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JP5408582B2 - Method for producing oxide amorphous fine particles - Google Patents
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JP5408582B2 - Method for producing oxide amorphous fine particles - Google Patents

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Description

本発明は、アルファサイアロン蛍光体の前駆体である酸化物非晶質微粒子の製造方法に関する。また、該前駆体を用いたアルファサイアロン蛍光体を備えた発光デバイスを有する照明器具は、次世代照明器具として期待されている固体照明器具の一種である高効率な白色発光ダイオード照明器具であり、省エネかつ長寿命であるという特徴を生かし、水銀など有害物質を含まないため環境負荷も少ない。 The present invention relates to a method for producing oxide amorphous fine particles which are precursors of an alpha sialon phosphor. The illumination device having a light-emitting device with an alpha SiAlON phosphor used the precursors is a highly efficient white LED lighting apparatus which is a kind of solid-state lighting fixture, which is expected as a next-generation lighting, Utilizing the features of energy saving and long life, it does not contain harmful substances such as mercury, so there is little environmental impact.

白色発光ダイオードなどに用いる蛍光体として、MSi12−(m+n)Al(m+n)16−m(ただし、m、nは組成を決めるパラメータである)で示されるアルファサイアロン化合物であって、固溶元素Mが希土類元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素などであるものが注目されている(例えば特許文献1〜3、非特許文献1参照。)。この種の蛍光体を、以下、アルファサイアロン蛍光体と呼ぶ。 As phosphor used such as white light emitting diodes, M x Si 12- (m + n) Al (m + n) O n N 16-m ( although, m, n is a is a parameter that determines the composition) had an alpha SiAlON compounds represented by Thus, the element in which the solid solution element M is a rare earth element, an alkali metal element, an alkaline earth metal element, or the like has attracted attention (for example, see Patent Documents 1 to 3 and Non-Patent Document 1). This type of phosphor is hereinafter referred to as an alpha sialon phosphor.

アルファサイアロン蛍光体を得る方法として、特許文献1には、原料粉末をホットプレス装置を用いて1700℃、20MPaの高温高圧下で反応させる方法が開示されている。ホットプレス法では、試料はペレット形状で合成されるので、粉末状蛍光体を得るためには焼結後に粉砕し粉末化する工程が必要となる。また非特許文献1では、原料粉末を1800℃、10気圧の高温高圧でガス加圧焼結する方法が開示されており、粒径0.5〜1.8μmの粉末が得られたことが報告されている。また、特許文献2には、適切な粒径に焼結前に造粒した原料粉末を、例えば1700℃、1.0MPaの高温高圧でガス加圧焼結し、一つの塊のようになっている焼結後の粉末をわずかな力を加えて粉末状に崩すことで、適切な二次粒径の蛍光体粉末とする方法が開示されている。ここで開示されている方法では、事前に造粒する際の粒径は20μm以上とされている。   As a method for obtaining an alpha sialon phosphor, Patent Document 1 discloses a method in which raw material powder is reacted at a high temperature and high pressure of 1700 ° C. and 20 MPa using a hot press apparatus. In the hot press method, the sample is synthesized in the form of a pellet. Therefore, in order to obtain a powdered phosphor, a step of pulverizing and powdering after sintering is required. Non-Patent Document 1 discloses a method in which a raw material powder is gas-pressure-sintered at a high temperature and high pressure of 1800 ° C. and 10 atm, and a powder having a particle diameter of 0.5 to 1.8 μm is obtained. Has been. Patent Document 2 discloses that a raw material powder granulated before sintering to an appropriate particle size is subjected to gas pressure sintering at a high temperature and high pressure of, for example, 1700 ° C. and 1.0 MPa to form one lump. A method for producing a phosphor powder having an appropriate secondary particle size by applying a slight force to break the powder after sintering into a powder form is disclosed. In the method disclosed here, the particle size when granulated in advance is set to 20 μm or more.

高純度でなおかつ適度な粒径分布を有するアルファサイアロン蛍光体の製造方法として、SiO、SiO、Siから選ばれる1種または2種以上の混合物と、Alを含む化合物、及び、希土類元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素などの添加物を含む化合物を混合した前駆体材料を、還元窒素雰囲気中で加熱する方法が提案されている(例えば、特許文献3参照。)。
特許文献3によれば、非晶質のSiO、SiO、Siなどの微粒子に、Alおよび希土類元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素などの化合物を付着させたものを前駆体材料として用いている。
As a method for producing an alpha sialon phosphor having a high purity and an appropriate particle size distribution, a compound containing Al and one or a mixture of two or more selected from SiO 2 , Si 2 N 2 O, and Si 3 N 4 And a method of heating a precursor material mixed with a compound containing an additive such as a rare earth element, an alkali metal element, or an alkaline earth metal element in a reducing nitrogen atmosphere has been proposed (see, for example, Patent Document 3). .)
According to Patent Document 3, compounds such as Al and rare earth elements, alkali metal elements, and alkaline earth metal elements are attached to fine particles such as amorphous SiO 2 , Si 2 N 2 O, and Si 3 N 4 . Is used as a precursor material.

ところで、蛍光体を使用する白色発光ダイオード(以下、発光ダイオードをLEDと略記する。)においては、蛍光体を粉末状にし、樹脂中に分散させた状態で、青色或いは紫外LED等の近傍或いは周囲に塗布する方法が一般的であるが、一般に用いられる蛍光体の粒子径は、μmオーダーサイズで光の波長とほぼ同程度かまたは数倍程度の大きさであるため、蛍光が前方の粒子によりミー散乱あるいは幾何光学的散乱を受けて後方散乱されて、光の取り出し効率が低下するという問題がある。結果的に、多重散乱により蛍光がLEDランプのパッケージ外部に到達する以前に、各種部材に吸収されてしまい、損失となる割合が高くなる。前記のアルファサイアロン蛍光体を、白色LED等に用いる場合も同様である。   By the way, in a white light emitting diode using phosphor (hereinafter, the light emitting diode is abbreviated as LED), the phosphor is powdered and dispersed in a resin in the vicinity of or around a blue or ultraviolet LED. The particle diameter of the phosphor generally used is approximately the same as the wavelength of light in the order of μm or several times larger than the wavelength of the light. There is a problem that the light extraction efficiency is lowered due to Mie scattering or geometrical optical scattering and back scattering. As a result, before the fluorescent light reaches the outside of the LED lamp package due to multiple scattering, it is absorbed by various members, and the loss ratio increases. The same applies when the alpha sialon phosphor is used for a white LED or the like.

このような光の後方散乱による損失を低下させる方法としては、一つには蛍光体の粒を数十μm以上の大きさにする方法がある。もう一つには、光散乱が微弱になるナノサイズまで粒子径を小さくする方法が考えられる。蛍光体をナノサイズにすることによって、光の散乱が減る結果、白色LEDの光取り出し効率が向上し、発光効率向上が期待できる。さらに、使用する蛍光体は、高純度であることが望まれる。
特開2002−363554号公報 WO2006/6562号パンフレット 特開2005−306692号公報 Rong-Jun Xie et al., “Optical Properties of Eu2+ in α-SiAlON,” J. Phys. Chem. B, Vol. 108, pp.12027-12031 (2004)
As a method of reducing the loss due to such backscattering of light, there is a method of making phosphor particles have a size of several tens of μm or more. Another possible method is to reduce the particle size to a nano size where light scattering is weak. By making the phosphor nano-sized, light scattering is reduced. As a result, the light extraction efficiency of the white LED is improved, and an improvement in light emission efficiency can be expected. Furthermore, it is desirable that the phosphor used has high purity.
JP 2002-363554 A WO2006 / 6562 pamphlet JP 2005-306692 A Rong-Jun Xie et al., “Optical Properties of Eu2 + in α-SiAlON,” J. Phys. Chem. B, Vol. 108, pp.12027-12031 (2004)

しかしながら、前述した従来技術には、次のような問題があった。
特許文献1に開示されたように、ホットプレス法で蛍光体を合成する場合には、粉砕が必要であり、また微細粉末を得ることが困難である。
非特許文献1及び特許文献2に開示されたように、ガス加圧焼結法で蛍光体を合成する場合には、微細粉末を得ることが困難である。
特許文献3に開示された方法では、各材料を混合した前駆体を還元窒素雰囲気中で加熱しても、均一な組成のアルファサイアロン蛍光体粉末を得ることが難しい。すなわち、SiO微粒子の表面からAl、Ca、Eu元素が粒子内部に向かって拡散する場合、どうしても粒子表面の方が添加物濃度が高くなってしまう。その結果、組成が均一で、特性が安定した蛍光体を量産することが困難である。なお、前記Al、Ca、Euは一例であり、他の添加物でも同様の問題が発生する。
However, the above-described conventional technique has the following problems.
As disclosed in Patent Document 1, when a phosphor is synthesized by a hot press method, pulverization is necessary and it is difficult to obtain a fine powder.
As disclosed in Non-Patent Document 1 and Patent Document 2, when a phosphor is synthesized by a gas pressure sintering method, it is difficult to obtain a fine powder.
In the method disclosed in Patent Document 3, it is difficult to obtain an alpha sialon phosphor powder having a uniform composition even when a precursor mixed with each material is heated in a reducing nitrogen atmosphere. That is, when Al, Ca, and Eu elements diffuse from the surface of the SiO 2 fine particles toward the inside of the particle, the concentration of the additive is inevitably higher on the particle surface. As a result, it is difficult to mass-produce phosphors having a uniform composition and stable characteristics. The Al, Ca, and Eu are merely examples, and similar problems occur with other additives.

本発明は、前記事情に鑑みてなされ、均一な組成で、安定した蛍光特性を持った高品質且つ極微細な酸化物非晶質微粒子の製造方法の提供を目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, a uniform composition, and an object thereof is to provide a stable, high-quality and very fine oxides of amorphous particles prepared how having fluorescent properties.

前記目的を達成するため、本発明は、還元窒化法によりアルファサイアロン蛍光体を合成するための前駆体である酸化物非晶質微粒子の製造方法であって、
ガスと混合して加熱することによりSiOとなる化合物(SiX)の蒸気と、Oガスと混合して加熱することによりAlとなる化合物(AlX)の蒸気と、Oガスをあらかじめ混合する工程と、
加熱の直前に希土類元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素から選ばれる1種または2種以上の元素を含む化合物(MX)の蒸気を加える工程と、
次いで、前記混合蒸気に対し、1秒あたり1000℃以上の急速加熱を施し、該混合蒸気を十分に酸化させて酸化物を生成する工程と、
次いで、1秒あたり250℃以上の急速冷却を行い、酸化物非晶質微粒子を得る工程と、からなることを特徴とする酸化物非晶質微粒子の製造方法を提供する。
In order to achieve the above object, the present invention provides a method for producing oxide amorphous fine particles, which is a precursor for synthesizing an alpha sialon phosphor by a reduction nitriding method,
A compound serving as SiO 2 of (SiX) steam by heating is mixed with O 2 gas, and steam to become Compound Al 2 O 3 (AlX) by heating is mixed with O 2 gas, O 2 Pre-mixing the gas;
Adding a vapor of a compound (MX) containing one or more elements selected from rare earth elements, alkali metal elements and alkaline earth metal elements immediately before heating;
Next, subjecting the mixed steam to rapid heating at 1000 ° C. or more per second to sufficiently oxidize the mixed steam to generate an oxide;
Next, a method of producing oxide amorphous fine particles is provided, which comprises a step of rapidly cooling at 250 ° C. or more per second to obtain oxide amorphous fine particles.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、加熱及び酸化を行う反応チャンバーが石英ガラス製のチューブであることが好ましい。   In the method for producing oxide amorphous fine particles of the present invention, it is preferable that the reaction chamber for performing heating and oxidation is a quartz glass tube.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、加熱部よりも上流にMX揮発室を有し、反応部を加熱する熱源とは別のMX揮発用熱源を有することが好ましい。   In the method for producing oxide fine particles according to the present invention, it is preferable to have an MX volatilization chamber upstream of the heating unit and an MX volatilization heat source different from the heat source for heating the reaction unit.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、MX揮発室で揮発したMX蒸気とOガスとが事前に反応することを抑制するために、MX揮発室から加熱部の直前までOガス等の流路とは独立したMX流路を設けた反応チャンバーを用いることが好ましい。 In the method for producing oxide amorphous fine particles of the present invention, in order to prevent the MX vapor volatilized in the MX volatilization chamber and the O 2 gas from reacting in advance, the O 2 gas from the MX volatilization chamber to just before the heating unit is O 2. It is preferable to use a reaction chamber provided with an MX channel independent of a gas channel or the like.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、MX揮発室及びMX揮発用熱源を複数用いることが好ましい。   In the method for producing amorphous oxide fine particles of the present invention, it is preferable to use a plurality of MX volatilization chambers and MX volatilization heat sources.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、MXを水溶液もしくはアルコール溶液とし、ネブライザーでミスト化し、Ar、He、Nから選ばれる1種または2種以上のガスをキャリアガスとして反応チャンバーに搬送することが好ましい。 In the method for producing oxide fine particles according to the present invention, MX is an aqueous solution or an alcohol solution, misted with a nebulizer, and one or more gases selected from Ar, He, and N 2 are used as a carrier gas in a reaction chamber It is preferable to carry it to the surface.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、反応チャンバーを加熱する熱源が、酸水素バーナーであり、管外表面の温度が1200〜1350℃の範囲であることが好ましい。   In the method for producing oxide amorphous fine particles of the present invention, the heat source for heating the reaction chamber is preferably an oxyhydrogen burner, and the temperature of the outer surface of the tube is preferably in the range of 1200 to 1350 ° C.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、SiXがSiClであり、これを20〜45℃に保ち、Oガス、Nガス、Arガス、Heガスからなる群から選択される1種または2種以上のガスによりバブリングし、保温温度にしたがった蒸気圧に基づき、原料を反応チャンバーに搬送することが好ましい。 In the method for producing oxide fine particles according to the present invention, SiX is SiCl 4, which is maintained at 20 to 45 ° C., and is selected from the group consisting of O 2 gas, N 2 gas, Ar gas, and He gas. It is preferable that the raw material is transported to the reaction chamber based on the vapor pressure according to the heat retention temperature by bubbling with one or two or more gases.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、SiXがSiClであり、これを60〜80℃に保温することでSiClガスとし、Oガス、Nガス、Arガス、Heガスから選ばれる1種または2種以上のガスをキャリアガスとし、反応チャンバーに搬送することが好ましい。 In the method for producing oxide amorphous fine particles of the present invention, SiX is SiCl 4 , and this is kept at 60 to 80 ° C. to obtain SiCl 4 gas, which is O 2 gas, N 2 gas, Ar gas, He gas. It is preferable that one or two or more gases selected from the above are used as a carrier gas and conveyed to the reaction chamber.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、AlXがAlCl であり、AlにClガスを吹き付けることでAlClを発生させ、Ar、He、Nから選ばれる1種または2種以上のガスをキャリアガスとして反応チャンバーに搬送することが好ましい。 In the method for manufacturing the oxide amorphous particles of the present invention, AlX is AlCl 3, to generate AlCl 3 by blowing Cl 2 gas to Al, 1 kind or two kinds selected Ar, He, from N 2 The above gas is preferably transported to the reaction chamber as a carrier gas.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、MXが、Caアセチルアセトナート、Euアセチルアセトナート、ビスヘキサフルオロアセチルアセトンカルシウム、トリスジペバロイルメタナートユーロピウムからなる群から選択される1種または2種以上の化合物であることが好ましい。 In the method for producing oxide amorphous fine particles of the present invention, MX is selected from the group consisting of Ca acetylacetonate, Eu acetylacetonate, bishexafluoroacetylacetone calcium, and trisdipivaloylmethanate europium. Or it is preferable that they are 2 or more types of compounds.

本発明によれば、均一な組成で、安定した蛍光特性を持った高品質且つ極微細なアルファサイアロン蛍光体の前駆体を得ることができる。
本発明によれば、前駆体合成時のチャンバーからのコンタミネーションが少なく、余計な不純物濃度が少ない前駆体を合成できる。
本発明によれば、これまでに報告されていなかった粒径300nmを下回る微細なアルファサイアロン蛍光体微粒子が得られた。
本発明によれば、ミー散乱を低減できる微細な粒径の蛍光体粉末を用いることにより、蛍光体分散樹脂層を透明度の高い遮蔽効果の小さいものとすることができ、光取り出し効率の高い白色LEDパッケージ構造を得ることができる。
According to the present invention, it is possible to obtain a high-quality and ultrafine precursor of an alpha sialon phosphor having a uniform composition and stable fluorescence characteristics.
According to the present invention, it is possible to synthesize a precursor with less contamination from the chamber during synthesis of the precursor and less excess impurity concentration.
According to the present invention, fine alpha sialon phosphor particles having a particle size of less than 300 nm, which had not been reported so far, were obtained.
According to the present invention, by using a phosphor powder having a fine particle size capable of reducing Mie scattering, the phosphor-dispersed resin layer can be made to have a high transparency and a small shielding effect, and has a high light extraction efficiency. An LED package structure can be obtained.

本発明は、還元窒化法によりアルファサイアロン蛍光体を合成するための前駆体である酸化物非晶質微粒子の製造方法であって、
ガスと混合して加熱することによりSiOとなる化合物(SiX)の蒸気と、Oガスと混合して加熱することによりAlとなる化合物(AlX)の蒸気と、Oガスをあらかじめ混合する工程と、
加熱の直前に希土類元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素から選ばれる1種または2種以上の元素を含む化合物(MX)の蒸気を加える工程と、
次いで、前記混合蒸気に対し、1秒あたり1000℃以上の急速加熱を施し、該混合蒸気を十分に酸化させて酸化物を生成する工程と、
次いで、1秒あたり250℃以上の急速冷却を行い、酸化物非晶質微粒子を得る工程と、からなることを特徴とする酸化物非晶質微粒子の製造方法、該方法により得られた非晶質微粒子及びアルファサイアロン蛍光体の前駆体、この前駆体を用いたアルファサイアロン蛍光体微粒子とその製造方法、このアルファサイアロン蛍光体と青色LEDとを組み合わせた発光デバイス及び該発光デバイスを備えた照明器具である。
The present invention is a method for producing oxide amorphous fine particles which are precursors for synthesizing an alpha sialon phosphor by a reduction nitriding method,
A compound serving as SiO 2 of (SiX) steam by heating is mixed with O 2 gas, and steam to become Compound Al 2 O 3 (AlX) by heating is mixed with O 2 gas, O 2 Pre-mixing the gas;
Adding a vapor of a compound (MX) containing one or more elements selected from rare earth elements, alkali metal elements and alkaline earth metal elements immediately before heating;
Next, subjecting the mixed steam to rapid heating at 1000 ° C. or more per second to sufficiently oxidize the mixed steam to generate an oxide;
And a step of rapidly cooling at 250 ° C. or more per second to obtain oxide amorphous fine particles, and a method for producing oxide amorphous fine particles characterized by comprising: Fine particle and precursor of alpha sialon phosphor, alpha sialon phosphor fine particle using this precursor and method for producing the same, light emitting device combining this alpha sialon phosphor and blue LED, and lighting fixture equipped with the light emitting device It is.

本発明の製造方法では、混合蒸気を加熱する直前に、元素MのX化合物であるMXを加え、急速加熱、急速冷却することで、非結晶微粒子を得る。ここで、Mは、母相となる非結晶微粒子に対してドープしようとする金属元素である。この製法により粒子内部まで均一な組成の微粒子を作ることができる。   In the production method of the present invention, amorphous particulates are obtained by adding MX, which is an X compound of element M, immediately before heating the mixed vapor, followed by rapid heating and rapid cooling. Here, M is a metal element to be doped with respect to the amorphous fine particles serving as a parent phase. By this production method, fine particles having a uniform composition up to the inside of the particles can be produced.

本発明の製造方法において、加熱の直前にMXを加える理由は、希土類元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素の中には、CaやEuの化合物のように、工業的に利用可能な蒸気圧を発生するための保温温度が300℃以上のものがあり、また、これらの材料は高温で不安定であり、容易に分解、酸化、他の化合物との反応が進むので、Oガスまたは他の原料ガスとあらかじめ混合して反応チャンバーに搬送することが困難だからである。 In the production method of the present invention, MX is added immediately before heating because, among rare earth elements, alkali metal elements, and alkaline earth metal elements, industrially usable vapors such as Ca and Eu compounds. There are those retained temperature for generating the pressure is above 300 ° C., also, these materials are unstable at high temperatures, easily disassembled, oxidation, since the reaction with other compounds proceeds, O 2 gas or This is because it is difficult to mix with other source gases in advance and transport them to the reaction chamber.

本発明の製造方法では、急速加熱をすることで、反応部に存在する元素を同時に酸化することができるため、粒子全体で均一な組成とすることができる。例えば加熱速度が遅い場合、酸化されやすい元素から順次酸化されるため、反応後得られる微粒子内部に初期に酸化した元素の偏積部位が出来てしまう。Si−Al−O非晶質を主成分とする微粒子の場合、実験により1秒当たり1000℃以上の急速加熱を行うと均一な組成の微粒子が得られることがわかった。また、急速冷却をすることで、含有する一部の化合物の固相を偏積することなく、均一な組成の非晶質微粒子を作製できる。Si−Al−O非晶質を主成分とする微粒子の場合、実験により1秒当たり250℃以上の急速冷却を行うと均一な組成の微粒子が得られることがわかった。   In the production method of the present invention, rapid heating can simultaneously oxidize the elements present in the reaction part, so that the composition can be uniform throughout the particles. For example, when the heating rate is slow, since the elements that are easily oxidized are sequentially oxidized, an unevenly deposited portion of the initially oxidized element is formed inside the fine particles obtained after the reaction. In the case of fine particles containing Si—Al—O amorphous as a main component, it was found by experiments that fine particles having a uniform composition can be obtained by rapid heating at 1000 ° C. or more per second. In addition, by rapid cooling, amorphous fine particles having a uniform composition can be produced without unevenly depositing the solid phase of some of the compounds contained. In the case of fine particles containing Si—Al—O amorphous as a main component, it has been experimentally found that fine particles having a uniform composition can be obtained by rapid cooling at 250 ° C. or more per second.

図1は、本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法を実施するために用いる製造装置の第1例を示す構成図であり、図中符号1は管状をなす反応チャンバー、2は酸水素バーナー、3は酸化物非晶質微粒子回収用のフィルタ(バッグフィルタなど)、4はSiX蒸気発生装置、5はAlX蒸気発生装置、6はMX蒸気発生装置を示す。本例の製造装置は、一端側からSiX蒸気、AlX蒸気及びOガスが導入される反応チャンバー1を備え、該反応チャンバー1の途中にMX蒸気供給路が接続され、該反応チャンバー1を加熱する酸水素バーナー2を配置すると共に、反応チャンバー1の他端側に、反応により生成した非晶質微粒子を捕捉・回収するフィルタ3を介して図示していない排気装置に接続して構成されている。 FIG. 1 is a block diagram showing a first example of a production apparatus used for carrying out the method for producing oxide amorphous fine particles of the present invention, in which reference numeral 1 denotes a tubular reaction chamber, and 2 denotes an oxyhydrogen. Burner, 3 is a filter (bag filter etc.) for collecting oxide amorphous fine particles, 4 is a SiX vapor generator, 5 is an AlX vapor generator, and 6 is an MX vapor generator. The manufacturing apparatus of this example includes a reaction chamber 1 into which SiX vapor, AlX vapor, and O 2 gas are introduced from one end side, and an MX vapor supply path is connected to the reaction chamber 1 to heat the reaction chamber 1. The oxyhydrogen burner 2 is disposed and connected to an exhaust device (not shown) through a filter 3 that captures and collects amorphous fine particles generated by the reaction at the other end of the reaction chamber 1. Yes.

図2は、前記製造装置の第2例を示す構成図であり、図1に示す製造装置と同一の構成要素には、同一符号を付してある。本例の製造装置は、MX蒸気発生装置として、反応チャンバー1の一部に凹部状のMX揮発室を設け、そのMX揮発室内にMX化合物7を配置し、このように配置されたMX化合物7をチャンバー外部から保温設備8で加熱可能に構成したことを特徴としている。この保温設備8としては、マントルヒーター、抵抗線加熱器、ガスバーナーなどが挙げられる。反応チャンバー1内で生成した非晶質微粒子9は、フィルタ3によって捕捉・回収される。   FIG. 2 is a block diagram showing a second example of the manufacturing apparatus. The same components as those in the manufacturing apparatus shown in FIG. The manufacturing apparatus of this example is an MX vapor generating apparatus in which a concave MX volatilization chamber is provided in a part of the reaction chamber 1 and the MX compound 7 is disposed in the MX volatilization chamber. Is characterized in that it can be heated by the heat-retaining equipment 8 from outside the chamber. Examples of the heat insulation equipment 8 include a mantle heater, a resistance wire heater, and a gas burner. The amorphous fine particles 9 generated in the reaction chamber 1 are captured and collected by the filter 3.

図3は、前記製造装置の第3例を示す構成図であり、図1〜図2に示す製造装置と同一の構成要素には、同一符号を付してある。本例の製造装置は、図2に示す製造装置とほぼ同様の構成であるが、MX揮発室に、ここで発生するMX蒸気を反応チャンバー1内の所定方向に流すための仕切り10を付加した構成になっている。   FIG. 3 is a block diagram showing a third example of the manufacturing apparatus. The same components as those in the manufacturing apparatus shown in FIGS. The manufacturing apparatus of this example has substantially the same configuration as the manufacturing apparatus shown in FIG. 2, but a partition 10 for flowing MX vapor generated here in a predetermined direction in the reaction chamber 1 is added to the MX volatilization chamber. It is configured.

図4は、前記製造装置の第4例を示す構成図であり、図1〜図3に示す製造装置と同一の構成要素には、同一符号を付してある。本例の製造装置は、図2に示す製造装置とほぼ同様の構成であるが、本例では反応チャンバー1の複数箇所に凹部状のMX揮発室を設け、そのそれぞれに同じか又は異なるMX化合物7A,7Bを入れ、それぞれ保温設備8で加熱できるように構成されている。   FIG. 4 is a block diagram showing a fourth example of the manufacturing apparatus. The same components as those in the manufacturing apparatus shown in FIGS. The manufacturing apparatus of this example has substantially the same configuration as the manufacturing apparatus shown in FIG. 2, but in this example, concave MX volatilization chambers are provided at a plurality of locations in the reaction chamber 1, and the same or different MX compounds are provided in each of them. 7A and 7B are put in, and it is comprised so that it can heat with the heat insulation equipment 8, respectively.

図5は、SiX蒸気発生装置4、AlX蒸気発生装置5及びMX蒸気発生装置6として使用可能なバブリング装置の一例を示す構成図である。このバブリング装置は、SiClなどの液体原料12を収容するバブリングタンク11と、このバブリングタンク11にキャリアガスを供給する管路と、バブリングタンク11から排出される液体原料の飽和蒸気を含んだキャリアガスを反応チャンバー1に供給する管路と、バブリングタンク11を覆って保温するための保温用温度調節機13とから構成されている。 FIG. 5 is a configuration diagram showing an example of a bubbling device that can be used as the SiX vapor generation device 4, the AlX vapor generation device 5, and the MX vapor generation device 6. This bubbling device includes a bubbling tank 11 that contains a liquid raw material 12 such as SiCl 4 , a conduit that supplies a carrier gas to the bubbling tank 11, and a carrier that contains saturated vapor of the liquid raw material discharged from the bubbling tank 11. A conduit for supplying gas to the reaction chamber 1 and a temperature controller 13 for keeping warm while covering the bubbling tank 11 are configured.

図6は、前記製造装置の第5例を示す構成図であり、図1〜図4に示す製造装置と同一の構成要素には、同一符号を付してある。本例の製造装置は、図1に示す製造装置とほぼ同様の構成であるが、MX蒸気発生装置として、MX化合物水溶液15の霧16を供給する超音波式ネブライザー14を用いている。   FIG. 6 is a block diagram showing a fifth example of the manufacturing apparatus, in which the same components as those in the manufacturing apparatus shown in FIGS. The manufacturing apparatus of this example has substantially the same configuration as the manufacturing apparatus shown in FIG. 1, but an ultrasonic nebulizer 14 that supplies a mist 16 of the MX compound aqueous solution 15 is used as the MX vapor generating apparatus.

図7は、前記製造装置の第6例を示す構成図であり、図1〜図4及び図6に示す製造装置と同一の構成要素には、同一符号を付してある。本例の製造装置は、SiX蒸気(SiCl蒸気)を供給する蒸気発生装置として、図5に示すバブリング装置を用い、MX蒸気発生装置として、図4の製造装置と同様の構成によって2種類のMX化合物(CaCl、EuCl)を供給可能としたMX揮発室構造を用い、さらにAlX蒸気供給装置として、Alを入れた反応槽17内に、Clガスとキャリアガス(Heなど)を供給し、反応槽17内で反応(塩素化)させて生成したAlClを反応チャンバー1に供給する装置を用いている。 FIG. 7 is a block diagram showing a sixth example of the manufacturing apparatus, and the same reference numerals are given to the same components as those of the manufacturing apparatus shown in FIGS. 1 to 4 and 6. The manufacturing apparatus of this example uses the bubbling apparatus shown in FIG. 5 as a steam generator for supplying SiX vapor (SiCl 4 steam), and has two types of MX steam generators with the same configuration as the manufacturing apparatus of FIG. Using an MX volatilization chamber structure capable of supplying MX compounds (CaCl 2 , EuCl 3 ), further supplying Cl 2 gas and carrier gas (such as He) into the reaction tank 17 containing Al as an AlX vapor supply device. Then, a device is used that supplies AlCl 3 produced by reaction (chlorination) in the reaction tank 17 to the reaction chamber 1.

図9は、前記製造装置の第7例を示す構成図であり、図1〜図4、図6及び図7に示す製造装置と同一の構成要素には、同一符号を付してある。本例の製造装置は、1台のネブライザー装置によってAlXとMXとを反応チャンバー1に供給できるようにしている。このネブライザー装置で霧化する水溶液15には、例えば、AlClやCaClなどの水溶液を用いることができる。 FIG. 9 is a block diagram showing a seventh example of the manufacturing apparatus. The same components as those in the manufacturing apparatus shown in FIGS. 1 to 4, 6 and 7 are denoted by the same reference numerals. The manufacturing apparatus of this example enables AlX and MX to be supplied to the reaction chamber 1 with a single nebulizer device. As the aqueous solution 15 atomized by this nebulizer device, for example, an aqueous solution such as AlCl 3 or CaCl 2 can be used.

本発明の製造方法において、反応チャンバー1として石英ガラスチューブ用いることで、より不純物の混入が少ないアルファサイアロン蛍光体の前駆体を作製することができる。石英ガラスは耐熱性に優れ、急速加熱しても分解しにくい。また、主成分はSiOであり、反応時のコンタミネーションの問題も発生しない。 In the production method of the present invention, by using a quartz glass tube as the reaction chamber 1, a precursor of an alpha sialon phosphor with less contamination of impurities can be produced. Quartz glass has excellent heat resistance and is not easily decomposed even by rapid heating. Further, the main component is SiO 2 , and there is no problem of contamination during the reaction.

