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JP5409236B2 - Wiring board - Google Patents
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JP5409236B2 - Wiring board - Google Patents

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JP5409236B2 JP2009221924A JP2009221924A JP5409236B2 JP 5409236 B2 JP5409236 B2 JP 5409236B2 JP 2009221924 A JP2009221924 A JP 2009221924A JP 2009221924 A JP2009221924 A JP 2009221924A JP 5409236 B2 JP5409236 B2 JP 5409236B2
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Description

本発明は、主面に電子部品の搭載部を有する絶縁基体の側面に溝が形成され、この溝に導体層が被着された配線基板に関するものであり、特に導電性接続材を介した導体層の外部電気回路に対する接続信頼性の高い配線基板に関するものである。   The present invention relates to a wiring board in which a groove is formed on a side surface of an insulating substrate having an electronic component mounting portion on a main surface, and a conductor layer is attached to the groove, and in particular, a conductor through a conductive connecting material. The present invention relates to a wiring board having high connection reliability to an external electric circuit of a layer.

従来、半導体素子や水晶振動子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として一般的なものは、直方体状等の絶縁基体の主面(通常は上面)に電子部品の搭載部を設け、この搭載部の近傍に、搭載された電子部品が電気的に接続される接続パッドを形成したものである。   Conventionally, as a general wiring board used for mounting electronic components such as semiconductor elements and crystal resonators, an electronic component mounting portion is provided on the main surface (usually the upper surface) of an insulating base such as a rectangular parallelepiped. In the vicinity of the mounting portion, a connection pad to which the mounted electronic component is electrically connected is formed.

この接続パッドから外部電気回路への電気的な接続には種々の構成が採用されるが、近年の小型化が進んだ配線基板においては、絶縁基体の側面に上下方向に溝(いわゆるキャスタレーション)が設けられ、この溝の表面(内面)に外部接続用の導体層が被着されて、その導体層を介して外部電気回路に接続される構成が採用されている。   Various configurations are employed for electrical connection from the connection pad to the external electric circuit. However, in a wiring board that has been downsized in recent years, a groove (so-called castellation) is formed vertically on the side surface of the insulating base. A structure is adopted in which a conductor layer for external connection is attached to the surface (inner surface) of the groove and connected to an external electric circuit via the conductor layer.

溝に被着された導体層は、例えば絶縁基体の内部に形成された配線導体等を介して、接続パッドと電気的に接続されている。そして、絶縁基体の主面の搭載部に電子部品を搭載するとともにその電極を接続パッドに電気的に接続し、側面の導体層をはんだ等の導電性接続材を介して外部電気回路に接続することによって、電子部品の電極と外部電気回路とが電気的に接続される。   The conductor layer deposited in the groove is electrically connected to the connection pad via, for example, a wiring conductor formed inside the insulating base. Then, the electronic component is mounted on the mounting portion of the main surface of the insulating base, the electrode is electrically connected to the connection pad, and the conductive layer on the side surface is connected to the external electric circuit via a conductive connecting material such as solder. Thus, the electrode of the electronic component and the external electric circuit are electrically connected.

特開2003−152298号公報JP 2003-152298 A 実開平1−70293号公報Japanese Utility Model Publication No. 1-70293

しかしながら、従来の配線基板では、近年の小型化の要求に伴い、電気接続を行なうための側面の溝のサイズについても小型化・低背化が進み、溝に被着された導体層と外部電気回路との接続信頼性を高くすることが難しくなってきているという問題点があった。   However, with the recent demand for miniaturization of wiring boards, the size of the groove on the side surface for electrical connection has been reduced and the height has been reduced, and the conductor layer attached to the groove and the external electrical circuit have been reduced. There is a problem that it is difficult to increase the connection reliability with the circuit.

特に、近年の携帯電話に代表される携帯用途の電子機器では、落下したときの大きな衝撃によって配線基板の溝に被着された導体層と外部電気回路との接続部が外れるなどの不具合が発生しやすくなってきており、接続信頼性を高めることが重要になってきている。   In particular, in electronic devices for portable use typified by mobile phones in recent years, problems such as disconnection of the conductor layer attached to the groove of the wiring board and the external electric circuit due to a large impact when dropped are generated. It is becoming easier to do this, and it is important to improve connection reliability.

本発明はかかる従来の技術における問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、絶縁基体の側面に上下方向に形成された溝(キャスタレーション)に被着された導体層と外部電気回路とを良好にかつ高信頼性で接続して実装することが可能な配線基板を提供することにある。   The present invention has been devised in view of the problems in the prior art, and the object thereof is to provide a conductor layer and external electrical power deposited in a groove (castellation) formed in the vertical direction on the side surface of the insulating base. An object of the present invention is to provide a wiring board that can be mounted with good and reliable connection to a circuit.

本発明の配線基板は、主面に電子部品の搭載部を有し、外側面に上下方向に延びる溝を有する絶縁基体と、前記搭載部に形成された、電子部品が電気的に接続される接続パッドと、前記溝の内側面に被着された、前記接続パッドと電気的に接続された導体層とを備え、該導体層が外部電気回路に導電性接続材を介して接続される配線基板であって、前記溝に、該溝の幅方向の両端にわたる凹部が形成されており、該凹部に沿って前記導体層が被着されて前記導体層の表面の一部が凹状となっており、
前記溝の深さが、該溝の上端および下端から上下方向の中央部に向かって次第に深くなっており、この深さの差に応じて前記溝の前記凹部が形成されていることを特徴とするものである。
The wiring board of the present invention has an electronic component mounting portion on the main surface and an insulating base having a groove extending in the vertical direction on the outer surface, and the electronic component formed on the mounting portion is electrically connected. A wiring comprising a connection pad and a conductor layer attached to the inner surface of the groove and electrically connected to the connection pad, the conductor layer being connected to an external electric circuit via a conductive connection material The substrate has a recess formed in the groove across the width direction of the groove, and the conductor layer is deposited along the recess so that a part of the surface of the conductor layer is recessed. And
The depth of the groove is gradually deeper from the upper end and the lower end of the groove toward the center in the vertical direction, and the concave portion of the groove is formed according to the difference in depth. To do.

本発明の配線基板によれば、絶縁基体が外側面に有している上下方向に延びる溝に、この溝の幅方向の両端にわたる凹部が形成されており、この凹部に沿って導体層が被着されて導体層の表面の一部が凹状となっていることから、例えばソケット実装した際には、溝の幅方向の両端にわたる凹部に沿って被着された、表面が凹状となっている部分の導体層に対してソケットの導電性接続材としてのスプリング端子がはまることによって、導体層を強固に接合して確実に接続することができる。また、表面の一部が凹状となっている導体層を外部電気回路基板に対して導電性接続材として半田を介して接合した場合は、導体層の凹状となっている表面に沿って半田が濡れ広がることによって、この凹状の部分の導体層と半田との接合面積が広くなるので、導体層を強固に接合して確実に接続することができる。   According to the wiring board of the present invention, the recess extending across the widthwise direction of the groove is formed in the vertically extending groove of the insulating base on the outer surface, and the conductor layer is covered along the recess. Since a part of the surface of the conductor layer is concave and attached, for example, when the socket is mounted, the surface is attached along the concave part extending across both ends in the width direction of the groove, and the surface is concave. When the spring terminal as the conductive connecting material of the socket is fitted to the conductor layer of the part, the conductor layer can be firmly joined and securely connected. In addition, when a conductor layer having a concave surface is joined to an external electric circuit board as a conductive connecting material via solder, the solder is formed along the concave surface of the conductor layer. By spreading wet, the bonding area between the conductor layer and the solder in the concave portion is increased, so that the conductor layer can be firmly bonded and securely connected.

また、本発明の配線基板によれば、溝の深さが、溝の上端および下端から上下方向の中央部に向かって次第に深くなっており、この深さの差に応じて溝の凹部が形成されているときには、例えばその凹部によって表面の一部が凹状となっている導体層を外部電気回路基板に対して導電性接続材として半田を介して接合した際に、溝の深さが、溝の上端および下端から上下方向の中央部に向かって次第に深くなっているために、表面の一部が凹状となっている導体層の凹状の部分と半田との接合面積が広くなるとともに、適切な半田の量であることによって、凹状となっている導体層に沿って半田の濡れ広がった先では常に半田のメニスカスの角度が小さくなることから、半田接合されたことによって導体層に加わる応力が分散されるので、落下等による衝撃が加わったとしても半田接合部分での破壊を起こりにくくすることができ、配線基板を外部電気回路に高信頼性で接続することが可能となる。   Further, according to the wiring board of the present invention, the depth of the groove gradually becomes deeper from the upper end and the lower end of the groove toward the central portion in the vertical direction, and the concave portion of the groove is formed according to the difference in depth. For example, when a conductor layer whose surface is partially concaved by the concave portion is joined to the external electric circuit board as a conductive connecting material via solder, the depth of the groove is Since the depth gradually increases from the upper end and the lower end toward the central portion in the vertical direction, the bonding area between the concave portion of the conductor layer in which a part of the surface is concave and the solder increases, and an appropriate Because of the amount of solder, the solder meniscus angle is always smaller at the point where the solder spreads along the concave conductor layer, so that the stress applied to the conductor layer is dispersed by soldering. Will be dropped Etc. can also be less likely to fracture at the solder joint portion if a shock is applied by, it is possible to connect high reliability wiring board to an external electrical circuit.

