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JP5408975B2 - Inspection position determination method, inspection information management system, and inspection support method - Google Patents
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Inspection position determination method, inspection information management system, and inspection support method Download PDF

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Description

本発明は、検査位置決定方法、検査情報管理システム及び検査方法に関し、特に、半導体素子、フラットパネル、太陽電池といったデバイスを基板単位で製造する過程で行われる検査工程において、検査項目に対応する前記基板上の検査位置を決定する検査位置決定方法、当該検査項目に関する情報を管理する検査情報管理システム、当該検査項目に対応する前記基板上の検査位置に基づく検査を行う検査方法に関する。   The present invention relates to an inspection position determination method, an inspection information management system, and an inspection method, and in particular, in the inspection process performed in the process of manufacturing a device such as a semiconductor element, a flat panel, and a solar cell in units of substrates, The present invention relates to an inspection position determination method for determining an inspection position on a substrate, an inspection information management system for managing information on the inspection item, and an inspection method for performing an inspection based on the inspection position on the substrate corresponding to the inspection item.

工業製品は、複数の工程を経て製造され、その過程で数多くの検査が行われる。工業製品には、特定の機能を持った機器又は装置であるデバイスが含まれ、例えば、半導体素子が挙げられる。半導体素子は、絶縁膜や回路パターンの形成のために、酸化膜の拡散、エッチング、イオン注入、スパッタ、洗浄等の複数の工程を経て、基板であるシリコンウェハ上に複数の半導体素子が配置された状態で製造される。その際、特定の工程毎に幅、厚み等の検査項目のために形状データが測定される。または、抵抗、導電率等の検査項目のために電気特性データが測定される。そして、半導体素子の製造工程における最終工程の後に全数検査が行われ、良品のみが出荷される。   Industrial products are manufactured through a plurality of processes, and many inspections are performed in the process. Industrial products include devices that are devices or apparatuses having specific functions, and examples include semiconductor elements. In order to form an insulating film and a circuit pattern, a semiconductor element is subjected to a plurality of processes such as diffusion of an oxide film, etching, ion implantation, sputtering, and cleaning, and a plurality of semiconductor elements are arranged on a silicon wafer as a substrate. Manufactured in the state. At that time, shape data is measured for inspection items such as width and thickness for each specific process. Alternatively, electrical characteristic data is measured for inspection items such as resistance and conductivity. And 100% inspection is performed after the last process in the manufacturing process of a semiconductor element, and only good products are shipped.

半導体素子の製造は、ウェハ単位で行われるため、製造途中の各検査工程ではウェハ上の特定の素子を選定して測定を行い、これらの平均値や標準偏差等をウェハ単位で品質記録として管理しているのが一般的である。   Semiconductor devices are manufactured in units of wafers, so in each inspection process during manufacturing, specific elements on the wafer are selected and measured, and their average values and standard deviations are managed as quality records in units of wafers. It is common to do.

しかし、最終工程後の全数検査において異常が認められた場合、製造途中の各検査結果を追跡調査しても、ウェハ上の素子の配置との対応関係を加味した分析を行うことができないため、どの工程が不良の主原因であるか否かを特定することができない。完全な品質管理を行うためには、理想的には、チップ単位で各測定項目を全数管理すればよい。しかし、現実的には工程増、特にコスト増等により実現することが困難である。   However, if there is an abnormality in the 100% inspection after the final process, even if you follow up the inspection results during the manufacturing process, you cannot perform an analysis that takes into account the correspondence with the arrangement of elements on the wafer. It is impossible to specify which process is the main cause of the failure. In order to perform complete quality control, all the measurement items should ideally be managed on a chip basis. However, in reality, it is difficult to realize it by increasing the number of processes, particularly by increasing costs.

そこで、半導体製造工程における不良原因工程を特定するシステムが特許文献1に開示されている。特許文献1にかかる不良原因特定システムは、複数の半導体装置に対して、検査装置によって検査された半導体装置の電気的特性の面内分布を表現する特性マップを形成する特性マップ形成部と、測定装置によって測定されたそれぞれの工程の出来栄えの面内分布をそれぞれの工程毎に表現する単独マップを形成する単独マップ形成部と、それぞれの工程毎の単独マップの中から複数の単独マップを選びそれを合成して合成マップを形成する合成マップ形成部と、合成マップと特性マップを比較することにより、対応する工程を不良原因と特定する特定部とを備える。   Therefore, Patent Document 1 discloses a system for identifying a defect cause process in a semiconductor manufacturing process. A defect cause identifying system according to Patent Document 1 includes a characteristic map forming unit that forms a characteristic map that represents an in-plane distribution of electrical characteristics of a semiconductor device inspected by an inspection device, and a plurality of semiconductor devices, and a measurement A single map forming unit that forms a single map that expresses the in-plane distribution of the performance of each process measured by the apparatus for each process, and a plurality of single maps are selected from the single maps for each process. Are combined to form a composite map, and a specific unit is provided that identifies the corresponding process as the cause of failure by comparing the composite map with the characteristic map.

特に、特許文献1に開示されている実施の形態では、ウェハ面内をチップ単位やショット単位で分割したメッシュ毎に出来栄えを測定するのが好ましいとしながらも、現実には面内数点〜10数点、良くても50点ぐらいの出来栄えをもとに、バイリニアプロットや単純算術平均等の補間手法を用いて、メッシュ毎の出来栄えを生成する旨が開示されている。すなわち、特許文献1では、検査項目における検査対象データを、ウェハ内の半導体装置の一部であるサンプリングされた半導体装置における測定データと、当該測定データに対して補間手法を用いて補間されたデータとを用いるものである。そのため、ウェハ内の全ての半導体装置について測定することに比べて、検査を簡略化できる。   In particular, in the embodiment disclosed in Patent Document 1, it is preferable to measure the performance for each mesh obtained by dividing the wafer surface in chip units or shot units. It is disclosed that the performance of each mesh is generated using an interpolation method such as a bilinear plot or a simple arithmetic average based on the performance of several points or at most about 50 points. That is, in Patent Document 1, inspection object data in an inspection item is measured data in a sampled semiconductor device that is a part of a semiconductor device in a wafer, and data interpolated using the interpolation method with respect to the measurement data. Are used. Therefore, the inspection can be simplified as compared with the measurement for all the semiconductor devices in the wafer.

また、非特許文献1には、計測されたデータを補間する曲面モデルの同定処理として薄板スプラインが開示されている。また、非特許文献1には、計測されたデータの異常値を除去する手法として、GCV(Generalized Cross Validation)アルゴリズムが開示されている。さらに、特許文献2には、補間処理の簡略化として、与えられたデータを削減して補間を行う、いわゆるデータの間引き方法について開示されている。
特開2007−36068号公報 特許第3881510号公報 Grace Wahba, "Spline Models for Observational Data", Society for Industrial & Applied, 1990.
Non-Patent Document 1 discloses a thin plate spline as a curved surface model identifying process for interpolating measured data. Non-Patent Document 1 discloses a generalized cross validation (GCV) algorithm as a technique for removing an abnormal value of measured data. Further, Patent Document 2 discloses a so-called data thinning-out method for performing interpolation by reducing given data as a simplification of interpolation processing.
JP 2007-36068 A Japanese Patent No. 3881510 Grace Wahba, "Spline Models for Observational Data", Society for Industrial & Applied, 1990.

しかし、サンプリングされた半導体装置における測定データは、検査項目ごとに測定値のばらつき、すなわち、測定値の分布の傾向が異なる。また、品質への影響度により検査項目毎の重要度も異なる。そのため、特許文献1及び特許文献2のように、検査項目又は基板に関わらず一律に補間処理を行うだけでは、不良原因を特定するための検査対象データの信頼性にばらつきが生じるという問題点がある。そして、この問題点は、半導体素子の製造工程に限らず、複数工程を経て基板上に複数のデバイスを製造するデバイス製造工程全般について生じるものである。   However, the measurement data in the sampled semiconductor device has different measurement value variations, that is, the distribution tendency of the measurement values, for each inspection item. Moreover, the importance for each inspection item varies depending on the degree of influence on quality. Therefore, as in Patent Document 1 and Patent Document 2, there is a problem that the reliability of inspection target data for specifying the cause of a defect varies only by performing interpolation processing uniformly regardless of the inspection item or the substrate. is there. This problem occurs not only in the semiconductor element manufacturing process but also in the entire device manufacturing process in which a plurality of devices are manufactured on a substrate through a plurality of processes.

特に、重要度の高い測定項目について、補間処理の簡略化のみを考慮した一律な補間処理ではデータが欠落して信頼性のあるデータが得られない場合が生じ得る。また、ばらつきの小さい項目又は重要度の低い項目についても、一律に同じ補間処理を行うことは処理が冗長となる場合がある。そのため、同じ製造工程において、複数の基板における計測データを加味して検査位置を決定する必要がある。   In particular, with respect to measurement items with high importance, there may be a case where reliable data cannot be obtained due to data loss by uniform interpolation processing considering only simplification of interpolation processing. Further, even for items with small variations or items with low importance, performing the same interpolation processing uniformly may make the processing redundant. Therefore, in the same manufacturing process, it is necessary to determine the inspection position in consideration of measurement data on a plurality of substrates.

本発明では、複数のデバイスを基板単位で製造するデバイス製造工程において、検査項目における計測データの特性に応じて、信頼性を維持しつつ冗長性を削減する検査位置を決定できる検査位置決定方法、検査情報管理システム及び検査方法を提供することを目的とする。   In the present invention, in a device manufacturing process for manufacturing a plurality of devices in units of substrates, an inspection position determination method capable of determining an inspection position that reduces redundancy while maintaining reliability according to the characteristics of measurement data in an inspection item, An object is to provide an inspection information management system and an inspection method.

本発明の第1の態様にかかる検査位置決定方法は、デバイスを基板単位で製造する過程で行われる検査工程において、検査項目に対応する基板上の検査位置を決定するものである。前記基板上の所定の検査候補位置における計測データに基づいて、当該基板上の任意の位置におけるデータを補間するためのデータモデルである基板モデルを前記基板毎に生成する基板モデル生成ステップと、複数の前記基板モデルに基づいて、前記検査項目に対応する前記データモデルである代表モデルを生成する代表モデル生成ステップと、前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記代表モデルにより補間される補間データの少なくともいずれかを用いて、前記代表モデルを生成することができるデータに対応する検査位置を決定する検査位置決定ステップと、を備える。   The inspection position determination method according to the first aspect of the present invention is to determine an inspection position on a substrate corresponding to an inspection item in an inspection process performed in the process of manufacturing a device in units of substrates. A substrate model generation step for generating, for each substrate, a substrate model that is a data model for interpolating data at an arbitrary position on the substrate based on measurement data at a predetermined inspection candidate position on the substrate; A representative model generation step of generating a representative model that is the data model corresponding to the inspection item based on the substrate model of the measurement method, measurement data of the predetermined inspection candidate position, and interpolation data interpolated by the representative model And an inspection position determination step of determining an inspection position corresponding to data that can generate the representative model using at least one of them.

これにより、ある検査項目において、複数の基板からの計測データの傾向を加味した代表モデルとして絞り込むことができ、代表モデルを用いて当該検査項目における計測データの特性に応じた信頼性を維持しつつ冗長性を削減する検査位置を決定できる。そのため、当該検査項目ごとに有効な計測データを取得することができ、異常時の追跡調査の効率が向上する。   Thereby, in a certain inspection item, it can be narrowed down as a representative model taking into account the tendency of measurement data from a plurality of substrates, while maintaining the reliability according to the characteristics of the measurement data in the inspection item using the representative model The inspection position that reduces redundancy can be determined. Therefore, effective measurement data can be acquired for each inspection item, and the efficiency of follow-up investigation at the time of abnormality is improved.

また、前記代表モデル生成ステップは、前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記各基板の基板モデルにより補間された補間データの少なくとも一部を選択し、各基板間における当該選択したデータを所定の分析を行うことにより当該基板をグループに分類し、当該グループ毎に代表モデルを生成する、ことが望ましい。   Further, the representative model generation step selects at least a part of the measurement data of the predetermined inspection candidate position and the interpolation data interpolated by the substrate model of each substrate, and the selected data between the substrates is predetermined It is desirable to classify the substrates into groups by performing analysis and generate a representative model for each group.

これにより、より相関の高い基板モデル同士をひとつのグループとすることができ、グループごとに代表モデルを生成することで、一つの検査項目において複数のデータモデルがある場合であっても、適切な代表モデルを生成することができる。   As a result, the substrate models with higher correlation can be made into one group, and by generating a representative model for each group, even if there are multiple data models in one inspection item, it is appropriate. A representative model can be generated.

さらに、前記検査位置決定ステップは、前記選択したデータを前記グループ毎に所定の演算処理を行い、当該演算処理後のデータを用いて代表モデルを生成する、ことが望ましい。   Furthermore, it is preferable that the inspection position determination step performs a predetermined calculation process for the selected data for each group, and generates a representative model using the data after the calculation process.

これにより、分類されたグループの中で、効果的に代表モデルを生成することができ、当該検査項目における測定データの信頼性が向上する。   Thereby, a representative model can be effectively generated in the classified group, and the reliability of the measurement data in the inspection item is improved.

さらに、前記検査位置決定ステップは、前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記代表モデルにより補間された補間データの少なくとも一部を選択し、当該選択したデータに基づいて前記データモデルである再現モデルを生成し、当該再現モデルが前記代表モデルと近似している場合に、前記選択されたデータに対応する検査位置を検査位置として決定する、と良い。これにより、代表モデルを再現するために必要な検査位置を絞り込むことができる。   Further, the inspection position determination step selects at least a part of the measurement data of the predetermined inspection candidate position and the interpolation data interpolated by the representative model, and the reproduction model which is the data model based on the selected data When the reproduction model approximates the representative model, the inspection position corresponding to the selected data is preferably determined as the inspection position. Thereby, it is possible to narrow down the inspection positions necessary for reproducing the representative model.

また、前記検査位置決定ステップは、前記グループ毎に決定した検査位置を含めて検査位置を決定する、と良い。これにより、複数の代表モデルを加味して必要最小限の検査位置を決定することができ、計測データの保存量を削減することができる。   In the inspection position determination step, the inspection position may be determined including the inspection position determined for each group. As a result, the minimum required inspection position can be determined in consideration of a plurality of representative models, and the amount of measurement data saved can be reduced.

また、前記検査位置決定ステップは、前記グループに分類された基板の数の比率に基づいて、前記検査位置を決定する、と良い。これにより、検査項目におけるデータモデルの傾向の比率を加味した適切な検査位置を決定することができ、測定データの信頼性をより向上することができる。   The inspection position determining step may determine the inspection position based on a ratio of the number of substrates classified into the group. Thereby, it is possible to determine an appropriate inspection position in consideration of the ratio of the data model tendency in the inspection item, and it is possible to further improve the reliability of the measurement data.

また、前記基板モデル生成ステップは、前記所定の計測位置における計測データから予め定められた異常値を除外して前記基板モデルを生成する、と良い。これにより、基板モデル、代表モデルの生成の精度が向上し、適切な検査位置を決定することができる。そのため、測定データの信頼性をより向上することができる。   The substrate model generation step may generate the substrate model by excluding a predetermined abnormal value from measurement data at the predetermined measurement position. Thereby, the generation accuracy of the substrate model and the representative model is improved, and an appropriate inspection position can be determined. Therefore, the reliability of measurement data can be further improved.

本発明の第2の態様にかかる検査情報管理システムは、デバイスを基板単位で製造する過程において、検査項目に関する情報を管理するものである。前記検査項目毎に予め定められた前記基板上の所定の検査候補位置と、前記検査候補位置において計測された計測データと、を格納する検査情報記憶部と、前記検査情報記憶部から前記基板単位に計測データを取得し、当該計測データに基づいて、当該基板上の任意の位置におけるデータを補間するためのデータモデルである基板モデルを生成し、当該基板モデルを前記検査情報記憶部へ格納する基板モデル生成部と、前記検査情報記憶部から複数の前記基板モデルを取得し、当該複数の前記基板モデルに基づいて、前記検査項目に対応する前記データモデルである代表モデルを生成し、当該代表モデルを前記検査情報記憶部へ格納する代表モデル生成部と、前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記代表モデルにより補間される補間データの少なくともいずれかを用いて、前記代表モデルを生成することができるデータに対応する検査位置を決定し、当該検査位置を前記検査情報記憶部へ格納する検査位置決定部とを備える。   The inspection information management system according to the second aspect of the present invention manages information related to inspection items in the process of manufacturing devices in units of substrates. An inspection information storage unit that stores a predetermined inspection candidate position on the substrate that is predetermined for each inspection item, and measurement data that is measured at the inspection candidate position, and the substrate unit from the inspection information storage unit Measurement data is acquired, a substrate model that is a data model for interpolating data at an arbitrary position on the substrate is generated based on the measurement data, and the substrate model is stored in the inspection information storage unit. Obtaining a plurality of the substrate models from the substrate model generation unit and the inspection information storage unit, and generating a representative model that is the data model corresponding to the inspection item based on the plurality of the substrate models; A representative model generation unit for storing a model in the inspection information storage unit, measurement data of the predetermined inspection candidate position, and interpolation data interpolated by the representative model. Using at least one of data, to determine the inspection position corresponding to the data capable of generating the representative model, and a test position determining section for storing the inspection position to the inspection information storage unit.

これにより、ある検査項目において、複数の基板からの計測データの傾向を加味した代表モデルとして絞り込むことができ、代表モデルを用いて当該検査項目における計測データの特性に応じた信頼性を維持しつつ冗長性を削減する検査位置を決定できる。そのため、当該検査項目ごとに有効な計測データを取得することができ、異常時の追跡調査の効率が向上する。   Thereby, in a certain inspection item, it can be narrowed down as a representative model taking into account the tendency of measurement data from a plurality of substrates, while maintaining the reliability according to the characteristics of the measurement data in the inspection item using the representative model The inspection position that reduces redundancy can be determined. Therefore, effective measurement data can be acquired for each inspection item, and the efficiency of follow-up investigation at the time of abnormality is improved.

また、前記代表モデル生成部は、前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記各基板の基板モデルにより補間された補間データの少なくとも一部を選択し、各基板間における当該選択したデータを所定の分析を行うことにより、当該基板をグループに分類し、当該グループにおける前記データモデルを前記代表モデルとして生成する、ことが望ましい。   Further, the representative model generation unit selects at least a part of the measurement data of the predetermined inspection candidate position and the interpolation data interpolated by the substrate model of each substrate, and the selected data between the substrates is predetermined It is desirable to classify the substrates into groups by performing analysis, and to generate the data model in the group as the representative model.

これにより、より相関の高い基板モデル同士をひとつのグループとすることができ、グループごとに代表モデルを生成することで、一つの検査項目において複数のデータモデルがある場合であっても、適切な代表モデルを生成することができる。   As a result, the substrate models with higher correlation can be made into one group, and by generating a representative model for each group, even if there are multiple data models in one inspection item, it is appropriate. A representative model can be generated.

さらに、前記代表モデル生成部は、前記選択したデータを前記グループ毎に所定の演算処理を行い、当該演算処理後のデータを用いて代表モデルを生成する、ことが望ましい。   Furthermore, it is preferable that the representative model generation unit performs a predetermined calculation process on the selected data for each group, and generates a representative model using the data after the calculation process.

これにより、分類されたグループの中で、効果的に代表モデルを生成することができ、当該検査項目における測定データの信頼性が向上する。   Thereby, a representative model can be effectively generated in the classified group, and the reliability of the measurement data in the inspection item is improved.

さらに、前記検査位置決定部は、前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記代表モデルにより補間された補間データの少なくとも一部を選択し、当該選択したデータに基づいて前記データモデルである再現モデルを生成し、当該再現モデルが前記代表モデルと近似している場合に、前記選択されたデータの検査候補位置を前記検査位置として前記検査情報記憶部へ格納する、と良い。これにより、代表モデルを再現するために必要な検査位置を絞り込むことができる。   Further, the inspection position determination unit selects at least a part of the measurement data of the predetermined inspection candidate position and the interpolation data interpolated by the representative model, and the reproduction model which is the data model based on the selected data When the reproduction model approximates the representative model, the inspection candidate position of the selected data is stored in the inspection information storage unit as the inspection position. Thereby, it is possible to narrow down the inspection positions necessary for reproducing the representative model.

また、前記検査位置決定部は、前記グループ毎に決定した検査位置を含めて検査位置を決定する、と良い。これにより、複数の代表モデルを加味して必要最小限の検査位置を決定することができ、計測データの保存量を削減することができる。   The inspection position determination unit may determine an inspection position including an inspection position determined for each group. As a result, the minimum required inspection position can be determined in consideration of a plurality of representative models, and the amount of measurement data saved can be reduced.

また、前記検査位置情報決定部は、前記グループに分類された基板の数の比率に基づいて、前記検査位置情報を前記検査情報記憶部へ格納する、と良い。これにより、検査項目におけるデータモデルの傾向の比率を加味した適切な検査位置を決定することができ、測定データの信頼性をより向上することができる。   The inspection position information determination unit may store the inspection position information in the inspection information storage unit based on a ratio of the number of substrates classified into the group. Thereby, it is possible to determine an appropriate inspection position in consideration of the ratio of the data model tendency in the inspection item, and it is possible to further improve the reliability of the measurement data.

また、前記基板モデル生成部は、前記所定の計測位置情報における計測データから予め定められた異常値を除外して前記基板モデルを生成する、と良い。これにより、基板モデル、代表モデルの生成の精度が向上し、適切な検査位置を決定することができる。そのため、測定データの信頼性をより向上することができる。   The substrate model generation unit may generate the substrate model by excluding a predetermined abnormal value from measurement data in the predetermined measurement position information. Thereby, the generation accuracy of the substrate model and the representative model is improved, and an appropriate inspection position can be determined. Therefore, the reliability of measurement data can be further improved.

本発明の第3の態様にかかる検査方法は、デバイスを基板単位で製造する過程で行われる検査工程において、検査項目に対応する前記基板上の検査位置に基づく検査を行うものである。前記基板上の所定の検査候補位置において前記検査項目に関する計測を行う事前計測ステップと、前記事前計測ステップにより計測された計測データに基づいて、当該基板上の任意の位置におけるデータを補間するためのデータモデルである基板モデルを前記基板毎に生成し、複数の前記基板モデルに基づいて、前記検査項目に対応する前記データモデルである代表モデルを生成し、前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記代表モデルにより補間される補間データの少なくともいずれかを用いて、前記代表モデルを生成することができるデータに対応する検査位置を決定する検査位置決定ステップと、前記過程において、前記検査位置決定ステップにより決定された検査位置における計測を行う製造時計測ステップと、前記製造時計測ステップにより計測された計測データに基づいて、前記基板モデルを生成するステップと、を備える。これにより、検査項目ごとの検査位置に応じた有効な計測データを取得することができ、異常時の追跡調査の効率が向上する。   The inspection method according to the third aspect of the present invention performs an inspection based on an inspection position on the substrate corresponding to an inspection item in an inspection process performed in the process of manufacturing a device in units of substrates. In order to interpolate data at an arbitrary position on the substrate based on a pre-measurement step for measuring the inspection item at a predetermined inspection candidate position on the substrate and measurement data measured by the pre-measurement step A board model that is a data model of the above is generated for each board, a representative model that is the data model corresponding to the inspection item is generated based on a plurality of the board models, and measurement data of the predetermined inspection candidate position And an inspection position determination step for determining an inspection position corresponding to data capable of generating the representative model using at least one of interpolation data interpolated by the representative model, and the inspection position determination in the process A manufacturing-time measurement step for measuring at the inspection position determined by the step, and the manufacturing-time measurement Based on the measurement data measured by the step, and a step of generating the substrate model. Thereby, effective measurement data according to the inspection position for each inspection item can be acquired, and the efficiency of the follow-up investigation at the time of abnormality is improved.

本発明により、複数のデバイスを基板単位で製造するデバイス製造工程において、検査項目における計測データの特性に応じて、信頼性を維持しつつ冗長性を削減する検査位置を決定できる検査位置決定方法、検査情報管理システム及び検査方法を提供することができる。   According to the present invention, in a device manufacturing process for manufacturing a plurality of devices in units of substrates, an inspection position determination method capable of determining an inspection position for reducing redundancy while maintaining reliability according to the characteristics of measurement data in an inspection item, An inspection information management system and an inspection method can be provided.

以下では、本発明を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。各図面において、同一要素には同一の符号が付されており、説明の明確化のため、必要に応じて重複説明は省略される。   Hereinafter, specific embodiments to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted as necessary for the sake of clarity.

<発明の実施の形態1>
図1は、本発明の実施の形態1にかかる検査情報管理システム100の構成の一例を示すブロック図である。検査情報管理システム100は、複数のデバイスを基板単位で製造するデバイス製造過程における検査項目に関する情報を管理するものである。ここでは、デバイスの例として半導体素子であるものとする。つまり、検査情報管理システム100は、複数の半導体素子を基板であるシリコンウェハ(以下、ウェハとする)単位に製造する半導体製造過程を対象とするものである。また、検査情報管理システム100は、上述した半導体製造過程における検査項目に対応する基板上の検査位置を決定し、当該検査位置に基づく検査を行うものである。尚、本発明にかかるデバイスはこれに限定されず、フラットパネルや太陽電池等の工業製品であってもよい。そのため、本発明は、フラットパネルや太陽電池等の工業製品の製造検査についても適用可能である。なお、検査情報管理システム100は、基板上の複数のデバイスから特定のデバイスを選択し、当該デバイスを検査位置として決定するものであってもよい。さらに、検査情報管理システム100は、基板上に一つまたは複数のデバイスがあり、当該デバイス上に複数の検査候補位置があり、その中から検査位置を決定するものであってもよい。
<Embodiment 1 of the Invention>
FIG. 1 is a block diagram showing an example of the configuration of an inspection information management system 100 according to the first embodiment of the present invention. The inspection information management system 100 manages information related to inspection items in a device manufacturing process for manufacturing a plurality of devices in units of substrates. Here, a semiconductor element is assumed as an example of the device. That is, the inspection information management system 100 is intended for a semiconductor manufacturing process in which a plurality of semiconductor elements are manufactured in units of silicon wafers (hereinafter referred to as wafers) that are substrates. The inspection information management system 100 determines an inspection position on the substrate corresponding to the inspection item in the semiconductor manufacturing process described above, and performs an inspection based on the inspection position. In addition, the device concerning this invention is not limited to this, Industrial products, such as a flat panel and a solar cell, may be sufficient. Therefore, this invention is applicable also about manufacture inspection of industrial products, such as a flat panel and a solar cell. The inspection information management system 100 may select a specific device from a plurality of devices on the substrate and determine the device as an inspection position. Further, the inspection information management system 100 may include one or a plurality of devices on a substrate, a plurality of inspection candidate positions on the device, and determining an inspection position from the plurality of inspection candidate positions.

図1の検査情報管理システム100は、製造ライン1と、計測装置2と、検査装置3と、検査支援装置4と、検査情報記憶装置5と、通信回線6とを備える。製造ライン1は、ウェハ上に複数の半導体素子を製造するための各製造工程に使用される製造装置1a、1b、・・・、及び1nを含む。ここで、製造工程とは、例えば、酸化膜の拡散、エッチング、イオン注入、スパッタ、洗浄等である。   The inspection information management system 100 in FIG. 1 includes a production line 1, a measuring device 2, an inspection device 3, an inspection support device 4, an inspection information storage device 5, and a communication line 6. The manufacturing line 1 includes manufacturing apparatuses 1a, 1b,..., And 1n used in each manufacturing process for manufacturing a plurality of semiconductor elements on a wafer. Here, the manufacturing process includes, for example, oxide film diffusion, etching, ion implantation, sputtering, and cleaning.

また、製造装置1a、1b、・・・、及び1n、計測装置2、検査装置3、検査支援装置4、並びに検査情報記憶装置5は、通信回線6を介して接続されている。通信回線6は、インターネット、公衆網、専用線、移動体通信網等の通信ネットワークであればよい。   In addition, the manufacturing apparatuses 1 a, 1 b,..., And 1 n, the measuring apparatus 2, the inspection apparatus 3, the inspection support apparatus 4, and the inspection information storage apparatus 5 are connected via a communication line 6. The communication line 6 may be a communication network such as the Internet, a public network, a dedicated line, and a mobile communication network.

検査情報記憶装置5は、検査項目51と、計測位置52と、計測データ53と、基板モデル54と、代表モデル55と、検査位置56とを記憶する記憶装置である。検査情報記憶装置5は、ハードディスクドライブ、フラッシュメモリ等の不揮発性の記憶装置でもよいし、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等の揮発性の記憶装置であってもよい。   The inspection information storage device 5 is a storage device that stores inspection items 51, measurement positions 52, measurement data 53, substrate models 54, representative models 55, and inspection positions 56. The inspection information storage device 5 may be a nonvolatile storage device such as a hard disk drive or a flash memory, or may be a volatile storage device such as a DRAM (Dynamic Random Access Memory).

検査項目51は、各製造工程におけるウェハに対して、例えば、幅、厚み、抵抗及び導電率等といった検査項目を示す情報である。尚、検査項目51は、一つの製造工程において複数存在してもよく、一つの検査項目51は、複数の製造工程を検査する際に用いても良い。   The inspection item 51 is information indicating inspection items such as width, thickness, resistance, conductivity, and the like for the wafer in each manufacturing process. A plurality of inspection items 51 may exist in one manufacturing process, and one inspection item 51 may be used when inspecting a plurality of manufacturing steps.

計測位置52は、ウェハ上の半導体素子の位置を示す情報であり、ここでは、二次元の座標情報である。尚、本発明の実施の形態1にかかる計測位置52は、後述する検査位置決定処理におけるウェハ上の初期のサンプリング箇所を示すものである。尚、計測位置52は、基板上の所定の検査候補位置である。   The measurement position 52 is information indicating the position of the semiconductor element on the wafer, and here is two-dimensional coordinate information. The measurement position 52 according to the first embodiment of the present invention indicates an initial sampling location on the wafer in the inspection position determination process described later. The measurement position 52 is a predetermined inspection candidate position on the substrate.

