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JP5350658B2 - Light emitting element - Google Patents
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JP5350658B2 JP2008077425A JP2008077425A JP5350658B2 JP 5350658 B2 JP5350658 B2 JP 5350658B2 JP 2008077425 A JP2008077425 A JP 2008077425A JP 2008077425 A JP2008077425 A JP 2008077425A JP 5350658 B2 JP5350658 B2 JP 5350658B2
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Abstract

The purpose of the invention is to provide a light emitting device that is improved in intensity of light emitted from a light outgoing surface and has excellent heat releasing property, the light emitting device according to the present invention includes an LED chip 501 mounted on a substrate and an insulating section 509 formed on a front surface of the substrate and made of light-transmitting resin. The insulating section 509 has a multilayer structure constituted of a titanium dioxide-added resin layer 509 c to which titanium dioxide is added and a titanium dioxide-free resin layer 509 b to which no titanium dioxide is added.

Description

本発明は、液晶パネルのような薄型の表示体を側面から照射するのに適した発光素子及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a light emitting element suitable for irradiating a thin display body such as a liquid crystal panel from the side surface and a method for manufacturing the light emitting element.

従来、液晶等の表示パネルを側面から照射するためのバックライト光源として、特許文献1等に示されているような側面発光型の発光ダイオード(以下、「LED」とする。)等の発光素子が用いられている。   Conventionally, as a backlight light source for irradiating a display panel such as a liquid crystal from the side, a light emitting element such as a side light emitting diode (hereinafter referred to as “LED”) as disclosed in Patent Document 1 or the like. Is used.

発光素子101は、図42に示すように、ダイボンドパターン108及び電極端子109が形成されたチップ基板114と、チップ基板114上に実装されたLEDチップ103と、LEDチップ103と電極端子109とを接続するワイヤ116と、チップ基板114上にLEDチップ103の周囲を囲うように配設され、上面及び側壁の一部に開口部を有する反射枠体123と、反射枠体123の側壁内周面である反射面122と、チップ基板114上の反射枠体123内に形成され、側壁側の開口部を光出射面117とする光透過樹脂体119と、光透過樹脂体119の上面を覆う反射膜121とを備えている。発光素子101は、LEDチップ103から発せられる光が反射枠体123の反射面122及び反射膜121によって反射され、一側面に形成された光出射面117から外部に向けて出射されるように構成されている。   As shown in FIG. 42, the light emitting element 101 includes a chip substrate 114 on which a die bond pattern 108 and an electrode terminal 109 are formed, an LED chip 103 mounted on the chip substrate 114, and an LED chip 103 and an electrode terminal 109. A connecting wire 116, a reflecting frame 123 that is disposed on the chip substrate 114 so as to surround the periphery of the LED chip 103, and has an opening on a part of the upper surface and the side wall, and an inner peripheral surface of the side wall of the reflecting frame 123 A reflection surface 122, a light transmission resin body 119 formed in the reflection frame 123 on the chip substrate 114, and having a side wall side opening as a light emission surface 117, and a reflection covering the upper surface of the light transmission resin body 119. A film 121. The light emitting element 101 is configured such that light emitted from the LED chip 103 is reflected by the reflecting surface 122 and the reflecting film 121 of the reflecting frame 123 and is emitted outward from the light emitting surface 117 formed on one side surface. Has been.

また、発光素子内で発生した熱の逃げが悪いと、素子内の部材が熱によるダメージを受け、発光効率の低下や、素子自体の損傷を招き、長期の信頼性が確保できなくなってしまう。そこで、放熱性に優れた発光素子の開発が求められている。   In addition, if the escape of heat generated in the light emitting element is poor, the members in the element are damaged by heat, leading to a decrease in light emission efficiency and damage to the element itself, and long-term reliability cannot be ensured. Therefore, development of a light emitting element excellent in heat dissipation is demanded.

例えば、特許文献2に、放熱性に優れた発光素子用基板が開示されている。   For example, Patent Document 2 discloses a light emitting element substrate having excellent heat dissipation.

図15および図16を参照し、特許文献2の発光素子用基板の構成について説明する。   With reference to FIG. 15 and FIG. 16, the structure of the light emitting element use substrate of patent document 2 is demonstrated.

図15は、上記発光素子用基板を備えた従来の発光素子1000の構成を示す断面図である。   FIG. 15 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional light emitting device 1000 including the light emitting device substrate.

図16は、図15に示した発光素子用基板の導体パターン1008と配線層1009との形状を示す図である。   16 is a diagram showing the shapes of the conductor pattern 1008 and the wiring layer 1009 of the light emitting element substrate shown in FIG.

上記発光素子用基板では、図15に示すように、導体パターン1003として、第1の電極1004および第2の電極1005が形成されており、LEDチップ(図示せず)の一方の電極が第1の電極1004に接続され、他方の電極が第2の電極1005に接続される。   In the substrate for a light emitting element, as shown in FIG. 15, a first electrode 1004 and a second electrode 1005 are formed as a conductor pattern 1003, and one electrode of an LED chip (not shown) is a first electrode. The other electrode is connected to the second electrode 1005.

また、第1の電極1004、層間接続パターン1006、保護金属層1007、および導体パターン1008が、反射体1001の下側からLEDチップが搭載される位置の下側まで連続して形成されている。なお、導体パターン1008は、配線層1009に形成されている。   The first electrode 1004, the interlayer connection pattern 1006, the protective metal layer 1007, and the conductor pattern 1008 are continuously formed from the lower side of the reflector 1001 to the lower side of the position where the LED chip is mounted. The conductor pattern 1008 is formed in the wiring layer 1009.

そして、第1の電極1004、層間接続パターン1006、保護金属層1007、および導体パターン1008によって積層された金属積層体の、反射体1001の発熱を伝熱させる伝熱面積を大きくさせる。すなわち、図16に示すように、導体パターン1008の面積を大きくさせている。   Then, the heat transfer area for transferring heat generated by the reflector 1001 of the metal laminate laminated by the first electrode 1004, the interlayer connection pattern 1006, the protective metal layer 1007, and the conductor pattern 1008 is increased. That is, as shown in FIG. 16, the area of the conductor pattern 1008 is increased.

これにより、反射体1001の発熱を、保護金属層1002および金属積層体を介して、保護金属層1012および最下層の金属基板1010まで効率よく伝熱することが可能となっている。   Thus, heat generated by the reflector 1001 can be efficiently transferred to the protective metal layer 1012 and the lowermost metal substrate 1010 via the protective metal layer 1002 and the metal laminate.

また、特許文献3には、LEDチップが搭載された多配線基板の表面樹脂に、無機フィラーが添加されて、当該表面樹脂を白色化することにより、表面樹脂の光反射率を向上させる構成が開示されている。
特開2005−223082号公報(公開日2005年08月18日) 特開2004−282004号公報(公開日2004年10月07日) 特開2005−235778号公報(公開日2005年9月2日)
Patent Document 3 discloses a configuration that improves the light reflectance of the surface resin by adding an inorganic filler to the surface resin of the multi-wiring board on which the LED chip is mounted and whitening the surface resin. It is disclosed.
Japanese Patent Laying-Open No. 2005-223082 (Publication date: August 18, 2005) JP 2004-282004 A (publication date October 07, 2004) Japanese Patent Laying-Open No. 2005-235778 (published on September 2, 2005)

一般に、LEDチップ103からの出射光強度は、図42中矢印118で示す上方向が最大となる。ところが、上述の特許文献1の構成では、LEDチップ103からの光出射方向に反射膜121が、LEDチップ103の光出射面に対向するように形成されている。このため、LEDチップ103から出射した光は、反射膜121とチップ基板114の間で反射を繰り返すこととなり、LEDチップ103から出射した光の多くが、光出射面117から外部へ効率よく出射されず、反射膜121およびチップ基板114に吸収されてしまう。   In general, the intensity of light emitted from the LED chip 103 is maximized in the upward direction indicated by the arrow 118 in FIG. However, in the configuration of Patent Document 1 described above, the reflective film 121 is formed so as to face the light emitting surface of the LED chip 103 in the light emitting direction from the LED chip 103. For this reason, the light emitted from the LED chip 103 is repeatedly reflected between the reflective film 121 and the chip substrate 114, and most of the light emitted from the LED chip 103 is efficiently emitted from the light emitting surface 117 to the outside. Instead, it is absorbed by the reflective film 121 and the chip substrate 114.

さらに、上記特許文献1の発光素子101の構成では、光出射面117が、LEDチップ103からの出射光強度が最大となる上方向(矢印118)から90度ずれた位置に形成されている。このため、LEDチップ103からの出射される光を効率よく、発光素子101の光出射面に導き、素子外部へ取り出すことができない。また、光透過樹脂体119の材料の樹脂に蛍光体粒子を用いた場合で、蛍光に変換されない光や散乱されない光は、反射膜121とチップ基板114の間で反射を繰り返すこととなり、その多くが反射膜121およびチップ基板114に吸収されてしまう。さらに、蛍光体粒子量の変動により散乱度合いが変動するため、光取り出し効率が安定しない。   Furthermore, in the configuration of the light emitting element 101 of Patent Document 1, the light emitting surface 117 is formed at a position shifted by 90 degrees from the upward direction (arrow 118) where the intensity of emitted light from the LED chip 103 is maximized. For this reason, the light emitted from the LED chip 103 cannot be efficiently guided to the light emitting surface of the light emitting element 101 and extracted outside the element. In addition, when phosphor particles are used as the material of the light transmissive resin body 119, light that is not converted into fluorescence or light that is not scattered is repeatedly reflected between the reflective film 121 and the chip substrate 114, many of which Is absorbed by the reflective film 121 and the chip substrate 114. Furthermore, since the degree of scattering varies depending on the amount of phosphor particles, the light extraction efficiency is not stable.

また、近年、液晶パネルを備えた携帯電話等の電子機器の薄型化に伴い、液晶バックライト用に用いられる側面発光型LEDの薄型化が求められている。しかしながら、特許文献1に示す従来の構造では、LEDチップ103の上面と反射膜121との距離が短くなるほど、上記の光吸収・漏れによる損失が増大する構成であるため、発光素子からの光取り出し効率がさらに低下するという問題があった。   In recent years, along with the thinning of electronic devices such as mobile phones equipped with a liquid crystal panel, there has been a demand for thinning of side-emitting LEDs used for liquid crystal backlights. However, in the conventional structure shown in Patent Document 1, the loss due to the light absorption / leakage increases as the distance between the upper surface of the LED chip 103 and the reflective film 121 becomes shorter. There was a problem that the efficiency further decreased.

したがって、光取り出し効率の低下を招くことなく薄型化を実現し得る側面発光型LEDの開発が求められている。   Therefore, there is a demand for the development of a side-emitting LED that can be thinned without causing a decrease in light extraction efficiency.

また、特許文献2の発光素子は、図15および図16に示すように、LEDチップが実装される実装面を底面した場合、金属反射体1001が、素子側面全体を囲むようには形成されていない。このため、LEDチップから周囲に放出される光が、上記金属反射体1001が形成されていない側面から素子外部へ漏れてしまう。   Further, as shown in FIGS. 15 and 16, the light emitting device of Patent Document 2 is formed so that the metal reflector 1001 surrounds the entire device side surface when the mounting surface on which the LED chip is mounted is bottomed. Absent. For this reason, the light emitted from the LED chip to the periphery leaks to the outside of the element from the side surface where the metal reflector 1001 is not formed.

また、上記実装面における第1の電極1004および第2の電極1005の形成領以外の領域には、絶縁層1011が形成されている。このため、LEDチップから出射された光のうち、基板側へ向かう光の多くが、樹脂絶縁層1011を透過し、裏面側から素子外部へ漏れてしまう。   An insulating layer 1011 is formed in a region other than the formation region of the first electrode 1004 and the second electrode 1005 on the mounting surface. For this reason, most of the light emitted from the LED chip toward the substrate side passes through the resin insulating layer 1011 and leaks from the back surface side to the outside of the element.

上記のように漏れた光は、発光素子外部の他の部材に吸収されるので、全体的に多大なエネルギーの損失になってしまう。このため、LEDチップからの出射された光を効率よく取り出すことができず、光出射面からの出射光強度の低下の問題点を有している。   Since the light leaked as described above is absorbed by other members outside the light emitting element, a great amount of energy is lost as a whole. For this reason, the light emitted from the LED chip cannot be taken out efficiently, and there is a problem that the intensity of the emitted light from the light emitting surface is lowered.

また、特許文献3の構成では、無機フィラーの添加により、光触媒効果による周辺部材の酸化を助長させたり、無機フィラーの吸湿性の影響による弊害を生じさせてしまう。また、特許文献3には、無機フィラーの添加量の制限に関して、何ら言及されていない。   Moreover, in the structure of patent document 3, the addition of an inorganic filler will promote the oxidation of the peripheral member by a photocatalytic effect, or will cause the bad effect by the hygroscopic effect of an inorganic filler. Further, Patent Document 3 does not mention anything about the limitation on the amount of inorganic filler added.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、光漏れを抑制し、光出射面からの出射光強度の向上を図ると共に、放熱性を向上させることにより、長期の信頼性に優れた発光素子およびその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and its purpose is to suppress light leakage, improve the intensity of light emitted from the light exit surface, and improve heat dissipation for a long time. It is in providing the light emitting element excellent in reliability, and its manufacturing method.

本発明の参考に係る発光素子は、基板上に実装されたLEDチップと、上記基板の表面に形成された光透過性の樹脂からなる絶縁部とを含み、上記絶縁部が、光入射側から、光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、上記光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有し、上記光反射性フィラー添加樹脂層は、上記光反射性フィラー無添加樹脂層に覆われ、大気に露出していない。 Light-emitting device according to the reference of the present invention includes a LED chip mounted on the base plate, and an insulating portion made of a light transparent resin formed on the surface of the substrate, the insulating portion is the light incident side From the above, the light-reflective filler-free resin layer containing no light-reflective filler and the light-reflective filler-added resin layer containing the light-reflective filler are laminated, and the light-reflective filler added resin layer is covered with the light-reflective filler additive-free resin layer, it has such exposed to the atmosphere.

上記の構成によれば、上記LEDチップから出射されて上記絶縁部に入射する光を上記光反射性フィラー添加領域で反射させることができる。このため、上記絶縁部に入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。   According to said structure, the light radiate | emitted from the said LED chip and injecting into the said insulation part can be reflected in the said light reflective filler addition area | region. For this reason, when the light enters the insulating portion and is reflected by the peripheral member, light that is partially absorbed and attenuated can be reduced, and light utilization efficiency and heat dissipation can be improved.

本発明に係る発光素子は、上記の課題を解決するために、基板の実装面に形成され実装面金属反射膜としての第1金属部と、上記第1金属部と絶縁部により電気的に絶縁され、上記実装面に形成される少なくとも1つの第2金属部と、上記第1金属部上に実装され、かつ、一方の電極が上記第1金属部に電気的に接続され、他方の電極が上記第2金属部に電気的に接続されるLEDチップと、上記実装面を囲むように、上記第1金属部と一体化して形成され、上記LEDチップからの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、上記基板と上記金属反射板とで囲まれる領域を充填し、上記LEDチップを封止するように形成された透光性封止体とを備え、上記絶縁部が、光入射側から、光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、上記光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有し、上記金属反射板に囲まれた領域内で、上記第2金属部の周囲を囲むように形成され、上記光反射性フィラー添加樹脂層は、上記光反射性フィラー無添加樹脂層に覆われ、大気に露出していないことを特徴としている。 In order to solve the above-described problem, a light emitting device according to the present invention is electrically insulated by a first metal portion formed on a mounting surface of a substrate as a mounting surface metal reflective film, and the first metal portion and the insulating portion. At least one second metal part formed on the mounting surface, mounted on the first metal part, and one electrode is electrically connected to the first metal part, and the other electrode is The LED chip electrically connected to the second metal part and the first metal part are integrally formed so as to surround the mounting surface, and the light emitted from the LED chip is reflected to emit light. A light-transmitting encapsulant formed so as to fill the region surrounded by the metal reflector and the metal reflector that leads to the light emission surface provided in the direction, and to seal the LED chip with the door, including the insulating portion, from the light incident side, a light reflective filler Not a light reflective filler additive-free resin layer has a stacked structure in which a light-reflective filler-added resin layer is laminated comprising the light reflective filler, in the area surrounded by the metallic reflecting plate, said first It is formed so as to surround the periphery of two metal parts, and the light reflective filler-added resin layer is covered with the light reflective filler-free resin layer and is not exposed to the atmosphere .

上記の構成によれば、上記LEDチップからの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板が、上記LEDチップの光出射方向に立設し、該LEDチップの周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、LEDチップから周囲に放出される光を、上記金属反射板で反射させ上記光出射面へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。また、上記金属反射板の内周面は、上記透光性封止体に密着しているため、該金属反射板の内周面側から金属が剥離するといった問題を抑制することができる。これにより、上記金属反射板の内周面を、上記透光性封止体により、安定した状態で保護することができる。   According to said structure, the metal reflecting plate which reflects the emitted light from the said LED chip, and guides it to the light-projection surface provided in the said light-projection direction stands in the light-projection direction of the said LED chip, It is formed so as to surround the entire periphery of the LED chip. For this reason, the light emitted from the LED chip to the surroundings can be reflected by the metal reflector and efficiently guided to the light emitting surface. Thereby, the light leakage from the element side surface can be suppressed, and the intensity of the emitted light from the light emitting surface can be improved. Moreover, since the inner peripheral surface of the said metal reflecting plate is closely_contact | adhered to the said translucent sealing body, the problem that a metal peels from the inner peripheral surface side of this metal reflecting plate can be suppressed. Thereby, the internal peripheral surface of the said metal reflecting plate can be protected in the stable state by the said translucent sealing body.

さらに、上記第1金属層が、実装面金属反射膜としての機能を有し、上記第2金属層の外周に形成された絶縁部を介して、上記第2金属層の外周を取り囲むように形成されている。このため、上記第2金属層との絶縁を確保しつつ、上記基板の実装面における、上記絶縁部形成領域の外側の全面に実装面金属反射膜としての上記第1金属層を形成することができる。このように、実装面金属反射膜としての上記第1金属層を実装面上の広範囲に形成することができるため、LEDから出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記第1金属部によってより効率的に光出射面側へと導くことができる。このため、基板に吸収される光の量をさらに低減することができ、光出射面からの出射光強度のさらなる向上を図ることができる。   Further, the first metal layer has a function as a mounting surface metal reflective film, and is formed so as to surround the outer periphery of the second metal layer through an insulating portion formed on the outer periphery of the second metal layer. Has been. For this reason, the first metal layer as the mounting surface metal reflective film can be formed on the entire surface outside the insulating portion forming region on the mounting surface of the substrate while ensuring insulation from the second metal layer. it can. Thus, since the first metal layer as the mounting surface metal reflective film can be formed over a wide range on the mounting surface, most of the light traveling from the LED toward the substrate side is converted into the first metal layer. The metal part can lead to the light exit surface side more efficiently. For this reason, the amount of light absorbed by the substrate can be further reduced, and the intensity of light emitted from the light exit surface can be further improved.

さらに、上記絶縁部が、光反射性フィラーを含む樹脂から形成されている。このため、上記LEDチップから出射されて上記絶縁部に入射する光を上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、上記絶縁部に入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。   Furthermore, the insulating part is formed of a resin containing a light reflective filler. For this reason, the light emitted from the LED chip and incident on the insulating portion can be reflected by the light reflective filler. For this reason, when the light enters the insulating portion and is reflected by the peripheral member, light that is partially absorbed and attenuated can be reduced, and the intensity of light emitted from the light exit surface can be improved.

また、二酸化チタンの光反射性フィラーは、酸素の存在下、光触媒反応により、例えば、絶縁部の下層に形成された導電層を酸化させてしまう。このため、上記光反射性フィラーを搭載面表面には添加せずに、酸素を含む大気から遠ざけることが望ましい。Moreover, the light-reflective filler of titanium dioxide oxidizes, for example, a conductive layer formed in the lower layer of the insulating portion by a photocatalytic reaction in the presence of oxygen. For this reason, it is desirable to keep away from the atmosphere containing oxygen, without adding the said light reflective filler to the mounting surface.

上記の構成によれば、上記絶縁部が、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、上記光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有している。これにより、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板、透光性封止体、絶縁部の酸化や、透光性封止体の剥離等の問題を抑制しつつ、光利用効率の向上を図ることができる。According to said structure, the said insulating part is from the light-incidence side, the light reflective filler additive-free resin layer which does not contain the said light reflective filler, and the light reflective filler addition resin layer containing the said light reflective filler, Have a laminated structure. Thereby, in the presence of oxygen, while suppressing problems such as metal reflection plate due to photocatalytic reaction of the light reflective filler, translucent sealing body, oxidation of the insulating portion, peeling of the translucent sealing body, etc. The light utilization efficiency can be improved.

上記の構成において、上記光反射性フィラーとしては、酸化アルミニウム、酸化珪素または二酸化チタンを用いることが望ましい。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。   In the above configuration, it is desirable to use aluminum oxide, silicon oxide, or titanium dioxide as the light reflective filler. Among these, titanium dioxide is particularly preferable because of its high light reflectance and low cost.

特許文献2に記載されているように、二酸化チタンは、反射部材に用いられる樹脂中に添加され、白色化して反射率を高める機能を有している。   As described in Patent Document 2, titanium dioxide is added to the resin used for the reflecting member, and has a function of whitening and increasing the reflectance.

しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板や透光性封止体、絶縁部を酸化させる危険性がある(酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする)。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、上記透光性封止体の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体の剥離させる危険性がある。ここで、上記LEDチップを封止する透光性封止体は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面まで到達する可能性がある。   However, when titanium dioxide is used as the light-reflective filler, there is a risk of oxidizing the metal reflector, the light-transmitting encapsulant, and the insulating part during the light-emitting operation due to the photocatalytic reaction in the presence of oxygen ( Oxygen passes through the sealing resin and is absorbed by the peripheral members and contains air and moisture as a source). On the other hand, when other reflective fillers such as aluminum oxide and silicon oxide are used, the above photocatalytic action does not occur, but aluminum oxide and silicon oxide are hygroscopic. For this reason, there is a risk that the air and moisture absorbed in the sealing step of the translucent sealing body are vaporized by heat during the light emitting operation and the translucent sealing body is peeled off. Here, the light-transmitting sealing body that seals the LED chip is preferably light-tight and air-tight. However, a resin having better light resistance generally tends to transmit gas such as the atmosphere, and the atmosphere / moisture may reach the mounting surface.

したがって、搭載面の近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより、酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上できるため望ましい。   Therefore, when adding only to the surface layer in the vicinity of the mounting surface, it is desirable to reduce the addition amount of the light-reflecting filler, so that the light reflectance can be improved while reducing the amount of active oxygen to be oxidized. Therefore it is desirable.

上記の構成において、水分、空気との接触を避けるため、搭載面や絶縁部と他部材との接着層の界面などには、光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。 In the above configuration, the water, to avoid contact with air, the etc. interfacial adhesion layer between the mounting surface and the insulating portion and the other member, it is preferable to adopt a configuration without the light reflective filler. Since the interface with the adhesive layer and other members easily retains moisture and air, it is desirable not to contact the light reflective filler.

また、二酸化チタンが添加される上記絶縁部の樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、当該絶縁部の樹脂内部に反射性フィラー添加樹脂層を設けることが特に好ましい。   Further, as the resin of the insulating part to which titanium dioxide is added, a resin that hardly transmits gas such as the atmosphere such as an epoxy resin is generally used. For this reason, it is particularly preferable to provide a reflective filler-added resin layer inside the resin of the insulating portion.

上記の構成において、上記光反射性フィラーは、400nm以上850nm以下の波長領域の光、すなわち可視光線を反射することが望ましい。   In the above configuration, the light reflective filler desirably reflects light in a wavelength region of 400 nm or more and 850 nm or less, that is, visible light.

上記の構成において、上記波長領域における上記光反射性フィラーを含む樹脂の光反射率が、50%以上であることが望ましい。   In the above configuration, the light reflectance of the resin containing the light reflective filler in the wavelength region is desirably 50% or more.

二酸化チタン含有のRCC樹脂(resin coated copper)は、光反射率が100%でなく、50〜70%程度で残りは、光を透過してしまう。このため、二酸化チタン含有のRCC樹脂を用いた場合、光がRCC樹脂内部で散乱して広がり、他部材との接着層にまで光が漏れてしまう。RCC樹脂の全層に光反射性フィラー添加樹脂層があれば、他部材越しや他部材に吸収されていた酸素と前記漏れ光とが、光触媒反応により、例えば、RCC樹脂や他部材、接着層に存在する電極等を酸化させてしまう要因となるため、上記光反射性フィラー添加樹脂層(領域)は、薄い層状に形成することが望ましい。   The titanium dioxide-containing RCC resin (resin coated copper) does not have a light reflectivity of 100%, but the remaining 50% to 70% and the remainder transmits light. For this reason, when the titanium dioxide-containing RCC resin is used, the light is scattered and spread inside the RCC resin, and the light leaks to the adhesive layer with other members. If there is a light-reflective filler-added resin layer in all layers of the RCC resin, the oxygen absorbed through the other member or the other member and the leaked light are caused, for example, by RCC resin, the other member, or the adhesive layer. Therefore, the light-reflecting filler-added resin layer (region) is preferably formed in a thin layer.

本実施形態の発光素子の製造方法は、上記の課題を解決するために、上記絶縁部の形成工程が、上記光反射性フィラー無添加樹脂層を形成する工程(a)と、上記光反射性フィラー添加樹脂層を形成する工程(b)とを含み、上記光反射性フィラー無添加樹脂層と上記光反射性フィラー添加樹脂層とを、所望の順序で金属箔上に積層構造をなすように形成することを特徴としている。   In order to solve the above-described problem, the method for manufacturing a light-emitting element according to this embodiment includes a step (a) in which the step of forming the insulating portion forms the resin layer without addition of the light-reflecting filler, and the light-reflecting property A step (b) of forming a filler-added resin layer, wherein the light-reflective filler-free resin layer and the light-reflective filler-added resin layer are laminated on the metal foil in a desired order. It is characterized by forming.

当該積層構造は、例えば、上記第1金属部及び第2金属部が形成される金属板に、裏面側(光出る射面と反対側)から熱プレスにより貼り付けてもよい。   For example, the laminated structure may be attached to the metal plate on which the first metal portion and the second metal portion are formed by hot pressing from the back surface side (the side opposite to the light emitting surface).

上記の構成において、上記光反射性フィラー無添加樹脂層および上記光反射性フィラー添加樹脂層からなる積層構造は、不活性ガス雰囲気下で行う加熱工程により形成することが望ましい。   In the above configuration, it is desirable that the laminated structure including the light-reflective filler-free resin layer and the light-reflective filler-added resin layer is formed by a heating process performed in an inert gas atmosphere.

上記の構成によれば、上記各絶縁部に用いる樹脂の変質(黄変化)を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。   According to said structure, since the quality change (yellowing change) of resin used for each said insulation part can be prevented, the said effect can be exhibited effectively, without the light absorption by quality change resin.

上記の構成において、上記基板と上記金属反射板とで囲まれる領域を充填するように上記LEDチップ封止する透光性封止体を、不活性ガス雰囲気下での熱硬化工程により形成することが望ましい。 In the above configuration, the translucent sealing member for sealing the LED chip so as to fill a space surrounded by the substrate and the metallic reflecting plate is formed by a thermal curing step in an inert gas atmosphere It is desirable.

なお、現状のRCC樹脂の生産ラインナップでは、樹脂層の厚みは、最薄で3μmとなっている。このため、ニ酸化チタン添加樹脂層は、樹脂層の塗布厚みの制御性の限界から接着層から少なくとも3μm以上はなれたところに入れることが望ましい。   In the current production lineup of RCC resin, the thickness of the resin layer is 3 μm at the thinnest. For this reason, it is desirable to put the titanium dioxide-added resin layer at a distance of at least 3 μm from the adhesive layer because of the limit of controllability of the resin layer coating thickness.

また、樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。   In addition, since the resin absorbs light, it is desirable to form the light-reflective filler-free resin layer as thin as possible in a layer shape, and to form a light-reflective filler-added resin layer in the lower layer.

上記樹脂としては、RCC樹脂を用いることが望ましい。RCC樹脂は液体を少し固化させた様なペースト状であり、ニ酸化チタン等の光反射性フィラーは、液体状態のRCC樹脂に混合させる。このため、単層のRCC樹脂では、上記光反射性フィラーを含む光反射フィラー添加樹脂層の位置を制御することは困難である。そこで、まず、上記光反射フィラー添加樹脂層を固化させ、その上に再度、上記光反射性フィラーを含まないRCC樹脂を塗布して光反射性フィラー無添加樹脂層を形成することにより、搭載面表面に反射性フィラーを含ませないようにすることができる。   It is desirable to use RCC resin as the resin. The RCC resin is in the form of a paste in which the liquid is slightly solidified, and a light reflective filler such as titanium dioxide is mixed with the RCC resin in a liquid state. For this reason, it is difficult to control the position of the light-reflective filler-added resin layer containing the light-reflective filler with a single-layer RCC resin. Therefore, first, the light reflecting filler-added resin layer is solidified, and then the RCC resin not containing the light reflecting filler is applied again to form a light reflecting filler-free resin layer, thereby mounting surface. It is possible to prevent the surface from containing a reflective filler.

このように、絶縁部に光反射性フィラーを含む樹脂を用いることにより、上記LEDチップから出射されて上記絶縁部に入射する光を上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、上記絶縁部に入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる Thus, by using the resin containing the light reflective filler in the insulating part, the light emitted from the LED chip and incident on the insulating part can be reflected by the light reflective filler. For this reason, when the light enters the insulating portion and is reflected by the peripheral member, light that is partially absorbed and attenuated can be reduced, and light utilization efficiency and heat dissipation can be improved .

本実施形態の発光素子は、基板の実装面に形成され実装面金属反射膜としての第1金属部と、上記第1金属部と絶縁部により電気的に絶縁され、上記実装面に形成される少なくとも1つの第2金属部と、上記第1金属部上に実装され、かつ、一方の電極が上記第1金属部に電気的に接続され、他方の電極が上記第2金属部に電気的に接続されるLEDチップと、上記実装面を囲むように、上記第1金属部と一体化して形成され、上記LEDチップからの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、上記基板と上記金属反射板とで囲まれる領域を充填し、上記LEDチップを封止するように形成された透光性封止体とを備え、上記絶縁部が、光入射側から、光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、上記光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有し、上記金属反射板に囲まれた領域内で、上記第2金属部の周囲を囲むように形成され、上記光反射性フィラー添加樹脂層は、上記光反射性フィラー無添加樹脂層に覆われ、大気に露出していないことにより、このため、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。 The light emitting device of the present embodiment is formed on the mounting surface, formed on the mounting surface of the substrate and electrically insulated by the first metal portion as the mounting surface metal reflective film and the first metal portion and the insulating portion. At least one second metal part, mounted on the first metal part, and one electrode is electrically connected to the first metal part, and the other electrode is electrically connected to the second metal part. The LED chip to be connected and the first metal part are formed so as to surround the mounting surface, and the light emitted from the LED chip is reflected to the light emitting surface provided in the light emitting direction. And a light-transmitting sealing body that fills a region surrounded by the substrate and the metal reflecting plate and seals the LED chip, and the insulating portion includes: No light reflective filler added from the light incident side It has a laminated structure in which a fat layer and a light-reflective filler-added resin layer containing the light-reflective filler are laminated, and surrounds the second metal part in a region surrounded by the metal reflector. The light-reflecting filler-added resin layer is covered with the light-reflecting filler-free resin layer and is not exposed to the atmosphere, thereby improving the intensity of light emitted from the light exit surface. Can be achieved.

〔第1実施形態〕
本発明の一実施の形態について図1ないし図5および図38ないし図41を参照し以下に説明する。
[First Embodiment]
An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 to 5 and 38 to 41.

図1は、本実施の形態の発光素子500の一構成例を示す斜視図である。   FIG. 1 is a perspective view showing a configuration example of the light emitting element 500 of the present embodiment.

図2は、発光素子500の詳細な構成を示す断面図である。   FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a detailed configuration of the light emitting element 500.

図3は、金属反射板502と、積層基板506を構成する各層とのエッチングパターン例を示している。図3中、(a)は第1層521を示し、(b)は第2層522を示し、(c)は第3層523を示し、(d)は第4層524を示し、(e)は第5層525を示し、(f)は第6層526を示し、(g)は第7層527を示し、(h)は第8層528を示している。   FIG. 3 shows an example of an etching pattern between the metal reflector 502 and each layer constituting the laminated substrate 506. 3, (a) shows the first layer 521, (b) shows the second layer 522, (c) shows the third layer 523, (d) shows the fourth layer 524, (e ) Shows the fifth layer 525, (f) shows the sixth layer 526, (g) shows the seventh layer 527, and (h) shows the eighth layer 528.

本実施の形態に係る発光素子500は、図1に示すように、積層基板506に実装されたLEDチップ501と、該LEDチップ501の光出射方向に立設し、該LEDチップ501の周囲全体を取り囲むように上記実装面上に設けられ、上記LEDチップ501からの出射光を反射して、上記光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板502とを備え、上記実装面上における金属反射板502で囲まれた領域を充填するように透光性封止体510が形成されている。   As shown in FIG. 1, the light emitting device 500 according to the present embodiment includes an LED chip 501 mounted on a multilayer substrate 506 and a light emitting direction of the LED chip 501, and the entire periphery of the LED chip 501. A metal reflector 502 that is provided on the mounting surface so as to surround the LED chip 501 and reflects the light emitted from the LED chip 501 and guides it to the light emission surface provided in the light emission direction. A translucent sealing body 510 is formed so as to fill the region surrounded by the metal reflector 502 above.

発光素子500は、携帯電話などの表示画面に設けられた液晶パネルの側面に光出射面が対向するように実装するように構成している。すなわち、発光素子500は、液晶パネルを側面から照射するバックライトとして用いるように構成している。   The light emitting element 500 is configured to be mounted so that a light emitting surface faces a side surface of a liquid crystal panel provided on a display screen of a mobile phone or the like. That is, the light emitting element 500 is configured to be used as a backlight that irradiates the liquid crystal panel from the side surface.

LEDチップ501は、GaN系半導体材料等からなる半導体チップであり、発光面501aから青色光を発する。LEDチップ501は、発光面501aが上側になるように、後述するダイボンドエリア・電極共通部(第1電極部、実装面金属反射膜)507にダイボンドによって実装されている。そして、LEDチップ501は、発光面501aに、アノード電極とカソード電極とからなる電極端子(図示せず)を備えている。   The LED chip 501 is a semiconductor chip made of a GaN-based semiconductor material or the like, and emits blue light from the light emitting surface 501a. The LED chip 501 is mounted by die bonding on a die bond area / electrode common portion (first electrode portion, mounting surface metal reflective film) 507 described later so that the light emitting surface 501a is on the upper side. The LED chip 501 includes an electrode terminal (not shown) including an anode electrode and a cathode electrode on the light emitting surface 501a.

積層基板506は、実装面側から表面層503、中間層504、裏面層505が形成された積層構成を有している。積層基板506は、図2に示すように、2層構造の表面層503、3層構造の中間層504、2層構造の裏面層505からなる積層構造を有している。上記構成の積層基板506は、金属反射板502に積層され、金属反射板502と一体的に形成されている。   The laminated substrate 506 has a laminated structure in which a surface layer 503, an intermediate layer 504, and a back layer 505 are formed from the mounting surface side. As shown in FIG. 2, the multilayer substrate 506 has a multilayer structure including a surface layer 503 having a two-layer structure, an intermediate layer 504 having a three-layer structure, and a back layer 505 having a two-layer structure. The multilayer substrate 506 having the above configuration is laminated on the metal reflector 502 and is formed integrally with the metal reflector 502.

ここで、図2および図3を参照し、積層基板506の詳細な構成について説明する。   Here, a detailed configuration of the multilayer substrate 506 will be described with reference to FIGS. 2 and 3.

まず、表面層503の構成について説明する。   First, the configuration of the surface layer 503 will be described.

表面層503は、実装面側から第2層522と第3層523とが積層された2層積層構造を有している。   The surface layer 503 has a two-layer stacked structure in which a second layer 522 and a third layer 523 are stacked from the mounting surface side.

なお、第2層522の表面すなわち積層基板506の表面を、LEDチップ501が実装される実装面とする。   The surface of the second layer 522, that is, the surface of the multilayer substrate 506 is used as a mounting surface on which the LED chip 501 is mounted.

第2層522(実装面)には、LEDチップ501に駆動電流を供給する電極端子として、LEDチップ501とそれぞれ接続されるダイボンドエリア・電極共通部(第1金属部)507とアイランド電極(第2金属部)508とが形成されている。また、アイランド電極508を、ダイボンドエリア・電極共通部507から電気的に絶縁するための絶縁部509が、アイランド電極508の外周を囲むように形成されている。   On the second layer 522 (mounting surface), as an electrode terminal for supplying a drive current to the LED chip 501, a die bond area / electrode common part (first metal part) 507 and an island electrode (first electrode) connected to the LED chip 501 respectively. 2 metal parts) 508. An insulating portion 509 for electrically insulating the island electrode 508 from the die bond area / electrode common portion 507 is formed so as to surround the outer periphery of the island electrode 508.

ダイボンドエリア・電極共通部507は、LEDチップ501のカソード電極とワイヤボンド(ワイヤ511)によって接続されている。ダイボンドエリア・電極共通部507と金属反射板502とは、同種の金属(本実施の形態では、銅)からなり一体的に形成されている。   The die bond area / electrode common part 507 is connected to the cathode electrode of the LED chip 501 by wire bonding (wire 511). The die bond area / electrode common part 507 and the metal reflector 502 are made of the same kind of metal (copper in this embodiment) and are integrally formed.

なお、ダイボンドエリア・電極共通部507および金属反射板502の材料としては、銅に限定されるものではなく、他の金属を用いる構成であってもよいが、反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることが望ましい。   The material of the die bond area / electrode common portion 507 and the metal reflector 502 is not limited to copper, and may be configured using other metals, but copper, silver, It is desirable to use gold or nickel.

すなわち、本実施の形態では、接着剤を要することなく、メッキなどの方法によって、金属反射板502を、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部507と一体的に成形することができる。このため、LEDチップ501の発光時の熱は、従来のように熱伝導性の低い樹脂等に溜まることなく、金属反射板502が一体成形されている基板の表面に形成されたダイボンドエリア・電極共通部507に伝導され、さらに基板の裏面側に効果的に放熱させることができる。また、このように、金属反射板502とダイボンドエリア・電極共通部507とを一体的に形成することで、素子全体における金属の占める割合が大きくなるため、放熱性のみならず、光漏れ防止についても改善された構成となっている。   That is, in this embodiment, the metal reflector 502 can be integrally formed with the die bond area / electrode common portion 507 as the mounting surface metal reflective film by a method such as plating without using an adhesive. . For this reason, the heat at the time of light emission of LED chip 501 does not accumulate in resin etc. with low heat conductivity like the past, but the die bond area electrode formed on the surface of the substrate in which metal reflector 502 is integrally formed It is conducted to the common portion 507 and can be radiated effectively to the back side of the substrate. In addition, by integrally forming the metal reflector 502 and the die bond area / electrode common portion 507 in this way, the proportion of metal in the entire element increases, so that not only heat dissipation but also light leakage prevention is achieved. The structure is also improved.

なお、ダイボンドエリア・電極共通部507は、後に詳細に説明するように、発光素子500をダイシングする際、バリの発生による損傷を防止するために、ダイシングのマージンを確保して形成されている。   Note that the die bond area / electrode common portion 507 is formed with a dicing margin secured in order to prevent damage caused by burrs when the light emitting element 500 is diced, as will be described in detail later.

一方、他方の電極端子としてのアイランド電極508は、銅からなり、ワイヤボンド(ワイヤ511)によってLEDチップ501のアノード電極と接続されている。また、実装面としての第2層522における金属反射板502で囲まれた領域内に、アイランド電極508が、その外周が絶縁部509で囲まれた、アイランドに形成されている。   On the other hand, the island electrode 508 serving as the other electrode terminal is made of copper and connected to the anode electrode of the LED chip 501 by wire bonding (wire 511). In addition, an island electrode 508 is formed in an island whose outer periphery is surrounded by an insulating portion 509 in a region surrounded by the metal reflector 502 in the second layer 522 as a mounting surface.

また、アイランド電極508の形状は、本実施の形態に示したもの以外に、三角、四角、矩形状など特に限定されることはないが、電界集中を避けることができるよう角部に丸みを持った形状がより好ましい。さらに、アイランド電極508上には、LEDチップの駆動条件を調整する素子、回路を設置しても構わない。例えば、ツェナーダイオードなどLEDチップに通電する電流を制限する保護回路素子を設置してもよい。なお、これらのことは、本実施の形態以外の実施形態でも同様に適用される。   In addition, the shape of the island electrode 508 is not particularly limited to a shape other than that shown in this embodiment mode, such as a triangle, a square, or a rectangle, but the corner has a roundness so that electric field concentration can be avoided. The shape is more preferable. Further, an element and a circuit for adjusting the driving condition of the LED chip may be provided on the island electrode 508. For example, a protective circuit element that limits the current that flows through the LED chip, such as a Zener diode, may be provided. These are similarly applied to embodiments other than the present embodiment.

本実施の形態では、上述の通り、LEDチップ501のカソード電極がダイボンドエリア・電極共通部507と接続され、アノード電極がアイランド電極508と接続される構成となっている。しかしながら、本実施の形態はこれに限らず、LEDチップ501のアノード電極がダイボンドエリア・電極共通部507と接続され、カソード電極がアイランド電極508と接続される構成としてもよい。   In the present embodiment, as described above, the cathode electrode of the LED chip 501 is connected to the die bond area / electrode common portion 507 and the anode electrode is connected to the island electrode 508. However, the present embodiment is not limited to this, and the anode electrode of the LED chip 501 may be connected to the die bond area / electrode common portion 507 and the cathode electrode may be connected to the island electrode 508.

なお、ダイボンドエリア・電極共通部507とアイランド電極508とは電位が異なっており、設計に応じて、LEDチップ501のアノード電極とカソード電極とのどちらかが一方ずつに接続される。   The die bond area / electrode common portion 507 and the island electrode 508 have different potentials, and one of the anode electrode and the cathode electrode of the LED chip 501 is connected to each other according to the design.

絶縁部509は、エポキシ樹脂等のRCC樹脂(resin coated copper)から形成されており、アイランド電極508をダイボンドエリア・電極共通部507から電気的に絶縁するように形成されている。さらに、上記エポキシ樹脂には、400nm〜850nmの波長領域の可視光線を反射する光反射性フィラーが添加されている。上記エポキシ樹脂は、上記波長領域での光反射率が50%以上であることが望ましい。上記光反射性フィラーとしては、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。   The insulating part 509 is made of an RCC resin (resin coated copper) such as an epoxy resin, and is formed so as to electrically insulate the island electrode 508 from the die bond area / electrode common part 507. Furthermore, a light reflective filler that reflects visible light in a wavelength region of 400 nm to 850 nm is added to the epoxy resin. The epoxy resin desirably has a light reflectance of 50% or more in the wavelength region. As the light reflective filler, aluminum oxide, silicon oxide, titanium dioxide or the like having high light reflectance can be used. Among these, titanium dioxide is particularly preferable because of its high light reflectance and low cost.

しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板502や透光性封止体510、絶縁部509を酸化させる危険性がある(酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする)。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体510の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体510を剥離させる危険性がある。ここで、上記LEDチップ501を封止する透光性封止体510は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面までくる可能性がある。   However, when titanium dioxide is used as the light-reflective filler, there is a risk of oxidizing the metal reflector 502, the light-transmitting encapsulant 510, and the insulating portion 509 during the light-emitting operation due to a photocatalytic reaction in the presence of oxygen. (Oxygen passes through the sealing resin and is absorbed by the peripheral members and is contained in the atmosphere and moisture). On the other hand, when other reflective fillers such as aluminum oxide and silicon oxide are used, the above photocatalytic action does not occur, but aluminum oxide and silicon oxide are hygroscopic. For this reason, there is a risk that the air and moisture absorbed in the sealing step of the translucent sealing body 510 are vaporized by heat during the light emitting operation, and the translucent sealing body 510 is peeled off. Here, the light-transmitting sealing body 510 that seals the LED chip 501 is preferably light-tight and air-tight. However, a resin having better light resistance generally tends to transmit gas such as air, and air and moisture may reach the mounting surface.

したがって、LEDチップ501の搭載面近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上させることができる。   Therefore, when adding only to the surface layer in the vicinity of the mounting surface of the LED chip 501, it is desirable to reduce the amount of the light-reflecting filler, particularly, thereby reducing the amount of active oxygen to be oxidized and reducing the light reflectance. Can be improved.

そこで、絶縁部509は、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、エポキシ樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。   Therefore, the insulating portion 509 has a laminated structure in which a light-reflective filler-free resin layer that does not include the light-reflective filler and a light-reflective filler-added resin layer that includes the light-reflective filler are stacked from the light incident side. It is desirable to have Here, since the epoxy resin absorbs light, the light-reflective filler-free resin layer that does not include the light-reflective filler is formed as thin as possible, and a light-reflective filler containing a light-reflective filler is added to the lower layer. It is desirable to form a resin layer.

ここで、絶縁部509の形成工程について図38ないし図41を参照し以下に説明する。まず、図38(a)に示すように、RCC樹脂(resin coated copper)と称されるCu箔509a上に、液体状のRCC樹脂を塗布して、少し固化させたペースト状の二酸化チタン無添加層(光反射性フィラー無添加樹脂層)509bを形成する。次に、図38(b)に示すように、ニ酸化チタン無添加樹脂層509b上に、上記液体状のRCC樹脂に二酸化チタンを添加したものを塗布して、同様に固化させたペースト状の二酸化チタン添加樹脂層(光反射性フィラー添加樹脂層)509cを形成する。二酸化チタン添加樹脂層509cを固化させた後、二酸化チタン添加樹脂層509c上にさらにニ酸化チタン無添加樹脂層509bを形成し、図38(c)に示すような積層構造509dを形成する。   Here, the process of forming the insulating portion 509 will be described below with reference to FIGS. First, as shown in FIG. 38 (a), a liquid RCC resin is applied on a Cu foil 509a called RCC resin (resin coated copper) and solidified slightly. A layer (light-reflective filler-free resin layer) 509b is formed. Next, as shown in FIG. 38 (b), on the titanium dioxide-free resin layer 509b, the liquid RCC resin added with titanium dioxide is applied and solidified in the same manner. A titanium dioxide-added resin layer (light reflective filler-added resin layer) 509c is formed. After solidifying the titanium dioxide-added resin layer 509c, a titanium dioxide-free resin layer 509b is further formed on the titanium dioxide-added resin layer 509c to form a laminated structure 509d as shown in FIG.

上記の工程にて形成された積層構造509dを、さらに、図39に示すように、ダイボンドエリア・電極共通部(第1金属部)507とアイランド電極(第2金属部)508とが形成される金属板530の裏面(光入射面と反対側)に貼り付けて熱プレスにより金属板530と張り合わせる。   As shown in FIG. 39, a die bond area / electrode common portion (first metal portion) 507 and an island electrode (second metal portion) 508 are further formed in the laminated structure 509d formed in the above-described steps. The metal plate 530 is pasted on the back surface (opposite to the light incident surface) and bonded to the metal plate 530 by hot pressing.

図40に示すように、銅箔509aは、ニ酸化チタン無添加樹脂層509bとニ酸化チタン添加樹脂層509cとが積層された積層構造509dの状態で表面が研磨され一部が導電層(Cuポスト層)509eとなる。   As shown in FIG. 40, the copper foil 509a has a laminated structure 509d in which a titanium dioxide-free resin layer 509b and a titanium dioxide-added resin layer 509c are laminated, and a part thereof is a conductive layer (Cu Post layer) 509e.

酸化チタン等の光反射性フィラーを樹脂に添加する場合、液体状態のRCC樹脂に光反射性フィラーを混合するが、単層の樹脂中で光反射性フィラーはRCC樹脂との比重差で沈降するため、Cu箔509a側に沈み、光反射性フィラーを含むニ酸化チタン添加樹脂層(反射性フィラー添加樹脂層)509cの位置を制御することは困難である。そこで、まず、導電層509eに接続される銅箔509a上に、ニ酸化チタン無添加樹脂層509bを形成し、ニ酸化チタン無添加樹脂層509b上に、上記光反射性フィラーを含む酸化チタン添加樹脂層(反射性フィラー添加層)509cを形成して固化させ、酸化チタン添加樹脂層509cの上に再度、上記光反射性フィラーを含まないRCC樹脂を塗布して酸化チタン無添加樹脂層(反射性フィラー無添加樹脂層)509bを形成することにより、搭載面表面に反射性フィラーを含ませないようにすることができる。このようにして形成したRCC樹脂を、上述の通り、ダイボンドエリア・電極共通部507とアイランド電極508が形成された金属板530の裏面に貼り付け、熱プレス加工することにより絶縁部509が形成される。この後、詳細な説明は省くが、絶縁部509の下層には、ダイボンドエリア・電極共通部507とアイランド電極508の電位が導電層509eを通じて、基板裏面側へ導通し、かつダイボンドエリア・電極共通部507とアイランド電極508との間で絶縁がとれるように導電層、樹脂層が平面状に配置された層が多層に積層され、貫通孔が開けられたガラエポ基板が貼り付けられ、貫通孔を通じて、導電層と通電するように裏面電極が設けられ、最終的に金属板の表面側をエッチングにより、絶縁部509が搭載面に露出するように反射板が形成される。   When a light reflective filler such as titanium oxide is added to the resin, the light reflective filler is mixed with the liquid RCC resin, but the light reflective filler settles in a single layer resin due to a specific gravity difference with the RCC resin. Therefore, it is difficult to control the position of the titanium dioxide-added resin layer (reflective filler-added resin layer) 509c that sinks on the Cu foil 509a side and includes the light-reflective filler. Therefore, first, a titanium dioxide-free additive resin layer 509b is formed on the copper foil 509a connected to the conductive layer 509e, and the titanium dioxide-added titanium oxide-containing resin layer 509b is added to the titanium dioxide-free resin layer 509b. A resin layer (reflective filler-added layer) 509c is formed and solidified, and the RCC resin not containing the light-reflective filler is applied again on the titanium oxide-added resin layer 509c to add a titanium oxide-free resin layer (reflective). By forming the non-reactive filler-added resin layer) 509b, it is possible to prevent the reflective surface from being included in the mounting surface. As described above, the RCC resin formed in this manner is attached to the back surface of the metal plate 530 on which the die bond area / electrode common portion 507 and the island electrode 508 are formed, and the insulating portion 509 is formed by hot pressing. The Thereafter, although detailed description is omitted, the potential of the die bond area / electrode common portion 507 and the island electrode 508 is conducted to the back side of the substrate through the conductive layer 509e in the lower layer of the insulating portion 509, and is common to the die bond area / electrode. A layer in which a conductive layer and a resin layer are arranged in a planar shape is laminated in multiple layers so as to provide insulation between the portion 507 and the island electrode 508, and a glass epoxy substrate with a through hole is attached, and the through hole is attached. Then, a back electrode is provided so as to energize the conductive layer, and a reflector is finally formed by etching the surface side of the metal plate so that the insulating portion 509 is exposed on the mounting surface.

図41は、図40に示す断面図の丸で囲った領域を示す拡大断面図である。   41 is an enlarged cross-sectional view showing a circled region of the cross-sectional view shown in FIG.

このように、絶縁部509に、光反射性フィラーを含むRCC樹脂を用いることにより、図41に示すように、LEDチップ501から出射されて絶縁部509に入射する光をおよびLEDチップ501を封止する透光性封止体510に含有される蛍光体から放出され絶縁部509に入射する光を、上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、絶縁部509に入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。   In this way, by using an RCC resin containing a light reflective filler for the insulating portion 509, as shown in FIG. 41, the light emitted from the LED chip 501 and incident on the insulating portion 509 and the LED chip 501 are sealed. Light emitted from the phosphor contained in the light-transmitting sealing body 510 to be stopped and incident on the insulating portion 509 can be reflected by the light reflective filler. Therefore, when the light enters the insulating portion 509 and is reflected by the peripheral member, light that is partially absorbed and attenuated can be reduced, and light utilization efficiency and heat dissipation can be improved.

