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JP5453219B2 - Radiation imaging equipment - Google Patents
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JP5453219B2 - Radiation imaging equipment - Google Patents

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Description

本発明は放射線画像撮影装置に係り、特に、柱状結晶構造部を有し、照射された放射線を吸収して光を射出するシンチレータと、シンチレータから射出された光を放射線画像として検出する光検出部と、を密着部材を介して密着させる放射線画像撮影装置に関する。   The present invention relates to a radiographic imaging apparatus, and in particular, a scintillator having a columnar crystal structure, which absorbs irradiated radiation and emits light, and a light detection unit that detects light emitted from the scintillator as a radiation image. And a radiographic image capturing apparatus that closely contacts each other via a contact member.

近年、TFT(Thin Film Transistor)アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、照射されたX線やγ線、α線等の放射線を検出し、照射放射線量の分布を表す放射線画像のデータへ直接変換して出力するFPD(Flat Panel Detector)が実用化されており、このFPD等のパネル型の放射線検出器と、画像メモリを含む電子回路及び電源部を内蔵し、放射線検出器から出力される放射線画像データを画像メモリに記憶する可搬型の放射線検出パネル(以下、電子カセッテともいう)も実用化されている。なお、上記の放射線感応層としては、例えば照射された放射線をCsI:Tl、GOS(GdS:Tb)等のシンチレータ(蛍光体層)で光に一旦変換し、シンチレータから放出された光をPD(Photodiode)等から成る光検出部によって電荷へ再変換して蓄積する構成(間接変換方式)が知られている。放射線検出パネルは可搬性に優れているので、ストレッチャーやベッドに載せたまま被撮影者を撮影できると共に、放射線検出パネルの位置を変更することで撮影部位の調整も容易であるため、動けない被撮影者を撮影する場合にも柔軟に対処することができる。 In recent years, radiation sensitive layers have been arranged on TFT (Thin Film Transistor) active matrix substrates to detect irradiated X-rays, γ-rays, α-rays, and other radiation, and to radiation image data representing the distribution of irradiation dose. An FPD (Flat Panel Detector) that directly converts and outputs has been put into practical use. It incorporates a panel-type radiation detector such as this FPD, an electronic circuit including an image memory, and a power supply unit, and is output from the radiation detector. A portable radiation detection panel (hereinafter also referred to as an electronic cassette) that stores radiation image data in an image memory has been put into practical use. As the radiation sensitive layer, for example, irradiated radiation is once converted into light by a scintillator (phosphor layer) such as CsI: Tl, GOS (Gd 2 O 2 S: Tb), and emitted from the scintillator. There is known a configuration (indirect conversion method) in which light is reconverted into an electric charge and stored by a photodetection unit including a PD (Photodiode) or the like. Because the radiation detection panel is excellent in portability, the subject can be photographed while being placed on a stretcher or bed, and the position of the radiation detection panel can be easily adjusted to adjust the imaging part, so it cannot move. It is possible to flexibly cope with shooting of the subject.

上記の放射線検出パネルに関し、特許文献1には、蛍光体層と光電変換撮像素子基板とを粘着剤層によって接着した構成の放射線撮影装置において、蛍光体の発光量が光電変換撮像素子に伝わる量が減少して解像度が低下することなく、長期に渡って安定した性能を得ることを目的として、蛍光体層のバインダポリマーと粘着剤形成ポリマーを粘着剤層に含まれる架橋剤で架橋することで、蛍光体層と粘着剤層との密着力を向上させる技術が開示されている。   Regarding the radiation detection panel described above, Patent Document 1 discloses that the amount of light emitted from a phosphor is transmitted to a photoelectric conversion image sensor in a radiographic apparatus having a structure in which a phosphor layer and a photoelectric conversion image sensor substrate are bonded to each other with an adhesive layer. In order to obtain stable performance over a long period of time without reducing resolution and reducing resolution, the binder polymer of the phosphor layer and the pressure-sensitive adhesive forming polymer are crosslinked with a crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive layer. A technique for improving the adhesion between the phosphor layer and the pressure-sensitive adhesive layer is disclosed.

また特許文献2には、放射線画像撮影装置において、画像欠陥検出用の画像から高周波ノイズを除去し、ノイズ除去画像から第1の閾値を用いて第1の画像欠陥を検出し、かつ、第1の閾値よりも大きい第2の閾値を用いて第2の画像欠陥を検出し、第1及び第2の画像欠陥を加算することで画像欠陥を検出し、データベースに記録された画像欠陥の増加履歴から欠陥画素の個数、サイズ及び単位面積当りの密集度の増加率を予測し、少なくとも1つの予測値が閾値を超えた場合に警告を発する技術が開示されている。   Further, in Patent Document 2, in a radiographic imaging device, high-frequency noise is removed from an image for image defect detection, a first image defect is detected from the noise-removed image using a first threshold, and the first The second image defect is detected using a second threshold value that is larger than the threshold value, the image defect is detected by adding the first and second image defects, and the increase history of the image defect recorded in the database Discloses a technique for predicting the number of defective pixels, the size, and the density increase rate per unit area, and issuing a warning when at least one predicted value exceeds a threshold value.

また特許文献3には、放射線変換シートと光電変換センサとを接着剤層(中間層)によって接合した構成の放射線画像検出装置において、放射線変換シートと光電変換センサとの間の密着性を確保し、画像ムラの発生を防止することを目的として、中間層のヘイズ度を3〜50%の範囲とする技術が開示されている。   Further, in Patent Document 3, in a radiation image detection apparatus having a configuration in which a radiation conversion sheet and a photoelectric conversion sensor are joined by an adhesive layer (intermediate layer), adhesion between the radiation conversion sheet and the photoelectric conversion sensor is ensured. For the purpose of preventing the occurrence of image unevenness, a technique for setting the haze degree of the intermediate layer in the range of 3 to 50% is disclosed.

特開2004−309169号公報JP 2004-309169 A 特開2009−267519号公報JP 2009-267519 A 特開2010−025780号公報JP 2010-025780 A

放射線検出パネルのシンチレータとしてCsIを用い、シンチレータを柱状結晶構造部が形成された構成とした場合、放射線の照射に伴ってシンチレータで発生した光が柱状結晶中を進行していくことで、シンチレータから射出される光の散乱が抑制されるため、照射された放射線を画像として検出する場合の検出画像の鮮鋭度の低下を抑制できる、という利点を有する。そして上記構成において、更に、シンチレータの放射線入射側に光検出部を配置し、シンチレータと光検出部を粘着層を介して貼り合わせた構成では、シンチレータのうちの柱状結晶領域が主な発光領域となり、主発光領域と光検出部との距離が短くなることも相俟って鮮鋭度の高い放射線画像が得られるので望ましい。   When CsI is used as the scintillator of the radiation detection panel and the scintillator is configured to have a columnar crystal structure, the light generated by the scintillator along with the irradiation of the radiation travels through the columnar crystal. Since scattering of the emitted light is suppressed, there is an advantage that it is possible to suppress a reduction in the sharpness of the detected image when the irradiated radiation is detected as an image. In the above configuration, in the configuration in which the light detection unit is further arranged on the radiation incident side of the scintillator and the scintillator and the light detection unit are bonded via the adhesive layer, the columnar crystal region of the scintillator becomes the main light emitting region. In addition, the distance between the main light emitting region and the light detecting unit is shortened, which is desirable because a radiation image with high sharpness can be obtained.

ところで、CsIから成るシンチレータはAl(アルミニウム)等から成る蒸着基板に蒸着することで形成され、光検出部はガラス等から成る基板上に形成されるが、Alとガラスは熱膨張率が大きく相違している(例えばAlの熱膨張率=30PPM程度に対し、ガラスの熱膨張率=3PPM程度)。このため、上記のようにシンチレータと光検出部とを粘着層を介して貼り合わせた構成では、温度変化に伴ってシンチレータ及び光検出部に反りが生じ、シンチレータ及び光検出部が剥離する方向への応力が粘着層に加わるので、粘着層が経時的に劣化する。   By the way, the scintillator made of CsI is formed by vapor deposition on a vapor deposition substrate made of Al (aluminum) or the like, and the light detection part is formed on a substrate made of glass or the like, but Al and glass have a large difference in thermal expansion coefficient. (For example, the thermal expansion coefficient of glass is about 30 PPM, whereas the thermal expansion coefficient of glass is about 3 PPM). For this reason, in the configuration in which the scintillator and the light detection unit are bonded together via the adhesive layer as described above, the scintillator and the light detection unit are warped in accordance with the temperature change, and the scintillator and the light detection unit are peeled off. Is applied to the adhesive layer, the adhesive layer deteriorates over time.

また、上記のようにシンチレータの放射線入射側に光検出部及び粘着層を配置した構成では、光検出部及び粘着層を放射線が透過するので、この放射線の透過によっても粘着層の経時劣化が生ずる。更に、放射線検出パネルの薄型化を目的として、貼り合わせたシンチレータ及び光検出部を放射線検出パネルの筐体の天板の内面に貼り付ける構成を採用した場合には、放射線画像の撮影時に被撮影者の体の重みが筐体の天板に荷重として加わり、この荷重が粘着層に加わることによっても粘着層の経時劣化が生ずる。そして、上記のように粘着層が経時的に劣化すると、粘着層とシンチレータや光検出部との間に空隙が生じ、この空隙が放射線画像上に画像欠陥として現れることで、放射線画像を用いた診断における診断精度の低下に繋がる、という問題がある。   In addition, in the configuration in which the light detection unit and the adhesive layer are arranged on the radiation incident side of the scintillator as described above, since radiation passes through the light detection unit and the adhesive layer, deterioration of the adhesive layer with time also occurs due to the transmission of this radiation. . In addition, for the purpose of reducing the thickness of the radiation detection panel, if a configuration is adopted in which the bonded scintillator and the light detection unit are attached to the inner surface of the top plate of the radiation detection panel housing, the subject is photographed when the radiation image is captured. The weight of the person's body is applied as a load to the top plate of the housing, and this load is also applied to the adhesive layer, which causes deterioration of the adhesive layer over time. When the adhesive layer deteriorates with time as described above, a gap is generated between the adhesive layer and the scintillator or the light detection unit, and this gap appears as an image defect on the radiographic image. There is a problem that it leads to a decrease in diagnosis accuracy in diagnosis.

これに対して特許文献1,3に記載の技術は、粘着層の粘着力を向上させる技術であり、経時劣化に伴って粘着層の粘着力が低下した場合に、粘着層とシンチレータや光検出部との間に生じた空隙に起因して放射線画像上に現れる画像欠陥により、放射線画像を用いた診断における診断精度の低下を回避することについて、何ら考慮されていない。   On the other hand, the techniques described in Patent Documents 1 and 3 are techniques for improving the adhesive strength of the adhesive layer. When the adhesive strength of the adhesive layer decreases with time, the adhesive layer and the scintillator or light detection No consideration has been given to avoiding a decrease in diagnostic accuracy in diagnosis using a radiographic image due to an image defect appearing on the radiographic image due to a gap generated between the two.

また、特許文献2に記載の技術は、欠陥画素の個数、サイズ及び単位面積当りの密集度の増加率を予測し、少なくとも1つの予測値が閾値を超えた場合に警告を発するものであるので、欠陥画素の個数、サイズ及び単位面積当りの密集度の増加率のうちの少なくとも1つの値に明確な増加傾向が現れない限り、予測値が閾値を超えず警告が発せられないことになる。粘着層とシンチレータや光検出部との間に生じた空隙に起因して放射線画像上に現れる画像欠陥には、放射線画像上の濃度が本来の濃度よりも高い欠陥部(黒欠陥部という)と、放射線画像上の濃度が本来の濃度よりも低い欠陥部(白欠陥部という)があるが、このうち白欠陥部については、乳房の放射線撮影(マンモグラフィ(Mammography)ともいう)において、石灰化領域と見間違いされる恐れがある。このため、放射線画像上に現れる白欠陥部については、明確な増加傾向が現れる前に、白欠陥部増加の確率増大を検知することが望ましいが、特許文献2に記載の技術でこれを実現することは困難である。   Further, the technique described in Patent Document 2 predicts the number of defective pixels, the size, and the density increase rate per unit area, and issues a warning when at least one predicted value exceeds a threshold value. Unless a clear increase tendency appears in at least one of the number of defective pixels, the size, and the increase rate of the density per unit area, the predicted value does not exceed the threshold value and no warning is issued. Image defects that appear on the radiographic image due to voids created between the adhesive layer and the scintillator or photodetection unit include defects that have a higher density on the radiographic image than the original density (called black defect areas). , There is a defective part (referred to as a white defect part) whose density on the radiographic image is lower than the original density. Among these, the white defect part is a calcified region in radiography of the breast (also referred to as mammography). There is a risk of being mistaken. For this reason, it is desirable to detect an increase in the probability of an increase in the white defect portion before a clear increase tendency appears in the white defect portion appearing on the radiographic image, but this is realized by the technique described in Patent Document 2. It is difficult.

本発明は上記事実を考慮して成されたもので、密着部材の経時劣化に伴って放射線画像中の白欠陥部に明確な増加傾向が現れる前に、放射線画像中の白欠陥部が増加する可能性が高くなったことを検知することが可能な放射線画像撮影装置を得ることが目的である。   The present invention has been made in consideration of the above-mentioned fact, and the white defect portion in the radiographic image increases before the clear increase tendency appears in the white defect portion in the radiographic image as the contact member deteriorates with time. The object is to obtain a radiographic imaging device capable of detecting that the possibility has increased.

上記目的を達成するために請求項1記載の発明に係る放射線画像撮影装置は、全体形状が平板状で、柱状結晶構造部を有し、照射された放射線を吸収して光を射出するシンチレータと、平板状で前記シンチレータの前記柱状結晶構造部と対向するように配置され、前記シンチレータから射出された光を放射線画像として検出する光検出部と、前記シンチレータと前記光検出部との間に配置され、前記シンチレータの前記柱状結晶構造部と第1の密着面で密着すると共に前記光検出部と第2の密着面で密着し、経時劣化に伴う密着面内の空隙の発生が前記第1の密着面内よりも前記第2の密着面内で進行するように、前記第1の密着面の密着力及び前記第2の密着面の密着力が各々設定された密着部材と、を含んで構成されている。   In order to achieve the above object, a radiographic imaging apparatus according to the invention described in claim 1 is a scintillator that has a flat plate shape as a whole, has a columnar crystal structure, and absorbs irradiated radiation to emit light. A flat plate-shaped photodetection unit arranged to face the columnar crystal structure of the scintillator and detecting light emitted from the scintillator as a radiation image, and arranged between the scintillator and the photodetection unit The columnar crystal structure portion of the scintillator is in close contact with the first contact surface, and is closely contacted with the light detection portion and the second contact surface. A contact member in which the contact force of the first contact surface and the contact force of the second contact surface are set so as to proceed in the second contact surface rather than in the contact surface. Has been.

請求項1記載の発明は、全体形状が平板状で、柱状結晶構造部を有し、照射された放射線を吸収して光を射出するシンチレータと、平板状でシンチレータの柱状結晶構造部と対向するように配置され、シンチレータから射出された光を放射線画像として検出する光検出部と、を備えている。また、シンチレータと光検出部との間には密着部材が配置されており、密着部材は、シンチレータの柱状結晶構造部と第1の密着面で密着すると共に光検出部と第2の密着面で密着している。   The invention according to claim 1 is a flat plate having a columnar crystal structure part, and having a columnar crystal structure part that absorbs irradiated radiation and emitting light, and is a flat plate and faces the columnar crystal structure part of the scintillator. And a light detection unit that detects light emitted from the scintillator as a radiation image. Further, a close contact member is disposed between the scintillator and the light detection unit, and the close contact member is in close contact with the columnar crystal structure portion of the scintillator at the first close contact surface and at the light detection unit and the second close contact surface. It is in close contact.

ここで、本願発明者等は、上記構成において、シンチレータの柱状結晶構造部と密着部材との間(第1の密着面内)に空隙が生じた場合には、この空隙が放射線画像上で白欠陥部として現れることが多く、光検出部と密着部材との間(第2の密着面内)に空隙が生じた場合には、この空隙が放射線画像上で黒欠陥部として現れることが多いことを見出した。   Here, in the above configuration, the inventors of the present application, when a gap is generated between the columnar crystal structure portion of the scintillator and the close contact member (in the first close contact surface), the white space is white on the radiographic image. It often appears as a defect part, and when a gap is generated between the light detection part and the contact member (in the second contact surface), this gap often appears as a black defect part on the radiation image. I found.

すなわち、シンチレータの柱状結晶構造部と密着部材との間(第1の密着面内)に生じる空隙は、例えばシンチレータを形成した基板に元々付いていた傷の影響を受けて密着性が低下し易くなっている部分に生じることが多く、第1の密着面内に生じる空隙の形状も基板に元々付いていた傷と同様に不定である。このため、図1に示すように、第1の密着面内に生じた空隙ではシンチレータから射出された光の散乱が生じ易く、光検出部へ入射する光の光量が減少することで、前記空隙は放射線画像上で白欠陥部として現れ易い。なお、一例として柱状結晶の平均径が10μm、1画素のサイズが100μmの場合、図1に示すように、柱状結晶数本分以上の範囲に亘って密着部材との間(第1の密着面内)に生じている空隙が放射線画像上で白欠陥として現れることになる。   That is, the gap generated between the columnar crystal structure portion of the scintillator and the close contact member (in the first close contact surface) is easily affected by scratches originally attached to the substrate on which the scintillator is formed. In many cases, the gap is formed in the portion that is formed, and the shape of the gap formed in the first contact surface is also undefined similarly to the scratch originally attached to the substrate. For this reason, as shown in FIG. 1, scattering of light emitted from the scintillator is likely to occur in the gap generated in the first contact surface, and the amount of light incident on the light detection unit is reduced, thereby reducing the gap. Tends to appear as a white defect on a radiographic image. As an example, when the average diameter of the columnar crystals is 10 μm and the size of one pixel is 100 μm, as shown in FIG. The voids generated in (inner) appear as white defects on the radiation image.

一方、光検出部と密着部材との間(第2の密着面内)に生じる空隙は、光検出部と密着部材との貼り合わせのむらが原因であることが多く、第2の密着面内に生じる空隙の形状はその殆どが円形状である。このため、図1に示すように、第2の密着面内に生じた空隙ではシンチレータから射出された光の集中が生じ易く、光検出部へ入射する光の光量が増大することで、前記空隙は放射線画像上で黒欠陥部として現れ易い。なお、第2の密着面内に生じて放射線画像上で黒欠陥として現れる空隙の大きさは、第1の密着面内に生じて放射線画像上で白欠陥として現れる空隙の大きさと同程度である。   On the other hand, the gap generated between the light detection unit and the close contact member (in the second close contact surface) is often caused by uneven bonding between the light detection unit and the close contact member. Most of the generated voids are circular. For this reason, as shown in FIG. 1, in the gap generated in the second contact surface, the light emitted from the scintillator is likely to be concentrated, and the amount of light incident on the light detection unit increases, thereby increasing the gap. Tends to appear as a black defect on a radiographic image. Note that the size of the gap that appears in the second contact surface and appears as a black defect on the radiation image is approximately the same as the size of the gap that appears in the first contact surface and appears as a white defect on the radiation image. .

上記のように、放射線画像上で黒欠陥部として現れる空隙が、放射線画像上で白欠陥部として現れる空隙とは異なる密着面内に生じる空隙であることに着目し、請求項1記載の発明では、経時劣化に伴う密着面内の空隙の発生が第1の密着面内よりも第2の密着面内で進行するように、密着部材の第1の密着面の密着力及び第2の密着面の密着力が各々設定されている。これにより、密着部材の経時劣化に伴い、放射線画像に現れる白欠陥部及び黒欠陥部のうち黒欠陥部の増加が先に進行することになるので、請求項1記載の発明によれば、放射線画像中の黒欠陥部の増加を検知することで、密着部材の経時劣化に伴って放射線画像中の白欠陥部に明確な増加傾向が現れる前に、放射線画像中の白欠陥部が増加する可能性が高くなったことを検知することが可能となる。   In the invention according to claim 1, focusing on the fact that the gap appearing as a black defect portion on the radiographic image is a gap generated in an adhesion surface different from the gap appearing as a white defect portion on the radiographic image as described above. The adhesion force of the first adhesion surface of the adhesion member and the second adhesion surface so that the generation of voids in the adhesion surface due to deterioration with time proceeds in the second adhesion surface rather than in the first adhesion surface. The adhesion strength of each is set. As a result, the increase of the black defect portion among the white defect portion and the black defect portion appearing in the radiation image progresses with the deterioration of the contact member over time. By detecting the increase in black defect in the image, the white defect in the radiographic image may increase before the clear increase in the white defect in the radiographic image appears as the contact member deteriorates over time. It becomes possible to detect that the performance has increased.

なお、請求項1記載の発明において、例えば請求項2に記載したように、光検出部によって検出された放射線画像に対し、第1の密着面内に発生した空隙に起因して放射線画像に現れる白欠陥部と、第2の密着面内に発生した空隙に起因して放射線画像に現れる黒欠陥部と、のうち少なくとも黒欠陥部を検出する欠陥部検出手段と、欠陥部検出手段によって検出された黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったか否かを判定する判定手段と、を更に設けることが好ましい。これにより、検出された黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が閾値以上になったか否かに基づいて、密着部材の経時劣化に伴って放射線画像中の白欠陥部に明確な増加傾向が現れる前に、放射線画像中の白欠陥部が増加する可能性が高くなったことを確実に検知することができる。   In the invention described in claim 1, for example, as described in claim 2, the radiation image detected by the light detection unit appears in the radiation image due to the gap generated in the first contact surface. Of the white defect portion and the black defect portion appearing in the radiation image due to the gap generated in the second contact surface, the defect portion detecting means for detecting at least the black defect portion, and the defect portion detecting means detect It is preferable to further include a determination unit that determines whether at least one of the number and area of the black defect portions is equal to or greater than a preset threshold value. Thereby, based on whether or not at least one of the number and area of the detected black defect portions is equal to or greater than the threshold value, a clear increasing tendency appears in the white defect portions in the radiographic image as the contact member deteriorates with time. Prior to this, it is possible to reliably detect that the possibility of an increase in the number of white defect portions in the radiographic image has increased.

また、請求項2記載の発明において、例えば請求項3に記載したように、判定手段によって黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったと判定された場合に報知する報知手段を設けることが好ましい。これにより、放射線画像中の白欠陥部が増加する可能性が高くなったことを、密着部材の経時劣化に伴って放射線画像中の白欠陥部に明確な増加傾向が現れる前に利用者(例えば放射線技師等)に認識させることができる。なお、報知手段による報知は、例えば放射線画像撮影装置に設けられ、複数種の表示状態に切替可能な表示手段の表示状態を切り替えることで行ってもよいし、コンソール等の外部装置へ所定の情報を送信することで行ってもよい。   Also, in the invention described in claim 2, for example, as described in claim 3, when the determination means determines that at least one of the number and area of the black defect portions is equal to or greater than a preset threshold value, a notification is given. It is preferable to provide a notification means. As a result, the possibility that the white defect portion in the radiographic image is increased is increased, the user (e.g., before the clear increase tendency appears in the white defect portion in the radiographic image with the deterioration of the contact member over time) Radiologists etc.). Note that the notification by the notification unit may be performed by switching the display state of the display unit that is provided in, for example, the radiographic imaging device and can be switched to a plurality of display states, or predetermined information to an external device such as a console. You may do this by sending.

また、請求項2又は請求項3に記載の発明において、例えば請求項4に記載したように、判定手段は、欠陥部検出手段によって検出された黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された第1の閾値以上になったか否かを判定すると共に、黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が第1の閾値よりも大きい第2の閾値以上になったか否かも判定し、判定手段により、黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が第2の閾値以上になったと判定された場合に、放射線画像の撮影を禁止させる撮影禁止処理を行う禁止処理手段を設けることが好ましい。   Further, in the invention according to claim 2 or claim 3, as described in claim 4, for example, the determination means sets in advance at least one of the number and area of the black defect portions detected by the defect portion detection means. A determination means for determining whether or not at least one of the number and area of black defect portions is equal to or greater than a second threshold value that is greater than the first threshold value. Therefore, it is preferable to provide prohibition processing means for performing an imaging prohibition process for prohibiting radiographic image capturing when it is determined that at least one of the number and area of black defect portions is equal to or greater than the second threshold.

黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が第1の閾値を越えて第2の閾値以上になった場合、放射線画像中の白欠陥部も増加している可能性が高く、放射線画像を用いて診断を行う場合の診断の精度にも悪影響を及ぼす状態になっている可能性が高いと判断できる。請求項4記載の発明では、このような場合に放射線画像の撮影を禁止させることで、白欠陥部が増加している可能性が高い放射線画像を用いて診断が行われることを未然に防止することができる。なお、禁止処理手段による撮影禁止処理についても、例えば放射線画像撮影装置に設けられ、複数種の表示状態に切替可能な表示手段の表示状態を、撮影禁止を意味する表示状態へ切り替えることで行ってもよいし、コンソール等の外部装置へ撮影禁止を意味する所定の情報を送信することで行ってもよい。   When at least one of the number and area of the black defect portions exceeds the first threshold value and exceeds the second threshold value, there is a high possibility that the white defect portions in the radiographic image are also increased. It can be determined that there is a high possibility that the diagnosis accuracy is adversely affected when the diagnosis is performed. In the invention according to claim 4, in such a case, the radiographic image is prohibited from being taken, thereby preventing the diagnosis from being performed using the radiographic image that is likely to have an increased white defect portion. be able to. Note that the imaging prohibition process by the prohibition processing unit is also performed, for example, by switching the display state of the display unit that is provided in the radiographic imaging apparatus and can be switched to a plurality of display states to a display state that means imaging prohibition. Alternatively, it may be performed by transmitting predetermined information indicating prohibition of photographing to an external device such as a console.

また、請求項2〜請求項4の何れかに記載の発明では、経時劣化に伴う密着面内の空隙の発生が第1の密着面内よりも第2の密着面内で進行するように、第1の密着面の密着力及び第2の密着面の密着力を各々設定しているものの、第1の密着面内における空隙発生の進行と第2の密着面内における空隙発生の進行との関係には多少のばらつきが生ずる可能性がある。これを考慮すると、例えば請求項5に記載したように、欠陥部検出手段は白欠陥部も検出し、判定手段は、欠陥部検出手段によって検出された白欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったか否かも判定するように構成することが好ましい。これにより、第1の密着面内における空隙発生が比較的早期に進行し、放射線画像中の白欠陥部が比較的早期に増加してきた場合にも、これを確実に検知することができる。   Further, in the invention according to any one of claims 2 to 4, so that the generation of voids in the contact surface due to deterioration with time proceeds in the second contact surface rather than in the first contact surface, Although the adhesion force of the first adhesion surface and the adhesion force of the second adhesion surface are respectively set, the progress of the void generation in the first adhesion surface and the progression of the void generation in the second adhesion surface There may be some variation in the relationship. In consideration of this, for example, as described in claim 5, the defect detection unit also detects a white defect part, and the determination unit determines whether at least one of the number and area of the white defect parts detected by the defect detection unit is It is preferable to configure so as to determine whether or not a predetermined threshold value is exceeded. Thereby, even when the generation of voids in the first contact surface progresses relatively early and white defect portions in the radiographic image increase relatively early, this can be reliably detected.

また、放射線画像を用いた診断で注目される領域は、診断対象の部位の放射線像が写っている領域であり、例えばマンモグラフィでは乳房の放射線像が放射線画像の周縁部に写る等のように、放射線画像中の注目領域は、診断対象の部位や診断目的等によって相違する。これを考慮すると、請求項4記載の発明において、例えば請求項6に記載したように、欠陥部検出手段は黒欠陥部と白欠陥部とを区別して検出し、判定手段は、欠陥部検出手段によって検出された白欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったか否かを、放射線画像を複数の領域に区切ったときの個々の領域毎に判定し、禁止処理手段は、撮影禁止処理として、複数の領域のうち、判定手段によって白欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったと判定された領域を用いる放射線画像の撮影を禁止させる処理を行うように構成してもよい。   In addition, the region of interest in diagnosis using a radiographic image is a region in which a radiographic image of a part to be diagnosed is reflected, for example, in mammography, a radiographic image of a breast is reflected in the peripheral portion of the radiographic image, etc. The attention area in the radiographic image differs depending on the part to be diagnosed, the purpose of diagnosis, and the like. In consideration of this, in the invention described in claim 4, for example, as described in claim 6, the defect detection unit detects the black defect part and the white defect part separately, and the determination unit detects the defect part detection unit. Determining whether or not at least one of the number and area of the white defect portions detected by the above is equal to or greater than a preset threshold value for each region when the radiation image is divided into a plurality of regions, and prohibition processing means Is a process for prohibiting radiographic image capturing using a region in which at least one of the number and area of white defect portions is determined to be greater than or equal to a preset threshold value by a determination unit, as a plurality of regions You may comprise so that it may perform.

これにより、第1の密着面内に発生した空隙の影響で、放射線画像中の一部領域に白欠陥部が比較的多く現れる放射線画像撮影装置であっても、前記一部領域を用いない(前記一部領域が注目領域でない)放射線画像の撮影に用いることが可能となり、密着部材の交換等のメインテナンス作業の実施を待っている状態の放射線画像撮影装置を有効に利用することが可能となる。   Thereby, even if it is a radiographic imaging device in which a white defect part appears comparatively many in a partial area in a radiographic image under the influence of the gap generated in the first contact surface, the partial area is not used ( It is possible to use for radiographic imaging (the partial area is not a target area), and it is possible to effectively use a radiographic imaging apparatus in a state of waiting for maintenance work such as replacement of a contact member. .

また、請求項2〜請求項6の何れかに記載の発明において、例えば請求項7に記載したように、判定手段による判定結果を記憶する記憶手段と、放射線画像の撮影条件として、撮影部位及び撮影される放射線画像の診断用途の少なくとも一方を表す撮影条件情報を取得する取得手段と、複数種の表示状態に切替可能な表示手段と、取得手段によって取得された撮影条件情報を記憶手段に記憶されている判定結果と照合することで、撮影条件情報が表す撮影条件での放射線画像の撮影の適否を判定し、判定結果に応じて表示手段の表示状態を切り替える表示制御手段と、を更に設けてもよい。   Further, in the invention according to any one of claims 2 to 6, for example, as described in claim 7, a storage unit that stores a determination result by the determination unit, an imaging region and An acquisition means for acquiring imaging condition information representing at least one of diagnostic uses of a radiographic image to be captured, a display means capable of switching to a plurality of types of display states, and an imaging condition information acquired by the acquisition means are stored in a storage means Display control means for determining whether or not the radiographic image is captured under the imaging condition represented by the imaging condition information by collating with the determined determination result, and switching the display state of the display means according to the determination result. May be.

上記の放射線画像の撮影の適否は撮影操作者等が判定することも可能であるが、例えば放射線画像撮影装置が複数存在している環境において、それぞれの放射線画像撮影装置における欠陥部の数やサイズは一定ではないので、撮影操作者等による上記判定に誤り等が生ずる可能性がある。これに対して請求項7記載の発明では、表示制御手段が上記判定を行、判定結果に応じて表示手段の表示状態が切り替わるので、放射線画像撮影装置が複数存在している環境においても、撮影条件情報が表す撮影条件での放射線画像の撮影に適した放射線画像撮影装置を誤りなく撮影に用いることができる。   The appropriateness of radiographic image capture can be determined by a radiographing operator or the like. For example, in an environment where a plurality of radiographic image capturing apparatuses exist, the number and size of defective portions in each radiographic image capturing apparatus. Is not constant, there is a possibility that an error or the like may occur in the determination by the photographing operator or the like. On the other hand, in the invention according to claim 7, the display control means makes the above determination, and the display state of the display means is switched according to the determination result. Therefore, even in an environment where a plurality of radiographic imaging apparatuses exist, the imaging is performed. A radiographic imaging apparatus suitable for radiographic imaging under the imaging conditions indicated by the condition information can be used for imaging without error.

また、請求項7記載の発明において、例えば請求項8に記載したように、表示手段の複数種の表示状態の中には、放射線画像撮影時の前記放射線画像撮影装置の筐体の適正な向きを指示する表示状態が含まれており、欠陥部検出手段は黒欠陥部と白欠陥部とを区別して検出し、判定手段は、欠陥部検出手段によって検出された白欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったか否かを、放射線画像を複数の領域に区切ったときの個々の領域毎に判定し、表示制御手段は、撮影条件情報が表す撮影条件が、筐体の放射線照射面のうちの一端側に被写体が撮影される撮影条件である場合には、記憶手段に記憶されている判定結果に基づいて放射線画像撮影時の前記筐体の適正な向きを判定し、表示手段の表示状態を、判定した適正な向きを指示する表示状態へ切り替えるように構成してもよい。   Further, in the invention according to claim 7, as described in claim 8, for example, among the plurality of display states of the display means, an appropriate orientation of the casing of the radiographic image capturing apparatus at the time of radiographic image capturing The defect state detection means distinguishes and detects the black defect portion and the white defect portion, and the determination means determines the number and area of the white defect portions detected by the defect portion detection means. Whether or not at least one of the radiographic images is equal to or greater than a preset threshold value is determined for each area when the radiation image is divided into a plurality of areas, and the display control means determines that the imaging condition represented by the imaging condition information is When the photographing condition is that the subject is photographed on one end of the radiation irradiation surface of the body, the proper orientation of the housing at the time of radiographic image photographing is determined based on the determination result stored in the storage unit The display status of the display means. May be configured to switch to a display state of indicating proper orientation was.

上記のように、筐体の放射線照射面のうちの一端側に被写体が撮影される撮影条件としては、例えば乳房の撮影等が挙げられる。また、筐体の適正な向きとしては、複数の領域のうち白欠陥部の数及び面積が閾値未満の領域に被写体が撮影される向きが挙げられる。請求項8記載の発明では、上記の撮影条件で撮影が行われる場合に、筐体の適正な向きが判定され、表示手段の表示状態が筐体の適正な向きを指示する表示状態へ切り替わるので、上記の撮影条件で放射線画像の撮影が行われる際に、筐体を誤りなく適正な向きに向けた状態で撮影を行わせることができる。   As described above, examples of imaging conditions under which the subject is imaged on one end side of the radiation irradiation surface of the housing include breast imaging. Further, the proper orientation of the housing includes an orientation in which a subject is photographed in a region where the number and area of white defect portions are less than a threshold among a plurality of regions. In the invention described in claim 8, when shooting is performed under the above shooting conditions, the proper orientation of the housing is determined, and the display state of the display means is switched to the display state instructing the proper orientation of the housing. When radiographic images are captured under the above-described imaging conditions, it is possible to perform imaging in a state where the casing is oriented in an appropriate direction without error.

また、請求項1〜請求項8の何れかに記載の発明において、第1の密着面の密着力及び第2の密着面の密着力を各々設定することは、例えば請求項9に記載したように、密着部材を、支持体の一方の面にシンチレータと密着するための第1の粘着層が設けられると共に、支持体の他方の面に光検出部と密着するための第2の粘着層が設けられた構成とし、第1の粘着層及び第2の粘着層の粘着力を調整することによって実現することができる。   Further, in the invention according to any one of claims 1 to 8, setting the adhesion force of the first adhesion surface and the adhesion force of the second adhesion surface, respectively, for example, as described in claim 9 In addition, a first adhesive layer for closely attaching the adhesion member to the scintillator on one surface of the support is provided, and a second adhesive layer for closely adhering to the light detection unit on the other surface of the support. This can be realized by adjusting the adhesive strength of the first adhesive layer and the second adhesive layer with the provided configuration.

また、請求項1〜請求項9の何れかに記載の発明において、例えば請求項10に記載したように、シンチレータ及び光検出部のうちの光検出部側から放射線が入射され、光検出部を透過した放射線がシンチレータに照射される構成であることが好ましい。この構成では、シンチレータ及び光検出部のうちのシンチレータ側から放射線が入射される場合と比較して、シンチレータのうち光検出部により近い部分が主発光領域となり、光検出部による受光量が増大するので、放射線画像撮影装置における放射線の検出感度を向上させることができる。   Further, in the invention according to any one of claims 1 to 9, for example, as described in claim 10, radiation is incident from the light detection unit side of the scintillator and the light detection unit, and the light detection unit is It is preferable that the scintillator is irradiated with the transmitted radiation. In this configuration, compared to the case where radiation is incident from the scintillator side of the scintillator and the light detection unit, a portion closer to the light detection unit in the scintillator becomes a main light emission region, and the amount of light received by the light detection unit increases. Therefore, the radiation detection sensitivity in the radiographic image capturing apparatus can be improved.

以上説明したように本発明は、シンチレータの柱状結晶構造部と密着部材とが第1の密着面で密着し、光検出部と密着部材とが第2の密着面で密着する構成において、経時劣化に伴う密着面内の空隙の発生が第1の密着面内よりも第2の密着面内で進行するように、第1の密着面の密着力及び第2の密着面の密着力を各々設定したので、密着部材の経時劣化に伴って放射線画像中の白欠陥部に明確な増加傾向が現れる前に、放射線画像中の白欠陥部が増加する可能性が高くなったことを検知することが可能になる、という優れた効果を有する。   As described above, according to the present invention, in the configuration in which the columnar crystal structure portion of the scintillator and the close contact member are in close contact with each other on the first close contact surface, and the light detection portion and the close contact member are in close contact with each other on the 2nd close contact surface. The adhesion force of the first adhesion surface and the adhesion force of the second adhesion surface are set so that the generation of voids in the adhesion surface due to the occurrence proceeds in the second adhesion surface rather than in the first adhesion surface. Therefore, it is possible to detect that the possibility that the white defect portion in the radiographic image increases is increased before the clear increase tendency appears in the white defect portion in the radiographic image as the contact member deteriorates with time. It has an excellent effect that it becomes possible.

密着部材とシンチレータ、光検出部との間に空隙が生じた場合に、放射線画像上に欠陥が生じることを説明するための説明図である。It is explanatory drawing for demonstrating that a defect arises on a radiographic image, when a space | gap arises between a contact | adherence member, a scintillator, and a photon detection part. 実施形態で説明した放射線情報システムの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the radiation information system demonstrated by embodiment. 放射線画像撮影システムの放射線撮影室における各装置の配置状態の一例を示す側面図である。It is a side view which shows an example of the arrangement | positioning state of each apparatus in the radiography room of a radiographic imaging system. 電子カセッテを一部破断して示す斜視図である。It is a perspective view which shows a partially broken electronic cassette. 放射線検出器の構成の一例を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed typically an example of the structure of the radiation detector. シンチレータの結晶構成の一例を模式的に示す概略図である。It is the schematic which shows typically an example of the crystal structure of a scintillator. 電子カセッテの電気系の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the electric system of an electronic cassette. コンソール及び放射線発生装置の電気系の要部構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the principal part structure of the electrical system of a console and a radiation generator. コンソールで実行される電子カセッテ検査処理の内容を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the content of the electronic cassette test | inspection process performed with a console. 電子カセッテで実行される欠陥検査処理の内容を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the content of the defect inspection process performed with an electronic cassette. (A)は放射線画像に現れる白欠陥部及び黒欠陥部の一例、(B)は放射線画像を複数領域に分割する場合の一例を各々示すイメージ図である。(A) is an example of a white defect portion and a black defect portion appearing in a radiographic image, and (B) is an image diagram showing an example of dividing a radiographic image into a plurality of regions. (A)は欠陥部の数とアラーム出力の関係の一例、(B)は欠陥部の最大サイズとアラーム出力の関係の一例を各々示す線図である。(A) is a diagram showing an example of the relationship between the number of defective portions and the alarm output, and (B) is a diagram showing an example of the relationship between the maximum size of the defective portion and the alarm output. 本発明を適用しない場合の白欠陥部/黒欠陥部の数・サイズの経時変化の一例を示す線図である。It is a diagram which shows an example of a time-dependent change of the number and size of a white defect part / black defect part at the time of not applying this invention. 放射線検出器の構成の他の例を模式的に示した断面図である。It is sectional drawing which showed the other example of the structure of the radiation detector typically. (A)は放射線画像を複数領域に分割する場合の他の例を示すイメージ図、(B)は筐体に設けた表示部の他の構成を示す斜視図である。(A) is an image figure which shows the other example at the time of dividing | segmenting a radiographic image into several area | region, (B) is a perspective view which shows the other structure of the display part provided in the housing | casing.

以下、図面を参照して本発明の実施形態の一例を詳細に説明する。図2には本実施形態に係る放射線情報システム10(以下、「RIS10」(RIS:(Radiology Information System)という)が示されている。RIS10は病院内の放射線科部門における診療予約や診断記録等の情報管理を行うためのシステムであり、複数台の端末装置12、RISサーバ14、病院内の個々の放射線撮影室(或いは手術室)に設置された放射線画像撮影システム18(のコンソール42)が、有線又は無線のLAN(Local Area Network)から成る病院内ネットワーク16に各々接続されて構成されている。なお、RIS10は同じ病院内に設けられた病院情報システム(HIS:Hospital Information System)の一部を構成しており、病院内ネットワーク16にはHIS全体を管理するHISサーバ(図示省略)も接続されている。   Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. 2 shows a radiation information system 10 (hereinafter, referred to as “RIS10” (RIS: (Radiology Information System)) according to the present embodiment, which is a medical appointment, a diagnostic record, etc. in a radiology department in a hospital. A plurality of terminal devices 12, a RIS server 14, and a radiographic imaging system 18 (console 42) installed in each radiographic room (or operating room) in a hospital. The RIS 10 is connected to an in-hospital network 16 comprising a wired or wireless LAN (Local Area Network), and the RIS 10 is a hospital information system (HIS) provided in the same hospital. A HIS server (not shown) for managing the entire HIS is also connected to the hospital network 16.

個々の端末装置12はパーソナル・コンピュータ(PC)等で構成され、医師や放射線技師によって操作される。医師や放射線技師は端末装置12を介して診断情報や施設予約の入力・閲覧を行い、放射線画像の撮影依頼(撮影予約)も端末装置12を介して入力される。また、RISサーバ14はRISデータベース(DB)を記憶する記憶部14Aを含んで構成されたコンピュータであり、RISデータベースには、患者の属性情報(例えば患者の氏名、性別、生年月日、年齢、血液型、患者ID等)や、病歴、受診歴、放射線画像撮影の履歴、過去に撮影した放射線画像のデータ等の患者に関する他の情報、個々の放射線画像撮影システム18の電子カセッテ32(後述)に関する情報(例えば識別番号、型式、サイズ、感度、使用可能な撮影部位(対応可能な撮影依頼の内容)、使用開始年月日、使用回数等)が登録されている。RISサーバ14はRISデータベースに登録されている情報に基づいて、RIS10全体を管理する処理(例えば各端末装置12からの撮影依頼を受け付け、個々の放射線画像撮影システム18における放射線画像の撮影スケジュールを管理する処理)を行う。   Each terminal device 12 is constituted by a personal computer (PC) or the like, and is operated by a doctor or a radiographer. A doctor or a radiographer inputs / views diagnostic information and facility reservation via the terminal device 12, and a radiographic imaging request (imaging reservation) is also input via the terminal device 12. The RIS server 14 is a computer configured to include a storage unit 14A for storing a RIS database (DB). The RIS database includes patient attribute information (for example, patient name, sex, date of birth, age, Blood type, patient ID, etc.), medical history, consultation history, radiographic imaging history, other information about the patient such as data of radiographic images taken in the past, electronic cassette 32 (described later) of each radiographic imaging system 18 Information related to the information (for example, identification number, model, size, sensitivity, usable imaging part (content of imaging request that can be supported), use start date, number of times of use, etc.) is registered. The RIS server 14 performs processing for managing the entire RIS 10 based on information registered in the RIS database (for example, accepts imaging requests from the terminal devices 12 and manages radiographic imaging schedules in the individual radiographic imaging systems 18). Process).

個々の放射線画像撮影システム18は、RISサーバ14から指示された放射線画像の撮影を、医師や放射線技師の操作に従って行うシステムであり、患者(被写体)に照射する放射線を発生させる放射線発生装置34、患者を透過した放射線を検出し放射線画像データに変換・出力する放射線検出器を内蔵した電子カセッテ32、電子カセッテ32に内蔵されたバッテリ96A(図4参照)を充電するクレードル40、及び、上記各機器の動作を制御するコンソール42を各々備えている。なお、電子カセッテ32は本発明に係る放射線画像撮影装置の一例である。   Each radiographic imaging system 18 is a system that performs radiographic imaging instructed by the RIS server 14 according to the operation of a doctor or radiographer, and generates a radiation generator 34 that generates radiation to be irradiated to a patient (subject). An electronic cassette 32 having a built-in radiation detector that detects radiation that has passed through the patient, converts it into radiation image data, and outputs it; a cradle 40 that charges a battery 96A (see FIG. 4) built in the electronic cassette 32; Each console 42 is provided for controlling the operation of the device. The electronic cassette 32 is an example of a radiographic image capturing apparatus according to the present invention.

図3に示すように、放射線発生装置34の放射線源130(詳細は後述)が配置される放射線撮影室44には、立位での放射線撮影を行う際に用いられる立位台45と、臥位での放射線撮影を行う際に用いられる臥位台46とが設置されており、立位台45の前方空間は立位での放射線撮影を行う際の被撮影者の撮影位置48とされ、臥位台46の上方空間は臥位での放射線撮影を行う際の被撮影者の撮影位置50とされている。立位台45には電子カセッテ32を保持する保持部150が設けられており、立位での放射線画像の撮影を行う際には電子カセッテ32が保持部150に保持される。また、臥位での放射線画像の撮影を行う際には、臥位台46の天板152上に電子カセッテ32が載置される。   As shown in FIG. 3, a radiation imaging room 44 in which a radiation source 130 (details will be described later) of the radiation generator 34 is disposed, and a standing table 45 used when performing radiation imaging in a standing position, A stand 46 used when performing radiography at the position, and the front space of the stand 45 is set as the shooting position 48 of the subject when performing radiography at the standing position, The space above the prone position 46 is set as a photographing position 50 of the person to be imaged when performing radiography in the prone position. The stand 45 is provided with a holding unit 150 that holds the electronic cassette 32, and the electronic cassette 32 is held by the holding unit 150 when a radiographic image is taken in the standing position. Further, when taking a radiographic image in the supine position, the electronic cassette 32 is placed on the top plate 152 of the supine stand 46.

また、放射線撮影室44には、単一の放射線源130からの放射線によって立位での放射線撮影も臥位での放射線撮影も可能とするために、放射線源130を、水平な軸回り(図3の矢印A方向)に回動可能で、鉛直方向(図3の矢印B方向)に移動可能で、かつ水平方向(図3の矢印C方向)に移動可能に支持する支持移動機構52が設けられている。支持移動機構52は、放射線源130を水平な軸回りに回動させる駆動源と、放射線源130を鉛直方向に移動させる駆動源と、放射線源130を水平方向に移動させる駆動源を各々備えており(何れも図示省略)、撮影条件情報で指定された撮影時姿勢が立位であれば、放射線源130を立位撮影用の位置54(射出した放射線が撮影位置48に位置している患者に側方から照射される位置)へ移動させ、撮影条件情報で指定された撮影時姿勢が臥位であれば、放射線源130を臥位撮影用の位置(射出した放射線が撮影位置50に位置している患者に上方から照射される位置)へ移動させる。   Further, in the radiation imaging room 44, the radiation source 130 is arranged around a horizontal axis (see FIG. 5) in order to enable radiation imaging in a standing position and in a standing position by radiation from a single radiation source 130. 3 is provided, and a support moving mechanism 52 is provided that can be rotated in the direction of arrow A in FIG. It has been. The support moving mechanism 52 includes a drive source that rotates the radiation source 130 around a horizontal axis, a drive source that moves the radiation source 130 in the vertical direction, and a drive source that moves the radiation source 130 in the horizontal direction. If the posture at the time of imaging specified by the imaging condition information is standing, the radiation source 130 is set to the position 54 for standing imaging (the patient whose emitted radiation is located at the imaging position 48). If the posture at the time of photographing designated by the photographing condition information is in the supine position, the radiation source 130 is placed at the position for supine photographing (the emitted radiation is located at the photographing position 50). The patient is moved to the position irradiated from above.

また、クレードル40には電子カセッテ32を収納可能な収容部40Aが形成されている。電子カセッテ32は、未使用時にはクレードル40の収容部40Aに収納され、この状態でクレードル40によって内蔵バッテリへの充電が行われる。また、放射線画像の撮影時には放射線技師等によってクレードル40から取り出され、撮影姿勢が立位であれば立位台45の保持部150に保持され、撮影姿勢が臥位であれば臥位台46の天板152上に載置される。なお、電子カセッテ32は撮影時に上記2種類の位置の何れかに配置されることに限られるものではなく、電子カセッテ32は可搬性を有しているので、撮影時に放射線撮影室44内の任意の位置に自在に配置可能であることは言うまでもない。   In addition, the cradle 40 is formed with an accommodating portion 40 </ b> A that can accommodate the electronic cassette 32. The electronic cassette 32 is accommodated in the accommodating portion 40A of the cradle 40 when not in use, and the built-in battery is charged by the cradle 40 in this state. Further, when the radiographic image is taken, it is taken out from the cradle 40 by a radiographer or the like, and is held by the holding unit 150 of the stand 45 if the radiographing posture is in the upright position. It is placed on the top plate 152. It should be noted that the electronic cassette 32 is not limited to being disposed at any of the above two types of positions at the time of imaging, and the electronic cassette 32 has portability, so that it can be arbitrarily placed in the radiation imaging room 44 at the time of imaging. It goes without saying that it can be arranged freely at the position of

次に電子カセッテ32について説明する。図4に示すように、電子カセッテ32は、放射線Xを透過させる材料から成り、矩形状で放射線Xが照射される照射面56が形成された直方体状の筐体54を備えている。電子カセッテ32は、手術室等で使用される際に血液やその他の雑菌が付着することがある。このため、電子カセッテ32は筐体54によって密閉され、防水性も確保された構造とされており、必要に応じて殺菌洗浄することで同一の電子カセッテ32を繰り返し使用可能とされている。   Next, the electronic cassette 32 will be described. As shown in FIG. 4, the electronic cassette 32 includes a rectangular parallelepiped casing 54 made of a material that transmits the radiation X and having a rectangular irradiation surface 56 on which the radiation X is irradiated. When the electronic cassette 32 is used in an operating room or the like, blood or other bacteria may adhere to it. For this reason, the electronic cassette 32 is hermetically sealed by the housing 54 and has a waterproof structure, and the same electronic cassette 32 can be used repeatedly by sterilizing and washing as necessary.

電子カセッテ32の筐体54内には、被撮影者を透過した放射線Xの到来方向に沿って、筐体54の放射線Xの照射面56側から順に、本発明の光検出部としての放射線検出器60、本発明のシンチレータとしてのシンチレータ71が積層配置されている。また、筐体54の内部には、照射面56の長手方向に沿った一端側に、マイクロコンピュータを含む各種の電子回路や、充電可能かつ着脱可能なバッテリ96Aを収容するケース31が配置されている。放射線検出器60や上記の各種電子回路は、ケース31内に収容されたバッテリ96Aから供給される電力によって作動する。ケース31内に収容された各種電子回路が放射線Xの照射に伴って損傷することを回避するため、筐体54内のうちケース31の照射面56側には鉛板等から成る放射線遮蔽部材が配設されている。   In the housing 54 of the electronic cassette 32, radiation detection as a light detection unit of the present invention is performed in order from the radiation X irradiation surface 56 side of the housing 54 along the arrival direction of the radiation X that has passed through the subject. And a scintillator 71 as a scintillator of the present invention. In addition, a case 31 that houses various electronic circuits including a microcomputer and a rechargeable and detachable battery 96 </ b> A is disposed inside the housing 54 at one end along the longitudinal direction of the irradiation surface 56. Yes. The radiation detector 60 and the various electronic circuits described above are operated by electric power supplied from a battery 96 </ b> A housed in the case 31. In order to avoid damaging the various electronic circuits housed in the case 31 with the radiation X, a radiation shielding member made of a lead plate or the like is provided on the irradiation surface 56 side of the case 31 in the housing 54. It is arranged.

また、筐体54の照射面56には、複数個のLEDから成り、電子カセッテ32の動作モード(例えば「レディ状態」や「データ送信中」等)やバッテリ96Aの残容量の状態等の動作状態を表示するための表示部56Aが設けられている。なお、表示部56AはLED以外の発光素子で構成してもよいし、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等の表示手段で構成してもよい。また、表示部56Aは照射面56以外の部位に設けてもよい。   Further, the irradiation surface 56 of the housing 54 is composed of a plurality of LEDs, and the operation such as the operation mode of the electronic cassette 32 (for example, “ready state” or “data transmitting”), the remaining capacity state of the battery 96A, and the like. A display unit 56A for displaying the state is provided. The display unit 56A may be composed of a light emitting element other than an LED, or may be composed of display means such as a liquid crystal display or an organic EL display. The display unit 56 </ b> A may be provided at a site other than the irradiation surface 56.

次にシンチレータ71について説明する。シンチレータ71は、被撮影者の体を透過した筐体54の照射面56に照射され、筐体54の天板及び放射線検出器(TFT基板)60を透過して照射された放射線Xを吸収して光を放出する。一般に、シンチレータとしては、例えばCsI:Tl(タリウムを添加したヨウ化セシウム))や、CsI:Na(ナトリウム賦活ヨウ化セシウム)、GOS(GdS:Tb)等の材料を用いることができる。 Next, the scintillator 71 will be described. The scintillator 71 irradiates the irradiation surface 56 of the housing 54 that has passed through the body of the subject, and absorbs the radiation X irradiated through the top plate of the housing 54 and the radiation detector (TFT substrate) 60. Emit light. In general, as the scintillator, for example, a material such as CsI: Tl (cesium iodide added with thallium)), CsI: Na (sodium-activated cesium iodide), GOS (Gd 2 O 2 S: Tb), or the like may be used. it can.

但し、本実施形態では、例として図6に示すように、シンチレータ71を、放射線入射/光射出側(放射線検出器60)に柱状結晶71Aから成る柱状結晶領域が形成され、シンチレータ71の放射線入射側と反対側に非柱状結晶71Bから成る非柱状結晶領域が形成された構成としており、シンチレータ71としてCsIを含む材料を用い、当該材料を蒸着基板75に蒸着させることで、柱状結晶領域及び非柱状結晶領域が形成されたシンチレータ71を得ている。なお、蒸着基板75としては耐熱性の高い材料が望ましく、例えば低コストという観点からアルミニウムが好適である。なお、本実施形態に係るシンチレータ71は、柱状結晶71Aの平均径が柱状結晶71Aの長手方向に沿っておよそ均一とされている。   However, in this embodiment, as shown in FIG. 6 as an example, the scintillator 71 is formed with a columnar crystal region composed of columnar crystals 71A on the radiation incident / light emission side (radiation detector 60), and the radiation incident on the scintillator 71 A non-columnar crystal region composed of a non-columnar crystal 71B is formed on the opposite side, and a material containing CsI is used as the scintillator 71, and the material is vapor-deposited on the vapor deposition substrate 75. A scintillator 71 in which columnar crystal regions are formed is obtained. The vapor deposition substrate 75 is preferably made of a material having high heat resistance, and aluminum is preferable from the viewpoint of low cost. In the scintillator 71 according to this embodiment, the average diameter of the columnar crystals 71A is approximately uniform along the longitudinal direction of the columnar crystals 71A.

上記のように、シンチレータ71を柱状結晶領域及び非柱状結晶領域が形成された構成にすると共に、高効率の発光が得られる柱状結晶71Aから成る柱状結晶領域を放射線検出器60側に配置することで、シンチレータ71で発生された光は柱状結晶71A内を進行して放射線検出器60へ射出され、放射線検出器60側へ射出される光の拡散が抑制されることで、電子カセッテ32によって検出される放射線画像のボケが抑制される。また、シンチレータ71の深部(非柱状結晶領域)に到達した光も、非柱状結晶71Bによって放射線検出器60側へ反射されることで、放射線検出器60に入射される光の光量(シンチレータ71で発光された光の検出効率)が向上する。   As described above, the scintillator 71 has a structure in which a columnar crystal region and a non-columnar crystal region are formed, and a columnar crystal region composed of the columnar crystal 71A from which high-efficiency light emission is obtained is disposed on the radiation detector 60 side. Thus, the light generated by the scintillator 71 travels through the columnar crystal 71A and is emitted to the radiation detector 60, and the diffusion of the light emitted to the radiation detector 60 side is suppressed, so that it is detected by the electronic cassette 32. The blur of the radiation image is suppressed. Further, the light that reaches the deep part (non-columnar crystal region) of the scintillator 71 is also reflected by the non-columnar crystal 71B toward the radiation detector 60, so that the amount of light incident on the radiation detector 60 (in the scintillator 71). The detection efficiency of the emitted light is improved.

なお、シンチレータ71の放射線入射側に位置する柱状結晶領域の厚みをt1とし、シンチレータ71の蒸着基板75側に位置する非柱状結晶領域の厚みをt2としたときに、t1とt2が下記の関係式を満たすことが好ましい。
0.01≦(t2/t1)≦0.25
When the thickness of the columnar crystal region located on the radiation incident side of the scintillator 71 is t1, and the thickness of the non-columnar crystal region located on the vapor deposition substrate 75 side of the scintillator 71 is t2, t1 and t2 have the following relationship: It is preferable to satisfy the formula.
0.01 ≦ (t2 / t1) ≦ 0.25

柱状結晶領域の厚みt1と非柱状結晶領域の厚みt2とが上記関係式を満たすことで、発光効率が高く光の拡散を防止する領域(柱状結晶領域)と、光を反射する領域(非柱状結晶領域)と、のシンチレータ71の厚み方向に沿った比率が好適な範囲となり、シンチレータ71の発光効率、シンチレータ71で発光された光の検出効率、及び、放射線画像の解像度が向上する。非柱状結晶領域の厚みt2が厚過ぎると発光効率の低い領域が増え、電子カセッテ32の感度の低下に繋がることから、(t2/t1)は0.02以上かつ0.1以下の範囲であることがより好ましい。   When the thickness t1 of the columnar crystal region and the thickness t2 of the non-columnar crystal region satisfy the above relational expression, a region that has high luminous efficiency and prevents light diffusion (columnar crystal region), and a region that reflects light (noncolumnar) The ratio of the scintillator 71 along the thickness direction of the scintillator 71 becomes a suitable range, and the light emission efficiency of the scintillator 71, the detection efficiency of the light emitted by the scintillator 71, and the resolution of the radiation image are improved. If the thickness t2 of the non-columnar crystal region is too thick, the region with low light emission efficiency increases and the sensitivity of the electronic cassette 32 is lowered. Therefore, (t2 / t1) is more preferably in the range of 0.02 or more and 0.1 or less. .

また、上記では柱状結晶領域と非柱状結晶領域が連続的に形成された構成のシンチレータ71を説明したが、例えば上記の非柱状結晶領域に代えてアルミニウム等から成る光反射層が設けられ、柱状結晶領域のみが形成された構成であってもよいし、他の構成であってもよい。   In the above description, the scintillator 71 having a structure in which the columnar crystal region and the non-columnar crystal region are continuously formed has been described. For example, instead of the non-columnar crystal region, a light reflection layer made of aluminum or the like is provided, and the columnar crystal region is formed. Only a crystal region may be formed, or another structure may be used.

続いて放射線検出器60について説明する。放射線検出器60は、シンチレータ71の光射出側から射出された光を検出するものであり、図5に示すように、フォトダイオード(PD:PhotoDiode)等から成る光電変換部72、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)70及び蓄積容量68を備えた画素部74が、図5に示すように、平板状で平面視における外形形状が矩形状とされた絶縁性基板64上にマトリクス状に複数形成されたTFTアクティブマトリクス基板(以下、「TFT基板」という)で構成されている。   Next, the radiation detector 60 will be described. The radiation detector 60 detects light emitted from the light emission side of the scintillator 71. As shown in FIG. 5, a photoelectric conversion unit 72 composed of a photodiode (PD: PhotoDiode) and the like, a thin film transistor (TFT: As shown in FIG. 5, a plurality of pixel portions 74 each having a thin film transistor 70 and a storage capacitor 68 are formed in a matrix on an insulating substrate 64 having a flat plate shape and a rectangular outer shape in plan view. TFT active matrix substrate (hereinafter referred to as “TFT substrate”).

なお、本実施形態では、シンチレータ71の放射線照射面側に放射線検出器(TFT基板)60が配置されているが、シンチレータと光検出検出部(放射線検出器60)をこのような位置関係で配置する方式は「表面読取方式(ISS:Irradiation Side Sampling)」と称する(請求項10記載の発明に相当する構成)。シンチレータは放射線入射側がより強く発光するので、シンチレータの放射線入射側に光検出部(放射線検出器)を配置する表面読取方式(ISS)は、シンチレータの放射線入射側と反対側に光検出部(放射線検出器)を配置する「裏面読取方式(PSS:Penetration Side Sampling)」よりも光検出部とシンチレータの発光位置とが接近することから、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高く、また光検出部(放射線検出器)の受光量が増大することで、結果として放射線画像撮影装置(電子カセッテ)の感度が向上する。   In this embodiment, the radiation detector (TFT substrate) 60 is disposed on the radiation irradiation surface side of the scintillator 71. However, the scintillator and the light detection detector (radiation detector 60) are disposed in such a positional relationship. This method is called “surface reading method (ISS: Irradiation Side Sampling)” (configuration corresponding to the invention of claim 10). Since the scintillator emits light more strongly on the radiation incident side, the surface reading method (ISS) in which the light detector (radiation detector) is arranged on the radiation incident side of the scintillator is the light detector (radiation) on the side opposite to the radiation incident side of the scintillator. Since the light detection unit and the light emission position of the scintillator are closer than the “PSS (Penetration Side Sampling)” where the detector is placed, the resolution of the radiographic image obtained by imaging is high, and the light detection unit Increasing the amount of light received by the (radiation detector) results in an improvement in the sensitivity of the radiographic imaging device (electronic cassette).

光電変換部72は、下部電極72Aと上部電極72Bとの間に、シンチレータ71から放出された光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する光電変換膜72Cが配置されて構成されている。なお、下部電極72Aは、シンチレータ71から放出された光を光電変換膜72Cに入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ71の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物(TCO;Transparent Conducting Oxide)を用いることが好ましい。なお、下部電極72AとしてAuなどの金属薄膜を用いることもできるが、90%以上の光透過率を得ようとすると抵抗値が増大し易くなるため、TCOの方が好ましい。例えば、ITO、IZO、AZO、FTO、SnO、TiO、ZnO等を用いることが好ましく、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からITOが最も好ましい。なお、下部電極72Aは、全画素部共通の一枚構成としてもよいし、画素部毎に分割してもよい。 The photoelectric conversion unit 72 is configured such that a photoelectric conversion film 72C that absorbs light emitted from the scintillator 71 and generates charges according to the absorbed light is disposed between the lower electrode 72A and the upper electrode 72B. Yes. The lower electrode 72A is preferably made of a conductive material that is transparent at least with respect to the emission wavelength of the scintillator 71, since the light emitted from the scintillator 71 needs to enter the photoelectric conversion film 72C. It is preferable to use a transparent conductive oxide (TCO) that has a high transmittance for visible light and a small resistance value. Although a metal thin film such as Au can be used as the lower electrode 72A, the TCO is preferable because it tends to increase the resistance value when an optical transmittance of 90% or more is obtained. For example, ITO, IZO, AZO, FTO, SnO 2 , TiO 2 , ZnO 2 or the like is preferably used, and ITO is most preferable from the viewpoint of process simplicity, low resistance, and transparency. The lower electrode 72A may have a single configuration common to all the pixel portions, or may be divided for each pixel portion.

また、光電変換膜72Cはシンチレータ71から放出された光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。光電変換膜72Cを構成する材料は光を吸収して電荷を発生する材料であればよく、例えば、アモルファスシリコンや有機光電変換材料等を用いることができる。光電変換膜72Cをアモルファスシリコンで構成した場合、シンチレータ71から放出された光を広い波長域に亘って吸収するように構成することができる。但し、アモルファスシリコンから成る光電変換膜72Cの形成には蒸着を行う必要があり、絶縁性基板64が合成樹脂製である場合、絶縁性基板64の耐熱性が不足する可能性がある。   The photoelectric conversion film 72C absorbs the light emitted from the scintillator 71 and generates a charge corresponding to the absorbed light. The material constituting the photoelectric conversion film 72 </ b> C may be any material that absorbs light and generates charges, and for example, amorphous silicon, an organic photoelectric conversion material, or the like can be used. When the photoelectric conversion film 72 </ b> C is made of amorphous silicon, the light emitted from the scintillator 71 can be configured to absorb over a wide wavelength range. However, it is necessary to perform vapor deposition for forming the photoelectric conversion film 72C made of amorphous silicon. If the insulating substrate 64 is made of a synthetic resin, the heat resistance of the insulating substrate 64 may be insufficient.

一方、光電変換膜72Cを有機光電変換材料を含む材料で構成した場合は、主に可視光域で高い吸収を示す吸収スペクトルが得られ、光電変換膜72Cによるシンチレータ71から放出された光以外の電磁波の吸収が殆ど無くなるので、X線やγ線等の放射線が光電変換膜72Cで吸収されることで発生するノイズを抑制できる。また、有機光電変換材料から成る光電変換膜72Cは、インクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドを用いて有機光電変換材料を被形成体上に付着させることで形成させることができ、被形成体に対して耐熱性は要求されない。このため、本実施形態では、光電変換部72の光電変換膜72Cを有機光電変換材料で構成している。   On the other hand, when the photoelectric conversion film 72C is made of a material containing an organic photoelectric conversion material, an absorption spectrum showing high absorption mainly in the visible light region is obtained, and light other than light emitted from the scintillator 71 by the photoelectric conversion film 72C is obtained. Since almost no electromagnetic wave is absorbed, it is possible to suppress noise generated when radiation such as X-rays and γ-rays is absorbed by the photoelectric conversion film 72C. In addition, the photoelectric conversion film 72C made of an organic photoelectric conversion material can be formed by attaching an organic photoelectric conversion material on a body to be formed using a droplet discharge head such as an inkjet head. Heat resistance is not required. For this reason, in this embodiment, the photoelectric conversion film 72C of the photoelectric conversion unit 72 is formed of an organic photoelectric conversion material.

光電変換膜72Cを有機光電変換材料で構成した場合、光電変換膜72Cで放射線が殆ど吸収されないので、放射線が透過するように放射線検出器60が配置される表面読取方式(ISS)において、放射線検出器60を透過することによる放射線の減衰を抑制することができ、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。従って、光電変換膜72Cを有機光電変換材料で構成することは、特に表面読取方式(ISS)に好適である。   When the photoelectric conversion film 72C is made of an organic photoelectric conversion material, radiation is hardly absorbed by the photoelectric conversion film 72C. Therefore, in the surface reading method (ISS) in which the radiation detector 60 is disposed so that the radiation is transmitted, radiation detection is performed. Attenuation of radiation due to transmission through the vessel 60 can be suppressed, and a decrease in sensitivity to radiation can be suppressed. Therefore, it is particularly suitable for the surface reading method (ISS) to configure the photoelectric conversion film 72C with an organic photoelectric conversion material.

光電変換膜72Cを構成する有機光電変換材料は、シンチレータ71から放出された光を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ71の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ71の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ71から放出された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ71の放射線に対する発光ピーク波長との差が10nm以内であることが好ましく、5nm以内であることがより好ましい。   The organic photoelectric conversion material constituting the photoelectric conversion film 72 </ b> C preferably has an absorption peak wavelength that is closer to the emission peak wavelength of the scintillator 71 in order to absorb light emitted from the scintillator 71 most efficiently. Ideally, the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material coincides with the emission peak wavelength of the scintillator 71, but if the difference between the two is small, the light emitted from the scintillator 71 can be sufficiently absorbed. . Specifically, the difference between the absorption peak wavelength of the organic photoelectric conversion material and the emission peak wavelength with respect to the radiation of the scintillator 71 is preferably within 10 nm, and more preferably within 5 nm.

このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は560nmであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ71の材料としてCsI(Tl)を用いれば、上記ピーク波長の差を5nm以内にすることが可能となり、光電変換膜72Cで発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。   Examples of organic photoelectric conversion materials that can satisfy such conditions include quinacridone-based organic compounds and phthalocyanine-based organic compounds. For example, since the absorption peak wavelength in the visible region of quinacridone is 560 nm, if quinacridone is used as the organic photoelectric conversion material and CsI (Tl) is used as the material of the scintillator 71, the difference in peak wavelength can be made within 5 nm. Thus, the amount of charge generated in the photoelectric conversion film 72C can be substantially maximized.

放射線画像撮影装置に適用可能な光電変換膜72Cについて具体的に説明する。放射線画像撮影装置における電磁波吸収/光電変換部位は、電極72A,72Bと、該電極72A,72Bに挟まれた光電変換膜72Cを含む有機層である。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、及び、層間接触改良部位等を積み重ねるか、若しくは混合することで形成することができる。   The photoelectric conversion film 72C applicable to the radiation image capturing apparatus will be specifically described. The electromagnetic wave absorption / photoelectric conversion site in the radiographic imaging apparatus is an organic layer including electrodes 72A and 72B and a photoelectric conversion film 72C sandwiched between the electrodes 72A and 72B. More specifically, this organic layer is a part that absorbs electromagnetic waves, a photoelectric conversion part, an electron transport part, a hole transport part, an electron blocking part, a hole blocking part, a crystallization preventing part, an electrode, and an interlayer contact. It can be formed by stacking or mixing improved parts.

上記有機層は、有機p型化合物または有機n型化合物を含有することが好ましい。有機p型半導体(化合物)は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体(化合物)であり、電子を供与しやすい性質を有する有機化合物である。さらに詳しくは2つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物である。従って、ドナー性有機化合物としては、電子供与性を有する有機化合物であれば何れの有機化合物も使用可能である。有機n型半導体(化合物)は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体(化合物)であり、電子を受容し易い性質を有する有機化合物である。更に詳しくは2つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物である。従って、アクセプター性有機化合物は、電子受容性を有する有機化合物であれば何れの有機化合物も使用可能である。   The organic layer preferably contains an organic p-type compound or an organic n-type compound. An organic p-type semiconductor (compound) is a donor organic semiconductor (compound) mainly represented by a hole transporting organic compound, and is an organic compound having a property of easily donating electrons. More specifically, an organic compound having a smaller ionization potential when two organic materials are used in contact with each other. Accordingly, any organic compound having an electron donating property can be used as the donor organic compound. The organic n-type semiconductor (compound) is an acceptor organic semiconductor (compound) mainly represented by an electron transporting organic compound, and is an organic compound having a property of easily accepting electrons. More specifically, the organic compound having the higher electron affinity when two organic compounds are used in contact with each other. Therefore, any organic compound can be used as the acceptor organic compound as long as it is an organic compound having an electron accepting property.

有機p型半導体及び有機n型半導体として適用可能な材料や、光電変換膜72Cの構成については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。   Since the materials applicable as the organic p-type semiconductor and the organic n-type semiconductor and the configuration of the photoelectric conversion film 72C are described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, description thereof is omitted.

また、光電変換部72は、少なくとも電極対72A,72Bと光電変換膜72Cを含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜及び正孔ブロッキング膜の少なくとも何れかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。   In addition, the photoelectric conversion unit 72 only needs to include at least the electrode pairs 72A and 72B and the photoelectric conversion film 72C, but in order to suppress an increase in dark current, at least one of an electron blocking film and a hole blocking film is provided. It is preferable to provide both.

電子ブロッキング膜は、上部電極72Bと光電変換膜72Cとの間に設けることができ、上部電極72Bと下部電極72Aとの間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極72Bから光電変換膜72Cに電子が注入されて暗電流が増加してしまうことを抑制することができる。電子ブロッキング膜には電子供与性有機材料を用いることができる。実際に電子ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜72Cの材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上電子親和力(Ea)が大きく、かつ、隣接する光電変換膜72Cの材料のイオン化ポテンシャル(Ip)と同等のIp、若しくはそれより小さいIpを有するものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。   The electron blocking film can be provided between the upper electrode 72B and the photoelectric conversion film 72C. When a bias voltage is applied between the upper electrode 72B and the lower electrode 72A, the electron blocking film is applied from the upper electrode 72B to the photoelectric conversion film 72C. An increase in dark current due to injection of electrons can be suppressed. An electron donating organic material can be used for the electron blocking film. The material actually used for the electron blocking film may be selected according to the material of the adjacent electrode and the material of the adjacent photoelectric conversion film 72C, and the electron affinity is 1.3 eV or more from the work function (Wf) of the adjacent electrode material. A material having a large (Ea) and an Ip equivalent to or smaller than the ionization potential (Ip) of the material of the adjacent photoelectric conversion film 72C is preferable. Since the material applicable as the electron donating organic material is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, description thereof is omitted.

電子ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、光電変換部72の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、より好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。   The thickness of the electron blocking film is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, and particularly preferably, in order to reliably exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion unit 72. It is 50 nm or more and 100 nm or less.

正孔ブロッキング膜は、光電変換膜72Cと下部電極72Aとの間に設けることができ、上部電極72Bと下部電極72Aとの間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極72Aから光電変換膜72Cに正孔が注入されて暗電流が増加してしまうことを抑制することができる。正孔ブロッキング膜には電子受容性有機材料を用いることができる。実際に正孔ブロッキング膜に用いる材料は、隣接する電極の材料及び隣接する光電変換膜72Cの材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数(Wf)より1.3eV以上イオン化ポテンシャル(Ip)が大きく、かつ、隣接する光電変換膜72Cの材料の電子親和力(Ea)と同等のEa、若しくはそれより大きいEaを有するものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開2009−32854号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。   The hole blocking film can be provided between the photoelectric conversion film 72C and the lower electrode 72A, and when a bias voltage is applied between the upper electrode 72B and the lower electrode 72A, the lower electrode 72A to the photoelectric conversion film 72C. It is possible to suppress the increase of dark current due to injection of holes into the substrate. An electron-accepting organic material can be used for the hole blocking film. The material actually used for the hole blocking film may be selected in accordance with the material of the adjacent electrode and the material of the adjacent photoelectric conversion film 72C, and the ionization is 1.3 eV or more from the work function (Wf) of the adjacent electrode material. It is preferable that the potential (Ip) is large and that the Ea is equal to or larger than the electron affinity (Ea) of the material of the adjacent photoelectric conversion film 72C. Since the material applicable as the electron-accepting organic material is described in detail in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-32854, description thereof is omitted.

正孔ブロッキング膜の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させると共に、光電変換部72の光電変換効率の低下を防ぐため、10nm以上200nm以下が好ましく、より好ましくは30nm以上150nm以下、特に好ましくは50nm以上100nm以下である。   The thickness of the hole blocking film is preferably 10 nm or more and 200 nm or less, more preferably 30 nm or more and 150 nm or less, particularly preferably, in order to surely exhibit the dark current suppressing effect and prevent a decrease in the photoelectric conversion efficiency of the photoelectric conversion unit 72. Is from 50 nm to 100 nm.

なお、光電変換膜72Cで発生した電荷のうち、正孔が下部電極72Aに移動し、電子が上部電極72Bに移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜の位置を逆にすれば良い。また、電子ブロッキング膜と正孔ブロッキング膜は両方設けることは必須ではなく、何れかを設けておけば、或る程度の暗電流抑制効果を得ることができる。   When the bias voltage is set so that holes move to the lower electrode 72A and electrons move to the upper electrode 72B among the charges generated in the photoelectric conversion film 72C, the electron blocking film and the hole blocking film are used. It is sufficient to reverse the position of. Moreover, it is not essential to provide both the electron blocking film and the hole blocking film, and if any of them is provided, a certain degree of dark current suppressing effect can be obtained.

TFT70は、ゲート電極、ゲート絶縁膜及び活性層(チャネル層)が積層され、更に活性層上にソース電極とドレイン電極が所定の間隔を隔てて形成されている。活性層は、例えばアモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブ等のうちの何れかにより形成することができるが、活性層を形成可能な材料はこれらに限定されるものではない。   In the TFT 70, a gate electrode, a gate insulating film, and an active layer (channel layer) are stacked, and a source electrode and a drain electrode are formed on the active layer at a predetermined interval. The active layer can be formed of any one of, for example, amorphous silicon, amorphous oxide, organic semiconductor material, carbon nanotube, etc., but the material capable of forming the active layer is not limited to these. .

活性層を形成可能な非晶質酸化物としては、例えば、In、Ga及びZnのうちの少なくとも1つを含む酸化物(例えばIn−O系)が好ましく、In、Ga及びZnのうちの少なくとも2つを含む酸化物(例えばIn−Zn−O系、In−Ga−O系、Ga−Zn−O系)がより好ましく、In、Ga及びZnを含む酸化物が特に好ましい。In−Ga−Zn−O系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がInGaO(ZnO)(mは6未満の自然数)で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、InGaZnOがより好ましい。なお、活性層を形成可能な非晶質酸化物はこれらに限定されるものではない。 As an amorphous oxide capable of forming an active layer, for example, an oxide containing at least one of In, Ga, and Zn (for example, an In-O system) is preferable, and at least one of In, Ga, and Zn is used. Oxides containing two (eg, In—Zn—O, In—Ga—O, and Ga—Zn—O) are more preferable, and oxides including In, Ga, and Zn are particularly preferable. As the In—Ga—Zn—O-based amorphous oxide, an amorphous oxide whose composition in a crystalline state is represented by InGaO 3 (ZnO) m (m is a natural number less than 6) is preferable, and InGaZnO is particularly preferable. 4 is more preferable. Note that the amorphous oxide capable of forming the active layer is not limited to these.

また、活性層を形成可能な有機半導体材料としては、例えば、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開2009−212389号公報で詳細に説明されているため、説明を省略する。   Examples of the organic semiconductor material capable of forming an active layer include, but are not limited to, phthalocyanine compounds, pentacene, vanadyl phthalocyanine, and the like. In addition, about the structure of a phthalocyanine compound, since it demonstrates in detail by Unexamined-Japanese-Patent No. 2009-212389, description is abbreviate | omitted.

TFT70の活性層を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブ等のうちの何れかによって形成すれば、X線等の放射線を吸収せず、或いは吸収したとしても極めて微量に留まるため、信号出力部104におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。   If the active layer of the TFT 70 is formed of any one of an amorphous oxide, an organic semiconductor material, a carbon nanotube, etc., the radiation such as X-rays is not absorbed, or even if it is absorbed, the amount remains very small. Generation of noise in the output unit 104 can be effectively suppressed.

また、活性層をカーボンナノチューブで形成した場合、TFT70のスイッチング速度を高速化することができ、また、TFT70における可視光域の光の吸収度合いを低下させることができる。なお、活性層をカーボンナノチューブで形成する場合、活性層にごく微量の金属性不純物が混入しただけでTFT70の性能が著しく低下するため、遠心分離等により非常に純度の高いカーボンナノチューブを分離・抽出して活性層の形成に用いる必要がある。   Further, when the active layer is formed of carbon nanotubes, the switching speed of the TFT 70 can be increased, and the degree of light absorption in the visible light region of the TFT 70 can be reduced. In addition, when the active layer is formed of carbon nanotubes, the performance of the TFT 70 is remarkably deteriorated just by mixing a very small amount of metallic impurities into the active layer. Therefore, it must be used for forming the active layer.

なお、有機光電変換材料で形成した膜及び有機半導体材料で形成した膜は何れも十分な可撓性を有しているので、有機光電変換材料で形成した光電変換膜72Cと、活性層を有機半導体材料で形成したTFT70と、を組み合わせた構成であれば、患者の体の重みが荷重として加わる放射線検出器60の高剛性化は必ずしも必要ではなくなる。   In addition, since the film | membrane formed with the organic photoelectric conversion material and the film | membrane formed with the organic-semiconductor material have sufficient flexibility, the photoelectric conversion film 72C formed with the organic photoelectric conversion material, and an active layer are made into organic. If the TFT 70 made of a semiconductor material is combined, it is not always necessary to increase the rigidity of the radiation detector 60 in which the weight of the patient's body is added as a load.

また、絶縁性基板64は光透過性を有し且つ放射線の吸収が少ないものであればよい。ここで、TFT70の活性層を構成する非晶質酸化物や、光電変換部72の光電変換膜72Cを構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、絶縁性基板64としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、合成樹脂製の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ(クロロトリフルオロエチレン)等の可撓性基板を用いることができる。このような合成樹脂製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。なお、絶縁性基板64には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。   Further, the insulating substrate 64 may be any substrate as long as it has optical transparency and little radiation absorption. Here, both the amorphous oxide constituting the active layer of the TFT 70 and the organic photoelectric conversion material constituting the photoelectric conversion film 72C of the photoelectric conversion portion 72 can be formed at a low temperature. Therefore, the insulating substrate 64 is not limited to a substrate having high heat resistance such as a semiconductor substrate, a quartz substrate, and a glass substrate, and a flexible substrate made of synthetic resin, aramid, or bionanofiber can also be used. Specifically, flexible materials such as polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate, polyethylene naphthalate, polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, poly (chlorotrifluoroethylene), etc. A conductive substrate can be used. By using such a flexible substrate made of synthetic resin, it is possible to reduce the weight, which is advantageous for carrying around, for example. The insulating substrate 64 includes an insulating layer for ensuring insulation, a gas barrier layer for preventing permeation of moisture and oxygen, an undercoat layer for improving flatness or adhesion to electrodes, and the like. May be provided.

なお、アラミドは200度以上の高温プロセスを適用できるため、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバICの自動実装にも対応できる。また、アラミドはITO(indium tin oxide)やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて基板を薄型化できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して絶縁性基板64を形成してもよい。   Since aramid can be applied at a high temperature process of 200 ° C. or more, the transparent electrode material can be cured at a high temperature to reduce the resistance, and can be applied to automatic mounting of a driver IC including a solder reflow process. Moreover, since aramid has a thermal expansion coefficient close to that of ITO (indium tin oxide) or a glass substrate, there is little warping after manufacturing and it is difficult to break. In addition, aramid can make a substrate thinner than a glass substrate or the like. Note that the insulating substrate 64 may be formed by stacking an ultrathin glass substrate and aramid.

また、バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束(バクテリアセルロース)と透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅50nmと可視光波長に対して1/10のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を60〜70%も含有しながら、波長500nmで約90%の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数(3−7ppm)を有し、鋼鉄並の強度(460MPa)、高弾性(30GPa)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて絶縁性基板64を薄型化できる。   The bionanofiber is a composite of a cellulose microfibril bundle (bacterial cellulose) produced by bacteria (Acetobacter Xylinum) and a transparent resin. The cellulose microfibril bundle has a width of 50 nm and a size of 1/10 of the visible light wavelength, and has high strength, high elasticity, and low thermal expansion. By impregnating and curing a transparent resin such as an acrylic resin or an epoxy resin in bacterial cellulose, a bio-nanofiber having a light transmittance of about 90% at a wavelength of 500 nm can be obtained while containing 60 to 70% of the fiber. Bionanofiber has a low coefficient of thermal expansion (3-7ppm) comparable to silicon crystals, and is as strong as steel (460MPa), highly elastic (30GPa), and flexible, compared to glass substrates, etc. The insulating substrate 64 can be thinned.

絶縁性基板64としてガラス基板を用いた場合、放射線検出器(TFT基板)60全体としての厚みは、例えば0.7mm程度になるが、本実施形態では電子カセッテ32の薄型化を考慮し、絶縁性基板64として、光透過性を有する合成樹脂から成る薄型の基板を用いている。これにより、放射線検出器(TFT基板)60全体としての厚みを、例えば0.1mm程度に薄型化できると共に、放射線検出器(TFT基板)60に可撓性をもたせることができる。また、放射線検出器(TFT基板)60に可撓性をもたせることで、電子カセッテ32の耐衝撃性が向上し、電子カセッテ32に衝撃が加わった場合にも破損し難くなる。また、プラスチック樹脂や、アラミド、バイオナノファイバ等は何れも放射線の吸収が少なく、絶縁性基板64をこれらの材料で形成した場合、絶縁性基板64による放射線の吸収量も少なくなるため、表面読取方式(ISS)により放射線検出器60を放射線が透過する構成であっても、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。   When a glass substrate is used as the insulating substrate 64, the thickness of the radiation detector (TFT substrate) 60 as a whole is about 0.7 mm, for example, but in this embodiment, considering the reduction in thickness of the electronic cassette 32, the insulating property is reduced. As the substrate 64, a thin substrate made of a light-transmitting synthetic resin is used. Thereby, the thickness of the radiation detector (TFT substrate) 60 as a whole can be reduced to about 0.1 mm, for example, and the radiation detector (TFT substrate) 60 can be made flexible. Further, by providing flexibility to the radiation detector (TFT substrate) 60, the impact resistance of the electronic cassette 32 is improved, and even when an impact is applied to the electronic cassette 32, it is difficult to be damaged. In addition, plastic resin, aramid, bio-nanofiber, etc. all absorb little radiation, and when the insulating substrate 64 is formed of these materials, the amount of radiation absorbed by the insulating substrate 64 is also reduced. Even if the radiation is transmitted through the radiation detector 60 by (ISS), a decrease in sensitivity to radiation can be suppressed.

なお、電子カセッテ32の絶縁性基板64として合成樹脂製の基板を用いることは必須ではなく、電子カセッテ32の厚さは増大するものの、ガラス基板等の他の材料から成る基板を絶縁性基板64として用いるようにしてもよい。   It is not essential to use a synthetic resin substrate as the insulating substrate 64 of the electronic cassette 32. Although the thickness of the electronic cassette 32 increases, a substrate made of another material such as a glass substrate is used as the insulating substrate 64. You may make it use as.

また、シンチレータ71と放射線検出器60との間には密着部材146が設けられている。密着部材146はフィルム状の支持体146Aを備え、支持体146Aの一方の面に粘着層146Bが形成され、支持体146Aの反対側の面に粘着層146Cが形成されて構成されている。図6にも示すように、密着部材146の粘着層146Bはシンチレータ71の全面に亘ってシンチレータ71の柱状結晶71Aの先端部に密着しており、密着部材146の粘着層146Cは放射線検出器60の全面に亘って放射線検出器60の表面に密着している。   A close contact member 146 is provided between the scintillator 71 and the radiation detector 60. The contact member 146 includes a film-like support 146A, and an adhesive layer 146B is formed on one surface of the support 146A, and an adhesive layer 146C is formed on the opposite surface of the support 146A. As shown in FIG. 6, the adhesive layer 146 </ b> B of the close contact member 146 is in close contact with the tip of the columnar crystal 71 </ b> A of the scintillator 71 over the entire surface of the scintillator 71, and the adhesive layer 146 </ b> C of the close contact member 146 is the radiation detector 60. Are in close contact with the surface of the radiation detector 60.

ここで、密着部材146は、温度変化に伴って加わる応力や、密着部材146を透過する放射線によって経時的に徐々に劣化し、粘着層146B,146Cの粘着力が徐々に低下する。また、放射線検出器60の裏面(粘着層146Cが密着している面と反対側の面)が筐体54の天板の内面に貼り付けられている構成であれば、放射線画像の撮影の度に加わる荷重によって密着部材146の劣化はより進行する。また、粘着層146Bの粘着力の低下に伴って粘着層146Bとシンチレータ71との密着面(本発明の第1の密着面の一例)内に空隙が生じた場合、当該空隙は撮影された放射線画像上に白欠陥部(図11(A)も参照)として現れ、粘着層146Cの粘着力の低下に伴って粘着層146Cと放射線検出器60との密着面(本発明の第2の密着面の一例)内に空隙が生じた場合、当該空隙は撮影された放射線画像上に黒欠陥部(図11(A)も参照)として現れる。そして、上記の白欠陥部及び黒欠陥部のうち、特に白欠陥部は放射線画像を用いた診断の精度に悪影響を与える。   Here, the contact member 146 gradually deteriorates with time due to stress applied in accordance with a temperature change or radiation transmitted through the contact member 146, and the adhesive force of the adhesive layers 146B and 146C gradually decreases. Further, if the back surface of the radiation detector 60 (the surface opposite to the surface to which the adhesive layer 146C is in close contact) is attached to the inner surface of the top plate of the housing 54, the radiation image is captured every time. Due to the load applied to the contact member 146, the deterioration of the contact member 146 further proceeds. In addition, when a void is generated in the adhesion surface (an example of the first adhesion surface of the present invention) between the adhesion layer 146B and the scintillator 71 as the adhesion force of the adhesion layer 146B decreases, the void is photographed radiation. A white defect portion (see also FIG. 11A) appears on the image, and the adhesion surface between the adhesion layer 146C and the radiation detector 60 (second adhesion surface of the present invention) as the adhesion force of the adhesion layer 146C decreases. In the example of FIG. 11A, the void appears as a black defect portion (see also FIG. 11A) on the radiographic image taken. Of the white defect portion and the black defect portion, particularly, the white defect portion adversely affects the accuracy of diagnosis using a radiographic image.

このため、本実施形態は、密着部材146の経時劣化に伴い、粘着層146Bとシンチレータ71との密着面内の空隙の発生よりも、粘着層146Cと放射線検出器60との密着面内の空隙の発生が先に進行し、例として図12に示すように、密着部材146の経時劣化に伴う欠陥部の数及び最大サイズの増加が、白欠陥部よりも黒欠陥部の方が先に進行するように、粘着層146B,146Cの粘着力を設定している。   For this reason, according to the present embodiment, as the adhesion member 146 deteriorates with time, the gap in the adhesion surface between the adhesion layer 146C and the radiation detector 60 is more than the generation of the gap in the adhesion surface between the adhesion layer 146B and the scintillator 71. As shown in FIG. 12 as an example, the number of defective portions and the increase in the maximum size due to the deterioration of the contact member 146 with time are more advanced in the black defect portion than in the white defect portion. Thus, the adhesive strength of the adhesive layers 146B and 146C is set.

より詳しくは、粘着層146Bはシンチレータ71の柱状結晶71Aの先端部に密着しており、シンチレータ71の表面のうち、隣り合う柱状結晶71Aの間隙に相当する部分では粘着層146Bの粘着力が作用しないので、粘着層146B,146Cの粘着力が同等であっても粘着層146Bとシンチレータ71との密着面の方が粘着層146Cと放射線検出器60との密着面よりも空隙の発生が進行する。このため、本実施形態では、粘着層146Bとシンチレータ71との密着力が粘着層146Cと放射線検出器60との密着力よりも大きくなるように、粘着層146B,146Cの粘着力を設定している。   More specifically, the adhesive layer 146B is in close contact with the tip of the columnar crystal 71A of the scintillator 71, and the adhesive force of the adhesive layer 146B acts on the surface of the scintillator 71 corresponding to the gap between the adjacent columnar crystals 71A. Therefore, even when the adhesive strengths of the adhesive layers 146B and 146C are equal, the adhesion surface between the adhesive layer 146B and the scintillator 71 generates more voids than the adhesive surface between the adhesive layer 146C and the radiation detector 60. . For this reason, in this embodiment, the adhesive force of the adhesive layers 146B and 146C is set so that the adhesive force between the adhesive layer 146B and the scintillator 71 is larger than the adhesive force between the adhesive layer 146C and the radiation detector 60. Yes.

具体的には、密着部材146として、例えば表裏面で粘着力が相違する両面テープ(一例としては住友3M株式会社製の4591HL(強粘着面=4.3N/cm・弱粘着面=0.2N/cm))を用いてもよいし、粘着層146Cとしては弱粘着の粘着剤(例えば住友3M株式会社製の4591HLで用いられている粘着剤)を、粘着層146Bとしては強粘着の粘着剤(例えば日東電工株式会社製の両面テープNo.5605等で用いられている粘着剤)を用いてもよい。また、粘着層146B,146Cとして同一種の粘着剤を用い、一方に対して表面処理(例えば大気圧プラズマ処理やシランカップリング剤の塗布等)を施すことで密着力を相違させるに差をつけても良い。また、密着部材146の交換等のリワークを考慮し、粘着層146Cとして必要時に剥離が可能な粘着剤(UV照射の解体型接着剤等)を用いてもよい。この場合、密着部材146の交換等を行う際には、UVを照射して密着部材146と放射線検出器60とを剥離し、密着部材146の交換等を行った後に、密着部材146と放射線検出器60とを再度密着させることを容易に実現できる。なお、上述した密着部材146は請求項1、より詳しくは請求項9に記載の密着部材の一例である。   Specifically, as the adhesion member 146, for example, a double-sided tape having different adhesive strengths on the front and back surfaces (for example, 4591HL manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd. (strong adhesion surface = 4.3 N / cm, weak adhesion surface = 0.2 N). / Cm)) may be used, the adhesive layer 146C may be a weak adhesive (for example, an adhesive used in 4591HL manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), and the adhesive layer 146B may be a strong adhesive (For example, an adhesive used in a double-sided tape No. 5605 manufactured by Nitto Denko Corporation) may be used. In addition, the same kind of adhesive is used as the adhesive layers 146B and 146C, and a surface treatment (for example, atmospheric pressure plasma treatment or application of a silane coupling agent) is applied to one of the adhesive layers 146B and 146C. May be. In consideration of rework such as replacement of the close contact member 146, an adhesive (such as a UV irradiation disassembly type adhesive) that can be peeled off when necessary may be used as the adhesive layer 146C. In this case, when exchanging the close contact member 146 or the like, after irradiating UV to separate the close contact member 146 and the radiation detector 60 and exchanging the close contact member 146, the close contact member 146 and the radiation detection are performed. It is possible to easily realize the close contact with the container 60 again. The contact member 146 described above is an example of the contact member according to claim 1, more specifically, claim 9.

また、図7に示すように、放射線検出器(TFT基板)60には、一定方向(行方向)に沿って延設され個々のTFT70をオンオフさせるための複数本のゲート配線76と、前記一定方向と交差する方向(列方向)に沿って延設され、蓄積容量68(及び光電変換部72の上部電極72Aと下部電極72Bの間)に蓄積された電荷をオン状態のTFT70を介して読み出すための複数本のデータ配線78が設けられている。また図5に示すように、放射線検出器(TFT基板)60のうち、放射線の到来方向と反対側の端部には、TFT基板上を平坦にするための平坦化層67が形成されている。   Further, as shown in FIG. 7, the radiation detector (TFT substrate) 60 includes a plurality of gate wirings 76 extending in a certain direction (row direction) for turning on / off individual TFTs 70, and the certain constants. The charge accumulated in the storage capacitor 68 (and between the upper electrode 72A and the lower electrode 72B of the photoelectric conversion unit 72) extending along the direction (column direction) intersecting with the direction is read through the on-state TFT 70. For this purpose, a plurality of data wirings 78 are provided. Further, as shown in FIG. 5, a planarizing layer 67 for flattening the TFT substrate is formed at the end of the radiation detector (TFT substrate) 60 opposite to the radiation arrival direction. .

図7に示すように、放射線検出器60の個々のゲート配線76はゲート線ドライバ81に接続されており、個々のデータ配線78は信号処理部83に接続されている。被写体を透過した放射線(被写体の画像情報を担持した放射線)が電子カセッテ32に照射されると、シンチレータ71のうち照射面56上の各位置に対応する部分からは、前記各位置における放射線の照射量に応じた光量の光が放出され、個々の画素部74の光電変換部72では、シンチレータ71のうちの対応する部分から放出された光の光量に応じた大きさの電荷が発生され、この電荷が個々の画素部74の蓄積容量68(及び光電変換部72の上部電極72Aと下部電極72Bの間)に蓄積される。   As shown in FIG. 7, each gate line 76 of the radiation detector 60 is connected to a gate line driver 81, and each data line 78 is connected to a signal processing unit 83. When radiation that has passed through the subject (radiation carrying the image information of the subject) is irradiated onto the electronic cassette 32, the radiation corresponding to each position on the irradiation surface 56 in the scintillator 71 is irradiated with the radiation at each position. The amount of light corresponding to the amount is emitted, and the photoelectric conversion unit 72 of each pixel unit 74 generates a charge having a magnitude corresponding to the amount of light emitted from the corresponding portion of the scintillator 71. Charges are accumulated in the storage capacitors 68 of the individual pixel portions 74 (and between the upper electrode 72A and the lower electrode 72B of the photoelectric conversion portion 72).

上記のようにして個々の画素部74の蓄積容量68に電荷が蓄積されると、個々の画素部74のTFT70は、ゲート線ドライバ81からゲート配線76を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、TFT70がオンされた画素部74の蓄積容量68に蓄積されている電荷は、アナログの電気信号としてデータ配線78を伝送されて信号処理部83に入力される。従って、個々の画素部74の蓄積容量68に蓄積された電荷は行単位で順に読み出される。   When charges are accumulated in the storage capacitors 68 of the individual pixel portions 74 as described above, the TFTs 70 of the individual pixel portions 74 are supplied in units of rows by signals supplied from the gate line drivers 81 via the gate wirings 76. The charges stored in the storage capacitor 68 of the pixel unit 74 that is sequentially turned on and the TFT 70 is turned on are transmitted through the data wiring 78 as an analog electric signal and input to the signal processing unit 83. Accordingly, the charges accumulated in the storage capacitors 68 of the individual pixel portions 74 are sequentially read out in units of rows.

信号処理部83は、個々のデータ配線78毎に設けられた増幅器及びサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線78を伝送された電気信号は増幅器で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、A/D(アナログ/デジタル)変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に(シリアルに)入力され、A/D変換器によってデジタルの画像データへ変換される。   The signal processing unit 83 includes an amplifier and a sample hold circuit provided for each data wiring 78, and an electric signal transmitted through each data wiring 78 is amplified by the amplifier and then held in the sample hold circuit. The In addition, a multiplexer and an A / D (analog / digital) converter are connected in order to the output side of the sample and hold circuit, and the electrical signals held in the individual sample and hold circuits are sequentially (serially) input to the multiplexer. The digital image data is converted by an A / D converter.

信号処理部83には画像メモリ90が接続されており、信号処理部83のA/D変換器から出力された画像データは画像メモリ90に順に記憶される。画像メモリ90は複数フレーム分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ90に順次記憶される。   An image memory 90 is connected to the signal processing unit 83, and image data output from the A / D converter of the signal processing unit 83 is sequentially stored in the image memory 90. The image memory 90 has a storage capacity capable of storing image data for a plurality of frames, and image data obtained by imaging is sequentially stored in the image memory 90 every time a radiographic image is captured.

画像メモリ90は電子カセッテ32全体の動作を制御するカセッテ制御部92と接続されている。カセッテ制御部92はマイクロコンピュータを含んで構成されており、CPU92A、ROM及びRAMを含むメモリ92B、HDD(Hard Disk Drive)やフラッシュメモリ等から成る不揮発性の記憶部92Cを備えている。   The image memory 90 is connected to a cassette control unit 92 that controls the operation of the entire electronic cassette 32. The cassette control unit 92 includes a microcomputer, and includes a CPU 92A, a memory 92B including a ROM and a RAM, a nonvolatile storage unit 92C including an HDD (Hard Disk Drive), a flash memory, and the like.

また、カセッテ制御部92には無線通信部94が接続されている。無線通信部94は、IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers)802.11a/b/g/n等に代表される無線LAN(Local Area Network)規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部92は、無線通信部94を介してコンソール42と無線通信が可能とされており、コンソール42との間で各種情報の送受信が可能とされている。   A wireless communication unit 94 is connected to the cassette control unit 92. The wireless communication unit 94 corresponds to a wireless local area network (LAN) standard represented by IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers) 802.11a / b / g / n, etc. Control the transmission of various information between them. The cassette control unit 92 can wirelessly communicate with the console 42 via the wireless communication unit 94, and can transmit and receive various information to and from the console 42.

また、電子カセッテ32には電源部96が設けられており、上述した各種電子回路(ゲート線ドライバ81や信号処理部83、画像メモリ90、無線通信部94、カセッテ制御部92、信号検出部162等)は電源部96と各々接続され(図示省略)、電源部96から供給された電力によって作動する。電源部96は、電子カセッテ32の可搬性を損なわないように、前述のバッテリ(二次電池)96Aを内蔵しており、充電されたバッテリ96Aから各種電子回路へ電力を供給する。   In addition, the electronic cassette 32 is provided with a power supply unit 96, and the various electronic circuits described above (gate line driver 81, signal processing unit 83, image memory 90, wireless communication unit 94, cassette control unit 92, signal detection unit 162). Etc.) are connected to the power supply unit 96 (not shown), and are operated by the power supplied from the power supply unit 96. The power supply unit 96 incorporates the aforementioned battery (secondary battery) 96A so as not to impair the portability of the electronic cassette 32, and supplies power from the charged battery 96A to various electronic circuits.

図8に示すように、コンソール42はコンピュータから成り、装置全体の動作を司るCPU104、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたROM106、各種データを一時的に記憶するRAM108、及び、各種データを記憶するHDD110を備え、これらはバスを介して互いに接続されている。またバスには、通信I/F部132及び無線通信部118が接続され、ディスプレイ110がディスプレイドライバ112を介して接続され、更に、操作パネル102が操作入力検出部114を介して接続されている。   As shown in FIG. 8, the console 42 is composed of a computer, a CPU 104 that controls the operation of the entire apparatus, a ROM 106 that stores various programs including a control program in advance, a RAM 108 that temporarily stores various data, and various data Are connected to each other via a bus. In addition, a communication I / F unit 132 and a wireless communication unit 118 are connected to the bus, a display 110 is connected via a display driver 112, and an operation panel 102 is further connected via an operation input detection unit 114. .

通信I/F部132は接続端子42A及び通信ケーブル35を介して放射線発生装置34と接続されている。コンソール42(のCPU104)は、放射線発生装置34との間での曝射条件等の各種情報の送受信を通信I/F部132経由で行う。無線通信部118は電子カセッテ32の無線通信部94と無線通信を行う機能を備えており、コンソール42(のCPU104)は電子カセッテ32との間の画像データ等の各種情報の送受信を無線通信部118経由で行う。また、ディスプレイドライバ112はディスプレイ110への各種情報を表示させるための信号を生成・出力し、コンソール42(のCPU104)はディスプレイドライバ112を介して操作メニューや撮影された放射線画像等をディスプレイ110に表示させる。また、操作パネル102は複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される。操作入力検出部114は操作パネル102に対する操作を検出し、検出結果をCPU104へ通知する。   The communication I / F unit 132 is connected to the radiation generator 34 via the connection terminal 42 </ b> A and the communication cable 35. The console 42 (the CPU 104 thereof) transmits / receives various information such as an exposure condition to / from the radiation generator 34 via the communication I / F unit 132. The wireless communication unit 118 has a function of performing wireless communication with the wireless communication unit 94 of the electronic cassette 32, and the console 42 (the CPU 104) transmits and receives various information such as image data to and from the electronic cassette 32. 118. Further, the display driver 112 generates and outputs signals for displaying various information on the display 110, and the console 42 (CPU 104 of the console 42) displays an operation menu, a captured radiation image, and the like on the display 110 via the display driver 112. Display. The operation panel 102 includes a plurality of keys, and various information and operation instructions are input. The operation input detection unit 114 detects an operation on the operation panel 102 and notifies the CPU 104 of the detection result.

また、放射線発生装置34は、放射線源130と、コンソール42との間で曝射条件等の各種情報の送受信を行う通信I/F部132と、コンソール42から受信した曝射条件(この曝射条件には管電圧、管電流の情報が含まれている)に基づいて放射線源130を制御する線源制御部134と、を備えている。   The radiation generator 34 also includes a communication I / F unit 132 that transmits and receives various types of information such as an exposure condition between the radiation source 130 and the console 42, and an exposure condition (this exposure) received from the console 42. And a radiation source controller 134 for controlling the radiation source 130 based on the conditions (including the tube voltage and tube current information).

次に本実施形態の作用を説明する。放射線画像撮影システム18では、放射線画像撮影システム18に装備された個々の電子カセッテ32が使用可能な状態か否かを確認するために、放射線技師等に指示に応じて、図9に示す電子カセッテ検査処理がコンソール42によって定期的(例えば毎日や一週間毎、1ヶ月毎等)に行われる。なお、この電子カセッテ検査処理は、始業時や終業時の時間帯に、個々の電子カセッテ32を単位として行われる。   Next, the operation of this embodiment will be described. In the radiographic imaging system 18, in order to confirm whether or not each electronic cassette 32 equipped in the radiographic imaging system 18 is usable, the electronic cassette shown in FIG. The inspection process is periodically performed by the console 42 (for example, every day, every week, every month, etc.). The electronic cassette inspection process is performed in units of individual electronic cassettes 32 at the time of starting and closing time.

すなわち、電子カセッテ検査処理では、まずステップ300において、予め設定された電子カセッテ検査用の線源位置(例えば図3に示す臥位撮影用の位置)へ放射線源130を移動させる。次のステップ302では、所定のメッセージをディスプレイ110に表示させる等により、放射線技師等の検査指示者に対し、予め設定された電子カセッテ検査用のカセッテ位置(例えば図3に示す臥位台46の天板152上の位置)に電子カセッテ32を配置するよう指示する。次のステップ304では、電子カセッテ検査用のカセッテ位置への電子カセッテ32の配置が完了したか否か判定し、判定が肯定される迄ステップ304を繰り返す。   That is, in the electronic cassette inspection process, first, in step 300, the radiation source 130 is moved to a preset electron source position for electronic cassette inspection (for example, the position for supine imaging shown in FIG. 3). In the next step 302, a predetermined message is displayed on the display 110, etc., and an instructor such as a radiographer is instructed to set a cassette position for electronic cassette inspection (for example, the position of the prone table 46 shown in FIG. 3). The electronic cassette 32 is instructed to be placed at a position on the top plate 152. In the next step 304, it is determined whether or not the placement of the electronic cassette 32 at the cassette position for electronic cassette inspection is completed, and step 304 is repeated until the determination is affirmative.

検査指示者は、ステップ304の指示に従い電子カセッテ検査用のカセッテ位置に電子カセッテ32を配置した後に、配置完了を意味する情報を操作パネル102を介して入力する操作を行う。これにより、ステップ304の判定が肯定されてステップ306へ移行し、無線通信部118を介して電子カセッテ32へ所定の信号を送信することで、電子カセッテ32に対して欠陥検査処理の実行を指示する。これにより、電子カセッテ32のカセッテ制御部92では欠陥検査処理(詳細は後述)が行われる。   The inspection instructor performs an operation of inputting information indicating completion of arrangement via the operation panel 102 after arranging the electronic cassette 32 at the cassette position for electronic cassette inspection in accordance with the instruction in step 304. As a result, the determination in step 304 is affirmed, the process proceeds to step 306, and a predetermined signal is transmitted to the electronic cassette 32 via the wireless communication unit 118, thereby instructing the electronic cassette 32 to execute defect inspection processing. To do. As a result, a defect inspection process (details will be described later) is performed in the cassette control unit 92 of the electronic cassette 32.

またステップ308では、放射線発生装置34に対し、予め設定された電子カセッテ検査用の曝射条件(管電圧や管電流の値)を送信した後に、曝射を指示する指示信号を送信する。これにより、放射線発生装置34は、コンソール42から事前に受信した曝射条件に応じた管電圧、管電流で放射線源130から放射線を射出させる。なお、本実施形態における電子カセッテ32の検査は、放射線源130と電子カセッテ32の間に被写体(放射線を吸収する物体)が存在しない状態で行われるが、電子カセッテ検査用の曝射条件は、上記状態で放射線が照射された電子カセッテ32の放射線検出器60の個々の画素部74の中に、出力の飽和した画素部74や出力が過小となった画素部74が生じることのないように、管電圧や管電流の値が定められている。   In step 308, an instruction signal for instructing exposure is transmitted to the radiation generator 34 after transmitting exposure conditions (tube voltage and tube current values) for electronic cassette inspection that have been set in advance. Thereby, the radiation generator 34 emits radiation from the radiation source 130 at a tube voltage and a tube current corresponding to the exposure conditions received in advance from the console 42. The inspection of the electronic cassette 32 in the present embodiment is performed in a state where no subject (object that absorbs radiation) exists between the radiation source 130 and the electronic cassette 32. The exposure conditions for the electronic cassette inspection are as follows: In the individual pixel portions 74 of the radiation detector 60 of the electronic cassette 32 irradiated with radiation in the above-described state, a pixel portion 74 whose output is saturated or a pixel portion 74 whose output is excessively small is not generated. The tube voltage and tube current values are defined.

また、ステップ310では、電子カセッテ32で行われた欠陥検査処理の結果を電子カセッテ32から受信したか否か判定し、判定が肯定される迄ステップ310を繰り返す。欠陥検査処理の結果を電子カセッテ32から受信すると、ステップ310の判定が肯定されてステップ312へ移行し、電子カセッテ32から受信した欠陥検査処理の結果(詳細は後述)をディスプレイ110に表示し、電子カセッテ検査処理を終了する。   In step 310, it is determined whether the result of the defect inspection process performed in the electronic cassette 32 has been received from the electronic cassette 32, and step 310 is repeated until the determination is affirmed. When the result of the defect inspection process is received from the electronic cassette 32, the determination in step 310 is affirmed and the process proceeds to step 312, and the result of the defect inspection process received from the electronic cassette 32 (details will be described later) is displayed on the display 110. The electronic cassette inspection process is terminated.

続いて、コンソール42からの指示によって電子カセッテ32のカセッテ制御部92で行われる欠陥検査処理について、図10を参照して説明する。ステップ320では、放射線発生装置34による曝射(放射線の照射)が終了したか否か判定し、判定が肯定される迄ステップ320を繰り返す。なお、ステップ320の判定は、例えば一定時間が経過したか否かで判断することで行うことができる。また、放射線検出器60のうち照射面56の一端部側に位置している画素部74の列(同一のゲート配線76に接続された画素部74の列)を放射線検出に用い、この画素部74の列から放射線検出の結果を繰り返し読み出して放射線の照射終了を検知することでステップ320の判定を行うことも可能である。また、上記の画素部74の列に代えて、後述する放射線検出部200のセンサ部206を放射線検出に用いるようにしてもよい。   Next, a defect inspection process performed by the cassette control unit 92 of the electronic cassette 32 according to an instruction from the console 42 will be described with reference to FIG. In step 320, it is determined whether or not the exposure (radiation irradiation) by the radiation generator 34 has been completed, and step 320 is repeated until the determination is affirmative. Note that the determination in step 320 can be made by, for example, determining whether a certain time has elapsed. In addition, a column of pixel units 74 (a column of pixel units 74 connected to the same gate wiring 76) located on one end side of the irradiation surface 56 in the radiation detector 60 is used for radiation detection. It is also possible to make the determination in step 320 by repeatedly reading out the radiation detection results from the 74 rows and detecting the end of radiation irradiation. Further, instead of the row of the pixel units 74, a sensor unit 206 of the radiation detection unit 200 described later may be used for radiation detection.

ステップ320の判定が肯定された場合はステップ322へ移行し、ゲート線ドライバ81及び信号処理部83により、放射線検出器60の全画素部74に蓄積されている電荷を画像信号として読み出し、読み出した画像信号を、各画素毎の濃度(放射線の照射量)を表すデジタルの画像データ(放射線画像データ)へ変換して画像メモリ90に記憶させる。ステップ324では、画像メモリ90に記憶させた放射線画像データから単一の画素のデータを処理対象として取り出し、次のステップ326では、ステップ324で取り出したデータが表す処理対象の画素の濃度Dが予め設定された白欠陥画素判定用の閾値Dw以下か否か判定する。また、ステップ326の判定が否定された場合はステップ328へ移行し、ステップ324で取り出したデータが表す処理対象の画素の濃度Dが予め設定された黒欠陥画素判定用の閾値Db以上か否か判定する。   When the determination in step 320 is affirmed, the process proceeds to step 322, and the charges accumulated in all the pixel units 74 of the radiation detector 60 are read and read by the gate line driver 81 and the signal processing unit 83. The image signal is converted into digital image data (radiation image data) representing the density (radiation dose) for each pixel and stored in the image memory 90. In step 324, single pixel data is extracted from the radiation image data stored in the image memory 90 as a processing target. In the next step 326, the density D of the processing target pixel represented by the data extracted in step 324 is set in advance. It is determined whether or not the threshold value Dw is less than the set white defective pixel determination threshold. If the determination in step 326 is negative, the process proceeds to step 328, and whether or not the density D of the pixel to be processed represented by the data extracted in step 324 is greater than or equal to a predetermined threshold value Db for black defective pixel determination. judge.

ステップ328の判定も否定された場合はステップ334へ移行する。また、ステップ326の判定が肯定された場合はステップ330へ移行し、ステップ324でデータを取り出した処理対象の画素を白欠陥画素に設定し、ステップ334へ移行する。また、ステップ328の判定が肯定された場合はステップ332へ移行し、ステップ324でデータを取り出した処理対象の画素を黒欠陥画素に設定し、ステップ334へ移行する。ステップ334では、放射線画像の全ての画素のデータを取り出したか否か判定する。判定が否定された場合はステップ324に戻り、ステップ334の判定が肯定される迄ステップ324〜ステップ334を繰り返す。   If the determination in step 328 is also negative, the process proceeds to step 334. If the determination in step 326 is affirmed, the process proceeds to step 330, the processing target pixel from which data is extracted in step 324 is set as a white defective pixel, and the process proceeds to step 334. If the determination in step 328 is affirmed, the process proceeds to step 332, the processing target pixel from which data is extracted in step 324 is set as a black defective pixel, and the process proceeds to step 334. In step 334, it is determined whether data of all pixels of the radiographic image has been extracted. If the determination is negative, the process returns to step 324, and steps 324 to 334 are repeated until the determination of step 334 is affirmed.

また、ステップ334の判定が肯定された場合はステップ336へ移行し、上述したステップ324〜ステップ334で白欠陥画素に設定された画素の中に、放射線画像上で隣接する画素が存在しているか否かを探索し、放射線画像上で隣接する白欠陥画素を単一の白欠陥部に統合する。これにより、放射線画像中の白欠陥部が全て検出される。また、次のステップ338では、ステップ324〜ステップ334で黒欠陥画素に設定された画素の中に、放射線画像上で隣接する画素が存在しているか否かを探索し、放射線画像上で隣接する黒欠陥画素を単一の黒欠陥部に統合する。これにより、放射線画像中の黒欠陥部が全て検出される。なお、上述したステップ324〜ステップ338は請求項2,5,6に記載の欠陥部検出手段による処理の一例である。   If the determination in step 334 is affirmed, the process proceeds to step 336, and is there any adjacent pixel on the radiographic image among the pixels set as white defective pixels in step 324 to step 334 described above? Whether or not is detected, white defect pixels adjacent on the radiographic image are integrated into a single white defect portion. Thereby, all the white defect parts in a radiographic image are detected. In the next step 338, it is searched whether there is an adjacent pixel on the radiographic image among the pixels set as the black defective pixel in step 324 to step 334, and it is adjacent on the radiographic image. Integrate black defect pixels into a single black defect. Thereby, all the black defect parts in a radiographic image are detected. Steps 324 to 338 described above are an example of processing performed by the defective portion detection means described in claims 2, 5, and 6.

ステップ340では、ステップ338で検出された黒欠陥部の総数Nbと黒欠陥部の最大サイズSbを算出する。ステップ342では、ステップ340で算出した黒欠陥部の総数Nbが黒欠陥部の数についての閾値Nbth以上か否か判定する。この判定が否定された場合はステップ346へ移行し、電子カセッテ32の検査結果として「使用可」を意味する情報を暫定的に設定し、ステップ350へ移行する。また、ステップ342の判定が肯定された場合はステップ344へ移行し、黒欠陥部の総数Nbが黒欠陥部の数についての許容最大値Nbmax以上(但し、許容最大値Nbmax>閾値Nbth)か否か判定する。この判定が否定された場合はステップ348へ移行し、電子カセッテ32の検査結果として「使用注意」を意味する情報を暫定的に設定し、ステップ350へ移行する。   In step 340, the total number Nb of black defect portions detected in step 338 and the maximum size Sb of black defect portions are calculated. In step 342, it is determined whether or not the total number Nb of black defect portions calculated in step 340 is equal to or greater than a threshold value Nbth for the number of black defect portions. When this determination is negative, the process proceeds to step 346, information indicating “usable” is provisionally set as the inspection result of the electronic cassette 32, and the process proceeds to step 350. If the determination in step 342 is affirmative, the process proceeds to step 344, where the total number Nb of black defective portions is equal to or greater than the allowable maximum value Nbmax for the number of black defective portions (where allowable maximum value Nbmax> threshold Nbth). To determine. If this determination is negative, the process proceeds to step 348, information indicating “use caution” is provisionally set as the inspection result of the electronic cassette 32, and the process proceeds to step 350.

ステップ350では、ステップ340で算出した黒欠陥部の最大サイズSbが、黒欠陥部の最大サイズについての閾値Sbth以上か否か判定する。ステップ350の判定が行われる場合は黒欠陥部の総数Nbが許容最大値Nbmax未満であるので、ステップ350の判定が否定された場合は、電子カセッテ32の検査結果を変更することなくステップ356へ移行する。また、ステップ350の判定が肯定された場合はステップ352へ移行し、では、黒欠陥部の最大サイズSbが黒欠陥部の最大サイズについての許容最大値Sbmax以上(但し、許容最大値Sbmax>閾値Sbth)か否か判定する。この判定が否定された場合はステップ354へ移行し、電子カセッテ32の検査結果として「使用注意」を意味する情報を設定し、ステップ356へ移行する。また、前述のステップ344又はステップ352の判定が肯定された場合はステップ358へ移行し、電子カセッテ32の検査結果として「使用禁止」を意味する情報を設定し、ステップ368で検査結果をコンソール42へ送信して欠陥検査処理を終了する。   In step 350, it is determined whether or not the maximum size Sb of the black defect portion calculated in step 340 is greater than or equal to a threshold value Sbth for the maximum size of the black defect portion. If the determination in step 350 is made, the total number Nb of black defect portions is less than the allowable maximum value Nbmax. Therefore, if the determination in step 350 is negative, the inspection result of the electronic cassette 32 is not changed and the process proceeds to step 356. Transition. If the determination in step 350 is affirmative, the process proceeds to step 352, where the maximum size Sb of the black defect portion is equal to or greater than the allowable maximum value Sbmax for the maximum size of the black defect portion (provided that the allowable maximum value Sbmax> threshold value). Sbth). When this determination is negative, the process proceeds to step 354, information indicating “use caution” is set as the inspection result of the electronic cassette 32, and the process proceeds to step 356. If the determination in step 344 or step 352 is affirmed, the process proceeds to step 358, information indicating “use prohibited” is set as the inspection result of the electronic cassette 32, and the inspection result is displayed in the console 42 in step 368. To complete the defect inspection process.

上述した処理について更に説明する。例えば密着部材146の粘着層146B,146Cの粘着力を同等とした場合、前述のように、粘着層146Bとシンチレータ71との密着面の方が粘着層146Cと放射線検出器60との密着面よりも空隙の発生が進行することから、密着部材146の経時劣化に伴い、例として図13(B)に示すように、白欠陥部の方が黒欠陥部よりも先に数やサイズが増加する。また、粘着層146Bとシンチレータ71との密着力が粘着層146Cと放射線検出器60との密着力と同等となるように、密着部材146の粘着層146B,146Cの粘着力を設定した場合には、密着部材146の経時劣化に伴い、例として図13(A)に示すように、白欠陥部の数やサイズは黒欠陥部の数やサイズと同様に増加する。図13(A),(B)の何れの場合も、放射線画像中の黒欠陥部の数やサイズの増加に基づき、放射線画像中の白欠陥部の数やサイズが明確に増加する前に、放射線画像中の白欠陥部の数やサイズが増加する可能性が高くなったことを検知することは困難である。   The above process will be further described. For example, when the adhesive strengths of the adhesive layers 146B and 146C of the adhesive member 146 are made equal, the adhesive surface between the adhesive layer 146B and the scintillator 71 is more than the adhesive surface between the adhesive layer 146C and the radiation detector 60 as described above. In addition, since the generation of voids proceeds, the number and size of the white defect portion increase before the black defect portion as shown in FIG. . Further, when the adhesive force of the adhesive layers 146B and 146C of the adhesive member 146 is set so that the adhesive force between the adhesive layer 146B and the scintillator 71 is equal to the adhesive force between the adhesive layer 146C and the radiation detector 60. As the contact member 146 deteriorates with time, as shown in FIG. 13A as an example, the number and size of white defect portions increase in the same manner as the number and size of black defect portions. 13A and 13B, based on the increase in the number and size of the black defect portions in the radiographic image, before the number and size of the white defect portions in the radiographic image clearly increase, It is difficult to detect that the number and size of white defect portions in a radiographic image are likely to increase.

これに対して本実施形態では、粘着層146Bとシンチレータ71との密着力が粘着層146Cと放射線検出器60との密着力よりも高くなり、粘着層146Bとシンチレータ71との密着面内の空隙の発生よりも、粘着層146Cと放射線検出器60との密着面内の空隙の発生が先に進行するように、密着部材146の粘着層146B,146Cの粘着力を設定している。これにより、例として図12(A),(B)に示すように、放射線画像中の白欠陥部の数や最大サイズが明確に増加する前に、放射線画像中の黒欠陥部の数や最大サイズが増加する。   On the other hand, in the present embodiment, the adhesive force between the adhesive layer 146B and the scintillator 71 is higher than the adhesive force between the adhesive layer 146C and the radiation detector 60, and the void in the adhesive surface between the adhesive layer 146B and the scintillator 71. The adhesive force of the adhesive layers 146B and 146C of the contact member 146 is set so that the generation of the void in the contact surface between the adhesive layer 146C and the radiation detector 60 proceeds earlier than the occurrence of. Thereby, as shown in FIGS. 12A and 12B as an example, before the number of white defects in the radiographic image and the maximum size clearly increase, the number of black defects in the radiographic image and the maximum Increase in size.

本実施形態ではこれを利用し、黒欠陥部の総数Nbが黒欠陥部の数についての閾値Nbth未満、かつ、黒欠陥部の最大サイズSbが黒欠陥部の最大サイズについての閾値Sbth未満の場合には、電子カセッテ32の検査結果を「使用可」とする一方、「黒欠陥部の総数Nbが閾値Nbth以上」と「黒欠陥部の最大サイズSbが閾値Sbth以上」の少なくとも一方の条件を満たした場合には電子カセッテ32の検査結果を「使用注意」とし、更に「黒欠陥部の総数Nbが許容最大値Nbmax以上」と「黒欠陥部の最大サイズSbが許容最大値Sbmax以上」の少なくとも一方の条件を満たした場合には電子カセッテ32の検査結果を「使用禁止」としている。これにより、放射線画像中の黒欠陥部の総数Nbや最大サイズSbの増加に基づき、放射線画像中の白欠陥部の数や最大サイズが明確に増加する前に、放射線画像中の白欠陥部の数や最大サイズが増加する可能性が高くなったことを検知することができる。   In the present embodiment, this is utilized, and the total number Nb of black defect portions is less than the threshold value Nbth for the number of black defect portions, and the maximum size Sb of the black defect portions is less than the threshold value Sbth for the maximum size of the black defect portions. In this case, the inspection result of the electronic cassette 32 is set to “usable”, while at least one of the conditions “the total number Nb of black defect portions is equal to or greater than the threshold value Nbth” and “the maximum size Sb of black defect portions is equal to or greater than the threshold value Sbth” is satisfied. If the condition is satisfied, the inspection result of the electronic cassette 32 is set to “use caution”, and further, “the total number Nb of black defect portions is greater than or equal to the allowable maximum value Nbmax” and “the maximum size Sb of black defect portions is equal to or greater than the allowable maximum value Sbmax”. When at least one of the conditions is satisfied, the inspection result of the electronic cassette 32 is “use prohibited”. Thus, based on the increase in the total number Nb and the maximum size Sb of black defect portions in the radiographic image, before the number of white defect portions and the maximum size in the radiographic image clearly increase, It is possible to detect that the number and the maximum size are likely to increase.

また、上記で設定した検査結果は、先に説明した電子カセッテ検査処理(図9)によりコンソール42のディスプレイ110に表示される。これにより、検査指示者は、放射線画像中の白欠陥部の数や最大サイズが増加する可能性が高くなったことを認識し、例えば検査結果が「使用可」の電子カセッテ32は、高精細な放射線画像が必要とされる癌の診断を含むあらゆる用途に用い、検査結果が「使用注意」の電子カセッテ32は、放射線画像の画質に対する要求レベルが比較的低い骨折の診断等の用途にのみ用い、検査結果が「使用禁止」の電子カセッテ32は使用せず、密着部材146の交換等のリワークの実施を手配する等のように、検査を行った電子カセッテ32に対し検査結果に応じた適切な対処を行うことができる。   Further, the inspection result set above is displayed on the display 110 of the console 42 by the electronic cassette inspection process (FIG. 9) described above. As a result, the inspection instructor recognizes that there is a high possibility that the number of white defect portions and the maximum size in the radiographic image will increase. For example, the electronic cassette 32 whose inspection result is “usable” The electronic cassette 32 that is used for all applications including diagnosis of cancer that requires a radiological image and has a test result of “careful use” is used only for applications such as diagnosis of a fracture that requires a relatively low level of image quality of the radiographic image. The electronic cassette 32 whose inspection result is “use prohibited” is not used, and the electronic cassette 32 that has been inspected is in accordance with the inspection result, such as arranging for rework such as replacement of the contact member 146. Appropriate measures can be taken.

なお、上記の閾値Nbth,Sbthは請求項2,3に記載の閾値、請求項4に記載の第1の閾値の一例であり、許容最大値Nbmax,Sbmaxは請求項4に記載の第2の閾値の一例である。また、ステップ340〜344,350,352は請求項2,4,6に記載の判定手段による処理の一例であり、ステップ348,,354,368は請求項3に記載の報知手段による処理の一例であり、ステップ358,368は請求項4に記載の禁止処理手段による処理の一例である。   The threshold values Nbth and Sbth are examples of the threshold values described in claims 2 and 3 and the first threshold value of claim 4, and the allowable maximum values Nbmax and Sbmax are the second threshold values described in claim 4. It is an example of a threshold value. Steps 340 to 344, 350, and 352 are examples of processing by the determination unit according to claims 2, 4, and 6, and steps 348, 354, and 368 are examples of processing by the notification unit according to claim 3. Steps 358 and 368 are an example of processing by the prohibition processing means according to claim 4.

また、粘着層146Bとシンチレータ71との密着面内における空隙発生の進行度合いと、粘着層146Cと放射線検出器60との密着面内における空隙発生の進行度合いとの関係は、図12に示す関係に正確に一致するとは限らず、多少のばらつきが生ずる可能性がある。これを考慮し、電子カセッテ32の検査結果として「使用可」又は「使用注意」を設定した場合はステップ356において、放射線画像の中央部領域及び周縁部領域(図11(B)参照)を単位として白欠陥部の数Nw、最大サイズSwを各々算出する。   Moreover, the relationship between the progress degree of the space | gap generation | occurrence | production in the contact surface of the adhesion layer 146B and the scintillator 71, and the progress degree of the space | gap generation | occurrence | production in the contact surface of the adhesion layer 146C and the radiation detector 60 is the relationship shown in FIG. May not match exactly, and there may be some variation. In consideration of this, when “usable” or “careful use” is set as the inspection result of the electronic cassette 32, in step 356, the central area and the peripheral area (see FIG. 11B) of the radiographic image are unit. The number Nw of white defect portions and the maximum size Sw are respectively calculated.

また、次のステップ360では、ステップ340で算出した中央部領域における白欠陥部の総数Nwが白欠陥部の数についての閾値Nwth以上か、又は、ステップ340で算出した中央部領域における白欠陥部の最大サイズSwが、白欠陥部の最大サイズについての閾値Swth以上か否かを判定する。この判定は「中央部領域における白欠陥部の総数Nwが閾値Nwth未満」かつ「中央部領域における白欠陥部の最大サイズSwが閾値Swth未満」の場合は否定されてステップ364へ移行する。また「中央部領域における白欠陥部の総数Nwが閾値Nwth以上」及び「中央部領域における白欠陥部の最大サイズSwが閾値Swth以上」の何れかの条件を満足した場合には、ステップ360の判定が肯定されてステップ362へ移行し、電子カセッテ32の検査結果に「中央部領域は使用禁止」を意味する情報を追加設定した後にステップ364へ移行する。   In the next step 360, the total number Nw of white defect portions in the central area calculated in step 340 is greater than or equal to the threshold Nwth for the number of white defect portions, or the white defect portions in the central area calculated in step 340. It is determined whether or not the maximum size Sw is equal to or larger than a threshold value Swth for the maximum size of the white defect portion. This determination is negative if “the total number Nw of white defect portions in the central region is less than the threshold value Nwth” and “the maximum size Sw of white defect portions in the central region is less than the threshold value Swth”, and the process proceeds to step 364. Further, if either of the conditions “the total number Nw of white defect portions in the central region is greater than or equal to the threshold Nwth” and “the maximum size Sw of white defect portions in the central region is greater than or equal to the threshold Swth” is satisfied, If the determination is affirmed, the process proceeds to step 362, and information indicating that “the central area is prohibited” is additionally set in the inspection result of the electronic cassette 32, and then the process proceeds to step 364.

またステップ364では、ステップ340で算出した周縁部領域における白欠陥部の総数Nwが閾値Nwth以上か、又は、ステップ340で算出した周縁部領域における白欠陥部の最大サイズSwが閾値Swth以上か否かを判定する。この判定は「周縁部領域における白欠陥部の総数Nwが閾値Nwth未満」かつ「周縁部領域における白欠陥部の最大サイズSwが閾値Swth未満」の場合は否定されてステップ368へ移行する。   In step 364, the total number Nw of white defect portions in the peripheral area calculated in step 340 is greater than or equal to the threshold Nwth, or the maximum size Sw of white defect portions in the peripheral area calculated in step 340 is greater than or equal to the threshold Swth. Determine whether. This determination is negative if “the total number Nw of white defect portions in the peripheral region is less than the threshold value Nwth” and “the maximum size Sw of white defect portions in the peripheral region is less than the threshold value Swth”, and the process proceeds to step 368.

また「周縁部領域における白欠陥部の総数Nwが閾値Nwth以上」及び「周縁部領域における白欠陥部の最大サイズSwが閾値Swth以上」の何れかの条件を満足した場合には、ステップ364の判定が肯定されてステップ366へ移行し、電子カセッテ32の検査結果に「周縁部領域は使用禁止」を意味する情報を追加設定した後にステップ368へ移行する。なお、白欠陥部の数についての閾値Nwthについては、中央部領域と周縁部領域の面積比に応じて中央部領域と周縁部領域とで相違させるようにしてもよい。そしてステップ368では電子カセッテ32の検査結果をコンソール42へ送信し、欠陥検査処理を終了する。   Further, if either of the conditions “the total number Nw of white defect portions in the peripheral region is equal to or greater than the threshold Nwth” or “the maximum size Sw of white defect portions in the peripheral region is equal to or greater than the threshold Swth” is satisfied, If the determination is affirmative, the process proceeds to step 366, and information indicating that “peripheral area is prohibited” is additionally set in the inspection result of the electronic cassette 32, and then the process proceeds to step 368. Note that the threshold value Nwth for the number of white defect portions may be different between the central region and the peripheral region according to the area ratio of the central region and the peripheral region. In step 368, the inspection result of the electronic cassette 32 is transmitted to the console 42, and the defect inspection process is terminated.

なお、上記の閾値Nwth,Swthは請求項5,6に記載の閾値の一例である。また、ステップ356,360,364は請求項5,6に記載の判定手段による処理の一例であり、ステップ362,366,368は請求項6に記載の禁止処理手段による処理の一例である。   The threshold values Nwth and Swth are examples of the threshold values described in claims 5 and 6. Steps 356, 360, and 364 are examples of processing by the determination means described in claims 5 and 6, and steps 362, 366, and 368 are examples of processing by the prohibition processing means described in claim 6.

上述したステップ356〜ステップ366の処理により、粘着層146Bとシンチレータ71との密着面内における空隙発生が比較的早期に進行し、放射線画像中の白欠陥部が比較的早期に増加してきた場合にも、これを確実に検知できると共に、検査指示者にも認識させることができる。また、放射線画像を中央部領域と周縁部領域とに分割し、各領域毎に白欠陥部の数Nw、最大サイズSwを算出して閾値(Nwth, Swth)と比較することで、例えば検査結果が「中央部領域は使用禁止」となった電子カセッテ32であっても、放射線画像中の注目領域が周縁部領域に位置する乳房の撮影には使用できる等のように、一部領域で白欠陥部が増加してきたことで密着部材146の交換等のリワークの実施を待っている状態の電子カセッテ32を、白欠陥部が比較的少ない領域を注目領域とする撮影に有効に利用することが可能となる。   When the above-described processing of Step 356 to Step 366 causes gap generation in the adhesion surface between the adhesive layer 146B and the scintillator 71 to proceed relatively early, and white defect portions in the radiographic image increase relatively early. However, this can be detected reliably and can be recognized by the inspection instructor. In addition, the radiation image is divided into a central region and a peripheral region, the number Nw of white defect portions and the maximum size Sw are calculated for each region, and compared with threshold values (Nwth, Swth), for example, an inspection result Even if the electronic cassette 32 is “prohibited from use in the central area”, the white area in some areas is white so that the attention area in the radiographic image can be used for imaging a breast located in the peripheral area. The electronic cassette 32 in a state of waiting for rework such as replacement of the contact member 146 due to an increase in the number of defective portions can be effectively used for photographing with a region having a relatively small number of white defective portions as a region of interest. It becomes possible.

なお、上記では放射線画像を中央部領域と周縁部領域に分割し、各領域毎に白欠陥部の数Nw、最大サイズSwを算出して閾値(Nwth, Swth)と比較する態様を説明したが、放射線画像を3以上の数の領域に分割してもよいし、各領域毎に、黒欠陥部の数Nb、最大サイズSbを算出して閾値(Nbth,Sbth)と比較する処理も併せて行うようにしてもよい。   In the above description, the radiation image is divided into the central region and the peripheral region, and the number Nw of white defect portions and the maximum size Sw are calculated for each region and compared with threshold values (Nwth, Swth). The radiation image may be divided into three or more regions, and the number Nb of black defect portions and the maximum size Sb are calculated and compared with threshold values (Nbth, Sbth) for each region. You may make it perform.

また、上記ではシンチレータ71から射出された光を単一の光検出部(放射線検出器60)で検出する態様を説明したが、これに限られるものではない。例として図14には、放射線検出器60に加えて、シンチレータ71から射出された光を検出する光検出部としての放射線検出部200が、放射線検出器60を挟んでシンチレータ71の反対側に設けられた構成を示している。放射線検出部200は、配線がパターニングされた配線層202、絶縁層204が順に形成され、その上層に、シンチレータ71から射出され放射線検出器60を透過した光を検出するセンサ部206が複数形成され、更に当該センサ部206の上層に保護層212が形成されて構成されている。なお、放射線検出部200の厚みは例えば0.05mm程度である。   In the above description, the mode in which the light emitted from the scintillator 71 is detected by the single light detection unit (radiation detector 60) has been described. However, the present invention is not limited to this. As an example, in FIG. 14, in addition to the radiation detector 60, a radiation detection unit 200 as a light detection unit that detects light emitted from the scintillator 71 is provided on the opposite side of the scintillator 71 with the radiation detector 60 interposed therebetween. Is shown. In the radiation detection unit 200, a wiring layer 202 having a patterned wiring and an insulating layer 204 are sequentially formed, and a plurality of sensor units 206 for detecting light emitted from the scintillator 71 and transmitted through the radiation detector 60 are formed thereon. Further, a protective layer 212 is formed on the sensor unit 206. In addition, the thickness of the radiation detection part 200 is about 0.05 mm, for example.

センサ部206は、上部電極210A及び下部電極210Bを備え、上部電極210Aと下部電極210Bとの間に、シンチレータ71からの光を吸収して電荷を発生する光電変換膜210Cが配置されて構成されている。センサ部206(光電変換膜210C)としては、アモルファスシリコンを用いたPIN型、MIS型フォトダイオードを適用することも可能であるが、本実施形態では、光電変換部72の光電変換膜72Cと同様に、光電変換膜210Cを有機光電変換材料で構成している。これにより、インクジェットヘッド等の液滴吐出ヘッドを用いて有機光電変換材料を被形成体上に付着させることで光電変換膜210Cを形成させることが可能となり、絶縁性基板64として、光透過性を有する合成樹脂製で薄型の基板を用いることが可能となる。   The sensor unit 206 includes an upper electrode 210A and a lower electrode 210B, and a photoelectric conversion film 210C that absorbs light from the scintillator 71 and generates charges is disposed between the upper electrode 210A and the lower electrode 210B. ing. As the sensor unit 206 (photoelectric conversion film 210C), it is possible to apply a PIN type or MIS type photodiode using amorphous silicon, but in this embodiment, the same as the photoelectric conversion film 72C of the photoelectric conversion unit 72. In addition, the photoelectric conversion film 210C is made of an organic photoelectric conversion material. This makes it possible to form the photoelectric conversion film 210C by adhering the organic photoelectric conversion material onto the object to be formed using a droplet discharge head such as an inkjet head, and the insulating substrate 64 has light transmittance. It is possible to use a thin substrate made of a synthetic resin.

センサ部206による放射線量の検出結果は、電極210A,210Bと接続された図示しない信号処理部を介して読み出され、例えば電子カセッテ32への放射線の照射開始/終了タイミングの検知や、電子カセッテ32への放射線照射量の積算値の検知等に用いられる。なお、放射線画像の検出(撮影)は放射線検出器60によって行われるので、放射線検出部200のセンサ部206は、放射線検出器60の画素部74よりも配置ピッチが大きく(配置密度が低く)されており、単一のセンサ部206の受光領域は、放射線検出器60の画素部74の数個〜数百個分のサイズでよい。   The detection result of the radiation dose by the sensor unit 206 is read out via a signal processing unit (not shown) connected to the electrodes 210A and 210B, and for example, detection of radiation start / end timing of radiation to the electronic cassette 32, and electronic cassette 32 is used for detecting the integrated value of the radiation dose to 32. In addition, since the detection (imaging) of the radiation image is performed by the radiation detector 60, the sensor unit 206 of the radiation detection unit 200 has a larger arrangement pitch (lower arrangement density) than the pixel unit 74 of the radiation detector 60. In addition, the light receiving area of the single sensor unit 206 may have a size corresponding to several to several hundreds of the pixel units 74 of the radiation detector 60.

また、上記では電子カセッテ32の検査結果をコンソール42へ送信し、ディスプレイ110に表示させる態様を説明したが、これに限られるものではなく、例えば電子カセッテ32の検査結果を記憶部92Cに記憶しておき、電子カセッテ32を用いた放射線画像の撮影が行われる際に、カセッテ制御部92により、放射線画像の撮影条件として、撮影部位及び撮影される放射線画像の診断用途の少なくとも一方を表す撮影条件情報をコンソール42から受信することで取得し、取得した撮影条件情報を電子カセッテ32の検査結果と照合することで、取得した撮影条件情報が表す撮影条件での放射線画像の撮影の適否を判定し、判定結果に応じて電子カセッテ32の筐体54に設けた表示部(この態様に好適な表示部の一例を図15(B)に符号「220」を付して示す)の表示状態を切り替える処理を行うように構成してもよい。   In the above description, the inspection result of the electronic cassette 32 is transmitted to the console 42 and displayed on the display 110. However, the present invention is not limited to this. For example, the inspection result of the electronic cassette 32 is stored in the storage unit 92C. In addition, when a radiographic image is captured using the electronic cassette 32, the cassette control unit 92 captures, as a radiographic image capturing condition, at least one of an imaging region and a diagnostic use of the radiographic image to be captured. The information is acquired by receiving the information from the console 42, and the acquired imaging condition information is collated with the inspection result of the electronic cassette 32, thereby determining the suitability of radiographic imaging under the imaging conditions represented by the acquired imaging condition information. FIG. 15B shows an example of a display unit provided in the casing 54 of the electronic cassette 32 according to the determination result (an example of a display unit suitable for this mode). May be configured to perform processing of switching the display state of the No. are denoted the "220").

図15(B)に示す表示部220は、放射線画像の撮影の適否度合いを複数のレベルに分けて表示可能な表示部220Aと、撮影時の筐体54の適正な向きを表示可能な表示部220Bと、から構成されている。表示部220Aは、LED等から成る複数個のランプを備え、撮影の適否度合いに応じて点灯させるランプの個数を変化させることで撮影の適否度合いを複数のレベルに分けて表示可能とされている。なお、複数個のランプのうちの1つについて、他のランプと発光色を相違させることで撮影禁止ランプとして用い、例えば放射線画像の撮影の適否度合いの判定結果が「撮影不適」の場合は上記の撮影禁止ランプのみを点灯させ、撮影可能であれば撮影禁止ランプを消灯させて他のランプを点灯させるようにしてもよい。   The display unit 220 illustrated in FIG. 15B includes a display unit 220A that can display the appropriateness of radiographic image capturing in a plurality of levels, and a display unit that can display an appropriate orientation of the housing 54 during imaging. 220B. The display unit 220A includes a plurality of lamps composed of LEDs or the like, and can change the number of lamps to be turned on in accordance with the degree of suitability for photographing to display the degree of suitability for photographing in a plurality of levels. . One of the plurality of lamps is used as an imaging prohibition lamp by making the emission color different from that of the other lamps. For example, when the determination result of the suitability of radiographic imaging is “adequate imaging”, Only the photographing prohibition lamp may be turned on, and if photographing is possible, the photographing prohibition lamp may be turned off and the other lamps may be turned on.

また表示部220Bは、LED等から成り撮影時の筐体54の向きとして互いに異なる向きを指示するための複数個のランプを備えている。電子カセッテ32を用いた放射線画像の撮影では、被写体(撮影対象部位)が筐体54の照射面56のうちの中央部に位置するように電子カセッテ32が配置されることが多く、この場合は表示部220Bによる撮影時の筐体54の適正な向きの表示は不要であるが、例えば乳房の撮影では、筐体54の一辺を被撮影者の体に突当てて撮影されることで、照射面56のうち被撮影者の体に突当てた一辺側へ偏った位置に被写体が撮影される。   The display unit 220B includes a plurality of lamps for indicating different directions as directions of the casing 54 at the time of photographing, which are composed of LEDs or the like. In radiographic image capturing using the electronic cassette 32, the electronic cassette 32 is often arranged so that the subject (imaging target portion) is positioned at the center of the irradiation surface 56 of the housing 54. Although it is not necessary to display the proper orientation of the housing 54 at the time of photographing by the display unit 220B, for example, in photographing breasts, irradiation is performed by photographing one side of the housing 54 against the body of the subject. A subject is photographed at a position on the surface 56 that is biased toward one side that abuts against the body of the subject.

このため、カセッテ制御部92は、コンソール42から取得した撮影条件情報が表す撮影条件が、例えば「撮影部位が乳房」等のように、照射面56のうちの一端側に被写体が撮影される撮影条件である場合には、電子カセッテ32の検査結果に基づいて撮影時の筐体54の適正な向き(白欠陥部の数及び面積が閾値未満の領域に被写体が撮影される向き)を判定し、判定結果に応じて表示部220Bの複数個のランプのうちの何れか1個のランプ(例えば乳房の撮影であれば被撮影者の体に突当てる一辺を指し示すランプ等)を点灯させることで、撮影時の筐体54の適正な向きを表示させる。なお、図15(B)に示す表示部220Bのように、撮影時の筐体54の適正な向きを4方向に分けて表示する場合は、例として図15(A)に示すように、放射線画像の周縁部領域を4個又はそれ以上の個数の部分領域に分割し、各部分領域毎に白欠陥部の数及びサイズを判定するように構成すればよい。   For this reason, the cassette control unit 92 captures an image of the subject on one end of the irradiation surface 56 such that the imaging condition represented by the imaging condition information acquired from the console 42 is “imaging site is breast”, for example. If the condition is satisfied, an appropriate orientation of the housing 54 at the time of photographing (direction in which the subject is photographed in an area where the number and area of white defect portions are less than the threshold) is determined based on the inspection result of the electronic cassette 32. Depending on the determination result, any one of the plurality of lamps of the display unit 220B (for example, a lamp that points to one side of the body to be photographed when photographing breasts) is turned on. The proper orientation of the housing 54 at the time of shooting is displayed. Note that, as shown in FIG. 15A, as an example, when the proper orientation of the housing 54 at the time of imaging is displayed in four directions as in the display unit 220B shown in FIG. What is necessary is just to comprise so that the peripheral part area | region of an image may be divided | segmented into four or more partial areas, and the number and size of a white defect part may be determined for each partial area.

上記態様では、電子カセッテ32の検査結果(を撮影条件と照合した結果)が電子カセッテ32の筐体54に設けられた表示部220に表示されるので、特に電子カセッテ32が複数存在している環境において、撮影に適した電子カセッテ32を取り違えたり、筐体54を適切でない向きに向けた状態で撮影されたりすることを防止することができる。なお、上記態様は請求項7,8に記載の発明の一例である。   In the above aspect, since the inspection result of the electronic cassette 32 (the result of collating with the imaging conditions) is displayed on the display unit 220 provided in the housing 54 of the electronic cassette 32, there are particularly a plurality of electronic cassettes 32. In the environment, it is possible to prevent the electronic cassette 32 suitable for photographing from being mistaken or photographed in a state where the casing 54 is oriented in an inappropriate direction. The above aspect is an example of the invention described in claims 7 and 8.

その他、上記の実施形態で説明した本発明に係る放射線画像撮影装置としての電子カセッテ32の構成は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることは言うまでもない。   In addition, it is needless to say that the configuration of the electronic cassette 32 as the radiographic image capturing apparatus according to the present invention described in the above embodiment is an example, and can be appropriately changed without departing from the gist of the present invention.

18 放射線画像撮影システム
32 電子カセッテ
34 放射線発生装置
42 コンソール
60 放射線検出器
71 シンチレータ
71A 柱状結晶
146 密着部材
146A 支持体
146B,146C 粘着層
18 Radiation Imaging System 32 Electronic Cassette 34 Radiation Generator 42 Console 60 Radiation Detector 71 Scintillator 71A Columnar Crystal 146 Adhering Member 146A Supports 146B and 146C Adhesive Layer

Claims (10)

全体形状が平板状で、柱状結晶構造部を有し、照射された放射線を吸収して光を射出するシンチレータと、
平板状で前記シンチレータの前記柱状結晶構造部と対向するように配置され、前記シンチレータから射出された光を放射線画像として検出する光検出部と、
前記シンチレータと前記光検出部との間に配置され、前記シンチレータの前記柱状結晶構造部と第1の密着面で密着すると共に前記光検出部と第2の密着面で密着し、経時劣化に伴う密着面内の空隙の発生が前記第1の密着面内よりも前記第2の密着面内で進行するように、前記第1の密着面の密着力及び前記第2の密着面の密着力が各々設定された密着部材と、
を含む放射線画像撮影装置。
A scintillator that has a flat plate shape as a whole, has a columnar crystal structure, absorbs irradiated radiation, and emits light;
A light detection unit that is arranged in a flat plate shape so as to face the columnar crystal structure part of the scintillator, and detects light emitted from the scintillator as a radiation image;
Arranged between the scintillator and the light detection part, and is in close contact with the columnar crystal structure part of the scintillator on the first contact surface and in close contact with the light detection unit and the second contact surface, and is associated with deterioration over time. The adhesion force of the first adhesion surface and the adhesion force of the second adhesion surface are such that the generation of voids in the adhesion surface proceeds in the second adhesion surface rather than in the first adhesion surface. Each set contact member,
A radiographic imaging apparatus including:
前記光検出部によって検出された放射線画像に対し、前記第1の密着面内に発生した空隙に起因して前記放射線画像に現れる白欠陥部と、前記第2の密着面内に発生した空隙に起因して前記放射線画像に現れる黒欠陥部と、のうち、少なくとも前記黒欠陥部を検出する欠陥部検出手段と、
前記欠陥部検出手段によって検出された前記黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったか否かを判定する判定手段と、
を更に備えた請求項1記載の放射線画像撮影装置。
With respect to the radiographic image detected by the light detection unit, white defects appearing in the radiographic image due to voids generated in the first contact surface, and voids generated in the second contact surface Due to the black defect portion appearing in the radiological image, a defect detection means for detecting at least the black defect portion,
Determination means for determining whether at least one of the number and area of the black defect portions detected by the defect detection means is equal to or greater than a preset threshold;
The radiographic imaging apparatus according to claim 1, further comprising:
前記判定手段によって前記黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったと判定された場合に報知する報知手段を更に備えた請求項2記載の放射線画像撮影装置。   The radiographic image capturing apparatus according to claim 2, further comprising a notification unit that notifies when the determination unit determines that at least one of the number and area of the black defect portions is equal to or greater than a preset threshold value. 前記判定手段は、前記欠陥部検出手段によって検出された前記黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された第1の閾値以上になったか否かを判定すると共に、前記黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が前記第1の閾値よりも大きい第2の閾値以上になったか否かも判定し、
前記判定手段により、前記黒欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が前記第2の閾値以上になったと判定された場合に、放射線画像の撮影を禁止させる撮影禁止処理を行う禁止処理手段を更に備えた請求項2又は請求項3の記載の放射線画像撮影装置。
The determination unit determines whether at least one of the number and area of the black defect portions detected by the defect detection unit is equal to or greater than a first threshold value set in advance, and the black defect portion It is also determined whether at least one of the number and the area is equal to or greater than a second threshold value that is greater than the first threshold value,
The image processing apparatus further includes a prohibition processing unit that performs an imaging prohibition process for prohibiting radiographic image capturing when the determination unit determines that at least one of the number and area of the black defect portions is equal to or greater than the second threshold. The radiographic imaging device of Claim 2 or Claim 3.
前記欠陥部検出手段は前記白欠陥部も検出し、
前記判定手段は、前記欠陥部検出手段によって検出された前記白欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったか否かも判定する請求項2〜請求項4の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。
The defect detection means also detects the white defect,
5. The method according to claim 1, wherein the determination unit also determines whether at least one of the number and area of the white defect portions detected by the defect portion detection unit is equal to or greater than a preset threshold value. The radiographic imaging device described in the item.
前記欠陥部検出手段は前記黒欠陥部と前記白欠陥部とを区別して検出し、
前記判定手段は、前記欠陥部検出手段によって検出された前記白欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったか否かを、前記放射線画像を複数の領域に区切ったときの個々の領域毎に判定し、
前記禁止処理手段は、前記撮影禁止処理として、前記複数の領域のうち、前記判定手段によって前記白欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったと判定された領域を用いる放射線画像の撮影を禁止させる処理を行う請求項4記載の放射線画像撮影装置。
The defect detection means distinguishes and detects the black defect portion and the white defect portion,
When the determination unit divides the radiographic image into a plurality of regions as to whether or not at least one of the number and area of the white defect portions detected by the defect portion detection unit is equal to or greater than a preset threshold value. For each individual area,
The prohibition processing unit uses, as the photographing prohibition processing, an area in which at least one of the number and area of the white defect portions is determined to be equal to or more than a preset threshold by the determination unit among the plurality of areas. The radiographic image capturing apparatus according to claim 4, wherein processing for prohibiting radiographic image capturing is performed.
前記判定手段による判定結果を記憶する記憶手段と、
放射線画像の撮影条件として、撮影部位及び撮影される放射線画像の診断用途の少なくとも一方を表す撮影条件情報を取得する取得手段と、
複数種の表示状態に切替可能な表示手段と、
前記取得手段によって取得された前記撮影条件情報を前記記憶手段に記憶されている前記判定結果と照合することで、前記撮影条件情報が表す撮影条件での放射線画像の撮影の適否を判定し、判定結果に応じて前記表示手段の表示状態を切り替える表示制御手段と、
を更に備えた請求項2〜請求項6の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。
Storage means for storing a determination result by the determination means;
An acquisition means for acquiring imaging condition information representing at least one of an imaging region and a diagnostic use of the radiographic image to be acquired as an imaging condition of the radiographic image;
Display means capable of switching to a plurality of display states;
By comparing the imaging condition information acquired by the acquisition unit with the determination result stored in the storage unit, it is determined whether or not radiographic images are captured under the imaging condition represented by the imaging condition information, and determination is made. Display control means for switching the display state of the display means according to a result;
The radiographic imaging device according to any one of claims 2 to 6, further comprising:
前記表示手段の複数種の表示状態の中には、放射線画像撮影時の前記放射線画像撮影装置の筐体の適正な向きを指示する表示状態が含まれており、
前記欠陥部検出手段は前記黒欠陥部と前記白欠陥部とを区別して検出し、
前記判定手段は、前記欠陥部検出手段によって検出された前記白欠陥部の数及び面積の少なくとも一方が予め設定された閾値以上になったか否かを、前記放射線画像を複数の領域に区切ったときの個々の領域毎に判定し、
前記表示制御手段は、前記撮影条件情報が表す撮影条件が、前記筐体の放射線照射面のうちの一端側に被写体が撮影される撮影条件である場合には、前記記憶手段に記憶されている前記判定結果に基づいて放射線画像撮影時の前記筐体の適正な向きを判定し、前記表示手段の表示状態を、判定した適正な向きを指示する表示状態へ切り替える請求項7記載の放射線画像撮影装置。
Among the plurality of display states of the display means includes a display state that instructs an appropriate orientation of the housing of the radiographic image capturing apparatus at the time of radiographic image capturing,
The defect detection means distinguishes and detects the black defect portion and the white defect portion,
When the determination unit divides the radiographic image into a plurality of regions as to whether or not at least one of the number and area of the white defect portions detected by the defect portion detection unit is equal to or greater than a preset threshold value. For each individual area,
The display control means is stored in the storage means when the imaging condition represented by the imaging condition information is an imaging condition in which the subject is imaged on one end side of the radiation irradiation surface of the housing. The radiographic imaging according to claim 7, wherein an appropriate orientation of the housing at the time of radiographic imaging is determined based on the determination result, and the display state of the display unit is switched to a display state instructing the determined appropriate orientation. apparatus.
前記密着部材は、支持体の一方の面に前記シンチレータと密着するための第1の粘着層が設けられると共に、前記支持体の他方の面に前記光検出部と密着するための第2の粘着層が設けられた構成であり、前記第1の粘着層及び前記第2の粘着層の粘着力が調整されることで、前記第1の密着面の密着力及び前記第2の密着面の密着力が各々設定されている請求項1〜請求項8の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。   The adhesion member is provided with a first adhesive layer for closely adhering to the scintillator on one surface of a support, and a second adhesive for closely adhering to the light detection unit on the other surface of the support. A layer is provided, and the adhesive force of the first adhesive layer and the adhesive force of the second adhesive surface are adjusted by adjusting the adhesive force of the first adhesive layer and the second adhesive layer. The radiographic imaging apparatus of any one of Claims 1-8 in which each force is set. 前記シンチレータ及び前記光検出部のうちの前記光検出部側から放射線が入射され、前記光検出部を透過した放射線が前記シンチレータに照射される請求項1〜請求項9の何れか1項記載の放射線画像撮影装置。   The radiation according to any one of claims 1 to 9, wherein radiation is incident from the light detection unit side of the scintillator and the light detection unit, and the scintillator is irradiated with radiation that has passed through the light detection unit. Radiation imaging device.
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