JP5480151B2 - リソグラフィ投影装置および摂動因子を補償する方法 - Google Patents

Description

関連出願への相互参照
[0001] 本願は、２００７年１１月８日に出願した米国仮出願第６０／９９６，２７７号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。

[0002] 本発明は、リソグラフィ投影装置、このリソグラフィ投影装置を使用するデバイス製造方法、および、このようなデバイス製造方法を可能にするコンピュータ実行可能なコードを含むコンピュータ可読媒体に関する。本発明は、リソグラフィ投影装置における摂動因子を補償する方法、および、摂動因子を補償するこのような方法を可能にするコンピュータ実行可能なコードを含むコンピュータ可読媒体に更に関する。

[0003] リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。

[0004] リソグラフィ投影装置を使用するデバイス製造方法において、重要な要素は精度である。基板のターゲット部分上に投影されるパターニングデバイスのパターンは、通常基板上のパターンの小型化された所望のバージョンにはならない。原因には、不均一な放射源パワースペクトル、レジスト感応特性、および、もれ放射が含まれ、もれ放射はフレアとも呼ばれる。これらの摂動源により、例えば密パターンといった特定の型の構造に対して露光過多、すなわち、ドーズが高すぎる状態、および、例えば孤立フィーチャといった異なる型に対して露光不足、すなわち、ドーズが低すぎる状態になり得る。多くの系統的摂動因子は、長い範囲のドーズに影響を及ぼし得る。すなわち、系統的摂動因子は、１ｍｍを超える、露光されるべき基板のある距離に亘って基板に影響を及ぼし得る。系統的摂動因子の例は、もれ放射、および、帯域外放射、すなわち、露光されるべき基板上に設けられたレジストの化学線感応範囲外の波長を有する放射を含む。

[0005] １つ以上の前述または他の系統的摂動因子による、構造に依存するフィーチャサイズの変動に対応するために、例えば、特定の型のもれ放射パターンおよび／または特定の型の放射源パワースペクトルに関して、基板のターゲット部分上に所望の寸法を得るために、パターニングデバイスは調節され得る。この調節は、リソグラフィシステムの特定の世代において効果的な１つ以上の系統的摂動因子の特定のレベルおよびセットに対して通常行われる。従って、１つ以上の摂動因子の強度または性質が変わる場合、パターニングデバイスの特定の調節が、基板のターゲット部分に所望の寸法を得るためにはもはや適さないことがある。

[0006] より小さなパターンを結像し、高いコンポーネント密度を有するデバイスを生成することが絶えず望まれていることにより、リソグラフィ投影装置の光性能が、例えば放射源の性能を高める、および／または、投影光学系内の光エレメントを改良もしくは光エレメントを追加することにより、向上されている。このような改良は、摂動因子に影響を与え得る。例えば、リソグラフィ投影装置内の光学系の改良は、もれ放射レベルの低減をもたらし得る。特定のもれ放射レベルを有するリソグラフィ投影装置用に設計されたパターニングデバイスが、改良型リソグラフィ投影装置、すなわち低減したもれ放射レベルを有する装置に対してはもはや使用に適さないことがあり、これはもれ放射により引き起こされる、構造に依存するドーズの変動量が異なるためである。

[0007] パターニングデバイスのコストは、リソグラフィ投影装置の各「世代」ごとに通常増加する。このため、例えば改良型リソグラフィ投影装置で旧型のパターンの露光を可能にする新しいマスクを製造することは、ますますコストが高くなるであろう。

[0008] 例えば、リソグラフィ投影装置の異なる「世代」に対して設計されたパターニングデバイスを使用することのできるリソグラフィ投影装置を提供することが望ましい。

[0009] このために、本発明の一態様によると、
パターニングデバイスを支持するように構成されたサポート構造であって、パターニングデバイスは放射ビームの断面にパターンを付与するように構成される、サポート構造と、
基板を保持するように構成された基板ホルダと、
パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に露光するように構成された投影システムと、
基板のターゲット部分上に露光されるべき追加放射ビームを与えることにより１つ以上の摂動因子を補償するように構成されたシステムであって、追加放射ビームはその断面にパターニングデバイスのパターンおよびリソグラフィ投影装置特性データに基づく追加パターンが付与され、リソグラフィ投影装置特性データは、当該リソグラフィ投影装置の１つ以上の系統的摂動因子のレベルおよび性質を特徴付ける、システムと、
を含む、リソグラフィ投影装置が提供されている。

[0010] 一実施形態において、前述したようなリソグラフィ投影装置を使用して基板上にパターン付き放射ビームを投影することを含むデバイス製造方法が提供される。

[0011] 一実施形態において、コンピュータアセンブリにロードされる場合、コンピュータアセンブリが前述したようなデバイス製造方法を制御することを可能にするコンピュータ実行可能コードを含むコンピュータ可読媒体が提供される。

[0012] 好適には添付の請求の範囲において定義されるようなリソグラフィ投影装置であるリソグラフィ投影装置における摂動因子を補償する方法であって、
放射ビームを調整することと、
パターニングデバイスを用いて放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付きビーム放射を形成することと、
放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することと、
パターニングデバイスのパターン、および、当該リソグラフィ投影装置の１つ以上の系統的摂動因子のレベルおよび性質を特徴付けるリソグラフィ投影装置特性データに基づいて追加パターンを生成することと、
追加放射ビームを調整することと、
追加放射ビームの断面に追加パターンを付与して追加パターン付き放射ビームを形成することと、
追加パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することと、
を含む方法が提供されている。
追加パターンを生成することが、パターンデータを受信することと、リソグラフィ投影装置特性データを受信することと、パターンデータおよび前記リソグラフィ投影装置特性データに基づいて、追加パターンを形成するのに適した放射変調データを算出することとを含んでもよい。
放射変調データを算出することは、パターンデータにフーリエ変換を行い、変換データを形成することと、変換データをローパスフィルタに通過させてローパス変換データを形成することと、もれ放射プロファイルおよび／または放射源パワースペクトルの形式でリソグラフィ投影装置特性データを与えることと、ローパス変換データ、ならびに、各もれ放射プロファイルおよび／または放射源パワースペクトルに基づいて更なるローパス変換データを算出することと、ローパス変換データおよび更なるローパス変換データに逆フーリエ変換を行い、放射変調データを形成することとを含む。
パターンデータはグラフィックデータシステムＩＩデータであってもよい。

[0013] 一実施形態において、コンピュータアセンブリにロードされる場合、コンピュータアセンブリが前述したような方法を制御することを可能にするコンピュータ実行可能コードを含むコンピュータ可読媒体が提供されている。

[0014] 本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
[0015] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。 [0016] 図２は、最良のフォーカス状態および大きくデフォーカスした状態における様々なもれ放射レベルに対する位置の関数として、レジストへの正規化された露光ドーズのグラフを概略的に示す。 [0017] 図３ａは、本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置を概略的に示す。 [0018] 図３ｂは、本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置を概略的に示す。 [0019] 図４は、本発明の一実施形態において使用され得る追加の露光システムの一実施形態を概略的に示す。 [0020] 図５は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置の詳細を概略的に示す。 [0021] 図６は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置における摂動因子を補償する方法のフローチャートを示す。 [0022] 図７は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置により使用され得るコンピュータアセンブリの一実施形態を概略的に示す。

[0023] 図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、
‐放射ビームＰＢ（例えばＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
‐パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されたサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
−基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウエハテーブル）ＷＴと、
−パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＬと、を含む。

[0024] 照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどの様々なタイプの光コンポーネントを含むことができる。

[0025] サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」または「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。

[0026] 本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャまたはいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。

[0027] パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。

[0028] 本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは、液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。

[0029] 本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。

[0030] リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイスサポート構造）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルおよび／またはサポート構造は並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブルおよび／またはサポート構造上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルおよび／またはサポート構造を露光用に使うこともできる。

[0031] また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体（例えば、水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間、例えば、マスクと投影システムとの間に液浸液を加えてもよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。

[0032] 図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼んでもよい。

[0033] イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサといった様々な他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。

[0034] 放射ビームＰＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。パターニングデバイスＭＡを通り抜けた後、放射ビームＰＢは投影システムＰＬを通過し、投影システムＰＬは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＰＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャン中に、パターニングデバイスＭＡを放射ビームＰＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、サポート構造ＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがパターニングデバイスＭＡ上に設けられている場合、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。

[0035] 例示の装置は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。

[0036] １．ステップモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。ステップモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。

[0037] ２．スキャンモードにおいては、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。

[0038] ３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

[0039] 上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。

[0040] 図２は、最良のフォーカス状態および大きくデフォーカスした状態における様々なもれ放射レベルに対する位置の関数として、レジストへの正規化された露光ドーズのグラフを概略的に示す。正規化ドーズレベル１において示される太実線は、密ラインを有する構造のパターニングデバイスパターンの一部の理想的なイメージを示す。４つの振動線は、露光されるべきイメージが特定のフォーカス位置にある間の、特定のもれ放射レベルに対する位置の関数として正規化された露光ドーズを表す。

[0041] レジストはリソグラフィ投影装置において露光される。ドーズは、リソグラフィ投影装置においてレジストを露光するために使用される波長、すなわち、いわゆる化学線波長に関連する。レジストは、主にこの波長に対して感応性があり、かつ、化学線波長とわずかに異なる波長に対しても感応性があり、すなわち、化学線領域の波長に対しても感応性がある。時として、レジストは前述した化学線領域外の波長、すなわち、いわゆる帯域外放射に対しても非常に限られた感応性を有し得る。帯域外放射を使用した広範囲の露光は、露光されたドーズに無視できない影響を与え得る。

[0042] もれ放射、すなわちフレアを、光エレメントにより、例えばレンズ表面のラフネスおよび／または不均質レンズ材料により、ランダム方向に散乱された放射として定義し得る。このような放射は、可視範囲内、または、可視範囲外のどちらであってもよい。もれ放射は、もれ放射パターンに従って広領域に亘ってレジストを露光するので、露光が望まれていない場所においてもレジストを露光する。結果として生じるいわゆるバックグラウンドドーズは、レジスト内の露光されるべきパターンのコントラストを低減させる。

[0043] 図２では、実線の振動線は、最良のフォーカス状態でもれ放射がない場合、パターニングデバイスのパターンの空間像から、パターン付けされるべき基板上に設けられたレジストが受ける正規化されたドーズを示す。グラフにおいて見られるように、密ラインに関して、最小ドーズはゼロを超える。これは隣接するラインが近接しているためである。グラフの左側に示される両矢印は、レジストにおけるクリティカルディメンション（ＣＤ）がターゲットＣＤの１０％分ずれるドーズレベルを示す。すなわち、上側の破線両矢印はＣＤがターゲットＣＤよりも１０％大きいレベルを表し、下側の点線両矢印はＣＤがターゲットＣＤよりも１０％小さいレベルを表す。ＣＤの上限と下限との間の相対ドーズ、すなわち総ドーズのパーセンテージにおける差は、露光寛容度（ＥＬ）として定義される。従って、ＣＤの変動量として、ターゲットＣＤの１１０％の上限およびターゲットＣＤの９０％の下限が許容される場合において、最良のフォーカス状態でもれ放射がなく結像する場合におけるＥＬは、左端の上側の両矢印と下側の両矢印との間の差である。

[0044] 焦点ずれの位置では、図２において細実線により概略的に示されるように、レジスト上の空間像におけるコントラストが減少する。同時に、左から２番目の２つの両矢印により概略的に示されるように、ＥＬは著しく低減する。ここでも、上側の破線二重矢はターゲットＣＤの１１０％に対するドーズレベルを表す一方で、下側の破線両矢印はターゲットＣＤの９０％に対するドーズレベルを表す。従って、ドーズの要件は、イメージが焦点ずれである場合により厳しい。

[0045] 図２において概略的に示される太い二点鎖線の振動線は、最良のフォーカス状態で一定量のフレアがある場合、パターニングデバイスパターンの空間像から、パターン付けされるべき基板上に設けられたレジストが受ける正規化されたドーズを示す。コントラストが、もれ放射がない場合よりも少ないことは容易に理解できよう。しかし、焦点ずれの位置におけるよりもコントラストが多い。図２において右から２番目の２つの両矢印により示されるように、ＥＬにも同様のことがいえる。

[0046] 最後に、図２において概略的に示される細い二点鎖線の振動線は、細い、太い線により表される場合のような焦点ずれの位置に対応する焦点ずれの位置において、一定量のもれ放射がある場合、パターニングデバイスパターンの空間像から、パターン付けされるべき基板上に設けられたレジストが受ける正規化されたドーズを示す。もれ放射、かつ、焦点ずれがある場合において、図２において外側の右の両矢印により概略的に示されるように、コントラストは最小限であり、ＥＬも同様である。

[0047] 図２から、より大きいデフォーカスが許容される場合、ドーズの変動のバジェットは低減し、またその逆もあることが理解される。さらに、高いもれ放射レベルはＥＬを低減する。従って、リソグラフィ投影装置において、もれ放射レベルを最小限にすることが望ましい。

[0048] 最後に、もれ放射の影響は、例えば密ライン対孤立ラインといった様々な型の構造に対して異なる。このため、露光されるべき各パターンに対して、固有のもれ放射パターンが形成される。

[0049] パターニングデバイスパターンは、もれ放射プロファイルに従ってもれ放射を補償するように調節される。もれ放射レベルが、次に続く「世代」のリソグラフィ投影装置では低減される状況では、パターニングデバイスマスクの次に続く世代との互換性は可能ではないことがある。世代という表現は、類似の特徴を有する一連のリソグラフィ投影装置を指す。各世代に対してもれ放射パターンは異なる。従って、特定の世代のリソグラフィ投影装置に対して行われるもれ放射の補償が、後続世代のリソグラフィ投影装置に適用できないことがある。この後続世代のリソグラフィ投影装置は向上されたもれ放射レベル、すなわち、より少ないもれ放射を有する。特に、後続世代のＥＵＶリソグラフィ投影装置に関して、前述の互換性の欠如が発生する。なぜなら、この型のリソグラフィ投影装置に対する典型的なもれ放射のロードマップは２００９年に１２％、２０１１年に８％、および２０１２年に４％となっているためである。

[0050] 同様に、パターニングデバイスは、特定の型のリソグラフィ投影装置の放射源の非均一パワースペクトルを補償するように調節され得る。放射源パワースペクトルはリソグラフィ投影装置の後続世代間で異なり得る。

[0051] 従って、リソグラフィ投影装置内のもれ放射レベルを最小限にすることに加えて、または、その代わりに、同一の、または、異なるリソグラフィ装置の特定のパターニングデバイスを露光する際に、特定の一定もれ放射パターンおよび／または放射源パワースペクトルがあることが望ましい。

[0052] 図３ａにおいて概略的に示されるように、本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置が照明システムＩＳ、サポート構造ＭＴ、基板ホルダＷＴ、投影システムＰＬ、および、摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳを含む。照明システムＩＳは、放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬを含む。照明システムＩＳは、放射ビームを与えるように構成されている。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスＭＡは、放射ビームの断面にパターンを付与するように機能する。基板ホルダＷＴは、基板Ｗを保持するように構成されている。投影システムＰＬは、基板Ｗ上にパターン付きビームを露光するように構成されている。最後に、システムＡＥＳは、基板Ｗのターゲット部分上に露光されるべき追加放射ビームを与えることにより摂動因子を補償するように構成されている。追加放射ビームは、パターニングデバイスＭＡ上に与えられたパターン、および、リソグラフィ投影装置特性データに基づいて、その断面に追加パターンを付与されている。リソグラフィ投影装置特性データは、当該リソグラフィ投影装置の１つ以上の系統的摂動因子のレベルおよび性質を特徴付けるデータである。リソグラフィ投影装置特性データは、もれ放射プロファイルおよび放射源パワースペクトル等の特性に関連し得る。本発明の一実施形態において、追加パターンは、レジスト特性データに更に基づく。レジスト特性データは、露光されるべき基板のターゲット部分上に設けられたレジストを特徴付ける。レジスト特性データは、コントラスト、感応性、および化学線波長に対するスペクトル応答からなる群から選択される少なくとも１つのレジスト特性を含み得る。

[0053] 図３ａにおいて示される実施形態では摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳは、追加露光システムであり、この追加露光システムは基板Ｗのターゲット部分が、投影システムＰＬから発生する放射ビームにより露光される、その位置と比べて異なる位置で追加放射ビームが露光されるように位置決めされる。基板テーブルＷＴは、第１位置、すなわち、投影システムＰＬから発生する放射ビームによる基板Ｗのターゲット部分上の露光に対して適切な位置から、第２位置、すなわち、摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳから発生する追加放射ビームによる基板Ｗのターゲット部分上の露光に対して適切な位置へと、および、第２位置から第１位置へと移動させられ得る。

[0054] 摂動因子を補償するためにシステムＡＥＳにより使用される波長は、リソグラフィ投影装置により使用される波長、つまり化学線波長とは異なり得る。一実施形態では、摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳにより使用される波長は、１５０〜３００ｎｍの範囲内、より具体的には、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、および２４８ｎｍのうちの少なくとも１つの波長である。このような実施形態では、リソグラフィ装置により使用される化学線波長は、通常、極端紫外線、すなわち、１０〜２０ｎｍ、より具体的には１２〜１４ｎｍの範囲内の主波長を有する放射である。

[0055] 図３ｂは、本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置を概略的に示す。図３ｂにおいて示される実施形態では、基板Ｗのターゲット部分は、投影システムＰＬから発生する放射ビームによる露光に対して、および、摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳから発生する追加放射ビームによる露光に対して、同じ位置のままでよい。このために、摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳは、当業者によく知られている方法で、結合ユニットＣＵ１、ＣＵ２を介して、摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳから発生する放射を、照明システムＩＳ内の放射源ＳＯと基板テーブルＷＴ上に設けられた基板Ｗとの間の光路へと結合することにより、投影システムＰＬを使用し得る。

[0056] 当業者に理解されるように、図３ｂにおいて２つの結合ユニットＣＵ１、ＣＵ２が示され、図３ｂでは各結合ユニットが摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳ１、ＡＥＳ２とそれぞれ対応するが、単一の結合ユニットＣＵ１またはＣＵ２のみを使用して、摂動因子を補償するように構成された単一のシステムＡＥＳ１またはＡＥＳ２から発生する放射を結合することも可能である。

[0057] システムＡＥＳ１のみが使用される一実施形態では、前述の放射ビームを用いるリソグラフィ露光に使用されるパターニングデバイスＭＡは、例えばもれ放射パターンおよび放射源パワースペクトルにおける差といった摂動因子における差を補償するために、前述の追加放射ビームを用いる追加露光にも使用される。摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳ１により使用される波長は、リソグラフィ装置の放射源ＳＯにより使用される波長と異なり得る。このような場合、投影システムＰＬの開口数および適切なデフォーカス等の特徴を調節するために処置が取られ得る。デフォーカスに関する詳細は、図４および図５を参照して提供される。

[0058] 一実施形態では、摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳ１により使用される波長は、１５０〜３００ｎｍの範囲内、より具体的には、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、または２４８ｎｍのうちの少なくとも１つの波長である。このような実施形態では、リソグラフィ装置により使用される波長、すなわち化学線波長は、通常、極端紫外線、すなわち、１０〜５０ｎｍ、より具体的には１２〜１４ｎｍの範囲内の主波長を有する放射である。

[0059] システムＡＥＳ２のみが使用される一実施形態では、システムＡＥＳ２は追加パターニングデバイスを含む。追加パターニングデバイスは、フレア等の系統的摂動因子を補償するために使用され得るパターンを含む。

[0060] 一実施形態では、追加露光システムＡＥＳ２により使用される波長は、リソグラフィ投影装置の放射源ＳＯにより使用される波長、すなわち化学線波長とは異なる。このような場合、図４および図５を参照して詳細が議論されるように、投影システムの適切なデフォーカスを調節するために処置が取られ得る。

[0061] 一実施形態では、摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳ２により使用される波長は、１５０〜３００ｎｍの範囲内、より具体的には、１５７ｎｍ、１９３ｎｍ、および２４８ｎｍのうちの少なくとも１つの波長である。このような実施形態では、リソグラフィ装置により使用される波長、すなわち化学線波長は、通常、極端紫外線、すなわち、１〜５０ｎｍ、より具体的には１２〜１４ｎｍの間の主波長を有する放射である。

[0062] 図４は、例えば、図３ａにおいて概略的に示されるようなリソグラフィ投影装置において使用され得る追加露光システムといった、本発明の一実施形態において使用され得る摂動因子を補償するように構成されたシステムの一実施形態を概略的に示す。

[0063] この実施形態では、摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳは、放射源ＳＯ’、追加イルミネータＩＬ’、および、制御ユニット１を含む。追加イルミネータＩＬ’は、例えば可変ミラーデバイス（ＤＭＤ）といったプログラマブル放射変調アレイ２を含む。制御ユニット１は、パターニングデバイスＭＡにより与えられるパターンに基づいてプログラマブル放射変調アレイ２を制御するように構成されている。この実施形態では、追加イルミネータＩＬ’は、プログラマブル放射変調アレイ２と組み合わせて偏光ビームスプリッタ３および４分の１波長板（ラムダ／４）５を更に含み、追加放射ビームを調節する。最後に、図４において示される実施形態では、摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳは、投影光学系ＰＬ’を含み、プログラマブル放射変調アレイ２により与えられるイメージを基板テーブルＷＴ上に設けられた基板Ｗのターゲット部分上に投影する。もれ放射パターンにおける差を補償する場合、もれ放射円径を模倣するために、プログラマブル放射変調アレイ２により与えられるイメージを基板Ｗのターゲット部分上に大幅に焦点ずれの状態で投影することが望ましい。適切な焦点設定を達成するために、投影光学系ＰＬ’と基板Ｗが備えられた基板テーブルＷＴとの間の距離が調節され得る。これは、投影光学系ＰＬ’および／または基板テーブルＷＴを相手側に向かってまたは相手側から離れる方向に移動させることによって、あるいは、投影光学系ＰＬ’と基板ＷＴとの間の距離を、これらを互いに対して同時に移動させて変えることにより行うことができる。

[0064] さらに、または、あるいは、投影システムＰＬ’は、ズームコンデンサレンズ１５を含み、ズームコンデンサレンズ１５は少なくとも２つの可動レンズを含み得る。ズームコンデンサは、プログラマブル放射変調アレイ２と基板Ｗのターゲット部分との間に位置決めされる。ズームコンデンサレンズ１５は、パターン付き追加放射ビームの拡大率を調節するように構成されている。少なくとも２つの可動レンズの互いに対する一致した移動により、投影されたイメージは基板レベルで焦合状態のままである一方で、イメージ拡大率は調節される。したがって、もれ放射等の系統的摂動因子に対する所望の設定が確立され得る。

[0065] 制御ユニット１は、入力７、プロセッサ９、および、出力１１を含み得る。入力７は、例えばグラフィック設計システムＩＩ（ＧＤＳＩＩ）データといったパターンデータを受信するように構成され、グラフィック設計システムＩＩは、パターニングデバイスＭＡのパターンに基づいて、基板上に露光されるべき構造を表すために使用されるデータフォーマットであり得る。プロセッサ９は、パターンデータに基づいて放射変調データを算出するように構成され得る。出力１１は、放射変調データをプログラマブル放射変調アレイ２へ送信するように構成され得る。

[0066] 一実施形態では、制御ユニット１は、追加入力１３を更に含む。追加入力１３は、リソグラフィ投影装置特性データを受信するように構成され得る。この実施形態では、プロセッサ９は、パターンデータおよびリソグラフィ投影装置特性データに基づいて放射変調データを算出するように構成され得る。リソグラフィ投影装置特性データは、例えばリソグラフィ投影装置のもれ放射プロファイルおよび／または放射源パワースペクトルといったリソグラフィ投影装置の少なくとも１つの特性に関する。

[0067] 追加入力１３は、更に、または、あるいは、レジスト特性データを受信するように構成され得る。レジスト特性データは、露光されるべき基板のターゲット部分上に設けられたレジストを特徴付ける。レジスト特性データは、コントラスト、感応性、または化学線波長に対するスペクトル応答からなる群から選択される少なくとも１つのレジスト特性を含み得る。

[0068] 当業者に理解されるように、図４において概略的に示されるように摂動因子を補償するように構成されたシステムＡＥＳの実施形態は、例えば図３ｂにおいて概略的に示されるように１つ以上の結合ユニットを介して、リソグラフィ投影装置内の放射源ＳＯと基板テーブルＷＴ上に設けられた基板Ｗとの間の光路へと結合され得る。

[0069] 図５は、本発明の一実施形態を用いるリソグラフィ投影装置の詳細を概略的に示す。

[0070] 示される実施形態では、例えばＥＵＶ放射を用いるリソグラフィ投影装置といった反射型リソグラフィ投影装置が使用される。このようなリソグラフィ投影装置では、投影システムＰＬは多数のミラーを含み、図５において６つのミラーがそれぞれＭ１−Ｍ６として示される。照明システムから発生する放射、および、摂動因子を補償するように構成されたシステムから発生する放射が、所定の角度でパターニングデバイスＭＡ上に落ち、投影システムＰＬに向けて反射される。照明システムから発生する放射ビーム、つまり前述の放射ビーム、および、摂動因子を補償するように構成されたシステムから発生する追加放射ビームの放射路が、点線矢印により概略的に示される。

[0071] 図５において示される実施形態は、例えば図３ｂにおいて概略的に示されるような結合ユニットＣＵ１といった投影システムの外にある結合ユニットを使用して、追加放射ビームを投影システムに結合し得る。あるいは、または、さらに、追加放射ビームは、例えば図３ｂにおける放射源ＳＯといったリソグラフィ投影装置の放射源により放出された帯域外放射により調節され得る。後者の場合、結合ユニットは使用される必要がない。

[0072] 放射ビームおよび追加放射ビームの両方が同時に露光され得る。あるいは、または、さらに、これらは続いて露光され得る。露光中のドーズレベルを調節するために、追加放射ビームのみが使用される露光ステップが追加されてよい。もれ放射パターンにおける差を補償する場合、もれ放射円径を模倣するために、パターニングデバイスＭＡを基板Ｗのターゲット部分上に大幅に焦点ずれの状態で投影することが望ましい。焦点ずれ露光を達成するために、いくつかの処置が取られ得る。一実施形態では、両矢印２１により概略的に示されるように、基板テーブルＷＴは焦点から外れるように移動され得る。一実施形態では、両矢印２３により概略的に示されるように、ミラーＭ６が焦点から外れるように移動され得る。一実施形態では、両矢印２７により概略的に示されるように、追加光学素子２５が光路内に移動させられ得る。追加光学素子２５は、正レンズ、負レンズ、または、第１タイプの放射を実質的に透過し、第２タイプの放射を実質的に透過しないように構成された光学素子であり得る。第１タイプの放射は、１００ｎｍ〜３００ｎｍの間の波長を有する放射であり得る一方、第２タイプの放射はＥＵＶ放射、すなわち５ｎｍ〜５０ｎｍの間の波長、より具体的には、１２ｎｍ〜１５ｎｍの間の波長を有する放射であり得る。当然ながら、前述の処置の組み合わせを使用して基板のターゲット部分上にパターニングデバイスパターンの焦点ずれしたイメージを確立することも可能であり得る。

[0073] 図６は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置における摂動因子を補償する方法のフローチャートを示す。まず、動作３１において、例えば照明システムにより放射ビームが調整される。次に、動作３３において、放射ビームは例えばマスクといったパターニングデバイスによりその断面にパターンが付与され、パターン付き放射ビームが形成される。次に、パターン付き放射ビームは、動作３５において、投影システムを用いて基板のターゲット部分上に投影され得る。

[0074] 動作３７において、追加パターンがパターニングデバイス上に与えられたパターンから生成される。このために、例えば図７を参照して記載されるようなコンピュータアセンブリ内のプロセッサといったプロセッサが使用され得る。当業者により理解されるように、動作３１における放射ビームの調整前または後で、追加パターンの生成が同時に実行され得る。

[0075] 一実施形態では、追加パターンを生成することは、パターンデータを受信し、パターンデータに基づいて放射変調データを算出することを含む。パターンデータはＧＤＳＩＩデータであってよい。放射変調データは、例えばプログラマブルパターニングデバイス等を使用して、前述の追加パターンを形成するのに適している。放射変調データを算出することは、パターンデータにフーリエ変換を行って変換データを形成すること、変換データをローパスフィルタに通過させてローパス変換データを形成すること、および、ローパス変換データに逆フーリエ変換を行い前述の放射変調データを形成することを含み得る。あるいは、ローパスフィルタを通過した後、一実施形態では、算出することは、もれ放射プロファイルを与えること、ローパス変換データおよびもれ放射プロファイルに基づいてローパス変換データを更に算出すること、および、更なるローパス放射データに逆フーリエ変換を行い放射変調データを形成することを含む。

[0076] 動作３７において追加パターンを生成した後、動作３９において追加放射ビームが、例えば追加露光システムにより調整される。追加放射ビームは、動作３１における照明システムによる放射ビームを調整と同時に調整され得る。あるいは、追加放射ビームを調整することは、パターニングデバイスおよび投影システムを介して照明システムから発生するパターン付き放射ビームの投影の後の動作であり得る。

[0077] 次に、動作４１において、追加放射ビームはその断面に追加パターンが付与されて追加パターン付き放射ビームが形成される。最後に、動作４３において、追加パターン付き放射ビームは基板のターゲット部分上に投影される。

[0078] 一実施形態では、動作３７、３９、４１、および、４３は、動作３１において放射ビームを調整する前に、または、これと同時に実行される。この実施形態では、放射ビームによる露光とポストベークとの間に経過する時間はおおよそ一定のままであり、すなわち、追加パターン付き放射ビームを用いる露光が必要であるか否か、またはどの程度まで必要か否かということに依存しない。

[0079] 図７は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置により使用され得るコンピュータアセンブリ１００の一実施形態を概略的に示す。このようなコンピュータアセンブリ１００は、図４において概略的に示される制御ユニット１といった制御ユニットの形式の専用コンピュータであり得る。コンピュータアセンブリ１００は、リソグラフィ投影装置を制御する中央コンピュータであり得る。コンピュータアセンブリ１００は、コンピュータ実行可能コードを含むコンピュータ可読媒体をロードするよう構成されるかまたはそれを含み得る。これにより、コンピュータアセンブリ１００は、コンピュータ可読媒体がロードされるまたは含まれる場合に、リソグラフィ投影装置における摂動因子を補償する前述の方法の一実施形態を実行することが可能になり得る。加えて、または、あるいは、これによりコンピュータアセンブリ１００は、コンピュータ可読媒体がロードされるまたは含まれる場合に、例えば図３〜５を参照して記載されるような一実施形態といった本発明の一実施形態によるリソグラフィ投影装置を用いて基板のターゲット部分がパターン付けされるデバイス製造方法を実行することが可能になり得る。

[0080] コンピュータアセンブリ１００は、例えば制御ユニット１内のプロセッサ９といったプロセッサ１０１を含み、かつ、メモリ１０５を更に含み得る。メモリ１０５は、プロセッサ１０１に接続され、ハードディスク１１１、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）１１２、電気的消去可能プログラマブル読み取り専用メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）１１３、および／または、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）１１４等のコンピュータ可読媒体を含んでよい。前述のメモリコンポーネントの全てが存在する必要はない。さらに、前述のメモリコンポーネントはプロセッサ１０１に物理的にごく近接しているか、または、互いに近接していることは重要ではない。これらは互いから離れて位置付けされてよい。

[0081] プロセッサ１０１は、例えばキーボード１１５またはマウス１１６といったある種のユーザインターフェースにも接続され得る。タッチスクリーン、トラックボール、音声コンバータ、または当業者に知られている他のインタフェースを使用してよい。

[0082] プロセッサ１０１は、読み取りユニット１１７に接続されてよく、読み取りユニット１１７は、フロッピー（登録商標）ディスク１１８またはＣＤ−ＲＯＭ１１９等のコンピュータ可読媒体から例えばコンピュータ実行可能コードの形式のデータを読取り、ある状況下ではコンピュータ可読媒体にデータを格納するように構成されている。ＤＶＤまたは当業者に知られている他のコンピュータ可読媒体を使用してよい。

[0083] プロセッサ１０１は、出力データを紙に印刷するためにプリンタ１２０、および、例えば液晶ディスプレイといったモニタ、または当業者に知られている任意の他の型のディスプレイ等のディスプレイ１２１に接続されてもよい。

[0084] プロセッサ１０１は、入力／出力（Ｉ／Ｏ）１２３に関与する送信機／受信機を用いて、例えば公衆交換電話網（ＰＳＴＮ）、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、ワイドエリアネットワーク（ＷＡＮ）等の通信ネットワーク１２２に接続され得る。プロセッサ１０１は通信ネットワーク１２２を介して別の通信システムと通信するように構成されている。一実施形態では、例えば、オペレータのパーソナルコンピュータといった外部コンピュータ（図示せず）が通信ネットワーク１２２を介してプロセッサ１０１にログオンすることができる。

[0085] プロセッサ１０１は独立したシステムとして、または並行して作動する多数の処理ユニットとして実施されてよく、各処理ユニットはより大きいプログラムのサブタスクを実行するように構成され得る。処理ユニットは、１つ以上のサブ処理ユニットを有する１つ以上のメイン処理ユニットに分割されてもよい。プロセッサ１０１の処理ユニットは、別の処理ユニットから離れて位置付けされてもよく、また、通信ネットワーク１２２を介して通信してよい。

[0086] 本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。

[0087] 本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。

[0088] 「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。

[0089] 以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械可読命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、またはこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態であってもよい。

[0090] 上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。

Claims (15)

1. 放射ビームの断面にパターンを付与するパターニングデバイスを支持するサポート構造と、
   基板を保持する基板ホルダと、
   前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分上に露光する投影システムと、
   前記基板の前記ターゲット部分上に露光されるべき追加放射ビームを与えることにより１つ以上の摂動因子を補償するシステムと、
   を備え、
   前記追加放射ビームは、前記追加放射ビームの断面に前記パターニングデバイスの前記パターンおよびリソグラフィ投影装置特性データに基づく追加パターンが付与されており、
   前記リソグラフィ投影装置特性データは、当該リソグラフィ投影装置の１つ以上の系統的摂動因子のレベルおよび性質を特徴付ける、リソグラフィ投影装置。
2. 前記システムは、前記リソグラフィ投影装置内のエレメントを移動させて前記基板の前記ターゲット部分上への前記パターン付き追加ビームの焦点ずれ投影を引き起こすことにより１つ以上の摂動因子を補償する、請求項１に記載のリソグラフィ投影装置。
3. 前記追加放射ビームは、１００ｎｍと３００ｎｍの間の波長を有する放射ビームである、請求項１又は２に記載のリソグラフィ投影装置。
4. １つ以上の摂動因子を補償する前記システムは追加露光システムを含み、前記追加露光システムは、プログラマブル放射変調アレイおよび制御ユニットを含み、前記制御ユニットは前記パターニングデバイスの前記パターンおよび前記リソグラフィ投影装置特性データに基づいて前記プログラマブル放射変調アレイを制御する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
5. 前記制御ユニットは、
   前記パターニングデバイスの前記パターンに基づいてパターンデータを受信する入力と、
   リソグラフィ投影装置特性データを受信する更なる入力と、
   前記パターンデータおよび前記リソグラフィ投影装置特性データに基づいて放射変調データを算出するプロセッサと、
   前記放射変調データを前記プログラマブル放射変調アレイに供給する出力と、
   を含む、請求項４に記載のリソグラフィ投影装置。
6. 前記更なる入力は、レジスト特性データを受信するように更に構成され、前記レジスト特性データは前記基板の前記ターゲット部分上に設けられたレジストを特徴付け、また、前記プロセッサは前記パターンデータ、前記リソグラフィ投影装置特性データ、および、前記レジスト特性データに基づいて前記放射変調データを算出する、請求項５に記載のリソグラフィ投影装置。
7. 前記レジスト特性データは、コントラスト、感応性、および化学線波長に対するスペクトル応答からなる群から選択される少なくとも１つのレジスト特性を含む、請求項６に記載のリソグラフィ投影装置。
8. 前記リソグラフィ投影装置特性データは、もれ放射プロファイルおよび放射源パワースペクトルからなる群から選択される、前記リソグラフィ投影装置の少なくとも１つの特性に関連する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のリソグラフィ投影装置。
9. リソグラフィ投影装置における摂動因子を補償する方法であって、
   放射ビームを調整することと、
   パターニングデバイスを用いて前記放射ビームの断面にパターンを付与してパターン付きビーム放射を形成することと、
   前記放射ビームを基板のターゲット部分上に投影することと、
   前記パターニングデバイスの前記パターン、および、当該リソグラフィ投影装置の１つ以上の系統的摂動因子のレベルおよび性質を特徴付けるリソグラフィ投影装置特性データに基づいて追加パターンを生成することと、
   追加放射ビームを調整することと、
   前記追加放射ビームの断面に前記追加パターンを付与して追加パターン付き放射ビームを形成することと、
   前記追加パターン付き放射ビームを前記基板の前記ターゲット部分上に投影することと、
   を含む方法。
10. 前記追加パターンを生成することは、前記基板の前記ターゲット部分上に設けられたレジストを特徴付けるレジスト特性データに更に基づく、請求項９に記載の方法。
11. 前記レジスト特性データは、コントラスト、感応性、および化学線波長に対するスペクトル応答からなる群から選択される少なくとも１つのレジスト特性を含む、請求項１０に記載の方法。
12. 追加パターンを生成することが、
    パターンデータを受信することと、
    前記リソグラフィ投影装置特性データを受信することと、
    前記パターンデータおよび前記リソグラフィ投影装置特性データに基づいて、前記追加パターンを形成するのに適した放射変調データを算出することと、
    を含む、請求項９に記載の方法。
13. 前記放射変調データを算出することは、
    前記パターンデータにフーリエ変換を行い、変換データを形成することと、
    前記変換データをローパスフィルタに通過させてローパス変換データを形成することと、
    もれ放射プロファイルおよび／または放射源パワースペクトルの形式でリソグラフィ投影装置特性データを与えることと、
    前記ローパス変換データ、ならびに、前記各もれ放射プロファイルおよび／または前記放射源パワースペクトルに基づいて更なるローパス変換データを算出することと、
    前記ローパス変換データおよび前記更なるローパス変換データに逆フーリエ変換を行い、前記放射変調データを形成することと、
    を含む、請求項１２に記載の方法。
14. 前記追加放射ビームを投影することは、前記リソグラフィ投影装置内のエレメントを移動させることにより焦点ずれした状態で行われる、請求項９〜１３のいずれか一項に記載の方法。
15. 前記パターニングデバイスの前記パターンから追加パターンを生成することと、前記追加放射ビームを調整することと、前記追加放射ビームに前記追加パターンを付与して追加パターン付き放射ビームを形成することと、前記追加パターン付き放射ビームを前記基板の前記ターゲット部分上に投影することとは、前記放射ビームを調整することの前に、または、これと同時に行われる、請求項９〜１４項のいずれか一項に記載の方法。