JP5420144B2 - 基板を処理するプラズマ処理装置および電極組立体 - Google Patents
基板を処理するプラズマ処理装置および電極組立体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5420144B2 JP5420144B2 JP2006264246A JP2006264246A JP5420144B2 JP 5420144 B2 JP5420144 B2 JP 5420144B2 JP 2006264246 A JP2006264246 A JP 2006264246A JP 2006264246 A JP2006264246 A JP 2006264246A JP 5420144 B2 JP5420144 B2 JP 5420144B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rails
- electrode assembly
- openings
- electrode
- rail
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32605—Removable or replaceable electrodes or electrode systems
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
- H10P72/0421—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S269/00—Work holders
- Y10S269/905—Work holder for doors and door frames
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T279/00—Chucks or sockets
- Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Treatment Of Fiber Materials (AREA)
Description
Claims (11)
- プラズマ処理装置において、第一の大きさを有する1以上の基板と第二の大きさを有する1以上の基板とを支持するための電極組立体であって、該電極組立体は、
電極と、
第一と第二の棒部材であって、その第一と第二の棒部材の各々が第一側面と、その第一側面上の複数の第一開口と、第二側面と、その第二側面上の複数の第二開口とを具備し、前記複数の第一開口のうちの隣接する第一開口の対は前記第一側面の長さ方向に沿って第一間隔をもって離間して配置され、前記複数の第二開口のうちの隣接する第二開口の対は前記第二側面の長さ方向に沿って前記第一間隔とは異なる第二間隔をもって離間して配置される前記第一と第二の棒部材と、
前記電極上に載置される基板を支持するようになっている複数のレールであって、前記複数のレールの各々は、前記第一の棒部材と前記第二の棒部材との各々にほぼ直角に延在し、複数の結合部材を有する複数のレールとを備え、
該結合部材は、該第一と第二の棒部材の該第一開口と脱着可能に結合されるようになっていて、該複数のレールのうちの隣接するレールの対が前記第一の大きさを有する1以上の基板を支持するように離間し、
該結合部材は、該第一と第二の棒部材の該第二開口と脱着可能に結合されるようになっていて、該複数のレールの隣接するレールの対が第二の大きさを有する1以上の基板を支持するように離間していることを特徴とする電極組立体。 - 請求項1に記載の電極組立体であって、
該電極は、ほぼ平行な複数の溝部を有し、
該第一と第二の棒部材の各々は、該第一開口または該第二開口を暴露するように、前記複数の溝部の各々において取外し可能に配置されていることを特徴とする電極組立体。 - 請求項2に記載の電極組立体であって、
該結合部材は、前記複数のレールのうちの対応するレールから突出するピンであって、該ピンは、該第一開口部または該第二開口部に挿入されるような大きさを有することを特徴とする電極組立体。 - 請求項1に記載の電極組立体であって、
該第一の棒部材と該第二の棒部材は、各々、該第一間隔に関連付けられる第一識別子と、該第二間隔に関連付けられる第二識別子とを備えることを特徴とする電極組立体。 - 請求項1に記載の電極組立体であって、
該複数のレールは、各々、第一端部と、第二端部と、該第一端部と該第二端部との間を長手方向に延在する支持面とを備え、該複数のレールの少なくとも一の支持面の部分は、該第一端部の方向に傾いて該第一端部と交差し、前記支持面の部分は前記支持面上に負荷された基板の前記支持面に垂直な方向のズレを補正するようになっていることを特徴とする電極組立体。 - 請求項1に記載の電極組立体であって、
該複数のレールは、各々、第一端部と、第二端部と、該第一端部と該第二端部との間を長手方向に延在する支持面とを備え、該複数のレールの少なくとも一の支持面の部分は、該第一端部の方向に広がりをもっていて該第一端部と交差し、前記支持面の部分は該支持面上に負荷された基板の前記複数のレールが延在する方向のズレを補正するようになっていることを特徴とする電極組立体。 - 請求項1に記載の電極組立体であって、
該複数のレールは、各々、支持面を有し、さらに、
該レールと該電極との間に脱着可能に挿入された複数の高さ調節部材を有し、
該高さ調節部材は該支持面を該電極と分離する距離を増加させることに協働することを特徴とする電極組立体。 - プラズマ処理装置において、1以上の基板を支持するための電極組立体であって、該電極組立体は、
第一の溝部と、該第一の溝部とほぼ平行に配置される第二の溝部とを有する電極と、
該第一の溝部内の第一の棒部材と、
該第二の溝部内の第二の棒部材と、
前記第一の棒部材と前記第二の棒部材との各々にほぼ直角に延在する複数のレールとを備え、
該複数のレールは、前記電極上に載置される基板を支持するようになっていて、
前記複数のレールは、各々、該レールを該電極に取外し可能に取り付けるために該第一の棒部材と該第二の棒部材と脱着可能に結合され、
該第一の棒部材と該第二の棒部材とは、各々、複数の第一開口を有する第一側面と、複数の第二開口を有する第二側面とを有し、
該複数の第一開口のうちの隣接する対は、該第一側面の長さに沿った第一間隔によって隔てられて、該複数のレールのうちの隣接する対の間に第一距離を画定し、
該複数の第二開口のうちの隣接する対は、該第二側面の長さ方向に沿った第二間隔であって該第一間隔とは異なる第二間隔によって隔てられて、該複数のレールのうちの隣接する対の間に第二距離を画定することを特徴とする電極組立体。 - 請求項8に記載の電極組立体であって、
