JP5450421B2 - X線陽極 - Google Patents
X線陽極 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5450421B2 JP5450421B2 JP2010526109A JP2010526109A JP5450421B2 JP 5450421 B2 JP5450421 B2 JP 5450421B2 JP 2010526109 A JP2010526109 A JP 2010526109A JP 2010526109 A JP2010526109 A JP 2010526109A JP 5450421 B2 JP5450421 B2 JP 5450421B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- metal
- diamond
- atomic
- ray anode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C26/00—Alloys containing diamond or cubic or wurtzitic boron nitride, fullerenes or carbon nanotubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
- H01J35/02—Details
- H01J35/04—Electrodes ; Mutual position thereof; Constructional adaptations therefor
- H01J35/08—Anodes; Anti cathodes
- H01J35/10—Rotary anodes; Arrangements for rotating anodes; Cooling rotary anodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/08—Targets (anodes) and X-ray converters
- H01J2235/081—Target material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/08—Targets (anodes) and X-ray converters
- H01J2235/083—Bonding or fixing with the support or substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/08—Targets (anodes) and X-ray converters
- H01J2235/086—Target geometry
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/12—Cooling
- H01J2235/1204—Cooling of the anode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/12—Cooling
- H01J2235/1225—Cooling characterised by method
- H01J2235/1291—Thermal conductivity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2235/00—X-ray tubes
- H01J2235/12—Cooling
- H01J2235/1225—Cooling characterised by method
- H01J2235/1291—Thermal conductivity
- H01J2235/1295—Contact between conducting bodies
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明の有利な実施態様は次の通りである。
・ダイヤモンド−金属複合材料は、10〜60体積%の結合相と、残りのダイヤモンドおよび製造に起因した残留不純物とからなり、結合相は、結合金属の80〜100体積%と、周期表の4b,5b,6b族の金属,B,Siのグループの中から選ばれた1つの元素の少なくとも1つの炭化物の0〜20体積%とからなる(請求項2)。
・結合金属は、Cu,Ag,Alのグループの中から選ばれた少なくとも1つの母材金属の80〜100原子%と、室温で母材金属中において1原子%より小さい溶解度を有する1つの金属の0〜20原子%と、室温で母材金属中において1原子%より大きい溶解度を有する1つの金属の0〜1原子%と、製造に起因した残留不純物とからなる(請求項3)。
・結合金属は、Ti,Zr,Hfのグループの中から選ばれた1つ又は複数の元素の0.005〜3原子%および/またはMo,W,V,Ta,Nb,Crのグループの中から選ばれた1つ又は複数の元素の0.005〜10原子%および/またはBの0.005〜20原子%と、残りのCuおよび通常の残留不純物とからなる(請求項4)。
・結合金属は、Zr,Hfのグループの中から選ばれた1つ又は複数の元素の0.005〜5原子%および/またはV,Nb,Ta,Cr,Mo,Wのグループの中から選ばれた1つ又は複数の元素の0.005〜10原子%および/またはSiの0.005〜20原子%と、残りのAgおよび通常の残留不純物とからなる(請求項5)。
・結合金属は、V,Nb,Ta,Ti,Zr,Hf,Cr,Mo,W,Bのグループの中から選ばれた1つ又は複数の元素の0.005〜3原子%および/またはSiの0.005〜20原子%と、残りのAlおよび通常の残留不純物とからなる(請求項6)。
・結合金属は、2N5よりも大きい純度を有するAl,CuまたはAgからなる(請求項7)。
・領域は被膜の下側において最大熱負荷の領域に配置されている(請求項8)。
・領域は、少なくとも部分範囲において、鋳造法、加圧浸透法、拡散溶接法またはろう付法によって物質結合で結合されている(請求項9)。
・ダイヤモンド−金属複合材料はダイヤモンド量が累進的に変化する構造を有し、ダイヤモンド成分は被膜に向かって最大となり、最大熱流の方向に減少すること(請求項10)。
・支持体は、Cu,Al,Agまたはこれらの材料の合金からなる放熱領域を含み、この放熱領域は最大熱流の方向において領域の後に続き、この領域に物質結合で接合されている(請求項11)。
・X線陽極は少なくとも最大熱負荷の範囲において最大熱流の方向に次の構造、すなわち0.01mm〜1mmの被膜、0〜4mmの補強領域、2〜15mmの領域および0〜10mmの放熱領域を有する(請求項12)。
・補強領域の厚さは0.5〜3mmである(請求項13)。
・補強領域は、Mo,Mo合金,W,W合金,W−Cu複合材料、Cu複合材料、粒子強化Cu合金、粒子強化Al合金のグループの中から選ばれた1つの材料から少なくともなる(請求項14)。
・補強領域は、Mo−0.5重量%Ti−0.08重量%Zr−0.01〜0.06重量%CまたはMo−1.2重量%Hf−0.04〜0.15重量%Cからなる(請求項15)。
・被膜は1〜10重量%Reを有するW−Re合金からなる(請求項16)。
・X線陽極は軸方向に対称の回転陽極として実施され、補強領域および領域は軸対称に配置されている(請求項17)。
・領域は、リングまたは円板として形成され、補強領域において該領域の形状に対応する形状を有する窪みの中へ配置され、少なくとも焦点軌道の下部範囲において補強領域に物質結合で結合されている(請求項18)。
・粉末冶金法による接合プレス/焼結/鍛造によって、または真空プラズマ溶射法による構造材料上への被膜材料の被着によって、構造材料および被膜材料からなる複合体を作製するステップ、
・構造材料において被膜とは反対側の面に窪みを形成するステップ、
・窪みの中に、50〜400μmの粒度を有するダイヤモンド粉末を充填するステップ(ダイヤモンド粉末は、成膜されないで、または好ましくは周期表の4b,5b,6b族の金属、BおよびSiのグループの中から選ばれた1つの金属または1つの金属の炭化物で成膜(0.05〜50μmの膜厚)されて存在するとよい。)、
・1〜500barの圧力および温度T(結合金属の液相線温度<T<結合金属の液相線温度+200℃)においてダイヤモンド粉末バルクに結合金属を浸透させるステップ(任意選択的に放熱領域の形成のために過剰の結合金属を有する。)、
・機械的加工を行なうステップ。
・粉末冶金法による接合プレス/焼結/鍛造によって、または真空プラズマ溶射法による構造材料上への被膜材料の被着によって、構造材料および被膜材料からなる複合体を作製するステップ、
・構造材料において被膜とは反対側の面に窪みを形成するステップ、
・窪みの中に、ダイヤモンド粉末と結合金属とからなる混合物を充填するステップ(ダイヤモンド粉末は、50〜400μmの粒度を有し、成膜されないで、または好ましくは周期表の4b,5b,6b族の金属、BおよびSiのグループの中から選ばれた1つの金属または1つの金属の炭化物で成膜(0.05〜50μmの膜厚)されて存在するとよい。)、
・10〜200MPaの圧力および温度T(0.6×結合金属の固相線温度<T<結合金属の固相線温度)において混合物の熱間プレスを行なうステップ(任意選択的に放熱領域の形成のために過剰の結合金属を有する。)、
・機械的加工を行なうステップ。
・粉末冶金法による接合プレス/焼結/鍛造によって、または真空プラズマ溶射法による構造材料上への被膜材料の被着によって、構造材料および被膜材料からなる複合体を作製するステップ、
・構造材料において被膜とは反対側の面に窪みを形成するステップ、
・ダイヤモンド粉末と結合金属粉末とからなる混合物のプレスにより圧縮成形体を作製するステップ(ダイヤモンド粉末が50〜400μmの粒度を有し、結合金属粉末が0.5〜600μmの粒度を有し、ダイヤモンド粉末は、成膜されないで、または好ましくは周期表の4b,5b,6b族の金属、BおよびSiのグループの中から選ばれた1つの金属または1つの金属の炭化物で好ましくは70〜700MPaの圧力において成膜(0.05〜50μmの膜厚)されて存在するとよい。)、
・構造材料の窪みの中へ圧縮成形体を挿入し、そのようにして作られた組立部品を通常の缶材料(鋼、チタン)を用いて缶詰めにするステップ、
・50〜300MPaの圧力および温度T(0.6×結合金属の固相線温度<T<結合金属の固相線温度+200℃)において、缶詰めにされた組立部品の熱間等方加圧を行なうステップ(任意選択的に放熱領域の形成のために過剰の結合金属を有する。)、
・機械的な加工を行なうステップ。
Cu基の結合相を形成するために、高強度モリブデン合金TZM(Mo−0.5重量%Ti−0.08重量%Zr−0.01〜0.06重量%C)からなる50mmの直径および30mmの厚さを有する複数の円板が通常の粉末冶金法にて粉末プレス/焼結/鍛造を介して作られた。これらの円板に、30mmの直径および20mmの深さを有する円筒状の窪みが形成された。次の作業ステップにおいて、そのようにして形成された窪みの中へ、ダイヤモンド−金属複合材料を作成するために、その都度、(レーザ光学的に求められた)150μmの平均粒直径を有するダイヤモンドバルクが投入された。そして、リング形状体が、ガス圧浸透法によって、Cu−0.5原子%B、Cu−2原子%BおよびCu−8原子%Bの組成のCu合金を浸透された。
Ag基の結合相を形成するために、例1による複数の円板が作られた。窪みの中へ、ダイヤモンド−金属複合材料を作成するために、その都度、(レーザ光学的に求められた)150μmの平均粒直径を有するダイヤモンドバルクが投入された。そして、リング形状体が、ガス圧浸透法によって、Ag−0.5原子%Si、Ag−3原子%Si、Ag−11原子%SiおよびAg−18原子%Siの組成のAg合金を浸透された。
Al基の結合相を形成するために、例1による複数の円板が作られた。窪みの中へ、ダイヤモンド−金属複合材料を作成するために、その都度、(レーザ光学的に求められた)150μmの平均粒直径を有するダイヤモンドバルクが投入された。そして、リング形状体が、ガス圧浸透法によって、Al,Al−3原子%Si,Al−12原子%SiおよびAl−15原子%Siの組成のAl材料を浸透された。
図1による構造を有する回転陽極1が次のようにして作製された。支持体3の補強領域4が、TZMから通常の粉末冶金法にて粉末プレス/焼結/鍛造および(外径125mmを有する)予備輪郭の超高速回転を介して作られた。その上に、W−5重量%Reから成るX線を発生する被膜2が真空プラズマ溶射法により被着された。支持体3の補強領域4から、被膜2の下側において、補強領域4の1mmの厚さを残して25mm幅のリング領域がくり抜かれた。次の作業ステップにおいて、このようにして生じさせられたリング溝の中へ、ダイヤモンド−金属複合材料からなる領域5を作るために、(レーザ光学的に求められた)150μmの平均粒直径を有するダイヤモンドバルクが投入され、リング形状体が、ガス圧浸透法によって、ダイヤモンド粉末バルクの上に塊状の形で置かれたCu−4原子%B合金を浸透された。ガス圧浸透法は、1100℃において2barのガス圧を有するAr保護ガス雰囲気のもとで行なわれた。適切な黒鉛工具を使用して、ダイヤモンド接合には、浸透と同時に3.7mmの厚さを有するCu4原子%Bの裏板の形で放熱領域6が鋳造された。この裏板においては冷媒への放熱を改善するためにフィン構造が追加された。このようにして作られたダイヤモンド−金属複合材料からなる領域5は、約55%ダイヤモンドの体積割合と、室温において6.5E-6/°Kの膨張率を持っていた。このCu−ダイヤモンド複合材料の熱伝導率は22℃において480W/m・Kもしくは500℃において350W/m・Kであった。
図2による構造を有する回転陽極1が次のように作られた。支持体3の補強領域4が、高強度のMo合金MHC(Mo−1.2重量%Hf−0.04〜0.15重量%C)から作られ、W−10重量%Reから成るX線を発生する被膜2がCoプレス/焼結および接合鍛造を介する通常の粉末冶金法に基づいて補強領域4に接合された。リング溝の作製は例4の説明と同様に行なわれた。
図3による構造を有する回転陽極1が次のように作られた。TZMからなる補強領域4(厚さ15mm、直径140mm)の形成およびW−5重量%Reからなる被膜2の被着が例4にしたがって行なわれた。支持体3の補強領域4が、ダイヤモンド−金属複合材料を裏込めされるべきリング領域(外径125mm、内径80mm)内において、1mmのTZMの厚さを残してくり抜かれた。補強領域4は、その上に形成されたリング状の被覆円板と一緒に、領域5を構成するために50体積%のダイヤモンドと50体積%の高純度の銅との混合物を裏込めされる熱間プレス工具の一部を形成した。ダイヤモンド粒は、(レーザ光学的に求められた)150μmの直径を持ち、後での母材結合のために1μmのSiCで成膜されていた。高純度のCu粉末は同様に150μmの粒直径を持っていた。最後に同じ粒度の3mmの銅粉末バルク被覆が放熱領域6の形成のために行なわれた。このバルク被覆は室温において予めプレスされ、900℃の温度にて1.5時間にわたって40MPaの圧力で熱間プレスされ、それによって理論上の厚さの99.8%まで圧縮された。同時に、SiCとCuとの間の拡散によって銅母材へのダイヤモンド粒ならびに支持体3へのこの母材の強固で熱伝導性の良い結合が行なわれた。このようにして得られた銅−ダイヤモンド複合材料において測定された熱伝導性は22℃において490W/m・Kであった。
図3による構造を有する回転陽極1が次のように作られた。補強領域4の作製、被膜2の形成およびリング領域の作製が、例5において説明したように行なわれた。70体積%のダイヤモンドと30体積%の銀との混合物からなる粉末バルクが、領域5の形成のために、母型プレスにより圧縮されて、補強領域4のくり抜かれたリング領域にほぼ等しい形状を有する圧縮成形体が形成され、この圧縮成形体が、くり抜かれたリング領域の中に挿入された。ダイヤモンド粒は300μmの直径を持ち、3〜5μmのSiCで成膜されていた。Ag粉末は150μmの粒直径を持っていた。ダイヤモンド−Ag圧縮成形体の裏面に、140mmの直径および3mmの厚さを有するAg薄板が置かれた。構造全体が鋼鉄缶内で気密に溶接され、鋼鉄缶が真空状態にされた。Ag成分がHIP(熱間等方加圧)プロセスにおいて50MPaの圧力下で2分の保持時間での980℃への加熱により融解され、その際に圧縮成形体の空所が融解物を裏込めされた。ひき続いて温度が650℃まで下げられ、当該構成部材が70MPaの圧力下で1時間にわたって保持された。室温までの冷却が、同様に約70MPaの範囲の圧力下において400℃で2時間の保持時間にて行なわれた。このようにして得られた銀−ダイヤモンド複合材料は610W/m・Kの熱伝導率を有した。
2 X線を発生する被膜
3 支持体
4 補強領域
5 ダイヤモンド−金属複合材料からなる領域
6 放熱領域
Claims (18)
- 集束電子を照射することによってX線を発生する被膜(2)を備え、被膜(2)が支持体(3)に結合され、支持体(3)が500℃において100MPaよりも大きい強度を有する材料からなる補強領域(4)を含むX線発生のためのX線陽極(1)において、
支持体(3)が40〜90体積%のダイヤモンド粒を含有するダイヤモンド−金属複合材料からなる領域(5)を含むことを特徴とするX線陽極。 - ダイヤモンド−金属複合材料は、10〜60体積%の結合相と、残りのダイヤモンドおよび製造に起因した残留不純物とからなり、結合相は、結合金属の80〜100体積%と、周期表の4b,5b,6b族の金属,B,Siのグループの中から選ばれた1つの元素の少なくとも1つの炭化物の0〜20体積%とからなることを特徴とする請求項1記載のX線陽極。
- 結合金属は、Cu,Ag,Alのグループの中から選ばれた少なくとも1つの母材金属の80〜100原子%と、製造に起因した残留不純物とからなり、さらに、結合金属は、室温で母材金属中において1原子%より小さい溶解度を有する1つの金属の20原子%までと、室温で母材金属中において1原子%より大きい溶解度を有する1つの金属の1原子%までとからなっていてもよいことを特徴とする請求項2記載のX線陽極。
- 結合金属は、Ti,Zr,Hfのグループの中から選ばれた1つ又は複数の元素の0.005〜3原子%またはMo,W,V,Ta,Nb,Crのグループの中から選ばれた1つ又は複数の元素の0.005〜10原子%またはBの0.005〜20原子%と、残りのCuおよび通常の残留不純物とからなることを特徴とする請求項2又は3記載のX線陽極。
- 結合金属は、Zr,Hfのグループの中から選ばれた1つ又は複数の元素の0.005〜5原子%またはV,Nb,Ta,Cr,Mo,Wのグループの中から選ばれた1つ又は複数の元素の0.005〜10原子%またはSiの0.005〜20原子%と、残りのAgおよび通常の残留不純物とからなることを特徴とする請求項2又は3記載のX線陽極。
- 結合金属は、V,Nb,Ta,Ti,Zr,Hf,Cr,Mo,W,Bのグループの中から選ばれた1つ又は複数の元素の0.005〜3原子%またはSiの0.005〜20原子%と、残りのAlおよび通常の残留不純物とからなることを特徴とする請求項2又は3記載のX線陽極。
- 結合金属は、2N5よりも大きい純度を有するAl,CuまたはAgからなることを特徴とする請求項2記載のX線陽極。
- 領域(5)は被膜(2)の下側において最大熱負荷の領域に配置されていることを特徴とする請求項1乃至7の1つに記載のX線陽極。
- 領域(4,5)は、少なくとも部分範囲において、鋳造法、加圧浸透法、拡散溶接法またはろう付法によって物質結合で結合されていることを特徴とする請求項1乃至8の1つに記載のX線陽極。
- ダイヤモンド−金属複合材料はダイヤモンド量が累進的に変化する構造を有し、ダイヤモンド成分は被膜(2)に向かって最大となり、最大熱流の方向に減少することを特徴とする請求項1乃至9の1つに記載のX線陽極。
- 支持体(3)は、Cu,Al,Agまたはこれらの材料の合金からなる放熱領域(6)を含み、この放熱領域(6)は最大熱流の方向において領域(5)の後に続き、この領域(5)に物質結合で接合されていることを特徴とする請求項1乃至10の1つに記載のX線陽極。
- X線陽極(1)は、少なくとも最大熱負荷の範囲において最大熱流の方向に、0.01mm〜1mmの被膜(2)および2〜15mmの領域(5)を有し、さらに、X線陽極(1)は、4mmまでの補強領域(4)および10mmまでの放熱領域(6)を有していてもよいことを特徴とする請求項1乃至11の1つに記載のX線陽極。
- 補強領域(4)の厚さは0.5〜3mmであることを特徴とする請求項12記載のX線陽極。
- 補強領域(4)は、Mo,Mo合金,W,W合金,W−Cu複合材料、Cu複合材料、粒子強化Cu合金、粒子強化Al合金のグループの中から選ばれた1つの材料から少なくともなることを特徴とする請求項1乃至13の1つに記載のX線陽極。
- 補強領域(4)は、Mo−0.5重量%Ti−0.08重量%Zr−0.01〜0.06重量%CまたはMo−1.2重量%Hf−0.04〜0.15重量%Cからなることを特徴とする請求項14記載のX線陽極。
- 被膜(2)は1〜10重量%Reを有するW−Re合金からなることを特徴とする請求項1乃至15の1つに記載のX線陽極。
- X線陽極(1)は軸方向に対称の回転陽極として実施され、補強領域(4)および領域(5)は軸対称に配置されていることを特徴とする請求項1乃至16の1つに記載のX線陽極。
- 領域(5)は、リングまたは円板として形成され、補強領域(4)において該領域(5)の形状に対応する形状を有する窪みの中へ配置され、少なくとも焦点軌道の下部範囲において補強領域(4)に物質結合で結合されていることを特徴とする請求項17記載のX線陽極。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ATGM583/2007 | 2007-09-28 | ||
| AT0058307U AT10598U1 (de) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | Ríntgenanode mit verbesserter warmeableitung |
| PCT/AT2008/000343 WO2009039545A1 (de) | 2007-09-28 | 2008-09-25 | Röntgenanode mit verbesserter wärmeableitung |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010541134A JP2010541134A (ja) | 2010-12-24 |
| JP2010541134A5 JP2010541134A5 (ja) | 2011-08-04 |
| JP5450421B2 true JP5450421B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=40282468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010526109A Active JP5450421B2 (ja) | 2007-09-28 | 2008-09-25 | X線陽極 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8243884B2 (ja) |
| EP (1) | EP2193538B1 (ja) |
| JP (1) | JP5450421B2 (ja) |
| AT (2) | AT10598U1 (ja) |
| WO (1) | WO2009039545A1 (ja) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2465130B1 (en) * | 2009-08-11 | 2016-08-03 | Plansee SE | Method for manufacturing a rotary anode |
| DE102011079878A1 (de) * | 2011-07-27 | 2013-01-31 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenröhre und Verfahren zu deren Herstellung |
| US20150117599A1 (en) | 2013-10-31 | 2015-04-30 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
| KR102123785B1 (ko) | 2012-08-17 | 2020-06-18 | 누베라 퓨엘 셀스, 엘엘씨 | 전기화학 전지에 사용하기 위한 양극판의 디자인 |
| US9449782B2 (en) * | 2012-08-22 | 2016-09-20 | General Electric Company | X-ray tube target having enhanced thermal performance and method of making same |
| US9448190B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-09-20 | Sigray, Inc. | High brightness X-ray absorption spectroscopy system |
| US9449781B2 (en) | 2013-12-05 | 2016-09-20 | Sigray, Inc. | X-ray illuminators with high flux and high flux density |
| US10297359B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | X-ray illumination system with multiple target microstructures |
| US10269528B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-04-23 | Sigray, Inc. | Diverging X-ray sources using linear accumulation |
| US9570265B1 (en) | 2013-12-05 | 2017-02-14 | Sigray, Inc. | X-ray fluorescence system with high flux and high flux density |
| US9390881B2 (en) | 2013-09-19 | 2016-07-12 | Sigray, Inc. | X-ray sources using linear accumulation |
| US10295485B2 (en) | 2013-12-05 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | X-ray transmission spectrometer system |
| US10304580B2 (en) | 2013-10-31 | 2019-05-28 | Sigray, Inc. | Talbot X-ray microscope |
| USRE48612E1 (en) | 2013-10-31 | 2021-06-29 | Sigray, Inc. | X-ray interferometric imaging system |
| US9823203B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-11-21 | Sigray, Inc. | X-ray surface analysis and measurement apparatus |
| US9594036B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-03-14 | Sigray, Inc. | X-ray surface analysis and measurement apparatus |
| US9992917B2 (en) | 2014-03-10 | 2018-06-05 | Vulcan GMS | 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts |
| US10401309B2 (en) | 2014-05-15 | 2019-09-03 | Sigray, Inc. | X-ray techniques using structured illumination |
| JP6429602B2 (ja) * | 2014-11-12 | 2018-11-28 | キヤノン株式会社 | 陽極及びこれを用いたx線発生管、x線発生装置、x線撮影システム |
| US10352880B2 (en) | 2015-04-29 | 2019-07-16 | Sigray, Inc. | Method and apparatus for x-ray microscopy |
| US10295486B2 (en) | 2015-08-18 | 2019-05-21 | Sigray, Inc. | Detector for X-rays with high spatial and high spectral resolution |
| US10247683B2 (en) | 2016-12-03 | 2019-04-02 | Sigray, Inc. | Material measurement techniques using multiple X-ray micro-beams |
| WO2018175570A1 (en) | 2017-03-22 | 2018-09-27 | Sigray, Inc. | Method of performing x-ray spectroscopy and x-ray absorption spectrometer system |
| US10847336B2 (en) * | 2017-08-17 | 2020-11-24 | Bruker AXS, GmbH | Analytical X-ray tube with high thermal performance |
| US10748736B2 (en) | 2017-10-18 | 2020-08-18 | Kla-Tencor Corporation | Liquid metal rotating anode X-ray source for semiconductor metrology |
| US10734186B2 (en) * | 2017-12-19 | 2020-08-04 | General Electric Company | System and method for improving x-ray production in an x-ray device |
| US10578566B2 (en) | 2018-04-03 | 2020-03-03 | Sigray, Inc. | X-ray emission spectrometer system |
| US10845491B2 (en) | 2018-06-04 | 2020-11-24 | Sigray, Inc. | Energy-resolving x-ray detection system |
| GB2591630B (en) | 2018-07-26 | 2023-05-24 | Sigray Inc | High brightness x-ray reflection source |
| US10656105B2 (en) | 2018-08-06 | 2020-05-19 | Sigray, Inc. | Talbot-lau x-ray source and interferometric system |
| US10962491B2 (en) | 2018-09-04 | 2021-03-30 | Sigray, Inc. | System and method for x-ray fluorescence with filtering |
| DE112019004478T5 (de) | 2018-09-07 | 2021-07-08 | Sigray, Inc. | System und verfahren zur röntgenanalyse mit wählbarer tiefe |
| EP4296796A3 (fr) | 2018-11-16 | 2024-01-17 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Matériau composite à matrice métallique et procédé de fabrication d'un tel matériau |
| US11152183B2 (en) | 2019-07-15 | 2021-10-19 | Sigray, Inc. | X-ray source with rotating anode at atmospheric pressure |
| US11719652B2 (en) | 2020-02-04 | 2023-08-08 | Kla Corporation | Semiconductor metrology and inspection based on an x-ray source with an electron emitter array |
| CN118541772A (zh) | 2022-01-13 | 2024-08-23 | 斯格瑞公司 | 用于生成高通量低能量x射线的微焦x射线源 |
| US12360067B2 (en) | 2022-03-02 | 2025-07-15 | Sigray, Inc. | X-ray fluorescence system and x-ray source with electrically insulative target material |
| CN114899068A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-08-12 | 四川华束科技有限公司 | 一种反射式x射线靶基体、制备方法及x射线管 |
| US11955308B1 (en) | 2022-09-22 | 2024-04-09 | Kla Corporation | Water cooled, air bearing based rotating anode x-ray illumination source |
| US12181423B1 (en) | 2023-09-07 | 2024-12-31 | Sigray, Inc. | Secondary image removal using high resolution x-ray transmission sources |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0294344A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-05 | Shimadzu Corp | X線管用回転陽極ターゲットおよびその製造方法 |
| US4972449A (en) * | 1990-03-19 | 1990-11-20 | General Electric Company | X-ray tube target |
| AT1984U1 (de) * | 1997-04-22 | 1998-02-25 | Plansee Ag | Verfahren zur herstellung einer anode für röntgenröhren |
| JP3893681B2 (ja) * | 1997-08-19 | 2007-03-14 | 住友電気工業株式会社 | 半導体用ヒートシンクおよびその製造方法 |
| JP2000260369A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | X線管用ターゲットおよびそれを用いたx線管 |
| FR2810395B1 (fr) | 2000-06-16 | 2002-09-06 | Thomson Tubes Electroniques | Dissipateur thermique a performances thermiques accrues et procede de fabrication |
| JP3731136B2 (ja) | 2000-09-14 | 2006-01-05 | 株式会社リガク | X線管ターゲットおよびその製造方法 |
| DE102004003370B4 (de) | 2004-01-22 | 2015-04-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Hochleistungsanodenteller für eine direkt gekühlte Drehkolbenröhre |
| DE102005039188B4 (de) * | 2005-08-18 | 2007-06-21 | Siemens Ag | Röntgenröhre |
-
2007
- 2007-09-28 AT AT0058307U patent/AT10598U1/de not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-09-25 WO PCT/AT2008/000343 patent/WO2009039545A1/de not_active Ceased
- 2008-09-25 EP EP08799932A patent/EP2193538B1/de active Active
- 2008-09-25 US US12/680,427 patent/US8243884B2/en active Active
- 2008-09-25 AT AT08799932T patent/ATE522920T1/de active
- 2008-09-25 JP JP2010526109A patent/JP5450421B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8243884B2 (en) | 2012-08-14 |
| EP2193538B1 (de) | 2011-08-31 |
| EP2193538A1 (de) | 2010-06-09 |
| WO2009039545A1 (de) | 2009-04-02 |
| JP2010541134A (ja) | 2010-12-24 |
| ATE522920T1 (de) | 2011-09-15 |
| AT10598U1 (de) | 2009-06-15 |
| US20100316193A1 (en) | 2010-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5450421B2 (ja) | X線陽極 | |
| CN100524540C (zh) | 聚变反应堆的层状构件 | |
| JP2010541134A5 (ja) | ||
| KR101991610B1 (ko) | X-선 양극 | |
| US4777643A (en) | Composite rotary anode for x-ray tube and process for preparing the composite | |
| US4641334A (en) | Composite rotary anode for X-ray tube and process for preparing the composite | |
| US4298816A (en) | Molybdenum substrate for high power density tungsten focal track X-ray targets | |
| US5178316A (en) | Brazed X-ray tube anode | |
| JP2010089223A (ja) | 立方晶窒化硼素焼結体工具 | |
| US4700882A (en) | Composite rotary anode for X-ray tube and process for preparing the composite | |
| US4689810A (en) | Composite rotary anode for X-ray tube and process for preparing the composite | |
| US20160053365A1 (en) | Encapsulated composite backing plate | |
| JP5275555B2 (ja) | 構造化タングステン要素を有する複合部材 | |
| KR20220102766A (ko) | 다중 나노-상분리 고엔트로피 내화금속-산화물 복합재 및 이의 제조방법 | |
| JP2000260369A (ja) | X線管用ターゲットおよびそれを用いたx線管 | |
| JP2002329470A (ja) | X線管用回転陽極及びその製造方法 | |
| CN115776921A (zh) | 复合材料 | |
| JP4542696B2 (ja) | 回転陽極x線管用ターゲットおよびその製造方法 | |
| JP5896910B2 (ja) | ガス放電光源用の電極システム | |
| JP4034694B2 (ja) | X線管用ターゲットおよびその製造方法 | |
| JP3163550B2 (ja) | 超高真空容器のシール構造 | |
| JP2002093355A (ja) | X線管ターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH0448555B2 (ja) | ||
| JPH1190650A (ja) | 異種金属材料の接合方法 | |
| Devine Jr | A composite substrate for rotating X-ray anode tube |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110617 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110617 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110704 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130111 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130122 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130422 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130430 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130522 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130529 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130621 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131126 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131225 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5450421 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |