JP5407592B2

JP5407592B2 - 誘電体セラミックおよびその製造方法ならびに積層セラミックコンデンサ

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Publication number: JP5407592B2
Application number: JP2009154635A
Authority: JP
Inventors: 友幸中村; 真松田; 剛之矢尾; 雅之石原
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2009-06-30
Filing date: 2009-06-30
Publication date: 2014-02-05
Anticipated expiration: 2029-06-30
Also published as: JP2011011919A

Description

この発明は、誘電体セラミックおよびその製造方法ならびにこの誘電体セラミックを用いて構成される積層セラミックコンデンサに関するもので、特に、積層セラミックコンデンサの信頼性を高めるための改良に関するものである。

積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化の要求を満たす有効な手段の１つとして、積層セラミックコンデンサに備える誘電体セラミック層の薄層化を図ることがある。しかし、誘電体セラミック層の薄層化が進むに従って、誘電体セラミック層の１層あたりの電界強度がより高くなる。よって、用いられる誘電体セラミックに対して、より一層の信頼性、特に負荷試験において、より高い寿命特性が求められる。

たとえば主成分がチタン酸バリウム系の誘電体セラミックについて、その信頼性を向上するため、副成分としてＶ（バナジウム）を添加する技術が、たとえば特開平６−２１５９７９号公報（特許文献１）、特開２０００−３１１８２８号公報（特許文献２）および特開２００４−３５３８８号公報（特許文献３）において提案されている。

特許文献１では、ＢａＴｉＯ_３−Ｙ_２Ｏ_３−ＭｇＯ−Ｖ_２Ｏ_５−［ＭｎＯまたはＣｒ_２Ｏ_３またはＣｏ_２Ｏ_３］−ＢａＣａＳｉＯ_３からなる組成が提案されている。ここで、ＶはＶ_２Ｏ_５として添加されることに注目される。

特許文献２では、ＢａＴｉＯ_３−Ｙ_２Ｏ_３−［ＣａＯまたはＭｇＯ］−Ｖ_２Ｏ_５−ＭｎＯ−ＢａＣａＳｉＯ_３からなる組成が提案されている。ここでも、ＶはＶ_２Ｏ_５として添加されることに注目される。

特許文献３では、ＢａＴｉＯ_３−［Ｙ_２Ｏ_３またはＨｏ_２Ｏ_３またはＤｙ_２Ｏ_３またはＹｂ_２Ｏ_３］−ＭｇＣＯ_３−Ｍｎ_２Ｖ_２Ｏ_７−Ｃｒ_２Ｏ_３−ＢａＣａＳｉＯ_３からなる組成が提案されている。ここでは、Ｖは、Ｍｎとともに、Ｍｎ_２Ｖ_２Ｏ_７化合物として添加されることに注目される。

しかしながら、上述した特許文献１ないし３に記載の誘電体セラミックを用いた場合であっても、以下のような問題に遭遇することがある。すなわち、誘電体セラミック層がたとえば厚み１μｍ以下と薄くなると、たとえばＢａＴｉＯ_３粉末の平均粒径を１５０ｎｍ以下とするなど、誘電体セラミック原料の粉末の粒径を１μｍ以下と細かくしなければならない。すると、焼成時の誘電体セラミック原料の反応性が高まり、粒成長が促進され、その結果、信頼性が低下する。特に、ＶがＢａＴｉＯ_３と反応することにより、粒成長が生じていると考えられる。

特開平６−２１５９７９号公報特開２０００−３１１８２８号公報特開２００４−３５３８８号公報

そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る、誘電体セラミックおよびその製造方法ならびにこの誘電体セラミックを用いて構成される積層セラミックコンデンサを提供しようとすることである。

この発明は、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒ（ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、Ｍ（ＭはＭｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種）、ＶおよびＳｉを含有する、誘電体セラミックの製造方法にまず向けられる。

この発明に係る誘電体セラミックの製造方法は、誘電体セラミック原料を作製する工程と、誘電体セラミック原料を焼成する工程とを備え、誘電体セラミック原料を作製する工程は、ＢａとＶとを含むＢａ−Ｖ化合物を準備する工程と、ＡＢＯ_３粉末にＢａ−Ｖ化合物粉末を添加する工程とを含むことを特徴としている。

上記Ｂａ−Ｖ化合物は、Ｂａ_３Ｖ_２Ｏ_８、ＢａＶＯ_３およびＢａ_２ＶＯ_４から選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。

この発明は、また、上記ＡＢＯ_３を主成分とし、副成分として、上記Ｒ、上記Ｍ、ＶおよびＳｉを含有する、誘電体セラミックにも向けられる。

この発明に係る誘電体セラミックは、ＡＢＯ_３の組成を有する主相粒子に加え、ＢａおよびＶを含むＢａ−Ｖ結晶性酸化物粒子が存在していることを特徴としている。

上記Ｂａ−Ｖ結晶性酸化物粒子の組成は、たとえば、Ｂａ_３Ｖ_２Ｏ_８、ＢａＶＯ_３およびＢａ_２ＶＯ_４から選ばれる少なくとも１種である。

この発明は、さらに、積層された複数の誘電体セラミック層、および誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極をもって構成される、コンデンサ本体と、コンデンサ本体の外表面上の互いに異なる位置に形成され、かつ内部電極の特定のものに電気的に接続される、複数の外部電極とを備える、積層セラミックコンデンサにも向けられる。

この発明に係る積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層が、上述したこの発明に係る誘電体セラミックからなることを特徴としている。

この発明によれば、高電界強度下での信頼性に優れた誘電体セラミックを得ることができる。この発明に係る誘電体セラミックは、特に厚み１μｍ以下の誘電体セラミック層を備える積層セラミックコンデンサに適用されたとき、顕著な効果を発揮する。この理由は、次のように推測される。

Ｖが単独でＢａＴｉＯ_３と反応すると、ＢａＴｉＯ_３が粒成長しやすく、信頼性が低下する。これに対して、この発明のように、ＶをＢａとの化合物の状態で添加することにより、ＶがＢａＴｉＯ_３と反応した際も、ＢａＴｉＯ_３が粒成長しにくくなるためであると推測している。なお、ＢａＴｉＯ_３が粒成長しにくくなる理由については、解明されていない。

このようなことから、この発明に係る誘電体セラミックを用いて誘電体セラミック層を構成した積層セラミックコンデンサによれば、その信頼性を向上させることができる。

この発明に係る誘電体セラミックを用いて構成される積層セラミックコンデンサ１を図解的に示す断面図である。

図１を参照して、まず、この発明に係る誘電体セラミックが適用される積層セラミックコンデンサ１について説明する。

積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数の誘電体セラミック層２と誘電体セラミック層２間の特定の界面に沿って形成される複数の内部電極３および４とをもって構成される、コンデンサ本体５を備えている。内部電極３および４は、たとえばＮｉを主成分としている。

コンデンサ本体５の外表面上の互いに異なる位置には、第１および第２の外部電極６および７が形成される。外部電極６および７は、たとえばＡｇまたはＣｕを主成分としている。図１に示した積層セラミックコンデンサ１では、第１および第２の外部電極６および７は、コンデンサ本体５の互いに対向する各端面上に形成される。内部電極３および４は、第１の外部電極６に電気的に接続される複数の第１の内部電極３と第２の外部電極７に電気的に接続される複数の第２の内部電極４とがあり、これら第１および第２の内部電極３および４は、積層方向に関して交互に配置されている。

なお、積層セラミックコンデンサ１は、２個の外部電極６および７を備える２端子型のものであっても、多数の外部電極を備える多端子型のものであってもよい。

このような積層セラミックコンデンサ１において、誘電体セラミック層２は、ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒ（ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、Ｍ（ＭはＭｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種）、ＶおよびＳｉを含有する、誘電体セラミックから構成される。

上記のように、誘電体セラミックは、Ｖを副成分として含むが、この誘電体セラミックのための原料の作製工程において、ＡＢＯ_３粉末を準備するとともに、ＢａとＶとを含む、Ｂａ_３Ｖ_２Ｏ_８、ＢａＶＯ_３またはＢａ_２ＶＯ_４のようなＢａ−Ｖ化合物を予め準備しておき、ＡＢＯ_３粉末に上記Ｂａ−Ｖ化合物粉末を添加する、といった配合手順が採用される。

より具体的には、ＡＢＯ_３が、たとえば固相合成法、水熱合成法、または加水分解法などにより作製され、所望の粒径が得られる温度で熱処理される。ＡＢＯ_３のための素材および添加成分の化合物形態は、酸化物、炭酸物、塩化物、または金属有機化合物など、いずれでもよい。

他方、Ｂａ化合物とＶ化合物とを所定のモル比となるように秤量した後、混合し、熱処理することによって、Ｂａ−Ｖ化合物が作製される。

次いで、上記ＡＢＯ_３およびＢａ−Ｖ化合物に、その他の副成分、および必要に応じて組成補正用のＢａ化合物を加えて混合することによって、誘電体セラミック原料が得られる。

積層セラミックコンデンサ１を製造するため、上記のようにして得られた誘電体セラミック原料を用いてセラミックスラリーを作製し、このセラミックスラリーからセラミックグリーンシートを成形し、これら複数枚のセラミックグリーンシートを積層することによって、コンデンサ本体５となるべき生の積層体を得、この生の積層体を焼成する工程が実施される。この生の積層体を焼成する工程において、上述のように配合された誘電体セラミック原料が焼成され、焼結した誘電体セラミックからなる誘電体セラミック層２が得られる。

誘電体セラミック層２を構成する焼結した誘電体セラミックにおいて、ＡＢＯ_３の組成を有する主相粒子に加え、ＢａおよびＶを含むＢａ−Ｖ結晶性酸化物粒子が存在していることもある。このＢａ−Ｖ結晶性酸化物粒子の組成は、たとえば、Ｂａ_３Ｖ_２Ｏ_８、ＢａＶＯ_３およびＢａ_２ＶＯ_４から選ばれる少なくとも１種である。

なお、この発明に係る誘電体セラミックにおいて、主成分であるＡＢＯ_３のＡとＢとのモル比は、１：１からずれていてもよい。主成分をＡ_ｍＢＯ_３で表わしたとき、ｍは、好ましくは、０．９６〜１．０３の範囲で変えることができる。ｍの調整は、ＡＯもしくはＢＯ_２の添加、またはＢａ−Ｖ化合物のＢａ量の調整によって行なうことができる。

また、この発明に係る誘電体セラミックにおいて、副成分の含有量は特に限定されるものではないが、好ましくは、主成分であるＡＢＯ_３を１００モル部としたとき、Ｒが０．４〜３．０モル部、Ｍが０．５〜３．５モル部、Ｖが０．０５〜０．５モル部、およびＳｉが０．１〜３．５モル部である。

以下に、この発明に基づいて実施した実験例について説明する。

［実験例１］
（Ａ）セラミック原料の作製
まず、ＢａＣＯ_３およびＴｉＯ_２の各粉末を、ＢａＴｉＯ_３の組成になるように秤量した後、ボールミルにより混合し、１１５０℃の温度で熱処理し、主成分であるＢａＴｉＯ_３を得た。このＢａＴｉＯ_３の平均粒径は０．１５μｍであり、Ｂａ／Ｔｉ比は１．００４であった。

他方、ＢａＣＯ_３およびＶ_２Ｏ_５の各粉末を、３：１、２：１および４：１の各モル比になるように秤量した後、ボールミルにより混合し、１１００℃の温度で熱処理し、表１に示すように、実施例１ではＢａ_３Ｖ_２Ｏ_８の結晶性酸化物、実施例２ではＢａＶＯ_３の結晶性酸化物、および実施例３ではＢａ_２ＶＯ_４の結晶性酸化物をそれぞれ得た。なお、比較例では、Ｖ_２Ｏ_５の粉末をそのまま用いた。これらの平均粒径はともに０．０５μｍであった。

次に、上記ＢａＴｉＯ_３と、上記Ｂａ_３Ｖ_２Ｏ_８、ＢａＶＯ_３もしくはＢａ_２ＶＯ_４またはＶ_２Ｏ_５とに加え、Ｄｙ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＭｎＯ_２およびＳｉＯ_２、ならびに、必要に応じて、ｍ値（＝Ｂａ／Ｔｉ比）補正用のＢａＣＯ_３を、実施例１〜３および比較例の各々について、以下の配合となるよう秤量した後、ボールミルにより混合し、誘電体セラミック原料を得た。

（１）実施例１
１００(Ｂａ_{１．００４}ＴｉＯ_３)−０．６Ｄｙ_２Ｏ_３−０．９ＭｇＯ−０．０５ＭｎＯ_２−１．４ＳｉＯ_２−０．１Ｂａ_３Ｖ_２Ｏ_８−０．１ＢａＣＯ_３
（２）実施例２
１００(Ｂａ_{１．００４}ＴｉＯ_３)−０．６Ｄｙ_２Ｏ_３−０．９ＭｇＯ−０．０５ＭｎＯ_２−１．４ＳｉＯ_２−０．２ＢａＶＯ_３−０．２ＢａＣＯ_３
（３）実施例３
１００(Ｂａ_{１．００４}ＴｉＯ_３)−０．６Ｄｙ_２Ｏ_３−０．９ＭｇＯ−０．０５ＭｎＯ_２−１．４ＳｉＯ_２−０．２Ｂａ_２ＶＯ_４
（４）比較例
１００(Ｂａ_{１．００４}ＴｉＯ_３)−０．６Ｄｙ_２Ｏ_３−０．９ＭｇＯ−０．０５ＭｎＯ_２−１．４ＳｉＯ_２−０．１Ｖ_２Ｏ_５−０．４ＢａＣＯ_３
上記比較例は特に実施例１に対応するものである。Ｖを、実施例１ではＢａ_３Ｖ_２Ｏ_８として添加したが、比較例ではＢａＣＯ_３とＶ_２Ｏ_５として添加した。このように、実施例１と比較例とは、Ｖの添加方法が異なるだけであり、すべての構成組成比率は互いに同じである。

（Ｂ）積層セラミックコンデンサの作製
上記セラミック原料に、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノールを加えて、ボールミルにより湿式混合することによって、セラミックスラリーを作製した。

次に、このセラミックスラリーを、ドクターブレード法により、シート状に成形し、矩形のセラミックグリーンシートを得た。

次に、上記セラミックグリーンシート上に、Ｎｉを主体とする導電性ペーストをスクリーン印刷し、内部電極となるべき導電性ペースト膜を形成した。

次に、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートを、導電性ペースト膜の引き出されている側が互い違いになるように複数枚積層し、コンデンサ本体となるべき生の積層体を得た。

次に、生の積層体を、Ｎ_２雰囲気中にて３００℃の温度に加熱し、バインダを燃焼させた後、酸素分圧が１０^−１０ＭＰａのＨ_２−Ｎ_２−Ｈ_２Ｏガスからなる還元性雰囲気中にて、１２００℃の温度で２時間焼成し、焼結したコンデンサ本体を得た。

次に、焼結後のコンデンサ本体の両端面にＢ_２Ｏ_３−Ｌｉ_２Ｏ−ＳｉＯ_２−ＢａＯ系ガラスフリットを含有するＣｕペーストを塗布し、Ｎ_２雰囲気中において８００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的に接続された外部電極を形成し、試料となる積層セラミックコンデンサを得た。

このようにして得られた積層セラミックコンデンサの外形寸法は、幅１．２ｍｍ、長さ２．０ｍｍ、厚さ１．０ｍｍであり、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みが０．８μｍであった。また、有効誘電体セラミック層の層数は１００層であり、セラミック層１層あたりの内部電極の対向面積は１．６ｍｍ^２であった。

（Ｃ）特性の評価
次に、得られた積層セラミックコンデンサについて、表２に示すように、室温での誘電率ε、ＤＦ（tan δ）、耐電圧（ＤＣ破壊電界強度）、および高温負荷寿命を評価した。

静電容量から計算される上記誘電率εおよびＤＦ（tan δ）は、温度２５℃、１ｋＨｚ、および０．５Ｖｒｍｓの条件下で測定した。

耐電圧（ＤＣ破壊電界強度）については、直流電圧に対する耐電圧を１００Ｖ／秒の昇圧速度で測定した。

また、高温負荷寿命については、温度１５０℃にて、８Ｖの電圧(１０ｋＶ／ｍｍの電界強度)を印加する高温負荷寿命試験を１００個の試料について実施し、１０００時間経過するまでに、絶縁抵抗値が２００ｋΩ以下になった試料を不良と判定し、不良個数を求めた。

表２からわかるように、実施例１〜３によれば、誘電体セラミック層の厚みが０．８μｍというように薄層化されても、３５００以上の高い誘電率εを保ちながら、同時に、高い耐電圧を有し、１５０℃、１０ｋＶ／ｍｍという厳しい条件下でも優れた信頼性を示した。

これに対して、比較例は、実施例１〜３に比べて、耐電圧および信頼性の点で劣っていた。

［実験例２］
実験例２では、副成分の種類、含有量を変化させた。

（Ａ）セラミック原料の作製
組成式：［１００Ｂａ_ｍＴｉＯ_３]＋ａＲＯ_３／２＋ｂＭＯ＋ｃＶＯ_５／２＋ｄＳｉＯ_２において、ＲおよびＭの内訳、ならびにｍ、ａ、ｂ、ｃおよびｄの各値を、表３に示すようにしたことを除いて、実験例１における実施例１の場合と同様にして、誘電体セラミック原料を得た。なお、表３における試料１は、実験例１における実施例１と同じである。

（Ｂ）積層セラミックコンデンサの作製
上記誘電体セラミック原料を用い、実験例１の場合と同様にして、各試料に係る積層セラミックコンデンサを作製した。

（Ｃ）特性の評価
実験例１の場合と同様にして、特性の評価を行なった。その結果が表４に示されている。

表４からわかるように、すべての試料において、３５００以上の高い誘電率εを保ちながら、同時に、高い耐電圧を有し、１５０℃、１０ｋＶ／ｍｍという厳しい条件下でも優れた信頼性を示した。

［実験例３］
実験例３では、主成分ＡＢＯ_３について、Ａサイトにおいて、Ｂａ以外にＣａおよび／またはＳｒを含む場合、Ｂサイトにおいて、Ｔｉ以外にＺｒおよび／またはＨｆを含む場合について評価した。

（Ａ）セラミック原料の作製
表５に示す「Ａサイト置換成分」および「Ｂサイト置換成分」を適用したことを除いて、実験例１における実施例１の場合と同様にして、誘電体セラミック原料を得た。なお、表５における試料１は、実験例１における実施例１と同じである。

（Ｃ）特性の評価
実験例１の場合と同様にして、特性の評価を行なった。その結果が表６に示されている。

表６からわかるように、主成分原料を表５のように変更しても、すべての試料において、３５００以上の高い誘電率εを保ちながら、同時に、高い耐電圧を有し、１５０℃、１０ｋＶ／ｍｍという厳しい条件下でも優れた信頼性を示した。

［実験例４］
実験例４では、Ｓｉを含有する焼結助剤として、Ｓｉのみを含むもの以外の種々の焼結助剤について評価した。

（Ａ）セラミック原料の作製
焼結助剤成分を表７に示した組成および含有量に変更したことを除いて、実験例１における実施例１の場合と同様にして、誘電体セラミック原料を得た。なお、表７における試料１は、実験例１における実施例１と同じである。

（Ｃ）特性の評価
実験例１の場合と同様にして、特性の評価を行なった。その結果が表８に示されている。

表８からわかるように、焼結助剤を表７のように変更しても、すべての試料において、３５００以上の高い誘電率εを保ちながら、同時に、高い耐電圧を有し、１５０℃、１０ｋＶ／ｍｍという厳しい条件下でも優れた信頼性を示した。

［実験例５］
実験例５では、不純物の影響を評価した。

原料作製等、積層セラミックコンデンサの製造過程において、Ｚｒ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ｗ、Ｆｅ、Ｍｏ、ＰｄおよびＹなどが誘電体セラミック中に不純物として混入する可能性があり、これらが、結晶粒子内および結晶粒子間を占める結晶粒界に存在する可能性がある。また、積層セラミックコンデンサの焼成工程などにおいて、内部電極成分が誘電体セラミック中の結晶粒子内および結晶粒子間を占める結晶粒界に拡散し存在する可能性がある。実験例５は、これらの不純物の影響を評価しようとするものである。

なお、上記不純物のうちのＹは、通常の副成分としても含まれることが予定されているが、実験例５では、Ｙを含まない組成でも、不純物としてＹが含まれてくる可能性もあるので、念のため、不純物としてのＹも考慮している。

（Ａ）セラミック原料の作製
実験例１における実施例１の組成に、表９に示した不純物成分を加えたことを除いて、実験例１における実施例１の場合と同様にして、誘電体セラミック原料を得た。なお、表９における試料１は、実験例１における実施例１と同じである。

（Ｃ）特性の評価
実験例１の場合と同様にして、特性の評価を行なった。その結果が表１０に示されている。

表１０からわかるように、表９のような不純物が混入しても、すべての試料において、３５００以上の高い誘電率εを保ちながら、同時に、高い耐電圧を有し、１５０℃、１０ｋＶ／ｍｍという厳しい条件下でも優れた信頼性を示した。

１積層セラミックコンデンサ
２誘電体セラミック層
３，４内部電極
５コンデンサ本体
６，７外部電極

Claims

ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒ（ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、Ｍ（ＭはＭｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種）、ＶおよびＳｉを含有する、誘電体セラミックの製造方法であって、
誘電体セラミック原料を作製する工程と、
前記誘電体セラミック原料を焼成する工程と
を備え、
誘電体セラミック原料を作製する工程は、ＢａとＶとを含むＢａ−Ｖ化合物を準備する工程と、ＡＢＯ_３粉末に前記Ｂａ−Ｖ化合物粉末を添加する工程とを含む、
誘電体セラミックの製造方法。
前記Ｂａ−Ｖ化合物は、Ｂａ_３Ｖ_２Ｏ_８、ＢａＶＯ_３およびＢａ_２ＶＯ_４から選ばれる少なくとも１種である、請求項１に記載の誘電体セラミックの製造方法。
ＡＢＯ_３（Ａは、Ｂａを必ず含み、さらにＣａおよびＳｒの少なくとも一方を含むことがある。Ｂは、Ｔｉを必ず含み、さらにＺｒおよびＨｆの少なくとも一方を含むことがある。）を主成分とし、副成分として、Ｒ（ＲはＬａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、ＬｕおよびＹから選ばれる少なくとも１種）、Ｍ（ＭはＭｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種）、ＶおよびＳｉを含有する、誘電体セラミックであって、
ＡＢＯ_３の組成を有する主相粒子に加え、ＢａおよびＶを含むＢａ−Ｖ結晶性酸化物粒子が存在している、誘電体セラミック。
前記Ｂａ−Ｖ結晶性酸化物粒子の組成は、Ｂａ_３Ｖ_２Ｏ_８、ＢａＶＯ_３およびＢａ_２ＶＯ_４から選ばれる少なくとも１種である、請求項３に記載の誘電体セラミック。
積層された複数の誘電体セラミック層、および前記誘電体セラミック層間の特定の界面に沿って形成された複数の内部電極をもって構成される、コンデンサ本体と、
前記コンデンサ本体の外表面上の互いに異なる位置に形成され、かつ前記内部電極の特定のものに電気的に接続される、複数の外部電極と
を備え、
前記誘電体セラミック層は、請求項３または４に記載の誘電体セラミックからなる、
積層セラミックコンデンサ。