JP5423664B2 - TFT array inspection equipment - Google Patents
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Description
本発明は、液晶基板等の製造過程等で行われるTFTアレイ検査工程に関し、特に、TFTアレイ検査を行う際のTFTアレイ駆動、および欠陥種の分類に関する。 The present invention relates to a TFT array inspection process performed in the manufacturing process of a liquid crystal substrate or the like, and more particularly to TFT array driving and defect type classification when performing TFT array inspection.
液晶基板や有機EL基板等のTFTアレイが形成された半導体基板の製造過程では、製造過程中にTFTアレイ検査工程を含み、このTFTアレイ検査工程において、TFTアレイの欠陥検査が行われている。 In the manufacturing process of a semiconductor substrate on which a TFT array such as a liquid crystal substrate or an organic EL substrate is formed, a TFT array inspection process is included in the manufacturing process, and a defect inspection of the TFT array is performed in this TFT array inspection process.
TFTアレイは、例えば液晶表示装置のピクセル(画素電極)を選択するスイッチング素子として用いられる。TFTアレイを備える基板は、例えば、走査線として機能する複数本のゲートラインが平行に配設されると共に、信号線として記載する複数本のソースラインがゲートラインに直交して配設され、両ラインが交差する部分の近傍にTFT(Thin film transistor)が配設され、このTFTを介してピクセル(画素電極)に駆動信号が供給される。 The TFT array is used as a switching element for selecting a pixel (pixel electrode) of a liquid crystal display device, for example. In a substrate including a TFT array, for example, a plurality of gate lines functioning as scanning lines are arranged in parallel, and a plurality of source lines described as signal lines are arranged orthogonal to the gate lines. A thin film transistor (TFT) is disposed in the vicinity of the portion where the lines intersect, and a drive signal is supplied to the pixel (pixel electrode) through the TFT.
このTFTアレイにおいて、走査線(ゲートライン)や信号線(ソースライン)の断線、走査線(ゲートライン)と信号線(ソースライン)の短絡、画素を駆動するTFTの特性不良による画素欠陥等の欠陥検査は、例えば、対向電極を接地し、ゲートラインの全部あるいは一部に、例えば、−15V〜+15Vの直流電圧を所定間隔で印加し、ソースラインの全部あるいは一部に検査用の駆動信号を印加することによって行っている。(例えば、特許文献1の従来技術、特許文献2。) In this TFT array, a scanning line (gate line) or a signal line (source line) is disconnected, a scanning line (gate line) and a signal line (source line) are short-circuited, or a pixel defect due to a characteristic defect of a TFT driving a pixel. In the defect inspection, for example, the counter electrode is grounded, a DC voltage of, for example, −15 V to +15 V is applied to all or a part of the gate line at a predetermined interval, and a driving signal for inspection is applied to all or a part of the source line. Is performed by applying. (For example, the prior art of patent document 1 and patent document 2.)
TFTアレイ検査装置は、TFTアレイに検査用の駆動信号を入力し、そのときの電圧状態を検出することで欠陥検出を行うことができる。 The TFT array inspection apparatus can detect a defect by inputting a driving signal for inspection to the TFT array and detecting the voltage state at that time.
液晶アレイ検査装置等のTFTアレイ検査装置において、液晶基板等の基板上を撮像して得られる撮像画像として、光学的に撮像して得られる光学撮像画像、あるいは、電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームを基板上で二次元的に走査して得られる走査画像を用いることができる。 In a TFT array inspection apparatus such as a liquid crystal array inspection apparatus, as a captured image obtained by imaging on a substrate such as a liquid crystal substrate, an optical captured image obtained by optical imaging, or charging such as an electron beam or an ion beam A scanned image obtained by two-dimensionally scanning the beam on the substrate can be used.
例えば、検査対象である基板のTFTアレイに検査信号を印加してTFTアレイを所定電位状態とし、基板上に電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームを二次元的に照射して走査し、このビーム走査で得られる走査画像に基づいてTFTアレイを検査する。 For example, an inspection signal is applied to the TFT array of the substrate to be inspected to bring the TFT array into a predetermined potential state, and the substrate is scanned by two-dimensionally irradiating a charged beam such as an electron beam or an ion beam. The TFT array is inspected based on a scanned image obtained by scanning.
電子線を用いたTFTアレイ検査装置では、ピクセル(画素電極)に対して電子線を照射し、この電子線照射によって放出される二次電子をフォトマルチプライヤなどによってアナログ信号に変換して検出し、ピクセル(画素電極)に印加された電圧波形を二次電子波形に変えてイメージ化することによって走査画像を求め、これによってTFTアレイの電気的検査を行い、欠陥検査を行っている。 In a TFT array inspection apparatus using an electron beam, a pixel (pixel electrode) is irradiated with an electron beam, and secondary electrons emitted by the electron beam irradiation are converted into an analog signal by a photomultiplier and detected. A scanning image is obtained by changing the voltage waveform applied to the pixel (pixel electrode) into a secondary electron waveform to obtain an image, thereby performing an electrical inspection of the TFT array and a defect inspection.
基板のTFTアレイとピクセルは対応して形成されており、TFTアレイに駆動信号を印加することによって特定のピクセルを駆動することができる。TFTアレイ欠陥は、例えば、取得した走査画像の信号強度を、所定パターンの駆動信号で駆動した際に正常なTFTアレイから得られる走査画像の信号強度と比較することによって検出することができる。 The TFT array and the pixel of the substrate are formed corresponding to each other, and a specific pixel can be driven by applying a drive signal to the TFT array. The TFT array defect can be detected, for example, by comparing the signal intensity of the acquired scanned image with the signal intensity of the scanned image obtained from a normal TFT array when driven by a drive signal having a predetermined pattern.
従来、TFTアレイの駆動は、基板の外部に設けたTFT駆動回路によって行われている。TFT駆動回路は、例えばゲート回路からなるシフトレジスタによって構成される。シフトレジスタは、ゲートラインに駆動信号を順に印加し、パネル等のアクティブエリア内に配置されるTFTアレイを順に駆動する。 Conventionally, the TFT array is driven by a TFT drive circuit provided outside the substrate. The TFT drive circuit is configured by a shift register including a gate circuit, for example. The shift register sequentially applies drive signals to the gate lines and sequentially drives TFT arrays arranged in an active area such as a panel.
近年、パネルのコストダウン等を目的として、外付けとしていたTFT駆動回路を基板上に組み込む構成が提案されている。 In recent years, for the purpose of reducing the cost of a panel or the like, a configuration has been proposed in which an external TFT drive circuit is incorporated on a substrate.
そのため、基板およびパネルの歩留まりを向上させるために、基板上においてアクティブエリアに形成されるTFTアレイの欠陥だけでなく、アクティブエリア外に形成されたTFT駆動回路の欠陥についても検査・修正が必要となっている。 Therefore, in order to improve the yield of the substrate and the panel, it is necessary to inspect and correct not only the defect of the TFT array formed in the active area on the substrate but also the defect of the TFT drive circuit formed outside the active area. It has become.
従来のTFTアレイ検査装置は、基板上のアクティブエリアであるパネル部分のTFTアレイに検査信号を印加することによって行う構成であるため、基板上のアクティブエリア外に設けられたTFT駆動回路の欠陥を検出することができないという課題がある。 Since the conventional TFT array inspection apparatus is configured by applying an inspection signal to the TFT array in the panel portion, which is the active area on the substrate, defects in the TFT drive circuit provided outside the active area on the substrate are eliminated. There is a problem that it cannot be detected.
そこで、本発明は上記課題を解決して、基板上に形成されたアクティブエリアと共にアクティブエリア外に設けられたTFT駆動回路の欠陥を検出することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-described problems and to detect a defect in a TFT drive circuit provided outside the active area together with the active area formed on the substrate.
本願発明は、基板上に形成されたTFTアレイを検査するTFTアレイ検査装置である。本発明のTFTアレイ検査装置が検査対象とする基板上には、アクティブエリアとこのアクティブエリアを駆動するTFT駆動回路とが設けられており、共にTFTアレイで形成されている。 The present invention is a TFT array inspection apparatus for inspecting a TFT array formed on a substrate. An active area and a TFT drive circuit for driving the active area are provided on a substrate to be inspected by the TFT array inspection apparatus of the present invention, and both are formed of a TFT array.
本発明のTFTアレイ検査装置は、TFT駆動回路に検査信号を供給するTFT駆動回路用ドライバ部と、アクティブエリアを走査し、この走査で得られるアクティブエリアの画像出力に基づいて、TFT駆動回路およびアクティブエリアの駆動状態を検出する検出部とを備える。 The TFT array inspection apparatus according to the present invention includes a TFT drive circuit driver unit that supplies an inspection signal to the TFT drive circuit, an active area, and an image output of the active area obtained by this scanning. A detection unit that detects a driving state of the active area.
本発明のTFT駆動回路用ドライバ部は、基板上に設けられたTFT駆動回路に検査信号を供給することによってTFT駆動回路のTFTアレイを駆動する。TFT駆動回路のTFTアレイを駆動することによって、基板上のアクティブエリアに形成されたTFTアレイを駆動する。 The TFT driver circuit driver of the present invention drives the TFT array of the TFT driver circuit by supplying an inspection signal to the TFT driver circuit provided on the substrate. By driving the TFT array of the TFT drive circuit, the TFT array formed in the active area on the substrate is driven.
本発明の検出部は、アクティブエリアの走査画像を用いて、アクティブエリア上で駆動していない非駆動部位を検出する。非駆動部位は、アクティブエリアの走査画像の信号強度に基づいて検出することができる。例えば、アクティブエリアの走査画像の信号強度と、正常に駆動した状態における信号強度と比較することで検出することができる。 The detection unit of the present invention uses the scanned image of the active area to detect a non-driven part that is not driven on the active area. The non-driven part can be detected based on the signal intensity of the scanned image of the active area. For example, it can be detected by comparing the signal intensity of the scanned image of the active area with the signal intensity in a normally driven state.
検出部は、検出した非駆動部位の出現状態に基づいて、アクティブエリアの非駆動状態とTFT駆動回路の非駆動状態とを検出する。この非駆動状態の検出において、TFT駆動回路の非駆動状態をアクティブエリアの非駆動状態よりも優先して検出する。 The detection unit detects the non-driving state of the active area and the non-driving state of the TFT drive circuit based on the detected appearance state of the non-driving part. In the detection of the non-driving state, the non-driving state of the TFT driving circuit is detected with priority over the non-driving state of the active area.
本発明のTFTアレイ検査装置が検査対象とする基板に設けられるTFT駆動回路はゲート回路を備える。このゲート回路は、TFTアレイによって形成されるシフトレジスタによって構成される。 The TFT drive circuit provided on the substrate to be inspected by the TFT array inspection apparatus of the present invention includes a gate circuit. This gate circuit is constituted by a shift register formed by a TFT array.
本発明のTFT駆動回路用ドライバ部は、TFT駆動回路のシフトレジスタのゲート回路を順に駆動する。ゲート回路は、アクティブエリアをシフトレジスタの駆動順序に応じて順に駆動する。アクティブエリア上のTFTアレイは、TFT駆動回路によって順に駆動され、このTFTアレイに対応するピクセルはソースラインに印加される電圧が印加される。このピクセルの電圧状態により、TFTアレイの非駆動状態を検出することができ、駆動回路あるいはアクティブエリアのTFTアレイが正常状態であるか異常状態であるかの欠陥判定を行うことができる。 The driver section for a TFT drive circuit according to the present invention sequentially drives the gate circuit of the shift register of the TFT drive circuit. The gate circuit sequentially drives the active area according to the driving order of the shift register. The TFT array on the active area is sequentially driven by the TFT drive circuit, and a voltage applied to the source line is applied to the pixel corresponding to the TFT array. The non-driving state of the TFT array can be detected based on the voltage state of the pixel, and it is possible to determine whether the driving circuit or the TFT array in the active area is in a normal state or an abnormal state.
TFT駆動回路の駆動信号は、駆動回路のTFTアレイに先に印加され、次にアクティブエリアのTFTアレイに印加されるため、TFTアレイの非駆動状態の検出は、TFT駆動回路の非駆動状態をアクティブエリアの非駆動状態よりも優先して検出される。 Since the drive signal of the TFT drive circuit is applied to the TFT array of the drive circuit first and then to the TFT array in the active area, the detection of the non-drive state of the TFT array is performed by detecting the non-drive state of the TFT drive circuit. Detection is prioritized over the non-driven state of the active area.
さらに、本発明のTFTアレイ検査装置は、基板上に形成されるTFTアレイの欠陥種を判別する欠陥種判別部を備える。 Furthermore, the TFT array inspection apparatus of the present invention includes a defect type discriminating unit that discriminates the defect type of the TFT array formed on the substrate.
本発明の欠陥種判別部は、検出部で検出したアクティブエリアの走査画像内で検出される非駆動部位が現れる形態が、互いに分離した領域で現れる形態である場合にはアクティブエリアの欠陥と判定し、連続的又は断続的な領域で現れる形態である場合にはTFT駆動回路の欠陥と判定する。 The defect type discriminating unit according to the present invention determines that a defect in the active area is present when the non-driving site detected in the scanned image of the active area detected by the detecting unit is a mode that appears in areas separated from each other. However, if it is a form that appears in a continuous or intermittent region, it is determined that the TFT drive circuit is defective.
通常、アクティブエリアで発生するTFTアレイの欠陥は、他のTFTアレイと独立しているため、アクティブエリア上に現れる非駆動部位は、互いに分離した領域として現れる。そこで、検出部で検出したアクティブエリアの走査画像内で検出される非駆動部位が現れる形態が互いに分離した領域で現れる形態である場合には、アクティブエリア内におけるTFTアレイの欠陥として判定する。 Normally, defects in the TFT array that occur in the active area are independent of other TFT arrays, and therefore, non-drive sites that appear on the active area appear as regions separated from each other. Therefore, when the form in which the non-driving site detected in the scanned image of the active area detected by the detection unit appears in a region separated from each other, it is determined as a defect in the TFT array in the active area.
一方、TFT駆動回路で発生するTFTアレイの欠陥は、シフトレジスタ上の欠陥部位のゲート回路を通してアクティブエリアに印加される駆動信号が停止するため、この欠陥部位のゲート回路を通して印加されるゲートラインの領域がアクティブエリア上において非駆動部位として現れる他、欠陥部位から後方にあるゲート回路についても駆動信号の供給が停止するため、この欠陥部位のゲート回路に対応するゲートラインから後方の領域についてもアクティブエリア上において非駆動部位として現れる。そこで、このような場合には、連続的又は断続的な領域で現れる形態である場合にはTFT駆動回路の欠陥として判定する。 On the other hand, the TFT array defect generated in the TFT drive circuit stops the drive signal applied to the active area through the gate circuit of the defective part on the shift register, so that the gate line applied through the gate circuit of this defective part is stopped. In addition to the area appearing as a non-driven part on the active area, the drive signal supply is also stopped for the gate circuit behind the defective part, so the area behind the gate line corresponding to the gate circuit of the defective part is also active. Appears as a non-driven part on the area. Therefore, in such a case, if the pattern appears in a continuous or intermittent region, it is determined as a defect in the TFT drive circuit.
欠陥種判別部は、アクティブエリアの欠陥種判別において、非駆動部位が互いに分離した領域で現れる形態において、非駆動部位が点状部位である場合には点欠陥と判定し、非駆動部位が線状部位である場合には線欠陥と判定し、各被駆動部位の位置をアクティブエリア上のTFTアレイの欠陥位置として判定する。 The defect type discriminating unit determines that the non-driven part is a point defect when the non-driven part is a point-like part in the form in which the non-driven part appears in a region separated from each other in the defect type discrimination of the active area. In the case of the shape portion, it is determined as a line defect, and the position of each driven portion is determined as the defect position of the TFT array on the active area.
また、欠陥種判別部は、TFT駆動回路の欠陥種判別において、連続的な領域で現れる非駆動部位が面状の領域、あるいは、断続的な領域で現れる非駆動部位が、線状部位が断続的に現れる領域である場合には、アクティブエリア上の前記した領域において、その領域を駆動するTFT駆動回路の駆動順で先頭に対応するTFT駆動回路上の位置を、TFT駆動回路のTFTアレイの欠陥位置として判定する。 Further, the defect type discriminating unit determines that the non-driving part that appears in the continuous area is a planar area or the non-driving part that appears in the intermittent area is intermittent in the linear part in the defect type discrimination of the TFT drive circuit. In the case where the region appears as a result, in the above-described region on the active area, the position on the TFT drive circuit corresponding to the head in the drive order of the TFT drive circuit that drives the region is set in the TFT array of the TFT drive circuit. It is determined as a defect position.
本発明によれば、TFT駆動回路に検査信号を供給するTFT駆動回路用ドライバ部を備える構成とすることによって、検査対象の基板上に、アクティブエリアとアクティブエリアを駆動するTFT駆動回路が設けられ、共にTFTアレイで形成される場合においても、アクティブエリアのTFTアレイの他にTFT駆動回路のTFTアレイについても欠陥検査を行うことができる。 According to the present invention, the TFT drive circuit driver unit for supplying the inspection signal to the TFT drive circuit is provided, so that the active area and the TFT drive circuit for driving the active area are provided on the substrate to be inspected. Even when both are formed of TFT arrays, defect inspection can be performed not only on the TFT array of the active area but also on the TFT array of the TFT drive circuit.
また、本発明によれば、アクティブエリアを走査し、この走査で得られるアクティブエリアの画像出力に基づいて、TFT駆動回路およびアクティブエリアの駆動状態を検出する検出部を備える構成とすることによって、検出した非駆動部位の出現状態に基づいて、アクティブエリアの非駆動状態とTFT駆動回路の非駆動状態とを区別して検出することができる。 Further, according to the present invention, the active area is scanned, and based on the image output of the active area obtained by this scanning, the TFT drive circuit and the detection unit for detecting the drive state of the active area are provided. Based on the detected appearance state of the non-drive part, the non-drive state of the active area and the non-drive state of the TFT drive circuit can be distinguished and detected.
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。以下では、図1を用いてTFT駆動回路が形成された基板の構成例を説明し、図2〜4を用いて本発明のTFTアレイ検査装置の構成を説明し、図5,10のフローチャートを用いて本発明のTFTアレイ検査装置による動作を説明し、図6〜9を用いて本発明のTFTアレイ検査装置で得られるアクティブエリアの走査画像例を説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Hereinafter, a configuration example of a substrate on which a TFT drive circuit is formed will be described with reference to FIG. 1, a configuration of a TFT array inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4, and flowcharts of FIGS. The operation of the TFT array inspection apparatus according to the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 9, and an example of a scanned image of the active area obtained with the TFT array inspection apparatus according to the present invention will be described.
はじめに、図1を用いて本発明のアレイ検査装置が検査対象とする基板の一構成例を説明する。 First, a configuration example of a substrate to be inspected by the array inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIG.
図1において、TFTアレイ検査装置1が検査対象とする基板100上には、パネル等のアクティブエリア101の他に、アクティブエリア101のTFTアレイを駆動するためのTFT駆動回路102が形成されている。アクティブエリア101およびTFT駆動回路102にはTFTアレイが形成される。 In FIG. 1, a TFT drive circuit 102 for driving the TFT array in the active area 101 is formed on the substrate 100 to be inspected by the TFT array inspection apparatus 1 in addition to the active area 101 such as a panel. . A TFT array is formed in the active area 101 and the TFT drive circuit 102.
アクティブエリア101は、TFTアレイ(図示していない)に検査信号を印加することによって、TFTアレイに対応するピクセルを駆動することができる。駆動するTFTアレイの選択は、TFT駆動回路102のゲート回路(図示していない)を介してゲートライン(図示していない)に信号を印加することで行い、選択されたTFTアレイに対して、ソースライン(図示していない)を通して電圧を印加することによって、TFTアレイに対応するピクセル(図示していない)を所定電圧に設定する。 The active area 101 can drive pixels corresponding to the TFT array by applying an inspection signal to the TFT array (not shown). Selection of the TFT array to be driven is performed by applying a signal to a gate line (not shown) via a gate circuit (not shown) of the TFT drive circuit 102. For the selected TFT array, By applying a voltage through a source line (not shown), a pixel (not shown) corresponding to the TFT array is set to a predetermined voltage.
この所定電圧の設定において、TFTアレイに欠陥がある場合には、ピクセルの電圧は所定電圧と異なる電圧状態となる。欠陥によってピクセル現れる電圧状態は、短絡欠陥や断線欠陥等の欠陥種によって異なり、印加した電圧よりも低い電圧が現れる場合や、電圧を印加しない状態で電圧が現れる場合がある。 In the setting of the predetermined voltage, when the TFT array has a defect, the voltage of the pixel is in a voltage state different from the predetermined voltage. The voltage state that appears in the pixel due to the defect differs depending on the type of defect such as a short-circuit defect or a disconnection defect, and a voltage lower than the applied voltage may appear, or the voltage may appear in the state where no voltage is applied.
TFT駆動回路102は、アクティブエリア101と同様に基板100上に形成されるTFTアレイによって構成される。TFTアレイは、例えば、複数のゲート回路を含むシフトレジスタを構成し、アクティブエリア101のゲートラインに対してゲート信号を順に供給する。 The TFT drive circuit 102 is configured by a TFT array formed on the substrate 100 as in the active area 101. The TFT array forms, for example, a shift register including a plurality of gate circuits, and sequentially supplies gate signals to the gate lines of the active area 101.
基板100上には複数のアクティブエリア101が形成され、各アクティブエリア101に対してTFT駆動回路102が形成される。基板100は、ゲートラインやソースラインに供給するゲート信号や走査信号を外部から入力するための端子パッド103が設けられる。端子パッド103とTFT駆動回路102との間は、配線104によって接続されている。 A plurality of active areas 101 are formed on the substrate 100, and a TFT drive circuit 102 is formed for each active area 101. The substrate 100 is provided with terminal pads 103 for inputting gate signals and scanning signals supplied to the gate lines and source lines from the outside. The terminal pad 103 and the TFT drive circuit 102 are connected by a wiring 104.
端子パッド103は、プローバフレームに設けられたプローブピン等を接触させることによって外部から信号を受け、配線104を通してTFT駆動回路102に入力する。 The terminal pad 103 receives a signal from the outside by contacting a probe pin or the like provided on the prober frame, and inputs the signal to the TFT driving circuit 102 through the wiring 104.
図1に示した基板100の構成は一例であり、この構成に限られるものではない。例えば、アクティブエリア101に対するTFT駆動回路102や端子パッド103の配置位置は、図1に示すようにアクティブエリア101のx方向(図中の横方向)に限らずy方向(図中の縦方向)としてもよい。 The configuration of the substrate 100 illustrated in FIG. 1 is an example, and is not limited to this configuration. For example, the arrangement position of the TFT drive circuit 102 and the terminal pad 103 with respect to the active area 101 is not limited to the x direction (horizontal direction in the drawing) of the active area 101 as shown in FIG. 1, but the y direction (vertical direction in the drawing). It is good.
次に、図2を用いて本発明のアレイ検査装置の一構成例を説明する。図2に示す構成例では、液晶基板等のTFT基板に電子線を照射し、TFT基板から放出される二次電子を検出し、二次電子の検出信号から走査画像を形成し、この走査画像に基づいて欠陥検出を行う構成例を示している。本発明は、検査対象の基板は液晶基板に限らず、また、基板走査は電子線に限らずイオンビーム等の荷電ビームとすることができる。また、検出信号は照射する荷電ビームに依存し、二次電子に限られるものではない。 Next, a configuration example of the array inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. In the configuration example shown in FIG. 2, a TFT substrate such as a liquid crystal substrate is irradiated with an electron beam, secondary electrons emitted from the TFT substrate are detected, and a scanning image is formed from a detection signal of the secondary electrons. The example of a structure which performs defect detection based on this is shown. In the present invention, the substrate to be inspected is not limited to a liquid crystal substrate, and substrate scanning is not limited to an electron beam, and a charged beam such as an ion beam can be used. The detection signal depends on the charged beam to be irradiated and is not limited to secondary electrons.
TFTアレイ検査装置1は、液晶基板等の基板100を載置すると共にXY方向に搬送自在とするステージ22と、基板100上に設けられたパネル等のアクティブエリア101のTFTアレイ(図示していない)に検査信号を印加するプローバフレーム20と、基板100上を走査してアクティブエリア101の画像出力を取得する検出部2と、検出部2で取得した画像出力に基づいて欠陥を検出する欠陥検出部9および欠陥種を判別する欠陥種判別部10を備える。 The TFT array inspection apparatus 1 includes a stage 22 on which a substrate 100 such as a liquid crystal substrate is placed and can be transported in the XY directions, and a TFT array (not shown) in an active area 101 such as a panel provided on the substrate 100. ), A prober frame 20 that applies an inspection signal, a detection unit 2 that scans the substrate 100 to acquire an image output of the active area 101, and a defect detection that detects a defect based on the image output acquired by the detection unit 2 A unit 9 and a defect type discriminating unit 10 for discriminating defect types are provided.
検出部2は、ステージ22の上方位置にステージ22から離して配置された電子銃3と、基板100のアクティブエリア101のピクセル(図示していない)から放出される二次電子を検出する検出器4とを備える。電子銃3および検出器4は複数組みを設けることができる。 The detection unit 2 is a detector that detects secondary electrons emitted from the electron gun 3 disposed above the stage 22 and away from the stage 22, and pixels (not shown) of the active area 101 of the substrate 100. 4. A plurality of sets of electron guns 3 and detectors 4 can be provided.
走査制御部8は、ステージ駆動制御部(図示していない)と電子線走査制御部(図示していない)の機能を備え、ステージ駆動制御部はステージ22の駆動を制御し、電子線走査制御部は電子銃3が照射する電子線の照射方向を制御して、基板100上の電子線の走査を制御する。 The scan control unit 8 has functions of a stage drive control unit (not shown) and an electron beam scan control unit (not shown). The stage drive control unit controls the drive of the stage 22 and performs electron beam scan control. The unit controls the scanning direction of the electron beam on the substrate 100 by controlling the irradiation direction of the electron beam irradiated by the electron gun 3.
さらに、本発明のTFTアレイ検査装置1は、基板100上に形成されるTFT駆動回路102を駆動するためのTFT駆動回路用ドライバ部7を備える。TFT駆動回路用ドライバ部7は、検査信号生成部6で生成した検査信号を入力し、駆動信号としてTFT駆動回路102に供給する。 Furthermore, the TFT array inspection apparatus 1 of the present invention includes a TFT drive circuit driver unit 7 for driving the TFT drive circuit 102 formed on the substrate 100. The TFT drive circuit driver section 7 receives the inspection signal generated by the inspection signal generation section 6 and supplies it to the TFT drive circuit 102 as a drive signal.
検査信号生成部6が生成する検査信号は、アクティブエリアにおける欠陥の種類を判別するために、複数の信号パターンを生成する。アクティブエリアにおける欠陥の種類としては、例えば、短絡欠陥や断線欠陥等がある。検査信号を駆動信号として基板に供給した際、アクティブエリアに欠陥がある場合には、その欠陥の種類によって得られる走査画像には点欠陥部位や線欠陥部位の非駆動部位が現れる。 The inspection signal generated by the inspection signal generation unit 6 generates a plurality of signal patterns in order to determine the type of defect in the active area. Examples of the type of defect in the active area include a short circuit defect and a disconnection defect. When the inspection signal is supplied as a drive signal to the substrate and there is a defect in the active area, a point defect site or a non-drive site of a line defect site appears in the scanned image obtained depending on the type of the defect.
信号処理部5は、検出器4が検出する二次電子の検出信号を信号処理し走査画像を形成する。信号処理部5によって得られた走査画像の信号強度や検出位置は、欠陥検出部9、欠陥種判別部10に送られ、欠陥位置の検出および欠陥種の判定が行われる。欠陥検出部9は、信号処理部5から送られた走査画像の信号強度に基づいてアクティブエリア101内において非駆動部位を検出する。 The signal processing unit 5 processes a detection signal of secondary electrons detected by the detector 4 to form a scanned image. The signal intensity and detection position of the scanned image obtained by the signal processing unit 5 are sent to the defect detection unit 9 and the defect type discrimination unit 10 to detect the defect position and determine the defect type. The defect detection unit 9 detects a non-driven part in the active area 101 based on the signal intensity of the scanned image sent from the signal processing unit 5.
非駆動部位は、TFTアレイに駆動信号を印加しても駆動状態とならない部位である。非駆動部位の検出は、正常時において得られる走査画像の信号強度をしきい値として設定しておき、アクティブエリアに駆動信号を印加した際に得られる走査画像の信号強度をこのしきい値と比較することで行うことができる。欠陥時における信号強度としきい値との大小関係は欠陥の種類に依存し、また、アクティブエリアに印加する検査信号の信号パターンも検出する欠陥種に応じて異なる。そのため、欠陥検出部9において、欠陥検出に用いるしきい値および信号強度との大小関係は、検出する欠陥種に応じて設定する。 The non-driving part is a part that is not driven even when a driving signal is applied to the TFT array. For detection of non-driving parts, the signal intensity of the scanning image obtained in the normal state is set as a threshold value, and the signal intensity of the scanning image obtained when the driving signal is applied to the active area is set as this threshold value. This can be done by comparison. The magnitude relationship between the signal intensity at the time of the defect and the threshold value depends on the type of the defect, and the signal pattern of the inspection signal applied to the active area also differs depending on the defect type to be detected. Therefore, in the defect detection unit 9, the magnitude relationship between the threshold value used for defect detection and the signal intensity is set according to the defect type to be detected.
アクティブエリア101に出現する非駆動部位は、アクティブエリア101のTFTアレイに欠陥があることによって非駆動となる場合と、TFT駆動回路102にTFTアレイに欠陥があることによって非駆動となる場合とを含んでいる。アクティブエリア101のTFTアレイに欠陥があることによって発生する非駆動部位と、TFT駆動回路102のTFTアレイに欠陥があることによって発生する非駆動部位は、アクティブエリア101上に出現する際にその形態が異なって現れる。 The non-driving part that appears in the active area 101 includes a case where the TFT array in the active area 101 is not driven due to a defect and a case where the TFT drive circuit 102 is not driven due to a defect in the TFT array. Contains. A non-driving part generated due to a defect in the TFT array of the active area 101 and a non-driving part generated due to a defect in the TFT array of the TFT drive circuit 102 are formed when they appear on the active area 101. Appear differently.
本発明のTFTアレイ検査装置1は、基板100上に形成されるTFTアレイの欠陥種を判別する欠陥種判別部10を備え、欠陥検出部9で検出したアクティブエリア101の走査画像内で検出される非駆動部位について、非駆動部位が出現する状態に基づいて、欠陥がアクティブエリア101内のTFTアレイによるものであるか、あるいはTFT駆動回路102内のTFTアレイによるものであるかを判別する。 The TFT array inspection apparatus 1 of the present invention includes a defect type discriminating unit 10 that discriminates a defect type of a TFT array formed on a substrate 100 and is detected in a scanning image of an active area 101 detected by a defect detecting unit 9. Whether the defect is caused by the TFT array in the active area 101 or the TFT array in the TFT drive circuit 102 is determined based on the state in which the non-drive part appears.
本発明の欠陥種判別部10は、欠陥検出部9で検出したアクティブエリアの走査画像内で検出される非駆動部位が現れる形態が、互いに分離した領域で現れる形態である場合にはアクティブエリア101で発生した欠陥と判定し、連続的又は断続的な領域で現れる形態である場合にはTFT駆動回路102で発生した欠陥と判定する。 The defect type discriminating unit 10 according to the present invention has the active area 101 when the non-driving site detected in the scanned image of the active area detected by the defect detecting unit 9 appears in a region separated from each other. If the defect appears in a continuous or intermittent region, it is determined that the defect has occurred in the TFT drive circuit 102.
アクティブエリア101内のTFTアレイに欠陥が発生した場合には、他のTFTアレイと独立して発生するため、アクティブエリア101上には点欠陥や線欠陥のように、互いに分離した領域として現れる。欠陥種判別部10は、このようにアクティブエリア101の走査画像内で検出される非駆動部位が互いに分離した領域で現れる形態である場合には、アクティブエリア101内のTFTアレイに欠陥があるものとして判定する。 When a defect occurs in the TFT array in the active area 101, it occurs independently from the other TFT arrays, and therefore appears on the active area 101 as areas separated from each other like a point defect or a line defect. The defect type discriminating unit 10 has a defect in the TFT array in the active area 101 when the non-drive parts detected in the scanning image of the active area 101 appear in areas separated from each other. Judge as.
一方、TFT駆動回路102内のTFTアレイに欠陥が発生した場合には、TFT駆動回路102のレイシフトレジスタ上において欠陥が発生したゲート回路を通してアクティブエリア101に印加する駆動信号が停止することになる。 On the other hand, when a defect occurs in the TFT array in the TFT drive circuit 102, the drive signal applied to the active area 101 through the gate circuit where the defect has occurred on the ray shift register of the TFT drive circuit 102 is stopped. .
この場合には、欠陥部位のゲート回路を通して印加されるゲートラインの領域が非駆動部位として現れる他、欠陥部位から後方にあるゲート回路についても駆動信号の供給が停止されるため、欠陥部位のゲート回路のゲートラインから後方のゲートラインへの駆動信号を停止されるため、欠陥部位よりの下方の部分全体の領域が非駆動状態となり、線欠陥が断続する欠陥領域や、線欠陥が連続してなる面状の欠陥領域が出現する。 In this case, the gate line region applied through the gate circuit of the defective part appears as a non-driven part, and the supply of the driving signal is also stopped for the gate circuit behind the defective part. Since the drive signal from the gate line of the circuit to the rear gate line is stopped, the entire area below the defective part is in the non-driven state, and the defect area where the line defect is intermittent or the line defect continues. A planar defect area appears.
欠陥種判別部10は、上記したように、アクティブエリア101の走査画像内で検出される非駆動部位が、線欠陥が断続する欠陥領域、あるいは、線欠陥が連続する面状の欠陥領域の形態で現れる場合には、TFT駆動回路102のTFTアレイに欠陥が発生したものとして判定する。 As described above, the defect type discriminating unit 10 is configured such that the non-driven part detected in the scanning image of the active area 101 is a defect region where a line defect is intermittent or a planar defect region where a line defect is continuous. In the case of appearing at, it is determined that a defect has occurred in the TFT array of the TFT drive circuit 102.
欠陥種判別部10は、アクティブエリア101の欠陥種判別において、非駆動部位が互いに分離した領域の形態で現れたとき、その非駆動部位が点状部位である場合には点欠陥と判定し、非駆動部位が線状部位である場合には線欠陥と判定する。さらに、アクティブエリアの走査画像上に現れる非駆動部位の位置からアクティブエリア上のTFTアレイの欠陥位置を判定する。 In the defect type determination of the active area 101, the defect type determination unit 10 determines a point defect when the non-driven part is a point-like part when the non-driven part appears in the form of a region separated from each other. If the non-driven part is a linear part, it is determined as a line defect. Further, the defect position of the TFT array on the active area is determined from the position of the non-driven part appearing on the scanning image of the active area.
また、欠陥種判別部10は、TFT駆動回路102の欠陥種判別において、非駆動部位が線欠陥が断続する欠陥領域や、線欠陥が連続してなる面状の欠陥領域が出現する場合に、TFT駆動回路102のTFTアレイの欠陥と判定し、アクティブエリアの走査画像上に現れる非駆動部位の位置からTFT駆動回路102上のTFTアレイの欠陥位置を判定する。TFTアレイの欠陥位置は、アクティブエリアの走査画像上に現れる領域において、駆動信号の供給順序で先頭に対応する位置に対応するTFT駆動回路102上のTFTアレイの位置を欠陥位置として判定する。 In addition, the defect type determination unit 10 in the defect type determination of the TFT drive circuit 102, when a non-driving part has a defect region where the line defect is intermittent or a planar defect region where the line defect is continuous appears, It is determined that the TFT array of the TFT drive circuit 102 is defective, and the defect position of the TFT array on the TFT drive circuit 102 is determined from the position of the non-driven portion that appears on the scanning image of the active area. As for the defect position of the TFT array, the position of the TFT array on the TFT drive circuit 102 corresponding to the position corresponding to the head in the drive signal supply order in the region appearing on the scanning image of the active area is determined as the defect position.
図3は、本発明のTFTアレイ検査装置1によって基板100に駆動信号を印加するプローバフレーム20の構成を説明するための図である。 FIG. 3 is a diagram for explaining the configuration of the prober frame 20 that applies a drive signal to the substrate 100 by the TFT array inspection apparatus 1 of the present invention.
プローバフレーム20はプローブピン21を備え、配線を介してTFT駆動回路用ドライバ部7と接続される。プローブピン21は、基板100上に形成された端子パッド103に接触させることによって、TFT駆動回路用ドライバ部7からの検査信号を駆動信号として基板100上のTFT駆動回路102に供給する。 The prober frame 20 includes probe pins 21 and is connected to the TFT drive circuit driver unit 7 through wiring. The probe pin 21 is brought into contact with the terminal pad 103 formed on the substrate 100, thereby supplying an inspection signal from the TFT drive circuit driver unit 7 to the TFT drive circuit 102 on the substrate 100 as a drive signal.
図4は、基板100上のTFT駆動回路102とTFT駆動回路用ドライバ部7との関係を説明するための図であり、図1で示した基板100に図3で示したプローバフレーム20を配置した状態を示している。 FIG. 4 is a diagram for explaining the relationship between the TFT drive circuit 102 on the substrate 100 and the TFT drive circuit driver unit 7. The prober frame 20 shown in FIG. 3 is arranged on the substrate 100 shown in FIG. Shows the state.
検査信号生成部6で生成された検査信号は、TFT駆動回路用ドライバ部7からプローバフレーム20内に配置された配線を通してプローブピン21に送られる。プローブピン21は、基板100上に設けられた端子パッド103と接触し、配線104を通してTFT駆動回路102に供給される。供給された検査信号は、TFT駆動回路102を駆動する駆動信号として動作し、TFT駆動回路102を構成するTFTアレイからなるシフトレジスタを介して、アクティブエリア101内のゲートラインおよびソースラインを通して各TFTアレイにゲート信号およびソース信号を供給し、TFTアレイを駆動すると共に所定の電圧を印加する。 The inspection signal generated by the inspection signal generation unit 6 is sent from the TFT driver circuit driver unit 7 to the probe pin 21 through wiring arranged in the prober frame 20. The probe pins 21 are in contact with the terminal pads 103 provided on the substrate 100 and supplied to the TFT drive circuit 102 through the wiring 104. The supplied inspection signal operates as a drive signal for driving the TFT drive circuit 102, and passes through each of the TFTs through the gate line and the source line in the active area 101 via a shift register including a TFT array constituting the TFT drive circuit 102. A gate signal and a source signal are supplied to the array to drive the TFT array and to apply a predetermined voltage.
次に、本発明のTFTアレイ検査装置により欠陥検出の動作例を図5〜図10を用いて説明する。 Next, an operation example of defect detection by the TFT array inspection apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS.
TFTアレイ検査装置は、検査信号生成部6で生成した検査信号をTFT駆動回路用ドライバ部7から基板100上に形成されるTFT駆動回路102に供給し、このTFT駆動回路102によってアクティブエリア101の各TFTアレイを駆動し、その駆動状態を走査画像として取得する(S1)。 The TFT array inspection apparatus supplies the inspection signal generated by the inspection signal generation unit 6 from the TFT drive circuit driver unit 7 to the TFT drive circuit 102 formed on the substrate 100, and the TFT drive circuit 102 causes the active area 101 to be generated. Each TFT array is driven, and the drive state is acquired as a scanned image (S1).
欠陥検出部9は、信号処理部5で取得した走査画像を用いて欠陥の有無を判定する。欠陥判定は、走査画像と正常なTFTアレイに対して検査信号を印加した際に得られる走査画像とを比較することで行うことができる(S2)。 The defect detection unit 9 determines the presence / absence of a defect using the scanned image acquired by the signal processing unit 5. Defect determination can be performed by comparing a scanned image with a scanned image obtained when an inspection signal is applied to a normal TFT array (S2).
S2の欠陥判定において欠陥が有ると判定された場合には、その欠陥種を判別する。欠陥種の判別は、欠陥がアクティブエリア内のTFTアレイであるか、あるいはTFT駆動回路内のTFTアレイであるかの判別を行う他に、アクティブエリア内の欠陥である場合には、その欠陥が短絡や断線であるか等の判別を行う。欠陥が短絡や断線であるか等の判別は、正常なTFTアレイに検査信号を印加した際に得られる基準の走査画像と比較することで行うことができ、この検査信号は、検出する欠陥種によって予め設定されたものを用いる(S3)。 If it is determined in S2 that the defect is present, the defect type is determined. In addition to determining whether the defect is a TFT array in the active area or a TFT array in the TFT drive circuit, the defect type is determined if the defect is in the active area. Whether it is a short circuit or disconnection is determined. Whether a defect is a short circuit or disconnection can be determined by comparing it with a reference scanning image obtained when an inspection signal is applied to a normal TFT array. The one set in advance is used (S3).
S2の欠陥判定において欠陥が無いと判定された場合には、基板上に形成されたアクティブエリアおよびTFT駆動回路のTFTアレイは正常であると判定する。 (S4)。 When it is determined that there is no defect in the defect determination of S2, it is determined that the active area formed on the substrate and the TFT array of the TFT drive circuit are normal. (S4).
図6は、アクティブエリアおよびTFT駆動回路のTFTアレイが正常である場合の走査画像を模式的に示している。図示した走査画像例では、正常状態において、アクティブエリア内の信号強度が全面で均一な走査画像である場合を正常であるとしている。印加する走査信号の種類によっては、正常状態のアクティブエリア内の走査画像が格子状のパターンを表す場合がある。 FIG. 6 schematically shows a scanned image when the active area and the TFT array of the TFT drive circuit are normal. In the example of the scanned image shown in the figure, it is assumed that the signal intensity in the active area is a uniform scanned image over the entire surface in a normal state. Depending on the type of scanning signal applied, the scanned image in the active area in the normal state may represent a lattice pattern.
検出して得られた走査画像に現れるパターンと正常状態で得られる走査画像とを比較することで、欠陥の有無、欠陥種、欠陥位置等を判定する By comparing the pattern appearing in the scanned image obtained by detection with the scanned image obtained in the normal state, the presence / absence of a defect, defect type, defect position, etc. are determined.
図6において、アクティブエリア101のTFTアレイは、TFT駆動回路102に設けられたシフトレジスタのゲート回路からの駆動信号を受けて駆動する。アクティブエリア101のゲートラインとTFT駆動回路102のシフトレジスタとは対応関係にあり、シフトレジスタの各ゲート回路が順に動作することによって、アクティブエリア101のゲートラインに順に駆動信号が印加される。図6に示す例において、TFT駆動回路102のシフトレジスタが図中の上方から下方に向かって順に駆動することによって、アクティブエリア101においても図中の上方から下方に向かって順にゲートラインに駆動信号が印加され、ゲートライン上に配置されたTFTアレイが順に動作する。 In FIG. 6, the TFT array in the active area 101 is driven by receiving a drive signal from a gate circuit of a shift register provided in the TFT drive circuit 102. The gate line of the active area 101 and the shift register of the TFT drive circuit 102 have a corresponding relationship, and each gate circuit of the shift register operates in sequence, so that a drive signal is applied to the gate line of the active area 101 in order. In the example shown in FIG. 6, the shift register of the TFT drive circuit 102 drives in order from the upper side to the lower side in the drawing, so that the drive signal is also applied to the gate line in the active area 101 from the upper side to the lower side in the drawing. Is applied, and the TFT array arranged on the gate line operates in sequence.
図7〜図9は、アクティブエリアのTFTアレイないしTFT駆動回路のTFTアレイに欠陥がある場合の走査画像例を示している。 FIGS. 7 to 9 show examples of scanned images when the TFT array of the active area or the TFT array of the TFT drive circuit is defective.
図7はTFT駆動回路内のTFTアレイに欠陥がある場合を示す。図7(a)はTFT駆動回路のTFTアレイ(図中のa)に欠陥がある場合の走査画像例であり、図7(b)はTFT駆動回路内のTFTアレイ(図中のb)に欠陥がある場合の走査画像例である。 FIG. 7 shows a case where the TFT array in the TFT drive circuit is defective. FIG. 7A shows an example of a scanned image when the TFT array (a in the figure) of the TFT drive circuit has a defect, and FIG. 7B shows the TFT array (b in the figure) in the TFT drive circuit. It is an example of a scanning image when there is a defect.
図7(a),(b)において、TFT駆動回路のシフトレジスタにおいてaの位置にあるTFTアレイに欠陥がある場合には、この欠陥を有したTFTアレイが構成するゲート回路が動作しないため、このTFTアレイに対応するアクティブエリア101のゲートラインへの駆動信号の供給は停止する。さらに、シフトレジスタ上において欠陥のあるTFTアレイのゲート回路よりも後方に配置されるゲート回路にも駆動信号が流れないため、前記したアクティブエリア101のゲートラインよりも後方のゲートラインに対しても駆動信号の供給が停止する。 7A and 7B, when the TFT array at the position a in the TFT drive circuit shift register has a defect, the gate circuit formed by the TFT array having the defect does not operate. Supply of the drive signal to the gate line of the active area 101 corresponding to this TFT array is stopped. Further, since the drive signal does not flow to the gate circuit arranged behind the defective TFT array gate circuit on the shift register, the gate line behind the gate line of the active area 101 is also applied. The drive signal supply stops.
このため、図7(a)に示す例では、例えば、TFT駆動回路102のシフトレジスタにおいて位置aのTFTアレイに欠陥がある場合には、アクティブエリア101の走査画像には、位置aのTFTアレイに対応するアクティブエリア上の位置Laから下方に向かって断続的な領域Aからなる非駆動部位が現れる。 Therefore, in the example shown in FIG. 7A, for example, when the TFT array at the position a is defective in the shift register of the TFT drive circuit 102, the scanning image of the active area 101 includes the TFT array at the position a. The non-driving part which consists of the area | region A intermittent from the position La on the active area corresponding to to appears.
また、図7(b)に示す例では、例えば、TFT駆動回路102のシフトレジスタにおいて位置bのTFTアレイに欠陥がある場合には、アクティブエリア101の走査画像には、位置bのTFTアレイに対応するアクティブエリア上の位置Lbから下方に向かって連続的な領域Bからなる非駆動部位が現れる。 Further, in the example shown in FIG. 7B, for example, when the TFT array at the position b is defective in the shift register of the TFT drive circuit 102, the scanned image of the active area 101 includes the TFT array at the position b. A non-driving part consisting of a continuous region B appears downward from the corresponding position Lb on the active area.
したがって、アクティブエリア101の走査画像において、領域Aあるいは領域Bに示すような断続的あるいは連続的な非駆動部位が現れた場合には、TFT駆動回路102上のTFTアレイに欠陥があると判別することができ、各領域において駆動方向で先頭に対応するTFT駆動回路102上のTFTアレイに欠陥があると判別することができる。 Therefore, when an intermittent or continuous non-drive portion as shown in the region A or the region B appears in the scanned image of the active area 101, it is determined that the TFT array on the TFT drive circuit 102 is defective. In each region, it can be determined that the TFT array on the TFT drive circuit 102 corresponding to the head in the drive direction is defective.
図8はアクティブエリア内のTFTアレイに欠陥がある場合を示す。図8(a)はアクティブエリアのTFTアレイ(図中の位置c,位置d)に欠陥がある場合の走査画像例であり、図8(b)はアクティブエリアのTFTアレイ(図中の位置e,位置f)に欠陥がある場合の走査画像例である。 FIG. 8 shows a case where the TFT array in the active area is defective. FIG. 8A shows an example of a scanned image when a TFT array in the active area (position c and position d in the figure) has a defect, and FIG. 8B shows a TFT array in the active area (position e in the figure). , Position f) is an example of a scanned image when there is a defect.
図8(a)において、アクティブエリアのTFTアレイにおいて位置c、位置dの位置にあるTFTアレイに欠陥がある場合には、この欠陥を有したTFTアレイが動作しないため、アクティブエリア101の走査画像において線欠陥C、Dが現れる。線欠陥Cと線欠陥Dの何れが現れるかは、TFTアレイの欠陥の種類や、印加する走査信号のパターンに依存する。 In FIG. 8A, when the TFT array at the positions c and d in the TFT array in the active area has a defect, the TFT array having the defect does not operate. Line defects C and D appear. Whether a line defect C or a line defect D appears depends on the type of defect in the TFT array and the pattern of the scanning signal to be applied.
図8(b)において、アクティブエリアのTFTアレイにおいて位置e、位置fの位置にあるTFTアレイに欠陥がある場合には、この欠陥を有したTFTアレイが動作しないため、アクティブエリア101の走査画像において点欠陥E,Fが現れる。 In FIG. 8B, when the TFT array at the position e and position f in the TFT array in the active area has a defect, the TFT array having this defect does not operate, so the scanned image of the active area 101 is scanned. Point defects E and F appear.
線欠陥あるいは点欠陥の何れが現れるか、また、線欠陥において縦方向の線欠陥となるが横方向の線欠陥となるかは、TFTアレイの欠陥の種類や、印加する走査信号のパターンに依存する。 Whether a line defect or a point defect appears, and whether the line defect is a vertical line defect but a horizontal line defect depends on the type of defect in the TFT array and the pattern of the scanning signal to be applied. To do.
図9は、TFT駆動回路102とアクティブエリア101の両方のTFTアレイに欠陥が存在する場合に得られる走査画像例を示している。 FIG. 9 shows an example of a scanned image obtained when a defect exists in both the TFT drive circuit 102 and the active area 101 TFT array.
図9は、TFT駆動回路102において位置aのTFTアレイに欠陥があり、アクティブエリア101において位置e,fのTFTアレイに欠陥があるときに得られる走査画像例を示し、走査画像では断続した線欠陥からなる領域Aと、点欠陥E,Fが現れる。 FIG. 9 shows an example of a scanned image obtained when the TFT array at position a is defective in the TFT drive circuit 102 and the TFT array at positions e and f is defective in the active area 101. In the scanned image, an intermittent line is shown. A defect area A and point defects E and F appear.
ここで、駆動信号は、はじめにTFT駆動回路102に供給され、その後アクティブエリア101供給される順序であるため、TFT駆動回路102のTFTアレイに欠陥がある場合には、その欠陥があるTFTアレイよりも後方にあるシフトレジスタのTFTアレイには駆動信号は供給されないため、領域Aにおけるアクティブエリア上のTFTアレイが正常であるか欠陥があるかにかかわらず、領域Aは非駆動部位として現れる。そのため、仮に領域A内のアクティブエリアに点欠陥や線欠陥が存在する場合であっても、走査画像には現れない。したがって、アクティブエリア上の走査画像では、TFT駆動回路のTFTアレイの欠陥はアクティブエリアのTFTアレイの欠陥に優先して現れることになる。 Here, since the drive signals are first supplied to the TFT drive circuit 102 and then supplied to the active area 101, if there is a defect in the TFT array of the TFT drive circuit 102, the defect is detected from the TFT array having the defect. Since no driving signal is supplied to the TFT array of the shift register located behind, the region A appears as a non-driven portion regardless of whether the TFT array on the active area in the region A is normal or defective. Therefore, even if a point defect or a line defect exists in the active area in the area A, it does not appear in the scanned image. Therefore, in the scanned image on the active area, the defect of the TFT array of the TFT drive circuit appears in preference to the defect of the TFT array of the active area.
次に、図10を用いて、本発明のTFTアレイ検査装置による欠陥種の判別を行う動作例を説明する。 Next, with reference to FIG. 10, an operation example for determining the defect type by the TFT array inspection apparatus of the present invention will be described.
走査画像から非駆動部位が検出された場合、その非駆動部位の形態から点欠陥部位であるか、線欠陥部位であるか、あるいは、領域の欠陥部位であるかを判別する。この非駆動部位の形態判別は、例えば、走査画像の信号強度について正常時に得られる走査画像の信号強度と比較して、欠陥と判定される欠陥データ列を形成し、このデータ列の連続性等を判定することによって行うことができる。 When a non-driven part is detected from the scanned image, it is determined from the form of the non-driven part whether it is a point defect part, a line defect part, or a defective part of the region. This form determination of the non-driven part is performed by, for example, forming a defect data string determined as a defect by comparing the signal intensity of the scanned image with the signal intensity of the scanned image obtained at normal time, and the continuity of the data string, etc. This can be done by determining.
例えば、連続するデータ列の個数が所定個数以下である場合には、点欠陥あるいは線欠陥と判定し、連続するデータ列が断続的あるいは連続的に現れる場合には、領域欠陥と判定する。判定に用いるデータ個数やデータ列の数は、形成する欠陥種等に応じて予め設定することができる(S31)。 For example, when the number of continuous data strings is equal to or less than a predetermined number, it is determined as a point defect or a line defect, and when a continuous data string appears intermittently or continuously, it is determined as a region defect. The number of data and the number of data strings used for determination can be set in advance according to the type of defect to be formed (S31).
S31の判定において、非駆動部位の形態が点欠陥あるいは線欠陥である場合には、アクティブエリアに欠陥部位があるものと判定し(S32)、さらに必要がある場合には点欠陥あるいは線欠陥において、その欠陥の要因を判定することができる。この欠陥要因の判定は、印加する走査パターンに応じて判定される(S33)。 In the determination of S31, if the form of the non-driven part is a point defect or a line defect, it is determined that there is a defective part in the active area (S32). The cause of the defect can be determined. The defect factor is determined according to the scanning pattern to be applied (S33).
S31の判定において、非駆動部位の形態が領域部位である場合には、TFT駆動回路に欠陥部位があるものと判定する(S34)。 In the determination of S31, when the form of the non-driving part is a region part, it is determined that there is a defective part in the TFT drive circuit (S34).
S31の判定において、非駆動部位の形態が点欠陥あるいは線欠陥が存在すると共に領域部位についても存在する場合には、アクティブエリアとTFT駆動回路の両方に欠陥部位があるものと判定し(S35)、さらに必要がある場合には、S33と同様に、点欠陥あるいは線欠陥において、その欠陥の要因を判定することができる(S36)。 In the determination of S31, if the form of the non-driving portion includes a point defect or a line defect and also a region portion, it is determined that both the active area and the TFT driving circuit have a defective portion (S35). If there is a further need, the cause of the defect can be determined in the case of a point defect or a line defect as in S33 (S36).
本発明において、TFT基板は液晶基板や有機ELとすることができ、液晶基板や有機ELを形成する成膜装置の他、種々の半導体基板を形成する成膜装置に適用することができる。 In the present invention, the TFT substrate can be a liquid crystal substrate or an organic EL, and can be applied to a film forming apparatus for forming various semiconductor substrates in addition to a film forming apparatus for forming a liquid crystal substrate or an organic EL.
1 アレイ検査装置
2 検出部
3 電子銃
4 検出器
5 信号処理部
6 検査信号生成部
7 駆動回路用ドライバ部
8 走査制御部
9 欠陥検出部
10 欠陥種判別部
20 プローバフレーム
21 プローブピン
22 ステージ
100 基板
101 アクティブエリア
102 TFT駆動回路
103 端子パッド
104 配線
a,b,c,d,e,f 位置
A,B 領域
C,D 線欠陥
E,F 点欠陥
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Array inspection apparatus 2 Detection part 3 Electron gun 4 Detector 5 Signal processing part 6 Inspection signal generation part 7 Driver circuit driver part 8 Scan control part 9 Defect detection part 10 Defect detection part 20 Prober frame 21 Probe pin 22 Stage 100 Substrate 101 Active area 102 TFT drive circuit 103 Terminal pad 104 Wiring a, b, c, d, e, f Position A, B area C, D Line defect E, F Point defect
Claims (7)
前記基板は、アクティブエリアと、当該アクティブエリアを駆動するTFT駆動回路とを備えると共に、共にTFTアレイで形成し、
前記TFTアレイ検査装置は、前記TFT駆動回路に検査信号を供給するTFT駆動回路用ドライバ部と、
前記アクティブエリアを走査し、当該走査で得られるアクティブエリアの走査画像に基づいて、TFT駆動回路およびアクティブエリアの駆動状態を検出する検出部とを備え、
前記TFT駆動回路用ドライバ部は、前記TFT駆動回路に検査信号を供給することによって前記TFT駆動回路のTFTアレイを駆動し、当該TFT駆動回路のTFTアレイの駆動により前記アクティブエリアに形成されたTFTアレイを駆動し、
前記検出部は、前記アクティブエリアの走査画像において非駆動部位を検出し、当該非駆動部位の出現状態に基づいて、前記アクティブエリアの非駆動状態と前記TFT駆動回路の非駆動状態とを検出することを特徴とする、TFTアレイ検査装置。 In a TFT array inspection apparatus for inspecting a TFT array formed on a substrate,
The substrate includes an active area and a TFT drive circuit that drives the active area, and both are formed of a TFT array.
The TFT array inspection apparatus includes a TFT drive circuit driver unit that supplies an inspection signal to the TFT drive circuit,
Scanning the active area, and based on a scan image of the active area obtained by the scanning, a TFT drive circuit and a detection unit for detecting the drive state of the active area,
The TFT drive circuit driver unit drives the TFT array of the TFT drive circuit by supplying an inspection signal to the TFT drive circuit, and the TFT formed in the active area by driving the TFT array of the TFT drive circuit Drive the array,
The detection unit detects a non-driving part in the scanning image of the active area, and detects a non-driving state of the active area and a non-driving state of the TFT driving circuit based on the appearance state of the non-driving part. A TFT array inspection apparatus characterized by the above.
前記TFT駆動回路用ドライバ部は、前記シフトレジスタのゲート回路を順に駆動し、前記アクティブエリアを前記シフトレジスタの駆動順序に応じて順に駆動することを特徴とする、請求項1又は2に記載のTFTアレイ検査装置。 The TFT drive circuit includes a gate circuit configured by a shift register formed by a TFT array,
3. The TFT drive circuit driver unit sequentially drives the gate circuit of the shift register, and sequentially drives the active area according to the drive order of the shift register. TFT array inspection device.
前記欠陥種判別部は、前記検出部で検出したアクティブエリアの走査画像内で検出される非駆動部位が現れる形態に基づいて、アクティブエリアの欠陥又はTFT駆動回路の欠陥かを判別することを特徴とする、請求項1から3の何れかに記載のTFTアレイ検査装置。 Provided with a defect type discriminating unit for discriminating the defect type of the TFT array formed on the substrate,
The defect type discriminating unit discriminates whether the defect is an active area defect or a TFT driving circuit defect based on a form in which a non-driving part detected in the scanning image of the active area detected by the detecting unit appears. The TFT array inspection apparatus according to any one of claims 1 to 3.
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