(a)は配線基板の実施の形態の参考例を示す上面図であり、(b)は同じく下面図であり、(c)は(a)および(b)に示すA−A’線における断面図である。(A) is a top view showing a reference example of the embodiment of the wiring substrate, (b) is a well bottom view, along line A-A 'shown in (c) (a) and (b) It is sectional drawing. (a)は図1(c)において丸で囲んで示したB部の拡大図であり、(b)はその部分をソケット実装した例の断面図である。(A) is an enlarged view of a portion B shown in a circle in FIG. 1 (c), and (b) is a cross-sectional view of an example in which the portion is socket-mounted. (a)は本発明の配線基板の実施の形態の例を示す、図2(a)と同様の拡大図であり、(b)はその部分を半田実装した例の断面図である。(A) is an enlarged view similar to FIG. 2 (a), showing an example of the embodiment of the wiring board of the present invention, and (b) is a cross-sectional view of an example in which the portion is solder-mounted. (a)は配線基板の実施の形態の参考例を示す、図2(a)と同様の拡大図であり、(b)はその部分を半田実装した例の断面図である。(A) shows a reference example of the embodiment of the wiring substrate, an enlarged view similar to FIG. 2 (a), a cross-sectional view of (b) the example soldered portions thereof. (a)は配線基板の実施の形態の参考例を示す、図2(a)と同様の拡大図であり、(b)はその部分をソケット実装した例の断面図である。(A) shows a reference example of the embodiment of the wiring substrate, an enlarged view similar to FIG. 2 (a), a cross-sectional view of (b) the example socket implement portion thereof. (a)は配線基板の実施の形態の参考例を示す、図2(a)と同様の拡大図であり、(b)はその部分をソケット実装した例の断面図である。(A) shows a reference example of the embodiment of the wiring substrate, an enlarged view similar to FIG. 2 (a), a cross-sectional view of (b) the example socket implement portion thereof.

本発明の配線基板の実施の形態の例について、添付の図面を参照しつつ説明する。   An example of an embodiment of a wiring board according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

図1(a)〜(c)はそれぞれ配線基板の実施の形態の参考例を示すものであり、(a)は上面図、(b)は下面図、(c)は(a)および(b)に示すA−A’線における断面図である。これらの図において、1は絶縁基体、2は電子部品6の搭載部、3は搭載部2に形成された接続パッド、3’は絶縁基体1の下面外周部に形成された実装用接続パッド、4は溝(キャスタレーション)、4aは凹部、5は導体層、6は電子部品、7は金属層、8はボンディングワイヤ、10は配線基板である。
Figure 1 (a) ~ (c) are those showing a reference example of the embodiment of the wiring substrate, respectively therewith, (a) shows the top view, (b) is a bottom view, (c) it is (a) It is sectional drawing in the AA 'line shown to (b). In these drawings, 1 is an insulating substrate, 2 is a mounting portion for the electronic component 6, 3 is a connection pad formed on the mounting portion 2, 3 'is a mounting connection pad formed on the outer periphery of the lower surface of the insulating substrate 1, 4 is a groove (castellation), 4a is a recess, 5 is a conductor layer, 6 is an electronic component, 7 is a metal layer, 8 is a bonding wire, and 10 is a wiring board.

この絶縁基体1、電子部品6の搭載部2、搭載部2に形成された接続パッド3、絶縁基体1の外側面に上下方向に延びるように形成された溝4、溝4にその幅方向の両端にわたって形成された凹部4aおよび溝4の内側面に被着された導体層5によって、電子部品6を搭載するための配線基板10が形成される。   The insulating base 1, the mounting part 2 of the electronic component 6, the connection pad 3 formed on the mounting part 2, the groove 4 formed on the outer surface of the insulating base 1 so as to extend in the vertical direction, and the groove 4 in the width direction A wiring substrate 10 for mounting the electronic component 6 is formed by the recess 4a formed over both ends and the conductor layer 5 deposited on the inner surface of the groove 4.

絶縁基体1は、酸化アルミニウム質焼結体,窒化アルミニウム質焼結体,ムライト質焼結体またはガラスセラミック焼結体等の電気絶縁材料から成り、その主面、図1に示す例では上面に電子部品6を搭載する搭載部2を有しており、この搭載部2に電子部品6がガラス,樹脂あるいはロウ材等の接着材を介して接着固定される。   The insulating substrate 1 is made of an electrically insulating material such as an aluminum oxide sintered body, an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, or a glass ceramic sintered body. The main surface, on the upper surface in the example shown in FIG. The electronic component 6 is provided with a mounting portion 2 on which the electronic component 6 is mounted.

絶縁基体1は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム,酸化珪素,酸化カルシウムおよび酸化マグネシウム等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤を添加混合して泥漿状のセラミックスラリーを作製し、次にこのセラミックスラリーをドクターブレード法やカレンダーロール法等のシート成形技術によってシート状となして所定形状のセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を得る。そして、このセラミックグリーンシートを複数枚積層するとともに還元雰囲気中において約1600℃の温度で焼成することによって製作される。   If the insulating substrate 1 is made of, for example, an aluminum oxide sintered body, a suitable organic binder and solvent are added to and mixed with raw material powders such as aluminum oxide, silicon oxide, calcium oxide, and magnesium oxide to form a mud-like shape. A ceramic slurry is prepared, and then the ceramic slurry is formed into a sheet shape by a sheet forming technique such as a doctor blade method or a calender roll method to obtain a ceramic green sheet (ceramic green sheet) having a predetermined shape. A plurality of ceramic green sheets are laminated and fired at a temperature of about 1600 ° C. in a reducing atmosphere.

また、絶縁基体1には、その上面(主面)の電子部品6が搭載される搭載部2に、電子部品6が電気的に接続される接続パッド3が形成され、この接続パッド3から絶縁基体1の内部を介して外側面に形成された溝4を通って絶縁基体1の下面にかけて複数個の導体層5が形成されている。この導体層5は接続パッド3に接続された電子部品6の信号用または接地用の各電極を実装用接続パッド3’に接続するための導電路として機能し、搭載部2側の一端は接続パッド3に接続され、この接続パッド3に電子部品6の信号用または接地用の各電極がボンディングワイヤ8を介して電気的に接続される。   In addition, a connection pad 3 to which the electronic component 6 is electrically connected is formed on the mounting portion 2 on which the electronic component 6 on the upper surface (main surface) is mounted. A plurality of conductor layers 5 are formed on the lower surface of the insulating substrate 1 through the grooves 4 formed on the outer surface through the inside of the substrate 1. The conductor layer 5 functions as a conductive path for connecting each signal or ground electrode of the electronic component 6 connected to the connection pad 3 to the mounting connection pad 3 ′, and one end on the mounting portion 2 side is connected. Connected to the pad 3, the signal or ground electrodes of the electronic component 6 are electrically connected to the connection pad 3 via bonding wires 8.

導体層5は、タングステン,モリブデン,マンガン,銅,銀,金またはパラジウム等の金属粉末を焼結したものから成り、これらタングステン等の金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤を添加混合して得た導体ペーストを絶縁基体1となるセラミックグリーンシートの所定の部位に予め従来周知のスクリーン印刷法によって所定パターンに印刷塗布しておくことによって、絶縁基体1の上面から絶縁基体1の内部を介して外側面から下面にかけて被着形成される。   The conductor layer 5 is made of a sintered metal powder such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, gold or palladium, and is obtained by adding and mixing an appropriate organic binder and solvent to the metal powder such as tungsten. The conductor paste is printed and applied in a predetermined pattern to a predetermined portion of the ceramic green sheet to be the insulating base 1 in advance by a well-known screen printing method, so that it is removed from the upper surface of the insulating base 1 through the inside of the insulating base 1. It is deposited from the side to the bottom.

また、絶縁基体1の上面には、電子部品6が搭載される搭載部2を取り囲むようにして枠状の金属層7が被着されている。この枠状の金属層7は、後述する金属製蓋体(図示せず)を絶縁基体1に取着させる際の下地金属層として機能するものであり、タングステン,モリブデン,マンガン,銅,銀,金またはパラジウム等の金属粉末を焼結することによって形成されている。   A frame-shaped metal layer 7 is attached to the upper surface of the insulating substrate 1 so as to surround the mounting portion 2 on which the electronic component 6 is mounted. This frame-shaped metal layer 7 functions as a base metal layer when a metal lid (not shown) to be described later is attached to the insulating base 1, and is made of tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, It is formed by sintering metal powder such as gold or palladium.

この枠状の金属層7には金属製蓋体がロウ材を介してロウ付けされ、これによって絶縁基体1の搭載部2に搭載されている電子部品6が大気等の外部環境から気密に封止されることとなる。   A metal lid is brazed to the frame-shaped metal layer 7 via a brazing material, so that the electronic component 6 mounted on the mounting portion 2 of the insulating base 1 is hermetically sealed from the external environment such as the atmosphere. It will be stopped.

なお、枠状の金属層7は、前述の導体層5と同様の方法によって、絶縁基体1の上面の外周部に、電子部品6の搭載部2を取り囲むように形成される。   The frame-shaped metal layer 7 is formed on the outer peripheral portion of the upper surface of the insulating base 1 so as to surround the mounting portion 2 of the electronic component 6 by the same method as that for the conductor layer 5 described above.

さらに、絶縁基体1の下面外周部には接続パッド3に電気的に接続されている複数個の実装用接続パッド3’が形成されている。この実装用接続パッド3’は、導体層5とともに外部電気回路基板の配線導体に導電性接続材(図示せず)として例えば鉛フリー半田を介して接続され、電子部品6の信号用または接地用の各電極を接続パッド3および導体層5を介して外部電気回路に電気的に接続するためのものである。   Furthermore, a plurality of mounting connection pads 3 ′ that are electrically connected to the connection pads 3 are formed on the outer periphery of the lower surface of the insulating substrate 1. The mounting connection pad 3 'is connected to the wiring conductor of the external electric circuit board together with the conductor layer 5 through a lead-free solder, for example, as a conductive connection material (not shown), for signal or grounding of the electronic component 6 These electrodes are electrically connected to an external electric circuit through the connection pad 3 and the conductor layer 5.

接続パッド3および実装用接続パッド3’は、タングステン,モリブデン,マンガン,銅,銀,金またはパラジウム等の金属粉末を焼結させたものから成り、前述の導体層5と同様の方法によって、それぞれ絶縁基体1の上面の搭載部6および下面外周部に所定形状に形成される。   The connection pad 3 and the mounting connection pad 3 ′ are made of sintered metal powder such as tungsten, molybdenum, manganese, copper, silver, gold, or palladium, and are respectively formed in the same manner as the conductor layer 5 described above. The insulating base 1 is formed in a predetermined shape on the mounting portion 6 on the upper surface and the outer peripheral portion on the lower surface.

さらに、絶縁基体1には、その外側面に上下方向に延びる複数個の溝4が被着されており、この溝4の内側面には導体層5が形成されている。   Furthermore, a plurality of grooves 4 extending in the vertical direction are attached to the outer surface of the insulating substrate 1, and a conductor layer 5 is formed on the inner surface of the grooves 4.

溝4は、絶縁基体1となるセラミックグリーンシートに打ち抜き加工法やレーザー加工法によって円形または半円形の貫通孔を形成した後、この溝4となる部内の内面にタングステン等の金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤を添加混合して得た導体ペーストを予めスクリーン印刷法等によって吸引しながら印刷塗布しておくことによって、絶縁基体1の外側面の溝4の内側面に所定形状に導体層5となるように形成した後、これらのセラミックグリーンシートを複数枚積層することで、絶縁基体1の外側面に形成された溝4となる上下方向に延びる貫通孔内に形成される。次に、この貫通孔を通る分割線に沿ってスライシング法やレーザー加工法等によって絶縁基体1を切断することで、絶縁基体1の外側面に上下方向に延びる溝4として形成される。なお、溝4となる貫通孔を通る分割線に沿って切断を行なうのは、絶縁基体1の焼成前であっても焼成後であっても問題ない。   The groove 4 is formed by forming a circular or semi-circular through hole in the ceramic green sheet to be the insulating substrate 1 by a punching method or a laser processing method, and then suitable for metal powder such as tungsten on the inner surface in the portion to be the groove 4. A conductor paste obtained by adding and mixing an organic binder and a solvent is preliminarily printed and applied while being sucked by a screen printing method or the like, whereby the conductor layer 5 is formed into a predetermined shape on the inner surface of the groove 4 on the outer surface of the insulating substrate 1. Then, by stacking a plurality of these ceramic green sheets, the ceramic green sheet is formed in a through-hole extending in the vertical direction to be a groove 4 formed on the outer surface of the insulating substrate 1. Next, the insulating substrate 1 is cut along a dividing line passing through the through hole by a slicing method, a laser processing method, or the like, so that a groove 4 extending in the vertical direction is formed on the outer surface of the insulating substrate 1. It should be noted that the cutting along the dividing line passing through the through-hole serving as the groove 4 may be performed before or after the insulating substrate 1 is fired.

ここで、絶縁基体1となるセラミックグリーンシートに打ち抜き加工法やレーザー加工法によって貫通孔を形成するときに、積層方向の途中に位置する一部のセラミックグリーンシートに形成する貫通孔の大きさを変化させる(大きくする)ことによって、セラミックグリーンシートの複数枚を積層して溝4となる上下方向に延びる貫通孔を形成した際に、図2(a)および(b)に示すような、絶縁基体1の外側面に上下方向に延びる溝4を形成し、その溝4の途中に幅方向の両端にわたる凹部4aが形成されているものとすることができる。そして、この溝4および凹部4aに沿って導体層5を被着することによって、凹部4aに応じて導体層5の表面の一部が凹状となっているものとすることが可能となる。なお、図2(a)は図1(c)において丸で囲んで示したB部の拡大図であり、図2(b)はその部分をソケット実装した例の断面図である。ここでは、導体層5は溝4および凹部4aの形状にならって形成されているので、導体層5の図示は省略している。   Here, when the through holes are formed in the ceramic green sheet to be the insulating base 1 by a punching method or a laser processing method, the size of the through holes formed in a part of the ceramic green sheets located in the middle of the stacking direction is set. When a through-hole extending in the vertical direction to be a groove 4 is formed by stacking a plurality of ceramic green sheets by changing (enlarging), insulation as shown in FIGS. 2 (a) and 2 (b) A groove 4 extending in the vertical direction can be formed on the outer surface of the substrate 1, and a recess 4 a extending across both ends in the width direction can be formed in the middle of the groove 4. Then, by applying the conductor layer 5 along the grooves 4 and the recesses 4a, a part of the surface of the conductor layer 5 can be made concave according to the recesses 4a. 2A is an enlarged view of a portion B shown in a circle in FIG. 1C, and FIG. 2B is a cross-sectional view of an example in which that portion is socket-mounted. Here, since the conductor layer 5 is formed in the shape of the groove 4 and the recess 4a, the conductor layer 5 is not shown.

また、溝4となる貫通孔を形成するときに、各層毎に貫通孔の大きさを除々に変化させたセラミックグリーンシートを複数枚積層して、絶縁基体1の外側面においてキャスタレ
ーションとなる上下方向に延びる溝4を形成すると、図3(a)および(b)に示すように、溝4の深さがこの溝4の上端および下端から上下方向の中央部に向かって次第に深くなっており、この溝4の深さの差に応じて溝4の中央部に凹部4aが形成されているものとすることが可能となる。図3(a)は本発明の配線基板の実施の形態の例を示す、図2(a)と同様の拡大図であり、(b)はその部分を半田実装した例の断面図である。
In addition, when forming the through hole to be the groove 4, a plurality of ceramic green sheets with the through hole size gradually changed for each layer are stacked, and the upper and lower sides that become castellations on the outer surface of the insulating substrate 1 are stacked. When the groove 4 extending in the direction is formed, as shown in FIGS. 3A and 3B, the depth of the groove 4 gradually increases from the upper end and the lower end of the groove 4 toward the central portion in the vertical direction. The recess 4a can be formed at the center of the groove 4 in accordance with the difference in depth of the groove 4. FIG. 3 (a) is an enlarged view similar to FIG. 2 (a), showing an example of the embodiment of the wiring board of the present invention, and FIG. 3 (b) is a sectional view of an example in which the portion is solder mounted. .

なお、溝4の深さの差に応じて溝4の中央部に凹部4aが形成されているというのは、図3(a)および(b)に示すような、溝4の形状と凹部4aの形状が一致している状態のことをいう。   Note that the recess 4a is formed in the central portion of the groove 4 in accordance with the difference in the depth of the groove 4 because the shape of the groove 4 and the recess 4a as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b). This means a state where the shapes match.

このとき、セラミックグリーンシートに貫通孔を打ち抜き加工法にて形成する際に、打ち抜き金型のピンの形状を台形型あるいは円柱型として、その大きさをセラミックグリーンシートの層によって変化させるようにすると、断面が溝4の深さに応じた綺麗な曲線形状の凹部4aを形成することが可能である。   At this time, when the through hole is formed in the ceramic green sheet by a punching method, the shape of the pin of the punching die is a trapezoidal shape or a cylindrical shape, and the size is changed by the layer of the ceramic green sheet. It is possible to form the concave portion 4 a having a beautiful curved shape whose cross section corresponds to the depth of the groove 4.

なお、接続パッド3,実装用接続パッド3’,導体層5および枠状の金属層7には、その露出する表面に、ニッケルあるいは金等の耐蝕性,ボンディングワイヤ8のボンディング性および半田の濡れ性等が良好な金属から成るめっき層を被着させておくと、接続パッド3,実装用接続パッド3’,導体層5および枠状の金属層7等の酸化腐食を有効に防止することができるとともに、枠状の金属層7への金属製蓋体(図示せず)の取着や実装用接続パッド3’の外部電気回路基板への接続を確実かつ強固とすることができる。   It should be noted that the connection pad 3, the mounting connection pad 3 ', the conductor layer 5 and the frame-like metal layer 7 have an exposed surface with corrosion resistance such as nickel or gold, bonding property of the bonding wire 8, and solder wettability. If a plating layer made of a metal having good properties is applied, it is possible to effectively prevent oxidative corrosion of the connection pad 3, the mounting connection pad 3 ', the conductor layer 5, the frame-like metal layer 7, and the like. In addition, the attachment of a metal lid (not shown) to the frame-shaped metal layer 7 and the connection of the mounting connection pad 3 ′ to the external electric circuit board can be made reliable and strong.

従って、接続パッド3,実装用接続パッド3’,導体層5および枠状の金属層7には、その露出する表面に、ニッケルあるいは金等の耐蝕性,ボンディング性および半田の濡れ性等が良好な金属をめっき法により被着させておくことが好ましい。特に、例えば、厚さが1μm〜10μmのニッケルめっき層および厚さが0.05μm〜3μmの金めっき層を順次被着させておくことが好ましい。   Therefore, the connection pad 3, the mounting connection pad 3 ', the conductor layer 5 and the frame-like metal layer 7 have good corrosion resistance such as nickel or gold, bonding property and solder wettability on the exposed surface. It is preferable to deposit a suitable metal by a plating method. In particular, for example, it is preferable to sequentially deposit a nickel plating layer having a thickness of 1 μm to 10 μm and a gold plating layer having a thickness of 0.05 μm to 3 μm.

この場合に、金めっき層の厚みは、被着する部位や金めっき層の結晶配向等に応じて異なる厚みとしてもよい。例えば、金めっき層のX線回折における結晶配向を極力(111)面に揃えるようにするとともに、ボンディングワイヤ8が接続される領域も含めて、全域で厚さを約0.3μm〜1μmとするようにしてもよく、半田付け用の領域のみ厚さを約0.3μm以下の薄いものとし、錫−金の脆い金属間化合物の生成を抑えて半田付けの信頼性をより一層高めるようにしてもよい。   In this case, the thickness of the gold plating layer may be different depending on the portion to be deposited, the crystal orientation of the gold plating layer, and the like. For example, the crystal orientation in the X-ray diffraction of the gold plating layer is made as uniform as possible to the (111) plane, and the thickness is set to about 0.3 μm to 1 μm throughout the region including the region where the bonding wire 8 is connected. Alternatively, the thickness of only the soldering region may be as thin as about 0.3 μm or less, and the generation of brittle intermetallic compounds of tin-gold may be suppressed to further increase the reliability of soldering. .

かくして本発明の配線基板10によれば、絶縁基体1の主面(上面)に有する搭載部2に電子部品6を搭載するとともに、電子部品6の信号用および接地用の各電極を接続パッド3にボンディングワイヤ8を介して接続し、しかる後、絶縁基体1の上面外周部の枠状の金属層7に鉄−ニッケル−コバルト合金や鉄−ニッケル合金等からなる金属製蓋体をロウ材等を介して接合させ、金属製蓋体で電子部品6を搭載部2に気密に封止することによって、製品としての電子装置(電子部品6が半導体素子であるときは半導体装置)が完成する。   Thus, according to the wiring board 10 of the present invention, the electronic component 6 is mounted on the mounting portion 2 provided on the main surface (upper surface) of the insulating base 1, and the signal and ground electrodes of the electronic component 6 are connected to the connection pad 3. Then, a metal lid made of iron-nickel-cobalt alloy, iron-nickel alloy or the like is attached to the frame-like metal layer 7 on the outer peripheral portion of the upper surface of the insulating base 1. And the electronic component 6 is hermetically sealed to the mounting portion 2 with a metal lid, thereby completing an electronic device as a product (a semiconductor device when the electronic component 6 is a semiconductor element).

なお、この電子装置は、絶縁基体1の下面外周部の実装用接続パッド3’を外部電気回路基板の配線導体の表面に実装されたソケットのスプリング端子を介して接合するか、または外部電気回路基板の配線導体に半田を介して接合することによって外部電気回路基板上に実装され、同時に電子部品6の信号用および接地用の各電極が接続パッド3,導体層5および実装用接続パッド3’を介して外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続される。   In this electronic device, the mounting connection pad 3 ′ on the outer periphery of the lower surface of the insulating base 1 is joined via a spring terminal of a socket mounted on the surface of the wiring conductor of the external electric circuit board, or an external electric circuit. It is mounted on the external electric circuit board by bonding to the wiring conductor of the board via solder, and at the same time, the signal and ground electrodes of the electronic component 6 are connected to the connection pad 3, the conductor layer 5, and the mounting connection pad 3 '. Is electrically connected to the wiring conductor of the external electric circuit board.

または、この電子装置は、図2(b)に示すように、絶縁基体1が外側面に有する溝4の内側面に被着された導体層5を外部電気回路基板の配線導体に、外部電気回路基板上に実装されたソケット11の導電性接続材としてのスプリング端子12を介して接合されることによって、電子部品6の信号用および接地用の各電極が外部電気回路基板の配線導体に電気的に接続されるものであってもよい。   Alternatively, as shown in FIG. 2 (b), the electronic device uses a conductor layer 5 deposited on the inner surface of the groove 4 on the outer surface of the insulating base 1 as a wiring conductor of an external electric circuit board. The electrodes for signal and ground of the electronic component 6 are electrically connected to the wiring conductor of the external electric circuit board by being joined via the spring terminal 12 as the conductive connecting material of the socket 11 mounted on the circuit board. May be connected to each other.

本発明の配線基板10においては、溝4には、4の幅方向の両端にわたる凹部4aが形成されており、この凹部4aに沿って導体層5が被着されていることによって、導体層5の表面の一部が凹状となっていることが重要である。
In the wiring board 10 of the present invention, the groove 4 is formed with a recess 4a extending across both ends of the groove 4 in the width direction, and the conductor layer 5 is deposited along the recess 4a. It is important that a part of the surface of 5 is concave.

本発明の配線基板10によれば、このように溝4に幅方向の両端にわたる凹部4aが形成されており、この凹部4aに沿って導体層5が被着されて、導体層5の表面の一部が凹状となっていることから、絶縁基体1の下面外周部の実装用接続パッド3’および導体層5と外部電気回路の配線導体とを導電性接続材として半田を用いて接合したとしても、半田が溝4に被着された導体層5に濡れ広がる際に、この溝4の幅方向の両端にわたる凹部4aに入り込むことで、溝4のサイズが小径で深さの浅いものであったとしても、半田と導体層5との接触面積を多く取ることができる。この結果、表面の一部が凹状となっている導体層5と外部電気回路基板の配線導体との間に十分な量の半田を介在させることができ、電子装置を構成する配線基板10を外部電気回路基板に電気的に良好に接続しつつ極めて強固に接合することができる。   According to the wiring board 10 of the present invention, the groove 4 is thus formed with the recesses 4a extending across both ends in the width direction, and the conductor layer 5 is deposited along the recesses 4a. Since a part is concave, it is assumed that the mounting connection pad 3 ′ and the conductor layer 5 on the outer periphery of the lower surface of the insulating base 1 are joined to the wiring conductor of the external electric circuit using solder as a conductive connecting material. However, when the solder wets and spreads on the conductor layer 5 attached to the groove 4, the groove 4 has a small diameter and a small depth by entering the recess 4 a across the both ends in the width direction of the groove 4. Even so, a large contact area between the solder and the conductor layer 5 can be obtained. As a result, a sufficient amount of solder can be interposed between the conductor layer 5 whose surface is partly concave and the wiring conductor of the external electric circuit board, and the wiring board 10 constituting the electronic device is externally connected. It can be bonded very firmly while being electrically connected to the electric circuit board.

また、絶縁基体1の外側面の溝4に被着された導体層5に対して、外部電気回路基板の配線導体に、外部電気回路基板上に実装されたソケット11の導電性接続材としてのスプリング端子12を介して接合される場合には、その溝4に幅方向の両端にわたる凹部4aが形成されており、この凹部4aに沿って導体層5が被着されて、導体層5の表面の一部が凹部4に応じた凹状となっていることから、図2(b)に示す例のように、ソケット11のスプリング端子12がこの凹部4aにはまって導体層5の凹状となっている部分に確実に接触することで、溝4のサイズが小径で深さの浅いものであっても、電気的に確実に接続するとともに強固に接合することが可能となる。   In addition, as a conductive connecting material for the socket 11 mounted on the external electric circuit board, the wiring conductor of the external electric circuit board is connected to the conductor layer 5 attached to the groove 4 on the outer surface of the insulating substrate 1. When joining via the spring terminal 12, the groove | channel 4 is formed with the recessed part 4a over the both ends of the width direction, and the conductor layer 5 is adhere | attached along this recessed part 4a, The surface of the conductor layer 5 Since a part of the concave portion 4 has a concave shape corresponding to the concave portion 4, the spring terminal 12 of the socket 11 is fitted into the concave portion 4 a and becomes a concave shape of the conductor layer 5 as in the example shown in FIG. By reliably contacting the existing portion, even if the groove 4 has a small diameter and a small depth, it is possible to make an electrical connection and a strong connection.

また、本発明の配線基板10においては、溝4について、図3に示す例のように、溝4の深さが、この溝4の上端および下端から上下方向の中央部に向かって次第に深くなっており、この深さの差に応じて溝4の凹部4aが形成されている。
Further, in the wiring board 10 of the present invention, as for the groove 4, as shown in the example shown in FIG. 3, the depth of the groove 4 gradually increases from the upper end and the lower end of the groove 4 toward the center in the vertical direction. and it has a recess 4a of the groove 4 that is formed in accordance with the difference in depth.

ここで、このように上端および下端から上下方向の中央部に向かって次第に深くなっている溝4となるように溝4を形成する場合には、絶縁基体1を構成する絶縁層となる各セラミックグリーンシートに形成する貫通孔の大きさは、例えば直径が0.8mm〜1mmの円形または楕円形とし、凹部4aとなる絶縁層となるセラミックグリーンシートに形成する貫通孔の大きさは、凹部4a以外の溝4となるセラミックグリーンシートに形成する貫通孔の直径に対して、10μm〜100μm大きいものとしておくことが望ましい。凹部4aとなる部位の貫通孔の直径のその他の部位の直径に対する大きさが10μm未満であると、凹部4aが浅いものとなってしまうため、半田実装またはソケット実装した際の接合性を向上させる効果は薄いものとなる。一方、100μmを超えると、セラミックグリーンシートの積層によって溝4となる絶縁基体1の外側面に上下方向に延びる溝4を形成した際に、溝4と凹部4aとの段差が大きく、溝4内の導体層5で製造時に断線する場合があり、歩留まりが低下するおそれがある。   Here, in the case where the groove 4 is formed so as to become the groove 4 that becomes gradually deeper from the upper end and the lower end toward the central portion in the vertical direction, each ceramic that becomes an insulating layer constituting the insulating base 1. The size of the through hole formed in the green sheet is, for example, a circle or ellipse having a diameter of 0.8 mm to 1 mm, and the size of the through hole formed in the ceramic green sheet serving as the insulating layer to be the recess 4a is other than the recess 4a. It is desirable that the diameter of the through hole formed in the ceramic green sheet to be the groove 4 is larger by 10 μm to 100 μm. If the size of the diameter of the through-hole of the part to be the recess 4a is less than 10 μm with respect to the diameter of the other part, the recess 4a becomes shallow, so that the bondability when solder mounting or socket mounting is improved. The effect is thin. On the other hand, when the thickness exceeds 100 μm, when the groove 4 extending in the vertical direction is formed on the outer surface of the insulating substrate 1 to be the groove 4 by stacking the ceramic green sheets, the step between the groove 4 and the recess 4a is large. The conductor layer 5 may be disconnected at the time of manufacture, and the yield may be reduced.

溝4に形成する凹部4aの数は、図1〜図3に示す例ではいずれも1箇所であるが、つの溝4に複数箇所の凹部4aを形成する場合は、絶縁基体1を構成する絶縁層となる各セラミックグリーンシートに形成する各層の貫通孔の大きさを変化させて、図4(a)および(b)に示す例のように、連続する凹部4aを設けてもよいし、さらに凹部4aの幅を狭く(上下方向の長さを短く)して数を増やしてもよい。このように凹部4aの数を増やすことで、半田を用いて接合した際の半田と導体層5との接触面積をより広くすることができる。この結果、表面の一部が凹状となっている導体層5と外部電気回路基板の配線導体との間に十分な量の半田を介在させることができ、電子装置を構成する配線基板10を外部電気回路基板に電気的に良好に接続しつつ極めて強固に接合することができる。なお、図4(a)は配線基板の実施の形態の参考例を示す、図2(a)と同様の拡大図であり、(b)はその部分を半田実装した例の断面図である。
The number of the recesses 4a is formed in the groove 4, in the example shown in FIGS. 1 to 3 is one place either, in the case of forming a concave portion 4a of the plurality of locations in one groove 4, constituting the insulating substrate 1 By changing the size of the through hole of each layer formed in each ceramic green sheet to be an insulating layer, a continuous recess 4a may be provided as in the example shown in FIGS. 4 (a) and (b), Further, the number of the recesses 4a may be increased by narrowing the width (shortening the length in the vertical direction). By increasing the number of the recesses 4a in this way, the contact area between the solder and the conductor layer 5 when joined using solder can be further increased. As a result, a sufficient amount of solder can be interposed between the conductor layer 5 whose surface is partly concave and the wiring conductor of the external electric circuit board, and the wiring board 10 constituting the electronic device is externally connected. It can be bonded very firmly while being electrically connected to the electric circuit board. Incidentally, FIG. 4 (a) shows a reference example of the embodiment of the wiring substrate, an enlarged view similar to FIG. 2 (a), the is a cross-sectional view of the example in which soldered to (b) the portion thereof .

また、図5(a)および(b)に示す例のように、下方から連続した凹部4aを、溝4の下側に偏った状態で形成した場合は、凹部4aをより深く設けることが可能なため、外部電気回路基板上に実装されたソケット11の導電性接続材としてのスプリング端子12を介して接合される際に、溝4内の導体層5とスプリング端子12の接触面積が大きくなることで、より接続信頼性の高いものとなる。また、スプリング端子12の形状と溝4内の凹部4aの形状との組合せで、落下試験において、より強固な接続信頼性を有するものとすることが可能となる。なお、図5(a)は配線基板の実施の形態の参考例を示す、図2(a)と同様の拡大図であり、(b)はその部分をソケット実装した例の断面図である。
Further, as in the example shown in FIGS. 5A and 5B, when the concave portion 4a continuous from below is formed in a state of being biased to the lower side of the groove 4, the concave portion 4a can be provided deeper. Therefore, the contact area between the conductor layer 5 in the groove 4 and the spring terminal 12 is increased when the socket 11 mounted on the external electric circuit board is joined via the spring terminal 12 as a conductive connecting material. As a result, the connection reliability becomes higher. Further, the combination of the shape of the spring terminal 12 and the shape of the recess 4a in the groove 4 makes it possible to have stronger connection reliability in the drop test. Incidentally, FIG. 5 (a) shows a reference example of the embodiment of the wiring substrate, an enlarged view similar to FIG. 2 (a), the is a cross-sectional view of (b) the example socket implement portion thereof .

また、溝4における凹部4aの上下方向の長さ、すなわち凹部4aの幅は、最低でも10μmはあることが望ましい。凹部4aの幅が10μm未満であると、その凹部4aが形成された溝4を有する配線基板10を半田実装またはソケット実装した際の凹部4aによって接合性を向上させる効果は薄いものとなる。一方、溝4の上下方向の長さが例えば200μmであるのに対して、凹部4aの幅は、図3に示す例のように、200μmと同じサイズであってもよい。従って、凹部4aの幅は、溝4の長さに対して5%〜100%の大きさとし、具体的な大きさとしては、溝4の長さが200μm〜800μmであるのに対して、10μm〜800μmとすることが好ましい。   Further, it is desirable that the vertical length of the recess 4a in the groove 4, that is, the width of the recess 4a is at least 10 μm. When the width of the recess 4a is less than 10 μm, the effect of improving the bonding property by the recess 4a when the wiring board 10 having the groove 4 in which the recess 4a is formed is mounted by soldering or socket mounting becomes thin. On the other hand, while the length of the groove 4 in the vertical direction is, for example, 200 μm, the width of the recess 4a may be the same size as 200 μm as in the example shown in FIG. Therefore, the width of the recess 4a is 5% to 100% of the length of the groove 4, and the specific size is 10 μm while the length of the groove 4 is 200 μm to 800 μm. It is preferable to set it to -800 micrometers.

また、溝4における凹部4aの深さは、溝4の深さに対して10%〜100%とし、具体的な深さとしては、溝4の深さが100μm〜500μmであるのに対して、溝4の深さを含めた凹部4aの深さを110μm〜1000μm(溝4からの凹部4aの深さで10μm〜500μm)とすることが好ましい。この凹部4aの断面形状は、四角形状のように底面が平坦なものだけでなく、半円形状のように中央部で底面が最も深くなるような湾曲あるいは屈曲したようなものであってもよい。凹部4aの深さは、凹部4の断面形状が半円状等のように中央部で最も深くなっているようなときには、その最も深くなっている部分の深さが上記の範囲となるようにすればよい。   The depth of the recess 4a in the groove 4 is 10% to 100% with respect to the depth of the groove 4, and the specific depth is that the depth of the groove 4 is 100 μm to 500 μm. The depth of the recess 4a including the depth of the groove 4 is preferably 110 μm to 1000 μm (the depth of the recess 4a from the groove 4 is 10 μm to 500 μm). The cross-sectional shape of the concave portion 4a is not limited to a flat bottom surface such as a square shape, but may be a curved or bent shape such that the bottom surface is deepest in the central portion, such as a semicircular shape. . The depth of the recess 4a is set so that the depth of the deepest portion falls within the above range when the cross-sectional shape of the recess 4 is deepest at the center, such as a semicircular shape. do it.

また、図3(a)に示す例のように、溝4の深さが、溝4の上端および下端から上下方向の中央部に向かって次第に深くなっており、この深さの差に応じて溝4の凹部4aが形成されている場合には、絶縁基体1の下面外周部の実装用接続パッド3’と外部電気回路基板の配線導体とを半田を用いて接合したときに、半田が溝4に被着された導体層5に濡れ広がる際に、半田と導体層5との接触面積を多く取れることとなるので、両者をより強固に接合することが可能となる。また、半田が溝4の凹部4aに沿って濡れ広がり、図3(b)に示すように、半田に溝4の凹部4aと同じような形状でメニスカス13が形成されることから、半田による導体層5への応力および半田に生じる応力が溝4の凹部4a全体に分散されるので、携帯用途等の耐衝撃性が求められる電子装置に用いられる場合であっても、より信頼性の高い配線基板10とすることが可能となる。   Further, as in the example shown in FIG. 3A, the depth of the groove 4 gradually becomes deeper from the upper end and lower end of the groove 4 toward the central portion in the vertical direction, and according to the difference in depth. When the concave portion 4a of the groove 4 is formed, when the mounting connection pad 3 ′ on the outer peripheral portion of the lower surface of the insulating substrate 1 and the wiring conductor of the external electric circuit board are joined using solder, the solder is not grooved. When the conductor layer 5 deposited on the substrate 4 is wetted and spread, a large contact area between the solder and the conductor layer 5 can be obtained, so that the two can be more firmly bonded. Also, the solder wets and spreads along the recess 4a of the groove 4, and the meniscus 13 is formed in the solder in the same shape as the recess 4a of the groove 4 as shown in FIG. Since the stress applied to the layer 5 and the stress generated in the solder are dispersed throughout the recess 4a of the groove 4, the wiring is more reliable even when used in electronic devices that require impact resistance such as portable use. The substrate 10 can be obtained.

ここで、図3(a)に示す例のように、溝4の深さが、溝4の上端および下端から上下方向の中央部に向かって次第に深くなっており、この深さの差に応じて溝4の凹部4aが形成されている場合は、凹部4aの深さは、溝4の深さの差に対し、10%〜50%であることが望ましい。凹部4aの深さが溝4の深さの差に対して10%未満であると、凹部4aが浅いものとなるため、半田実装またはソケット実装した際に接合性を向上させる効果は薄いものとなる。他方、50%を超えると、絶縁基体1の外側面において上下方向に延びる溝4を形成した際に、溝4の上端および下端に位置する入り口の部分の、図3(b)に丸印で示したCの場所における、絶縁基体1が最も薄くなる部分で欠けが発生する場合があり、かえって接合信頼性を低下させるおそれがある。具体的には、溝4の深さの差が100μm〜500μmであるのに対して、溝4の深さを含めた凹部4aの深さを110μm〜750μm(溝4からの凹部4aの深さで10μm〜250μm)とすることが好ましい。   Here, as in the example shown in FIG. 3A, the depth of the groove 4 gradually becomes deeper from the upper end and the lower end of the groove 4 toward the central portion in the vertical direction, and according to the difference in depth. When the recess 4a of the groove 4 is formed, the depth of the recess 4a is preferably 10% to 50% with respect to the difference in the depth of the groove 4. If the depth of the recess 4a is less than 10% with respect to the difference in depth of the groove 4, the recess 4a becomes shallow, so that the effect of improving the bondability when mounted by solder or socket is thin. Become. On the other hand, when it exceeds 50%, when the grooves 4 extending in the vertical direction are formed on the outer surface of the insulating base 1, the entrance portions located at the upper and lower ends of the grooves 4 are circled in FIG. In the location indicated by C, chipping may occur at the portion where the insulating base 1 is the thinnest, and there is a possibility that the bonding reliability may be lowered. Specifically, the depth difference of the groove 4 is 100 μm to 500 μm, whereas the depth of the recess 4a including the depth of the groove 4 is 110 μm to 750 μm (the depth of the recess 4a from the groove 4). 10 μm to 250 μm).

本発明の配線基板の実施例について以下に説明する。   Examples of the wiring board of the present invention will be described below.

参考例
まず、酸化アルミニウムを96質量%とし、焼結助剤として酸化珪素,酸化マグネシウムおよび酸化カルシウムを合わせて4質量%とした割合で調合したセラミック粉末100質量
%に対して、有機バインダーとしてアクリル樹脂を固形分で9質量%および可塑剤としてジブチルフタレートを0.1質量%の割合でさらに加え、トルエンを溶媒としてボールミル
により40時間混合し、セラミックスラリーを調製した。このセラミックスラリーをドクターブレード法によってシート状に成形して、焼成後に絶縁基体1となる、厚みが0.2mm
のセラミックグリーンシートを作製した。
( Reference example )
First, an acrylic resin is used as an organic binder with respect to 100% by weight of ceramic powder prepared by mixing 96% by weight of aluminum oxide and 4% by weight of silicon oxide, magnesium oxide and calcium oxide as a sintering aid. Further, 9% by mass in solid content and 0.1% by mass of dibutyl phthalate as a plasticizer were added, and toluene was used as a solvent and mixed for 40 hours by a ball mill to prepare a ceramic slurry. This ceramic slurry is formed into a sheet by the doctor blade method and becomes an insulating substrate 1 after firing. The thickness is 0.2 mm.
A ceramic green sheet was prepared.

次に、1枚目のセラミックグリーンシートに対して、溝4が形成される所定の位置には貫通孔を形成せず、電子部品6が搭載される搭載部2となる位置に、断面形状が長方形の貫通孔をパンチング加工によって形成した。   Next, with respect to the first ceramic green sheet, a through hole is not formed at a predetermined position where the groove 4 is formed, and a cross-sectional shape is formed at a position where the electronic component 6 is mounted. A rectangular through hole was formed by punching.

次に、2枚目のセラミックグリーンシートに対して、溝4が形成される所定の位置に最終的に溝4となる直径300μmの貫通孔をパンチング加工によって形成した。さらに、この貫通孔に加えて、電子部品6が搭載される搭載部2となる位置に、上記と同様の長方形の貫通孔をパンチング加工によって形成した。   Next, on the second ceramic green sheet, a through hole having a diameter of 300 μm that finally becomes the groove 4 was formed by punching at a predetermined position where the groove 4 was formed. Further, in addition to this through hole, a rectangular through hole similar to the above was formed by punching at a position to be the mounting portion 2 on which the electronic component 6 is mounted.

次に、このセラミックグリーンシートの溝4となる貫通孔に対して、平均粒径が1.90μmのタングステン(W)粉末を100質量%に対して有機バインダーとしてセルロースナイトレートを0.8質量%の割合でさらに加えたものに、粘度調整用の溶剤としてジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートおよびジブチルフタレートを添加混合して得た導体ペーストを、スクリーン印刷法によって、セラミックグリーンシートの下面側から吸引しながら貫通孔の開口周辺および貫通孔の内壁面に印刷塗布して、焼成後に導体層5となる導体ペースト層を形成した。   Next, with respect to the through-hole which becomes the groove 4 of the ceramic green sheet, the cellulose nitrate is used in an amount of 0.8% by mass with 100% by mass of tungsten (W) powder having an average particle size of 1.90 μm as an organic binder. In addition to the addition, conductive paste obtained by adding and mixing diethylene glycol monobutyl ether acetate and dibutyl phthalate as solvents for viscosity adjustment, by screen printing method, sucking from the lower surface side of the ceramic green sheet, around the opening of the through hole And the conductor paste layer used as the conductor layer 5 after baking was formed by printing on the inner wall surface of the through hole.

次に、搭載部2の底面となる3枚目のセラミックグリーンシートに対しては、溝4が形成される所定の位置に最終的に溝4となる直径400μmの貫通孔をパンチング加工によって形成し、上記の導体ペーストを、スクリーン印刷法によって下面側から吸引しながら貫通孔の開口周辺および貫通孔の内壁面に印刷塗布して、焼成後に導体層4となる導体ペースト層を形成した。また、同じ導体ペーストを用いて、上面の搭載部2となる部位に接続パッド3となるパターンに導体ペースト層を印刷塗布して、溝4となる貫通孔に印刷塗布した導体層5となる導体ペースト層と接続するようにした。   Next, with respect to the third ceramic green sheet serving as the bottom surface of the mounting portion 2, a through hole having a diameter of 400 μm that finally becomes the groove 4 is formed by punching at a predetermined position where the groove 4 is formed. The conductor paste was printed and applied to the periphery of the through hole and the inner wall surface of the through hole while being sucked from the lower surface side by screen printing, to form a conductor paste layer that becomes the conductor layer 4 after firing. Also, using the same conductive paste, a conductive paste layer is printed and applied in a pattern to be a connection pad 3 on a portion to be the mounting portion 2 on the upper surface, and a conductive layer 5 is printed and applied to a through hole to be a groove 4 Connected to the paste layer.

次に、4枚目のセラミックグリーンシートには、溝4が形成される所定の位置に最終的に溝4となる直径300μmの貫通孔をパンチング加工によって形成し、上記の導体ペーストを用いて、スクリーン印刷法によって下面側から吸引しながら貫通孔の開口周辺および貫通孔の内壁面に印刷塗布して、焼成後に導体層5となる導体ペースト層を形成した。また、セラミックグリーンシートの下面の外周部となる位置に、上記の導体ペーストを用いてスクリーン印刷法によって焼成後に実装用接続パッド3’となるパターンに導体ペースト層を印刷塗布して、溝4となる貫通孔に印刷塗布した導体層5となる導体ペースト層と接続するようにした。   Next, in the fourth ceramic green sheet, a through hole having a diameter of 300 μm that finally becomes the groove 4 is formed by punching at a predetermined position where the groove 4 is formed, and using the above-described conductor paste, While being sucked from the lower surface side by screen printing, printing was applied to the periphery of the opening of the through hole and the inner wall surface of the through hole to form a conductor paste layer to be the conductor layer 5 after firing. In addition, a conductor paste layer is printed and applied to a pattern that becomes a mounting connection pad 3 ′ after firing by screen printing using the above-described conductor paste at a position that becomes an outer peripheral portion of the lower surface of the ceramic green sheet, It was made to connect with the conductor paste layer used as the conductor layer 5 apply | coated to the through-hole which becomes this.

なお、1枚目のセラミックグリーンシートに対しては、搭載部2となる貫通孔を取り囲む枠状部となる部分の上面の外周部に、上記の導体ペーストを用いてスクリーン印刷法によって、焼結後に枠状の金属層7となる枠状の導体ペースト層を形成した。   The first ceramic green sheet is sintered by screen printing using the above-described conductor paste on the outer peripheral portion of the upper surface of the frame-shaped portion surrounding the through-hole serving as the mounting portion 2. A frame-shaped conductor paste layer that later becomes the frame-shaped metal layer 7 was formed.

そして、これら4枚のセラミックグリーンシートを積層して圧着して積層体とし、水蒸気を含んだ窒素雰囲気中にて約1000℃の温度で約3時間加熱することによって有機成分を除去した後、水蒸気を含んだ窒素雰囲気中にて約1500℃の温度で約6時間焼成を行なった。   Then, these four ceramic green sheets are laminated and pressure-bonded to form a laminate, and after removing organic components by heating at a temperature of about 1000 ° C. for about 3 hours in a nitrogen atmosphere containing water vapor, Firing was performed in a nitrogen atmosphere containing about 6 hours at a temperature of about 1500 ° C.

さらに焼成後に、搭載部2に形成された接続パッド3,下面外周部に形成された実装用接続パッド3’,上面外周部に形成された枠状の金属層7および絶縁基体1の外側面に形成された上下方向に延びる溝4の内側面の導体層4の上に、電解めっき法によって厚さが3μmのニッケルめっき層を被着し、このニッケルめっき層の上に電解めっき法によって厚さが0.5μmの金めっき層を順次被着した。   Further, after firing, the connection pad 3 formed on the mounting portion 2, the mounting connection pad 3 ′ formed on the outer periphery of the lower surface, the frame-shaped metal layer 7 formed on the outer periphery of the upper surface, and the outer surface of the insulating substrate 1. A nickel plating layer having a thickness of 3 μm is applied by electroplating to the conductor layer 4 on the inner surface of the groove 4 extending in the vertical direction, and the thickness is formed by electroplating on the nickel plating layer. Were sequentially deposited with a 0.5 μm gold plating layer.

さらに、スライシング法によって、溝4となる貫通孔の中央を通る分割線に沿って絶縁基体1を切断することで、図1に示す例のような配線基板10の参考例を作製した。この参考例においては、絶縁基体1の外側面に形成された上下方向に延びる溝4は、上下方向の長さが400μmであり、断面形状が半円形状で、基本的な幅は200μmで、深さは100μm
であった。また、この溝4の中央部に形成された、溝4の幅方向の両端にわたる凹部4aは、幅(上下方向の長さ)が250μmであり、溝4の深さを含めた深さが120μmであった。そして、導体層5はこの溝4および凹部4aの内側面に厚みが8μmで一様に良好に被着しており、表面の一部、この例では中央部が凹状となっているものであった。
Furthermore, the slicing method, by cutting the insulating base 1 along a parting line passing through the center of the through hole as a groove 4, to prepare a reference example of wiring substrate 10, such as in the example shown in FIG. In this reference example , the vertically extending groove 4 formed on the outer surface of the insulating substrate 1 has a vertical length of 400 μm, a cross-sectional shape of a semicircle, and a basic width of 200 μm. Depth is 100μm
Met. The recess 4a formed at the center of the groove 4 and extending at both ends in the width direction of the groove 4 has a width (length in the vertical direction) of 250 μm and a depth including the depth of the groove 4 of 120 μm. Met. The conductor layer 5 has a thickness of 8 μm and is uniformly and satisfactorily applied to the inner surface of the groove 4 and the recess 4a, and a part of the surface, in this example, the central part is concave. It was.

この溝4の中央部に凹部4aを形成した配線基板10である参考例について、この参考例と、凹部4aを形成していない配線基板である比較例とをソケット実装した状態で、JIS規格C0044に則ってコンクリート上500mmの高さからの自然落下を100回行なった後の、ソケットからの脱落の有無を確認した。その結果、参考例ではソケットからの脱落が無かったが、比較例ではソケットからの脱落があり、線基板10が接続信頼性に優れている
ことが分かった。
With respect to the reference example which is the wiring board 10 in which the recess 4a is formed in the center of the groove 4, the reference example and the comparative example which is a wiring board in which the recess 4a is not formed are socket-mounted. In accordance with the above, after the natural fall from the height of 500 mm on the concrete was performed 100 times, it was confirmed whether or not the socket has dropped. As a result, there was no dropping from reference example in the socket, in the comparative example has from dropping from the socket, it was found that the wiring substrate 10 is excellent in connection reliability.

(実施例)
参考例と同様に、まず、酸化アルミニウムを96質量%とし、焼結助剤として酸化珪素,酸化マグネシウムおよび酸化カルシウムを合わせて4質量%とした割合で調合したセラミック粉末100質量%に対して、有機バインダーとしてアクリル樹脂を固形分で9質量%お
よび可塑剤としてジブチルフタレートを0.1質量%の割合でさらに加え、トルエンを溶媒
としてボールミルにより40時間混合し、セラミックスラリーを調製した。このセラミックスラリーをドクターブレード法によってシート状に成形して、焼成後に絶縁基体1となる、厚みが0.2mmのセラミックグリーンシートを作製した。
( Example)
Similarly to the reference example , first, with respect to 100% by mass of ceramic powder prepared at a ratio of 96% by mass of aluminum oxide and 4% by mass of silicon oxide, magnesium oxide and calcium oxide as a sintering aid, An acrylic resin as an organic binder was further added in an amount of 9% by mass in solid content and dibutyl phthalate as a plasticizer in a proportion of 0.1% by mass, and mixed with a ball mill for 40 hours using toluene as a solvent to prepare a ceramic slurry. This ceramic slurry was formed into a sheet by a doctor blade method, and a ceramic green sheet having a thickness of 0.2 mm, which becomes the insulating substrate 1 after firing, was produced.

次に、1枚目のセラミックグリーンシートに対して、溝4が形成される所定の位置には貫通孔を形成せず、電子部品6が搭載される搭載部2となる位置に、長方形の貫通孔をパンチング加工によって形成した。   Next, with respect to the first ceramic green sheet, a through-hole is not formed at a predetermined position where the groove 4 is formed, but a rectangular through-hole is formed at a position where the electronic component 6 is mounted. Holes were formed by punching.

次に、2枚目のセラミックグリーンシートに対して、溝4が形成される所定の位置に、最終的に溝4となる、上面の直径が300μmで下面の直径が500μmの、断面形状が台形状の貫通孔をパンチング加工によって形成した。さらに、この貫通孔に加えて、電子部品6が搭載される搭載部2となる位置に、上記と同様の長方形の貫通孔をパンチング加工によって形成した。   Next, with respect to the second ceramic green sheet, the cross-sectional shape with the upper surface diameter of 300 μm and the lower surface diameter of 500 μm, which finally becomes the groove 4 at a predetermined position where the groove 4 is formed, is a table Shaped through holes were formed by punching. Further, in addition to this through hole, a rectangular through hole similar to the above was formed by punching at a position to be the mounting portion 2 on which the electronic component 6 is mounted.

次に、このセラミックグリーンシートの溝4となる貫通孔に対して、平均粒径が1.90μmのタングステン(W)粉末を100質量%に対して有機バインダーとしてセルロースナイトレートを0.8質量%の割合でさらに加えたものに、粘度調整用の溶剤としてジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテートおよびジブチルフタレートを添加混合して得た導体ペーストを、スクリーン印刷法によって、セラミックグリーンシートの下面側から吸引しながら貫通孔の開口周辺および貫通孔の内壁面に印刷塗布して、焼成後に導体層5となる導体ペースト層を形成した。   Next, with respect to the through-hole which becomes the groove 4 of the ceramic green sheet, the cellulose nitrate is used in an amount of 0.8% by mass with 100% by mass of tungsten (W) powder having an average particle size of 1.90 μm as an organic binder. In addition to the addition, conductive paste obtained by adding and mixing diethylene glycol monobutyl ether acetate and dibutyl phthalate as solvents for viscosity adjustment, by screen printing, sucking from the lower surface side of the ceramic green sheet, around the opening of the through hole And the conductor paste layer used as the conductor layer 5 after baking was formed by printing on the inner wall surface of the through hole.

次に、搭載部2の底面となる3枚目のセラミックグリーンシートに対しては、溝4が形成される所定の位置に最終的に溝4となる直径500μmの貫通孔をパンチング加工によって形成し、上記の導体ペーストを、スクリーン印刷法によって下面側から吸引しながら貫通孔の開口周辺および貫通孔の内壁面に印刷塗布して、焼成後に導体層4となる導体ペースト層を形成した。また、同じ導体ペーストを用いて、上面の搭載部2となる部位に接続パッド3となるパターンに導体ペースト層を印刷塗布して、溝4となる貫通孔に印刷塗布した導体層5となる導体ペースト層と接続するようにした。   Next, with respect to the third ceramic green sheet serving as the bottom surface of the mounting portion 2, a through hole having a diameter of 500 μm that finally becomes the groove 4 is formed by punching at a predetermined position where the groove 4 is formed. The conductor paste was printed and applied to the periphery of the through hole and the inner wall surface of the through hole while being sucked from the lower surface side by screen printing, to form a conductor paste layer that becomes the conductor layer 4 after firing. Also, using the same conductive paste, a conductive paste layer is printed and applied in a pattern to be a connection pad 3 on a portion to be the mounting portion 2 on the upper surface, and a conductive layer 5 is printed and applied to a through hole to be a groove 4 Connected to the paste layer.

次に、4枚目のセラミックグリーンシートには、溝4が形成される所定の位置に最終的に溝4となる、上面の直径が500μmで下面の直径が300μmの、断面形状が台形状の貫通孔をパンチング加工によって形成し、上記の導体ペーストを用いて、スクリーン印刷法によって下面側から吸引しながら貫通孔の開口周辺および貫通孔の内壁面に印刷塗布して、焼成後に導体層5となる導体ペースト層を形成した。また、セラミックグリーンシートの下面の外周部となる位置に、上記の導体ペーストを用いてスクリーン印刷法によって焼成後に実装用接続パッド3’となるパターンに導体ペースト層を印刷塗布して、溝4となる貫通孔に印刷塗布した導体層5となる導体ペースト層と接続するようにした。   Next, the fourth ceramic green sheet has a trapezoidal cross section with a diameter of the upper surface of 500 μm and a diameter of the lower surface of 300 μm, which finally becomes the groove 4 at a predetermined position where the groove 4 is formed. A through-hole is formed by punching, and is applied to the periphery of the through-hole and the inner wall surface of the through-hole while sucking from the lower surface side by the screen printing method using the above-mentioned conductor paste, A conductive paste layer was formed. In addition, a conductor paste layer is printed and applied to a pattern that becomes a mounting connection pad 3 ′ after firing by screen printing using the above-described conductor paste at a position that becomes an outer peripheral portion of the lower surface of the ceramic green sheet, It was made to connect with the conductor paste layer used as the conductor layer 5 apply | coated to the through-hole which becomes this.

なお、1枚目のセラミックグリーンシートに対しては、搭載部2となる貫通孔を取り囲む枠状部となる部分の上面の外周部に、上記の導体ペーストを用いてスクリーン印刷法によって、焼結後に枠状の金属層7となる枠状の導体ペースト層を形成した。   The first ceramic green sheet is sintered by screen printing using the above-described conductor paste on the outer peripheral portion of the upper surface of the frame-shaped portion surrounding the through-hole serving as the mounting portion 2. A frame-shaped conductor paste layer that later becomes the frame-shaped metal layer 7 was formed.

そして、これら4枚のセラミックグリーンシートを積層して圧着して積層体とし、水蒸気を含んだ窒素雰囲気中にて約1000℃の温度で約3時間加熱することによって有機成分を除去した後、水蒸気を含んだ窒素雰囲気中にて約1500℃の温度で約6時間焼成を行なった。   Then, these four ceramic green sheets are laminated and pressure-bonded to form a laminate, and after removing organic components by heating at a temperature of about 1000 ° C. for about 3 hours in a nitrogen atmosphere containing water vapor, Firing was performed in a nitrogen atmosphere containing about 6 hours at a temperature of about 1500 ° C.

さらに焼成後に、搭載部2に形成された接続パッド3,下面外周部に形成された実装用接続パッド3’,上面外周部に形成された枠状の金属層7および絶縁基体1の外側面に形成された上下方向に延びる溝4の内側面の導体層4の上に、電解めっき法によって厚さが3μmのニッケルめっき層を被着し、このニッケルめっき層の上に電解めっき法によって厚さが0.5μmの金めっき層を順次被着した。   Further, after firing, the connection pad 3 formed on the mounting portion 2, the mounting connection pad 3 ′ formed on the outer periphery of the lower surface, the frame-shaped metal layer 7 formed on the outer periphery of the upper surface, and the outer surface of the insulating substrate 1. A nickel plating layer having a thickness of 3 μm is applied by electroplating to the conductor layer 4 on the inner surface of the groove 4 extending in the vertical direction, and the thickness is formed by electroplating on the nickel plating layer. Were sequentially deposited with a 0.5 μm gold plating layer.

さらに、スライシング法によって、溝4となる貫通孔の中央を通る分割線に沿って絶縁基体1を切断することで、図3に示す例のような本発明の配線基板10の実施例を作製した。この実施例においては、絶縁基体1の外側面に形成された上下方向に延びる溝4は、上下方向の長さが400μmであり、断面形状が半円形状で、最上面および最下面の最も狭い
幅は200μmで、深さは100μmであった。また、溝4の中央部の凹部4aについての最も広い幅は330μmで、溝4の深さを含めた凹部4aの深さは165μmであった。そして、導体層5はこの溝4および凹部4aの内側面に厚みが8μmで一様に良好に被着しており、表面の一部、この例では中央部が凹状となっているものであった。
Further, the insulating substrate 1 is cut along a dividing line passing through the center of the through hole serving as the groove 4 by a slicing method, thereby producing an embodiment of the wiring board 10 of the present invention as shown in FIG. . Oite in this example, a groove 4 extending in the vertical direction formed on the outer surface of the insulating base 1 is the length in the vertical direction 400 [mu] m, the cross-sectional shape in a semicircular shape, the top and bottom surface of the The narrowest width was 200 μm and the depth was 100 μm. The widest width of the recess 4a at the center of the groove 4 was 330 μm, and the depth of the recess 4a including the depth of the groove 4 was 165 μm. The conductor layer 5 has a thickness of 8 μm and is uniformly and satisfactorily applied to the inner surface of the groove 4 and the recess 4a, and a part of the surface, in this example, the central part is concave. It was.

この溝4の深さが溝4の上端および下端から上下方向の中央部に向かって次第に深くなっており、この深さの差に応じて溝4の凹部4aが形成された配線基板10である実施例について、この実施例と、凹部4aを形成していない配線基板10である比較例とをマザーボードに半田を用いて接合した状態で、JIS規格C0044に則ってコンクリート上500mm
の高さからの自然落下を100回行なった後の、マザーボードからの脱落の有無を確認した
。その結果、実施例ではマザーボードからの脱落が無かったが、比較例ではマザーボードからの脱落があり、本発明の配線基板10が接続信頼性に優れていることが分かった。
The depth of the groove 4 gradually becomes deeper from the upper end and the lower end of the groove 4 toward the central portion in the vertical direction, and the wiring board 10 is formed with the recess 4a of the groove 4 according to the difference in depth. for example, and this embodiment, in a state that was soldered with Comparative example is a wiring substrate 10 not forming a recess 4a on the motherboard, the concrete on 500mm in accordance with JIS C0044
After the natural fall from the height of 100 times, it was confirmed that there was no drop off from the motherboard. As a result, there was no dropout from the motherboard in the example, but there was a dropout from the motherboard in the comparative example, and it was found that the wiring board 10 of the present invention was excellent in connection reliability.

以上の結果、本発明の配線基板によれば、絶縁基体の側面に上下方向に形成された溝(キャスタレーション)に、溝の幅方向の両端にわたる凹部が形成されていることから、溝に被着された導体層と外部電気回路とを強固に接合して確実に接続することができるので、良好にかつ高信頼性で接続して実装することが可能であることが確認できた。   As a result of the above, according to the wiring board of the present invention, the groove (castellation) formed in the vertical direction on the side surface of the insulating base is formed with the concave portions extending at both ends in the width direction of the groove. Since the attached conductor layer and the external electric circuit can be firmly bonded and securely connected, it was confirmed that they can be connected and mounted satisfactorily and with high reliability.

なお、本発明の配線基板は以上の実施の形態の例および実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えても差し支えない。例えば、溝4は、図1〜図4に示す例のように、絶縁基体1の外側面を上下方向に貫通していない形状でもよいし、図5および図6に示す例のように、絶縁基体1の外側面を上下方向に貫通していてもよい。これによれば、溝4が絶縁基体1の外側面を上下方向に貫通していることから、ソケット11に実装する際にスプリング端子12と溝4の凹部4aとの接続状態を絶縁基体1の上方から容易に視認することができるものとなる。また、絶縁基体1の下面に位置する実装用接続パッド3’(図6には図示せず)を介して、マザーボードに半田を用いて実装する際にも、溝4が絶縁基体1の外側面を上下方向に貫通していることから、実装用接続パッド3’を接合させる位置を視認しやすくなり、実装用接続パッド3’,溝4および凹部4aに対する半田の濡れ広がりの様子も確認しやすくなるので、実装歩留まりを向上させることが可能となる。なお、図6(a)は配線基板の実施の形態の参考例を示す、図2(a)と同様の拡大図であり、(b)はその部分をソケット実装した例の断面図である。この図6に示す例は、図2に示す例と同様の凹部4aが形成された溝4を、絶縁基体1の外側面の上端まで貫通させて形成した例である。 The wiring board of the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples, and various modifications may be made without departing from the gist of the present invention. For example, the groove 4 may have a shape that does not penetrate the outer surface of the insulating base 1 in the vertical direction as in the examples shown in FIGS. 1 to 4, or is insulated as in the examples shown in FIGS. 5 and 6. You may penetrate the outer surface of the base | substrate 1 to the up-down direction. According to this, since the groove 4 penetrates the outer surface of the insulating base body 1 in the vertical direction, the connection state between the spring terminal 12 and the recess 4a of the groove 4 when the socket 11 is mounted is determined. It can be easily seen from above. In addition, the groove 4 is formed on the outer surface of the insulating substrate 1 when mounted on the mother board using solder via the mounting connection pads 3 ′ (not shown in FIG. 6) located on the lower surface of the insulating substrate 1. Since it penetrates in the vertical direction, it is easy to see the position where the mounting connection pad 3 ′ is joined, and it is also easy to confirm the state of solder wetting and spreading to the mounting connection pad 3 ′, the groove 4 and the recess 4a. Therefore, it is possible to improve the mounting yield. Incidentally, FIG. 6 (a) shows a reference example of the embodiment of the wiring substrate, an enlarged view similar to FIG. 2 (a), the is a cross-sectional view of (b) the example socket implement portion thereof . The example shown in FIG. 6 is an example in which a groove 4 in which a recess 4 a similar to the example shown in FIG. 2 is formed is penetrated to the upper end of the outer surface of the insulating substrate 1.

1・・・絶縁基体
2・・・電子部品搭載部
3・・・接続パッド
3’・・・実装用接続パッド
4・・・溝(キャスタレーション)
4a・・・凹部
5・・・導体層
6・・・電子部品
7・・・枠状の金属層
8・・・ボンディングワイヤ
10・・・配線基板
11・・・ソケット
12・・・スプリング端子
13・・・メニスカス
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulation base | substrate 2 ... Electronic component mounting part 3 ... Connection pad 3 '... Connection pad 4 for mounting ... Groove (castellation)
4a ... concave portion 5 ... conductor layer 6 ... electronic component 7 ... frame-shaped metal layer 8 ... bonding wire
10 ... wiring board
11 ... Socket
12 ... Spring terminal
13 ... Meniscus

Claims (1)

主面に電子部品の搭載部を有し、外側面に上下方向に延びる溝を有する絶縁基体と、
前記搭載部に形成された、電子部品が電気的に接続される接続パッドと、
前記溝の内側面に被着された、前記接続パッドと電気的に接続された導体層とを備え、
該導体層が外部電気回路に導電性接続材を介して接続される配線基板であって、
前記溝に、該溝の幅方向の両端にわたる凹部が形成されており、該凹部に沿って前記導体層が被着されて前記導体層の表面の一部が凹状となっており、
前記溝の深さが、該溝の上端および下端から上下方向の中央部に向かって次第に深くなっており、この深さの差に応じて前記溝の前記凹部が形成されていることを特徴とする配線基板。
An insulating substrate having a mounting portion for electronic components on the main surface and a groove extending in the vertical direction on the outer surface;
A connection pad formed on the mounting portion to which an electronic component is electrically connected;
A conductor layer deposited on the inner surface of the groove and electrically connected to the connection pad;
A wiring board in which the conductor layer is connected to an external electric circuit via a conductive connecting material,
In the groove, a recess is formed across both ends of the groove in the width direction, the conductor layer is deposited along the recess, and a part of the surface of the conductor layer is concave ,
The depth of the groove is gradually deeper from the upper end and the lower end of the groove toward the center in the vertical direction, and the concave portion of the groove is formed according to the difference in depth. Wiring board.
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