JP5474576B2 - レーザ光増幅器及びそれを用いたレーザ装置 - Google Patents
レーザ光増幅器及びそれを用いたレーザ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5474576B2 JP5474576B2 JP2010001421A JP2010001421A JP5474576B2 JP 5474576 B2 JP5474576 B2 JP 5474576B2 JP 2010001421 A JP2010001421 A JP 2010001421A JP 2010001421 A JP2010001421 A JP 2010001421A JP 5474576 B2 JP5474576 B2 JP 5474576B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- point
- amplifier
- incident
- optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 399
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 134
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 134
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 66
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 11
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 12
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 4
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/067—Fibre lasers
- H01S3/06754—Fibre amplifiers
- H01S3/06758—Tandem amplifiers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70025—Production of exposure light, i.e. light sources by lasers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
- H01S3/2325—Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
- H01S3/0064—Anti-reflection devices, e.g. optical isolaters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/032—Constructional details of gas laser discharge tubes for confinement of the discharge, e.g. by special features of the discharge constricting tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/036—Means for obtaining or maintaining the desired gas pressure within the tube, e.g. by gettering, replenishing; Means for circulating the gas, e.g. for equalising the pressure within the tube
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/038—Electrodes, e.g. special shape, configuration or composition
- H01S3/0385—Shape
- H01S3/0387—Helical shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/041—Arrangements for thermal management for gas lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/097—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser
- H01S3/0971—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping by gas discharge of a gas laser transversely excited
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/2232—Carbon dioxide (CO2) or monoxide [CO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
- H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
- H01S3/2325—Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
- H01S3/2341—Four pass amplifiers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Lasers (AREA)
Description
(実施形態1)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るレーザ光増幅器の構成を示す図であり、本発明の原理を分かりやすく説明するために、本発明をスラブ型レーザ光増幅器に適用した場合を示している。
図3に示すように、第1の実施形態の変形例に係るレーザ光増幅器は、レーザ媒体が封入されたチャンバ内に、レーザ媒体中で放電を行うことによりレーザ媒体中にレーザ光の増幅領域を形成する1対の円筒電極22a及び23aと、増幅領域を挟んで対向設置された第1群の折返しミラー37a及び第2群の折返しミラー38aを含む光学システムとを有しており、マルチパス増幅を行う。チャンバには、レーザ光が入射する入射ウインドウ33aとレーザ光が出力される出射ウインドウ36aとが設けられている。
図5は、本発明の第2の実施形態に係るレーザ光増幅器の構成を示す図であり、本発明をダブルパス増幅型レーザ光増幅器に適用した場合を示している。
図5に示すように、第2の実施形態に係るレーザ光増幅器は、レーザ媒体を収納する放電管25と、レーザ媒体中で放電を行うことによりレーザ媒体中にレーザ光の増幅領域30を形成する1対の電極と、増幅領域30を挟んで対向設置された凹面HRミラー37及びHRミラープリズム43を含む光学システムと、自励発振や寄生発振を抑制する6フッ化硫黄(SF6)ガスセル等の可飽和吸収体31とを含んでいる。
<実施例1>
図12は、第1の実施例に係るレーザ光増幅器を上から見た平面断面図である。このレーザ光増幅器においては、2つの広い平板電極に高周波電圧が印加され、CO2レーザガス中で高周波放電が行われることにより、増幅領域30が形成される。また、増幅領域30を挟んで配置される折返しミラー37及び38は、いずれも凹面HRミラーである。
一般に、2つの薄いレンズM1及びM2によって構成される合成レンズ系の合成焦点距離Fは、次式(1)で表され、前側レンズM1の主点と合成レンズ系の前側主点との間の距離ZHは、次式(2)で表される。
F=f1・f2/(f1+f2−t) ・・・(1)
ZH=f1・t/(f1+f2−t) ・・・(2)
ここで、f1は前側レンズM1の焦点距離、f2は後側レンズM2の焦点距離、tは前側レンズM1と後側レンズM2との間の距離である。
M=(ZH+t−F)/F ・・・(3)
F=f2/(2f−L) ・・・(4)
ZH=f・L/(2f−L) ・・・(5)
M=1=(ZH+L−F)/F ・・・(6)
図14は、第2の実施例に係るレーザ光増幅器を上から見た平面断面図である。第2の実施例は、図12に示すのと同様なスラブ型CO2レーザ光増幅器に適用される。第2の実施例に係るレーザ光増幅器は、増幅領域30を挟んで配置される折返しミラーによって構成される光学システムを用いてレーザ光が5パス増幅されるように構成されている。第2の実施例は、第1の点34における入射ビームの像を折返し光路の途中にある第3の点39に転写して第1の転写像を結像させ、第1の転写像をさらに出射ビームの光路上の第2の点35に転写して第2の転写像を結像させることに特徴がある。しかしながら、第2の実施例も、第1の点34における入射ビームの像を出射レーザ光の光路上の第2の点35に転写することにより光軸を安定化させる点において、実質的に第1の実施形態の技術的思想に属する。
アフォーカル系の場合の倍率Mは、次式(7)で表される。
M=f1/f2 ・・・(7)
図16は、第3の実施例に係るレーザ光増幅器を上から見た平面断面図である。第3の実施例においては、図12及び図14に示すのと同様なスラブ型CO2レーザ光増幅器が想定されている。第3の実施例に係るレーザ光増幅器は、各々が曲率半径Rを有する2つの折返しミラーを、増幅領域30を挟んで対向配置して形成される光学システムにより、増幅領域においてシードレーザ光(入射ビーム)をマルチパスでジグザグに通過させている。このように長い光路における増幅を行うことによって、増幅効率を向上させ、しかも、入射ビームのエネルギーを大きく増幅して出力することができる。入射ビーム位置(第1の点)34における入射ビームの像が、出射ビームの光路上における第2の点35に転写され、入射ビームの転写像が結像される。
両端に凹面ミラーを配してマルチパス増幅を行う光学システムは、同じ焦点距離f=R/2を有する複数のレンズが間隔Lで並んだ合成レンズ系において、最初のレンズM1から上流側に距離Li=Lだけ離れた位置(第1の点34)における入射ビームの像を、最後のレンズMNから下流側に距離Lo=Lだけ離れた位置(第2の点35)に転写して、転写像を結像させるように、複数のレンズを直列に配置した場合と等価である。
Fk+1=Fk・f/(Fk+f−L) ・・・(8)
ZHk+1=Fk・L/(Fk+f−L) ・・・(9)
M=(ZHk+1+L−Fk+1)/Fk+1 ・・・(10)
図18は、第4の実施例に係るレーザ光増幅器を上から見た平面断面図である。第4の実施例においては、図12、図14及び図16に示すのと同様なスラブ型CO2レーザ光増幅器が想定されている。第4の実施例に係るレーザ光増幅器は、第3の実施例に係るレーザ光増幅器に対して、2つの折返しミラーの内の一方を平面HRミラーとして6パス増幅を行うようにした点が異なる。
F=f2/(2f−2D) ・・・(11)
ZH=f・2D/(2f−2D) ・・・(12)
M=1=(ZH+2D−F)/F ・・・(13)
図20は、第5の実施例に係るレーザ光増幅器を上から見た平面断面図である。本実施例においては、図12、図14、図16及び図18に示すのと同様なスラブ型CO2レーザ光増幅器が想定されている。第5の実施例に係るレーザ光増幅器は、第4の実施例に係るレーザ光増幅器に対して、2つの折返しミラーを平行に対向させる替わりに、両者の主面が僅かな角度をなすように配置してパス数を増やしたこと、及び、レーザ光増幅器のチャンバの外の出射ビーム光路上に入射ビーム転写像位置(第2の点)35を定めたことが異なる。
Fk+1=Fk・f/(Fk+f−2D) ・・・(14)
ZHk+1=Fk・2D/(Fk+f−2D) ・・・(15)
M=(ZHk+1+2D−Fk+1)/Fk+1 ・・・(16)
図22は、第6の実施例に係るレーザ光増幅器を上から見た平面断面図である。なお、第6の実施例に係るレーザ光増幅器の光学システムは、実質的に図21に示されたものと同一であるので、ここでは省略する。第6の実施例に係るレーザ光増幅器は、図20に示された第5の実施例に係るスラブ型レーザ光増幅器と略同じ構成を有するもので、一方の折返しミラー38をレーザ光増幅器の長手方向に対して略直交するように配置し、他方の折返しミラー42を折返しミラー38に対して所定の角度をもって対向配置したマルチパス増幅式レーザ光増幅器である。この型式のレーザ光増幅器においては、各折返しミラーの集光能力や長さ、2つの折返しミラーの挟角、及び、シードレーザ光の入射角度等を調整することにより、パス数を適宜に変化させることができる。図22に示す第6の実施例においては、パス数を11にしている。
次に、本発明の幾つかの実施形態に係るレーザ装置について説明する。本発明の実施形態に係るレーザ装置は、LPP式EUV光源装置において、ターゲット物質にレーザ光を照射してターゲット物質をプラズマ化するドライバレーザ装置として用いられる。このドライバレーザ装置は、本発明の第1又は第2の実施形態に係るレーザ光増幅器を用いて高い増幅率で効率よくシードレーザ光を増幅し、増幅されたレーザ光をプラズマ発光点に集光することにより、高い効率でEUV光を発生させることができる。
図23は、本発明の第3の実施形態に係るドライバレーザ装置を用いたEUV光源装置の構成を示す図である。第3の実施形態に係るドライバレーザ装置は、プリアンプにスラブ型のレーザ光増幅器を使用し、メインアンプに高速軸流型のレーザ光増幅器を使用して、EUV光源装置のドライバレーザ光を供給するものである。
図24は、本発明の第4の実施形態に係るドライバレーザ装置を用いたEUV光源装置の構成を示す図である。図24に示すように、第4の実施形態に係るドライバレーザ装置は、シードレーザ光を出射するマスターオシレータ51と、シードレーザ光の空間横モードを空間的にフィルタリングする空間フィルタ52と、レーザ光増幅器をm段に多段化して構成されるプリアンプ20と、HRミラー53、54、58と、リレー光学系55及び57と、レーザ光増幅器をn段に多段化して構成されるメインアンプ60とを含んでいる。ここで、m、nは、2以上の自然数である。このドライバレーザ装置は、シードレーザ光を必要な光強度まで増幅して、増幅されたレーザ光を軸外放物面ミラー59に出力する。軸外放物面ミラー59は、増幅されたレーザ光をターゲット上に集光する。増幅されたレーザ光の集光点は、EUVチャンバ70内のプラズマ発光点71と一致する。
図25は、本発明の第5の実施形態に係るドライバレーザ装置を用いたEUV光源装置の構成を示す図である。図25に示すように、第5の実施形態に係るドライバレーザ装置は、マスターオシレータ51と、空間フィルタ52と、リレー光学系80と、レーザ光増幅器をm段に多段化して構成されたプリアンプ20と、HRミラー53、54、58と、リレー光学系56及び57と、レーザ光増幅器をn段に多段化して構成されたメインアンプ60とを含んでいる。
Claims (14)
- レーザ媒体を収納する容器と、
前記レーザ媒体中で放電を行うことにより前記レーザ媒体中にレーザ光の増幅領域を形成する1対の電極と、
互いに共役な第1の点と第2の点との間の光路中に前記増幅領域が配置され、前記第1の点に入射するレーザ光が前記増幅領域中を少なくとも2回通過しながら増幅されて前記第2の点に転写されるように、レーザ光が入射する前記第1の点とレーザ光が出力される前記第2の点との間の光路を形成する光学システムと、
を具備するレーザ光増幅器。 - 前記容器に、レーザ光が入射する第1のウインドウとレーザ光が出力される第2のウインドウとが設けられており、レーザ光が入射する前記第1の点が、前記第1のウインドウの近傍に位置し、レーザ光が出力される前記第2の点が、前記第2のウインドウの近傍に位置する、請求項1記載のレーザ光増幅器。
- 前記容器が、レーザ媒体を収納するチャンバを含み、前記1対の電極が、前記チャンバ内のレーザ媒体を挟むように配置され、高周波電圧が印加されて前記レーザ媒体中で放電を行うことにより前記レーザ媒体を励起してレーザ光を増幅する1対の平板電極を含み、前記レーザ光増幅器が、スラブ型レーザ光増幅器を構成する、請求項1又は2記載のレーザ光増幅器。
- 前記光学システムが、平面ミラーと凹面ミラーとの組合せ、2つの凹面ミラーの組合せ、凹面ミラーと凸面ミラーとの組合せの内の1つを含む、請求項1〜3のいずれか1項記載のレーザ光増幅器。
- 前記光学システムが、前記第1の点に入射するレーザ光の転写像を、前記第1の点と前記第2の点との間の光路中で少なくとも1回結像させた後、前記第2の点において再び結像させる、請求項1〜4のいずれか1項記載のレーザ光増幅器。
- 前記第1の点と前記第2の点との間の光路中に配置された可飽和吸収体をさらに具備する、請求項1〜5のいずれか1項記載のレーザ光増幅器。
- 前記容器が、レーザ光の光路が形成された放電管を含み、前記1対の電極が、高周波電圧が印加されて前記放電管の光路に流れるレーザ媒体中で放電を行うことにより前記レーザ媒体を励起してレーザ光を増幅し、前記レーザ光増幅器が、高速軸流型レーザ光増幅器を構成する、請求項1又は2記載のレーザ光増幅器。
- 前記光学システムの転写倍率が略1である、請求項1〜7のいずれか1項記載のレーザ光増幅器。
- 前記レーザ媒体が、二酸化炭素(CO2)を含有するCO2レーザガスを含む、請求項1〜8のいずれか1項記載のレーザ光増幅器。
- パルスレーザ光を発生するマスターオシレータと、
請求項1〜9のいずれか1項記載のレーザ光増幅器を含み、前記マスターオシレータから前記レーザ光増幅器の前記第1の点に入射するパルスレーザ光を増幅して、増幅されたパルスレーザ光を前記レーザ光増幅器の前記第2の点から出力するプリアンプと、
前記プリアンプから出力されるパルスレーザ光のサイズ及び広がり角度を調節する第1のリレー光学系と、
少なくとも1つのレーザ光増幅器を含み、前記プリアンプから前記第1のリレー光学系を介して供給されるパルスレーザ光を増幅するメインアンプと、
前記メインアンプから出力されるパルスレーザ光をコリメートして、平行光を出力する第2のリレー光学系と、
を具備するレーザ装置。 - 前記メインアンプが、
レーザ媒体を収納する容器と、
前記レーザ媒体中で放電を行うことにより前記レーザ媒体中にレーザ光の増幅領域を形成する1対の電極と、
互いに共役な第3の点と第4の点との間の光路中に前記増幅領域が配置され、前記第3の点に入射するレーザ光が前記増幅領域中を少なくとも2回通過しながら増幅されて前記第4の点に転写されるように、レーザ光が入射する前記第3の点とレーザ光が出力される前記第4の点との間の光路を形成する光学システムと、
を有するレーザ光増幅器を含む、請求項10記載のレーザ装置。 - 前記第1のリレー光学系が、前記プリアンプに含まれている前記レーザ光増幅器の前記第2の点から出力されるパルスレーザ光を、前記メインアンプに含まれている前記レーザ光増幅器の前記第3の点に転写する、請求項11記載のレーザ装置。
- 前記プリアンプが、直列接続された複数のレーザ光増幅器を含む、請求項10〜12のいずれか1項記載のレーザ装置。
- 前記メインアンプが、直列接続された複数のレーザ光増幅器を含む、請求項10〜13のいずれか1項記載のレーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2010001421A JP5474576B2 (ja) | 2009-01-14 | 2010-01-06 | レーザ光増幅器及びそれを用いたレーザ装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009005771 | 2009-01-14 | ||
| JP2009005771 | 2009-01-14 | ||
| JP2010001421A JP5474576B2 (ja) | 2009-01-14 | 2010-01-06 | レーザ光増幅器及びそれを用いたレーザ装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010186990A JP2010186990A (ja) | 2010-08-26 |
| JP2010186990A5 JP2010186990A5 (ja) | 2012-12-20 |
| JP5474576B2 true JP5474576B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=42309087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010001421A Active JP5474576B2 (ja) | 2009-01-14 | 2010-01-06 | レーザ光増幅器及びそれを用いたレーザ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8559099B2 (ja) |
| JP (1) | JP5474576B2 (ja) |
| DE (1) | DE102010000032B4 (ja) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5666285B2 (ja) | 2010-03-15 | 2015-02-12 | ギガフォトン株式会社 | 再生増幅器、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
| JP2012109417A (ja) | 2010-11-17 | 2012-06-07 | Komatsu Ltd | スラブ型増幅装置、レーザ装置および極端紫外光源装置 |
| DE102010064147B4 (de) * | 2010-12-23 | 2013-09-12 | Rofin-Sinar Laser Gmbh | Bandleiter-Laserverstärker und Laseranordnung mit einem Bandleiter-Laserverstärker |
| US8810902B2 (en) * | 2010-12-29 | 2014-08-19 | Asml Netherlands B.V. | Multi-pass optical apparatus |
| US8885684B2 (en) | 2011-06-20 | 2014-11-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Gas laser device |
| JP2013207004A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Gigaphoton Inc | レーザ装置 |
| JP2013207003A (ja) * | 2012-03-27 | 2013-10-07 | Gigaphoton Inc | レーザ装置 |
| WO2013144695A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Gigaphoton Inc. | Laser apparatus, laser system, and extreme ultraviolet light generation apparatus |
| JP2013207298A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Gigaphoton Inc | レーザ装置、レーザシステムおよび極端紫外光生成装置 |
| JP6170928B2 (ja) | 2012-09-18 | 2017-07-26 | ギガフォトン株式会社 | スラブ型増幅器、それを含むレーザ装置および極短紫外光生成装置 |
| DE102012217120A1 (de) * | 2012-09-24 | 2014-03-27 | Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh | EUV-Strahlungserzeugungsvorrichtung und Betriebsverfahren dafür |
| CN205452776U (zh) | 2013-07-18 | 2016-08-10 | 三菱电机株式会社 | 气体激光装置 |
| WO2015033426A1 (ja) | 2013-09-05 | 2015-03-12 | ギガフォトン株式会社 | レーザ増幅器、及びレーザ装置、並びに極端紫外光生成システム |
| US10090628B2 (en) * | 2014-01-30 | 2018-10-02 | Kyocera Corporation | Cylinder, plasma apparatus, gas laser apparatus, and method of manufacturing cylinder |
| WO2015118687A1 (ja) * | 2014-02-10 | 2015-08-13 | ギガフォトン株式会社 | レーザ装置及び極端紫外光生成システム |
| WO2016026523A1 (de) * | 2014-08-20 | 2016-02-25 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Verfahren zum verlängern eines laufwegs eines lichtstrahls, optische verzögerungseinrichtung und treiberlaseranordnung damit |
| WO2016116147A1 (de) * | 2015-01-21 | 2016-07-28 | Trumpf Lasersystems For Semiconductor Manufacturing Gmbh | Strahlführungseinrichtung, euv-strahlungserzeugungsvorrichtung und verfahren zum einstellen eines strahldurchmessers und eines öffnungswinkels eines laserstrahls |
| RU2607839C2 (ru) * | 2015-06-25 | 2017-01-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН) | Многопроходный лазерный усилитель на дисковом активном элементе |
| US10268128B2 (en) | 2015-07-08 | 2019-04-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
| US10585215B2 (en) | 2017-06-29 | 2020-03-10 | Cymer, Llc | Reducing optical damage on an optical element |
| CN110231288B (zh) * | 2018-03-06 | 2022-04-08 | 徐州旭海光电科技有限公司 | 一种紧凑和稳定的光程气室 |
| KR102901744B1 (ko) * | 2019-07-11 | 2025-12-19 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 광 증폭 캐비티와의 사용을 위한 측정 시스템 |
| EP3793044B1 (en) * | 2019-09-12 | 2021-11-03 | Kern Technologies, LLC | Output coupling from unstable laser resonators |
| DE102020113631B3 (de) | 2020-05-20 | 2021-10-21 | Helmut-Schmidt-Universität Universität der Bundeswehr Hamburg | Vorrichtung zur spektralen Verbreiterung eines Laserimpulses und Lasersystem |
| KR102930386B1 (ko) * | 2020-08-28 | 2026-02-24 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 노광 방법 및 이를 이용한 반도체 제조 방법 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4264868A (en) * | 1978-10-13 | 1981-04-28 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | High power gas laser amplifier |
| US4622675A (en) * | 1983-07-29 | 1986-11-11 | P.R.C., Ltd. | Forced transport molecular gas laser and method |
| JPS63296382A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-02 | Fanuc Ltd | レ−ザ発振装置 |
| US4918395A (en) * | 1988-11-21 | 1990-04-17 | Spectra-Physics | Multipass laser amplifier with at least one expanded pass |
| DE9003331U1 (de) * | 1990-03-21 | 1991-07-18 | Rofin-Sinar Laser GmbH, 2000 Hamburg | Gaslaser |
| DE4112311A1 (de) * | 1991-04-15 | 1992-10-22 | Max Planck Gesellschaft | Transversal elektrisch gepumpter gaslaser mit schraeg ausgefuehrtem strahldurchgang |
| DE4300700A1 (en) | 1992-01-14 | 1993-07-29 | Boreal Laser Inc | Carbon di:oxide plate laser group arrangement - has channel between wave-conducting electrode surfaces subdivided into multiple parallel laser resonators |
| GB9420954D0 (en) * | 1994-10-18 | 1994-12-07 | Univ Keele | An infrared radiation emitting device |
| DE19609851A1 (de) * | 1996-03-13 | 1997-09-18 | Rofin Sinar Laser Gmbh | Bandleiterlaser |
| FR2756672B1 (fr) * | 1996-12-04 | 1999-03-12 | Thomson Csf | Dispositif amplificateur de lumiere a deux faisceaux incidents |
| DE10025874B4 (de) * | 1999-06-01 | 2005-03-17 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Optische Verstärker-Anordnung |
| JP2001007421A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-01-12 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 固体レーザ光伝搬装置 |
| US6697408B2 (en) * | 2001-04-04 | 2004-02-24 | Coherent, Inc. | Q-switched cavity dumped CO2 laser for material processing |
| US7439530B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-10-21 | Cymer, Inc. | LPP EUV light source drive laser system |
| JP2005294393A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Fanuc Ltd | レーザ発振器 |
| JP2008028316A (ja) * | 2006-07-25 | 2008-02-07 | Ihi Corp | 伝送光学系 |
| JP5086677B2 (ja) | 2006-08-29 | 2012-11-28 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ |
| US8536551B2 (en) * | 2008-06-12 | 2013-09-17 | Gigaphoton Inc. | Extreme ultra violet light source apparatus |
| JP5758569B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2015-08-05 | ギガフォトン株式会社 | スラブ型レーザ装置 |
| JP5666285B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2015-02-12 | ギガフォトン株式会社 | 再生増幅器、レーザ装置および極端紫外光生成装置 |
-
2010
- 2010-01-06 JP JP2010001421A patent/JP5474576B2/ja active Active
- 2010-01-11 US US12/685,246 patent/US8559099B2/en active Active
- 2010-01-11 DE DE102010000032.9A patent/DE102010000032B4/de active Active
-
2013
- 2013-05-15 US US13/895,242 patent/US9099836B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102010000032A1 (de) | 2010-08-05 |
| US9099836B2 (en) | 2015-08-04 |
| DE102010000032B4 (de) | 2025-06-12 |
| US8559099B2 (en) | 2013-10-15 |
| US20130250402A1 (en) | 2013-09-26 |
| JP2010186990A (ja) | 2010-08-26 |
| US20100195196A1 (en) | 2010-08-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5474576B2 (ja) | レーザ光増幅器及びそれを用いたレーザ装置 | |
| US7903715B2 (en) | Slab type laser apparatus | |
| JP5179793B2 (ja) | 極端紫外光源用ドライバレーザ | |
| TWI553978B (zh) | 再生環型共振器 | |
| JP2010021518A5 (ja) | ||
| JP5511882B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
| JPWO2014119199A1 (ja) | レーザ装置及び極端紫外光生成装置 | |
| JP5382975B2 (ja) | 高出力ガスレーザ装置 | |
| US9036251B2 (en) | Slab amplification device, laser apparatus, and extreme ultraviolet light generation system | |
| JPWO2014119198A1 (ja) | レーザ装置及び極端紫外光生成装置 | |
| JP6533464B2 (ja) | レーザ増幅器、及びレーザ装置、並びに極端紫外光生成システム | |
| JP6215334B2 (ja) | レーザ装置及び極端紫外光生成システム | |
| JP3621623B2 (ja) | レーザ共振器 | |
| JP4800145B2 (ja) | 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ | |
| JP5223015B2 (ja) | 極端紫外光源装置 | |
| US20130092849A1 (en) | Laser device, laser apparatus, and extreme ultraviolet light generation system | |
| JP5337848B2 (ja) | 高出力ガスレーザ装置 | |
| US20170149199A1 (en) | Laser device | |
| JP2012164666A (ja) | 極端紫外光源用ドライバレーザのレーザ増幅器 | |
| JP2006203008A (ja) | 2ステージレーザシステム | |
| US9407052B2 (en) | Amplifier, laser apparatus, and extreme ultraviolet light generation system | |
| WO2013144691A2 (en) | Amplifier, laser apparatus, and extreme ultraviolet light generation system |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20120713 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121105 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121115 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130930 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131015 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131204 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140205 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5474576 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |