JP5379742B2 - 試験装置、試験方法、およびデバイスインターフェイス - Google Patents

Description

本発明は、試験装置、試験方法、およびデバイスインターフェイスに関する。

従来、試験装置は、ＣＰＵ、メモリ等の被試験デバイスを試験していた。また、被試験デバイスに光インターフェイスを備えることが提案されていた（例えば、特許文献１、非特許文献１、および２参照）。
特許文献１ 国際公開第２００７−０１３１２８号
非特許文献１ Ian A. Young, et al., "Optical I/O Technology for Tera-Scale Computing", IEEE Journal of Solid-State Circuits, January 2010, Vol. 45, No. 1, pp.235-248
非特許文献２ Hiren D. Thacker, James D. Meindl, "Prospects for Wafer-Level Testing of Gigascale Chips with Electrical and Optical I/O Interconnects", IEEE International Test Conference, 2006, 25-1

光インターフェイスを備えた被試験デバイスを試験するには、光信号を試験信号として用いて被試験デバイスの光入力部に入力させると共に、被試験デバイスの光出力部から出力する光応答信号を検出しなければならない。試験装置は、このような光入出力の精密な光軸調整が求められ、試験のスループットが低くなってしまい試験コストの上昇を招いていた。さらに、光インターフェースを備えた被試験デバイスの試験法として、光ファイバを実装したパッケージの形態で試験を行うことも可能であるが、性能が仕様値に満たない場合においてパッケージごと棄却することを余儀なくされ製造コストが増加する問題があった。

上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、面方向に光信号を伝送するための光カプラおよび光カプラに接続する光伝送路を保持する第１の溝部が設けられた被試験デバイスを試験するための試験装置であって、被試験デバイスが搭載される基板と、光カプラに接続されるべき光伝送路と、光伝送路を基板側から第１の溝部へと押し付ける押付部と、を備える試験装置および試験方法を提供する。

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。

本実施形態に係る試験装置１００と被試験デバイス１０とのインターフェイスの構成例を示す。 図１におけるＡ−Ａ'断面の構成例を示す。 本実施形態に係る試験装置１００の動作フローを示す。 本実施形態に係る試験装置１００の構成例を被試験デバイス１０と共に示す。

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。

図１は、本実施形態に係る試験装置１００と被試験デバイス１０とのインターフェイスの構成例を示す。試験装置１００は、アナログ回路、デジタル回路、メモリ、およびシステム・オン・チップ（ＳＯＣ）等であって、光インターフェイスを持つ被試験デバイス１０と光信号および電気信号を授受して試験する。ここで被試験デバイス１０は、面方向に光信号を伝送するための光カプラ１２と、第１の溝部１４とを備える。また、被試験デバイス１０は、端子１６を備えてもよい。

光カプラ１２は、面方向に光信号を伝送する。光カプラ１２は、例えば、被試験デバイス１０の表面上に形成された光伝送路と光学的に結合されて備えられ、被試験デバイス１０の光伝送路と外部の光伝送路とで光信号を授受する。光カプラ１２は、一例として、予め定められた位置に配置された光ファイバの端面から入力または出力される光信号を授受する。光カプラ１２は、光カプラ１２の開口数、コア形状、およびコア寸法と、外部の光ファイバのコア径および開口数等とから、光ファイバの端面が配置されるべき位置を予め定めてよい。

第１の溝部１４は、光カプラ１２に接続する光伝送路を保持する。第１の溝部１４は、例えば、外部の光ファイバを光カプラ１２に接続するべく、光ファイバを予め定められた位置に配置するように備えられる。第１の溝部１４は、予め定められた光ファイバの直径に対応した幅および深さのＶ溝でよい。これに代えて、第１の溝部１４は、導波路が形成された基板の予め定められた形状に対応した幅および深さの溝でよい。

端子１６は、電気信号を伝送する。端子１６は、半田バンプ、ランド、またはコネクタ等であってよい。端子１６は、電気信号を授受する１以上の入力端子および１以上の出力端子であってよい。

試験装置１００は、上記のような被試験デバイス１０と光信号および電気信号を授受するために、被試験デバイス１０を搭載する。試験装置１００は、基板１１０と、ガス供給部１２０と、押付部１３０と、光伝送路１４０と、光通信部１５０と、電気通信部１６０と、移動部１７０と、制御部１８０とを備える。

基板１１０は、被試験デバイス１０が搭載される。基板１１０は、吸着部１１２と、吸引部１１３と、ガス導入部１１５と、第２の溝部１１８とを備える。ここで、基板１１０は、被試験デバイス１０と電気信号を授受する場合、電極１１９を有してよい。

吸着部１１２は、被試験デバイス１０を吸引して吸着する。吸着部１１２は、基板１１０の表面上に形成され、被試験デバイス１０と物理的に接触して被試験デバイス１０を吸引して吸着してよい。また、吸着部１１２は、被試験デバイス１０と基板１１０との間が密閉されることによって、密閉空間を吸引することによって被試験デバイス１０を吸着してもよい。吸引部１１３は、ポンプ等に接続されて吸着部１１２から空気または基板１１０上の雰囲気ガス等を吸引する。

ガス導入部１１５は、ガス供給部１２０に接続されて、ガス供給部１２０から導入されるガスを押付部１３０に供給する。第２の溝部１１８は、光伝送路１４０を保持する。第２の溝部１１８は、光伝送路１４０が光ファイバの場合、当該光ファイバの直径に対応した幅および深さのＶ溝でよい。また、第２の溝部１１８は、光伝送路１４０が光導波路である場合、当該光導波路が形成された基板の形状に対応した幅および深さの溝でよい。

電極１１９は、電気通信部１６０に接続され、被試験デバイス１０の端子１６と接触する。電極１１９は、端子１６と直接接触する端子、プローブ、カンチレバー、またはメンブレンバンプ等であってよい。また、電極１１９は、端子１６がコネクタである場合、端子１６と勘合するコネクタであってよい。基板１１０は、例えば、被試験デバイス１０が備える端子１６の数以上の電極１１９を有する。

ガス供給部１２０は、ガス導入部１１５を介してガスを押付部１３０に供給する。ガス供給部１２０は、高圧ガスを貯蔵するボンベ等に配管され、配管に含まれるバルブを開放することにより、高圧ガスを押付部１３０に供給してよい。ここで、ガス供給部１２０は、空気、窒素、またはアルゴン等のガスを供給してよい。これに代えて、ガス供給部１２０は、水等の液体を供給してもよい。

押付部１３０は、光伝送路１４０を基板側から第１の溝部１４へと押し付ける。押付部１３０は、金属、樹脂、セラミック、またはゴム等の弾力性素材であってよい。押付部１３０は、ガス供給部１２０から供給されるガス圧または液圧等により押し上げられる。これに代えて、押付部１３０は、基板１１０に貼り付けられたゴム等の弾性膜であって、ガス供給部１２０から供給されるガス等が内部に充満して膨張することにより、光伝送路１４０を第１の溝部１４へと押し付けてよい。これに代えて、押付部１３０は、圧電アクチュエータ等によって機械的に移動されてもよい。

押付部１３０は、一例として、光伝送路１４０を保持する第３の溝部１３５が設けられる。第３の溝部１３５は、光伝送路１４０が光ファイバの場合、当該光ファイバの直径に対応した幅および深さのＶ溝でよい。また、第３の溝部１３５は、光伝送路１４０が光導波路である場合、当該光導波路が形成された基板の形状に対応した幅および深さの溝でよい。これによって、押付部１３０は、光伝送路１４０を保持しつつ、光伝送路１４０を第１の溝部１４へと押し付けることができる。

ここで第３の溝部１３５の深さは、一例として、第１の溝部１４の深さに比べて浅く設けられる。これによって、押付部１３０は、第１の溝部１４と第３の溝部１３５とがそれぞれ光伝送路１４０を保持する位置にずれが生じた場合でも、光伝送路１４０を配置すべき第１の溝部１４の保持する位置を優先させて、当該光伝送路１４０を押し付けることができる。

光伝送路１４０は、被試験デバイス１０の光カプラ１２に接続される。光伝送路１４０は、被試験デバイス１０に備わる光カプラ１２の数と同数の光ファイバであってよい。この場合、例えば、光伝送路１４０は、第１の溝部１４と平行方向に予め配置されるように屈曲される。これによって、光伝送路１４０は、押付部１３０によって押しつけられた場合に、第１の溝部１４に容易に入り込むことができ、光カプラ１２と接続する位置に配置することができる。

また、光伝送路１４０は、基板上に形成された光カプラ１２の数と同数の光伝送路を有する光導波路であってもよい。このばあい、光伝送路１４０は、光導波路の端部に被試験デバイス１０の光カプラ１２と略同一の光カプラが形成されてよく、光カプラ同士が光学的に接続されることで光信号を授受してよい。

被試験デバイス１０が基板１１０に搭載された状態において、被試験デバイス１０の下面と基板１１０との間の間隔よりも光伝送路１４０の直径は小さくてよい。例えば、波長１５５０ｎｍ程度の通信帯域の光を伝送する光伝送路１４０は、コア径が１０μｍ程度であり、紫外線硬化型樹脂等で被覆した光ファイバの外径は２５０〜４００μｍ程度である。したがって、光伝送路１４０は、被試験デバイス１０の光カプラとの光学的接続の位置精度としてμｍ程度以下が求められる。

このため、被試験デバイス１０には、位置決め精度がμｍ程度以下となる第１の溝部１４が設けられている。そこで試験装置１００は、光伝送路１４０を押しつける被試験デバイス１０の位置が少なくとも第１の溝部１４の範囲に入ることにより、光伝送路１４０を精度よく配置することができる。即ち試験装置１００は、基板１１０と被試験デバイス１０との位置精度をμｍ程度以上にすることができるので、光伝送路１４０の直径よりも被試験デバイス１０の下面と基板１１０との間の間隔を大きくして基板１１０と被試験デバイス１０との相対的な配置を位置精度μｍ程度以上で移動させて調整してよい。

光通信部１５０は、光伝送路１４０を介して被試験デバイス１０の光カプラ１２に接続され、被試験デバイス１０との間で光信号を伝送する。光通信部１５０は基板１１０上に搭載されてもよく、これに代えて別基板上に搭載されてもよい。光通信部１５０は、例えば、被試験デバイス１０に供給する電気信号の試験信号を光信号に変換して、被試験デバイス１０から受信する光応答信号を電信号の応答信号に変換する。

電気通信部１６０は、被試験デバイス１０との間で電気信号を伝送する。電気通信部１６０は、基板１１０に搭載されてよく、これに代えて別基板として試験装置１００に搭載されてもよい。電気通信部１６０は、例えば、被試験デバイス１０に電源を供給する。また、電気通信部１６０は、被試験デバイス１０に光試験信号に比べて低い周波数のクロック信号および／または試験信号を供給してよい。

移動部１７０は、被試験デバイス１０を吸着して移動させ、基板１１０に搭載する。移動部１７０は、吸着部１７２と吸引部１７４を有する。吸着部１７２は、移動部１７０の表面上に形成され、被試験デバイス１０と物理的に接触して被試験デバイス１０を吸引して吸着してよい。吸引部１７４は、ポンプ等に接続されて吸着部１７２から空気または雰囲気ガス等を吸引する。移動部１７０は、ＸＹＺθステージ等を有して、制御部１８０の制御信号によって移動してよい。

制御部１８０は、移動部１７０に制御信号を送信して移動部１７０を移動させ、被試験デバイス１０と基板１１０との相対位置を制御する。制御部１８０は、移動部１７０の移動量をセンサ等によって検出して被試験デバイス１０と基板１１０との相対位置を取得してよい。例えば、試験装置１００は、基板１１０または移動部１７０の材質を赤外線を透過させるガラスまたはシリコンにして、移動部１７０の上方または基板１１０下方より赤外線を被試験デバイス１０に向けて照射する。制御部１８０は、基板１１０または移動部１７０を透過して被試験デバイス１０を照射した赤外線の透過光または反射光を検出することにより、被試験デバイス１０と基板１１０との相対位置を取得してよい。

ここで、基板１１０および／または移動部１７０は、赤外光を照射すべきアライメントマークを有してよい。制御部１８０は、赤外光がアライメントマークを照射する基板１１０および／または移動部１７０の位置を検出することによって、基板１１０および／または移動部１７０の位置のアライメントをとってよい。

図２は、図１におけるＡ−Ａ'断面の構成例を示す。本例は、基板１１０上に被試験デバイス１０が搭載された状態を示す。本例において、被試験デバイス１０は、２つの光カプラ１２および光カプラ１２に対応した２つの第１の溝部１４を備える。本例において、第１の溝部１４および第３の溝部１３５は、光伝送路１４０を保持するＶ溝であり、第３の溝部１３５の深さは、第１の溝部１４の深さに比べて浅く設けられている。

押付部１３０は、光伝送路１４０を基板側から第１の溝部１４へとガス圧または液圧により押し上げ、光伝送路１４０は、第１の溝部１４に保持されて光カプラ１２と光学的に接続する位置に配置される。以上の実施例は、被試験デバイス１０は、２つの光カプラ１２および２つの第１の溝部１４を備える例を説明したが、これに代えて被試験デバイス１０は、２以上の光カプラ１２および第１の溝部１４を備えてよい。また、試験装置１００は１つの押付部１３０を備えて光伝送路１４０を第１の溝部１４に押しつける例を説明したが、これに代えて、押付部１３０は試験装置１００に複数備わってよい。

図３は、本実施形態に係る試験装置１００の動作フローを示す。試験装置１００は、被試験デバイス１０を移動部１７０に吸着する（Ｓ３００）。ここで、試験装置１００は、移動部１７０および基板１１０の相対位置をアライメントしてよい。制御部１８０は、移動部１７０に制御信号を送信して、被試験デバイス１０を基板１１０に搭載する位置に移動させる（Ｓ３１０）。

ここで、試験装置１００は、被試験デバイス１０の光カプラ１２を光伝送路１４０に押し当てつつ、被試験デバイス１０の端子１６と基板１１０の電極１１９とを電気的に接続させてよい。試験装置１００は、被試験デバイス１０と光学的および電気的に接続する場合、被試験デバイス１０の端子１６と基板１１０の電極１１９とを物理的に接続しつつ、光カプラ１２と光伝送路１４０とを光学的に接続する。そこで試験装置１００は、光伝送路１４０を押付部１３０で移動させて光カプラ１２と光学的に接続できる範囲内で、被試験デバイス１０の配置を移動調節して、端子１６とガス導入部１１５とを接続させる。

次に、試験装置１００は、被試験デバイス１０を基板１１０に吸着させる（Ｓ３２０）。これによって、試験装置１００は、電気的接続を確保したまま被試験デバイス１０を基板１１０に搭載したことになる。試験装置１００が被試験デバイス１０を基板１１０に搭載させた後に、押付部１３０は、光伝送路１４０を基板１１０側から第１の溝部１４へと押し付けて光伝送路１４０を固定する（Ｓ３３０）。

試験装置１００は、光接続を試験する（Ｓ３４０）。ここで試験装置１００は、光通信部１５０より接続試験用の光信号を発生させて被試験デバイス１０に供給すると共に、被試験デバイス１０から出力される光応答信号を光通信部１５０で受信して、受信した光信号強度から被試験デバイス１０と試験装置１００の光接続を試験する。試験装置１００は、例えば、予め定められた一定強度の光信号を供給すると共に、受信した光信号の光強度が予め定められた強度以下の場合に、光接続が不良と判断する。

試験装置１００は、光接続が不良の場合に、被試験デバイス１０の位置を変える。即ち、試験装置１００は、基板１１０の吸着部１１２による被試験デバイス１０の吸着を解除して（Ｓ３５０）、ステップＳ３１０に戻って移動部１７０による被試験デバイス１０の基板１１０上への搭載を再度実行する。試験装置１００は、光接続の試験結果が良好となるまで、ステップＳ３１０からステップＳ３５０の過程を繰り返してよい。

ここで試験装置１００は、被試験デバイス１０の搭載を繰り返しても光接続試験結果が良好とならない場合、被試験デバイス１０が不良と判断してよい。例えば、試験装置１００は、被試験デバイス１０の搭載を予め定められた回数繰り返しても光接続試験が不良の場合、被試験デバイス１０の光インターフェイスおよび／または光インターフェイスと電気インターフェイスとの相対位置等が不良と判断して当該被試験デバイス１０の試験を終了する。

試験装置１００は、被試験デバイス１０の光接続試験が良好となった場合、被試験デバイス１０の電気接続を試験する（Ｓ３６０）。試験装置１００は、電気通信部１６０より予め定められた電気信号即ち例えば、予め定められたＨｉ／Ｌｏ等の論理値またはパターンの電気信号を電極１１９を介して端子１６に供給する。そして試験装置１００は、端子１６から出力される応答信号を電極１１９を介して電気通信部１６０で受け取り、電気信号の接続状態を試験する。

試験装置１００は、例えば、電気通信部１６０より予め定められた電気信号として一定電圧を供給すると共に、予め定められた範囲の電圧値を電気通信部１６０が受信することで接続状態が良好と判断する。試験装置１００は、良好な接続状態を検出できなかった場合、被試験デバイス１０の位置を変える。即ち、試験装置１００は、基板１１０の吸着部１１２による被試験デバイス１０の吸着を解除して（Ｓ３５０）、ステップＳ３１０に戻って移動部１７０による被試験デバイス１０の基板１１０上への搭載を再度実行する。試験装置１００は、電気接続の試験結果が良好となるまで、ステップＳ３１０からステップＳ３５０の過程を繰り返してよい。

ここで試験装置１００は、被試験デバイス１０の搭載を繰り返しても電気接続試験結果が良好とならない場合、被試験デバイス１０が不良と判断してよい。例えば、試験装置１００は、被試験デバイス１０の搭載を予め定められた回数繰り返しても電気接続試験が不良の場合、被試験デバイス１０の電気インターフェイスが不良と判断して当該被試験デバイス１０の試験を終了する。

試験装置１００は、良好な電気接続が得られた場合、被試験デバイス１０と基板１１０との接続試験を終了させ、移動部１７０の吸着を解除する（Ｓ３７０）。以上の本実施例によって、試験装置１００は、被試験デバイス１０と基板１１０との良好な光接続および電気接続を得ると共に、光入出力の精密な光軸調整なしに被試験デバイス１０を基板１１０上に搭載することができる。試験装置１００は、次に、被試験デバイス１０の動作試験を開始してよい。

本実施例において、試験装置１００は、被試験デバイス１０を基板１１０に吸着させてから光伝送路１４０を固定する例を説明した。これに代えて、試験装置１００は、光伝送路１４０を固定してから被試験デバイス１０を基板１１０に吸着させてもよい。

また、本実施例において、試験装置１００は、被試験デバイス１０を搭載してから光接続試験と電気接続試験とを実行する例を説明した。これに代えて、試験装置１００は、被試験デバイス１０を搭載してから電気接続試験を実行して、良好な電気接続を得た後に光接続試験を実行してもよい。この場合、試験装置１００は、被試験デバイス１０の搭載に続けて光伝送路１４０を固定してもよく、これに代えて電気接続試験の後に光伝送路１４０を固定してもよい。試験装置１００は、例えば、電気接続と光接続とを比べて不良検出が多いと予測される一方の試験を先に実行することで、被試験デバイス１０の試験実行時間を短縮することができる。

図４は、本実施形態に係る試験装置１００の構成例を被試験デバイス１０と共に示す。本実施例の試験装置１００は、図１に示された本実施形態に係る試験装置１００の動作と略同一のものには同一の符号を付け、説明を省略する。試験装置１００は、アナログ回路、デジタル回路、アナログ／デジタル混載回路、メモリ、およびシステム・オン・チップ（ＳＯＣ）等であって、面方向に光信号を伝送するための光カプラを備える被試験デバイス１０と光信号および電気信号を授受して試験する。

試験装置１００は、被試験デバイス１０を試験するための試験パターンに基づく試験信号を被試験デバイス１０に供給して、試験信号に応じて被試験デバイス１０が出力する出力信号に基づいて被試験デバイス１０の良否を判定する。ここで、試験装置１００が被試験デバイス１０に供給する試験信号は、電気信号および／または光信号でよく、また、被試験デバイス１０が出力する出力信号も電気信号および／または光信号であってよい。試験装置１００は、信号発生部４１０と、信号受信部４２０と、比較部４３０とを更に備える。

信号発生部４１０は、試験プログラムに応じて被試験デバイス１０へ供給する複数の試験信号を発生する。信号発生部４１０は、光試験信号を被試験デバイス１０に供給する場合は試験信号を光通信部１５０に送信する。光通信部１５０は、受信した試験信号を電光変換した光試験信号を被試験デバイス１０に供給する。また、信号発生部４１０は、電気信号の試験信号を被試験デバイス１０に供給する場合は試験信号を光通信部１５０に送信する。光通信部１５０は、受信した試験信号を被試験デバイス１０に供給する。信号発生部４１０は、試験信号に応じて被試験デバイス１０が出力する応答信号の期待値を生成して比較部４３０に送信してよい。

光通信部１５０は、被試験デバイス１０が電気信号または光信号の試験信号に応じて出力する光応答信号を受信した場合、光応答信号を光電変換した応答信号を信号受信部４２０に送信する。また、光通信部１５０は、被試験デバイス１０が電気信号または光信号の試験信号に応じて出力する電気信号の応答信号を受信した場合、受信した応答信号を信号受信部４２０に送信する。信号受信部４２０は、受信した応答信号を比較部４３０に送信してよい。また、信号受信部４２０は、受信した応答信号を記録装置に記録してもよい。

比較部４３０は、信号発生部４１０から受信した期待値と比較部４３０から受信した応答信号を比較する。試験装置１００は、比較部４３０の比較結果に基づき、被試験デバイス１０の良否を判定してよい。これによって試験装置１００は、光カプラを備える被試験デバイス１０と光信号および電気信号を授受して試験することができる。また、試験装置１００は、電気信号では伝送することが困難な、例えば数百ＭＨｚ以上の高周波信号を光信号にして伝送することによって、被試験デバイス１０との試験信号および応答信号を高速に授受することができる。これによって、試験装置１００は、例えば、被試験デバイス１０を実際の動作速度で動作させて試験を実施させることもできる。

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。

１０ 被試験デバイス、１２ 光カプラ、１４ 第１の溝部、１６ 端子、１００ 試験装置、１１０ 基板、１１２ 吸着部、１１３ 吸引部、１１５ ガス導入部、１１８ 第２の溝部、１１９ 電極、１２０ ガス供給部、１３０ 押付部、１３５ 第３の溝部、１４０ 光伝送路、１５０ 光通信部、１６０ 電気通信部、１７０ 移動部、１７２ 吸着部、１７４ 吸引部、１８０ 制御部、４１０ 信号発生部、４２０ 信号受信部、４３０ 比較部

Claims (17)

1. 被試験デバイスを試験するための試験装置であって、
   前記被試験デバイスは、面方向に光信号を伝送するための光カプラおよび前記光カプラに接続する当該被試験デバイスの外部の光伝送路を保持する第１の溝部が設けられ、
   前記被試験デバイスが搭載される基板と、
   前記光カプラに接続されるべき前記外部の光伝送路と、
   前記外部の光伝送路を前記基板側から前記第１の溝部へと押し付ける押付部と、
   を備える試験装置。
2. 前記外部の光伝送路を介して前記被試験デバイスの前記光カプラに接続され、前記被試験デバイスとの間で光信号を伝送する光通信部を更に備える請求項１に記載の試験装置。
3. 前記被試験デバイスは、電気信号を伝送するための端子を更に有し、
   当該試験装置は、前記被試験デバイスとの間で電気信号を伝送する電気通信部を更に備え、
   前記基板は、前記電気通信部に接続され、前記端子と接触する電極を有する
   請求項１または２に記載の試験装置。
4. 前記試験装置は、前記被試験デバイスの前記光カプラを前記外部の光伝送路に押し当てつつ、前記被試験デバイスの前記端子と前記基板の電極とを電気的に接続させることにより前記被試験デバイスを前記基板に搭載させる
   請求項３に記載の試験装置。
5. 前記被試験デバイスを前記基板に搭載させた後に、前記押付部は、前記外部の光伝送路を前記基板側から前記第１の溝部へと押し付け、当該試験装置は、光接続を試験して光接続が不良の場合に、前記被試験デバイスの位置を変える請求項４に記載の試験装置。
6. 前記押付部は、ガス圧により押し上げられる請求項１から５のいずれか一項に記載の試験装置。
7. 前記押付部は、弾力性素材で形成される請求項１から６のいずれか一項に記載の試験装置。
8. 前記基板は、前記被試験デバイスを吸引して吸着する吸着部を有する請求項１から７のいずれか一項に記載の試験装置。
9. 前記試験装置は、前記被試験デバイスを吸着して移動させ、前記基板に搭載する移動部を更に備える請求項１から８のいずれか一項に記載の試験装置。
10. 前記外部の光伝送路は、前記第１の溝部と平行方向に予め配置されるように屈曲されている請求項１から９のいずれか一項に記載の試験装置。
11. 前記基板は、前記外部の光伝送路を保持する第２の溝部が設けられた請求項１から１０のいずれか一項に記載の試験装置。
12. 前記押付部は、前記外部の光伝送路を保持する第３の溝部が設けられた請求項１から１１のいずれか一項に記載の試験装置。
13. 前記第３の溝部の深さは、前記第１の溝部の深さに比べて浅く設けられた請求項１２に記載の試験装置。
14. 前記被試験デバイスが前記基板に搭載された状態において、前記被試験デバイスの下面と前記基板との間の間隔よりも前記外部の光伝送路の直径は小さい請求項１から１３のいずれか一項に記載の試験装置。
15. 前記被試験デバイスは、複数の前記光カプラと、前記複数の光カプラのそれぞれに対応する複数の前記第１の溝部が設けられ、
    前記試験装置は、前記複数の光カプラのそれぞれに接続されるべき複数の外部の光伝送路を備え、
    前記押付部は、前記複数の外部の光伝送路を前記基板側から前記複数の第１の溝部のそれぞれへと押し付ける請求項１から１４のいずれか一項に記載の試験装置。
16. 被試験デバイスを試験するための試験方法であって、
    前記被試験デバイスは、面方向に光信号を伝送するための光カプラおよび前記光カプラに接続する当該被試験デバイスの外部の光伝送路を保持する溝部が設けられ、
    前記被試験デバイスが基板に搭載される基板搭載段階と、
    前記光カプラに前記外部の光伝送路が接続される光伝送路接続段階と、
    前記外部の光伝送路を前記基板側から前記溝部へと押し付ける押付段階と、
    を備える試験方法。
17. 被試験デバイスと光信号を授受するデバイスインターフェイスであって、
    前記被試験デバイスは、面方向に光信号を伝送するための光カプラおよび前記光カプラに接続する当該被試験デバイスの外部の光伝送路を保持する溝部が設けられ、
    前記被試験デバイスが搭載される基板と、
    前記光カプラに接続されるべき前記外部の光伝送路と、
    前記外部の光伝送路を前記基板側から前記溝部へと押し付ける押付部と、
    を備えるデバイスインターフェイス。

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