JP5367828B2 - 周波数発生技術 - Google Patents

Description

本発明は、周波数の発生に関する。

チューナ、送信機、アップコンバータ、ダウンコンバータ等のような多くの装置は、正確な周波数を有する発振器信号の発生を必要としている。（電圧制御発振器（VCO）を典型的に含む）シンセンサイザは、所望の周波数で出力信号を生成する。たとえば、フラクショナルN（fractional-N）シンセサイザは、基準周波数の整数に基準周波数の分数部分をプラスしたものとして表現される周波数を有する出力信号を発生する。基準周波数は、水晶発振子により典型的に供給される。係るフラクショナルNシンセンサイザは、低い位相雑音のパフォーマンスを達成する能力と同様に、非常に細かい周波数ステップを生成する能力のために採用されることがある。

しかし、（VCO、基準水晶発振子及び他のロジックが１つのダイ（die）に実現されるときのような）特定の状況においては、望まれない相互作用が所望の周波数からのオフセット周波数で「はずみ（spurs）」を生じさせる可能性がある。このオフセット周波数は、典型的に、VCO周波数と水晶発振子の基準周波数に最も近い高調波との間の差である。

これらのはずみは、インテジャーN（integer-N）シンセサイザは所望の周波数で調整されるので、インテジャーNシンセサイザに関連する問題ではない。しかし、フラクショナルNシンセンサイザでは、VCOの周波数は、水晶発振子の周波数の高調波から僅かにずれる可能性がある。
US 2008-0164917 A1 (FLOYD BRIAN A. et al.) 10 July 2008 US 2002-0136342 A1 (JEONGWOO LEE et al.) 26 September 2002 US 2003-0198311 A1 (BANG-SUP SONG et all.) 23 October 2003 EP 1248395 B1 (Tektronix, Inc.) 28 November 2007

典型的に、係るはずみのレベルは、オフセット周波数の増加に伴ってオクターブ当たり6dBだけ低下する。従って、典型的なシステムでは、係るはずみは、ひとたびオフセットが特定の閾値（たとえば50kHz）を超えると十分に減衰される。しかし、必要とされる合成された周波数が水晶発振子の周波数の高調波に近い場合、はずみが干渉及び性能低下のような問題を提示する場合がある。

図面において、同じ参照符号は、同一のエレメント、機能的に類似したエレメント及び／又は構造的に類似したエレメントを示す。あるエレメントが最初に登場した図面の番号は、参照符号における最も左の桁に示される。本発明は、添付図面を参照して詳細に記載される。
本発明の装置を例示するブロック図である。 本発明の発振器モジュールの実現を例示する図である。 本発明のシンセサイザモジュールの実現を例示する図である。 本発明の制御モジュールを例示する図である。 本発明のロジックフローを例示する図である。 本発明のシステムを例示する図である。

本発明の実施の形態は、特定の周波数で信号を発生する技術を提供するものである。たとえば、本実施の形態は、シンセンサイザにおける望まれないスプリアスの出力を低減するものである。これは、周波数の逓倍率の値と第一の周波数の値（たとえば水晶発振子の周波数）とのどのような組み合わせが、低減されたスプリアス出力を有する所望の出力周波数を達成するか、に関する事前情報を通して達成される場合がある。従って、本実施の形態は、優れたパフォーマンスを達成する更にシンプルなシンセンサイザの実現を有利にも可能にする場合がある。

例として、装置は、発振器モジュール、シンセンサイザモジュール及び制御モジュールを含む場合がある。発振器モジュールは、第一の周波数を有する発振器信号を生成する。発振器信号から、シンセンサイザモジュールは、第二の周波数を有する出力信号を生成する。周波数の逓倍率は、第一及び第二の周波数に対応する。制御モジュールは、第二の周波数と第一の周波数に最も近い整数倍の周波数との間の差が予め決定された閾値よりも大きくなるように、第一の周波数と周波数の逓倍率を選択する。しかし、本実施の形態は、この例示的な装置に限定されるものではない。

「１実施の形態」又は「実施の形態」に対する本明細書を通しての参照は、本実施の形態と共に記載される特定の特徴、構造又は特性が本発明の少なくとも１つの実施の形態に含まれることを意味する。従って、本明細書を通して様々な位置における記載「１実施の形態では」又は「実施の形態では」の出現は、必ずしも、同じ実施の形態を全て示すものではない。さらに、特定の特徴、構造又は特性は、１以上の実施の形態において適切なやり方で結合される場合がある。

図１は、様々な周波数発生技術が採用される場合がある装置１００を例示する図である。図１に示されるように、本装置１００は、発振器モジュール１０２、シンセサイザモジュール１０４及び制御モジュール１０６を含む。これらのエレメントは、ハードウェア、ソフトウェア又はこれらの組み合わせで実現される。

図１は、発振器モジュール１０２がトリミングモジュール１０８及び発振回路１１０を含むことを示す。発振回路１１０は、発振器信号１２０を発生する。実施の形態では、発振器信号１２０は、トリミングモジュール１０８の設定と同様に、発振回路１１０の特性に基づいた周波数を有する。図１は、これらの設定がトリミング命令１２８の形式で制御モジュール１０６から受信されることを示す。発振器モジュール１０２の実現に関する更なる詳細は、図２を参照して以下に提供される。

図１に示されるように、発振信号１２０は、シンセンサイザモジュール１０４に送出される。次いで、シンセンサイザモジュール１０４は、所望の周波数で出力信号１２２を発生する。この所望の周波数（出力周波数とも呼ばれる）は、発振器信号１２０の周波数（基準周波数とも呼ばれる）と、シンセサイザモジュール１０４が制御モジュール１０６から受ける制御命令１２６とにより決定される。

実施の形態では、発振器信号１２０の周波数は、1MHz〜40MHｚの範囲にある。また、出力信号１２２の周波数は、2GHz〜8GHzの範囲にある。しかし、実施の形態は、これらの周波数範囲に限定されるものではない。

シンセンサイザモジュール１０４は、フラクショナルNの合成機能を提供する。係る機能は、基準周波数の整数倍の周波数に基準周波数の分数部分をプラスした周波数となる、出力信号１２２の周波数を提供する。この関係は、式（１）において以下に表現される。

式（１）において、ｆ₁は基準周波数を表し、ｆ₂は出力周波数を表し、N，k及びMは整数である。より詳細には、Nはｆ₁の整数の倍数を表し、ｋ/Mは、ｆ₁の分数部分を表す。さらに、Mは、シンセンサイザモジュール１０４により提供される分数の量である。

図１は、制御モジュール１０６が周波数命令１２４を受けることを示しており、この周波数命令は、出力信号１２２の所望の周波数を指定する。この命令に基づいて、制御モジュール１０６は、（シンセンサイザモジュール１０４に送出される）制御命令１２６、及び（発振器モジュール１０２におけるトリミングモジュール１０８に送出される）トリミング命令１２８を発生する。

制御命令１２６は、（たとえば非整数の、フラクショナルNの比率といった）ある比率をシンセサイザモジュール１０４に与える。実施の形態では、制御命令１２６は、多ビットを含むデジタルワードとして実現される。しかし、他の実現が採用される場合がある。

トリミング命令１２８は、発振器回路１１０のチューニングが変更されるように「調整」又は生じさせる。たとえば、トリミング命令１２８は、複数の制御信号を含む場合がある。これらの制御信号のそれぞれは、（たとえば１以上のキャパシタといった）１以上の素子を発振回路１１０に結合する。この結合は、トランジスタのようなスイッチング素子を通して提供される。しかし、（他の機械的及び／又は電子的な）他のスイッチ素子が代替的に採用される場合がある。代替的又は付加的に、トリミング命令１２８は、トリミングモジュール１０８における可変のリアクタンス又はリアクタンス負荷を調節して、発振器回路１１０を調節する。

一般的な動作では、制御モジュール１０６は、周波数命令１２４を受ける。この命令に基づいて、制御モジュール１０６は、制御命令１２６及びトリミング命令１２８を発生する。たとえば、制御モジュール１０６は、出力周波数（すなわち出力信号１２２の周波数）と基準周波数（すなわち発振器信号１２０の周波数）に最も近い整数倍の周波数との間の差が予め決定された閾値よりも大きくなるように命令１２６及び１２８を選択する。従って、本実施の形態は、出力周波数からのはずみのオフセットを有利にも制御する。

20MHzの基準周波数と799.99MHzの所望の出力信号の周波数とを含む例が提供される。このアレンジメントは、399.9995の周波数の逓倍率を必要とする。さらに、このアレンジメントによれば、所望の周波数は、10kHzだけ基準周波数の第40高調波からずれる。基準周波数を1.5kHzだけ調節して19.9985MHzにすることで、その第40高調はは、799.94MHzになる。これは、50kHZだけ所望の周波数からずれる。このより大きなオフセットは、望まれる場合がある、より低いはずみのレベルを提供する。基準周波数を1.5kHzだけ削減することで、（75ppm）、周波数の逓倍率は、所望の出力信号周波数を達成するために40.00250019になる。

図２は、発振器モジュール１０２の例示的な実現２００を示す図である。この実現は、限定するものではなく、例示するために示される。従って、本実施の形態は、他の実現を採用する場合がある。図２では、発振器モジュール１０２の発振回路１１０は、コルピッツ水晶発振子として実現される。特に、図２は、発振回路１１０がクリスタル（XTAL）、キャパシタC3、キャパシタC4、トランジスタM3及び直流電流源（IDC）を含むことを示す。M3は、動作電圧Ｖddを提供するノードに結合される。図２に示されるように、出力ノードNoは、出力信号１２０を生成する。この実現は、限定するものではなく、例示するために示される。たとえば、XTALを採用する代わりに、（セラミック共振器、又はマイクロマシン（MEM）エレメントのような）他のエレメントが採用される場合がある。

トリミングモジュール１０８は、１以上のリアクタンス素子を含む場合がある。たとえば、図２は、トリミングモジュール１０８がキャパシタとトランジスタの複数のペアを含む場合があり、その場合、それぞれのペアは、発振回路１１０のクリスタル（XTAL）と並列に配置される。たとえば、図２は、トランジスタM2と直列のキャパシタC2と同様に、トランジスタM1と直列のキャパシタC1を示す。２つのペアが示されているが、任意の数のペアが採用される場合がある。

（図１における制御モジュール１０６から受信される）制御信号２２０ａ及び２２０ｂは、トランジスタM1及びM2をそれぞれ選択的にオンにする。結果として、キャパシタC1及び／又はC2は、それぞれ、発振回路１１０のクリスタル（XTAL）に並列になるように選択的に導入される。係る導入により、発振回路１１０の共振が変化する。次いで、これにより、発振器信号１２０の周波数が変化（低下又は削減）される。従って、図１を参照して、制御信号２２０ａ及び２２０ｂは、トリミング命令１２８に含まれる場合がある。

代替的又は付加的に、トリミングモジュール１０８は、可変のリアクタンスを有する１以上の素子を含む。係る素子の例は、バラクタ、可変インダクタ等を含む。発振回路１１０の共振を調節するため、係る可変のリアクタンスは、XTALに並列に導入されるか、及び／又はトリミング命令１２８に含まれる制御信号に基づいて調節される。

実施の形態では、トリミングは、de-Q発振回路１１０である場合がある。しかし、最適な振幅を維持するために自動レベル回路（ALC）を通して、この効果を補償することが達成される。たとえば、図２は、発振回路１１０が発振回路の振幅１２０を維持するALC２０２を含むことが示される。図２に示されるように、ALC２０２は、発振器信号１２０から電流源IDCへのフィードバックを提供する。

実現２００では、キャパシタC1及び／又はC2を発振回路１１０のXTALに結合するためにトランジスタが採用されるが、（たとえば電子的及び／又は機械的なスイッチ素子といった）他のスイッチ素子が採用される場合がある。

上述されたように、シンセサイザモジュール１０４は、（基準周波数での）発振器信号１２０を（出力周波数での）出力信号１２２に変換する。図３は、シンセサイザモジュール１０４の例示的な実現３００を示す図である。この実現は、限定するものではなく、例示のために示される。従って、本実施の形態が他の実現を採用する場合もある。

実現３００は、位相ロックループ（PLL）として構成される。図３に示されるように、実現３００は、位相−周波数検出器３０２、電荷ポンプ３０４、ロウパスフィルタ３０６、電圧制御発振器（VCO）３０８及び分周器３１０を含む。これらのエレメントは、ハードウェア、ソフトウェア或いは任意の結合で実現される場合がある。

位相−周波数検出器３０２は、発振器信号１２０とフィードバック信号３２０との間の周波数の差を検出する。この検出に基づいて、位相−周波数検出器３０２は、周波数の差を表す信号を生成する。この信号は、電荷ポンプに送出される。次いで、電荷ポンプ３０４は、対応する信号を生成し、この信号は、ロウパスフィルタ３０６に送出される。この信号から、ロウパスフィルタ３０６は、電圧制御発振器（VCO）に送出されるフィルタリングされた信号を出力する。結果として、VCO３０８は、所望の出力周波数で信号３２２を生成する。より詳細には、フィルタリングされた信号をVCO３０８に印加することで、PLLが「ロック」される。このロックにより、信号３２０の平均周波数は、一定の平均の位相オフセットにより、基準信号１２０の周波数と整合する。

図３に示されるように、信号３５２は、出力信号１２２を生成するように、出力増幅器３１２により増幅される。さらに、信号３２２は、分周器３１０に送出される。

分周器３１０は、信号３２２の周波数を分周する。この分周は、フィードバック信号３２０を生成し、このフィードバック信号は、位相−周波数検出器３０２に送出される。この分周において採用される約数は、制御ワード３２４として分周器３１０に供給される。図１の環境では、制御ワード３２４は、制御命令１２６に対応する。

本実施の形態では、分周器３１０は、制御ワード３２４により指定されるやり方で、フラクショナルNの分周を実行する場合がある。上述されたように、信号３２２の周波数が、フィードバック信号３２０の周波数の整数倍の周波数に、フィードバック信号３２０の周波数の分数部分を加えたものとなるように、フラクショナルNの分周は、整数部分と分数部分とからなる値により信号３２２の周波数を分周する。従って、分周器３１０は、係るフラクショナルNの分周機能を提供するため、シグマ−デルタ技術により実現される。しかし、本実施の形態は、係る技術に限定されるものではない。

図４は、制御モジュール１０６の例示的な実現４００を示す図である。この実現は、限定されるものではなく、例示するために示される。従って、本実施の形態は、他の実施の形態を採用する場合がある。図４に示されるように、実現４００は、記憶媒体４０２、アドレス指定モジュール４０４、トリミング命令発生モジュール４０６、及び制御命令発生モジュール４０８を含む。これらのエレメントは、ハードウェア、ソフトウェア又はこれらの組み合わせで実現される場合がある。

（たとえばメモリである）記憶媒体４０２は、ルックアップテーブル（LUT）を提供する。このルックアップテーブルは、周波数命令１２４の値のために、制御命令１２６及びトリミング命令１２８の値を記憶する。記憶媒体４０２は、様々なやり方で実現される場合がある。たとえば、記憶媒体４０２は、リードオンリメモリ（ROM）、ランダムアクセスメモリ（RAM）、ダイナミックRAM（DRAM）、ダブルデータレートDRAM（DDRAM）、同期DRAM（SDRAM）、スタティックRAM（SRAM）、プログラマブルRAM（PROM）、消去可能なプログラマブルRAM（EPROM）、電子的消去可能なプログラマブルROM（EEPROM）、フラッシュメモリ、強誘電体高分子メモリのような高分子メモリ、オーボニックメモリ、相変化型又は強誘電体メモリ、SONOS（Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon）メモリ、磁気又は光カード、或いは、情報を記憶するために適切な他のタイプのメディアを含む。しかし、本実施の形態は、これらの例に限定されるものではない。

図４に示されるように、アドレス指定モジュール４０４は、周波数命令１２４を受信する。これにより、アドレス指定モジュール４０４は、周波数命令１２４の値に対応するアドレス４２０を生成する。このアドレスにより、記憶媒体４０２の内容４２２がアクセスされる。

これらアクセスされる内容は、制御命令１２６及びトリミング命令１２８の値を提供する。これらの値は、周波数命令１２４により指定される出力信号１２２（図１参照）の周波数を達成する。さらに、本実施の形態では、制御命令１２６及びトリミング命令１２８の値は、出力周波数（すなわち図１を参照して出力信号１２２の周波数）と、基準周波数（すなわち図１を参照して発振器信号１２０の周波数）に最も近い整数倍の周波数との間の差が、予め決定された閾値よりも大きいように設定される。

図４は、内容４２２がトリミング命令発生モジュール４０６と制御命令発生モジュール４０８とに送出される。これにより、トリミング命令発生モジュール４０６と制御命令発生モジュール４０８は、トリミング命令１２８と制御命令１２６をそれぞれ発生する。これは、たとえば、内容４２２により表される数値から（たとえば図２を参照して信号２２０ａ〜ｂ及び／又は図３を参照して制御ワード３２４といった）個別の信号を発生することを含む場合がある。

図５は、例示的なロジックフロー５００を示す図である。このフローは図１の環境において記載されるが、他の環境において採用される場合がある。図５のフローは、ブロック５０２を含んでおり、このブロックで、（たとえば図１の出力信号１２２の周波数といった）指定された出力周波数が受信される。従って、図１の環境では、これは、周波数命令１２４を受信する制御モジュール１０６を含む場合がある。

指定された出力周波数に基づいて、ブロック５０４及び５０６が実行される。特に、基準周波数は、ブロック５０４で選択され、分周器は、ブロック５０６で選択される。図１を参照して、基準周波数を選択することは、トリミング命令１２８の生成を通して発振回路１１０を調節することを含む。また、図１を参照して、分周器を選択することは、制御命令１２６を発生することを含む場合がある。

これらの選択に基づいて、ブロック５０８及び５１０が実行される。たとえばブロック５０８で、発振器が調節される。図１を参照して、これは、発振回路１１０を調節することを含む。たとえば１以上のキャパシタンスが水晶発振子に結合される。

ブロック５１０で、シンセサイザが調節される。図１の環境において、これは、制御命令１２６をシンセサイザモジュールに送出することを含む。また、これは、PLLを調節することを含む。たとえば、PLLにおけるフィードバック部分における分周器は、ブロック５０８で選択された周波数の逓倍率に従って設定される場合がある。

ブロック５１２で、（たとえば発振器信号１２０といった）基準周波数での第一の信号が発生される。また、ブロック５１４で、（たとえば出力信号１２２といった）第二の信号が第一の信号から生成される。第二の信号は、指定された周波数をもつ。さらに、指定された周波数は、周波数の逓倍率に基準周波数を乗じた周波数に実質的に等しい。

本実施の形態で記載されるように、基準周波数は、ブロック５０４で選択され、周波数の逓倍率は、ブロック５０６で選択される。周波数の逓倍率は、先の式（１）に従ってフラクショナルNの逓倍率である。従って、逓倍率は、整数部分（N）と分数部分（k/M）とを有する。ブロック５０６で周波数の逓倍率を選択することは、その非整数の（分数）部分が予め決定された閾値よりも大きくなるように、逓倍率を選択することを含む。

図６は、例示的なシステム６００の図であり、このシステムは、ダウンコンバータ６０２、フィルタ６０４、復調器６０６及び周波数決定モジュール６０８を含む。また、システム６００は、図１の装置１００（チューニングモジュールとも呼ばれる）を含む。これらのエレメントは、ハードウェア、ソフトウェア又はこれらの組み合わせで実現される場合がある。

図６に示されるように、ダウンコンバータ６０２は、無線周波（RF）信号６２０を受信する。RF信号６２０は、有線又は無線通信媒体から受信される。この信号から、ダウンコンバータ６０２は、低周波の範囲にあるダウンコンバートされた信号６２２を生成する。ダウンコンバータ６０２により実行されたダウンコンバージョン（又は周波数変換）の量は、チューニング信号６２４に基づく。

図６に示されるように、ダウンコンバータ６０２は、装置１００（チューニングモジュール）からチューニング信号６２４を受信する。従って、チューニング信号６２４は、上述された技術に従って周波数命令１２４から発生される周波数を有する。従って、図１を参照して、チューニング信号６２４は、出力信号１２２に対応する。

フィルタ６０４は、ダウンコンバートされた信号６２２を受信し、フィルタリングされた信号６２６を生成し、このフィルタリングされた信号は、復調器６０６に送出される。本実施の形態では、フィルタ６０４は、バンドパスフィルタである。しかし、（たとえばロウパスフィルタといった）他のフィルタタイプが採用される場合がある。フィルタ６０４は、通過帯域を有する。従って、この通過帯域外にある信号エネルギーは阻止される。

従って、ダウンコンバータ６０２がその通過帯域について正確に同調されることが望まれる。本実施の形態で記載される技術は、低減されたスプリアスの出力をもつ正確な周波数合成を提供する。係るスプリアスの出力における低減により、ダウンコンバータ６０２は、RF信号６２０を正確にダウンコンバートすることができる。

復調器６０６は、フィルタリングされた信号６２６を（たとえばデジタルシンボルストリームといった）情報系列に変換する。この変換は、１以上の復調技術に従う場合がある。

図６に示されるように、周波数決定モジュール６０８は、周波数命令１２４を発生する。この発生は、復調器６０６０から受信されたフィードバック信号６２７と同様に、周波数選択６２５に基づいている。周波数選択６２５は、ユーザから受信されたチューニング信号（又はチューニング情報）である場合がある。フィードバック信号６２７は、チューニング選択６２５への調節を与える場合がある。

調節は、復調器６０６０により提供される自動周波数制御（AFC）機能に基づく場合がある。特に、復調器６０６は、フィルタリングされた信号６２６における周波数誤差を検出する。係る誤差は、様々な発生源から生じる場合がある。１つの係る発生源は、発振器モジュール１０２における水晶の許容誤差により生じる基準周波数の誤差である場合がある。別の係るソースは、（たとえばドップラ効果による）RF入力周波数のシフトである場合がある。

係る誤差の検出に応じて、復調器６０６は、周波数の選択６２５を補償するフィードバック信号６２７を発生する場合がある。結果として、周波数命令１２４は、周波数選択６２５及びフィードバック信号６２７に基づく。

本実施の形態で記載されるように、様々な実施の形態は、ハードウェアエレメント、ソフトウェアエレメント、又はこれらの任意の組み合わせを使用して実現される。ハードウェアエレメントの例は、プロセッサ、マイクロプロセッサ、回路、回路エレメント（たとえばトランジスタ、抵抗、キャパシタ、インダクタ等）、集積回路、特定用途向け集積回路（ASIC）、プログラマブルロジックデバイス（PLD）、デジタルシグナルプロセッサ（DSP）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（FPGA）、論理ゲート、レジスタ、半導体素子、チップ、マイクロチップ、チップセット等を含む場合がある。

ソフトウェアの例は、ソフトウェアコンポーネント、プログラム、アプリケーション、コンピュータプログラム、アプリケーションプログラム、システムプログラム、マシンプログラム、オペレーティングシステムソフトウェア、ミドルウェア、ファームウェア、ソフトウェアモジュール、ルーチン、サブルーチン、機能、方法、手順、ソフトウェアインタフェース、アプリケーションプログラムインタフェース（API）、命令セット、コンピューティングコード、コンピュータコード、コードセグメント、コンピュータコードセグメント、ワード、値、シンボル又はこれらの任意の組み合わせを含む。

幾つかの実施の形態は、たとえば、コンピュータ読み取り可能な記録媒体又はアーティクルを使用して実現され、この記録媒体又はアーティクルは、コンピュータにより実行されたときに、コンピュータに、本実施の形態に係る方法及び／又は動作を実行させる命令のセットを記憶する場合がある。係るコンピュータとは、たとえば任意の適切な処理プラットフォーム、コンピューティングプラットフォーム、コンピューティングデバイス、プロセッシングデバイス、コンピューティングシステム、プロセッシングシステム、コンピュータ、プロセッサ等を含む場合があり、ハードウェア及び／又はソフトウェアの任意の適切な組み合わせを使用して実現される場合がある。

コンピュータ読み取り可能な記録媒体又はアーティクルは、任意の適切なタイプのメモリユニット、メモリデバイス、メモリアーティクル、メモリメディア、ストレージデバイス、ストレージアーティクル、ストレージメディア及び／又はストレージユニットを含む場合があり、たとえば、メモリ、取り外し可能又は取り外し不可能なメディア、消去可能な又は消去不可能なメディア、書換え可能又は書換え不可能なメディア、デジタル又はアナログメディア、ハードディスク、フロプティカルディスク、コンパクトディスク・リードオンリメモリ（CD-ROM）、コンパクトディスク・レコーダブル（CD-R）、コンパクトディスク・リライタブル（CD-RW）、光ディスク、磁気メディア、光−磁気メディア、取り外し可能なメモリカード又はディスク、各種のタイプのデジタルバーサティルディスク（DVD）、テープ、カセット等を含む場合がある。命令は、任意の適切な高水準、低水準、オブジェクト指向、ビジュアル、翻訳及び／又は解釈されたプログラミング言語を使用して実現される、ソースコード、コンパイルされたコード、翻訳されたコード、解釈されたコード、実行可能なコード、スタティックコード、ダイナミックコード、暗号化コード等の適切なタイプのコードを含む場合がある。

本発明の様々な実施の形態が上述されたが、これらは例示するためのものであって、限定されるものではないことを理解されたい。

従って、本発明の精神及び範囲から逸脱することなしに、形式及び詳細において様々な変形が行われることが当業者にとって明らかであろう。このように、本発明の精神及び範囲は、上述された例示的な実施の形態に何れかにより限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及びそれらの等価な概念に従ってのみ定義されるべきである。

Claims (20)

1. 第一の周波数を有する発振器信号を生成する発振器モジュールと、
   前記発振器信号から、第二の周波数を有する出力信号を生成するシンセサイザと、周波数の逓倍率は、前記第一の周波数と前記第二の周波数とに対応し、
   前記第二の周波数と、前記第一の周波数に最も近い整数の倍数の周波数との間の差が予め決定された閾値よりも大きくなるように、前記第一の周波数と前記周波数の逓倍率とを選択する制御モジュールと、
   を備えることを特徴とする装置。
2. 前記制御モジュールは、前記第二の周波数の指示を受ける、
   請求項１記載の装置。
3. 前記制御モジュールは、前記第一の周波数を確定するトリミングの設定を決定する、
   請求項１記載の装置。
4. それぞれのトリミングの設定が第二の周波数の値に対応する複数のトリミングの設定を記憶する記憶媒体を更に備える、
   請求項３記載の装置。
5. 前記周波数の逓倍率は、フラクショナルNの乗数である、
   請求項１記載の装置。
6. 前記発振器モジュールは、発振器及び１以上のリアクタンス素子とを含み、
   前記制御モジュールは、選択された第一の周波数に基づいて、前記１以上のリアクタンス素子を前記発振回路に結合する、
   請求項１記載の装置。
7. 前記１以上のリアクタンス素子は、可変のリアクタンスを有するリアクタンス素子を含む、
   請求項６記載の装置。
8. 前記発振器モジュールは、水晶発振回路、セラミック共振器及びマイクロマシン（MEM）素子のうちの少なくとも１つを含む、
   請求項１記載の装置。
9. 前記シンセサイザモジュールは、位相ロックループ（PLL）を含む、
   請求項１記載の装置。
10. 前記制御モジュールは、前記周波数の逓倍率に従って前記PLLを調節する、
    請求項１記載の装置。
11. 指定された周波数に基づいて、基準周波数と周波数の逓倍率とを選択するステップと、
    前記基準周波数をもつ第一の信号を発生するステップと、
    前記第一の信号から、前記指定された周波数をもつ第二の信号を発生するステップとを含み、前記指定された周波数は、前記周波数の逓倍率に前記基準周波数を乗じた周波数に等しく、
    前記周波数の逓倍率を選択するステップは、予め決定された閾値よりも大きい非整数部分を有するように前記周波数の逓倍率を選択するステップを含む、
    ことを特徴とする方法。
12. 前記基準周波数を選択するステップは、発振器のトリミングの設定を決定するステップを含む、
    請求項１１記載の方法。
13. 前記トリミングの設定に従って前記発振器を調節するステップを更に含む、
    請求項１２記載の方法。
14. 前記周波数の逓倍率に従ってシンセサイザを調節するステップを更に含む、
    請求項１１記載の方法。
15. 前記シンセンサイザは、分周器を有する位相ロックループ（PLL）を含み、
    前記発振器を調節するステップは、位相ロックループの分周器を調節するステップを含む、
    請求項１４記載の方法。
16. 前記指定された周波数を受信するステップを更に含む、
    請求項１１記載の方法。
17. チューニング信号に基づいて無線周波（RF）信号をダウンコンバートするダウンコンバータと、
    前記チューニング信号を生成するチューニングモジュールとを備えるシステムであって、
    前記チューニングモジュールは、
    第一の周波数を有する発振器信号を生成する発振器モジュールと、
    前記発振器信号から、第二の周波数を有する前記チューニング信号を生成するシンセサイザと、周波数の逓倍率は、前記第一の周波数と前記第二の周波数とに対応し、
    前記第二の周波数と、前記第一の周波数に最も近い整数の倍数の周波数との間の差が予め決定された閾値よりも大きくなるように、前記第一の周波数と前記周波数の逓倍率とを選択する制御モジュールと、
    を有することを特徴とするシステム。
18. 前記チューニングモジュールは、前記第二の周波数の指示を受ける、
    請求項１７記載のシステム。
19. 前記発振器モジュールは、発振回路及び１以上のトリミングキャパシタとを含み、
    前記制御モジュールは、前記選択された周波数に基づいて、前記１以上のトリミングキャパシタと前記発振回路とを結合する、
    請求項１７記載のシステム。
20. 前記シンセンサイザモジュールは、位相ロックループ（PLL）を含む、
    前記制御モジュールは、前記周波数の逓倍率に従って前記PLLを調節する、
    請求項１７記載のシステム。

Images