前記複数のレールのそれぞれは、該第一の棒部材中の前記複数の第一開口のうちの一の第一開口に挿入される大きさの第1ピンと、該第二の棒部材中の前記複数の第二開口のうちの一の第二開口に挿入される大きさの第2ピンを有することを特徴とする電極組立体。 - 請求項8に記載の電極組立体であって、
該第一側面は該第一間隔に関連付けられる第一識別子を有し、該第二側面は該第二間隔に関連付けられる第二識別子を有することを特徴とする電極組立体。 - 第1の大きさを有する1以上の基板または第2の大きさを有する1以上の基板を、プラズマで、処理するための処理装置であって、該処理装置は、
部分的な真空まで排気可能な処理空間を内包する真空チャンバと、
前記処理空間に処理ガスを導入するために、前記真空チャンバ内に画定されるガスポートと、
該処理ガスを該プラズマに変換するための電源と、
該処理空間内に配置され、前記処理ガスを該プラズマに変換するための電源に電気的に接続される電極組立体とを備え、
前記電極組立体は電極と、複数の棒部材と、複数のレールとを備え、
前記複数の棒部材の各々は、第一側面と、その第一側面上の複数の第一開口と、第二側面と、その第二側面上の複数の第二開口とを具備し、前記複数の第一開口のうちの隣接する第一開口の対は前記第一側面の長さ方向に沿って第一間隔をもって離間して配置され、前記複数の第二開口のうちの隣接する第二開口の対は前記第二側面の長さ方向に沿って前記第一間隔とは異なる第二間隔をもって離間して配置され、
前記複数のレールは、前記電極上に載置される基板を支持するようになっていて、
前記複数のレールは、前記複数の棒部材の各々にほぼ直角に延在し、
前記複数のレールは、前記複数の棒部材中の前記第一開口と脱着可能に結合されるようになっている複数の結合部材を備え、前記レールが該前記第一の大きさを有する一以上の基板を支持するように離間し、前記複数の棒部材中の該第二開口と脱着可能に結合されるようになっている複数の結合部材を備えて前記複数のレールが該第二の大きさを有する一以上の基板を支持するように離間することを特徴とする処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/239,570 US7455735B2 (en) | 2005-09-28 | 2005-09-28 | Width adjustable substrate support for plasma processing |
| US11/239570 | 2005-09-28 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007095695A JP2007095695A (ja) | 2007-04-12 |
| JP2007095695A5 JP2007095695A5 (ja) | 2009-11-12 |
| JP5420144B2 true JP5420144B2 (ja) | 2014-02-19 |
Family
ID=37832784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006264246A Expired - Fee Related JP5420144B2 (ja) | 2005-09-28 | 2006-09-28 | 基板を処理するプラズマ処理装置および電極組立体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7455735B2 (ja) |
| JP (1) | JP5420144B2 (ja) |
| CN (1) | CN1956138B (ja) |
| DE (1) | DE102006040593A1 (ja) |
| SG (1) | SG131038A1 (ja) |
| TW (1) | TWI381065B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3192507B2 (ja) | 1992-12-18 | 2001-07-30 | 三菱電機株式会社 | 樹脂シール中空型半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7465680B2 (en) * | 2005-09-07 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Post deposition plasma treatment to increase tensile stress of HDP-CVD SIO2 |
| US8171877B2 (en) * | 2007-03-14 | 2012-05-08 | Lam Research Corporation | Backside mounted electrode carriers and assemblies incorporating the same |
| JP4850811B2 (ja) * | 2007-11-06 | 2012-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台、処理装置および処理システム |
| JP4805286B2 (ja) * | 2008-02-06 | 2011-11-02 | シャープ株式会社 | 搬送装置 |
| US8276604B2 (en) * | 2008-06-30 | 2012-10-02 | Lam Research Corporation | Peripherally engaging electrode carriers and assemblies incorporating the same |
| CN102398234A (zh) * | 2010-09-07 | 2012-04-04 | 安特(苏州)精密机械有限公司 | 一种弹簧片配送夹具 |
| DE102014211713A1 (de) * | 2014-06-18 | 2015-12-24 | Siemens Aktiengesellschaft | Vorrichtung zur Plasmabeschichtung und Verfahren zum Beschichten einer Platine |
| CN104409401B (zh) * | 2014-12-26 | 2017-02-22 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种等离子清洗设备 |
| JP6645921B2 (ja) * | 2016-07-07 | 2020-02-14 | キオクシア株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| US20180308661A1 (en) * | 2017-04-24 | 2018-10-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with electrode filaments |
| US10510515B2 (en) | 2017-06-22 | 2019-12-17 | Applied Materials, Inc. | Processing tool with electrically switched electrode assembly |
| DE102019201166A1 (de) * | 2019-01-30 | 2020-07-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Werkstückträger zum Halten eines zu beschichtenden Bauteils, Verwendung eines solchen Werkstückträgers sowie Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten eines Bauteils |
| WO2021109424A1 (zh) * | 2019-12-04 | 2021-06-10 | 江苏菲沃泰纳米科技有限公司 | 电极支架、支撑结构、支架、镀膜设备及应用 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3133307B2 (ja) * | 1989-10-13 | 2001-02-05 | 株式会社日立製作所 | 電子顕微鏡 |
| US5075530A (en) * | 1990-07-23 | 1991-12-24 | Lee Shih Lu | Multi-head type of electro-discharging machine |
| EP0572716B1 (fr) | 1992-05-30 | 1996-10-09 | Charmilles Technologies S.A. | Machine d'électroérosion à fil avec pièce à usiner fixe |
| US5895549A (en) * | 1994-07-11 | 1999-04-20 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Method and apparatus for etching film layers on large substrates |
| US6245189B1 (en) * | 1994-12-05 | 2001-06-12 | Nordson Corporation | High Throughput plasma treatment system |
| EP1203513B1 (en) * | 1999-07-13 | 2008-01-23 | Nordson Corporation | High-speed symmetrical plasma treatment system |
| US6709522B1 (en) * | 2000-07-11 | 2004-03-23 | Nordson Corporation | Material handling system and methods for a multichamber plasma treatment system |
| US6451120B1 (en) * | 2000-09-21 | 2002-09-17 | Adc Telecommunications, Inc. | Apparatus and method for batch processing semiconductor substrates in making semiconductor lasers |
| JP2001326266A (ja) * | 2001-02-20 | 2001-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマクリーニング装置 |
| US6841033B2 (en) * | 2001-03-21 | 2005-01-11 | Nordson Corporation | Material handling system and method for a multi-workpiece plasma treatment system |
| US6852169B2 (en) * | 2001-05-16 | 2005-02-08 | Nordson Corporation | Apparatus and methods for processing optical fibers with a plasma |
| US7013834B2 (en) * | 2002-04-19 | 2006-03-21 | Nordson Corporation | Plasma treatment system |
| US7018555B2 (en) * | 2002-07-26 | 2006-03-28 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate treatment method and substrate treatment apparatus |
| JP4413084B2 (ja) * | 2003-07-30 | 2010-02-10 | シャープ株式会社 | プラズマプロセス装置及びそのクリーニング方法 |
| JP4281692B2 (ja) * | 2005-02-15 | 2009-06-17 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2005
- 2005-09-28 US US11/239,570 patent/US7455735B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-30 DE DE102006040593A patent/DE102006040593A1/de not_active Withdrawn
- 2006-09-01 TW TW095132424A patent/TWI381065B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-09-08 SG SG200606058-6A patent/SG131038A1/en unknown
- 2006-09-28 JP JP2006264246A patent/JP5420144B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-09-28 CN CN200610141520.XA patent/CN1956138B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3192507B2 (ja) | 1992-12-18 | 2001-07-30 | 三菱電機株式会社 | 樹脂シール中空型半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2007095695A (ja) | 2007-04-12 |
| SG131038A1 (en) | 2007-04-26 |
| TW200732504A (en) | 2007-09-01 |
| TWI381065B (zh) | 2013-01-01 |
| US20070068455A1 (en) | 2007-03-29 |
| US7455735B2 (en) | 2008-11-25 |
| CN1956138A (zh) | 2007-05-02 |
| DE102006040593A1 (de) | 2007-03-29 |
| CN1956138B (zh) | 2010-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5420144B2 (ja) | 基板を処理するプラズマ処理装置および電極組立体 | |
| CN1327475C (zh) | 用于等离子室的悬挂式分气歧管 | |
| CN101325169B (zh) | 载置台和使用该载置台的等离子体处理装置 | |
| US20080099145A1 (en) | Gas sealing skirt for suspended showerhead in process chamber | |
| US20090283036A1 (en) | Shadow frame having alignment inserts | |
| JP4281692B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| TWI445076B (zh) | Vacuum processing device | |
| CN200996043Y (zh) | 一种屏蔽框架组件 | |
| KR20060106544A (ko) | 표시 패널용 글라스를 적재하기 위한 글라스 카세트 | |
| CN101232769B (zh) | 等离子加工设备 | |
| KR100288031B1 (ko) | 패널디스플레이제조방법및제조장치 | |
| TWI816808B (zh) | 配線固定構造及處理裝置 | |
| CN106981446B (zh) | 等离子体处理装置 | |
| KR102757379B1 (ko) | 베이스 플레이트 및 이를 포함하는 기판처리장치 | |
| JP2000174000A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| KR20050042970A (ko) | 교체가 용이한 기판 승강핀 | |
| CN114514337A (zh) | 用于基板处理的支撑支架设备和方法 | |
| TW202119461A (zh) | 電漿處理裝置 | |
| KR100544896B1 (ko) | 일체형 실링부재를 구비한 알루미늄 플라즈마 챔버 | |
| CN108878245A (zh) | 闸阀装置和基板处理系统 | |
| KR100752936B1 (ko) | 플라즈마 처리장치의 플라즈마 차폐수단 | |
| KR100277646B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널 봉착방법 및 장치 | |
| CN210272300U (zh) | 可拆卸固定平台和真空吸附设备 | |
| JP2002160931A (ja) | 板ガラスの熱処理用治具 | |
| KR101000338B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090925 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090925 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120419 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120501 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120801 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120806 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121025 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130418 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130718 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130723 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131003 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131022 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131120 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5420144 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |