JP5397159B2

JP5397159B2 - Semiconductor module and terminal connection structure

Info

Publication number: JP5397159B2
Application number: JP2009248583A
Authority: JP
Inventors: 伸治大村
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2009-10-29
Filing date: 2009-10-29
Publication date: 2014-01-22
Anticipated expiration: 2029-10-29
Also published as: JP2011096809A

Description

本発明は、パワー端子を有する半導体モジュール及び、パワー端子とバスバーとの端子接続構造に関する。 The present invention relates to a semiconductor module having a power terminal and a terminal connection structure between a power terminal and a bus bar.

従来から、半導体素子を内蔵し、該半導体素子と導通したパワー端子を備える半導体モジュールが知られている（下記特許文献参照）。この半導体モジュールのパワー端子をバスバーに接続することにより、電力変換回路等の回路を構成する。 2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor module that includes a semiconductor element and includes a power terminal that is electrically connected to the semiconductor element is known (see the following patent document). By connecting the power terminal of this semiconductor module to the bus bar, a circuit such as a power conversion circuit is configured.

従来の半導体モジュールの一例を図１０に示す。同図に示すごとく、従来の半導体モジュール９０は、パワー端子９１とバスバー９３とが金属板から構成されており、これらパワー端子９１とバスバー９３に貫通孔９４が形成されていた。パワー端子９１とバスバー９３を接続する際には、これらを重ね合わせ、端部９７を溶接していた。
端部９７の溶接作業は順調に進めば良いが、失敗する場合もある。従来の半導体モジュール９０は、端部９７に溶接不良が発生した場合に、端部９７を切断して、貫通孔９４にボルト９５を挿入していた。そして、ボルト９５とナット９６とを締結して、パワー端子９１とバスバー９３を接続していた。 An example of a conventional semiconductor module is shown in FIG. As shown in the figure, in the conventional semiconductor module 90, the power terminal 91 and the bus bar 93 are made of a metal plate, and a through hole 94 is formed in the power terminal 91 and the bus bar 93. When connecting the power terminal 91 and the bus bar 93, they were overlapped and the end 97 was welded.
The welding operation of the end portion 97 may proceed smoothly, but may fail. The conventional semiconductor module 90 cuts the end portion 97 and inserts the bolt 95 into the through hole 94 when poor welding occurs at the end portion 97. Then, the bolt 95 and the nut 96 are fastened to connect the power terminal 91 and the bus bar 93.

特許４１２３０９８号公報Japanese Patent No. 4123098 特許４１９２３９６号公報Japanese Patent No. 4192396

しかしながら従来の半導体モジュール９０は、ボルト９５とナット９６とを締結すると作業工数が増えてしまい、この作業工数の増加が問題となっていた。また、ボルト９５とナット９６を使って接続する場合と比較して、溶接した方が接続信頼性が高い。そのため、パワー端子９１とバスバー９３との間に溶接不良が発生した場合でも、ボルト９５とナット９６を締結しなくてすみ、再度、溶接を容易に行える構造にしたいという要求があった。 However, in the conventional semiconductor module 90, when the bolt 95 and the nut 96 are fastened, the number of work steps increases, and this increase in the number of work steps has been a problem. Moreover, compared with the case where it connects using the volt | bolt 95 and the nut 96, the direction of welding has high connection reliability. For this reason, even when welding failure occurs between the power terminal 91 and the bus bar 93, the bolt 95 and the nut 96 need not be fastened, and there has been a demand for a structure that can be easily welded again.

本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、パワー端子とバスバーとの間に溶接不良が発生した場合でも、再度、溶接を容易に行うことができる半導体モジュール及び、パワー端子とバスバーとの端子接続構造を提供しようとするものである。 The present invention has been made in view of such conventional problems, and even when a welding failure occurs between the power terminal and the bus bar, the semiconductor module and the power terminal that can be easily welded again. The present invention intends to provide a terminal connection structure with a bus bar.

第１の発明は、半導体素子を内蔵した本体部と、
金属板からなり、上記本体部から突出するとともに、上記半導体素子に電気的に接続したパワー端子とを備え、
該パワー端子は、バスバーと重ね合わせて溶接するための第１溶接部と、該第１溶接部と上記バスバーとの間に溶接不良が発生した場合に、該第１溶接部の代わりに上記バスバーと重ね合わせて溶接するための第２溶接部とを有し、
上記第１溶接部は、上記第２溶接部及び上記本体部から切離可能に構成され、
上記パワー端子には、上記溶接不良が発生した場合に上記第１溶接部を切断するための分離予定線が、該第１溶接部と上記第２溶接部との間に定められており、その分離予定線の一部にスリットが形成され、
上記第１溶接部は、上記パワー端子のうち上記本体部に近接する部位である根元部と、上記第２溶接部の先端部との間から分岐し、上記第１溶接部の先端部と上記第２溶接部の先端部とは、上記スリットを介して隣り合っており、
上記第１溶接部の先端部と上記第２溶接部の先端部との２つの先端部が配列した方向である幅方向において、上記根元部の長さは、上記２つの先端部と上記スリットとを合わせた長さよりも短いことを特徴とする半導体モジュールにある（請求項１）。 A first invention comprises a main body portion incorporating a semiconductor element;
It is made of a metal plate and protrudes from the main body, and includes a power terminal electrically connected to the semiconductor element,
The power terminal is connected to the bus bar in place of the first welded portion when a welding failure occurs between the first welded portion to be overlapped and welded to the bus bar and between the first welded portion and the bus bar. And a second welding part for overlapping and welding,
The first welded portion is configured to be separable from the second welded portion and the main body portion ,
In the power terminal, a separation line for cutting the first welded portion when the welding failure occurs is defined between the first welded portion and the second welded portion. A slit is formed in part of the planned separation line,
The first welded portion branches from a root portion of the power terminal that is close to the main body portion, and a distal end portion of the second welded portion, and the first welded portion and the distal end portion of the first welded portion It is adjacent to the tip of the second welded part through the slit,
In the width direction, which is the direction in which the two distal ends of the first welded portion and the distal end of the second welded portion are arranged, the length of the root portion is determined by the two distal ends, the slit, In the semiconductor module, the length is shorter than the combined length .

第２の発明は、上記半導体モジュールと、該半導体モジュールの上記パワー端子に溶接する上記バスバーとからなる端子接続構造であって、上記第１溶接部を、上記バスバーとともに切離できるよう構成されていることを特徴とする端子接続構造にある（請求項３）。 2nd invention is a terminal connection structure which consists of the said semiconductor module and the said bus bar welded to the said power terminal of this semiconductor module, Comprising: It is comprised so that the said 1st welding part can be cut off with the said bus bar. It is in the terminal connection structure characterized by the above-mentioned (Claim 3 ).

第１の発明の作用効果につき説明する。本発明は、パワー端子に上記第１溶接部と第２溶接部とを形成した。そして、第１溶接部を、第２溶接部及び本体部から切離可能に構成した。
このようにすると、パワー端子とバスバーの溶接作業が失敗した場合でも、再度、溶接作業を容易に行うことができる。すなわち、本発明の半導体モジュールのパワー端子をバスバーと接続する際には、これらを重ね合わせ、第１溶接部において溶接を行うことができる。仮にこの溶接が失敗して、溶接不良が発生した場合には、この第１溶接部を第２溶接部及び本体部から切り離し、第２溶接部において溶接を行うことができる。これにより、従来のようにボルトとナットを使った締結作業を行わずにすむため、工数を大幅に削減することができる。また、パワー端子とバスバーを溶接により接続できるので、接続信頼性を高めることができる。 The function and effect of the first invention will be described. In the present invention, the first welded portion and the second welded portion are formed on the power terminal. And the 1st welding part was constituted so that separation from a 2nd welding part and a main part was possible.
If it does in this way, even if welding operation of a power terminal and a bus bar fails, welding operation can be easily performed again. That is, when the power terminals of the semiconductor module of the present invention are connected to the bus bar, they can be overlapped and welded at the first weld. If this welding fails and a welding failure occurs, the first welded portion can be separated from the second welded portion and the main body portion, and welding can be performed at the second welded portion. Thereby, since it is not necessary to perform the fastening operation using a bolt and a nut as in the prior art, the number of man-hours can be greatly reduced. Moreover, since a power terminal and a bus bar can be connected by welding, connection reliability can be improved.

なお、第１溶接部に溶接不良が発生した場合に、該第１溶接部を切り離すことが望ましい。それは、以下の理由による。すなわち、溶接不良が発生すると、溶接に伴って溶解し、固化した金属がパワー端子とバスバーの間に挟まってしまい、パワー端子とバスバーの表面が密着しなくなることがある。そのため、溶接不良が発生した第１溶接部を切断しないで第２溶接部に溶接工程を行うと、パワー端子とバスバーが密着せず、しっかりと接続することができなくなるおそれがある。そのため、第１溶接部を第２溶接部および本体部から切り離しておくことで、第２溶接部をバスバーに溶接したとき、パワー端子とバスバーとを確実に密着させて、良好な接続を図ることができる。
In addition, when the welding defect generate | occur | produces in the 1st welding part, it is desirable to cut off this 1st welding part. The reason is as follows. That is, when welding failure occurs, the metal melted and solidified with welding may be sandwiched between the power terminal and the bus bar, and the surface of the power terminal and the bus bar may not be in close contact with each other. For this reason, if the welding process is performed on the second welded portion without cutting the first welded portion where the welding failure has occurred, the power terminal and the bus bar may not be in close contact with each other and may not be securely connected. Therefore, by separating the first welded part from the second welded part and the main body part, when the second welded part is welded to the bus bar, the power terminal and the bus bar are securely brought into close contact with each other to achieve a good connection. Can do.

次に、第２の発明の作用効果を説明する。本発明の端子接続構造は、第１溶接部を、バスバーとともに切離できるよう構成した。
このようにすると、第１溶接部の切断作業を容易に行うことが可能となる。すなわち、仮にバスバーが切断できなかったとすると、溶接不良が発生した後に、パワー端子をバスバーから一旦引き離し、その後、第１溶接部を切断する必要が生じる。しかしながら、上述のように第１溶接部をバスバーとともに切断できるよう構成すれば、パワー端子をバスバーから引き離す必要が無くなる。そのため、第１溶接部における溶接が失敗したときの処置を大幅に効率化することができる。 Next, the function and effect of the second invention will be described. The terminal connection structure of the present invention is configured such that the first welded portion can be separated together with the bus bar.
If it does in this way, it will become possible to perform the cutting work of the 1st welding part easily. That is, if the bus bar cannot be cut, it is necessary to pull the power terminal once away from the bus bar and then cut the first welded portion after a welding failure occurs. However, if the first welded portion can be cut together with the bus bar as described above, it is not necessary to separate the power terminal from the bus bar. Therefore, it is possible to greatly increase the efficiency of the treatment when the welding at the first welded portion fails.

以上のごとく、本発明によれば、パワー端子とバスバーとの間に溶接不良が発生した場合でも、再度、溶接を容易に行うことができる半導体モジュール及び、パワー端子とバスバーとの端子接続構造を提供することができる。 As described above, according to the present invention, even when welding failure occurs between the power terminal and the bus bar, the semiconductor module that can be easily welded again, and the terminal connection structure between the power terminal and the bus bar are provided. Can be provided.

実施例１における、半導体モジュールの平面図。FIG. 3 is a plan view of the semiconductor module according to the first embodiment. 図１の半導体モジュールの側面図。The side view of the semiconductor module of FIG. 実施例１における、半導体モジュールとバスバーの分解斜視図。The disassembled perspective view of the semiconductor module and bus bar in Example 1. FIG. 実施例１における、半導体モジュールとバスバーとを接続した状態の斜視図。The perspective view of the state which connected the semiconductor module and bus bar in Example 1. FIG. 実施例１における、半導体モジュールの平面図であって、分離予定線を記載したもの。FIG. 3 is a plan view of the semiconductor module according to the first embodiment, in which a planned separation line is described. 実施例１における、第１溶接部を切断した半導体モジュールの斜視図。The perspective view of the semiconductor module which cut | disconnected the 1st welding part in Example 1. FIG. 実施例１における、半導体モジュールを積層した状態の分解斜視図。FIG. 2 is an exploded perspective view of the first embodiment in a state where semiconductor modules are stacked. 実施例２における、３個の溶接部を有する半導体モジュールの平面図。The top view of the semiconductor module which has three welding parts in Example 2. FIG. 実施例３における、半導体モジュールの平面図。The top view of the semiconductor module in Example 3. FIG. 従来例における、半導体モジュールの（Ａ）平面図（Ｂ）分解側面図。(A) Top view (B) Exploded side view of a semiconductor module in a conventional example.

上述した本発明における好ましい実施の形態につき説明する。
第１の発明において、上記パワー端子は、上記溶接不良が発生した場合に上記第１溶接部を切断するための分離予定線が、該第１溶接部と上記第２溶接部との間に定められており、その分離予定線の一部にスリットが形成されている。
そのため、第１溶接部を容易に切断することができる。すなわち、上記構成によると、パワー端子の分離予定線の一部にスリットが形成されているため、比較的短い長さを切断するだけで、第１溶接部を第２溶接部および本体部から切り離すことができる。 A preferred embodiment of the present invention described above will be described.
In the first invention, the power terminal has a predetermined separation line for cutting the first welded portion between the first welded portion and the second welded portion when the welding failure occurs. It is and, that has a slit is formed in a part of the disengagement line.
Therefore , the first weld can be easily cut. That is, according to the above configuration, since the slit is formed in a part of the planned separation line of the power terminal, the first welded part is separated from the second welded part and the main body part only by cutting a relatively short length. be able to.

また、上記パワー端子は、上記分離予定線上に、相対向する２個の上記スリットを有することが好ましい（請求項２）。
このようにすると、第１溶接部を更に容易に切断することが可能になる。すなわち、上記構成によると、パワー端子の分離予定線上に相対向する２個のスリットが形成されているため、この２個のスリット間の短い距離を切断するだけで、第１溶接部を第２溶接部および本体部から切り離すことができる。 Moreover, it is preferable that the said power terminal has two said slits which oppose on the said scheduled separation line (Claim 2 ).
If it does in this way, it will become possible to cut the 1st welding part still more easily. That is, according to the above configuration, since the two slits facing each other are formed on the planned separation line of the power terminal, the first welded portion can be made the second weld by simply cutting a short distance between the two slits. It can be separated from the weld and the body.

（実施例１）
本発明の実施例にかかる半導体モジュール及び端子接続構造につき、図１〜図８を用いて説明する。
図１〜図３に示すごとく、本例の半導体モジュール１は、半導体素子（図示しない）を内蔵した本体部２を備える。
また、半導体モジュール１は、金属板からなり、本体部２から突出するとともに、半導体素子に電気的に接続したパワー端子３を備える。
パワー端子３は、バスバー４と重ね合わせて溶接するための第１溶接部３１と、該第１溶接部３１とバスバー４との間に溶接不良が発生した場合に、第１溶接部３１の代わりにバスバー４と重ね合わせて溶接するための第２溶接部３２とを有する。
そして、第１溶接部３１は、第２溶接部３２及び本体部２から切離可能に構成されている。
以下、詳説する。 Example 1
A semiconductor module and a terminal connection structure according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
As shown in FIG. 1 to FIG. 3, the semiconductor module 1 of the present example includes a main body 2 that incorporates a semiconductor element (not shown).
The semiconductor module 1 is made of a metal plate and includes a power terminal 3 protruding from the main body 2 and electrically connected to the semiconductor element.
The power terminal 3 replaces the first welded portion 31 when a welding failure occurs between the first welded portion 31 and the first welded portion 31 for welding with the busbar 4 in an overlapping manner. And a second weld portion 32 for overlapping and welding with the bus bar 4.
The first welded portion 31 is configured to be separable from the second welded portion 32 and the main body portion 2.
The details will be described below.

本例の半導体モジュール１は、上記半導体素子として、ＩＧＢＴ素子等のスイッチング素子を内蔵している。この半導体モジュール１と、バスバー４と、リアクトルやコンデンサ等の他の電子部品とによって、車両用の電力変換回路を構成している。電力変換装置は、車両に搭載された直流電源の直流電力を交流に変換する装置である。この電力変換装置によって得られた交流電力で三相交流モータを駆動して、車両を走行させる。 The semiconductor module 1 of this example incorporates a switching element such as an IGBT element as the semiconductor element. The semiconductor module 1, the bus bar 4, and other electronic components such as a reactor and a capacitor constitute a power conversion circuit for a vehicle. The power conversion device is a device that converts DC power of a DC power source mounted on a vehicle into AC. The vehicle is driven by driving a three-phase AC motor with AC power obtained by the power converter.

半導体モジュール１には大電流が流れるので、パワー端子３とバスバー４との接続信頼性を高くする必要がある。本例では、図４に示すごとく、パワー端子３とバスバー４の主面を重ね合わせ、端面１００を溶接することにより、その接続部分に大電流を流すことができ、かつ接続信頼性の高い端子接続構造１０を得ている。 Since a large current flows through the semiconductor module 1, it is necessary to increase the connection reliability between the power terminal 3 and the bus bar 4. In this example, as shown in FIG. 4, by overlapping the main surfaces of the power terminals 3 and the bus bars 4 and welding the end surfaces 100, a large current can flow through the connection portions, and the terminals have high connection reliability. A connection structure 10 is obtained.

一方、図５に示すごとく、パワー端子３は、溶接不良が発生した場合に第１溶接部３１を切断するための分離予定線５が、第１溶接部３１と第２溶接部３２との間に定められており、その分離予定線５の一部にスリット６が形成されている。 On the other hand, as shown in FIG. 5, when the welding failure occurs, the power terminal 3 has a planned separation line 5 for cutting the first welded portion 31 between the first welded portion 31 and the second welded portion 32. The slit 6 is formed in a part of the planned separation line 5.

図４に示す半導体モジュール１の、第１溶接部３１を分離予定線５に沿ってバスバー４とともに切離すると、図６に示す状態になる。
図４、図６に示すごとく、本例の端子接続構造１０は、半導体モジュール１と、該半導体モジュール１のパワー端子３に溶接するバスバー４とからなり、第１溶接部３１を、バスバー４とともに切離できるよう構成されている。 If the 1st welding part 31 of the semiconductor module 1 shown in FIG. 4 is cut off with the bus bar 4 along the separation line 5, it will be in the state shown in FIG.
As shown in FIGS. 4 and 6, the terminal connection structure 10 of this example includes the semiconductor module 1 and a bus bar 4 welded to the power terminal 3 of the semiconductor module 1, and the first welded portion 31 together with the bus bar 4. It is configured to be separated.

また、図６では、２箇所の第１溶接部３１を切断しているが、２個のパワー端子３ａ，３ｂのうち、一方のパワー端子のみ溶接不良が発生した場合は、そのパワー端子の第１溶接部３１のみを切断すればよい。 Further, in FIG. 6, the two first welds 31 are cut, but if a welding failure occurs in only one of the two power terminals 3 a and 3 b, Only one weld 31 needs to be cut.

一方、図４に示すごとく、バスバー４は、パワー端子３と重なり合う部分において、該パワー端子３と同一の外周形状を有している。バスバー４は、パワー端子３のスリット６と同じ位置に、バスバー側スリット６０が形成されている。パワー端子３とバスバー４を切断する際には、スリット６とバスバー側スリット６０の延長線上を切断する。
なお、パワー端子３とバスバー４を切断するには、例えばグラインダーやニッパー、レーザ等を用いる。 On the other hand, as shown in FIG. 4, the bus bar 4 has the same outer peripheral shape as the power terminal 3 in a portion overlapping the power terminal 3. In the bus bar 4, a bus bar side slit 60 is formed at the same position as the slit 6 of the power terminal 3. When the power terminal 3 and the bus bar 4 are cut, the extension lines of the slit 6 and the bus bar side slit 60 are cut.
In addition, in order to cut | disconnect the power terminal 3 and the bus-bar 4, a grinder, a nipper, a laser etc. are used, for example.

次に、複数の半導体モジュール１を用いた例を図７に示す。同図に示すごとく、本例では半導体モジュール１と冷却チューブ７とを交互に複数個、積層している。冷却チューブ７は半導体モジュール１を冷却するためのもので、内部に冷媒が流れている。また、隣り合う冷却チューブ７ａと冷却チューブ７ｂの間には、２個の半導体モジュール１ａ，１ｂが介在している。
図７には、４個のパワー端子３ａ〜３ｄのうち、２個のパワー端子３ａ，３ｂに接続するバスバー４ａ，４ｂのみ描いてある。その他のパワー端子３ｃ，３ｄにもバスバーが接続されるが、省略する。 Next, an example using a plurality of semiconductor modules 1 is shown in FIG. As shown in the figure, in this example, a plurality of semiconductor modules 1 and cooling tubes 7 are alternately stacked. The cooling tube 7 is for cooling the semiconductor module 1, and a coolant flows inside. Two semiconductor modules 1a and 1b are interposed between the adjacent cooling tubes 7a and 7b.
FIG. 7 shows only the bus bars 4a and 4b connected to the two power terminals 3a and 3b among the four power terminals 3a to 3d. A bus bar is also connected to the other power terminals 3c and 3d, which are omitted.

図７に示すごとく、バスバー４は、パワー端子３ａ，３ｂと重なり合う部分が、該パワー端子３ａ，３ｂと同一の外周形状をしている。また、個々のバスバー４は、冷却チューブ７と平行に配置されている。パワー端子３ａ，３ｂをバスバー４に接続する際には、第１溶接部３１及び第２溶接部３２とバスバー４の第１溶接部４１及び第２溶接部４２を重ね合わせ、端面１００と端面１０１とを溶接する。溶接不良が発生した場合は、第１溶接部３１を切断し、パワー端子３の第２溶接部３２とバスバー４の第２溶接部４２とを重ね合わせ、これらの端面を溶接する。 As shown in FIG. 7, the bus bar 4 has the same outer peripheral shape as the power terminals 3a and 3b in the portion overlapping the power terminals 3a and 3b. Each bus bar 4 is arranged in parallel with the cooling tube 7. When connecting the power terminals 3 a and 3 b to the bus bar 4, the first welded portion 31 and the second welded portion 32 and the first welded portion 41 and the second welded portion 42 of the busbar 4 are overlapped, and the end face 100 and the end face 101 are overlapped. And weld. When poor welding occurs, the first welded portion 31 is cut, the second welded portion 32 of the power terminal 3 and the second welded portion 42 of the bus bar 4 are overlapped, and these end faces are welded.

なお、本例では図４、図６に示すごとく、２個のパワー端子３ａ，３ｂを有する半導体モジュール１の例を示したが、３個以上のパワー端子を有する半導体モジュールにも、本発明を同様に適用できる。 In this example, as shown in FIGS. 4 and 6, an example of the semiconductor module 1 having two power terminals 3a and 3b is shown. However, the present invention is also applied to a semiconductor module having three or more power terminals. The same applies.

本例の作用効果について説明する。
本例の半導体モジュール１は、図１〜図３に示すごとく、パワー端子３に第１溶接部３１と第２溶接部３２とを形成した。そして、第１溶接部３１を、第２溶接部３２及び本体部２から切離可能に構成した。
このようにすると、パワー端子３とバスバー４の溶接作業が失敗した場合でも、再度、溶接作業を容易に行うことができる。すなわち、本例によると、図３、図４に示すごとく、パワー端子３をバスバー４と接続する際に、これらを重ね合わせ、第１溶接部３１において溶接を行うことができる。仮にこの溶接が失敗して、溶接不良が発生した場合には、図６に示すごとく、第１溶接部３１を第２溶接部３２及び本体部２から切り離し、第２溶接部３２において溶接を行うことができる。これにより、従来（図１０参照）のようにボルトとナットを使った締結作業を行わずにすむため、工数を大幅に削減することができる。また、パワー端子３とバスバー４を溶接により接続できるので、接続信頼性を高めることができる。 The effect of this example will be described.
The semiconductor module 1 of this example formed the 1st welding part 31 and the 2nd welding part 32 in the power terminal 3, as shown in FIGS. And the 1st welding part 31 was comprised so that separation from the 2nd welding part 32 and the main-body part 2 was possible.
If it does in this way, even if welding operation of power terminal 3 and bus bar 4 fails, welding operation can be easily performed again. That is, according to this example, as shown in FIGS. 3 and 4, when the power terminal 3 is connected to the bus bar 4, they can be overlapped and welded at the first welding portion 31. If this welding fails and a welding failure occurs, the first welded portion 31 is separated from the second welded portion 32 and the main body portion 2 and welding is performed at the second welded portion 32 as shown in FIG. be able to. This eliminates the need for fastening work using bolts and nuts as in the prior art (see FIG. 10), so that the number of man-hours can be greatly reduced. Moreover, since the power terminal 3 and the bus bar 4 can be connected by welding, connection reliability can be improved.

なお、第１溶接部３１に溶接不良が発生した場合に、第１溶接部３１を切り離すことが望ましい。それは、以下の理由による。すなわち、溶接不良が発生すると、溶接に伴って溶解し、固化した金属がパワー端子３とバスバー４の間に挟まってしまい、パワー端子３とバスバー４の表面が密着しなくなることがある。そのため、溶接不良が発生した第１溶接部３１を切断しないで第２溶接部３２に溶接工程を行うと、パワー端子３とバスバー４が密着せず、しっかりと接続することができなくなるおそれがある。そのため、第１溶接部３１を第２溶接部３２および本体部２から切り離しておくことで、第２溶接部３２をバスバーに溶接したとき、パワー端子３とバスバー４とを確実に密着させて、良好な接続を図ることができる。 In addition, when the welding defect generate | occur | produces in the 1st welding part 31, it is desirable to cut off the 1st welding part 31. FIG. The reason is as follows. That is, when welding failure occurs, the metal melted and solidified with welding may be sandwiched between the power terminal 3 and the bus bar 4, and the surface of the power terminal 3 and the bus bar 4 may not be in close contact with each other. Therefore, if the welding process is performed on the second welded portion 32 without cutting the first welded portion 31 in which the welding failure has occurred, the power terminal 3 and the bus bar 4 may not be in close contact and may not be securely connected. . Therefore, by separating the first welded portion 31 from the second welded portion 32 and the main body portion 2, when the second welded portion 32 is welded to the bus bar, the power terminal 3 and the bus bar 4 are securely brought into close contact with each other. A good connection can be achieved.

また、図５に示すごとく、本例のパワー端子３は、溶接不良が発生した場合に第１溶接部３１を切断するための分離予定線５が、第１溶接部３１と第２溶接部３２との間に定められており、その分離予定線５の一部にスリット６が形成されている。
このようにすると、第１溶接部３１を容易に切断することができる。すなわち、上記構成によると、パワー端子３の分離予定線５の一部にスリット６が形成されているため、比較的短い長さを切断するだけで、第１溶接部３１を第２溶接部３２および本体部２から切り離すことができる。 Further, as shown in FIG. 5, the power terminal 3 of the present example has a planned separation line 5 for cutting the first welded portion 31 when a welding failure occurs, and the first welded portion 31 and the second welded portion 32. The slit 6 is formed in a part of the planned separation line 5.
If it does in this way, the 1st welding part 31 can be cut | disconnected easily. That is, according to the above configuration, since the slit 6 is formed in a part of the planned separation line 5 of the power terminal 3, the first welded portion 31 can be connected to the second welded portion 32 by cutting a relatively short length. And can be separated from the main body 2.

また、図４、図６に示すごとく、本例の端子接続構造１０は、第１溶接部３１を、バスバー４とともに切離できるよう構成した。
このようにすると、第１溶接部３１の切断作業を容易に行うことが可能となる。すなわち、仮にバスバー４が切断できなかったとすると、溶接不良が発生した後に、パワー端子３をバスバー４から一旦引き離し、その後、第１溶接部３１を切断する必要が生じる。しかしながら、上述のように第１溶接部３１をバスバー４とともに切断できるよう構成すれば、パワー端子３をバスバー４から引き離す必要が無くなる。そのため、第１溶接部３１における溶接が失敗したときの処置を大幅に効率化することができる。 As shown in FIGS. 4 and 6, the terminal connection structure 10 of this example is configured so that the first welded portion 31 can be separated together with the bus bar 4.
If it does in this way, it will become possible to perform the cutting work of the 1st welding part 31 easily. That is, if the bus bar 4 cannot be cut, it is necessary to once pull the power terminal 3 away from the bus bar 4 after welding failure and then cut the first welded portion 31. However, if the first welded portion 31 can be cut together with the bus bar 4 as described above, it is not necessary to separate the power terminal 3 from the bus bar 4. Therefore, it is possible to greatly improve the efficiency of the treatment when welding in the first welded portion 31 fails.

以上のごとく、本例によれば、パワー端子３とバスバー４との間に溶接不良が発生した場合でも、再度、溶接を容易に行うことができる半導体モジュール１及び、パワー端子３とバスバー４との端子接続構造１０を提供することができる。 As described above, according to this example, even when a welding failure occurs between the power terminal 3 and the bus bar 4, the semiconductor module 1 that can be easily welded again, and the power terminal 3 and the bus bar 4. The terminal connection structure 10 can be provided.

（実施例２）
本例は、パワー端子３の溶接部の数を変更した例である。図８に示すごとく、この半導体モジュール１のパワー端子３は、第１溶接部３１、第２溶接部３２、第３溶接部３３の、合計３個の溶接部を有する。第１溶接部３１と第２溶接部３２との間には第１スリット６ａが形成されており、第２溶接部３２と第３溶接部３３との間には第２スリット６ｂが形成されている。
このパワー端子３をバスバー４と接続する際には、まず第１溶接部３１において溶接作業を行う。溶接不良が発生した場合は、第１溶接部３１を切断し、第２溶接部３２において溶接作業を行う。ここで再度、溶接不良が発生した場合は、第２溶接部３２を切断し、第３溶接部３３において溶接作業を行う。
その他、実施例１と同様の構成を有する。 (Example 2)
In this example, the number of welded portions of the power terminal 3 is changed. As shown in FIG. 8, the power terminal 3 of the semiconductor module 1 has a total of three welded portions including a first welded portion 31, a second welded portion 32, and a third welded portion 33. A first slit 6 a is formed between the first welded portion 31 and the second welded portion 32, and a second slit 6 b is formed between the second welded portion 32 and the third welded portion 33. Yes.
When connecting the power terminal 3 to the bus bar 4, first, a welding operation is performed in the first welding portion 31. When a welding failure occurs, the first welded portion 31 is cut and a welding operation is performed at the second welded portion 32. Here, when a welding failure occurs again, the second welded portion 32 is cut and a welding operation is performed at the third welded portion 33.
In addition, the configuration is the same as that of the first embodiment.

本例の作用効果について説明する。本例では、パワー端子３がそれぞれ３個の溶接部３１〜３３を有しているので、１個のパワー端子３について２回、溶接作業のやり直しをすることができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。 The effect of this example will be described. In this example, since each power terminal 3 has three welded portions 31 to 33, the welding operation can be performed twice for one power terminal 3.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

（実施例３）
本例は、パワー端子３の形状を変更した例である。図９に示すごとく、本例のパワー端子３は、第１溶接部３１と第２溶接部３２との間に分離予定線５が定められており、この分離予定線５上に、相対向する２個のスリット６が形成されている。第１溶接部３１は第２溶接部３２および本体部２から切離可能に構成されている。
その他、実施例１と同様の構成を有する。 (Example 3)
In this example, the shape of the power terminal 3 is changed. As shown in FIG. 9, in the power terminal 3 of this example, a planned separation line 5 is defined between the first welded portion 31 and the second welded portion 32, and is opposed to the planned separated line 5. Two slits 6 are formed. The first welded portion 31 is configured to be separable from the second welded portion 32 and the main body portion 2.
In addition, the configuration is the same as that of the first embodiment.

本例の作用効果について説明する。上記構成にすると、第１溶接部３１を更に容易に切断することが可能になる。すなわち、図９に示すごとく、本例では、パワー端子３の分離予定線５上に相対向する２個のスリット６が形成されているため、この２個のスリット６間の短い距離を切断するだけで、第１溶接部３１を第２溶接部３２および本体部２から切り離すことができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。 The effect of this example will be described. If it is the said structure, it will become possible to cut | disconnect the 1st welding part 31 still more easily. That is, as shown in FIG. 9, in this example, since two slits 6 facing each other are formed on the planned separation line 5 of the power terminal 3, a short distance between the two slits 6 is cut. Only the first welded portion 31 can be separated from the second welded portion 32 and the main body portion 2.
In addition, the same effects as those of the first embodiment are obtained.

１半導体モジュール
１０端子接続構造
２本体部
３パワー端子
３１第１溶接部
３２第２溶接部
４バスバー
５分離予定線
６スリット DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor module 10 Terminal connection structure 2 Main-body part 3 Power terminal 31 1st welding part 32 2nd welding part 4 Bus bar 5 Separation line 6 Slit

Claims

A main body containing a semiconductor element;
It is made of a metal plate and protrudes from the main body, and includes a power terminal electrically connected to the semiconductor element,
The power terminal is connected to the bus bar in place of the first welded portion when a welding failure occurs between the first welded portion to be overlapped and welded to the bus bar and between the first welded portion and the bus bar. And a second welding part for overlapping and welding,
The first welded portion is configured to be separable from the second welded portion and the main body portion ,
In the power terminal, a separation line for cutting the first welded portion when the welding failure occurs is defined between the first welded portion and the second welded portion. A slit is formed in part of the planned separation line,
The first welded portion branches from a root portion of the power terminal that is close to the main body portion, and a distal end portion of the second welded portion, and the first welded portion and the distal end portion of the first welded portion It is adjacent to the tip of the second welded part through the slit,
In the width direction, which is the direction in which the two distal ends of the first welded portion and the distal end of the second welded portion are arranged, the length of the root portion is determined by the two distal ends, the slit, A semiconductor module characterized by being shorter than the combined length .

2. The semiconductor module according to claim 1, wherein the power terminal has two slits facing each other on the planned separation line.

The semiconductor module according to claim 1 or claim 2, a terminal connection structure composed of the above-described bus bar welded to the power terminal of the semiconductor module, the first weld portion, allowing disconnection with the bus bar Terminal connection structure characterized by being comprised.