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JP5497503B2 - Repetitive pattern extraction method from pattern data - Google Patents
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Description

本発明は、半導体集積回路を製造する際に用いるCP(Character Projection:部分一括露光)描画データを作成する方法及び装置並びにプログラムに関する。特に、微細な形状差や寸法差を有する多様な形状及び大きさの全体パターンを多数含んでなる半導体集積回路設計用の描画データであったとしても、描画時のショット数を削減し描画時間の短縮を可能とする汎用性の高い繰り返しパターンを抽出する技術に関する。   The present invention relates to a method, apparatus, and program for creating CP (Character Projection: partial batch exposure) drawing data used when manufacturing a semiconductor integrated circuit. In particular, even for drawing data for semiconductor integrated circuit design that includes a large number of patterns of various shapes and sizes having minute shape differences and dimensional differences, the number of shots at the time of drawing is reduced and the drawing time is reduced. The present invention relates to a technique for extracting a highly versatile repeating pattern that can be shortened.

半導体集積回路作成時間を短縮(スループットを向上)するための方策として、例えば電子銃を複数使用して均等割した複数領域において同時に描画と移動とを繰り返すマルチビーム・マルチカラム等による描画処理の並列化技術や、回路パターン中によく現れる繰り返しパターンを利用した部分一括露光技術(CP描画技術)などがある。このCP描画技術を用いた従来知られた装置や技術等の一例を挙げると、例えば下記に示す特許文献1や特許文献2に記載の装置さらには非特許文献1や非特許文献2に記載の技術などがある。   As a measure to shorten the time to create a semiconductor integrated circuit (improve throughput), for example, parallel processing of drawing by multi-beam, multi-column, etc. that repeats drawing and moving at the same time in multiple areas divided equally using multiple electron guns And partial batch exposure technology (CP drawing technology) that uses repetitive patterns that often appear in circuit patterns. An example of a conventionally known apparatus or technique using this CP drawing technique is, for example, the apparatus described in Patent Document 1 or Patent Document 2 shown below, or described in Non-Patent Document 1 or Non-Patent Document 2. There is technology.

一般的に、半導体集積回路の回路パターンは多数の矩形に分割されて(フラクチャリング)、個々の矩形は別々に1回のショットに応じて描画されるようになっている(VSB描画)。ただし、多数の矩形に分割された回路パターンの中には、複数の同じ矩形の組み合わせからなり全体の外形形状及び大きさが同一であるパターンが複数個所に存在する。   In general, a circuit pattern of a semiconductor integrated circuit is divided into a large number of rectangles (fracturing), and each rectangle is drawn separately according to one shot (VSB drawing). However, among the circuit patterns divided into a large number of rectangles, there are a plurality of patterns having a combination of a plurality of the same rectangles and having the same overall outer shape and size.

そこで、上記した特許文献1や特許文献2に示す装置では、同一形状及び大きさのパターン毎に繰り返しパターンを抽出し、前記繰り返しパターンを1つの図形(例えば「E」型や「H」型さらには「I」型や「L」型といったキャラクタ図形など、この明細書では便宜上これを全体パターンと呼ぶ)と看做したマスクを予め準備する。そして、これに基づき本来ならば個々の矩形を個別に描画するために複数回のショットが必要な前記複数の矩形の組み合わせからなる全体パターンであったとしても(例えば、全体パターンが「E」型の場合には4個の矩形の組み合わせからなり4回のショットが必要とされる)、その全体パターンを1回のショットでまとめて描画することができ、これにより効率的に描画回数(ショット数)を削減し描画にかかる時間を短縮するようにしている。また、回路パターン中に同一形状及び大きさの全体パターンが数多く存在すればするほど、描画回数をより削減することができるようにもなっている。   Therefore, in the apparatuses shown in Patent Document 1 and Patent Document 2 described above, a repeated pattern is extracted for each pattern having the same shape and size, and the repeated pattern is represented by one figure (for example, “E” type, “H” type, Is prepared in advance as a mask that is regarded as an “I” type or “L” type character figure for convenience in this specification. Based on this, even if it is an overall pattern composed of a combination of the plurality of rectangles that would normally require a plurality of shots in order to individually draw each rectangle (for example, the entire pattern is an “E” type) In the case of (4), four shots are required consisting of a combination of four rectangles), and the entire pattern can be drawn together in one shot, thereby efficiently drawing the number of times (number of shots) ) To reduce drawing time. In addition, the more the entire patterns having the same shape and size exist in the circuit pattern, the more the number of drawing can be reduced.

ところで、近年では半導体集積回路の微細化に伴ってパターン寸法が露光時の解像限界を大きく超えるにつれて光近接効果(OPE:Optical Proximity Effect)が顕在化し、そのために半導体ウェハ上に回路パターンを忠実に転写することが難しくなっている。そこで、パターン寸法が露光時の解像限界を超えるような場合には、設計データに基づく元の回路パターンの寸法や形状等を補正して前記OPEを打ち消し得る補正パターンを生成する光近接効果補正(OPC)及び超解像技術(RET)の処理が必要とされる。   By the way, in recent years, with the miniaturization of semiconductor integrated circuits, the optical proximity effect (OPE: Optical Proximity Effect) has become apparent as the pattern dimensions greatly exceed the resolution limit at the time of exposure. It becomes difficult to transfer to. Therefore, when the pattern dimensions exceed the resolution limit at the time of exposure, the optical proximity effect correction generates a correction pattern that can cancel the OPE by correcting the dimensions and shape of the original circuit pattern based on the design data. (OPC) and super-resolution technology (RET) processing is required.

ただし、上記処理を施すと回路パターンひいては前記全体パターンが複雑化(多様化)されてしまうことから描画に必要な時間が増加し、半導体集積回路を作成する際にかかるコストが高くなるので非常に都合が悪い。そこで、上記した非特許文献1や非特許文献2に示す技術では、全体パターンの中からさらに当該パターンの一部を構成する同じ矩形の組み合わせからなり形状及び大きさが同一である部分パターンを特定し、この特定した部分パターンに従って複数の矩形の組み合わせを1回で描画するようにしている(すなわち、部分パターンを繰り返しパターンとして抽出し、描画する)。このようにして、光近接効果補正(OPC)及び超解像技術(RET)の処理後の描画データであっても、上記したCP描画技術を適用して、描画回数を効率的に削減して描画にかかる時間を短縮することで、半導体集積回路を作成する際にかかるコストを下げることは既に考えられている。   However, if the above processing is performed, the circuit pattern and thus the entire pattern are complicated (diversified), so that the time required for drawing increases, and the cost for producing a semiconductor integrated circuit becomes very high. Inconvenient. Therefore, in the techniques shown in Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2 described above, a partial pattern having the same shape and size is specified from a combination of the same rectangles constituting a part of the pattern from the entire pattern. Then, a combination of a plurality of rectangles is drawn at a time according to the specified partial pattern (that is, the partial pattern is extracted as a repeated pattern and drawn). In this way, even with drawing data after processing by optical proximity correction (OPC) and super-resolution technology (RET), the above-mentioned CP drawing technology can be applied to efficiently reduce the number of drawing operations. It has already been considered to reduce the cost for producing a semiconductor integrated circuit by reducing the time required for drawing.

特開平10−256113号公報JP-A-10-256113 特開2001−35770号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-35770

Masaki Yamabe,"Optimization of MDP,mask writing,and maskinspection for mask manufacturing const reduction ",Proc. SPIE 7028,70280V(2008)Masaki Yamabe, "Optimization of MDP, mask writing, and maskinspection for mask manufacturing const reduction", Proc.SPIE 7028,70280V (2008) Masahiro Shoji,Tadao Inoue,and Masaki Yamabe,"Verification of extraction repeating pattern efficiency from many actual device data",Proc.SPIE 7275,7275Q(2009)Masahiro Shoji, Tadao Inoue, and Masaki Yamabe, "Verification of extraction repeating pattern efficiency from many actual device data", Proc.SPIE 7275,7275Q (2009)

しかし、上述したような従来知られた装置や技術では、回路設計時点で複雑化されたあるいは光近接効果補正(OPC:Optical Proximity Correction)及び超解像技術(RET:Resolution Enhancement Techniques)等の処理によって複雑化された、微細な形状差や寸法差を有する多様な形状及び大きさの全体パターンを多数含んでなる描画データから例え上記したようにして部分パターンを抽出したとしても、あくまでも同じ矩形の組み合わせであって同一の形状及び大きさのものしか抽出しないことから、結局は多様な部分パターンが多数抽出されるにすぎず、CP描画に利用できる繰り返しパターンとしては部分パターンの適用個所が少なすぎて描画回数の削減効果が小さい、という問題があった。このような問題は、メモリ回路パターンに比べて全体パターンが不規則に配置されてなり、そのために隣接パターンを考慮する上記OPC及びRET処理によって1つの全体パターンから複数の異なる派生パターンへとパターンが多様化しうるロジック回路パターンにおいて特に顕著である。   However, in the conventional devices and techniques as described above, processing such as optical proximity effect correction (OPC) and super-resolution technique (RET), which is complicated at the time of circuit design, is performed. Even if a partial pattern is extracted as described above, for example, from the drawing data including a large number of overall patterns of various shapes and sizes having a minute shape difference or size difference complicated by Since only combinations of the same shape and size are extracted, only a large number of various partial patterns are extracted in the end, and there are too few partial pattern application points as repetitive patterns that can be used for CP drawing. There is a problem that the effect of reducing the number of times of drawing is small. Such a problem is that the entire pattern is irregularly arranged as compared with the memory circuit pattern. For this reason, the pattern is changed from one overall pattern to a plurality of different derived patterns by the above OPC and RET processing considering the adjacent pattern. This is particularly noticeable in logic circuit patterns that can be diversified.

本発明は上述の点に鑑みてなされたもので、微細かつ多様な形状及び大きさの全体パターンを回路パターン中に多数含んでなる描画データから、汎用性ある繰り返しパターンを効率的に抽出し、これに基づき描画時のショット数を削減し描画時間の短縮を可能としたCP描画データを作成するようにしたCP描画データ作成方法及び装置、並びにプログラムを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and efficiently extracts a versatile repetitive pattern from drawing data including a large number of fine and various overall patterns and sizes in a circuit pattern, An object of the present invention is to provide a CP drawing data creation method and apparatus, and a program for creating CP drawing data capable of reducing the number of shots at the time of drawing and shortening the drawing time.

本発明に係るCP描画データ作成方法は、半導体集積回路設計用の描画データから回路パターン中に含まれる繰り返しパターンを抽出し、該抽出した繰り返しパターンを繰り返しショットすることで前記回路パターンの一部を基板上に効率的に描画するCP描画データを作成するCP描画データ作成方法であって、前記回路パターン中に多数存在する各パターンを多数の矩形に分割するステップと、前記分割した多数の矩形のうち互いに隣接する任意の矩形を組み合わせて得られる前記各パターンの一部を構成する部分パターンのうち、その形状及び大きさが同一である1乃至複数の部分パターンを1つの部分パターン群として抽出するステップと、前記抽出した複数の部分パターン群を相互に比較して、形状及び寸法の差異が一定範囲内にある類似する部分パターン群の集合ごとに当該部分パターン群の集合に含まれる部分パターンを代表する1つの代表パターンを生成するステップと、前記代表パターンに基づきCP描画データを生成するステップとを備える。   In the CP drawing data creation method according to the present invention, a repetitive pattern included in a circuit pattern is extracted from drawing data for designing a semiconductor integrated circuit, and a portion of the circuit pattern is shot by repeatedly shot the extracted repetitive pattern. A CP drawing data creation method for creating CP drawing data for efficiently drawing on a substrate, the step of dividing each pattern existing in a large number in the circuit pattern into a number of rectangles; Among the partial patterns constituting a part of each pattern obtained by combining arbitrary adjacent rectangles, one or more partial patterns having the same shape and size are extracted as one partial pattern group. The step and the plurality of extracted partial pattern groups are compared with each other, and the difference in shape and size is within a certain range. Each of the partial pattern groups includes a step of generating one representative pattern representing the partial pattern included in the set of partial pattern groups, and a step of generating CP drawing data based on the representative pattern.

本発明によれば、回路パターン中に多数存在する各パターンを多数の矩形に分割し、該分割した多数の矩形のうち互いに隣接する任意の矩形を組み合わせて得られる前記各パターンの一部を構成する部分パターンのうち、その形状及び大きさが同一の部分パターンだけでなく類似する部分パターンをも含めてそれらを代表する1つの代表パターンを決定する。そして、前記決定した代表パターンに基づきCP描画データを生成する。こうした場合、元の描画データにおける回路パターン中の形状及び寸法の差異が一定範囲内にある類似する部分パターン群(それぞれは異なる種類の1乃至複数の同一部分パターンを含む)に含まれる互いに類似する部分パターンの全てを同じパターンに共通化することのできる前記代表パターンに基づいてCP描画データを生成することから、元の描画データにおいて形状及び大きさが同一の同一部分パターンだけでなく、形状及び大きさが類似の類似部分パターンをも含めた中から繰り返しパターンを抽出することができる。このようにして抽出される繰り返しパターンは汎用性が高いものであり、従来に比べて繰り返しパターンの適用個所を多くするものである。したがって、元の回路パターンの設計時点で複雑化されたあるいはその後に光近接効果補正(OPC)及び超解像技術(RET)等の処理によって複雑化された、微細かつ多様な形状及び大きさのパターン(全体パターン)を回路パターン中に多数含んでなる描画データであっても、従来では抽出し難かった汎用性の高い繰り返しパターンを各パターンの一部を構成する部分パターンにより抽出でき、これを用いた描画回数の削減効果の大きいCP描画データを作成することができるようになる。   According to the present invention, a plurality of patterns existing in a circuit pattern are divided into a large number of rectangles, and a part of each pattern obtained by combining arbitrary adjacent rectangles among the divided large numbers of rectangles is configured. Among the partial patterns to be processed, one representative pattern that represents not only partial patterns having the same shape and size but also similar partial patterns is determined. Then, CP drawing data is generated based on the determined representative pattern. In such a case, the shapes and dimensions in the circuit pattern in the original drawing data are similar to each other included in similar partial pattern groups (each including one or a plurality of the same partial patterns of different types) within a certain range. Since the CP drawing data is generated based on the representative pattern that can share all of the partial patterns in the same pattern, not only the same partial pattern having the same shape and size in the original drawing data but also the shape and A repeated pattern can be extracted from among similar partial patterns having similar sizes. The repeated pattern extracted in this way is highly versatile, and increases the number of places where the repeated pattern is applied compared to the conventional one. Therefore, it is complicated at the time of designing the original circuit pattern, or is complicated by processing such as optical proximity correction (OPC) and super-resolution technology (RET), Even drawing data that contains a large number of patterns (overall patterns) in a circuit pattern, a highly versatile repeating pattern that was difficult to extract in the past can be extracted by partial patterns that form part of each pattern. It becomes possible to create CP drawing data having a large effect of reducing the number of drawing times used.

本発明は方法の発明として構成し実施することができるのみならず、装置の発明として構成し実施することができる。また、本発明は、コンピュータまたはDSP等のプロセッサのプログラムの形態で実施することができるし、そのようなプログラムを記憶した記憶媒体の形態で実施することもできる。   The invention can be constructed and implemented not only as a method invention but also as an apparatus invention. Further, the present invention can be implemented in the form of a program of a processor such as a computer or a DSP, or can be implemented in the form of a storage medium storing such a program.

本発明によれば、同一部分パターンだけでなく類似部分パターンも含めて繰り返しパターンを抽出することで、該抽出した繰り返しパターンによって同一部分パターンに加えて類似部分パターンをも描画できることから、微細かつ多様な形状及び大きさのパターン(全体パターン)を回路パターン中に多数含んでなる描画データであっても、従来では抽出し難かった適用個所から多くの汎用性の高い繰り返しパターンを抽出でき、これにより描画回数の削減効果の大きいCP描画データを作成することができる、という効果を奏する。   According to the present invention, by extracting a repeated pattern including not only the same partial pattern but also a similar partial pattern, a similar partial pattern can be drawn in addition to the same partial pattern by the extracted repeated pattern. Even if it is drawing data that contains a lot of patterns (total patterns) of various shapes and sizes in the circuit pattern, it is possible to extract many highly versatile repeated patterns from application points that were difficult to extract in the past. There is an effect that it is possible to create CP drawing data having a large effect of reducing the number of drawing times.

CP描画データ作成処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows CP drawing data creation processing. 形状及び寸法の差異を許容する変形範囲(多様性緩和値)の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the deformation | transformation range (diversity relaxation value) which accept | permits the difference of a shape and a dimension. 部分パターン繰り返しデータ抽出処理の一実施例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows one Example of a partial pattern repetition data extraction process. 代表パターン決定処理の一実施例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows one Example of a representative pattern determination process. グループ内比較処理の一実施例を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows one Example of the comparison process in a group. 元の描画データによって定義される回路パターン中に含まれる多様性緩和前の全体パターンの一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the whole pattern before the diversity relaxation contained in the circuit pattern defined by the original drawing data. 部分パターンの一例を示す概念図であり、図7(a)は第1のC型図形、図7(b)は第2のC型図形、図7(c)は第1のE型図形、図7(d)は第2のE型図形、図7(e)は第3のE型図形におけるそれぞれの部分パターンを示す。It is a conceptual diagram which shows an example of a partial pattern, Fig.7 (a) is a 1st C type figure, FIG.7 (b) is a 2nd C type figure, FIG.7 (c) is a 1st E type figure, FIG. 7D shows a partial pattern of the second E-shaped figure, and FIG. 7E shows a partial pattern of the third E-shaped figure. 抽出される部分パターン群の一例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows an example of the partial pattern group extracted. 代表パターン決定処理を具体的に説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating concretely a representative pattern determination process. 類似する部分パターン群に含まれる各部分パターンが代表パターンに置き換えられ共通化された多様性緩和後の全体パターンを示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the whole pattern after the diversity relaxation by which each partial pattern contained in the similar partial pattern group was replaced by the representative pattern, and was made common. マスク描画機の全体構成の一実施例を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows one Example of the whole structure of a mask drawing machine. 転写性シミュレーションの結果に基づき多様性緩和値を決定する処理を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the process which determines a diversity relaxation value based on the result of transferability simulation.

以下、この発明の実施の形態を添付図面に従って詳細に説明する。   Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.

図1は、CP描画データ作成処理を示すフローチャートである。当該処理は、CPU、ROM、RAM等を含んでなるコンピュータによって実行される。なお、この図1では、回路パターンを定義した半導体集積回路設計用の描画データ(元の描画データ)や最終的に作成されるCP描画データ、さらには前記元の描画データからCP描画データを作成する際に適宜に生成される中間データをそれぞれ記憶するハードディスクやメモリなどの記憶装置(又は特定の記憶装置における所定領域)についても便宜的に記号を付して図中に示した。   FIG. 1 is a flowchart showing CP drawing data creation processing. This process is executed by a computer including a CPU, a ROM, a RAM, and the like. In FIG. 1, drawing data (original drawing data) for designing a semiconductor integrated circuit in which a circuit pattern is defined, CP drawing data finally created, and CP drawing data are created from the original drawing data. The storage devices such as a hard disk and a memory (or a predetermined area in a specific storage device) each storing intermediate data appropriately generated at the time are also shown for convenience in the drawing.

ステップS1は、後述する部分パターン繰り返しデータを抽出する際に参照される「形状及び寸法の差異を許容する変形範囲」(多様性緩和値)を決定する。ここで、前記形状及び寸法の差異を許容する変形範囲(多様性緩和値)の決定方法について説明する。図2は、形状及び寸法の差異を許容する変形範囲(多様性緩和値)の一例を示す概念図である。   In step S1, a “deformation range allowing a difference in shape and dimensions” (diversity relaxation value) to be referred to when extracting partial pattern repetition data described later is determined. Here, a method of determining a deformation range (diversity relaxation value) that allows the difference in shape and size will be described. FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating an example of a deformation range (diversity relaxation value) that allows a difference in shape and size.

多様性緩和値を決定する1つの方法としては設計ルールを根拠に決定する方法があり、図2ではITRSのリソグラフィ要求で規定された設計ルール(ITRSノード)ごとに、ゲート部CDコントロール値を基準としてマスク描画時におけるMEEF(Mask Error Enhancement Factor)値も考慮に入れた数1に示す計算式に従って得られる多様性緩和値を一例として示している。
(数1)
多様性緩和値={(ゲート部CDコントロール値×倍率)/MEEF値}×0.5×0.5
One method of determining the diversity mitigation value is to determine based on the design rule. In FIG. 2, the gate CD control value is used as a reference for each design rule (ITRS node) specified in the ITRS lithography requirements. As an example, a diversity alleviation value obtained according to the calculation formula shown in Equation 1 taking into account the MEEF (Mask Error Enhancement Factor) value at the time of mask drawing is shown.
(Equation 1)
Diversity relaxation value = {(gate part CD control value x magnification) / MEEF value} x 0.5 x 0.5

より具体的には、ITRS2007年ロードマップのリソグラフィ要求で規定された設計ルール(65nm,45nm,32nm)ごとのゲート部CDコントロール値(2.6nm,1.9nm,1.3nm)を元に、マスク描画を前提にしてMEEF値(2.2)も考慮した上で、後述するパターンの多様性緩和を行う際に類似部分パターンの判断基準とする寸法差異の最大値(つまり後述のパターン類似判断のための許容誤差寸法)を算出する。すなわち、上記数1における「{(ゲート部CDコントロール値×倍率)/MEEF値}」によって算出される値は、描画時の寸法誤差も含めた当該データの設計時と描画結果との最大許容誤差値を表す。ただし、ここでは前記「{(ゲート部CDコントロール値×倍率)/MEEF値}」によって算出される値に対して描画データ上での許容誤差値としてその半分(0.5)を乗算し、また後述する代表パターンを基準にして拡大・縮小両方向での緩和を行うために更にその半分(0.5)を乗算することによって、多様性緩和値を求めるようにしている。なお、上記した数1に記載の「倍率」は、マスク描画の場合「4」である。   More specifically, mask drawing is performed based on the gate CD control value (2.6 nm, 1.9 nm, 1.3 nm) for each design rule (65 nm, 45 nm, 32 nm) specified in the lithography requirements of the ITRS 2007 roadmap. Assuming that the MEEF value (2.2) is also taken into consideration, the maximum value of the dimensional difference used as a criterion for judging similar partial patterns when mitigating pattern diversity (to be described later) (that is, an allowable error for pattern similarity judgment to be described later) Dimension) is calculated. That is, the value calculated by “{(gate part CD control value × magnification) / MEEF value}” in the above equation 1 is the maximum allowable error between the design time of the data and the drawing result including the dimension error at the time of drawing. Represents a value. However, here, the value calculated by “{(gate part CD control value × magnification) / MEEF value}” is multiplied by half (0.5) as an allowable error value on the drawing data, and will be described later. In order to perform relaxation in both the enlargement and reduction directions based on the representative pattern, the diversity relaxation value is obtained by further multiplying half (0.5). Note that the “magnification” described in Equation 1 is “4” in the case of mask drawing.

