JP5494635B2

JP5494635B2 - 配線基板の製造方法

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Description

本発明は、エアロゾルの衝突により形成される導電材料を含む配線基板の製造方法に関する。

例えば、半導体チップなどの実装部品を実装するための配線基板は、様々な構造を有するものが提案されていた。また、実装部品（半導体チップ）の高集積化・微細化に伴い、これらを実装する配線基板の配線構造も微細化・多層化が要求されていた。

このため、配線構造の微細化や多層化が容易であるビルドアップ基板が広く用いられるようになってきている。ビルドアップ基板とは、いわゆるビルドアップ法により製造される基板であり、例えばエポキシ系の樹脂材料よりなる絶縁層を積層して構成する方法である。また、上記の積層される絶縁層には、それぞれパターン配線やビアプラグなどの配線構造が形成される。

また、絶縁層にパターン配線やビアプラグなどの配線構造を形成する方法としては、例えばメッキ法が用いられる場合がある。また、メッキ法には大別して電解メッキ法と無電解メッキ法があるが、例えば、絶縁材料上に電解メッキを行う場合には、電解メッキのシード層を形成する場合がある。例えば、上記のシード層を形成する方法として、無電解メッキ法が用いられることが一般的であった（例えば特許文献１参照）。

特開２００６−２５３１８９号公報

しかし、無電解メッキ行うためには、様々な前処理が必要となるため、配線基板の製造工程が煩雑となり、配線基板の製造コストが増大してしまう問題が生じていた。

例えば、無電解メッキを行うためには、まず無電解メッキの成膜対象となる絶縁層の表面を粗化する。上記の粗化処理は、デスミア処理と呼ばれる場合がり、絶縁層を薬液で処理することにより、絶縁層の表面状態を荒らして無電解メッキを施しやすくする表面処理である。また、上記の粗化処理後は、粗化処理した表面上にパラジウム触媒を塗布し、表面の活性化を行う。

上記の粗化処理と活性化処理の後、絶縁層を無電解めっき浴に浸すことにより、無電解メッキ膜を形成することができる。

上記の無電解メッキの前処理は工程が複雑である上に、粗化のための薬液や触媒が必要となり、配線基板の製造コストが増大する問題を有していた。

そこで、本発明は上記の問題を解決した、新規で有用な配線基板の製造方法を提供することを統括的課題としている。

本発明の具体的な課題は、配線構造の形成が容易であり、製造工程が単純である配線基板の製造方法を提供することである。

本発明の第１の観点では、上記の課題を、導電層上にマスクパターンを形成する工程と、前記マスクパターンの開口部に、高純度酸素ガスをキャリアガスとし、原料容器内で予め加熱と真空脱気を行った金属粉末を含むエアロゾルを処理容器内で加速し、前記エアロゾルの衝突によって前記金属粉末を塑性変形させて、前記金属粉末による導電材料よりなる突起構造体を形成する工程と、前記突起構造体が形成された前記導電層上を絶縁層で覆い、該導電層、該突起構造体および該絶縁層を含む貼り付け構造体を形成する工程と、前記貼り付け構造体を基板に貼り付ける工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法により、解決する。

本発明によれば、配線構造の形成が容易であり、製造工程が単純である配線基板の製造方法を提供することが可能となる。

エアロゾルを用いた成膜を行う成膜装置の一例を示した図である。実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その１）である。実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その２）である。実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その３）である。実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その４）である。実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その５）である。実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その６）である。実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その７）である。実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その８）である。実施例１による配線基板の製造方法を示す図（その９）である。実施例１の変形例を示す図である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その１）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その２）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その３）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その４）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その５）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その６）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その７）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その８）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その９）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その１０）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その１１）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その１２）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その１３）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その１４）である。実施例２による配線基板の製造方法を示す図（その１５）である。

本発明による配線基板の製造方法では、エアロゾルの衝突による成膜を用いて、配線基板の配線構造（パターン配線、ビアプラグなど）を形成することを特徴としている。

エアロゾルとは、気体中に浮遊する微小な粒子（微粒子）のことをいう。例えば、微粒子を所定のガス中に分散させ、微粒子が分散されたガスを搬送して成膜対象（例えば基板や基板上の絶縁層など）に衝突させることにより、成膜対象に上記の微粒子の集合体よりなる膜を形成することができる。このような成膜方法をエアロゾルデポジション（ＡＳＤ）と呼ぶ場合がある。エアロゾルデポジションでは、粒子が音速レベルに加速されて成膜対象に衝突する。このために、粒子自身が塑性変形するとともに、成膜対象に対してはアンカー（くさび）が打ち込まれるように粒子が変形する。

このため、エアロゾルの衝突による成膜では、形成される膜と成膜対象との間の密着性が良好となる効果を奏する。また、成膜温度は室温程度でよいため、加熱に弱い材料や構造に対しても熱による衝撃を抑制して成膜を行うことが可能である。

例えば、従来の無電解メッキによる成膜に換えて上記のエアロゾルの衝突による成膜を用いることにより、配線基板の製造の効率を良好として、製造コストを抑制することが可能となる。

例えば、配線基板のパターン配線を形成する場合には、まず、基板上にエアロゾルの衝突によって導電層を形成し、前記導電層をエッチングによりパターニングして当該導電層を含む前記パターン配線を形成すればよい。

また、エアロゾルの衝突による成膜の後に、上記の導電層をシード層として該導電層上に電解メッキにより上層導電層を形成し、前記上層導電層と前記導電層をエッチングによりパターニングしてパターン配線を形成してもよい（実施例１で後述）。

上記の方法によれば、従来の無電解メッキによるシード層の形成工程を省略することが可能となるため、粗化処理や活性化処理などの無電解メッキの前処理工程が不要となる。このため、配線基板の配線構造の形成が容易となり、配線基板の製造工程が単純となって製造の効率が良好となる効果を奏する。

また、上記のエアロゾルの衝突による成膜によって、ビアプラグを形成してもよい。例えば、導電層上にマスクパターンを形成し、該マスクパターンの開口部に、エアロゾルを衝突されることによって、導電材料よりなる突起構造体（ビアプラグ）を形成することができる。また、形成されたビアプラグ（突起構造体）を絶縁層で覆い、基板に貼り付けることで配線基板を形成することができる（実施例２で後述）。

また、無電解メッキを用いずにビアプラグを形成する方法としては、マスクパターンの開口部に、金属粉末と樹脂の混合体（導電性ペースト）を用いて突起構造体（Ｂ２ｉｔ）を形成する方法が提案されていた。しかし、導電性ペーストは、抵抗値の大きい実質的な絶縁材料と導電材料とが混合されたものであるため、ビアプラグの電気的な抵抗値が大きくなってしまう問題があった。

一方で、上記のエアロゾルの衝突による成膜によって、ビアプラグを形成する場合には、ビアプラグを実質的に金属材料のみ（例えばＣｕ）で形成することが可能となる。このため、ビアプラグの形成が容易となることに加えて、ビアプラグの抵抗値を低くすることが可能となる。

次に、上記のエアロゾルによる成膜を行うための成膜装置について説明する。図１は、エアロゾル絶縁層を形成するための成膜装置を模式的に示した図である。図１を参照するに、本図に示す成膜装置５００は、処理容器（成膜室）５０１と、処理容器５０１内に設置された、成膜が行われる被処理基板Ｓを保持する保持台５０２とを有している。また、処理容器５０１内は、ポンプなどの排気手段５１２によって排気ライン５１１から真空排気され、減圧状態とすることが可能になっている。

また、成膜の原料となる、例えばＣｕよりなる粉末（微粒子）Ｐが内部に保持される原料容器５０８は、振動機５０９に設置されている。振動機５０９は、原料容器５０８に振動（超音波）を加えるとともに加熱手段（図示せず）によって加熱することが可能となるように構成されている。

原料容器５０８には、内部を減圧状態とするための排気ライン５０６と、内部に酸素などのキャリアガスを導入するためのガスライン５０７が接続されている。ガスライン５０７にはガスタンク５１３が接続され、バルブ５１０を開放することで、キャリアガスが原料容器５０８内に導入される。

また、処理容器５０１内には、エアロゾルを噴射するためのノズル５０４が設置され、ノズル５０４には供給ライン５０５を介して原料容器５０８からエアロゾルが供給される構造になっている。

上記の成膜装置５００によって成膜を行う場合には、まず、原料容器５０８内の粉末Ｐに対して、振動機５０９によって振動（超音波）を加えて加熱することで粉末表面に付着した水分などを除去する。

次に、原料容器５０８に、ガスライン５０７からキャリアガスを導入して粉末Ｐをエアロゾル化する。エアロゾル化された粉末Ｐは、供給ライン５０５を介してノズル５０４から処理容器５０１内の基板Ｓ上に噴射され、成膜が行われる。また、成膜にあたって処理容器５０１内は排気ライン５１１から真空排気が行われて減圧状態とされていることが好ましい。

次に、上記のエアロゾルによる成膜を用いた配線基板の製造方法の具体的な例を図面に基づき、説明する。

まず、配線基板のパターン配線を形成する場合にエアロゾルによる成膜を適用した配線基板の製造方法について、図２Ａ〜図２Ｉに基づき、説明する。なお、以下の図では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある（以下の実施例についても同様）。

まず、図２Ａに示す工程において、例えば樹脂材料よりなる基板１０１の両面に形成された金属層（例えばＣｕ箔）をエッチングによりパターニングする。この結果、基板１０１の第１の主面（上側）にパターン配線１０２Ａが、当該第１の主面の反対側の第２の主面（下側）にパターン配線１０２Ｂが形成される。

次に、図２Ｂに示す工程において、パターン配線１０２Ａを覆うように基板１０１上に絶縁層１０３Ａを形成する。絶縁層１０３Ａは、例えばエポキシ系の樹脂材料よりなる。絶縁層１０３Ａは、例えば、樹脂フィルムの真空ラミネートや、液状樹脂の塗布により形成することができる。

次に、図２Ｃに示す工程において、絶縁層１０３Ａに例えばレーザにより、もしくはマスクパターンを用いたパターンエッチングによりビアホールを形成し、当該ビアホールを埋設するようにビアプラグ１０４Ａを形成する。ビアプラグ１０４Ａは、例えばメッキにより形成することができる。

次に、図２Ｄ〜図２Ｅに示す工程において、絶縁層１０３Ａ上と、絶縁層１０３Ａに埋設されたビアプラグ１０４Ａ上に、図１で示した成膜装置５００を用いてエアロゾルの衝突により、導電層１０５ａを形成した。

上記の成膜にあたっては、先に図１で示した成膜装置５００を用いて以下のようにして行った。以下図１を参照しながら説明する。

まず、原料容器５０８内に平均粒径１．５μｍのＣｕよりなる粉末Ｐを充填し、さらに原料容器５０８に対して、振動機５０９によって振動（超音波）を加えて約８０℃に加熱することで真空脱気して、粉末表面に付着した水分などを除去した。

次に、原料容器５０８に、ガスライン５０７からキャリアガスとして高純度酸素ガス（ガス圧２ｋｇ／ｃｍ２，ガス流量４Ｌ／ｍｉｎ）を導入して粉末Ｐをエアロゾル化した。また、処理容器５０１内を排気ライン５１１から排気手段５１２によって排気し、圧力が１０Ｐａ以下とした。ここで、エアロゾル化された粉末Ｐを、供給ライン５０５を介してノズル５０４から減圧された処理容器５０１内の基板上に噴射し、導電層１０５ａの成膜を行った。上記の成膜時の処理容器５０１内の圧力は、２００Ｐａのほぼ一定に保持された。

次に、図２Ｆに示す工程において、先に形成した導電層１０５ａをシード層（電解メッキ時の給電層）として、導電層１０５ａ上に電解メッキにより、Ｃｕよりなる導電層（上層導電層）１０６ａを形成する。ここで、導電層１０５ａと導電層１０６ａが積層されてなる導電層１０７ａが形成される。

次に、図２Ｇに示す工程において、導電層１０７ａ上に、フォトリソグラフィ法によりパターニングされたフォトレジストよりなるマスクパターン（図示せず）を形成し、当該マスクパターンをマスクにしたエッチングにより、導電層１０７ａ（導電層１０６ａ、導電層１０５ａ）をパターンエッチングする。この結果、パターン配線１０５Ａとパターン配線１０６Ａが積層されてなるパターン配線１０７Ａが形成される。

なお、上記の図２Ｆ〜図２Ｇに示した工程において、電解メッキによって形成した導電層１０６ａに相当する部分をエアロゾルの衝突による成膜により形成してもよい。すなわち、導電層１０５ａの厚さを厚くすることにより、上記の導電層１０７ａに相当する厚さを形成してもよい。

次に、図２Ｈに示す工程において、図２Ｂ〜図２Ｇに示した工程と同様の工程を繰り返し、パターン配線１０７Ａを覆う絶縁層１０８Ａ，パターン配線１０７Ａに接続されるビアプラグ１０９Ａ，さらにビアプラグ１０９Ａに接続されるパターン配線１１２Ａ（パターン配線１１０Ａ，１１１Ａ）を形成する。この場合、絶縁層１０８Ａ，ビアプラグ１０９Ａ，パターン配線１１２Ａ（パターン配線１１０Ａ，１１１Ａ）は、図２Ｂ〜図２Ｇの工程における、絶縁層１０３Ａ，ビアプラグ１０４Ａ，パターン配線１０７Ａ（パターン配線１０５Ａ，１０６Ａ）と同様にして形成することができる。

さらに、絶縁層１０８Ａ上に、エポキシ系の樹脂材料を主成分とするソルダーレジストよりなる絶縁層１１３Ａを形成する。また、絶縁層１１３Ａには開口部１１３ａを形成し、開口部１１３ａからは、パターン配線（電極パッド）１１２Ａの一部が露出するようにする。このようにして、基板１０１の第１の主面側（上側）に多層配線構造を形成し、配線基板を製造することができる。

また、図２Ｉに示すように、基板１０１の下側（第２の主面側）にも、基板１０１の上側と同様に多層配線構造を形成してもよい。この場合、絶縁層１０３Ｂ，１０８Ｂ，１１３Ｂ，ビアプラグ１０４Ｂ，１０９Ｂ，パターン配線１０７Ｂ（パターン配線１０５Ｂ，１０６Ｂ），パターン配線１１２Ｂ（パターン配線１１０Ｂ，１１１Ｂ）は、それぞれ、絶縁層１０３Ａ，１０８Ａ，１１３Ａ，ビアプラグ１０４Ａ，１０９Ａ，パターン配線１０７Ａ（パターン配線１０５Ａ，１０６Ａ），パターン配線１１２Ａ（パターン配線１１０Ａ，１１１Ａ）と同様にして形成することが可能である。

また、パターン配線（電極パッド）１１２Ａに接続されるように、例えば半導体チップよりなる実装部品１２０を実装してもよい。また、実装部品１２０は、例えば半田バンプなどの接続部１２１によってパターン配線１１２Ａにフリップチップ接続される。また、パターン配線（電極パッド）１１２Ｂには、マザーボードなどの接続対象に接続が容易となるように、半田バンプなどの接続部を形成してもよい。

このようにして、基板１０１の両面に多層配線構造が形成されるとともに、実装部品が実装されてなる配線基板１００を製造することができる。

上記の製造方法によれば、パターン配線１０７Ａ，１０７Ｂ，１１２Ａ，１１２Ｂを形成する場合に、無電解メッキに換えて（または無電解メッキと電解メッキの組み合わせに換えて）、エアロゾルの衝突による成膜を用いていることが特徴である。このため、無電解メッキを行うための前処理である、粗化処理や表面の活性化処理が不要となり、配線基板の配線構造の形成が容易となり、配線基板の製造工程が単純となって製造の効率が良好となる効果を奏する。

上記の効果について、パターン配線１０７Ａに相当する構造を図２Ｄ〜図２Ｇに示した方法（本実施例）により形成した場合に要した時間と、パターン配線１０７Ａに相当する構造を無電解メッキと電解メッキによる方法（従来例）により形成した場合に要した時間とを実測して比較した。上記の結果、本実施例による方法では、従来例の場合の約６０％の時間でパターン配線１０７Ａに相当する構造を形成することが可能であることが確認された。

また、上記の本実施例によるパターン配線１０７Ａに相当する構造と、上記の従来例によるパターン配線１０７Ａに相当する構造との抵抗を測定したところ、本実施例、従来例ともに、１．８μΩ・ｃｍであることが確認された。

また、上記の実施例では、エアロゾルによる成膜を用いて、いわゆるサブトラ法によりパターン配線を形成する方法を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、以下の図３に示すように、セミアディティブ法によってパターン配線を形成してもよい。

図３は、セミアディティブ法によってパターン配線１０７Ａを形成する方法を示した図である。セミアディティブ法によってパターン配線を形成する場合には、まず先に説明した図２Ａ〜図２Ｅに示した工程を実施する。次に、図３に示すように、例えばフォトリソグラフィ法によりパターニングされたレジストよりなるマスクパターン（図示せず）をマスクにしてＣｕの電解メッキ（パターンメッキ）を行う。この結果、導電層１０５ａ上に、パターニングされたパターン配線１０６Ａが形成される。上記の電解メッキの後に当該マスクパターンを剥離し、さらにマスクパターンの剥離によって露出した導電層（シード層）１０５ａをエッチングにより除去することにより、図２Ｇに示した構造を形成することができる。以下は、図２Ｈ以下の工程と同様の工程を実施することで、配線基板を製造することができる。このように、パターン配線は様々な方法で形成することが可能である。

次に、配線基板のビアプラグを形成する場合にエアロゾルによる成膜を適用した配線基板の製造方法について、図４Ａ〜図４Ｏに基づき、説明する。

まず、図４Ａ〜図４Ｂに示す工程において、例えばＣｕなどの導電材料よりなる導電層（銅箔）２０１ａ上に、複数の開口部２０２ａを有する、樹脂材料よりなるマスクパターン２０２Ａを形成する。マスクパターン２０２Ａは、例えば樹脂材料よりなる層にレーザにより開口部２０２ａを形成することで構成することができる。また、フォトレジスト層をフォトリソグラフィ法によりパターニングすることでマスクパターン２０２Ａを形成してもよい。

次に、図４Ｃ〜図４Ｄに示す工程において、複数の開口部２０２ａから露出した導電層２０１ａ上に、図１で示した成膜装置５００を用いてエアロゾルの衝突により、突起構造体（ビアプラグ）２０３Ａをそれぞれ形成した。例えば、突起構造体２０３Ａは、先端部が尖った略円錐状（コーン状）に形成される。

次に、原料容器５０８に、ガスライン５０７からキャリアガスとして高純度酸素ガス（ガス圧２ｋｇ／ｃｍ２，ガス流量４Ｌ／ｍｉｎ）を導入して粉末Ｐをエアロゾル化した。また、処理容器５０１内を排気ライン５１１から排気手段５１２によって排気し、圧力が１０Ｐａ以下とした。ここで、エアロゾル化された粉末Ｐを、供給ライン５０５を介してノズル５０４から減圧された処理容器５０１内の導電層２０１ａ上に噴射し、突起構造体２０３Ａの形成（成膜）を行った。上記の成膜時の処理容器５０１内の圧力は、２００Ｐａのほぼ一定に保持された。

次に、図４Ｅに示す工程において、導電層２０１ａからマスクパターン２０２Ａを除去（剥離）する。

次に、図４Ｆ〜図４Ｇに示す工程において、突起構造体２０３Ａが形成された導電層２０１ａ上を樹脂材料よりなる絶縁層２０４Ａで覆う。この場合、突起構造体２０３Ａが絶縁層２０４Ａを貫通して、突起構造体２０３Ａの先端が絶縁層２０４Ａから露出することが好ましい。

上記のように、樹脂材料よりなる絶縁層２０４Ａを導電層２０１ａの突起構造体２０３Ａが形成されている側に貼り付け、さらに必要に応じて押圧、加熱することで、導電層２０１ａ、突起構造体２０３Ａ、および絶縁層２０４を含む貼り付け構造体２００Ａを形成することができる。

上記の貼り付け構造体２００Ａを、後述する基板に貼り付けることで、配線基板を形成することができる。また、絶縁層２０４を構成する材料としては、例えば、ガラスクロス繊維にエポキシ系の樹脂材料を含浸させて構成されるプリプレグ材と呼ばれる材料を用いることができる。また、絶縁層２０４は、プリプレグ材に限定されず、エポキシ系またはポリイミド系の材料を用いて構成してもよい。

次に、図４Ｈ〜図４Ｉに示す工程において、例えば樹脂材料よりなる基板３０１の両面に形成された金属層（例えばＣｕ箔）３０２ａ，３０２ｂをエッチングによりパターニングする。この結果、基板３０１の第１の主面（上側）にパターン配線３０２Ａが、当該第１の主面の反対側の第２の主面（下側）にパターン配線３０２Ｂが形成される。

次に、図４Ｊ〜図４Ｋに示す工程において、基板３０１のパターン配線３０２Ａが形成された側（上側、第１の主面側）に、図４Ａ〜図４Ｇの工程において形成した貼り付け構造体２００Ａを貼り付け、必要に応じて押圧・加熱する。ここで、絶縁層２０４Ａと絶縁層３０１が接続され、突起構造体（ビアプラグ）２０３Ａとパターン配線３０２Ａが接続される。また、突起構造体２０３Ａの先端部は、上記の押圧に応じて変形して先端部が扁平し、パターン配線３０２Ａとの接触面積が増大する。上記の接触面積の増大に伴って、突起構造体（ビアプラグ）２０３Ａとパターン配線３０２Ａの電気的な接続の信頼性が良好となる。

また、上記の図４Ｊ〜図４Ｋに示す工程において、基板３０１の貼り付け構造体２００が貼り付けられた側の反対側（基板３０１のパターン配線３０２Ｂが形成された側）に、貼り付け構造体２００Ａと同様の構造を有する貼り付け構造体２００Ｂを貼り付けてもよい。この場合、貼り付け構造体２００Ｂは、貼り付け構造体２００Ａの、導電層２０１ａ，突起構造体２０３Ａ，および絶縁層２０４Ａにそれぞれ相当する、導電層２０１ｂ，突起構造体２０３Ｂ，および絶縁層２０４Ｂを有している。この場合、絶縁層２０４Ｂと絶縁層３０１が接続され、突起構造体（ビアプラグ）２０３Ｂとパターン配線３０２Ｂが接続される。また、突起構造体２０３Ｂの先端部は、上記の押圧に応じて変形して先端部が扁平し、パターン配線３０２Ｂとの接触面積が増大する。上記の接触面積の増大に伴って、突起構造体（ビアプラグ）２０３Ｂとパターン配線３０２Ｂの電気的な接続の信頼性が良好となる。

次に、図４Ｌに示す工程において、導電層２０１ａ上に、例えばフォトリソグラフィ法によりマスクパターン（図示せず）を形成し、当該マスクパターンをマスクにしたパターンエッチングを行って、導電層２０１ａのパターニングを行い、パターン配線２０１Ａを形成する。同様に、導電層２０１ｂ上に、例えばフォトリソグラフィ法によりマスクパターン（図示せず）を形成し、当該マスクパターンをマスクにしたパターンエッチングを行って、導電層２０１ｂのパターニングを行い、パターン配線２０１Ｂを形成する。このようにして、基板の両面に多層配線構造が形成されてなる配線基板を製造することができる。また、以下に示すように、配線構造をさらに多層化してもよい。

例えば、図４Ｍに示す工程において、パターン配線２０１Ａ上に、貼り付け構造体２００Ａを貼り付けた場合と同様にして貼り付け構造体４００Ａを貼り付けてもよい。また、パターン配線２０１Ｂ上に、貼り付け構造体２００Ｂを貼り付けた場合と同様にして、貼り付け構造体４００Ｂを貼り付けてもよい。

貼り付け構造体４００Ａは、貼り付け構造体２００Ａの、導電層２０１ａ，突起構造体２０３Ａ，および絶縁層２０４Ａにそれぞれ相当する、導電層４０１ａ，突起構造体４０３Ａ，および絶縁層４０４Ａを有している。また、貼り付け構造体４００Ｂは、貼り付け構造体２００Ｂの、導電層２０１ｂ，突起構造体２０３Ｂ，および絶縁層２０４Ｂにそれぞれ相当する、導電層４０１ｂ，突起構造体４０３Ｂ，および絶縁層４０４Ｂを有している。

次に、図４Ｎに示す工程において、導電層４０１ａ上に、例えばフォトリソグラフィ法によりマスクパターン（図示せず）を形成し、当該マスクパターンをマスクにしたパターンエッチングを行って、導電層４０１ａのパターニングを行い、パターン配線（電極パッド）４０１Ａを形成する。同様に、導電層４０１ｂ上に、例えばフォトリソグラフィ法によりマスクパターン（図示せず）を形成し、当該マスクパターンをマスクにしたパターンエッチングを行って、導電層４０１ｂのパターニングを行い、パターン配線（電極パッド）４０１Ｂを形成する。

次に、図４Ｏに示す工程において、絶縁層４０４Ａ上に、エポキシ系の樹脂材料を主成分とするソルダーレジストよりなる絶縁層４０５Ａを形成する。また、絶縁層４０５Ａには開口部を形成し、当該開口部からは、パターン配線（電極パッド）４０１Ａの一部が露出するようにする。

同様に、絶縁層４０４Ｂ上に、エポキシ系の樹脂材料を主成分とするソルダーレジストよりなる絶縁層４０５Ｂを形成する。また、絶縁層４０５Ｂには開口部を形成し、当該開口部からは、パターン配線（電極パッド）４０１Ｂの一部が露出するようにする。

また、パターン配線（電極パッド）４０１Ａに接続されるように、例えば半導体チップよりなる実装部品４１０を実装してもよい。また、実装部品４１０は、例えば半田バンプなどの接続部４１１によってパターン配線４０１Ａにフリップチップ接続される。また、パターン配線（電極パッド）４０１Ｂには、マザーボードなどの接続対象に接続が容易となるように、半田バンプなどの接続部を形成してもよい。

このようにして、基板３０１の両面に多層配線構造が形成されるとともに、実装部品が実装されてなる配線基板３００を製造することができる。

上記の製造方法によれば、突起構造体２０３Ａ，２０３Ｂ，４０３Ａ，４０３Ｂを形成する場合にメッキ法（電解メッキ法、無電解メッキ法）を用いておらず、エアロゾルの衝突による成膜を用いていることが特徴である。このため、無電解メッキを行うための前処理である、粗化処理や表面の活性化処理が不要となり、また、メッキ浴の工程も不要となる。

さらに、本実施例の場合、多層配線構造が、導電層に突起構造体（ビアプラグ）と絶縁層が形成された構造（貼り付け構造体）の貼り付けによって形成されていることが特徴である。このため、例えば、従来のようなビアホールの形成工程が不要となる。また、上記の製造方法は、ビアホール形成工程に加えて、先に説明したようにメッキ工程（メッキの前処理工程）も省略することが可能であるため、配線基板の配線構造の形成が容易となり、配線基板の製造工程が単純となって製造の効率が良好となる効果を奏する。

また、従来、メッキ法を用いずにビアプラグを形成する方法としては、樹脂材料と導電材料（金属材料）を混合した材料（導電性ペースト）を用いてビアプラグを形成する方法が提案されていた。例えば導電性ペーストや導電性のインクなどを用いた印刷法により、ビアプラグを構成することも可能である。しかし、樹脂材料と導電材料を混合した場合には、ビアプラグの抵抗値が大きくなってしまう問題があった。

一方で本実施例による方法では、微量の不純物が混合する場合はあるものの、実質的に導電材料（金属材料）の粉末のみを堆積させてビアプラグを形成しており、実質的に導電材料（金属材料）のみによってビアプラグを形成することが可能となっていることが特徴である。このため、本実施例による方法では、ペーストなどの混合材料を用いた場合に比べて、ビアプラグの抵抗値を低くすることが可能となっている。

上記の効果について、突起構造体（ビアプラグ）２０４Ａに相当する構造を図４Ａ〜図４Ｄに示した方法（本実施例）により形成した場合と、突起構造体２０４Ａに相当する構造を導電性ペースト（Ｃｕペースト）の印刷による方法（従来例）により形成した場合とにおいて、抵抗値を比較した。上記の測定の結果、本実施例の場合の測定値は、２．０μΩ・ｃｍであり、従来例の場合の測定値は２．０μΩ・ｃｍであった。この結果、本実施例の場合にビアプラグの抵抗値を低くすることが可能となっていることが確認された。

以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。

例えば、エアロゾルを用いて形成することが可能なパターン配線またはビアプラグは、Ｃｕよりなるものに限定されるものではない。例えば、無電解メッキの場合には、貴金属などイオン化しにくい元素を用いる必要があるが、エアロゾルデポジションの場合には、このようなイオン化に係る材料の限定が実質的に存在しない。例えば、ＴＩ，Ｚｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗなど実質的に金属の種類を問わず、様々な金属（合金、または金属化合物など）を用いてパターン配線やビアプラグを形成することが可能である。

また、実施例１と実施例２を組み合わせて実施してもよい。例えば、実施例２の導電層２０１ａ，２０１ｂ，４０１ａ，４０１ｂを、エアロゾルを用いた成膜により形成してもよい。
（付記１）
基板上にパターン配線が形成されてなる配線基板の製造方法であって、
前記基板上に、エアロゾルの衝突によって導電層を形成するエアロゾル成膜工程と、
前記導電層をパターニングして当該導電層を含む前記パターン配線を形成するパターニング工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。（１、図２Ａ〜）
（付記２）
前記導電層はＣｕを主成分として形成されることを特徴とする付記１記載の配線基板の製造方法。
（付記３）
前記エアロゾル成膜工程の後に前記導電層をシード層として該導電層上に電解メッキにより上層導電層を形成する工程をさらに有し、
前記パターニング工程では、前記上層導電層と前記導電層がエッチングによりパターニングされて前記パターン配線が形成されることを特徴とする付記１または２記載の配線基板の製造方法。（２）
（付記４）
前記上層導電層はＣｕを主成分として形成されることを特徴とする付記３記載の配線基板の製造方法。
（付記５）
前記導電層は、前記基板上の、ビアプラグが埋設された絶縁層上に形成されることを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項記載の配線基板の製造方法。（３）
（付記６）
基板上に、パターン配線が形成されてなる配線基板であって、
前記パターン配線は、エアロゾルの衝突によって形成される導電層を含むことを特徴とする配線基板。
（付記７）
導電層上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンの開口部に、エアロゾルの衝突によって導電材料よりなる突起構造体を形成する工程と、
前記突起構造体が形成された前記導電層上を絶縁層で覆い、該導電層、該突起構造体および該絶縁層を含む貼り付け構造体を形成する工程と、
前記貼り付け構造体を基板に貼り付ける工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。（４、図４Ａ〜）
（付記８）
前記貼り付け構造体を基板に貼り付ける工程の後で、前記導電層をエッチングによりパターニングする工程を有することを特徴とする付記７記載の配線基板の製造方法。（５）
（付記９）
前記第３の工程では、前記基板上に形成されたパターン配線と前記突起構造体が接続されるように貼り付けが行われることを特徴とする付記７または８記載の配線基板の製造方法。（６）
（付記１０）
前記突起構造体は、略円錐形に形成されることを特徴とする付記７乃至９のいずれか１項記載の配線基板の製造方法。
（付記１１）
前記突起構造体は、Ｃｕを主成分として構成されることを特徴とする付記７乃至１０のいずれか１項記載の配線基板の製造方法。
（付記１２）
前記絶縁層はプリプレグ材料よりなることを特徴とする付記７乃至１１のいずれか１項記載の配線基板の製造方法。
（付記１３）
前記導電層は、Ｃｕを主成分として構成されることを特徴とする付記７乃至１２のいずれか１項記載の配線基板の製造方法。
（付記１４）
前記マスクパターンは樹脂材料よりなることを特徴とする付記７乃至１３のいずれか１項記載の配線基板の製造方法。
（付記１５）
前記導電層を、エアロゾルの衝突によって形成する工程をさらに有することを特徴とする付記７乃至１４のいずれか１項記載の配線基板の製造方法。

１００，３００配線基板
１０１，３０１基板
１０２Ａ，１０２Ｂ，１０５Ａ，１０５Ｂ，１０６Ａ，１０６Ｂ，１０７Ａ，１０７Ｂ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１１Ａ，１１１Ｂ，１１２Ａ，１１２Ｂ，２０１Ａ，２０１Ｂ，３０２Ａ，３０２Ｂ，４０１Ａ，４０１Ｂパターン配線
１０３Ａ，１０３Ｂ，１０８Ａ，１０８Ｂ，１１３Ａ，１１３Ｂ，２０４Ａ，２０４Ｂ，４０４Ａ，４０４Ｂ、４０５Ａ，４０５Ｂ絶縁層
１０４Ａ，１０４Ｂ，１０９Ａ，１０９Ｂ，２０３Ａ，２０３Ｂ，４０３Ａ，４０３Ｂビアプラグ
１２０，４１０実装部品
１２１，４１１接続部

Claims

導電層上にマスクパターンを形成する工程と、
前記マスクパターンの開口部に、高純度酸素ガスをキャリアガスとし、原料容器内で予め加熱と真空脱気を行った金属粉末を含むエアロゾルを処理容器内で加速し、前記エアロゾルの衝突によって前記金属粉末を塑性変形させて、前記金属粉末による導電材料よりなる突起構造体を形成する工程と、
前記突起構造体が形成された前記導電層上を絶縁層で覆い、該導電層、該突起構造体および該絶縁層を含む貼り付け構造体を形成する工程と、
前記貼り付け構造体を基板に貼り付ける工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
前記貼り付け構造体を基板に貼り付ける工程の後で、前記導電層をエッチングによりパターニングする工程を有することを特徴とする請求項１記載の配線基板の製造方法。
前記貼り付け構造体を基板に貼り付ける工程では、前記基板上に形成されたパターン配線と前記突起構造体が接続されるように貼り付けが行われることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板の製造方法。