JP5374590B2

JP5374590B2 - スパッタリング装置

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Publication number: JP5374590B2
Application number: JP2011529875A
Authority: JP
Inventors: 拓石川; 裕司小野; 輝幸林
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2009-09-01
Filing date: 2010-08-25
Publication date: 2013-12-25
Anticipated expiration: 2030-08-25
Also published as: JPWO2011027691A1; WO2011027691A1; CN102575338A; TWI391511B; KR20120014589A; US20120160671A1; TW201125998A

Description

本発明は、スパッタリング装置に関する。

従来より、種々の金属膜や金属化合物膜をスパッタリング法により成膜することは広く知られており、スパッタ膜を成膜する各種スパッタリング方式、スパッタリング装置が提案されている。

例えば、特許文献１には、対向する２つのターゲットに互いに１８０度位相のずれた交流電圧を印加する交流電源を設置したスパッタリング装置（対向ターゲット型スパッタリング装置：ＦＴＳ）が開示されている。図１は従来の交流電源を設置したスパッタリング装置１００の一例を示す断面概略図である。なお、通常スパッタリング装置１００は真空引き可能な筐体内部に設けられているが、図１ではこの筐体については省略する。

図１に示すように、スパッタリング装置１００には、対向して２つの例えばアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）から成るターゲット１０５、１０６が配置される。ターゲット１０５、１０６には交流電源１１０が回路１０７を介して電気的に接続されており、各ターゲット１０５、１０６には１８０度位相のずれた交流電圧が印加された状態となっている。またターゲット１０５、１０６の両端部には、磁石１１２、１１３が互いに異なる磁極が対向するように配置されている。そして、上記ターゲット１０５、１０６間の空間であるスパッタ空間１１５に、ターゲット１０５、１０６に対し垂直方向の磁界が発生する構成となっている。また、スパッタ空間１１５の側方にはスパッタ膜の作製対象である基板Ｇが配置される。なお、基板Ｇは図示しない基板保持部材に保持されており、適宜移動可能である。

スパッタ空間１１５の側方で、基板Ｇが配置されていない側には、例えばアルゴン等の不活性ガスを供給し、さらに、必要に応じて酸素や窒素をスパッタ空間１１５に供給するガス供給部１１７が配置されている。

以上説明したように構成される従来のスパッタリング装置１００において、交流電場によりスパッタ空間１１５にはプラズマが生成され、発生した磁界によってプラズマはターゲット１０５、１０６間に拘束される。その発生したプラズマによってガス供給部１１７から供給された不活性ガスがイオン化し、そのイオン化した不活性ガスのイオンがターゲット１０６（１０５）に衝突することにより弾き飛ばされたターゲット物質が基板Ｇに成膜されることでスパッタリングが行われていた。
特開平１１−２９８６０号公報

しかしながら、上述した構成をとる従来のスパッタリング装置１００において、例えば有機薄膜が既に成膜されている基板Ｇに対してスパッタリング処理を行う場合に、スパッタ空間１１５でのプラズマの生成に伴う光の発生により、短波長である紫外線等がスパッタ空間１１５から漏れて有機薄膜に照射され、有機薄膜に悪影響が及んでしまうという問題があった。これは、特にターゲット１０５、１０６が銀やアルミニウムである場合に、短波長である例えば紫外線が有機薄膜の有機分子の結合を切ってしまうため有機薄膜の特性に劣化が生じてしまうことが原因と考えられる。

そこで、上記問題点に鑑み、本発明はスパッタリング処理対象である有機薄膜が成膜された基板に対する、スパッタ空間からの光を遮断し、有機薄膜特性の劣化を防止した状態でスパッタリング処理を行うスパッタリング装置を提供する。

本発明によれば、対向して配置される一対のターゲット間に形成されるスパッタ空間の側方に配置される基板にスパッタリング処理を行うスパッタリング装置であって、前記一対のターゲット間に電圧を印加する電源と、前記スパッタ空間に不活性ガスを供給するガス供給部と、前記スパッタ空間と前記基板との間に配置される遮光機構と、を備え、前記遮光機構は、前記スパッタ空間と前記基板との間において光を反射もしくは吸収する遮光体と、前記遮光体との間にスパッタ粒子を前記基板に向けて通過させる通過路を形成させて配置されたスパッタ粒子を拡散させないための遮蔽部材から構成され、前記遮蔽部材は、前記遮光体が光を反射する素材からなる場合には、光を透過させる素材で構成される、スパッタリング装置が提供される。

本発明によれば、スパッタリング処理対象である有機薄膜が成膜された基板に対する、スパッタ空間からの光を遮光し、有機薄膜特性の劣化を防止した状態でスパッタリング処理を行うスパッタリング装置が提供される。

従来のスパッタリング装置の断面概略図である。スパッタリング装置の断面概略図である。遮光機構の拡大図である。本発明の第１の変形例にかかる遮光機構の説明図である。本発明の第２の変形例にかかる遮光機構の説明図である。本発明の第３の変形例にかかる遮光機構の説明図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

図２は本発明の実施の形態にかかる基板Ｇにスパッタリング処理を行うスパッタリング装置１の断面概略図である。ここで、スパッタリング装置１は図示しない真空引き可能な筐体内部に設けられている。スパッタリング装置１には例えばアルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ＩＴＯまたは透明導電性物質からなる一対のターゲット１０、１１が対向して配置されている。また、一対のターゲット１０、１１には、互いに逆位相である交流電圧を印加させる交流電源１５が回路１６を介して接続されている。ここで、交流電源１５の周波数は例えば２０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚであり、逆位相の交流電圧とは、例えば互いに１８０度位相のずれた交流電圧である。一対のターゲット１０、１１の各端部にはそれぞれ磁性体（磁石）１７、１８が互いに異なる磁極が対向するように取り付けられており、ターゲット１０とターゲット１１の間のスパッタ空間２０にはターゲット１０、１１に垂直な方向の磁界Ｂが発生する構成となっている。

また、スパッタ空間２０の一方の側方にはスパッタリング処理の対象物である基板Ｇが基板支持部材２２に支持された状態で配置されている。ここで、基板Ｇは、その処理対象面がスパッタ空間２０に対面するように支持されている。スパッタ空間２０の側方で基板Ｇが配置されていない側には、スパッタ空間２０に不活性ガスを供給するガス供給部２９が設置されている。ここで、不活性ガスとしては例えばアルゴン（Ａｒ）が用いられる。スパッタ空間２０は真空下で高電圧が印加されている状態であるため、ガス供給部２９から供給された不活性ガスのイオン化によりスパッタ空間２０にはプラズマが発生する。このプラズマは磁性体１７、１８によって発生する磁界Ｂによりスパッタ空間２０に拘束される。

また、スパッタ空間２０と基板Ｇとの間には遮光機構３０が配置されている。遮光機構３０は、例えば黒色アルマイト、アルミニウム等の光を吸収または反射させる性質を持つ遮光体３１と、スパッタ空間２０から飛び出してくるスパッタ粒子を拡散させないように遮光体３１を囲み、遮光体３１の両側に形成され、例えば石英からなる一対の遮蔽部材３５、３６から構成されている。遮光体３１は上記黒色アルマイトやアルミニウムのような光を透過させない材料からなり、その形状はスパッタ空間２０に対向する先端がテーパー形状に形成されており、例えば、断面形状が菱形形状となるような形状である。また、遮光体３１の幅はスパッタ空間２０の幅（ターゲット１０、１１間の幅）以上の長さとなっている。遮光体３１と遮蔽部材３５、３６との間に形成される空間は、スパッタ粒子が通過する通過路４０となっており、通過路４０は遮光体３１の側部の二辺に沿って両側に形成されている。遮光体３１の断面形状は菱形形状であるため、通過路４０は屈曲した形状の空間となる。遮蔽部材３５と遮蔽部材３６の間にはスパッタリング装置１側の開口部３７と基板Ｇ側の開口部３８が形成され、開口部３７を介してスパッタ空間３０は通過路４０と連通し、開口部３８は基板Ｇの処理対象面に向けて開口している。

ここで、通過路４０が屈曲した形状となっていることや、遮光体３１の幅をスパッタ空間２０の幅以上の長さとすることにより、基板Ｇ、遮光体３１、遮蔽部材３５、３６およびスパッタ空間２０の位置関係は、基板Ｇからは遮光体３１と遮蔽部材３５、３６でスパッタ空間２０が視認できない配置関係となっている。以下に図３を参照してこの配置関係について説明する。

図３は、遮光機構３０の拡大図である。ここでは遮光体３１の断面形状が菱形の場合について説明する。図３に示すように、遮光体３１の断面における基板Ｇに平行な対角線の長さをｈ１とし、スパッタ空間２０の幅、即ちターゲット間の長さをｈ２とすると、これらの長さは、ｈ１≧ｈ２という関係になっている。即ち、スパッタ空間２０からの光は、遮光体３１において、各ターゲットの内面の延長線と遮光体３１との交点ａ１、ａ２より内側に照射される。遮光体３１の断面は装置下向き（図３中下向き）にテーパー形状をとるため、遮光体３１に照射された光は吸収されるか、もしくは遮光体３１の断面における基板Ｇに平行な対角線より下方に反射されることとなる。さらに、上述したように遮蔽部材３５、３６は光を透過させる素材であってもよいため、その場合遮光体３１により反射された光は遮蔽部材３５、３６を透過し、基板Ｇ方向へ向かうことはない。

以上説明したように構成されるスパッタリング装置１において基板Ｇに対するスパッタリング処理が行われる。なお、スパッタリング処理の基本的な原理については既に公知技術であるため本明細書では説明を省略する。スパッタリング処理装置１においては、イオン化した不活性ガスがターゲットに衝突することによってターゲットからはじき飛ばされた粒子（以下、スパッタ粒子とする）が、スパッタ空間３０において加速され、スパッタ空間２０から基板Ｇ方向へ飛び出す。

基板Ｇ方向にスパッタ空間２０から飛び出したスパッタ粒子は、遮光機構３０内（遮蔽部材３６によって形成される通過路４０内）に移動する。そして、遮光機構３０内において、スパッタ粒子は、遮光体３１や遮蔽部材３５、３６によって反射してしまうものを除き、通過路４０を通過して基板Ｇの処理対象面にぶつかることとなり、基板Ｇに対するスパッタリング処理が行われる。なお、通過路４０を遮光体３１および遮蔽部材３５、３６にぶつかりつつ、反射しながら通過するスパッタ粒子によっても基板Ｇのスパッタリング処理は実施される。

一方で、スパッタリング処理においては、ターゲット１０、１１間に電圧を印加し、プラズマを発生させて不活性ガスをイオン化させている。このプラズマを拘束するために磁性体１７、１８によって磁界Ｂが発生させられている。このプラズマの発生に伴い、スパッタ空間２０では発光が起きる。そして、スパッタ空間２０における発光により、遮光機構３０内には開口部３７を通じて光が照射される。遮光機構３０内にはスパッタ空間２０の幅の長さ以上の幅を持つ遮光体３１が配置されており、上述したように遮光体３１は光を吸収もしくは反射する素材からなっているため、遮光機構３０内に照射された光は遮光体３１に吸収されるかもしくは反射されて、基板Ｇまで到達することはない。

ここで、特に遮光体３１が光を反射する素材からなる場合には、反射した光がさらに遮蔽部材３５に反射して基板Ｇに照射されてしまう可能性があるため、上述したように遮蔽部材３５は例えば石英等の光を透過させる素材で構成されている必要がある。

スパッタ空間２０において発生する光、特に短波長である紫外線が基板Ｇに照射されてしまうと、有機薄膜が既に成膜されている状態の基板Ｇにおいては、上記紫外線が有機薄膜内の有機分子の結合を切断してしまうこととなり、この有機薄膜の特性に悪影響を及ぼしてしまう。その結果、スパッタリング処理後の基板Ｇの特性も良くないものとなってしまい、最終的な製品としての基板Ｇの特性に悪影響が及んでしまう。

従って、上述したような構成をとる遮光機構３０を設け、スパッタ空間２０から基板Ｇへ照射される光を遮光することにより、効率的に特性の良好なスパッタリング処理後の基板Ｇが得られることとなる。即ち、スパッタリング処理対象である有機薄膜が成膜された基板に対する、スパッタ空間からの光を遮光し、有機薄膜特性の劣化を防止した状態でスパッタリング処理を行うことが可能となる。

以上、本発明の実施の形態の一例を説明したが、本発明は図示の形態に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば、上記実施の形態においては、遮光体３１として黒色アルマイト、アルミニウムを例示したが、これに限られるものではなく、例えば、可視光よりも短い波長の光を吸収もしくは反射する性質を持つ素材であればよい。また、遮蔽部材３５、３６の素材としては石英を例示したが、光を透過させる素材であればよく、例えばサファイアや透明セラミック（ＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３）等の素材を用いることも考えられる。

また、上記実施の形態では、遮光体３１の断面形状は菱形形状であるとしたが、これに限られるものではなく、例えば装置下向きに凸の三角形状断面等、光を吸収もしくは反射する面が装置下向きを向いている形状であればよい。即ち、基板Ｇが配置されている箇所に光を反射させない形状であればよい。このときの光を吸収もしくは反射する面の傾きや粗度等については実際に光を照射した際の吸収率もしくは反射率等に基づき適宜好ましいものとすればよい。

また、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ＡｌｕｍｉｎｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の電極をスパッタ処理によって成膜する場合、スパッタ粒子における酸素欠損が発生する場合には、酸素分子を含むガスをスパッタ粒子に供給することが好ましい。そこで、上記実施の形態において遮光体３１の例えばテーパー形状先端部等の、任意の位置に酸素分子を含むガスを供給する酸素ガス供給部を設けることも考えられる。

さらには、例えば、遮光体３１および遮蔽部材３５、３６からＡｒガス等の不活性ガスをスパッタ空間２０方向あるいは通過路４０方向に噴射させることにより遮光体３１および遮蔽部材３５、３６へのスパッタ粒子の付着を防止することが可能となる。そこで、本発明の第１の変形例として、図４を参照して上記実施の形態にかかる遮光機構３０において、遮光体３１および遮蔽部材３５、３６にガス噴射部５０、５１を設けた場合について説明する。但し、上記実施の形態と同じ構成要素については同じ符号を用いて、その説明は省略する。

図４は本発明の第１の変形例にかかる遮光機構３０ａの説明図である。菱形断面形状である遮光体３１のスパッタ空間２０側の下端部には、ガス噴射部５０、５０が噴射口が下向き（スパッタ空間２０方向）を向くように設けられている。また、遮蔽部材３５、３６の下端部には噴射口を通過路４０に向けるようにガス噴射部５１、５１がそれぞれ設けられている。

上記実施の形態と同様、スパッタ空間２０からはスパッタ粒子が遮光体３１、通過路４０に向けて飛び出してきている。そのため、遮光体３１や遮蔽部材３５、３６の内壁にはスパッタ粒子が衝突・付着する。そこで、ガス噴射口５０、５１から例えばＡｒ等の不活性ガスを噴射させることにより、遮光体３１および遮蔽部材３５、３６へのスパッタ粒子の衝突・付着を防止することができる。これにより、基板Ｇへのスパッタ粒子の堆積を促進させることが可能となる。なお、図４中の実線矢印はガス噴射口５０、５１からのガス噴射方向を示しており、破線矢印はスパッタ粒子の飛ぶ方向の一例を示すものである。

ここで、図４に示す遮光機構３０ａでは、ガス噴射口５０、５１は、それぞれ遮光体３１の下端部と遮蔽部材３５、３６の下端部に設けられるとしたが、本発明はこれに限られるものではない。ガス噴射口の設置箇所はスパッタ粒子の飛翔方向を考慮して適宜変更することが好ましく、例えば遮光体３１の下端部や遮蔽部材３５、３６の下端部を含む複数箇所にガス噴射口を設けることも考えられる。

上述したように、本発明の第１の変形例としてガス噴射口５０、５１からは例えばＡｒ等の不活性ガスを噴射させる場合を説明したが、スパッタ粒子の酸素欠損を防止するために酸素分子を含むガスを供給する場合、ガス噴射口から例えば酸素等のガスを噴射させることも考えられる。

また、遮光体３１および遮蔽部材３５、３６に、それぞれに可変電位を印加することができる可変電源を接続することも可能である。図５は本発明の第２の変形例にかかる遮光機構３０ｂの説明図である。図５に示すように、遮光機構３０ｂにおいて、遮光体３１および遮蔽部材３５、３６には、可変電圧を印加することが可能な可変電位出力電源６０がそれぞれ接続されている。

遮光機構３０ｂにおいては、遮光体３１および遮蔽部材３５、３６に可変電圧を印加することにより、遮光体３１および遮蔽部材３５、３６に向かって飛ぶスパッタ粒子の衝突・付着を防止することができ、基板Ｇへのスパッタ粒子の堆積を促進させることが可能となる。なお、ここでは遮光体３１および遮蔽部材３５、３６の両方に可変電位出力電源６０を接続することとしたが、どちらか一方にのみ可変電位出力電源６０を接続することも当然可能である。

本発明においては、遮光体３１および遮蔽部材３５、３６が加熱される構成となっていてもよい。図６は、本発明の第３の変形例にかかる遮光機構３０ｃの説明図であり、図６（ａ）は斜視説明図、図６（ｂ）は断面説明図である。図６に示すように、遮光機構３０ｃにおいて、遮光体３１の内部中央には例えばカートリッジヒータ等の略円筒形状のヒータ６１が埋め込まれている。なお、図６（ａ）では、説明のために遮光体３１と遮蔽部材３６のみを図示し、遮蔽部材３５および基板Ｇは図示していない。また、ここでは、菱形の断面形状である遮光体３１の長手方向に伸長するヒータ６０が、菱形断面の中央部に埋め込まれている場合を図示している。

また、図６に示すように、遮蔽部材３５、３６の外側面（遮光体３１に対向していない側面）には、遮蔽部材３５、３６の形状に合わせた形状である板状のヒータ６４が貼り付けられている。これらヒータ６１、ヒータ６４の稼動により、遮光体３１、遮蔽部材３５、３６は所望の温度に加熱される。ここで、加熱温度としては、例えば３００℃〜６００℃が好ましく、遮光体３１や遮蔽部材３５、３６からの輻射熱によって基板Ｇの温度上昇が基板における成膜に影響を及ぼさない程度の加熱温度であることが必要である。具体的には、基板Ｇが加熱されないよう温度制御することや、基板Ｇと各ヒータとの距離を十分にあけることが考えられる。これは、遮光体３１や遮蔽部材３５からの輻射熱によって基板Ｇの温度が極端に上昇してしまうと、スパッタリングによる成膜において十分な精度が得られない恐れがあるからである。具体的には、遮光体３１や遮蔽部材３５からの輻射熱による基板Ｇの温度上昇を１００℃以下に抑えることが好ましい。

なお、上記実施の形態において遮光体３１の材質としてＡｌおよび黒色アルマイトを例示し、遮蔽部材３５、３６の材質として石英を例示したが、本変形例における遮光機構３０ｃにおいては、遮光体３１、遮蔽部材３５、３６ともに上述したようにヒータ６１、ヒータ６４によってそれぞれ加熱される構成であるため、その材質は例えばステンレス（ＳＵＳ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）等の光を透過させないものが好ましい。但し、遮光体３１、遮蔽部材３５、３６の材質としてＡｌを用いた場合、Ａｌの熱による変形等が起こらない程度の例えば３５０℃以下程度の加熱温度が望ましい。また、本変形例では遮光体３１および遮蔽部材３５、３６の両方にヒータ６１、ヒータ６４を設ける場合を図示し、説明しているが、当然、どちらか一方にのみヒータを取り付ける構成とすることも考えられる。さらには、本変形例ではヒータ６１、６４を用いて遮光体３１および遮蔽部材３５、３６の加熱を行っているが、遮光体３１および遮蔽部材３５、３６の加熱をランプ加熱によって行ってもよい。

また、図６（ｂ）に示すように、遮光体３１の内部に埋め込まれたヒータ６１は、周囲にカーボンシート６２（図６（ａ）には図示していない）が複数層巻かれた状態で設置されており、遮蔽部材３５、３６の外側面に貼り付けられたヒータ６４は、遮蔽部材３５、３６にカーボンシート６５を介した状態で貼り付けられている。ヒータ６１と遮光体３１との接触部およびヒータ６４と遮蔽部材３５、３６との接触部において、カーボンシート６２、６５を介在させることによって各ヒータ６１、６４からの熱伝導率を向上させ、遮光体３１や遮蔽部材３５、３６の加熱が効率的に行われる。

以上説明した図６に記載の遮光機構３０ｃを備えたスパッタリング装置によって基板Ｇに対するスパッタリング処理（成膜処理）を行う場合、上記実施の形態において説明したスパッタリング処理対象である有機薄膜が成膜された基板に対する、スパッタ空間からの光を遮光し、有機薄膜特性の劣化を防止した状態でスパッタリング処理を行うことが可能となるといった作用効果に加え、遮光体３１や遮蔽部材３５、３６が加熱されていることにより、遮光体３１や遮蔽部材３５、３６へのスパッタ粒子の衝突・付着が抑制されるといった効果がある。即ち、遮光体３１や遮蔽部材３５、３６へのスパッタ粒子の衝突・付着が抑制されることにより、基板Ｇに到達するスパッタ粒子が増加し、効率的に基板Ｇへのスパッタ粒子の堆積が促進される。さらには、スパッタ粒子の遮光体３１や遮蔽部材３５、３６への付着による装置不良等が回避され、効率的なスパッタリング処理を行うことが可能となる。

本発明は、スパッタリング装置に適用できる。

１スパッタリング装置
１０、１１ターゲット
１５交流電源
１６回路
１７、１８磁性体
２０スパッタ空間
２２基板支持部材
２９ガス供給部
３０、３０ａ、３０ｂ、３０ｃ遮光機構
３１遮光体
３５、３６遮蔽部材
３７、３８開口部
４０通過路
５０、５１ガス噴射口
６０可変電位出力電源
６１、６４ヒータ
６２、６５カーボンシート
Ｇ基板

Claims

対向して配置される一対のターゲット間に形成されるスパッタ空間の側方に配置される基板にスパッタリング処理を行うスパッタリング装置であって、
前記一対のターゲット間に電圧を印加する電源と、
前記スパッタ空間に不活性ガスを供給するガス供給部と、
前記スパッタ空間と前記基板との間に配置される遮光機構と、を備え、
前記遮光機構は、前記スパッタ空間と前記基板との間において光を反射もしくは吸収する遮光体と、
前記遮光体との間にスパッタ粒子を前記基板に向けて通過させる通過路を形成させて配置されたスパッタ粒子を拡散させないための遮蔽部材から構成され、
前記遮蔽部材は、前記遮光体が光を反射する素材からなる場合には、光を透過させる素材で構成される、スパッタリング装置。
前記基板からは、前記遮光体と前記遮蔽部材で遮られて、前記スパッタ空間が視認できない配置関係である、請求項１に記載のスパッタリング装置。
前記電源は、前記一対のターゲットに互いに逆位相の交流電圧を印加する交流電源である、請求項１に記載のスパッタリング装置。
前記交流電源の周波数は２０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚである、請求項３に記載のスパッタリング装置。
前記スパッタ空間において前記ターゲットに対して垂直方向の磁界を発生させる磁性体を備える、請求項１に記載のスパッタリング装置。
前記遮光体は酸素分子を有するガスを供給する酸素ガス供給部を備えている、請求項１に記載のスパッタリング装置。
前記遮光体は前記スパッタ空間に対向する先端がテーパー形状に形成される、請求項１に記載のスパッタリング装置。
前記通過路は、前記遮光体の側部の二辺に沿って屈曲して形成される、請求項７に記載のスパッタリング装置。
前記ターゲットはアルミニウム、銀、ＩＴＯまたは透明導電性物質である、請求項１に記載のスパッタリング装置。
前記遮光体は黒色アルマイトまたはアルミニウムからなる、請求項１に記載のスパッタリング装置。
前記遮蔽部材は石英からなる、請求項１に記載のスパッタリング装置。
前記遮光体および／または前記遮蔽部材には、可変電位を印加する可変電位出力電源が接続されている、請求項１に記載のスパッタリング装置。
前記遮光体および／または前記遮蔽部材を加熱するヒータが設けられている、請求項１に記載のスパッタリング装置。
前記遮光体および／または前記遮蔽部材と前記ヒータとの接触部にはカーボンシートが介在させられている、請求項１３に記載のスパッタリング装置。
前記遮光体および前記遮蔽部材はステンレス、銅、ニッケル、アルミニウムのいずれかからなる、請求項１３に記載のスパッタリング装置。