図1の説明に戻って、ステップS2は、予め作成済みの元の描画データ1(より具体的には回路パターンデータ)を取得する。ここで取得される描画データ1は、コンピュータなどを用いてユーザによって予め生成される設計データ(例えばCADデータ)、あるいはこうした設計データに対して光近接効果補正(OPC)及び超解像技術(RET)の処理を行った後のデータであって、複雑化された微細かつ多様な形状及び大きさの全体パターン(図6参照)を多数含んでなる回路パターンを定義したものである。   Returning to the description of FIG. 1, in step S <b> 2, original drawing data 1 (more specifically, circuit pattern data) created in advance is acquired. The drawing data 1 acquired here is design data (for example, CAD data) generated in advance by a user using a computer or the like, or optical proximity correction (OPC) and super-resolution technology (RET) for such design data. ), And defines a circuit pattern including a large number of complicated overall patterns of various shapes and sizes (see FIG. 6).

ステップS3は、前記取得した元の描画データ1に対しフラクチャリングを行い、その結果をフラクチャ済み描画データ2として出力し記憶する。このフラクチャリング処理では、全体パターンが多角形であり単独の矩形で表せない形状である場合、段差の発生する個所などを基準にして多数の様々な矩形に分割される(図7参照)。   In step S3, the acquired original drawing data 1 is fractured, and the result is output and stored as fractured drawing data 2. In this fracturing process, when the entire pattern is a polygon and cannot be represented by a single rectangle, the pattern is divided into a number of various rectangles based on the location where a step occurs (see FIG. 7).

ステップS4は、予め決められた所定のパターン重要度に従って全領域にわたる前記フラクチャ済み描画データ2を多様性緩和対象領域と多様性緩和対象外領域とに分離し(図6参照)、それぞれを多様性緩和対象データ3又は多様性緩和対象外データ4として出力し記憶する。前記パターン重要度は、回路内のパターン全体あるいはその一部分について重要な部分とそうでない部分を規定するものである。重要な部分については設計どおりの形状・寸法・位置で描画されることが期待される(寸法精度が高い)が、重要でない部分については重要な部分に比べると描画の結果として形状・寸法・位置に少々の差異が生じても許容される場合がある。こうしたパターン重要度の決定方法としては、回路設計時に決定する、描画データの配置・規則性などに従って決定する、ユーザの範囲指定に従って決定する、などが考えられる。なお、パターン重要度によって多様性緩和対象領域と多様性緩和対象外領域とに分離する当該処理は行わなくてもよい。   In step S4, the fractured drawing data 2 over the entire region is separated into a diversity alleviation target region and a diversity alleviation target region according to a predetermined predetermined pattern importance (see FIG. 6). Output and store as mitigation target data 3 or diversity non-division target data 4. The pattern importance degree defines an important part and an unimportant part of the entire pattern or a part of the pattern in the circuit. It is expected that important parts will be drawn with the shape, dimensions, and position as designed (high dimensional accuracy), but non-important parts will be drawn as a result of drawing compared to important parts. Even a slight difference may be allowed. As a method of determining such pattern importance, it is conceivable to determine at the time of circuit design, to determine according to the arrangement / regularity of drawing data, or to determine according to the user's range specification. Note that the process of separating the diversity relaxation target area and the diversity relaxation target area depending on the pattern importance may not be performed.

ステップS5は、「部分パターン繰り返しデータ抽出処理」を実行する。詳しくは後述するが、当該処理では前記分離された多様性緩和対象データ3のみを取得して、該取得した多様性緩和対象データ3に基づきフラクチャリングによって分割された各全体パターンを構成する多数の矩形のうち、同じ矩形の組み合わせからなり形状及び大きさが同一である部分パターン(後述の類似部分パターンと区別するために同一部分パターンと呼ぶ)が存在するか否かを検索し、同一部分パターンが存在する場合にはそれらを1つの部分パターン群として抽出して、これを部分パターン定義付データ5として出力し記憶する。前記部分パターン定義付データ5には検索された同一部分パターンに関し、少なくともその形状や大きさあるいは矩形の組み合わせ等に関するそれらに共通の定義情報(つまりは異なる種類の部分パターン群に関する情報)が含まれていればよく、同一部分パターンそれぞれで異なる配置位置を示す配置情報を含んでいてもよいし含んでいなくてもよい(つまり配置情報の包含状況は問わない)。このようにして、各全体パターンからそれらの一部を形成する同じ形状及び大きさの同一部分パターンをそれぞれ検索することに伴い、それぞれが同じ形状及び大きさからなる同一部分パラメータを1乃至複数含んでなる複数種類の異なる部分パラメータ群が抽出される(図8参照)。このとき、記憶可能な部分パラメータ群の種類の数は最大1000万個程度とするとよい。   In step S5, “partial pattern repetition data extraction processing” is executed. As will be described in detail later, in this process, only the separated diversity mitigation target data 3 is acquired, and a large number of the entire patterns divided by fracturing based on the acquired diversity mitigation target data 3 are formed. Of the rectangles, the same partial pattern is searched for whether there is a partial pattern (referred to as the same partial pattern to be distinguished from a similar partial pattern described later) having the same shape and size that is a combination of the same rectangles. Are extracted as one partial pattern group, and this is output and stored as partial pattern definition-added data 5. The partial pattern definition-added data 5 includes at least definition information (that is, information on different types of partial pattern groups) regarding the same partial pattern searched for at least the shape, size, or combination of rectangles. It is only necessary to include arrangement information indicating different arrangement positions in the same partial pattern, and the arrangement information may not be included (that is, the inclusion status of the arrangement information does not matter). In this way, as each identical pattern having the same shape and size that forms part of each overall pattern is searched, one or more identical partial parameters each having the same shape and size are included. A plurality of different types of partial parameter groups are extracted (see FIG. 8). At this time, the maximum number of types of partial parameter groups that can be stored is preferably about 10 million.

ステップS6は、「代表パターン決定処理」を実行する。詳しくは後述するが、当該処理では部分パターン定義付データ5を取得して前記定義情報に基づき異なる種類の部分パターン群同士を順次に比較し、形状及び寸法の差異が一定範囲内にある類似の部分パターン群を特定すると共に、さらに特定した類似の部分パターン群ごとに当該部分パターン群に含まれる部分パターンのいずれかを代表パターンに決定して、これを代表パターン定義データ6として出力し記憶する(図8及び図9参照)。この代表パターン定義データ6には、少なくとも代表パターンに決定された部分パターンの定義情報が含まれていればよい。   In step S6, a “representative pattern determination process” is executed. As will be described in detail later, in this process, the partial pattern definition-added data 5 is acquired, and different types of partial pattern groups are sequentially compared based on the definition information, and the difference in shape and size is within a certain range. The partial pattern group is specified, and for each specified similar partial pattern group, one of the partial patterns included in the partial pattern group is determined as a representative pattern, and this is output as representative pattern definition data 6 and stored. (See FIGS. 8 and 9). The representative pattern definition data 6 only needs to include definition information of at least the partial pattern determined as the representative pattern.

ステップS7は、多様性緩和対象データ3及び代表パターン定義データ6を取得して、前記決定した代表パターンに基づき多様性緩和対象データ3の置換を行う。すなわち、代表パターン定義データ6の中から順次に代表パターンを読み出し、多様性緩和対象データ3の中から前記読み出した代表パターンと比較して形状及び寸法の差異が一定範囲内にある同一部分パターン及び類似部分パターンを特定し、該特定した同一部分パターン及び類似部分パターンの全てを前記比較した代表パターンにて置換する(図10参照)。このようにして、元の描画データ1における回路パターンに含まれる形状及び寸法の差異が一定範囲内にある同一部分パターン及び類似部分パターンを順次に前記各代表パターンによって置き換えることによって、同一及び類似部分パターンの全てが同じパターンに共通化された前記代表パターンに置換済みの回路パターンからなる描画データ(置換済み回路パターンデータ)が作成される。前記代表パターンに置換済みの描画データ(置換済み回路パターンデータ)は、代表パターン置換済みデータ7として出力し記憶する。ステップS8は、代表パターン置換済みデータ7と多様性緩和対象外データ4とを取得しこれらを合成することによって、多様性緩和対象領域だけでなく多様性緩和対象外領域をも含む全領域をカバーする合成済みデータ8を作成して、これを出力し記憶する。   In step S7, the diversity mitigation target data 3 and the representative pattern definition data 6 are acquired, and the diversity mitigation target data 3 is replaced based on the determined representative pattern. That is, the representative pattern is sequentially read out from the representative pattern definition data 6, and the same partial pattern in which the difference in shape and size is within a certain range compared to the representative pattern read out from the diversity mitigation target data 3 and A similar partial pattern is identified, and all of the identified identical partial pattern and similar partial pattern are replaced with the compared representative pattern (see FIG. 10). In this way, by replacing the same partial pattern and similar partial pattern in which the difference in shape and size included in the circuit pattern in the original drawing data 1 is within a certain range by the respective representative patterns sequentially, the same and similar parts Drawing data (replaced circuit pattern data) including circuit patterns that have been replaced with the representative pattern in which all the patterns are shared by the same pattern is created. The drawing data replaced with the representative pattern (replaced circuit pattern data) is output and stored as representative pattern replaced data 7. Step S8 covers the entire region including not only the diversity mitigation target region but also the diversity mitigation target region by acquiring the representative pattern replaced data 7 and the diversity mitigation target data 4 and combining them. The synthesized data 8 to be generated is created, and this is output and stored.

ステップS9は、前記合成済みデータ8に従い合成後の全領域において矩形重なりや隙間(スリット)を除去する変換処理を実行し、その結果を多様性緩和済みデータ9として出力し記憶する。すなわち、上記したようにして同一部分パターン及び類似部分パターンを代表パターンにて置換した場合には、置換された同一部分パターン及び類似部分パターンの外形周囲との境界付近において、他の矩形や部分パターン(同一部分パターンや類似部分パターン以外も含む)との間に、置換前には存在していなかった各領域の重なりや隙間(スリット)などが生じ得る。そこで、こうした領域の重なりを除去したり隙間を埋めたりするための処理を実行する。当該処理はどのような手法のものを用いてもよいが、ここでは一般的な手法について説明する。   A step S9 executes a conversion process for removing rectangular overlaps and gaps (slits) in the entire synthesized area in accordance with the synthesized data 8, and outputs and stores the result as diversified data 9. That is, when the same partial pattern and the similar partial pattern are replaced with the representative pattern as described above, other rectangles and partial patterns near the boundary with the outer periphery of the replaced identical partial pattern and similar partial pattern. There may be overlaps or gaps (slits) between regions that did not exist before replacement (including those other than the same partial pattern and similar partial patterns). Therefore, processing for removing such overlapping areas and filling gaps is executed. Any method may be used for this processing, but a general method will be described here.

まず、矩形や各部分パターンそれぞれの領域全体を僅かに拡大する。このときの領域の拡大幅は、重なり又はスリットの幅(つまりは多様性緩和値)を目安として用いる。領域を拡大することでスリットは埋められる。そして、前記領域の拡大処理ではフラクチャリング後の各矩形単位ではなく、各矩形が繋がった全体パターンを1つの処理単位と看做し、この全体パターンの外枠だけを見て重なりあっている領域部分については無視するため、これによって重なりが解消される。なお、スリットが埋められることに応じて新たに生じ得る領域の重なりも当然に解消される。   First, the entire area of each rectangle and each partial pattern is slightly enlarged. At this time, as the enlargement width of the region, the width of the overlap or slit (that is, the diversity relaxation value) is used as a guide. The slit is filled by enlarging the area. In the enlargement process of the area, the entire pattern in which each rectangle is connected is regarded as one process unit, not each rectangle unit after fracturing, and only the outer frame of the entire pattern is overlapped. Since the part is ignored, this eliminates the overlap. Naturally, overlapping of regions that can be newly generated in accordance with the filling of the slit is also eliminated.

次に、前記拡大処理した矩形や各部分パターンそれぞれの領域全体を元の大きさに縮小する(戻す)。ここで、縮小幅は拡大処理時に用いられた拡大幅と同じである。この縮小処理時においても拡大処理時と同様に、全体パターンを1つの処理単位と看做すため、スリットが埋められた大きな1つのパターンとして縮小されることになる。このようにして、元と同寸法で重なりやスリットのない全体パターンが得られる。したがって、領域の重なりや隙間が生じているか否かに関わらず上記した変換処理を実行することによって全体パターンを得る。   Next, the entire area of the enlarged rectangle and each partial pattern is reduced (returned) to the original size. Here, the reduction width is the same as the enlargement width used during the enlargement process. In the reduction process, as in the enlargement process, the entire pattern is regarded as one processing unit, and therefore, the reduction process is reduced as one large pattern in which the slit is filled. In this way, an overall pattern with the same dimensions as the original but without overlap or slits is obtained. Therefore, the entire pattern is obtained by executing the above-described conversion process regardless of whether or not there is an overlap of areas or a gap.

ステップS10は、多様性緩和済みデータ9を取得して、これに基づき全領域において部分パターン繰り返しデータ抽出処理を再度実行することによって、CP描画データを生成する。すなわち、上記した置換処理(ステップS7)の実行に伴って同一部分パターン及び類似部分パターンの全てが代表パターンで置換され共通化されることによって、元の描画データ1によっては同じ矩形の組み合わせからなり形状及び大きさが同一の部分パターンの繰り返し個所として抽出され得なかった、形状及び大きさが異なっていた個所も同一の部分パターンの繰り返し個所として新たに再抽出されることになる。そこで、このようにして再抽出した部分パターンを繰り返しパターンとして利用することで、描画時のショット数の削減を図ることができるようにしている。このときに抽出する部分パターンの種類は、1000個程度とするとよい。このようにして、描画時のショット数を削減し描画時間の短縮を可能とするCP描画データを作成する。   In step S10, the CP data is generated by acquiring the diversity-reduced data 9 and executing the partial pattern repetition data extraction process again in all areas based on this data. That is, all the same partial patterns and similar partial patterns are replaced with the representative pattern and shared by the execution of the above replacement process (step S7), so that the original drawing data 1 is composed of the same rectangular combination. A part having a different shape and size that could not be extracted as a repeated part of a partial pattern having the same shape and size is newly re-extracted as a repeated part of the same partial pattern. Therefore, the number of shots at the time of drawing can be reduced by using the partial pattern re-extracted in this way as a repeated pattern. The number of types of partial patterns to be extracted at this time is preferably about 1000. In this way, CP drawing data that reduces the number of shots during drawing and shortens the drawing time is created.

上記した「部分パターン繰り返しデータ抽出処理」(図1のステップS5)について、図3を用いて説明する。図3は、「部分パターン繰り返しデータ抽出処理」の一実施例を示すフローチャートである。   The “partial pattern repetition data extraction process” (step S5 in FIG. 1) will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart showing an example of “partial pattern repetition data extraction processing”.

ステップS21は、多様性緩和対象データ3を取得して図形(矩形)リスト11を生成する。前記図形(矩形)リスト11には、各全体パターンを分割した大きさが異なる多数の矩形が登録される。ステップS22は、前記図形リスト11から予め決められた所定の部分パターンサイズに収まらない大きさの矩形を抜き出して、該矩形を部分パターンサイズに収まる最大サイズの複数の矩形に切り分ける。   In step S21, the diversity mitigation target data 3 is acquired and the graphic (rectangular) list 11 is generated. In the figure (rectangle) list 11, a large number of rectangles having different sizes obtained by dividing each overall pattern are registered. A step S22 extracts a rectangle having a size that does not fit within a predetermined partial pattern size determined in advance from the graphic list 11, and cuts the rectangle into a plurality of rectangles of the maximum size that can fit within the partial pattern size.

すなわち、上述したようにフラクチャリングにおいては全体パターンが多角形であり単独の矩形で表せない形状である場合、段差の発生する個所などを基準にして矩形の切り分けを行うことから、そうした場合には所定の部分パターンサイズに収まらない大きさの矩形に切り分けてしまうことがある。そこで、そのような大きく切り分けられた矩形を部分パターンサイズに収まる最大サイズの矩形に再分割する。再分割後の部分パターンサイズに収まる最大サイズの矩形は部分パターン候補リスト12として出力する一方で、再分割によって切り分けられた矩形のうち残りの矩形(前記最大サイズよりも小さい矩形)は図形リスト11に戻す。   That is, as described above, in the fracturing, when the entire pattern is a polygon and cannot be represented by a single rectangle, the rectangle is divided on the basis of the location where the step is generated. The rectangle may be cut into rectangles that do not fit within a predetermined partial pattern size. Therefore, such a largely cut rectangle is subdivided into a maximum size rectangle that can fit in the partial pattern size. The rectangle of the maximum size that can be accommodated in the partial pattern size after subdivision is output as the partial pattern candidate list 12, while the remaining rectangles (rectangles smaller than the maximum size) among the rectangles divided by subdivision are displayed in the graphic list 11. Return to.

ステップS23は、図形リスト11から互いに隣接している矩形を取り出していき、部分パターンサイズに収まる分(できる限り大きく)の複数の矩形をひとまとめにして部分パターン候補リスト12に出力する。ステップS24は、図形リスト11から部分パターンサイズに収まる範囲で分散している孤立矩形(他の矩形に隣接しない矩形)を取り出し、これらをひとまとめにしたものを部分パターン候補リスト12に出力する。ステップS25は、部分パターン候補リスト12に出力された各CP候補図形をチェックして同じ図形をひとつにまとめ、これらを部分パターン群として部分パターンリスト13に出力する。この際には、CP描画効率のよいもの(これは各部分パターンの登場回数と部分パターン内の矩形数とから算出可能)から順に、所定数分だけ部分パターン群を決定するようにしてよい。そして、残りの部分パターン候補図形は個々の矩形に戻して図形リスト11に差し戻す。   In step S23, rectangles adjacent to each other are extracted from the graphic list 11, and a plurality of rectangles that are within the partial pattern size (as large as possible) are collectively output to the partial pattern candidate list 12. In step S24, isolated rectangles (rectangles not adjacent to other rectangles) dispersed within a range that fits in the partial pattern size are extracted from the graphic list 11, and these are collectively output to the partial pattern candidate list 12. In step S25, the respective CP candidate graphics output to the partial pattern candidate list 12 are checked, the same graphics are combined into one, and these are output to the partial pattern list 13 as a partial pattern group. At this time, the partial pattern group may be determined by a predetermined number in order from the one with the best CP drawing efficiency (this can be calculated from the number of appearances of each partial pattern and the number of rectangles in the partial pattern). Then, the remaining partial pattern candidate graphics are returned to the graphics list 11 by returning them to individual rectangles.

ステップS26は、部分パターンリスト13の部分パターン群と図形リスト11に残された矩形を部分パターン定義付データ5として出力(生成)する。このようにして、同じ矩形の組み合わせからなり形状及び大きさが同一である同一部分パターンについては1つの部分パターン群としてひとまとめにされて出力され、それ以外の部分パターンについては単独で1つの部分パターン群として個々に出力される。なお、部分パターン定義付データ5は、部分パターン群の定義情報として少なくともそれに含まれる1乃至複数の部分パターンに共通の定義情報を記憶していればよい。   A step S26 outputs (generates) the partial pattern group of the partial pattern list 13 and the rectangle left in the graphic list 11 as the partial pattern definition-added data 5. In this way, the same partial pattern that is the combination of the same rectangles and has the same shape and size is output as one partial pattern group, and the other partial patterns are individually output as one partial pattern. Output individually as a group. The partial pattern definition-added data 5 may store definition information common to at least one or more partial patterns included in the partial pattern group definition information.

次に、上記した「代表パターン決定処理」(図1のステップS6)について、図4を用いて説明する。図4は、「代表パターン決定処理」の一実施例を示すフローチャートである。   Next, the “representative pattern determination process” (step S6 in FIG. 1) will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a flowchart showing an example of the “representative pattern determination process”.

ステップS31は、上記「部分パターン繰り返しデータ抽出処理」の実行に伴い出力(生成)された部分パターン定義付データ5を取得し、部分パターン定義情報に従ってそれぞれの部分パターン群を縦長か横長かあるいはその他かなどに、所定の分類基準に従っておおまかに分類してグループ分けし、その結果をグループ分けリスト14に出力する。ステップS32は、グループ分けリスト14を取得して前記分類した各グループに含まれるそれぞれの部分パターン群同士の比較を行い、グループ毎に1乃至複数の代表パターンを決定すると共に類似部分パターンを特定する「グループ内比較処理」を実行し、その結果を別のグループリスト15に出力する。当該処理については後述する(後述する図5参照)。ステップS33は、前記決定した代表パターンと前記特定した類似部分パターンとに関して、それぞれの代表パターンの定義情報とそれで置き換わる部分パターンの定義情報とをセットにして代表パターン定義データ6として出力する。   In step S31, the partial pattern definition-added data 5 output (generated) with the execution of the “partial pattern repetition data extraction process” is acquired, and each partial pattern group is set to be vertically long or horizontally long according to the partial pattern definition information. For example, the data is roughly classified according to a predetermined classification standard and grouped, and the result is output to the grouping list 14. The step S32 acquires the grouping list 14 and compares the partial pattern groups included in the classified groups to determine one or a plurality of representative patterns for each group and specify similar partial patterns. The “in-group comparison process” is executed, and the result is output to another group list 15. This process will be described later (see FIG. 5 described later). In step S33, with respect to the determined representative pattern and the specified similar partial pattern, the definition information of each representative pattern and the definition information of the partial pattern replaced by the set are output as representative pattern definition data 6.

上記「グループ内比較処理」(図4のステップS32)について、図5を用いて説明する。図5は、「グループ内比較処理」の一実施例を示すフローチャートである。   The “in-group comparison process” (step S32 in FIG. 4) will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a flowchart showing an example of the “in-group comparison process”.

ステップS41は、グループ分けリスト14に含まれる部分パターン群のうち最初に出力されたリストの先頭にある部分パターン群を抜き出して当該部分パターン群に含まれる部分パターンのいずれかを代表パターンに決定する。この際に、代表パターンに決定された部分パターン群はチェック済みデータとする。なお、代表パターンの決定方法はリスト順に部分パターン群を抜き出していくことに限らない。例えば、形状の複雑度あるいは面積の大小等に従って選択的に部分パターン群を抜き出して代表パターンに決定するなど任意の決定方法であってよい。ステップS42は、グループ分けリスト14内にまだチェック済みでない部分パターン群があるか否かを判定する。グループ分けリスト14内にまだチェック済みでない部分パターン群があると判定した場合には(ステップS42のあり)、グループ分けリスト14からチェック済みでない部分パターン群を抜き出しこれを比較パターンに決定する(ステップS43)。   A step S41 extracts a partial pattern group at the head of the list output first from the partial pattern group included in the grouping list 14 and determines any of the partial patterns included in the partial pattern group as a representative pattern. . At this time, the partial pattern group determined as the representative pattern is assumed to be checked data. The representative pattern determination method is not limited to extracting partial pattern groups in the order of the list. For example, any determination method may be used, such as selectively extracting a partial pattern group according to the complexity of the shape or the size of the area and determining it as a representative pattern. In step S42, it is determined whether or not there is a partial pattern group in the grouping list 14 that has not been checked yet. When it is determined that there is a partial pattern group that has not been checked yet in the grouping list 14 (with step S42), a partial pattern group that has not been checked is extracted from the grouping list 14 and determined as a comparison pattern (step S42). S43).

ステップS44は、代表パターンと比較パターンとを重ねあわせて互いのパターンが類似するか否かを判定する。この類似判定時には、代表パターンと比較パターンとの差分が多様性緩和値に基づく許容誤差寸法内である場合には互いのパターンが類似すると判定し、許容誤差寸法外である場合には互いのパターンが類似しないと判定する(詳しくは後述する図9参照)。代表パターンと比較パターンが類似すると判定した場合には(ステップS44の類似)、比較パターン群に含まれる部分パターンを代表パターンに類似する類似部分パターンに特定しグループリスト15に出力する(ステップS45)。そして、ステップS42の処理に戻る。このときに類似部分パターンとされた部分パターンを含んでなる部分パターン群は、前記グループ分けリスト14から消去する。一方、代表パターンと比較パターンが類似しないと判定した場合には(ステップS44の非類似)、比較パターンとされた部分パターン群をチェック済みデータとしてからステップS42の処理に戻る。   A step S44 determines whether or not the patterns are similar by superimposing the representative pattern and the comparison pattern. In this similarity determination, if the difference between the representative pattern and the comparison pattern is within the allowable error dimension based on the diversity relaxation value, it is determined that the patterns are similar to each other, and if the difference is outside the allowable error dimension, the mutual pattern is determined. Are not similar (see FIG. 9 for details). If it is determined that the representative pattern and the comparison pattern are similar (similarity in step S44), the partial pattern included in the comparison pattern group is specified as a similar partial pattern similar to the representative pattern and output to the group list 15 (step S45). . Then, the process returns to step S42. At this time, the partial pattern group including the partial patterns that are similar partial patterns is deleted from the grouping list 14. On the other hand, when it is determined that the representative pattern and the comparison pattern are not similar (dissimilarity in step S44), the partial pattern group set as the comparison pattern is set as checked data, and the process returns to step S42.

上記ステップS42の処理において、グループ分けリスト14内にチェック済みでない部分パターン群がないと判定した場合には(ステップS42のなし)、代表パターン以外であってチェック済みデータにされている部分パターン群のチェック結果を未チェックにもどす(ステップS46)。ステップS47は、グループ分けリスト14内にまだチェック済みでない部分パターン群があるか否かを判定する。グループ分けリスト14内にチェック済みでない部分パターン群があると判定した場合には(ステップS47のあり)、ステップS41の処理に戻って上記ステップS41〜S47までの処理を繰り返す。一方、グループ分けリスト14内にチェック済みでない部分パターン群がないと判定した場合には(ステップS47のなし)、当該処理を終了する。   In the process of step S42, if it is determined that there is no unchecked partial pattern group in the grouping list 14 (no step S42), the partial pattern group other than the representative pattern and used as checked data The check result is returned to unchecked (step S46). A step S47 decides whether or not there is a partial pattern group in the grouping list 14 that has not been checked yet. If it is determined that there is a partial pattern group that has not been checked in the grouping list 14 (the presence of step S47), the process returns to the process of step S41, and the processes of steps S41 to S47 are repeated. On the other hand, when it is determined that there is no unchecked partial pattern group in the grouping list 14 (No in step S47), the process ends.

次に、本発明に係るCP描画データ作成方法に従うパターンの多様性緩和手順について、マスク描画の場合を例に説明する。図6は、元の描画データによって定義される回路パターン中に含まれる多様性緩和前の全体パターンの一例を示す概念図である。元の描画データ1によって定義されている回路パターンは、光近接効果補正(OPC)及び超解像技術(RET)の処理によって複雑化された微細な形状差や寸法差を有する多様な形状及び大きさの全体パターン(多様性緩和前のパターン)を多数含んでなり、ここではそれぞれ2個ずつ計4個ある全体形状がC型である2種類の全体パターンA及びB(便宜的に第1又は第2のC型図形と呼ぶ)と、2個,2個,1個の計5個ある全体形状がE型である3種類の全体パターンC〜E(便宜的に第1〜第3のE型図形と呼ぶ)とが含まれているものを例示している。   Next, the pattern diversification mitigation procedure according to the CP drawing data creation method according to the present invention will be described taking the case of mask drawing as an example. FIG. 6 is a conceptual diagram illustrating an example of an overall pattern before diversification included in a circuit pattern defined by original drawing data. The circuit pattern defined by the original drawing data 1 has various shapes and sizes having minute shape differences and dimensional differences complicated by optical proximity effect correction (OPC) and super-resolution technology (RET) processing. In this case, there are two types of overall patterns A and B (for convenience, the first or the second pattern). (Referred to as the second C-shaped figure), two, two, and one total pattern C to E (total number of five total shapes C-E (first to third E for convenience)) This is illustrated as an example including a pattern graphic).

ここに示される2種類のC型図形A,Bを比較すると、第1のC型図形Aと第2のC型図形Bは大きさがほぼ同じ程度であるが細部の形状が異なっており、第1のC型図形Aの方が第2のC型図形Bよりも微細で複雑な凹凸形状を有している。すなわち、第1のC型図形Aは第2のC型図形Bと比較して、例えばOPC処理により発生した微細な形状差及び寸法差を有するパターンであるといえる。   Comparing the two types of C-shaped figures A and B shown here, the first C-shaped figure A and the second C-shaped figure B are approximately the same in size, but the shape of the details is different. The first C-shaped graphic A has a finer and more complex uneven shape than the second C-shaped graphic B. That is, it can be said that the first C-shaped graphic A is a pattern having a fine shape difference and a dimensional difference generated by, for example, OPC processing, as compared with the second C-shaped graphic B.

次に、3種類のE型図形C〜Eをそれぞれ比較すると、第1のE型図形Cと第2のE型図形Dは大きさがほぼ同じ程度であるが形状が異なっており、第1のE型図形Cの方が第2のE型図形Dよりも微細で複雑な凹凸形状を有している。すなわち、第1のE型図形Cと第2のE型図形Dは、微細な形状差及び寸法差を有するパターン同士であるといえる。一方、第1のE型図形Cと第3のE型図形Eは形状が同じであるが大きさが異なっており、また第2のE型図形Dと第3のE型図形Eは大きさも形状も異なっている。このような描画データ1である場合、従来の装置ではC型図形A,B及びE型図形C〜Eのすべてが形状及び大きさの異なる全体パターンであると捉えられ、これらのいずれかの組み合わせから共通の繰り返しパターンを抽出することができず、それぞれの全体パターンA〜Eを個別にかつ分割後の矩形毎に描画するしかないことから、描画に時間がかかることとなる。   Next, when the three types of E-type figures C to E are compared, the first E-type figure C and the second E-type figure D are approximately the same in size but different in shape. The E-shaped figure C has a finer and more complex uneven shape than the second E-shaped figure D. That is, it can be said that the first E-shaped graphic C and the second E-shaped graphic D are patterns having minute shape differences and dimensional differences. On the other hand, the first E-shaped figure C and the third E-shaped figure E have the same shape but different sizes, and the second E-shaped figure D and the third E-shaped figure E also have the same size. The shape is also different. In the case of such drawing data 1, in the conventional apparatus, all of the C-type figures A and B and the E-type figures C to E are regarded as whole patterns having different shapes and sizes, and any combination thereof Since it is not possible to extract a common repetitive pattern from each other and each individual pattern A to E must be drawn individually and for each divided rectangle, drawing takes time.

なお、図6において太線枠で示す領域Yは、回路パターンを形成する全領域Xのうち多様性緩和対象外領域を示す。この例では、当該領域Yに配置されている第1及び第2のC型図形A,Bと第1及び第2のE型図形C,Dがそれぞれ1個ずつ合計4個の図形が含まれている。したがって、図6に示すようなパターン配置の描画データに基づきフラクチャリングを行った場合には、前記領域Yに含まれる4個の各図形のフラクチャ済み描画データ2が多様性緩和対象外データ4として、それら以外の5個の各図形のフラクチャ済み描画データ2が多様性緩和対象データ3としてそれぞれ出力され記憶されることになる(ステップS4参照)。   In FIG. 6, a region Y indicated by a bold frame indicates a non-diversification target region in the entire region X forming the circuit pattern. In this example, the first and second C-shaped figures A and B and the first and second E-shaped figures C and D arranged in the area Y each include four figures in total. ing. Therefore, when fracturing is performed based on the drawing data having the pattern arrangement as shown in FIG. 6, the fractured drawing data 2 of each of the four figures included in the region Y is used as the diversity-reduction target data 4. Then, the fractured drawing data 2 of each of the five other figures is output and stored as the diversity alleviation target data 3 (see step S4).

図7は部分パターンの一例を示す概念図であり、図7(a)は第1のC型図形A、図7(b)は第2のC型図形B、図7(c)は第1のE型図形C、図7(d)は第2のE型図形D、図7(e)は第3のE型図形Eにおけるそれぞれの部分パターンを示す。   FIG. 7 is a conceptual diagram showing an example of a partial pattern. FIG. 7A is a first C-shaped graphic A, FIG. 7B is a second C-shaped graphic B, and FIG. E-shaped figure C, FIG. 7 (d) shows a second E-shaped figure D, and FIG. 7 (e) shows a partial pattern of the third E-shaped figure E, respectively.

個々の全体パターンA〜Eは、描画機のビームサイズにあわせた多数のサイズの同じ又は異なる矩形に分割して描画される。例えば図7(a)に示す第1のC型図形Aにおいては、範囲A1の5個(×2)、範囲A2の5個、範囲A3の5個、範囲A4の3個の計23個の矩形に分割される。同様にして、第2のC型図形Bは計11個、第1のE型図形Cは計37個、第2のE型図形Dは計22個、第3のE型図形Eは37個の矩形に分割される。通常、このように分割された全体パターンは矩形ごとに個別に描画するため、描画を終えるまでに時間がかかる。例えば、第1のC型図形Aを描画する場合には23個の矩形を個別にショットするため、ショット数に応じた時間がかかることになる。   Each of the entire patterns A to E is drawn by being divided into a large number of the same or different rectangles corresponding to the beam size of the drawing machine. For example, in the first C-shaped graphic A shown in FIG. 7A, there are a total of 23 pieces, that is, 5 pieces (× 2) in the range A1, 5 pieces in the range A2, 5 pieces in the range A3, and 3 pieces in the range A4. Divided into rectangles. Similarly, a total of 11 second C-shaped figures B, 37 total 1st E-shaped figures C, 22 total 2nd E-shaped figures D, 37 37th E-shaped figures E It is divided into rectangles. Usually, since the entire pattern divided in this way is drawn individually for each rectangle, it takes time to finish drawing. For example, when drawing the first C-shaped graphic A, since 23 rectangles are shot individually, it takes time corresponding to the number of shots.

ところで、多数の矩形に分割された全体パターンは、複数の矩形を任意に組み合わせて構成される部分パターンを複数組み合わせたものとして捉えることができ、そうした場合に同じ矩形の組み合わせからなり形状及び大きさが同一である部分パターン(同一部分パターン)が複数個所に存在することがある。上述した「部分パターン繰り返しデータ抽出処理」(図3参照)を行うことによって、そうした同一部分パターンを検索して1つの部分パターン群として抽出することは既に説明したとおりである。   By the way, the whole pattern divided into a large number of rectangles can be regarded as a combination of a plurality of partial patterns formed by arbitrarily combining a plurality of rectangles. In some cases, there are a plurality of partial patterns (identical partial patterns) having the same value. As described above, by performing the above-described “partial pattern repetition data extraction process” (see FIG. 3), the same partial pattern is searched and extracted as one partial pattern group.

具体的には、例えば図7(a)に示す第1の図形C型Aは4種の部分パターンA1〜A4を組み合わせてなり、A1は2つの、その他は1つの出現箇所を持つ部分パターン群として抽出される。図7(b)に示す第2のC型図形Bにおいては、部分パターンB1,B2が2つの、B3が1つの出現箇所を持つ部分パターン群として抽出される。図7(c)に示す第1のE型図形Cにおいては、部分パターンC1が3つの,C4,C5が2つの、C2、C3、C6が1つの出現箇所を持つ部分パターン群として抽出される。図7(d)に示す第2のE型図形Dにおいては、部分パターンD1が4つの,D2,D5が2つの、D3、D4が1つの出現箇所を持つ部分パターン群として抽出される。図7(e)に示す第3のE型図形Eにおいては、部分パターンE1が3つの,E4,E5が2つの、E2、E3、E6が1つの出現箇所を持つ部分パターン群として抽出される。   Specifically, for example, the first figure C type A shown in FIG. 7A is a combination of four partial patterns A1 to A4, A1 is two, and the others are partial pattern groups having one appearance location. Extracted as In the second C-shaped figure B shown in FIG. 7B, the partial patterns B1 and B2 are extracted as a partial pattern group having two appearance locations and B3. In the first E-shaped graphic C shown in FIG. 7C, the partial pattern C1 is extracted as a partial pattern group having three appearances, C4, C5 are two, and C2, C3, and C6 are one appearance location. . In the second E-shaped graphic D shown in FIG. 7D, partial patterns D1 are extracted as a partial pattern group having four appearances, D2 and D5 are two, and D3 and D4 are one appearance. In the third E-shaped figure E shown in FIG. 7E, partial patterns E1 are extracted as a partial pattern group having three appearances, E4, E5 two, and E2, E3, E6 having one appearance location. .

また、上記した同一部分パターンは個別の全体パターン内のみに存在することに限らず、他の全体パターン内にも存在しうる。例えば図7(a)に示した第1のC型図形Aと図7(c)に示した第1のE型図形Eとを全体形状で比べると大きく異なるものであるが、フラクチャリングにより多数の矩形に分割された結果に従えば同じ矩形の組み合わせからなり形状及び大きさが同一である部分パターンが存在することが理解できる(具体的には部分パターンA1とC1,A2とC2,A3とC3,A4とC4がそれぞれ同一部分パターンである)。そうした場合には、異なる全体データの一部を形成する部分パターン群であっても同じ種類の部分パターン群としてまとめられる。   Further, the same partial pattern described above is not limited to being present only in individual whole patterns, but may be present in other whole patterns. For example, the first C-shaped figure A shown in FIG. 7A and the first E-shaped figure E shown in FIG. 7C are greatly different from each other in the overall shape. It can be understood that there are partial patterns that have the same shape and size as a combination of the same rectangles (specifically, partial patterns A1, C1, A2, C2, A3 and the like). C3, A4 and C4 are the same partial pattern). In such a case, even partial pattern groups that form a part of different overall data are grouped together as partial pattern groups of the same type.

上述した「部分パターン繰り返しデータ抽出処理」(図3参照)ではこのようにパターン全体での比較ではなく、パターンの一部範囲である部分パターンを各全体パターン毎に抽出してこれを比較し、部分パターンとしての形状および大きさが同一であるもの同士をひとまとめにした部分パターン群を抽出する。ここで、図7に示すようにして矩形分割された各全体パターンから抽出される部分パターン群を図8に示す。図8は、抽出される部分パターン群の一例を示す概念図である。図中において図形で表した部分パターン群の下方に記載されている番号は、図7に示した各部分パターン群に含まれる同一部分パターンに対応する。   In the “partial pattern repetition data extraction process” described above (see FIG. 3), instead of comparing the whole pattern in this way, a partial pattern that is a partial range of the pattern is extracted for each whole pattern and compared, A partial pattern group is extracted by collecting patterns having the same shape and size as partial patterns. FIG. 8 shows a partial pattern group extracted from each overall pattern divided into rectangles as shown in FIG. FIG. 8 is a conceptual diagram illustrating an example of the extracted partial pattern group. In the drawing, the numbers described below the partial pattern groups represented by graphics correspond to the same partial patterns included in each partial pattern group shown in FIG.

図8に示すように、図6に示すような全体パターンを有する描画データからは、16種類の異なる部分パターン群が得られる。すなわち、A1とC1、A2とC2、A3とC3、A4とB3とC4、B1とD1、B2とD2、C5とD5、C6、D3、D4、E1、E2、E3、E4、E5、E6のそれぞれが異なる種類の部分パターン群として抽出される。例えば、部分パターンA1とC1は同じ形状及び大きさであることから、これらは同じ種類の部分パターン群として抽出される。他方、これらの部分パターンA1(C1)と部分パターンE1は同じような形状であるにもかかわらずその大きさが異なることから、これらは別個の種類の部分パターン群として抽出される。また、この部分パターンE1に関しては、同じ形状及び大きさの他の部分パターンが存在しないことから、部分パターンE1は単独で1つの部分パターン群として抽出される。このようにして、分割した多数の矩形のうち互いに隣接する任意の矩形を組み合わせて得られる全体パターンの一部を構成する部分パターンのうち、その形状及び大きさが同一でありかつ矩形の組み合わせも同じである1乃至複数の部分パターンを1つの同じ種類の部分パターン群としてまとめて抽出する。   As shown in FIG. 8, 16 different partial pattern groups are obtained from the drawing data having the entire pattern as shown in FIG. That is, A1 and C1, A2 and C2, A3 and C3, A4 and B3 and C4, B1 and D1, B2 and D2, C5 and D5, C6, D3, D4, E1, E2, E3, E4, E5, E6 Each is extracted as a different type of partial pattern group. For example, since the partial patterns A1 and C1 have the same shape and size, they are extracted as a partial pattern group of the same type. On the other hand, these partial patterns A1 (C1) and partial pattern E1 are extracted as separate types of partial pattern groups because they have the same shape but different sizes. Further, regarding this partial pattern E1, there is no other partial pattern having the same shape and size, and therefore the partial pattern E1 is extracted as a single partial pattern group. In this way, among the partial patterns that constitute a part of the overall pattern obtained by combining arbitrary rectangles adjacent to each other among a large number of divided rectangles, the shape and size are the same and combinations of rectangles are also possible. One or more partial patterns that are the same are extracted together as a partial pattern group of the same type.

図9は、上述した「代表パターン決定処理」(図3参照)を具体的に説明するための概念図である。まず上記のようにして抽出した複数の部分パターン群を、縦長か横長かあるいはその他かなどに所定の分類基準に従っておおまかに分類してグループ分けする。図8の例では、縦長であるものと横長であるものの2つのグループに分類している(図中では、縦長のグループに分類されたものを点線で示す枠内に示している)。そして各グループ内で部分パターン群の比較を行うが、まず横長グループでの比較について説明する。   FIG. 9 is a conceptual diagram for specifically explaining the above-described “representative pattern determination process” (see FIG. 3). First, a plurality of partial pattern groups extracted as described above are roughly classified according to a predetermined classification criterion into groups such as portrait, landscape, or others. In the example of FIG. 8, they are classified into two groups, which are vertically long and horizontally long (in the figure, those classified into vertically long groups are shown in a frame indicated by a dotted line). The partial pattern groups are compared in each group. First, the comparison in the horizontally long group will be described.

図9(a)は例えば代表パターンに図形C5によって示される種類の部分パターン群(以下同じ)が決定された場合であり、この図形C5と同じグループに分類された他の図形(部分パターン群)とが順次に比較されてそれぞれの部分パターン群に含まれる部分パターンが類似するか否かを判定する。ここでは、図形A1と図形E1とを比較対象として比較した場合のみを示して説明する。図形C5と図形A1(又は図形E1)とは互いに所定の基準位置(例えば軸芯や側面あるいは中心位置等)に従って重ね合わされ、このときの重なり具合に伴い発生しうる水平方向及び垂直方向の差分が共に許容誤差寸法(多様性緩和値)内にあるか否かによって、図形A1(又は図形E1)が図形C5に類似する部分パターンであるか否かを判断する。水平方向及び垂直方向の差分が共に許容誤差寸法以内であれば、類似する部分パターンに特定される。この例では、図形A1と図形E1それぞれの図形C5との重なり具合を見てみると、図形A1は水平方向及び垂直方向の両方向において差分が許容誤差寸法内にあることから、図形A1は類似する部分パターンに特定される。一方、図形E1は水平方向及び垂直方向の両方向において差分が許容誤差寸法を超えていることから、図形E1は類似する部分パターンに特定されない。   FIG. 9A shows a case where, for example, a partial pattern group of the type indicated by the graphic C5 (hereinafter the same) is determined as the representative pattern, and another graphic (partial pattern group) classified into the same group as the graphic C5. Are sequentially compared to determine whether or not the partial patterns included in each partial pattern group are similar. Here, only the case where the graphic A1 and the graphic E1 are compared as comparison targets will be shown and described. The figure C5 and the figure A1 (or the figure E1) are overlapped with each other according to a predetermined reference position (for example, an axial center, a side surface, or a center position), and the horizontal and vertical differences that can occur due to the overlapping state at this time are determined. Whether or not the graphic A1 (or the graphic E1) is a partial pattern similar to the graphic C5 is determined based on whether or not both are within the allowable error dimension (diversity relaxation value). If the difference between the horizontal direction and the vertical direction is within the allowable error dimension, the pattern is specified as a similar partial pattern. In this example, looking at the degree of overlap between the figure A1 and the figure C5 of the figure E1, the figure A1 is similar because the figure A1 has a difference within an allowable error dimension in both the horizontal direction and the vertical direction. Specific to partial pattern. On the other hand, the figure E1 is not specified as a similar partial pattern because the difference exceeds the allowable error dimension in both the horizontal direction and the vertical direction.

図9(b)は、上記した図形C5との比較において類似する部分パターン群に特定されなかった図形の中から、次に例えば図形B2が代表パターンに決定された場合である。この例では、図形A2と図形E2それぞれの図形B2との重なり具合を見てみると、図形A2は水平方向及び垂直方向の両方向において差分が許容誤差寸法内にあることから、図形A2は類似する部分パターンに特定される。一方、図形E2は垂直方向において差分が許容誤差寸法を超えていることから、図形E2は類似する部分パターンに特定されない。このようにして、横長グループに分類された部分パターン群の中から代表パターン及び類似する部分パターンを特定する。   FIG. 9B shows a case where, for example, the figure B2 is next determined as the representative pattern from the figures not specified in the similar partial pattern group in the comparison with the figure C5. In this example, looking at the degree of overlap between the figure A2 and the figure B2 of the figure E2, the figure A2 is similar because the figure A2 has a difference within an allowable error dimension in both the horizontal direction and the vertical direction. Specific to partial pattern. On the other hand, since the figure E2 has a difference exceeding the allowable error dimension in the vertical direction, the figure E2 is not specified as a similar partial pattern. In this way, the representative pattern and the similar partial pattern are specified from the partial pattern group classified into the horizontally long group.

図9(c)は、上記した横長グループとは異なる縦長グループの比較を示すものであり、この例では代表パターンに図形A4が決定された場合である。図形D3と図形E4それぞれの図形A4との重なり具合を見てみると、図形D3は水平方向及び垂直方向の両方向において差分が許容誤差寸法内にあることから、図形D3は類似する部分パターンに特定される。同様に図形D4も類似する部分パターンに特定される。一方、図形E4は水平方向及び垂直方向の両方向において差分が許容誤差寸法を超えていることから、図形E4は類似する部分パターンに特定されない。   FIG. 9C shows a comparison of a vertically long group different from the above horizontally long group. In this example, the figure A4 is determined as the representative pattern. Looking at the degree of overlap between figure D3 and figure A4, figure D3 has a difference within the allowable error dimension in both the horizontal and vertical directions, so figure D3 is identified as a similar partial pattern. Is done. Similarly, the figure D4 is specified as a similar partial pattern. On the other hand, the figure E4 is not specified as a similar partial pattern because the difference exceeds the allowable error dimension in both the horizontal direction and the vertical direction.

このようにして、各グループ内で部分パターン群の比較が行われることによって、図8に示した例においては代表パターン(図中において斜線で示す)として図形C5及びその類似部分パターンとして図形A1,C1、代表パターンとして図形B2及びその類似部分パターンとして図形A2,C2,A3,C3、代表パターンとして図形B1及びその類似部分パターンとして図形E5、代表パターンとして図形A4及びその類似部分パターンとして図形D3,D4、代表パターンとして類似部分パターンを有しない図形C6、E1,E2,E3,E4、E6がそれぞれ特定される。   In this way, by comparing the partial pattern groups within each group, in the example shown in FIG. 8, the graphic C5 as the representative pattern (indicated by hatching in the drawing) and the graphic A1, as its similar partial pattern C1, figure B2 as a representative pattern and figures A2, C2, A3, C3 as a representative pattern, figure B1 as a representative pattern and figure E5 as a similar pattern, figure A4 as a representative pattern, and figure D3 as a similar pattern D4, graphics C6, E1, E2, E3, E4, and E6 that do not have similar partial patterns as representative patterns are specified.

上記のようにして特定された代表パターン及び類似部分パターンに従って、図6に示したような全体パターンを含む描画データから、類似部分パターンが代表パターンに置き換えられる(さらには代表パターンに置換した際に生じたパターンの重なりやパターン間の隙間が除去される)ことによって類似部分パターンを共通化した多様性緩和済みデータが作成される(ステップS7〜S9参照)。図10は、類似する部分パターン群に含まれる各部分パターンが代表パターンに置き換えられ共通化された多様性緩和後の全体パターンを示す概念図である。   In accordance with the representative pattern and the similar partial pattern specified as described above, the similar partial pattern is replaced with the representative pattern from the drawing data including the entire pattern as shown in FIG. Diversified data with similar partial patterns in common is created (see steps S7 to S9). FIG. 10 is a conceptual diagram showing an overall pattern after diversification in which each partial pattern included in a similar partial pattern group is replaced with a representative pattern and shared.

図10と図6とを比較すると理解できるように、図6左上のC型図形AはC型図形A’に置換される。すなわち、部分パターンA2及びA3が代表パターンB2に置換されることにより部分パターンB2と共通化され、部分パターンA4と部分パターンB3が同一であることで、C型図形Aの全体形状はC型図形Bの全体形状に近い図形A’になる。
また、図6左下のE型図形Cと図6右上のE型図形Dは部分パターンC1が部分パターンC5に、部分パターンC2およびC3が部分パターンB2(D2)に、部分パターンD4が部分パターンA4にそれぞれ置き換えられて共通されることで、図10ではそれぞれE型図形C’およびD´へと変形される。すなわち、どちらかの全体パターンを単に他方の全体パターンに置き換えるのではなく、それぞれが全体形状の異なる図形(全体パターン)であったとしてもそれらの一部を形成する部分パターンにおいては類似する個所があり得、そうした類似部分パターンを代表パターンで置換して共通化することによって繰り返しパターンの出現箇所が増加する。なお、前記共通化に従い結果として全体パターンが同一形状になる場合も発生し得る。
As can be understood by comparing FIG. 10 and FIG. 6, the C-type graphic A in the upper left of FIG. 6 is replaced with a C-type graphic A ′. That is, the partial pattern A2 and A3 are replaced with the representative pattern B2 to be shared with the partial pattern B2, and the partial pattern A4 and the partial pattern B3 are the same. The figure A ′ is close to the overall shape of B.
Further, in the E-type graphic C at the lower left of FIG. 6 and the E-shaped graphic D at the upper right of FIG. 6, the partial pattern C1 is the partial pattern C5, the partial patterns C2 and C3 are the partial pattern B2 (D2), and the partial pattern D4 is the partial pattern A4. 10 are transformed into E-shaped figures C ′ and D ′ in FIG. 10, respectively. That is, instead of simply replacing one overall pattern with the other overall pattern, there are similarities in the partial patterns that form a part of each of them even though they are figures having different overall shapes (overall patterns). It is possible to increase the number of occurrences of the repeated pattern by replacing the similar partial pattern with the representative pattern and sharing it. Note that, as a result of the common use, the entire pattern may have the same shape.

このようにして、ここに示す例では矩形の組み合わせを簡素化した同一形状及び大きさの部分パターンの数が増えることから、効率的に描画回数を削減することができる。具体的には、図10に示す多様性緩和対象領域に存在するパターンについては、予め各部分パターンを形成したCPマスクを用いて描画を行うことにより描画回数を大きく削減することができる。たとえば、多様性緩和済みデータから抽出した繰り返しパターンに部分パターンC5(D5)が含まれていた場合、部分パターンC5(D5)を含む図形C’および図形D’にのみならず、部分パターンC5(D5)に類似する部分パターンA1を含んでいた図形A’に対しても部分パターンC5(D5)で描画可能なパターンが含まれる。このように多様性緩和済みデータから抽出した繰り返しパターンを用いて作成したCPマスクは、多様性緩和(つまりは代表パターンによる部分パターンの共通化)を行わない場合に比べて描画可能なパターンが増えることになる。なお、CPマスク上に部分パターンが定義されていない部分についてはCPマスクを用いずに個別に描画対象に描画することになる。   In this way, in the example shown here, the number of partial patterns having the same shape and size obtained by simplifying the combination of rectangles increases, so that the number of drawing operations can be efficiently reduced. Specifically, for the pattern existing in the diversity alleviation target region shown in FIG. 10, the number of drawing can be greatly reduced by drawing using a CP mask in which each partial pattern is formed in advance. For example, when the partial pattern C5 (D5) is included in the repetitive pattern extracted from the diversified data, not only the graphic C ′ and the graphic D ′ including the partial pattern C5 (D5) but also the partial pattern C5 ( A pattern that can be drawn with the partial pattern C5 (D5) is also included in the figure A ′ that includes the partial pattern A1 similar to D5). A CP mask created using a repeated pattern extracted from diversity-reduced data in this way has more patterns that can be drawn than when diversity reduction (that is, sharing of partial patterns with representative patterns) is not performed. It will be. It should be noted that portions where the partial pattern is not defined on the CP mask are drawn individually on the drawing target without using the CP mask.

ここで、上記CP描画データ作成処理の実行に伴い作成されるCP描画データに従って作成されたCPマスクを用い、マスク乾板上に回路パターンを描画するマスク描画機の一例を図11に示す。図11は、マスク描画機の全体構成の一実施例を示す概念図である。   Here, FIG. 11 shows an example of a mask drawing machine that draws a circuit pattern on a mask dry plate using a CP mask created according to the CP drawing data created in accordance with the execution of the CP drawing data creation process. FIG. 11 is a conceptual diagram showing an embodiment of the overall configuration of the mask drawing machine.

電子銃101から照射された電子線は、矩形アパーチャ102及び可変整形器103(又はマスク選択変更器)によって矩形窓Mの寸法調整又はマスク描画用CPマスク104(以下、単にCPマスク)の描画パターンの選択が行われる。マスク選択時には、CPマスク104を介してマスク乾板105上に部分パターンを形成する。上述したCP描画データ作成処理(図1参照)によって作成されたCP描画データに従って図形N(再抽出された繰り返しパターン、図8のA1又はC1、E1などに相当)が予め形成されたCPマスク104を用いることで、元の描画データが光近接効果補正(OPC)や超解像技術(RET)等の処理によって複雑化された微細かつ多様なパターンを含んでなる描画データであったとしても、従来に比較して少ない描画回数でのパターン描画が可能になる。   The electron beam irradiated from the electron gun 101 is adjusted in the size of the rectangular window M by the rectangular aperture 102 and the variable shaper 103 (or mask selection changer) or the drawing pattern of the CP mask 104 for mask drawing (hereinafter simply referred to as CP mask). Is selected. When the mask is selected, a partial pattern is formed on the mask dry plate 105 via the CP mask 104. A CP mask 104 in which a figure N (re-extracted repetitive pattern, corresponding to A1, C1, E1, etc. in FIG. 8) is formed in advance according to the CP drawing data created by the above-described CP drawing data creation processing (see FIG. 1). Even if the original drawing data is drawing data including fine and diverse patterns complicated by processing such as optical proximity correction (OPC) and super-resolution technology (RET), Pattern drawing can be performed with a smaller number of drawing times than in the past.

なお、描画機は上記したマスク描画機に限らず、マスクを介さない直描型の描画機であってもよい。直描型の描画機の場合には、上述したCP描画データ作成処理(図1参照)によって作成されたCP描画データに従って、代表パターンによって置換された後に再抽出された繰り返しパターン(図8のA1又はC1、E1などに相当)により基板上に同一及び類似する部分パターンを繰り返し直接描画する。そうすると、CP描画によって少ないショットで描画できるパターンが増えることから、従来に比べて描画回数を削減できることになる。   The drawing machine is not limited to the mask drawing machine described above, and may be a direct drawing type drawing machine that does not use a mask. In the case of a direct drawing type drawing machine, a repetitive pattern (A1 in FIG. 8) that is re-extracted after being replaced with a representative pattern according to the CP drawing data created by the above-described CP drawing data creation processing (see FIG. 1). (Or equivalent to C1, E1, etc.), the same and similar partial patterns are repeatedly drawn directly on the substrate. Then, since the number of patterns that can be drawn with fewer shots by CP drawing increases, the number of drawing times can be reduced as compared with the conventional case.

なお、上述した実施例においてはデータの設計ルールを根拠に多様性緩和値を決定する方法を示したがこれに限らず、コンピュータ上で転写性シミュレーションを実行して、ユーザがディスプレイ等に表示される前記シミュレーション結果を確認しながら、多様性緩和値を任意に決定する方法であってもよい。このような転写性シミュレーションの結果に従いユーザが多様性緩和値を任意に決定する方法について、図12を用いて説明する。図12は、転写性シミュレーションの結果に基づき多様性緩和値を決定する処理を示すフローチャートである。   In the above-described embodiment, the method of determining the diversity relaxation value based on the data design rule is shown. However, the present invention is not limited to this, and a transferability simulation is executed on a computer and the user is displayed on a display or the like. A method of arbitrarily determining the diversity relaxation value while confirming the simulation result. A method in which the user arbitrarily determines the diversity relaxation value according to the result of such transferability simulation will be described with reference to FIG. FIG. 12 is a flowchart showing processing for determining the diversity relaxation value based on the result of the transferability simulation.

ステップS61は、初期パラメータの設定を行う。この初期パラメータは設計ルール(図2参照)に従って決定される多様性緩和値であってもよいし、あるいは過去の実績値をベースにユーザが任意に指定したものであってもよい。また、全領域に対して一律の多様性緩和値を設定するだけでなく、多様性緩和対象に指定された領域ごとに異なる多様性緩和値を設定できるようにしてあってもよい。ステップS62は、図1に示したCP描画データ作成処理を実行する。当該処理については説明済みであることからここでの説明を省略する。   In step S61, initial parameters are set. This initial parameter may be a diversity relaxation value determined according to the design rule (see FIG. 2), or may be arbitrarily specified by the user based on past performance values. In addition to setting a uniform diversity relaxation value for all regions, a different diversity relaxation value may be set for each region designated as a diversity relaxation target. In step S62, the CP drawing data creation process shown in FIG. 1 is executed. Since this process has already been described, a description thereof is omitted here.

ステップS63は、前記処理の実行に伴い生成されたCP描画用データ10に基づき転写性シミュレーションを実行する。ステップS64は、ユーザによるシミュレーション結果のチェックが「OK」であるか否かを判定する。シミュレーション結果のチェックが「OK」でないと判定した場合には(ステップS64のNO)、例えばユーザに対してパラメータ(多様性緩和値)を入力するように促すと共に、ユーザによるパラメータ入力に応じてパラメータを再設定し(ステップS65)、上記ステップS62の処理に戻ってステップS62〜S64の処理を繰り返し実行する。シミュレーション結果のチェックが「OK」であると判定した場合には(ステップS64のYES)、設定されているパラメータを多様性緩和値に設定する(ステップS66)。   In step S63, a transferability simulation is executed based on the CP drawing data 10 generated along with the execution of the process. In step S64, it is determined whether or not the simulation result check by the user is “OK”. If it is determined that the simulation result check is not “OK” (NO in step S64), for example, the user is prompted to input a parameter (diversity relaxation value), and the parameter is set according to the parameter input by the user. Is reset (step S65), the process returns to step S62, and the processes of steps S62 to S64 are repeated. If it is determined that the simulation result check is “OK” (YES in step S64), the set parameter is set to the diversity alleviation value (step S66).

1…描画データ
2…フラクチャ済み描画データ
3…多様性緩和対象データ
4…多様性緩和対象外データ
5…部分パターン定義付データ
6…代表パターン定義データ
7…代表パターン置換済みデータ
8…合成済みデータ
9…多様性緩和済みデータ
10…CP描画データ
11…図形リスト
12…部分パターン候補リスト
13…部分パターンリスト
14…グループ分けリスト
15…グループリスト
101…電子銃
102…矩形アパーチャ
103…可変整形器
104…マスク描画用CPマスク
105…マスク乾板
M…矩形窓
N…全体パターン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Drawing data 2 ... Fractured drawing data 3 ... Diversity relaxation object data 4 ... Diversity relaxation object data 5 ... Partial pattern definition data 6 ... Representative pattern definition data 7 ... Representative pattern replacement data 8 ... Synthesized data 9 ... Diversified data 10 ... CP drawing data 11 ... Graphic list 12 ... Partial pattern candidate list 13 ... Partial pattern list 14 ... Grouping list 15 ... Group list 101 ... Electron gun 102 ... Rectangular aperture 103 ... Variable shaper 104 ... CP mask 105 for mask drawing ... Mask dry plate M ... Rectangular window N ... Whole pattern

Claims (10)

半導体集積回路設計用の描画データから回路パターン中に含まれる繰り返しパターンを抽出し、該抽出した繰り返しパターンを繰り返しショットすることで前記回路パターンの一部を基板上に効率的に描画するCP描画データを作成するCP描画データ作成方法であって、
前記回路パターン中に多数存在する各パターンを多数の矩形に分割するステップと、
前記分割した多数の矩形のうち互いに隣接する任意の矩形を組み合わせて得られる前記各パターンの一部を構成する部分パターンのうち、その形状及び大きさが同一である1乃至複数の部分パターンを1つの部分パターン群として抽出するステップと、
前記抽出した複数の部分パターン群を相互に比較して、形状及び寸法の差異が一定範囲内にある類似する部分パターン群の集合ごとに当該部分パターン群の集合に含まれる部分パターンを代表する1つの代表パターンを生成するステップと、
前記代表パターンに基づきCP描画データを生成するステップと
を備えるCP描画データ作成方法。
CP drawing data for extracting a repetitive pattern included in a circuit pattern from drawing data for designing a semiconductor integrated circuit, and drawing the extracted repetitive pattern efficiently on a substrate by repeatedly shooting the extracted repetitive pattern CP drawing data creation method for creating
Dividing each pattern present in the circuit pattern into a plurality of rectangles;
Among partial patterns obtained by combining arbitrary adjacent rectangles among the plurality of divided rectangles, one to a plurality of partial patterns having the same shape and size are defined as one partial pattern. Extracting as a partial pattern group,
The extracted plurality of partial pattern groups are compared with each other, and a partial pattern included in the set of partial pattern groups is represented for each set of similar partial pattern groups having a difference in shape and size within a certain range. Generating two representative patterns;
Generating CP drawing data based on the representative pattern.
前記代表パターンに基づきCP描画データを生成するステップは、
元の前記回路パターンにおける前記集合内の部分パターンを前記代表パターンに置き換えてなる置換済み回路パターンデータを作成するステップと、
前記置換済み回路パターンデータにおいて、前記代表パターンに置換した際に生じた少なくともパターン間の隙間を除去した多様性緩和済み回路パターンデータを作成するステップと、
前記多様性緩和済み回路パターンデータから、多数の矩形のうち互いに隣接する任意の矩形を組み合わせて得られる部分パターンのうち、その形状及び大きさが同一である1乃至複数の部分パターンを1つの部分パターン群として抽出したCP描画データを作成するステップと
を備えることを特徴とする請求項1に記載のCP描画データ作成方法。
The step of generating CP drawing data based on the representative pattern includes:
Creating replaced circuit pattern data obtained by replacing a partial pattern in the set in the original circuit pattern with the representative pattern;
In the replaced circuit pattern data, creating diversity-reduced circuit pattern data in which at least gaps between the patterns generated when replacing with the representative pattern are removed;
Of the partial patterns obtained by combining arbitrary adjacent rectangles out of a large number of rectangles from the circuit pattern data with reduced diversity, one or more partial patterns having the same shape and size are taken as one part The CP drawing data creation method according to claim 1, further comprising: creating CP drawing data extracted as a pattern group.
前記回路パターン中に多数存在する各パターンは、光近接効果補正によって複雑化された微細な形状差や寸法差を有する多様な形状及び大きさのパターンであって、前記パターンをマスク上に描画する際に前記作成したCP描画データを利用することを特徴とする請求項1又は2に記載のCP描画データ作成方法。   Each pattern present in the circuit pattern is a pattern having various shapes and sizes having fine shape differences and dimensional differences complicated by optical proximity correction, and the patterns are drawn on a mask. The CP drawing data creation method according to claim 1 or 2, wherein the created CP drawing data is used. 前記回路パターン中に多数存在する各パターンは、回路設計時点で形状が複雑化されたパターンであって、前記パターンを直接基板上に描画する際に前記作成したCP描画データを利用することを特徴とする請求項1又は2に記載のCP描画データ作成方法。   Each pattern present in the circuit pattern has a complicated shape at the time of circuit design, and the created CP drawing data is used when the pattern is drawn directly on the substrate. The CP drawing data creation method according to claim 1 or 2. 元の描画データ作成における回路パターンの設計時あるいは元の描画データ作成後の前記回路パターン中に多数存在する各パターンに対して設定したパターン重要度に基づいて、前記回路パターン中に多数存在する各パターンのそれぞれを代表パターンで置換する対象のパターンと代表パターンで置換しない対象外のパターンとに分類するステップをさらに備えることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のCP描画データ作成方法。   Each of the circuit patterns that exist in the circuit pattern based on the pattern importance set for each pattern that exists in the circuit pattern when the circuit pattern is designed in the original drawing data creation or after the original drawing data is created 5. The CP drawing data creation according to claim 1, further comprising a step of classifying each of the patterns into a target pattern to be replaced with a representative pattern and a non-target pattern not to be replaced with a representative pattern. Method. 前記形状及び寸法の差異は、所定の半導体設計ルールに基づいて決定されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のCP描画データ作成方法。   6. The CP drawing data creation method according to claim 1, wherein the difference between the shape and the dimension is determined based on a predetermined semiconductor design rule. 前記形状及び寸法の差異は、転写性シミュレーションの実行結果に応じたユーザ操作に応じて入力されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のCP描画データ作成方法。   The CP drawing data creation method according to claim 1, wherein the difference between the shape and the dimension is input in accordance with a user operation corresponding to a transfer result of the transferability simulation. 半導体集積回路設計用の描画データから回路パターン中に含まれる繰り返しパターンを抽出し、該抽出した繰り返しパターンを繰り返しショットすることで前記回路パターンの一部を基板上に効率的に描画するCP描画データを作成するCP描画データ作成装置であって、
前記回路パターン中に多数存在する各パターンを多数の矩形に分割する分割手段と、
前記分割した多数の矩形のうち互いに隣接する任意の矩形を組み合わせて得られる前記各パターンの一部を構成する部分パターンのうち、その形状及び大きさが同一である1乃至複数の部分パターンを1つの部分パターン群として抽出する抽出手段と、
前記抽出した複数の部分パターン群を相互に比較して、形状及び寸法の差異が一定範囲内にある類似する部分パターン群の集合ごとに当該部分パターン群の集合に含まれる部分パターンを代表する1つの代表パターンを生成するパターン生成手段と、
前記代表パターンに基づきCP描画データを生成する描画データ生成手段と
を備えるCP描画データ作成装置。
CP drawing data for extracting a repetitive pattern included in a circuit pattern from drawing data for designing a semiconductor integrated circuit, and drawing the extracted repetitive pattern efficiently on a substrate by repeatedly shooting the extracted repetitive pattern CP drawing data creation device for creating
A dividing means for dividing each pattern present in the circuit pattern into a plurality of rectangles;
Among partial patterns obtained by combining arbitrary adjacent rectangles among the plurality of divided rectangles, one to a plurality of partial patterns having the same shape and size are defined as one partial pattern. Extraction means for extracting as a partial pattern group,
The extracted plurality of partial pattern groups are compared with each other, and a partial pattern included in the set of partial pattern groups is represented for each set of similar partial pattern groups having a difference in shape and size within a certain range. Pattern generation means for generating two representative patterns;
A CP drawing data creation device comprising drawing data generation means for generating CP drawing data based on the representative pattern.
請求項1乃至7のいずれかに記載のCP描画データ作成方法を実現するコンピュータで実行可能なプログラム。   A computer-executable program for realizing the CP drawing data creation method according to any one of claims 1 to 7. 前記請求項8に記載の装置によってあるいは前記請求項9に記載のプログラムに従って作成されたCP描画データに基づき前記代表パターンが形成されたCPマスク。   A CP mask on which the representative pattern is formed based on CP drawing data created by the apparatus according to claim 8 or according to the program according to claim 9.
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