本発明の製造方法において、図2に示すようなMX揮発室と熱源(保温設備8)を有し、このMX揮発室を反応チャンバー1内に設けた製造装置を用いることで、揮発したMXの結露を極力、防ぐことができる。希土類元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素の中には、CaやEuの化合物のように、工業的に利用可能な蒸気圧を発生するための保温温度が300℃以上のものがあり、原料を搬送するラインを全て高温に保温することは困難であるため、この方法は有効である。また、これらの材料は高温で不安定であり、容易に分解、酸化、他の化合物との反応が進む。したがって、Oガスまたは他の原料ガスとあらかじめ混合して反応チャンバーに搬送することは困難である。加熱の直前にMX蒸気を発生させ、加える手法により、初めて、アルファサイアロン蛍光体前駆体材料の気相合成が可能となった。揮発に用いる保温設備8は、酸素反応用の酸水素バーナーとは別に設けることで、各化合物MXに応じた揮発温度に設定および保温することで、効率的に反応させることができる。 In the production method of the present invention, the MX volatilization chamber and the heat source (heat insulation equipment 8) as shown in FIG. 2 are used, and by using a production apparatus in which the MX volatilization chamber is provided in the reaction chamber 1, Condensation can be prevented as much as possible. Among rare earth elements, alkali metal elements, and alkaline earth metal elements, there are those having a heat retention temperature of 300 ° C. or higher for generating industrially usable vapor pressure, such as Ca and Eu compounds, This method is effective because it is difficult to keep all the lines for conveying the raw material at a high temperature. In addition, these materials are unstable at high temperatures, and easily decompose, oxidize, and react with other compounds. Therefore, it is difficult to preliminarily mix with O 2 gas or other source gas and transport it to the reaction chamber. For the first time, the vapor phase synthesis of the alpha sialon phosphor precursor material became possible by generating and adding MX vapor just before heating. The heat retention equipment 8 used for volatilization can be efficiently reacted by being provided and kept at a volatilization temperature corresponding to each compound MX by being provided separately from the oxyhydrogen burner for oxygen reaction.

このMX揮発室と熱源とを反応チャンバー1に付設する構成において、MXが揮発したと同時に酸化するのを防ぐため、図3に示すように、仕切り10を設けた構造にすると、さらに好ましい。   In the configuration in which the MX volatilization chamber and the heat source are attached to the reaction chamber 1, it is more preferable that the partition 10 is provided as shown in FIG. 3 in order to prevent the MX from being volatilized and simultaneously oxidized.

また、複数のMXを揮発させる場合、一つの揮発室に複数種のMXを混合させて配置しても良いが、MX揮発室を図4のように複数設け、用いる化合物に応じて使い分ける構造とすることが望ましい。揮発に用いる熱源は、酸化反応用の水素バーナーとは別に設け、さらに各化合物ごとに独立して設けることで、各MX化合物に応じた揮発温度に設定および保温することで、効率的に反応させることができる。   In addition, when volatilizing a plurality of MXs, a plurality of types of MXs may be mixed and arranged in one volatilization chamber, but a plurality of MX volatilization chambers are provided as shown in FIG. It is desirable to do. The heat source used for volatilization is provided separately from the hydrogen burner for the oxidation reaction, and further provided independently for each compound, so that the volatilization temperature corresponding to each MX compound is set and kept warm, thereby allowing the reaction to occur efficiently. be able to.

本発明の製造方法において、図6に示すようなMX添加系を使うこともできる。MXを水溶液もしくはアルコール溶液とし、ネブライザーでミスト化し、MXミストと不活性なガス、例えばAr、He、N2から選ばれる1種または2種以上のガスをキャリアガスとして反応チャンバーに搬送する。ネブライザーは超音波式、ベンチュリー管方式などを用いることができる。溶媒のアルコールは特に制限されない。   In the production method of the present invention, an MX addition system as shown in FIG. 6 can also be used. MX is converted into an aqueous solution or an alcohol solution, misted with a nebulizer, and the MX mist and an inert gas, for example, one or more gases selected from Ar, He, and N2 are conveyed to the reaction chamber as a carrier gas. As the nebulizer, an ultrasonic type, a Venturi tube type, or the like can be used. The solvent alcohol is not particularly limited.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、1秒間あたり1000℃以上の急速加熱をし、十分に酸化させた後、1秒間あたり250℃以上の急速冷却をするためには、局所的に十分な加熱できる熱源でないと達成できない。これには、酸水素バーナー2が最適である。また、酸水素バーナー2は、導入する酸素と水素の流量をコントロールして、火力と火炎の形状を制御でき、局所的に十分な加熱が可能である。反応チャンバー1の加熱温度が1200℃以下では反応率は低く、無駄になる原料が多くなる。1350℃以上では、反応チャンバー1に用いている石英ガラスチューブの変形が大きく、安定した合成ができない。   In the method for producing the oxide amorphous fine particles of the present invention, rapid heating at 1000 ° C. or more per second, sufficient oxidation, and rapid cooling at 250 ° C. or more per second are performed locally. This cannot be achieved unless the heat source can be heated sufficiently. The oxyhydrogen burner 2 is optimal for this. Further, the oxyhydrogen burner 2 can control the flow rate of oxygen and hydrogen to be introduced to control the heating power and the shape of the flame, so that sufficient heating can be performed locally. When the heating temperature of the reaction chamber 1 is 1200 ° C. or lower, the reaction rate is low, and more raw materials are wasted. Above 1350 ° C., the quartz glass tube used in the reaction chamber 1 is greatly deformed and stable synthesis cannot be performed.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、SiXとしては、SiClが好ましい。SiClは常温で液体であり、蒸気圧を持っている。図5に示すように、キャリアガスでバブリングすることで、その温度での飽和蒸気圧量に相当するSiClを搬送することができる。SiClの正味の搬送量は、キャリアガス流量とSiCl液体の保温温度をコントロールすることで制御可能である。ただし、保温温度が20℃未満では、蒸気圧が低すぎて、微粒子の合成速度が著しく低下するので好ましくない。また、45℃以上では蒸気圧が高すぎで、添加量が安定せず組成が一定の微粒子を合成できなくなる。 In the method for producing oxide amorphous fine particles of the present invention, SiCl 4 is preferable as SiX. SiCl 4 is a liquid at room temperature and has a vapor pressure. As shown in FIG. 5, by bubbling with a carrier gas, SiCl 4 corresponding to the saturated vapor pressure at that temperature can be transported. Conveyance amount of net SiCl 4 can be controlled by controlling the heat retaining temperature of the carrier gas flow rate and SiCl 4 liquid. However, if the heat retention temperature is less than 20 ° C., the vapor pressure is too low, and the synthesis rate of the fine particles is remarkably reduced. At 45 ° C. or higher, the vapor pressure is too high, and the addition amount is not stable and fine particles having a constant composition cannot be synthesized.

SiClの沸点は60℃程度であり、気相で搬送および添加が可能である。保温温度が80℃以上では、保温コストがかさむので工業的に好ましくない。 SiCl 4 has a boiling point of about 60 ° C. and can be transported and added in the gas phase. When the heat retention temperature is 80 ° C. or higher, the heat retention cost is increased, which is not industrially preferable.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、AlXとしては、AlClが好ましい。AlClは185℃以上で昇華し、気相で搬送および添加が可能である。酸素との反応性に富むため、Ar、He、Nなどの不活性ガスをキャリアガスとして用いることができる。 In the method for producing oxide amorphous fine particles of the present invention, AlCl 3 is preferable as AlX. AlCl 3 sublimates above 185 ° C. and can be transported and added in the gas phase. Because of its high reactivity with oxygen, an inert gas such as Ar, He, or N 2 can be used as the carrier gas.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法において、MXとして、Ca(C(Caアセチルアセトナート)、Eu(C(Euアセチルアセトナート)、Ca(CHF(ビスヘキサフルオロアセチルアセトンカルシウム)、Eu(O1119(トリスジペバロイルメタナートユーロピウム)からなる群から選択される1種又は2種以上を用いることが好ましい。ここにあげた4種の材料は、他のEu、Ca化合物にくらべ、低温で高い蒸気圧が得られる。そのため、MX揮発室から反応室までの結露防止を容易に行うことができ、前駆体へ安定した添加が可能となる。 In the method for producing oxide fine particles of the present invention, as MX, Ca (C 5 H 7 O 2 ) 2 (Ca acetylacetonate), Eu (C 5 H 7 O 2 ) 3 (Eu acetylacetonate) 1 or 2 selected from the group consisting of Ca (C 5 HF 6 O 2 ) 2 (bishexafluoroacetylacetone calcium), Eu (O 2 C 11 H 19 ) 3 (trisdipivaloylmethanate europium) It is preferable to use more than one species. The four materials listed here can obtain higher vapor pressures at lower temperatures than other Eu and Ca compounds. Therefore, it is possible to easily prevent condensation from the MX volatilization chamber to the reaction chamber, and stable addition to the precursor becomes possible.

前述した本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法によって得られる非晶質微粒子は、粒径50〜300nmの範囲という、極めて微細な微粒子が提供可能となる。この非晶質微粒子の粒径が50nm未満であると、還元窒化雰囲気中で加熱する際に焼結現象が著しく進むので望ましくない。一方、粒径が300nmを超えると、蛍光体としてから樹脂に分散させ、LEDに塗布実装しても、粒子による散乱とこの散乱を原因とする遮光が大きく、LEDランプのパッケージの光取り出し効率が落ちるので望ましくない。   The amorphous fine particles obtained by the above-described method for producing oxide amorphous fine particles of the present invention can provide extremely fine particles having a particle size in the range of 50 to 300 nm. If the particle size of the amorphous fine particles is less than 50 nm, the sintering phenomenon is remarkably advanced when heating in a reducing nitriding atmosphere, which is not desirable. On the other hand, when the particle size exceeds 300 nm, even if the phosphor is dispersed in a resin and coated and mounted on an LED, the scattering by the particles and the light shielding caused by the scattering are large, and the light extraction efficiency of the LED lamp package is high. Since it falls, it is not desirable.

