JP5382002B2 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、コイルを含む電子部品及びその製造方法に関する。

従来の電子部品として、特許文献１に記載の高周波用コイルが知られている。該高周波用コイルは、多層基板内にヘリカルコイルを内蔵している。ヘリカルコイルは、複数のコイルパターンが接続されて構成されている。また、コイルパターンは、同じ形状を有するものが２つずつ設けられている。更に、同じ形状を有する２つのコイルパターンは、導電位となるように、並列に接続されている。これにより、ヘリカルコイルの抵抗値が低減されている。

ところで、前記高周波用コイルでは、コイルパターンの断面形状は、長方形である。このような長方形の断面形状を有するコイルパターンに対して高周波信号が印加されると、コイルパターンの周囲に発生する磁束がコイルパターンの角部や端部に集中する縁端効果が発生する。縁端効果が発生すると、電流は、コイルパターンの角部や端部に集中して流れ、コイルパターンの断面全体に均等に電流が流れなくなる。その結果、コイルパターンの実質的な抵抗値が大きくなってしまい、抵抗損失が増加してしまう。

特開平５−３６５３３号公報

そこで、本発明の目的は、抵抗値を低減できると共に、縁端効果の発生を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供することである。

本発明の第１の形態に係る電子部品は、絶縁体層が積層されてなる積層体と、線状導体により構成され、かつ、前記積層体に内蔵されたコイルを構成している複数のコイル導体と、を備え、前記絶縁体層を介して対向していると共に、略同位相の信号が流れる３以上の前記コイル導体は、前記線状導体が延在する方向に直交する断面において、線幅方向の中央から離れるにしたがって積層方向の厚みが小さくなる形状を有する領域を形成しており、かつ、積層方向に重なるように設けられると共に、積層方向において中央に行くにしたがって線幅が広くなる形状を有していること、を特徴とする。
本発明の第２の形態に係る電子部品は、絶縁体層が積層されてなる積層体と、線状導体により構成され、かつ、前記積層体に内蔵されたコイルを構成している複数のコイル導体であって、第１のコイル導体及び第２のコイル導体を含む複数のコイル導体と、を備え、前記絶縁体層を介して対向していると共に、略同位相の信号が流れる前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体は、前記線状導体が延在する方向に直交する断面において、線幅方向の中央から離れるにしたがって積層方向の厚みが小さくなる形状を有する領域を形成しており、積層方向の上側に突出するように湾曲したＵ字型の断面形状を有する前記第１のコイル導体、及び、積層方向の下側に突出するように湾曲したＵ字型の断面形状を有する前記第２のコイル導体が、前記領域内において積層方向に対向していること、を特徴とする。

本発明の第１の形態に係る電子部品の製造方法は、第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層を準備する工程と、前記第１の絶縁体層上及び前記第２の絶縁体層上のそれぞれに、線状導体により構成され、かつ、該線状導体が延在する方向に直交する断面において、線幅方向の中央から離れるにしたがって積層方向の厚みが小さくなる断面構造を有する第１のコイル導体及び第２のコイル導体を形成する工程と、前記第１の絶縁体層の前記第１のコイル導体が形成された主面に、絶縁体層を塗布して平坦化する工程と、前記第１のコイル導体と前記第２のコイル導体とが積層方向から平面視したときに重なるように、前記第１の絶縁体層に前記第２の絶縁体層を積層する工程と、を備えていること、を特徴とする。

本発明の第２の形態に係る電子部品の製造方法は、第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層を準備する工程と、前記第１の絶縁体層上及び前記第２の絶縁体層上のそれぞれに、線状導体により構成される第１のコイル導体及び第２のコイル導体を形成する工程と、前記第２のコイル導体の線幅方向の中央部分に中間層を形成する工程と、前記第１のコイル導体と前記第２のコイル導体とが積層方向から平面視したときに重なるように、前記第１の絶縁体層に前記第２の絶縁体層を積層する工程と、を備えていること、を特徴とする。

本発明によれば、コイルの抵抗値を低減できると共に、縁端効果の発生を抑制できる。

本発明の実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。 本発明の実施形態に係る電子部品の積層体の分解斜視図である。 本発明の実施形態に係る電子部品の等価回路図である。 第１の実施形態に係る電子部品の図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。 図４の電子部品の作製時における工程断面図である。 第２の実施形態に係る電子部品の図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。 図６の電子部品の作製時における工程断面図である。 図６の電子部品の変形例である電子部品の図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。 コイルの断面構造図の拡大図である。

以下に、本発明の実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。該電子部品は、例えば、コイル及びコンデンサを内蔵した高周波フィルタである。

（第１の実施形態）
（電子部品の構成）
第１の実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係る電子部品１０ａ，１０ｂ，１０ｃの外観斜視図である。図２は、本発明の実施形態に係る電子部品１０ａ，１０ｂ，１０ｃの積層体１２の分解斜視図である。図３は、本発明の実施形態に係る電子部品１０ａ，１０ｂ，１０ｃの等価回路図である。図４は、第１の実施形態に係る電子部品１０ａの図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。図１〜図４において、積層体１２の積層方向をｚ軸方向と定義し、積層体１２の長辺方向をｘ軸方向と定義し、積層体１２の短辺方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸方向、ｙ軸方向及びｚ軸方向は、互いに直交している。

電子部品１０ａは、図１に示すように、積層体１２及び外部電極１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂを備えている。積層体１２は、直方体状をなしている。外部電極１４ａ，１４ｂはそれぞれ、信号電極であり、ｘ軸方向の両端に位置する側面においてｚ軸方向に延在するように設けられている。外部電極１６ａ，１６ｂはそれぞれ、グランド電極であり、ｙ軸方向の両端に位置する側面においてｚ軸方向に延在するように設けられている。

以下に、図２及び図３を参照しながら、積層体１２についてより詳細に説明する。図２に示すように、積層体１２は、絶縁体層１８ａ〜１８ｇがｚ軸方向の正方向側からこの順に並ぶように積層されてなる。絶縁体層１８ａ〜１８ｇは、長方形状のセラミック層（例えば、ＬＴＣＣ（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ））である。絶縁体層１８ａ〜１８ｇは、１μｍ〜２５μｍの厚みを有している。また、積層体１２は、図２に示すように、コイルＬ１〜Ｌ４及びコンデンサＣ１〜Ｃ８（図２では、コンデンサＣ５〜Ｃ７については参照符号を記載せず）を内蔵している。コイルＬ１〜Ｌ４及びコンデンサＣ１〜Ｃ８は、以下に説明する導体層２０ａ〜２０ｐ及びビアホール導体ｂ１〜ｂ２６により構成されている。なお、以下では、個別の絶縁体層１８ａ〜１８ｇ及び導体層２０ａ〜２０ｐを指す場合には参照符号の後ろにアルファベットを付し、絶縁体層１８ａ〜１８ｇ及び導体層２０ａ〜２０ｐを総称する場合には参照符号の後ろのアルファベットを省略する。

導体層２０及びビアホール導体ｂ１〜ｂ２６は、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金により作製されている。導体層２０は、１μｍ〜２０μｍの厚みを有している。導体層２０ａ〜２０ｄは、絶縁体層１８ｂ上においてｙ軸方向に延在している線状導体である。導体層２０ａ〜２０ｄは、ｘ軸方向の正方向側からこの順に並ぶように絶縁体層１８ｂ上に設けられている。また、導体層２０ｅ〜２０ｈは、絶縁体層１８ｃ上においてｙ軸方向に延在している線状導体である。導体層２０ｅ〜２０ｈは、ｘ軸方向の正方向側からこの順に並ぶように絶縁体層１８ｃ上に設けられている。

ビアホール導体ｂ１，ｂ３，ｂ５，ｂ７はそれぞれ、導体層２０ａ〜２０ｄのｙ軸方向の負方向側の端部と導体層２０ｅ〜２０ｈのｙ軸方向の負方向側の端部とを接続しており、絶縁体層１８ｂをｚ軸方向に貫通している。ビアホール導体ｂ２，ｂ４，ｂ６，ｂ８はそれぞれ、導体層２０ａ〜２０ｄのｙ軸方向の正方向側の端部と導体層２０ｅ〜２０ｈのｙ軸方向の正方向側の端部とを接続しており、絶縁体層１８ｂをｚ軸方向に貫通している。これにより、導体層２０ａと導体層２０ｅとが並列に接続されている。また、導体層２０ｂと導体層２０ｆとが並列に接続されている。また、導体層２０ｃと導体層２０ｇとが並列に接続されている。また、導体層２０ｄと導体層２０ｈとが並列に接続されている。

導体層２０ａ，２０ｅ及びビアホール導体ｂ１，ｂ２は、図２及び図３に示すコイルＬ１を構成している。導体層２０ｂ，２０ｆ及びビアホール導体ｂ３，ｂ４は、図２及び図３に示すコイルＬ２を構成している。導体層２０ｃ，２０ｇ及びビアホール導体ｂ５，ｂ６は、図２及び図３に示すコイルＬ３を構成している。導体層２０ｄ，２０ｈ及びビアホール導体ｂ７，ｂ８は、図２及び図３に示すコイルＬ４を構成している。

また、図２に示すように、コイルＬ１とコイルＬ２とは並んで設けられている。よって、コイルＬ１とコイルＬ２との間には、寄生容量が発生している。この寄生容量は、図３に示すコンデンサＣ５を構成している。コイルＬ２とコイルＬ３とは並んで設けられている。よって、コイルＬ２とコイルＬ３との間には、寄生容量が発生している。この寄生容量は、図３に示すコンデンサＣ６を構成している。コイルＬ３とコイルＬ４とは並んで設けられている。よって、コイルＬ３とコイルＬ４との間には、寄生容量が発生している。この寄生容量は、図３に示すコンデンサＣ７を構成している。

導体層２０ｉ，２０ｊは、絶縁体層１８ｄ上にｘ軸方向に並ぶように設けられている。また、導体層２０ｋは、絶縁体層１８ｅ上において、絶縁体層１８ｄを介して導体層２０ｉ，２０ｊに対向するように設けられている。これにより、導体層２０ｉと導体層２０ｋは、コンデンサＣ２を構成し、導体層２０ｊと導体層２０ｋは、コンデンサＣ３を構成している。

ビアホール導体ｂ１２，ｂ１４はそれぞれ、導体層２０ｆ，２０ｇのｙ軸方向の正方向側の端部と導体層２０ｉ，２０ｊとを接続しており、絶縁体層１８ｃをｚ軸方向に貫通している。また、ビアホール導体ｂ１１，ｂ１３はそれぞれ、導体層２０ｆ，２０ｇのｙ軸方向の負方向側の端部に接続されており、絶縁体層１８ｃをｚ軸方向に貫通している。更に、ビアホール導体ｂ１９，ｂ２０はそれぞれ、ビアホール導体ｂ１１，ｂ１３と導体層２０ｋとを接続しており、絶縁体層１８ｄをｚ軸方向に貫通している。これにより、コンデンサＣ２，Ｃ３はそれぞれ、図３に示すように、コイルＬ２，Ｌ３に並列に接続されている。

更に、導体層２０ｋは、絶縁体層１８ｅにおいて、ｙ軸方向の正方向側及び負方向側の両端に位置する辺に引き出されている。これにより、導体層２０ｋは、図１に示す外部電極１６ａ，１６ｂに接続されている。すなわち、コイルＬ２，Ｌ３及びコンデンサＣ２，Ｃ３の一端は、図３に示すように、外部電極１６ａ，１６ｂに接続されている。

導体層２０ｌ，２０ｍは、絶縁体層１８ｆ上にｘ軸方向に並ぶように設けられている。更に、導体層２０ｌ，２０ｍは、絶縁体層１８ｅを介して導体層２０ｋに対向するように設けられている。これにより、導体層２０ｋと導体層２０ｌは、コンデンサＣ１を構成し、導体層２０ｋと導体層２０ｍは、コンデンサＣ４を構成している。

ビアホール導体ｂ９，ｂ１５はそれぞれ、導体層２０ｅ，２０ｈのｙ軸方向の負方向側の端部に接続されており、絶縁体層１８ｃをｚ軸方向に貫通している。また、ビアホール導体ｂ１７，ｂ２１はそれぞれ、ビアホール導体ｂ９，ｂ１５に接続されており、絶縁体層１８ｄをｚ軸方向に貫通している。更に、ビアホール導体ｂ２３，ｂ２４はそれぞれ、ビアホール導体ｂ１７，ｂ２１と導体層２０ｌ，２０ｍとを接続しており、絶縁体層１８ｅをｚ軸方向に貫通している。また、ビアホール導体ｂ１０，ｂ１６はそれぞれ、導体層２０ｅ，２０ｈのｙ軸方向の正方向側の端部に接続されており、絶縁体層１８ｃをｚ軸方向に貫通している。また、ビアホール導体ｂ１８，ｂ２２はそれぞれ、ビアホール導体ｂ１０，ｂ１６と導体層２０ｋとを接続し、絶縁体層１８ｄをｚ軸方向に貫通している。これにより、コンデンサＣ１，Ｃ４はそれぞれ、図３に示すように、コイルＬ１，Ｌ４に並列に接続されている。更に、図３に示すように、コイルＬ１及びコンデンサＣ１の一端は、導体層２０ｋを介して外部電極１６ａ，１６ｂに接続されている。

導体層２０ｎは、絶縁体層１８ｇ上に設けられており、ｘ軸方向の負方向側に位置する辺に引き出されている。また、ビアホール導体ｂ２５は、導体層２０ｌと導体層２０ｎとを接続しており、絶縁体層１８ｆをｚ軸方向に貫通している。これにより、図３に示すように、コイルＬ１及びコンデンサＣ１の他端は、導体層２０ｎを介して外部電極１４ａに接続されている。

導体層２０ｐは、絶縁体層１８ｇ上に設けられており、ｘ軸方向の正方向側に位置する辺に引き出されている。また、ビアホール導体ｂ２６は、導体層２０ｍと導体層２０ｐとを接続しており、絶縁体層１８ｆをｚ軸方向に貫通している。これにより、図３に示すように、コイルＬ２及びコンデンサＣ２の一端は、導体層２０ｐを介して外部電極１４ｂに接続されている。

また、導体層２０ｏは、絶縁体層１８ｇ上に設けられており、絶縁体層１８ｆを介して導体層２０ｌ，２０ｍに対向している。これにより、導体層２０ｌ，２０ｍ，２０ｏは、コンデンサＣ８を構成している。

