所定の値の電圧とは、上記ＴＦＴ（４００Ａ）におけるソース−ドレイン間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴにおけるソース（４２０Ａ）−ドレイン（４３０Ａ）間が通電し得る値の電圧であることを特徴とする［４５］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［４７］
ＴＦＴ液晶パネル（４００）の物性測定装置であって、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４００）のうち物性測定対象領域内のＴＦＴ（４００Ａ）に対応するゲート線（Ｇ）の電位を所定の電位に保つゲート電位保持部（２６０）と、
上記ＴＦＴ液晶パネル（４００）における液晶層（４００Ｂ）に三角波電圧を印加する為の三角波生成部（２００Ｂ）と、
上記物性測定対象領域内のＴＦＴ（４００Ａ）に対応するデータ線（Ｓ）に接続され、上記三角波生成部（２００Ｂ）によって三角波電圧を印加された上記液晶層（４００Ｂ）に流れる過渡電流を測定する為の電流測定部（２００Ａ）と、
を具備することを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［４８］
上記所定の値の電圧とは、上記ＴＦＴ（４００Ａ）におけるソース（４２０Ａ）−ドレイン（４３０Ａ）間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴ（４００Ａ）におけるソース（４２０Ａ）−ドレイン（４３０Ａ）間が通電し得る値の電圧であることを特徴とする［４７］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［４９］
上記所定の値の電圧とは、上記三角波電圧における最大値であることを特徴とする［４７］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［５０］
上記液晶層（４００Ｂ）の物性測定の際には、上記物性測定領域内のＴＦＴ（４００Ａ）のソース電極（４２０Ａ）の電位をグラウンドレベルに保持することを特徴とする［４７乃至［４９］のうち何れか一つに記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［５１］
上記ＴＦＴ（４００Ａ）のソース電極（４２０Ａ）の電位は、仮想接地によってグラウンドレベルに保持することを特徴とする［５０］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。
［５２］
上記ＴＦＴ液晶パネル（４，４００）の物性とは、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）の抵抗値、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のキャパシタンス、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のスイッチング電圧、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のイオン密度、上記液晶層（４Ｂ、４００Ｂ）のイオン移動度、上記補助容量（４Ｅ）の抵抗値、及び上記補助容量（４Ｅ）のキャパシタンスのうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする［５１］に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定装置。

Claims

ＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法であって、
上記ＴＦＴ液晶パネルにおけるＴＦＴのソース−ドレイン間のインピーダンスの値を、
所定値以下の値に設定するインピーダンス設定ステップと、
上記ＴＦＴ液晶パネルにおける液晶層、及び該液晶層に電気的に並列に接続された補助容量に対して、周期的に変化する電圧を印加すると共に上記ＴＦＴのソース電極の電位をグラウンドレベルに保持する電圧印加ステップと、
上記電圧印加ステップによって上記周期的に変化する電圧を印加された上記液晶層に流れる過渡電流と上記補助容量に流れる過渡電流との合成電流を測定して、上記液晶層の特性と上記補助容量の特性とが合成された物性を測定する物性測定ステップと、
を有し、
上記液晶層における液晶分子は、上記ＴＦＴにより駆動される画素電極と、該画素電極に対向して設けられた共通電極とにより形成される電界によって駆動され、
上記電圧印加ステップにおいては、上記共通電極に対して上記周期的に変化する電圧を印加する
ことを特徴とするＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
上記インピーダンス設定ステップにおいては、上記ＴＦＴのゲート電極に対して、所定の値の電圧を印加することで、上記ＴＦＴにおけるソース−ドレイン間のインピーダンスの値を、上記ＴＦＴにおけるソース−ドレイン間が通電し得る値に設定することを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
上記電圧印加ステップにおいては、上記共通電極に対して上記周期的に変化する電圧として三角波電圧を印加することを特徴とする請求項２に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
上記所定の値の電圧とは、上記ＴＦＴにおけるソース電極及びドレイン電極に掛かる電圧よりも高い電圧であることを特徴とする請求項３に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
上記電圧印加ステップにおいては、仮想接地によって上記ＴＦＴのソース電極の電位をグラウンドレベルに保持することを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。
上記ＴＦＴ液晶パネルの物性とは、上記液晶層と上記補助容量との合成抵抗値、上記液晶層と上記補助容量との合成キャパシタンス、上記液晶層のスイッチング電圧、上記液晶層のイオン密度、上記液晶層のイオン移動度のうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうち何れか一つに記載のＴＦＴ液晶パネルの物性測定方法。