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Description
前記支持基板上に設けられる複数の有機EL素子と、
平面視で各有機EL素子の外周をそれぞれ囲むように設けられる隔壁とを備える表示装置であって、
前記隔壁は、平面視で、前記有機EL素子の外周のうちの一部に面して設けられる第1の隔壁と、前記有機EL素子の外周のうちの前記一部を除く残余の部分に面して設けられる第2の隔壁とを有し、
前記第1の隔壁は、その側面とその底面との成す角が鋭角の順テーパ形状の隔壁であり、前記第2の隔壁は、その側面とその底面との成す角が鈍角の逆テーパ形状の隔壁である、表示装置に関する。
平面視で前記第1の隔壁と前記第2の隔壁とが重なる部位では、前記第2の隔壁は、前記支持基板と前記第1の隔壁との間に設けられる、前記の表示装置に関する。
前記第1の隔壁は、前記有機EL素子の短手方向の一方および他方の端面に面して配置され、
前記第2の隔壁は、前記有機EL素子の長手方向の一方および他方の端面に面して前記第2の隔壁が配置される、前記の表示装置に関する。
支持基板上に隔壁を形成する工程と、
支持基板上に複数の有機EL素子を形成する工程とを含み、
隔壁を形成する工程では、フォトリソグラフィ法によって感光性樹脂組成物をパターニングすることにより、第1の隔壁と第2の隔壁とを形成する、表示装置の製造方法に関する。
まず表示装置の構成について説明する。図1は本実施形態の表示装置1の一部を拡大して模式的に示す断面図である。図2は図1に示す切断面線A−Aで切断した表示装置を拡大して模式的に示す断面図である。図3は図1に示す切断面線B−Bで切断した表示装置を拡大して模式的に示す断面図である。図4は図1に示す切断面線C−Cで切断した表示装置を拡大して模式的に示す断面図である。図5は図1に示す切断面線D−Dで切断した表示装置を拡大して模式的に示す断面図である。図6は図1に示す切断面線E−Eで切断した表示装置を拡大して模式的に示す断面図である。
(I)赤色有機EL素子4Rが行方向Xにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
(II)緑色有機EL素子4Gが行方向Xにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
(III)青色有機EL素子4Bが行方向Xにそれぞれ所定の間隔をあけて配置される行。
本工程では第1電極6がそのうえに形成された支持基板2を用意する(図7参照)。なお本工程では第1電極6がそのうえに形成された支持基板を市場から入手することによって、第1電極6が形成された支持基板2を用意してもよい。また本工程において支持基板2上に第1電極6を形成してもよい。
本工程では隔壁を形成する。隔壁は、たとえば(1)フォトリソグラフィ法によって感光性樹脂組成物をパターニングすることにより、逆テーパ形状の隔壁および順テーパ形状の隔壁を形成することができ、また(2)フォトリソグラフィ法で感光性樹脂組成物をパターニングしてまず逆テーパ形状の隔壁を形成し、次に、形成した逆テーパ形状の隔壁のうちで逆テーパ形状の隔壁として残す部分をレジストで覆い、ドライエッチング法によって隔壁を順テーパ形状に加工することにより、逆テーパ形状の隔壁および順テーパ形状の隔壁を形成することができる。
ネガ型感光性樹脂は、光の照射部分が、現像液に対して不溶化し残存するものである。
本工程では有機層を形成する。本実施形態では1層以上の有機層のうち、少なくとも1層の有機層を塗布法によって形成する。本実施形態では、第1の有機層7および第2の有機層9を塗布法によって形成する。
つぎに第2電極10を形成する。本実施形態では、少なくとも複数の有機EL素子が設けられる表示領域において、一面に導電性薄膜を形成する。たとえば蒸着法によって一面に導電性薄膜を形成する。上述したようにこの導電性薄膜のうちで、第2の有機層9上に設けられるものが第2電極10に相当する。図15(3)に示すように、第2電極10の膜厚が薄い場合、たとえ一面に導電性薄膜を形成したとしても、逆テーパ形状の第2の隔壁3b上ではその端部で導電性薄膜10aが切断されることがあり、そのために有機EL素子4の第2電極10と第2の隔壁3b上の導電性薄膜10aとが切断されることがある。他方、図15(2)に示すように、順テーパ形状の第1の隔壁3a上では、その側面上にも導電性薄膜10aが形成されるため、第1の隔壁3aの端部で第2電極10が切断されることがなく、有機EL素子4の第2電極10と第1の隔壁3a上の導電性薄膜10aとが連なるように形成される。そのため、行方向Xに隣り合う有機EL素子4の第2電極10が、第1の隔壁3a上の導電性薄膜10aを介して連なるように形成される。
以下では有機EL素子の構成についてさらに詳しく説明する。有機EL素子は、有機層として少なくとも1層の発光層を有するが、上述したようにたとえば正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、および電子注入層などの所定の層をさらに備えることがある。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
c)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
d)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
e)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
f)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
g)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
k)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
l)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
m)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
n)陽極/発光層/電子注入層/陰極
o)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
p)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(ここで、記号「/」は、記号「/」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
支持基板には、有機EL素子を製造する工程において化学的に変化しないものが好適に用いられ、たとえばガラス、プラスチック、高分子フィルム、およびシリコン板、並びにこれらを積層したものなどが用いられる。
発光層から放射される光が陽極を通って外界に出射する構成の有機EL素子の場合、陽極には光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、金属酸化物、金属硫化物および金属などの薄膜を用いることができ、電気伝導度および光透過率の高いものが好適に用いられる。具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、インジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:略称IZO)、金、白金、銀、および銅などから成る薄膜が用いられ、これらの中でもITO、IZO、または酸化スズから成る薄膜が好適に用いられる。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法などを挙げることができる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
陰極の材料としては、仕事関数が小さく、発光層への電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。また陽極側から光を取出す構成の有機EL素子では、発光層から放射される光を陰極で陽極側に反射するために、陰極の材料としては可視光に対する反射率の高い材料が好ましい。陰極には、たとえばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の13族金属などを用いることができる。陰極の材料としては、たとえばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、前記金属のうちの2種以上の合金、前記金属のうちの1種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの1種以上との合金、またはグラファイト若しくはグラファイト層間化合物などが用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などを挙げることができる。また陰極としては導電性金属酸化物および導電性有機物などから成る透明導電性電極を用いることができる。具体的には、導電性金属酸化物として酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ITO、およびIZOを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などを挙げることができる。なお陰極は、2層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお電子注入層が陰極として用いられることもある。
正孔注入層を構成する正孔注入材料としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、および酸化アルミニウムなどの酸化物や、フェニルアミン系化合物、スターバースト型アミン系化合物、フタロシアニン系、アモルファスカーボン、ポリアニリン、およびポリチオフェン誘導体などを挙げることができる。
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などを挙げることができる。
発光層は、通常、主として蛍光及び/又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、たとえば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。なお発光層を構成する有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、塗布法によって発光層を形成する場合には、発光層は高分子化合物を含むことが好ましい。発光層を構成する高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量はたとえば103〜108程度である。発光層を構成する発光材料としては、たとえば以下の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。
色素系材料としては、たとえば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などを挙げることができる。
金属錯体系材料としては、たとえばTb、Eu、Dyなどの希土類金属、またはAl、Zn、Be、Ir、Ptなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体を挙げることができ、たとえばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などを挙げることができる。
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどを挙げることができる。
電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、公知のものを使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。
電子注入層を構成する材料としては、発光層の種類に応じて最適な材料が適宜選択され、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの1種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、およびこれらの物質の混合物などを挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、および炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウムなどを挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウムなどを挙げることができる。電子注入層は、2層以上を積層した積層体で構成されてもよく、たとえばLiF/Caなどを挙げることができる。
第1電極として機能するITO薄膜が形成された支持基板(TFT基板)を用意する(図7)。この支持基板上に、ネガ型感光性樹脂溶液1(日本ゼオン株式会社製ZPN2464)をスピンコータを用いて塗布成膜し、ホットプレート上において110℃で90秒間加熱し、プリベークを施すことによって溶剤成分を気化する(図8)。つぎにプロキシミティ露光機を用いて露光量100mJ/cm2で露光する。さらに現像液(株式会社トクヤマ製SD-1(TMAH2.38wt%))を用いて80秒間現像し、逆テーパ形状の第2の隔壁3bを形成する。つぎに230℃で30分間加熱し、ポストベークを施すことにより樹脂を硬化させ、膜厚が0.8μmの第2の隔壁3bを形成する。このようにして形成された第2の隔壁3bの側面と第2の隔壁3bの底面との成す角θ2は約115°となる。
2 支持基板
3 隔壁
3a 順テーパ形状の第1の隔壁
3b 逆テーパ形状の第2の隔壁
4 有機EL素子
5 凹部
6 第1電極
7 第1の有機層(正孔注入層)
8 隔壁形成用膜
9 第2の有機層(発光層)
10 第2電極
10a 導電性薄膜
12 支持基板
13 隔壁
15 隔壁に囲まれた領域
16 第1電極
17 インク
18 有機層
19 第2電極
21 フォトマスク
22 インク
Claims (5)
- 支持基板と、
前記支持基板上に設けられる複数の有機EL素子と、
平面視で各有機EL素子の外周をそれぞれ囲むように設けられる隔壁とを備える表示装置であって、
前記隔壁は、平面視で、前記有機EL素子の外周のうちの一部に面して設けられる第1の隔壁と、前記有機EL素子の外周のうちの前記一部を除く残余の部分に面して設けられる第2の隔壁とを有し、
前記第1の隔壁は、その側面とその底面との成す角が鋭角の順テーパ形状の隔壁であり、
前記第2の隔壁は、その側面とその底面との成す角が鈍角の逆テーパ形状の隔壁である、表示装置。 - 前記第1の隔壁は、前記支持基板の厚み方向に垂直な第1の方向にそれぞれ延在し、前記厚み方向および前記第1の方向にそれぞれ垂直な第2の方向に所定の間隔をあけて配置される複数本の順テーパ隔壁から構成され、
平面視で前記第1の隔壁と前記第2の隔壁とが重なる部位では、前記第2の隔壁は、前記支持基板と前記第1の隔壁との間に設けられる、請求項1記載の表示装置。 - 前記有機EL素子は前記支持基板の厚み方向に垂直な所定の方向に延在する形状を有し、
前記第1の隔壁は、前記有機EL素子の短手方向の一方および他方の端面に面して配置され、
前記第2の隔壁は、前記有機EL素子の長手方向の一方および他方の端面に面して前記第2の隔壁が配置される、請求項1または2記載の表示装置。 - 前記隔壁が、感光性樹脂組成物がパターニングされることにより得られる、請求項1〜3のいずれかに記載の表示装置。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の表示装置の製造方法であって、
支持基板上に隔壁を形成する工程と、
支持基板上に複数の有機EL素子を形成する工程とを含み、
隔壁を形成する工程では、フォトリソグラフィ法によって感光性樹脂組成物をパターニングすることにより、第1の隔壁と第2の隔壁とを形成する、表示装置の製造方法。
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