以上のように構成された絶縁体層１８ａ〜１８ｇが積層され、外部電極１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂが形成されることにより、電子部品１０ａは、図４に示すような断面形状を有するようになる。なお、図４では、絶縁体層１８ｂ上に、導体層２０ａ〜２０ｄとｚ軸方向に等しい厚みを有する絶縁体層２２が設けられている。ただし、図２では、図面が煩雑になることを避けるために、絶縁体層２２については省略してある。

導体層２０ａと導体層２０ｅとは、並列接続されているので、略同位相の信号が流れる。導体層２０ａと導体層２０ｅとは、その両端部がビアホール導体ｂ１，ｂ２により接続されている。更に、導体層２０ａは、ビアホール導体ｂ９によりコンデンサＣ１を構成する導体層２０ｌに接続されている。このような構成では、導体層２０ｌを基準としたときにビアホール導体ｂ１の長さの分だけ導体層２０ａと導体層２０ｅとを流れる信号の位相が異なることになる。そして、導体層２０ａは、図４に示すように、ｚ軸方向の正方向側に突出した断面形状を有している。導体層２０ｅは、ｚ軸方向の負方向側に突出した断面形状を有している。すなわち、導体層２０ａ，２０ｅは、線幅方向の中央から両端に行くにしたがって、ｚ軸方向の厚みが小さくなる半円形状の断面形状を有している。更に、導体層２０ａ，２０ｅは、絶縁体層１８ｂを介して互いに対向している。これにより、導体層２０ａ，２０ｅは、図４に示すように、ｙ軸方向に直交する断面（線状導体が延在する方向に直交する断面）において、線幅方向の中央から離れるにしたがってｚ軸方向の厚みが小さくなる形状を有する領域Ｂを形成している。本実施形態では、領域Ｂは、楕円形状をなしている。この領域Ｂのｚ軸方向の厚みは、５０μｍ以上である。なお、導体層２０ｂ〜２０ｄ，２０ｆ〜２０ｈは、導体層２０ａ，２０ｅと同じ構造を有しているので、これらの詳細な説明を省略する。

（電子部品の製造方法）
次に、電子部品１０ａの製造方法について図面を参照しながら説明する。図５は、電子部品１０ａの作製時における工程断面図である。

まず、絶縁体層１８ａ〜１８ｇとなるＬＴＣＣのセラミックグリーンシートを準備する。なお、ＬＴＣＣのセラミックグリーンシートの作成方法は、公知であるので説明を省略する。

次に、図２に示すように、絶縁体層１８ｂ〜１８ｆとなるセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ２６を形成する。具体的には、絶縁体層１８ｂ〜１８ｆとなるセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。

次に、図２に示すように、絶縁体層１８ｂ〜１８ｇとなるセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法で塗布することにより、導体層２０ａ〜２０ｐを形成する。特に、図５（ａ）に示すように、絶縁体層１８ｂ，１８ｃとなるセラミックグリーンシート上のそれぞれに、線幅方向の中央から離れるにしたがってｚ軸方向の厚みが小さくなる断面形状を有するように、導体層２０ａ〜２０ｈを形成する。なお、導体層２０ａ〜２０ｐの形成と同時に、ビアホール導体に対して導電性ペーストを充填してもよい。

次に、図５（ｂ）に示すように、絶縁体層１８ｂとなるセラミックグリーンシートの導体層２０ａ〜２０ｄが形成された主面に、絶縁材料（ＬＴＣＣ）のスラリーを塗布し、絶縁体層２２となるセラミックグリーン層を形成する。これにより、絶縁体層１８ｂとなるセラミックグリーンシートの主面を平坦化する。

次に、図５（ｃ）に示すように、絶縁体層１８ｂとなるセラミックグリーンシートの上下を反転させ、絶縁体層１８ａとなるセラミックグリーンシートに積層し、仮圧着する。次に、図５（ｄ）に示すように、絶縁体層１８ｃとなるセラミックグリーンシートの上下を反転させ、絶縁体層１８ｂとなるセラミックグリーンシート上に積層し、仮圧着する。この際、導体層２０ａ〜２０ｄと導体層２０ｅ〜２０ｈとがｚ軸方向から平面視したときに重なるように、絶縁体層１８ｂとなるセラミックグリーンシートの導体層２０ａ〜２０ｄが形成されていない主面に対して、導体層２０ｅ〜２０ｈが対向するように絶縁体層１８ｃとなるセラミックグリーンシートを積層・仮圧着する。仮圧着により、導体層２０ｅ〜２０ｈの線幅方向の両端は、図５（ｄ）の下方向に押さえつけられる。これにより、導体層２０ｅ〜２０ｈは、図４に示すように、絶縁体層１８ｃとなるセラミックグリーンシート側に突出した半円形状の断面形状を有するようになる。その結果、導体層２０ａ〜２０ｄと導体層２０ｅ〜２０ｈはそれぞれ、楕円形状の断面形状を有する領域Ｂを形成する。

この後、絶縁体層１８ｃとなるセラミックグリーンシート上に、絶縁体層１８ｄ〜１８ｇとなるセラミックグリーンシートをこの順に積層及び仮圧着する。これにより、マザー積層体を得る。更に、マザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着を施す。

次に、マザー積層体を押し切りにより所定寸法の積層体１２にカットして、未焼成の積層体１２を得る。この未焼成の積層体１２には、脱バインダー処理及び焼成がなされる。

以上の工程により、焼成された積層体１２が得られる。積層体１２には、バレル加工を施して、面取りを行う。その後、積層体１２の表面には、例えば、浸漬法等の方法により主成分が銀である電極ペーストを塗布及び焼き付けすることにより、外部電極１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂとなる銀電極を形成する。最後に、銀電極の表面に、Ｎｉめっき／Ｓｎめっきを施すことにより、外部電極１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂを形成する。以上の工程を経て、図１に示すような電子部品１０ａが完成する。

（効果）
以上のように構成された電子部品１０ａによれば、以下に説明するように、コイルＬ１〜Ｌ４の抵抗値を低減できる。より詳細には、コイルＬ１〜Ｌ４を構成している導体層２０ａ〜２０ｄと導体層２０ｅ〜２０ｈとが並列に接続されている。その結果、コイルＬ１〜Ｌ４が導体層２０ａ〜２０ｄのみにより構成されている場合に比べて、コイルＬ１〜Ｌ４の抵抗値が低減される。

更に、電子部品１０ａによれば、コイルＬ１〜Ｌ４において縁端効果が発生することを抑制できる。以下に、導体層２０ａ，２０ｅを例にとってより詳細に説明する。図４に示すように、導体層２０ａ，２０ｅの外縁は、楕円形状の領域Ｂを形成している。そして、導体層２０ａ，２０ｅは、その両端部がビアホール導体ｂ１，ｂ２で接続されているため、導体層２０ａ，２０ｂが形成されているセラミックグリーンシートは異なるものの、略同位相の信号が流れる。よって、導体層２０ａ，２０ｅの外縁からなる領域Ｂは、角部を有していない。そのため、導体層２０ａ，２０ｅの周囲に発生する磁束は、領域Ｂに沿った楕円形状の軌跡を描くようになり、角部を有する導体層の周囲に発生する磁束に比べて、特定の箇所に集中しにくくなる。すなわち、導体層２０ａ，２０ｅでは、角部を有する導体層に比べて、縁端効果が発生しにくい。なお、本願発明者が行ったコンピュータシミュレーションによれば、導体層２０ａ，２０ｅを長方形状の断面形状とした電子部品に比べて、電子部品１０ａは、縁端効果の発生を抑制することにより、４％程度の抵抗値の低減を図ることができた。

また、導体層２０ａ〜２０ｈの周囲の磁束密度は、導体層２０ａ〜２０ｈの線幅方向の中央において最も大きくなる。そこで、導体層２０ａ〜２０ｈは、線幅方向の中央から両端に行くにしたがってｚ軸方向の厚みが連続的に小さくなる断面形状を有している。これにより、磁束は、導体層２０ａ〜２０ｈの線幅方向の中央から両端に向かってスムーズに導体層２０ａ〜２０ｈを周回するようになる。その結果、電子部品１０ａでは、導体層２０ａ〜２０ｈにおいて磁束の集中が抑制されるようになり、縁端効果の発生がより効果的に抑制される。

また、電子部品１０ａでは、半円形状の導体層２０ａ〜２０ｈを形成し、絶縁体層２２を形成するという比較的簡単な工程により、導体層２０ａ〜２０ｂに楕円形状の領域Ｂを形成させることが可能である。よって、電子部品１０ａの製造プロセスが簡単になり、該電子部品１０ａの製造コストが低減される。

また、以下に説明するように、ｚ軸方向の正方向側の導体層２０とｚ軸方向の負方向側の導体層２０との間隔を、これらの導体層２０の厚みの１／２以下とすることにより、電子部品１０ａの無負荷Ｑを高くすることができる。具体的には、本願発明者は、本実施形態の電子部品１０ａの無負荷Ｑの特性を測定した。まず、線幅５０μｍ、厚み５０μｍの矩形状の断面を有する従来の電子部品では、無負荷Ｑは７２であった。一方、図４の電子部品１０ａにおいて、ｚ軸方向の正方向側の導体層２０（例えば、導体層２０ａ〜２０ｄ）とｚ軸方向の負方向側の導体層２０（例えば、導体層２０ｅ〜２０ｈ）との形状を、線幅５０μｍ、厚み２５μｍとし、ｚ軸方向の正方向側の導体層２０とｚ軸方向の負方向側の導体層２０との間隔を変化させた。その結果、間隔が０．５μｍ、１．０μｍ、３．０μｍ、５．０μｍ、１０μｍ、１５μｍのときの無負荷Ｑはそれぞれ、８５．５、８５．５、８３．２、８０．３、７４．７、７１．３であった。このように、ｚ軸方向の正方向側の導体層２０とｚ軸方向の負方向側の導体層２０との間隔（すなわち、絶縁体層１８ｂの厚み）を、これらの導体層２０の厚みの１／２以下とすることにより、電子部品１０ａの無負荷Ｑを高くすることができることが分かる。無負荷Ｑは、減衰定数（α）と位相定数（β）との比（−２α／β）で表される。ｚ軸方向の正方向側の導体層２０とｚ軸方向の負方向側の導体層２０との間隔を狭くすることにより、α，β共に小さくなるが、間隔を変化させることによる変化量はβの方が大きいので、無負荷Ｑが大きくなると考えられる。

（第２の実施形態）
（電子部品の構成）
第２の実施形態に係る電子部品の構成について図面を参照しながら説明する。外観斜視図、分解斜視図及び等価回路図については、図１ないし図３を援用する。図６は、第２の実施形態に係る電子部品１０ｂの図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。図６において、積層体１２の積層方向をｚ軸方向と定義し、積層体１２の長辺方向をｘ軸方向と定義し、積層体１２の短辺方向をｙ軸方向と定義する。ｘ軸方向、ｙ軸方向及びｚ軸方向は、互いに直交している。

電子部品１０ａと電子部品１０ｂとの相違点は、図４及び図６に示すように、導体層２０ａ〜２０ｈの形状である。より具体的には、電子部品１０ａでは、導体層２０ａ〜２０ｈは、半円形状の断面形状を有していたのに対して、電子部品１０ｂでは、導体層２０ａ〜２０ｈは、Ｕ字型の断面形状を有している。以下に、かかる相違点を中心に、電子部品１０ｂについて説明する。

以下では、導体層２０ａ，２０ｅを例にとって説明する。図６に示すように、導体層２０ａは、平板状の導体層がｚ軸方向の正方向側に突出するように湾曲させられた断面形状を有している。一方、導体層２０ｅは、平板状の導体層がｚ軸方向の負方向側に突出するように湾曲させられた断面形状を有している。そして、導体層２０ａと導体層２０ｅはそれぞれ、絶縁体層１８ｂを挟んで対向している。これにより、導体層２０ａ，２０ｅは、図６に示すように、ｙ軸方向に直交する断面（線状導体が延在する方向に直交する断面）において、線幅方向の中央から離れるにしたがってｚ軸方向の厚みが小さくなる形状を有する領域Ｂを形成している。本実施形態では、領域Ｂは、楕円形状をなしている。なお、導体層２０ｂ〜２０ｄ，２０ｆ〜２０ｈは、導体層２０ａ，２０ｅと同じ構造を有しているので、これらの詳細な説明を省略する。また、電子部品１０ｂのその他の構成は、電子部品１０ａのその他の構成と同じであるので説明を省略する。

以上のような構成を有する電子部品１０ｂにおいても、電子部品１０ａと同様に、コイルＬ１〜Ｌ４の抵抗値を低減することができると共に、コイルＬ１〜Ｌ４において縁端効果が発生することを抑制できる。

（電子部品の製造方法）
次に、電子部品１０ｂの製造方法について図面を参照しながら説明する。図７は、電子部品１０ｂの作製時における工程断面図である。

まず、絶縁体層１８ａ〜１８ｇとなるＬＴＣＣのセラミックグリーンシートを準備する。なお、ＬＴＣＣのセラミックグリーンシートの作成方法は、公知であるので説明を省略する。

次に、図２に示すように、絶縁体層１８ｂ〜１８ｆとなるセラミックグリーンシートのそれぞれに、ビアホール導体ｂ１〜ｂ２６を形成する。具体的には、絶縁体層１８ｂ〜１８ｆとなるセラミックグリーンシートにレーザビームを照射してビアホールを形成する。次に、このビアホールに対して、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などの導電性ペーストを印刷塗布などの方法により充填する。

次に、図２に示すように、絶縁体層１８ｂ〜１８ｇとなるセラミックグリーンシート上に、Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕやこれらの合金などを主成分とする導電性ペーストをスクリーン印刷法で塗布することにより、導体層２０ａ〜２０ｐを形成する。なお、導体層２０ａ〜２０ｐの形成と同時に、ビアホール導体に対して導電性ペーストを充填してもよい。

次に、図７（ａ）に示すように、導体層２０ｅ〜２０ｈの線幅方向の中央部分に絶縁材料（ＬＴＣＣ）のスラリーを塗布し、絶縁体層２４ａ〜２４ｄとなるセラミックグリーン層を形成する。この際、絶縁体層２４ａ〜２４ｄとなるセラミックグリーン層が上側に突出した半円形状をなすように、絶縁体層２４ａ〜２４ｄとなるセラミックグリーン層を形成する。

次に、図７（ｂ）に示すように、絶縁体層１８ｂとなるセラミックグリーンシートの上下を反転させ、絶縁体層１８ａとなるセラミックグリーンシートに積層し、仮圧着する。次に、図７（ｃ）に示すように、絶縁体層１８ｃとなるセラミックグリーンシートの上下を反転させ、絶縁体層１８ｂとなるセラミックグリーンシート上に積層し、仮圧着する。この際、導体層２０ａ〜２０ｄと導体層２０ｅ〜２０ｈとがｚ軸方向から平面視したときに重なるように、絶縁体層１８ｂとなるセラミックグリーンシートの導体層２０ａ〜２０ｄが形成されていない主面に対して、導体層２０ｅ〜２０ｈが対向するように絶縁体層１８ｃとなるセラミックグリーンシートを積層・仮圧着する。仮圧着により、導体層２０ｅ〜２０ｈの線幅方向の両端は、図７（ｃ）の下方向に押さえつけられる。更に、導体層２０ａ〜２０ｄの線幅方向の中央はそれぞれ、絶縁体層２４ａ〜２４ｄにより図７（ｃ）の下方向に押さえつけられる。これにより、導体層２０ａ〜２０ｄは、図６に示すように、絶縁体層１８ａとなるセラミックグリーンシート側に突出するように湾曲した断面形状を有するようになる。また、導体層２０ｅ〜２０ｈは、絶縁体層１８ｃとなるセラミックグリーンシート側に突出するように湾曲した断面形状を有するようになる。その結果、導体層２０ａ〜２０ｄと導体層２０ｅ〜２０ｈはそれぞれ、楕円形状の断面形状を有する領域Ｂを形成する。

この後、絶縁体層１８ｃとなるセラミックグリーンシート上に、絶縁体層１８ｄ〜１８ｇとなるセラミックグリーンシートをこの順に積層及び仮圧着する。これにより、マザー積層体を得る。更に、マザー積層体には、静水圧プレスなどにより本圧着を施す。この後、マザー積層体から電子部品１０ｂを作製する工程に付いては、電子部品１０ａにおいて説明した工程と同じであるので説明を省略する。

（変形例）
以下に、電子部品１０ｂの変形例について図面を参照しながら説明する。図８は、電子部品１０ｂの変形例である電子部品１０ｃの図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。

図８に示すように、電子部品１０ｂの絶縁体層２４ａ〜２４ｄを、導体層２６ａ〜２６ｄに置き換えてもよい。この場合、コイルＬ１〜Ｌ４の断面積が増加するので、コイルＬ１〜Ｌ４の抵抗値が低減される。

（その他の実施形態）
本願発明に係る電子部品は、電子部品１０ａ〜１０ｃの構造に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。

なお、コイルＬ１〜Ｌ４はそれぞれ、２つの導体層２０により構成されているが、３以上の導体層２０により構成されていてもよい。図９は、コイルＬ１の断面構造図の拡大図である。

図９では、平板状の断面形状を有する５つの導体層２０がｚ軸方向に重なるように設けられている。そして、５つの導体層２０は、ｚ軸方向において、中央にいくにしたがって線幅が広くなる形状を有している。これにより、複数の導体層２０が、図９に示すように、ｙ軸方向に直交する断面（線状導体が延在する方向に直交する断面）において、線幅方向の中央から離れるにしたがってｚ軸方向の厚みが小さくなる形状を有する領域Ｂを形成するようになる。

また、図９に示す導体層２０はそれぞれ、線幅方向の中央から離れるにしたがってｚ軸方向の厚みが小さくなる形状を有している。これにより、各導体層２０の角部において縁端効果が発生することが抑制される。

また、電子部品１０ａ〜１０ｃでは、コイルＬ１〜Ｌ４を構成している導体層２０は、ｚ軸方向に絶縁体層１８を挟んで並んでいた。しかしながら、コイルＬ１〜Ｌ４を構成している導体層２０は、ｘ軸方向又はｙ軸方向に絶縁体層１８を挟んで並んでいてもよい。すなわち、領域Ｂ内において、複数の導電層２０がｘ軸方向又はｙ軸方向に並んでいてもよい。

また、電子部品１０ａ〜１０ｃでは、絶縁体層１８は、単一の材料（ＬＴＣＣ）からなるものとしたが、複数種類の材料からなっていてもよい。具体的には、同一の領域Ｂ内に複数の絶縁体層１８が存在している場合（すなわち、導体層２０ａ〜２０ｄと導体層２０ｅ〜２０ｈとの間に複数の絶縁体層１８が存在している場合）には、複数の絶縁体層１８は、透磁率の異なる複数種類の材料によって構成されていてもよい。これにより、コイルＬ１〜Ｌ４のインダクタンス値を任意の値に設定することが容易となる。

また、電子部品１０ａ〜１０ｃでは、導体層２０は、単一の材料（ＬＴＣＣ）からなるものとしたが、複数種類の材料からなっていてもよい。具体的には、同一の領域Ｂ内に存在している複数の導体層２０は、異なる複数種類の材料によって構成されていてもよい。これにより、コイルＬ１〜Ｌ４のインダクタンス値や抵抗値を任意の値に設定することが容易となる。

なお、図４に示す電子部品１０ａにおいて、導体層２０ａ〜２０ｄのｚ軸方向の正方向側に隣接している絶縁体層１８ａの厚み、及び、導体層２０ｅ〜２０ｈのｚ軸方向の負方向側に隣接している絶縁体層１８ｃの厚みを、絶縁体層１８ｂ，１８ｄ〜１８ｇよりも大きくしてもよい。特に、絶縁体層１８ａ，１８ｃにおいて、導体層２０ａ〜２０ｈの線幅方向の中央とｚ軸方向に重なる部分の厚みを、大きくすることが望ましい。これにより、絶縁体層１８同士の接合部分や積層体１２外を通過する磁束の量を減らすことが可能となる。その結果、コイルＬ１〜Ｌ４のインダクタンス値が向上する。

なお、領域Ｂは、楕円形状であるとしたが、円形であってもよい。

本発明は、電子部品及びその製造方法に有用であり、特に、コイルの抵抗値を低減できると共に、縁端効果の発生を抑制できる点において優れている。

Ｂ 領域
Ｃ１〜Ｃ８ コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ４ コイル
ｂ１〜ｂ２６ ビアホール導体
１０ａ〜１０ｃ 電子部品
１２ 積層体
１４ａ，１４ｂ，１６ａ，１６ｂ 外部電極
１８ａ〜１８ｇ，２２，２４ａ〜２４ｄ 絶縁体層
２０ａ〜２０ｐ，２６ａ〜２６ｄ 導体層

Claims (10)

1. 絶縁体層が積層されてなる積層体と、
   線状導体により構成され、かつ、前記積層体に内蔵されたコイルを構成している複数のコイル導体と、
   を備え、
   前記絶縁体層を介して対向していると共に、略同位相の信号が流れる３以上の前記コイル導体は、前記線状導体が延在する方向に直交する断面において、線幅方向の中央から離れるにしたがって積層方向の厚みが小さくなる形状を有する領域を形成しており、かつ、積層方向に重なるように設けられると共に、積層方向において中央に行くにしたがって線幅が広くなる形状を有していること、
   を特徴とする電子部品。
2. 絶縁体層が積層されてなる積層体と、
   線状導体により構成され、かつ、前記積層体に内蔵されたコイルを構成している複数のコイル導体であって、第１のコイル導体及び第２のコイル導体を含む複数のコイル導体と、
   を備え、
   前記絶縁体層を介して対向していると共に、略同位相の信号が流れる前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体は、前記線状導体が延在する方向に直交する断面において、線幅方向の中央から離れるにしたがって積層方向の厚みが小さくなる形状を有する領域を形成しており、
   積層方向の上側に突出するように湾曲したＵ字型の断面形状を有する前記第１のコイル導体、及び、積層方向の下側に突出するように湾曲したＵ字型の断面形状を有する前記第２のコイル導体が、前記領域内において積層方向に対向していること、
   を特徴とする電子部品。
3. 前記領域は、円形又は楕円形であること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
4. 同一の前記領域内に存在している前記複数の絶縁体層は、複数種類の絶縁性材料で構成されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
5. 同一の前記領域内に存在している前記複数のコイル導体は、複数種類の導電性材料で構成されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
6. 前記絶縁体層の厚みは、前記第１のコイル導体及び前記第２のコイル導体の厚みの１／２以下であること、
   を特徴とする請求項２に記載の電子部品。
7. 第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層を準備する工程と、
   前記第１の絶縁体層上及び前記第２の絶縁体層上のそれぞれに、線状導体により構成され、かつ、該線状導体が延在する方向に直交する断面において、線幅方向の中央から離れるにしたがって積層方向の厚みが小さくなる断面構造を有する第１のコイル導体及び第２のコイル導体を形成する工程と、
   前記第１の絶縁体層の前記第１のコイル導体が形成された主面に、絶縁体層を塗布して平坦化する工程と、
   前記第１のコイル導体と前記第２のコイル導体とが積層方向から平面視したときに重なるように、前記第１の絶縁体層に前記第２の絶縁体層を積層する工程と、
   を備えていること、
   を特徴とする電子部品の製造方法。
8. 第１の絶縁体層及び第２の絶縁体層を準備する工程と、
   前記第１の絶縁体層上及び前記第２の絶縁体層上のそれぞれに、線状導体により構成される第１のコイル導体及び第２のコイル導体を形成する工程と、
   前記第２のコイル導体の線幅方向の中央部分に中間層を形成する工程と、
   前記第１のコイル導体と前記第２のコイル導体とが積層方向から平面視したときに重なるように、前記第１の絶縁体層に前記第２の絶縁体層を積層する工程と、
   を備えていること、
   を特徴とする電子部品の製造方法。
9. 前記中間層は、絶縁体からなること、
   を特徴とする請求項８に記載の電子部品の製造方法。
10. 前記中間層は、導電体からなること、
    を特徴とする請求項９に記載の電子部品の製造方法。

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