JP5423325B2 - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子及びその製造方法、より具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法に関する。

近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、『有機ＥＬ素子』と略称する場合がある）を用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、『有機ＥＬ表示装置』と略称する場合がある）が注目されている。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であり、消費電力が低いという特性を有しており、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものと考えられており、実用化に向けての開発、商品化が鋭意進められている。

有機ＥＬ素子は、通常、第１電極、有機発光材料から成る発光層を備えた有機層、及び、第２電極が、順次、積層された構造を有する。そして、有機ＥＬ素子においては、共振器構造を導入することによって、即ち、有機層を構成する各層の厚さの最適化を図ることで、発光色の色純度を向上させたり、発光効率を高めるなど、発光層で発生する光を制御する試みが行われている（例えば、国際公開第０１／３９５５４号パンフレット参照）。

ここで、色度、輝度の視野角依存性に問題が生じる場合があるので、即ち、視野角が大きくなるに従い、有機ＥＬ表示装置からの光のスペクトルにおけるピーク波長が大きく移動したり、光強度が大幅に低下するといった問題が生じる場合があるので、共振の強さはなるべく低く抑える、つまり、有機層の厚さは出来る限り薄くすることが望ましい（上述した国際公開第０１／３９５５４号パンフレット参照）。然るに、有機層の厚さが薄い場合、図１６に模式的に示すように、第１電極上にパーティクル（異物）や突起部が存在すると、有機層のカバレッジが完全ではなくなり、第１電極と第２電極との間で短絡が生じる虞がある。そして、このような短絡が生じると、アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置においては、短絡を含む画素が欠陥となってしまい、有機ＥＬ表示装置の表示品質を劣化させてしまう。また、パッシブマトリクスの有機ＥＬ表示装置においては、欠線となってしまい、やはり、有機ＥＬ表示装置の表示品質を劣化させてしまう。このような問題は、特に、大型の有機ＥＬ表示装置に顕著な問題となる。即ち、視野角特性がより厳しくなる一方、単位面積当たりの許容欠陥数が少なくなるからである。

これまで、第１電極と第２電極との間での短絡を減少させる取り組みが、種々、行われてきている。例えば、特開２００１−０３５６６７には、ボトムエミッション方式の有機ＥＬ表示装置において、アノード電極と有機膜の間に高抵抗層を挿入する技術が開示されている。また、特開２００６−３３８９１６には、トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置において、アノード電極を２層とし、有機層に近いアノード電極を構成する層を高抵抗にする技術が開示されている。更には、特開２００５−２０９６４７には、ボトムエミッション方式の有機ＥＬ表示装置において、カソード電極を２層とし、有機層に近いアノード電極を構成する層を高抵抗にする技術が開示されている。

国際公開第０１／３９５５４号パンフレット 特開２００１−０３５６６７ 特開２００６−３３８９１６ 特開２００５−２０９６４７

しかしながら、これらの特許公開公報に開示されたように、アノード電極とカソード電極との間に高抵抗層を挿入した場合でも、共振器構造と組み合わせる場合、上述した問題を解決することができない。即ち、表示欠陥の発生を確実に防止するために、パーティクル（異物）や突起部への高抵抗層のカバレッジを向上させるためには、高抵抗層の膜厚を十分厚くする必要がある。然るに、高抵抗層の膜厚を余り厚くすると、プロセス的な負荷が増加するし、製造コストも増加してしまう。また、第２電極は、屡々、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されているが、係る透明導電材料の電気抵抗率は金属に比べて高く、第２電極の電気抵抗率の一層の低減に対する強い要望がある。

従って、本発明の目的は、たとえ、第１電極上にパーティクル（異物）や突起部が存在したとしても、第１電極と第２電極との間で短絡が生じることがない構成、構造を有し、しかも、製造コストの低減を図ることができ、特別な製造プロセスを必要としない発光素子、及び、その製造方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本発明の第１の態様〜第４の態様に係る発光素子は、
（Ａ）第１電極、
（Ｂ）有機発光材料から成る発光層を備えた有機層、
（Ｃ）抵抗層、及び、
（Ｄ）第２電極、
が、順次、積層されて成る。

そして、本発明の第１の態様に係る発光素子にあっては、抵抗層と第２電極との間に導電性樹脂層が形成されている。

また、本発明の第２の態様に係る発光素子にあっては、第２電極は導電性樹脂材料から成る。

更には、本発明の第３の態様に係る発光素子にあっては、抵抗層は高電気抵抗を有する樹脂材料から成る。

また、本発明の第４の態様に係る発光素子にあっては、第２電極の上方には補助電極が形成されており、補助電極と第２電極とは導電性を有するリブによって電気的に接続されている。

上記の目的を達成するための本発明の第１の態様〜第４の態様に係る発光素子の製造方法は、
第１基板と第２基板との間に設けられ、
（Ａ）第１電極、
（Ｂ）有機発光材料から成る発光層を備えた有機層、
（Ｃ）抵抗層、及び、
（Ｄ）第２電極、
が、順次、積層されて成る発光素子の製造方法である。

そして、本発明の第１の態様に係る発光素子の製造方法は、本発明の第１の態様に係る発光素子を製造する方法であり、
（ａ）第１電極、有機層及び抵抗層が順次形成された第１基板を準備し、
（ｂ）第２電極が形成された第２基板を準備し、
（ｃ）導電性樹脂層によって抵抗層と第２電極とを接着する、
各工程を備えている。

また、本発明の第２の態様に係る発光素子の製造方法は、本発明の第２の態様に係る発光素子を製造する方法であり、
（ａ）第１電極、有機層及び抵抗層が順次形成された第１基板を準備し、
（ｂ）導電性樹脂材料から成る第２電極によって抵抗層と第２基板とを接着する、
各工程を備えている。

更には、本発明の第３の態様に係る発光素子の製造方法は、本発明の第３の態様に係る発光素子を製造する方法であり、
（ａ）第１電極及び有機層が順次形成された第１基板を準備し、
（ｂ）第２電極が形成された第２基板を準備し、
（ｃ）高電気抵抗を有する樹脂材料から成る抵抗層によって有機層と第２電極とを接着する、
各工程を備えている。

また、本発明の第４の態様に係る発光素子の製造方法は、本発明の第４の態様に係る発光素子を製造する方法であり、
（ａ）第１電極、有機層、抵抗層及び第２電極が順次形成された第１基板を準備し、
（ｂ）補助電極が形成され、更には、補助電極上に導電性を有するリブが形成された第２基板を準備し、
（ｃ）リブと第２電極とが接触した状態で、第１基板と第２基板とを接合する、
各工程を備えている。

本発明の第２の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、前記工程（ｂ）において、第２基板上に、予め、第２電極を形成しておく形態とすることができる。尚、このような製造方法を、便宜上、本発明の第２’の態様に係る発光素子の製造方法と呼ぶ。また、本発明の第３の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、前記工程（ｃ）において、第２電極上に、予め、抵抗層を形成しておく形態とすることができる。尚、このような製造方法を、便宜上、本発明の第３’の態様に係る発光素子の製造方法と呼ぶ。

本発明の第１の態様に係る発光素子にあっては、抵抗層と第２電極との間に導電性樹脂層が形成されているので、第２電極と抵抗層との間の導通を確実なものとすることができる。そして、導電性樹脂層が形成されているが故に、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成された第２電極及び導電性樹脂層の全体の電気抵抗率の低減を図ることができる。また、本発明の第１の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、第２電極が形成された第２基板を予め準備しておけばよいので、云い換えれば、有機層の上方に第２電極を形成しなくともよいので、有機層にダメージが発生することを防止できるだけでなく、高い品質、優れた特性を有する第２電極を形成することができる。

本発明の第２の態様に係る発光素子において、第２電極は導電性樹脂材料から成る。従って、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成された第２電極と比較して、第２電極の製造コストの低減を図ることができる。また、本発明の第２の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、導電性樹脂材料から成る第２電極によって抵抗層と第２基板とを接着するので、云い換えれば、有機層の上方に第２電極を形成しなくともよいので、有機層にダメージが発生することを防止できる。

本発明の第３の態様に係る発光素子において、抵抗層は高電気抵抗を有する樹脂材料から成る。従って、カバレッジの向上のために抵抗層の膜厚を特段に厚くする必要がなく、プロセス的な負荷が増加することもないし、製造コストが増加することもない。また、本発明の第３の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、高電気抵抗を有する樹脂材料から成る抵抗層によって有機層と第２電極とを接着するので、優れたカバレッジを達成することができる。

本発明の第４の態様に係る発光素子において、第２電極の上方には補助電極が形成されており、補助電極と第２電極とは導電性を有するリブによって電気的に接続されている。従って、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成された第２電極と比較して、第２電極と補助電極とリブの全体における製造コストの低減を図ることができる。また、本発明の第４の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、リブと第２電極とが接触した状態で第１基板と第２基板とを接合するので、第２電極と補助電極とリブの全体における製造コストの低減を図ることができる。

しかも、本発明の第１の態様〜第４の態様に係る発光素子あるいはその製造方法にあっては、有機層と第２電極との間に抵抗層が形成されているが故に、第１電極上に異物（パーティクル）や突起部が存在し、あるいは又、段差が存在して、有機層のカバレッジが完全ではなかったとしても、第２電極から有機層に確実に電圧を印加できるし、第１電極と第２電極との間で短絡が生じることもない。

図１は、実施例１における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。 図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の発光素子の模式的な一部断面図である。 図３は、実施例１における有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、第１電極上に異物が存在しているときの有機層等の成膜状態を模式的に示す一部断面図である。 図４は、実施例１における有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、有機層等の模式的な配置図である。 図５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、実施例１の発光素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図５の（Ｃ）に引き続き、実施例１の発光素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図６の（Ｂ）に引き続き、実施例１の発光素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。 図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の発光素子の模式的な一部断面図である。 図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例４の発光素子の模式的な一部断面図である。 図１０は、実施例６における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。 図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例６の発光素子の模式的な一部断面図である。 図１２は、画素の駆動のための全電流が変化したときの、全電流に対するリーク電流変化の割合のシミュレーション結果を示すグラフである。 図１３は、実施例９における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の外周部近傍の模式的な一部断面図である。 図１４は、実施例９における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の外周部近傍における取出し電極及び第２電極の配置を模式的に示す図である。 図１５の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、半透過・反射膜の膜厚と平均光反射率の値の関係を示すグラフ、及び、屈折率の異なる２つの層が積層された状態における層の界面での平均光反射率と屈折率差の関係を示すグラフである。 図１６は、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、第１電極上に異物が存在しているときの有機層等の成膜状態を模式的に示す一部断面図である。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本発明の発光素子及びその製造方法、全般に関する説明
２．実施例１（本発明の第１の態様に係る発光素子及び本発明の第１の態様に係る発光素子の製造方法）
３．実施例２（本発明の第２の態様に係る発光素子及び本発明の第２の態様に係る発光素子の製造方法）
４．実施例３（実施例２の変形）
５．実施例４（本発明の第３の態様に係る発光素子及び本発明の第３の態様に係る発光素子の製造方法）
６．実施例５（実施例４の変形）
７．実施例６（本発明の第４の態様に係る発光素子及び本発明の第４の態様に係る発光素子の製造方法）
８．実施例７（実施例１〜実施例６の変形）
９．実施例８（実施例１〜実施例６の別の変形）
１０．実施例９（実施例１〜実施例６の更に別の変形、その他）

［本発明の発光素子及びその製造方法、全般に関する説明］
以下の説明において、本発明の第１の態様に係る発光素子、あるいは又、本発明の第１の態様に係る発光素子の製造方法によって得られる発光素子を総称して、『本発明の第１の態様に係る発光素子等』と呼ぶ場合がある。また、本発明の第２の態様に係る発光素子、あるいは又、本発明の第２の態様に係る発光素子の製造方法によって得られる発光素子を総称して、『本発明の第２の態様に係る発光素子等』と呼ぶ場合がある。更には、本発明の第３の態様に係る発光素子、あるいは又、本発明の第３の態様に係る発光素子の製造方法によって得られる発光素子を総称して、『本発明の第３の態様に係る発光素子等』と呼ぶ場合がある。また、本発明の第４の態様に係る発光素子、あるいは又、本発明の第４の態様に係る発光素子の製造方法によって得られる発光素子を総称して、『本発明の第４の態様に係る発光素子等』と呼ぶ場合がある。また、有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）にあっては、第２電極の上方に第２基板が配置された構成とすることができる。尚、このような構成の有機ＥＬ表示装置を便宜上、『上面発光型の有機ＥＬ表示装置』と呼ぶ場合がある。あるいは又、第２電極の下方に第１基板が配置された構成とすることもできる。尚、このような構成の有機ＥＬ表示装置を便宜上、『下面発光型の有機ＥＬ表示装置』と呼ぶ場合がある。

本発明の第１の態様に係る発光素子等において、導電性樹脂層の電気抵抗率は１×１０^-4Ω・ｍ乃至１×１０²Ω・ｍ（１×１０^-2Ω・ｃｍ乃至１×１０⁴Ω・ｃｍ）であり、導電性樹脂層の厚さは１×１０^-6ｍ乃至１×１０^-4ｍである構成とすることができる。導電性樹脂層の電気抵抗率及び厚さをこのように規定することで、第２電極と抵抗層との間の導通を、より一層、確実なものとすることができる。そして、このような構成を含む本発明の第１の態様に係る発光素子等において、抵抗層を構成する材料の電気抵抗率は、１×１０²Ω・ｍ乃至１×１０⁶Ω・ｍ（１×１０⁴Ω・ｃｍ乃至１×１０⁸Ω・ｃｍ）、好ましくは１×１０⁴Ω・ｍ〜１×１０⁵Ω・ｍ（１×１０⁶Ω・ｃｍ〜１×１０⁷Ω・ｃｍ）であり、抵抗層の厚さは、０．１μｍ乃至２μｍ、好ましくは０．３μｍ乃至１μｍである構成とすることができる。導電性樹脂層は、例えば、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤に、導電性高分子であるポリピロール、ポリエーテル、ポリアニリン、ポリチオフェン等を、所定の抵抗値を示す濃度、含有させたもの、あるいは又、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系、シリコーン系、シアノアクリレート系のポリマーとピロールあるいはチオフェン等の導電性ポリマーとを共重合させたコポリマーから構成することができ、例えば、周辺にシール剤と呼ばれる樹脂で土手（あるいは連続する突起部、凸部）を形成し、この土手の内側に導電性樹脂層を塗布法にて形成するＯＤＦ（One Drop Fill）方式に基づき形成（成膜）することができる。尚、本発明の第１の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、上述した方法に基づき、導電性樹脂層を抵抗層上に形成し、導電性樹脂層と第２電極とを重ね合わせ、導電性樹脂層を構成する材料に依存した適切な方法に基づき（例えば、加熱することで、あるいは又、紫外線等のエネルギー線を照射することで。以下においても同様）、導電性樹脂層によって抵抗層と第２電極とを接着することができる。あるいは又、本発明の第１の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、上述した方法に基づき、導電性樹脂層を第２電極上に形成し、導電性樹脂層と抵抗層とを重ね合わせ、導電性樹脂層を構成する材料に依存した適切な方法に基づき、導電性樹脂層によって抵抗層と第２電極とを接着することができる。あるいは又、本発明の第１の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、上述した方法に基づき、シート状の材料から成る導電性樹脂層を介して第２電極と抵抗層とを重ね合わせ、導電性樹脂層を構成する材料に依存した適切な方法に基づき、導電性樹脂層によって抵抗層と第２電極とを接着することができる。

また、本発明の第２の態様に係る発光素子等において、導電性樹脂材料の電気抵抗率は５×１０^-3Ω・ｍ以下（５×１０^-1Ω・ｃｍ以下）であり、第２電極の厚さは１μｍ乃至１００μｍである構成とすることができる。導電性樹脂材料の電気抵抗率及び第２電極の厚さをこのように規定することで、第２電極が電極としての機能を確実に果たすことができる。そして、このような構成を含む本発明の第２の態様に係る発光素子等にあっては、抵抗層を構成する材料の電気抵抗率は、１×１０²Ω・ｍ乃至１×１０⁶Ω・ｍ（１×１０⁴Ω・ｃｍ乃至１×１０⁸Ω・ｃｍ）、好ましくは１×１０⁴Ω・ｍ〜１×１０⁵Ω・ｍ（１×１０⁶Ω・ｃｍ〜１×１０⁷Ω・ｃｍ）であり、抵抗層の厚さは、０．１μｍ乃至２μｍ、好ましくは０．３μｍ乃至１μｍである構成とすることができる。例えば、［変形ＺＥＴ構造１−２］の場合、導電性樹脂材料は、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系、シリコーン系、シアノアクリレート系のポリマーとピロールあるいはチオフェン等の導電性ポリマーとを共重合させたコポリマーから構成することができ、例えば、ＯＤＦ方式に基づき導電性樹脂層を形成（成膜）することができる。あるいは又、［変形ＺＥＴ構造２］の場合、導電性樹脂材料は、アクリル系、エポキシ系、ウレタン系、シリコーン系、シアノアクリレート系のポリマーとピロールあるいはチオフェン等の導電性ポリマーとを共重合させたコポリマーを合成し、更に、ゲル化させるための架橋剤（Ｎ，Ｎ’−メチレンビスアクリルアミドあるいはエチレングリコールジメタクリレート等）を含有させたものから構成することができ、例えば、紫外線照射後、熱硬化できるシール剤を用いたＯＤＦ方式に基づき導電性樹脂層を形成（成膜）した後、導電性樹脂層を加熱をしてゲル化させるといった方法に基づき形成（成膜）することができる。尚、本発明の第２の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、上述した方法に基づき、第２電極を抵抗層上に形成し、第２電極と第２基板を重ね合わせ、第２電極を構成する導電性樹脂材料に依存した適切な方法に基づき、第２電極によって抵抗層と第２基板とを接着することができる。あるいは又、本発明の第２の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、上述した方法に基づき、シート状の材料から成る第２電極を介して抵抗層と第２基板とを重ね合わせ、第２電極を構成する導電性樹脂材料に依存した適切な方法に基づき、第２電極によって抵抗層と第２基板とを接着することができる。あるいは又、本発明の第２’の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、上述した方法に基づき、第２電極を第２基板上に形成し、第２電極と抵抗層を重ね合わせ、第２電極を構成する導電性樹脂材料に依存した適切な方法に基づき、第２電極によって抵抗層と第２基板とを接着することができる。第２電極と抵抗層の間に、適切な電子注入層を設けて電子注入性を向上させる構成としてもよい。

本発明の第１の態様、第２の態様、あるいは、後述する第４の態様に係る発光素子等において、抵抗層は酸化物半導体から成る形態とすることが望ましく、あるいは又、抵抗層は、酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）、酸化チタン（ＴｉＯ₂）、酸化モリブデン（ＭｏＯ₂，ＭｏＯ₃）、酸化タンタル（Ｔａ₂Ｏ₅）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ）、ＩＧＺＯ、酸化ニオブと酸化チタンの混合物、酸化チタンと酸化亜鉛（ＺｎＯ）の混合物、又は、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）と酸化錫（ＳｎＯ₂）の混合物、これらの材料の適宜の組合せから成る形態とすることができる。尚、抵抗層を構成する材料の電気抵抗率は、より具体的には、発光素子あるいは有機ＥＬ素子の駆動時、抵抗層において生じる電圧降下の値を考慮して決定すればよく、電圧降下の値として、例えば、０．０５ボルト乃至１．０ボルトを例示することができる。

あるいは又、本発明の第１の態様、第２の態様、あるいは、後述する第４の態様に係る発光素子等において、抵抗層は、有機層側から、第１抵抗層及び第２抵抗層の積層構造を有し、第２抵抗層の電気抵抗率は第１抵抗層の電気抵抗率よりも高い形態とすることができる。あるいは又、抵抗層は、有機層側から、第１抵抗層、第２抵抗層、及び、第３抵抗層の積層構造を有し、第２抵抗層の電気抵抗率は、第１抵抗層の電気抵抗率よりも高く、且つ、第３抵抗層の電気抵抗率よりも高い形態とすることができる。ここで、第１抵抗層や第３抵抗層を構成する材料として、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化ニオブと酸化チタンの混合物、酸化チタンと酸化亜鉛の混合物、又は、酸化ケイ素と酸化錫の混合物であって、成膜時の酸素分圧を下げて成膜した膜を挙げることができるし、第２抵抗層を構成する材料として、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化タンタル、酸化ニオブと酸化チタンの混合物、酸化チタンと酸化亜鉛の混合物、又は、酸化ケイ素と酸化錫の混合物を挙げることができる。第１抵抗層、第２抵抗層及び第３抵抗層の電気抵抗率をＲ₁（Ω・ｍ），Ｒ₂（Ω・ｍ），Ｒ₃（Ω・ｍ）とするとき、例えば、
１×１０^-3≦Ｒ₁／Ｒ₂≦１×１０^-1
１×１０^-3≦Ｒ₃／Ｒ₂≦１×１０^-1
を満足することが望ましい。このように抵抗層を多層構造とすることで、抵抗層全体の抵抗値の最適化を図ることができる結果、抵抗層における電圧降下を少なくすることができ、駆動電圧の低電圧化を図ることができる。

あるいは又、本発明の第１の態様、第２の態様、あるいは、後述する第３の態様、第４の態様に係る発光素子等において、抵抗層が少なくとも第１抵抗層及び第２抵抗層の積層構造を有する場合、第１抵抗層を構成する材料の屈折率をｎ₁、第２抵抗層を構成する材料の屈折率をｎ₂としたとき、更には、有機層の最上層を構成する材料の屈折率をｎ₀としたとき、効率を重視する場合、
−０．６≦ｎ₀−ｎ₁≦−０．４
０．４≦ｎ₁−ｎ₂≦ ０．９
を満足することが望ましく、あるいは又、視野角を重視する場合、
−０．２≦ｎ₀−ｎ₁≦ ０．２
０．２≦ｎ₁−ｎ₂≦ ０．４
を満足することが望ましい。

更には、本発明の第３の態様に係る発光素子等において、抵抗層を構成する樹脂材料の電気抵抗率は１×１０¹Ω・ｍ乃至１×１０⁴Ω・ｍ（１×１０³Ω・ｃｍ乃至１×１０⁶Ω・ｃｍ）であり、抵抗層の厚さは１×１０^-6ｍ乃至１×１０^-4ｍである構成とすることができる。［変形ＺＥＴ構造３］の場合、高電気抵抗を有する樹脂材料（高抵抗樹脂材料）は、例えば、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤に、導電性高分子であるポリピロール、ポリエーテル、ポリアニリン、ポリチオフェン等を、所定の抵抗値を示す濃度、含有させたものから構成することができ、例えば、ＯＤＦ方式に基づき高抵抗樹脂材料から成る層を形成（成膜）することができる。あるいは又、［変形ＺＥＴ構造４］の場合、高電気抵抗を有する樹脂材料（高抵抗樹脂材料）は、例えば、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤に、導電性高分子であるポリピロール、ポリエーテル、ポリアニリン、ポリチオフェン等を、所定の抵抗値を示す濃度、含有させ、ゲル化させるための架橋剤（Ｎ，Ｎ’−メチレンビスアクリルアミドあるいはエチレングリコールジメタクリレート等）を含有させたものから構成することができ、例えば、紫外線照射後後、熱硬化できるシール剤を用いたＯＤＦ方式に基づき高抵抗樹脂材料から成る層を形成（成膜）した後、高抵抗樹脂材料から成る層を加熱をしてゲル化させるといった方法に基づき形成（成膜）することができる。尚、本発明の第３の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、上述した方法に基づき、高電気抵抗を有する樹脂材料を有機層上に形成し、抵抗層と第２電極とを重ね合わせ、抵抗層を構成する樹脂材料に依存した適切な方法に基づき、抵抗層によって有機層と第２電極とを接着することができる。あるいは又、本発明の第３の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、上述した方法に基づき、シート状の材料から成る抵抗層を介して有機層と第２電極とを重ね合わせ、抵抗層を構成する樹脂材料に依存した適切な方法に基づき、抵抗層によって有機層と第２電極とを接着することができる。あるいは又、本発明の第３’の態様に係る発光素子の製造方法にあっては、上述した方法に基づき、高電気抵抗を有する樹脂材料を第２電極上に形成し、抵抗層と有機層とを重ね合わせ、抵抗層を構成する樹脂材料に依存した適切な方法に基づき、抵抗層によって有機層と第２電極とを接着することができる。尚、抵抗層は、有機層側から、第１抵抗層及び第２抵抗層の積層構造を有し、第２抵抗層の電気抵抗率は第１抵抗層の電気抵抗率よりも高い形態とすることができる。あるいは又、抵抗層は、有機層側から、第１抵抗層、第２抵抗層、及び、第３抵抗層の積層構造を有し、第２抵抗層の電気抵抗率は、第１抵抗層の電気抵抗率よりも高く、且つ、第３抵抗層の電気抵抗率よりも高い形態とすることができる。ここで、第１抵抗層、第２抵抗層及び第３抵抗層の電気抵抗率をＲ₁（Ω・ｍ），Ｒ₂（Ω・ｍ），Ｒ₃（Ω・ｍ）とするとき、例えば、
１×１０^-3≦Ｒ₁／Ｒ₂≦１×１０^-1
１×１０^-3≦Ｒ₃／Ｒ₂≦１×１０^-1
を満足することが望ましい。

本発明の第４の態様に係る発光素子等において、導電性を有するリブは、例えば、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂から成るリブの表面に、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ：Ａｌといった材料から成る導電材料膜を、周知の方法に基づき成膜することで得ることができる。リブの高さとして０．１μｍ乃至１００μｍを例示することができる。また、本発明の第４の態様に係る発光素子の製造方法において、第１基板と第２基板との接合は、例えば、フリットガラスや、低融点金属材料（例えば、インジウム（Ｉｎ）等の概ね１２０〜４００°Ｃの温度範囲に融点を有する金属材料）、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤といった接着材料を用いて行うことができる。フリットガラスは、ガラス微粒子を有機バインダ中に分散させた高粘度のペースト状材料であり、例えば、Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスやＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−ＰｂＯ系フリットガラスといった材料を挙げることができ、所定のパターンに塗布した後、焼成によって有機バインダを除去することにより、固体状の接合材料層となる。補助電極上における導電性を有するリブの形成は、例えば、感光性ポリイミド樹脂を露光、現像したり、スクリーン印刷によって塗布、パターニングするといった方法に基づき行うことができる。第２基板と第２電極との間の空間を、接着層（封止層）で充填してもよいし、例えば、窒素ガス等の不活性ガスで充填してもよい。接着層（封止層）を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。

また、以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の第１の態様に係る発光素子等、本発明の第２の態様に係る発光素子等、本発明の第３の態様に係る発光素子等、あるいは、本発明の第４の態様に係る発光素子等（以下、これらを総称して、『本発明の発光素子等』と呼ぶ場合がある）にあっては、
抵抗層と第２電極の間に、平均膜厚が１ｎｍ乃至６ｎｍである半透過・反射膜が形成されており、
第１電極は、発光層からの光を反射し、
第２電極は、半透過・反射膜を透過した光を透過する形態とすることができる。

そして、このような形態の本発明の発光素子等にあっては、第１電極と有機層との界面によって構成された第１界面と、半透過・反射膜と有機層との界面によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を半透過・反射膜から出射させる形態とすることができる。ここで、半透過・反射膜は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）］を含み、若しくは、マグネシウム（Ｍｇ）とカルシウム（Ｃａ）を含む構成［例えば、Ｍｇ−ＡｇあるいはＭｇ−Ｃａ］とすることができ、又は、半透過・反射膜は、アルミニウム（Ａｌ）若しくは銀（Ａｇ）から成る構成とすることができる。半透過・反射膜をマグネシウム−銀から構成する場合、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１〜３０：１を例示することができる。一方、半透過・反射膜をマグネシウム−カルシウムから構成する場合、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１〜１０：１を例示することができる。半透過・反射膜は、発光素子において、通常、「膜」として識別されるが、場合によっては、有機層の最上層部、半透過・反射膜及び抵抗層の下層部が混在した状態、あるいは、有機層の最上層部、半透過・反射膜を構成するマグネシウム及び抵抗層が混在し、銀粒子が点在した状態となっている。

ここで、第１電極と有機層との界面を『第１界面』と呼び、半透過・反射膜と有機層との界面（半透過・反射膜が形成されていない場合、抵抗層と有機層との界面）を『第２界面』と呼び、半透過・反射膜と抵抗層との界面を『第３界面』と呼び、第１抵抗層と第２抵抗層との界面を『第４界面』と呼ぶ。通常、第１界面と第２界面との間で発光層で発光した光を共振させるが、半透過・反射膜の厚さが薄くなると、半透過・反射膜の平均光透過率の値が高くなり、発光層で発光した光の大部分が半透過・反射膜を透過するようになる場合がある。このような場合には、第１界面と第３界面との間で、発光層で発光した光を共振させ、あるいは又、抵抗層が多層構成である場合には、第１界面と第４界面との間で、発光層で発光した光を共振させ、あるいは又、第１界面と第３界面との間、及び、第１界面と第４界面との間で、発光層で発光した光を共振させる。

更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本発明の発光素子等において、第１界面と第２界面との間（あるいは、上述した第３界面若しくは第４界面）で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させる構成とすることができる。そして、この場合、第１界面から発光層の最大発光位置までの光学距離をＯＬ₁、第２界面（あるいは、第３界面若しくは第４界面）から発光層の最大発光位置までの光学距離をＯＬ₂としたとき、以下の式（１−１）及び式（１−２）を満たす形態とすることができる。あるいは又、この場合、第１界面と第２界面（あるいは、第３界面若しくは第４界面）との間の光学距離をＯＬ、発光層で発生した光が第１界面と第２界面（あるいは、第３界面若しくは第４界面）で反射する際に生じる位相シフトの和をΦラジアン［但し、−２π＜Φ≦０］、発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長をλとした場合、
０．７≦｛（２×ＯＬ）／λ＋Φ／（２π）｝≦１．３
又は、
−０．３≦｛（２×ＯＬ）／λ＋Φ／（２π）｝≦０．３
を満足する形態とすることができる。これらのように、発光素子の有機層と第１電極と半透過・反射膜によって構成される光の干渉条件あるいは共振条件を規定することで、輝度、色度の視野角依存性を非常に少なくすることができる。

０．７｛−Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝≦２×ＯＬ₁／λ≦１．２｛−Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝ （１−１）
０．７｛−Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝≦２×ＯＬ₂／λ≦１．２｛−Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝ （１−２）
ここで、
λ ：発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長
Φ₁：第１界面で生じる反射光の位相シフト量（単位：ラジアン）［但し、−２π＜Φ₁≦０］
Φ₂：第２界面（あるいは、第３界面若しくは第４界面）で生じる反射光の位相シフト量（単位：ラジアン）［但し、−２π＜Φ₂≦０］
であり、（ｍ₁，ｍ₂）の値は、（０，０）又は（１，０）又は（０，１）である。

尚、第１電極の平均光反射率は５０％以上、好ましくは８０％以上であり、半透過・反射膜の平均光透過率は５０％乃至９７％、好ましくは６０％乃至９７％であることが望ましい。

以上に説明した好ましい構成、形態を含む本発明の発光素子等においては、
第１界面と第２界面（あるいは、第３界面若しくは第４界面）との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させ、
発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長は、６００ｎｍ乃至６５０ｎｍであり、
第１電極上における有機層の膜厚は、１．１×１０^-7ｍ乃至１．６×１０^-7ｍである形態（赤色を発光する赤色発光・副画素を構成する赤色発光の発光素子であり、赤色発光素子、赤色発光有機ＥＬ素子と呼ぶ）とすることができる。

あるいは又、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本発明の発光素子等においては、
第１界面と第２界面（あるいは、第３界面若しくは第４界面）との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させ、
発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長は、５００ｎｍ乃至５５０ｎｍであり、
第１電極上における有機層の膜厚は、９×１０^-8ｍ乃至１．３×１０^-7ｍである形態（緑色を発光する緑色発光・副画素を構成する緑色発光の発光素子であり、緑色発光素子、緑色発光有機ＥＬ素子と呼ぶ）とすることができる。

あるいは又、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本発明の発光素子等においては、
第１界面と第２界面（あるいは、第３界面若しくは第４界面）との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を第２電極から出射させ、
発光層で発生した光のスペクトルの最大ピーク波長は、４３０ｎｍ乃至４８０ｎｍであり、
第１電極上における有機層の膜厚は、６×１０^-8ｍ乃至１．１×１０^-7ｍである形態（青色を発光する青色発光・副画素を構成する青色発光の発光素子であり、青色発光素子、青色発光有機ＥＬ素子と呼ぶ）とすることができる。

このように、有機層が第１電極と半透過・反射膜あるいは抵抗層とによって挟まれており、共振器構造を有するものとすれば、発光色の色純度の向上、発光効率の向上を図ることができる。しかも、有機層上における半透過・反射膜の平均膜厚は１ｎｍ乃至６ｎｍであるが故に、このような極薄の半透過・反射膜は、通常、少なくとも部分的に不連続な状態となり得る。従って、第１電極と半透過・反射膜全体とが接触した状態となることはない。また、発光素子の特性に関しても、例えば、従来の有機ＥＬ素子において用いられているＭｇ−Ａｇ等で半透過・反射膜を構成し、半透過・反射膜とは別に第２電極を設けているので、従来の発光素子あるいは有機ＥＬ素子と変わらない信頼性を得ることができる。

以上に説明した好ましい構成、形態を含む本発明の第１の態様〜第４の態様に係る発光素子等を適用した有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）は、
（ａ）第１電極、
（ｂ）開口部を有し、開口部の底部に第１電極が露出した絶縁層、
（ｃ）開口部の底部に露出した第１電極の部分の上から、開口部を取り囲む絶縁層の部分に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた有機層、
（ｄ）抵抗層、及び、
（ｅ）第２電極、
が、順次、積層されて成る発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子，有機ＥＬ素子）を、複数、有する。

そして、本発明の第１の態様に係る発光素子等を適用した有機ＥＬ表示装置においては、抵抗層と第２電極との間に導電性樹脂層が形成されている。また、本発明の第２の態様に係る発光素子等を適用した有機ＥＬ表示装置において、第２電極は導電性樹脂材料から成る。更には、本発明の第３の態様に係る発光素子等を適用した有機ＥＬ表示装置において、抵抗層は高電気抵抗を有する樹脂材料（高抵抗樹脂材料）から成る。また、本発明の第４の態様に係る発光素子等を適用した有機ＥＬ表示装置において、第２電極の上方には補助電極が形成されており、補助電極と第２電極とは導電性を有するリブによって電気的に接続されている。

尚、これらの有機ＥＬ表示装置において、複数の有機ＥＬ素子の配列を、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、レクタングル配列とすることができる。

ここで、発光素子が半透過・反射膜を備えている有機ＥＬ表示装置にあっては、絶縁層の上の半透過・反射膜の部分は少なくとも部分的に不連続であるが、より具体的には、絶縁層の上の半透過・反射膜の部分は、有機層の上の半透過・反射膜の部分と、部分的に繋がっていてもよいし、繋がっていなくともよい。また、一部の有機ＥＬ素子にあっては、絶縁層の上の半透過・反射膜の部分は有機層の上の半透過・反射膜の部分と部分的に繋がっており、残りの有機ＥＬ素子にあっては、絶縁層の上の半透過・反射膜の部分は有機層の上の半透過・反射膜の部分と繋がっていない形態もあり得る。

以上に説明した各種の好ましい構成、形態を含む本発明の発光素子等、あるいは、本発明の発光素子等を適用した有機ＥＬ表示装置において、発光素子が半透過・反射膜を備えている場合、第１電極上に異物又は突起部が存在するとき、異物又は突起部の近傍には半透過・反射膜が形成されておらず、異物又は突起部の周辺に位置する半透過・反射膜の部分と異物の下又は突起部の根本に位置する第１電極の部分との間には抵抗層が存在する構成とすることができる。ここで、異物（パーティクル）は、屡々、第１電極等の形成時や搬送時に第１電極上に付着する可能性が大である。一方、突起部は、屡々、第１電極等の形成時に生成する。

本発明の発光素子等における第１電極（光反射電極）を構成する材料（光反射材料）として、第１電極をアノード電極として機能させる場合、例えば、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、タンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属あるいは合金（例えば、銀を主成分とし、０．３重量％乃至１重量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３重量％〜１重量％の銅（Ｃｕ）とを含むＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｎｄ合金）を挙げることができる。更には、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料を用いる場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、アノード電極として用いることができる。第１電極の厚さとして、０．１μｍ乃至１μｍを例示することができる。あるいは又、誘電体多層膜やアルミニウム（Ａｌ）といった光反射性の高い光反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、第１電極をカソード電極として機能させる場合、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、カソード電極として用いることもできる。

一方、本発明の第１の態様、第３の態様、第４の態様に係る発光素子等における第２電極を構成する材料（半光透過材料）として、第２電極をカソード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、有機層に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましく、例えば、マグネシウム−銀合金、アルミニウム、銀、カルシウム、ストロンチウム等の金属あるいは合金を挙げることができるし、ＩＴＯやＩＺＯから成る所謂透明電極材料に適切な電子注入層を設けて電子注入性を向上させる構成としてもよい。第２電極の厚さとして、２×１０^-9ｍ乃至５×１０^-8ｍ、好ましくは、３×１０^-9ｍ乃至２×１０^-8ｍ、より好ましくは、５×１０^-9ｍ乃至１×１０^-8ｍを例示することができる。また、第２電極に対して、低抵抗材料から成るバス電極を設け、第２電極全体として低抵抗化を図ってもよい。第２電極をアノード電極として機能させる場合、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。

補助電極やバス電極を構成する材料として、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金を挙げることができる。

第１電極や補助電極、バス電極、半透過・反射膜の形成方法として、また、本発明の第１の態様、第３の態様、第４の態様に係る発光素子等における第２電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル・ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、所望の形状（パターン）を有する第１電極や第２電極、補助電極、バス電極、半透過・反射膜を形成することが可能である。尚、有機層を形成した後、半透過・反射膜を形成する場合、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法に基づき形成することが、有機層のダメージ発生を防止し、しかも、不連続な部分を設けるといった観点から好ましい。有機層にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。有機層の形成からこれらの電極等の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による有機層の劣化を防止するといった観点から好ましい。半透過・反射膜を設ける場合、第２電極と半透過・反射膜とは、電気的に接続されていてもよいし、接続されていなくともよい。

本発明の第１の態様、第２の態様あるいは第４の態様に係る発光素子等において、抵抗層、第１抵抗層、第２抵抗層、第３抵抗層は、例えば、スパッタリング法や、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法等のカバレッジの良好な成膜方法にて成膜することが好ましい。

第１電極及び半透過・反射膜は、入射した光の一部を吸収し、残りを反射する。従って、反射光に位相シフトが生じる。この位相シフト量Φ₁，Φ₂は、第１電極及び半透過・反射膜を構成する材料の複素屈折率の実数部分と虚数部分の値を、例えばエリプソメータを用いて測定し、これらの値に基づく計算を行うことで求めることができる（例えば、"Principles of Optic", Max Born and Emil Wolf, 1974(PERGAMON PRESS) 参照）。尚、有機層や第２電極、その他の層の屈折率もエリプソメータを用いて測定することで求めることができる。

有機層は有機発光材料から成る発光層を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造（便宜上、『タンデムユニット』と呼ぶ）が、２つ、接続層を介して積層された２段のタンデム構造も有していてもよく、更には、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造も有していてもよく、これらの場合、発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層を得ることができる。有機層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して、有機層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。有機層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで有機層を得ることができる。

ここで、本発明の発光素子等にあっては、正孔輸送層（正孔供給層）の厚さと電子輸送層（電子供給層）の厚さは、概ね等しいことが望ましい。あるいは又、正孔輸送層（正孔供給層）よりも電子輸送層（電子供給層）を厚くしてもよく、この場合には、低い駆動電圧で高効率化に必要、且つ、十分な発光層への電子供給が可能となる。即ち、本発明の発光素子等にあっては、アノード電極に相当する電極と発光層との間に正孔輸送層を配置し、しかも、電子輸送層よりも薄い膜厚で形成することで、正孔の供給を増大させることが可能となる。そして、これにより、正孔と電子の過不足がなく、且つ、キャリア供給量も十分多いキャリアバランスを得ることができるため、高い発光効率を得ることができる。また、正孔と電子の過不足がないことで、キャリアバランスが崩れ難く、駆動劣化が抑制され、発光寿命を長くすることができる。

複数の発光素子あるいは有機ＥＬ素子は、第１基板上あるいは第１基板の上方に形成されている。ここで、第１基板として、あるいは又、第２基板として、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ₂）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ₂Ｏ・Ｂ₂Ｏ₃・ＳｉＯ₂）基板、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ₂）基板、鉛ガラス（Ｎａ₂Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ₂）基板、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）に例示される有機ポリマー（高分子材料から構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板といった高分子材料の形態を有する）を挙げることができる。但し、下面発光型の有機ＥＬ表示装置にあっては、第１基板は、発光素子が出射する光に対して透明であることが要求される。第１基板と第２基板を構成する材料は、同じであっても、異なっていてもよい。

有機ＥＬ表示装置において、第１電極は、例えば、層間絶縁層上に設けられている。そして、この層間絶縁層は、第１基板上に形成された発光素子駆動部を覆っている。発光素子駆動部は、１又は複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されており、ＴＦＴと第１電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトプラグを介して電気的に接続されている。層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ₂、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ₂系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独あるいは適宜組み合わせて使用することができる。層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。下面発光型の有機ＥＬ表示装置にあっては、層間絶縁層は、発光素子からの光に対して透明な材料から構成する必要があるし、発光素子駆動部は発光素子からの光を遮らないように形成する必要がある。一方、層間絶縁層上に設けられた絶縁層は、平坦性に優れ、しかも、有機層の水分による劣化を防止して発光輝度を維持するために吸水率の低い絶縁材料から構成することが好ましく、具体的には、ポリイミド樹脂を挙げることができる。第２電極に対して低抵抗材料から成るバス電極を設ける場合、絶縁層の射影像中にバス電極の射影像が含まれるような位置にバス電極を設けることが望ましい。

本発明の発光素子等にあっては、上面発光型の有機ＥＬ表示装置を構成する場合、第２電極と第２基板との間に、第２電極側から、保護膜及び接着層（封止層）が形成されている形態とすることができる。ここで、保護膜を構成する材料として、発光層で発光した光に対して透明であり、緻密で、水分を透過させない材料を用いることが好ましく、具体的には、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ_1-xＮ_x）、アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ_1-yＯ_y）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）、アモルファス酸化・窒化シリコン（α−ＳｉＯＮ）、Ａｌ₂Ｏ₃を挙げることができるし、接着層（封止層）を構成する材料として、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤を挙げることができる。尚、下面発光型の有機ＥＬ表示装置を構成する場合にあっても、第１電極と第２基板の間には、第１電極側から、上述した保護膜及び接着層が形成されている形態とすることができる。

また、場合によっては、有機層の上方に、有機層への水分の到達防止を目的として、絶縁性あるいは導電性の保護膜を設けてもよい。保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＣＶＤ法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、有機層の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスが最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、既に形成されている電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による有機層の劣化を防止することができる。更には、有機ＥＬ表示装置が上面発光型である場合、保護膜は、有機層で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、上述した材料を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。保護膜を導電材料から構成する場合、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料から構成すればよい。

有機ＥＬ表示装置をカラー表示の有機ＥＬ表示装置としたとき、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子のそれぞれによって、副画素が構成される。ここで、１画素は、例えば、赤色を発光する赤色発光・副画素（赤色発光素子から構成される）、緑色を発光する緑色発光・副画素（緑色発光素子から構成される）、及び、青色を発光する青色発光・副画素（青色発光素子から構成される）の３種類の副画素から構成されている。従って、この場合、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の数をＮ×Ｍ個とした場合、画素数は（Ｎ×Ｍ）／３である。あるいは又、有機ＥＬ表示装置を、液晶表示装置用のバックライト装置や面状光源装置を含む照明装置として用いることができる。

発光素子からの光が通過する第２基板や第１基板には、必要に応じて、カラーフィルターや遮光膜（ブラックマトリクス）を形成してもよい。

場合によっては、赤色発光素子を構成する抵抗層の電気抵抗値Ｒ_R、緑色発光素子を構成する抵抗層の電気抵抗値Ｒ_G、及び、青色発光素子を構成する抵抗層の電気抵抗値Ｒ_Bの値を異ならせてもよい。即ち、例えば、
Ｒ_B＞Ｒ_G
Ｒ_B＞Ｒ_R
としてもよい。Ｒ_B，Ｒ_G，Ｒ_Rを異ならせるためには、例えば、赤色発光素子を構成する抵抗層の厚さと、緑色発光素子を構成する抵抗層の厚さと、青色発光素子を構成する抵抗層の厚さとを異ならせればよい。あるいは又、赤色発光素子を構成する抵抗層の構成材料と、緑色発光素子を構成する抵抗層の構成材料と、青色発光素子を構成する抵抗層の構成材料とを異ならせればよい。あるいは又、赤色発光素子を構成する抵抗層の導電性に寄与する物質の含有量と、緑色発光素子を構成する抵抗層の導電性に寄与する物質の含有量と、青色発光素子を構成する抵抗層の導電性に寄与する物質の含有量とを異ならせればよい。

また、場合によっては、第２電極を外部の回路に接続するための取出し電極を、有機ＥＬ表示装置の外周領域に設けてもよい。ここで、有機ＥＬ表示装置の外周領域とは、表示領域を額縁状に包囲する領域であり、表示領域とは、有機ＥＬ表示装置としての実用上の画像表示機能を果たす略中央に位置する領域である。取出し電極は、第１基板あるいは第２基板に設けられており、例えば、チタン（Ｔｉ）膜、モリブデン（Ｍｏ）膜、タングステン（Ｗ）膜、タンタル（Ｔａ）膜等の所謂高融点金属膜から構成すればよい。第２電極と取出し電極との接続は、例えば、取出し電極上に第２電極の延在部を形成すればよい。取出し電極の形成方法として、第１電極や第２電極の形成方法にて説明したと同様の方法を挙げることができる。

実施例１は、本発明の第１の態様に係る発光素子、及び、本発明の第１の態様に係る発光素子の製造方法に関する。本発明の第１の態様に係る発光素子を適用した有機ＥＬ表示装置の模式的な一部断面図を図１に示し、実施例１の発光素子における有機層等の模式的な一部断面図を図２の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。実施例１における有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリックス型のカラー表示の有機ＥＬ表示装置であり、上面発光型である。即ち、第２電極を通して、更には、第２基板を通して光が出射される。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９における有機ＥＬ表示装置は、発光素子（具体的には、有機ＥＬ素子）１０Ａを、複数（例えば、Ｎ×Ｍ＝２８８０×５４０）、有する。尚、１つの発光素子（有機ＥＬ素子）１０Ａは、１つの副画素を構成する。従って、有機ＥＬ表示装置は、（Ｎ×Ｍ）／３の画素を有する。ここで、１画素は、赤色を発光する赤色発光・副画素（赤色発光素子から構成される）、緑色を発光する緑色発光・副画素（緑色発光素子から構成される）、及び、青色を発光する青色発光・副画素（青色発光素子から構成される）の３種類の副画素から構成されている。

図１並びに図２の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９の発光素子（有機ＥＬ素子）は、
（Ａ）第１電極２１、
（Ｂ）有機発光材料から成る発光層２３Ａを備えた有機層２３、
（Ｃ）抵抗層、及び、
（Ｄ）第２電極、
が、順次、積層されて成る。

また、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９の有機ＥＬ表示装置は、
（ａ）第１電極２１、
（ｂ）開口部２５を有し、開口部２５の底部に第１電極２１が露出した絶縁層２４、
（ｃ）開口部２５の底部に露出した第１電極２１の部分の上から、開口部２５を取り囲む絶縁層２４の部分に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層２３Ａを備えた有機層２３、
（ｄ）抵抗層、及び、
（ｅ）第２電極、
が、順次、積層されて成る発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子，有機ＥＬ素子）を、複数、有する。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９において、第１電極２１は、第１基板１１の上方に形成されており、アノード電極として用いられ、厚さ０．２μｍのＡｌ−Ｎｄ合金といった光反射材料から成る。所望の形状にパターニングされた第１電極２１は、真空蒸着法とエッチング技術との組合せに基づき形成されている。第２電極は、第２基板３１の第１基板１１との対向面上に形成されており、カソード電極として用いられる。

実施例１の発光素子（有機ＥＬ素子）あるいは有機ＥＬ表示装置にあっては、抵抗層５０Ａと第２電極２２Ａとの間に、導電性樹脂層６０が形成されている。ここで、導電性樹脂層６０の電気抵抗率は１×１０^-4Ω・ｍ乃至１×１０²Ω・ｍ（１×１０^-2Ω・ｃｍ乃至１×１０⁴Ω・ｃｍ）、具体的には、３．５×１０^-3Ω・ｍであり、導電性樹脂層６０の厚さは１×１０^-6ｍ乃至１×１０^-4ｍ、具体的には、１０μｍであり、導電性樹脂層６０は、アクリル系のポリマーとピロール系の導電性ポリマーとを１：２乃至１：３の重量割合で共重合させたコポリマーから成る。抵抗層５０Ａを構成する材料の電気抵抗率は１×１０²Ω・ｍ乃至１×１０⁶Ω・ｍ（１×１０⁴Ω・ｃｍ乃至１×１０⁸Ω・ｃｍ）、具体的には、１×１０⁴Ω・ｍ（１×１０⁶Ω・ｃｍ）であり、厚さ０．５μｍの酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）から成る。第２電極２２Ａは、厚さ０．１μｍのＩＴＯやＩＺＯといった透明導電材料から成る。そして、第２電極２２Ａは、第２基板３１上に、スパッタリング法を含むリフトオフ法に基づき形成されている。

更には、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９の発光素子にあっては、抵抗層と有機層２３との間に、平均膜厚が１ｎｍ乃至６ｎｍである半透過・反射膜４０が形成されている。そして、第１電極２１は、発光層２３Ａからの光を反射し、第２電極２２Ａは、半透過・反射膜４０を透過した光を透過する。ここで、半透過・反射膜４０は、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）、より具体的には、厚さ５ｎｍのＭｇ−Ａｇから成る。マグネシウムと銀との体積比は、Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１である。半透過・反射膜４０は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されている。第２電極２２Ａ及び半透過・反射膜４０はパターニングされておらず、１枚のシート状に形成されている。

絶縁層２４の上の半透過・反射膜の部分４０Ａは少なくとも部分的に不連続であるが、絶縁層２４の上の半透過・反射膜の部分４０Ａは、有機層２３の上の半透過・反射膜の部分４０Ｂと部分的に繋がっている。場合によっては、絶縁層２４の上の半透過・反射膜の部分４０Ａは、有機層２３の上の半透過・反射膜の部分４０Ｂと繋がっていない。あるいは又、場合によっては、一部の有機ＥＬ素子にあっては、絶縁層２４の上の半透過・反射膜４０の部分４０Ａは有機層２３の上の半透過・反射膜４０の部分４０Ｂと部分的に繋がっており、残りの有機ＥＬ素子にあっては、絶縁層２４の上の半透過・反射膜４０の部分４０Ａは有機層２３の上の半透過・反射膜４０の部分４０Ｂと繋がっていない。尚、絶縁層２４の上の半透過・反射膜４０の部分４０Ａの平均膜厚は、有機層２３上における半透過・反射膜４０の部分４０Ｂの平均膜厚よりも薄い。従って、有機層２３上における半透過・反射膜４０の部分４０Ｂの平均膜厚を１ｎｍ乃至６ｎｍとすることで、絶縁層２４の上の半透過・反射膜４０の部分４０Ａを、確実に不連続な状態とすることができる。

尚、有機層２３と半透過・反射膜４０との間には、厚さ０．３ｎｍのＬｉＦから成る電子注入層（図示せず）が形成されている。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９において、絶縁層２４は、平坦性に優れ、しかも、有機層２３の水分による劣化を防止して発光輝度を維持するために吸水率の低い絶縁材料、具体的には、ポリイミド樹脂から構成されている。有機層２３は、例えば、第１電極２１側から、正孔注入層（図示せず）、正孔輸送層２３Ｂ、発光層２３Ａ及び電子輸送層２３Ｃが積層された構造を有するが、図面では１層で表す場合がある。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９において、有機ＥＬ素子を構成する第１電極２１は、ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯ₂から成る層間絶縁層１６（より具体的には、上層層間絶縁層１６Ｂ）上に設けられている。そして、この層間絶縁層１６は、ソーダガラスから成る第１基板１１上に形成された有機ＥＬ素子駆動部を覆っている。有機ＥＬ素子駆動部は、複数のＴＦＴから構成されており、ＴＦＴと第１電極２１とは、層間絶縁層（より具体的には、上層層間絶縁層１６Ｂ）に設けられたコンタクトプラグ１８、配線１７、コンタクトプラグ１７Ａを介して電気的に接続されている。尚、図面においては、１つの有機ＥＬ素子駆動部につき、１つのＴＦＴを図示した。ＴＦＴは、第１基板１１上に形成されたゲート電極１２、第１基板１１及びゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３、ゲート絶縁膜１３上に形成された半導体層に設けられたソース／ドレイン領域１４、並びに、ソース／ドレイン領域１４の間であって、ゲート電極１２の上方に位置する半導体層の部分が相当するチャネル形成領域１５から構成されている。尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。ＴＦＴのゲート電極１２は、走査回路（図示せず）に接続されている。

以上、纏めると、実施例１の発光素子の詳しい構成は、以下の表１のとおりである。また、第１電極２１及び第２電極２２Ａの屈折率測定結果、第１電極２１及び第２電極２２Ａの光反射率測定結果、半透過・反射膜４０の光透過率測定結果を、以下の表２に示す。尚、測定は、波長５３０ｎｍにおいて行った結果である。

［表１］
第２基板３１ ：ソーダガラス
第２電極（カソード電極）２２Ａ：ＩＴＯ層（厚さ：０．１μｍ）
導電性樹脂層６０ ：上述したとおり（厚さ：１０μｍ）
抵抗層５０Ａ ：Ｎｂ₂Ｏ₅層（厚さ：０．５μｍ）
半透過・反射膜４０ ：Ｍｇ−Ａｇ膜（厚さ：５ｎｍ）
電子注入層 ：ＬｉＦ層（厚さ：０．３ｎｍ）
有機層２３ ：後述
第１電極（アノード電極）２１ ：Ａｌ−Ｎｄ層（厚さ：０．２μｍ）
層間絶縁層１６ ：ＳｉＯ₂層
ＴＦＴ ：有機ＥＬ素子駆動部を構成
第１基板１１ ：ソーダガラス

［表２］
第１電極２１の屈折率
実数部：０．７５５
虚数部：５．４６６
半透過・反射膜４０の屈折率
実数部：０．６１７
虚数部：３．９０４
第２電極２２Ａの屈折率
実数部：１．８１４
虚数部：０
抵抗層５０Ａの屈折率
実数部：２．２８５
虚数部：０
導電性樹脂層６０の屈折率
実数部：１．５５
虚数部：０

第１電極２１の光反射率 ：８５％
半透過・反射膜４０の光透過率：７９％
第２電極２２Ａの光反射率 ： ２％

そして、第１電極２１と有機層２３との界面によって構成された第１界面２６と、半透過・反射膜４０と有機層２３との界面によって構成された第２界面２７との間で、発光層２３Ａで発光した光を共振させて、その一部を半透過・反射膜４０、更には、第２電極２２Ａから出射させる。

また、実施例１の発光素子において、図２の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、第１界面２６から発光層２３Ａの最大発光位置までの距離をＬ₁、光学距離をＯＬ₁、第２界面２７から発光層２３Ａの最大発光位置までの距離をＬ₂、光学距離をＯＬ₂としたとき、以下の式（１−１）及び式（１−２）を満たす。

０．７｛−Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝≦２×ＯＬ₁／λ≦１．２｛−Φ₁／（２π）＋ｍ₁｝ （１−１）
０．７｛−Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝≦２×ＯＬ₂／λ≦１．２｛−Φ₂／（２π）＋ｍ₂｝ （１−２）

ここで、
λ ：発光層２３Ａで発生した光のスペクトルの最大ピーク波長
Φ₁：第１界面２６で生じる反射光の位相シフト量（単位：ラジアン）［但し、−２π＜Φ₁≦０］
Φ₂：第２界面２７で生じる反射光の位相シフト量（単位：ラジアン）［但し、−２π＜Φ₂≦０］
であり、（ｍ₁，ｍ₂）の値は、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９にあっては、（０，０）である。

更には、実施例１の発光素子あるいは後述する実施例２〜実施例９において、第１界面２６と第２界面２７との間の光学距離をＯＬ、発光層２３Ａで発生した光が第１界面２６と第２界面２７で反射する際に生じる位相シフトの和をΦラジアン［但し、−２π＜Φ≦０］、発光層２３Ａで発生した光のスペクトルの最大ピーク波長をλとした場合、
−０．３≦｛（２×ＯＬ）／λ＋Φ／（２π）｝≦０．３
を満足する。

実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９において、各有機層２３は、具体的には、赤色発光素子を構成する赤色発光有機層、緑色発光素子を構成する緑色発光有機層、及び、青色発光素子を構成する青色発光有機層から構成されている。複数の有機ＥＬ素子の配列を、ストライプ配列、ダイアゴナル配列、デルタ配列、あるいは、レクタングル配列とすることができる。

即ち、赤色発光素子（赤色発光有機ＥＬ素子）は、第１界面２６と第２界面２７との間で、発光層２３Ａで発光した光を共振させて、その一部を半透過・反射膜４０、更には、第２電極２２Ａから出射させ、発光層２３Ａで発生した光のスペクトルの最大ピーク波長は、６００ｎｍ乃至６５０ｎｍ（実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９にあっては、具体的には、６２０ｎｍ）であり、第１電極２１上における有機層２３の膜厚は、１．１×１０^-7ｍ乃至１．６×１０^-7ｍ（実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９にあっては、具体的には、１４０ｎｍ）である。

具体的には、赤色発光有機層の構成は、以下の表３のとおりである。最大発光位置は、電子輸送層２３Ｃと発光層２３Ａとの界面である（図２の（Ａ）参照）。尚、表３、あるいは、後述する表４及び表５にあっては、下欄に位置する層ほど、第１電極に近いところに位置している。

［表３］

また、緑色発光素子（緑色発光有機ＥＬ素子）は、第１界面２６と第２界面２７との間で、発光層２３Ａで発光した光を共振させて、その一部を第２電極２２Ａから出射させ、発光層２３Ａで発生した光のスペクトルの最大ピーク波長は、５００ｎｍ乃至５５０ｎｍ（実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９にあっては、具体的には、５３０ｎｍ）であり、第１電極２１上における有機層２３の膜厚は、９×１０^-8ｍ乃至１．３×１０^-7ｍ（実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９にあっては、具体的には、１１８ｎｍ）である。

具体的には、緑色発光有機層の構成は、以下の表４のとおりである。尚、最大発光位置は、正孔輸送層２３Ｂと発光層２３Ａとの界面である（図２の（Ｂ）参照）。

［表４］

また、青色発光素子（青色発光有機ＥＬ素子）は、第１界面２６と第２界面２７との間で、発光層２３Ａで発光した光を共振させて、その一部を第２電極２２Ａから出射させ、発光層２３Ａで発生した光のスペクトルの最大ピーク波長は、４３０ｎｍ乃至４８０ｎｍ（実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９にあっては、具体的には、４６０ｎｍ）であり、第１電極２１上における有機層２３の膜厚は、６×１０^-8ｍ乃至１．１×１０^-7ｍ（実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例９にあっては、具体的には、８８ｎｍ）である。

具体的には、青色発光有機層の構成は、以下の表５のとおりである。尚、最大発光位置は、正孔輸送層２３Ｂと発光層２３Ａとの界面である（図２の（Ｂ）参照）。

［表５］

このような抵抗層５０Ａにおける電圧降下は、以下のとおりである。ここで、第２電極２２Ａ及び抵抗層５０Ａの諸元を以下のとおりとする。

［第２電極２２Ａ］
電気抵抗率（ρ₁） ：３．０×１０^-4Ω・ｃｍ
膜厚（ｄ₁） ：０．１μｍ
第２電極２２Ａを流れる電流密度（Ｊ₁）：１０ｍＡ／ｃｍ²
［抵抗層５０Ａ］
電気抵抗率（ρ₂） ：１．０×１０⁴Ω・ｃｍ
〜１．０×１０⁶Ω・ｃｍ
膜厚（ｄ₂） ：０．５μｍ
抵抗層５０Ａを流れる電流密度（Ｊ₂） ：１０ｍＡ／ｃｍ²

第２電極２２Ａのシート抵抗＝（ρ₁／ｄ₁）＝３０Ω／□
抵抗層５０Ａのシート抵抗 ＝（ρ₂／ｄ₂）＝２×１０⁸Ω／□〜２×１０¹⁰Ω／□

第２電極２２Ａにおける電圧降下＝ρ₁×ｄ₁×Ｊ₁＝３．０×１０^-11Ｖ
抵抗層５０Ａにおける電圧降下 ＝ρ₂×ｄ₂×Ｊ₂＝５ｍＶ〜５００ｍＶ

以上のとおり、抵抗層５０ＡをＮｂ₂Ｏ₅から構成する場合、抵抗層５０Ａにおける電圧降下は、最大でも０．５ボルト程度であると見積もることができ、有機ＥＬ素子あるいは有機ＥＬ表示装置の駆動においては、特段に問題となるような電圧降下の値ではない。

赤色発光有機層、緑色発光有機層及び青色発光有機層におけるλ，Ｌ₁，ＯＬ₁，２ＯＬ₁／λ，Ｌ₂，ＯＬ₂，２ＯＬ₂／λ，ｎ_ave，｛−Φ ₁ ／（２π）＋ｍ₁｝，｛−Φ ₂ ／（２π）＋ｍ₂｝の値を、以下の表６に例示する。但し、ｍ₁＝０，ｍ₂＝０である。

［表６］

異物（パーティクル）が、第１電極２１等の形成時や搬送時、屡々、第１電極２１上に付着する。また、第１電極２１の形成時、第１電極２１からの突起部が、屡々、生成する。更には、有機層２３の形成時、段差が発生する。このような異物や突起部によって、図３に模式的に図示するように、有機層２３のカバレッジが完全ではなくなる。然るに、有機層２３上において厚さ１ｎｍ乃至６ｎｍといった非常に薄い半透過・反射膜４０を形成するが故に、第１電極２１上に異物又は突起部が存在し、また、段差が存在する場合、異物又は突起部、段差の近傍では、半透過・反射膜４０の成膜時、一種の「段切れ」が発生し、異物又は突起部、段差の近傍には半透過・反射膜４０が形成されない。そして、この状態で、抵抗層５０Ａを形成するので、異物又は突起部の周辺に位置する半透過・反射膜４０の部分と異物の下又は突起部の根本に位置する第１電極２１の部分との間には抵抗層５０Ａが存在する状態となる。

また、上述したとおり、有機層２３上の半透過・反射膜４０の部分４０Ｂの平均膜厚を１ｎｍ乃至６ｎｍとするので、絶縁層２４の上の半透過・反射膜４０の部分４０Ａは、不連続な状態となる。より具体的には、発光層２３Ａを備えた有機層２３が、開口部２５の底部に露出した第１電極２１の部分の上から、開口部２５を取り囲む絶縁層２４の部分に亙って設けられており、半透過・反射膜４０も、有機層２３上から、更には、開口部２５を取り囲む絶縁層２４の部分に亙って設けられている。ここで、開口部２５を取り囲む絶縁層２４の部分は、開口部２５に向かって下る傾斜が付いている。従って、開口部２５を取り囲む絶縁層２４の部分の上の半透過・反射膜４０の部分４０Ａの膜厚は、有機層２３上の半透過・反射膜４０の部分４０Ｂの膜厚よりも薄くなる。それ故、開口部２５を取り囲む絶縁層２４の部分の上の半透過・反射膜４０の部分４０Ａは、不連続な状態（切れ切れの状態）となる。この状態を、模式的に図４に示すが、半透過・反射膜４０の不連続な部分を黒く塗りつぶした。また、コンタクトプラグ１８及び第１電極２１を点線で示し、開口部２５の縁部を一点鎖線で示した。図４においては、規則的に不連続な部分が設けられているように図示しているが、実際には、不連続な部分は不規則に設けられている。

以下、実施例１の発光素子、有機ＥＬ表示装置の製造方法の概要を、図５の（Ａ）〜（Ｃ）、図６の（Ａ）〜（Ｂ）、及び、図７の（Ａ）〜（Ｂ）を参照して説明する。

［工程−１００］
第１電極２１、有機層２３及び抵抗層５０Ａが順次形成された第１基板１１を準備する。

［工程−１００Ａ］
具体的には、先ず、第１基板１１上に、副画素毎にＴＦＴを、周知の方法で作製する。ＴＦＴは、第１基板１１上に形成されたゲート電極１２、第１基板１１及びゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３、ゲート絶縁膜１３上に形成された半導体層に設けられたソース／ドレイン領域１４、並びに、ソース／ドレイン領域１４の間であって、ゲート電極１２の上方に位置する半導体層の部分が相当するチャネル形成領域１５から構成されている。尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。ＴＦＴのゲート電極１２は、走査回路（図示せず）に接続されている。次に、第１基板１１上に、ＴＦＴを覆うように、ＳｉＯ₂から成る下層層間絶縁層１６ＡをＣＶＤ法にて成膜した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、下層層間絶縁層１６Ａに開口１６’を形成する（図５の（Ａ）参照）。

［工程−１００Ｂ］
次いで、下層層間絶縁層１６Ａ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、アルミニウムから成る配線１７を形成する。尚、配線１７は、開口１６’内に設けられたコンタクトプラグ１７Ａを介して、ＴＦＴのソース／ドレイン領域１４に電気的に接続されている。配線１７は、信号供給回路（図示せず）に接続されている。そして、全面にＳｉＯ₂から成る上層層間絶縁層１６ＢをＣＶＤ法にて成膜する。次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、上層層間絶縁層１６Ｂ上に開口１８’を形成する（図５の（Ｂ）参照）。

［工程−１００Ｃ］
その後、上層層間絶縁層１６Ｂ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、Ａｌ−Ｎｄ合金から成る第１電極２１を形成する（図５の（Ｃ）参照）。尚、第１電極２１は、開口１８’内に設けられたコンタクトプラグ１８を介して、配線１７に電気的に接続されている。

［工程−１００Ｄ］
次いで、開口部２５を有し、開口部２５の底部に第１電極２１が露出した絶縁層２４を、第１電極２１を含む層間絶縁層１６上に形成する（図６の（Ａ）参照）。具体的には、スピンコーティング法及びエッチング法に基づき、厚さ１μｍのポリイミド樹脂から成る絶縁層２４を、層間絶縁層１６の上、及び、第１電極２１の周辺部の上に形成する。尚、開口部２５を囲む絶縁層２４の部分は、なだらかな斜面を構成していることが好ましい。

［工程−１００Ｅ］
次に、開口部２５の底部に露出した第１電極２１の部分の上から、開口部２５を取り囲む絶縁層２４の部分に亙り、有機層２３を形成する（図６の（Ｂ）参照）。尚、有機層２３は、例えば、有機材料から成る正孔輸送層、電子輸送層を兼ねた発光層が順次積層されている。具体的には、絶縁層２４を一種のスペーサとし、絶縁層２４の上に各副画素を構成する有機層２３を形成するためのメタルマスク（図示せず）を絶縁層２４の突起部の上に載置した状態で、抵抗加熱に基づき、有機材料を真空蒸着する。有機材料は、メタルマスクに設けられた開口を通過し、副画素を構成する開口部２５の底部に露出した第１電極２１の部分の上から、開口部２５を取り囲む絶縁層２４の部分の上に亙り堆積する。

［工程−１００Ｆ］
その後、表示領域の全面に、有機層２３上における平均膜厚が５ｎｍの半透過・反射膜４０を形成する（図７の（Ａ）参照）。半透過・反射膜４０は、Ｎ×Ｍ個の有機ＥＬ素子を構成する有機層２３の全面を覆っている。但し、絶縁層２４の上の半透過・反射膜４０の部分４０Ａは、前述したとおり、少なくとも部分的に不連続となる。半透過・反射膜４０は、有機層２３に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき形成されている。また、有機層２３を大気に暴露することなく、有機層２３の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して半透過・反射膜４０の形成を行うことで、大気中の水分や酸素による有機層２３の劣化を防止することができる。具体的には、Ｍｇ−Ａｇ（体積比１０：１）の共蒸着膜を成膜することで、半透過・反射膜４０を得ることができる。尚、半透過・反射膜４０の成膜にあっては、不連続状態を得るためにはカバレッジが悪い方がよい。従って、成膜時の圧力を低くすることが好ましく、具体的には、例えば、１×１０^-3Ｐａ以下が望ましい。

［工程−１００Ｇ］
次いで、１×１０⁴Ω・ｍ（１×１０⁶Ω・ｃｍ）の電気抵抗率を有する酸化ニオブ（Ｎｂ₂Ｏ₅）から成り、有機層２３の上方における厚さが０．５μｍである抵抗層５０Ａを、スパッタリング法にて形成する。抵抗層５０Ａは第２電極２２Ａと接することになるが、抵抗値を高くして、抵抗層５０Ａを流れる電流を１副画素全体に流れる電流の１／１０以下に抑えることができれば、たとえ、図３に示した状態が発生したとしても、表示画像において滅点、半滅点等の欠点、欠陥として認識されない。抵抗層５０ＡをＮｂ₂Ｏ₅から構成する場合、抵抗層５０Ａに要求される特性を計算してみると、前述したとおりとなり、１×１０⁴Ω・ｍ乃至１×１０⁶Ω・ｍの電気抵抗率が好ましい。また、抵抗層５０Ａの成膜時の回り込みによるカバレッジを考慮すると、成膜時の圧力は高い方が好ましく、０．１Ｐａ乃至１０Ｐａとすることが望ましい。また、抵抗層５０Ａを酸化物半導体から構成する場合、成膜時の酸素濃度（酸素分圧）によって抵抗層５０Ａの電気抵抗率が変化する場合があるが、抵抗層５０ＡをＮｂ₂Ｏ₅から構成する場合、成膜時の酸素濃度が変化しても（具体的には、例えば、酸素分圧が１×１０^-4Ｐａから１×１０^-2Ｐａまで変化しても）、１×１０²Ω・ｍ〜１×１０⁴Ω・ｍ（１×１０⁴Ω・ｃｍ〜１×１０⁶Ω・ｃｍ）までしか変化せず、安定した電気抵抗率を得ることができる。

こうして、第１電極２１、有機層２３及び抵抗層５０Ａが順次形成された第１基板１１を得ることができる。

［工程−１１０］
一方、第２電極２２Ａが形成された第２基板３１を準備する。具体的には、第２基板３１の表示領域の全面に、スパッタリング法を含むリフトオフ法に基づき、第２電極２２Ａ、具体的には、厚さ０．１μｍのＩＴＯ層を形成する。尚、この工程において、例えば、アルミニウムから成るバス電極を、有機層２３から出射される光を遮らない第２基板３１の領域上に形成してもよい。

［工程−１２０］
そして、導電性樹脂層６０によって抵抗層５０Ａと第２電極２２Ａとを接着する。具体的には、周辺にシール剤と呼ばれる樹脂で土手を形成し、この土手の内側に導電性樹脂層６０を塗布法にて形成するＯＤＦ方式に基づき、導電性樹脂層６０を抵抗層５０Ａ上に形成し、導電性樹脂層６０と第２電極２２Ａとを重ね合わせ、導電性樹脂層６０を加熱することで、導電性樹脂層６０によって抵抗層５０Ａと第２電極２２Ａとを接着する。あるいは又、上記の方法と同様の方法で、導電性樹脂層６０を第２電極２２Ａ上に形成し、導電性樹脂層６０と抵抗層５０Ａとを重ね合わせ、導電性樹脂層６０を加熱することで、導電性樹脂層６０によって抵抗層５０Ａと第２電極２２Ａとを接着する。あるいは又、未硬化のシート状の導電性樹脂層６０を準備し、第２電極２２Ａと導電性樹脂層６０と抵抗層５０Ａとを重ね合わせ、導電性樹脂層６０を加熱することで、導電性樹脂層６０によって抵抗層５０Ａと第２電極２２Ａとを接着する。

［工程−１３０］
最後に、外部回路との接続を行うことで、有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。

尚、半透過・反射膜を、マグネシウム（Ｍｇ）−銀（Ａｇ）から構成する代わりに、マグネシウム（Ｍｇ）−カルシウム（Ｃａ）から構成することもできる。具体的には、マグネシウムとカルシウムとの体積比は、Ｍｇ：Ｃａ＝９：１であり、半透過・反射膜の膜厚は２ｎｍである。このような半透過・反射膜は、真空蒸着法によって成膜することができる。

実施例１の発光素子にあっては、抵抗層５０Ａと第２電極２２Ａとの間に導電性樹脂層６０が形成されているので、第２電極２２Ａと抵抗層５０Ａとの間の導通を確実なものとすることができる。そして、導電性樹脂層６０が形成されているが故に、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成された第２電極２２Ａ及び導電性樹脂層６０の全体の電気抵抗率の低減を図ることができる。また、実施例１の発光素子の製造方法にあっては、第２電極２２Ａが形成された第２基板３１を予め準備しておけばよいので、云い換えれば、有機層２３の上方に第２電極２２Ａを形成しなくともよいので、有機層２３にダメージが発生することを防止できるだけでなく、高い品質、優れた特性を有する第２電極２２Ａを第２基板３１上に形成することができる。

しかも、実施例１の発光素子にあっては、有機層２３は第１電極２１と半透過・反射膜４０とによって挟まれており、共振器構造を有する。そして、有機層２３の上方には抵抗層５０Ａが形成され、抵抗層５０Ａの上方に第２電極２２Ａが形成されている。ここで、有機層２３上における半透過・反射膜４０の平均膜厚は１ｎｍ乃至６ｎｍである。このような極薄の半透過・反射膜４０は、通常、少なくとも部分的に不連続な状態となり得る。従って、第１電極２１上に異物（パーティクル）や突起部が存在し、あるいは又、段差が存在して、有機層２３のカバレッジが完全ではなかったとしても、第２電極２２Ａから有機層２３に確実に電圧を印加でき、しかも、抵抗層５０Ａが存在するが故に、第１電極２１と第２電極２２Ｄとの間で短絡が生じることがないし、第１電極２１と半透過・反射膜４０とが接触した状態となることもない。有機ＥＬ表示装置にあっては、絶縁層２４の上の半透過・反射膜４０の部分は少なくとも部分的に不連続である。従って、やはり、第１電極２１上に異物や突起部が存在し、あるいは又、段差が存在して、有機層２３のカバレッジが完全ではなかったとしても、第２電極２２Ａから有機層２３に確実に電圧を印加でき、しかも、抵抗層５０Ａが存在するが故に、第１電極２１と第２電極２２Ａとの間で短絡が生じることがないし、第１電極２１と半透過・反射膜４０とが接触した状態となることもない。それ故、欠陥画素や欠線が生じることを確実に防止することができる。尚、第１電極２１と半透過・反射膜４０とが接触すると、第１電極２１と半透過・反射膜４０とが同電位となり、有機層２３において発光が生じなくなる。更には、発光素子の有機層２３と第１電極２１と半透過・反射膜４０によって構成される光の干渉条件あるいは共振条件が規定されているので、輝度、色度の視野角依存性を非常に少なくすることができる。

実施例２は、本発明の第２の態様に係る発光素子、及び、本発明の第２の態様に係る発光素子の製造方法に関する。図８の（Ａ）及び（Ｂ）に、実施例２の発光素子の模式的な一部断面図を示す。

実施例１にあっては、第２電極２２Ａと抵抗層５０との間に導電性樹脂層６０を形成した。一方、実施例２にあっては、導電性樹脂層６０の形成を省略した。そして、第２電極２２Ｂを、導電性樹脂材料、具体的には、アクリル系のポリマーとピロール系の導電性ポリマーとを１：４乃至１：５の重量割合で共重合させたコポリマーから構成した。ここで、導電性樹脂材料の電気抵抗率は５×１０^-3Ω・ｍ以下（５×１０^-1Ω・ｃｍ以下）、具体的には、１×１０^-5Ω・ｍであり、第２電極２２Ｂの厚さは１μｍ乃至１００μｍ、具体的には１０μｍである。

以上の点を除き、実施例２の発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造は、実施例１の発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。以下、実施例２の発光素子の製造方法を説明する。

［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］（具体的には、［工程−１００Ａ］〜［工程−１００Ｇ］）と同様にして、第１電極２１、有機層２３及び抵抗層５０Ｂが順次形成された第１基板１１を準備する。

［工程−２１０］
そして、導電性樹脂材料から成る第２電極２２Ｂによって抵抗層５０Ｂと第２基板３１とを接着する。具体的には、周辺にシール剤と呼ばれる樹脂で土手を形成し、この土手の内側に第２電極２２Ｂを塗布法にて形成するＯＤＦ方式に基づき、第２電極２２Ｂを抵抗層５０Ｂ上に形成し、第２電極２２Ｂと第２基板３１を重ね合わせ、第２電極２２Ｂを構成する導電性樹脂材料を加熱することで、第２電極２２Ｂによって抵抗層５０Ｂと第２基板３１とを接着する。あるいは又、シート状の材料から成る第２電極２２Ｂを介して抵抗層５０Ｂと第２基板３１とを重ね合わせ、第２電極２２Ｂを構成する導電性樹脂材料を導電性樹脂材料を加熱することで、第２電極２２Ｂによって抵抗層５０Ｂと第２基板３１とを接着する。尚、第２基板３１上に、予め、例えば、アルミニウムから成るバス電極を、有機層２３から出射される光を遮らない第２基板３１の領域上に形成しておいてもよい。また、第２電極２２Ｂと抵抗層５０Ｂの間に、ＬｉＦから成る電子注入層を設けて電子注入性を向上させてもよい。

実施例２の発光素子にあっては、第２電極２２Ｂは導電性樹脂材料から成る。従って、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成された第２電極と比較して、第２電極の製造コストの低減を図ることができる。また、導電性樹脂材料から成る第２電極２２Ｂによって抵抗層５０Ｂと第２基板３１とを接着するので、云い換えれば、有機層２３の上方に第２電極を形成しなくともよいので、有機層２３にダメージが発生することを防止できる。

実施例３は、実施例２の変形であるが、本発明の第２’の態様に係る発光素子の製造方法に関する。実施例３にあっては、第２電極を、導電性樹脂材料、具体的には、アクリル系のポリマーとピロール系の導電性ポリマーとを１：４乃至１：５の重量割合で共重合させたコポリマーに、架橋剤であるＮ，Ｎ’−メチレンビスアクリルアミドを０．３重量％含有させてゲル化したものから構成した。ここで、導電性樹脂材料の電気抵抗率は、具体的には、２．４×１０^-5Ω・ｍであり、抵抗層５０Ｃの厚さは、具体的には１０μｍである。

以上の点を除き、実施例３の発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造は、実施例２の発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

実施例３にあっては、実施例２の［工程−２１０］と同様の工程において、第２基板の上に、予め、第２電極を形成しておく。具体的には、周辺にシール剤と呼ばれる樹脂で土手を形成し、この土手の内側に第２電極を塗布法にて形成するＯＤＦ方式に基づき、第２電極を第２基板上に形成し、第２電極と抵抗層を重ね合わせ、第２電極を構成する導電性樹脂材料を加熱することで、第２電極によって抵抗層と第２基板とを接着する。実施例３にあっては、第２基板の上に、予め、第２電極を形成しておくので、第２電極を構成する導電性樹脂材料の材料選択幅が広がる。

実施例４は、本発明の第３の態様に係る発光素子、及び、本発明の第３の態様に係る発光素子の製造方法に関する。図９の（Ａ）及び（Ｂ）に、実施例４の発光素子の模式的な一部断面図を示す。

実施例４にあっては、実施例１と異なり、導電性樹脂層６０の形成を省略した。そして、更には、実施例１と異なり、抵抗層５０Ｃを、高電気抵抗を有する樹脂材料（高抵抗樹脂材料）、具体的には、アクリル系接着剤に導電性高分子であるポリピロールを３０重量％乃至５０重量％含有させたものから構成した。ここで、抵抗層５０Ｃを構成する樹脂材料の電気抵抗率は１×１０¹Ω・ｍ乃至１×１０⁴Ω・ｍ（１×１０³Ω・ｃｍ乃至１×１０⁶Ω・ｃｍ）、具体的には、５．６×１０²Ω・ｍであり、抵抗層５０Ｃの厚さは１×１０^-6ｍ乃至１×１０^-4ｍ、具体的には１０μｍである。

以上の点を除き、実施例４の発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造は、実施例１の発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。以下、実施例４の発光素子の製造方法を説明する。

［工程−４００］
先ず、実施例１の［工程−１００Ａ］〜［工程−１００Ｆ］と同様にして、第１電極２１及び有機層２３が順次形成された第１基板１１を準備する。

［工程−４１０］
一方、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、第２電極２２Ｃが形成された第２基板３１を準備する。具体的には、第２基板３１の表示領域の全面に、スパッタリング法を含むリフトオフ法に基づき、第２電極２２Ｃ、具体的には、厚さ０．１μｍのＩＴＯ層を形成する。尚、この工程において、例えば、アルミニウムから成るバス電極を、有機層２３から出射される光を遮らない第２基板３１の領域上（具体的には、第２基板３３と第２電極２２Ｃとの間）に形成してもよい。

［工程−４２０］
そして、高電気抵抗を有する樹脂材料から成る抵抗層５０Ｃによって有機層２３と第２電極２２Ｃとを接着する。具体的には、ＯＤＦ方式に基づき、高電気抵抗を有する樹脂材料を有機層２３上に形成し、抵抗層５０Ｃと第２電極２２Ｃとを重ね合わせ、抵抗層５０Ｃを構成する樹脂材料を加熱することで、抵抗層５０Ｃによって有機層２３と第２電極２２Ｃとを接着する。あるいは又、シート状の材料から成る抵抗層５０Ｃを介して有機層２３と第２電極２２Ｃとを重ね合わせ、抵抗層５０Ｃを構成する樹脂材料を加熱することで、抵抗層５０Ｃによって有機層２３と第２電極２２Ｃとを接着する。

実施例４の発光素子において、抵抗層は高電気抵抗を有する樹脂材料（高抵抗樹脂材料）から成る。従って、カバレッジの向上のために抵抗層の膜厚を特段に厚くする必要がなく、プロセス的な負荷が増加することもないし、製造コストが増加することもない。また、実施例４の発光素子の製造方法にあっては、高電気抵抗を有する樹脂材料から成る抵抗層によって有機層と第２電極とを接着するので、優れたカバレッジを達成することができる。

実施例５は、実施例４の変形であるが、本発明の第３’の態様に係る発光素子の製造方法に関する。実施例５にあっては、高電気抵抗を有する樹脂材料（高抵抗樹脂材料）を、具体的には、アクリル系接着剤に導電性高分子であるポリピロールを３０重量％乃至５０重量％含有させ、架橋剤であるＮ，Ｎ’−メチレンビスアクリルアミドを０．３重量％含有させてゲル化したものから構成した。ここで、高電気抵抗を有する樹脂材料の電気抵抗率は、具体的には、４．８×１０²Ω・ｍであり、抵抗層５０Ｃの厚さは、具体的には１０μｍである。

以上の点を除き、実施例５の発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造は、実施例４の発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

実施例５にあっては、実施例４の［工程−４２０］と同様の工程において、第２電極上に、予め、抵抗層を形成しておく。具体的には、ＯＤＦ方式に基づき、第２電極上に抵抗層を形成し、抵抗層と有機層とを重ね合わせ、抵抗層を構成する樹脂材料を加熱することで、抵抗層によって有機層と第２電極とを接着する。実施例５にあっては、第２電極上に、予め、抵抗層を形成しておくので、抵抗層を構成する樹脂材料の材料選択幅が広がる。

実施例６は、本発明の第４の態様に係る発光素子、及び、本発明の第４の態様に係る発光素子の製造方法に関する。実施例６における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図を図１０に示し、実施例６の発光素子１０Ｄの模式的な一部断面図を図１１の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。

実施例６にあっては、実施例１と異なり、導電性樹脂層６０の形成を省略した。そして、第２電極２２Ｄの上方には補助電極７０が形成されており、補助電極７０と第２電極２２とは、導電性を有するリブ７１によって電気的に接続されている。そして、補助電極７０及び第２電極２２は外部回路に接続されている。

ここで、導電性を有するリブ７１は、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂から成るリブ（高さ：例えば５μｍ）の表面に、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ：Ａｌといった材料から成る導電材料膜（図示せず）を成膜することで作製されている。補助電極７０は、厚さ１μｍのアルミニウム（Ａｌ）から成り、有機層２３から出射される光を遮らない第２基板３１の領域上に形成されている。

第２基板３１と第２電極２２Ｄとの間の空間７２は、例えば、アクリル系接着剤、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤、シアノアクリレート系接着剤といった熱硬化型接着剤や、紫外線硬化型接着剤といった接着層（封止層）７３で充填してもよいし、例えば、窒素ガス等の不活性ガスで充填してもよい。

以上の点を除き、実施例６の発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造は、実施例１の発光素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。以下、実施例６の発光素子の製造方法を説明する。

［工程−６００］
先ず、第１電極２１、有機層２３、抵抗層５０Ｄ及び第２電極２２Ｄが順次形成された第１基板１１を準備する。具体的には、実施例１の［工程−１００］（具体的には、［工程−１００Ａ］〜［工程−１００Ｇ］）と同様にして、第１電極２１、有機層２３及び抵抗層５０Ｄが順次形成された第１基板１１を準備する。次に、表示領域の全面に第２電極２２Ｄを形成する。第２電極２２Ｄは、Ｎ×Ｍ個の有機ＥＬ素子を構成する有機層２３の全面を覆っている。但し、第２電極２２Ｄは、抵抗層５０Ｄ、有機層２３及び絶縁層２４によって第１電極２１とは絶縁されている。第２電極２２Ｄは、有機層２３に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法であるロングスロー・マグネトロン・スパッタリング法に基づき形成する。また、有機層２３を大気に暴露することなく、有機層２３の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して第２電極２２Ｄまでの形成を行うことで、大気中の水分や酸素による有機層２３の劣化を防止することができる。具体的には、厚さ０．１μｍのＩＴＯ層を全面に成膜することで、第２電極２２Ｄを得ることができる。

［工程−６１０］
一方、補助電極７０が形成され、更には、補助電極７０上に導電性を有するリブ７１が形成された第２基板３１を準備する。具体的には、第２基板３１の表示領域の全面に、スパッタリング法を含むリフトオフ法に基づき、補助電極７０、具体的には、厚さ１μｍのアルミニウム（Ａｌ）層を形成する。その後、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂から成るリブを設け、次いで、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、ＥＢ蒸着法等に基づき、補助電極７０上に、導電性を有するリブ７１を形成する。

［工程−６２０］
その後、リブ７１と第２電極２２Ｄとが接触した状態で、第１基板１１と第２基板３１とを接合する。具体的には、第１基板１１の外周部及び／又は第２基板３１の外周部にフリットガラスを塗布し、フリットガラスを予備乾燥する。そして、リブ７１と第２電極２２Ｄとが接触した状態となるように第１基板１１と第２基板３１とを重ね合わせ、例えば、窒素ガス雰囲気中に搬入し、フリットガラスの焼成を行うことで、第１基板１１と第２基板３１とを接合する。

実施例６の発光素子において、第２電極２２Ｄの上方には補助電極７０が形成されており、補助電極７０と第２電極２２Ｄとは導電性を有するリブ７１によって電気的に接続されている。従って、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成された第２電極と比較して、第２電極２２Ｄと補助電極７０とリブ７１の全体における製造コストの低減を図ることができる。また、実施例６の発光素子の製造方法にあっては、リブ７１と第２電極２２Ｄとが接触した状態で第１基板１１と第２基板３１とを接合するので、第２電極２２Ｄと補助電極７０とリブ７１の全体における製造コストの低減を図ることができる。

実施例７は、実施例１〜実施例３、実施例６の変形であり、抵抗層が、有機層側から、第１抵抗層及び第２抵抗層の積層構造を有し、第２抵抗層の電気抵抗率は、第１抵抗層の電気抵抗率よりも高い。実施例７にあっては、第１抵抗層及び第２抵抗層を構成する材料は、どちらもＮｂ₂Ｏ₅であるが、Ｎｂ₂Ｏ₅をスパッタリング法にて成膜するときの酸素分圧を変えることで、第１抵抗層及び第２抵抗層の電気抵抗率Ｒ₁，Ｒ₂を以下のとおりとした。

第１抵抗層の電気抵抗率Ｒ₁：１×１０²Ω・ｍ（１×１０⁴Ω・ｃｍ）
第２抵抗層の電気抵抗率Ｒ₂：１×１０⁴Ω・ｍ（１×１０⁶Ω・ｃｍ）

抵抗層での電圧降下を測定すると、１層の抵抗層（電気抵抗率：１×１０⁴Ω・ｍ（１×１０⁶Ω・ｃｍ））から構成したときの電圧降下の測定結果と比較して、実施例７にあっては、電圧降下の値が小さくなり、駆動電圧の低電圧化を図ることができた。

抵抗層の構成が異なる点を除き、実施例７の有機ＥＬ表示装置、発光素子、有機ＥＬ素子の構成、構造は、実施例１〜実施例３、実施例６の有機ＥＬ表示装置、発光素子、有機ＥＬ素子の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

実施例８は、実施例１〜実施例６の変形である。実施例１〜実施例６にあっては、赤色発光素子を構成する抵抗層の電気抵抗値（抵抗層単位面積当たりの電気抵抗値。以下においても同じ）Ｒ_R、緑色発光素子を構成する抵抗層の電気抵抗値Ｒ_G、及び、青色発光素子を構成する抵抗層の電気抵抗値Ｒ_Bの値を同じとした。即ち、全面を抵抗層で一様に覆った。ところで、一般に、発光波長の短い青色発光素子における光学距離ＯＬ_Bは、発光波長がより長い緑色発光素子、赤色発光素子における光学距離ＯＬ_G，ＯＬ_Rよりも短い。それ故、青色発光素子における有機層の厚さを、緑色発光素子、赤色発光素子における有機層の厚さよりも薄くする必要がある。それ故、青色発光素子における第１電極と第２電極との間での短絡が最も生じ易いので、青色発光素子における抵抗層の厚さを最も厚くする必要がある。一方、各発光素子を構成する材料、有機層の膜厚に依存して、一般に、青色発光素子、緑色発光素子及び赤色発光素子の駆動電圧は、青色発光素子、赤色発光素子、緑色発光素子の順に高くなる傾向にあるが、青色発光素子、緑色発光素子及び赤色発光素子の駆動電圧を、出来るだけ揃えることが好ましい。また、青色発光素子、緑色発光素子及び赤色発光素子の駆動電圧にばらつきがある場合、駆動電圧のばらつきを出来るだけ少なくすることが好ましい。更には、画素の面積が異なる場合、例えば、赤色発光素子の面積≦緑色発光素子の面積＜青色発光素子の面積の場合、画素の面積が大きいほど、滅点の数が増加し易い。

図１２に、画素の駆動のための全電流が変化したときの、全電流に対するリーク電流変化の割合のシミュレーション結果を示す。全電流が少なくなると、異物によるリーク電流の割合が増えることになる。更に、抵抗層の抵抗が高くなると、リーク電流が抑えられる結果となっている。尚、図１２において、曲線「Ａ」は、抵抗層の抵抗が１×１０⁴Ωのときのデータであり、曲線「Ｂ」は、抵抗層の抵抗が１×１０⁵Ωのときのデータであり、曲線「Ｃ」は、抵抗層の抵抗が１×１０⁶Ωのときのデータである。

実施例８にあっては、青色発光素子、緑色発光素子及び赤色発光素子の駆動電圧を、出来るだけ揃えるために、赤色発光素子を構成する抵抗層の単位面積当たりの抵抗値Ｒ_R、緑色発光素子を構成する抵抗層の単位面積当たりの抵抗値Ｒ_G、及び、青色発光素子を構成する抵抗層の単位面積当たりの抵抗値Ｒ_Bの値を異ならせる。即ち、Ｒ_B＞Ｒ_G，Ｒ_B＞Ｒ_Rとする。より具体的には、
Ｒ_B＝１５０Ω・ｃｍ²
Ｒ_G＝ ５０Ω・ｃｍ²
Ｒ_R＝１００Ω・ｃｍ²
とした。これによって、青色発光素子、緑色発光素子及び赤色発光素子の駆動電圧を揃えることができ、駆動電圧の上昇を最小限とすることができ、しかも、第１電極と第２電極との間での短絡の発生を確実に抑制することができる。

例えば、赤色発光素子を構成する抵抗層の厚さと、緑色発光素子を構成する抵抗層の厚さと、青色発光素子を構成する抵抗層の厚さとを異ならせた。具体的には、抵抗層を成膜した後、青色発光素子を構成する抵抗層をレジスト層で被覆し、緑色発光素子及び赤色発光素子を構成する抵抗層を露出し、緑色発光素子及び赤色発光素子を構成する抵抗層を厚さ方向に部分的にエッチングする。次いで、レジスト層を除去し、青色発光素子及び赤色発光素子を構成する抵抗層をレジスト層で被覆し、緑色発光素子を構成する抵抗層を露出させ、緑色発光素子を構成する抵抗層を厚さ方向に部分的にエッチングする。あるいは又、赤色発光素子を構成する抵抗層の構成材料と、緑色発光素子を構成する抵抗層の構成材料と、青色発光素子を構成する抵抗層の構成材料とを異ならせればよいし（例えば、実施例７において、第１抵抗層及び第２抵抗層を形成した後、赤色発光素子及び緑色発光素子を構成する第２抵抗層の部分をエッチング法にて除去する）、あるいは又、赤色発光素子を構成する抵抗層の導電性に寄与する物質の含有量と、緑色発光素子を構成する抵抗層の導電性に寄与する物質の含有量と、青色発光素子を構成する抵抗層の導電性に寄与する物質の含有量とを異ならせればよい。

実施例９も、実施例１〜実施例６の変形である。実施例９にあっては、第２電極２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄを外部の回路（図示せず）に接続するための取出し電極８０を、有機ＥＬ表示装置の外周領域に設ける。実施例９において、取出し電極８０は、第１基板１１の外周部に設けられており、チタン（Ｔｉ）膜から成る。第２電極の延在部２２Ｅが取出し電極８０の上にまで延びている。実施例９における有機ＥＬ表示装置（実施例１にて説明した有機ＥＬ表示装置にて代表させる）の外周部近傍の模式的な一部断面図を図１３に示し、外周部近傍における取出し電極８０及び第２電極２２Ａの配置を模式的に図１４に示す。尚、図１４において、取出し電極８０の外周を実線で示し、内周を点線で示し、取出し電極８０を明確化するため、取出し電極８０に右上から左下に延びる斜線を付した。一方、延在部２２Ｅを含む第２電極２２Ａを明確化するため、第２電極２２Ａに左上から右下に延びる斜線を付した。取出し電極８０は、例えば、実施例１の［工程−１００］のいずれかの工程中で、例えば、スパッタリング法とエッチング法の組合せ、メタルマスクを用いたＰＶＤ法、リフトオフ法等に基づき、表示領域を額縁状に包囲するように取出し電極８０を設ければよい。尚、取出し電極８０が第１基板１１に設けられた各種配線等と重複する部分が生じる場合には、取出し電極８０と各種配線等との間に絶縁膜を形成すればよい。

以上、好ましい実施例に基づき本発明を説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例における発光素子や有機ＥＬ素子、有機ＥＬ表示装置の構成、構造、発光素子や有機ＥＬ素子、有機ＥＬ表示装置を構成する材料等は例示であり、適宜変更することができる。

例えば、第１電極と有機層との間に導電体膜が設けられており、第１電極上における導電体膜の平均膜厚は１ｎｍ乃至６ｎｍである構成とすることができる。導電体膜は、例えば、半透過・反射膜を構成する材料と同様の材料から構成すればよい。具体的には、アルカリ金属又はアルカリ土類金属と銀（Ａｇ）［例えば、マグネシウム（Ｍｇ）と銀（Ａｇ）］を含み、若しくは、マグネシウム（Ｍｇ）とカルシウム（Ｃａ）を含む構成［例えば、Ｍｇ−ＡｇあるいはＭｇ−Ｃａ］とすることができ、又は、半透過・反射膜は、アルミニウム（Ａｌ）若しくは銀（Ａｇ）から成る構成とすることができる。ここで、マグネシウム−銀から構成する場合、マグネシウムと銀との体積比として、Ｍｇ：Ａｇ＝５：１〜３０：１を例示することができる。一方、マグネシウム−カルシウムから構成する場合、マグネシウムとカルシウムとの体積比として、Ｍｇ：Ｃａ＝２：１〜１０：１を例示することができる。

実施例においては、第２電極の上方に第２基板を配置したが、代替的に、積層順序を逆にして、以下の表７に示すように、第２電極の下方に第１基板を配置し、発光層からの光を第１基板から出射させてもよい。尚、表７においては、実施例１において説明した発光素子の構成に係る構成、構造を適用した例を示しているが、他の実施例に対して係る構成、構造を適用することができることは云うまでもない。あるいは又、有機層における各層の積層配置状態を、上下、逆転させてもよい。即ち、例えば、第１電極側から、電子輸送層、発光層、正孔輸送層及び正孔注入層が積層された構造を有し、正孔注入層の上あるいは上方に抵抗層が形成された形態とすることもできる。

［表７］
第２基板３１ ：ソーダガラス
接着層 ：アクリル系接着剤
保護膜 ：ＳｉＮ_x層（厚さ：５μｍ）
第１電極（アノード電極）２１ ：Ａｌ−Ｎｄ層（厚さ：０．２μｍ）
有機層２３ ：前述したとおり
電子注入層 ：ＬｉＦ層（厚さ：０．３ｎｍ）
半透過・反射膜４０ ：Ｍｇ−Ａｇ層（厚さ：５ｎｍ）
抵抗層５０Ａ ：Ｎｂ₂Ｏ₅層（厚さ：０．５μｍ）
導電性樹脂層６０ ：（厚さ：１０μｍ）
第２電極（カソード電極）２２Ａ：ＩＴＯ層（厚さ：０．１μｍ）
層間絶縁層１６ ：ＳｉＯ₂層
ＴＦＴ ：有機ＥＬ素子駆動部を構成
第１基板１１ ：ソーダガラス

実施例においては、有機層を発光素子毎に形成したが、場合によっては、赤色発光素子及び緑色発光素子のそれぞれについては、その上に青色発光素子を構成する有機層が延在している構造とすることもできる。尚、青色発光素子を構成する有機層の延在部分を、便宜上、『共通層』と呼ぶ。即ち、表示領域全面に青色発光素子を構成する有機層を形成する形態とすることもできる。この場合、赤色発光素子に関しては、赤色を発光する有機層と共通層の積層構造となるが、第１電極と第２電極との間で電流を流すと赤色を発光する。同様に、緑色発光素子に関しては、緑色を発光する有機層と共通層の積層構造となるが、第１電極と第２電極との間で電流を流すと緑色を発光する。このような構成とすることで、共通層において発生した青色発光エネルギーが赤色発光有機層や緑色発光有機層へエネルギー移動することで、赤色発光有機層や緑色発光有機層の発光効率の向上を図ることができる。また、赤色発光有機層における発光層及び緑色発光有機層における発光層の上に全面に共通層を形成することで、青色発光有機層を構成する発光層を個別に形成することなく形成することができ、例えば、青色発光有機層を構成する発光層を形成するためのマスクが不要となり、量産性も向上する。

図１５の（Ａ）に、半透過・反射膜４０の膜厚と波長５３０ｎｍにおける平均光反射率の値の関係を例示する。図示するように、半透過・反射膜４０の膜厚が薄くなると、平均光反射率は０に近づいていく。従って、半透過・反射膜４０の膜厚が薄くなると、半透過・反射膜４０は、殆どの光を透過するようになる。また、波長５３０ｎｍの光が、或る層Ａから層Ａに接した層に入射したとき、層Ａと層Ｂとの界面で反射されるときの平均光反射率と、層Ａを構成する材料の屈折率と層Ｂを構成する材料の屈折率との差Δｎの関係を図１５の（Ｂ）に例示する。図示するように、フレネル反射に基づき、Δｎの値が増加すると平均光反射率の値は増加する。

従って、半透過・反射膜４０の膜厚が薄くなり、半透過・反射膜４０が殆どの光を透過するようになると、半透過・反射膜４０と抵抗層５０との界面である第３界面において、反射が生じる。あるいは又、抵抗層５０が少なくとも２層の抵抗層の積層構造を有する場合、半透過・反射膜４０と積層構造を有する抵抗層の構成材料等とに依存して、第１抵抗層と第２抵抗層との界面である第４界面において、主に、反射が生じる。その結果、第１界面と、半透過・反射膜４０と抵抗層５０との界面によって構成された第３界面との間で、発光層で発光した光を共振させ、あるいは又、第１界面と、第１抵抗層と第２抵抗層との界面によって構成された第４界面との間で、発光層で発光した光を共振させることができ、あるいは又、第１界面と第３界面との間で、発光層で発光した光を共振させ、且つ、第１界面と第４界面との間で、発光層で発光した光を共振させることができる。

従って、このような場合、第２界面から発光層の最大発光位置までの光学距離をＯＬ₂とする代わりに、第３界面若しくは第４界面から発光層の最大発光位置までの光学距離をＯＬ₂とすればよい。また、Φ₂を、第３界面若しくは第４界面で生じる反射光の位相シフト量（単位：ラジアン）［但し、−２π＜Φ₂≦０］とすればよい。あるいは又、第２界面との間の光学距離をＯＬ、発光層で発生した光が第１界面と第２界面で反射する際に生じる位相シフトの和をΦラジアン［但し、−２π＜Φ≦０］とする代わりに、第３界面若しくは第４界面との間の光学距離をＯＬ、発光層で発生した光が第１界面と第３界面若しくは第４界面で反射する際に生じる位相シフトの和をΦラジアン［但し、−２π＜Φ≦０］とすればよい。以上に説明したように、半透過・反射膜と抵抗層との界面である第３界面において主に反射が生じ、あるいは又、第１抵抗層と第２抵抗層との界面である第４界面において主に反射が生じる場合には、「半透過・反射膜と有機層との界面によって構成された第２界面」を、『半透過・反射膜と抵抗層との界面である第３界面』若しくは『第１抵抗層と第２抵抗層との界面である第４界面』と読み替えればよい。

具体的には、実施例１における発光素子の変形例として、抵抗層を第１抵抗層と第２抵抗層との組合せとした以下の表８に示す構造を有する発光素子を作製したところ、半透過・反射膜と抵抗層との界面である第３界面、及び、第１抵抗層と第２抵抗層との界面である第４界面において反射が生じ、抵抗層を第２抵抗層のみとした発光素子と比較して、発光効率が１．３倍となった。尚、第１抵抗層を構成する材料の屈折率ｎ₁、第２抵抗層を構成する材料の屈折率ｎ₂、有機層の最上層を構成する材料の屈折率ｎ₀の関係は、
−０．６≦ｎ₀−ｎ₁≦−０．４
０．４≦ｎ₁−ｎ₂≦ ０．９
といった効率を重視する関係にある。

［表８］
第２基板 ：ソーダガラス
第２電極 ：ＩＴＯ層（厚さ：０．１μｍ）
導電性樹脂層 ：（厚さ：１０μｍ）
第２抵抗層 ：厚さ０．５μｍ （屈折率ｎ₂：１．７）
第１抵抗層 ：厚さ０．０６μｍ（屈折率ｎ₁：２．４）
半透過・反射膜：Ｍｇ−Ａｇ膜（厚さ：２ｎｍ）
有機層（全体）：厚さ１３０ｎｍ（屈折率ｎ₉：１．８）
第１電極 ：Ａｌ−Ｎｄ層（厚さ：０．２μｍ）
層間絶縁層 ：ＳｉＯ₂層
ＴＦＴ ：有機ＥＬ素子駆動部を構成
第１基板 ：ソーダガラス

１０Ａ，１０Ｄ・・・発光素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）、１１・・・第１基板、１２・・・ゲート電極、１３・・・ゲート絶縁膜、１４・・・ソース／ドレイン領域、１５・・・チャネル形成領域、１６・・・層間絶縁層、１６Ａ・・・下層層間絶縁層、１６’，１８’・・・開口、１６Ｂ・・・上層層間絶縁層、１７・・・配線、１７Ａ，１８・・・コンタクトプラグ、２１・・・第１電極、２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ，２２Ｄ・・・第２電極、２２Ｅ・・・第２電極の延在部、２３・・・有機層、２３Ａ・・・発光層、２３Ｂ・・・正孔輸送層、２３Ｃ・・・電子輸送層、２４・・・絶縁層、２５・・・開口部、２６・・・第１界面、２７・・・第２界面、３１・・・第２基板、４０・・・半透過・反射膜、４０Ａ・・・絶縁層の上の半透過・反射膜の部分、４０Ｂ・・・有機層の上の半透過・反射膜の部分、５０Ａ，５０Ｂ，５０Ｃ，５０Ｄ・・・抵抗層、６０・・・導電性樹脂層、７０・・・補助電極、７１・・・リブ、７２・・・空間、７３・・・接着層（封止層）、８０・・・取出し電極

Claims (13)

1. （Ａ）第１電極、
   （Ｂ）有機発光材料から成る発光層を備えた有機層、
   （Ｃ）抵抗層、及び、
   （Ｄ）パターニングされていない第２電極、
   が、順次、積層されて成り、
   抵抗層と第２電極との間に、導電性樹脂層が形成されている発光素子。
2. 導電性樹脂層の電気抵抗率は１×１０^-4Ω・ｍ乃至１×１０²Ω・ｍであり、導電性樹脂層の厚さは１×１０^-6ｍ乃至１×１０^-4ｍである請求項１に記載の発光素子。
3. 抵抗層を構成する材料の電気抵抗率は１×１０²Ω・ｍ乃至１×１０⁶Ω・ｍであり、抵抗層の厚さは０．１μｍ乃至２μｍである請求項１に記載の発光素子。
4. （Ａ）第１電極、
   （Ｂ）有機発光材料から成る発光層を備えた有機層、
   （Ｃ）抵抗層、及び、
   （Ｄ）第２電極、
   が、順次、積層されて成り、
   抵抗層は、高電気抵抗を有する樹脂材料から成る発光素子。
5. 抵抗層を構成する樹脂材料の電気抵抗率は１×１０¹Ω・ｍ乃至１×１０⁴Ω・ｍであり、抵抗層の厚さは１×１０^-6ｍ乃至１×１０^-4ｍである請求項４に記載の発光素子。
6. 抵抗層と第２電極の間に、平均膜厚が１ｎｍ乃至６ｎｍである半透過・反射膜が形成されており、
   第１電極は、発光層からの光を反射し、
   第２電極は、半透過・反射膜を透過した光を透過する請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の発光素子。
7. 第１電極と有機層との界面によって構成された第１界面と、半透過・反射膜と有機層との界面によって構成された第２界面との間で、発光層で発光した光を共振させて、その一部を半透過・反射膜から出射させる請求項６に記載の発光素子。
8. 半透過・反射膜は、マグネシウムと銀、マグネシウムとカルシウム、アルミニウム、又は、銀を含む請求項６に記載の発光素子。
9. 第１基板と第２基板との間に設けられ、
   （Ａ）第１電極、
   （Ｂ）有機発光材料から成る発光層を備えた有機層、
   （Ｃ）抵抗層、及び、
   （Ｄ）パターニングされていない第２電極、
   が、順次、積層されて成る発光素子の製造方法であって、
   （ａ）第１電極、有機層及び抵抗層が順次形成された第１基板を準備し、
   （ｂ）第２電極が形成された第２基板を準備し、
   （ｃ）導電性樹脂層によって抵抗層と第２電極とを接着する、
   各工程を備えた発光素子の製造方法。
10. 第１基板と第２基板との間に設けられ、
    （Ａ）第１電極、
    （Ｂ）有機発光材料から成る発光層を備えた有機層、
    （Ｃ）抵抗層、及び、
    （Ｄ）第２電極、
    が、順次、積層されて成る発光素子の製造方法であって、
    （ａ）第１電極、有機層及び抵抗層が順次形成された第１基板を準備し、
    （ｂ）導電性樹脂材料から成る第２電極によって抵抗層と第２基板とを接着する、
    各工程を備えた発光素子の製造方法。
11. 前記工程（ｂ）において、第２基板上に、予め、第２電極を形成しておく請求項１０に記載の発光素子の製造方法。
12. 第１基板と第２基板との間に設けられ、
    （Ａ）第１電極、
    （Ｂ）有機発光材料から成る発光層を備えた有機層、
    （Ｃ）抵抗層、及び、
    （Ｄ）第２電極、
    が、順次、積層されて成る発光素子の製造方法であって、
    （ａ）第１電極及び有機層が順次形成された第１基板を準備し、
    （ｂ）第２電極が形成された第２基板を準備し、
    （ｃ）高電気抵抗を有する樹脂材料から成る抵抗層によって有機層と第２電極とを接着する、
    各工程を備えた発光素子の製造方法。
13. 前記工程（ｃ）において、第２電極上に、予め、抵抗層を形成しておく請求項１２に記載の発光素子の製造方法。