JP5458882B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、表示装置及び照明装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう）は、電極と電極の間を厚さわずか０．１μｍ程度の有機材料の膜で構成する全固体素子であり、なおかつその発光が２Ｖ〜２０Ｖ程度の比較的低い電圧で達成できることから、次世代の平面ディスプレイや照明として期待されている技術である。

更に、最近発見されたリン光発光を利用する有機ＥＬでは、以前の蛍光発光を利用するそれに比べ原理的に約４倍の発光効率が実現可能であることから、その材料開発を初めとし、発光素子の層構成や電極の研究開発が世界中で行われている。

有機ＥＬ素子の構成は、透明電極と対抗電極に有機層が挟まれただけの単純なものであり、平面ディスプレイの代表である液晶ディスプレイに比べ、部品点数が圧倒的に少ないため、製造コストも低く抑えられるはずであるが、現状では必ずしもそうではなく、性能的にもコスト的にも液晶ディスプレイに大きく水をあけられている。

特にコストに対しては、生産性の悪さがその要因と考えられる。幾つかの要因があるが、その一つとして、有機ＥＬ素子が酸素や水分に対して非常に敏感であり、非常に厳しい封止行程を必要とすることにある。形成される薄膜と平行な面はガラス基板、あるいはバリアー付きのフィルムを使用することで封止効果を付与することができる反面、側面部分の封止は困難であり、これが技術的課題となる。

例えば、光硬化性の樹脂で全面をカバーしガラスなどを貼り付ける方法（例えば、特許文献１参照。）、ラミネートフィルムで被覆する方法（例えば、特許文献２参照。）、また有機層の一部にバインダー材料を含有させ、このバインダー材料の軟化により接着する方法（例えば、特許文献３参照。）等が開示されている。

いずれも基板周辺部を接着または融着することによって側面部分の封止効果を得るものであるが、実用性の高い有機ＥＬ素子として用いるには、外部取り出し量子効率や、発光寿命等にまだ、十分ではなく、これらの課題の克服が求められているのが現状である。
特開平６−３３８３９２号公報 特開昭６０−１４７９８号公報 特開平９−７７６３号公報

本発明の課題は、外部取り出し量子効率が高く、発光寿命の長い有機ＥＬ素子を提供することであり、更にまた、有機ＥＬ素子の製造方法、照明装置及び表示装置を提供することである。

本発明の上記課題は、下記手段により解決される。

１．陽極側基板、陰極側基板に挟まれた有機層として、少なくとも、発光層、正孔輸送層及び電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層が、リン光発光性イリジウム化合物を含有し、
前記発光層が、下記Ａ群から選ばれる架橋性ホスト化合物又は当該架橋性ホスト化合物の少なくとも１種の重合体を含有し、前記陽極側基板及び陰極側基板の各基板上に予め形成された発光層を対面させるようにして貼合して形成され、かつ
前記正孔輸送層が、下記Ｂ群から選ばれる架橋性正孔輸送材料又は当該架橋性正孔輸送材料の少なくとも１種の重合体を含有し、又は
前記電子輸送層が、下記Ｃ群から選ばれる架橋性電子輸送材料又は当該架橋性電子輸送材料の少なくとも１種の重合体を含有している
ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Ａ群：
Ｂ群：
Ｃ群：

２．前記有機層が塗布で成膜されたことを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

３．白色に発光することを特徴とする第１項又は第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

４．第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、前記有機層の少なくとも１層を塗布で成膜する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

５．第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、陽極側基板上に設けられた有機層と陰極側基板上に設けられた有機層とを貼合する工程を有することを特徴とする第４項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
６．第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
７．第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。

本発明により、外部取り出し量子効率が高く、発光寿命の長い有機ＥＬ素子を提供すること、更に、有機ＥＬ素子の製造方法、照明装置及び表示装置を提供することができる。

有機ＥＬ素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。 表示部の模式図である。 照明装置の断面図である。 星形形状のを有する白色照明装置の一例を示す模式図である。

符号の説明

１ ディスプレイ
３ 画素
５ 走査線
６ データ線
７ 電源ライン
１０ 有機ＥＬ素子
１１ スイッチングトランジスタ
１２ 駆動トランジスタ
１３ コンデンサ
Ａ 表示部
Ｂ 制御部
１０１ 有機ＥＬ素子
１０７ 透明電極付き基板
１０６ 有機ＥＬ層
１０５ 電極付き基板

本発明の有機ＥＬ素子は、陽極側基板、陰極側基板に挟まれた有機層として、少なくとも、発光層、正孔輸送層及び電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記発光層が、リン光発光性イリジウム化合物を含有し、前記発光層が、前記Ａ群から選ばれる架橋性ホスト化合物又は当該架橋性ホスト化合物の少なくとも１種の重合体を含有し、前記陽極側基板及び陰極側基板の各基板上に予め形成された発光層を対面させるようにして貼合して形成され、かつ前記正孔輸送層が、前記Ｂ群から選ばれる架橋性正孔輸送材料又は当該架橋性正孔輸送材料の少なくとも１種の重合体を含有し、又は前記電子輸送層が、前記Ｃ群から選ばれる架橋性電子輸送材料又は当該架橋性電子輸送材料の少なくとも１種の重合体を含有していることを特徴とする。

以下、本発明に係る各構成要素の詳細について、順次説明する。

本発明者等は、従来公知の有機ＥＬ素子に用いられている、基板周辺部を接着または融着することによって側面部分の封止効果を得る技術に着目し、特に、素子の側面部分の封止に関して新たな技術を創出することができれば、現在のような封止行程の必要性は無くなり大きな生産性の向上を達成でき、実用性の高い有機ＥＬ素子の提供が可能になると考えた。

また、従来、有機ＥＬ素子の製造時、最終工程に封止工程が位置するため、有機ＥＬ素子の最終形態はこの封止工程時の形状に限定されていたが、封止工程が必要なくなるならば、素子製造後に素子形状を変化させることも可能となり、例えば、「光るカッティングシート」のような新しい製品用途の創出等の展開が可能となる。

本発明では、有機ＥＬ素子を構成する有機層（有機化合物層ともいう）に架橋高分子材料（複数の重合性基の重合反応によりネットワーク化された高分子材料となる）を用いることで、有機層自身にバリアー性を付与することで、素子の側面部分に接着剤の使用、封止材料の使用等を必要としない有機ＥＬ素子を提供できる。

本発明の有機ＥＬ素子に係る、陽極側基板、陰極側基板、有機層については、後に詳細に説明する。

《分子内に複数の重合性基を有する化合物、該化合物の重合体》
本発明に係る、分子内に複数の重合性基を有する化合物（以下、架橋性材料ともいう）について説明する。また、該化合物の重合体とは、前記化合物の単独重合体（ホモポリマー）または共重合体等が挙げられる。

ここで、重合性基とは、ラジカル重合反応、イオン重合反応、縮重合反応等を起こすことが可能な基であればよく、例えば、ビニル基、ビニルオキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、オキシラン（エチレンオキシド）から導出される基（エポキシ基）、トリメチレンオキシド（オキセタン）から導出される基等を挙げることができる。

以下、本発明に係る分子内に複数の重合性基を有する化合物（架橋性材料）の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。ただし、参考例も含む。

尚、上記の架橋性材料の具体例の中で、化合物ＭＯ−１〜ＭＯ−２１は、架橋性の正孔輸送材料として好ましく用いられ、ＭＯ−２２〜ＭＯ−４４は、架橋性ホスト（架橋性ホスト化合物ともいう）として好ましく用いられ、また、ＭＯ−４５〜ＭＯ−５２は、架橋性電子輸送材料として好ましく用いられる。

上記の架橋性材料は、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、後述する一般式（Ｅ）において、Ａｒで表される芳香族複素環が有してもよい置換基を挙げることができる。更にまた、本発明に係る架橋性材料としては、後述する、従来公知の有機ＥＬ素子材料（例えば、ホスト化合物、電子輸送材料、正孔輸送材料や、正孔阻止層、電子阻止層、電子注入層、正孔注入層等に含有される化合物等）に重合性基が置換した化合物を用いることもできる。

また、有機ＥＬ素子の側面部分に十分な封止効果を付与する観点から、本発明に係る、分子内に複数の重合性基を有する化合物（以下、架橋性材料ともいう）の重合体を含む有機層（有機化合物層）中での含有量は５０質量％以上であることが好ましい。

《有機ＥＬ素子の構成層、有機層、無機層》
本発明の有機ＥＬ素子の構成層、有機層（有機化合物層ともいう）、無機層（無機化合物層ともいう）について説明する。本発明において、有機ＥＬ素子の層構成の好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。

ここで、本発明に係る有機層（有機化合物層）としては、該層の形成材料として有機化合物が含有されていればよいが、好ましくは、前記有機層の構成成分の５０質量％以上を有機化合物が含有されている場合である。
（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
（ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
《基板の周辺部が、接着または融着封止されていない素子》
本発明の有機ＥＬ素子は、〔実施例〕の欄に記載のように、陽極基板の周辺部または陰極基板の周辺部が、下記に示す接着封止または融着封止されていないことを特徴とする。

ここで、本発明に係る陽極基板の周辺部とは、素子を構成する陽極基板及び陽極基板上の少なくとも一つの有機層を含む側面領域を示す、同様に、陰極基板の周辺部とは、素子を構成する陰極基板及び陰極基板上の少なくとも一つの有機層を含む側面領域を示す。

《接着封止または融着封止》
従来公知の有機ＥＬ素子の陽極基板の周辺部または陰極基板の周辺部に適用されている、接着または融着封止としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。

封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置され、具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。

金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる一種以上の金属または合金からなるものが挙げられる。

また、従来公知の接着剤としては、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤等が用いられている。

以下、本発明の有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。

《電子輸送層》
電子輸送層とは電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層または複数層設けることができる。

従来、単層の電子輸送層、及び複数層とする場合は発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができ、例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン及びアントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。更に上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送材料として用いることができる。更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、ＧａまたはＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。その他、メタルフリーもしくはメタルフタロシアニン、またはそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。

電子輸送層は上記電子輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、不純物をドープしたｎ性の高い電子輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

本発明においては、このようなｎ性の高い電子輸送層を用いることがより低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

以下、本発明の有機ＥＬ素子の電子輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

尚、上記の電子輸送層の形成に好ましく用いられる化合物に、複数の重合性基を導入して、本発明に係る架橋性材料として用いることもできる。

《発光層》
本発明に係る発光層は、電極または電子輸送層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。

発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整することが好ましく、さらに好ましくは２ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に調整され、特に好ましくは、１０ｎｍ〜２０ｎｍの範囲である。

発光層の作製には、後述する発光ドーパントやホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等の公知の薄膜化法により製膜して形成することができる。

本発明の有機ＥＬ素子の発光層には、発光ホスト化合物と、発光ドーパント（リン光ドーパント（リン光発光性ドーパントともいう）や蛍光ドーパント等）の少なくとも１種類とを含有することが好ましい。

（ホスト化合物（発光ホスト等ともいう））
本発明に用いられるホスト化合物について説明する。

ここで、本発明においてホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内でその層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、または複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光ドーパントを複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

また、本発明に用いられる発光ホストとしては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でも良い。

併用してもよい公知のホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、なお且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。

また、公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物が挙げられる。

特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等。

以下、本発明の有機ＥＬ素子の発光層のホスト化合物として好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

尚、上記のホスト化合物に、複数の重合性基を導入して、架橋性材料として用いることもできる。

《発光ドーパント》
本発明に係る発光ドーパントについて説明する。

本発明に係る発光ドーパントとしては、蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう）、リン光ドーパント（リン光発光体、リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう）を用いることができるが、より発光効率の高い有機ＥＬ素子を得る観点からは、本発明の有機ＥＬ素子の発光層や発光ユニットに使用される発光ドーパント（単に、発光材料ということもある）としては、上記のホスト化合物を含有すると同時に、リン光ドーパントを含有することが好ましい。

（リン光ドーパント）
本発明に係るリン光ドーパントについて説明する。

本発明に係るリン光ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に係るリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

リン光ドーパントの発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光ドーパントに移動させることでリン光ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光ドーパント上でキャリアの再結合が起こりリン光ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光ドーパントの励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。

リン光ドーパントは、有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。

本発明に係るリン光ドーパントとしては、好ましくは元素周期表で８族〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、または白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

以下に、リン光ドーパントとして用いられる化合物の具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。これらの化合物は、例えば、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０巻、１７０４〜１７１１に記載の方法等により合成できる。

尚、上記のリン光ドーパントに、複数の重合性基を導入して、本発明に係る架橋性材料として用いることもできる。

また、発光層には、下記に示す反応性リン光ドーパントを用いることもできる。

上記の反応性リン光ドーパントの中で、本発明に係る分子内に複数の重合性基を有する化合物（架橋性材料）として、ＭＤ−７、ＭＤ−８、ＭＤ−９、ＭＤ−１０等のような、重合性基を複数有する化合物が好ましく用いられる。

また、反応性リン光ドーパントとしては、従来公知のリン光性化合物に、上記の反応性ホスト化合物が有してもよい重合性基が置換した化合物も好ましく用いられる。

本発明に係るリン光ドーパント（リン光性化合物、リン光発光性化合物等ともいう）としては、励起三重項からの発光が青色である、いわゆる、青色発光ドーパントとして下記のような青色発光性オルトメタル錯体が好ましく用いられる。

《デンドリマー型リン光発光性有機金属錯体》
また、本発明に係るリン光ドーパントとしては、下記一般式（Ｄ１）で表されるデンドリマー型リン光発光性有機金属錯体を用いることができる。

一般式（Ｄ１）
Ｐ−［（デンドロン）ｍ］ｎ
一般式（Ｄ１）において、デンドロンは、下記一般式（Ｅ）で表される樹木状分子を表し、ｎは、０を超える整数を表し、ｍは、０を超え、且つ、ｎ未満の整数を表す。Ｐは、コア（核）となる、リン光発光性有機金属錯体を表す。

一般式（Ｅ）においてＡｒは、芳香族炭化水素環または芳香族複素環から導出される三価の基を表す。芳香族複素環を表し、Ｘは、前記コア（核）となる、リン光発光性有機金属錯体Ｐと結合する単結合または二価の連結基を表す。ｎは、分岐回数（世代数ともいう）を表す。

一般式（Ｅ）において、Ａｒで表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。尚、これらの環は、更に、下記の一般式（Ａ）において、Ｒで表される置換基を有していてもよい。

一般式（Ｅ）において、Ａｒで表される芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。

尚、これらの環は、更に、置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等）、シクロアルキル基（例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等）、アルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基等）、アルキニル基（例えば、エチニル基、プロパルギル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、ナフチル基等）、芳香族複素環基（例えば、フリル基、チエニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、トリアジニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、チアゾリル基、キナゾリニル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（前記カルボリニル基のカルボリン環を構成する任意の炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、フタラジニル基等）、複素環基（例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等）、シクロアルコキシ基（例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等）、シクロアルキルチオ基（例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等）、アルコキシカルボニル基（例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等）、アリールオキシカルボニル基（例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等）、スルファモイル基（例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、２−ピリジルアミノスルホニル基等）、アシル基（例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、２−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等）、アシルオキシ基（例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等）、アミド基（例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、２−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等）、カルバモイル基（例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、２−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、２−ピリジルアミノカルボニル基等）、ウレイド基（例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、２−ピリジルアミノウレイド基等）、スルフィニル基（例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、２−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、２−ピリジルスルフィニル基等）、アルキルスルホニル基（例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、２−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等）、アリールスルホニル基またはヘテロアリールスルホニル基（例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、２−ピリジルスルホニル基等）、アミノ基（例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、２−ピリジルアミノ基等）、ハロゲン原子（例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等）、フッ化炭化水素基（例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等）、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、シリル基（例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等）等が挙げられる。尚、これらの置換基は、上記の置換基によってさらに置換されていてもよい。また、これらの置換基は複数が互いに結合して環を形成していてもよい。

一般式（Ｅ）において、Ｘで表される二価の連結基としては、アルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、アリーレン基などの炭化水素基のほか、前記アルキレン基、前記アルケニレン基、前記アルキニレン基、前記アリーレン基中、各々ヘテロ原子（例えば、窒素原子、硫黄原子、珪素原子等）を含むものであってもよく、また、チオフェン−２，５−ジイル基や、ピラジン−２，３−ジイル基のような、芳香族複素環を有する化合物（ヘテロ芳香族化合物ともいう）に由来する二価の連結基であってもよいし、酸素や硫黄などのカルコゲン原子であってもよい。また、アルキルイミノ基、ジアルキルシランジイル基やジアリールゲルマンジイル基のような、ヘテロ原子を会して連結する基でもよい。

以下、一般式（Ｄ１）で表されるデンドリマーの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

《シクロデキストリン誘導体》
本発明に係るリン光ドーパントとしては、下記一般式（Ｄ）で表されるシクロデキストリン誘導体を用いることができる。ここで、シクロデキストリン誘導体とは、複数のＤ−グルコピラノース基がα−１、４グリコシド結合によって環化した構造を有する化合物の総称。分子内に存在する１級と２級の水酸基は置換基で置換されていて構わない。

一般式（Ｄ）において、Ｒは置換基を表し、Ｚはリン光性化合物の残基を表す。

一般式（Ｄ）において、Ｒで表される置換基は、上記一般式（Ｅ）において、Ａｒで表される芳香族炭化水素環が有してもよい置換基と同義である。

一般式（Ｄ）において、Ｚで表されるリン光性化合物の残基として用いられるリン光性化合物としては、リン光性化合物（リン光ドーパントともいう）を用いることができる。

以下、本発明に用いられるシクロデキストリン誘導体の好ましい具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

尚、ＣＤ−１、２において、Ａｃは、各々アセチル基を表す。

《カリックスアレーン誘導体》
本発明に係るリン光ドーパントの一種として用いられるカリックスアレーン誘導体について説明する。

本発明に用いられるカリックスアレーン誘導体とは、下記一般式（Ａ）で表されるように、フェノール誘導体をアルキレン基またはオキシアルキレン基で結合した環状構造を有する化合物の総称を表し、また、分子内のフェノール性水酸基は置換基で置換されていて構わない。

一般式（Ａ）において、Ａ、Ｌで、各々表される二価の連結基としては、一般式（Ｅ）において、Ｘで表される二価の連結基と同義である。

更に、Ａ、Ｌで各々表される二価の連結基としては、例えば、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（モノアザカルボリン環ともいい、カルボリン環を構成する炭素原子のひとつが窒素原子で置き換わった構成の環構成を示す）、トリアゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピラジン環、キノキサリン環、チオフェン環、オキサジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インドール環等のような芳香族複素環群から選択される芳香族複素環から導出される二価の基等を用いることが出来る。

また、更に、一般式（Ｅ）において、Ａｒで表される芳香族炭化水素環が有してもよい置換基を有してもよい。

以下に、本発明に用いられるカリックスアレーン誘導体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

ＣＡ−１において、Ａは、ＣＨまたはＮを表し、Ｒは、水素原子、メチル基またはアセチル基を表し、ｎは、１〜６の整数を表す。

《クラウンエーテル誘導体》
本発明に係るリン光ドーパントの一種として用いられるクラウンエーテル誘導体について説明する。

本発明に用いられるクラウンエーテル誘導体とは、下記一般式（Ｂ）または一般式（Ｃ）で各々表されるように、環状ポリエーテルであって、環全体が多座配位子となり、金属イオンや有機イオンと包接する機能を持つ化合物の総称を表し、且つ、酸素原子の代わりにその一部、または全てが窒素、硫黄で置換されても良い。

一般式（Ｂ）、一般式（Ｃ）の各々において、Ｌは、単結合または二価の連結基を表し、Ｃｈは、酸素原子または硫黄原子を表す。ｍは、１〜９の整数、ｎは、１〜３の整数を表し、Ｚは、蛍光性化合物の残基またはリン光性化合物の残基を表す。

一般式（Ｂ）、一般式（Ｃ）の各々において、Ｌで表される二価の連結基は、上記一般式（Ａ）のＡ、Ｌで各々表される二価の連結基と同義である。

一般式（Ｂ）、一般式（Ｃ）の各々において、Ｚで表されるリン光性化合物の残基として用いられるリン光性化合物としては、後述するリン光性化合物（リン光ドーパントともいう）に記載の化合物等が挙げられる。

また、上記一般式（Ｂ）、（Ｃ）で各々表されるクラウンエーテル誘導体は、上記一般式（Ａ）で表されるカリックスアレーン誘導体が有する置換基Ｒを有していてもよい。

以下、本発明に用いられるクラウンエーテル誘導体の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

上記の具体例である、ＣＥ−１、ＣＥ−２の各々において、Ａは、ＣＨまたはＮを表し、ｎは、１〜９の整数を表す。

本発明に用いられるリン光性化合物は、例えばＯｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、ｐ２５７９〜２５８１（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７ページ（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４ページ（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１ページ（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６ページ（２００２年）、Ｎｅｗ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１ページ（２００２年）、更に、これらの文献中に記載の参考文献等の方法を適用することにより合成できる。

このほかにも、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１２３巻４３０４〜４３１２頁（２００１年）、国際公開第００／７０６５５号パンフレット、同第０２／１５６４５号パンフレット、特開２００１−２４７８５９号公報、同２００１−３４５１８３号公報、同２００２−１１７９７８号公報、同２００２−１７０６８４号公報、同２００２−２０３６７８号公報、同２００２−２３５０７６号公報、同２００２−３０２６７１号公報、同２００２−３２４６７９号公報、同２００２−３３２２９１号公報、同２００２−３３２２９２号公報、同２００２−３３８５８８号公報等に記載の一般式であげられるイリジウム錯体、あるいは、具体的例として挙げられるイリジウム錯体、特開２００２−８８６０号公報記載の式（IV）で表されるイリジウム錯体等が挙げられる。

（蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう））
蛍光ドーパント（蛍光性化合物）としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素、または希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

本発明に用いることのできる蛍光ドーパントとしては、上記一般式（Ｄ）で表されるシクロデキストリン誘導体において、Ｚで表されるリン光性化合物の残基の代わりに、蛍光性化合物残基を有するものが挙げられる。

また、本発明に用いることのできる蛍光ドーパントの例としては、上記一般式（Ｂ）、上記一般式（Ｃ）の各々で表されるクラウンエーテル誘導体において、Ｚで表されるリン光発光性化合物残基の代わりに、蛍光性化合物の残基を用いて化合物が挙げられる。

ここで、蛍光性化合物としては、上記の蛍光ドーパント（蛍光性化合物ともいう）に記載の色素、蛍光性化合物または蛍光性ドーパントの具体例等が挙げられる。

次に、本発明の有機ＥＬ素子の構成層として用いられる、注入層、阻止層、電子輸送層等について説明する。

《正孔輸送層》
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層または複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入または輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、また導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。

正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、更には米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。

更にこれらの材料を高分子鎖に導入した、またはこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。

また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることからこれらの材料を用いることが好ましい。

正孔輸送層は上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種または２種以上からなる一層構造であってもよい。

また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

本発明においては、このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いることが、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

以下、本発明の有機ＥＬ素子の正孔輸送層の形成に好ましく用いられる化合物の具体例を挙げるが、本発明はこれらに限定されない。

尚、上記の正孔輸送層の形成に好ましく用いられる化合物に、複数の重合性基を導入して、本発明に係る架橋性材料として用いることもできる。

《注入層：電子注入層、正孔注入層》
注入層は必要に応じて設け、電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層または正孔輸送層の間、及び陰極と発光層または電子輸送層との間に存在させてもよい。

注入層とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために電極と有機層間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されており、正孔注入層（陽極バッファー層）と電子注入層（陰極バッファー層）とがある。

陽極バッファー層（正孔注入層）は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、具体例として、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニンバッファー層、酸化バナジウムに代表される酸化物バッファー層、アモルファスカーボンバッファー層、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子を用いた高分子バッファー層等が挙げられる。

陰極バッファー層（電子注入層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。

尚、上記の電子注入層、正孔注入層の形成に好ましく用いられる化合物に、複数の重合性基を導入して、本発明に係る架橋性材料として用いることもできる。

《阻止層：正孔阻止層、電子阻止層》
阻止層は、上記の如く有機化合物薄膜の基本構成層の他に必要に応じて設けられるものである。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層がある。

正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有し、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係わる正孔阻止層として用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子の正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。

正孔阻止層には、前述のホスト化合物として挙げたアザカルバゾール誘導体を含有することが好ましい。

また、本発明においては、複数の発光色の異なる複数の発光層を有する場合、その発光極大波長が最も短波にある発光層が、全発光層中、最も陽極に近いことが好ましいが、このような場合、該最短波層と該層の次に陽極に近い発光層との間に正孔阻止層を追加して設けることが好ましい。更には、該位置に設けられる正孔阻止層に含有される化合物の５０質量％以上が、前記最短波発光層のホスト化合物に対しそのイオン化ポテンシャルが０．３ｅＶ以上大きいことが好ましい。

イオン化ポテンシャルは化合物のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義され、例えば下記に示すような方法により求めることができる。

（１）米国Ｇａｕｓｓｉａｎ社製の分子軌道計算用ソフトウェアであるＧａｕｓｓｉａｎ９８（Ｇａｕｓｓｉａｎ９８、Ｒｅｖｉｓｉｏｎ Ａ．１１．４，Ｍ．Ｊ．Ｆｒｉｓｃｈ，ｅｔ ａｌ，Ｇａｕｓｓｉａｎ，Ｉｎｃ．，Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ ＰＡ，２００２．）を用い、キーワードとしてＢ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊を用いて構造最適化を行うことにより算出した値（ｅＶ単位換算値）の小数点第２位を四捨五入した値としてイオン化ポテンシャルを求めることができる。この計算値が有効な背景には、この手法で求めた計算値と実験値の相関が高いためである。

（２）イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接測定する方法により求めることもできる。例えば、理研計器社製の低エネルギー電子分光装置「Ｍｏｄｅｌ ＡＣ−１」を用いて、あるいは紫外光電子分光として知られている方法を好適に用いることができる。

一方、電子阻止層とは広い意味では正孔輸送層の機能を有し、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、後述する正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に係る正孔阻止層、電子輸送層の膜厚としては、好ましくは３ｎｍ〜１００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ〜３０ｎｍである。

尚、上記の正孔阻止層、電子阻止層の形成に好ましく用いられる化合物に、複数の重合性基を導入して、本発明に係る架橋性材料として用いることもできる。

《縮合ポリマー》
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法においては、有機ＥＬ素子の有機層の構成材料の他にも、下記に示す縮合ポリマーを適宜用いることが出来る。

以下、本発明に用いられる縮合ポリマーとしては、下記一般式（１）で表される化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

一般式（１）において、［Ａｒ］ｎは、ｎ個所の置換可能な部位を有する、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表す。Ｚは、蛍光性化合物残基またはリン光性化合物残基を表し、Ａｒの置換可能な部位ｎ個所のうちのｍ個所がＫを介して連結している。Ｋは、二価の連結基または単結合を表す。ｎは、１〜３の数を表し、ｍは、１〜ｎの数を表す。ここで、Ｚ、Ｋが複数の場合、各々は独立に、同一でもよく、異なっていてもよい。Ｌは、後述する連結基群１から選択される二価の連結基である。

一般式（１）において、Ａｒで表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ビフェニル環、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、ｏ−テルフェニル環、ｍ−テルフェニル環、ｐ−テルフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環等が挙げられる。尚、これらの環は、更に、上記一般式（Ａ）において、Ｒで表される置換基を有していてもよい。

一般式（１）において、Ａｒで表される芳香族複素環としては、例えば、フラン環、チオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環（カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環を示す）等が挙げられる。

尚、これらの環は、更に、上記一般式（Ｅ）において、Ａｒで表される芳香族炭化水素環が有しても良い置換基を有していてもよい。

一般式（１）において、Ｋで表される二価の連結基は、一般式（１）において、Ａで表される二価の連結基と同義である。

一般式（１）において、Ｚで表される蛍光性化合物の残基、リン光性化合物残基は、各々、一般式（１）において、Ｚで表される蛍光性化合物残基、リン光性化合物残基と各々同義である。

一般式（１）において、Ｌで表される二価の連結基は、下記の連結基群１から選択される。

上記連結基群１において、Ｒ₁〜Ｒ₄は、各々アルキル基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。

上記連結基群１において、Ｒ₁〜Ｒ₄で各々表されるアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等が挙げられる。これらは、更に、上記一般式（Ａ）において、Ｒで表される置換基を有していてもよい。

上記連結基群１において、Ｒ₁〜Ｒ₄で表される芳香族炭化水素基としては、例えば、フェニル基、ｐ−クロロフェニル基、メシチル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、アントリル基、アズレニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基、フェナントリル基、インデニル基、ピレニル基、ビフェニリル基等が挙げられる。

これらの基は、更に、上記一般式（Ａ）において、Ｒで表される置換基を有していてもよい。

上記連結基群１において、Ｒ₁〜Ｒ₄で表される芳香族複素環基としては、例えば、ピリジル基、ピリミジニル基、フリル基、ピロリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、ピラゾリル基、ピラジニル基、トリアゾリル基（例えば、１，２，４−トリアゾール−１−イル基、１，２，３−トリアゾール−１−イル基等）、オキサゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、イソオキサゾリル基、イソチアゾリル基、フラザニル基、チエニル基、キノリル基、ベンゾフリル基、ジベンゾフリル基、ベンゾチエニル基、ジベンゾチエニル基、インドリル基、カルバゾリル基、カルボリニル基、ジアザカルバゾリル基（カルボリニル基のカルボリン環を構成する炭素原子の一つが窒素原子で置き換わったものを示す）、キノキサリニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、キナゾリニル基、フタラジニル基等が挙げられる。

これらの基は、更に、上記一般式（Ｅ）において、Ａｒで表される芳香族炭化水素環が有しても良い置換基を有していてもよい。

以下、一般式（１）で表される縮合ポリマーの具体例を示すが、本発明はこれらに限定されない。

《陽極》
有機ＥＬ素子における陽極としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Ａｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ₂、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ₂Ｏ₃−ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。

陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。

あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式製膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。更に膜厚は材料にもよるが、通常は、１０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲であり、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

《陰極》
一方、陰極としては仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。

これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ₂Ｏ₃）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。

また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。尚、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極または陰極のいずれか一方が透明または半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。

また、陰極に上記金属を１ｎｍ〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明または半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。

《支持基板》
本発明の有機ＥＬ素子に用いることのできる支持基板（以下、基体、基盤、基板、基材、支持体等とも言う）としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機ＥＬ素子に可撓性（フレキシブル性）を与えることが可能な樹脂フィルムである。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート（ＴＡＣ）、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類またはそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）あるいはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜またはその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が０．０１ｇ／（ｍ²・２４ｈ）以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１０^-3ｍｌ／（ｍ²・２４ｈ・ＭＰａ）以下、水蒸気透過度が、１０^-5ｇ／（ｍ²・２４ｈ）以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。

バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができるが、特開２００４−６８１４３号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子の発光の室温における外部取り出し効率は、１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。

ここで、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子に流した電子数×１００である。

また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子からの発光色を蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスタ−イオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。

封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。

吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物（例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等）、硫酸塩（例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等）、金属ハロゲン化物（例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、沃化バリウム、沃化マグネシウム等）、過塩素酸類（例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等）等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。

《保護膜、保護板》
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜、あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために保護膜、あるいは保護板を設けてもよい。特に封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量且つ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。

《有機ＥＬ素子の製造方法》
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。

本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例として、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極からなる有機ＥＬ素子の製造方法を説明する。

まず、適当な基板（支持体、基盤、基体等ともいう）上に所望の電極物質、例えば、陽極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍの膜厚になるように、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ陽極を作製する。

次に、この上に有機ＥＬ素子材料である正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層等の有機層（有機化合物層）を形成させる場合、本願請求の範囲６に記載のように、前記有機層の少なくとも１層は塗布により成膜することが好ましい。

《塗布による有機層の形成》
これらの有機層の形成方法としては、前記の如く蒸着法、ウェットプロセス（スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法）等があるが、均質な膜が得られやすく、且つピンホールが生成しにくい等の点から、本発明においては、塗布（例えば、スピンコート法、インクジェット法、印刷法等）による成膜（層形成ともいう）が好ましい。

有機層形成に用いる塗布液の調製を行う場合、有機ＥＬ材料を溶解または分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。

また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。

これらの層を形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を１μｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲の膜厚になるように、例えば、蒸着やスパッタリング等の方法により形成させ、陰極を設けることにより所望の有機ＥＬ素子が得られる。

また作製順序を逆にして、陰極、電子注入層、電子輸送層、発光層、正孔輸送層、正孔注入層、陽極の順に作製することも可能である。このようにして得られた多色の表示装置に、直流電圧を印加する場合には陽極を＋、陰極を−の極性として電圧２〜４０Ｖ程度を印加すると発光が観測できる。また交流電圧を印加してもよい。なお、印加する交流の波形は任意でよい。

《貼合（貼り合わせともいう）による有機ＥＬ素子の製造》
更に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法としては、基板Ａ上に設けられた有機層Ａと基板Ｂ上に設けられた有機層Ｂとを貼合する工程または該有機層Ａと該基板Ｂとを貼合する工程により、素子形成を行うことが好ましい。

より具体的に説明すると、例えば、陰極基板上に有機層Ａを設けた部材と、陽極基板上に有機層Ｂを設けた部材、をそれぞれ作製し、有機層同士を対向させ、部材同士を貼合して有機ＥＬ素子が形成される。

本発明では、上記の有機層Ａと有機層Ｂは、素子の構成層として同一の機能を示す層でもよいし、異なる機能を示す層であってもよい。

貼合（貼り合わせ）に用いる、陰極基板側の部材として、例えば、支持体（例えばガラス基板）上にアルミニウム等からなる陰極を真空蒸着等により形成し、この上に例えば電子輸送材料層を塗布或いは蒸着等により形成する。一方、陽極側の部材として、例えばＩＴＯ等の薄膜を陽極として形成したガラス基板上に、例えば正孔輸送層、発光層を、これも塗布或いは蒸着等により順次形成する。

陰極側基板及び陽極側基板の二つの部材を互いに有機層同士を対面させ、密着、貼合することで、効率よく有機ＥＬ素子を得ることができる。

貼合（貼り合わせ）を行う面は、有機ＥＬ素子各機能層のどの層間でもよいが、貼り合せ面は、貼合、密着が容易、且つ、貼合後剥離しにくいこと等の観点から、有機層同士の貼合が好ましい。

また、貼り合せ面の不具合によるキャリア移動の面内での不均一による発光ムラは、有機層界面で発光する蛍光発光方式よりも発光層内部に発光領域を持つリン光発光方式の方が、比較的現れにくいこと、特に、発光層の有機層全体における相対的な膜厚比率を上げた時や発光層の膜厚を厚くした時、また、発光層同士を接合する発光層２層とした時など、リン光性発光化合物を含有するリン光発光方式は発光ムラをわからないくらいにできるため、貼合による有機ＥＬ素子の製造は、リン光発光方式の有機ＥＬ素子の製造に好ましく用いられる。

有機ＥＬ素子の製造プロセスにおいて、金属や、金属酸化物による電極を成膜する際は、性能のよい膜とするため、高いエネルギーを印加することが望まれるが、有機層を逐次積層するやり方では、最後に電極層を形成するため、有機薄膜のダメージが懸念され、実質上、真空蒸着や、穏和な条件下でのスパッタリングで成膜するしかすべがない状況であるが、この点、貼合法においては、予め電極層の形成を行った後、各有機層の積層が行われるため、逐次有機層が形成される逐次法に比べ、すでに成膜されている有機層にダメージを与えることがなく（有機ＥＬ素子の発光特性や発光寿命などが大きく劣化してしまう）、また性能のよい電極膜を形成でき好ましいものである。

また、貼合時にはエネルギー線も利用できる。エネルギー線としては、Ｘ線、中性子線、電子線、紫外線等があるが、好ましくは、紫外線、電子線である。

紫外線の光源としては、紫外線ランプ（例えば、０．５ｋＰａ〜１ＭＰａまでの動作圧力を有する低圧、中圧、高圧水銀ランプ）、キセノンランプ、タングステンランプ、ハロゲンランプ等が用いられ、５０００μＷ／ｃｍ²〜８０００μＷ／ｃｍ²程度の強度を有する紫外線が好ましく照射される。硬化に要するエネルギー量としては０．０２ｋＪ／ｃｍ²〜２０ｋＪ／ｃｍ²の範囲が好ましい。

《接合面の共有結合形成》
本発明の好ましい態様においては、上記貼合された接合面について、これを分子レベルで密着させるため、接合後に界面間に共有結合を形成させることも、有効である。

有機ＥＬ素子の構成層の層間を共有結合でつなぐ技術は、特開２００４−１０３４０１号公報に開示されているが、本発明では、貼合法における界面接着の手段としてこの技術を適用することができる。

即ち、貼合面（貼り合わせ面）の両方の有機層に、分子内に複数の重合性基を有する化合物を含有させる。

分子内の複数の重合性基は、素子の使用時、素子内部で発生する活性種や、貼合時の熱により化学変化（重合反応）を起こし共有結合を形成することによって、貼合された有機層間の分子レベルでの密着性を向上させる。

本発明においては、分子内に複数の重合性基を有する化合物が重合反応しているかどうかの分析手段として、有機層の赤外分光分析により、前記化合物の有する重合性基の消失をトレースし、前記重合性基の消失により重合反応の進行を確認した。

《重合性基の分析方法》
重合性基の確認方法は、ＩＲ（赤外分光）、ラマン、ＵＶ（紫外線分光）等の一般に知られた分析方法を使用できる。

以下に、その一例として、本発明に用いられる重合性二重結合基（ビニル基、アリル基）の測定方法を記す。

有機層中の重合性二重結合基の消失については、重合性二重結合基の分布を測定する方法を利用した。つまり、重合性二重結合基が分布していない（検出限界以下にある）ことをもって、重合性二重結合基の消失とみなした。

重合性二重結合基の二重結合の分布は以下の工程により求めた。

（ａ）分析面積を確保するため、ダイプラウインテス社製サイカスＮＮ０４型にて斜め切削を行った。拡大倍率を５００倍とし、切削を行い、分析面積を得た。

（ｂ）次いで、得られた切削面について、臭素付加法により、薄膜中に残存する二重結合を標識化した。

（ｃ）標識化後の試料についてＸ線光電子分光（ＸＰＳともいう）装置アルバックファイ製ＱｕａｎｔｅｒａＳＸＭを用いて切削面表面の元素組成分布を計測し、切削面表面の元素組成分布を得た。

また、これら、重合前の分子内に複数の重合性基を有する化合物が有機ＥＬ素子中に含有されていると、素子の駆動のジュール熱（つまり電流が素子内を流れることにより）化合物間の反応（化学変化）が進むため、その結果として分子レベルの密着性が向上、発光性能や発光寿命などが改善されるという新しい現象についても発見した。

有機ＥＬ素子の発光層は、通常、リン光性の発光を利用する、いわゆる「リン光素子」では、リン光発光材料（リン光ドーパント）を発光ホストに対し質量比で１〜２０％程度混合することが発光効率の観点から有効であるとされており、本発明においてリン光性の発光を利用する場合には、発光ホストを併用することが好ましく、このような化学変化は、該発光ホスト材料と、これに反応性を持つリン光発光材料（リン光ドーパント）との化学反応を利用してもよい。

例えば、発光層同士を貼合する場合、また発光層がリン光ドーパントと発光ホストとで構成されるとき、リン光発光材料（リン光ドーパント）の化学変化は、発光ホストとの（縮合や重合等）反応を利用してもよく、ホスト（発光ホストともいう）との化学反応を利用する場合、リン光発光材料に置換している特定の重合性基と反応を起こしうる反応性置換基を発光ホストに導入することが好ましい。

例えば、リン光発光材料に水酸基（−ＯＨ）が置換している場合、発光ホストにはイソシアナート基（−ＮＣＯ）や、イソチオシアナート基（−ＮＣＳ）を導入した材料を選択する、或いは、リン発光材料にビニル基が置換している場合、それとラジカル重合可能なビニル基を導入した発光ホストを選択する。

また、本発明において最も好ましい態様では、リン光発光材料また発光ホスト、の両方にビニル基が置換した材料を少なくとも１種ずつ、同一層中に存在させ、その発光素子を通電により、発光層内で発生するアニオンラジカルまたはカチオンラジカルを重合開始剤として利用し、鎖状または網目状のポリマー（重合体）を形成させることである。

また、陰極側部材の表面層が電子輸送層であり、陽極側部材の表面層が発光層の場合でも、例えば、ビニル基等の重合性基をもつ電子輸送層、及び同じくビニル基等の重合性基をもつ発光ホストまたはドーパント材料を含有する発光層を各々有する部材を貼合することで、層間において重合反応が行われ、貼合された有機層間の密着性の向上が向上し、本発明の有機ＥＬ素子の特性が向上する。

陰極側基板の最表層が、発光層であり、陽極側基板の最表層が正孔輸送層である場合も同様に、複数の重合性基を有する正孔輸送材料を含有した正孔輸送層を用いればよい。

従って、貼合する有機層の少なくとも一方には、分子内に複数の重合性基を有する有機化合物を含有することが好ましく、貼合する２つの有機層の少なくとも一方に重合性基を有する化合物を含有し、他方にこれと反応する基を有する材料を含有していれば、互いに反応することで密着を強化でき、貼合面（接合面ともいう）の剥離を抑制し、キャリア移動の向上をはかることができる。

また、貼り合せる有機層の両方に、分子内に複数の重合性基を有する化合物を含有しておくと、積層面の密着が強化の観点から好ましい。

また、本発明の好ましい態様においては、リン光性発光性化合物また発光ホスト、正孔輸送材料、電子輸送材料等、貼合される各有機層中にビニル基が置換した材料を少なくとも１種存在させることで、その発光素子を通電により、発光層内で発生するアニオンラジカルまたはカチオンラジカルを重合開始剤として利用し、鎖状または網目状のポリマーを形成させることができ、層内での重合により、発光素子は、最初の状態よりもより堅牢性が増強されたものとなり、通電（駆動）するうちに次第に耐久性が増す発光素子を実現することも可能である。

このような、素子内部で発生する活性種や、駆動時のジュール熱によって化学変化を起超す反応性置換基としては、前記の基も含め以下のような基が挙げられる。

貼合時や貼合後に、重合性基による架橋反応を行わせる場合、熱、また、エネルギー線等が利用できる。加熱の場合、６０℃〜２００℃の範囲で１秒〜５時間、また、エネルギー線であれば、例えば、前記の紫外光源が同じく用いることができ、５０００μＷ／ｃｍ²〜８０００μＷ／ｃｍ²程度の強度を有する紫外線を照射すればよい。

反応に要するエネルギー量としては０．０２ｋＪ／ｃｍ²〜２０ｋＪ／ｃｍ²の範囲が好ましい。

類似する従来技術は、今までに例を見ないが、近い技術として、成膜した後に高分子量化するという公知文献としては以下のようなものがあり、その架橋反応は本発明の有機ＥＬ素子の形成に適用してもよい。

例えば、特開平５−２７１１６６号公報には、分子内にビニル基を２つ有する２官能性のトリフェニルアミン誘導体が記載されており、その化合物を成膜した後に紫外線照射により３次元架橋されたポリマーの形成が開示され、特開２００１−２９７８８２号公報には、２つ以上のビニル基を有する材料を複数の層に添加する技術が開示されており、この場合、重合反応は陰極を積層する前の有機層成膜時点で紫外線や熱の照射で行っている。

また、特開２００３−７３６６６号公報では、リン光ドーパントの末端にビニル基を有する材料と同様にビニル基を有するコモノマーの混合物にラジカル発生剤であるＡＩＢＮ（アゾイソブチロニトリル）を添加して成膜時に重合反応を進行させる製造方法が開示され、特開２００３−８６３７１号公報には、同一層内の２分子間でディールスアルダー反応を起こさせて架橋させる製造方法等の技術である。

《光取り出し》
有機ＥＬ素子は空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち１５％から２０％程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として光が素子側面方向に逃げるためである。

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）等がある。

本発明においては、これらの方法を本発明の有機ＥＬ素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。

本発明はこれらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど外部への取り出し効率が高くなる。

低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマー等が挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また、更に１．３５以下であることが好ましい。

また、低屈折率媒質の厚みは媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。

全反射を起こす界面もしくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は回折格子が１次の回折や２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間もしくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。

回折格子を導入する位置としては前述の通り、いずれかの層間もしくは媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。

このとき、回折格子の周期は媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。

回折格子の配列は正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状等、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。

《集光シート》
本発明の有機ＥＬ素子は基板の光取り出し側に、例えば、マイクロレンズアレイ状の構造を設けるように加工したり、あるいは所謂集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば、素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。

マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。

集光シートとしては、例えば、液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして、例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）等を用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。

また、発光素子からの光放射角を制御するために、光拡散板・フィルムを集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）等を用いることができる。

《有機ＥＬ素子の用途》
本発明の有機ＥＬ素子は、表示デバイス、ディスプレイ、各種発光光源として用いることができる。発光光源として、例えば、照明装置（家庭用照明、車内照明）、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子を用いた表示装置としては、青色発光層の発光極大波長は４３０ｎｍ〜４８０ｎｍにあるものが好ましく、緑色発光層は発光極大波長が５１０ｎｍ〜５５０ｎｍ、赤色発光層は発光極大波長が６００ｎｍ〜６４０ｎｍの範囲にある単色発光層であることが好ましい。

これらの少なくとも３層の発光層を積層して白色発光層としたものであってもよい。更に、発光層間には非発光性の中間層を有してもよい。本発明の有機ＥＬ素子としては白色発光層であることが好ましく、これらを用いた照明装置であることが好ましい。

また、本発明の有機ＥＬ素子においては、必要に応じ製膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。

本発明の有機ＥＬ素子や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。

また、本発明の有機ＥＬ素子が白色素子の場合には、白色とは、２度視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００Ｃｄ／ｍ²でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．１の領域内にあることを言う。

以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されない。

実施例１
《有機ＥＬ素子１−１の製造》
以下のように、陽極側基板１−１−Ａ、陰極側基板１−１−Ｂを作製した後、各基板上に形成された発光層を対面させるようにして貼合して、有機ＥＬ素子１−１を製造した。

《陽極側基板１−１−Ａの作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製 ＮＡ４５）にパターニングを行った後、このＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶオゾン洗浄を５分間行なった。

この陽極側基板上に、３０ｍｇのＭＯ−１８をトルエン３ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜し、窒素下、１５０℃にて１時間加熱し、ＭＯ−１８の重合性基を重合させることにより不溶化処理を行い、結果、加熱処理によりＭＯ−１８の重合膜から成る膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を設けた。

更に、正孔輸送層上に、３０ｍｇのＭＯ−３３と１．５ｍｇのＰＤ−１をトルエン２ｍｌに溶解した溶液を、１５００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜し、６０℃にて１時間乾燥し、膜厚２５ｎｍの発光層を設け、陽極側基板１−１−Ａを作製した。

《陰極側基板１−１−Ｂの作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×０．７ｍｍのポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）基板上をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶ（紫外線）オゾン洗浄を５分間行ない、次いで、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置に取付け、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した。

基板上に、アルミニウム−マグネシウム合金１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成した。

この陰極側基板上に、３０ｍｇのＭＯ−４７をトルエン３ｍｌに溶解した溶液を、１０００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜し、窒素下、１５０℃にて１時間加熱し、ＭＯ−４７分子内の重合性基を重合させることにより不溶化処理を行った。

結果、加熱処理によりＭＯ−４７の重合膜から成る膜厚３０ｎｍの膜厚５０ｎｍの電子輸送層を設けた。

更に、電子輸送層上に、３０ｍｇのＭＯ−３３と１．５ｍｇのＰＤ−１をトルエン２ｍｌに溶解した溶液を、１５００ｒｐｍ、３０秒の条件下、スピンコート法により成膜し、６０℃にて１時間乾燥し、膜厚２５ｎｍの発光層を設け、陰極側基板１−１−Ｂを作製した。

《貼合による有機ＥＬ素子１−１の作製》
得られた陽極側基板１−１−Ａと該陰極側基板１−１−Ｂとを各々の発光層を対面させるようにして、貼合した。

次いで、窒素下、１５０℃にて１時間、さらに１７０℃にて１時間加熱し、陽極側基板１−１−Ａ、陰極側基板１−１−Ｂの各々の発光層に含まれるＭＯ−３３分子の重合性基を重合させることで、有機ＥＬ素子１−１を作製した。

尚、前述の方法により有機ＥＬ素子１−１の有機層中の重合性基の消失を確認し、これをもって、ＭＯ−３３の重合が進行したことを確認した。

《有機ＥＬ素子１−２の作製》
有機ＥＬ素子１−１の作製において、陽極側基板に、下記の陽極側基板１−２−Ａを用い、陰極側基板に下記に陰極側基板１−２−Ｂを各々用いた以外は同様にして、有機ＥＬ素子１−２を製造した。

《陽極側基板１−２−Ａの作製》
陽極として１００ｍｍ×１００ｍｍ×１．１ｍｍのガラス基板上に、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）を１００ｎｍ成膜した基板（ＮＨテクノグラス社製 ＮＡ４５）にパターニングを行った後、ＩＴＯ透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶ（紫外線）オゾン洗浄を５分間行なった。

これを市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置に取付け、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した。ＯＣ−２の入ったモリブデン製抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で、この陽極側基板上に膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を設けた。

同様にして、ＯＣ−１０、ＰＤ−１の蒸着速度を各々０．１ｎｍ／秒、０．０５ｎｍ／秒で共蒸着を行い、膜厚２５ｎｍの発光層を設け、陽極側基板１−２−Ａを作製した。

《陰極側基板１−２−Ｂの作製》
１００ｍｍ×１００ｍｍ×０．７ｍｍのプラスチック基板上をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、ＵＶ（紫外線）オゾン洗浄を５分間行なった。

これを市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。真空蒸着装置に取付け、真空槽を４×１０^-4Ｐａまで減圧した。基板上に、アルミニウム−マグネシウム合金１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成した。

この陰極側基板上にＯＣ−１７を蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、膜厚３０ｎｍの電子輸送層を設けた。更に、ＯＣ−１０、ＰＤ−１の蒸着速度をそれぞれ０．１ｎｍ／秒、０．０５ｎｍ／秒で共蒸着を行い、膜厚２５ｎｍの発光層を設け、陽極側基板１−２−Ｂを作製した。

《有機ＥＬ素子１−１、１−２の評価》
得られた有機ＥＬ素子１−１、１−２の各々について、下記に記載の方法により、外部取りだし量子効率、発光寿命を測定、評価した。尚、有機ＥＬ素子１−１、１−２を各々図３に示すような照明装置を形成して評価した。

図３は、照明装置の断面図を示し、図３において、１０５は陰極、１０６は有機ＥＬ層、１０７は透明電極付きガラス基板を示す。

《外部取りだし量子効率の測定》
作製した有機ＥＬ素子について、２３℃、乾燥窒素ガス雰囲気下で２．５ｍＡ／ｃｍ²定電流を印加した時の外部取り出し量子効率（％）を測定した。尚、測定には分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いた。

《発光寿命の測定》
温度２３℃、大気中で２．５ｍＡ／ｃｍ²の一定電流で駆動したときに、輝度が発光開始直後の輝度（初期輝度）の半分に低下するのに要した時間を測定し、これを半減寿命時間（τ^0.5）として寿命の指標とした。尚、測定には同様に、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタセンシング社製）を用いた。

尚、外部取りだし量子効率、発光寿命、は有機ＥＬ素子１−２を１００とした時の相対値で表した。

有機ＥＬ素子 外部取りだし量子効率 発光寿命 備考
１−１ １０８ １０００００ 本発明
１−２ １００ １００ 比較例
上記の結果が示す通り、本発明の有機ＥＬ素子１−１では、封止工程を用いなくとも極めて高い発光寿命特性を有することがわかった。よって、有機ＥＬ素子としての発光性能を低下させること無く、革新的な有機ＥＬ素子製造プロセスを提供できた。

実施例２
《フルカラー表示装置の作製》
（青色発光有機ＥＬ素子）
実施例１の有機ＥＬ素子１−１の作製において、ＰＤ−１をＰＤ−１２に変更した以外は同様にして、青色発光有機ＥＬ素子１−１Ｂ（青）を作製した。

（緑色発光有機ＥＬ素子）
緑色発光有機ＥＬ素子として、実施例１で作製した有機ＥＬ素子１−１を用いた。

（赤色発光有機ＥＬ素子）
実施例１の有機ＥＬ素子１−１において、ＰＤ−１をＰＤ−６に変更した以外は同様にして、赤色発光有機ＥＬ素子１−１Ｒ（赤）を作製した。

上記の赤色、緑色及び青色発光有機ＥＬ素子を、同一基板上に並置し、図１に記載の形態を有するアクティブマトリクス方式フルカラー表示装置を作製し、図２には、作製した前記表示装置の表示部Ａの模式図のみを示した。

即ち、同一基板上に、複数の走査線５及びデータ線６を含む配線部と、並置した複数の画素３（発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素等）とを有し、配線部の走査線５及び複数のデータ線６はそれぞれ導電材料からなり、走査線５とデータ線６は格子状に直交して、直交する位置で画素３に接続している（詳細は図示せず）。

前記複数の画素３は、それぞれの発光色に対応した有機ＥＬ素子、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタと駆動トランジスタそれぞれが設けられたアクティブマトリクス方式で駆動されており、走査線５から走査信号が印加されると、データ線６から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。

この様に各赤、緑、青の画素を適宜、並置することによって、フルカラー表示装置を作製した。

前記フルカラー表示装置を駆動することにより、発光効率が高い発光寿命の長いフルカラー動画表示が得られることを確認することができた。

実施例３
《白色の照明装置の製造》
（ａ）実施例１の有機ＥＬ素子１−１において、陽極側基板１−１−Ａ及び陰極側基板１−１−Ｂに用いたＰＤ−１をＰＤ−１、ＰＤ−６、ＰＤ−１２に変更した以外は同様にして、白色発光有機ＥＬ素子１−１Ｗ（白色）を製造した。

（ｂ）実施例１の有機ＥＬ素子１−１において、陽極側基板１−１−Ａに用いたＰＤ−１をＰＤ−１３とし、更に陰極側基板１−１−Ｂの作製に用いたＰＤ−１をＰＤ−１０に変更した以外は同様にして、白色発光有機ＥＬ素子１−１Ｗ（２）（白色）を製造した。

得られた有機ＥＬ素子１−１Ｗ、１−１Ｗ（２）を評価するに際しては、実施例１と同様に、照明装置として評価した。

組み立てた照明装置は、発光効率が高く発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。

実施例４
《星形形状を有する白色照明装置の製造》：カッティングシートの製造
図４に示したように、前記有機ＥＬ素子１−１Ｗを星型にカッティングし、白色照明装置とした。得られた白色照明装置は、発光効率が高く発光寿命の長い白色光を発する薄型の照明装置として使用することができた。

Claims (7)

1. 陽極側基板、陰極側基板に挟まれた有機層として、少なくとも、発光層、正孔輸送層及び電子輸送層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
   前記発光層が、リン光発光性イリジウム化合物を含有し、
   前記発光層が、下記Ａ群から選ばれる架橋性ホスト化合物又は当該架橋性ホスト化合物の少なくとも１種の重合体を含有し、前記陽極側基板及び陰極側基板の各基板上に予め形成された発光層を対面させるようにして貼合して形成され、かつ
   前記正孔輸送層が、下記Ｂ群から選ばれる架橋性正孔輸送材料又は当該架橋性正孔輸送材料の少なくとも１種の重合体を含有し、又は
   前記電子輸送層が、下記Ｃ群から選ばれる架橋性電子輸送材料又は当該架橋性電子輸送材料の少なくとも１種の重合体を含有している
   ことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
   Ａ群：
   Ｂ群：
   Ｃ群：
   
2. 前記有機層が塗布で成膜されたことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 白色に発光することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、前記有機層の少なくとも１層を塗布で成膜する工程を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
5. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を製造するにあたり、陽極側基板上に設けられた有機層と陰極側基板上に設けられた有機層とを貼合する工程を有することを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
6. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする表示装置。
7. 請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を備えたことを特徴とする照明装置。