また、光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合であっても、絶縁部509の全域に添加されている構成に比べ、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板502、透光性封止体510、絶縁部509の酸化や、透光性封止体510の剥離等の問題を抑制しつつ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。   In addition, even when titanium dioxide is used as the light reflective filler, the metal reflector 502 is formed by the photocatalytic reaction of the light reflective filler in the presence of oxygen, as compared with the structure added throughout the insulating portion 509. Further, it is possible to improve the intensity of light emitted from the light emitting surface while suppressing problems such as oxidation of the light-transmitting sealing body 510 and the insulating portion 509 and peeling of the light-transmitting sealing body 510.

すなわち、絶縁部509に吸収される光および上記基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量を低減することができるため、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。   That is, the amount of light absorbed by the insulating portion 509 and the amount of light that passes through the substrate and is emitted from the back surface side to the outside can be reduced, so that light use efficiency and heat dissipation can be improved.

また、上記RCC樹脂は、不活性ガス雰囲気下での熱工程により形成することが望ましい。これにより、絶縁部509に用いる樹脂の変質(黄変化)を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。   The RCC resin is preferably formed by a heat process in an inert gas atmosphere. Thereby, since the quality change (yellowing change) of the resin used for the insulating portion 509 can be prevented, the above effect can be effectively exhibited without light absorption by the quality change resin.

特に、透光性封止体510を封止する工程で、透光性封止体510の樹脂注入する際、搭載面に大気、水分が入りやすい。この状態で加熱硬化した場合、内在する大気、水分により搭載面の絶縁部(RCC樹脂)509が酸化されてしまう。このため、透光性封止体510の加熱硬化工程は、不活性ガス雰囲気下で行うことが望ましい。   In particular, in the step of sealing the light-transmitting sealing body 510, when the resin of the light-transmitting sealing body 510 is injected, air and moisture are likely to enter the mounting surface. When heat curing is performed in this state, the insulating portion (RCC resin) 509 on the mounting surface is oxidized by the air and moisture present inside. For this reason, it is desirable to perform the heat curing process of the translucent sealing body 510 in an inert gas atmosphere.

本実施の形態においては、図2に示すように、LEDチップ501の発光面501aに垂直な方向から見たとき、絶縁部509とダイボンドエリア・電極共通部507との界面は、直線となっている。但し、実装面における金属反射板502で囲まれた領域内において、アイランド電極508を囲む絶縁部509はできる限り狭く形成し、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部507が占める割合を多くする方が、光の利用効率の面で好ましい。   In the present embodiment, as shown in FIG. 2, when viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface 501a of the LED chip 501, the interface between the insulating portion 509 and the die bond area / electrode common portion 507 is a straight line. Yes. However, in the region surrounded by the metal reflector 502 on the mounting surface, the insulating portion 509 surrounding the island electrode 508 is formed as narrow as possible, and the proportion of the die bond area / electrode common portion 507 as the mounting surface metal reflecting film is occupied. Increasing the number is preferable in terms of light utilization efficiency.

よって、まとめると、第2層522では、金属反射板502と一体化するように積層化され、アイランド電極508とは絶縁部509を挟んで形成されているダイボンドエリア・電極共通部507と、絶縁部509に囲まれて形成されているアイランド電極508とが形成されている。   Therefore, in summary, the second layer 522 is laminated so as to be integrated with the metal reflector 502, and is separated from the island electrode 508 by the die bond area / electrode common part 507 formed with the insulating part 509 interposed therebetween. An island electrode 508 surrounded by a portion 509 is formed.

第3層523は、第2層522と後述する第4層524との間を電気的に接続するために設けられており、第2層522に絶縁部509を形成する際に、絶縁部509の接着度を高める機能も有している。   The third layer 523 is provided to electrically connect the second layer 522 and a fourth layer 524 described later, and the insulating portion 509 is formed when the insulating portion 509 is formed on the second layer 522. It also has the function of increasing the degree of adhesion.

上記接着層としての第3層523を介して他の部材と接着される界面近傍には、水分、空気との接触するのを避けるため、二酸化チタン等の光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。すなわち、上記接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。また、二酸化チタンが添加される上記絶縁部509の樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、絶縁部509の樹脂内部に二酸化チタン添加樹脂層509cを設けることが特に好ましい。   In order to avoid contact with moisture and air in the vicinity of the interface bonded to other members via the third layer 523 as the adhesive layer, a configuration in which a light reflective filler such as titanium dioxide is not included is used. It is desirable. That is, since the interface with the adhesive layer and other members easily retains moisture and air, it is desirable not to contact the light reflective filler. In addition, as the resin of the insulating portion 509 to which titanium dioxide is added, a resin that hardly transmits gas such as the atmosphere such as an epoxy resin is generally used. For this reason, it is particularly preferable to provide the titanium dioxide-added resin layer 509c inside the resin of the insulating portion 509.

絶縁部509が形成されておらず、ダイボンドエリア・電極共通部507およびアイランド電極508が形成されたパターニング面では、ダイボンドエリア・電極共通部507およびアイランド電極508の外縁のみにエッチングされた厚み(段差)がある状態である。この場合、絶縁部509を形成するために上記厚みと同じ厚みの絶縁材を、パターニング面に貼り合わせプレスしても、接着面が平面であるので剥がれるおそれがある。   On the patterning surface where the insulating portion 509 is not formed and the die bond area / electrode common portion 507 and the island electrode 508 are formed, the thickness (step difference) etched only at the outer edges of the die bond area / electrode common portion 507 and the island electrode 508 is formed. ). In this case, even if an insulating material having the same thickness as the above-mentioned thickness is formed and bonded to the patterning surface in order to form the insulating portion 509, the adhesive surface may be peeled off because of the flat surface.

そこで、第2層522のエッチングされた外縁よりも内側に、エッチングされた外縁を有する導電部531および導電部532を備える第3層523を追加することによって、絶縁部509との接触面積を増やし、絶縁部509の接着性を向上させている。   Therefore, the contact area with the insulating portion 509 is increased by adding the third layer 523 including the conductive portion 531 and the conductive portion 532 having the etched outer edge inside the etched outer edge of the second layer 522. The adhesiveness of the insulating part 509 is improved.

なお、アノードとカソードとの分離を確実にするためには、アイランド電極508の形成領域の直下の導電部532は、アイランド電極508よりも小さくする形成する必要がある。   In order to ensure separation between the anode and the cathode, the conductive portion 532 immediately below the formation region of the island electrode 508 needs to be formed smaller than the island electrode 508.

次に、中間層504の構成について説明する。   Next, the configuration of the intermediate layer 504 will be described.

中間層504は、実装面側から第4層524、第5層525、第6層526が積層された3層積層構造を有している。中間層504は、第3層523と、後述する第5層525および第6層526に形成された貫通孔515および貫通孔516に形成される各電極部とを電気的に接続するものである。   The intermediate layer 504 has a three-layer stacked structure in which a fourth layer 524, a fifth layer 525, and a sixth layer 526 are stacked from the mounting surface side. The intermediate layer 504 electrically connects the third layer 523 and the electrode portions formed in the through holes 515 and the through holes 516 formed in the fifth layer 525 and the sixth layer 526 described later. .

第4層524は、ダイボンドエリア・電極共通部507と電気的に接続される導電部533と、アイランド電極508と電気的に接続される導電部534とが接触しないように形成されている。導電部533は、第3層523における導電部531の形成領域全体を覆うように形成されている。同様に、導電部534は、第3層523における導電部532の形成領域全体を覆うように形成されている。ここで、導電部533および導電部534は、発光素子500をダイシングする際に、バリの発生による損傷を防止するために、ダイシングのマージンを確保するように形成している。   The fourth layer 524 is formed so that the conductive portion 533 electrically connected to the die bond area / electrode common portion 507 and the conductive portion 534 electrically connected to the island electrode 508 are not in contact with each other. The conductive portion 533 is formed so as to cover the entire formation region of the conductive portion 531 in the third layer 523. Similarly, the conductive portion 534 is formed so as to cover the entire formation region of the conductive portion 532 in the third layer 523. Here, the conductive portion 533 and the conductive portion 534 are formed to ensure a dicing margin in order to prevent damage due to the generation of burrs when the light emitting element 500 is diced.

第5層525は、ダイボンドエリア・電極共通部507と電気的に接続される導電部535と、アイランド電極508と電気的に接続される導電部536とが接触しないように形成されている。   The fifth layer 525 is formed so that the conductive portion 535 electrically connected to the die bond area / electrode common portion 507 and the conductive portion 536 electrically connected to the island electrode 508 are not in contact with each other.

第6層526は、ダイボンドエリア・電極共通部507と電気的に接続される導電部537と、アイランド電極508と電気的に接続される導電部538とが、接触しないように形成されている。   The sixth layer 526 is formed so that the conductive portion 537 electrically connected to the die bond area / electrode common portion 507 and the conductive portion 538 electrically connected to the island electrode 508 are not in contact with each other.

導電部537および導電部538は、後述する貫通孔515および貫通孔516に銅めっき517を施す際に、貫通孔515および貫通孔516の隙間から銅が漏れないようにするために、貫通孔515および貫通孔516の面方向の幅よりも大きい幅で、貫通孔515および貫通孔516を覆うように形成している。   The conductive portion 537 and the conductive portion 538 have through-holes 515 to prevent copper from leaking from the gaps between the through-holes 515 and 516 when copper plating 517 is applied to through-holes 515 and 516 described later. Further, the through hole 515 and the through hole 516 are formed to cover the through hole 516 with a width larger than the width in the surface direction of the through hole 516.

次に、裏面層505について説明する。   Next, the back surface layer 505 will be described.

裏面層505は、実装面側から第7層527と第8層528とが積層された2層積層構造を有している。第7層527および第8層528は、ガラエポ基板等の張り合わせ基材からなり、粘着テープ514aを用いて積層されている。   The back surface layer 505 has a two-layer stacked structure in which a seventh layer 527 and an eighth layer 528 are stacked from the mounting surface side. The seventh layer 527 and the eighth layer 528 are made of a laminated base material such as a glass epoxy substrate, and are laminated using an adhesive tape 514a.

第7層527および第8層528の2層構造の裏面層505には、貫通孔515および貫通孔516が形成されている。貫通孔515および貫通孔516は、それぞれ、ダイボンドエリア・電極共通部507に接続されたカソード電極、アイランド電極508に接続されたアノード電極に対して、配線を行う部分である。貫通孔515および貫通孔516は、それぞれダイボンドエリア・電極共通部507、アイランド電極508の下層側に設けられている。   A through hole 515 and a through hole 516 are formed in the back layer 505 having a two-layer structure of the seventh layer 527 and the eighth layer 528. The through-hole 515 and the through-hole 516 are parts for wiring to the cathode electrode connected to the die bond area / electrode common portion 507 and the anode electrode connected to the island electrode 508, respectively. The through hole 515 and the through hole 516 are provided on the lower layer side of the die bond area / electrode common portion 507 and the island electrode 508, respectively.

貫通孔515および貫通孔516は、アノードとカソードとの熱容量を同じにするために実装面の中心c1から等距離(d1=d2)になるように配置され、ドリル加工により形成される。   The through hole 515 and the through hole 516 are arranged so as to be equidistant (d1 = d2) from the center c1 of the mounting surface so that the heat capacities of the anode and the cathode are the same, and are formed by drilling.

これは、裏面電極(後述する裏面電極518および裏面電極519)と外部電極とを接続するために、はんだ付けを行う際、裏面電極においてアノード側とカソード側とで面積が異なり、熱容量に差が生じると、はんだの溶け具合に偏りが生じてしまい、はんだ付け不良が発生してしまうことに起因する。   This is because, when soldering to connect the back electrode (back electrode 518 and back electrode 519 described later) and the external electrode, the area of the back electrode on the anode side and the cathode side is different, and the heat capacity is different. When this occurs, the solder melts unevenly, resulting in poor soldering.

さらに、アノード電極とカソード電極との積層基板506裏面での離間部分は、実装面の中心c1に対して、アノード電極とカソード電極とが等距離(d3=d4)になるように配置されている。但し、上記貫通孔515および貫通孔516の径は、ダイシングのマージンを確保し、めっき不良を起こさないように、設計に応じて決めればよい。   Further, the separated portion of the back surface of the laminated substrate 506 between the anode electrode and the cathode electrode is arranged such that the anode electrode and the cathode electrode are equidistant (d3 = d4) with respect to the center c1 of the mounting surface. . However, the diameters of the through hole 515 and the through hole 516 may be determined according to the design so as to ensure a dicing margin and not cause defective plating.

以上のように、第7層527と第8層528とが積層されてなる裏面層505は、粘着テープ514bを介して第6層526にプレスにより貼り付けられる。ここで、貫通孔515および貫通孔516は、第6層526の導電部537および導電部538によって覆われるように形成される。   As described above, the back surface layer 505 in which the seventh layer 527 and the eighth layer 528 are laminated is attached to the sixth layer 526 by pressing through the adhesive tape 514b. Here, the through hole 515 and the through hole 516 are formed so as to be covered with the conductive portion 537 and the conductive portion 538 of the sixth layer 526.

この状態で、貫通孔515および貫通孔516には、それぞれの内周面に銅めっき517を施している。さらに、第6層526の導電部537および導電部538は、貫通孔515および貫通孔516を覆うように貼り付けられているので、貫通孔515および貫通孔516の内側に露出した第6層526の導電部537および導電部538にも銅メッキが施されている。   In this state, the through hole 515 and the through hole 516 are provided with copper plating 517 on the inner peripheral surfaces thereof. Further, since the conductive portion 537 and the conductive portion 538 of the sixth layer 526 are pasted so as to cover the through hole 515 and the through hole 516, the sixth layer 526 exposed inside the through hole 515 and the through hole 516. The conductive portion 537 and the conductive portion 538 are also plated with copper.

また、第8層528の下面にも銅めっき517が形成される。そして、貫通孔515と貫通孔516との間の銅めっき517がエッチングされる。これにより、ダイボンドエリア・電極共通部507と電気的に接続される裏面電極518、およびアイランド電極508と電気的に接続される裏面電極519が形成される。裏面電極518および裏面電極519には、後述する金属反射板502の内周側の表面502aに銀めっき512を施す際に、銀めっき512が形成されている。   A copper plating 517 is also formed on the lower surface of the eighth layer 528. Then, the copper plating 517 between the through hole 515 and the through hole 516 is etched. As a result, a back electrode 518 electrically connected to the die bond area / electrode common portion 507 and a back electrode 519 electrically connected to the island electrode 508 are formed. Silver plating 512 is formed on the back electrode 518 and the back electrode 519 when silver plating 512 is applied to a surface 502a on the inner peripheral side of a metal reflector 502 described later.

金属反射板502は、LEDチップ501の発光面501aから出射された光を反射し、光出射面513へと導くように構成されている。また、金属反射板502は、銅からなり、LEDチップ501およびアイランド電極508を囲むように、基板の実装面に、積層基板506と一体的に形成されている。詳細には、金属反射板502は、内周側はダイボンドエリア・電極共通部507が一部露出するように、ダイボンドエリア・電極共通部507と一体的に形成されている。   The metal reflector 502 is configured to reflect the light emitted from the light emitting surface 501 a of the LED chip 501 and guide it to the light emitting surface 513. The metal reflector 502 is made of copper, and is integrally formed with the laminated substrate 506 on the mounting surface of the substrate so as to surround the LED chip 501 and the island electrode 508. Specifically, the metal reflector 502 is formed integrally with the die bond area / electrode common portion 507 so that the die bond area / electrode common portion 507 is partially exposed on the inner peripheral side.

図2に示すように、金属反射板502は、側面の内側表面502aが、積層方向に弓形の断面を有するように形成されている。   As shown in FIG. 2, the metal reflector 502 is formed such that the inner surface 502a of the side surface has an arcuate cross section in the stacking direction.

なお、金属反射板502の内周側の形状は、略直方体の金属反射板をエッチングすることによって形成される。または、金属箔をプレス加工することにより凹形状を形成し、凹形状をエッチングすることによって金属反射板502の内周側の形状を形成してもよい。これにより、すでに形成された凹形状にエッチングするので、より容易に金属反射板502の内周側の形状を形成することが可能となる。   The shape on the inner peripheral side of the metal reflector 502 is formed by etching a substantially rectangular parallelepiped metal reflector. Alternatively, the metal foil may be pressed to form a concave shape, and the concave shape may be etched to form the inner peripheral shape of the metal reflector 502. As a result, since the etching is performed in the already formed concave shape, the shape on the inner peripheral side of the metal reflector 502 can be more easily formed.

金属反射板502の外周側の側面は、ウェットエッチング形成されるため、積層基板506に垂直な断面の形状が、なだらかな曲線状に形成されている。詳細には、上端から下端に向かって、LEDチップ501から遠ざかるようななだらかな曲線状に形成されている。   Since the outer peripheral side surface of the metal reflector 502 is formed by wet etching, the shape of the cross section perpendicular to the laminated substrate 506 is formed in a gentle curve. Specifically, it is formed in a gentle curved shape that moves away from the LED chip 501 from the upper end to the lower end.

透光性封止体510は、積層基板506と金属反射板502とで囲まれる内部空間を封止するように形成している。また、透光性封止体510は、樹脂からなり、本実施の形態では、シリコーンが用いられている。LEDチップ501の発光面501aから発せられた光は、透光性封止体510の光出射方向に設けられた光出射面513から出射される。   The translucent sealing body 510 is formed so as to seal the internal space surrounded by the multilayer substrate 506 and the metal reflector 502. Moreover, the translucent sealing body 510 is made of resin, and silicone is used in this embodiment. The light emitted from the light emitting surface 501 a of the LED chip 501 is emitted from the light emitting surface 513 provided in the light emitting direction of the translucent sealing body 510.

金属反射板502の上面、および内周側の表面502aには、銀メッキ512が施されている。銀は青色光の反射率が非常に高いため、このように、銀メッキ512を施すことで、LEDチップ501から出射された光を効率よく反射し、光出射面513へと導くことができる。   Silver plating 512 is applied to the upper surface of the metal reflector 502 and the inner peripheral surface 502a. Since silver has a very high reflectance of blue light, the light emitted from the LED chip 501 can be efficiently reflected and guided to the light emitting surface 513 by applying the silver plating 512 in this manner.

なお、透光性封止体510は、LEDチップ501、ワイヤ511、および銀メッキ512を保護する機能を有している。
上述の通り、金属反射板502には、上述の通り、LEDチップ501からの発光を効率よく反射させるために、青色光の反射率が高い銀メッキ512を施している。しかし、銀は反応性が高いため、腐食性のガスなどによって、変色、劣化しやすい。そこで、悪条件においても、銀が反応したり剥がれ落ちたりすることを防止するために、透光性封止体510によって保護している。
本実施の形態では、上述の通り、上記実装面と金属反射板502で囲まれた領域におけるLEDチップ501からの光の出射方向の上端部が光出射面513として開口されており、透光性封止体510が上記領域を充填するように形成されている。さらに、上記領域における、光出射面513(上端開口部)と底面となる実装面との間の中段部に、面方向の断面の最大幅が光出射面513の面方向の最大幅よりも大きくなる領域を有し、該中段部から光出射面513に向かって開口が絞られている。
Note that the light-transmitting sealing body 510 has a function of protecting the LED chip 501, the wire 511, and the silver plating 512.
As described above, the metal reflector 502 is silver-plated 512 having a high blue light reflectance in order to efficiently reflect the light emitted from the LED chip 501 as described above. However, since silver is highly reactive, it is easily discolored and deteriorated by corrosive gas. Therefore, in order to prevent silver from reacting or peeling off even under adverse conditions, it is protected by the light-transmitting encapsulant 510.
In the present embodiment, as described above, the upper end portion of the light emitting direction from the LED chip 501 in the region surrounded by the mounting surface and the metal reflector 502 is opened as the light emitting surface 513, and thus the light transmitting property. A sealing body 510 is formed so as to fill the region. Furthermore, the maximum width of the cross section in the surface direction is larger than the maximum width in the surface direction of the light emitting surface 513 at the middle step between the light emitting surface 513 (upper end opening) and the mounting surface serving as the bottom surface in the above region. And the aperture is narrowed from the middle step toward the light exit surface 513.

また、銀メッキ512が施された金属反射板502の内周面502aおよびダイボンドエリア・電極共通部507およびアイランド電極508の銀メッキ512が施された領域における透光性封止体510と接触する内周面は、凹凸に荒らされている。
凹凸形状としては、シャープな山と谷とが連続した形状が好ましい。表面を荒らす方法は、一般的に従来から用いられている様々な方法を用いればよく、例えば、金属反射板502をエッチングして形成する工程や、同工程後、金属反射板502と第2層522との間に設けられているニッケル層(図示しない)を実装面で除去するエッチング工程の際、エッチャントやエッチング条件を通常の場合と変更し、金属反射板502の表面が荒れるようにすることで形成することができる。
Further, the inner peripheral surface 502a of the metal reflector 502 to which the silver plating 512 is applied, the die bonding area / electrode common portion 507, and the translucent sealing body 510 in the region of the island electrode 508 where the silver plating 512 is applied. The inner peripheral surface is roughened by unevenness.
The uneven shape is preferably a shape in which sharp peaks and valleys are continuous. As a method for roughening the surface, various methods conventionally used may be used. For example, a step of forming the metal reflector 502 by etching, or after the step, the metal reflector 502 and the second layer are used. In the etching process in which a nickel layer (not shown) provided between the metal layer 522 and the mounting surface is removed, the etchant and the etching conditions are changed from those in a normal case so that the surface of the metal reflector 502 is roughened. Can be formed.

銀メッキ512は、上記のように、反応性が高く劣化・腐食し易いため、銀メッキ512を保護し、剥離、劣化を防止する必要がある。そこで、本実施の形態では、上記の構成により、透光性封止体510を銀メッキ512に密着させ、透光性封止体510の保護膜としての機能を向上させている。   As described above, the silver plating 512 is highly reactive and easily deteriorates and corrodes. Therefore, it is necessary to protect the silver plating 512 and prevent peeling and deterioration. Therefore, in this embodiment, with the above structure, the light-transmitting sealing body 510 is closely attached to the silver plating 512, and the function of the light-transmitting sealing body 510 as a protective film is improved.

また、透光性封止体510には、蛍光体が含有されている。これにより、LEDチップ501から発した青色光が、透光性封止体510内で、黄色光に変換される。それゆえ、LEDチップ501から発した青色光と蛍光体から発した黄色光との合成によって、光出射面513から白色光を出射することが可能となっている。   The translucent sealing body 510 contains a phosphor. Thereby, the blue light emitted from the LED chip 501 is converted into yellow light in the translucent sealing body 510. Therefore, white light can be emitted from the light emission surface 513 by combining the blue light emitted from the LED chip 501 and the yellow light emitted from the phosphor.

なお、LEDチップ501から発した青色光から白色光を得る場合、上記のように黄色蛍光体を用いる方法や、緑色蛍光体と赤色蛍光体とを用いる方法などがある。上記を組み合わせると、光が混合されて白色光を得ることが可能である。   In addition, when obtaining white light from the blue light emitted from the LED chip 501, there are a method using a yellow phosphor and a method using a green phosphor and a red phosphor as described above. When the above is combined, light can be mixed to obtain white light.

次に、上記構成を有する発光素子500において、LEDチップ501からの発光が進む方向について説明する。   Next, the direction in which light emission from the LED chip 501 proceeds in the light-emitting element 500 having the above configuration will be described.

まず、LEDチップ501の発光面501aから発せられる光は、光出射面513から光のロス無しで効率よく出射されることが望まれる。上述したように、基本的に、LEDチップ501の発光面501aからの出射光強度が最大となる方向は、発光面501aに垂直な上方向である。そこで、透光性封止体510の光出射面513は、LEDチップ501の発光面501aに対向するように設けられているので、光出射面513の配置は最も好適である。   First, it is desirable that the light emitted from the light emitting surface 501a of the LED chip 501 is efficiently emitted from the light emitting surface 513 without light loss. As described above, basically, the direction in which the intensity of light emitted from the light emitting surface 501a of the LED chip 501 is maximum is the upward direction perpendicular to the light emitting surface 501a. Therefore, since the light emitting surface 513 of the translucent sealing body 510 is provided so as to face the light emitting surface 501a of the LED chip 501, the arrangement of the light emitting surface 513 is most preferable.

しかしながら、詳細には、LEDチップ501の発光面501aから発せられる光は、発光面501aから放射状に発せられている。しかも、光は、透光性封止体510を透過している途中で、蛍光体によって波長が変換されると共に、変換した光は散乱されて発せられる。それゆえ、光は、180度のうちいずれかの方向に進むことになる。   However, in detail, the light emitted from the light emitting surface 501a of the LED chip 501 is emitted radially from the light emitting surface 501a. In addition, the wavelength of the light is converted by the phosphor while the light is transmitted through the transparent sealing body 510, and the converted light is scattered and emitted. Therefore, the light travels in either direction of 180 degrees.

金属反射板502は、分断されることなく全周を囲む形状を有しているので、金属反射板502の方向へ進んだ光は、金属反射板502からは外部に漏れることなく、金属反射板502の表面502aにおいて反射する。そして、上記光は、一回または複数回、反射を繰り返すことによって、透光性封止体510の光出射面513から出射される。   Since the metal reflector 502 has a shape surrounding the entire circumference without being divided, the light traveling in the direction of the metal reflector 502 does not leak from the metal reflector 502 to the outside. Reflected at the surface 502 a of 502. And the said light is radiate | emitted from the light-projection surface 513 of the translucent sealing body 510 by repeating reflection once or several times.

なお、蛍光体は底に沈む性質があるので、透光性封止体510の内部では、基板側に蛍光体が沈む傾向がある。しかしながら、本実施の形態の発光素子500では、金属反射板502によって光が反射されて、基板方向に進めることが可能である。それゆえ、蛍光体を有効活用することも可能となる。   Since the phosphor has a property of sinking to the bottom, the phosphor tends to sink to the substrate side inside the translucent sealing body 510. However, in the light emitting element 500 of the present embodiment, light is reflected by the metal reflector 502 and can be advanced toward the substrate. Therefore, it is possible to effectively use the phosphor.

一方、LEDチップ501から発せられる全ての光が光出射面513に到達するとは限らず、積層基板506の方向に進む光も生じている。ここで、この場合の光の経路について、詳細に説明する。   On the other hand, not all the light emitted from the LED chip 501 reaches the light emitting surface 513, and light traveling in the direction of the laminated substrate 506 is also generated. Here, the light path in this case will be described in detail.

積層基板506が樹脂によって構成されていると、樹脂は光透過性を有しているため、光を透過させてしまう。この対策として、積層基板のいずれかの層において金属を形成し、透過されて積層方向(つまりは、発光面501a側と反対側の積層方向)から漏れる光を抑制することも考えられる。   When the multilayer substrate 506 is made of resin, the resin transmits light because the resin has light transmittance. As a countermeasure, it is conceivable to form a metal in any layer of the multilayer substrate and suppress light that is transmitted and leaks from the lamination direction (that is, the lamination direction opposite to the light emitting surface 501a side).

しかしながら、製造工程において、発光素子500は最終的にダイシングにより分離されている。このダイシングにより形成された端面は、各層の端部が露出している状態である。それゆえ、層内を進んだ光が上記端面から出射される。   However, in the manufacturing process, the light emitting element 500 is finally separated by dicing. The end surface formed by this dicing is in a state where the end of each layer is exposed. Therefore, the light traveling in the layer is emitted from the end face.

すなわち、発光素子500のパッケージを略直方体とするとき、重心の位置をLEDチップ501、ある1面を光出射面513とする。この場合、光出射面513と90度をなす4つの面から光が漏れることになる。   That is, when the package of the light emitting element 500 is a substantially rectangular parallelepiped, the position of the center of gravity is the LED chip 501, and one surface is the light emitting surface 513. In this case, light leaks from four surfaces forming 90 degrees with the light emitting surface 513.

本実施の形態では、光漏れを抑制するために、実装面における金属反射板502で囲まれた領域内に、ダイボンドエリア・電極共通部507、およびアイランド電極508を絶縁部509で囲まれるように形成し、ダイボンドエリア・電極共通部507を該絶縁部509の外側の領域に広く形成している。   In this embodiment mode, in order to suppress light leakage, the die bond area / electrode common portion 507 and the island electrode 508 are surrounded by the insulating portion 509 in the region surrounded by the metal reflector 502 on the mounting surface. The die bond area / electrode common portion 507 is formed widely in a region outside the insulating portion 509.

発光素子から漏れた光は、迷光となり、発光素子が液晶パネルのバックライトなどの光源として組み込まれたとき、液晶パネルの表示に対して不要光となる。また、不要光を光源部で取除いた場合でも、光損失が発生することとなる。それゆえ、LEDチップからの出射光を効率的に用いることができない。   Light leaking from the light emitting element becomes stray light, and becomes unnecessary light for the display of the liquid crystal panel when the light emitting element is incorporated as a light source such as a backlight of the liquid crystal panel. Moreover, even when unnecessary light is removed by the light source unit, light loss occurs. Therefore, the light emitted from the LED chip cannot be used efficiently.

また、迷光は発光素子の外部の他の部材に吸収されるので、全体的に多大なエネルギーの損失になってしまい、同様に、LEDチップからの発光を有効的に使用できなくなってしまう。   Further, since stray light is absorbed by other members outside the light emitting element, a great amount of energy is lost as a whole, and similarly, light emitted from the LED chip cannot be used effectively.

金属は、光を反射させる。それゆえ、光が積層基板506側の方向に進んできても、金属反射板502で囲まれた実装面での、金属が形成される領域が広くなっているので、積層基板506を透過させずに、再度反射させて、光出射面513の方向に進む光を増加させることが可能となる。また、積層基板506の内部に透過されてゆく光を、より抑制することが可能となる。   The metal reflects light. Therefore, even if the light travels in the direction toward the multilayer substrate 506, the region where the metal is formed on the mounting surface surrounded by the metal reflector 502 is widened so that the light does not pass through the multilayer substrate 506. In addition, it is possible to increase the light that is reflected again and proceeds in the direction of the light exit surface 513. Further, light transmitted through the multilayer substrate 506 can be further suppressed.

本実施の形態に係る発光素子500は、LEDチップ501からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面513へと導く金属反射板502が、LEDチップ501の光出射方向に立設し、LEDチップ501の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、LEDチップ501から周囲に放出される光を、金属反射板502で反射させ光出射面513へ効率良く導くことができる。これにより、発光素子500の側面側からの光漏れを抑制し、光出射面513からの出射光強度の向上を図ることができる。   In the light emitting element 500 according to the present embodiment, the metal reflecting plate 502 that reflects the emitted light from the LED chip 501 and guides it to the light emitting surface 513 provided in the light emitting direction is the light emitting direction of the LED chip 501. Are formed so as to surround the entire periphery of the LED chip 501. For this reason, the light emitted from the LED chip 501 to the surroundings can be reflected by the metal reflector 502 and efficiently guided to the light emitting surface 513. Thereby, the light leakage from the side surface side of the light emitting element 500 can be suppressed, and the intensity of the emitted light from the light emitting surface 513 can be improved.

また、実装面上の金属反射板502で囲まれた領域内には、アイランド電極508をダイボンドエリア・電極共通部507から絶縁するための絶縁部509の形成領域外に、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部507が形成されている。このため、上LEDチップ501から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、ダイボンドエリア・電極共通部507によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面513側へ導くことができる。このため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から外部へもれる光の量を低減することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。   Further, in a region surrounded by the metal reflector 502 on the mounting surface, a mounting surface metal reflective film is formed outside the formation region of the insulating portion 509 for insulating the island electrode 508 from the die bond area / electrode common portion 507. The die bond area / electrode common portion 507 is formed. For this reason, most of the light emitted from the upper LED chip 501 toward the substrate can be reflected by the die bond area / electrode common portion 507 and guided to the light emitting surface 513 provided in the light emitting direction. . Therefore, the amount of light absorbed by the substrate and the amount of light that passes through the substrate and leaks from the back surface side can be reduced. Thereby, the intensity | strength of the emitted light from a light-projection surface can be aimed at.

また、本実施の形態の発光素子500では、LEDチップ501が発光することによって、LEDチップ501に熱が生じる。しかしながら、LEDチップ501は、広く形成されたダイボンドエリア・電極共通部507に実装され、かつ、ダイボンドエリア・電極共通部507は金属反射板502と一体成形されている。このため、本実施の形態にかかる発光素子500は、放熱性にも優れ、熱により素子を構成する各部材または素子そのものが損傷するといった問題の発生を低減することができる。   Further, in the light emitting element 500 of the present embodiment, heat is generated in the LED chip 501 when the LED chip 501 emits light. However, the LED chip 501 is mounted on a widely formed die bond area / electrode common portion 507, and the die bond area / electrode common portion 507 is integrally formed with the metal reflector 502. For this reason, the light emitting element 500 according to the present embodiment is excellent in heat dissipation, and can reduce the occurrence of problems such as damage to each member constituting the element or the element itself due to heat.

また、上記発光素子500の透光性封止体510に用いられるシリコーンは、接着性が弱いため、平面に貼り付けただけでは剥がれるおそれがある。   Further, since silicone used for the light-transmitting sealing body 510 of the light-emitting element 500 has low adhesiveness, it may be peeled off only by being attached to a flat surface.

しかしながら、本実施の形態の発光素子500では、上述の通り、金属反射板502が、光出射面513としての光出射方向上端の開口部が、該開口部と実装面側の底面部との間の中段部よりも狭く絞られている。このため、透光性封止体510を、発光素子500から剥がれ落ちることを防止している。   However, in the light emitting element 500 of the present embodiment, as described above, the metal reflector 502 has an opening at the upper end in the light emitting direction as the light emitting surface 513 between the opening and the bottom surface on the mounting surface side. It is squeezed narrower than the middle stage. For this reason, the translucent sealing body 510 is prevented from peeling off from the light emitting element 500.

さらに、金属反射板502における、銀メッキ512が施された透光性封止体510と接触する内周面に凹凸が形成されている。このように、透光性封止体510と金属反射板502との接触面積を大きくしているため、透光性封止体510と金属反射板502との密着度が高まり、透光性封止体510が剥がれ落ちるといった問題を抑制している。   Furthermore, unevenness is formed on the inner peripheral surface of the metal reflecting plate 502 that comes into contact with the translucent sealing body 510 on which silver plating 512 is applied. Thus, since the contact area between the translucent sealing body 510 and the metal reflecting plate 502 is increased, the degree of adhesion between the translucent sealing body 510 and the metal reflecting plate 502 is increased, and the translucent sealing is performed. The problem that the stop 510 is peeled off is suppressed.

また、図2に示すように、少なくとも裏面電極519は、アイランド電極508を囲むように形成された絶縁部509の形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うように形成されていることが望ましい。これにより、LEDチップ501から出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、絶縁部509を介して基板を通過して裏面側から素子外部へ逃げることを防止することができる。これにより、光出射面513からの出射光強度の向上を図ることができる。   As shown in FIG. 2, at least the back electrode 519 is desirably formed so as to cover the formation region of the insulating portion 509 formed so as to surround the island electrode 508 and the entire region corresponding to the stacking direction. . Thereby, it is possible to prevent light emitted from the LED chip 501 from the mounting surface to the inside of the substrate from passing through the substrate via the insulating portion 509 and escaping from the back side to the outside of the element. Thereby, the intensity | strength of the emitted light from the light-projection surface 513 can be aimed at.

これにより、積層基板506を透過してきた光を反射して、外部まで透過することを防止する。それゆえ、光の漏れを抑制することが可能となる。   Thereby, the light transmitted through the multilayer substrate 506 is reflected and prevented from transmitting to the outside. Therefore, light leakage can be suppressed.

アイランド電極508は、第4層524に形成された導電部534を介して裏面電極519と接続されている。ここで、導電部534が、絶縁部509の形成領域と積層方向に対応する領域全体を覆うよう形成されていることが望ましい。   The island electrode 508 is connected to the back electrode 519 through a conductive portion 534 formed in the fourth layer 524. Here, the conductive portion 534 is desirably formed so as to cover the entire region corresponding to the formation region of the insulating portion 509 and the stacking direction.

このように、絶縁部509を、裏面電極519よりもそれぞれ基板実装面側に形成されている導電部534で覆うように形成することで、より効果的に絶縁部509を通じて裏面側から素子外部へ漏れる光の量を低減することができる。   In this manner, the insulating portion 509 is formed so as to be covered with the conductive portion 534 formed on the substrate mounting surface side from the back surface electrode 519, so that the insulating portion 509 can be more effectively passed from the back surface side to the outside of the element. The amount of light leaking can be reduced.

また、導電部534は、金属反射板502の内周側における、アイランド電極508を囲むように形成された絶縁部509をカバーするようなサイズで、絶縁部509をカバーするように配置することが好ましい。これにより、積層基板506を透過してきた光を反射して、裏面層505まで透過することを防止する。それゆえ、光の漏れをより抑制することが可能となる。   In addition, the conductive portion 534 is sized so as to cover the insulating portion 509 formed so as to surround the island electrode 508 on the inner peripheral side of the metal reflector 502, and may be disposed so as to cover the insulating portion 509. preferable. As a result, the light transmitted through the multilayer substrate 506 is reflected and prevented from passing through to the back surface layer 505. Therefore, light leakage can be further suppressed.

また、積層基板506の第8層528には、四隅に切り欠き539が設けられている。そして、この切り欠き539にも、銅めっき517が形成されている。   Further, the eighth layer 528 of the multilayer substrate 506 is provided with notches 539 at the four corners. Further, a copper plating 517 is also formed in the notch 539.

上記の構成の場合、最終的に発光素子500をダイシングする際、切り欠き539に形成された銅めっき部分にもダイシングすることになる。それゆえ、切断された側面の銅めっき部分にバリが発生する。このため、バリから生じた金属ヒゲが、金属反射板502に接触してしまい、短絡が発生してしまうことがある。   In the case of the above configuration, when the light emitting element 500 is finally diced, the copper plating portion formed in the notch 539 is also diced. Therefore, a burr | flash generate | occur | produces in the copper plating part of the cut | disconnected side surface. For this reason, the metal whiskers generated from the burrs may come into contact with the metal reflector 502 and a short circuit may occur.

そこで、金属反射板502の外周面の最も大きい外縁を、切り欠き539の形成位置よりも内側に配置させることにより、上記のような短絡の発生を防止することができる。   Therefore, by arranging the largest outer edge of the outer peripheral surface of the metal reflector 502 inside the position where the notch 539 is formed, the occurrence of the short circuit as described above can be prevented.

具体的には、上記金属ヒゲが、最大で裏面層505の厚さと等しい長さとなるため、金属反射板502の外周面の大きい外縁と切り欠き539の距離をA、金属反射板502と裏面層505との間の厚さ(第2層522から第7層527までの厚さ)をB、裏面層505の厚さをCとした時、
A>C−B
となるように設計することが望ましい。
Specifically, since the metal beard has a length equal to the thickness of the back surface layer 505 at the maximum, the distance between the large outer edge of the metal reflector 502 and the notch 539 is A, and the metal reflector 502 and the back layer When the thickness between 505 (the thickness from the second layer 522 to the seventh layer 527) is B, and the thickness of the back layer 505 is C,
A> C-B
It is desirable to design so that

また、金属反射板502の開口部、および外周側の側面形状は、エッチングしやすい形状や設計に応じて決定すればよい。図4では、他の外周側の形状を有する金属反射板541を示している。図5では、他の外周側の形状を有する金属反射板542、および開口部543を示している。   Moreover, what is necessary is just to determine the opening part of the metal reflecting plate 502, and the side surface shape of the outer peripheral side according to the shape and design which are easy to etch. FIG. 4 shows a metal reflector 541 having another outer peripheral shape. FIG. 5 shows a metal reflector 542 having an outer peripheral shape and an opening 543.

さらに、光源の小型化の要望からできるだけ発光素子の外形サイズは、小さくすることが望ましい。一方、光源の発光面積を確保するため、金属反射板502の開口部は、素子の小型化を実現しつつ、できる限り大きく設計することが望ましい。   Furthermore, it is desirable to reduce the outer size of the light emitting element as much as possible in order to reduce the size of the light source. On the other hand, in order to secure the light emitting area of the light source, it is desirable to design the opening of the metal reflector 502 as large as possible while realizing miniaturization of the element.

〔第2実施形態〕
本発明の他の実施の形態について図6ないし図14および図23ないし図26に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
[Second Embodiment]
The following will describe another embodiment of the present invention with reference to FIGS. 6 to 14 and FIGS. 23 to 26. FIG. For convenience of explanation, the same members as those shown in the drawings of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施の形態の発光素子600は、第1実施形態の発光素子500が奏する効果に加えて、さらに光漏れ防止効果に優れ、また、積層基板606の積層数が削減された構成となっている。以下では、これらの効果を奏する構成および作用に重点をおいて説明する。   The light-emitting element 600 of this embodiment has a configuration in which, in addition to the effects exhibited by the light-emitting element 500 of the first embodiment, the light leakage prevention effect is further improved, and the number of laminated substrates 606 is reduced. . Below, it demonstrates focusing on the structure and effect | action which show | play these effects.

前記第1実施形態の発光素子500では、絶縁部509は、ダイボンドエリア・電極共通部507との界面が、光出射面に垂直な方向から見たとき、直線となっていた。   In the light emitting device 500 of the first embodiment, the insulating portion 509 has a straight line when the interface with the die bond area / electrode common portion 507 is viewed from the direction perpendicular to the light emitting surface.

本実施の形態では、図6、図7および図23に示すように、実装面における金属反射板502で囲まれた領域内において、アイランド電極608をダイボンドエリア・電極共通部607と電気的に絶縁する絶縁部609を、アイランド電極608の外周を取り囲むように環状に形成しているため、より小さい面積でアイランド電極608をダイボンドエリア・電極共通部607から絶縁させることができる。   In the present embodiment, as shown in FIGS. 6, 7, and 23, the island electrode 608 is electrically insulated from the die bond area / electrode common portion 607 in the region surrounded by the metal reflector 502 on the mounting surface. Since the insulating portion 609 is formed in an annular shape so as to surround the outer periphery of the island electrode 608, the island electrode 608 can be insulated from the die bond area / electrode common portion 607 with a smaller area.

また、アイランド電極608をダイボンドエリア・電極共通部607から電気的に絶縁するための絶縁部609を囲むようにダイボンドエリア・電極共通部607が形成されているため、絶縁部609と金属反射板502との間にはダイボンドエリア・電極共通部607が介在している。このため、金属反射板502の形成工程において、位置ズレが生じた場合であっても、絶縁部609の形状、面積が影響を受けることがなく、絶縁部609からの光漏れ量がばらつくことはない。さらに、金属反射板502とダイボンドエリア・電極共通部607、第2アイランド電極608との絶縁をとるための離間距離をプロセス上のアライメント誤差を気にすることなく、最短にでき、絶縁部609の領域を最小に設計できる。このため、絶縁部609からの光の漏れをより効果的に防止することができ、金属反射板502から基板側に向かう光を、実装面金属反射膜によってより効率的に光出射面513側へ反射させることができる。この結果、光利用効率および放熱性の更なる向上を図ることができる。   In addition, since the die bond area / electrode common portion 607 is formed so as to surround the insulating portion 609 for electrically insulating the island electrode 608 from the die bond area / electrode common portion 607, the insulating portion 609 and the metal reflector 502 are formed. A die bond area / electrode common portion 607 is interposed between the two. For this reason, even if a positional deviation occurs in the formation process of the metal reflector 502, the shape and area of the insulating portion 609 are not affected, and the amount of light leakage from the insulating portion 609 varies. Absent. Furthermore, the separation distance for insulating the metal reflector 502 from the die bond area / electrode common portion 607 and the second island electrode 608 can be minimized without worrying about alignment errors in the process. The area can be designed to the minimum. Therefore, leakage of light from the insulating portion 609 can be more effectively prevented, and light traveling from the metal reflecting plate 502 toward the substrate side is more efficiently directed to the light emitting surface 513 side by the mounting surface metal reflecting film. Can be reflected. As a result, the light utilization efficiency and heat dissipation can be further improved.

すなわち、実装面上における金属反射板502で囲まれた領域内で、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部607を、絶縁部609を介してアイランド電極608を取り囲むように広く全面に形成することができるため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から外部へ漏れる光の量を、第1実施形態の構成よりもさらに低減することができる。   That is, within the region surrounded by the metal reflector 502 on the mounting surface, the die bond area / electrode common portion 607 as the mounting surface metal reflective film is spread over the entire surface so as to surround the island electrode 608 via the insulating portion 609. Since it can be formed, the amount of light absorbed by the substrate and the amount of light that passes through the substrate and leaks from the back surface side to the outside can be further reduced as compared with the configuration of the first embodiment.

図6は、本実施の形態の発光素子600の一構成例を示す斜視図である。   FIG. 6 is a perspective view illustrating a configuration example of the light emitting element 600 of the present embodiment.

本実施の形態に係る発光素子600は、図6に示すように、LEDチップ501、金属反射板502、積層基板606(表面層603、中間層604、および裏面層605)、および透光性封止体510を備えている。   As shown in FIG. 6, the light-emitting element 600 according to the present embodiment includes an LED chip 501, a metal reflector 502, a laminated substrate 606 (a surface layer 603, an intermediate layer 604, and a back layer 605), and a light-transmitting seal. A stop 510 is provided.

表面層603には、ダイボンドエリア・電極共通部(第1金属部)607、アイランド電極(第2金属部)608、および絶縁リング(第2絶縁部)609が形成されている。   In the surface layer 603, a die bond area / electrode common part (first metal part) 607, an island electrode (second metal part) 608, and an insulating ring (second insulating part) 609 are formed.

上述の通り、絶縁リング609は、アイランド電極608の外周を取り囲むように環状(ドーナツ型)に形成されている。このため、実装面における金属反射板502で囲まれた領域内に、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部(第1金属部)607を、絶縁リング609を介してアイランド電極608の外周を取り囲むように広く全面に形成したとしても、当該領域の他の部位からアイランド電極608を絶縁させることができるため、LEDチップ501から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、上記実装面金属反射膜によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面513の側へ導くことができる。このため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から素子外部へ逃げる光の量を低減することができ、光出射面513からの出射光強度の向上を図ることができる。   As described above, the insulating ring 609 is formed in an annular shape (doughnut shape) so as to surround the outer periphery of the island electrode 608. For this reason, the die bond area / electrode common portion (first metal portion) 607 serving as the mounting surface metal reflective film is placed on the island electrode 608 via the insulating ring 609 in the region surrounded by the metal reflector 502 on the mounting surface. Even if it is formed over the entire surface so as to surround the outer periphery, since the island electrode 608 can be insulated from other parts of the region, most of the light emitted from the LED chip 501 toward the substrate side is It can be reflected by the mounting surface metal reflecting film and guided to the light emitting surface 513 provided in the light emitting direction. Therefore, the amount of light absorbed by the substrate and the amount of light that passes through the substrate and escapes from the back surface side to the outside of the element can be reduced, and the intensity of light emitted from the light emitting surface 513 can be improved.

絶縁リング609は、第1実施形態の絶縁部509と同様に、エポキシ樹脂等のRCC樹脂から形成されている。さらに、RCC樹脂は、400nm〜850nmの波長領域の可視光線を反射する光反射性フィラーを含んでいる。RCC樹脂は、上記波長領域での光反射率が50パーセント以上であることが望ましい。上記光反射性フィラーとしては、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。   The insulating ring 609 is made of RCC resin such as epoxy resin, like the insulating portion 509 of the first embodiment. Furthermore, the RCC resin contains a light reflective filler that reflects visible light in a wavelength region of 400 nm to 850 nm. The RCC resin desirably has a light reflectance of 50% or more in the above wavelength region. As the light reflective filler, aluminum oxide, silicon oxide, titanium dioxide or the like having high light reflectance can be used. Among these, titanium dioxide is particularly preferable because of its high light reflectance and low cost.

しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板502や透光性封止体510、絶縁リング609を酸化させる危険性がある(酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする)。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体510の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体510の剥離させる危険性がある。ここで、上記LEDチップ501を封止する透光性封止体510は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面までくる可能性がある。   However, when titanium dioxide is used as the light-reflective filler, there is a risk of oxidizing the metal reflector 502, the light-transmitting encapsulant 510, and the insulating ring 609 during the light-emitting operation due to a photocatalytic reaction in the presence of oxygen. (Oxygen passes through the sealing resin and is absorbed by the peripheral members and is contained in the atmosphere and moisture). On the other hand, when other reflective fillers such as aluminum oxide and silicon oxide are used, the above photocatalytic action does not occur, but aluminum oxide and silicon oxide are hygroscopic. Therefore, there is a risk that the air and moisture absorbed in the sealing step of the translucent sealing body 510 are vaporized by heat during the light emitting operation and the translucent sealing body 510 is peeled off. Here, the light-transmitting sealing body 510 that seals the LED chip 501 is preferably light-tight and air-tight. However, a resin having better light resistance generally tends to transmit gas such as air, and air and moisture may reach the mounting surface.

したがって、LEDチップ501の搭載面近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上させるため望ましい。   Therefore, when adding only to the surface layer in the vicinity of the mounting surface of the LED chip 501, it is desirable to reduce the amount of the light-reflecting filler, particularly, thereby reducing the amount of active oxygen to be oxidized and reducing the light reflectance. Desirable to improve.

そこで、絶縁リング609は、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、エポキシ樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。   Therefore, the insulating ring 609 has a laminated structure in which a light-reflective filler-free resin layer that does not include the light-reflective filler and a light-reflective filler-added resin layer that includes the light-reflective filler are stacked from the light incident side. It is desirable to have Here, since the epoxy resin absorbs light, the light-reflective filler-free resin layer that does not include the light-reflective filler is formed as thin as possible, and a light-reflective filler containing a light-reflective filler is added to the lower layer. It is desirable to form a resin layer.

絶縁リング609の形成工程については、前述の第1実施形態の絶縁部509と同様の方法にて形成することができるため、ここでの説明は省略する。   About the formation process of the insulating ring 609, since it can form by the method similar to the insulating part 509 of the above-mentioned 1st Embodiment, description here is abbreviate | omitted.

このように、絶縁リング609に、光反射性フィラーを含むRCC樹脂を用いることにより、LEDチップ501から出射されて絶縁リング609に入射する光をおよびLEDチップ501を封止する透光性封止体510に含有される蛍光体から放出され絶縁リング609に入射する光を、上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、絶縁リング609に入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。   As described above, by using the RCC resin containing the light-reflective filler for the insulating ring 609, the light that is emitted from the LED chip 501 and incident on the insulating ring 609 and the light-transmitting sealing that seals the LED chip 501 are used. Light emitted from the phosphor contained in the body 510 and incident on the insulating ring 609 can be reflected by the light reflective filler. For this reason, when the light enters the insulating ring 609 and is reflected by the peripheral member, light that is partially absorbed and attenuated can be reduced, and light utilization efficiency and heat dissipation can be improved.

また、光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合であってもが、絶縁リング609の全域に添加されている構成に比べ、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板502、透光性封止体510、絶縁リング609の酸化や、透光性封止体510の剥離等の問題を抑制しつつ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。   In addition, even when titanium dioxide is used as the light reflective filler, the metal reflector by photocatalytic reaction of the light reflective filler in the presence of oxygen as compared with the structure added to the entire region of the insulating ring 609. It is possible to improve the intensity of light emitted from the light emitting surface while suppressing problems such as oxidation of the light-transmitting sealing body 510 and the insulating ring 609 and peeling of the light-transmitting sealing body 510.

すなわち、絶縁リング609に吸収される光および上記基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量を低減することができるため、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。   That is, since the amount of light absorbed by the insulating ring 609 and the amount of light that passes through the substrate and is emitted from the back surface side to the outside can be reduced, light utilization efficiency and heat dissipation can be improved.

また、上記RCC樹脂は、不活性ガス雰囲気下での熱工程により形成することが望ましい。これにより、絶縁リング609に用いる樹脂の変質(黄変化)を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。   The RCC resin is preferably formed by a heat process in an inert gas atmosphere. Thereby, since the quality change (yellowing change) of the resin used for the insulating ring 609 can be prevented, the above effect can be effectively exhibited without light absorption by the quality change resin.

また、本実施の形態に係る発光素子600は、放熱性の低い樹脂形成領域を削減し、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部607を広く形成することで、放熱性の向上の効果も得ることができる。さらに、第1実施形態と同様に、ダイボンドエリア・電極共通部607が、金属反射板502と一体的に形成されているため、金属反射板502で発生した熱を効率よく外部へ逃がすことができる。   In addition, the light emitting element 600 according to the present embodiment reduces the resin formation region with low heat dissipation, and widens the die bond area / electrode common portion 607 as the mounting surface metal reflective film, thereby improving the heat dissipation. An effect can also be obtained. Further, as in the first embodiment, since the die bond area / electrode common portion 607 is formed integrally with the metal reflector 502, the heat generated in the metal reflector 502 can be efficiently released to the outside. .

また、本実施の形態の発光素子600の積層基板606は、第1実施形態の発光素子500の積層基板506よりも積層数が少ない構成としている。これについて、図7および図8を参照しながら、説明する。なお、積層基板606と、金属反射板502に積層基板606が積層されて一体型に形成されるので、金属反射板502を第1層621として、以下に説明する。   In addition, the multilayer substrate 606 of the light emitting element 600 of the present embodiment is configured to have a smaller number of layers than the multilayer substrate 506 of the light emitting element 500 of the first embodiment. This will be described with reference to FIG. 7 and FIG. Since the multilayer substrate 606 is laminated on the multilayer substrate 606 and the metal reflector 502 and formed integrally, the metal reflector 502 will be described as the first layer 621 below.

図7は、発光素子600の詳細な構成を示す断面図である。   FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a detailed configuration of the light emitting device 600.

図8は、金属反射板502と、積層基板606の各層とのエッチングパターン例を示している。図8中、(a)は第1層621を示し、(b)は第2層622を示し、(c)は第3層623を示し、(d)は第4層624を示し、(e)は第5層625を示し、(f)は第6層626を示している。   FIG. 8 shows an example of an etching pattern between the metal reflector 502 and each layer of the multilayer substrate 606. 8, (a) shows the first layer 621, (b) shows the second layer 622, (c) shows the third layer 623, (d) shows the fourth layer 624, (e ) Shows the fifth layer 625, and (f) shows the sixth layer 626.

表面層603は、実装面側から、第2層622と第3層623とが積層された2層構造を有している。   The surface layer 603 has a two-layer structure in which a second layer 622 and a third layer 623 are stacked from the mounting surface side.

第2層622(実装面)には、LEDチップ501に駆動電流を供給する電極端子として、LEDチップ501とそれぞれ接続されるダイボンドエリア・電極共通部(第1金属部)607とアイランド電極(第2金属部)608とが形成されている。また、アイランド電極608を、ダイボンドエリア・電極共通部607から電気的に絶縁するための絶縁リング609が、アイランド電極608の外周を取り囲むように環状に形成されている。   On the second layer 622 (mounting surface), as an electrode terminal for supplying a drive current to the LED chip 501, a die bond area / electrode common part (first metal part) 607 and an island electrode (first metal part) connected to the LED chip 501 respectively. 2 metal parts) 608. Further, an insulating ring 609 for electrically insulating the island electrode 608 from the die bond area / electrode common portion 607 is formed in an annular shape so as to surround the outer periphery of the island electrode 608.

第1実施形態と異なり、本実施の形態の実装面には、ダイボンドエリア・電極共通部607が、絶縁リング609を介してアイランド電極608の外周を取り囲むように形成されている。すなわち、実装面に形成された金属反射膜602と絶縁部609との間にも、実装面金属反射膜としてのダイボンドエリア・電極共通部607が形成されている。   Unlike the first embodiment, a die bond area / electrode common portion 607 is formed on the mounting surface of the present embodiment so as to surround the outer periphery of the island electrode 608 via an insulating ring 609. That is, a die bond area / electrode common portion 607 as a mounting surface metal reflection film is also formed between the metal reflection film 602 and the insulating portion 609 formed on the mounting surface.

なお、ダイボンドエリア・電極共通部607、アイランド電極608、および絶縁リング609は、上述した形状以外は、第1実施形態のダイボンドエリア・電極共通部507、アイランド電極508、および絶縁部509と同様の構成を有している。   The die bond area / electrode common portion 607, the island electrode 608, and the insulating ring 609 are the same as the die bond area / electrode common portion 507, the island electrode 508, and the insulating portion 509 of the first embodiment except for the shapes described above. It has a configuration.

第3層623は、第2層622と後述する第4層624とを電気的に接続するために設けられた層であり、第2層622に絶縁部を形成する際に、絶縁部609の接着度を高める機能も有している。   The third layer 623 is a layer provided to electrically connect the second layer 622 and a fourth layer 624 to be described later. When forming the insulating portion in the second layer 622, the third layer 623 It also has a function to increase the degree of adhesion.

上記接着層としての第3層623を介して他の部材と接着される界面近傍には、水分、空気との接触するのを避けるため、二酸化チタン等の光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。すなわち、接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。また、二酸化チタンが添加される上記絶縁リング609の樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、絶縁リング609の樹脂内部に二酸化チタン添加樹脂層509cを設けることが特に好ましい。   In order to avoid contact with moisture and air in the vicinity of the interface bonded to other members via the third layer 623 as the adhesive layer, a configuration in which a light reflective filler such as titanium dioxide is not included is used. It is desirable. That is, the interface with the adhesive layer and other members tends to collect moisture and air, so it is desirable that the light-reflective filler is not brought into contact. Further, as the resin of the insulating ring 609 to which titanium dioxide is added, generally, a resin that hardly transmits gas such as the atmosphere such as an epoxy resin is used. For this reason, it is particularly preferable to provide the titanium dioxide-added resin layer 509 c inside the resin of the insulating ring 609.

また、第3層623には、実装面に形成された各電極と、裏面電極とを電気的に接続するための導電部631および導電部632が形成されている。導電部631および導電部632は、第1実施形態の導電部531および導電部532と基本的に同様の構成を有している。導電部631および導電部632の形成領域は、ダイボンドエリア・電極共通部607およびアイランド電極608の形状等に応じて適宜選択される。   The third layer 623 is provided with a conductive portion 631 and a conductive portion 632 for electrically connecting each electrode formed on the mounting surface and the back surface electrode. The conductive part 631 and the conductive part 632 have basically the same configuration as the conductive part 531 and the conductive part 532 of the first embodiment. The formation region of the conductive portion 631 and the conductive portion 632 is appropriately selected according to the shape of the die bond area / electrode common portion 607 and the island electrode 608.

次に、中間層604について説明する。   Next, the intermediate layer 604 will be described.

本実施の形態における中間層604は、第4層624のみからなる点において、第1実施形態の3層積層構造を有する中間層504を備えた積層基板506と異なっている。   The intermediate layer 604 in the present embodiment is different from the multilayer substrate 506 provided with the intermediate layer 504 having the three-layer stacked structure of the first embodiment in that it includes only the fourth layer 624.

第4層624は、第3層623と、後述する第5層625と第6層626とに形成された貫通孔515および貫通孔516に形成される裏面電極518および裏面電極519とを電気的に接続するために設けられている。   The fourth layer 624 electrically connects the third layer 623, a through hole 515 formed in a fifth layer 625 and a sixth layer 626 described later, and a back electrode 518 and a back electrode 519 formed in the through hole 516. Is provided to connect to.

また、第4層624は、ダイボンドエリア・電極共通部607と電気的に接続されている導電部633と、アイランド電極608と電気的に接続されている導電部634とが、接触しないように形成されている。   The fourth layer 624 is formed so that the conductive portion 633 electrically connected to the die bond area / electrode common portion 607 and the conductive portion 634 electrically connected to the island electrode 608 are not in contact with each other. Has been.

導電部633は、貫通孔515を銅メッキする際に、銅が漏れないようにするために、貫通孔515全体を覆うように形成されている。すなわち、導電部633は、貫通孔515を蓋する役割を有している。なお、発光素子600をダイシングする際に、バリが発生する可能性があるが、導電部633は金属反射板502と同電位であるため、バリの接触による短絡の問題は生じない。   The conductive portion 633 is formed so as to cover the entire through-hole 515 so that copper does not leak when the through-hole 515 is plated with copper. That is, the conductive portion 633 has a role of covering the through hole 515. Note that, when dicing the light emitting element 600, burrs may occur. However, since the conductive portion 633 has the same potential as the metal reflector 502, there is no problem of short circuit due to contact of burrs.

導電部634は、第3層623における導電部632の形成領域全体を覆い、かつ、貫通孔516よりも面方向に小さい幅に形成されている。導電部634は、発光素子600をダイシングする際に、バリの発生による損傷を防止するために、ダイシングのマージンを確保して形成されている。   The conductive portion 634 covers the entire formation region of the conductive portion 632 in the third layer 623 and is formed to have a width smaller than the through hole 516 in the surface direction. The conductive portion 634 is formed with a dicing margin secured in order to prevent damage due to the generation of burrs when the light emitting element 600 is diced.

次に裏面層605について説明する。
裏面層605は、実装面側から第5層625と第6層626とが積層された2層積層構造を有している。第5層625および第6層626の構成は、第1実施形態の第7層527および第8層528とそれぞれ同様の構成を有している。
Next, the back layer 605 will be described.
The back layer 605 has a two-layer stacked structure in which a fifth layer 625 and a sixth layer 626 are stacked from the mounting surface side. The configurations of the fifth layer 625 and the sixth layer 626 have the same configurations as the seventh layer 527 and the eighth layer 528 of the first embodiment, respectively.

第5層625と第6層626と積層された裏面層605は、粘着テープを介して第4層624上にプレスにより貼り付けられる。ここで、貫通孔515が、第4層624の導電部633によって覆われるように形成される。   The back surface layer 605 laminated with the fifth layer 625 and the sixth layer 626 is attached to the fourth layer 624 with a press through an adhesive tape. Here, the through hole 515 is formed so as to be covered by the conductive portion 633 of the fourth layer 624.

一方、貫通孔516は、第4層624の導電部634を内部に納め、第3層623で覆われるように形成される。このように、第4層624の導電部634の面方向の幅を、貫通孔516の面方向の幅よりも小さくすることによって、貫通孔516を第3層623で塞ぐことができる。積層一体化された第5層625および第6層626は、第4層624に対して、幾何学的には、単に導電部633でのみで面接触することになり、加圧すれば、導電部633の段差部分を支点に傾いて隙間が生じると考えられるが、導電部633および粘着テープの厚みを適宜調整することにより、積層一体化された第5層625および第6層626が傾くことなく平坦に第4層624に接着でき、これにより、後述する銅メッキ517の形成工程において、銅の漏れを防止することができる。   On the other hand, the through hole 516 is formed so that the conductive portion 634 of the fourth layer 624 is accommodated therein and is covered with the third layer 623. Thus, the through-hole 516 can be closed with the third layer 623 by making the width in the surface direction of the conductive portion 634 of the fourth layer 624 smaller than the width in the surface direction of the through-hole 516. The fifth layer 625 and the sixth layer 626 integrated with each other are geometrically brought into surface contact with the fourth layer 624 only at the conductive portion 633. It is considered that a gap is generated by tilting the stepped portion of the portion 633 as a fulcrum, but the fifth layer 625 and the sixth layer 626 that are laminated and integrated are inclined by appropriately adjusting the thickness of the conductive portion 633 and the adhesive tape. In this way, it is possible to adhere to the fourth layer 624 flatly, thereby preventing copper leakage in the step of forming a copper plating 517 described later.

この状態で、貫通孔515および貫通孔516は、それぞれの内周面に銅メッキ517が形成される。そして、第4層624の導電部633は、貫通孔515を覆うように形成されているので、銅メッキ517は第4層624の導電部633にも形成される。また、第3層623および第4層624の導電部634は、貫通孔516を覆うように形成されているので、銅メッキ517は、第3層623および第4層624の導電部634にも形成される。これにより、発光素子600の外部接続電極端子としての裏面電極518および裏面電極519が形成されている。   In this state, the through hole 515 and the through hole 516 are formed with copper plating 517 on the inner peripheral surfaces thereof. Since the conductive portion 633 of the fourth layer 624 is formed so as to cover the through hole 515, the copper plating 517 is also formed on the conductive portion 633 of the fourth layer 624. In addition, since the conductive portions 634 of the third layer 623 and the fourth layer 624 are formed so as to cover the through holes 516, the copper plating 517 is also applied to the conductive portions 634 of the third layer 623 and the fourth layer 624. It is formed. Thereby, a back electrode 518 and a back electrode 519 as external connection electrode terminals of the light emitting element 600 are formed.

積層基板606は、上記のように、第4層624の導電部634を貫通孔516よりも小さくし、導電部633および粘着テープの厚みを適宜調整することにより、積層数の削減を実現している。本実施の形態に係る発光素子600は、これにより、小型化および製造コストの削減を図ることができる。   As described above, the multilayer substrate 606 achieves a reduction in the number of layers by making the conductive portions 634 of the fourth layer 624 smaller than the through holes 516 and appropriately adjusting the thickness of the conductive portions 633 and the adhesive tape. Yes. Thus, the light-emitting element 600 according to this embodiment can be reduced in size and manufacturing cost.

第1実施形態と同様に、金属反射板502の開口部、および外周側の側面形状は、エッチングしやすい形状、設計に応じて決定すればよい。例えば、図9は、他の外周側の形状を有する金属反射板641を示しており、図10は、さらに他の外周側の形状を有する金属反射板642および開口部643を示している。   Similar to the first embodiment, the opening of the metal reflector 502 and the side surface shape on the outer peripheral side may be determined according to the shape and design that are easy to etch. For example, FIG. 9 shows a metal reflector 641 having another outer peripheral shape, and FIG. 10 shows a metal reflector 642 and an opening 643 having still another outer peripheral shape.

また、発光素子600は、外部接続電極端子として、裏面電極518および裏面電極519を、光出射面と反対側の裏面側に形成している。しかしながら、本実施の形態は、これに限らず、これらの外部接続電極端子を光出射面側に設ける構成としてもよい。   In the light emitting element 600, a back electrode 518 and a back electrode 519 are formed as external connection electrode terminals on the back side opposite to the light emitting surface. However, this embodiment is not limited thereto, and these external connection electrode terminals may be provided on the light emitting surface side.

すなわち、図11および図12に示すように、外部接合電極711および外部接合電極712が、金属反射板502と一体成形することによって形成される。これにより、領域Pおよび領域Qを半田接合面として用いることが可能になるので、半田のぬれ性を向上させることができる。   That is, as shown in FIGS. 11 and 12, the external bonding electrode 711 and the external bonding electrode 712 are formed by integrally molding with the metal reflector 502. Thereby, since it becomes possible to use the area | region P and the area | region Q as a solder joint surface, the wettability of solder can be improved.

ところが、外部接合電極711および外部接合電極712を形成することによって、発光素子のパッケージサイズが大きくなっている。これに対して、発光素子のパッケージサイズを小さくした構成を図13および図14に示す。   However, the package size of the light emitting element is increased by forming the external bonding electrode 711 and the external bonding electrode 712. In contrast, FIGS. 13 and 14 show a configuration in which the package size of the light emitting element is reduced.

図13および図14に示す構成では、金属反射板502と外部接合電極711とを一体化した一体型外部接合電極751を備えることによって、発光素子のパッケージを小型化している。   In the configuration shown in FIGS. 13 and 14, the package of the light emitting element is reduced in size by including the integrated external bonding electrode 751 in which the metal reflector 502 and the external bonding electrode 711 are integrated.

なお、LEDチップ501を1つ備えた構成について説明したが、本実施の形態は、これに限らず、図24に示す発光素子600a、図25に示す発光素子600b、図26に示す発光素子600cのように、LEDチップを2つ以上備えた構成にも適応することができる。   Note that although a configuration including one LED chip 501 has been described, this embodiment is not limited to this, and the light-emitting element 600a illustrated in FIG. 24, the light-emitting element 600b illustrated in FIG. 25, and the light-emitting element 600c illustrated in FIG. Thus, the present invention can be applied to a configuration including two or more LED chips.

図23ないし図26の構成では、アイランド電極608の電位と、金属反射板502で囲まれたダイボンドエリア・電極共通部607を含む他の領域の電位とが異なる構成となる。   23 to 26, the potential of the island electrode 608 is different from the potential of other regions including the die bond area / electrode common portion 607 surrounded by the metal reflector 502.

このように、1つの発光素子内に複数のLEDチップを適宜配置し、塔載することで、素子の構成を大型化することなく、光出射強度を向上させることができる。なお、LEDチップの搭載数は、4つを上限とするものではなく、大きい素子基板を備えた構成では、LEDチップの搭載数を、さらに増やすことも可能である。   As described above, by appropriately arranging and mounting a plurality of LED chips in one light emitting element, the light emission intensity can be improved without increasing the size of the element. It should be noted that the number of LED chips mounted is not limited to an upper limit of 4, and the number of LED chips mounted can be further increased in a configuration including a large element substrate.

〔第3実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図17、図18および図27ないし図31に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
[Third Embodiment]
The following will describe still another embodiment of the present invention with reference to FIGS. 17, 18 and 27 to 31. FIG. For convenience of explanation, the same members as those shown in the drawings of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施の形態に係る発光素子700は、前述の第1実施形態の発光素子500の積層基板506と同様の積層基板を備えている。   The light emitting element 700 according to the present embodiment includes a multilayer substrate similar to the multilayer substrate 506 of the light emitting element 500 of the first embodiment described above.

図17に示すように、LEDチップ701に駆動電流を供給する電極端子として当該LEDチップ701とそれぞれ接続される何れの電極もアイランド電極となっている。すなわち、LEDチップ701からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面513へと導く金属反射板702が、LEDチップ701に駆動電流を供給する何れの電極からも電気的に絶縁されている点で前述の第1実施形態と異なっている。   As shown in FIG. 17, each electrode connected to the LED chip 701 as an electrode terminal for supplying a drive current to the LED chip 701 is an island electrode. In other words, the metal reflector 702 that reflects the light emitted from the LED chip 701 and guides it to the light emitting surface 513 provided in the light emitting direction is electrically supplied from any electrode that supplies a driving current to the LED chip 701. This is different from the first embodiment described above in that it is insulated.

本実施の形態では、第1アイランド電極(第1金属部)707に、LEDチップ501のカソード電極が接続され、第2アイランド電極(第2金属部)708にアノード電極が接続される。   In the present embodiment, the cathode electrode of the LED chip 501 is connected to the first island electrode (first metal portion) 707, and the anode electrode is connected to the second island electrode (second metal portion) 708.

第1アイランド電極707は、その外周を取り囲むように環状に形成された第1絶縁部709aによって、実装面における金属反射板702で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。   The first island electrode 707 is electrically insulated from other portions in the region surrounded by the metal reflector 702 on the mounting surface by a first insulating portion 709a formed in an annular shape so as to surround the outer periphery thereof. .

第2アイランド電極708は、第1実施形態のアイランド電極508と同様にその外周を取り囲むように環状に形成された第2絶縁部709bによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。   Similar to the island electrode 508 of the first embodiment, the second island electrode 708 is electrically insulated from other parts in the region by the second insulating portion 709b formed in an annular shape so as to surround the outer periphery thereof. Yes.

さらに、上記領域内における第1絶縁部709aと第2絶縁部709bの外側の領域全体に実装面金属反射膜720が形成されている。   Further, a mounting surface metal reflective film 720 is formed in the entire region outside the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b in the region.

第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bは、第1実施形態の絶縁部509および第2実施形態の絶縁リング609と同様に、エポキシ樹脂等のRCC樹脂から形成されている。上記RCC樹脂は、400nm〜850nmの波長領域の可視光線を反射する光反射性フィラーを含んでいる。RCC樹脂は、上記波長領域での光反射率が50パーセント以上であることが望ましい。上記光反射性フィラーとしては、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。   The first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b are made of an RCC resin such as an epoxy resin, like the insulating portion 509 of the first embodiment and the insulating ring 609 of the second embodiment. The RCC resin contains a light reflective filler that reflects visible light in a wavelength region of 400 nm to 850 nm. The RCC resin desirably has a light reflectance of 50% or more in the above wavelength region. As the light reflective filler, aluminum oxide, silicon oxide, titanium dioxide or the like having high light reflectance can be used. Among these, titanium dioxide is particularly preferable because of its high light reflectance and low cost.

しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板702や透光性封止体510、第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bを酸化させる危険性がある(酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする)。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体510の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体510の剥離させる危険性がある。ここで、上記LEDチップ701を封止する透光性封止体510は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面までくる可能性がある。   However, when titanium dioxide is used as the light-reflective filler, the metal reflector 702, the light-transmitting encapsulant 510, the first insulating portion 709a, and the second member during the light-emitting operation due to the photocatalytic reaction in the presence of oxygen. There is a risk of oxidizing the insulating portion 709b (oxygen passes through the sealing resin, is absorbed by the peripheral members, and is contained in the atmosphere and moisture). On the other hand, when other reflective fillers such as aluminum oxide and silicon oxide are used, the above photocatalytic action does not occur, but aluminum oxide and silicon oxide are hygroscopic. Therefore, there is a risk that the air and moisture absorbed in the sealing step of the translucent sealing body 510 are vaporized by heat during the light emitting operation and the translucent sealing body 510 is peeled off. Here, the translucent sealing body 510 that seals the LED chip 701 is preferably light-tight and air-tight. However, a resin having better light resistance generally tends to transmit gas such as air, and air and moisture may reach the mounting surface.

したがって、LEDチップ701の搭載面近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上させるため望ましい。
また、上記接着層としての第3層623を介して他の部材と接着される界面近傍には、水分、空気との接触するのを避けるため、二酸化チタン等の光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。すなわち、接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。また、二酸化チタンが添加される第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bの樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bの樹脂内部に二酸化チタン添加樹脂層509cを設けることが特に好ましい。
Therefore, when adding only to the surface layer in the vicinity of the mounting surface of the LED chip 701, it is particularly desirable to reduce the addition amount of the light reflective filler, thereby reducing the amount of active oxygen to be oxidized and reducing the light reflectance. Desirable to improve.
In addition, in the vicinity of the interface bonded to other members through the third layer 623 as the adhesive layer, a structure not including a light reflective filler such as titanium dioxide is used to avoid contact with moisture and air. Is desirable. That is, the interface with the adhesive layer and other members tends to collect moisture and air, so it is desirable that the light-reflective filler is not brought into contact. In addition, as the resin of the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b to which titanium dioxide is added, generally, a resin that hardly transmits gas such as the atmosphere such as epoxy resin is used. For this reason, it is particularly preferable to provide the titanium dioxide-added resin layer 509c inside the resin of the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b.

そこで、第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bは、それぞれ、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、RCC樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。   Therefore, the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b are respectively a light-reflective filler-free resin layer containing no light-reflective filler and a light-reflective filler containing a light-reflective filler from the light incident side. It is desirable to have a laminated structure in which the additive resin layer is laminated. Here, since the RCC resin absorbs light, a light-reflective filler-free resin layer that does not contain the light-reflective filler is formed as thin as possible into a layer, and a light-reflective filler containing a light-reflective filler is added to the lower layer. It is desirable to form a resin layer.

第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bの形成工程については、前述の第1実施形態の絶縁部509と同様の工程にて製造することができるため、ここでの説明は省略する。   About the formation process of the 1st insulation part 709a and the 2nd insulation part 709b, since it can manufacture in the process similar to the insulation part 509 of the above-mentioned 1st Embodiment, description here is abbreviate | omitted.

また、光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合であっても、第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bの全域に添加されている構成に比べ、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板702、透光性封止体510、第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bの酸化や、透光性封止体510の剥離等の問題を抑制しつつ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。   Even when titanium dioxide is used as the light-reflective filler, the light-reflective filler is present in the presence of oxygen as compared with the structure added to the entire area of the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b. While suppressing problems such as oxidation of the metal reflector 702, the translucent sealing body 510, the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b due to the photocatalytic reaction, peeling of the translucent sealing body 510, etc. The intensity of outgoing light from the outgoing surface can be improved.

すなわち、第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bに吸収される光および上記基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量を低減することができるため、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。   That is, the amount of light absorbed by the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b and the amount of light that passes through the substrate and is emitted from the back side to the outside can be reduced. Improvements can be made.

このように、第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bに、光反射性フィラーを含む樹脂を用いることにより、LEDチップ701から出射されて第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bに入射する光をおよびLEDチップ701を封止する透光性封止体510に含有される蛍光体から放出され第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bに入射する光を、上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bに入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。   Thus, by using a resin containing a light-reflective filler for the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b, the resin is emitted from the LED chip 701 and enters the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b. Light emitted from the phosphor contained in the light-transmitting sealing body 510 that seals the LED chip 701 and incident on the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b is reflected by the light reflective filler. Can be made. For this reason, when the light enters the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b and is reflected by the peripheral members, the light that is partially absorbed and attenuated can be reduced, and the light utilization efficiency and heat dissipation can be improved. Can be planned.

また、上記RCC樹脂は、不活性ガス雰囲気下での熱工程により形成することが望ましい。これにより、第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bに用いる樹脂の変質(黄変化)を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。   The RCC resin is preferably formed by a heat process in an inert gas atmosphere. Accordingly, the resin used for the first insulating part 709a and the second insulating part 709b can be prevented from being deteriorated (yellowing change), and the above effect can be effectively exhibited without light absorption by the deteriorated resin.

また、発光素子700は、前述の第1実施形態および第2実施形態と同様に、LEDチップ701からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面513へと導く金属反射板702が、LEDチップ701の光出射方向に立設し、LEDチップ701の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、LEDチップ701から周囲に放出される光を、金属反射板702で反射させ光出射面513へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面513からの出射光強度の向上を図ることができる。   Similarly to the first and second embodiments described above, the light emitting element 700 reflects the emitted light from the LED chip 701 and guides it to the light emitting surface 513 provided in the light emitting direction. A plate 702 is formed so as to stand in the light emitting direction of the LED chip 701 and surround the entire periphery of the LED chip 701. For this reason, the light emitted from the LED chip 701 to the surroundings can be reflected by the metal reflector 702 and efficiently guided to the light emitting surface 513. Thereby, light leakage from the side surface of the element can be suppressed, and the intensity of light emitted from the light emission surface 513 can be improved.

また、第1絶縁部709aと金属反射板702と間および第2絶縁部709bと金属反射板702との間には実装面金属反射膜720が介在している。このため、金属反射板702の形成工程において、位置ズレが生じた場合であっても、実装面金属反射膜720によってズレを吸収することができるため、上記位置ズレによって第1絶縁部709a、第2絶縁部709bの形状、面積が影響を受けることがなく、上記基板実装面上に形成される第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bの各面積を小さくしても、第1アイランド電極707および第2アイランド電極708の絶縁状態を確保することができる。したがって、上記の構成によれば、上記実装面上に形成される第1絶縁部709a、第2絶縁部709bの各面積をより小さくすることができ、これらの絶縁部を介してアイランド電極707および第2アイランド電極708を取り囲む実装面金属反射膜720をより広い面積に形成することができる。このため、第2絶縁部709bからの光の漏れをより効果的に防止することができ、金属反射板702から基板側に向かう光を、上記実装面金属反射膜によってより効率的に光出射面513側へ反射させることができる。この結果、光利用効率および放熱性の更なる向上を図ることができる。
さらに、本実施の形態に係る金属反射板702は、上述の通り、第1アイランド電極707と第2アイランド電極708の何れからも電気的に絶縁されている。このため、図18に示すように、本発光素子700を、携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体400に実装する際に、金属反射板702が電位を持つことがない。したがって、放熱性が低い樹脂等を介することなく、筐体400に金属反射板702を接触させた状態で実装することができる。これにより、金属反射板702で発生した熱を、効率よく発光素子700の外部へ逃がすことができる。
さらに、本実施の形態に係る発光素子700は、図18に示すように、金属反射板702の外周面の少なくとも一部と、積層基板506の底面を含む素子外周面上に、金属反射板702で発生した熱を外部に逃がすための放熱シート740が形成されている。
Further, a mounting surface metal reflective film 720 is interposed between the first insulating portion 709a and the metal reflecting plate 702 and between the second insulating portion 709b and the metal reflecting plate 702. For this reason, even if a positional deviation occurs in the formation process of the metal reflector 702, the deviation can be absorbed by the mounting surface metal reflective film 720. Therefore, the first insulating portion 709a and the first insulating layer 702a can be absorbed by the positional deviation. The first island electrode 707 is not affected by the shape and area of the second insulating part 709b, and even if the areas of the first insulating part 709a and the second insulating part 709b formed on the substrate mounting surface are reduced. In addition, the insulation state of the second island electrode 708 can be ensured. Therefore, according to the above configuration, the areas of the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b formed on the mounting surface can be further reduced, and the island electrode 707 and the The mounting surface metal reflective film 720 surrounding the second island electrode 708 can be formed in a wider area. For this reason, the leakage of light from the second insulating portion 709b can be more effectively prevented, and light directed from the metal reflecting plate 702 toward the substrate side can be more efficiently emitted by the mounting surface metal reflecting film. It can be reflected toward the 513 side. As a result, the light utilization efficiency and heat dissipation can be further improved.
Furthermore, the metal reflector 702 according to the present embodiment is electrically insulated from both the first island electrode 707 and the second island electrode 708 as described above. For this reason, as shown in FIG. 18, when the light emitting element 700 is mounted on a case 400 made of metal such as aluminum of an electronic device such as a mobile phone, the metal reflector 702 does not have a potential. Therefore, the metal reflector 702 can be mounted in contact with the housing 400 without using a resin having low heat dissipation. Thereby, the heat generated in the metal reflector 702 can be efficiently released to the outside of the light emitting element 700.
Further, as shown in FIG. 18, the light-emitting element 700 according to this embodiment includes a metal reflector 702 on the element outer circumference including at least a part of the outer circumference of the metal reflector 702 and the bottom surface of the multilayer substrate 506. A heat dissipating sheet 740 is formed for releasing the heat generated in step 1 to the outside.

これにより、金属反射板702で発生した熱を、放熱シート740を介してより効率的に外部へ逃がすことができる。   Thereby, the heat generated in the metal reflector 702 can be more efficiently released to the outside via the heat dissipation sheet 740.

放熱シート740としては、放熱性に優れた導電性材料を用いることが望ましい。上述の通り、本実施の形態にかかる金属反射板702は他の部材から絶縁されており電位を持つことはない。このため、短絡等の問題を生じることなく、金属反射板702で発生した熱を、放熱性に優れた導電性材料からなる該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。なお、上記導電性材料としては、放熱性に特に優れたグラファイト系材料を用いることが望ましい。   As the heat dissipation sheet 740, it is desirable to use a conductive material having excellent heat dissipation. As described above, the metal reflector 702 according to the present embodiment is insulated from other members and has no potential. For this reason, the heat | fever generate | occur | produced in the metal reflecting plate 702 can be more efficiently escaped outside via this heat dissipation sheet which consists of an electroconductive material excellent in heat dissipation, without producing problems, such as a short circuit. As the conductive material, it is desirable to use a graphite material that is particularly excellent in heat dissipation.

さらに、実装面上の第1絶縁部709aと第2絶縁部709bの外側の領域に、実装面金属反射膜720が形成されている。このため、LEDチップ701から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、実装面金属反射膜720によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面513へ導くことができる。このため、基板に吸収される光および基板を通過し、裏面側から発光素子700の外部へ漏れる光の量を低減することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。   Further, a mounting surface metal reflective film 720 is formed in a region outside the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b on the mounting surface. For this reason, most of the light emitted from the LED chip 701 toward the substrate side can be reflected by the mounting surface metal reflective film 720 and guided to the light emitting surface 513 provided in the light emitting direction. Therefore, the amount of light absorbed by the substrate and the amount of light that passes through the substrate and leaks from the back surface side to the outside of the light-emitting element 700 can be reduced. Thereby, the intensity | strength of the emitted light from a light-projection surface can be aimed at.

発光素子700は、積層基板506における実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、それぞれ第1アイランド電極707と第2アイランド電極708とに接続される裏面電極(第1裏面電極)718と裏面電極(第2裏面電極)719とが形成されている。   The light emitting element 700 has a back surface electrode (first back surface electrode) 718 connected to the first island electrode 707 and the second island electrode 708 as external connection electrode terminals on the back surface opposite to the mounting surface of the multilayer substrate 506, respectively. And a back electrode (second back electrode) 719 are formed.

このように、実装基板506の裏面側に、発光素子700の外部接続電極端子としての裏面電極718・719を設けることで、実装基板506内を通過し裏面側から発光素子700の外部へ漏れる光の量を低減することができる。   As described above, by providing the back electrodes 718 and 719 as the external connection electrode terminals of the light emitting element 700 on the back surface side of the mounting substrate 506, light that passes through the mounting substrate 506 and leaks from the back surface side to the outside of the light emitting element 700. The amount of can be reduced.

しかしながら、本実施の形態は、これに限らず、これらの外部接続電極端子を光出射面側に設ける構成としてもよい。   However, this embodiment is not limited thereto, and these external connection electrode terminals may be provided on the light emitting surface side.

また、図17に示すように、裏面電極718および裏面電極719は、それぞれ第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bの各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成されている。   Also, as shown in FIG. 17, the back electrode 718 and the back electrode 719 are formed so as to cover the formation regions of the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b and the entire regions corresponding to the stacking direction, respectively. Yes.

このため、LEDチップ701から出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bを介して積層基板506を通過して裏面側から発光素子の外部へ漏れることを効果的に防止することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。   For this reason, among the light emitted from the LED chip 701, light traveling from the mounting surface to the inside of the substrate passes through the multilayer substrate 506 via the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b, and from the back surface side of the light emitting element. It is possible to effectively prevent leakage to the outside. Thereby, the intensity | strength of the emitted light from a light-projection surface can be aimed at.

また、第1実施形態と同様に、裏面電極718および裏面電極719が、それぞれ第4層524に形成された導電部734および導電部733を介して第1アイランド電極707および第2アイランド電極708と電気的に接続されている。ここで、本実施の形態では、導電部734および導電部733が、それぞれ、第1絶縁部709aの形成領域と積層方向に対応する領域全体と第2絶縁部709bの形成領域と積層方向に対応する領域全体とを覆うよう形成されている。   Similarly to the first embodiment, the back surface electrode 718 and the back surface electrode 719 are connected to the first island electrode 707 and the second island electrode 708 via the conductive portion 734 and the conductive portion 733 formed in the fourth layer 524, respectively. Electrically connected. Here, in this embodiment, the conductive portion 734 and the conductive portion 733 correspond to the entire region corresponding to the formation region of the first insulating portion 709a and the stacking direction and the formation region of the second insulating portion 709b and the stacking direction, respectively. Is formed so as to cover the entire area to be performed.

このように、第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bを、裏面電極718および裏面電極719よりもそれぞれ基板実装面側に形成されている各導電部734・733で覆うように形成することで、より効果的に当該第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bを通じて裏面側から素子外部へ漏れる光の量を低減することができる。   Thus, the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b are formed so as to be covered with the respective conductive portions 734 and 733 formed on the substrate mounting surface side from the back surface electrode 718 and the back surface electrode 719, respectively. Thus, it is possible to more effectively reduce the amount of light leaking from the back surface side to the outside of the element through the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b.

また、発光素子700は、前述の実施形態と同様に、光出射面513として、実装面と金属反射板702で囲まれた領域におけるLEDチップ701からの光の出射方向の上端部が開口されている。さらに、透光性封止体510が上記領域を充填するように形成されており、上記領域における、光出射面513と底面となる実装面との間に、面方向の断面の最大幅が光出射面513の面方向の最大幅よりも大きくなる領域を有するように、上記領域の上端部の開口が絞られている。   In the light emitting element 700, as in the above-described embodiment, the light emitting surface 513 has an upper end portion in the light emitting direction from the LED chip 701 in an area surrounded by the mounting surface and the metal reflector 702. Yes. Further, the light-transmitting sealing body 510 is formed so as to fill the region, and the maximum width of the cross section in the surface direction is between the light emitting surface 513 and the mounting surface serving as the bottom surface in the region. The opening at the upper end of the region is narrowed so as to have a region that is larger than the maximum width in the surface direction of the emission surface 513.

透光性封止体510の封止樹脂としては、エポキシ等と比べ接着性の弱いシリコーン等が用いられる。そこで、上記のように、光出射面513となる開口を絞るように金属反射板702を形成することにより、透光性封止体510の金属反射板702の内周面に対する密着性を向上させることができ、透光性封止体510の剥離を抑制することができる。これにより、銀メッキされた金属反射板702の内周面を、透光性封止体510により、安定した状態で保護することができる。   As the sealing resin for the translucent sealing body 510, silicone or the like having a lower adhesiveness than epoxy is used. Therefore, as described above, the metal reflecting plate 702 is formed so as to narrow the opening serving as the light emitting surface 513, thereby improving the adhesion of the translucent sealing body 510 to the inner peripheral surface of the metal reflecting plate 702. And the peeling of the light-transmitting sealing body 510 can be suppressed. Thereby, the inner peripheral surface of the silver-plated metal reflecting plate 702 can be protected in a stable state by the translucent sealing member 510.

また、図17に示すように、少なくとも金属反射板702における透光性封止体510と接触する内周面に、凹凸を形成し、透光性封止体510との接触面積を大きくすることが望ましい。これにより、透光性封止体510の金属反射板702の内周面に対する密着性を向上させることができ、透光性封止体510の剥離を抑制することができる。この結果、銀メッキが施された金属反射板702の内周面を、透光性封止体510により、安定した状態で保護することができる。   In addition, as shown in FIG. 17, at least the inner peripheral surface of the metal reflector 702 that comes into contact with the light-transmitting sealing body 510 is formed with unevenness to increase the contact area with the light-transmitting sealing body 510. Is desirable. Thereby, the adhesiveness with respect to the internal peripheral surface of the metal reflecting plate 702 of the translucent sealing body 510 can be improved, and peeling of the translucent sealing body 510 can be suppressed. As a result, the inner peripheral surface of the metal reflector 702 that has been plated with silver can be protected in a stable state by the translucent sealing member 510.

本実施の形態にかかる発光素子700を構成する、第1アイランド電極707、第2アイランド電極708、金属反射板702および実装面金属反射膜720の材料としては、金属の中でも反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることが、LEDチップ701から出射される光を効率よく光出射面513へ導くことができるため望ましい。   As a material of the first island electrode 707, the second island electrode 708, the metal reflector 702, and the mounting surface metal reflective film 720 constituting the light emitting element 700 according to the present embodiment, copper having excellent reflectivity among metals is used. It is desirable to use silver, gold, or nickel because light emitted from the LED chip 701 can be efficiently guided to the light emitting surface 513.

また、アイランド電極608を1つ備えた構成について説明したが、本実施の形態は、これに限らず、図27に示す発光素子600d、図28に示す発光素子600eのように、アイランド電極も複数備えた構成としてもよい。   In addition, although the structure including one island electrode 608 has been described, the present embodiment is not limited to this, and a plurality of island electrodes are also provided, such as the light emitting element 600d illustrated in FIG. 27 and the light emitting element 600e illustrated in FIG. It is good also as a structure provided.

図17の構成において2つのLEDチップ501を直列接続する場合、図18の構成において2つのLEDチップを並列接続したLEDチップ群を直列に接続する場合、図29に示すように、2つのアイランド電極は、一方がアノード側、もう一方がカソード側というように異なる電位とするように、異なる裏面電極とそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。一方、図27の構成において2つのチップを直列に接続する場合で、図28に示すような4つのLEDチップ501を並列に接続する場合は、図30または図31に示すように、2つのアイランド電極は同じ電位となる。この場合、2つのアイランド電極は、共に、一方の裏面電極に電気的に接続するように積層基板中の各層の導電部を配置して形成されている(図示しない)。   When two LED chips 501 are connected in series in the configuration of FIG. 17, when two LED chips are connected in series in the configuration of FIG. 18, two island electrodes are connected as shown in FIG. Are formed so as to be electrically connected to different backside electrodes so that one has an anode side and the other has a different potential such that the other is a cathode side. On the other hand, when two chips are connected in series in the configuration of FIG. 27 and when four LED chips 501 as shown in FIG. 28 are connected in parallel, as shown in FIG. 30 or FIG. The electrodes are at the same potential. In this case, the two island electrodes are both formed by disposing conductive portions of respective layers in the laminated substrate so as to be electrically connected to one of the back electrodes (not shown).

なお、図29ないし31中の、+、−は、アイランド電極、ダイボンドエリア・電極共通部上でのアノード(+)、カソード(−)の取り方を示し、Fは、どこへも電位を落とさず、フローティング電位にしたことを示す。この表記は、以下実施例でも同様である。   29 to 31, + and − indicate how to take the anode (+) and cathode (−) on the island electrode, die bond area / electrode common portion, and F indicates a potential drop anywhere. First, it shows that the floating potential was set. This notation is the same in the following embodiments.

〔第4実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図19、図20、図22、図29および図32ないし図34に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
[Fourth Embodiment]
The following will describe still another embodiment of the present invention with reference to FIGS. 19, 20, 22, 29 and 32 to 34. FIG. For convenience of explanation, the same members as those shown in the drawings of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

本実施の形態に係る発光素子800は、前述の第2実施形態の発光素子600の積層基板606と同様の積層基板を備えている。   The light emitting element 800 according to the present embodiment includes a multilayer substrate similar to the multilayer substrate 606 of the light emitting element 600 of the second embodiment described above.

本実施の形態に係る発光素子800は、図19および図20に示すように、前述の第3実施形態の発光素子700と同様に、LEDチップ701に駆動電流を供給する電極端子として当該LEDチップ701とそれぞれ接続される何れの電極もアイランド電極となっている。また、LEDチップ701からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面513へと導く金属反射板802が、LEDチップ701に駆動電流を供給する何れの電極からも電気的に絶縁されている点で前述の第2実施形態と異なっている。   As shown in FIGS. 19 and 20, the light emitting element 800 according to the present embodiment is the LED chip as an electrode terminal that supplies a drive current to the LED chip 701, as in the light emitting element 700 of the third embodiment described above. Each of the electrodes connected to 701 is an island electrode. In addition, a metal reflector 802 that reflects light emitted from the LED chip 701 and guides it to a light emitting surface 513 provided in the light emitting direction is electrically connected to any electrode that supplies a driving current to the LED chip 701. This is different from the second embodiment described above in that it is insulated.

本実施の形態では、第1アイランド電極(第1金属部)807に、LEDチップ701のカソード電極が接続され、第2アイランド電極(第2金属部)808にアノード電極が接続される構成となっている。   In this embodiment, the cathode electrode of the LED chip 701 is connected to the first island electrode (first metal portion) 807, and the anode electrode is connected to the second island electrode (second metal portion) 808. ing.

第1アイランド電極807は、その外周を取り囲むように環状に形成された第1絶縁部809aによって、実装面における金属反射板802で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁されている構成となっている。   The first island electrode 807 is electrically insulated from other parts in the region surrounded by the metal reflector 802 on the mounting surface by a first insulating portion 809a formed in an annular shape so as to surround the outer periphery thereof. It has a configuration.

第2アイランド電極808は、第2実施形態のアイランド電極608と同様にその外周を取り囲むように環状に形成された第2絶縁部809bによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。   Similar to the island electrode 608 of the second embodiment, the second island electrode 808 is electrically insulated from other parts in the region by the second insulating portion 809b formed in an annular shape so as to surround the outer periphery thereof. Yes.

さらに、上記領域内における第1絶縁部809aと第2絶縁部809bの外側の領域全体に実装面金属反射膜820が形成されている。   In addition, a mounting surface metal reflective film 820 is formed on the entire region outside the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b in the region.

第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bは、第1実施形態の絶縁部509、第2実施形態の絶縁部609および第3実施形態の第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bと同様に、エポキシ樹脂等のRCC樹脂から形成されている。上記RCC樹脂は、400nm〜850nmの波長領域の可視光線を反射する光反射性フィラーを含んでいる。上記エポキシ樹脂は、上記波長領域での光反射率が50パーセント以上であることが望ましい。上記光反射性フィラーとしては、例えば、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。   The first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b are the same as the insulating portion 509 of the first embodiment, the insulating portion 609 of the second embodiment, and the first insulating portion 709a and the second insulating portion 709b of the third embodiment. And RCC resin such as epoxy resin. The RCC resin contains a light reflective filler that reflects visible light in a wavelength region of 400 nm to 850 nm. The epoxy resin desirably has a light reflectance of 50% or more in the wavelength region. As the light reflective filler, for example, aluminum oxide, silicon oxide, titanium dioxide or the like having high light reflectance can be used. Among these, titanium dioxide is particularly preferable because of its high light reflectance and low cost.

しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板802や透光性封止体510、第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bを酸化させる危険性がある(酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする)。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体510の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体510の剥離させる危険性がある。ここで、上記LEDチップ701を封止する透光性封止体510は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面までくる可能性がある。   However, when titanium dioxide is used as the light-reflective filler, the metal reflector 802, the light-transmitting sealing body 510, the first insulating portion 809a, and the second member during the light-emitting operation by the photocatalytic reaction in the presence of oxygen. There is a risk of oxidizing the insulating portion 809b (oxygen passes through the sealing resin, is absorbed by the peripheral members, and has air and moisture as its sources). On the other hand, when other reflective fillers such as aluminum oxide and silicon oxide are used, the above photocatalytic action does not occur, but aluminum oxide and silicon oxide are hygroscopic. Therefore, there is a risk that the air and moisture absorbed in the sealing step of the translucent sealing body 510 are vaporized by heat during the light emitting operation and the translucent sealing body 510 is peeled off. Here, the translucent sealing body 510 that seals the LED chip 701 is preferably light-tight and air-tight. However, a resin having better light resistance generally tends to transmit gas such as air, and air and moisture may reach the mounting surface.

したがって、LEDチップ701の搭載面近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上させることができる。   Therefore, when adding only to the surface layer in the vicinity of the mounting surface of the LED chip 701, it is particularly desirable to reduce the addition amount of the light reflective filler, thereby reducing the amount of active oxygen to be oxidized and reducing the light reflectance. Can be improved.

また、上記接着層としての第3層623を介して他の部材と接着される界面近傍には、水分、空気との接触するのを避けるため、二酸化チタン等の光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。すなわち、接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。また、二酸化チタンが添加される第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bの樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bの樹脂内部に二酸化チタン添加樹脂層509cを設けることが特に好ましい。   In addition, in the vicinity of the interface bonded to other members through the third layer 623 as the adhesive layer, a structure not including a light reflective filler such as titanium dioxide is used to avoid contact with moisture and air. Is desirable. That is, the interface with the adhesive layer and other members tends to collect moisture and air, so it is desirable that the light-reflective filler is not brought into contact. Further, as the resin of the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b to which titanium dioxide is added, generally, a resin that hardly transmits gas such as the atmosphere such as epoxy resin is used. For this reason, it is particularly preferable to provide the titanium dioxide-added resin layer 509c inside the resin of the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b.

そこで、第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bは、それぞれ、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、RCC樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。   Therefore, the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b are respectively a light-reflective filler-free resin layer that does not include the light-reflective filler and a light-reflective filler that includes the light-reflective filler from the light incident side. It is desirable to have a laminated structure in which the additive resin layer is laminated. Here, since the RCC resin absorbs light, a light-reflective filler-free resin layer that does not contain the light-reflective filler is formed as thin as possible into a layer, and a light-reflective filler containing a light-reflective filler is added to the lower layer. It is desirable to form a resin layer.

第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bの形成工程については、前述の第1実施形態の絶縁部509と同様の工程にて製造することができるため、ここでの説明は省略する。   About the formation process of the 1st insulation part 809a and the 2nd insulation part 809b, since it can manufacture in the process similar to the insulation part 509 of the above-mentioned 1st Embodiment, description here is abbreviate | omitted.

光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により導電層を酸化させてしまうため、できるだけ導電層から離間して形成することが望ましい。また、酸素を含む大気から遠ざけるため、光反射性フィラーを搭載面表面には含ませないことが望ましい。   When titanium dioxide is used as the light reflective filler, the conductive layer is oxidized by a photocatalytic reaction in the presence of oxygen. Further, in order to keep away from the atmosphere containing oxygen, it is desirable not to include a light reflective filler on the mounting surface.

そこで、第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bは、それぞれ、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、エポキシ樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。   Therefore, the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b are respectively a light-reflective filler-free resin layer that does not include the light-reflective filler and a light-reflective filler that includes the light-reflective filler from the light incident side. It is desirable to have a laminated structure in which the additive resin layer is laminated. Here, since the epoxy resin absorbs light, the light-reflective filler-free resin layer that does not include the light-reflective filler is formed as thin as possible, and a light-reflective filler containing a light-reflective filler is added to the lower layer. It is desirable to form a resin layer.

第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bの形成工程については、前述の第1実施形態の絶縁部509と同様の工程にて製造することができるため、ここでの説明は省略する。   About the formation process of the 1st insulation part 809a and the 2nd insulation part 809b, since it can manufacture in the process similar to the insulation part 509 of the above-mentioned 1st Embodiment, description here is abbreviate | omitted.

また、光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合であっても、第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bの全域に添加されている構成に比べ、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板802、透光性封止体510、第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bの酸化や、透光性封止体510の剥離等の問題を抑制しつつ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。   Further, even when titanium dioxide is used as the light reflective filler, the light reflective filler is present in the presence of oxygen as compared with the structure added to the entire area of the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b. While suppressing problems such as oxidation of the metal reflector 802, the light-transmitting sealing body 510, the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b due to the photocatalytic reaction, peeling of the light-transmitting sealing body 510, etc. The intensity of outgoing light from the outgoing surface can be improved.

すなわち、第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bに吸収される光および上記基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量を低減することができるため、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。   That is, the amount of light absorbed by the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b and the amount of light that passes through the substrate and is emitted from the back surface side to the outside can be reduced. Improvements can be made.

このように、第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bに、光反射性フィラーを含む樹脂を用いることにより、LEDチップ701から出射されて第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bに入射する光をおよびLEDチップ701を封止する透光性封止体510に含有される蛍光体から放出され第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bに入射する光を、上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bにに入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。   As described above, by using a resin including a light-reflective filler for the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b, the resin is emitted from the LED chip 701 and enters the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b. The light and the light emitted from the phosphor contained in the light-transmitting sealing body 510 that seals the LED chip 701 and incident on the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b are reflected by the light reflective filler. Can be made. For this reason, when entering the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b and being reflected by the peripheral members, it is possible to reduce the light that is partially absorbed and attenuated, improving the light utilization efficiency and heat dissipation Can be achieved.

また、上記RCC樹脂は、不活性ガス雰囲気下での熱工程により形成することが望ましい。これにより、第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bに用いる樹脂の変質(黄変化)を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。   The RCC resin is preferably formed by a heat process in an inert gas atmosphere. Accordingly, the resin used for the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b can be prevented from being deteriorated (yellowing change), so that the above effect can be effectively exhibited without light absorption by the deteriorated resin.

また、発光素子800は、前述の第1ないし第3実施形態と同様に、LEDチップ701からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面513へと導く金属反射板802が、LEDチップ701の光出射方向に立設し、LEDチップ701の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、LEDチップ701から周囲に放出される光を、金属反射板802で反射させ光出射面513へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面513からの出射光強度の向上を図ることができる。   Similarly to the first to third embodiments, the light emitting element 800 reflects the emitted light from the LED chip 701 and guides it to the light emitting surface 513 provided in the light emitting direction. However, the LED chip 701 is formed so as to stand in the light emitting direction and surround the entire periphery of the LED chip 701. For this reason, the light emitted from the LED chip 701 to the surroundings can be reflected by the metal reflector 802 and efficiently guided to the light emitting surface 513. Thereby, light leakage from the side surface of the element can be suppressed, and the intensity of light emitted from the light emission surface 513 can be improved.

また、図19に示すように、本実施の形態の発光素子800は、金属反射板802が、実装面金属反射膜820と一体的に形成されている。   Further, as shown in FIG. 19, in the light emitting element 800 according to the present embodiment, the metal reflector 802 is formed integrally with the mounting surface metal reflector 820.

このため、実装面金属反射膜820を、実装面上の広範囲に形成することができる。このように、素子全体における金属形成領域を大きくすることで、放熱性に優れた発光素子を実現することができる。また、LEDチップ701の発光時の熱を、実装面金属反射膜820が一体成形されている積層基板606の表面側に伝導し、さらに裏面側へ効果的に放熱させることができる。これにより、熱による劣化を抑制することができ、長期の信頼性に優れた発光素子を実現することができる。   For this reason, the mounting surface metal reflective film 820 can be formed over a wide range on the mounting surface. Thus, by increasing the metal formation region in the entire element, a light emitting element with excellent heat dissipation can be realized. Further, heat at the time of light emission of the LED chip 701 can be conducted to the front surface side of the multilayer substrate 606 on which the mounting surface metal reflective film 820 is integrally formed, and further effectively radiated to the back surface side. Thereby, deterioration due to heat can be suppressed, and a light-emitting element with excellent long-term reliability can be realized.

また、本実施の形態では、金属反射板802が、上述の通り、第1アイランド電極807と第2アイランド電極808の何れからも電気的に絶縁されている。このため、図29に示すように、本発光素子800を、携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体400に実装する際に、金属反射板802が電位を持つことがない。したがって、放熱性が低い樹脂等を介することなく、筐体400に金属反射板802を接触させた状態で実装することができる。これにより、金属反射板802で発生した熱を、効率よく発光素子800の外部へ逃がすことができる。   In the present embodiment, the metal reflector 802 is electrically insulated from both the first island electrode 807 and the second island electrode 808 as described above. For this reason, as shown in FIG. 29, when the light emitting element 800 is mounted on a case 400 made of metal such as aluminum of an electronic device such as a mobile phone, the metal reflector 802 does not have a potential. Therefore, the metal reflector 802 can be mounted in contact with the housing 400 without using a resin having low heat dissipation. Thereby, the heat generated in the metal reflector 802 can be efficiently released to the outside of the light emitting element 800.

本実施の形態に係る発光素子800は、第3実施形態の発光素子700と同様に、金属反射板802の外周面の少なくとも一部と、積層基板606の底面を含む素子外周面上に、金属反射板802で発生した熱を外部に逃がすための放熱シート740が形成されている。   Similar to the light emitting device 700 of the third embodiment, the light emitting device 800 according to the present embodiment has a metal on the device outer peripheral surface including at least a part of the outer peripheral surface of the metal reflector 802 and the bottom surface of the multilayer substrate 606. A heat dissipating sheet 740 for releasing heat generated in the reflecting plate 802 to the outside is formed.

これにより、金属反射板802で発生した熱を、放熱シート740を介してより効率的に外部へ逃がすことができる。   Thereby, the heat generated in the metal reflector 802 can be more efficiently released to the outside via the heat dissipation sheet 740.

放熱シート740としては、放熱性に優れた導電性材料を用いることが望ましい。上述の通り、本実施の形態にかかる金属反射板802は他の部材から絶縁されており電位を持つことはない。このため、短絡等の問題を生じることなく、金属反射板802で発生した熱を、放熱性に優れた導電性材料からなる該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。なお、上記導電性材料としては、放熱性に特に優れたグラファイト系材料を用いることが望ましい。   As the heat dissipation sheet 740, it is desirable to use a conductive material having excellent heat dissipation. As described above, the metal reflector 802 according to the present embodiment is insulated from other members and has no potential. For this reason, the heat | fever which generate | occur | produced in the metal reflecting plate 802 can be more efficiently escaped outside via this heat dissipation sheet which consists of an electroconductive material excellent in heat dissipation, without producing problems, such as a short circuit. As the conductive material, it is desirable to use a graphite material that is particularly excellent in heat dissipation.

また、この導電性の放熱シートを上記筐体上で裏面電極とは絶縁がとれるように接地することで、金属反射板および金属反射板と電気的、熱的に接続されたLEDチップが塔載された実装面金属反射膜の電位が浮遊することがなく、LEDチップに不要なサージが入り、発光素子の故障や誤動作が起こるのを防ぐことができる。   In addition, by grounding the conductive heat radiation sheet on the casing so as to be insulated from the back electrode, the metal reflector and the LED chip electrically and thermally connected to the metal reflector are mounted on the tower. The potential of the mounted mounting surface metal reflective film does not float, and it is possible to prevent an unnecessary surge from entering the LED chip and causing a failure or malfunction of the light emitting element.

さらに、本実施の形態では、前述の第3実施形態と異なり、実装面上の第1絶縁部809aと第2絶縁部809bが、環状に形成されているため、より小さい面積で各電極を他の部位から絶縁させることができる。   Further, in the present embodiment, unlike the third embodiment described above, the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b on the mounting surface are formed in an annular shape, so that each electrode can be replaced with a smaller area. It can be insulated from this part.

したがって、実装面金属反射膜820を、図19および図20に示すように、実装面における金属反射板802で囲まれた領域内に、これらの絶縁部809a・809bを介して、第1アイランド電極807および第2アイランド電極808を取り囲むように広く全体に形成することができる。このため、LEDチップ701から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、実装面金属反射膜820によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面513へ導くことができる。これにより、積層基板606に吸収される光および積層基板607を通過し、裏面側から発光素子800の外部へ漏れる光の量をより効果的に低減することができ、第3実施形態の構成に比べ、光出射面からの出射光強度をより向上させることができる。   Therefore, as shown in FIGS. 19 and 20, the mounting surface metal reflecting film 820 is formed in the region surrounded by the metal reflecting plate 802 on the mounting surface via the insulating portions 809a and 809b. 807 and the second island electrode 808 can be widely formed as a whole. For this reason, most of the light emitted from the LED chip 701 toward the substrate side can be reflected by the mounting surface metal reflective film 820 and guided to the light emitting surface 513 provided in the light emitting direction. Thereby, the amount of light absorbed by the multilayer substrate 606 and light that passes through the multilayer substrate 607 and leaks from the back surface side to the outside of the light emitting element 800 can be more effectively reduced, and the configuration of the third embodiment is achieved. In comparison, the intensity of light emitted from the light exit surface can be further improved.

発光素子800は、積層基板606における実装面と反対側の裏面に、外部接続電極端子として、それぞれ第1アイランド電極807と第2アイランド電極808とに接続される裏面電極(第1裏面電極)818と裏面電極(第2裏面電極)819とが形成された構成となっている。   The light emitting element 800 has a back electrode (first back electrode) 818 connected to the first island electrode 807 and the second island electrode 808 as external connection electrode terminals on the back surface opposite to the mounting surface of the multilayer substrate 606, respectively. And a back electrode (second back electrode) 819 are formed.

このように、実装基板606の裏面側に、発光素子800の外部接続電極端子としての裏面電極818・819を設けることで、実装基板606内を通過し裏面側から発光素子800の外部へ漏れる光の量を低減することができる。   As described above, by providing the back electrodes 818 and 819 as the external connection electrode terminals of the light emitting element 800 on the back surface side of the mounting substrate 606, light that passes through the mounting substrate 606 and leaks from the back surface side to the outside of the light emitting element 800. The amount of can be reduced.

しかしながら、本実施の形態は、これに限らず、これらの外部接続電極端子を光出射面側に設ける構成としてもよい。   However, this embodiment is not limited thereto, and these external connection electrode terminals may be provided on the light emitting surface side.

また、図19に示すように、裏面電極818および裏面電極819は、それぞれ第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bの各形成領域と積層方向に対応する各領域全体を覆うように形成されている。   Further, as shown in FIG. 19, the back electrode 818 and the back electrode 819 are formed so as to cover the formation regions of the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b and the entire regions corresponding to the stacking direction, respectively. Yes.

このため、前述の実施形態に係る各発光素子と同様に、LEDチップ701から出射された光のうち実装面から基板内部へ向かう光が、第1絶縁部809aおよび第2絶縁部809bを介して積層基板606を通過して裏面側から発光素子800の外部へ漏れることを効果的に防止することができる。これにより、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。   For this reason, like each light emitting element according to the above-described embodiment, the light emitted from the LED chip 701 toward the inside of the substrate from the mounting surface passes through the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809b. It is possible to effectively prevent leakage from the back surface side to the outside of the light emitting element 800 through the multilayer substrate 606. Thereby, the intensity | strength of the emitted light from a light-projection surface can be aimed at.

本実施の形態にかかる発光素子800を構成する、第1アイランド電極807、第2アイランド電極808、金属反射板802および実装面金属反射膜820の材料としては、金属の中でも反射性に優れた銅、銀、金またはニッケルを用いることが、LEDチップ701から出射される光を効率よく光出射面513へ導くことができるため望ましい。   As a material of the first island electrode 807, the second island electrode 808, the metal reflector 802, and the mounting surface metal reflective film 820 constituting the light emitting element 800 according to the present embodiment, copper having excellent reflectivity among metals is used. It is desirable to use silver, gold, or nickel because light emitted from the LED chip 701 can be efficiently guided to the light emitting surface 513.

なお、LEDチップ701を1つ備えた構成について説明したが、本実施形態は、これに限らず、図32に示す発光素子800a、図33に示す発光素子800b、図34に示す発光素子800cのように、LEDチップを2つ以上備えた構成にも適応することができる。   In addition, although the structure provided with one LED chip 701 was demonstrated, this embodiment is not restricted to this, The light emitting element 800a shown in FIG. 32, the light emitting element 800b shown in FIG. 33, and the light emitting element 800c shown in FIG. Thus, the present invention can be applied to a configuration including two or more LED chips.

また、図32および図33のように、2つのLEDチップを、並列/直列接続した場合、図34のように、2つのLEDチップを並列接続したLEDチップ群を直列に接続する場合、図29に示すように、2つのアイランド電極は、一方がアノード側、もう一方がカソード側というように異なる電位とする。   32 and 33, when two LED chips are connected in parallel / series, as shown in FIG. 34, when LED chip groups in which two LED chips are connected in parallel are connected in series, FIG. As shown in FIG. 4, the two island electrodes have different potentials such that one is the anode side and the other is the cathode side.

このように、1つの発光素子内に複数のLEDチップを適宜配置し、塔載することで、素子の構成を大型化することなく、光出射強度を向上させることができる。なお、LEDチップの搭載数は、4つを上限とするものではなく、大きい素子基板を備えた構成では、LEDチップの搭載数を、さらに増やすことも可能である。   As described above, by appropriately arranging and mounting a plurality of LED chips in one light emitting element, the light emission intensity can be improved without increasing the size of the element. It should be noted that the number of LED chips mounted is not limited to an upper limit of 4, and the number of LED chips mounted can be further increased in a configuration including a large element substrate.

〔第5実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図21および図35ないし図37に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施の形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
[Fifth Embodiment]
The following will describe still another embodiment of the present invention with reference to FIG. 21 and FIGS. For convenience of explanation, the same members as those shown in the drawings of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

前述の各実施形態では、単一のLEDチップが実装された発光素子について説明したが、本発明の発光素子はこれに限らず、複数のLEDチップが搭載された構成としてもよい。   In each of the above-described embodiments, the light emitting element on which a single LED chip is mounted has been described. However, the light emitting element of the present invention is not limited to this, and a configuration in which a plurality of LED chips are mounted may be employed.

そこで、前述の第4実施形態の構成において、LEDチップを複数備えた構成を図21を参照し以下に説明する。   Therefore, in the configuration of the above-described fourth embodiment, a configuration including a plurality of LED chips will be described below with reference to FIG.

図21に示すように、本実施の形態に係る発光素子900は、LEDチップ701に加え、LEDチップ(第2LEDチップ)901を備えている。   As shown in FIG. 21, the light emitting element 900 according to the present embodiment includes an LED chip (second LED chip) 901 in addition to the LED chip 701.

発光素子800と同様に、第1アイランド電極(第1金属部)807に、LEDチップ701のカソード電極が接続され、第2アイランド電極(第2金属部)808にアノード電極が接続される構成となっている。   Similarly to the light emitting device 800, the cathode electrode of the LED chip 701 is connected to the first island electrode (first metal portion) 807, and the anode electrode is connected to the second island electrode (second metal portion) 808. It has become.

本実施の形態では、LEDチップ701に駆動電流を供給する電極端子としての第2アイランド電極808が、LEDチップ901に駆動電流を供給する電源端子としての機能も備えている。すなわち、第2アイランド電極808は、LEDチップ901のアノード電極にも接続されている。さらに、発光素子900は、LEDチップ901のカソード電極と接続され、積層基板中で導電部を通じて第1アイランド電極807と電気的に接続された電源端子としての第3アイランド電極908を備えており、金属反射板802が、第1ないし第3アイランド電極の何れからも電気的に絶縁されている構成となっている。   In the present embodiment, the second island electrode 808 as an electrode terminal that supplies a drive current to the LED chip 701 also has a function as a power supply terminal that supplies a drive current to the LED chip 901. That is, the second island electrode 808 is also connected to the anode electrode of the LED chip 901. Furthermore, the light emitting element 900 includes a third island electrode 908 as a power supply terminal connected to the cathode electrode of the LED chip 901 and electrically connected to the first island electrode 807 through the conductive portion in the laminated substrate. The metal reflector 802 is electrically insulated from any of the first to third island electrodes.

第1アイランド電極807は、前述の第4実施形態の発光素子800と同様に、その外周を取り囲むように環状に形成された第1絶縁部809aによって、実装面における金属反射板802で囲まれた領域内の他の部位と電気的に絶縁されている構成となっている。また、第2アイランド電極808は、第2および第4実施形態のアイランド電極608・808と同様に、その外周を取り囲むように環状に形成された第2絶縁部809bによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。   The first island electrode 807 is surrounded by the metal reflector 802 on the mounting surface by the first insulating portion 809a that is formed in an annular shape so as to surround the outer periphery thereof, similarly to the light emitting device 800 of the fourth embodiment described above. It is configured to be electrically insulated from other parts in the region. Further, like the island electrodes 608 and 808 of the second and fourth embodiments, the second island electrode 808 is formed in a ring shape so as to surround the outer periphery of the second island electrode 808. It is electrically insulated from the part.

さらに、本実施の形態では、第3アイランド電極(第3電極部)908も、その外周を取り囲むように環状に形成された第3絶縁部909cによって、上記領域内の他の部位と電気的に絶縁されている。   Further, in the present embodiment, the third island electrode (third electrode portion) 908 is also electrically connected to other portions in the region by the third insulating portion 909c formed in an annular shape so as to surround the outer periphery thereof. Insulated.

すなわち、本実施の形態の発光素子900には、1回路系統で、2つのLEDチップ(LEDチップ701・901が実装されている。このため、素子の構成を大型化することなく、2倍の光出射強度を得ることできる。   That is, in the light emitting element 900 of the present embodiment, two LED chips (LED chips 701 and 901 are mounted in one circuit system. For this reason, the structure of the element is doubled without increasing the size. Light emission intensity can be obtained.

また、本実施の形態では、前述の第4実施形態と同様に、実装面上の第1ないし第3絶縁部が環状に形成されている。このため、より小さい面積で各電極を他の部位から絶縁させることができる。   In the present embodiment, the first to third insulating portions on the mounting surface are formed in an annular shape as in the fourth embodiment described above. For this reason, each electrode can be insulated from other parts with a smaller area.

したがって、実装面金属反射膜920を、図21に示すように、実装面における金属反射板802で囲まれた領域内に、これらの第1ないし第3絶縁部を介して、第1ないし第3アイランド電極807ないし809をそれぞれ取り囲むように広く全体に形成することができる。このため、LEDチップ701および901から出射した光のうち、基板側に向かう光の多くを、実装面金属反射膜920によって反射させ光出射方向に設けられた光出射面513へ導くことができる。このため、積層基板606に吸収される光および積層基板607を通過し、裏面側から発光素子900の外部へ漏れる光の量をより効果的に低減することができる。   Accordingly, as shown in FIG. 21, the mounting surface metal reflective film 920 is formed in the region surrounded by the metal reflector 802 on the mounting surface via the first to third insulating portions. The island electrodes 807 to 809 can be widely formed so as to surround each. Therefore, most of the light emitted from the LED chips 701 and 901 toward the substrate can be reflected by the mounting surface metal reflective film 920 and guided to the light emitting surface 513 provided in the light emitting direction. Therefore, the amount of light absorbed by the multilayer substrate 606 and light that passes through the multilayer substrate 607 and leaks from the back surface side to the outside of the light emitting element 900 can be more effectively reduced.

また、第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cは、第1実施形態の絶縁部509、第2実施形態の絶縁部609、第3実施形態の第1絶縁部709aおよび第2絶縁部709bと同様に、エポキシ樹脂等のRCC樹脂から形成されている。上記エポキシ樹脂は、400nm〜850nmの波長領域の可視光線を反射する光反射性フィラーを含んでいる。上記RCC樹脂は、上記波長領域での光反射率が50パーセント以上であることが望ましい。上記光反射性フィラーとしては、例えば、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。中でも、二酸化チタンは、光反射率が高く、コスト面でも安価であるため特に好ましい。   Further, the first insulating portion 809a, the second insulating portion 809b, and the third insulating portion 909c are the insulating portion 509 of the first embodiment, the insulating portion 609 of the second embodiment, the first insulating portion 709a of the third embodiment, and Similarly to the second insulating portion 709b, the second insulating portion 709b is made of an RCC resin such as an epoxy resin. The epoxy resin includes a light reflective filler that reflects visible light in a wavelength region of 400 nm to 850 nm. The RCC resin desirably has a light reflectance of 50% or more in the wavelength region. As the light reflective filler, for example, aluminum oxide, silicon oxide, titanium dioxide or the like having high light reflectance can be used. Among these, titanium dioxide is particularly preferable because of its high light reflectance and low cost.

しかしながら、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板702や透光性封止体510、第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cを酸化させる危険性がある(酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする)。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体510の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体510の剥離させる危険性がある。ここで、LEDチップ701・901を封止する透光性封止体510は、耐光性がよく、気密性のよいものが望ましい。しかしながら、耐光性のよい樹脂ほど、一般に大気などのガスを透過しやすく、大気・水分が搭載面までくる可能性がある。   However, when titanium dioxide is used as the light-reflective filler, the metal reflector 702, the light-transmitting encapsulant 510, the first insulating portion 809a, the second, during the light-emitting operation by the photocatalytic reaction in the presence of oxygen. There is a risk of oxidizing the insulating portion 809b and the third insulating portion 909c (oxygen passes through the sealing resin and is absorbed by the peripheral members and contains air and moisture as sources). On the other hand, when other reflective fillers such as aluminum oxide and silicon oxide are used, the above photocatalytic action does not occur, but aluminum oxide and silicon oxide are hygroscopic. Therefore, there is a risk that the air and moisture absorbed in the sealing step of the translucent sealing body 510 are vaporized by heat during the light emitting operation and the translucent sealing body 510 is peeled off. Here, the translucent sealing body 510 that seals the LED chips 701 and 901 is preferably light-tight and air-tight. However, a resin having better light resistance generally tends to transmit gas such as air, and air and moisture may reach the mounting surface.

したがって、LEDチップ701・901の搭載面近傍の表面層にのみ添加する場合は、特に光反射性フィラーの添加量を少なくすることが望ましく、これにより酸化させる活性酸素量を少なくしつつ、光反射率を向上させることができる。
また、上記接着層としての第3層623を介して他の部材と接着される界面近傍には、水分、空気との接触するのを避けるため、二酸化チタン等の光反射性フィラーを含まない構成とすることが望ましい。すなわち接着層や他部材との界面は、水分、空気を溜めやすいので、光反射性フィラーは接触させないことが望ましい。また、二酸化チタンが添加される第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cの樹脂としては、一般に、エポキシ樹脂など、大気などのガスをほとんど透過しない樹脂が使用される。このため、第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cの樹脂内部に二酸化チタン添加樹脂層509cを設けることが特に好ましい。
Therefore, when adding only to the surface layer in the vicinity of the mounting surface of the LED chips 701 and 901, it is desirable to reduce the addition amount of the light-reflective filler, in particular, thereby reducing the amount of active oxygen to be oxidized and reducing the light reflection. The rate can be improved.
In addition, in the vicinity of the interface bonded to other members through the third layer 623 as the adhesive layer, a structure not including a light reflective filler such as titanium dioxide is used to avoid contact with moisture and air. Is desirable. That is, the interface with the adhesive layer and other members tends to collect moisture and air, so it is desirable not to contact the light reflective filler. In addition, as the resin for the first insulating portion 809a, the second insulating portion 809b, and the third insulating portion 909c to which titanium dioxide is added, a resin that hardly transmits gas such as air is generally used, such as an epoxy resin. For this reason, it is particularly preferable to provide the titanium dioxide-added resin layer 509c inside the resin of the first insulating portion 809a, the second insulating portion 809b, and the third insulating portion 909c.

そこで、第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cは、それぞれ、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、RCC樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。   Therefore, the first insulating portion 809a, the second insulating portion 809b, and the third insulating portion 909c are respectively a light-reflective filler-free resin layer that does not include the light-reflective filler and a light-reflective filler from the light incident side. It is desirable to have a laminated structure in which a light reflective filler-added resin layer containing is laminated. Here, since the RCC resin absorbs light, a light-reflective filler-free resin layer that does not contain the light-reflective filler is formed as thin as possible into a layer, and a light-reflective filler containing a light-reflective filler is added to the lower layer. It is desirable to form a resin layer.

第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cの形成工程については、前述の実施形態1の絶縁部509と同様の工程にて製造することができるため、ここでの説明は省略する。   About the formation process of the 1st insulation part 809a, the 2nd insulation part 809b, and the 3rd insulation part 909c, since it can manufacture in the process similar to the insulation part 509 of above-mentioned Embodiment 1, explanation here Omitted.

光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により導電層を酸化させてしまうため、できるだけ導電層から離間して形成することが望ましい。また、酸素を含む大気から遠ざけるため、光反射性フィラーを搭載面表面には含ませないことが望ましい。   When titanium dioxide is used as the light reflective filler, the conductive layer is oxidized by a photocatalytic reaction in the presence of oxygen. Further, in order to keep away from the atmosphere containing oxygen, it is desirable not to include a light reflective filler on the mounting surface.

そこで、第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cは、それぞれ、光入射側から、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していることが望ましい。ここで、エポキシ樹脂は光を吸収するため、上記光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層をできるだけ薄く層状に形成し、その下層に光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層を形成することが望ましい。   Therefore, the first insulating portion 809a, the second insulating portion 809b, and the third insulating portion 909c are respectively a light-reflective filler-free resin layer that does not include the light-reflective filler and a light-reflective filler from the light incident side. It is desirable to have a laminated structure in which a light reflective filler-added resin layer containing is laminated. Here, since the epoxy resin absorbs light, the light-reflective filler-free resin layer that does not include the light-reflective filler is formed as thin as possible, and a light-reflective filler containing a light-reflective filler is added to the lower layer. It is desirable to form a resin layer.

第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cの形成工程については、前述の第1実施形態の絶縁部509と同様の工程にて製造することができるため、ここでの説明は省略する。   About the formation process of the 1st insulation part 809a, the 2nd insulation part 809b, and the 3rd insulation part 909c, since it can manufacture in the process similar to the insulation part 509 of the above-mentioned 1st Embodiment, description here Is omitted.

また、光反射性フィラーとして二酸化チタンを用いた場合であっても、第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cの全域に添加されている構成に比べ、酸素の存在下、当該光反射性フィラーの光触媒反応による金属反射板802、透光性封止体510、第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cの酸化や、透光性封止体510の剥離等の問題を抑制しつつ、光出射面からの出射光強度の向上を図ることができる。   Further, even when titanium dioxide is used as the light-reflective filler, it can be used in the presence of oxygen as compared with the structure added to the entire areas of the first insulating portion 809a, the second insulating portion 809b, and the third insulating portion 909c. The oxidation of the metal reflector 802, the translucent sealing body 510, the first insulating portion 809a, the second insulating portion 809b, and the third insulating portion 909c by the photocatalytic reaction of the light reflective filler, and the translucent sealing body While suppressing problems such as peeling of 510, it is possible to improve the intensity of light emitted from the light exit surface.

すなわち、第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cに吸収される光および上記基板を通過し裏面側から外部へ放出される光の量を低減することができるため、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。   That is, the amount of light absorbed by the first insulating portion 809a, the second insulating portion 809b, and the third insulating portion 909c and the amount of light that passes through the substrate and is emitted to the outside from the back surface side can be reduced. The utilization efficiency and heat dissipation can be improved.

このように、第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cに、光反射性フィラーを含む樹脂を用いることにより、LEDチップ701から出射されて第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cに入射する光をおよびLEDチップ701を封止する透光性封止体510に含有される蛍光体から放出され第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cに入射する光を、上記光反射性フィラーで反射させることができる。このため、第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cに入り、周辺部材に反射する際、一部吸収され、減衰していく光を低減することができ、光利用効率および放熱性の向上を図ることができる。   As described above, by using a resin containing a light-reflective filler for the first insulating portion 809a, the second insulating portion 809b, and the third insulating portion 909c, the first insulating portion 809a and the second insulating portion 809a are emitted from the LED chip 701. Light incident on the insulating portion 809b and the third insulating portion 909c and emitted from the phosphor contained in the translucent sealing body 510 that seals the LED chip 701 are emitted from the first insulating portion 809a, the second insulating portion 809b, and The light incident on the third insulating part 909c can be reflected by the light reflective filler. For this reason, light that is partially absorbed and attenuated when entering the first insulating portion 809a, the second insulating portion 809b, and the third insulating portion 909c and reflected by the peripheral member can be reduced, and the light utilization efficiency can be reduced. In addition, the heat dissipation can be improved.

また、上記RCC樹脂は、不活性ガス雰囲気下での熱工程により形成することが望ましい。これにより、第1絶縁部809a、第2絶縁部809bおよび第3絶縁部909cに用いる樹脂の変質(黄変化)を防止することができるため、変質樹脂による光吸収もなく、上記効果を有効に発揮することができる。   The RCC resin is preferably formed by a heat process in an inert gas atmosphere. As a result, the resin used for the first insulating part 809a, the second insulating part 809b, and the third insulating part 909c can be prevented from being deteriorated (yellowing change). It can be demonstrated.

発光素子900は、前述の実施形態と同様に、LEDチップ701・901からの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面513へと導く金属反射板802が、LEDチップ701・901の光出射方向に立設し、LEDチップ701およびLEDチップ901の周囲全体を取り囲むように形成されている。このため、LEDチップ701・901から周囲に放出される光を、金属反射板802で反射させ光出射面513へ効率良く導くことができる。これにより、素子側面からの光漏れを抑制し、光出射面513からの出射光強度の向上を図ることができる。   As in the above-described embodiment, the light emitting element 900 includes a metal reflector 802 that reflects the light emitted from the LED chips 701 and 901 and guides the light to the light emitting surface 513 provided in the light emitting direction. -Standing in the light emitting direction of 901, it is formed so as to surround the entire periphery of the LED chip 701 and the LED chip 901. For this reason, the light emitted to the surroundings from the LED chips 701 and 901 can be reflected by the metal reflector 802 and efficiently guided to the light emitting surface 513. Thereby, light leakage from the side surface of the element can be suppressed, and the intensity of light emitted from the light emission surface 513 can be improved.

また、図21に示すように、本実施の形態の発光素子900は、金属反射板802が、実装面金属反射膜920と一体的に形成されている。   Further, as shown in FIG. 21, in the light emitting element 900 according to the present embodiment, the metal reflection plate 802 is formed integrally with the mounting surface metal reflection film 920.

このため、実装面金属反射膜920を、実装面上の広範囲に形成することができる。このように、素子全体における金属形成領域を大きくすることで、放熱性に優れた発光素子を実現することができる。また、LEDチップ701・901の発光時の熱を、実装面金属反射膜920が一体成形されている積層基板606の表面側に伝導し、さらに裏面側へ効果的に放熱させることができる。これにより、熱による劣化を抑制することができ、長期の信頼性に優れた発光素子を実現することができる。   For this reason, the mounting surface metal reflective film 920 can be formed over a wide range on the mounting surface. Thus, by increasing the metal formation region in the entire element, a light emitting element with excellent heat dissipation can be realized. In addition, heat at the time of light emission of the LED chips 701 and 901 can be conducted to the front surface side of the laminated substrate 606 on which the mounting surface metal reflective film 920 is integrally formed, and further effectively radiated to the back surface side. Thereby, deterioration due to heat can be suppressed, and a light-emitting element with excellent long-term reliability can be realized.

また、本実施の形態に係る金属反射板802は、上述の通り、第1アイランド電極807、第2アイランド電極808および第3アイランド電極908の何れからも電気的に絶縁されている。このため、図18に示すように、本発光素子900を、携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体400に実装する際に、金属反射板802が電位を持つことがない。したがって、放熱性が低い樹脂等を介することなく、筐体400に金属反射板802を接触させた状態で実装することができる。これにより、金属反射板802で発生した熱を、効率よく発光素子900の外部へ逃がすことができる。   Further, the metal reflector 802 according to the present embodiment is electrically insulated from any of the first island electrode 807, the second island electrode 808, and the third island electrode 908 as described above. For this reason, as shown in FIG. 18, when the light emitting element 900 is mounted on a case 400 made of a metal such as aluminum of an electronic device such as a mobile phone, the metal reflector 802 does not have a potential. Therefore, the metal reflector 802 can be mounted in contact with the housing 400 without using a resin having low heat dissipation. Thereby, the heat generated in the metal reflector 802 can be efficiently released to the outside of the light emitting element 900.

本実施の形態に係る発光素子900は、第3実施形態および第4実施形態の発光素子700・800と同様に、金属反射板802の外周面の少なくとも一部と、積層基板606の底面を含む素子外周面上に、金属反射板802で発生した熱を外部に逃がすための放熱シート740が形成されている。   The light emitting element 900 according to the present embodiment includes at least a part of the outer peripheral surface of the metal reflector 802 and the bottom surface of the multilayer substrate 606, as in the light emitting elements 700 and 800 of the third and fourth embodiments. On the outer peripheral surface of the element, a heat radiating sheet 740 for releasing the heat generated in the metal reflector 802 to the outside is formed.

これにより、金属反射板802で発生した熱を、放熱シート740を介してより効率的に外部へ逃がすことができる。この結果、長期の信頼性が高い発光素子900を実現することができる。   Thereby, the heat generated in the metal reflector 802 can be more efficiently released to the outside via the heat dissipation sheet 740. As a result, a light-emitting element 900 with high long-term reliability can be realized.

放熱シート740としては、放熱性に優れた導電性材料を用いることが望ましい。上述の通り、本実施の形態にかかる金属反射板802は他の部材から絶縁されており電位を持つことはない。このため、短絡等の問題を生じることなく、金属反射板802で発生した熱を、放熱性に優れた導電性材料からなる該放熱シートを介してより効率的に外部へ逃がすことができる。なお、上記導電性材料としては、放熱性に特に優れたグラファイト系材料を用いることが望ましい。   As the heat dissipation sheet 740, it is desirable to use a conductive material having excellent heat dissipation. As described above, the metal reflector 802 according to the present embodiment is insulated from other members and has no potential. For this reason, the heat | fever which generate | occur | produced in the metal reflecting plate 802 can be more efficiently escaped outside via this heat dissipation sheet which consists of an electroconductive material excellent in heat dissipation, without producing problems, such as a short circuit. As the conductive material, it is desirable to use a graphite material that is particularly excellent in heat dissipation.

また、この導電性の放熱シートを上記筐体上で裏面電極とは絶縁がとれるように接地することで、金属反射板および金属反射板と電気的、熱的に接続されたLEDチップ701が塔載された実装面金属反射膜の電位が浮遊することがなく、LEDチップ701に不要なサージが入り、発光素子の故障や誤動作が起こるのを防ぐことができる。   In addition, by grounding the conductive heat radiation sheet on the housing so as to be insulated from the back electrode, the LED chip 701 electrically and thermally connected to the metal reflector and the metal reflector can be obtained. The potential of the mounted mounting surface metal reflective film does not float, and it is possible to prevent an unnecessary surge from entering the LED chip 701 and causing a failure or malfunction of the light emitting element.

なお、LEDチップを2つ備えた構成について説明したが、本実施形態は、これに限らず、図35に示す発光素子900bのように、LEDチップを4つ備えた構成にも適応することができる。   In addition, although the structure provided with two LED chips was demonstrated, this embodiment is applicable not only to this but to the structure provided with four LED chips like the light emitting element 900b shown in FIG. it can.

図21の構成において2つのLEDチップを直列接続する場合、図35の構成において2つのLEDチップを並列接続したLEDチップ群を直列に接続する場合、図36に示すように、2つのアイランド電極は、一方がアノード側、もう一方がカソード側というように異なる電位とするように、異なる裏面電極とそれぞれ電気的に接続されるように形成されている。一方、図21の構成において2つのLEDチップを並列接続した場合、図35の構成において、4つのLEDチップを並列接続した場合は、図37に示すように、2つのアイランド電極が同じ電位となる。この場合、2つのアイランド電極は、共に、一方の裏面電極に電気的に接続するように積層基板中の各層の導電部を配置して形成されている(図示しない)。   When two LED chips are connected in series in the configuration of FIG. 21, when two LED chips are connected in series in the configuration of FIG. 35, as shown in FIG. These are formed so as to be electrically connected to different backside electrodes so that one has an anode side and the other has a different potential such as a cathode side. On the other hand, when two LED chips are connected in parallel in the configuration of FIG. 21, when four LED chips are connected in parallel in the configuration of FIG. 35, the two island electrodes have the same potential as shown in FIG. . In this case, the two island electrodes are both formed by disposing conductive portions of respective layers in the laminated substrate so as to be electrically connected to one of the back electrodes (not shown).

このように、1つの発光素子内に複数のLEDチップを適宜配置し、塔載することで、素子の構成を大型化することなく、光出射強度を向上させることができる。なお、LEDチップの搭載数は、4つを上限とするものではなく、大きい素子基板を備えた構成では、LEDチップの搭載数を、さらに増やすことも可能である。   As described above, by appropriately arranging and mounting a plurality of LED chips in one light emitting element, the light emission intensity can be improved without increasing the size of the element. It should be noted that the number of LED chips mounted is not limited to an upper limit of 4, and the number of LED chips mounted can be further increased in a configuration including a large element substrate.

なお、LEDチップが塔載されている実装面金属反射膜820は、上記の携帯電話等の電子機器のアルミ等の金属からなる筐体400に実装する際に、導電性の放熱シートを通じて接地することで浮遊化することもなく、サージなどにより生じる発光素子の動作不良や故障を防ぐことができることを説明したが、このような手法を取らず、例えば、図32の積層基板の構成を、図21に示すように、LEDチップ501が塔載された実装面金属反射膜を外部電源のアノード、カソードと接続される第1、第2裏面電極とは絶縁された別の第3裏面電極に電気的、熱的に接続されるように積層基板の各層の導電部の配置をし、第3裏面電極をアノード、カソードとは絶縁された外部の接地端子と接続することでも、対策を講じることができる。さらに、この例では、第3裏面電極を通じてLEDチップ501の放熱特性がさらに改善できる。   The mounting surface metal reflective film 820 on which the LED chip is mounted is grounded through a conductive heat-dissipating sheet when mounted on the case 400 made of metal such as aluminum of the electronic device such as the mobile phone. Although it has been described that the malfunction and failure of the light emitting element caused by a surge or the like can be prevented without floating, the above technique is not taken. For example, the configuration of the multilayer substrate in FIG. As shown in FIG. 21, the mounting surface metal reflective film on which the LED chip 501 is mounted is electrically connected to another third back electrode that is insulated from the first and second back electrodes connected to the anode and cathode of the external power source. It is also possible to take measures by arranging the conductive portions of the respective layers of the multilayer substrate so that they are connected thermally and connecting the third back electrode to an external ground terminal insulated from the anode and cathode. it can. Furthermore, in this example, the heat dissipation characteristics of the LED chip 501 can be further improved through the third back electrode.

このことは、第4実施形態に示した図20、図32ないし35の実施例に対しても同様に適用できる。   This can be similarly applied to the examples of FIGS. 20 and 32 to 35 shown in the fourth embodiment.

以上のように、上述の各実施の形態で説明した本発明の発光素子は、光漏れが改善され光の出射効率が高く、放熱性にも優れているため、光出射面の近傍に配された導波板を備えたバックライトユニットに好適に用いることができる。   As described above, the light-emitting element of the present invention described in each of the above-described embodiments is arranged near the light emission surface because light leakage is improved, light emission efficiency is high, and heat dissipation is excellent. The present invention can be suitably used for a backlight unit having a waveguide plate.

すなわち、本発明の表示素子を備えることとで、光の利用効率が高く、長期の信頼性に優れたバックライトユニットを実現することができる。   That is, by including the display element of the present invention, a backlight unit with high light use efficiency and excellent long-term reliability can be realized.

〔第6実施形態〕
本発明のさらに他の実施の形態について図43および図44に基づいて説明すれば、以下の通りである。なお説明の便宜上、前記の実施の形態の図面に示した部材と同一の部材には同一の符号を付記し、その説明を省略する。
[Sixth Embodiment]
The following will describe still another embodiment of the present invention with reference to FIGS. 43 and 44. FIG. For convenience of explanation, the same members as those shown in the drawings of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.

前述の各実施形態では、絶縁部は、光反射フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有していた。これに対し、本実施の形態では、絶縁部全体に反射性フィラーが添加されている。   In each of the above-described embodiments, the insulating portion has a laminated structure in which a light-reflective filler-free resin layer that does not include a light-reflective filler and a light-reflective filler-added resin layer that includes a light-reflective filler are stacked. It was. On the other hand, in this Embodiment, the reflective filler is added to the whole insulating part.

図43は、本実施の形態に係る発光素子1000の断面図である。発光素子1000は、図2に示す発光素子500において、絶縁部509を絶縁部1009に置き換えた構成である。絶縁部1009は、絶縁部509と異なり、全体に光反射性フィラーが添加されている。これにより、絶縁部が積層構造を有している場合に比べ、製造コストを安く抑えることができる。   FIG. 43 is a cross-sectional view of light-emitting element 1000 according to this embodiment. The light-emitting element 1000 has a structure in which the insulating portion 509 is replaced with an insulating portion 1009 in the light-emitting element 500 illustrated in FIG. Unlike the insulating portion 509, the insulating portion 1009 is added with a light reflective filler. Thereby, compared with the case where the insulation part has a laminated structure, manufacturing cost can be held down cheaply.

光反射性フィラーとしては、光反射率の高い酸化アルミニウム、酸化珪素、二酸化チタン等を用いることができる。ここで、上述のように、光反射性フィラーとして、二酸化チタンを用いた場合、酸素の存在下、光触媒反応により、発光動作中に、金属反射板502や透光性封止体510、絶縁部1009を酸化させる危険性がある(酸素は、封止樹脂中を通過し、周辺部材に吸収され内在している大気、水分を源とする)。一方、酸化アルミニウム、酸化珪素等の他の反射性フィラーを用いた場合、上記の光触媒作用は生じないものの、酸化アルミニウム、酸化珪素は吸湿性がある。このため、透光性封止体510の封止工程で吸湿した大気、水分を、発光動作中に熱で蒸気化し、透光性封止体510の剥離させる危険性がある。   As the light reflective filler, aluminum oxide, silicon oxide, titanium dioxide or the like having high light reflectance can be used. Here, as described above, when titanium dioxide is used as the light-reflective filler, the metal reflector 502, the light-transmitting encapsulant 510, and the insulating portion are formed during the light emission operation by the photocatalytic reaction in the presence of oxygen. There is a risk of oxidation of 1009 (oxygen passes through the sealing resin and is absorbed by the peripheral members and contains air and moisture as a source). On the other hand, when other reflective fillers such as aluminum oxide and silicon oxide are used, the above photocatalytic action does not occur, but aluminum oxide and silicon oxide are hygroscopic. Therefore, there is a risk that the air and moisture absorbed in the sealing step of the translucent sealing body 510 are vaporized by heat during the light emitting operation and the translucent sealing body 510 is peeled off.

そこで、本実施の形態では、光反射性フィラーの添加量に制限を設けている。続いて、光反射性フィラーの添加量について説明する。   Therefore, in the present embodiment, there is a limit to the amount of light reflective filler added. Then, the addition amount of a light reflective filler is demonstrated.

図44は、絶縁部1009の可視光反射率と光反射性フィラーの添加量との関係を示すグラフである。絶縁部1009の反射率は、光反射性フィラーの添加量がα重量%のとき反射率β%で飽和状態となる。ここで、光反射性フィラーの添加量が少ないと、光が絶縁部1009を透過したり絶縁部1009に吸収されるので、反射率が下がる。光反射性フィラーの添加量がα重量%以下であると、添加量のばらつきにより、絶縁部1009の反射率の設定が難しくなる。したがって、光反射性フィラーの添加量はα重量%より多く設定する。   FIG. 44 is a graph showing the relationship between the visible light reflectance of the insulating portion 1009 and the addition amount of the light reflective filler. The reflectance of the insulating portion 1009 is saturated at a reflectance β% when the addition amount of the light reflective filler is α% by weight. Here, when the addition amount of the light reflective filler is small, light is transmitted through the insulating portion 1009 or absorbed by the insulating portion 1009, and thus the reflectance is lowered. When the addition amount of the light reflective filler is α% by weight or less, it becomes difficult to set the reflectance of the insulating portion 1009 due to the variation in the addition amount. Therefore, the addition amount of the light reflective filler is set to be more than α wt%.

光反射性フィラーの添加量が多すぎると、金属反射板502などの酸化や透光性封止体510の剥離が生じる危険があるので、光反射性フィラーの添加量はα重量%より多く、かつ、α重量%近傍に設定する。   If the amount of the light-reflective filler added is too large, there is a risk that oxidation of the metal reflector 502 or the like and peeling of the light-transmitting encapsulant 510 may occur, so the amount of light-reflective filler added is more than α% by weight, In addition, it is set in the vicinity of α wt%.

また、発光素子1000に対し高湿環境下で温度サイクル試験を行い、発光素子1000の熱膨張・熱収縮の影響および温度変化に対する耐久性を測定した。この温度サイクル試験では、30分かけて低温(−40℃)から高温(120℃)まで周囲温度を変化させるサイクルを1サイクルとし、このサイクルを1000サイクル繰り返した。   In addition, a temperature cycle test was performed on the light-emitting element 1000 in a high humidity environment, and the influence of thermal expansion / contraction of the light-emitting element 1000 and durability against temperature change were measured. In this temperature cycle test, a cycle in which the ambient temperature was changed from a low temperature (−40 ° C.) to a high temperature (120 ° C.) over 30 minutes was defined as one cycle, and this cycle was repeated 1000 times.

その結果、絶縁部1009に対する光反射性フィラーの添加量が多すぎると、クラックが発生しやすいことが分かった。具体的には、光反射性フィラーの添加量が30%(樹脂70%)の場合は、クラックの発生が確認されなかったが、光反射性フィラーの添加量が36%(樹脂64%)の場合は、クラックの発生が確認された。なお、この試験では、光反射性フィラーとして二酸化チタンを使用し、絶縁部1009には、熱膨張係数調整のためシリカを添加し、シリカの一部と二酸化チタンとを置き換えている。   As a result, it was found that if the amount of the light reflective filler added to the insulating portion 1009 is too large, cracks are likely to occur. Specifically, when the addition amount of the light reflective filler was 30% (resin 70%), the occurrence of cracks was not confirmed, but the addition amount of the light reflective filler was 36% (resin 64%). In the case, occurrence of cracks was confirmed. In this test, titanium dioxide is used as a light-reflective filler, and silica is added to the insulating portion 1009 to adjust the thermal expansion coefficient, and a part of the silica and titanium dioxide are replaced.

そこで、本実施の形態においては、光反射性フィラーの添加量の上限を30重量%以下に設定している。すなわち、光反射性フィラーの添加量をAとすると、α<A≦30に設定している。   Therefore, in the present embodiment, the upper limit of the addition amount of the light reflective filler is set to 30% by weight or less. That is, when the addition amount of the light reflective filler is A, α <A ≦ 30 is set.

以上のように、絶縁部1009全体に光反射性フィラーを添加した場合、光反射性フィラーの添加量に制限を設けることで、金属反射板502などの酸化や透光性封止体510の剥離といった弊害、および発光素子1000でのクラック発生を回避しつつ、光利用効率を高めることができる。   As described above, when the light reflective filler is added to the entire insulating portion 1009, by limiting the amount of the light reflective filler added, oxidation of the metal reflector 502 or the like and peeling of the translucent sealing body 510 are performed. The light utilization efficiency can be improved while avoiding the above-described adverse effects and the occurrence of cracks in the light-emitting element 1000.

〔実施形態の総括〕
なお、本発明は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
[Summary of Embodiment]
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope of the claims, and the technical means disclosed in different embodiments can be appropriately combined. Such embodiments are also included in the technical scope of the present invention.

第1実施形態の発光素子の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting element of a 1st embodiment. 第1実施形態の発光素子の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting element of 1st Embodiment. (a)〜(h)は、第1実施形態の発光素子の金属反射板および積層基板の構成図である。(A)-(h) is a block diagram of the metal reflecting plate and laminated substrate of the light emitting element of 1st Embodiment. 第1実施形態の発光素子の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting element of a 1st embodiment. 第1実施形態の発光素子の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting element of a 1st embodiment. 第2実施形態の発光素子の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第2実施形態の発光素子の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting element of 2nd Embodiment. (a)〜(f)は、第2実施形態の発光素子の金属反射板および積層基板の構成図である。(A)-(f) is a block diagram of the metal reflecting plate and laminated substrate of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第2実施形態の発光素子の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第2実施形態の発光素子の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第2実施形態の発光素子の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第2実施形態の発光素子の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第2実施形態の発光素子の斜視図である。It is a perspective view of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第2実施形態の発光素子の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting element of 2nd Embodiment. 従来の発光素子の断面図である。It is sectional drawing of the conventional light emitting element. 図26に示した発光素子のI−I矢視平面図である。FIG. 27 is a plan view of the light emitting device shown in FIG. 第3実施形態の発光素子の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting element of 3rd Embodiment. 第3実施形態の発光素子を、電子機器の筐体に実装した状態を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the state which mounted the light emitting element of 3rd Embodiment in the housing | casing of an electronic device. 第4実施形態の発光素子の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting element of 4th Embodiment. 第4実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 4th Embodiment. 第5実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 5th Embodiment. (a)〜(f)は、第5実施形態の発光素子の金属反射板および積層基板の構成図である。(A)-(f) is a block diagram of the metal reflecting plate and laminated substrate of the light emitting element of 5th Embodiment. 第2実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第2実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第2実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第2実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 2nd Embodiment. 第3実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 3rd Embodiment. 第3実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 3rd Embodiment. 第3および第4実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of the electric potential of the light emitting element of 3rd and 4th embodiment. 第3実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of the electric potential of the light emitting element of 3rd Embodiment. 第3実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of the electric potential of the light emitting element of 3rd Embodiment. 第4実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 4th Embodiment. 第4実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 4th Embodiment. 第4実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 4th Embodiment. 第5実施形態の発光素子の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the light emitting element of 5th Embodiment. 第5実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of the electric potential of the light emitting element of 5th Embodiment. 第5実施形態の発光素子の電位の例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of the electric potential of the light emitting element of 5th Embodiment. 第1実施形態の発光素子の絶縁部の形成工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the formation process of the insulation part of the light emitting element of 1st Embodiment. 第1実施形態の発光素子の絶縁部の形成工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the formation process of the insulation part of the light emitting element of 1st Embodiment. 第1実施形態の発光素子の研磨後の絶縁部の断面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the cross section of the insulating part after grinding | polishing of the light emitting element of 1st Embodiment. 図40に示す発光素子の部分拡大断面を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the partial expanded cross section of the light emitting element shown in FIG. 従来の側面発光型LEDの斜視図である。It is a perspective view of the conventional side light emission type LED. 第6実施形態の発光素子の断面図である。It is sectional drawing of the light emitting element of 6th Embodiment. 絶縁部の可視光反射率と光反射性フィラーの添加量との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the visible light reflectance of an insulation part, and the addition amount of a light reflective filler.

500 発光素子
501 LEDチップ
501a 発光面
502 金属反射板
502a 表面
506 積層基板
507 ダイボンドエリア・電極共通部(第1金属部・実装面金属反射膜)
508 アイランド電極(第2金属部)
509 絶縁部
509a Cu箔
509b 二酸化チタン無添加樹脂層(光反射性フィラー無添加樹脂層)
509c 二酸化チタン添加樹脂層(光反射性フィラー添加樹脂層)
509d 積層構造
509e 導電層(Cuポスト層)
510 透光性封止体
513 光出射面
515,516 貫通孔
518,519 裏面電極(第1・第2裏面電極)
530 金属板
600 発光素子
606 積層基板
607 ダイボンドエリア・電極共通部(第1金属部・実装面金属反射膜)
608 アイランド電極(第2金属部)
609 絶縁リング(絶縁部)
631〜634 導電部
711,712 外部接合電極
751 一体型外部接合電極
700 発光素子
701 LEDチップ
702 金属反射板
707 第1アイランド電極(第1金属部)
708 第2アイランド電極(第2金属部)
709a 第1絶縁部
709b 第2絶縁部
720 実装面金属反射膜
733, 734 導電部
740 放熱シート
800 発光素子
802 金属反射板
807 第1アイランド電極(第1金属部)
808 第2アイランド電極(第2金属部)
809a 第1絶縁部
809b 第2絶縁部
900 発光素子
901 LEDチップ(第2LEDチップ)
908 第3金属部
909c 第3絶縁部
920 実装面金属反射膜
1000 発光素子
1009 絶縁部
500 Light-Emitting Element 501 LED Chip 501a Light-Emitting Surface 502 Metal Reflecting Plate 502a Surface 506 Multilayer Substrate 507 Die Bond Area / Electrode Common Portion (First Metal Portion / Mounting Surface Metal Reflecting Film)
508 Island electrode (second metal part)
509 Insulating part 509a Cu foil 509b Titanium dioxide additive-free resin layer (light-reflective filler-free resin layer)
509c Titanium dioxide-added resin layer (light-reflective filler-added resin layer)
509d Laminated structure 509e Conductive layer (Cu post layer)
510 Translucent sealing body 513 Light emission surface 515,516 Through-hole 518,519 Back electrode (1st, 2nd back electrode)
530 Metal plate 600 Light-emitting element 606 Multilayer substrate 607 Die bond area / electrode common part (first metal part / mounting surface metal reflective film)
608 Island electrode (second metal part)
609 Insulating ring (insulating part)
631 to 634 Conductive portions 711 and 712 External bonding electrode 751 Integrated external bonding electrode 700 Light emitting element 701 LED chip 702 Metal reflector 707 First island electrode (first metal portion)
708 Second island electrode (second metal part)
709a First insulating portion 709b Second insulating portion 720 Mounting surface metal reflective film 733, 734 Conductive portion 740 Heat dissipation sheet 800 Light emitting element 802 Metal reflector 807 First island electrode (first metal portion)
808 Second island electrode (second metal part)
809a First insulating portion 809b Second insulating portion 900 Light emitting element 901 LED chip (second LED chip)
908 Third metal portion 909c Third insulating portion 920 Mounting surface metal reflective film 1000 Light emitting element 1009 Insulating portion

Claims (1)

基板の実装面に形成され実装面金属反射膜としての第1金属部と、
上記第1金属部と絶縁部により電気的に絶縁され、上記実装面に形成される少なくとも1つの第2金属部と、
上記第1金属部上に実装され、かつ、一方の電極が上記第1金属部に電気的に接続され、他方の電極が上記第2金属部に電気的に接続されるLEDチップと、
上記実装面を囲むように、上記第1金属部と一体化して形成され、上記LEDチップからの出射光を反射して、光出射方向に設けられた光出射面へと導く金属反射板と、
上記基板と上記金属反射板とで囲まれる領域を充填し、上記LEDチップを封止するように形成された透光性封止体とを備え、
上記絶縁部が、光入射側から、光反射性フィラーを含まない光反射性フィラー無添加樹脂層と、上記光反射性フィラーを含む光反射性フィラー添加樹脂層とが積層された積層構造を有し、上記金属反射板に囲まれた領域内で、上記第2金属部の周囲を囲むように形成され、上記光反射性フィラー添加樹脂層は、上記光反射性フィラー無添加樹脂層に覆われ、大気に露出していないことを特徴とする発光素子。
A first metal portion formed on the mounting surface of the substrate as a mounting surface metal reflective film;
At least one second metal part electrically insulated by the first metal part and the insulating part and formed on the mounting surface;
An LED chip mounted on the first metal part and having one electrode electrically connected to the first metal part and the other electrode electrically connected to the second metal part;
A metal reflector formed integrally with the first metal part so as to surround the mounting surface, reflects the emitted light from the LED chip, and guides it to a light emitting surface provided in the light emitting direction;
A region surrounded by the substrate and the metal reflector is filled, and a light-transmitting sealing body formed so as to seal the LED chip is provided.
The insulating portion has a laminated structure in which a light-reflective filler-free resin layer that does not contain a light-reflective filler and a light-reflective filler-added resin layer that contains the light-reflective filler are laminated from the light incident side. The light-reflecting filler-added resin layer is covered with the light-reflecting filler-free resin layer. The light-reflecting filler-added resin layer is formed so as to surround the second metal portion in a region surrounded by the metal reflecting plate. A light emitting element which is not exposed to the atmosphere .
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