JP5382899B2 - 露光装置 - Google Patents
露光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5382899B2 JP5382899B2 JP2005309205A JP2005309205A JP5382899B2 JP 5382899 B2 JP5382899 B2 JP 5382899B2 JP 2005309205 A JP2005309205 A JP 2005309205A JP 2005309205 A JP2005309205 A JP 2005309205A JP 5382899 B2 JP5382899 B2 JP 5382899B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- light
- exposed
- photomask
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133514—Colour filters
- G02F1/133516—Methods for their manufacture, e.g. printing, electro-deposition or photolithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
- G03F7/0007—Filters, e.g. additive colour filters; Components for display devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70191—Optical correction elements, filters or phase plates for controlling intensity, wavelength, polarisation, phase or the like
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
図1に示すように、上記透明基材15の一方の面15aには、遮光膜16が形成されている。この遮光膜16は、露光光を遮光するものであり、不透明な例えばクロム(Cr)の薄膜で形成されている。
ここで、使用されるカラーフィルタ基板1は、図4に示すように、透明なガラス基板の一面にクロム(Cr)等からなる不透明膜が形成され、同図に示すように露光領域2内に多数のピックセル21がマトリクス状に形成されたものである。さらに、その一端部1a側の略中央部に、上記フォトマスク14に予め設定された基準位置R1と上記カラーフィルタ基板1に予め設定された基準位置R2との位置ずれを補正してアライメントをとるために細長状の基板側アライメントマーク22が一つ形成されている。また、上記基板側アライメントマーク22の側方には、中央側から一方の側端部1bに向かって並べて複数のアライメント確認マーク29がピックセル21に対応させてピックセル21の配列の3ピッチ間隔と一致した間隔で形成されている。なお、上記基板側アライメントマーク22及びアライメント確認マーク29は、図4においてそれぞれ各マークの左側縁部と対応するピックセル21の左側縁部とが一致するように形成されている。
先ず、図5に示すシャッタ11がその第1番目のスリット23aの中心を露光光の光軸中心に一致させて停止されている。また、このとき光源7は消灯されている。このような状態において、カラーフィルタ基板1がステージ5の上面5aに載置されて所定の速度Vで図1に示す矢印A方向に搬送される。
2…露光領域
2a〜2c…第1番目〜第3番目の露光領域
3a…第1の非露光領域
3b…第2の非露光領域
5…ステージ
6…マスクステージ
7…光源
8…フォトインテグレータ
9…コンデンサーレンズ(集光レンズ)
10…結像レンズ
11…シャッタ
14…フォトマスク
17…マスクパターン
23…スリット
23a〜23c…第1番目〜第3番目のスリット
30a…第1の遮光領域
30b…第2の遮光領域
Claims (3)
- 複数の露光領域が少なくとも一列に並べて設定された被露光体を上面に載置して、前記複数の露光領域の設定方向に一定速度で前記被露光体を搬送するステージと、
前記ステージの上方に配設され、所定形状の開口のマスクパターンを形成したフォトマスクを前記被露光体に近接対向させて保持するマスクステージと、
前記被露光体に対する露光期間中常時点灯し、前記マスクステージに保持されたフォトマスクの前記マスクパターンに露光光を照射する光源と、
前記マスクステージと光源との間に配設され、前記フォトマスクに照射する露光光を平行光にする集光レンズと、
を備えた露光装置であって、
前記光源と集光レンズとの間に配設され、前記光源の像を前記集光レンズの手前側に結像する結像レンズと、
複数のスリットと複数の遮光領域とを交互に有して前記結像レンズによる前記光源の像の結像位置近傍に配設され、前記被露光体の前記露光領域に対する露光実行中は停止して前記複数のスリットのうちの一のスリットを通して前記露光領域に露光光を照射させ、前記被露光体の搬送により前記複数の露光領域の外部にて互いに隣接する露光領域の間の部分が前記マスクパターンの下側を通過するのに同期して前記被露光体の搬送方向と反対方向に移動し、該移動方向にて前記一のスリットの下流側に位置する前記遮光領域により前記隣接する露光領域の間の部分に照射される露光光を遮断するシャッタと、
を備えたことを特徴とする露光装置。 - 複数の露光領域が少なくとも一列に並べて設定された被露光体を上面に載置して、前記複数の露光領域の設定方向に一定速度で前記被露光体を搬送するステージと、
前記ステージの上方に配設され、所定形状の開口のマスクパターンを形成したフォトマスクを前記被露光体に近接対向させて保持するマスクステージと、
前記被露光体に対する露光期間中常時点灯し、前記マスクステージに保持されたフォトマスクの前記マスクパターンに露光光を照射する光源と、
前記マスクステージと光源との間に配設され、前記フォトマスクに照射する露光光の輝度分布を均一にするフォトインテグレータと、
前記マスクステージとフォトインテグレータとの間に配設され、前記フォトマスクに照射する露光光を平行光にする集光レンズと、
を備えた露光装置であって、
前記フォトインテグレータと集光レンズとの間に配設され、前記フォトインテグレータの端面像を前記集光レンズの手前側に結像する結像レンズと、
複数のスリットと複数の遮光領域とを交互に有して前記結像レンズによる前記フォトインテグレータの端面像の結像位置近傍に配設され、前記被露光体の前記露光領域に対する露光実行中は停止して前記複数のスリットのうちの一のスリットを通して露光領域に露光光を照射させ、前記被露光体の搬送により前記複数の露光領域の外部にて互いに隣接する露光領域の間の部分が前記マスクパターンの下側を通過するのに同期して前記被露光体の搬送方向と反対方向に移動し、該移動方向にて前記一のスリットの下流側に位置する前記遮光領域により前記隣接する露光領域の間の部分に照射される露光光を遮断するシャッタと、
を備えたことを特徴とする露光装置。 - 前記シャッタは、前記被露光体の搬送方向と反対方向に移動可能とされ、該移動方向に沿って前記被露光体の複数の露光領域と同数の前記スリットを形成したことを特徴とする請求項1又は2記載の露光装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005309205A JP5382899B2 (ja) | 2005-10-25 | 2005-10-25 | 露光装置 |
| CN2006800349340A CN101268420B (zh) | 2005-10-25 | 2006-10-04 | 曝光装置 |
| PCT/JP2006/319853 WO2007049436A1 (ja) | 2005-10-25 | 2006-10-04 | 露光装置 |
| KR1020087001979A KR101306917B1 (ko) | 2005-10-25 | 2006-10-04 | 노광 장치 |
| TW095139074A TWI446124B (zh) | 2005-10-25 | 2006-10-24 | 曝光裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005309205A JP5382899B2 (ja) | 2005-10-25 | 2005-10-25 | 露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007121344A JP2007121344A (ja) | 2007-05-17 |
| JP5382899B2 true JP5382899B2 (ja) | 2014-01-08 |
Family
ID=37967554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005309205A Expired - Lifetime JP5382899B2 (ja) | 2005-10-25 | 2005-10-25 | 露光装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5382899B2 (ja) |
| KR (1) | KR101306917B1 (ja) |
| CN (1) | CN101268420B (ja) |
| TW (1) | TWI446124B (ja) |
| WO (1) | WO2007049436A1 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5235061B2 (ja) * | 2007-08-30 | 2013-07-10 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光装置 |
| JP5098041B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2012-12-12 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光方法 |
| JP5256434B2 (ja) * | 2008-06-11 | 2013-08-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 近接露光装置 |
| JP5495135B2 (ja) * | 2008-12-16 | 2014-05-21 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 凸状パターン形成方法、露光装置及びフォトマスク |
| JP5360620B2 (ja) * | 2009-02-26 | 2013-12-04 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ及びカラーフィルタの製造方法 |
| JP5258051B2 (ja) * | 2009-04-03 | 2013-08-07 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光方法及び露光装置 |
| TWI468748B (zh) * | 2009-04-28 | 2015-01-11 | Toppan Printing Co Ltd | 彩色濾光片、液晶顯示裝置、彩色濾光片之製造方法 |
| JPWO2010125824A1 (ja) | 2009-04-30 | 2012-10-25 | 凸版印刷株式会社 | 液晶表示装置 |
| US8605237B2 (en) | 2009-04-30 | 2013-12-10 | Toppan Printing Co., Ltd. | Color filter and liquid crystal display device, and exposure mask |
| JP5633021B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2014-12-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | アライメント方法、アライメント装置及び露光装置 |
| TWI421546B (zh) * | 2009-10-02 | 2014-01-01 | Unique Instr Co Ltd | A Method for Copying Production of 3D Parallax Gratings |
| WO2011077697A1 (ja) * | 2009-12-24 | 2011-06-30 | 凸版印刷株式会社 | 露光方法および露光装置 |
| JP5542456B2 (ja) | 2010-01-18 | 2014-07-09 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ基板の露光方法 |
| JP5549233B2 (ja) * | 2010-01-18 | 2014-07-16 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ基板の露光方法 |
| KR101437210B1 (ko) * | 2010-02-24 | 2014-11-03 | 엔에스케이 테쿠노로지 가부시키가이샤 | 노광 장치용 광조사 장치, 노광 장치, 노광 방법, 기판의 제조 방법, 마스크, 및 피노광 기판 |
| JP5382456B2 (ja) * | 2010-04-08 | 2014-01-08 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 露光方法及び露光装置 |
| KR101681143B1 (ko) | 2010-07-19 | 2016-12-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광 장치 및 이를 이용한 노광 방법 |
| KR101104367B1 (ko) * | 2011-07-27 | 2012-01-16 | 주식회사 필옵틱스 | Led 광원 노광 장치 |
| US9081297B2 (en) * | 2012-05-01 | 2015-07-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus having dual reticle edge masking assemblies and method of use |
| CN103955087B (zh) * | 2014-05-12 | 2017-01-04 | 青岛斯博锐意电子技术有限公司 | 一种液晶光掩膜、其应用及制版装置 |
| CN103955088B (zh) * | 2014-05-12 | 2017-02-22 | 青岛斯博锐意电子技术有限公司 | 一种液晶光掩膜及其应用 |
| CN106324892B (zh) * | 2016-10-11 | 2019-08-02 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种用于制备显示基板的曝光系统及曝光控制方法 |
| CN114967345A (zh) * | 2021-02-23 | 2022-08-30 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种用于多孔吸附装置上的样品承载结构 |
| CN114252014A (zh) * | 2021-12-24 | 2022-03-29 | 长飞光纤光缆股份有限公司 | 一种光掩膜基板标记尺寸测试系统及方法 |
| CN116661257A (zh) * | 2023-05-19 | 2023-08-29 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 | 一种机械快门、ldi直写曝光机及ldi曝光的方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02177317A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP3348476B2 (ja) * | 1993-08-09 | 2002-11-20 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
| JPH09199402A (ja) * | 1996-01-12 | 1997-07-31 | Canon Inc | 走査型露光装置 |
| JPH09274323A (ja) * | 1996-04-04 | 1997-10-21 | Toppan Printing Co Ltd | パターン露光方法 |
| JPH1010745A (ja) * | 1996-06-19 | 1998-01-16 | Toppan Printing Co Ltd | パターン露光方法 |
| JPH1197343A (ja) * | 1997-09-24 | 1999-04-09 | Canon Inc | 露光装置 |
| JP4581262B2 (ja) * | 2000-02-18 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法 |
| JP2002222761A (ja) * | 2000-11-22 | 2002-08-09 | Nikon Corp | 照明光学装置および該照明光学装置を備えた露光装置 |
| JP4346320B2 (ja) * | 2003-02-05 | 2009-10-21 | 大日本印刷株式会社 | 露光方法及び露光装置 |
| JP2005221596A (ja) * | 2004-02-04 | 2005-08-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | パターン描画装置 |
-
2005
- 2005-10-25 JP JP2005309205A patent/JP5382899B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2006
- 2006-10-04 KR KR1020087001979A patent/KR101306917B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-04 WO PCT/JP2006/319853 patent/WO2007049436A1/ja not_active Ceased
- 2006-10-04 CN CN2006800349340A patent/CN101268420B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-24 TW TW095139074A patent/TWI446124B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI446124B (zh) | 2014-07-21 |
| KR20080059546A (ko) | 2008-06-30 |
| CN101268420B (zh) | 2010-10-27 |
| KR101306917B1 (ko) | 2013-09-10 |
| JP2007121344A (ja) | 2007-05-17 |
| WO2007049436A1 (ja) | 2007-05-03 |
| TW200731033A (en) | 2007-08-16 |
| CN101268420A (zh) | 2008-09-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5382899B2 (ja) | 露光装置 | |
| TWI446122B (zh) | 曝光裝置 | |
| JP5224341B2 (ja) | 露光装置及びフォトマスク | |
| JP5235061B2 (ja) | 露光装置 | |
| US20090029270A1 (en) | Projection exposure device and method of separate exposure | |
| JP5217367B2 (ja) | フォトマスク及びそれを使用した凸状パターン形成方法 | |
| KR101660918B1 (ko) | 노광 장치 및 포토 마스크 | |
| TWI512388B (zh) | 光罩、使用該光罩之雷射退火裝置及曝光裝置 | |
| KR101650116B1 (ko) | 노광 장치 및 그것에 사용하는 포토마스크 | |
| JP5098041B2 (ja) | 露光方法 | |
| JP4971835B2 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP5495135B2 (ja) | 凸状パターン形成方法、露光装置及びフォトマスク | |
| JP4764237B2 (ja) | 露光装置 | |
| TWI481971B (zh) | 曝光方法及曝光裝置 | |
| JP4309874B2 (ja) | 露光装置 | |
| TWI407246B (zh) | 光罩及使用該光罩之曝光方法 | |
| JP4773160B2 (ja) | 露光装置 | |
| TWI548947B (zh) | 曝光裝置及光罩 | |
| JP5190609B2 (ja) | 露光装置及びそれに使用するフォトマスク | |
| JP4773158B2 (ja) | 露光装置 | |
| TWI490657B (zh) | 曝光裝置及其所使用的光罩 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080708 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110614 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110811 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120724 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120918 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20121016 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130115 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130122 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20130208 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130829 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130930 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5382899 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |