JP5449154B2 - レーザー照射による電気伝導性銅パターン層の形成方法 - Google Patents
レーザー照射による電気伝導性銅パターン層の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5449154B2 JP5449154B2 JP2010518120A JP2010518120A JP5449154B2 JP 5449154 B2 JP5449154 B2 JP 5449154B2 JP 2010518120 A JP2010518120 A JP 2010518120A JP 2010518120 A JP2010518120 A JP 2010518120A JP 5449154 B2 JP5449154 B2 JP 5449154B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- particles
- pattern layer
- forming
- dispersion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D64/00—Electrodes of devices having potential barriers
- H10D64/01—Manufacture or treatment
- H10D64/011—Manufacture or treatment of electrodes ohmically coupled to a semiconductor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P14/00—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars
- H10P14/40—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials
- H10P14/46—Formation of materials, e.g. in the shape of layers or pillars of conductive or resistive materials using a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/102—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding of conductive powder, i.e. metallic powder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/105—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by conversion of non-conductive material on or in the support into conductive material, e.g. by using an energy beam
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P34/00—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices
- H10P34/40—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation
- H10P34/42—Irradiation with electromagnetic or particle radiation of wafers, substrates or parts of devices with high-energy radiation with electromagnetic radiation, e.g. laser annealing
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
- H05K1/097—Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
- H05K2201/0203—Fillers and particles
- H05K2201/0206—Materials
- H05K2201/0209—Inorganic, non-metallic particles
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1131—Sintering, i.e. fusing of metal particles to achieve or improve electrical conductivity
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Description
(ステップ1)銅粒子、酸化銅粒子及びこれらの混合物からなる群より選択された銅系粒子の分散液を用意する段階;
(ステップ2)前記銅系粒子の分散液を基材に所定形状で印刷または充填して銅系粒子パターン層を形成する段階;及び
(ステップ3)前記銅系粒子パターン層にレーザーを照射し、前記銅系粒子パターン層に含まれた銅系粒子を焼成しながら相互連結させる段階を含む。
(R1‐COO)2Cu
化学式1において、R1は炭素数が1ないし18のアルキル基である。
R1‐COOH
化学式2において、R1は炭素数が1ないし18のアルキル基である。
ある弱還元剤を投入して、平均粒径が1ないし100nmであって粒径の標準偏差が0ないし10%である複数のCu2O微粒子が相互凝集して形成され、その平均粒径が0.1ないし10μmであって粒径の標準偏差が0ないし40%である球形のCu2O凝集体粒子を形成する。凝集体粒子及び酸化第一銅微粒子の大きさは、溶媒の種類、界面活性剤の添加などの反応条件を変化させて調節することができる。弱還元剤は銅(II)前駆体を溶
媒に溶解させる前に先に投入することもでき、別の溶媒に弱還元剤を溶解させた後、銅(II)前駆体溶液に投入することもできる。弱還元剤としては、酸化第一銅凝集体粒子を均
一に形成するため、標準還元電位が−0.2ないし−0.05Vである弱還元剤を使用する。このような弱還元剤としては、アスコルビン酸、ジオール化合物、クエン酸、フルクトース(fructose)、アミン化合物、α‐ヒドロキシケトン(α‐hydroxy ketone)化合物、コハク酸、マルトース(maltose)などをそれぞれ単独でまたはこれらのうち2種以上を混合して使用することができる。
界面活性剤をさらに添加することができる。界面活性剤の種類及び使用量などによって凝集体粒子の大きさが調節される。添加された界面活性剤は球形の酸化第一銅凝集体粒子の表面に被覆される形態で存在する。界面活性剤としては、1つの分子内に親水性基と親油性基を共に持つ両親媒性物質であって、酸化第一銅粒子の製造に使用される通常の界面活性剤を使用することができる。例えば、−OH、−COOH、−SH、−NHなどの官能基を1つ以上持つ低分子界面活性剤、または、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコールのような高分子界面活性剤を使用でき、これらをそれぞれ単独でまたはこれらのうち2種以上を混合して使用することができる。特に、界面活性剤としてポリアクリルアミドを使用すれば、得られる酸化第一銅凝集体粒子の形状と大きさが一層均一になり、粒径の標準偏差が非常に低くなった球形の酸化第一銅凝集体粒子を得ることができる。
(CH3COO)2Cu・H2O 50mgとポリアクリルアミド200mgを蒸溜水4.5mlに溶解して第1溶液を用意し、アスコルビン酸22mgを蒸溜水0.5mlに溶解して第2溶液を用意した。室温、常圧、及び空気中で、用意した2つの溶液を混合して10分間静置した。次いで、2000rpmで3分間遠心分離した後、上層の上澄み液を捨てて残った沈殿物を水20mlに再分散した後、遠心分離過程をさらに一回行って酸化第一銅粒子を得た。
[実施例1]
前述した方法で製造した酸化第一銅凝集体粒子をテルピネオールに分散させて固形分の含量が50〜85重量比になるように分散液を製造した。次いで、スクリーン印刷法を用いてポリエチレンテレフタレート基板上に厚さが10〜20μmであって幅が2mmである線を印刷した後、40kHz、60%/0.01m/sec/0.2mm mesh/6mm オフセットの条件でレーザーを照射して焼成した。得られた銅線の比抵抗値を測定した結果、4.96E−4Ωmであった。
レーザーの照射条件を40kHz、60%/0.01m/sec/0.02mm mesh/3mm オフセットに変化させたことを除き、実施例1と同様の方法で行った。得られた銅線の比抵抗値を測定した結果、3.96E−5Ωmの比抵抗値が得られた。
Claims (5)
- (ステップ1)下記化学式1で表される銅カルボキシル化合物または下記化学式2で表されるカルボキシル基含有化合物と銅塩とを溶媒に溶解させてCu 2 O前駆体溶液を製造し、
[化学式1]
(R 1 −COO) 2 Cu
化学式1において、R 1 は炭素数が1ないし18のアルキル基である。
[化学式2]
R 1 −COOH
化学式2において、R 1 は炭素数が1ないし18のアルキル基である。
前記Cu 2 O前駆体溶液に標準還元電位が−0.2ないし−0.05Vである弱還元剤を投入して、平均粒径が1ないし100nmであって粒径の標準偏差が0ないし10%である複数のCu 2 O超微粒子が相互凝集して形成され、その平均粒径が0.1ないし10μmであって、前記粒子の縦横比が、1以上2以下である球形のCu 2 O凝集体粒子を形成し、前記球形のCu 2 O凝集体粒子の分散液を用意する段階;
(ステップ2)前記Cu 2 O凝集体粒子の分散液を基材に所定形状で印刷または充填してパターン層を形成する段階;
(ステップ3)空気中で前記パターン層にレーザーを照射し、前記パターン層に含まれたCu 2 O凝集体粒子を焼成しながら相互連結させ電気伝導性銅パターンに変化させる段階を含む電気伝導性銅パターン層の形成方法。 - 前記Cu 2 O凝集体粒子の表面が界面活性剤で被覆されていることを特徴とする請求項1に記載の電気伝導性銅パターン層の形成方法。
- 前記界面活性剤は−OH、−COOH、−SH及び−NHからなる群より選択された少なくとも1つの官能基を持つ低分子、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン及びポリビニルアルコールからなる群より選択されたいずれか1つまたはこれらのうち2種以上の混合物であることを特徴とする請求項2に記載の電気伝導性銅パターン層の形成方法。
- 前記界面活性剤はポリアクリルアミドであることを特徴とする請求項3に記載の電気伝導性銅パターン層の形成方法。
- 前記Cu 2 O凝集体粒子の分散液は、前記Cu 2 O凝集体粒子が分散媒に分散された液状の分散液または前記Cu 2 O凝集体粒子がバインダー樹脂溶液に分散されたペースト状の分散液であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の電気伝導性銅パターン層の形成方法。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR10-2007-0075340 | 2007-07-26 | ||
| KR20070075340 | 2007-07-26 | ||
| KR10-2008-0022135 | 2008-03-10 | ||
| KR1020080022135A KR100951320B1 (ko) | 2007-07-26 | 2008-03-10 | 레이저 조사에 의한 전기전도성 구리 패턴층의 형성방법 |
| PCT/KR2008/004340 WO2009014391A2 (en) | 2007-07-26 | 2008-07-24 | Preparation method of electroconductive copper patterning layer by laser irradiation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010534932A JP2010534932A (ja) | 2010-11-11 |
| JP5449154B2 true JP5449154B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=40683078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010518120A Active JP5449154B2 (ja) | 2007-07-26 | 2008-07-24 | レーザー照射による電気伝導性銅パターン層の形成方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8394465B2 (ja) |
| EP (1) | EP2183767B1 (ja) |
| JP (1) | JP5449154B2 (ja) |
| KR (1) | KR100951320B1 (ja) |
| CN (1) | CN101790777B (ja) |
| AT (1) | ATE529886T1 (ja) |
| WO (1) | WO2009014391A2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019017363A1 (ja) | 2017-07-18 | 2019-01-24 | 旭化成株式会社 | 導電性パターン領域を有する構造体及びその製造方法、積層体及びその製造方法、並びに、銅配線 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014067617A (ja) * | 2012-09-26 | 2014-04-17 | Fujifilm Corp | 導電膜の製造方法および導電膜形成用組成物 |
| WO2014087945A1 (ja) * | 2012-12-07 | 2014-06-12 | 富士フイルム株式会社 | 導電膜の製造方法、プリント配線基板 |
| US10622244B2 (en) | 2013-02-18 | 2020-04-14 | Orbotech Ltd. | Pulsed-mode direct-write laser metallization |
| WO2014125470A1 (en) | 2013-02-18 | 2014-08-21 | Orbotech Ltd. | Two-step, direct- write laser metallization |
| JP2014199720A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 富士フイルム株式会社 | 導電膜形成用組成物およびこれを用いる導電膜の製造方法 |
| CN104185378A (zh) * | 2013-05-21 | 2014-12-03 | 群创光电股份有限公司 | 导电线路的制备方法、以及具有导电线路的装置 |
| TWI471071B (zh) * | 2013-05-21 | 2015-01-21 | Innolux Corp | 導電線路之製備方法、以及具有導電線路之裝置 |
| US10537027B2 (en) | 2013-08-02 | 2020-01-14 | Orbotech Ltd. | Method producing a conductive path on a substrate |
| JP2015050107A (ja) * | 2013-09-03 | 2015-03-16 | 富士フイルム株式会社 | 導電膜の製造方法 |
| US20170105287A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-13 | Tyco Electronics Corporation | Process of Producing Electronic Component and an Electronic Component |
| WO2018044930A1 (en) | 2016-08-29 | 2018-03-08 | Board Of Trustees Of The University Of Arkansas | Light-directed electrochemical patterning of copper structures |
| JP7130631B2 (ja) * | 2017-05-18 | 2022-09-05 | 株式会社ダイセル | 導体の製造方法、配線基板の製造方法及び導体形成用組成物の製造方法 |
| KR102559500B1 (ko) | 2017-07-27 | 2023-07-24 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 산화구리 잉크 및 이것을 이용한 도전성 기판의 제조 방법, 도막을 포함하는 제품 및 이것을 이용한 제품의 제조 방법, 도전성 패턴을 갖는 제품의 제조 방법, 및 도전성 패턴을 갖는 제품 |
| JP7430483B2 (ja) * | 2017-11-10 | 2024-02-13 | 旭化成株式会社 | 導電性パターン領域付構造体及びその製造方法 |
| DE102019006709A1 (de) * | 2019-09-25 | 2021-03-25 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Kontaktierung flexibler Elektroden |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03262187A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
| JPH0537126A (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Toshiba Corp | 金属酸化物を用いた配線基板および情報記録媒体 |
| JPH05335725A (ja) * | 1992-05-29 | 1993-12-17 | Kusuo Sato | レーザ光線照射による電気回路形成方法 |
| US20030148024A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
| TW476073B (en) * | 1999-12-09 | 2002-02-11 | Ebara Corp | Solution containing metal component, method of and apparatus for forming thin metal film |
| JP2001167633A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Ebara Corp | 金属成分含有溶液及び金属薄膜形成方法 |
| JP2003073591A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | インク組成物およびインクジェット記録方法 |
| WO2004050559A1 (ja) * | 2002-12-03 | 2004-06-17 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | 酸化銅超微粒子 |
| JP2004277868A (ja) * | 2003-03-19 | 2004-10-07 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 導電性組成物の作製方法 |
| JP2005079010A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | 導電膜パターンの形成方法、電気光学装置及び電子機器 |
| JP2005281781A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Kenji Sumiyama | 銅ナノ粒子の製造方法 |
| JP2006013321A (ja) | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Chubu Electric Power Co Inc | プリント配線板の製造装置及びプリント配線板の製造方法 |
| JP2006096655A (ja) | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 酸化第一銅粒子の製造方法及び酸化第一銅粒子 |
| JP4782397B2 (ja) | 2004-09-27 | 2011-09-28 | 京セラ株式会社 | 導体ペーストおよびそれを用いた配線基板の製造方法 |
| JP2006201538A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Seiko Epson Corp | マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法 |
| JP4337744B2 (ja) | 2005-02-04 | 2009-09-30 | セイコーエプソン株式会社 | 膜パターンの形成方法、アクティブマトリクス基板の製造方法 |
| KR100727451B1 (ko) * | 2005-04-26 | 2007-06-13 | 주식회사 잉크테크 | 금속 잉크 조성물 |
| PL1853671T3 (pl) | 2005-03-04 | 2014-01-31 | Inktec Co Ltd | Tusze przewodzące i sposób ich wytwarzania |
-
2008
- 2008-03-10 KR KR1020080022135A patent/KR100951320B1/ko active Active
- 2008-07-24 WO PCT/KR2008/004340 patent/WO2009014391A2/en not_active Ceased
- 2008-07-24 CN CN2008800256237A patent/CN101790777B/zh active Active
- 2008-07-24 US US12/452,812 patent/US8394465B2/en active Active
- 2008-07-24 AT AT08778929T patent/ATE529886T1/de not_active IP Right Cessation
- 2008-07-24 EP EP08778929A patent/EP2183767B1/en active Active
- 2008-07-24 JP JP2010518120A patent/JP5449154B2/ja active Active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019017363A1 (ja) | 2017-07-18 | 2019-01-24 | 旭化成株式会社 | 導電性パターン領域を有する構造体及びその製造方法、積層体及びその製造方法、並びに、銅配線 |
| KR20200015609A (ko) | 2017-07-18 | 2020-02-12 | 아사히 가세이 가부시키가이샤 | 도전성 패턴 영역을 갖는 구조체 및 그 제조 방법, 적층체 및 그 제조 방법, 그리고 구리 배선 |
| US11109492B2 (en) | 2017-07-18 | 2021-08-31 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Structure including electroconductive pattern regions, method for producing same, stack, method for producing same, and copper wiring |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20090012029A (ko) | 2009-02-02 |
| EP2183767B1 (en) | 2011-10-19 |
| US8394465B2 (en) | 2013-03-12 |
| EP2183767A4 (en) | 2011-01-05 |
| EP2183767A2 (en) | 2010-05-12 |
| CN101790777B (zh) | 2012-05-02 |
| ATE529886T1 (de) | 2011-11-15 |
| CN101790777A (zh) | 2010-07-28 |
| WO2009014391A2 (en) | 2009-01-29 |
| JP2010534932A (ja) | 2010-11-11 |
| WO2009014391A3 (en) | 2009-03-19 |
| US20100129566A1 (en) | 2010-05-27 |
| KR100951320B1 (ko) | 2010-04-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5449154B2 (ja) | レーザー照射による電気伝導性銅パターン層の形成方法 | |
| US8293144B2 (en) | Composition containing fine silver particles, production method thereof, method for producing fine silver particles, and paste having fine silver particles | |
| JP5155393B2 (ja) | 球形の酸化第一銅凝集体粒子組成物及びその製造方法 | |
| JP6211245B2 (ja) | 導電性材料およびその製造方法 | |
| JP2010534280A (ja) | 銅粒子組成物の製造方法 | |
| TWI661012B (zh) | 核殼型金屬微粒子之製造方法、核殼型金屬微粒子、導電性墨水及基板之製造方法 | |
| JP2022136081A (ja) | 銅酸化物粒子組成物、導電性ペースト及び導電性インク | |
| US8834957B2 (en) | Preparation method for an electroconductive patterned copper layer | |
| TWI273936B (en) | Slurry of ultrafine copper powder and method for producing the slurry | |
| JP4947509B2 (ja) | ニッケルスラリー及びその製造方法並びに該ニッケルスラリーを用いたニッケルペースト又はニッケルインキ | |
| JP2005281781A (ja) | 銅ナノ粒子の製造方法 | |
| JP4100244B2 (ja) | ニッケル粉末とその製造方法 | |
| JP2007138291A (ja) | ニッケル粉末およびその製造方法 | |
| JP3607656B2 (ja) | 貴金属ナノ粒子の製造方法 | |
| KR101196796B1 (ko) | 전기 전도성 구리 패턴층의 형성방법 및 이로부터 형성된 구리 패턴층 | |
| KR100508693B1 (ko) | 니켈 나노분말의 합성 방법 | |
| KR102940155B1 (ko) | 은팔라듐 합금 분말 및 그의 이용 | |
| JP2004323884A (ja) | 超微粒子のニッケル粉末及びその製造方法 | |
| JP5124822B2 (ja) | 複合金属粉体およびその分散液の製造法 | |
| JPWO2016139967A1 (ja) | ニッケル粒子、その製造方法及び導電性ペースト | |
| JP7766207B2 (ja) | 貴金属合金粉末、貴金属合金ペースト、貴金属合金膜、およびそれらの製造方法 | |
| JP2014105365A (ja) | ニッケルナノ粒子とその製造方法およびニッケルペースト | |
| KR200365309Y1 (ko) | 은 나노입자가 코팅된 은 분말 및 그 제조방법 | |
| KR101285453B1 (ko) | 저온소성용 금속 나노입자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120403 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120702 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130212 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130513 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130520 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131219 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131224 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5449154 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |