JP5485100B2

JP5485100B2 - 回路基板検査装置および回路基板検査方法

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Publication number: JP5485100B2
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Description

本発明は、回路基板の導体パターンに対して検査用信号を供給したときの物理量に基づいて回路基板の良否を予め決められた検査条件で検査する回路基板検査装置および回路基板検査方法に関するものである。

この種の回路基板検査装置として、特開２００３−１７２７５７号公報に開示された絶縁検査装置が知られている。この絶縁検査装置は、可変電圧源、電圧計、制御部およびスパーク検出回路などを備えて構成され、回路基板における配線パターン間の絶縁状態の良否を判定し、絶縁状態が不良な配線パターンが存在するときにはその回路基板が不良であると判定する。また、この絶縁検査装置は、絶縁検査中に配線パターン間で発生するスパークをスパーク検出回路が検出し、スパークを検出したときにも、その配線パターンが不良であると判定すると共に、その回路基板が不良であると判定する。具体的には、可変電圧源から出力される直流電圧の印加によってスパークが発生すると、可変電圧源の出力電圧が急変動（急低下）し、スパーク検出回路が、この出力電圧の変動を検出してスパーク発生信号を出力する。また、制御部が、スパーク検出回路からスパーク発生信号が出力されたときに、配線パターンおよび回路基板が不良であると判定する。

特開２００３−１７２７５７号公報（第４−５頁、第１図）

ところが、上記の回路基板検査装置には、以下の問題点がある。すなわち、この回路基板検査装置では、予め決められたレベルの直流電圧を予め決められた時間だけ検査対象の配線パターンに印加して、絶縁状態やスパークの発生の有無を判定する処理を全ての配線パターンについて実行している。つまり、予め決められた１つの検査条件で全ての配線パターンについての判定を行っている。一方、スパークのような物理現象は不安定であるため、直流電圧の印加時間や電圧レベルを僅かに増やしただけでスパークが発生したり、１回の検査ではスパークが発生しなくても再度の検査においてスパークが発生したりすることがある。このため、この回路基板検査装置によって良好と判定された配線パターンの中には、直流電圧の印加時間や電圧レベルや検査回数、および検査回数などの検査条件の基準を僅かに高めただけで不良と判定されるような配線パターン（潜在的な不良要因を有する配線パターン）が存在している可能性があり、検査精度（検査の信頼性）の向上が困難であるという問題点が存在する。この場合、例えば、１つの配線パターンについて複数回の検査を実行したり、配線パターンに印加する直流電圧の印加時間を長くして検査条件の基準を高めることにより、潜在的な不良要因を有する配線パターンを良好と判定されないようにすることができる。しかしながら、このように検査条件の基準を一律的に高めたときには、１つの配線パターンについての検査に多くの時間がかかるため、数多くの配線パターンを有する回路基板を検査する際の検査時間が長時間化して検査効率が低下するという問題点が生じる。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、検査効率の低下を抑制しつつ検査精度を向上し得る回路基板検査装置および回路基板検査方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく請求項１記載の回路基板検査装置は、回路基板の導体パターンに対する検査用信号の供給に伴って生じる物理量を測定してその測定値に基づいて当該導体パターンの良否を検査する良否検査を予め決められた第１検査条件で実行する検査部を備えた回路基板検査装置であって、前記検査部は、前記測定した物理量から算出される前記導体パターン間の抵抗値が良否判定用の第１基準値以上のときに当該導体パターン間の絶縁状態を良好と判定する絶縁状態判定処理を前記良否検査の一部として実行すると共に、前記抵抗値が前記第１基準値以上でかつ当該第１基準値よりも大きい値に予め決められた第２基準値未満のときには、次以降の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する。

また、請求項２記載の回路基板検査装置は、請求項１記載の回路基板検査装置において、前記第１検査条件および前記第２検査条件として前記導体パターンに対して供給する前記検査用信号の供給時間が規定され、前記第２検査条件における前記供給時間が前記第１検査条件における前記供給時間よりも長い時間に規定されている。

また、請求項３記載の回路基板検査装置は、請求項１または２記載の回路基板検査装置において、前記第１検査条件および前記第２検査条件として前記導体パターンに対して供給する前記検査用信号の信号レベルが規定され、前記第２検査条件における前記信号レベルが前記第１検査条件における前記信号レベルよりも高いレベルに規定されている。

また、請求項４記載の回路基板検査装置は、請求項１から３のいずれかに記載の回路基板検査装置において、前記第１検査条件および前記第２検査条件として前記第１基準値が規定され、前記第２検査条件における前記第１基準値が前記第１検査条件における前記第１基準値よりも大きい値に規定されている。

また、請求項５記載の回路基板検査装置は、請求項１から４のいずれかに記載の回路基板検査装置において、前記第１検査条件および前記第２検査条件として前記導体パターン１つ当りに対して実行する前記良否検査の回数が規定され、前記第２検査条件における前記回数が前記第１検査条件における前記回数よりも多い回数に規定されている。

また、請求項６記載の回路基板検査方法は、回路基板の導体パターンに対する検査用信号の供給に伴って生じる物理量を測定してその測定値に基づいて当該導体パターンの良否を検査する良否検査を予め決められた第１検査条件で実行する回路基板検査方法であって、前記測定した物理量から算出される前記導体パターン間の抵抗値が良否判定用の第１基準値以上のときに当該導体パターン間の絶縁状態を良好と判定する絶縁状態判定処理を前記良否検査の一部として実行すると共に、前記抵抗値が前記第１基準値以上でかつ当該第１基準値よりも大きい値に予め決められた第２基準値未満のときには、次以降の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する。

請求項１記載の回路基板検査装置、および請求項６記載の回路基板検査方法では、導体パターン間の抵抗値が第１基準値以上でかつ第１基準値よりも大きい値に予め決められた第２基準値未満のときには、次以降の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する。このため、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、検査条件を第２検査条件に変更した以降の良否検査において良好と判定された導体パターンの中に潜在的な不良要因を有する導体パターンが含まれる可能性を低く抑えることができる結果、その分、検査精度（検査の信頼性）を十分に向上させることができる。また、この回路基板検査装置および回路基板検査方法によれば、潜在的な不良要因を有する導体パターンを不良と判定するのに必要かつ十分な検査条件を第１検査条件として設定することで、全ての回路基板に対して必要以上に基準の高い検査条件で良否検査を行う構成と比較して、検査効率の低下を十分に低く抑えることができる。

また、請求項２記載の回路基板検査装置によれば、第１検査条件として導体パターンに対して供給する検査用信号の供給時間を規定し、第２検査条件として検査用信号の供給時間を第１検査条件における供給時間よりも長く規定したことにより、導体パターンに対して検査用信号を供給したときに生じる物理量に基づいて導体パターンに対する良否検査を実行する際の第２検査条件を確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができる。

また、請求項３記載の回路基板検査装置によれば、第１検査条件として導体パターンに対して供給する検査用信号の信号レベルを規定し、第２検査条件として検査用信号の信号レベルを第１検査条件における信号レベルよりも高いレベルに規定したことにより、導体パターンに対して検査用信号を供給したときに生じる物理量に基づいて導体パターンに対する良否検査を実行する際の第２検査条件を一層確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができる。

また、請求項４記載の回路基板検査装置によれば、第１検査条件として第１基準値を規定し、第２検査条件として第１基準値を第１検査条件における第１基準値よりも大きい値に規定したことにより、導体パターンに対して検査用信号を供給したときに生じる物理量に基づいて導体パターンに対する良否検査を実行する際の第２検査条件をさらに確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができる。

また、請求項５記載の回路基板検査装置によれば、第１検査条件として導体パターン１つ当りに対して実行する良否検査の回数を規定し、第２検査条件として導体パターン１つ当りに対して実行する良否検査の回数を第１検査条件における回数よりも多い回数に規定したことにより、導体パターンに対して検査用信号を供給したときに生じる物理量に基づいて導体パターンに対する良否検査を実行する際の第２検査条件をより確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができる。

回路基板検査装置１の構成を示す構成図である。検査工程７０のフローチャートである。絶縁状態判定処理９０のフローチャートである。

以下、回路基板検査装置および回路基板検査方法の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。

最初に、回路基板検査装置１の構成について説明する。図１に示す回路基板検査装置１は、例えば、同図に示す電子部品が搭載されていない回路基板（ベアボード）８０における各導体パターン８１の良否を検査する良否検査（具体的には、後述する絶縁状態判定処理９０および放電判定処理）を予め決められた検査条件（第１検査条件）で実行可能に構成されている。具体的には、回路基板検査装置１は、一例として、同図に示すように、信号生成部２、電圧検出部３、電流検出部４、放電検出部５、基板保持部６、搬入搬出機構７、記憶部８および制御部９を備えて構成されている。この場合、電圧検出部３、電流検出部４、放電検出部５および制御部９によって検査部が構成される。

信号生成部２は、制御部９の制御に従い、電圧が５０Ｖ〜２００Ｖ程度の範囲内に規定された検査用信号（一例として、直流電圧信号）Ｖｅを生成して出力する。

電圧検出部３は、図１に示すように、電圧検出回路３１およびＡ／Ｄコンバータ３２を備えて構成されている。電圧検出回路３１は、ローパスフィルタおよびレンジ回路を備えて構成され、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量としての導体パターン８１の間の電圧の低周波成分を検出（測定）する。Ａ／Ｄコンバータ３２は、電圧検出回路３１によって検出された電圧の低周波成分のサンプリングデータＤｓ１を出力する。

電流検出部４は、図１に示すように、電流検出回路４１およびＡ／Ｄコンバータ４２を備えて構成されている。電流検出回路４１は、ローパスフィルタおよびレンジ回路を備えて構成され、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量としての導体パターン８１の間に流れる電流の低周波成分を検出（測定）する。Ａ／Ｄコンバータ４２は、電流検出回路４１によって検出された電流の低周波成分のサンプリングデータＤｓ２を出力する。

放電検出部５は、検査用信号Ｖｅの供給に伴う放電の発生を検出する。具体的には、放電検出部５は、図１に示すように、電圧検出回路５１およびコンパレータ５２を備えて構成されている。電圧検出回路５１は、ハイパスフィルタおよびレンジ回路を備えて構成され、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量としての導体パターン８１の間の電圧の高周波成分を検出（測定）する。コンパレータ５２は、電圧検出回路５１によって検出された電圧の高周波成分の値が基準値以上のときに検出信号Ｓｄを出力する。

基板保持部６は、回路基板８０を保持可能に構成されている。搬入搬出機構７は、制御部９の制御に従い、検査対象の回路基板８０を基板保持部６に搬入すると共に、検査が終了した回路基板８０を基板保持部６から搬出する。

記憶部８は、図２に示す検査工程７０において、回路基板８０の各導体パターン８１に対する良否検査を実行する際の検査条件として予め決められた第１検査条件および第２検査条件を示す検査条件データＤｃ１を記憶する。この回路基板検査装置１では、第１検査条件として、例えば、導体パターン８１に対して供給する検査用信号Ｖｅの供給時間が０．１秒に規定されると共に、その際の検査用信号Ｖｅの信号レベル（この例では電圧値）が１００Ｖに規定されている。また、第２検査条件として、例えば、検査用信号Ｖｅの供給時間が０．２秒に規定されると共に、その際の検査用信号Ｖｅの信号レベルが１５０Ｖに規定されている。つまり、第２検査条件は、第１検査条件よりも基準が高く規定されている。

また、記憶部８は、図３に示す絶縁状態判定処理９０（各導体パターン８１の間の絶縁状態の良否を判定する処理）において用いられる良否判定用の第１基準値Ｒ１および第２基準値Ｒ２を示す基準値データＤｃ２を記憶する。この場合、第１基準値Ｒ１は、導体パターン８１の間の絶縁状態が良好とされる（不良とはされない）抵抗値Ｒｍの下限値に規定される。また、第２基準値Ｒ２は、導体パターン８１間の抵抗値Ｒｍがその値以上であれば潜在的な不良要因（検査条件の基準を僅かに高めただけで放電が発生して不良と判定されるような要因）を有している可能性が十分に低いとされる値に規定される。つまり、第２基準値Ｒ２は、第１基準値Ｒ１よりも大きい値に規定されている（予め決められている）。この回路基板検査装置１では、一例として、第１基準値Ｒ１が５０ＭΩに規定され、第２基準値Ｒ２が１００ＭΩに規定されている。

制御部９は、図２に示す検査工程７０を実行する。この場合、制御部９は、検査工程７０において、上記した物理量に基づいて回路基板８０における導体パターン８１間の絶縁状態の良否を判定する絶縁状態判定処理９０（図３参照）を良否検査の一部として実行すると共に、上記した物理量に基づいて導体パターン８１に対する検査用信号Ｖｅの供給に伴う放電の発生の有無を判定してその判定結果に基づいてその導体パターン８１の良否を判定する放電判定処理を良否検査の他の一部として実行する。また、制御部９は、絶縁状態判定処理９０および放電判定処理における判定結果に基づいて回路基板８０の良否を判定する。

また、制御部９は、検査工程７０の実行中において抵抗値Ｒｍと第１基準値Ｒ１および第２基準値Ｒ２とを比較し、抵抗値Ｒｍが第１基準値Ｒ１以上でかつ第２基準値Ｒ２未満のときには、次以降の良否検査（絶縁状態判定処理９０および放電判定処理）における検査条件を第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する。

次に、回路基板検査装置１を用いて、回路基板８０における各導体パターン８１に対する良否検査を行う回路基板検査方法、およびその際の回路基板検査装置１の動作について、図面を参照して説明する。

この回路基板検査装置１では、検査開始の操作がされたときに、制御部９が、搬入搬出機構７を制御して回路基板８０を基板保持部６に搬入させる。次いで、制御部９は、図２に示す検査工程７０を実行する。この検査工程７０では、制御部９は、まず記憶部８から検査条件データＤｃ１を読み出し、検査条件データＤｃ１によって示される第１検査条件を特定する（ステップ７１）。

次いで、制御部９は、回路基板８０における各導体パターン８１のうちの一対の導体パターン８１に対する良否検査を実行する（ステップ７２）。具体的には、制御部９は、図外のプロービング機構を制御して、プローブ２１，２１を一対の導体パターン８１に接触させる。次いで、制御部９は、信号生成部２を制御して検査用信号Ｖｅを出力させる。この場合、制御部９は、検査用信号Ｖｅの供給時間を、第１検査条件に規定されている０．１秒に指定すると共に、検査用信号Ｖｅの信号レベルを第１検査条件に規定されている１００Ｖに指定する。これにより、プローブ２１，２１を介して各導体パターン８１に検出信号Ｓｄが供給される。

一方、電圧検出部３では、電圧検出回路３１が、各導体パターン８１の間の電圧を検出し、Ａ／Ｄコンバータ３２が、電圧検出回路３１によって検出された電圧のサンプリングデータＤｓ１を出力する。また、電流検出部４の電流検出回路４１が、導体パターン８１の間に流れる電流を検出し、Ａ／Ｄコンバータ４２が、電流検出回路４１によって検出された電流のサンプリングデータＤｓ２を出力する。続いて、制御部９は、図３に示す絶縁状態判定処理９０を実行する。

この絶縁状態判定処理９０では、制御部９は、電圧検出部３によって出力されるサンプリングデータＤｓ１から特定した電圧、および電流検出部４によって出力されるサンプリングデータＤｓ２から特定した電流に基づき、導体パターン８１間の抵抗値Ｒｍを算出する（ステップ９１）。次いで、制御部９は、算出した抵抗値Ｒｍが第２基準値Ｒ２以上であるか否かを判別する（ステップ９２）。この場合、制御部９は、抵抗値Ｒｍが第２基準値Ｒ２以上であると判別したときには、良否検査の対象である（検査対象の）一対の導体パターン８１の間の絶縁状態が良好であると判定して（ステップ９３）、絶縁状態判定処理９０を終了する。

一方、ステップ９２において、抵抗値Ｒｍが第２基準値Ｒ２未満である（第２基準値Ｒ２以上ではない）と判別したときには、制御部９は、抵抗値Ｒｍが第１基準値Ｒ１以上であるか否かを判別する（ステップ９４）。この場合、制御部９は、抵抗値Ｒｍが第１基準値Ｒ１未満である（第１基準値Ｒ１以上ではない）と判別したときには、検査対象の各導体パターン８１間の絶縁状態が不良であると判定して（ステップ９５）、絶縁状態判定処理９０を終了する。また、制御部９は、ステップ９４において、抵抗値Ｒｍが第１基準値Ｒ１以上である、つまり抵抗値Ｒｍが第１基準値Ｒ１以上でかつ第２基準値Ｒ２未満であると判別したときには、検査条件データＤｃ１に基づいて第２検査条件を特定し、次以降の良否検査における検査条件を第１検査条件から第２検査条件に変更して（ステップ９６）、絶縁状態判定処理９０を終了する。

また、制御部９は、検査工程７０のステップ７２において、良否検査としての放電判定処理を実行する。この放電判定処理では、制御部９は、放電検出部５からの検出信号Ｓｄの出力の有無に基づき、放電が発生したか否かを判定する。ここで、導体パターン８１に欠陥が存在せず、検査用信号Ｖｅの供給による放電の発生がないときには、導体パターン８１の間の電圧の急激な変動がなく、放電検出部５からの検出信号Ｓｄの出力がないため、制御部９は、放電が発生しないと判定して、この放電判定処理を終了する。一方、導体パターン８１に短絡や近接などの欠陥が存在して、検査用信号Ｖｅの供給によって放電が発生し、これに伴って導体パターン８１の間の電圧が急激に降下したときには、放電検出部５の電圧検出回路５１によって変動する電圧が検出される。この場合、電圧の変動量が基準値以上のときには、コンパレータ５２が検出信号Ｓｄを出力する。この際には、制御部９は、放電検出部５からの検出信号Ｓｄの出力を判別し、放電が発生したと判定して、この放電判定処理を終了する。

次いで、制御部９は、全ての導体パターン８１（回路基板８０における各導体パターン８１の中から一対を選択する全ての組み合わせ）についての良否検査が終了したか否かを判別する（ステップ７３）。この場合、この時点では、一対（１つの組み合わせ）の導体パターン８１に対する良否検査が終了しただけであるため、制御部９は、検査対象とする一対の導体パターン８１の組み合わせを変更して、上記した良否検査（ステップ７２）を実行する。この場合、上記した絶縁状態判定処理９０において、良否検査における検査条件を第１検査条件から第２検査条件に変更しているときには、制御部９は、信号生成部２から出力させる検査用信号Ｖｅの供給時間を、第２検査条件に規定されている０．２秒に指定すると共に、検査用信号Ｖｅの信号レベルを第２検査条件に規定されている１５０Ｖに指定する。

ここで、一般的に、各導体パターン８１間の抵抗値Ｒｍが小さければ小さいほど、良好と判定された導体パターン８１の中に潜在的な不良要因を有する導体パターン８１（検査条件の基準を僅かに高めただけで放電が発生して不良と判定されるような導体パターン８１）が存在している可能性が高くなる。この場合、従来の回路基板検査装置のように、全ての導体パターン８１に対する良否検査を１つの検査条件で行う構成では、良否検査において算出した導体パターン８１間の抵抗値Ｒｍが小さくても、その事実がそれ以降の良否検査に反映されることなく、同じ検査条件で他の導体パターン８１に対する良否検査が実行される。この結果、従来の構成では、良好と判定した導体パターン８１の中に潜在的な不良要因を有する導体パターン８１が多く含まれている可能性が高くなり、検査精度（検査の信頼性）が低下するおそれがある。これに対して、この回路基板検査装置１では、上記したように抵抗値Ｒｍが第１基準値Ｒ１以上でかつ第２基準値Ｒ２未満のとき、つまり、不良と判定される程まで抵抗値Ｒｍか小さくはないものの、潜在的な不良要因を有している可能性が十分に低いといえる程まで抵抗値Ｒｍか大きくない（潜在的な不良要因を有している可能性が比較的高いグレーゾーンに抵抗値Ｒｍが属しているとき）には、次以降の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する。このため、この回路基板検査装置１によれば、次以降の良否検査において良好と判定された導体パターン８１の中に潜在的な不良要因を有する導体パターン８１が含まれる可能性が低く抑えられ、その分検査精度を向上させることが可能となっている。また、この回路基板検査装置１によれば、潜在的な不良要因を有する導体パターン８１を不良として判定するのに必要かつ十分な検査条件を第１検査条件として設定することで、検査工程７０の開始時から必要以上に基準の高い検査条件で良否検査を行う構成と比較して、検査効率の低下を抑えることが可能となっている。

また、制御部９は、一対の導体パターン８１に対する良否検査が終了する度にステップ７３を実行し、全ての導体パターン８１に対する良否検査が終了していないと判別したときには、ステップ７２，７３を繰り返して実行する。また、ステップ７３において、全ての導体パターン８１に対する良否検査が終了したと判別したときには、回路基板８０の良否を判定する（ステップ７４）。この場合、制御部９は、全ての導体パターン８１のうちのいずれか１つの導体パターン８１について、絶縁状態の不良、または放電の発生があると判定したときには、その回路基板８０を不良と判定し、いずれの導体パターン８１についても絶縁状態の不良、または放電の発生がないと判定したときには、その回路基板８０を良好と判定して、その旨を示すデータを記憶部８に記憶させて、検査工程７０を終了する。

続いて、制御部９は、搬入搬出機構７を制御して回路基板８０を基板保持部６から搬出させる。以上により、１枚の回路基板８０に対する検査が終了する。次いで、制御部９は、上記した各処理を実行して、他の回路基板８０に対する検査を実行する。

このように、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法では、良否検査において算出した導体パターン８１間の抵抗値Ｒｍが第１基準値Ｒ１以上でかつ第１基準値Ｒ１よりも大きい値に規定された第２基準値Ｒ２未満のときには、次以降の良否検査における検査条件を第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する。このため、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、検査条件を第２検査条件に変更した以降の良否検査において良好と判定された導体パターン８１の中に潜在的な不良要因を有する導体パターン８１が含まれる可能性を低く抑えることができる結果、その分、検査精度（検査の信頼性）を十分に向上させることができる。また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、潜在的な不良要因を有する導体パターン８１を不良と判定するのに必要かつ十分な検査条件を第１検査条件として設定することで、検査工程７０の開始時から必要以上に基準の高い検査条件で良否検査を行う構成と比較して、検査効率の低下を十分に低く抑えることができる。

また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、第１検査条件および第２検査条件として導体パターン８１に対して供給する検査用信号Ｖｅの供給時間を規定し、第２検査条件における供給時間を第１検査条件における供給時間よりも長い時間に規定したことにより、導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量（導体パターン８１の間の電圧の低周波成分、導体パターン８１の間に流れる電流の低周波成分、および導体パターン８１の間の電圧の高周波成分）に基づいて導体パターン８１に対する良否検査を実行する際の第２検査条件を確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができる。

また、この回路基板検査装置１および回路基板検査方法によれば、第１検査条件および第２検査条件として導体パターン８１に対して供給する検査用信号Ｖｅの信号レベルを規定し、第２検査条件における信号レベルを第１検査条件における信号レベルよりも高い信号レベルに規定したことにより、導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量に基づいて導体パターン８１に対する良否検査を実行する際の第２検査条件を一層確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができる。

なお、上記した回路基板検査装置１および回路基板検査方法は、一例であって、適宜変更することができる。上記の例では、良否検査における検査条件として、検査用信号Ｖｅの供給時間、および検査用信号Ｖｅの信号レベルを規定したが、検査条件はこれに限定されない。例えば、第１基準値Ｒ１を検査条件として規定する構成および方法を採用することができる。この構成および方法では、第１検査条件として、絶縁状態判定処理９０を実行する際の第１基準値Ｒ１を絶縁状態が良好とされる抵抗値Ｒｍの下限値に規定し、第２検査条件として、絶縁状態判定処理９０を実行する際の第１基準値Ｒ１を第１検査条件として規定した値よりも大きい値に規定する。具体例を挙げると、第１検査条件として、第１基準値Ｒ１を５０ＭΩに規定し、第２検査条件として、第１基準値Ｒ１を７５ＭΩに規定する。このように規定したときには、例えば、抵抗値Ｒｍが６０ＭΩの導体パターン８１（潜在的な不良要因を有する可能性のある導体パターン８１）が、第１検査条件での絶縁状態判定処理９０では良好と判定され、第２検査条件での絶縁状態判定処理９０では不良と判定される。つまり、第１検査条件から第２検査条件に変更することで、潜在的な不良要因を有する可能性のある導体パターン８１が良好と判定された導体パターン８１の中に含まれる可能性を低く抑えることができる。このため、この構成および方法においても、検査効率の低下を十分に低く抑えつつ検査精度を十分に向上させることができる。また、このような構成および方法においても、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量に基づいて導体パターン８１に対する良否検査を実行する際の第２検査条件をさらに確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができる。

また、一対の導体パターン８１の組み合わせ１つ当りに対して行う良否検査の回数を検査条件として規定し、第１検査条件および第２検査条件においてこの回数を互いに異ならせることができる。具体的には、第１検査条件として、一対の導体パターン８１の組み合わせ１つ当りに対して行う良否検査の回数を１回に規定し、第２検査条件として、この回数を２回（第１検査条件における回数よりも多い回数）に規定する。このような構成および方法においても、回路基板８０の導体パターン８１に対して検査用信号Ｖｅを供給したときに生じる物理量に基づいて導体パターン８１に対する良否検査を実行する際の第２検査条件をさらに確実かつ容易に第１検査条件よりも高い基準とすることができる。

また、検査条件として規定した上記の各項目（検査用信号Ｖｅの供給時間、検査用信号Ｖｅの信号レベル、第１基準値Ｒ１の大きさ、および良否検査の回数）の中から任意に選択した１つの項目を検査条件として規定する構成および方法、並びにこれらの各項目の中から任意に選択した２つ以上の項目を組み合わせて検査条件として規定する構成および方法を採用することができる。

また、同種類の回路基板８０を複数検査する際に、一部の回路基板８０に対する検査を行った段階で、その回路基板８０における各導体パターン８１間の抵抗値Ｒｍが第２基準値Ｒ２以上となる率が高いとき、つまりその回路基板８０における各導体パターン８１の中で、潜在的な不良要因を有している可能性が十分に低い導体パターン８１の比率が高いときには、他の回路基板８０に対する検査を行う際に、第１検査条件の基準を引き下げる構成および方法を採用することもできる。この構成および方法では、潜在的な不良要因を有している可能性が十分に低い導体パターン８１の比率が高いときには、第１検査条件の基準が引き下げられることで、検査効率が一層向上される。

また、２つのプローブ２１，２１を回路基板８０における一対の導体パターン８１に接触させる構成例について上記したが、複数のプローブ２１を備えて治具型に構成されたプローブユニットを用いる構成および方法を採用することもできる。

１回路基板検査装置
３電圧検出部
４電流検出部
５放電検出部
９制御部
８０回路基板
８１導体パターン
９０絶縁状態判定処理
Ｒ１第１基準値
Ｒ２第２基準値
Ｒｍ抵抗値
Ｖｅ検査用信号

Claims

回路基板の導体パターンに対する検査用信号の供給に伴って生じる物理量を測定してその測定値に基づいて当該導体パターンの良否を検査する良否検査を予め決められた第１検査条件で実行する検査部を備えた回路基板検査装置であって、
前記検査部は、前記測定した物理量から算出される前記導体パターン間の抵抗値が良否判定用の第１基準値以上のときに当該導体パターン間の絶縁状態を良好と判定する絶縁状態判定処理を前記良否検査の一部として実行すると共に、前記抵抗値が前記第１基準値以上でかつ当該第１基準値よりも大きい値に予め決められた第２基準値未満のときには、次以降の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する回路基板検査装置。
前記第１検査条件および前記第２検査条件として前記導体パターンに対して供給する前記検査用信号の供給時間が規定され、
前記第２検査条件における前記供給時間が前記第１検査条件における前記供給時間よりも長い時間に規定されている請求項１記載の回路基板検査装置。
前記第１検査条件および前記第２検査条件として前記導体パターンに対して供給する前記検査用信号の信号レベルが規定され、
前記第２検査条件における前記信号レベルが前記第１検査条件における前記信号レベルよりも高いレベルに規定されている請求項１または２記載の回路基板検査装置。
前記第１検査条件および前記第２検査条件として、前記第１基準値が規定され、
前記第２検査条件における前記第１基準値が前記第１検査条件における前記第１基準値よりも大きい値に規定されている請求項１から３のいずれかに記載の回路基板検査装置。
前記第１検査条件および前記第２検査条件として前記導体パターン１つ当りに対して実行する前記良否検査の回数が規定され、
前記第２検査条件における前記回数が前記第１検査条件における前記回数よりも多い回数に規定されている請求項１から４のいずれかに記載の回路基板検査装置。
回路基板の導体パターンに対する検査用信号の供給に伴って生じる物理量を測定してその測定値に基づいて当該導体パターンの良否を検査する良否検査を予め決められた第１検査条件で実行する回路基板検査方法であって、
前記測定した物理量から算出される前記導体パターン間の抵抗値が良否判定用の第１基準値以上のときに当該導体パターン間の絶縁状態を良好と判定する絶縁状態判定処理を前記良否検査の一部として実行すると共に、前記抵抗値が前記第１基準値以上でかつ当該第１基準値よりも大きい値に予め決められた第２基準値未満のときには、次以降の前記良否検査における検査条件を前記第１検査条件よりも基準が高い第２検査条件に変更する回路基板検査方法。