JP5384966B2 - Surface treatment equipment - Google Patents
Surface treatment equipment Download PDFInfo
- Publication number
- JP5384966B2 JP5384966B2 JP2009039154A JP2009039154A JP5384966B2 JP 5384966 B2 JP5384966 B2 JP 5384966B2 JP 2009039154 A JP2009039154 A JP 2009039154A JP 2009039154 A JP2009039154 A JP 2009039154A JP 5384966 B2 JP5384966 B2 JP 5384966B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- processing
- solution
- treatment
- treatment apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Catalysts (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明は、処理対象物の表面を処理する装置に関するものである。 The present invention relates to an apparatus for processing the surface of a processing object.
処理対象物の表面を処理する技術としては種々のものが知られている。例えば、特許文献1に開示された発明は、処理対象物の表面に塗布した処理溶液に電子ビームを照射して処理溶液を活性化し、この活性化した処理溶液により処理対象物の表面を処理するものである。 Various techniques for treating the surface of the object to be treated are known. For example, in the invention disclosed in Patent Document 1, the processing solution applied to the surface of the processing object is irradiated with an electron beam to activate the processing solution, and the surface of the processing object is processed with the activated processing solution. Is.
特許文献1に開示された発明では、処理対象物の表面上に処理溶液を所定の厚さで均一に塗布することが困難である。処理対象物の表面上の処理溶液が薄いと、電子ビームが処理対象物の表面に到達して、その表面が損傷する場合がある。一方、処理対象物の表面上の処理溶液が厚いと、その処理溶液の上層部分で電子ビームが消費されて、処理対象物の表面の近傍にある処理溶液が電子ビームによって活性化されず、表面処理の効率が悪い場合がある。 In the invention disclosed in Patent Document 1, it is difficult to uniformly apply the treatment solution with a predetermined thickness on the surface of the treatment object. If the processing solution on the surface of the processing object is thin, the electron beam may reach the surface of the processing object and damage the surface. On the other hand, if the processing solution on the surface of the processing object is thick, the electron beam is consumed in the upper layer portion of the processing solution, and the processing solution in the vicinity of the surface of the processing object is not activated by the electron beam. Processing efficiency may be poor.
本発明は、上記問題点を解消する為になされたものであり、処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a surface treatment apparatus that can suppress the damage to the surface of the object to be treated and can improve the efficiency of the surface treatment. To do.
本発明に係る表面処理装置は、処理対象物の表面を処理する装置であって、処理対象物の表面を処理する酸またはアルカリを含む処理溶液に電子ビームを照射して処理溶液を活性化する電子ビーム照射部と、電子ビーム照射部により電子ビームが照射された処理溶液を処理対象物の表面に供給する処理溶液供給部と、を備えることを特徴とする。この表面処理装置では、電子ビーム照射部により、処理対象物の表面を処理する酸(例えば硫酸やフッ酸等)またはアルカリ(例えばアンモニア水等)を含む処理溶液に電子ビームが照射されて、その処理溶液が活性化される。そして、電子ビーム照射部により電子ビームが照射された処理溶液は、処理溶液供給部により、処理対象物の表面に供給される。これにより、処理対象物の表面が処理される。 The surface treatment apparatus according to the present invention is an apparatus for treating the surface of a treatment object, and activates the treatment solution by irradiating an electron beam onto a treatment solution containing an acid or alkali that treats the surface of the treatment object. An electron beam irradiation unit, and a processing solution supply unit that supplies the processing solution irradiated with the electron beam to the surface of the object to be processed are provided. In this surface treatment apparatus, the electron beam irradiation unit irradiates an electron beam onto a treatment solution containing an acid (for example, sulfuric acid or hydrofluoric acid) or an alkali (for example, aqueous ammonia) for treating the surface of the object to be treated. The treatment solution is activated. Then, the processing solution irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit is supplied to the surface of the processing object by the processing solution supply unit. Thereby, the surface of a process target object is processed.
本発明に係る表面処理装置では、処理溶液供給部が、電子ビーム照射部による電子ビームの照射の前または後に処理溶液を蒸気または噴霧の状態とし、この蒸気または噴霧の状態とした処理溶液を処理対象物の表面に吹き付けることが好適である。処理溶液供給部が、処理溶液を供給するとともに不活性ガスを処理対象物の表面に向けて流すことが好適である。処理溶液供給部が、蒸気または噴霧の状態とした処理溶液とともに不活性ガスを処理対象物の表面に吹き付けることが好適である。 In the surface treatment apparatus according to the present invention, the treatment solution supply unit converts the treatment solution into a vapor or spray state before or after the electron beam irradiation by the electron beam irradiation unit, and treats the treatment solution in the vapor or spray state. It is preferable to spray on the surface of the object. It is preferable that the processing solution supply unit supplies the processing solution and causes the inert gas to flow toward the surface of the processing object. It is preferable that the processing solution supply unit sprays an inert gas on the surface of the processing object together with the processing solution in a vapor or spray state.
また、本発明に係る表面処理装置では、電子ビーム照射部が、処理溶液供給部により処理溶液の蒸気または噴霧が処理対象物の表面に吹き付けられている部分に電子ビームを照射することが好適である。処理溶液供給部が、電子ビーム照射部により電子ビームが照射された処理溶液とともに他の処理溶液を処理対象物の表面に供給することが好適である。処理溶液供給部が、処理溶液の温度を50℃〜400℃の範囲内として処理溶液を処理対象物の表面に供給することが好適である。電子ビーム照射部から出力され処理溶液を透過した電子ビームおよび該電子ビームが処理溶液と相互作用することにより発生したX線を吸収するシールド部を更に備えることが好適である。 In the surface treatment apparatus according to the present invention, it is preferable that the electron beam irradiation unit irradiates the electron beam to a portion where the treatment solution vapor or spray is sprayed on the surface of the object to be treated by the treatment solution supply unit. is there. It is preferable that the processing solution supply unit supplies another processing solution to the surface of the processing object together with the processing solution irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit. It is preferable that the processing solution supply unit supplies the processing solution to the surface of the processing object with the temperature of the processing solution in the range of 50 ° C to 400 ° C. It is preferable to further include an electron beam output from the electron beam irradiation unit and transmitted through the processing solution, and a shield unit that absorbs X-rays generated when the electron beam interacts with the processing solution.
また、本発明に係る表面処理装置は、処理対象物に超音波振動を与える超音波素子を更に備えるのが好適である。この場合には、超音波素子により処理対象物に超音波振動を与えることにより、処理対象物の表面からレジストを剥離する際や有機物を分解する際に、発生するレジスト剥離残渣や有機物残渣を速やかに処理対象物の表面から除去することができ、表面処理の効率を向上させることができる。 Moreover, it is preferable that the surface treatment apparatus according to the present invention further includes an ultrasonic element that applies ultrasonic vibration to the object to be processed. In this case, by applying ultrasonic vibration to the object to be processed by the ultrasonic element, when removing the resist from the surface of the object to be processed or when decomposing the organic substance, the generated resist removal residue and organic residue are quickly removed. In addition, it can be removed from the surface of the object to be treated, and the efficiency of the surface treatment can be improved.
また、本発明に係る表面処理装置では、処理対象物が、レジストをコートした半導体であり、レジストを剥離するのが好適である。また、処理対象物が、固体触媒であり、固体触媒を製造するのが好適である。 In the surface treatment apparatus according to the present invention, it is preferable that the object to be treated is a semiconductor coated with a resist, and the resist is peeled off. Further, it is preferable that the object to be treated is a solid catalyst, and the solid catalyst is produced.
本発明によれば、処理対象物の表面の損傷を抑制して、表面処理の高効率化を図ることができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the damage of the surface of a process target object can be suppressed, and the highly efficient surface treatment can be achieved.
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。 DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the description of the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
先ず、第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係る表面処理装置1の構成図である。この表面処理装置1は、酸またはアルカリを含む処理溶液80により処理対象物90の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部10、ポンプ21、溶液タンク22、処理タンク23、配管24、配管25、配管26、薄膜27および超音波素子52を備える。ポンプ21、溶液タンク22、処理タンク23、配管24、配管25および配管26は、電子ビーム照射部10により電子ビームが照射された処理溶液80を処理対象物90の表面に供給する処理溶液供給部を構成する。
First, the first embodiment will be described. FIG. 1 is a configuration diagram of a surface treatment apparatus 1 according to the first embodiment. The surface treatment apparatus 1 treats the surface of a
電子ビーム照射部10は、真空容器11、カソード12、高電圧発生部13および窓14を含む。電子ビーム照射部10では、真空容器11内に入れられたカソード12に対して高電圧発生部13により負の高電圧(50kV〜150kV)が印加されて、カソード12から電子が放出される。そのカソード12から放出された電子Eのうち窓14を通過して外部15に出たものは、電子ビームとして配管24内の処理溶液80に照射される。窓14は、Be、Si、T1、Alなどの薄い箔で構成されている。外部15は、大気圧の不活性ガスで充填されているのが好適である。
The electron
ポンプ21と溶液タンク22との間は配管25により接続されている。溶液タンク22と処理タンク23との間は配管26により接続されている。ポンプ21と処理タンク23との間は配管24により接続されている。また、配管24の一部は薄膜27となっている。薄膜27は、処理溶液80に対して耐食性を有する材料からなる。
The
本実施形態では、溶液タンク22内の処理溶液80は、配管25を経てポンプ21により汲み上げられ、配管24を経て処理タンク23に注がれる。また、処理タンク23内の処理溶液80は、配管26を経て溶液タンク22に注がれる。処理対象物90は、処理タンク23内に置かれ、処理溶液80で覆われている。処理溶液80は酸またはアルカリを含む。
In the present embodiment, the
電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームは、薄膜27を通過して配管24内の処理溶液80に照射され、その処理溶液80を活性化する。その活性化された処理溶液80は、溶液タンク23に注がれ、その溶液タンク23の中に入れられた処理対象物90の表面処理に使われる。また、配管24内の処理溶液80のうち電子ビームが照射される部分は、処理溶液80の流れに直角な方向に長くなっている形状であってもよい。
The electron beam output from the
処理溶液80が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液80に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液80の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、本実施形態のように、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液80が処理対象物90の表面に供給される場合にも、その処理対象物90の表面処理の効率化を図ることができる。また、本実施形態では、処理対象物90の表面に電子ビームが照射されることがないので、表面の損傷が回避され得る。
When the
また、本実施形態では、超音波素子52によりにより処理対象物90に超音波振動を与えることにより、処理対象物90の表面からレジストを剥離する際や有機物を分解する際に、発生するレジスト剥離残渣や有機物残渣を速やかに処理対象物の表面から除去することができ、表面処理の効率を向上させることができる。
In the present embodiment, by applying ultrasonic vibration to the
次に、第2実施形態について説明する。図2は、第2実施形態に係る表面処理装置2の構成図である。この表面処理装置2は。酸またはアルカリを含む処理溶液80により処理対象物90の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部10、ポンプ21、溶液タンク22、処理タンク23、配管24、配管25、配管26、配管28、配管29および隔離室30を備える。ポンプ21、溶液タンク22、処理タンク23、配管24、配管25、配管26、配管28および配管29は、電子ビーム照射部10により電子ビームが照射された処理溶液80を処理対象物90の表面に供給する処理溶液供給部を構成する。
Next, a second embodiment will be described. FIG. 2 is a configuration diagram of the
隔離室30は、電子ビーム照射部10により電子ビームが照射される配管24内の処理溶液80の部分と電子ビーム照射部10との間に設けられる。この隔離室30は、その内部31に不活性ガスが配管32により導入される。ポンプ21と処理タンク23との間の配管24は、第1実施形態の場合の如く薄膜27を有していない。したがって、電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームは、隔離室30の内部31を通過して、配管24内の処理溶液80に直接に照射される。また、ポンプ21と処理タンク23との間の配管24には、不活性ガスを導入する配管28と、この導入された不活性ガスを排気する配管29と、が設けられている。
The
本実施形態でも、溶液タンク22内の処理溶液80は、配管25を経てポンプ21により汲み上げられ、配管24を経て処理タンク23に注がれる。また、処理タンク23内の処理溶液80は、配管26を経て溶液タンク22に注がれる。処理対象物90は、処理タンク23内に置かれ、処理溶液80で覆われている。処理溶液80は酸またはアルカリを含む。
Also in this embodiment, the
電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームは、隔離室30の内部31を通過して配管24内の処理溶液80に直接に照射され、その処理溶液80を活性化する。その活性化された処理溶液80は、溶液タンク23に注がれ、その溶液タンク23の中に入れられた処理対象物90の表面処理に使われる。また、配管24内の処理溶液80のうち電子ビームが照射される部分は、処理溶液80の流れに直角な方向に長くなっている形状であってもよい。
The electron beam output from the
処理溶液80が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液80に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液80の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、本実施形態のように、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液80が処理対象物90の表面に供給される場合にも、その処理対象物90の表面処理の効率化を図ることができる。また、本実施形態では、処理対象物90の表面に電子ビームが照射されることがないので、表面の損傷が回避され得る。
When the
また、本実施形態では、隔離室30の内部31に不活性ガスが導入され、また、配管24内に不活性ガスが導入されることにより、電子ビーム照射部10の窓14が腐食ガスなどにより腐食することが抑制される。
In the present embodiment, an inert gas is introduced into the interior 31 of the
次に、第3実施形態について説明する。図3は、第3実施形態に係る表面処理装置3の構成図である。この表面処理装置3は、酸またはアルカリを含む処理溶液80により処理対象物90の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部10、処理溶液タンク41、配管42、不活性ガスタンク43、配管44、配管45、モータ51および超音波素子52を備える。処理溶液タンク41、配管42、不活性ガスタンク43および配管44は、電子ビーム照射部10により電子ビームが照射された処理溶液80を処理対象物90の表面に供給する処理溶液供給部を構成する。
Next, a third embodiment will be described. FIG. 3 is a configuration diagram of the
処理溶液タンク41に容れられた処理溶液80は、配管42を通って配管44に達し、この配管44に接続された不活性ガスタンク43から供給される不活性ガスG1により噴霧され液滴81とされる。配管44から出た処理溶液80の液滴81は、電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームが照射領域Aにおいて照射される。この電子ビーム照射により活性化された処理溶液80の液滴81は、モータ51により回転させられている処理対象物90の表面に吹き付けられる。これにより、処理対象物90の表面に処理溶液80の層が形成され、処理対象物90の表面が処理される。
The
また、本実施形態では、処理溶液80の液滴81を噴霧する配管44の周囲または一方側に配管45が設けており、この配管45から不活性ガスG2が吹き付けられることで、処理溶液80の液滴81が電子ビーム照射部10の窓14に当たって窓14が損傷することが防止される。このガスG2は、液滴81の噴霧方向を処理対象物80の表面に向けるという作用をも奏する。
Further, in the present embodiment, a
なお、不活性ガスタンク43に替えて蒸気発生器が設けられて、その蒸気が不活性ガスG1の代わりに使用されてもよい。また、このような噴霧される処理溶液が複数種類設定されて、これら複数種類の処理溶液の混合物に電子ビームが照射されてもよい。また、複数の噴霧溶液に電子ビームが照射された後に、活性化の必要がない他の溶液の液滴が混合されてもよい。
Note that the steam generator is provided in place of the
また、本実施形態では、超音波素子52によりにより処理対象物90に超音波振動を与えることにより、処理対象物90の表面からレジストを剥離する際や有機物を分解する際に、発生するレジスト剥離残渣や有機物残渣を速やかに処理対象物の表面から除去することができ、表面処理の効率を向上させることができる。
In the present embodiment, by applying ultrasonic vibration to the
次に、第4実施形態について説明する。図4は、第4実施形態に係る表面処理装置4の構成図である。この表面処理装置4は、酸またはアルカリを含む処理溶液80により処理対象物90の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部10、処理溶液タンク41、配管44、配管45およびモータ51を備える。処理溶液タンク41および配管44は、電子ビーム照射部10により電子ビームが照射された処理溶液80を処理対象物90の表面に供給する処理溶液供給部を構成する。
Next, a fourth embodiment will be described. FIG. 4 is a configuration diagram of the
本実施形態では、処理溶液タンク41で処理溶液80の蒸気82(温度100℃〜200℃)が生成される。その処理溶液80の蒸気82は、配管44を通って外に出て、電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームが照射領域Aにおいて照射される。この電子ビーム照射により活性化された処理溶液80の蒸気82は、モータ51により回転させられている処理対象物90の表面に吹き付けられる。これにより、処理対象物90の表面に処理溶液80の層が形成され、処理対象物90の表面が処理される。
In the present embodiment, steam 82 (temperature: 100 ° C. to 200 ° C.) of the
本実施形態では、電子ビームは処理対象物90の表面に向けて照射される。このように電子ビームが照射されても、処理対象物80の表面に損傷が起こらない場合には、このような配置であってもよい。また、処理対象物80の表面に損傷が起こる場合でも、蒸気82の中のガスによって全ての電子ビームが消費されるように蒸気82の量を調節すればよい。また、電子ビームが照射される部分が、蒸気82が配管44から出た直後であり、しかも電子ビームが処理対象物80の表面に照射されないような構成であってもよい。
In the present embodiment, the electron beam is irradiated toward the surface of the
また、本実施形態では、処理溶液80の蒸気82を噴霧する配管44の周囲または一方側に配管45が設けており、この配管45から不活性ガスG2が吹き付けられることで、処理溶液80の蒸気82が電子ビーム照射部10の窓14に当たって窓14が損傷することが防止される。このガスG2は、蒸気82の噴霧方向を処理対象物80の表面に向けるという作用をも奏する。
In the present embodiment, a
次に、第5実施形態について説明する。図5は、第5実施形態に係る表面処理装置5の構成図である。この表面処理装置5は、酸またはアルカリを含む処理溶液80により処理対象物90の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部10、ノズル60およびモータ51を備える。ノズル60は、電子ビーム照射部10により電子ビームが照射された処理溶液80を処理対象物90の表面に供給する処理溶液供給部を構成する。電子ビーム照射部10とノズル60とは一体化されていることが好ましい。
Next, a fifth embodiment will be described. FIG. 5 is a configuration diagram of the
ノズル60は、電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームを通過させる貫通孔を中央部に有し、また、この貫通孔に側方から繋がる配管61,配管62および配管63を有する。ノズル60の中央の貫通孔には、配管61により圧力ガスG3が供給され、その下流に配管62により蒸気G4が供給され、また、配管63により処理溶液80が供給される。
The
配管63により供給された処理溶液80は、配管61により供給された圧力ガスG3により噴霧されて液滴82となって、配管62により供給された蒸気G4と混合される。このように混合された処理溶液80の液滴82および蒸気G4は、電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームが照射されて、多数のイオンやラジカル等を発生させる。これらのイオンやラジカルは、他の分子と相互作用して消滅することが少ないので、モータ51により回転させられている処理対象物90の表面に効率よく到達して、各種の処理を行うことができる。
The
ここで、電子ビーム照射部10における電子ビームの加速エネルギーと、窓14から処理対象物90までの距離とを適当に設定することで、電子ビームが蒸気G4や液滴82の中で消費されてしまって処理対象物90の表面に到達しない状態にすることができる。また、電子ビームの加速エネルギーを大きくして、たとえば、150kVにして、窓14から処理対象物80までの距離を2cm〜3cmにすれば、電子ビームが蒸気G4や液滴82と相互作用したあとも生き残り、処理対象物90の表面に到達するようにすることもできる。
Here, the acceleration energy of the electron beam in the electron
また、ノズル60における蒸気G4や液滴82が出る出口や蒸気G4の注入部分が、ヒータ64によって保温されているのが好適である。このようにすることにより、蒸気G4や液滴82のしずくが付かないようになり、蒸気G4や溶液82の温度を低下させないようにすることができる。
In addition, it is preferable that the outlet from which the vapor G 4 and the
なお、上記の例では、蒸気G4を使用しているが、これに替えて他の処理溶液の噴霧に変更してもよい。すなわち、ノズル60は、複数の処理溶液の噴霧もしくは蒸気の噴き出し口、または、その両方を有していてもよい。
In the above example, the use of the vapor G 4, may be changed to spray other processing solution instead of this. That is, the
次に、第6実施形態について説明する。図6は、第6実施形態に係る表面処理装置6の構成図である。この表面処理装置6は、酸またはアルカリを含む処理溶液80により処理対象物90の表面を処理するものであって、電子ビーム照射部10、ノズル70およびモータ51を備える。ノズル70は、電子ビーム照射部10により電子ビームが照射された処理溶液80を処理対象物90の表面に供給する処理溶液供給部を構成する。電子ビーム照射部10とノズル70とは一体化されていることが好ましい。
Next, a sixth embodiment will be described. FIG. 6 is a configuration diagram of the
ノズル70は、電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームを通過させる通路と、この通路に側方から繋がる配管71および配管72と、この通路の下方に設けられたシールド部74と、このシールド部73の側方に設けられた配管73とを有する。ノズル70の中央通路には、配管71により不活性ガスG1が供給され、その下流に配管72により処理溶液80が供給される。配管71により供給される不活性ガスG1により、配管72により供給される処理溶液80は、窓14へ向うことが抑制され、電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームが照射されて活性化され、モータ51により回転させられている処理対象物90の表面に効率よく到達することができる。
The
電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームはシールド部74に到達する。配管72から放出される処理溶液80と電子ビームとが相互作用した後のエネルギーが低下した電子ビームがシールド部74で吸収される。シールド部74は、SUS等の電子ビームを吸収する金属物質からなる。また、シールド部74は、その厚みを厚くすることで、電子ビームが相互作用したことから発生するX線をシールドすることもできる。このシールド部74と電子ビームとが相互作用することで発生する不純物ガスG5は、配管73により排気される。
The electron beam output from the
以上に説明した本実施形態の表面処理装置1〜6それぞれでは、電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームは、処理溶液80(または、処理溶液80の液滴81もしくは蒸気82)に照射され、その処理溶液80を活性化する。その活性化された処理溶液80は、処理対象物90の表面に供給されて、処理対象物90の表面処理に使われる。処理溶液80が酸またはアルカリを含んでおり、その処理溶液80に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液80の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液80が処理対象物90の表面に供給される場合にも、その処理対象物90の表面処理の効率化を図ることができる。
In each of the surface treatment apparatuses 1 to 6 of the present embodiment described above, the electron beam output from the
本実施形態に係る表面処理装置1〜6の何れかを用いることで、例えば以下のような表面処理を行うことができる。 By using any of the surface treatment apparatuses 1 to 6 according to the present embodiment, for example, the following surface treatment can be performed.
例えば、本実施形態に係る表面処理装置を用いることにより、半導体(処理対象物)へのp型またはn型の高イオン注入(イオン注入量が1015atms/cm2以上)の際にレジスト剥離処理を行うことができる。Siウェハの表面ダメージによりアッシャ装置が使用できない状況下では、硫酸の電気分解水を使ったり、硫酸と過酸化水素水との混合水を使ったりして、レジスト剥離処理を行っている。ところが、硫酸の電気分解水を使用する場合には、電極がダイアモンド電極であり、高価であるという問題があり、また、硫酸と過酸化水素水との混合水を使用する場合には、活性な状態が10分間くらいしかもたないという問題があった。これに対して、本実施形態に係る表面処理装置では、処理溶液80として高温(100℃〜300℃)の硫酸が使用され、電子ビームが硫酸に照射されることで、極めて活性なラジカルやイオンが発生する。これらは極めて活性であるので、高イオン注入された半導体のレジストも容易に剥離され得る。
For example, by using the surface treatment apparatus according to the present embodiment, the resist is stripped at the time of p-type or n-type high ion implantation (ion implantation amount is 10 15 atms / cm 2 or more) into a semiconductor (processing object). Processing can be performed. In a situation where the asher device cannot be used due to surface damage of the Si wafer, the resist stripping process is performed using sulfuric acid electrolyzed water or a mixed water of sulfuric acid and hydrogen peroxide. However, when electrolyzed water of sulfuric acid is used, there is a problem that the electrode is a diamond electrode, which is expensive, and when using a mixed water of sulfuric acid and hydrogen peroxide, it is active. There was a problem that the condition was only about 10 minutes. On the other hand, in the surface treatment apparatus according to the present embodiment, high-temperature (100 ° C. to 300 ° C.) sulfuric acid is used as the
また、例えば、本実施形態に係る表面処理装置は、硫酸の固体触媒に適用することが可能である。すなわち、特許第4041409号公報に開示されているような固体触媒の元となる粉末(処理対象物)の表面にHSO3基を容易につけるために、本実施形態に係る表面処理装置が用いられる。このとき、固体触媒のもととなる粉末に最初に電子ビームを照射して活性化した後に高温硫酸にしてもよく、また、高温硫酸にした固体触媒の元となる粉末の全体に電子ビームを照射してもよい。 Further, for example, the surface treatment apparatus according to the present embodiment can be applied to a solid catalyst of sulfuric acid. That is, the surface treatment apparatus according to this embodiment is used in order to easily attach the HSO 3 group to the surface of the powder (processing object) that is the basis of the solid catalyst as disclosed in Japanese Patent No. 4041409. . At this time, the powder that is the source of the solid catalyst may be activated by first irradiating the electron beam with high-temperature sulfuric acid, and the high-temperature sulfuric acid may be converted into high-temperature sulfuric acid. It may be irradiated.
また、例えば、本実施形態に係る表面処理装置を用いて、電子ビームを照射して希釈フッ酸を活性化し、この活性化したフッ酸によりシリコン基板(処理対象物)の表面のSiO2膜のエッチングや金属不純物の除去をすることができる。本実施形態では、希釈フッ酸がきわめて活性な状態となり、従来のフッ酸濃度の数分の1の濃度で同等の効果が得られ、環境負荷のより少ない処理となった。 Further, for example, by using the surface treatment apparatus according to the present embodiment, diluted hydrofluoric acid is activated by irradiation with an electron beam, and the SiO 2 film on the surface of the silicon substrate (processing object) is activated by the activated hydrofluoric acid. Etching and removal of metal impurities can be performed. In this embodiment, the diluted hydrofluoric acid is in a very active state, and the same effect is obtained at a concentration that is a fraction of the conventional hydrofluoric acid concentration, resulting in a treatment with less environmental load.
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本実施形態に係る表面処理装置において、蒸気や溶液を噴霧する部分が長手方向に多数ならんでいてもよいし、また、電子ビーム照射部10の窓14が長方形であって、その長方形のかたちに電子ビームが外部に照射されるような構造であってもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the surface treatment apparatus according to the present embodiment, a large number of portions sprayed with vapor or solution may be arranged in the longitudinal direction, and the
1〜6…表面処理装置、10…電子ビーム照射部、11…真空容器、12…カソード、13…高電圧発生部、14…窓、21…ポンプ、22…溶液タンク、23…処理タンク、24,25,26…配管、27…薄膜、28,29…配管、30…隔離室、31…内部、32…配管、41…処理溶液タンク、42…配管、43…不活性ガスタンク、44,45…配管、51…モータ、52…超音波素子、60…ノズル、61,62,63…配管、64…ヒータ、70…ノズル、71,72,73…配管、74…シールド部、80…処理溶液、81…液滴、82…蒸気、90…処理対象物。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1-6 ... Surface treatment apparatus, 10 ... Electron beam irradiation part, 11 ... Vacuum container, 12 ... Cathode, 13 ... High voltage generation part, 14 ... Window, 21 ... Pump, 22 ... Solution tank, 23 ... Treatment tank, 24 , 25, 26 ... piping, 27 ... thin film, 28, 29 ... piping, 30 ... isolation chamber, 31 ... inside, 32 ... piping, 41 ... treatment solution tank, 42 ... piping, 43 ... inert gas tank, 44, 45 ... Piping, 51 ... motor, 52 ... ultrasonic element, 60 ... nozzle, 61, 62, 63 ... piping, 64 ... heater, 70 ... nozzle, 71, 72, 73 ... piping, 74 ... shield part, 80 ... treatment solution, 81 ... droplet, 82 ... steam, 90 ... processing object.
Claims (11)
前記処理対象物の表面を処理する酸またはアルカリを含む処理溶液に電子ビームを照射して前記処理溶液を活性化する電子ビーム照射部と、
前記電子ビーム照射部により電子ビームが照射された前記処理溶液を前記処理対象物の表面に供給する処理溶液供給部と、
を備えることを特徴とする表面処理装置。 An apparatus for processing the surface of a processing object,
An electron beam irradiation unit that activates the treatment solution by irradiating the treatment solution containing an acid or alkali to treat the surface of the treatment object with an electron beam;
A processing solution supply unit that supplies the processing solution irradiated with the electron beam by the electron beam irradiation unit to the surface of the object to be processed;
A surface treatment apparatus comprising:
The surface treatment apparatus according to claim 1, wherein the object to be treated is a solid catalyst, and a solid catalyst is produced.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009039154A JP5384966B2 (en) | 2009-02-23 | 2009-02-23 | Surface treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009039154A JP5384966B2 (en) | 2009-02-23 | 2009-02-23 | Surface treatment equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010199125A JP2010199125A (en) | 2010-09-09 |
| JP5384966B2 true JP5384966B2 (en) | 2014-01-08 |
Family
ID=42823602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009039154A Expired - Fee Related JP5384966B2 (en) | 2009-02-23 | 2009-02-23 | Surface treatment equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5384966B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9257292B2 (en) * | 2011-03-30 | 2016-02-09 | Tokyo Electron Limited | Etch system and method for single substrate processing |
| KR102619877B1 (en) * | 2019-09-11 | 2024-01-03 | 삼성전자주식회사 | Substrate treatment apparatus |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000195833A (en) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Nomura Micro Sci Co Ltd | Cleaning method and cleaning device |
| JP2001237212A (en) * | 2000-02-22 | 2001-08-31 | Nissin High Voltage Co Ltd | Method and device for electron beam treatment |
| JP2004071966A (en) * | 2002-08-08 | 2004-03-04 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | Resist stripping method |
| JP2004200246A (en) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | Substrate cleaning method and apparatus |
| JP2008053646A (en) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Hamamatsu Photonics Kk | Surface treatment method and surface treatment apparatus |
-
2009
- 2009-02-23 JP JP2009039154A patent/JP5384966B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2010199125A (en) | 2010-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6743301B2 (en) | Substrate treatment process and apparatus | |
| JP4322728B2 (en) | Water treatment system | |
| JP5148889B2 (en) | Cleaning method and electronic device manufacturing method | |
| JP2003309100A (en) | Resist film removing apparatus and resist film removing method, and organic substance removing apparatus and organic substance removing method | |
| JP5153305B2 (en) | Resist film peeling apparatus and peeling method | |
| JPWO2003048864A1 (en) | Mask forming method and removing method, and semiconductor device, electric circuit, display module, color filter, and light emitting element manufactured by the method | |
| CN109308987A (en) | Plasma processing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP5384966B2 (en) | Surface treatment equipment | |
| TW201417905A (en) | Washing method and washing device | |
| JPH04146616A (en) | Method of removing organic film coating | |
| US20100015810A1 (en) | Surface processing method and surface processing apparatus | |
| JP2001237212A (en) | Method and device for electron beam treatment | |
| TWI765530B (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
| US20220013367A1 (en) | Plasma treatment apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2009218548A (en) | Resist removing method and resist removing device of high dose implantation process | |
| WO2007063987A1 (en) | Method for processing/washing with ultra-pure water plasma foams and apparatus for the method | |
| JP2008085231A (en) | Method for removing residual organic matter on substrate | |
| JP5308185B2 (en) | Surface treatment equipment | |
| JP2002134401A (en) | Substrate processing method, substrate processing apparatus, and electronic device manufacturing method | |
| WO1998037575A1 (en) | Surface treatment method and apparatus therefor | |
| JP2010056263A (en) | Method of removing resist on which carbon layer is formed by ion implantation | |
| JP2001203182A (en) | Cleaning method of object surface and cleaning equipment for method | |
| JP2007149972A (en) | Electronic device cleaning apparatus and electronic device cleaning method | |
| JP5148563B2 (en) | Surface treatment equipment | |
| JP2006229002A (en) | Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor manufacturing device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111118 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130122 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131001 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131003 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |