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JP5466579B2 - Switch device, test device, switch method, and manufacturing method - Google Patents
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JP5466579B2 - Switch device, test device, switch method, and manufacturing method - Google Patents

Switch device, test device, switch method, and manufacturing method Download PDF

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JP5466579B2 JP2010122334A JP2010122334A JP5466579B2 JP 5466579 B2 JP5466579 B2 JP 5466579B2 JP 2010122334 A JP2010122334 A JP 2010122334A JP 2010122334 A JP2010122334 A JP 2010122334A JP 5466579 B2 JP5466579 B2 JP 5466579B2
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Description

本発明は、スイッチ装置、試験装置、スイッチ方法、および製造方法に関する。   The present invention relates to a switch device, a test device, a switch method, and a manufacturing method.

従来、複数の接点を有して接点同士を接触させることでON状態とするスイッチは、接点の表面に保護導電膜を設けて、接点の接触抵抗を上昇させずに接点同士の擬着を抑制していた(例えば、特許文献1参照)。
特許文献1 国際公開第2007/083769号
Conventional switches that have multiple contacts and are turned on by bringing the contacts into contact with each other are provided with a protective conductive film on the surface of the contacts to suppress false adhesion between the contacts without increasing the contact resistance of the contacts. (For example, refer to Patent Document 1).
Patent Document 1 International Publication No. 2007/083769

しかしながら、このようなスイッチのON/OFF動作の回数が増えてくると、保護導電膜層が摩耗して、接点同士の擬着が発生する。   However, when the number of ON / OFF operations of such a switch increases, the protective conductive film layer is worn, and pseudo contact between the contacts occurs.

上記課題を解決するために、本発明の第1の態様においては、本発明の第1の態様においては、第1接点および第1接点と接触する表面に保護導電層が設けられた第2接点を備えるスイッチ装置であって、第1接点および第2接点を接触または離間させる可動部と、保護導電層に対して保護用の金属を補う金属供給部と、を備えるスイッチ装置を提供する。   In order to solve the above problems, in the first aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the first contact and the second contact provided with a protective conductive layer on the surface in contact with the first contact. There is provided a switch device comprising: a movable part that contacts or separates a first contact and a second contact; and a metal supply part that supplements a protective metal with respect to the protective conductive layer.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。   It should be noted that the above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention. In addition, a sub-combination of these feature groups can also be an invention.

本実施形態に係るスイッチ装置100の構成例を示す。The structural example of the switch apparatus 100 which concerns on this embodiment is shown. 図1の加熱部146におけるA−A'断面を上方から見た図をヒータ電源部240およびヒータ制御部250と共に示す。A view of the AA ′ cross section of the heating unit 146 of FIG. 本実施形態に係るスイッチ装置100の動作フローを示す。The operation | movement flow of the switch apparatus 100 which concerns on this embodiment is shown. 本実施形態に係るスイッチ装置100の製造フローを示す。The manufacturing flow of the switch apparatus 100 which concerns on this embodiment is shown. 本実施形態に係る試験装置510の構成例を被試験デバイス500と共に示す。A configuration example of a test apparatus 510 according to this embodiment is shown together with a device under test 500.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention, but the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.

図1は、本実施形態に係るスイッチ装置100の構成例を示す。スイッチ装置100は、第1接点10と、第1接点10と接触する表面に保護導電層120が設けられた第2接点20とを備えるスイッチ装置であって、スイッチ装置100のON/OFF動作に伴う保護導電層120の劣化に応じて保護用の金属を補う。スイッチ装置100は、可動部110と、保護導電層120と、接点層130と、金属供給部140と、配線層150と、計測部160と、判定部170とを備える。   FIG. 1 shows a configuration example of a switch device 100 according to the present embodiment. The switch device 100 is a switch device that includes a first contact 10 and a second contact 20 having a protective conductive layer 120 provided on a surface in contact with the first contact 10. The metal for protection is supplemented according to the accompanying deterioration of the protective conductive layer 120. The switch device 100 includes a movable unit 110, a protective conductive layer 120, a contact layer 130, a metal supply unit 140, a wiring layer 150, a measurement unit 160, and a determination unit 170.

可動部110は、第1接点10および第2接点20を接触または離間させる。可動部110は、加熱されない状態において第1接点10および第2接点20を接触させ、加熱されると第2接点20を第1接点10から離間させるバイモルフを含む、熱駆動の可動接点であってよい。これに代えて可動部110は、2枚の圧電素子を貼り合わせたバイモルフ構造に代えて、1枚の圧電素子と金属板を貼り合わせたユニモルフを含んでよい。   The movable part 110 contacts or separates the first contact 10 and the second contact 20. The movable part 110 is a thermally driven movable contact including a bimorph that brings the first contact 10 and the second contact 20 into contact with each other in an unheated state and separates the second contact 20 from the first contact 10 when heated. Good. Instead of this, the movable part 110 may include a unimorph in which one piezoelectric element and a metal plate are bonded together instead of the bimorph structure in which two piezoelectric elements are bonded together.

また、可動部110は、入力されたエネルギーを物理運動量に変換するアクチュエータであってよい。例えば、可動部110は、静電引力によって可動する静電アクチュエータ、圧電材料に電圧を印加して可動させる圧電アクチュエータ、磁力を用いて可動させる電磁アクチュエータ、または熱膨張によって可動させる熱型アクチュエータである。   In addition, the movable unit 110 may be an actuator that converts input energy into physical momentum. For example, the movable unit 110 is an electrostatic actuator that is moved by electrostatic attraction, a piezoelectric actuator that is moved by applying a voltage to a piezoelectric material, an electromagnetic actuator that is moved using magnetic force, or a thermal actuator that is moved by thermal expansion. .

本実施例において、第1接点10は、可動部110により移動される可動接点であり、第2接点20は、可動部110を保持する基板に設けられた固定接点である。第2接点20は、保護導電層120と、接点層130とを有する。   In the present embodiment, the first contact 10 is a movable contact that is moved by the movable unit 110, and the second contact 20 is a fixed contact provided on a substrate that holds the movable unit 110. The second contact 20 includes a protective conductive layer 120 and a contact layer 130.

保護導電層120は、第1接点10と接触する第2接点20の表面に設けられる。保護導電層120は、第1接点10と第2接点20とを接触させた場合に、接点同士が擬着してスイッチ機能が失われることを防止する。保護導電層120は、第1接点10と第2接点20とを電気的に接続する金属酸化物であってよい。例えば、保護導電層120は、ニッケル(Ni)、金(Au)、または金パラジウム(Au−Pd)合金を含む。保護導電層120は、数nmから数十nm程度の厚さであってよい。   The protective conductive layer 120 is provided on the surface of the second contact 20 that contacts the first contact 10. When the first contact 10 and the second contact 20 are brought into contact with each other, the protective conductive layer 120 prevents the contacts from being pseudo-attached to lose the switch function. The protective conductive layer 120 may be a metal oxide that electrically connects the first contact 10 and the second contact 20. For example, the protective conductive layer 120 includes nickel (Ni), gold (Au), or gold palladium (Au—Pd) alloy. The protective conductive layer 120 may have a thickness of about several nm to several tens of nm.

接点層130は、保護導電層120と金属供給部140との間に設けられ、接点用の金属を含む。例えば、接点層130は、Ni、Au、ニッケル−クロム(Ni−Cr)合金、またはAu−Pd合金を含む。接点層130は、100nm以上の厚さであってよい。   The contact layer 130 is provided between the protective conductive layer 120 and the metal supply unit 140 and includes a contact metal. For example, the contact layer 130 includes Ni, Au, a nickel-chromium (Ni—Cr) alloy, or an Au—Pd alloy. The contact layer 130 may have a thickness of 100 nm or more.

金属供給部140は、接点層130と配線層150の間に設けられ、保護導電層120に対して保護用の金属を補う。金属供給部140は、第1接点10とは反対側から接点層130を介して第1接点10側へと保護用の金属を析出させる。金属供給部140は、スイッチ装置100のON/OFF動作に伴う保護導電層120の劣化に応じて保護用の金属を補ってよい。金属供給部140は、数百nmから数μm程度の厚さであってよい。金属供給部140は、金属供給層143と、加熱部146とを有する。   The metal supply unit 140 is provided between the contact layer 130 and the wiring layer 150 and supplements the protective conductive layer 120 with a protective metal. The metal supply unit 140 deposits a protective metal from the side opposite to the first contact 10 to the first contact 10 side through the contact layer 130. The metal supply unit 140 may supplement the protective metal according to the deterioration of the protective conductive layer 120 accompanying the ON / OFF operation of the switch device 100. The metal supply unit 140 may have a thickness of about several hundred nm to several μm. The metal supply unit 140 includes a metal supply layer 143 and a heating unit 146.

金属供給層143は、第1接点10の反対側において接点層130と重ねられた、保護用の金属を含む。金属供給層143は、保護用の金属として、保護導電層120が含むNi、Au、またはAu−Pd合金を含んでよい。   The metal supply layer 143 includes a protective metal superimposed on the contact layer 130 on the opposite side of the first contact 10. The metal supply layer 143 may include Ni, Au, or an Au—Pd alloy included in the protective conductive layer 120 as a protective metal.

加熱部146は、金属供給層143および接点層130を加熱して、金属供給層143から接点層130を介して保護導電層120へと保護用の金属を析出させる。加熱部146は、第1接点10と接することによって生じた第2接点20の保護導電層120の劣化を補うべく、第1接点10と接する第2接点20の下方の金属供給層143および接点層130を加熱してよい。   The heating unit 146 heats the metal supply layer 143 and the contact layer 130, and deposits a protective metal from the metal supply layer 143 to the protective conductive layer 120 through the contact layer 130. The heating unit 146 includes a metal supply layer 143 and a contact layer below the second contact 20 in contact with the first contact 10 in order to compensate for deterioration of the protective conductive layer 120 of the second contact 20 caused by contact with the first contact 10. 130 may be heated.

配線層150は、スイッチ装置100を通過させる信号を伝送する。配線層150は、Ni、Au、ニッケル−クロム(Ni−Cr)合金、またはAu−Pd合金を含む伝送ラインであってよい。本実施例において、スイッチ装置100は、可動部110を可動させて第1接点10を第2接点20に接触/離間することによって、配線層150aから配線層150bへの信号伝送または配線層150bから配線層150aへの信号伝送をON/OFFする。   The wiring layer 150 transmits a signal that passes through the switch device 100. The wiring layer 150 may be a transmission line including Ni, Au, a nickel-chromium (Ni—Cr) alloy, or an Au—Pd alloy. In the present embodiment, the switch device 100 moves the movable part 110 and contacts / separates the first contact 10 with the second contact 20 to transmit signals from the wiring layer 150a to the wiring layer 150b or from the wiring layer 150b. The signal transmission to the wiring layer 150a is turned ON / OFF.

計測部160は、第1接点10および第2接点20が接触した状態において、第1接点10および第2接点20間の抵抗を計測する。計測部160は、予め定められた電圧または電流を配線層150aおよび配線層150bの間にかけて電位の降下した値を測定することで抵抗を測定してよい。ここで計測部160は、四端子法によって精度を上げて抵抗を測定してもよい。   The measurement unit 160 measures the resistance between the first contact 10 and the second contact 20 in a state where the first contact 10 and the second contact 20 are in contact with each other. The measurement unit 160 may measure the resistance by measuring a value of a potential drop by applying a predetermined voltage or current between the wiring layer 150a and the wiring layer 150b. Here, the measurement unit 160 may measure the resistance with a high accuracy by a four-terminal method.

判定部170は、計測した抵抗の大きさに基づいて、保護導電層120に対して保護用の金属を補うか否かを判定する。判定部170は、計測した抵抗値が予め定められた基準抵抗値よりも小さくなった場合に、保護導電層120に対して保護用の金属を補うと判断してよい。また、判定部170は、保護導電層120に保護用の金属を補った後の抵抗の測定結果が、補う前の測定値に比べて変化が無い場合、または予め定められた抵抗値の変化の範囲内にある場合に、保護用の金属を補う効果が無いと判断してよい。   The determination unit 170 determines whether or not to supplement the protective conductive layer 120 with a protective metal based on the measured magnitude of resistance. The determination unit 170 may determine that the protective conductive layer 120 is supplemented with a protective metal when the measured resistance value is smaller than a predetermined reference resistance value. In addition, the determination unit 170 determines that the resistance measurement result after the protective metal layer 120 is supplemented with the protective metal does not change compared to the measurement value before the compensation, or a change in the predetermined resistance value. When it is within the range, it may be determined that there is no effect of supplementing the protective metal.

図2は、図1の加熱部146におけるA−A'断面を上方から見た図をヒータ電源部240およびヒータ制御部250と共に示す。図中の点線で囲まれた四角は、加熱部146の上方に設けられる金属供給層の配置260の一例を示す。また、一点鎖線で囲まれた四角は、加熱部146の上方に設けられ第1接点10と接触する第2接点の配置270の一例を示す。加熱部146は、金属供給層143を、接点層130とは反対側から加熱するヒータ210と、絶縁部220とを含む。   FIG. 2 is a view of the AA ′ cross section of the heating unit 146 of FIG. 1 as viewed from above, together with the heater power supply unit 240 and the heater control unit 250. A square surrounded by a dotted line in the drawing shows an example of the arrangement 260 of the metal supply layer provided above the heating unit 146. A square surrounded by an alternate long and short dash line indicates an example of the arrangement 270 of the second contact provided above the heating unit 146 and in contact with the first contact 10. The heating unit 146 includes a heater 210 that heats the metal supply layer 143 from the side opposite to the contact layer 130, and an insulating unit 220.

ヒータ210は、金属供給層143における接点層130とは反対側に、電流を流すと熱を発するヒータ線を引き回して形成される。ヒータ210は、配線層150と、金属供給層143との間に設けられる。ヒータ210は、Ni−Cr合金等を含む電気抵抗の大きい発熱線であってよい。ヒータ210は、金属供給層143を加熱した場合に、保護導電層120が第1接点10と接触して劣化した位置に保護用の金属を析出させるように、第2接点20が第1接点10と接触する位置の下方に配置される。   The heater 210 is formed on the side of the metal supply layer 143 opposite to the contact layer 130 by drawing a heater wire that generates heat when a current is passed. The heater 210 is provided between the wiring layer 150 and the metal supply layer 143. The heater 210 may be a heating wire having a large electrical resistance including Ni—Cr alloy or the like. When the metal supply layer 143 is heated, the heater 210 causes the second contact 20 to deposit the protective metal at a position where the protective conductive layer 120 is in contact with the first contact 10 and deteriorates. It is arrange | positioned under the position which contacts.

絶縁部220は、ヒータ210と、金属供給層143との間を電気的に絶縁する。また、絶縁部220は、ヒータ210と、配線層150との間を電気的に絶縁してよい。また、絶縁部220は、ヒータ210とヒータ電源部240とを接続する配線と、金属供給層143および/または配線層150との間を電気的に絶縁してもよい。   The insulating unit 220 electrically insulates between the heater 210 and the metal supply layer 143. Further, the insulating part 220 may electrically insulate between the heater 210 and the wiring layer 150. Further, the insulating unit 220 may electrically insulate the wiring connecting the heater 210 and the heater power supply unit 240 from the metal supply layer 143 and / or the wiring layer 150.

絶縁部220は、金属供給層143における面方向の少なくとも一部の領域において、配線層150および金属供給層143を導通させるための開口部分230を含む。開口部分230は、絶縁部220の形状に応じて複数含まれてよい。これによって、加熱部146は、配線層150と第2接点20とを導通させてスイッチ装置100を通過させる信号を伝送させつつ、配線層150から第2接点20への伝送とは絶縁させた電源ラインおよびヒータ210を用いて金属供給層143を加熱することができる。   The insulating part 220 includes an opening 230 for conducting the wiring layer 150 and the metal supply layer 143 in at least a partial region of the metal supply layer 143 in the plane direction. A plurality of opening portions 230 may be included depending on the shape of the insulating part 220. Accordingly, the heating unit 146 transmits a signal that causes the wiring layer 150 and the second contact 20 to conduct and pass through the switch device 100, and is insulated from transmission from the wiring layer 150 to the second contact 20. The metal supply layer 143 can be heated using a line and heater 210.

ヒータ電源部240は、ヒータ210に電源を供給する。ヒータ制御部250は、ヒータ電源部240の電源供給を制御する。例えば、ヒータ制御部250は、判定部170が保護導電層120に対して保護用の金属を補うと判定した場合にヒータ電源部240の電源供給を開始する。また、ヒータ制御部250は、ヒータ電源部240の電源供給を開始した後に、予め定められた加熱時間経過したことに応じてヒータ電源部240の電源供給を停止してよい。これに代えてヒータ制御部250は、判定部170の指示に応じてヒータ電源部240の電源供給を停止してもよい。   The heater power supply unit 240 supplies power to the heater 210. The heater control unit 250 controls the power supply of the heater power supply unit 240. For example, the heater control unit 250 starts power supply to the heater power supply unit 240 when the determination unit 170 determines to supplement the protective conductive layer 120 with a protective metal. In addition, the heater control unit 250 may stop the power supply of the heater power supply unit 240 in response to the elapse of a predetermined heating time after starting the power supply of the heater power supply unit 240. Instead of this, the heater control unit 250 may stop the power supply of the heater power supply unit 240 in accordance with an instruction from the determination unit 170.

図3は、本実施形態に係るスイッチ装置100の動作フローを示す。スイッチ装置100は、可動部110を駆動して第1接点10と第2接点20とを接触させ、スイッチをON状態にする(S300)。スイッチ装置100は、この状態において配線層150aと配線層150bとを導通状態に保つ。   FIG. 3 shows an operation flow of the switch device 100 according to the present embodiment. The switch device 100 drives the movable part 110 to bring the first contact 10 and the second contact 20 into contact with each other, and turns on the switch (S300). In this state, the switch device 100 keeps the wiring layer 150a and the wiring layer 150b conductive.

計測部160は、スイッチON状態を確認すべく、第1接点10および第2接点20間の抵抗を計測する(S310)。判定部170は、計測した抵抗の大きさに基づいて、保護用の金属を補うか否かを判定する(S320)。ここで判定部170は、計測した抵抗値と予め定められた抵抗の期待値とを比較して判定してよく、これに代えて判定部170は、計測した抵抗値が予め定められた抵抗値の範囲内に入っているか否かに応じて判定してよい。   The measuring unit 160 measures the resistance between the first contact 10 and the second contact 20 to confirm the switch ON state (S310). The determination unit 170 determines whether or not to supplement the protective metal based on the measured magnitude of the resistance (S320). Here, the determination unit 170 may make a determination by comparing the measured resistance value with a predetermined expected value of the resistance. Instead, the determination unit 170 may determine the resistance value with the measured resistance value determined in advance. It may be determined according to whether or not it is within the range.

これに代えて、第2接点20に含まれる接点用の金属は、保護用の金属より高い導電性を有し、判定部170は、計測した抵抗が基準未満の場合に、保護導電層120に対して保護用の金属を補うことを決定する。保護用の金属の導電性が接点層130の導電性より低い場合、スイッチ装置100のON/OFF動作で保護導電層120が劣化すると抵抗値は下がり、保護用の金属を析出させると抵抗値が上がるので、判定部170は、予め定められた基準抵抗値と比較して抵抗値が低い場合に保護用の金属を析出させるように判定してよい。   Instead, the metal for contact included in the second contact 20 has higher conductivity than the metal for protection, and the determination unit 170 determines that the measured resistance is less than the reference value in the protective conductive layer 120. Decide to supplement the protective metal. When the conductivity of the protective metal is lower than the conductivity of the contact layer 130, the resistance value decreases when the protective conductive layer 120 deteriorates due to the ON / OFF operation of the switch device 100, and the resistance value decreases when the protective metal is deposited. Therefore, the determination unit 170 may determine to deposit a protective metal when the resistance value is low compared to a predetermined reference resistance value.

これに代えて、判定部170は、正常動作をしているスイッチ装置100の抵抗値または前回計測した抵抗値を記憶しておき、今回計測した抵抗値と比較して予め定められた基準範囲よりも大きく抵抗値が変動した場合に、保護用の金属を析出させるように判定してもよい。これに代えて、判定部170は、第1接点10および第2接点20間に予め定められた電圧または電流を流して、流れる電流または降下した電圧等に応じて判定をしてもよい。   Instead, the determination unit 170 stores the resistance value of the switch device 100 that is operating normally or the resistance value measured last time, and compares the resistance value measured this time with a predetermined reference range. If the resistance value fluctuates greatly, it may be determined to deposit a protective metal. Instead, the determination unit 170 may make a determination according to a flowing current or a dropped voltage by passing a predetermined voltage or current between the first contact 10 and the second contact 20.

これに代えて計測部160は、スイッチ装置100のスイッチング速度を計測し、判定部170は、スイッチング速度が基準時間以上となったことに応じて保護用の金属を補うことを決定しても良い。ここで計測部160は、配線層150aと配線層150bの間に流れる電流が第1の基準電流以上の状態から第2の基準電流以下になるまでの時間を計測して、スイッチ装置100のON状態からOFF状態に変わるスイッチング速度を計測してよい。接点同士の擬着が生じるまでには、接点同士の離間時間が徐々に遅くなる傾向にある場合、判定部170はON状態からOFF状態になるスイッチング速度に基づいて判断することで、接点同士の擬着を防ぐことができる。   Instead, the measurement unit 160 may measure the switching speed of the switch device 100, and the determination unit 170 may determine to supplement the protective metal according to the switching speed being equal to or higher than the reference time. . Here, the measurement unit 160 measures the time until the current flowing between the wiring layer 150a and the wiring layer 150b becomes equal to or higher than the first reference current to become equal to or lower than the second reference current, and the switch device 100 is turned on. The switching speed that changes from the state to the OFF state may be measured. When the contact time between the contacts tends to be gradually delayed until the pseudo contact between the contacts occurs, the determination unit 170 makes a determination based on the switching speed from the ON state to the OFF state. It is possible to prevent imitation.

スイッチ装置100は、保護用の金属を析出させる場合、可動部110を駆動して第1接点10と第2接点20とを離間させ、スイッチをOFF状態にする(S330)。ヒータ制御部250は、ヒータ電源部240をON状態にさせて金属供給層143、接点層130、および保護導電層120を加熱する(S340)。加熱により、金属供給層143の保護用の金属は、拡散金属として接点層130内に拡散され、やがて保護導電層120に到達して析出する。即ち、保護導電層120は、金属供給層143から接点層130を介して保護用の金属が析出される。   When depositing the protective metal, the switch device 100 drives the movable part 110 to separate the first contact 10 and the second contact 20 and turns off the switch (S330). The heater control unit 250 turns on the heater power supply unit 240 to heat the metal supply layer 143, the contact layer 130, and the protective conductive layer 120 (S340). By the heating, the protective metal of the metal supply layer 143 is diffused as a diffusion metal into the contact layer 130 and eventually reaches the protective conductive layer 120 and precipitates. That is, the protective conductive layer 120 is formed by depositing a protective metal from the metal supply layer 143 through the contact layer 130.

ヒータ制御部250は、予め定められた時間が経過したことに応じて、ヒータ電源部240をOFF状態にしてよい。ここで、保護導電層120は、加熱部146の加熱面積、加熱温度、加熱時間、および130の層厚等に応じて、析出される金属の量が決められる。ヒータ制御部250には、加熱部146の加熱面積および130の層厚等に応じた加熱温度および加熱時間を予め設定されてよい。   The heater control unit 250 may turn off the heater power supply unit 240 in response to the elapse of a predetermined time. Here, the amount of deposited metal in the protective conductive layer 120 is determined according to the heating area of the heating unit 146, the heating temperature, the heating time, the layer thickness of 130, and the like. In the heater control unit 250, a heating temperature and a heating time corresponding to the heating area of the heating unit 146, the layer thickness of 130, and the like may be set in advance.

金属供給部140は、第1接点10および第2接点20が離間した状態で保護導電層120に対して保護用の金属を補い、可動部110は、保護導電層120に保護用の金属が補われたことに応じて、第1接点10および第2接点20を少なくとも1回または複数回接触および離間させてエージングさせる(S350)。これによって、スイッチ装置100は、安定した接触抵抗でスイッチング動作させることができる。   The metal supply unit 140 supplements the protective conductive layer 120 with a protective metal while the first contact 10 and the second contact 20 are separated from each other, and the movable unit 110 supplements the protective conductive layer 120 with a protective metal. In response to this, the first contact 10 and the second contact 20 are aged by contacting and separating at least once or multiple times (S350). As a result, the switch device 100 can be switched with a stable contact resistance.

次に、スイッチ装置100は、ステップS300に戻り、計測部160は、保護導電層120に対して保護用の金属を補った後に第1接点10および第2接点20が接触した状態において第1接点10および第2接点20間の抵抗を再び計測し、判定部170は、再び計測した抵抗が基準未満の場合に、保護導電層120に対して保護用の金属を再び補うことを決定する。スイッチ装置100は、判定部170の判定が保護用の金属を補わないとする結果が得られるまで以上の動作を繰り返してよい。   Next, the switch device 100 returns to Step S300, and the measurement unit 160 supplements the protective conductive layer 120 with a protective metal, and then the first contact 10 and the second contact 20 are in contact with each other. The resistance between the second contact 20 and the second contact 20 is measured again, and the determination unit 170 determines that the protective conductive layer 120 is supplemented with a protective metal again when the measured resistance is less than the reference. The switch device 100 may repeat the above operation until the determination by the determination unit 170 obtains a result that the metal for protection is not supplemented.

スイッチ装置100は、保護導電層120が保護用の金属を補わなくてもよい状態になった場合、可動部110を駆動して第1接点10と第2接点20とを離間させ、スイッチをOFF状態にして、保護導電層120への金属の析出を終了させる(S360)。これによって、スイッチ装置100は、ON/OFF動作の繰り返し等によって生じる保護導電層120の摩耗を修復することができ、接点同士の擬着を防ぐことができる。即ち、本実施例に係るスイッチ装置100は、接点の接触抵抗を上昇させずに接点同士の擬着を抑制しつつ、スイッチのON/OFF動作回数を重ねても接点同士の擬着を防止することができる。   When the protective conductive layer 120 does not need to supplement the protective metal, the switch device 100 drives the movable part 110 to separate the first contact 10 and the second contact 20 and turn off the switch. In this state, the metal deposition on the protective conductive layer 120 is terminated (S360). As a result, the switch device 100 can repair the wear of the protective conductive layer 120 caused by repeated ON / OFF operations and the like, and can prevent false contact between the contacts. That is, the switch device 100 according to the present embodiment prevents the false contact between the contacts even if the number of ON / OFF operations of the switch is repeated while suppressing the false contact between the contacts without increasing the contact resistance of the contact. be able to.

スイッチ装置100は、以上の動作フローを、スイッチ装置100の製造後の動作試験段階で実行してよく、また、スイッチ装置100を装置等に実装させた後に診断試験として定期的に実行してもよい。また、予め定められたスイッチング動作回数毎に実行してもよい。   The switch device 100 may execute the above operation flow in an operation test stage after the switch device 100 is manufactured, or may be periodically executed as a diagnostic test after the switch device 100 is mounted on the device or the like. Good. Alternatively, it may be executed every predetermined number of switching operations.

以上の本実施例のスイッチ装置100は、加熱部146を金属供給層143と配線層150との間に設ける例を説明したが、これに代えて、加熱部146は配線層150の第2接点20とは反対側の面に設けられ、配線層150の裏面側から配線層150を介して金属供給層143を加熱してもよい。これによって、スイッチ装置100は、開口部分230を省くことができ、また、絶縁部220の形成も簡略化することができる。また、スイッチ装置100は、加熱部146を別プロセスで形成させることもでき、スイッチ装置100の製造プロセスを簡略化することができる。   In the above switch device 100 of the present embodiment, the example in which the heating unit 146 is provided between the metal supply layer 143 and the wiring layer 150 has been described, but instead, the heating unit 146 has the second contact point of the wiring layer 150. 20, the metal supply layer 143 may be heated from the back surface side of the wiring layer 150 via the wiring layer 150. As a result, the switch device 100 can omit the opening 230 and can simplify the formation of the insulating portion 220. Moreover, the switch apparatus 100 can also form the heating part 146 by another process, and can simplify the manufacturing process of the switch apparatus 100. FIG.

以上の本実施例のスイッチ装置100は、1つの第1接点10と1つの第1接点10に対応する2つの第2接点20によってスイッチング動作させる例を説明した。これに代えて、スイッチ装置100は、複数の第1接点10および複数の第1接点10に対応する独立してまたは同時に動作する複数の第2接点20を備え、加熱部146は、複数の第2接点20に対応する金属供給層143および接点層130を同時に加熱してもよい。これによってスイッチ装置100は、複数のスイッチを有し、複数のスイッチの接触抵抗を上昇させずに接点同士の擬着を抑制しつつ、スイッチのON/OFF動作回数を重ねても接点同士の擬着を防止することができる。   The switch device 100 according to the present embodiment has been described with respect to the example in which the switching operation is performed by one first contact 10 and two second contacts 20 corresponding to one first contact 10. Instead, the switch device 100 includes a plurality of first contacts 10 and a plurality of second contacts 20 that operate independently or simultaneously corresponding to the plurality of first contacts 10, and the heating unit 146 includes a plurality of first contacts 10. The metal supply layer 143 and the contact layer 130 corresponding to the two contacts 20 may be heated simultaneously. As a result, the switch device 100 has a plurality of switches, suppresses pseudo-contact between the contacts without increasing the contact resistance of the plurality of switches, and simulates the contacts even if the number of ON / OFF operations of the switches is repeated. Wearing can be prevented.

以上の本実施例の加熱部146は、ヒータ210を含み、金属供給層143と配線層150との間に設けられる例を説明した。これに代えて、加熱部146は、接点層130および金属供給層143の少なくとも一方にレーザを照射することにより、接点層130および金属供給層143を加熱してもよい。これによってスイッチ装置100は、加熱部146をスイッチ装置100から独立させることができ、スイッチ装置100の製造プロセスを簡略化させることができる。   The heating unit 146 of this embodiment described above includes the heater 210 and has been described as being provided between the metal supply layer 143 and the wiring layer 150. Instead, the heating unit 146 may heat the contact layer 130 and the metal supply layer 143 by irradiating at least one of the contact layer 130 and the metal supply layer 143 with a laser. Accordingly, the switch device 100 can make the heating unit 146 independent of the switch device 100, and can simplify the manufacturing process of the switch device 100.

これに代えて加熱部146は、ヒータ210およびレーザを含み、ヒータ210およびレーザの両方で加熱してもよい。また、加熱部146は、レーザに代えて、LEDまたはランプ等の光源でもよい。加熱部146は、レンズ等の光学系でビーム状または局所的に集光することが容易な光源を用いることで、保護導電層120の摩耗した部分を集中的に加熱することができる。   Instead, the heating unit 146 includes a heater 210 and a laser, and may be heated by both the heater 210 and the laser. The heating unit 146 may be a light source such as an LED or a lamp instead of the laser. The heating unit 146 can intensively heat the worn portion of the protective conductive layer 120 by using a light source that can be easily focused in a beam shape or locally with an optical system such as a lens.

以上の本実施例のスイッチ装置100は、保護導電層120を形成する第2接点20が固定接点である例を説明した。これに代えて第2接点20は、可動部110により移動される可動接点であり、第1接点10は、可動部110を保持する基板に設けられた固定接点であってよい。   In the switch device 100 of this embodiment described above, the example in which the second contact 20 forming the protective conductive layer 120 is a fixed contact has been described. Alternatively, the second contact 20 may be a movable contact that is moved by the movable unit 110, and the first contact 10 may be a fixed contact provided on a substrate that holds the movable unit 110.

以上の本実施例の加熱部146は、金属供給層143を加熱する例を説明した。これに代えて加熱部146は、可動部110が熱駆動である場合に、金属供給層143の加熱および可動部110の加熱を実行してよい。例えば、可動部110が熱駆動である場合、可動部110はヒータを有する。そこで、可動部110の第1接点10に保護用の金属を析出させるように、可動部110は、金属供給層143と、接点層130と、保護導電層120とを順に設けて第1接点10を形成する。   The heating unit 146 of the present embodiment has been described as an example in which the metal supply layer 143 is heated. Instead, the heating unit 146 may perform heating of the metal supply layer 143 and heating of the movable unit 110 when the movable unit 110 is thermally driven. For example, when the movable part 110 is thermally driven, the movable part 110 has a heater. Therefore, the movable part 110 is provided with a metal supply layer 143, a contact layer 130, and a protective conductive layer 120 in order so that a protective metal is deposited on the first contact 10 of the movable part 110. Form.

これによって、可動部110を駆動するヒータは、第1接点に保護用の金属を析出させる加熱部146としても用いることができる。ここでスイッチ装置100は、第1接点10および第2接点20を離間させてオフ状態とする場合に加熱するスイッチであってよい。これによって、加熱部146は、第1接点10に保護用の金属を析出させるように加熱する場合、第1接点10および第2接点20を離間させたまま加熱することができる。   Accordingly, the heater that drives the movable unit 110 can also be used as the heating unit 146 that deposits a protective metal on the first contact. Here, the switch device 100 may be a switch that heats when the first contact 10 and the second contact 20 are separated from each other to be turned off. As a result, the heating unit 146 can heat the first contact 10 and the second contact 20 while keeping the first contact 10 and the second contact 20 apart when heating the first contact 10 to deposit a protective metal.

また、加熱部146は、保護導電層120に対して保護用の金属を補う場合に、第1接点10および第2接点20を離間させてオフ状態とする場合と比較してより高い温度に可動部110、金属供給層143、および接点層130を加熱する。これにより、スイッチ装置100は、保護用の金属を補う場合には加熱温度を高くし、可動部110の駆動させる場合は加熱温度を低くすることで、それぞれの制御を1つの加熱部146で実行することができる。   Further, the heating unit 146 is movable to a higher temperature than when the first contact 10 and the second contact 20 are separated from each other when the protective conductive layer 120 is supplemented with a protective metal. The part 110, the metal supply layer 143, and the contact layer 130 are heated. As a result, the switch device 100 increases the heating temperature when supplementing the protective metal, and lowers the heating temperature when driving the movable part 110, so that each control is executed by one heating unit 146. can do.

図4は、本実施形態に係るスイッチ装置100の製造フローを示す。まず、基板の表面に配線層150を形成する(S400)。基板は絶縁物または誘電物であってよく、一例としてガラス基板であってよい。配線層150は、基板の裏面と電気的に接続する貫通ビアを含んでよい。配線層150は、一例としてメッキ法により形成されてよい。   FIG. 4 shows a manufacturing flow of the switch device 100 according to the present embodiment. First, the wiring layer 150 is formed on the surface of the substrate (S400). The substrate may be an insulator or a dielectric, and as an example may be a glass substrate. The wiring layer 150 may include a through via that is electrically connected to the back surface of the substrate. For example, the wiring layer 150 may be formed by a plating method.

次に、配線層150の上面に、金属供給層143および接点層130を加熱する加熱部146を形成する(S410)。加熱部146の上面に、保護導電層120に対して保護用の金属を補う金属供給層143を形成する(S420)。金属供給層143は、一例として、スパッタ法によって成膜されてよい。   Next, a heating unit 146 for heating the metal supply layer 143 and the contact layer 130 is formed on the upper surface of the wiring layer 150 (S410). A metal supply layer 143 is formed on the upper surface of the heating unit 146 to supplement the protective conductive layer 120 with a protective metal (S420). For example, the metal supply layer 143 may be formed by a sputtering method.

金属供給層143の上面に、第1接点10の反対側において第2接点20が有する接点層130を形成する(S430)。接点層130は、一例として、スパッタ法によって成膜されてよい。   The contact layer 130 of the second contact 20 on the opposite side of the first contact 10 is formed on the upper surface of the metal supply layer 143 (S430). For example, the contact layer 130 may be formed by sputtering.

次に、第2接点20の表面に保護導電層120を形成する(S440)。ここで、保護導電層120は、金属供給層143および接点層130を加熱して、金属供給層143から接点層130を介して金属供給層143の反対側へと保護用の金属を析出させて形成されてよい。これによって、第1接点10と接触する表面に保護導電層120が設けられた第2接点20が形成される。   Next, the protective conductive layer 120 is formed on the surface of the second contact 20 (S440). Here, the protective conductive layer 120 heats the metal supply layer 143 and the contact layer 130 to deposit a protective metal from the metal supply layer 143 through the contact layer 130 to the opposite side of the metal supply layer 143. May be formed. As a result, the second contact 20 in which the protective conductive layer 120 is provided on the surface in contact with the first contact 10 is formed.

次に、第1接点10および第2接点20を接触または離間させる可動部110を形成する。可動部110は、シリコン等の半導体基板に、第2接点20とは別のプロセスで作成されてよい。スイッチ装置100は、第2接点20が形成された基板と、可動部110が形成された基板とを接合することで形成されてよい。この場合、2つの基板の接合は、陽極接合によって接合されてよい。また、スイッチ装置100は、気密封止されて接点表面に汚れまたは異物等が付着することを防止してよい。   Next, the movable part 110 that contacts or separates the first contact 10 and the second contact 20 is formed. The movable part 110 may be formed on a semiconductor substrate such as silicon by a process different from that of the second contact 20. The switch device 100 may be formed by bonding a substrate on which the second contact 20 is formed and a substrate on which the movable part 110 is formed. In this case, the two substrates may be bonded by anodic bonding. The switch device 100 may be hermetically sealed to prevent dirt or foreign matter from adhering to the contact surface.

以上のフローによって製造されたスイッチ装置100は、製造後において加熱部146により金属供給層143および接点層130を加熱して、金属供給層143から接点層130を介して保護導電層120へと保護用の金属を析出させる。これによって、スイッチ装置100は、製造後にスイッチのON/OFF動作回数を重ねても接点同士の擬着を防止することができる。   The switch device 100 manufactured by the above flow heats the metal supply layer 143 and the contact layer 130 by the heating unit 146 after manufacture, and protects the protective conductive layer 120 from the metal supply layer 143 through the contact layer 130. Deposit metal for use. As a result, the switch device 100 can prevent false contact between the contacts even if the number of ON / OFF operations of the switch is repeated after manufacturing.

図5は、本実施形態に係る試験装置510の構成例を被試験デバイス500と共に示す。試験装置510は、アナログ回路、デジタル回路、アナログ/デジタル混載回路、メモリ、およびシステム・オン・チップ(SOC)等の少なくとも1つの被試験デバイス500を試験する。試験装置510は、被試験デバイス500を試験するための試験パターンに基づく試験信号を被試験デバイス500に入力して、試験信号に応じて被試験デバイス500が出力する出力信号に基づいて被試験デバイス500の良否を判定する。   FIG. 5 shows a configuration example of the test apparatus 510 according to this embodiment together with the device under test 500. The test apparatus 510 tests at least one device under test 500 such as an analog circuit, a digital circuit, an analog / digital mixed circuit, a memory, and a system on chip (SOC). The test apparatus 510 inputs a test signal based on a test pattern for testing the device under test 500 to the device under test 500, and the device under test based on an output signal output from the device under test 500 according to the test signal. The quality of 500 is judged.

試験装置510は、試験部520と、信号入出力部530とを備える。試験部520は、被試験デバイス500との間で電気信号を授受して被試験デバイス500を試験する。試験部520は、試験信号発生部523と、期待値比較部526とを有する。   The test apparatus 510 includes a test unit 520 and a signal input / output unit 530. The test unit 520 tests the device under test 500 by exchanging electrical signals with the device under test 500. The test unit 520 includes a test signal generation unit 523 and an expected value comparison unit 526.

試験信号発生部523は、被試験デバイス500へ供給する複数の試験信号を発生する。試験信号発生部523は、試験信号に応じて被試験デバイス500が出力する応答信号の期待値を生成してよい。試験信号発生部523は、信号入出力部530を介して複数の被試験デバイス500に接続されて、複数の被試験デバイス500を試験してよい。   The test signal generator 523 generates a plurality of test signals to be supplied to the device under test 500. The test signal generator 523 may generate an expected value of the response signal output from the device under test 500 according to the test signal. The test signal generator 523 may be connected to the plurality of devices under test 500 via the signal input / output unit 530 to test the plurality of devices under test 500.

期待値比較部526は、信号入出力部530が受信した受信データ値を期待値と比較する。期待値比較部526は、期待値を試験信号発生部523から受信してよい。試験装置510は、期待値比較部526の比較結果に基づき、被試験デバイス500の良否を判定してよい。   The expected value comparison unit 526 compares the received data value received by the signal input / output unit 530 with the expected value. The expected value comparison unit 526 may receive the expected value from the test signal generation unit 523. The test apparatus 510 may determine pass / fail of the device under test 500 based on the comparison result of the expected value comparison unit 526.

信号入出力部530は、1以上の被試験デバイス500に接続され、試験装置510と被試験デバイス500との試験信号をやり取りする。信号入出力部530は、複数の被試験デバイス500を搭載するパフォーマンスボードであってよい。信号入出力部530は、スイッチ装置100を有する。   The signal input / output unit 530 is connected to one or more devices under test 500 and exchanges test signals between the test apparatus 510 and the devices under test 500. The signal input / output unit 530 may be a performance board on which a plurality of devices under test 500 are mounted. The signal input / output unit 530 includes the switch device 100.

スイッチ装置100は、試験部520および被試験デバイス500の間に設けられ、試験部520および被試験デバイス500の間を電気的に接続または切断する。試験装置510は、本実施形態に係るスイッチ装置100によって電気的な接続または切断を実行してよい。これによって試験装置510は、接触抵抗の低い接点で、スイッチのON/OFF動作回数を重ねても接点同士の擬着を防止できるスイッチ装置100を用いて試験を実行することができる。即ち、試験装置510は、低損失かつ長寿命で、電気信号の伝送およびスイッチングを実行することができる。   The switch device 100 is provided between the test unit 520 and the device under test 500 and electrically connects or disconnects between the test unit 520 and the device under test 500. The test apparatus 510 may perform electrical connection or disconnection by the switch apparatus 100 according to the present embodiment. As a result, the test apparatus 510 can perform a test using the switch apparatus 100 that is a contact having a low contact resistance and can prevent false contact between the contacts even if the number of ON / OFF operations of the switch is repeated. That is, the test apparatus 510 can perform transmission and switching of electric signals with low loss and long life.

本実施例において、信号入出力部530は1つの被試験デバイス500に接続され、スイッチ装置100は、1つの被試験デバイス500の入力信号ラインおよび出力信号ラインにそれぞれ1つ設けられる例を説明した。これに代えて信号入出力部530は、複数の被試験デバイス500に接続され、スイッチ装置100は、複数の被試験デバイス500の入力信号ラインおよび出力信号ラインのそれぞれに1つ設けられてよい。また、信号入出力部530から1つの被試験デバイス500へ接続される信号入出力ラインが1つの場合、1つの入出力ラインに1つのスイッチ装置100が設けられてよい。   In this embodiment, the signal input / output unit 530 is connected to one device under test 500, and one switch device 100 is provided for each of the input signal line and the output signal line of one device under test 500. . Instead, the signal input / output unit 530 may be connected to a plurality of devices under test 500, and one switch device 100 may be provided for each of the input signal lines and the output signal lines of the plurality of devices under test 500. When one signal input / output line is connected from the signal input / output unit 530 to one device under test 500, one switch device 100 may be provided for one input / output line.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. It is apparent from the scope of the claims that the embodiments added with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。   The order of execution of each process such as operations, procedures, steps, and stages in the apparatus, system, program, and method shown in the claims, the description, and the drawings is particularly “before” or “prior to”. It should be noted that the output can be realized in any order unless the output of the previous process is used in the subsequent process. Regarding the operation flow in the claims, the description, and the drawings, even if it is described using “first”, “next”, etc. for convenience, it means that it is essential to carry out in this order. It is not a thing.

10 第1接点、20 第2接点、100 スイッチ装置、110 可動部、120 保護導電層、130 接点層、140 金属供給部、143 金属供給層、146 加熱部、150 配線層、160 計測部、170 判定部、210 ヒータ、220 絶縁部、230 開口部分、240 ヒータ電源部、250 ヒータ制御部、260 金属供給層の配置、270 第2接点の配置、500 被試験デバイス、510 試験装置、520 試験部、523 試験信号発生部、526 期待値比較部、530 信号入出力部 10 First contact, 20 Second contact, 100 Switch device, 110 Movable part, 120 Protective conductive layer, 130 Contact layer, 140 Metal supply part, 143 Metal supply layer, 146 Heating part, 150 Wiring layer, 160 Measurement part, 170 Determination unit, 210 heater, 220 insulation unit, 230 opening, 240 heater power supply unit, 250 heater control unit, 260 metal supply layer arrangement, 270 second contact arrangement, 500 device under test, 510 test apparatus, 520 test unit 523 Test signal generator 526 Expected value comparator 530 Signal input / output unit

Claims (20)

第1接点および前記第1接点と接触する表面に保護導電層が設けられた第2接点を備えるスイッチ装置であって、
前記第1接点および前記第2接点を接触または離間させる可動部と、
前記保護導電層に対して保護用の金属を補う金属供給部と、
を備え
前記金属供給部は、
保護用の金属を含む金属供給層と、
前記金属供給層および前記第2接点を加熱して、前記金属供給層から前記保護導電層へと保護用の金属を析出させる加熱部と、
を有するスイッチ装置。
A switch device comprising a first contact and a second contact provided with a protective conductive layer on a surface in contact with the first contact,
A movable part for contacting or separating the first contact and the second contact;
A metal supply unit that supplements the protective conductive layer with a protective metal;
Equipped with a,
The metal supply unit is
A metal supply layer containing a protective metal;
A heating unit for heating the metal supply layer and the second contact to deposit a protective metal from the metal supply layer to the protective conductive layer;
Switch devices that have a.
前記第2接点は、接点用の金属を含む接点層を有し、
前記金属供給部は、前記第1接点とは反対側から前記接点層を介して前記第1接点側へと保護用の金属を析出させる
請求項1に記載のスイッチ装置。
The second contact has a contact layer including a contact metal,
The switch device according to claim 1, wherein the metal supply unit deposits a protective metal from the side opposite to the first contact to the first contact side through the contact layer.
前記金属供給層は、前記第1接点の反対側において前記接点層と重ねられ
前記加熱部は、前記金属供給層および前記接点層を加熱して、前記金属供給層から前記接点層を介して前記保護導電層へと保護用の金属を析出させる求項2に記載のスイッチ装置。
The metal supply layer overlaps the contact layer on the opposite side of the first contact ;
The heating unit heats the metal supply layer and the contact layer, the switch according to Motomeko 2 to deposit a metal for protection to the protective conductive layer through the contact layer from the metal supply layer apparatus.
前記加熱部は、前記金属供給層を、前記接点層とは反対側から加熱するヒータを含む請求項3に記載のスイッチ装置。   The switch device according to claim 3, wherein the heating unit includes a heater that heats the metal supply layer from a side opposite to the contact layer. 前記ヒータは、前記金属供給層における前記接点層とは反対側に、電流を流すと熱を発するヒータ線を引き回して形成され、
前記加熱部は、前記ヒータ線と、前記金属供給層との間を電気的に絶縁する絶縁部を更に含む請求項4に記載のスイッチ装置。
The heater is formed on the opposite side of the metal supply layer from the contact layer by drawing a heater wire that generates heat when an electric current is passed,
The switch device according to claim 4, wherein the heating unit further includes an insulating unit that electrically insulates between the heater wire and the metal supply layer.
前記ヒータは、前記スイッチ装置を通過させる信号を伝送する配線層と、前記金属供給層との間に設けられ、
前記絶縁部は、前記金属供給層における面方向の少なくとも一部の領域において、前記配線層および前記金属供給層を導通させるための開口部分を含む請求項5に記載のスイッチ装置。
The heater is provided between a wiring layer that transmits a signal that passes through the switch device, and the metal supply layer,
6. The switch device according to claim 5, wherein the insulating portion includes an opening portion for conducting the wiring layer and the metal supply layer in at least a partial region of the metal supply layer in the surface direction.
当該スイッチ装置は、複数の前記第1接点および前記複数の第1接点に対応する複数の前記第2接点を備え、
前記加熱部は、前記複数の第2接点に対応する前記金属供給層および前記接点層を同時に加熱する
請求項3から6のいずれか一項に記載のスイッチ装置。
The switch device includes a plurality of the first contacts and a plurality of the second contacts corresponding to the plurality of first contacts,
The switch device according to any one of claims 3 to 6, wherein the heating unit simultaneously heats the metal supply layer and the contact layer corresponding to the plurality of second contacts.
前記加熱部は、前記接点層および前記金属供給層の少なくとも一方にレーザを照射することにより、前記接点層および前記金属供給層を加熱する請求項3から7のいずれか一項に記載のスイッチ装置。 The switch device according to any one of claims 3 to 7, wherein the heating unit heats the contact layer and the metal supply layer by irradiating at least one of the contact layer and the metal supply layer with a laser. . 前記第1接点および前記第2接点が接触した状態において前記第1接点および前記第2接点間の抵抗を計測する計測部と、
計測した抵抗の大きさに基づいて、前記保護導電層に対して保護用の金属を補うか否かを判定する判定部と、
を備える請求項3から8のいずれか一項に記載のスイッチ装置。
A measuring unit for measuring a resistance between the first contact and the second contact in a state where the first contact and the second contact are in contact;
A determination unit that determines whether or not the protective conductive layer is supplemented with a protective metal based on the measured resistance value;
The switch device according to any one of claims 3 to 8, further comprising:
前記第2接点に含まれる接点用の金属は、保護用の金属より高い導電性を有し、
前記判定部は、計測した抵抗が基準未満の場合に、前記保護導電層に対して保護用の金属を補うことを決定する
請求項9に記載のスイッチ装置。
The contact metal contained in the second contact has higher conductivity than the protective metal,
The switch device according to claim 9, wherein the determination unit determines to supplement the protective conductive layer with a protective metal when the measured resistance is less than a reference.
前記計測部は、前記保護導電層に対して保護用の金属を補った後に前記第1接点および前記第2接点が接触した状態において前記第1接点および前記第2接点間の抵抗を再び計測し、
前記判定部は、再び計測した抵抗が基準未満の場合に、前記保護導電層に対して保護用の金属を再び補うことを決定する
請求項10に記載のスイッチ装置。
The measurement unit again measures the resistance between the first contact and the second contact in a state where the first contact and the second contact are in contact with each other after supplementing the protective conductive layer with a protective metal. ,
The switch device according to claim 10, wherein the determination unit determines to supplement the protective conductive layer again with a protective metal when the measured resistance is less than a reference.
前記金属供給部は、前記第1接点および前記第2接点が離間した状態で前記保護導電層に対して保護用の金属を補い、
前記可動部は、前記保護導電層に保護用の金属が補われたことに応じて、前記第1接点および前記第2接点を少なくとも1回接触および離間させてエージングさせる
請求項3から11のいずれか一項に記載のスイッチ装置。
The metal supply unit supplements the protective conductive layer with a protective metal in a state where the first contact and the second contact are separated from each other,
The movable part is aged by contacting and separating the first contact and the second contact at least once according to the fact that a protective metal is supplemented to the protective conductive layer. switching device according to one paragraph or.
前記第1接点は、前記可動部により移動される可動接点であり、
前記第2接点は、前記可動部を保持する基板に設けられた固定接点である、
請求項3から12のいずれか一項に記載のスイッチ装置。
The first contact is a movable contact moved by the movable part,
The second contact is a fixed contact provided on a substrate that holds the movable part.
The switch device according to any one of claims 3 to 12.
前記第2接点は、前記可動部により移動される可動接点であり、
前記第1接点は、前記可動部を保持する基板に設けられた固定接点である、
請求項3から12のいずれか一項に記載のスイッチ装置。
The second contact is a movable contact moved by the movable part,
The first contact is a fixed contact provided on a substrate that holds the movable part.
The switch device according to any one of claims 3 to 12.
前記可動部は、加熱されない状態において前記第1接点および前記第2接点を接触させ、加熱されると前記第2接点を前記第1接点から離間させるバイモルフを含み、
前記加熱部は、前記第1接点および前記第2接点を離間させてオフ状態とする場合および前記保護導電層に対して保護用の金属を補う場合に、前記可動部、前記金属供給層、および前記接点層を加熱する
請求項14に記載のスイッチ装置。
The movable part includes a bimorph that brings the first contact and the second contact into contact with each other in an unheated state and separates the second contact from the first contact when heated.
In the case where the heating unit separates the first contact and the second contact to be in the off state and when the protective conductive layer is supplemented with a protective metal, the movable unit, the metal supply layer, and The switch device according to claim 14, wherein the contact layer is heated.
前記加熱部は、前記保護導電層に対して保護用の金属を補う場合に、前記第1接点および前記第2接点を離間させてオフ状態とする場合と比較してより高い温度に前記可動部、前記金属供給層、および前記接点層を加熱する請求項15に記載のスイッチ装置。   When the heating unit supplements the protective conductive layer with a protective metal, the movable unit is heated to a higher temperature than when the first contact and the second contact are separated and turned off. The switch device according to claim 15, wherein the metal supply layer and the contact layer are heated. 被試験デバイスを試験する試験装置であって、
前記被試験デバイスとの間で電気信号を授受して前記被試験デバイスを試験する試験部と、
前記試験部および前記被試験デバイスの間に設けられ、前記試験部および前記被試験デバイスの間を電気的に接続または切断する請求項1から16のいずれか一項に記載のスイッチ装置と、
を備える試験装置。
A test apparatus for testing a device under test,
A test unit for exchanging electrical signals with the device under test to test the device under test;
The switch device according to any one of claims 1 to 16, which is provided between the test unit and the device under test, and electrically connects or disconnects between the test unit and the device under test.
A test apparatus comprising:
請求項1から16のいずれか一項に記載のスイッチ装置によるスイッチ方法であって、
前記第1接点および前記第2接点を接触または離間させる可動段階と、
前記保護導電層に対して保護用の金属を補う金属供給段階と、
を備えるスイッチ方法。
A switch method using the switch device according to any one of claims 1 to 16,
A movable step of contacting or separating the first contact and the second contact;
A metal supply stage for supplementing the protective conductive layer with a protective metal;
A switch method comprising:
第1接点および前記第1接点と接触する第2接点を備えるスイッチ装置の製造方法であって、
前記第2接点の表面に保護導電層を形成する保護導電層形成段階と、
前記保護導電層に対して保護用の金属を補う金属供給部を形成する金属供給部形成段階と、
前記第1接点および前記第2接点を接触または離間させる可動部を形成する可動部形成段階と、
を備え
前記金属供給部形成段階は、
前記第1接点の反対側において前記第2接点が有する接点層と重ねられる、保護用の金属を含む金属供給層を形成する金属供給層形成段階と、
製造後において前記金属供給層および前記接点層を加熱して、前記金属供給層から前記接点層を介して前記保護導電層へと保護用の金属を析出させる加熱部を形成する加熱部形成段階と、を有する製造方法。
A method of manufacturing a switch device comprising a first contact and a second contact that contacts the first contact,
Forming a protective conductive layer on the surface of the second contact;
Forming a metal supply part for forming a metal supply part that supplements the protective metal with respect to the protective conductive layer;
A movable part forming step of forming a movable part for contacting or separating the first contact and the second contact;
Equipped with a,
The metal supply part forming step includes:
A metal supply layer forming step of forming a metal supply layer including a protective metal, which is overlapped with a contact layer of the second contact on the opposite side of the first contact;
A heating part forming step of forming a heating part for heating the metal supply layer and the contact layer after manufacture to deposit a protective metal from the metal supply layer to the protective conductive layer via the contact layer; the method that have a.
記保護導電層形成段階は、前記金属供給層および前記接点層を加熱して、前記金属供給層から前記接点層を介して前記金属供給層の反対側へと保護用の金属を析出させて前記保護導電層を形成して、前記第1接点と接触する表面に前記保護導電層が設けられた前記第2接点を形成する求項19に記載の製造方法。 Before Symbol protective conductive layer forming step, the metal supply layer and by heating the contact layer, by depositing a metal for protection from the metal supply layer to the opposite side of the metal supply layer through the contact layer forming said protective conductive layer, the method according to Motomeko 19, wherein the protective conductive layer on the first contact point and the contact surface to form a second contact provided.
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