計測データ53は、後述する計測装置2により検査項目51ごとに計測対象のウェハ上の計測位置52について計測されたデータである。そして、計測データ53は、検査項目51及びウェハに関連付けられ、計測位置52毎に存在する。計測データ53は、例えば、検査項目51が幅又は厚み等の場合、形状データであり、検査項目51が抵抗又は導電率等の場合、電気特性データであり、又は、これらに限定されない。 The measurement data 53 is data measured for the measurement position 52 on the measurement target wafer for each inspection item 51 by the measurement apparatus 2 described later. The measurement data 53 is associated with the inspection item 51 and the wafer and exists for each measurement position 52. The measurement data 53 is, for example, shape data when the inspection item 51 is width or thickness or the like, and is electrical characteristic data when the inspection item 51 is resistance or conductivity, or is not limited thereto.

基板モデル54は、基板上の任意の位置におけるデータを補間するためのデータモデルである。また、基板モデル54は、ウェハ毎に計測された計測データ53に基づいて、後述する検査支援装置4により生成される。   The substrate model 54 is a data model for interpolating data at an arbitrary position on the substrate. The substrate model 54 is generated by the inspection support apparatus 4 described later based on the measurement data 53 measured for each wafer.

ここで、本発明におけるデータモデルは、N(Nは2以上の整数)種類の変量間の関係を近似したN次元の曲面モデルで表現される。例えば、計測位置52が二次元の座標情報である場合、二次元の関数式で表すことができる。但し、基板モデル54は、曲面モデルに限定されず、曲線や、その他のモデルであってもよい。基板モデル54により、ウェハ上の計測位置52以外の任意位置における値を補間することができる。そのため、計測装置2は、ウェハ上の全ての半導体素子について計測を行う必要がない。   Here, the data model in the present invention is represented by an N-dimensional curved surface model that approximates the relationship between N (N is an integer of 2 or more) types of variables. For example, when the measurement position 52 is two-dimensional coordinate information, it can be represented by a two-dimensional function expression. However, the substrate model 54 is not limited to a curved surface model, and may be a curved line or other models. The substrate model 54 can interpolate values at arbitrary positions other than the measurement position 52 on the wafer. Therefore, the measuring apparatus 2 does not need to measure all the semiconductor elements on the wafer.

代表モデル55は、検査項目51におけるデータモデルである。代表モデル55は、検査項目51において少なくとも1つ以上、検査支援装置4により生成される。   The representative model 55 is a data model in the inspection item 51. At least one representative model 55 is generated by the inspection support apparatus 4 in the inspection item 51.

検査位置56は、計測位置52と同様に、ウェハ上の半導体素子の位置を示す情報である。また、検査位置56は、検査支援装置4により決定される位置である。   The inspection position 56 is information indicating the position of the semiconductor element on the wafer, like the measurement position 52. The inspection position 56 is a position determined by the inspection support device 4.

計測装置2は、製造装置1a、1b、・・・、及び1nを用いた各製造工程において製造される複数のウェハについて、検査項目51に関する計測を行う。計測装置2は、計測の際、各ウェハにおける計測位置52に対して計測を行い、計測されたデータを計測位置52として、検査項目51及びウェハに関連付けて検査情報記憶装置5へ格納する。   The measuring device 2 performs measurement related to the inspection item 51 for a plurality of wafers manufactured in each manufacturing process using the manufacturing devices 1a, 1b,. In the measurement, the measurement device 2 measures the measurement position 52 in each wafer, and stores the measured data as the measurement position 52 in the inspection information storage device 5 in association with the inspection item 51 and the wafer.

検査支援装置4は、検査項目51に対応するウェハ上の検査位置56を決定する検査位置決定処理を実行するものである。検査支援装置4は、基板モデル生成部41、代表モデル生成部42、検査位置決定部43として機能する。また、検査支援装置4は、検査位置決定処理において、計測装置2に計測位置52に基づいた計測を行うように指示を出すことができる。   The inspection support apparatus 4 executes an inspection position determination process for determining an inspection position 56 on the wafer corresponding to the inspection item 51. The inspection support apparatus 4 functions as a board model generation unit 41, a representative model generation unit 42, and an inspection position determination unit 43. Further, the inspection support apparatus 4 can instruct the measurement apparatus 2 to perform measurement based on the measurement position 52 in the inspection position determination process.

基板モデル生成部41は、検査項目51ごとに、検査情報記憶装置5からウェハ単位に計測データ53を取得し、計測データ53に基づいて、当該ウェハにおける基板モデル54を生成し、基板モデル54を検査情報記憶装置5へ格納する。   For each inspection item 51, the substrate model generation unit 41 acquires measurement data 53 for each wafer from the inspection information storage device 5, generates a substrate model 54 for the wafer based on the measurement data 53, and generates the substrate model 54. Store in the inspection information storage device 5.

代表モデル生成部42は、検査情報記憶装置5から検査項目51における全ての基板モデル54を取得し、取得した基板モデル54に基づいて、検査項目51に対応する代表モデル55を生成し、代表モデル55を検査情報記憶装置5へ格納する。   The representative model generation unit 42 acquires all the board models 54 in the inspection item 51 from the inspection information storage device 5, generates a representative model 55 corresponding to the inspection item 51 based on the acquired board model 54, and represents the representative model. 55 is stored in the examination information storage device 5.

検査位置決定部43は、計測位置52において代表モデル55により補間される補間データの内、代表モデル55を生成することができる補間データに対応する計測位置52を検査項目51に対応する検査位置56として検査情報記憶装置5へ格納する。尚、検査位置決定部43は、所定の検査候補位置である計測位置52の計測データ53及び代表モデル55により補間される補間データの少なくともいずれかを用いて、代表モデル55を生成することができるデータに対応する検査位置56を決定してもよい。つまり、検査位置決定部43は、計測データ53を用いなくてもよい。その場合、検査位置56は、計測位置52以外の位置に決定されても構わない。   The inspection position determination unit 43 sets the measurement position 52 corresponding to the interpolation data that can generate the representative model 55 among the interpolation data interpolated by the representative model 55 at the measurement position 52 to the inspection position 56 corresponding to the inspection item 51. Is stored in the inspection information storage device 5. The inspection position determination unit 43 can generate the representative model 55 using at least one of the measurement data 53 of the measurement position 52 that is a predetermined inspection candidate position and the interpolation data interpolated by the representative model 55. The inspection position 56 corresponding to the data may be determined. That is, the inspection position determination unit 43 may not use the measurement data 53. In that case, the inspection position 56 may be determined at a position other than the measurement position 52.

これにより、ある検査項目において、複数の基板からの計測データの傾向を加味した代表モデルとして絞り込むことができ、代表モデルを用いて当該検査項目における計測データの特性に応じた信頼性を維持しつつ冗長性を削減する検査位置を決定できる。そのため、当該検査項目ごとに有効な計測データを取得することができ、異常時の追跡調査の効率が向上する。   Thereby, in a certain inspection item, it can be narrowed down as a representative model taking into account the tendency of measurement data from a plurality of substrates, while maintaining the reliability according to the characteristics of the measurement data in the inspection item using the representative model The inspection position that reduces redundancy can be determined. Therefore, effective measurement data can be acquired for each inspection item, and the efficiency of follow-up investigation at the time of abnormality is improved.

特に、代表モデル生成部42は、計測位置52においてウェハにおける基板モデル54により補間された補間データと、当該ウェハと異なる他のウェハにおける当該計測位置52における補間データとの相関に基づき、当該ウェハをグループに分類し、当該グループにおけるデータモデルを代表モデル55として生成する。   In particular, the representative model generation unit 42 selects the wafer based on the correlation between the interpolation data interpolated by the substrate model 54 in the wafer at the measurement position 52 and the interpolation data at the measurement position 52 in another wafer different from the wafer. The data model in the group is generated as a representative model 55.

これにより、より相関の高い基板モデル同士をひとつのグループとすることができ、グループごとに代表モデルを生成することで、一つの検査項目において複数のデータモデルがある場合であっても、適切な代表モデルを生成することができる。   As a result, the substrate models with higher correlation can be made into one group, and by generating a representative model for each group, even if there are multiple data models in one inspection item, it is appropriate. A representative model can be generated.

また、検査位置決定部43は、代表モデル生成部42において、ある検査項目51における代表モデル55が複数生成された場合に、複数の代表モデル55のそれぞれにより補間された補間データが代表モデル55を生成することができる補間データである場合に、当該補間データに対応する計測位置52を検査位置56として検査情報記憶装置5へ格納する。   In addition, when the representative model generation unit 42 generates a plurality of representative models 55 for a certain inspection item 51, the inspection position determination unit 43 determines that the interpolation data interpolated by each of the plurality of representative models 55 represents the representative model 55. When the interpolation data can be generated, the measurement position 52 corresponding to the interpolation data is stored in the inspection information storage device 5 as the inspection position 56.

これにより、一つの検査項目において複数のデータモデルがある場合であっても、それぞれのデータモデルを加味して適切な検査位置を絞り込むことができる。そのため、当該検査項目における測定データの信頼性が向上する。   Thereby, even when there are a plurality of data models in one inspection item, it is possible to narrow down an appropriate inspection position in consideration of each data model. Therefore, the reliability of the measurement data in the inspection item is improved.

さらに、検査位置決定部43は、代表モデル55を生成することができる補間データの内、最も少ない補間データに対応する計測位置52を検査位置56として検査情報記憶装置5へ格納する。これにより、必要最小限の検査位置を決定することができ、計測データの保存量を削減することができる。   Further, the inspection position determination unit 43 stores the measurement position 52 corresponding to the smallest interpolation data among the interpolation data that can generate the representative model 55 as the inspection position 56 in the inspection information storage device 5. Thereby, the minimum necessary inspection position can be determined, and the storage amount of measurement data can be reduced.

また、計測装置2は、デバイス製造過程において、検査支援装置4により決定された検査位置56における計測を行い、検査情報記憶装置5へ計測データ53を格納する。   Further, the measuring device 2 performs measurement at the inspection position 56 determined by the inspection support device 4 in the device manufacturing process, and stores the measurement data 53 in the inspection information storage device 5.

検査装置3は、製造ライン1におけるデバイス製造工程の最後に、全てのウェハ上のすべての半導体素子について検査を行う。検査装置3は、検査において異常と判定した半導体素子がある場合、検査支援装置4へ通知することで、検査支援装置4における基板モデル生成部41を起動させる。そして、検査支援装置4は、当該異常と判定した半導体素子を含むウェハに関する基板モデル54を生成する。これにより、ウェハ上の検査位置56以外の任意位置における値を補間することができるため、補間データを提供することで、異常の原因の調査を支援することができる。   The inspection apparatus 3 inspects all semiconductor elements on all wafers at the end of the device manufacturing process in the manufacturing line 1. When there is a semiconductor element determined to be abnormal in the inspection, the inspection apparatus 3 notifies the inspection support apparatus 4 to activate the substrate model generation unit 41 in the inspection support apparatus 4. Then, the inspection support apparatus 4 generates a substrate model 54 relating to the wafer including the semiconductor element determined to be abnormal. As a result, the value at an arbitrary position other than the inspection position 56 on the wafer can be interpolated, and therefore the investigation of the cause of the abnormality can be supported by providing the interpolation data.

図2は、本発明の実施の形態1にかかる検査支援装置4の構成を示すブロック図である。検査支援装置4は、汎用的なコンピュータシステムであり、CPU(Central Processing Unit)411と、RAM(Random Access Memory)412と、ROM(Read Only Memory)413と、通信部414と、ハードディスク420とを備える。また、ハードディスク420は、不揮発性記憶装置であり、OS(Operating System)421及び検査位置決定処理を行うための検査位置決定プログラム422が格納されている。CPU411は、検査支援装置4における各種処理、すなわち、各種プログラムの処理、RAM412、ROM413、通信部414及びハードディスク420へのアクセス等を制御する。通信部414は、通信回線6を介して、検査情報記憶装置5へアクセスし、検査項目51、計測位置52、計測データ53、基板モデル54、代表モデル55及び検査位置56を含む各種データの送受信等の通信を行う。   FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of the examination support apparatus 4 according to the first embodiment of the present invention. The inspection support apparatus 4 is a general-purpose computer system, and includes a CPU (Central Processing Unit) 411, a RAM (Random Access Memory) 412, a ROM (Read Only Memory) 413, a communication unit 414, and a hard disk 420. Prepare. The hard disk 420 is a non-volatile storage device, and stores an OS (Operating System) 421 and an inspection position determination program 422 for performing inspection position determination processing. The CPU 411 controls various processes in the inspection support apparatus 4, that is, processes of various programs, access to the RAM 412, ROM 413, the communication unit 414, and the hard disk 420. The communication unit 414 accesses the inspection information storage device 5 through the communication line 6, and transmits and receives various data including the inspection item 51, measurement position 52, measurement data 53, substrate model 54, representative model 55, and inspection position 56. And so on.

検査支援装置4は、CPU411が、RAM412、ROM413、又はハードディスク420に格納されたOS421及び検査位置決定プログラム422を読み込み、実行する。これにより、検査支援装置4は、検査位置決定処理を実行することができる。   In the inspection support apparatus 4, the CPU 411 reads and executes the OS 421 and the inspection position determination program 422 stored in the RAM 412, the ROM 413, or the hard disk 420. Thereby, the test | inspection assistance apparatus 4 can perform a test | inspection position determination process.

続いて、本発明の実施の形態1にかかる検査位置決定処理を図3のフローチャート図で示す。尚、以降の説明において、曲面モデルを同定する処理については、上述した基板モデル及び代表モデルであるデータモデルを生成する処理を指すものとする。また、本発明の実施の形態においては、曲面モデルを同定するものとして説明するが、同様の方法を曲線モデルの同定に適用できることはいうまでもない。   Subsequently, an inspection position determination process according to the first embodiment of the present invention is shown in a flowchart of FIG. In the following description, the process of identifying a curved surface model refers to the process of generating the above-described substrate model and a data model that is a representative model. In the embodiment of the present invention, the curved surface model is identified. However, it goes without saying that the same method can be applied to the identification of the curved model.

ここでは、発明の効果をより明確にするため、シミュレーションデータに対して検査位置決定処理を適用した例について説明する。検査情報記憶装置5には、検査項目51及び計測位置52が初期値として格納されているものとする。図4は、計測位置52の例を示す図である。尚、図4では、計測位置52を21箇所としているが、これに限定されず、例えば、全ての半導体素子の箇所を計測位置52としてもよい。   Here, in order to clarify the effect of the invention, an example in which the inspection position determination process is applied to simulation data will be described. It is assumed that the inspection item 51 and the measurement position 52 are stored in the inspection information storage device 5 as initial values. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of the measurement position 52. In FIG. 4, the measurement positions 52 are 21 positions. However, the present invention is not limited to this. For example, all the semiconductor element positions may be the measurement positions 52.

また、製造ライン1の任意の製造装置において、検査位置決定のために複数のウェハが製造済みであるものとする。尚、以下の例では、ウェハ数を40枚としているが、これに限定されず、少なくとも2枚以上であればよい。複数のウェハから検査位置を決定することで、検査項目における特性に加味した計測データを取得でき、検査の信頼性を向上することができる。   Further, it is assumed that a plurality of wafers have already been manufactured in order to determine the inspection position in an arbitrary manufacturing apparatus of the manufacturing line 1. In the following example, the number of wafers is 40. However, the number of wafers is not limited to this, and it may be at least 2 or more. By determining the inspection position from a plurality of wafers, it is possible to acquire measurement data that takes into account the characteristics of the inspection items, and improve the reliability of the inspection.

まず、検査支援装置4は、計測装置2によりウェハ上の所定の計測位置52において検査項目51に関する計測を行う(S101)。具体的には、検査支援装置4は、検査情報記憶装置5から検査項目51及び計測位置52を取得し、計測装置2に対して、検査項目51及び計測位置52に基づいた計測を行うように指示をする。そして、計測装置2は、検査項目51に基づいて、上述したウェハにおける図4に示した位置について計測を行い、計測データ53を検査情報記憶装置5へ格納する。ここでは、例として、図5に示すような計測データが計測されたものとする。   First, the inspection support apparatus 4 performs measurement related to the inspection item 51 at a predetermined measurement position 52 on the wafer by the measurement apparatus 2 (S101). Specifically, the examination support apparatus 4 acquires the examination item 51 and the measurement position 52 from the examination information storage device 5 and performs measurement based on the examination item 51 and the measurement position 52 with respect to the measurement apparatus 2. Give instructions. Then, the measuring device 2 performs measurement on the position shown in FIG. 4 on the wafer described above based on the inspection item 51 and stores the measurement data 53 in the inspection information storage device 5. Here, as an example, it is assumed that measurement data as shown in FIG. 5 is measured.

次に、検査支援装置4は、ウェハ毎に基板モデル54を同定する(S102)。具体的には、検査支援装置4の基板モデル生成部41は、検査情報記憶装置5から検査項目51に関連付けられた計測データ53を取得し、ウェハ毎に非特許文献1に示すような薄板スプラインを用いて曲面モデルを同定する。尚、曲面モデルを同定する方法は、薄板スプラインに限定されない。ここでは、例として図6に、4枚のウェハにおける曲面モデルを等高線で示す。   Next, the inspection support apparatus 4 identifies the substrate model 54 for each wafer (S102). Specifically, the board model generation unit 41 of the inspection support apparatus 4 acquires the measurement data 53 associated with the inspection item 51 from the inspection information storage device 5 and thin plate splines as shown in Non-Patent Document 1 for each wafer. Is used to identify a curved surface model. The method for identifying the curved surface model is not limited to the thin plate spline. Here, as an example, a curved surface model of four wafers is shown by contour lines in FIG.

続いて、検査支援装置4は、複数の基板モデル54をパターンに応じてグループに分類する(S103)。具体的には、検査支援装置4の代表モデル生成部42は、検査情報記憶装置5から基板モデル54を取得し、基板モデル54による計測位置52における補間データを算出する。そして、代表モデル生成部42は、あるウェハにおける補間データと、他のウェハにおける補間データとの相関に基づいて、ウェハをグループに分類する。ここで、代表モデル生成部42は、計測データ53及び各基板の基板モデル54により補間された補間データの少なくとも一部を選択し、各基板間における当該選択したデータを所定の分析を行うことにより当該基板をグループに分類し、当該グループ毎に代表モデル55を生成するようにするとよい。尚、所定の分析とは、例えば、クラスター分析、CART又はk−meanアルゴリズム等であればよい。   Subsequently, the inspection support apparatus 4 classifies the plurality of substrate models 54 into groups according to the patterns (S103). Specifically, the representative model generation unit 42 of the inspection support apparatus 4 acquires the substrate model 54 from the inspection information storage device 5 and calculates interpolation data at the measurement position 52 by the substrate model 54. Then, the representative model generation unit 42 classifies the wafers into groups based on the correlation between the interpolation data for a certain wafer and the interpolation data for another wafer. Here, the representative model generation unit 42 selects at least part of the interpolation data interpolated by the measurement data 53 and the board model 54 of each board, and performs a predetermined analysis on the selected data between the boards. The substrates may be classified into groups, and a representative model 55 may be generated for each group. The predetermined analysis may be, for example, cluster analysis, CART or k-mean algorithm.

図7は、検査項目51における複数の基板モデルをクラスター分析により分類した例を示す図である。ここでは、基板モデル54が分類の閾値により、40枚のウェハがパターン1及びパターン2という2つのグループにそれぞれ20枚ずつ分類されている。尚、本発明の実施の形態において、基板モデル54が分類されるグループは、少なくとも1つ以上であればよい。   FIG. 7 is a diagram illustrating an example in which a plurality of substrate models in the inspection item 51 are classified by cluster analysis. Here, according to the threshold value of the classification of the substrate model 54, the 40 wafers are classified into two groups of pattern 1 and pattern 2, respectively. In the embodiment of the present invention, the substrate model 54 may be classified into at least one group.

そして、検査支援装置4は、分類されたグループごとに代表モデル55を同定する(S104)。例えば、検査支援装置4の代表モデル生成部42は、まず、パターン1に属するウェハの計測データ53を計測位置52ごとに平均する。そして、代表モデル生成部42は、薄板スプラインを用いて当該平均されたデータから曲面モデルを同定する。図8は、パターン1における代表モデルの例を示す図である。同様に、代表モデル生成部42は、パターン2に対しても曲面モデルを同定する。また、図9は、パターン2における代表モデルの例を示す図である。尚、代表モデル生成部42は、分類される際に選択したデータをグループ毎に所定の演算処理を行い、当該演算処理後のデータを用いて代表モデルを生成するようにするとよい。ここで、所定の演算処理は、平均に限定されず、中央値、中間値、最小のみ、最大のみ等でも構わない。   And the test | inspection assistance apparatus 4 identifies the representative model 55 for every classified group (S104). For example, the representative model generation unit 42 of the inspection support apparatus 4 first averages the measurement data 53 of the wafers belonging to the pattern 1 for each measurement position 52. Then, the representative model generation unit 42 identifies a curved surface model from the averaged data using a thin plate spline. FIG. 8 is a diagram illustrating an example of a representative model in the pattern 1. Similarly, the representative model generation unit 42 identifies a curved surface model for the pattern 2. FIG. 9 is a diagram illustrating an example of a representative model in the pattern 2. The representative model generation unit 42 may perform a predetermined calculation process for each group on the data selected at the time of classification, and generate a representative model using the data after the calculation process. Here, the predetermined calculation process is not limited to the average, and may be a median, an intermediate value, only a minimum, only a maximum, or the like.

その後、検査支援装置4は、全ての代表モデル55の再現に必要な検査位置56を定める(S105)。具体的には、まず、検査支援装置4の検査位置決定部43は、計測位置52の中から少なくとも一部を選択する。次に、検査位置決定部43は、代表モデル55により補間された計測位置52における補間データの内、当該選択された計測位置に対応する補間データに基づいたデータモデルである再現モデルを生成する。そして、検査位置決定部43は、当該再現モデルが前記代表モデルと近似している場合に、当該選択された計測位置を検査位置56として検査情報記憶装置5へ格納する。これにより、代表モデルを再現するために必要な検査位置を絞り込むことができる。   Thereafter, the inspection support apparatus 4 determines inspection positions 56 necessary for reproducing all the representative models 55 (S105). Specifically, first, the inspection position determination unit 43 of the inspection support apparatus 4 selects at least a part of the measurement positions 52. Next, the inspection position determination unit 43 generates a reproduction model that is a data model based on the interpolation data corresponding to the selected measurement position among the interpolation data at the measurement position 52 interpolated by the representative model 55. Then, the inspection position determination unit 43 stores the selected measurement position as the inspection position 56 in the inspection information storage device 5 when the reproduction model approximates the representative model. Thereby, it is possible to narrow down the inspection positions necessary for reproducing the representative model.

さらに、検査位置決定部43は、当該再現モデルが前記代表モデルと近似している場合に、計測位置52の一部をさらに減らして再現モデルを同定することを繰り返すことで、最も少ない補間データを特定すると良い。これにより、検査支援装置4は、全ての代表モデル55の再現に必要最小限な検査位置56を定めることができる。   Furthermore, when the reproduction model approximates the representative model, the inspection position determination unit 43 repeats identifying a reproduction model by further reducing a part of the measurement position 52, thereby obtaining the least amount of interpolation data. It is good to specify. Thereby, the inspection support apparatus 4 can determine the minimum inspection position 56 necessary for reproducing all the representative models 55.

例えば、まず、検査位置決定部43は、21箇所の計測位置52の内、1箇所を除いた20箇所を選択する。次に、検査位置決定部43は、当該20箇所に対応する計測データ53に基づき、再現モデルを同定する。そして、ステップS104においてパターン1についての平均されたデータと、当該再現モデルにより計測位置52である21箇所において補間された補間データとの絶対誤差を算出する。検査位置決定部43は、このような絶対誤差を、21箇所の計測位置52の内、他の1箇所を除いたものからも算出し、最も絶対誤差の小さいものについて、当該絶対誤差が所定の閾値を超えるか否かを判定する。所定の閾値を超えない場合、当該1箇所を除いた20箇所からさらに1箇所を除いて、同様に、絶対誤差を算出し、所定の閾値を超えるまで実施する。そして、検査位置決定部43は、所定の閾値を超える直前の計測位置について、検査位置56と決定する。   For example, first, the inspection position determination unit 43 selects 20 positions from among 21 measurement positions 52 excluding one place. Next, the inspection position determination unit 43 identifies a reproduction model based on the measurement data 53 corresponding to the 20 locations. Then, in step S104, an absolute error between the averaged data for the pattern 1 and the interpolation data interpolated at 21 positions that are the measurement positions 52 by the reproduction model is calculated. The inspection position determination unit 43 also calculates such an absolute error from the measurement positions 52 excluding the other one of the 21 measurement positions 52, and for the smallest absolute error, the absolute error is a predetermined value. It is determined whether or not the threshold value is exceeded. If the predetermined threshold is not exceeded, the absolute error is calculated in the same manner except for one place from the 20 places except for the one place, and the process is performed until the predetermined threshold is exceeded. Then, the inspection position determination unit 43 determines the measurement position immediately before exceeding the predetermined threshold as the inspection position 56.

尚、検査位置決定部43は、計測データ53及び代表モデル55により補間された補間データの少なくとも一部を選択し、当該選択したデータに基づいてデータモデルである再現モデルを生成し、当該再現モデルが代表モデル55と近似している場合に、選択されたデータに対応する検査位置を検査位置56として決定するようにするとよい。ここで、上述した近似は、絶対誤差が所定の閾値以内である場合に限定されず、相対誤差等を用いても構わない。   The inspection position determination unit 43 selects at least part of the interpolation data interpolated by the measurement data 53 and the representative model 55, generates a reproduction model that is a data model based on the selected data, and generates the reproduction model. Is approximate to the representative model 55, the inspection position corresponding to the selected data may be determined as the inspection position 56. Here, the approximation described above is not limited to the case where the absolute error is within a predetermined threshold, and a relative error or the like may be used.

また、検査位置の検査位置数を初めに決定し、この検査位置数における任意の組合せの中から、絶対誤差等が最小となるように検査位置を決定してもよい。   Alternatively, the number of inspection positions of the inspection position may be determined first, and the inspection position may be determined so as to minimize the absolute error or the like from any combination of the number of inspection positions.

尚、このような曲面モデルの再現に必要な箇所を絞り込むことは、例えば、特許文献2に開示されたデータの間引き方法を採用しても構わない。   In order to narrow down the portions necessary for reproducing such a curved surface model, for example, a data thinning method disclosed in Patent Document 2 may be employed.

また、ステップS104において、複数の代表モデル55が生成された場合、例えば、パターン1及びパターン2の2つの曲面モデルが同定された場合、検査位置決定部43は、それぞれのパターンから絶対誤差を算出し、合算した絶対誤差が最も小さいものを採用すればよい。つまり、検査位置決定部43は、複数の代表モデル55のそれぞれにより補間された補間データが、それぞれの代表モデルを生成することができる補間データである場合に、当該補間データに対応する計測位置を検査位置56として決定する。   When a plurality of representative models 55 are generated in step S104, for example, when two curved models of pattern 1 and pattern 2 are identified, the inspection position determination unit 43 calculates an absolute error from each pattern. However, it is only necessary to adopt the one having the smallest absolute error. That is, when the interpolation data interpolated by each of the plurality of representative models 55 is interpolation data that can generate each representative model, the inspection position determination unit 43 determines the measurement position corresponding to the interpolation data. The inspection position 56 is determined.

本発明の実施の形態1にかかる例では、上述した絶対誤差の閾値を0.01とし、パターン1及びパターン2における代表モデル55の再現に必要な計測位置を21箇所から14箇所へ絞り込むことができた。図10は、パターン1における代表モデルを生成することができる検査位置の例を示す図である。図11は、パターン2における代表モデルを生成することができる検査位置の例を示す図である。図12は、本発明の実施の形態1にかかる検査位置決定処理により決定された検査位置の例を示す図である。   In the example according to the first embodiment of the present invention, the above-described absolute error threshold is set to 0.01, and the measurement positions necessary for reproducing the representative model 55 in the pattern 1 and the pattern 2 can be narrowed down from 21 to 14 locations. did it. FIG. 10 is a diagram illustrating an example of inspection positions where a representative model in the pattern 1 can be generated. FIG. 11 is a diagram illustrating an example of inspection positions where a representative model in the pattern 2 can be generated. FIG. 12 is a diagram illustrating an example of the inspection position determined by the inspection position determination process according to the first embodiment of the present invention.

このように、本発明の実施の形態1により、複数のデバイスを基板単位で製造するデバイス製造工程において、検査項目における計測データの特性に応じて、信頼性を維持しつつ冗長性を削減する検査位置を決定できる。   As described above, according to the first embodiment of the present invention, in the device manufacturing process for manufacturing a plurality of devices in units of substrates, the inspection reduces the redundancy while maintaining the reliability according to the characteristics of the measurement data in the inspection item. The position can be determined.

尚、ステップS103において、分類の閾値は任意に変更可能とすると良い。分類の閾値を下げることにより、分類されるグループが相対的に増えるが、個々のグループについては、相関の高い基板モデル54が属することとなり、代表モデル55の精度が高まる。また、分類の閾値を上げることにより、分類されるグループが相対的に減るが、代表モデル55が少なくなることにより、ステップS105における処理負荷が下がり、検査位置決定処理自体の効率が高まる。   In step S103, the classification threshold may be arbitrarily changed. By lowering the classification threshold, the number of groups to be classified relatively increases. However, the substrate model 54 having a high correlation belongs to each group, and the accuracy of the representative model 55 is increased. Further, by increasing the classification threshold, the number of groups to be classified is relatively reduced, but by reducing the representative model 55, the processing load in step S105 is reduced, and the efficiency of the inspection position determination process itself is increased.

続いて、検査位置決定処理により決定された検査位置56を用いた検査処理について説明する。図13は、本発明の実施の形態1にかかる検査処理を示すフローチャート図である。まず、計測装置2は、デバイス製造過程において、ステップS105により決定された検査位置56における計測を行う(S201)。そして、計測装置2は、検査項目51に基づいて、製造されたウェハにおける検査位置56について計測を行い、計測データ53を検査情報記憶装置5へ格納する。このとき、計測装置2は、ステップS101と同様に、検査支援装置4からの指示により実行されてもよい。但し、検査支援装置4から指示されるのは、検査位置56となる。   Next, an inspection process using the inspection position 56 determined by the inspection position determination process will be described. FIG. 13 is a flowchart showing the inspection process according to the first embodiment of the present invention. First, the measuring device 2 performs measurement at the inspection position 56 determined in step S105 in the device manufacturing process (S201). Then, the measuring device 2 measures the inspection position 56 on the manufactured wafer based on the inspection item 51 and stores the measurement data 53 in the inspection information storage device 5. At this time, the measurement apparatus 2 may be executed by an instruction from the inspection support apparatus 4 as in step S101. However, the inspection support device 4 instructs the inspection position 56.

次に、検査支援装置4は、ステップS102と同様に、ウェハ毎に基板モデル54を同定する(S202)。これにより、検査項目ごとの検査位置に応じた有効な計測データを取得することができ、異常時の追跡調査の効率が向上する。   Next, the inspection support apparatus 4 identifies the substrate model 54 for each wafer as in step S102 (S202). Thereby, effective measurement data according to the inspection position for each inspection item can be acquired, and the efficiency of the follow-up investigation at the time of abnormality is improved.

尚、ステップS201は、ウェハが製造されるたびに実行することで、より正確な計測を行うことができる。また、ステップS202は、検査装置3による検査において、異常と判定された半導体素子がある場合に、当該半導体素子を含むウェハのみに実行してもよい。   Note that step S201 can be performed more accurately by executing it every time a wafer is manufactured. Further, when there is a semiconductor element determined to be abnormal in the inspection by the inspection apparatus 3, step S202 may be executed only on the wafer including the semiconductor element.

尚、半導体の製造工程においては、各製造工程で用いられる製造装置は、精密に再現性を得られることを目標に設計されたものである。そのため、当該製造工程において測定されたデータ群から導き出されるデータモデルについても特定の1つ以上の限られたパターンが再現するものと言える。したがって、各製造工程において、導き出されるデータパモデルは、限られたものに分類し、各パターンについての計測位置を絞り込む際に、他のパターンにおけるデータモデルとの関係を加味することで、全パターンに応じた検査位置を絞り込むことができる。   In the semiconductor manufacturing process, the manufacturing apparatus used in each manufacturing process is designed with the goal of obtaining precise reproducibility. Therefore, it can be said that one or more specific limited patterns are reproduced also for the data model derived from the data group measured in the manufacturing process. Therefore, in each manufacturing process, the derived data path model is classified into a limited one, and when narrowing down the measurement position for each pattern, the relationship with the data model in other patterns is taken into account. It is possible to narrow down the inspection position according to.

<その他の発明の実施の形態>
尚、本発明の実施の形態は、複数の製造工程における複数の検査項目に対して適用することで、検査項目又は製造工程における計測データの特性に応じた信頼性を維持しつつ冗長性を削減する検査位置を決定できる。
<Other embodiments of the invention>
The embodiment of the present invention is applied to a plurality of inspection items in a plurality of manufacturing processes, thereby reducing redundancy while maintaining reliability according to the characteristics of measurement data in the inspection items or manufacturing processes. The inspection position to be determined can be determined.

また、代表モデル生成部42は、計測位置52における計測データ53から予め定められた異常値を除外して前記基板モデルを生成すると良い。これにより、基板モデル、代表モデルの生成の精度が向上し、適切な検査位置を決定することができる。そのため、測定データの信頼性をより向上することができる。   The representative model generation unit 42 may generate the substrate model by excluding predetermined abnormal values from the measurement data 53 at the measurement position 52. Thereby, the generation accuracy of the substrate model and the representative model is improved, and an appropriate inspection position can be determined. Therefore, the reliability of measurement data can be further improved.

尚、曲面モデルの同定処理に薄板スプラインを用いる場合には、例えば、非特許文献1に開示されるGCV(Generalized Cross Validation)アルゴリズムなどを用いて、大きな誤差の生じる計測データ53が計測された計測位置52を特定することができる。尚、異常値除去手法は、GCVアルゴリズムに限定されない。   When a thin plate spline is used for the identification process of the curved surface model, for example, measurement data 53 that causes a large error is measured using a GCV (Generalized Cross Validation) algorithm disclosed in Non-Patent Document 1. The position 52 can be specified. Note that the abnormal value removal method is not limited to the GCV algorithm.

また、検査位置決定部43は、グループに分類されたウェハの数の比率に基づいた合算比率により、ステップS105におけるパターン毎の絶対誤差を算出し、検査位置56を決定し、検査情報記憶装置5へ格納すると良い。これにより、検査項目におけるデータモデルの傾向の比率を加味した適切な検査位置を決定することができ、測定データの信頼性をより向上することができる。   Further, the inspection position determination unit 43 calculates the absolute error for each pattern in step S105 based on the sum ratio based on the ratio of the number of wafers classified into groups, determines the inspection position 56, and the inspection information storage device 5 It is good to store in. Thereby, it is possible to determine an appropriate inspection position in consideration of the ratio of the data model tendency in the inspection item, and it is possible to further improve the reliability of the measurement data.

さらに、本発明は上述した実施の形態のみに限定されるものではなく、既に述べた本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることは勿論である。   Furthermore, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist of the present invention described above.

本発明の実施の形態1にかかる検査情報管理システムの構成の一例を示すブロック図である。It is a block diagram which shows an example of a structure of the test | inspection information management system concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる検査支援装置の構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the test | inspection assistance apparatus concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる検査位置決定処理を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows the test | inspection position determination process concerning Embodiment 1 of this invention. 計測位置の例を示す図である。It is a figure which shows the example of a measurement position. 計測データの例を示す図である。It is a figure which shows the example of measurement data. 基板モデルの例を示す図である。It is a figure which shows the example of a board | substrate model. 基板モデルの分類の例を示す図である。It is a figure which shows the example of a classification | category of a board | substrate model. 代表モデルの例を示す図である。It is a figure which shows the example of a representative model. 代表モデルの例を示す図である。It is a figure which shows the example of a representative model. 代表モデルを生成することができる検査位置の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the test | inspection position which can produce | generate a representative model. 代表モデルを生成することができる検査位置の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the test | inspection position which can produce | generate a representative model. 本発明の実施の形態1にかかる検査位置決定処理により決定された検査位置の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the test | inspection position determined by the test | inspection position determination process concerning Embodiment 1 of this invention. 本発明の実施の形態1にかかる検査処理を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows the test | inspection process concerning Embodiment 1 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

100 検査情報管理システム
1 製造ライン
1a 製造装置
1b 製造装置
1n 製造装置
2 計測装置
3 検査装置
4 検査支援装置
41 基板モデル生成部
42 代表モデル生成部
43 検査位置決定部
5 検査情報記憶装置
51 検査項目
52 計測位置
53 計測データ
54 基板モデル
55 代表モデル
56 検査位置
6 通信回線
411 CPU
412 RAM
413 ROM
414 通信部
420 ハードディスク
421 OS
422 検査位置決定プログラム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Inspection information management system 1 Manufacturing line 1a Manufacturing apparatus 1b Manufacturing apparatus 1n Manufacturing apparatus 2 Measuring apparatus 3 Inspection apparatus 4 Inspection support apparatus 41 Board | substrate model generation part 42 Representative model generation part 43 Inspection position determination part 5 Inspection information storage apparatus 51 Inspection item 52 Measurement position 53 Measurement data 54 Substrate model 55 Representative model 56 Inspection position 6 Communication line 411 CPU
412 RAM
413 ROM
414 Communication unit 420 Hard disk 421 OS
422 Inspection position determination program

Claims (15)

デバイスを基板単位で製造する過程で行われる検査工程において、検査項目に対応する基板上の検査位置を決定する検査位置決定方法であって、
前記基板上の所定の検査候補位置における計測データに基づいて、当該基板上の任意の位置におけるデータを補間するためのデータモデルである基板モデルを前記基板毎に生成する基板モデル生成ステップと、
複数の前記基板モデルに基づいて、前記検査項目に対応する前記データモデルである代表モデルを生成する代表モデル生成ステップと、
前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記代表モデルにより補間される補間データの少なくともいずれかを用いて、前記代表モデルを生成することができるデータに対応する検査位置を決定する検査位置決定ステップと、
を備える検査位置決定方法。
An inspection position determination method for determining an inspection position on a substrate corresponding to an inspection item in an inspection process performed in a process of manufacturing a device in units of substrates,
A board model generation step for generating, for each board, a board model that is a data model for interpolating data at an arbitrary position on the board based on measurement data at a predetermined inspection candidate position on the board;
A representative model generation step of generating a representative model that is the data model corresponding to the inspection item based on a plurality of the substrate models;
An inspection position determining step for determining an inspection position corresponding to data capable of generating the representative model using at least one of the measurement data of the predetermined inspection candidate position and the interpolation data interpolated by the representative model; ,
An inspection position determination method comprising:
前記代表モデル生成ステップは、前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記各基板の基板モデルにより補間された補間データの少なくとも一部を選択し、各基板間における当該選択したデータを所定の分析を行うことにより当該基板をグループに分類し、当該グループ毎に代表モデルを生成する、ことを特徴とする請求項1に記載の検査位置決定方法。   The representative model generation step selects at least a part of the measurement data of the predetermined inspection candidate position and the interpolation data interpolated by the substrate model of each substrate, and performs a predetermined analysis on the selected data between the substrates. 2. The inspection position determination method according to claim 1, wherein the substrate is classified into groups by performing, and a representative model is generated for each group. 前記代表モデル生成ステップは、前記選択したデータを前記グループ毎に所定の演算処理を行い、当該演算処理後のデータを用いて代表モデルを生成する、ことを特徴とする請求項2に記載の検査位置決定方法。   The inspection according to claim 2, wherein the representative model generation step performs a predetermined calculation process for the selected data for each group, and generates a representative model using the data after the calculation process. Positioning method. 前記検査位置決定ステップは、
前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記代表モデルにより補間された補間データの少なくとも一部を選択し、当該選択したデータに基づいて前記データモデルである再現モデルを生成し、
当該再現モデルが前記代表モデルと近似している場合に、前記選択されたデータに対応する検査位置を検査位置として決定する、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の検査位置決定方法。
The inspection position determining step includes:
Select at least part of the measurement data of the predetermined inspection candidate position and interpolation data interpolated by the representative model, and generate a reproduction model that is the data model based on the selected data,
When the reproduction model approximates the representative model, the inspection position corresponding to the selected data is determined as the inspection position.
The inspection position determination method according to claim 1, wherein the inspection position is determined.
前記検査位置決定ステップは、前記グループ毎に決定した検査位置を含めて検査位置を決定する、
ことを特徴とする請求項2若しくは3又は請求項2若しくは3に従属する請求項4のいずれか1項に記載の検査位置決定方法。
The inspection position determination step determines an inspection position including an inspection position determined for each group.
The inspection position determination method according to any one of claims 2 and 3, or claim 4 subordinate to claim 2 or 3.
前記検査位置決定ステップは、前記代表モデル生成ステップにより前記グループに分類された基板の数の比率に基づいて、前記検査位置を決定する、ことを特徴とする請求項2若しくは3又は請求項2若しくは3に従属する請求項4のいずれか1項に記載の検査位置決定方法。   The inspection position determination step determines the inspection position based on a ratio of the number of substrates classified into the group by the representative model generation step. 5. The inspection position determination method according to claim 4, which is dependent on 3. 前記基板モデル生成ステップは、前記所定の計測位置における計測データから予め定められた異常値を除外して前記基板モデルを生成する、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の検査位置決定方法。   The said board | substrate model production | generation step excludes a predetermined abnormal value from the measurement data in the said predetermined measurement position, and produces | generates the said board | substrate model, The any one of Claim 1 thru | or 6 characterized by the above-mentioned. Inspection position determination method. デバイスを基板単位で製造する過程において、検査項目に関する情報を管理する検査情報管理システムであって、
前記検査項目毎に予め定められた前記基板上の所定の検査候補位置と、前記検査候補位置において計測された計測データと、を格納する検査情報記憶部と、
前記検査情報記憶部から前記基板単位に計測データを取得し、当該計測データに基づいて、当該基板上の任意の位置におけるデータを補間するためのデータモデルである基板モデルを生成し、当該基板モデルを前記検査情報記憶部へ格納する基板モデル生成部と、
前記検査情報記憶部から複数の前記基板モデルを取得し、当該複数の前記基板モデルに基づいて、前記検査項目に対応する前記データモデルである代表モデルを生成し、当該代表モデルを前記検査情報記憶部へ格納する代表モデル生成部と、
前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記代表モデルにより補間される補間データの少なくともいずれかを用いて、前記代表モデルを生成することができるデータに対応する検査位置を決定し、当該検査位置を前記検査情報記憶部へ格納する検査位置決定部とを備える、検査情報管理システム。
An inspection information management system that manages information related to inspection items in the process of manufacturing devices in units of substrates,
A test information storage unit for storing a predetermined test candidate position on the substrate predetermined for each test item, and measurement data measured at the test candidate position;
Measurement data is acquired for each substrate from the inspection information storage unit, and a substrate model that is a data model for interpolating data at an arbitrary position on the substrate is generated based on the measurement data, and the substrate model A board model generation unit for storing the inspection information storage unit,
Obtaining a plurality of the substrate models from the inspection information storage unit, generating a representative model that is the data model corresponding to the inspection item based on the plurality of substrate models, and storing the representative model in the inspection information storage Representative model generation unit to be stored in the unit,
Using at least one of measurement data of the predetermined inspection candidate position and interpolation data interpolated by the representative model, an inspection position corresponding to data that can generate the representative model is determined, and the inspection position is determined. An inspection information management system comprising: an inspection position determination unit that is stored in the inspection information storage unit.
前記代表モデル生成部は、前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記各基板の基板モデルにより補間された補間データの少なくとも一部を選択し、各基板間における当該選択したデータを所定の分析を行うことにより、当該基板をグループに分類し、当該グループにおける前記データモデルを前記代表モデルとして生成する、ことを特徴とする請求項8に記載の検査情報管理システム。   The representative model generation unit selects at least a part of the measurement data of the predetermined inspection candidate position and interpolation data interpolated by the substrate model of each substrate, and performs a predetermined analysis on the selected data between the substrates. 9. The inspection information management system according to claim 8, wherein the board is classified into a group by performing, and the data model in the group is generated as the representative model. 前記代表モデル生成部は、前記選択したデータを前記グループ毎に所定の演算処理を行い、当該演算処理後のデータを用いて代表モデルを生成する、ことを特徴とする請求項9に記載の検査情報管理システム。   The inspection according to claim 9, wherein the representative model generation unit performs a predetermined calculation process for the selected data for each group, and generates a representative model using the data after the calculation process. Information management system. 前記検査位置決定部は、
前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記代表モデルにより補間された補間データの少なくとも一部を選択し、当該選択したデータに基づいて前記データモデルである再現モデルを生成し、
当該再現モデルが前記代表モデルと近似している場合に、前記選択されたデータの検査候補位置を前記検査位置として前記検査情報記憶部へ格納する、
ことを特徴とする請求項8乃至10のいずれか1項に記載の検査情報管理システム。
The inspection position determination unit
Select at least part of the measurement data of the predetermined inspection candidate position and interpolation data interpolated by the representative model, and generate a reproduction model that is the data model based on the selected data,
If the reproduction model approximates the representative model, the inspection candidate position of the selected data is stored in the inspection information storage unit as the inspection position.
The inspection information management system according to any one of claims 8 to 10.
前記検査位置決定部は、前記グループ毎に決定した検査位置を含めて検査位置を決定する、ことを特徴とする請求項9若しくは10又は請求項9若しくは10に従属する請求項11のいずれか1項に記載の検査情報管理システム。   The inspection position determination unit determines an inspection position including an inspection position determined for each group, or any one of claims 11 and 11 dependent on claim 9 or 10. Inspection information management system described in the section. 前記検査位置情報決定部は、前記代表モデル生成ステップにより前記グループに分類された基板の数の比率に基づいて、前記検査位置情報を前記検査情報記憶部へ格納する、ことを特徴とする請求項9若しくは10又は請求項9若しくは10に従属する請求項11のいずれか1項に記載の検査情報管理システム。   The inspection position information determination unit stores the inspection position information in the inspection information storage unit based on a ratio of the number of substrates classified into the group by the representative model generation step. The inspection information management system according to claim 9, which is dependent on claim 9 or 10 or claim 9 or claim 10. 前記基板モデル生成部は、前記所定の計測位置情報における計測データから予め定められた異常値を除外して前記基板モデルを生成する、ことを特徴とする請求項8乃至13のいずれか1項に記載の検査情報管理システム。   The said board | substrate model production | generation part excludes a predetermined abnormal value from the measurement data in the said predetermined measurement position information, and produces | generates the said board | substrate model, The any one of Claim 8 thru | or 13 characterized by the above-mentioned. Inspection information management system described. デバイスを基板単位で製造する過程で行われる検査工程において、検査項目に対応する前記基板上の検査位置に基づく検査を行い、異常原因の調査を支援するための検支援方法であって、
前記基板上の所定の検査候補位置において前記検査項目に関する計測を行う事前計測ステップと、
前記事前計測ステップにより計測された計測データに基づいて、当該基板上の任意の位置におけるデータを補間するためのデータモデルである第1の基板モデルを前記基板毎に生成し、複数の前記第1の基板モデルに基づいて、前記検査項目に対応する前記データモデルである代表モデルを生成し、前記所定の検査候補位置の計測データ及び前記代表モデルにより補間される補間データの少なくともいずれかを用いて、前記代表モデルを生成することができるデータに対応する検査位置を決定する検査位置決定ステップと、
前記基板が製造されるたびに、前記検査位置決定ステップにより決定された検査位置において前記検査項目に関する計測を当該製造された基板について行う製造時計測ステップと、
前記製造時計測ステップにより計測された計測データに基づいて、前記製造された基板に含まれるデバイスに異常があるか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップにより異常と判定されたデバイスがある場合、前記製造時計測ステップにより計測された計測データに基づいて、当該異常と判定されたデバイスを含む基板に関する第2の基板モデルを生成するステップと、
前記異常原因の調査のために、前記第2の基板モデルにより補間される補間データを出力するステップと、
を備える検査支援方法。
In the inspection process performed in the process of manufacturing a device with the substrate unit, have lines for inspection based on inspection position on the substrate corresponding to the test item, a inspection support method for supporting research abnormality cause,
A pre-measuring step for measuring the inspection item at a predetermined inspection candidate position on the substrate;
Based on the measurement data measured in the preliminary measurement step, a first substrate model that is a data model for interpolating data at an arbitrary position on the substrate is generated for each substrate, and a plurality of the first models are generated . Based on one substrate model, a representative model that is the data model corresponding to the inspection item is generated, and at least one of measurement data of the predetermined inspection candidate position and interpolation data interpolated by the representative model is used. An inspection position determining step for determining an inspection position corresponding to data capable of generating the representative model;
Each time the substrate is being manufactured, the manufacturing time measuring step of performing measurements related to the inspection items have you at the test position determined by the inspection position determining step for the substrate that is the production,
A determination step for determining whether or not there is an abnormality in a device included in the manufactured substrate, based on the measurement data measured in the manufacturing measurement step;
When there is a device determined to be abnormal in the determination step , generating a second substrate model related to the substrate including the device determined to be abnormal based on the measurement data measured in the measurement step during manufacture; ,
Outputting interpolated data interpolated by the second substrate model for investigating the cause of the abnormality;
An inspection support method comprising:
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