JP5488874B2 - Inspection equipment for integrated circuit boards - Google Patents
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Description
本発明は、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)素子が搭載されるべき集積回路基板を事前に検査するための集積回路基板用検査装置に関する。 The present invention relates to an inspection apparatus for an integrated circuit board for inspecting in advance an integrated circuit board on which a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) element is to be mounted.
集積回路が形成されている基板(以下、これを「集積回路基板」と呼ぶ。)上に受動素子(一般に「MEMS素子」と呼ぶ。)を搭載することで、集積回路と受動素子とで回路を形成し、各種の機能デバイスを作製することがなされている。ここで、「MEMS素子」とはMEMS作製のための技術を用いて、立体形成された機能デバイスをいう。「搭載する」とは別々に作製した集積回路基板とMEMS素子を接合し一体化させること、もしくは集積回路基板上に直接MEMS素子を形成することをいう。 By mounting a passive element (generally referred to as a “MEMS element”) on a substrate on which an integrated circuit is formed (hereinafter referred to as an “integrated circuit board”), a circuit is formed by the integrated circuit and the passive element. To form various functional devices. Here, the “MEMS element” refers to a functional device that is three-dimensionally formed using a technique for manufacturing MEMS. “Mounting” means that an integrated circuit board and a MEMS element produced separately are joined and integrated, or a MEMS element is formed directly on the integrated circuit board.
図23は従来の機能デバイス100を模式的に示しており、機能デバイス100は、集積回路が形成されている基板、つまり集積回路基板110に、回路素子を有する別の基板つまり、MEMS素子120が搭載されている。具体的には、集積回路基板110には薄膜形成、微細加工などの各種工程の繰り返しを経て複数の電子素子が形成されていて、複数の素子が配線パターンにより接続されており、集積回路基板110の表面には電極パッド111A,111Bが形成されている。MEMS素子120にも同様に薄膜形成、微細加工などの各種工程の繰り返しを経て一又は複数の素子が形成されており、MEMS素子120は下面に接続用電極121A,121Bを有している。接続用電極121A,121Bが電極パッド111A,111B上に電気的に接続されるようMEMS素子120が集積回路基板110上に搭載されて固定される。このような構造を有する機能デバイス100は、MEMS素子120内の回路素子が接続用電極121A,121Bと電極パッド111A、111Bとをそれぞれ経由して集積回路に接続され、所定の機能を発揮する。
FIG. 23 schematically shows a conventional
このように、集積回路基板110内の集積回路はそれ自体として機能せず、MEMS素子120と接続されることで、その集積回路とそのMEMS素子120とが初めて機能するわけである。しかしながら、集積回路基板110にMEMS素子120を搭載した後に検査を行って所定の機能が発揮しないことが分かった場合には、その原因が集積回路基板110それ自体、MEMS素子120それ自体、MEMS素子搭載プロセスの最中に発生した集積回路へのダメージの何れかにあるかを判断することはできない。
As described above, the integrated circuit in the
ところで、集積回路が形成されている基板を検査することはすでに知られている。(例えば特許文献1、2)。
By the way, it is already known to inspect a substrate on which an integrated circuit is formed. (For example,
特許文献1は、プローブカードに設けられ、バネ部とこのバネ部より細径でバネ部の一端から直線状に延びる針部とを有する導電性のバネ型プローブを保持するプローブ保持構造について開示している。具体的には、プローブカード側に配置されるインタポーザと、インタポーザに主面を対向させて測定対象物側に配置されるプローブ支持基板とを有し、インタポーザにはバネ型プローブとプローブカードとを電気的に接続する導電路が設けられており、プローブ支持基板には主面に直交する貫通孔が形成されており、プローブ支持基板及びインタポーザは針部が貫通孔に貫通されると共にバネ部の後端が配線手段に接触して両基板間にバネ部を縮めた状態に挟んで保持している。
特許文献2は、少なくとも1つの製品ダイ上の製品回路をテストするためのテストアセンブリについて開示している。具体的には、それぞれが製品ダイの少なくとも一部の製品回路をテストするためのテスト回路を有する複数の第1のレベルのテストダイと、第1のレベルのテストダイを少なくとも1つの製品ダイへ電気的に結合するための第1の相互接続手段と、1つの共有テストダイと、共有テストダイを第1のレベルのテストダイのそれぞれに電気的に結合するための第2の相互接続手段と、共有テストダイと通信を行うホストコントローラに共有テストダイを電気的に結合するための第3の相互接続手段とを備えている。第1の相互接続手段が複数の接触要素を備えており、これらの複数の接触要素がバネ接触要素から成っている。 U.S. Pat. No. 6,089,077 discloses a test assembly for testing a product circuit on at least one product die. Specifically, a plurality of first level test dies each having a test circuit for testing at least part of the product circuit of the product die, and electrically connecting the first level test die to the at least one product die First interconnect means for coupling to each other, one shared test die, second interconnect means for electrically coupling the shared test die to each of the first level test dies, and communicating with the shared test die And a third interconnect means for electrically coupling the shared test die to the host controller that performs the above. The first interconnection means comprises a plurality of contact elements, the plurality of contact elements comprising spring contact elements.
図23を示して説明したように、集積回路基板110上にMEMS素子120を搭載する場合、特に、集積回路基板110中の複数の素子とMEMS素子中の回路素子とで一体として高周波回路を形成するような場合において集積回路基板110を検査することを考えた時、検査装置のバネ性を有するプローブで検査すると、そのプローブ及びバネ接続要素の何れかと集積回路基板との電気的な接続経路の形状がプローブの押し付けによって変化する。MEMS素子を搭載した集積回路基板がGHz以上の高周波回路を形成する場合には、低周波回路とは異なり、検査は慎重に実施される必要がある。特に検査対象がGHzオーダーを超える高周波回路の部品としての集積回路基板110である場合、その周波数特性が周りの環境によって左右されるからである。
As shown in FIG. 23, when the
一例を挙げると、配線に高周波を流すと同じ頻度で変化する電磁波が発生する。従って、配線などの電気導通領域の周りに電磁波に反応する物質が存在すると、電磁気的な損失が生じる。具体的には、集積回路基板と検査装置との間で絶縁体ではない高抵抗物質があると渦電流の発生により渦電流損失が生じる。集積回路基板と検査装置との間で周りに誘電体が存在すると誘電損失が生じる。これらの損失により、Q値が低下して設計通りの特性を示さない。 For example, when a high frequency is passed through the wiring, an electromagnetic wave that changes at the same frequency is generated. Therefore, if there is a substance that reacts to electromagnetic waves around an electrical conduction region such as a wiring, an electromagnetic loss occurs. Specifically, if there is a high-resistance material that is not an insulator between the integrated circuit board and the inspection apparatus, eddy current loss occurs due to generation of eddy current. If there is a dielectric around the integrated circuit board and the inspection apparatus, dielectric loss occurs. Due to these losses, the Q value decreases and the designed characteristics are not exhibited.
別の例を挙げると、配線の周りに電気的な物質があると、その物質に受動的な性質が追加され、設計の仕様から変化する。具体的には、集積回路基板と検査装置との間の周りに磁性体が存在すると、その磁性体が磁場を溜めようとするのでインダクタンスの増加をもたらす。集積回路基板と検査装置との間の周りに別の電気導通領域があると浮遊容量の発生をもたらす。これら、インダクタンスの増加、浮遊容量の発生は、設計からずれた受動的な性質となってしまう。 As another example, if there is an electrical material around the wiring, it adds a passive property to the material and changes from the design specifications. Specifically, if a magnetic material is present between the integrated circuit board and the inspection apparatus, the magnetic material tends to accumulate a magnetic field, resulting in an increase in inductance. If there is another region of electrical conduction between the integrated circuit board and the inspection device, stray capacitance is generated. These increase in inductance and generation of stray capacitance become passive properties that deviate from the design.
以上のように、MEMS素子を集積回路基板上に搭載して高周波回路を構成する場合、集積回路基板のみを検査する際に、実際のMEMS素子を搭載した状態と同じ状態で検査しなければ、正しい検査を行うことができない。特許文献1、2に示すように検査装置がバネ性のプローブを備えており、そのプローブで集積回路基板を検査する場合には、集積回路基板と検査装置との間でのプローブの形状変化や実際のMEMS素子との寸法の違いのため実際のMEMSを搭載したときと異なるインダクタンスの発生、浮遊容量の発生、電磁気的な損失などが生じ、検査素子の周波数特性が設計仕様から変化して予測不能な結果を招来する。特に、MEMS素子を集積回路基板上に搭載して発振回路のような高周波回路を構成している場合には、共振周波数の変化や電磁気的な損失によるQ値の低下により発振しないことがある。またそのプローブと集積回路基板との接触抵抗が増加して発振しなかったりする。
As described above, when a high-frequency circuit is configured by mounting a MEMS element on an integrated circuit substrate, when inspecting only the integrated circuit substrate, if inspection is not performed in the same state as the state in which the actual MEMS element is mounted, The correct inspection cannot be performed. As shown in
本発明は、以上の点に鑑み、集積回路基板にMEMS素子を搭載する前にその集積回路基板が仕様通りの性能があるかを正しく検査することができる、集積回路基板用検査装置を提供することを目的する。 In view of the above, the present invention provides an inspection apparatus for an integrated circuit board that can correctly inspect whether the integrated circuit board has performance as specified before mounting the MEMS element on the integrated circuit board. Purpose.
上記目的を達成するため、本発明の集積回路基板用検査装置は、パッケージを備えたMEMS素子が搭載されるべき集積回路基板の検査に供され、複数の検査用接続部を有する検査用素子と、集積回路基板の電極パッドに検査用接続部を押圧する押圧手段と、を備える集積回路基板用評価装置であって、
検査用素子と集積回路基板を接続して形成される回路と、MEMS素子を集積回路基板に搭載して形成される回路とが、等価回路として同一となるよう、検査用素子を構成し、
検査用素子は、MEMS素子のパッケージと同一構造で且つ電気配線が形成されたパッケージを有し、パッケージの集積回路基板との当接面には尖り部が突出して形成されており、尖り部は、検査用素子と集積回路基板とを接続する際に、集積回路基板に形成された電極パッドのうち、検査用接続部が当接する電極パッドとは別の電極パッドに当接するように構成され、
さらに、押圧手段により検査用接続部を電極パッドに押圧したとき、検査用接続部が変形しないよう、検査用接続部は剛性を有するとともに押圧手段は弾性を有することを特徴とする。
In order to achieve the above object, an inspection apparatus for an integrated circuit board according to the present invention is used for inspection of an integrated circuit board on which a MEMS element having a package is to be mounted, and has a plurality of inspection connection parts. An evaluation device for an integrated circuit board, comprising: a pressing unit that presses the connection part for inspection against the electrode pad of the integrated circuit board,
The inspection element is configured so that the circuit formed by connecting the inspection element and the integrated circuit board and the circuit formed by mounting the MEMS element on the integrated circuit board are the same as an equivalent circuit,
The inspection element has a package having the same structure as that of the MEMS element package and formed with electric wiring, and a pointed portion protrudes from a contact surface of the package with the integrated circuit substrate. When the test element and the integrated circuit board are connected, the electrode pad formed on the integrated circuit board is configured to come into contact with an electrode pad different from the electrode pad with which the test connection part comes into contact,
Further, when the inspection connecting portion is pressed against the electrode pad by the pressing means, the inspection connecting portion has rigidity and the pressing means has elasticity so that the inspection connecting portion is not deformed.
また、本発明の集積回路基板用検査装置は、MEMS素子が搭載されるべき集積回路基板の検査に供され、複数の検査用接続部を有する検査用素子と、集積回路基板の電極パッドに検査用接続部を押圧する押圧手段と、を備える集積回路基板用評価装置であって、The inspection apparatus for an integrated circuit board of the present invention is used for inspection of an integrated circuit board on which a MEMS element is to be mounted, and inspects an inspection element having a plurality of inspection connection portions and an electrode pad of the integrated circuit board. A pressing means for pressing the connecting portion, and an evaluation apparatus for an integrated circuit board comprising:
検査用素子と集積回路基板を接続して形成される回路と、MEMS素子を前記集積回路基板に搭載して形成される回路とが、等価回路として同一となるよう、検査用素子を構成し、The inspection element is configured so that the circuit formed by connecting the inspection element and the integrated circuit board and the circuit formed by mounting the MEMS element on the integrated circuit board are the same as an equivalent circuit,
押圧手段により検査用接続部を電極パッドに押圧したとき、検査用接続部が変形しないよう、検査用接続部は剛性を有するとともに、押圧手段は弾性を有し、When the inspection connecting portion is pressed against the electrode pad by the pressing means, the inspection connecting portion has rigidity and the pressing means has elasticity so that the inspection connecting portion is not deformed.
さらに、検査用素子には、MEMS素子の回路素子と同一の素子を保持する絶縁体が設けられると共に、絶縁体の集積回路基板との対向面から突出して疑似検査用接続部及び複数の検査用接続部が設けられ、押圧手段が検査用接続部を電極パッドに押圧する際に、疑似検査用接続部により検査用素子を水平に保って検査用接続部が電極パッドと接触することを特徴とする。Further, the test element is provided with an insulator that holds the same element as the circuit element of the MEMS element, and protrudes from the surface of the insulator facing the integrated circuit substrate to project the pseudo test connection portion and the plurality of test elements. A connecting portion is provided, and when the pressing means presses the inspection connecting portion against the electrode pad, the inspection connecting portion is in contact with the electrode pad while keeping the inspection element horizontal by the pseudo inspection connecting portion. To do.
本発明によれば、MEMS素子が搭載されるべき集積回路基板の電極パッドに対し、剛性の検査用接続部を含む検査用素子を接触させることで、MEMS素子を搭載した状態と電気的に同じ状態を再現できる。よって、集積回路基板を正しく検査することができる。集積回路基板自体を事前に検査しておき、検査に合格した集積回路基板に対してMEMS素子を搭載することになるので、歩留まりが向上する。特に、MEMS素子を搭載して高周波回路を構成するような集積回路基板に対する検査においては特に威力を発揮する。 According to the present invention, the inspection element including the rigid inspection connection portion is brought into contact with the electrode pad of the integrated circuit substrate on which the MEMS element is to be mounted, so that it is electrically the same as the state in which the MEMS element is mounted. The state can be reproduced. Therefore, the integrated circuit board can be correctly inspected. Since the integrated circuit board itself is inspected in advance and the MEMS element is mounted on the integrated circuit board that has passed the inspection, the yield is improved. In particular, it is particularly effective in the inspection of an integrated circuit substrate in which a MEMS element is mounted to constitute a high-frequency circuit.
以下図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。本発明の各実施形態における集積回路基板用検査装置は、例えば図23を示して前述した集積回路基板110をMEMS素子120が搭載される前に検査するためのものである。なお、集積回路基板110及びMEMS素子120については前述した場合と同じである。
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係る集積回路基板用検査装置を模式的に示している。集積回路基板用検査装置10は集積回路基板110を検査するものである。集積回路基板110は表面に複数の、図示の場合では二つの電極パッド111A,111Bを有している。Siなどの基板上への薄膜形成とエッチングなどの微細加工とを経て、集積回路基板110には複数の回路素子112が配線パターンにより接続されている。図示の場合では回路素子112として増幅素子が模式的に示してある。MEMS素子120における接続用電極が電極パッド111A,111Bにそれぞれ接続され、集積回路基板110内の回路素子112とMEMS素子120とが接続して集積回路が形成され、MEMS素子120を搭載した集積回路基板110は所定の機能を発揮する(図23参照)。MEMS素子120は、集積回路基板110に搭載された状態において集積回路基板110と対向する面に突出して電極部(接続用電極とも呼ぶ。)121A,121Bを備えている。MEMS素子120は、本実施形態では抵抗、コイル、コンデンサの何れかを含む受動素子を有しているものとするが、他の回路素子を含んでいてもよい。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The integrated circuit board inspection apparatus in each embodiment of the present invention is for inspecting the
(First embodiment)
FIG. 1 schematically shows an inspection apparatus for an integrated circuit board according to a first embodiment of the present invention. The integrated circuit
集積回路基板用検査装置10は、外部端子として剛性を有する複数の検査用接続部12A,12Bを含む検査用素子12と、集積回路基板110の表面に設けられている電極パッド111A,111Bに検査用接続部12A,12Bを押圧する押圧手段16とを含んでいる。ここで、検査用素子12は、押圧手段16が検査用素子12を電極パッド111A,111Bに押圧している状態で検査用素子12と集積回路基板110における集積回路とで形成される回路と、MEMS素子120が集積回路基板110に搭載されたときに集積回路とMEMS素子120とで形成される回路と、等価回路として同一となるよう、構成されている。つまり、集積回路基板110上に検査用素子12が押圧手段16により押圧されたとき、集積回路基板110における集積回路と検査用素子12中の素子とで形成される回路が、浮遊容量、損失の発生も含めて、集積回路基板110にMEMS素子120が搭載されたときに形成される回路と、等価回路として同一である。
The integrated circuit
例えば、検査用素子12が、MEMS素子120と電気的に等価な二端子回路を含んでいる場合が当てはまる。ここに、「電気的に等価」とは、MEMS素子120が集積回路基板110に搭載されたときと、検査用素子12が支持なしで集積回路の電極パッド111A,111Bと検査用接続部12A,12Bとがそれぞれ接触した場合とで、電気的に等価な特性を有することを言う。即ち、検査用素子12とMEMS素子120とが構造、寸法、材質の点で同一である場合に理想的な等価な特性を有することになる。
For example, the case where the
以下詳細に説明すると、図1に模式的に示すように、集積回路基板110を載置するステージ11と、検査用接続部12A,12Bを含む検査用素子12と、検査用素子12のうち集積回路基板110と対向しない側に設けられる支持手段としての支持部材13と、検査用接続部12A,12Bを集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに押圧する弾性手段としての弾性部材14と、弾性部材14を移動可能に支持する可動式支持部15と、を含んでいる。
More specifically, as schematically shown in FIG. 1, a
ここで、押圧手段16は、支持部材13と弾性部材14との組み合わせにより構成されている。検査用素子12は、MEMS素子120と電気的に同一の構成及び大きさを有していればよい。MEMS素子120が、電気導通路としてコイル素子とその両側に取り付けられている検査用接続部12A,12Bとを備え、その電気導通路の周りの絶縁体がMEMS素子120におけるそれと略同一の誘電率及び透磁率を有する場合、検査用素子12における絶縁体の大きさは電気導通路に対して外部からの電気的・磁気的な影響が無視できる範囲であればよく、必ずしも、検査用素子12における絶縁体の形状及び寸法が、MEMS素子120における絶縁体の形状及び寸法と同一である必要はない。
Here, the pressing means 16 is configured by a combination of the
以下、各構成要素について詳細に説明する。 Hereinafter, each component will be described in detail.
ステージ11は、集積回路基板110が動かないように載置できるものが好ましく、例えば図示するようにステージ11に窪みを有しておりその窪みに集積回路基板110の下側一部が収容されるのが好ましい。ステージ11は、集積回路基板110を載置したままステージ11それ自体を水平面に平行にスライドしたり、上下動したりするように移動可能なものが好ましい。
The
検査用素子12は、集積回路基板110を検査した後に搭載されるべきMEMS素子120と電気的に等価な二端子回路を有しており、検査用接続部12A,12Bがリジッド(rigid)な、即ち曲がり難い、堅直なものである。このように、検査用接続部12A,12Bは剛性を有している。剛性は、例えば数μNの力に対して変形しないことを意味する。
The
押圧手段16は、支持部材13と弾性部材14からなることで弾性を有する。支持部材13は、検査用素子12の表面側、即ち検査用接続部12A,12Bとは逆側に設けられており、エポキシ樹脂などの絶縁体からなる。
The pressing means 16 has elasticity by being composed of the
弾性部材14は、例えば板バネなどのバネ材からなる。図1に模式的に示すように、弾性部材14の一端が支持部材13を介在して検査用素子12に取り付けられ、弾性部材14の他端が支持部としての可動式支持部15に取り付けられている。弾性部材14は、絶縁性材料からなっても導電性材料からなってもよい。弾性部材14が絶縁体でなる支持部材13を介在して検査用素子12に取り付けられているからである。
The
支持部としての可動式支持部15は、少なくとも検査用素子12をステージ11側及びその逆側の方向に移動できるものであればよく、二次元方向、三次元方向に移動可能なものが好ましい。
The
次に、集積回路基板用検査装置10による集積回路基板110の検査方法について説明する。先ず、ステップ1として、検査すべき集積回路基板110をステージ11上に載せて固定する。
Next, a method for inspecting the
ステップ2として、ステージ11をXY方向に移動して検査用素子12を集積回路基板110の上方に移動し、検査用素子12における検査用接続部12A,12Bをそれぞれ集積回路基板110における電極パッド111A,111Bの上方に位置合わせする。
In step 2, the
ステップ3として、可動式支持部15を−Z方向であるステージ11側に下降し、検査用素子12の検査用接続部12A,12Bをそれぞれ集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに接触し、さらに可動式支持部15を下降する。すると、弾性部材14が弾性変形しつつ検査用接続部12A,12Bがそれぞれ集積回路基板110における電極パッド111A,111Bに押圧する。その際、検査用素子12の検査用接続部12A,12Bは弾性部材14の復元力により電極パッド111A,111Bの表面の酸化膜を突き破り、検査用素子12が電極パッド111A,111Bに電気的に接続する。この状態において、検査用接続部12A,12Bを変形させないでMEMS素子120が集積回路基板110に搭載された状態に形成される回路網と等価回路として等しい回路網を形成する。
As
さらに、検査用素子12と集積回路基板110との電気的な接続の確実性を確保するために、ステップ4として、検査用素子12における検査用接続部12A,12Bが電極パッド111A,111Bに食い込んだ状態で、可動式支持部15をXY平面に平行な方向、例えばX方向に移動する。すると、検査用素子12がX方向に移動する。これにより、検査用素子12の検査用接続部12A,12Bが電極パッド111A,111Bの各表面に沿って摺動する。これにより、電極パッド111A,111Bの表面酸化膜に筋が形成され、検査用素子12と集積回路基板110との電気的な接続が確実となる。このステップ4については、電極パッド111A,111Bの表面酸化膜の状態や、ステップ3での電気的な不接続の蓋然性に応じてなされればよい。
Further, in order to ensure the reliability of the electrical connection between the
第1実施形態では、検査用素子12は集積回路基板110に搭載されるMEMS素子120と電気的に等価、例えば同じ構成及び大きさであるので、検査用素子12の集積回路基板110に対する浮遊容量C,誘導損失Loss及び渦電流損失Lossは、MEMS素子120が搭載されている状態の場合と同じであるため、MEMS素子120を搭載したときと同じ状態で集積回路基板110を検査することができる。
In the first embodiment, since the
特に、MEMS素子120と集積回路基板110とで例えば発振回路などの高周波回路を形成するような場合であって、検査用素子12は、絶縁体から成る支持部材13を介在して弾性部材14により支持されているので、その高周波回路は弾性部材14、支持部材13からの影響を無視できる。つまり、高周波特性、特に共振周波数が設計値と異ならない。
In particular, when the
特に、検査用素子12における検査用接続部12A,12Bが変形し難いリジッドであるため、検査用接続部12A,12Bが弾性部材14による復元力を受けても、検査用接続部12A,12Bの形状は変化しない。つまり、検査用素子12と集積回路基板110との間での電流経路の形が変わらないので、集積回路基板110の検査をモノリシックに作製した状態と同様の状態で行える。
In particular, since the
これらのことから、検査用素子12の回路素子、例えばコイルなどの受動素子と集積回路基板110内の集積回路とで構成される回路が、例えば1GHz前後を超えるようなGHz帯の高周波回路である場合においても、集積回路基板110を正確に検査することができる。
For these reasons, the circuit element of the
図1に示す集積回路基板用検査装置10では、押圧手段16が検査用素子12を電極パッド111A,111Bに押圧している状態で検査用素子12と集積回路基板110における集積回路とで形成される回路が、MEMS素子120が集積回路基板110に搭載されたときに集積回路とMEMS素子とで形成される回路と等価回路として同一となるよう、検査用素子12が構成されており、検査用接続部12A,12Bが剛性を有し、押圧手段16が弾性を有している。例えば、検査用素子12は、実際に集積回路基板110に検査後に搭載されるべきMEMS素子120と電気的に等価な二端子回路を含んでいる。よって、MEMS素子120を集積回路基板110に搭載してMEMS素子120の電極部を集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに接続した状態を作り出せる。
The integrated circuit
この点について詳細に説明する。図2は、図1に示す検査用素子12、MEMS素子120と集積回路基板110との関係を示しており、(A)は集積回路基板110にMEMS素子120が搭載されている場合、(B)は集積回路基板110に検査用素子12が接続されている場合を示す模式図である。図2(A)乃至(C)に示す集積回路基板110は、図1における集積回路基板110に対応するものであり、集積回路基板110の表面側にはMEMS素子120と接続される電極パッド111A,111Bのほか配線及びLSI素子(以下、「配線・素子111C」と表記する)が配置されている。集積回路基板110の最表面層113は絶縁層である。
This point will be described in detail. FIG. 2 shows the relationship between the
図2(A)に示すように、集積回路基板110はMEMS素子120が搭載されるとMEMS素子120と回路素子との間には浮遊容量C、誘導損失L1及び渦電流損失L2が生じる。よって、集積回路基板110における集積回路及びMEMS素子120における回路素子はこれらの浮遊容量C、誘導損失L1及び渦電流損失L2を加味して回路設計され、所望の高周波特性を有している。
As shown in FIG. 2A, when the
検査用素子12が図2(B)に示すようにMEMS素子120と同一の構成及び寸法を有しており、その検査用素子12が集積回路基板110に接続される場合においては、検査用素子12と集積回路基板110との間には、図2(A)に示す場合と同様に浮遊容量C、誘導損失L1及び渦電流損失L2が発生する。従って、MEMS素子120搭載時と同じ状況下で集積回路基板110を検査することができる。
When the
図2(B)に示す場合とは異なり、図2(C)に示すように、検査用素子17がMEMS素子120と同様の回路を有していても寸法が異なり図示するように大きい場合、検査用素子17が集積回路基板110に接続されると、検査用素子17と集積回路基板110との間には、図2(A)に示す場合とは異なる浮遊容量C’、誘導損失L1’及び渦電流損失L2’が生じる。つまり、MEMS素子120の搭載時と同じ状況下で集積回路基板110を検査することができない。
Unlike the case shown in FIG. 2 (B), as shown in FIG. 2 (C), even if the
ここで、図2(B)に示されるように、検査用素子12,17の集積回路基板110と逆側に絶縁体である支持部材13が細長くかつ鉛直方向に延びており、支持部材13の一端が可動式支持部15に弾性部材14としてのバネ部材で接続されている。支持部材13は細長いので、検査用素子12に流れる電流が弾性部材14、支持部材13により変化しない。
Here, as shown in FIG. 2B, a
以上のように本発明の第1実施形態によれば、検査用素子12は実際に集積回路基板110に検査後搭載されるべきMEMS素子120と電気的、構造的に等価な構成を含んでいるため、MEMS素子120を集積回路基板110に搭載してMEMS素子120の電極部を集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに接続した状態となり得る。
As described above, according to the first embodiment of the present invention, the
加えて、検査用素子12の集積回路基板110側にはリジッドな検査用接続部12A,12Bが突出しているため、検査用素子12を集積回路基板110に押し付け、検査用接続部12A,12Bを集積回路基板110における電極パッド111A,111Bに押し当てても、検査用接続部12A,12Bは座屈したり、屈曲したりしない。つまり、検査用素子12の集積回路基板110への押圧により、検査用素子12内の回路素子と集積回路基板110内の回路素子とが配線パターンで接続されて形成される回路網と、MEMS素子120を集積回路基板110に搭載して形成される回路網とは、等価回路として、同一となる。
In addition, since the rigid
加えて、集積回路基板110が図1に示すように回路素子112として増幅素子及びコンデンサを含んでおり、MEMS素子120がコイルを含んで、集積回路基板110とMEMS素子120とで発振回路などの高周波回路が構成される場合を想定すると、検査用素子12はMEMS素子120と同様コイルを含む二端子回路を含んでいるので、検査用素子12が集積回路基板110に押圧して形成される高周波回路は、集積回路基板110にMEMS素子120が搭載されて形成される高周波回路と同一になる。つまり、検査用接続部12A,12Bが変形しないので、周波数特性による影響を受けずに、設計値と検査値とを比較できる。
In addition, the
(第2実施形態)
図3は、本発明の第2実施形態に係る集積回路基板用検査装置20を模式的に示している。図3に示す第2実施形態は、検査用素子12における検査用接続部12A,12Bの先端が尖っていない点で、図1に示す第1実施形態と異なる。集積回路基板110の電極パッド111A,111Bが種類の異なる金属層で積層されてなり、金属層のうち最表面層111Dが例えばAuなどの酸化し難い金属で構成されている。この場合、検査用接続部12A,12Bが集積回路基板110における電極パッド111A,111Bに食い込ませなくても検査用接続部12A,12Bを電極パッド111A,111Bの最表面層111Dに接触させるだけで、電気的に接続することができるからである。
(Second Embodiment)
FIG. 3 schematically shows an integrated circuit
本発明の第2実施形態によれば、図1に示した第1実施形態と同様、集積回路基板110を正しく検査することができる。しかも、第1実施形態と異なり、検査用素子12の各検査用接続部12A,12Bを集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに接触させるだけでよく、電極パッド111A,111Bの最表面層111Dに検査用接続部12A,12Bを食い込ませる必要がないため、検査用接続部12A,12Bの先端を例えば角錐、円錐のように尖らすことが不要で、かつ、検査用素子12を集積回路基板110の表面に沿って移動させる必要もない。よって、検査用素子12の構造を単純化でき、かつプローブで電極パッド111A,111Bを擦る必要がないから集積回路基板110の検査に要する時間が短縮できる。この第2実施形態に係る集積回路基板用検査装置20は、MEMS素子120の電極部がMEMS素子120における集積回路基板110との対向面から突出していないようなMEMS素子120を搭載する集積回路基板110を検査対象とする場合などに、特に有効である。
According to the second embodiment of the present invention, the
(第3実施形態)
図4は、図1に示す集積回路基板用検査装置10による検査方法を模式的に示す図である。図4に示すように、集積回路基板110において、電極パッド111A,111Bの表面に窪み111Eをそれぞれ設けている点で図1に示す場合とは異なる。電極パッド111A,111Bの窪み111Eは、集積回路基板用検査装置10における検査用素子12の検査用接続部12A,12Bの先端が食い込むようにエッチング等により形成される。電極パッド111A,111Bに窪み111Eが設けられているので、検査用素子12と集積回路基板110との距離が小さくなると、検査用接続部12A,12Bが自ら電極パッド111A,111Bの窪み111Eに入り込む。このセルフアライメントにより、検査用接続部12A,12Bと電極パッド111A,111Bとの位置合わせが容易となる。さらに、検査用接続部12A,12Bと電極パッド111A,111Bとの接触面積が大きくなるため、接触抵抗の低減を図ることができる。また、検査用接続部12A,12Bの先端部の形と大きさを窪み111Eの形と大きさと同じにすることによって、MEMS素子120が集積回路基板110上に搭載されたときと、検査用素子12が集積回路に接触している場合とで、全く同じ状況を再現できる。
(Third embodiment)
FIG. 4 is a diagram schematically showing an inspection method by the integrated circuit
(第4実施形態)
図5は、第4実施形態に係る集積回路基板用検査装置30を模式的に示す。集積回路基板用検査装置30で検査対象となる集積回路基板110には、集積回路内でGND配線となる電極パッド111Fが設けられている。図5に示す検査用素子33は、集積回路基板110内の集積回路と回路網を構成する検査用素子本体部32とパッケージ34で構成されている点で図1に示す場合と異なる。これは、検査対象となる集積回路基板110に搭載されるMEMS素子がMEM素子本体とパッケージとで構成されているため、検査用素子33をこの構成に対応させて同一の構造及び寸法を有するようにしている。つまり、検査用素子33はMEMS素子のパッケージと同一構造を有するパッケージ34を有しており、押圧手段16、具体的には弾性部材14の一端が検査用素子33におけるパッケージ34に取り付けられ、検査用素子本体部32がパッケージ34を介在して弾性部材14に支持されている。パッケージ34は、検査用素子本体部32を支持部34Aで取り付けられている上部34Bと、検査用素子本体部32の周りを離隔して覆う環状の側壁部34Cと、でなっている。つまりパッケージ34は上部34Bと側壁部34Cとで凹陥部34Dを設けており、GND接続用端子34Eが側壁部34Cに突出して設けられている。GND接続用端子34Eは、パッケージ34内の電気導通部(図示せず)に接続されている。検査用素子33、MEMS素子の何れの場合においてもパッケージ34はそれ自体が例えばシリコンのように導電性を有する材料で構成されていても良いし、例えばプラスチックのような絶縁物に例えば金属が堆積して構成されても良い。パッケージ34の電気導通部の形状はMEMS素子本体部32の全体を囲むように配置されていても良いし、一部を覆うように配置されていても良い。つまり、パッケージ34を含む検査用素子33は、集積回路基板110に接続された際、その集積回路基板110にパッケージを含むMEMS素子を搭載したときと同じ等価回路を構成できればよい。GND接続用端子34Eは尖り形状を有しており、集積回路基板110との対向面から検査用素子33における検査用接続部32A,32Bの先端と同じ高さに突出している。パッケージ34の上部34Bには支持部材13が配置され、支持部材13は弾性部材14に取り付けられている。パッケージ34の上部34Bは、支持部材13とは逆の凹陥部34D側に突出して支持部34Aが設けられており、支持部34Aには検査用素子本体部32が取り付けられている。
(Fourth embodiment)
FIG. 5 schematically shows an integrated circuit
集積回路基板用検査装置30によれば、検査用素子本体部32の検査用接続部32A,32Bが集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに接続され、かつ、パッケージ33が検査用素子本体部32を覆ってGND接続用端子34Eが集積回路基板110の電極パッド111Fに接続された状態は、検査後の集積回路基板110にMEMS素子が搭載された状態と同じとなるので、正確な集積回路基板110の検査を行うことができる。
According to the integrated circuit
(第5実施形態)
図6は、第5実施形態に係る集積回路基板用検査装置40を模式的に示す。集積回路基板用検査装置40は、図6に示すように、検査用素子42の上層部に支持部材43が一体として構成されている点で他の実施形態と異なる。即ち、検査用素子42は絶縁性の支持部材43と検査用素子本体44とで構成される。この集積回路基板用検査装置40で検査対象となる集積回路基板110は、図7に示すように、MEMS素子130の表面側に支持部材43と同一の性質を有する絶縁体131が設けられて一体構成されている。第5実施形態に係る集積回路基板用検査装置40によれば、検査用素子42が支持部材43を予め組み込んで一体的に構成されているので、部品点数が少なくなり、集積回路基板用検査装置40の組立作業が容易になる。
(Fifth embodiment)
FIG. 6 schematically shows an integrated circuit
(第6実施形態)
次に、第1実施形態を前提とした第6実施形態を説明するが、第2乃至第5実施形態でも同様である。図8は、第6実施形態に係る集積回路基板用検査装置50を模式的に示す図である。集積回路基板用検査装置50は、支持部としての可動式支持部55に対して取り付けられる第1の弾性手段としての第1の弾性部材54と、第1の弾性部材54の先端に取り付けられた第1の支持手段としての第1の支持部材53と、第1の支持部材53に設けられている検査用素子52と、集積回路基板110を載置して固定するステージ51と、可動式支持部55に対して取り付けられる第2の弾性手段としての第2の弾性部材58と、第2の弾性部材58の先端に取り付けられる第2の支持手段としての第2の支持部材57と、第2の支持部材57にステージ51側に突出するよう取り付けられている複数のプローブ56と、複数のプローブ56を経由して集積回路基板110に対して駆動電力を供給して集積回路基板110からの出力信号を計測する検査用回路59と、を有している。
(Sixth embodiment)
Next, a sixth embodiment based on the first embodiment will be described, but the same applies to the second to fifth embodiments. FIG. 8 is a diagram schematically showing an integrated circuit
集積回路基板用検査装置50は、可動式支持部55に対して第1の弾性部材54を介在して第1の支持部材53に保持されている検査用素子52と、同じ可動式支持部55に対して第2の弾性部材58を介在して第2の支持部材57に保持されている複数のプローブ56と、を備える。この第2の支持部材57はプローブ用支持手段と呼んでも良い。つまり、検査用素子52を支持する手段、つまり押圧手段と、複数のプローブ56を支持するプローブ用支持手段とはそれぞれ別々に配置されている。
The integrated circuit
第1の弾性部材54及び第2の弾性部材58は何れも片持ち式であって、具体的にカンチレバー状に可動式支持部55に形成されている。図8に示す形態では、第1の弾性部材54及び第2の弾性部材58は何れも棒状又は細長平板状を有して、ステージ51の表面に沿って延びて設けられている。第1の弾性部材54及び第2の弾性部材58の各端部が可動式支持部55に固定されている。第1の弾性部材54の先端部には第1の支持部材53が取り付けられており、第2の弾性部材58の先端部には第2の支持部材57が取り付けられている。第1の支持部材53及び第2の支持部材57は、それぞれ、棒状、三角平板状、矩形平板状、多角形平板状などの形状を有して、ステージ51の表面に沿って、可動式支持部55とは逆方向に延びて設けられている。図8に示すように、第1の弾性部材54及び第1の支持部材53が第2の弾性部材58及び第2の支持部材57と比べてステージ51側に配置されているが、逆に、第2の弾性部材58及び第2の支持部材57が第1の弾性部材54及び第1の支持部材53と比べてステージ51側に配置されていてもよいし、ステージ51とほぼ同じ高さに配置されていてもよい。第1の弾性部材54及び第1の支持部材53は、平面視において第2の弾性部材58及び第2の支持部材57と重なるように配置されていてもよいし、逆に平面視において第2の弾性部材58及び第2の支持部材57と重ならないように配置されてもよい。
The first
検査用素子52は、電極パッド111A,111Bに押圧されている状態で検査用素子52と集積回路基板110における集積回路とで形成される回路が、MEMS素子120が集積回路基板110に搭載されたときに集積回路とMEMS素子120とで形成される回路と等価回路として同一となるよう構成されている。例えば、検査対象となる集積回路基板110における電極パッド111A,111Bと電気的に接続されるMEMS素子120と同一構造、同一寸法を有しており、受動素子と検査用接続部52A,52Bとで二端子回路を備えている。第1の支持部材53は絶縁材料で構成される。検査用素子52が集積回路基板110の電極パッド111A,111Bと電気的に接続されて集積回路網を構成した際、その集積回路網に流れる信号に影響を与えないためである。
The
これに対し、第2の支持部材57は必ずしも絶縁材料で構成される必要はない。第2の支持部材57には複数のプローブ取付孔が穿設されており、各プローブ取付孔にプローブ56を下向きに突き出すように設け、プローブ56の側面とプローブ取付孔とが絶縁されていればよい。各プローブ56は検査用素子52における検査用接続部52A,52Bとは異なり、リジッドである必要はなく、バネ形状を部分的に有していてもよい。即ち、第2の支持部材57に取り付けられる複数のプローブ56のそれぞれがバネ構造を一部又は全部に有していれば、第2の支持部材57は弾性部材を含まず、可動式支持部55に直接設けられても良い。プローブ56は、例えば第1乃至第3のプローブ56A,56B,56Cで構成される。
On the other hand, the
検査用回路59は、MEMS素子120と集積回路基板110の集積回路とで回路網が構成されているとき、この回路網に電気的なエネルギーを供給する電源部59Aと、この回路網から出力される信号を測定する測定部59Bと、を有している。第1のプローブ56Aと電源部59Aとは配線59Cで電気的に接続されており、第2のプローブ56Bと電源部59Aとは配線59Dで電気的に接続されており、第3のプローブ56Cと測定部59Bとは配線59Eで電気的に接続されている。
When the circuit network is configured by the
前述の他の実施形態と同様、集積回路基板110は、MEMS素子120との接続により回路網を形成して機能デバイスを構成する。集積回路基板110の表面には、MEMS素子120と接続する第1の電極パッド111A及び第2の電極パッド111Bと、回路網に対して駆動用の電気的エネルギーを供給するための第1及び第2の駆動電極用パッド111G,111Hと、機能デバイスにより出力される信号を取り出すための検査用電極パッド111Iと、が設けられている。第1及び第2の駆動電極用パッド111G,111Hは第1及び第2のプローブ56A,56Bに接触し、検査用電極パッド111Iは第3のプローブ56Cに接触する。
As in the other embodiments described above, the
ここで、可動式支持部55が下降するかステージが上昇するかして、可動式支持部55とステージ51との距離が小さくなると、第1の支持部材53に支持された検査用素子52の検査用接続部52A,52Bが第1の弾性部材54により適宜の押圧力で集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに当接すると同時に、各プローブ56A,56B,56Cが第2の弾性部材58により適宜の押圧力で集積回路基板110の電極パッド111G,111H,111Iに対して当接する。
Here, if the distance between the
集積回路基板用検査装置50においても、検査用素子52を絶縁性でなる第1の支持部材53で保持し、第1の支持部材53を第1の弾性部材54で可動式支持部55に取り付けている。その際、第1の支持部材53は絶縁性でなり、検査用素子52が第1の弾性部材54と所定の距離d1だけ離しているため、検査用素子52は第1の弾性部材54の存在の影響を受けない。また、検査用素子52は、検査用素子52寄りのプローブ56Aと所定の距離d1’だけ離れているため、検査用素子52はプローブ56Aの存在の影響を受けない。加えて、第2の支持部材57が電気導電体である場合には、第2の支持部材57は、検査用素子52における受動素子(図8では点線で示されている。)の上端部から所定の距離d2だけ離れて存在しているので、検査用素子52は第2の支持部材57の影響も受けない。以上により、MEMS素子120の集積回路基板110への搭載状態において集積回路基板110の集積回路とMEMS素子120とで形成される回路網と、検査用素子52の集積回路基板110への押圧状態において集積回路基板110の集積回路と検査用素子52とで形成される回路網とが等価回路として同一となる。
Also in the integrated circuit
検査用素子52が、検査用素子52の周りで損失を生じる部材(以下、「損失部材」と呼ぶ。)、例えば第1の弾性部材54や第2の支持部材57とどの程度離隔して設ければ良いかは、検査用素子52に設けられている素子の種類や形状によって定まる。その素子は集積回路基板110に後に搭載されるMEMS素子と同一の構造及び寸法を有しているので、結果として、MEMS素子の種類や形状によって定まる。そこで、MEMS素子がコイルである場合について説明する。
The
図9は、MEMS素子が正方形のコイルである場合において、検査用素子52と第1の弾性部材54、第2の支持部材57との距離d1,d2をどのように決定すべきかを説明するための説明図であり、(A)はモデル設定の状態を示す図、(B)はZ軸方向の距離に対する磁場強度の変化を示す図、(C)はXY平面におけるコイルの一辺からの距離に対する磁場強度の変化を示す図である。
FIG. 9 illustrates how distances d1 and d2 between the
図9(A)に示すように、検査用素子52を正方形のコイルとする。コイルの中心を原点Oとして、コイルの軸方向をZ軸とし、コイルの各辺をX軸、Y軸と平行なるよう座標軸を設定する。ここで、正方形のコイルは、一巻きとしても複数巻きでもよい。このような設定の下において、Z軸方向の磁場強度を示したグラフが図9(B)であり、XY平面におけるコイル一辺からの距離に応じた磁場強度を示したグラフが図9(C)である。図9(B)及び(C)の何れも、横軸はコイルの一辺と距離との比、即ち(コイル一辺からの距離)/(コイルの一辺の長さ)であり、縦軸は原点Oでの磁場強度で正規化した各点での磁場強度を示している。図9(B)及び(C)は何れもビオ・サバールの法則から算出している。
As shown in FIG. 9A, the
図9(B)から分かるように、コイル中心からZ軸方向に離れるにつれて、磁場強度は急激に減少する。コイル中心からコイル一辺の長さの約1.8倍だけ軸方向(±Z軸方向)に離れた位置における磁場強度は、コイル中心での磁界強度の1/10である。 As can be seen from FIG. 9B, the magnetic field strength sharply decreases with increasing distance from the coil center in the Z-axis direction. The magnetic field strength at a position away from the coil center in the axial direction (± Z-axis direction) by about 1.8 times the length of one side of the coil is 1/10 of the magnetic field strength at the coil center.
図9(C)から分かるように、コイルが設置されておりかつ軸を法線方向に有する面(以下、「コイル設置面」と呼ぶ。)において、コイルから離れた位置では、磁場強度は急激に減少する。コイル設置面においてコイル一辺からの距離がコイル一辺の長さの約0.8倍だけ外方向に離れた位置における磁場強度は、コイル中心での磁場強度の1/10である。 As can be seen from FIG. 9C, the magnetic field strength is abrupt at a position away from the coil on the surface where the coil is installed and having the axis in the normal direction (hereinafter referred to as “coil installation surface”). To decrease. The magnetic field strength at a position where the distance from one side of the coil is about 0.8 times the length of one side of the coil on the coil installation surface is 1/10 of the magnetic field strength at the center of the coil.
そこで、検出用素子52、即ちコイルを含む集積回路基板用検査装置が有する素子の精度を考慮すると、損失部材がコイルの軸方向にコイル一辺の長さの約1.8倍以上離隔されていれば、又は損失部材がコイル設置面においてコイル一辺から外方向にコイル一辺の長さの約0.8倍以上離隔されていれば、損失部材は、検出用素子52と集積回路基板110とで形成される回路網への損失部材の影響を無視できる。
Therefore, in consideration of the accuracy of the detecting
別の例を挙げる。MEMS素子が円形コイルである場合において、図9を参照して説明したのと同様に計算すると、次のような結果を得ることができる。円形コイルは、図9(A)に示される場合と同様に、円形コイルの軸がZ軸となり、円形コイルの中心が原点となるよう座標系を設置するものとする。コイル中心からZ軸方向に離れるにつれて、磁場強度は急激に減少する。コイル中心からコイル直径の約1倍だけ軸方向(±Z軸方向)に離れた位置における磁場強度は、コイル中心での磁界強度の1/10である。コイルが設置されておりかつ軸を法線方向に有する面(以下、「コイル設置面」と呼ぶ。)において、コイルから離れた位置では、磁場強度は急激に減少する。コイル設置面においてコイル外周からの距離がコイル直径の約0.5倍だけ外方向に離れた位置における磁場強度は、コイル中心での磁場強度の1/10である。 Here is another example. When the MEMS element is a circular coil, the following results can be obtained by calculating in the same manner as described with reference to FIG. As in the case shown in FIG. 9A, the coordinate system of the circular coil is set so that the axis of the circular coil is the Z axis and the center of the circular coil is the origin. As the distance from the center of the coil increases in the Z-axis direction, the magnetic field strength decreases rapidly. The magnetic field strength at a position away from the coil center in the axial direction (± Z-axis direction) by about 1 times the coil diameter is 1/10 of the magnetic field strength at the coil center. On the surface where the coil is installed and which has the axis in the normal direction (hereinafter referred to as “coil installation surface”), the magnetic field strength sharply decreases at a position away from the coil. The magnetic field strength at a position where the distance from the outer periphery of the coil is about 0.5 times the coil diameter on the coil installation surface is 1/10 of the magnetic field strength at the coil center.
そこで、検出用素子52、即ちコイルを含む集積回路基板用検査装置が有する各種の素子の精度を考慮すると、損失部材がコイルの軸方向にコイル直径の約1倍以上離隔していれば、又は損失部材がコイル設置面においてコイル外周から外方向にコイル直径の約0.5倍以上離隔してれば、損失部材は、検出用素子52と集積回路基板110とで形成される回路網への影響を無視できる。
Therefore, in consideration of the accuracy of various elements of the
以上のことから、集積回路基板用検査装置50において、検査用素子52がX軸を軸とする円形コイルを有している場合には、損失部材となる第1の弾性部材54との距離L1はX軸方向距離でコイル直径の1倍以上であればよく、損失部材となる第2の支持部材57との距離L2はZ軸方向距離でコイル直径の0.5倍以上であればよい。検査用素子52がX軸を軸とする正方形コイルを有している場合には、損失部材となる第1の弾性部材54との距離L1はX軸方向距離でコイル直径の1.8倍以上であればよく、損失部材となる第2の支持部材57との距離L2はZ軸方向距離でコイル直径の0.8倍以上であればよい。
From the above, in the integrated circuit
検査用素子52が有するコイルの軸方向がX軸方向ではなく、図8に点線で示すように、Z軸方向である場合には、次のように求めることができる。即ち、集積回路基板用検査装置50において、検査用素子52がZ軸を軸とする円形コイルを有している場合には、円形コイルの上端部から損失部材となる電気導電性の第2の支持部材57との距離L2はZ軸方向距離でコイル直径の1倍以上であればよく、損失部材となる第1の弾性部材54との距離L1はX軸方向距離でコイル直径の0.5倍以上であればよい。一方、検査用素子52がZ軸を軸とする正方形コイルを有している場合には、円形コイルの上端部から損失部材となる電気導電性の第2の支持部材57との距離L2はZ軸方向距離でコイル直径の1.8倍以上であればよく、損失部材となる第1の弾性部材54との距離L1はX軸方向距離でコイル直径の0.8倍以上であればよい。
When the axial direction of the coil included in the
上記説明では、検査用素子52がコイル素子である場合であるので、第1の弾性手段14がコイル素子で生じる磁場の最大強度の1/10以下に減衰する領域に設けられるが、同様の手法により検査用素子がコイル以外の電気素子を含んでいる場合でも、検査用素子52が、検査用素子52の周りで損失を生じる部材、例えば第1の弾性部材54や第2の支持部材57とどの程度離隔すればよいか、定めることができる。
In the above description, since the
加えて、集積回路基板用検査装置40は、例えばステージ51を上昇するか又は可動式支持部55をステージ51側に下降するかして検査用接続部52A,52Bと集積回路基板110の電極パッド111A,111B,111G,111H,111Iとの距離をゼロ以下となるように相対的に移動させても第1の弾性部材54がしなって第1の支持部材53とともに検査用素子52が集積回路基板110に押し付けられる。その際、検査用素子52の検査用接続部52A,52Bがリジッドな構造であるがゆえに、集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに検査用接続部52A,52Bが押し付けられても、検査用接続部52A,52Bがしなったりせず、湾曲せず硬直した状態を維持するので、検査用素子52と集積回路基板110とで集積回路網が形成され、MEMS素子120が集積回路基板110に搭載されている状況、つまり、MEMS素子120が集積回路基板110上に集積されている状況と同じ状態で検査することができる。その際、第1乃至第5の実施形態とは異なり、同一の可動式支持部55に第2の弾性部材58及び第2の支持部材57を介在して第1乃至第3のプローブ56A,56B,56Cが設けられているので、第1のプローブ56A、第2のプローブ56Bが電極パッド111G,111Hに電気的に接続し、第3のプローブ56Cが電極パッド111Iに電気的に接続する。
In addition, the integrated circuit
なお、第1及び第2のプローブ56A,56Bは検査用接続部52A,52Bとは異なり、リジッドな構造である必要は必ずしもない。第1及び第2のプローブ56A,56Bを経由して流れる電流は高周波ではないからである。その点、第3のプローブ56Cには、検査用素子52内の受動素子と集積回路基板110内の集積回路とで構成される高周波回路からの高周波信号が流れるので測定検査の精度上、リジッドな構造であることが好ましいが、高周波回路に与える影響が小さく無視できる程度の構造であれば十分である。
Note that the first and
第6実施形態に係る集積回路基板用検査装置50による集積回路基板110の検査方法について説明する。
An inspection method for the
ステップ1として、先ず、検査対象となる集積回路基板110をステージ51に載置して固定する。
As
ステップ2として、可動式支持部55をXY方向に駆動し、検査用素子52及び第1乃至第3のプローブ56A,56B,56Cを集積回路基板110の上方ヘ移動し、検査用素子52の検査用接続部52A,52B、第1乃至第3のプローブ56A,56B,56Cをそれぞれ集積回路基板110の電極パッド111A、111B、111G、111H,111Iの上に位置合わせする。
In step 2, the
ステップ3として、可動式支持部55を下降するか又はステージ51を上昇させるかして検査用素子52の検査用接続部52A,52B及び第1乃至第3のプローブ56A,56B,56Cをそれぞれ集積回路基板110の電極パッド111A、111B、111G、111H,111Iに接触させ、さらに第1の弾性部材54及び第2の弾性部材58を弾性変形させて検査用素子52の検査用接続部52A,52B及び第1乃至第3のプローブ56A,56B,56Cをそれぞれ電極パッド111A、111B、111G、111H,111Iに押圧する。すると、検査用素子52の検査用接続部52A,52B及び第1乃至第3のプローブ56A,56B,56Cが第1の弾性部材54及び第2の弾性部材58の各復元力に基づいて電極パッド111A、111B、111G、111H,111Iの表面酸化膜を突き破り電極パッド111A、111B、111G、111H,111Iに電気的に接触する。
As
ステップ4として、必要に応じて、可動式支持部55又はステージ51を水平に移動する。すると、検査用素子52の検査用接続部52A,52B及び第1乃至第3のプローブ56A,56B,56Cが電極パッド111A、111B、111G、111H,111Iの表面に沿って摺動することで、電極パッド111A、111B、111G、111H,111Iとの接触を確実にして電気的に接続する。つまり、検査用素子52と電極パッド111A,111Bとの接触抵抗が小さくなり、検査用素子52と集積回路基板110内の集積回路が接続され、高周波回路を形成する。
As
ステップ5として、検査用回路により、第1及び第2のプローブ56A,56B間に電圧を印加するか又は電流を流して高周波回路を駆動し、高周波回路の出力信号を第3のプローブ56Cから取り出し検査用回路59に入力する。これにより、集積回路基板110内の集積回路を検査できる。
In step 5, the high-frequency circuit is driven by applying a voltage or passing a current between the first and
(第7実施形態)
図10は、本発明の第7実施形態に係る集積回路基板用検査装置70を示し、(A)は模式的な断面図、(B)は底面図である。第7実施形態に係る集積回路基板用検査装置70は、同一の集積回路が複数平面的に並んで配設された集積回路基板を検査対象とする。よって、集積回路基板用検査装置70は、集積回路基板に構成されている各集積回路に対応して配列されており、図10に示すように、検査用素子72が一列に並んで複数列で配置されている。各検査用素子72同士の間には、複数のプローブ76を支持する手段76Aが配置されている。
(Seventh embodiment)
10A and 10B show an integrated circuit
図11は、図9に示す第7実施形態に係る集積回路基板用検査装置に関する一ユニットを示し、(A)は底面図、(B)はD−D線に沿う断面図である。図12(A)はA−A線に沿う断面図、(B)はB−B線に沿う断面図、(C)はC−C線に沿う断面図である。集積回路基板用検査装置70は、平板状を有して所定の間隔を開けて窪み75aが下面に形成されている支持部75と、複数の第1の押圧手段73と、それぞれが第1の押圧手段73の先端部で下面に取り付けられた複数の検査用素子72と、複数の第2の押圧手段77と、それぞれが第2の押圧手段77の先端部で下側に突出して設けられている複数のプローブ76と、を備え、各第1の押圧手段73が支持部75の下面75bで窪み75aの外周部の一端部に取り付けられて片持ち式となっている。同じく、各第2の押圧手段77が支持部75の下面75cで窪み75aの外周部の他端部に取り付けられて片持ち式となっている。ここで、第1の押圧手段73は、検査用素子72における回路素子、例えばコイル素子の上端部との距離を所定の範囲に配置される。つまり、第1の押圧手段73と検査用素子72における回路素子との間には絶縁体が存在するため、絶縁体の高さを調整することにより、第1の押圧手段73が回路素子に与える影響を無視することが可能となる。図示した例では、検査用素子72を第1の押圧手段73に取り付ける接着層77bの存在が、第1の押圧手段73の回路素子への影響を少なくし又はなくす。詳細については後述する。
11A and 11B show one unit relating to the integrated circuit board inspection apparatus according to the seventh embodiment shown in FIG. 9, wherein FIG. 11A is a bottom view and FIG. 11B is a cross-sectional view taken along the line DD. 12A is a cross-sectional view taken along line AA, FIG. 12B is a cross-sectional view taken along line BB, and FIG. 12C is a cross-sectional view taken along line CC. The integrated circuit
ここで、第1の押圧手段73の寸法と第2の押圧手段77の寸法との比を調整することで、第1の押圧手段73に取り付けられている検査用素子72、特にその先端の検査用接続部72A,72Bの形状変化を抑えることができる。なお、図10(A)では、紙面の左右方向、つまり、第1の押圧手段73、第2の押圧手段77の延びている方向に沿って検査用接続部72A,72Bが設けられているが、これらは検査用素子72に二つの検査用接続部72A,72Bが突出して設けられていることを模式的に示すためであって、図10(B)及び図11、図12に示すように、第1の押圧手段73、第2の押圧手段77の延びている方向に交差、特に直交するように設けられているのが好ましい。これは、二つの検査用接続部72A,72Bの何れか一方の先端のみが検査対象たる集積回路基板における電極パッドに接触することを避けるためである。詳細については後述する。第7実施形態に係る集積回路基板用検査装置70による検査手順は、前述した他の実施形態と同様である。
Here, by adjusting the ratio between the dimension of the first
図10に示す第7実施形態に係る集積回路基板用検査装置70の製造方法について説明する。図13乃至図16は、図10に模式的に示す第7実施形態に係る集積回路基板用検査装置70の作製工程を模式的に示す図である。
A method for manufacturing the integrated circuit
第1ステップでは、図13(A)に示すように、例えば結晶方向(100)を有するシリコン基板などの半導体基板81の表面に、例えばKOHなどのアルカリ溶液を用いてアルカリ異方性エッチングを行う。これにより、ピラミッド型のエッチピット81aを作製する。
In the first step, as shown in FIG. 13A, alkali anisotropic etching is performed on the surface of a
第2ステップでは、図13(B)に示すように、例えば20nmのCr(クロム)層、500nmのW(タングステン)層、80nmのAu(金)層を順次堆積し、エッチングによってエッチピット81aの位置にそれらの金属を残すように薬品又はプラズマでパターニングし、金属層81bをエッチピット81aの表面に設ける。パターニングはリフトオフプロセスを用いてもよい。Wは耐摩耗性を有する硬い材料として知られており、この部分にはWの代わりにNi(ニッケル)等の他の硬い材料でもよい。また、CrやWを堆積せず先端部の材料として、直接導電性ダイヤモンドをCVD(Chemical Vapor Deposition)で堆積した後、パターニングして、その後以下に続く作製を行ってもよい。AuはWを薬品でエッチングするためのマスクとしての役割を有していて、リフトオフプロセスやプラズマでエッチングするなら金属層81bはCr層とW層の積層のみでもよい。Wの厚さは、強度を確保する必要から500nm以上あることが望ましい。
In the second step, as shown in FIG. 13B, for example, a 20 nm Cr (chromium) layer, a 500 nm W (tungsten) layer, and an 80 nm Au (gold) layer are sequentially deposited and etched to form
第3ステップでは、図13(C)に示すように、エポキシ樹脂などのレジスト82を半導体基板81に塗布し、レジスト82を貫通して上記金属層81bがパターニングされたエッチピット81aにつながる貫通配線部や受動素子としてのコイルの輪郭82aを形成する。
In the third step, as shown in FIG. 13C, a resist 82 such as an epoxy resin is applied to the
第4ステップでは、図13(D)に示すように、輪郭82aを含めてレジスト82にめっきシールド層として例えばTaなどの金属を堆積した後、銅めっきで型82bを埋め、表面を研磨することを繰り返す。これにより、図13(E)で示すように、受動素子及び貫通配線埋め込み基板84が形成される。即ち、受動素子及び貫通配線埋め込み基板84は、半導体基板81と、その半導体基板81上に形成されたレジスト82と、レジスト82内に埋め込まれたコイルなどの受動素子83a及び貫通配線83bと、からなる。
In the fourth step, as shown in FIG. 13D, after depositing a metal such as Ta as a plating shield layer on the resist 82 including the
第5ステップでは、図14(A)に示すように、プラスチック又はグラスファイバでなる絶縁基板85aに型によって貫通孔を形成し、めっきを施し、貫通孔を金属で埋め、絶縁基板85aに貫通配線85bとしての金属配線を形成する。絶縁基板85aの下側に貫通配線85bを一部突出する。貫通配線85bの先端部85cは、めっき又はFIBを用いて選択堆積により先端部をテーパー状に凸状に形成する。この第4ステップにより、貫通配線埋め込み絶縁体85を得る。第5ステップと、第1乃至第4ステップとは独立して行ってもよいことは説明するまでもない。
In the fifth step, as shown in FIG. 14A, a through hole is formed by a mold in an insulating
第6ステップでは、図14(A)及び(B)に示すように、受動素子及び貫通配線埋め込み基板84上で、受動素子83aが埋設されている領域と、貫通配線83bが埋め込まれている領域の周りとに接着剤をそれぞれ塗布して接着層86aとし、貫通配線埋め込み絶縁体85を貼り付ける。この工程により、貫通配線85bと貫通配線83bとを電気的に接続する。
In the sixth step, as shown in FIGS. 14A and 14B, on the passive element and through wiring embedded
第7ステップでは、図14(C)に示すように、絶縁基板85aを研磨して薄くし所定厚みを有する絶縁基板85dとする。
In the seventh step, as shown in FIG. 14C, the insulating
第8ステップでは、図15(A)に示すように、第7ステップで研磨した絶縁基板85dの表面に、金属配線85eを形成する。金属配線85eは、密着層と電極層との積層構造で構成する。密着層は例えばCrでなり、電極層は例えばPtでなる。ここで、図15(A)では、二本の配線が重なっておらず、紙面の奥行き方向に離隔して配設されており、二本の配線同士は絶縁されている。
In the eighth step, as shown in FIG. 15A,
第9ステップでは、図15(B)に示すように、下側に複数の窪み86aを有し、それら窪み86aの間に厚み方向に金属配線86bが貫通されている絶縁基板86を用意する。この絶縁基板86はガラス又はセラミックでなる。この絶縁基板86は、セラミック素材又はガラス素材に金属棒を挿入して型で窪み86aとなるべき凹部を形成して焼成することで作製することができる。この絶縁基板86の下側に金属配線86bが一部突出しており、めっきにより又はFIB(Focused Ion Beam)を用いた選択堆積で金属配線86bの先端部86cは凸形状を有する。
In the ninth step, as shown in FIG. 15B, an insulating
第10ステップでは、図15(B)に示すように、窪み86aの外周の一端部及び他端部にそれぞれ金属配線85eに触れないように接着剤を塗布して接着層87a,87bとする。その後、絶縁基板85dと第8ステップで用意した絶縁基板86とを接着する。接着剤としては、例えば感光性ポリイミドを用いてもよい。
In the tenth step, as shown in FIG. 15B, an adhesive is applied to one end and the other end of the outer periphery of the
第11ステップでは、まず半導体基板81をエッチングなどにより取り除いて図16(A)に示す状態とし、次に受動素子83a及び貫通配線83bの先端のCrをCrエッチャントで除去しWが先端表面に現れるようにする。さらに、レーザーカッターでレジスト82のうち矢印Aで示す領域を切断する。すると、図16(B)に示すように、検査用素子82及びプローブとなる貫通配線83bを保持するレジスト部分以外は、押圧手段となる絶縁基板85dに接着剤で固定されていないので、外れる。
In the eleventh step, the
第12ステップでは、レジスト82のうち図16(B)に矢印Bで示す領域をレーザーカッターで切断する。すると、図16(B)に示すように、平板状の絶縁基板85dがカットされて押圧手段73としてのカンチレバーが形成され、第1の押圧手段73としてのカンチレバーは、カンチレバーの基端部が接着層77aで固定され、基端部と反対側の先端部がフリー状態となり、その先端部の下面に接着層77bで検査用素子が取り付けられている。また、第2の押圧手段77としてのカンチレバーは、カンチレバーの基端部が接着層77cで固定され、基端部と反対側の先端部がフリー状態となり、その先端部の下面に接着層77dを介在してレジストでなるプローブ保持手段76Aが取り付けられる。
In the twelfth step, a region indicated by an arrow B in FIG. 16B in the resist 82 is cut with a laser cutter. Then, as shown in FIG. 16B, the flat insulating
以上の工程により、図10に示す第7実施形態に係る集積回路基板用検査装置70が完成する。以上説明した製造方法は一例であり、適宜変更しても構わない。
Through the above steps, the integrated circuit
次に第1実施形態における検査用素子12について詳細に説明する。なお、他の実施形態でも同様である。図17は検査用素子12の具体的な第一の構成を示す図であり、(A)は下斜め方向から見た斜視図、(B)は底面図である。
Next, the
検査用素子12は、金属埋め込み部を有する基体12Cと、その金属埋め込み部に設けられて基体12Cの裏側から突出している第1及び第2の検査用接続部12A,12Bと、金属埋め込み部内に埋設されて第1の検査用接続部12Aと第2の検査用接続部12Bとの間に接続される受動素子12Dとしてのコイルと、で構成されている。図17に示されているように、基体12Cの裏面に対し第1及び第2の検査用接続部12A,12Bが立設されておりその大部分は埋設されているが、第1及び第2の検査用接続部12A,12Bはその先端部12Eが基体12Cの底面から突出している。
The
第1及び第2の検査用接続部12A,12Bの先端部12Eは、その断面寸法が先端になるにつれて小さくなっており、例えば尖っている。先端部12Eは図示するように四角錐状その他の角錐状、円錐状に形成されている。先端部12Eは、タングステン、ニッケル、ダンヤモンドなどの剛性の導電性素材で構成される。よって、第1及び第2の検査用接続部12A,12Bの先端部12Eが、集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに接触して押圧されても変形せず電極パッド111A,111Bの表面酸化膜を突き破り、第1及び第2の検査用接続部12A,12Bの先端部12Eが電極パッド111A,111Bに電気的に接続する。第1及び第2の検査用接続部12A,12Bはリジッドな構造であるため、電極パッド111A,111B上を押圧して摺動しても第1及び第2の検査用接続部12A,12Bは先端部12Eを含めて変形しない。よって、検査用素子12は繰り返し用いることができる。
The
図18は、検査用素子12の具体的な第2の構成を示す図であり、(A)は下斜め方向から見た斜視図、(B)は底面図である。図18に示す第2の構成は、検査用素子12における第1及び第2の検査用接続部12A,12Bにおける先端部12Fの形状の点で、図17とは異なる。即ち、第1及び第2の検査用接続部12A,12Bの先端部12Fは、図示するように、基体12Cに沿って稜線を有しており、その稜線の各点は基体12Cから同じ高さにある。
18A and 18B are diagrams showing a specific second configuration of the
図17及び図18に示す検査用素子12における検査用接続部12A,12Bの先端部12E,12Fは、基体12Cに立設した基部にタングステンなどを堆積し、その堆積層をFIB(集束イオンビーム)で加工したり、コイルを形成する基板にあらかじめ異方性エッチングを施したりすることで形成される。
17 and 18,
検査用素子12が図18に示す検査用接続部12A,12Bを有する場合、即ち、集積回路基板110に対して平行な稜線を備えている場合には、第1の検査用接続部12Aと第2の検査用接続部12Bとは、それぞれ点接触とならず、稜線全体が電極パッド111A,111Bに接触するように配置される必要がある。
When the
図19は図18に示すような検査用接続部を有する集積回路基板用装置60を示し、(A)は平面図、(B)は側面図、(C)及び(D)は正面図である。図19(C)は第1の弾性部材64が動作しつつある状態を示しており、図19(D)は第1の弾性部材64が動作した状態を示している。図19の各図では、可動式支持部65にカンチレバー状の第1の弾性部材64が接続され、第1の弾性部材64の先端部に第1の支持部材63が接続されている。第2の弾性部材及び第2の支持部材は図示していない。
FIG. 19 shows an integrated
図19(A)乃至(D)に示す第1及び第2の検査用接続部62A,62Bの先端は点状ではなく線状であるので、集積回路基板110の電極パッド111A,111Bとは点接触ではなく線接触となりえる。第1の弾性部材64がカンチレバー状の板バネとなっているので、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの各先端の稜線を結ぶ仮想線Lが第1の弾性部材64の長手方向に対して傾斜するよう、第1及び第2の検査用接続部62A,62Bが配置されていることが好ましい。第1の弾性部材64の長手方向に対し、仮想線Lが直交していてもよいし、例えば45度傾斜していてもよい。可動式支持部65が集積回路基板110との鉛直方向の距離が狭まって第1の検査用接続部62A、第2の検査用接続部62Bの先端一部だけが集積回路基板110における電極パッド111A,111Bに接触することを避けることができ、第1の検査用接続部62A,第2の検査用接続部62Bにおける先端の稜線全体が、電極パッド111A,111Bにそれぞれ当接する。よって、第1及び第2の検査用接続部62A,62Bと電極パッド111A,111Bとの接触抵抗を小さくすることができる。
Since the tips of the first and second
第1及び第2の検査用接続部62A,62Bと電極パッド111A,111Bとの接触抵抗を低減するには、第1及び第2の検査用接続部62A,62Bが電極パッド111A,111Bに対して傾斜しないで当接すればよい。図20(A)乃至(F)は検査用素子62の各種の変形例を模式的に示す底面図である。図20(A)乃至(F)において矢印の方向は、第1の弾性部材64から第1の支持部材63に向いている方向であり、第1の支持部材53の先端方向を示している。
In order to reduce the contact resistance between the first and second
図20(A)に示すように、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの各稜線が交差していない場合には、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの間でそれらの配置中心線から基体62Cの何れか一方に少し寄ってダミーの擬似検査用接続部62Dを設ける。この擬似検査用接続部62Dは第1及び第2の検査用接続部62A,62Bと同じ寸法、特に基体62Cからの高さが同じであり、その稜線が第1及び第2の検査用接続部62A,62Bの稜線と同じ方向となるよう、擬似検査用接続部62Dが基体62Cに取り付けられている。この擬似検査用接続部62Dは絶縁物でなることが好ましいが、導電性素材でも第1の検査用接続部62A,第2の検査用接続部62Bから所定の距離を有しかつ電気的に絶縁されていればよい。第1及び第2の検査用接続部62A,62Bは擬似検査用接続部62Dの存在により水平を保って集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに接触する。
As shown in FIG. 20A, when the ridgelines of the first
図20(B)に示すように、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの各稜線が交差していない場合には、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの間でそれらの配置中心線から基体62Cの何れか一方に少し寄ってダミーの擬似検査用接続部62Dを設ける。この擬似検査用接続部62Dは第1及び第2の検査用接続部62A,62Bと同じ基体62Cからの高さであり、その稜線が第1及び第2の検査用接続部62A,62Bの稜線と直交するよう、擬似検査用接続部62Dが基体62Cに取り付けられている。第1及び第2の検査用接続部62A,62Bは擬似検査用接続部62Dの存在により水平を保って集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに接触する。
As shown in FIG. 20B, when the ridge lines of the first
図20(C)に示すように、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの各稜線が同一線L上に配置されている場合には、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの間でそれらの配置中心線、つまり2つの稜線をつなぐ延長線から基体62Cの何れか一方に少し寄ってダミーの擬似検査用接続部62Dが設けられている。この擬似検査用接続部62Dは基体62Cから所定の高さを有する。特に、第1及び第2の検査用接続部62A,62Bと同じ高さであるとよい。MEMS素子を集積回路基板に搭載したときと同じ状態となるからである。擬似検査用素子62Dの稜線が第1及び第2の検査用接続部62A,62Bの稜線と直交するよう、擬似検査用接続部62Dが基体62Cに突出して設けられている。この擬似検査用接続部62Dは絶縁物でなることが好ましいが、導電性素材でも第1の検査用接続部62A,第2の検査用接続部62Bから所定の距離を有しかつ電気的に絶縁されていればよい。第1及び第2の検査用接続部62A,62Bは擬似検査用接続部62Dの存在により水平を保って集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに接触する。
As shown in FIG. 20C, when the ridge lines of the first
図20(D)に示すように、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの各稜線が同一線L上に配置されている場合には、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの間でそれらの配置中心線、つまり2つの稜線をつなぐ延長線から基体62Cの何れか一方に少し寄ってダミーの擬似検査用接続部62Dを設ける。この擬似検査用接続部62Dは第1及び第2の検査用接続部62A,62Bと同じ寸法であり、その稜線が第1及び第2の検査用接続部62A,62Bの稜線と平行になるよう、擬似検査用接続部62Dが基体62Cに取り付けられている。この擬似検査用接続部62Dは絶縁物でなることが好ましいが、導電性素材でも第1の検査用接続部62A,第2の検査用接続部62Bから所定の距離を有しかつ電気的に絶縁されていればよい。第1及び第2の検査用接続部62A,62Bは擬似検査用接続部62Dの存在により水平を保って集積回路基板110の電極パッド111A,111Bに接触する。
As shown in FIG. 20D, when the ridge lines of the first
ここで、図20(A)乃至(D)に示す変形例は何れも検査用素子12が2端子である場合を想定しているが、別に検査用素子12が3端子などの多端子であってもよい。この場合には、例えば図20(E)に示すように、図20(D)と同じ位置に第3の検査用接続部62Eを設ければよい。図20(A)乃至(C)の擬似検査用接続部62Dの位置に第3の検査用接続部を設けてもよい。
Here, in all of the modifications shown in FIGS. 20A to 20D, it is assumed that the
検査用素子12が2端子である場合であっても、図20(A)乃至(D)に示す変形例ように擬似検査用接続部62Dは1つでなくても2つ以上設けてもよい。例えば図20(F)に示すように、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの各稜線が同一線L上に配置されている場合には、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの間でそれらの配置中心線、つまり稜線の延長線から基体62Cの何れか一方に少し寄ってダミーの第1の擬似検査用接続部62Dを設け、第1の検査用接続部62Aと第2の検査用接続部62Bとの間でそれらの配置中心線、つまり稜線の延長線から基体62Cの何れか他方に少し寄ってダミーの第2の擬似検査用接続部62Fを設けてもよい。第1の擬似検査用接続部62Dは第1及び第2の検査用接続部62A,62Bと同じ寸法であるが、第2の擬似検査用接続部62Fは第1及び第2の検査用接続部62A,62Bよりも基体62Cからの高さを低くする。これより、第1及び第2の検査用接続部62A,62Bは第1の擬似検査用接続部62Dの存在だけで、水平を保って集積回路基板110の電極パッド111A,111Bと接触する。なお、第1及び第2の擬似検査用接続部62D,62Fは、その稜線が第1及び第2の検査用接続部62A,62Bの稜線と平行になるよう基体62Cに取り付けられている。第1及び第2擬似検査用接続部62D,62Fは絶縁物でなることが好ましいが、導電性素材でも電気的に絶縁されていればよい。
Even if the
図21は、検査用素子と集積回路基板との関係を説明するための模式図であり、(A)はMEMS素子の平面図、(B)は正面図、(C)は具体的な第1の例における検査用素子と集積回路基板との関係を示し、(D)は具体的な第2の例における検査用素子と集積回路基板との関係を示す図である。MEMS素子91が、図21(A)及び(B)に示すように樹脂などの絶縁体91Dと、絶縁体91Dの高さ方向に伸びる第1の電極部91A及び第2の電極部91Bと、第1の電極部91Aと第2の電極部91Bとの間に設けられる受動素子91Cとしてのコイルとで構成されているとする。ここで、コイル91Cは絶縁体91Dの高さ方向に並行に軸を備えており、受動素子91Cとしてのコイルにおいて絶縁体91Dの底面寄りの部位と絶縁体91Dとの間の距離をh1とする。
FIG. 21 is a schematic diagram for explaining the relationship between the testing element and the integrated circuit substrate, where (A) is a plan view of the MEMS element, (B) is a front view, and (C) is a specific first view. The relationship between the testing element and the integrated circuit board in the example of FIG. 7 is shown, and (D) is a diagram showing the relationship between the testing element and the integrated circuit board in the specific second example. As shown in FIGS. 21A and 21B, the
検査用素子としては二つの場合が考えられる。一つは図21(C)に示すように、検査用素子92は、MEMS素子91と同じく、絶縁体92Dと第1の電極部92Aと第2の電極部92Bと受動素子92Cとで構成されるとしても、第1の電極部92Aの先端部92E、第2の電極部92Bの先端部92Fは、図示するように、絶縁体92Dの底面、即ち、集積回路基板110との対向面から突出しており、先端部92E,92Fがそれぞれ電極パッド111A,111Bに当接する。この場合、先端部92E,91Fと受動素子92Cの高さは、図21(B)に示す高さh1に等しくする。受動素子92Cとしてのコイルと集積回路基板110との距離が変わらないため、検査用素子92と集積回路基板110との間の浮遊容量が高さh1に起因して異ならない。しかし、第1の電極部92A,第2の電極部92Bの各先端部92E,92Fが絶縁体92Dにおける集積回路基板110の対向面から突出しているので、各先端部92E,92Fの周りの誘電率などが変わる。そのため、図21(C)に示すように、第1の電極部92A、第2の電極部92Bの先端部92E,92Fが電極パッド111A,111Bに当接している状態において、絶縁体92Dの底面と集積回路基板110表面の距離Δhsが、距離h1の1/10以下となるよう、絶縁体92の寸法を設定する。これにより、MEMS素子91と検査用素子92とが電気的に等価とみなせる。
There are two possible cases for the inspection element. As shown in FIG. 21C, the
検査用素子の二つ目としては、図21(D)に示すように、検査用素子93は、同じく、絶縁体93Dと第1の電極部93Aと第2の電極部93Bと受動素子93Cとで構成されるとしても、第1の電極部93Aの先端部93E、第2の電極部93Bの先端部93Fは、図示するように、絶縁体93Dの底面、即ち、集積回路基板110の対向面から突出しており、先端部93E,93Fがそれぞれ電極パッド111A,111Bに当接する。この場合、絶縁体93Dの底面と受動素子93Cのコイルの下端部位、即ち、絶縁体93Dにおける集積回路基板110との対向面から受動素子93Cの対向面寄りの部位までの高さを、図21(A)に示す高さh1に等しくする。すると、検査用素子93を集積回路基板110に搭載した場合、MEMS素子91を集積回路基板110に搭載した場合と比べて、受動素子93Cとしてのコイルの位置は先端部93E,93Fの突出高さ分だけ高くなる。よって、検査用素子93を集積回路基板110に搭載した場合における検査用素子93と集積回路基板110との間で生じる浮遊容量は、MEMS素子91を集積回路基板110に搭載した場合と比べて異なり、変化する。そのため、図21(D)に示すように、第1の電極部93A、第2の電極部93Bのそれぞれが、絶縁体93Dの底面から突出している長さΔhLが、距離h1の1/10以下となるよう、先端部93E,93Fの寸法を設定する。これにより、MEMS素子91と検査用素子92とが電気的に等価とみなせる。
As the second inspection element, as shown in FIG. 21D, the
図22は、検査用素子97と押圧手段95との関係を説明するための模式図である。図22では、押圧手段95は図10に示す押圧手段73を想定して示している。検査用素子97は、図21を参照しながら説明したように、第1の検査用接続部97Aと第2の検査用接続部97Bとの間に受動素子97Cとしてのコイルが設けられて構成されており、受動素子97C全体と第1及び第2の検査用接続部97A,97Bの先端部を除いた部分とが樹脂などの絶縁体97Dで覆われている。ここで、受動素子97としてのコイルは、押圧手段95の平板に直交するよう中心軸を有している。このような検査用素子97を片持ち式の押圧手段95に絶縁性の接着層96で取り付けられている場合、受動素子97Cにおける押圧手段95寄りの部位と押圧手段95との距離d2を、受動素子97Cとしてのコイルによる磁界の影響を受けない領域となるよう設定する。
FIG. 22 is a schematic diagram for explaining the relationship between the
図21,図22を参照して説明したように、検査用素子92における第1及び第2の検査用先端部92E,92Fの高さΔhs、検査用素子93における第1及び第2の検査用先端部93E,93Fの高さΔhL、検査用素子97内の受動素子97Cと押圧手段95との距離d2とを、それぞれ所定の範囲とすることにより、検査用素子が集積回路基板の集積回路で構成する回路網と、MEMS素子が集積回路基板の集積回路で構成する回路網と、が等価回路的に同一となるようにすることができる。よって、このように設計された集積回路基板用装置によれば、正確に、集積回路基板が所定の仕様通りの性能を有するかを確認することができる。
As described with reference to FIGS. 21 and 22, the heights Δhs of the first and
以上述べたように、本発明によれば、簡単な構成により、集積回路が配設された集積回路基板にMEMS素子を搭載する前に、集積回路基板を正しく検査することができる。 As described above, according to the present invention, the integrated circuit board can be correctly inspected with a simple configuration before the MEMS element is mounted on the integrated circuit board on which the integrated circuit is provided.
10,20,30,40,50,60,70:集積回路基板用検査装置
11,51:ステージ
12,17,33,42,52,62,72,82:検査用素子
12A,12B,32A,32B,52A,52B,62A,62B,62E,72A,72B:検査用接続部
12C,62C:基体
12D,83a:受動素子
12E,12F:先端部
13,43,53,57,63:支持部材
14,54,58,64:弾性部材
73,77:押圧手段
15,65,75:支持部(可動式支持部)
16:押圧手段
32,44:検査用素子本体部
34:パッケージ
34A:支持部
34B:上部
34C:側壁部
34D:凹陥部
34E:接続用端子
56:56A,56B,56C,76:プローブ
59:検査用回路
59A:電源部
59B:測定部
59C,59D,59E:配線
62D,62F:擬似検査用接続部
75a:窪み
75b,75c:支持部の下面
76A:プローブ76を支持する手段
77a,77b,77c,77d,86a,87a,87b:接着層
81:半導体基板
81a:エッチピット
82:レジスト
82:検査用素子
82a:輪郭
82b:型
83a:受動素子
83b,85b:貫通配線
84:受動素子及び貫通配線埋め込み基板
85:絶縁体
85a,85d,86:絶縁基板
85c:貫通配線の先端部
85c,85e,86b:金属配線
86c:配線先端部
91:MEMS素子
91A,92A,93A,97A:第1の電極部
91B,92B,93B,97B:第2の電極部
91C,92C,93C,97C:受動素子
91D,92D,93D:絶縁体
92E,93E:第1の電極部の先端部
92F,93F:第2の電極部の先端部
92,93,97:検査用素子
95:押圧手段
96:接着層
100:機能デバイス
110:集積回路基板
111A,111B,111F:電極パッド
111C:配線・素子
111D:最表面層
111G,111H:駆動電極用パッド(電極パッド)
111I:検査用電極パッド(電極パッド)
113:最表面層
10, 20, 30, 40, 50, 60, 70: Integrated circuit
16: Pressing means 32, 44: Inspection element body 34: Package 34A: Support 34B: Upper part 34C: Side wall 34D: Recess 34E: Connection terminal 56: 56A, 56B, 56C, 76: Probe 59: Inspection Circuit 59A: Power supply section 59B: Measurement sections 59C, 59D, 59E: Wiring 62D, 62F: Simulated inspection connection section 75a: Depression 75b, 75c: Lower surface 76A of support section: Means 77a, 77b, 77c for supporting probe 76 , 77d, 86a, 87a, 87b: adhesive layer 81: semiconductor substrate 81a: etch pit 82: resist 82: inspection element 82a: contour 82b: mold 83a: passive elements 83b, 85b: through wiring 84: passive element and through wiring Embedded substrate 85: insulators 85a, 85d, 86: insulating substrate 85c: leading end portions 85c, 85e, 86 of the through wiring : Metal wiring 86c: wiring tip 91: MEMS elements 91A, 92A, 93A, 97A: first electrode parts 91B, 92B, 93B, 97B: second electrode parts 91C, 92C, 93C, 97C: passive elements 91D, 92D, 93D: insulators 92E, 93E: tips 92F, 93F of the first electrode part: tips 92, 93, 97 of the second electrode part 95: testing element 95: pressing means 96: adhesive layer 100: function Device 110: Integrated circuit boards 111A, 111B, 111F: Electrode pad 111C: Wiring / element 111D: Outermost surface layer 111G, 111H: Drive electrode pad (electrode pad)
111I: Inspection electrode pad (electrode pad)
113: Outermost surface layer
Claims (15)
前記検査用素子と前記集積回路基板を接続して形成される回路と、前記MEMS素子を前記集積回路基板に搭載して形成される回路とが、等価回路として同一となるよう、前記検査用素子を構成し、
前記検査用素子は、前記MEMS素子のパッケージと同一構造で且つ電気配線が形成されたパッケージを有し、該パッケージの前記集積回路基板との当接面には尖り部が突出して形成されており、該尖り部は、前記検査用素子と前記集積回路基板とを接続する際に、該集積回路基板に形成された電極パッドのうち、前記検査用接続部が当接する電極パッドとは別の電極パッドに当接するよう構成され、
さらに、前記押圧手段により前記検査用接続部を前記電極パッドに押圧したとき、前記検査用接続部が変形しないよう、該検査用接続部は剛性を有するとともに前記押圧手段は弾性を有することを特徴とする、集積回路基板用検査装置。 A test element used for inspecting an integrated circuit board on which a MEMS element having a package is to be mounted, and a test element having a plurality of test connection parts, and a pressure for pressing the test connection parts to the electrode pads of the integrated circuit board An integrated circuit board evaluation apparatus comprising:
The inspection element so that the circuit formed by connecting the inspection element and the integrated circuit board and the circuit formed by mounting the MEMS element on the integrated circuit board are the same as an equivalent circuit. Configure
The inspection element has a package having the same structure as that of the MEMS element package and an electrical wiring formed, and a pointed portion protrudes from a contact surface of the package with the integrated circuit substrate. The pointed portion is an electrode different from the electrode pad with which the inspection connecting portion abuts among the electrode pads formed on the integrated circuit substrate when the inspection element and the integrated circuit substrate are connected to each other. Configured to abut the pad,
Further, when pressing the test connection to the electrode pad by the pressing means, so that the test connection is not deformed, characterized in that said pressing means having elastic with the test connection is rigid An integrated circuit board inspection apparatus.
前記検査用素子と前記集積回路基板を接続して形成される回路と、前記MEMS素子を前記集積回路基板に搭載して形成される回路とが、等価回路として同一となるよう、前記検査用素子を構成し、前記押圧手段により前記検査用接続部を前記電極パッドに押圧したとき、前記検査用接続部が変形しないよう該検査用接続部は剛性を有するとともに、前記押圧手段は弾性を有し、The inspection element so that the circuit formed by connecting the inspection element and the integrated circuit board and the circuit formed by mounting the MEMS element on the integrated circuit board are the same as an equivalent circuit. The inspection connecting portion has rigidity and the pressing means has elasticity so that the inspection connecting portion is not deformed when the inspection connecting portion is pressed against the electrode pad by the pressing means. ,
さらに、前記検査用素子には、前記MEMS素子の回路素子と同一の素子を保持する絶縁体が設けられると共に、該絶縁体の前記集積回路基板との対向面から突出して疑似検査用接続部及び前記複数の検査用接続部が設けられ、前記押圧手段が前記検査用接続部を前記電極パッドに押圧する際に、前記疑似検査用接続部により前記検査用素子を水平に保って前記検査用接続部を前記電極パッドに接触させることを特徴とする、集積回路基板用検査装置。Further, the inspection element is provided with an insulator that holds the same element as the circuit element of the MEMS element, and protrudes from a surface of the insulator facing the integrated circuit substrate, and a pseudo inspection connection portion and The plurality of inspection connection portions are provided, and when the pressing means presses the inspection connection portion against the electrode pad, the inspection connection is held horizontally by the pseudo inspection connection portion. An inspection apparatus for an integrated circuit board, wherein the part is brought into contact with the electrode pad.
前記検査用接続部の稜線が前記押圧手段の長手方向に垂直となるように前記検査用接続部が配置されており、前記押圧手段が前記検査用接続部を前記電極パッドに押圧することにより、前記検査用接続部の稜線が前記電極パッドに線接触することを特徴とする、請求項2に記載の集積回路基板用検査装置。The inspection connecting portion is arranged so that the ridge line of the inspection connecting portion is perpendicular to the longitudinal direction of the pressing means, and the pressing means presses the inspection connecting portion against the electrode pad, The integrated circuit board inspection apparatus according to claim 2, wherein a ridge line of the inspection connection portion is in line contact with the electrode pad.
前記検査用素子が前記集積回路基板に接続されて前記集積回路基板における集積回路と高周波回路を形成することを特徴とする、請求項1又は2に記載の集積回路基板用検査装置。 The inspection element includes an element of the passive element and the same structure as the circuit elements of the MEMS device,
The integrated circuit board inspection apparatus according to claim 1, wherein the inspection element is connected to the integrated circuit board to form an integrated circuit and a high-frequency circuit in the integrated circuit board.
前記支持手段は、前記検査用素子が前記集積回路基板に押圧されている状態で前記検査用素子と該集積回路基板における集積回路とで形成される回路網の特性への影響を無視できる程度に、前記検査用素子中の導通部を前記弾性手段から離隔していることを特徴とする、請求項1又は2に記載の集積回路基板用検査装置。 The pressing means includes an insulating support means and a non-insulating elastic means, and the inspection element is attached to the support means,
The support means is capable of ignoring an influence on characteristics of a circuit network formed by the inspection element and the integrated circuit on the integrated circuit substrate in a state where the inspection element is pressed against the integrated circuit substrate. , wherein the spaced apart a conductive portion in said test device from the resilient means, the integrated circuit board inspection apparatus according to claim 1 or 2.
前記弾性手段は、当該コイル素子で生じる磁場の最大強度の1/10以下に減衰する領域に設けられていることを特徴とする、請求項7に記載の集積回路基板用検査装置。 The inspection element includes a coil element as the passive element,
8. The integrated circuit board inspection apparatus according to claim 7 , wherein the elastic means is provided in a region that attenuates to 1/10 or less of the maximum intensity of the magnetic field generated by the coil element.
前記検査用素子が前記電極パッドに押圧されている状態で、前記絶縁体の前記集積回路基板との対向面から前記検査用接続部が突出している高さが、前記絶縁体内の前記コイル素子の最も前記集積回路基板側に近い部位と該集積回路基板までの距離の1/10以下であるとともに、
前記距離が、前記MEMS素子における絶縁体の前記集積回路基板との対向面から前記MEMS素子における回路素子の最も該対向面寄りの部位からの寸法に等しいことを特徴とする、請求項11に記載の集積回路基板用検査装置。 The passive element in the inspection element is a coil element,
In a state in which the inspection device is pressed against the electrode pad, a height where the integrated circuit and the test connection from the surface facing the substrate of the insulator is protruded it is of the coil element of the insulating body 1/10 or less of the distance from the part closest to the integrated circuit board side to the integrated circuit board,
Said distance, characterized in that equal from the surface facing the said integrated circuit substrate of the insulator in the MEMS device to the dimensions of the site of most the opposing surface side of the circuit elements in the MEMS device, according to claim 11 Inspection equipment for integrated circuit boards.
前記検査用素子が前記電極パッドに押圧されている状態で、前記絶縁体の前記集積回路基板との対向面から前記検査用接続部が突出している高さが、前記絶縁体内の前記コイル素子の最も前記集積回路基板側に近い部位と前記絶縁体の対向面との距離の1/10以下であるとともに、
前記距離が、前記MEMS素子における絶縁体の前記集積回路基板との対向面から前記MEMS素子における回路素子の最も該対向面寄りの部位からの寸法に等しいことを特徴とする、請求項11に記載の集積回路基板用検査装置。 The passive element of the inspection element is a coil element,
In a state in which the inspection device is pressed against the electrode pad, a height where the integrated circuit and the test connection from the surface facing the substrate of the insulator is protruded it is of the coil element of the insulating body And 1/10 or less of the distance between the portion closest to the integrated circuit substrate side and the opposing surface of the insulator,
Said distance, characterized in that equal from the surface facing the said integrated circuit substrate of the insulator in the MEMS device to the dimensions of the site of most the opposing surface side of the circuit elements in the MEMS device, according to claim 11 Inspection equipment for integrated circuit boards.
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