本発明に係るアルファサイアロン蛍光体の前駆体は、MがCa及びEuであり、Si−Al−Ca−Eu−O系である前記本発明に係る酸化物非晶質微粒子からなることを特徴とする。各先行文献より、Ca固溶させたアルファサイアロンに発光元素としてEuを添加した系は非常に優れた蛍光特性を示す。また、実使用できるCaおよびEu化合物の例は各先行文献等に開示されている。   The precursor of the alpha sialon phosphor according to the present invention is characterized in that M is Ca and Eu, and is made of the oxide amorphous fine particles according to the present invention, which is a Si-Al-Ca-Eu-O system. To do. From each of the prior literatures, a system in which Eu as a luminescent element is added to alpha sialon in which Ca is dissolved shows very excellent fluorescence characteristics. Examples of Ca and Eu compounds that can actually be used are disclosed in each of the prior documents.

本発明に係るアルファサイアロン蛍光体の前駆体及びアルファサイアロン蛍光体は、粒径50〜300nmの範囲という、極めて微細な微粒子が提供可能となる。従来、固相焼結法では十分に微細なアルファサイアロン蛍光体は得られていなかった。また、高純度、微細、不純物が少ないアルファサイアロン蛍光体粉末を合成する技術である特許文献3においても、平均粒径0.3μmまたは平均粒径0.5μmの非晶質二酸化ケイ素粉末を材料として用いており、散乱光低減の観点からは十分に微細であるとは言えないものであった。今回、はじめて粒径50〜300nmのアルファサイアロン蛍光体の合成に成功した。   The alpha sialon phosphor precursor and the alpha sialon phosphor according to the present invention can provide extremely fine particles having a particle diameter of 50 to 300 nm. Conventionally, a sufficiently fine alpha sialon phosphor has not been obtained by solid phase sintering. Also, in Patent Document 3, which is a technique for synthesizing high purity, fine, and low-impurity alpha sialon phosphor powder, amorphous silicon dioxide powder having an average particle size of 0.3 μm or an average particle size of 0.5 μm is used as a material. It was used, and was not sufficiently fine from the viewpoint of reducing scattered light. For the first time, we have succeeded in synthesizing an alpha sialon phosphor having a particle size of 50 to 300 nm.

本発明に係るアルファサイアロン蛍光体の中でも、特にカルシウム固溶ユーロピウム付活アルファサイアロン蛍光体が好ましい。これは発光効率に優れ、適度な発光色度を有する。一般式Ca(Si、Al)12(O,N)16:EuまたはCaSi12−(m+n)Alm+n16−n:Euで表される。 Among the alpha sialon phosphors according to the present invention, a calcium solid solution europium activated alpha sialon phosphor is particularly preferable. This is excellent in luminous efficiency and has an appropriate emission chromaticity. Formula Ca X (Si, Al) 12 (O, N) 16: Eu y or Ca x Si 12- (m + n ) Al m + n O n N 16-n: represented by Eu y.

本発明のアルファサイアロン蛍光体の製造方法は、前述した非晶質微粒子を前駆体として、還元窒化雰囲気中で加熱することにより前記アルファサイアロン蛍光体微粒子を得ることを特徴としている。この製造方法では、1400℃から1900℃の還元窒化雰囲気中で焼成することで、明るい黄色に発光するアルファサイアロン蛍光体微粒子が得られる。焼成温度が1400℃以下では反応が起こりにくく、1900℃以上では十分な蛍光特性の蛍光体を得ることが困難となる。還元窒化雰囲気は、アンモニアであることが望ましい。雰囲気を維持するために、30秒以内に雰囲気が入れ替わるガス流量で雰囲気ガスを流すことが望ましい。   The method for producing an alpha sialon phosphor of the present invention is characterized in that the above-described amorphous sialon phosphor fine particles are obtained by heating in a reducing nitriding atmosphere using the amorphous fine particles as a precursor. In this production method, alpha sialon phosphor fine particles emitting bright yellow light are obtained by firing in a reducing nitriding atmosphere at 1400 ° C. to 1900 ° C. When the firing temperature is 1400 ° C. or lower, the reaction hardly occurs, and when the firing temperature is 1900 ° C. or higher, it is difficult to obtain a phosphor having sufficient fluorescence characteristics. The reducing nitriding atmosphere is desirably ammonia. In order to maintain the atmosphere, it is desirable to flow the atmosphere gas at a gas flow rate at which the atmosphere is changed within 30 seconds.

本発明の発光デバイスは、前述した本発明に係るアルファサイアロン蛍光体微粒子と、青色LEDとを組み合わせることで、従来の散乱を起こしやすい粒径の蛍光体粉末を用いた場合よりも光の取り出し効率に優れた発光デバイスが得られる。アルファサイアロン蛍光体微粒子と、青色LEDとの組み合わせにより、昼白色から電球色にわたる白色で発光する発光デバイスを得ることもできる。   The light-emitting device of the present invention combines the above-described alpha sialon phosphor fine particles according to the present invention with a blue LED, and thereby, the light extraction efficiency is higher than when a conventional phosphor powder having a particle size that easily causes scattering is used. A light emitting device excellent in the above can be obtained. A combination of the alpha sialon phosphor fine particles and the blue LED can provide a light emitting device that emits white light ranging from a neutral white color to a light bulb color.

前記本発明に係る発光デバイスは、照明器具の光源として有効である。従来の散乱を起こしやすい粒径の蛍光体粉末を用いた白色発光デバイスに変えて本発明の白色発光デバイスを用いることにより、光取り出し効率に優れた照明器具を得ることが可能となる。   The light emitting device according to the present invention is effective as a light source of a lighting fixture. By using the white light-emitting device of the present invention instead of the conventional white light-emitting device using a phosphor powder having a particle size that is likely to cause scattering, it is possible to obtain a lighting fixture having excellent light extraction efficiency.

合成系として、図7に示す製造装置を用い、本発明に従って発光元素としてEuを添加したCa固溶アルファサイアロン蛍光体の前駆体(非晶質微粒子)を合成した。
SiXとしてSiClを用いた。Oをキャリアガスとして、バブリング法で供給した。バブリング槽の保温温度は23℃とし、キャリアガス流量は250sccmとした。
AIXとしてAlClを用いた。ClガスをAlインゴットに吹きつけ、AlClを発生させている。AlClの反応槽の保温温度は220℃とした。反応槽に流すガスの流量は、Clを150sccm、Heを390sccmとした。HeガスはClとAlの反応速度を制御するために加えている。発生させたAlCl蒸気を反応チャンバーに搬送する際は、AlCl蒸気が配管中に結露(固化)しないよう、配管全体を200℃に保ち、輸送した。
これらの方法で発生させたSiCl蒸気とAlCl蒸気を、1650sccmのOガスと配管中で混合し、反応チャンバーに導入した。
As a synthesis system, a precursor (amorphous fine particles) of a Ca solid solution alpha sialon phosphor to which Eu was added as a luminescent element was synthesized according to the present invention using the production apparatus shown in FIG.
SiCl 4 was used as SiX. O 2 was supplied as a carrier gas by a bubbling method. The temperature of the bubbling tank was 23 ° C., and the carrier gas flow rate was 250 sccm.
AlCl 3 was used as the AIX. Cl 2 gas is blown onto the Al ingot to generate AlCl 3 . The temperature of the AlCl 3 reactor was 220 ° C. The flow rate of the gas flowing into the reaction vessel was 150 sccm for Cl 2 and 390 sccm for He. He gas is added to control the reaction rate of Cl 2 and Al. When transporting the generated AlCl 3 vapor to the reaction chamber, the entire piping was kept at 200 ° C. and transported so that the AlCl 3 vapor was not condensed (solidified) in the piping.
SiCl 4 vapor and AlCl 3 vapor generated by these methods were mixed with 1650 sccm of O 2 gas in a pipe and introduced into a reaction chamber.

反応チャンバーはφ40mm、厚さ3mmの石英ガラスチューブを用いた。石英ガラスチューブの一部を加工して、二つの揮発室を設け、それぞれ独立の酸水素バーナーで加熱および保温した。MXとして、CaCl,EuClを用いた。CaClの保温温度は700℃とし、EuClの保温温度は1300℃とした。それぞれの揮発室にはキャリアガスとしてArガスを50sccm流し、それぞれ揮発室から反応部の直前まで設けられた独立した流路を通過して、反応部でSiCl蒸気とOガスと合流する構造となっている。 A quartz glass tube having a diameter of 40 mm and a thickness of 3 mm was used as the reaction chamber. A part of the quartz glass tube was processed to provide two volatilization chambers, and each was heated and kept warm by an independent oxyhydrogen burner. CaCl 2 and EuCl 3 were used as MX. The temperature of CaCl 2 was 700 ° C., and the temperature of EuCl 3 was 1300 ° C. A structure in which Ar gas of 50 sccm flows as a carrier gas in each volatilization chamber, passes through an independent flow path provided from the volatilization chamber to immediately before the reaction unit, and merges SiCl 4 vapor and O 2 gas in the reaction unit It has become.

前記の原料ガスが合流する地点を酸水素バーナーで1340℃に加熱すると、酸化反応が起こり、酸化物微粒子が得られた。合成された微粒子は、キャリアガス気流に乗って搬送され、下流のフィルタで回収した。   When the point where the source gases merged was heated to 1340 ° C. with an oxyhydrogen burner, an oxidation reaction occurred and oxide fine particles were obtained. The synthesized fine particles were transported on a carrier gas stream and collected by a downstream filter.

得られた微粒子について粉末X線回折法により評価したところ、結晶構造に起因するピークチャートは得られず、非晶質粒子であることが確認できた。   When the obtained fine particles were evaluated by a powder X-ray diffraction method, a peak chart resulting from the crystal structure was not obtained, and it was confirmed that the particles were amorphous particles.

得られた微粒子のSEM観察写真とEDSマップ分析結果を図8に示す。粒子の直径は200nm程度であり、微粒子中にSi、Al、Ca、Euを均一に分布させることができた。   The SEM observation photograph and EDS map analysis result of the obtained fine particles are shown in FIG. The diameter of the particles was about 200 nm, and Si, Al, Ca, and Eu could be uniformly distributed in the fine particles.

実施例1と同じ合成系で、SiClを搬送する方法としてバブリング法を用いる代わりに、これを60〜80℃に保温することでSiClガスとし、Oガスをキャリアガスとし、キャリアガス流量は250sccmとして搬送した。その結果、実施例1と同等の結果が得られた。 In the same synthesis system as in Example 1, instead of using the bubbling method as a method of transporting SiCl 4 , this is kept at 60 to 80 ° C. to obtain SiCl 4 gas, O 2 gas is used as carrier gas, and carrier gas flow rate Was transported as 250 sccm. As a result, the same result as in Example 1 was obtained.

実施例1と同じ合成系で、MXとして、Ca(C(Caアセチルアセトナート)とEu(C(Euアセチルアセトナート)を用いてアルファサイアロン蛍光体の前駆体を合成した。これらの材料の保温は酸水素バーナーで行い、Caアセチルアセトナートは180℃、Euアセチルアセトナートは160℃でそれぞれ保温した。
その結果、実施例1と同様に200nm程度の非晶質微粒子が合成され、微粒子中にSi、Al、Ca、Euを均一に分布させることができた。
Alpha sialon in the same synthetic system as in Example 1 using Ca (C 5 H 7 O 2 ) 2 (Ca acetylacetonate) and Eu (C 5 H 7 O 2 ) 3 (Eu acetylacetonate) as MX A phosphor precursor was synthesized. These materials were kept warm with an oxyhydrogen burner. Ca acetylacetonate was kept at 180 ° C. and Eu acetylacetonate was kept at 160 ° C.
As a result, similar to Example 1, amorphous fine particles of about 200 nm were synthesized, and Si, Al, Ca, and Eu could be uniformly distributed in the fine particles.

実施例1と同じ合成系で、MXとして、Ca(CHF(ビスヘキサフルオロアセチルアセトンカルシウム)とEu(O1119(トリスジペバロイルメタナートユーロピウム)を用いてアルファサイアロン蛍光体の前駆体を合成した。これらの材料の保温は酸水素バーナーで行い、ビスヘキサフルオロアセチルアセトンカルシウムは250℃、トリスジペバロイルメタナートユーロピウムは270℃でそれぞれ保温した。
その結果、実施例1と同様に200nm程度の非晶質微粒子が合成され、微粒子中にSi、Al、Ca、Euを均一に分布させることができた。
In the same synthetic system as in Example 1, as MX, Ca (C 5 HF 6 O 2 ) 2 (bishexafluoroacetylacetone calcium) and Eu (O 2 C 11 H 19 ) 3 (Trisdipeparoylmethanate europium) Was used to synthesize an alpha sialon phosphor precursor. These materials were kept warm with an oxyhydrogen burner, with bishexafluoroacetylacetone calcium at 250 ° C. and trisdipivaloylmethanate europium at 270 ° C., respectively.
As a result, similar to Example 1, amorphous fine particles of about 200 nm were synthesized, and Si, Al, Ca, and Eu could be uniformly distributed in the fine particles.

図9に示す合成系を用い、Ca固溶アルファサイアロン蛍光体の前駆体(非晶質微粒子)を合成した。この合成系は、実施例1とAlXとMXの添加方法が異なっている。
AlXとMXの添加方法として、超音波ネブライザーを用いた。AlXとしてAlClを用い、MXとして、CaClを用いた。これらを水溶液として用いた。溶液の濃度は、溶液1Lあたり、Alが0.5mol、Caが0.5molとなるように秤量し、水溶液を調整した。霧化した水溶液はキャリアガスに乗せて反応チャンバーに搬送した。キャリアガスにはArガスを用いた。原料ガスが合流する地点を酸水素バーナーで1340℃に加熱すると、酸化反応が起こり、酸化物微粒子が得られた。合成された微粒子は、キャリアガス気流に乗って搬送され、下流のフィルタで回収した。
得られた微粒子についてEDS分析を行った。EDSスペクトルを図10に示す。Al、Caのピークが出ており、添加元素が均一に添加されていることが確認できた。
Using the synthesis system shown in FIG. 9, a precursor (amorphous fine particle) of Ca solid solution alpha sialon phosphor was synthesized. This synthesis system is different from Example 1 in the method of adding AlX and MX.
As a method for adding AlX and MX, an ultrasonic nebulizer was used. AlCl 3 was used as AlX, and CaCl 3 was used as MX. These were used as aqueous solutions. The concentration of the solution was weighed so that Al was 0.5 mol and Ca was 0.5 mol per liter of the solution to prepare an aqueous solution. The atomized aqueous solution was carried on a carrier gas and transferred to the reaction chamber. Ar gas was used as the carrier gas. When the point where the source gases merged was heated to 1340 ° C. with an oxyhydrogen burner, an oxidation reaction occurred and oxide fine particles were obtained. The synthesized fine particles were transported on a carrier gas stream and collected by a downstream filter.
The obtained fine particles were subjected to EDS analysis. The EDS spectrum is shown in FIG. Al and Ca peaks were observed, and it was confirmed that the additive elements were uniformly added.

実施例1で得られた粒径200nm程度のSi−Al−Ca−Eu−O系非晶質微粒子を前駆体として、還元窒化雰囲気で加熱し、カルシウム固溶ユーロピウム付活アルファサイアロン蛍光体微粒子を合成した。この前駆体0.12gをアルミナボートに入れて、内径24mmのアルミナ炉心管中に置いて、炉心管の外部に発熱体を有する管状炉にセットした。炉心管の一端よりアンモニウムガスを流量330ml/分で導入し、500℃/時の速度で700℃まで昇温した。この温度よりアンモニアメタンガス流量を1300ml/分に設定すると同時にメタンガスを流量20ml/分で炉内に導入し、引き続き1500℃まで200℃/時の速度で昇温した。当温度で、30分保持したのち、メタンガスの供給を停止し、アンモニア気流中で室温まで冷却した。
図11に、このようにして得られたアルファサイアロン蛍光体をアルミナボート上でブラックライトで照射した写真を示す。ブラックライトの励起により明るい黄色に発光する蛍光体が得られた。
図12に、蛍光分光光度計で測定した発光スペクトルを示す。測定時の励起は長は440nmである。
The Si-Al-Ca-Eu-O amorphous fine particles having a particle size of about 200 nm obtained in Example 1 were used as precursors and heated in a reducing nitridation atmosphere to obtain calcium solute europium activated alpha sialon phosphor fine particles. Synthesized. 0.12 g of this precursor was placed in an alumina boat, placed in an alumina core tube having an inner diameter of 24 mm, and set in a tubular furnace having a heating element outside the core tube. Ammonium gas was introduced from one end of the furnace core tube at a flow rate of 330 ml / min, and the temperature was raised to 700 ° C. at a rate of 500 ° C./hour. From this temperature, the flow rate of ammonia methane gas was set to 1300 ml / min. At the same time, methane gas was introduced into the furnace at a flow rate of 20 ml / min, and the temperature was subsequently raised to 1500 ° C. at a rate of 200 ° C./hr. After maintaining at this temperature for 30 minutes, the supply of methane gas was stopped, and the mixture was cooled to room temperature in an ammonia stream.
FIG. 11 shows a photograph in which the alpha sialon phosphor thus obtained is irradiated with black light on an alumina boat. A phosphor emitting bright yellow light was obtained by excitation of black light.
FIG. 12 shows an emission spectrum measured with a fluorescence spectrophotometer. The excitation during the measurement has a length of 440 nm.

実施例6で製造したアルファサイアロン蛍光体微粒子を用い、砲弾型白色LEDランプを製作した。まず図13の砲弾型白色LEDランプ20の構造と製造手順について説明する。   Using the alpha sialon phosphor fine particles produced in Example 6, a bullet-type white LED lamp was manufactured. First, the structure and manufacturing procedure of the bullet-type white LED lamp 20 of FIG. 13 will be described.

この砲弾型白色LEDランプ20には、2本のリードワイヤ22,23があり、一方のリードワイヤ22の先端には凹部があり、該凹部には発光ピーク波長450nmの青色LED素子21が載置されている。青色LED素子21の下部電極と凹部の底面とは、導電性ペーストによって電気的に接続されている。アルファサイアロン蛍光体微粒子24を分散した第一の樹脂25は透明であり、青色LED素子の全体を被覆している。凹部を含むリードワイヤ22の先端部、青色LED素子21、蛍光体を分散した第一の樹脂25は、透明な第二の樹脂27によって封止されている。透明な第二の樹脂は全体が略円柱形状であり、その先端部がレンズ形状の曲面となっていて、砲弾型と通称されている。   This bullet-type white LED lamp 20 has two lead wires 22 and 23, one lead wire 22 has a recess at the tip, and a blue LED element 21 having an emission peak wavelength of 450 nm is placed in the recess. Has been. The lower electrode of the blue LED element 21 and the bottom surface of the recess are electrically connected by a conductive paste. The first resin 25 in which the alpha sialon phosphor fine particles 24 are dispersed is transparent and covers the entire blue LED element. The tip portion of the lead wire 22 including the recess, the blue LED element 21, and the first resin 25 in which the phosphor is dispersed are sealed with a transparent second resin 27. The transparent second resin has a substantially cylindrical shape as a whole, and has a lens-shaped curved surface at the tip, which is commonly called a shell type.

このランプの製造手順を示す。第一の工程では、一組のリードワイヤー22,23の一方にある素子載置用の凹部に発光ピーク波長450nmの青色LED素子21を導電性ペーストを用いてダイボンディングした。第二の工程では、青色LED素子21ともう一方のリードワイヤーとを金細線26でワイヤボンディングした。第3の工程では、アルファサイアロン蛍光体微粒子24を分散させた第一の樹脂25を青色LED素子21を被覆するように素子載置用の凹部に適量塗布してプレデップし、第一の樹脂25を硬化させた。第四の工程では、青色LED素子21・第一の樹脂25を第二の樹脂27で包囲して硬化させた。この第四の工程はキャスティング法により実施した。リードワイヤ22,23は、一組のリードワイヤが一対に成形されたものを用いたので、第五の工程でこの2本のリードワイヤ22,23の間をつないでいる部分を切り落とした。第一の樹脂25と第二の樹脂27には、同一のエポキシ樹脂を用いた。   The manufacturing procedure of this lamp is shown. In the first step, the blue LED element 21 having an emission peak wavelength of 450 nm was die-bonded to the element mounting recess on one of the pair of lead wires 22 and 23 using a conductive paste. In the second step, the blue LED element 21 and the other lead wire were wire-bonded with a fine gold wire 26. In the third step, an appropriate amount of the first resin 25 in which the alpha sialon phosphor fine particles 24 are dispersed is applied to the concave portion for element placement so as to cover the blue LED element 21 and pre-depped. Was cured. In the fourth step, the blue LED element 21 and the first resin 25 were surrounded by the second resin 27 and cured. This fourth step was performed by a casting method. Since the lead wires 22 and 23 were formed by forming a pair of lead wires as a pair, the portion connecting the two lead wires 22 and 23 was cut off in the fifth step. The same epoxy resin was used for the first resin 25 and the second resin 27.

従来の技術によれば、蛍光体を分散させた第一の樹脂は蛍光体粉末の散乱により不透明であり、その遮蔽効果によって光取り出し効率の悪いパッケージ構造となっていたが、蛍光体樹脂としてミー散乱を十分低減できる微粒子を用いることが可能となったため蛍光体を分散させた第一の樹脂を従来よりも透明度が高いものとすることが可能になった。これにより、従来よりも光の取り出し効率に優れたパッケージ構造の砲弾型白色LEDランプ20が得られた。   According to the prior art, the first resin in which the phosphor is dispersed is opaque due to scattering of the phosphor powder, and has a package structure with poor light extraction efficiency due to its shielding effect. Since it has become possible to use fine particles that can sufficiently reduce scattering, it has become possible to make the first resin in which the phosphor is dispersed more transparent than before. As a result, a shell-type white LED lamp 20 having a package structure having a higher light extraction efficiency than the conventional one was obtained.

次に、チップ型白色LEDランプについて説明する。図14は、本発明の基板実装用チップ型白色LEDランプ30の使用例である。
下部の支持基板は可視光線反射率の高い白色のアルミナセラミックス基板であり、その表面には2本の電極パターン35,36が金属薄膜スパッタリングによって形成されている。電極パターン35,36の厚さは数μm程度で有り、電極パターン部分とアルミナ表面部分とで段差はほとんどなくほぼ平坦になっている。2本の電極パターン35,36にはそれぞれリードワイヤ31,32が接続されており、それらワイヤ31,32の片端は基板上面に高融点はんだ等を用いて電極パターン35,36に固定され、もう片端はそれぞれ外部に出ていて電気基板への実装時にはんだづけされる電極となっている。電極パターン35,36のうち1本は、その片側が基板中央部にあり、発光中心波長450nmの青色LED素子33が載置され固定されている。青色LED素子33の下部電極とその下方の電極パターン35とは導電性ペーストによって電気的に接続されており、上部電極ともう1本の電極パターン36とが金細線34によって電気的に接続されている。アルファサイアロン蛍光体微粒子38は樹脂37に分散され、青色LED素子33近傍に実装されている。このアルファサイアロン蛍光体微粒子38を分散した樹脂37は、透明であり、青色LED素子33の全体を被覆してる。また、セラミック基板上には中央部に穴の開いた形状である壁面部材が固定されている。壁面部材は、図14に示したとおりその中央部が青色LED素子33及びアルファサイアロン蛍光体微粒子38を分散させた樹脂37がおさまるための穴となっていて、中央に面した部分は斜面となっている。この斜面は光を前方に取り出すための反射面であって、その斜面の曲面形状は光の反射方向を考慮して決定される。また、少なくとも反射面を構成する面は白色または金属光沢を持った可視光線反射率の高い面となっている。本実施例では、該壁面部材を白色のシリコーン樹脂によって構成した。壁面部材の中央部の穴は、セラミック基板に固定された段階では凹部を形成するが、ここには青色LED素子33及びアルファサイアロン蛍光体微粒子38を分散させた樹脂37を凸形状を形成するように充填している。本実施例では樹脂37はシリコーン樹脂を用いた。製造手順は、アルミナセラミックス基板にリードワイヤ31,32を固定する部分を除いては、実施例7の製造手順と略同一である。
Next, a chip type white LED lamp will be described. FIG. 14 shows an example of use of the chip-type white LED lamp 30 for mounting on a substrate according to the present invention.
The lower support substrate is a white alumina ceramic substrate having a high visible light reflectance, and two electrode patterns 35 and 36 are formed on the surface thereof by metal thin film sputtering. The thickness of the electrode patterns 35 and 36 is about several μm, and there is almost no step between the electrode pattern portion and the alumina surface portion, and it is almost flat. Lead wires 31 and 32 are connected to the two electrode patterns 35 and 36, respectively, and one ends of the wires 31 and 32 are fixed to the electrode patterns 35 and 36 on the upper surface of the substrate using a high melting point solder or the like. One end is an electrode that is exposed to the outside and is soldered when mounted on an electric board. One of the electrode patterns 35 and 36 has one side at the center of the substrate, and a blue LED element 33 having a light emission center wavelength of 450 nm is placed and fixed thereon. The lower electrode of the blue LED element 33 and the lower electrode pattern 35 are electrically connected by a conductive paste, and the upper electrode and another electrode pattern 36 are electrically connected by a gold wire 34. Yes. The alpha sialon phosphor fine particles 38 are dispersed in the resin 37 and mounted in the vicinity of the blue LED element 33. The resin 37 in which the alpha sialon phosphor fine particles 38 are dispersed is transparent and covers the entire blue LED element 33. A wall member having a shape with a hole in the center is fixed on the ceramic substrate. As shown in FIG. 14, the wall surface member has a central portion serving as a hole for holding the resin 37 in which the blue LED element 33 and the alpha sialon phosphor fine particles 38 are dispersed, and the central portion is a slope. ing. This slope is a reflection surface for taking out light forward, and the curved surface shape of the slope is determined in consideration of the light reflection direction. Further, at least the surface constituting the reflecting surface is a surface having a high visible light reflectance having white or metallic luster. In this embodiment, the wall member is made of a white silicone resin. The hole in the central portion of the wall member forms a recess when it is fixed to the ceramic substrate. Here, the resin 37 in which the blue LED element 33 and the alpha sialon phosphor fine particles 38 are dispersed is formed in a convex shape. Is filled. In this embodiment, the resin 37 is a silicone resin. The manufacturing procedure is substantially the same as the manufacturing procedure of Example 7 except for the portion for fixing the lead wires 31 and 32 to the alumina ceramic substrate.

従来の手順によれば、蛍光体を分散させた樹脂は蛍光体粉末の散乱により不透明であり、その遮蔽効果によって光取り出し効率の悪いパッケージ構造となっていたが、蛍光体樹脂としてミー散乱を十分低減できる微粒子を用いることが可能となったため、蛍光体を分散させた樹脂を従来よりも透明度が高いものとすることが可能になった。これにより、従来よりも光の取り出し効率に優れたパッケージ構造のチップ型白色LEDランプ30が得られた。   According to the conventional procedure, the resin in which the phosphor is dispersed is opaque due to the scattering of the phosphor powder, and has a package structure with poor light extraction efficiency due to its shielding effect, but the Mie scattering is sufficient as the phosphor resin. Since it has become possible to use fine particles that can be reduced, it has become possible to make the resin in which the phosphor is dispersed more transparent than before. As a result, a chip type white LED lamp 30 having a package structure superior in light extraction efficiency than the conventional one was obtained.

実施例9として、実施例7あるいは実施例8の白色LEDランプを内部部品に用いた白色照明器具を説明する。図15は、実施例7あるいは実施例8を使用した白色照明器具の一例である。この白色照明器具40の上部は、一定の強度を備えた箱状の支持部42となっており、この支持部42を天井あるいは側壁に固定して使用する構造となっている。支持部42の内部には、外部から供給された電源を利用して白色LEDランプ41を点灯させるための電気回路である駆動部が内蔵されている。駆動部には通常電源回路と白色LEDランプ用ドライバICとそれらに付属する周辺部品とから成る。ドライバICは、白色LEDランプ41をパルス駆動する機能や、調光機能を有している場合もある。支持部42には、実施例7あるいは実施例8の白色LEDランプ41が多数固設置されており、図示しない駆動部に電気的に接続されている。白色LEDランプ41の全体を覆うようにしてカバー43が配置されている。カバー43は、曇りガラスあるいは一定の表面粗さを有する透明樹脂カバーなどであり、光散乱部材としての機能を有する。このカバー43により、白色LEDランプ41から発せられた白色光は、直接人の目に入射することはなく、白色照明器具40の全体が明るく発光しているものとして認識される。このため、実施例7あるいは実施例8の白色LEDランプ41を直接観察した際には反射部材が陰を作るが、このことが照明器具使用にあたって問題になることはない。   As Example 9, a white lighting apparatus using the white LED lamp of Example 7 or Example 8 as an internal component will be described. FIG. 15 is an example of a white lighting fixture using Example 7 or Example 8. The upper part of the white lighting fixture 40 is a box-shaped support portion 42 having a certain strength, and the support portion 42 is fixed to the ceiling or side wall for use. Inside the support portion 42, a drive portion which is an electric circuit for lighting the white LED lamp 41 using a power source supplied from the outside is incorporated. The driving unit is usually composed of a power supply circuit, a white LED lamp driver IC, and peripheral components attached to them. The driver IC may have a function of driving the white LED lamp 41 in a pulsed manner or a dimming function. A large number of white LED lamps 41 of Example 7 or Example 8 are fixedly installed on the support part 42 and are electrically connected to a drive part (not shown). A cover 43 is disposed so as to cover the entire white LED lamp 41. The cover 43 is frosted glass or a transparent resin cover having a certain surface roughness, and has a function as a light scattering member. The cover 43 recognizes that the white light emitted from the white LED lamp 41 does not directly enter the human eye, and that the entire white lighting device 40 emits light brightly. For this reason, when the white LED lamp 41 of Example 7 or Example 8 is directly observed, the reflecting member makes a shade, but this does not cause a problem when using the lighting fixture.

本実施例の白色照明器具40においては、従来の散乱を起こしやすい粒径の蛍光体粉末を用いた白色LEDランプに変えて、本発明の白色LEDランプ41を用いることにより、光取り出し効率に優れた白色照明器具を得ることが可能となった。   In the white lighting fixture 40 of the present embodiment, the light extraction efficiency is excellent by using the white LED lamp 41 of the present invention instead of the conventional white LED lamp using a phosphor powder having a particle size that is likely to cause scattering. It became possible to obtain a white luminaire.

本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法を実施するために用いる製造装置の第1例を示す構成図である。It is a block diagram which shows the 1st example of the manufacturing apparatus used in order to implement the manufacturing method of the oxide amorphous fine particle of this invention. 本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法を実施するために用いる製造装置の第2例を示す構成図である。It is a block diagram which shows the 2nd example of the manufacturing apparatus used in order to implement the manufacturing method of the oxide amorphous fine particle of this invention. 本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法を実施するために用いる製造装置の第3例を示す構成図である。It is a block diagram which shows the 3rd example of the manufacturing apparatus used in order to implement the manufacturing method of the oxide amorphous fine particles of this invention. 本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法を実施するために用いる製造装置の第4例を示す構成図である。It is a block diagram which shows the 4th example of the manufacturing apparatus used in order to implement the manufacturing method of the oxide amorphous fine particle of this invention. 本発明で用いることが可能なバブリング装置を例示する構成図である。It is a block diagram which illustrates the bubbling apparatus which can be used by this invention. 本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法を実施するために用いる製造装置の第5例を示す構成図である。It is a block diagram which shows the 5th example of the manufacturing apparatus used in order to implement the manufacturing method of the oxide amorphous fine particles of this invention. 本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法を実施するために用いる製造装置の第6例を示す構成図である。It is a block diagram which shows the 6th example of the manufacturing apparatus used in order to implement the manufacturing method of the oxide amorphous fine particles of this invention. 実施例1で作製した微粒子のSEM観察画像とEDSマップ分析結果である。It is a SEM observation image and EDS map analysis result of the fine particles produced in Example 1. 本発明の酸化物非晶質微粒子の製造方法を実施するために用いる製造装置の第7例を示す構成図である。It is a block diagram which shows the 7th example of the manufacturing apparatus used in order to implement the manufacturing method of the oxide amorphous fine particle of this invention. 実施例5で製造したアルファサイアロン蛍光体の前駆体のEDSスペクトルである。6 is an EDS spectrum of a precursor of an alpha sialon phosphor produced in Example 5. 実施例6で製造したアルファサイアロン蛍光体の蛍光発生状態を示す画像である。It is an image which shows the fluorescence generation state of the alpha sialon phosphor manufactured in Example 6. 実施例6で製造したアルファサイアロン蛍光体について蛍光分光光度計で測定した発光スペクトルである。It is the emission spectrum which measured the alpha sialon fluorescent substance manufactured in Example 6 with the fluorescence spectrophotometer. 実施例7で作製した砲弾型白色LEDランプの断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a bullet-type white LED lamp produced in Example 7. 実施例8で作製したチップ型白色LEDランプの断面図である。10 is a cross-sectional view of a chip-type white LED lamp produced in Example 8. FIG. 実施例9で作製した白色照明器具の断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view of a white lighting fixture produced in Example 9.

符号の説明Explanation of symbols

1…反応チャンバー、2…酸水素バーナー、3…フィルタ、4…SiX蒸気発生装置、5…AlX蒸気発生装置、6…MX蒸気発生装置、7,7A,7B…MX化合物、8…保温設備、9…非晶質微粒子、10…仕切り、11…バブリングタンク、12…液体原料、13…保温用温度調節機、14…超音波式ネブライザー、15…MX化合物水溶液、16…霧、17…反応槽、20…砲弾型白色LEDランプ、21…青色LED素子、22,23…リードワイヤ、24…アルファサイアロン蛍光体微粒子、25…第一の樹脂、26…金細線、27…第二の樹脂、30…チップ型白色LEDランプ、31,32…リードワイヤ、33…青色LED素子、34…金細線、35,36…電極パターン、37…樹脂、38…アルファサイアロン蛍光体微粒子、40…白色照明器具、41…白色LEDランプ、42…支持部、43…カバー。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Reaction chamber, 2 ... Oxyhydrogen burner, 3 ... Filter, 4 ... SiX vapor generator, 5 ... AlX vapor generator, 6 ... MX vapor generator, 7, 7A, 7B ... MX compound, 8 ... Thermal insulation equipment, DESCRIPTION OF SYMBOLS 9 ... Amorphous fine particle, 10 ... Partition, 11 ... Bubbling tank, 12 ... Liquid raw material, 13 ... Temperature controller for heat retention, 14 ... Ultrasonic nebulizer, 15 ... MX compound aqueous solution, 16 ... Fog, 17 ... Reaction tank , 20 ... Cannonball type white LED lamp, 21 ... Blue LED element, 22, 23 ... Lead wire, 24 ... Alpha sialon phosphor fine particles, 25 ... First resin, 26 ... Gold wire, 27 ... Second resin, 30 ... chip type white LED lamp, 31, 32 ... lead wire, 33 ... blue LED element, 34 ... gold fine wire, 35, 36 ... electrode pattern, 37 ... resin, 38 ... alpha sialon phosphor Particles, 40 ... white luminaire, 41 ... white LED lamp, 42 ... support portion, 43 ... cover.

Claims (11)

還元窒化法によりアルファサイアロン蛍光体を合成するための前駆体である酸化物非晶質微粒子の製造方法であって、
ガスと混合して加熱することによりSiOとなる化合物(SiX)の蒸気と、Oガスと混合して加熱することによりAlとなる化合物(AlX)の蒸気と、Oガスをあらかじめ混合する工程と、
加熱の直前に希土類元素、アルカリ金属元素、アルカリ土類金属元素から選ばれる1種または2種以上の元素を含む化合物(MX)の蒸気を加える工程と、
次いで、前記混合蒸気に対し、1秒あたり1000℃以上の急速加熱を施し、該混合蒸気を十分に酸化させて酸化物を生成する工程と、
次いで、1秒あたり250℃以上の急速冷却を行い、酸化物非晶質微粒子を得る工程と、からなることを特徴とする酸化物非晶質微粒子の製造方法。
A method for producing oxide amorphous fine particles, which is a precursor for synthesizing an alpha sialon phosphor by a reductive nitriding method,
A compound serving as SiO 2 of (SiX) steam by heating is mixed with O 2 gas, and steam to become Compound Al 2 O 3 (AlX) by heating is mixed with O 2 gas, O 2 Pre-mixing the gas;
Adding a vapor of a compound (MX) containing one or more elements selected from rare earth elements, alkali metal elements and alkaline earth metal elements immediately before heating;
Next, subjecting the mixed steam to rapid heating at 1000 ° C. or more per second to sufficiently oxidize the mixed steam to generate an oxide;
And a step of rapidly cooling at 250 ° C. or more per second to obtain oxide amorphous fine particles.
加熱及び酸化を行う反応チャンバーが石英ガラス製のチューブであることを特徴とする請求項1に記載の酸化物非晶質微粒子の製造方法。  The method for producing oxide amorphous fine particles according to claim 1, wherein the reaction chamber for performing heating and oxidation is a quartz glass tube. 加熱部よりも上流にMX揮発室を有し、反応部を加熱する熱源とは別のMX揮発用熱源を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の酸化物非晶質微粒子の製造方法。  3. The production of amorphous oxide fine particles according to claim 1, further comprising an MX volatilization chamber upstream of the heating unit and an MX volatilization heat source different from the heat source for heating the reaction unit. Method. MX揮発室で揮発したMX蒸気とOガスとが事前に反応することを抑制するために、MX揮発室から加熱部の直前までOガス等の流路とは独立したMX流路を設けた反応チャンバーを用いることを特徴とする請求項3に記載の酸化物非晶質微粒子の製造方法。 In order to prevent the MX vapor volatilized in the MX volatilization chamber and the O 2 gas from reacting in advance, an MX channel independent of the O 2 gas channel is provided from the MX volatilization chamber to immediately before the heating unit. 4. The method for producing oxide fine particles according to claim 3, wherein a reaction chamber is used. MX揮発室及びMX揮発用熱源を複数用いることを特徴とする請求項3又は請求項4に記載の酸化物非晶質微粒子の製造方法。  5. The method for producing oxide amorphous fine particles according to claim 3, wherein a plurality of MX volatilization chambers and MX volatilization heat sources are used. MXを水溶液もしくはアルコール溶液とし、ネブライザーでミスト化し、Ar、He、Nから選ばれる1種または2種以上のガスをキャリアガスとして反応チャンバーに搬送することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の酸化物非晶質微粒子の製造方法。 The MX is made into an aqueous solution or an alcohol solution, misted with a nebulizer, and one or more gases selected from Ar, He, and N 2 are conveyed to the reaction chamber as a carrier gas. The manufacturing method of the oxide amorphous fine particle in any one. 反応チャンバーを加熱する熱源が、酸水素バーナーであり、管外表面の温度が1200〜1350℃の範囲であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の酸化物非晶質微粒子の製造方法。  The oxide amorphous fine particles according to any one of claims 1 to 6, wherein the heat source for heating the reaction chamber is an oxyhydrogen burner, and the temperature of the outer surface of the tube is in the range of 1200 to 1350 ° C. Manufacturing method. SiXがSiClであり、これを20〜45℃に保ち、Oガス、Nガス、Arガス、Heガスからなる群から選択される1種または2種以上のガスによりバブリングし、保温温度にしたがった蒸気圧に基づき、原料を反応チャンバーに搬送することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の酸化物非晶質微粒子の製造方法。 SiX is SiCl 4 and is kept at 20 to 45 ° C., and bubbled with one or more gases selected from the group consisting of O 2 gas, N 2 gas, Ar gas, and He gas, The method for producing oxide amorphous fine particles according to claim 1, wherein the raw material is conveyed to the reaction chamber based on the vapor pressure according to the above. SiXがSiClであり、これを60〜80℃に保温することでSiClガスとし、Oガス、Nガス、Arガス、Heガスから選ばれる1種または2種以上のガスをキャリアガスとし、反応チャンバーに搬送することを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の酸化物非晶質微粒子の製造方法。 SiX is SiCl 4 and is kept at 60 to 80 ° C. to obtain SiCl 4 gas. One or more gases selected from O 2 gas, N 2 gas, Ar gas, and He gas are used as carrier gas. The method for producing amorphous oxide fine particles according to claim 1, wherein the oxide amorphous fine particles are conveyed to a reaction chamber. AlXがAlCl であり、AlにClガスを吹き付けることでAlClを発生させ、Ar、He、Nから選ばれる1種または2種以上のガスをキャリアガスとして反応チャンバーに搬送することを特徴とする請求項1〜9のいずれかに記載の酸化物非晶質微粒子の製造方法。 AlX is AlCl 3, to generate AlCl 3 by blowing Cl 2 gas to Al, Ar, He, to carry one or more gases selected from N 2 into the reaction chamber as a carrier gas The method for producing oxide fine particles according to any one of claims 1 to 9. MXが、Caアセチルアセトナート、Euアセチルアセトナート、ビスヘキサフルオロアセチルアセトンカルシウム、トリスジペバロイルメタナートユーロピウムからなる群から選択される1種または2種以上の化合物であることを特徴とする請求項1ないし10に記載の酸化物非晶質微粒子の製造方法 MX is one or more compounds selected from the group consisting of Ca acetylacetonate, Eu acetylacetonate, bishexafluoroacetylacetone calcium, and trisdipivaloylmethanate europium. Item 11. A method for producing oxide amorphous fine particles according to Item 1 to 10 .
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