JP5500978B2 - 有機ｅｌ装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置に関する。

近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。この有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んでいる。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように気密に封止する必要がある。

例えば、特許文献１によれば、有機樹脂（organic resin）からなる絶縁フィルム（insulating film）の上に発光素子(light-emitting element)を備えた表示装置(display device)であって、絶縁フィルムの側部（side portion）をカバーするシールフィルム（sealing film）を備えた構成が開示されている。

米国特許出願公開第２００８／０１１６７９５号明細書

本発明の目的は、水分による劣化を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供することにある。

本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置され、無機化合物によって形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に配置されるとともに前記第１絶縁膜を露出する格子状の溝が形成され、上面及び側面を有する有機化合物によって形成された第２絶縁膜と、前記溝によって囲まれた前記第２絶縁膜の上面に配置された画素電極と、前記第２絶縁膜の上面及び側面、及び、前記溝によって露出した前記第１絶縁膜をカバーする無機化合物によって形成された第３絶縁膜と、前記画素電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。

本発明の他の態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方に配置され、無機化合物によって形成された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上にそれぞれ配置されるとともに互いに離間した複数の島状のセグメントによって構成され、各セグメントが上面及び側面を有する有機化合物によって形成された第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の各セグメントの上面にそれぞれ配置された画素電極と、前記第２絶縁膜の各セグメントの上面及び側面、及び、各セグメント間から露出した前記第１絶縁膜をカバーする無機化合物によって形成された第３絶縁膜と、前記画素電極の上にそれぞれ配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。

本発明によれば、水分による劣化を抑制することが可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。

図１は、本発明の一実施態様における有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を備えたアレイ基板の構造を概略的に示す断面図である。 図３は、図１に示したアレイ基板のアクティブエリアにおいてマトリクス状に配置された４つの有機ＥＬ素子の上面図である。 図４の（ａ）乃至（ｄ）は、本実施形態における有機ＥＬ素子の製造方法を説明するための図である。

以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、有機ＥＬ装置の一例として、アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。

すなわち、有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、アレイ基板１００及び封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示する略矩形状のアクティブエリア１０２において、マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。封止基板２００は、アクティブエリア１０２において、アレイ基板１００に備えられた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。この封止基板２００は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板である。

これらのアレイ基板１００と封止基板２００との間には、アクティブエリア１０２を囲む枠状に形成されたシール部材３００が配置されている。シール部材３００は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの各種樹脂材料によって形成されている。シール部材３００によって囲まれた内側のアレイ基板１００と封止基板２００との間には、樹脂層が充填されていても良い。このような樹脂層は、アレイ基板１００と封止基板２００とを貼り合わせる接着層などとして機能する。

図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えたアレイ基板１００の一例を示す断面図である。なお、ここでは、図１に示したアレイ基板１００において、アクティブエリア１０２の最外周に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ、及び、これに隣接する有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの一部の断面を図示している。

このアレイ基板１００は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上方に形成されたスイッチング素子ＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを備えている。

絶縁基板１０１の上には、アンダーコート層１１１が配置されている。このアンダーコート層１１１の上には、スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。

半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜１１２によって被覆されている。また、このゲート絶縁膜１１２は、アンダーコート層１１１の上にも配置されている。ゲート絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。

ゲート電極Ｇは、第１絶縁膜１１３によって被覆されている。また、この第１絶縁膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２の上にも配置されている。これらのアンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、第１絶縁膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。このようなアンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、第１絶縁膜１１３は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）やシリコン窒化物（ＳｉＮｘ）などの無機化合物によって形成されている。

第１絶縁膜１１３の上には、スイッチング素子ＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄは、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などの導電材料を用いて形成されている。

これらのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、第２絶縁膜１１４によって被覆されている。また、この第２絶縁膜１１４は、第１絶縁膜１１３の上にも配置されている。このような第２絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２において島状に形成されている。この第２絶縁膜１１４は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機化合物によって形成されている。

すなわち、この第２絶縁膜１１４には、溝ＧＲが形成されている。この溝ＧＲは、第１絶縁膜１１３に到達している。つまり、溝ＧＲの底部には、第１絶縁膜１１３が位置している。このような溝ＧＲは、図中のＹ方向に延出しており、しかも、この図では示されていないが、Ｘ方向にも延出し、格子状に形成されている。このため、第２絶縁膜１１４の側面１１４Ｓは、Ｙ方向のみならずＸ方向にも延出している。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、第２絶縁膜１１４の上面１１４Ｔに配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに電気的に接続されている。この画素電極ＰＥは、例えば陽極に相当する。このような画素電極ＰＥの構造については、特に制限はなく、反射層及び透過層が積層された２層構造であっても良いし、反射層単層、あるいは、透過層単層であっても良いし、さらには、第１透過層／反射層／第２透過層の３層構造であっても良いし、また、４層以上の積層構造であっても良い。

反射層は、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過層は、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが封止基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプの場合には、画素電極ＰＥは少なくとも反射層を含んでいる。

画素電極ＰＥが配置されていない第２絶縁膜１１４の上面１１４Ｔ、第２絶縁膜１１４の側面１１４Ｓ、及び、溝ＧＲによって露出した第１絶縁膜１１３は、第３絶縁膜１１５によってカバーされている。また、この第３絶縁膜１１５は、画素電極ＰＥの一部である周縁部ＰＥＰもカバーしている。

この第３絶縁膜１１５は、各画素電極ＰＥを囲むように配置されている。つまり、第３絶縁膜１１５は、図中のＹ方向に延出しており、しかも、この図では示されていないが、Ｘ方向にも延出し、格子状に形成されている。

また、アクティブエリア１０２の最外周においては、第３絶縁膜１１５は、第２絶縁膜１１４の上面１１４Ｔ、及び、第２絶縁膜１１４の側面１１４Ｓをカバーしている。

このような第３絶縁膜１１５は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機化合物によって形成されている。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。また、この有機層ＯＲＧは、第３絶縁膜１１５の上にも延在している。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでいても良い。なお、有機層ＯＲＧの少なくとも一部は、蛍光材料によって形成されていても良いし、燐光材料によって形成されていても良い。

有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在した連続膜であり、有機層ＯＲＧ及び第３絶縁膜１１５を被覆している。このような対向電極ＣＥは、例えば半透過層によって形成されている。半透過層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）・銀（Ａｇ）などの導電材料によって形成されている。

なお、対向電極ＣＥは、半透過層及び透過層が積層された２層構造であっても良いし、透過層単層構造、または、半透過層単層構造であっても良い。透過層は、例えば、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成可能である。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが絶縁基板１０１の側から光を放射するボトムエミッションタイプの場合には、対向電極ＣＥは少なくとも反射層あるいは半透過層を含んでいる。

対向電極ＣＥの上には、封止膜１１６が配置されている。図２に示した例では、封止膜１１６は単層構造であるが、２層以上を積層した構造であってもよく、封止膜１１６の構成はここに示した例に限定されない。

このような封止膜１１６は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在し、アクティブエリア１０２に配置された有機ＥＬ素子をカバーしている。このような構成の封止膜１１６は、水分が浸透しにくい材料によって形成され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分の浸透を防止する水分バリア膜として機能する。封止膜１１６は、例えば、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ_２Ｏ_３）、シリコン酸化物（ＳｉＯｘ）などの無機化合物によって形成されている。

なお、図示を省略した封止基板２００は、封止膜１１６の上方に配置される。アレイ基板１００と封止基板２００との間に樹脂層が充填される場合には、樹脂層は封止膜１１６と封止基板２００との間に配置される。樹脂層は、例えば、紫外線硬化型樹脂材料や熱硬化型樹脂材料などによって形成され、特に、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがトップエミッションタイプに場合には、樹脂層は光透過性を有する材料によって形成される。

図３は、図１に示したアレイ基板１００のアクティブエリア１０２においてマトリクス状に配置された４つの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの上面図である。なお、ここでは、説明に必要な主要部のみを図示している。

第１絶縁膜１１３の上に配置された第２絶縁膜１１４は、互いに離間した複数の島状のセグメントによって構成され、ここでは、４つのセグメント１１４１乃至１１４４が図示されている。各セグメント１１４１乃至１１４４は、それぞれ上面１１４Ｔ及び側面１１４Ｓを有している。各セグメント１１４１乃至１１４４は、第１絶縁膜１１３に接する底面から上面１１４Ｔに向かって先細りのテーパー状に形成されている。つまり、各セグメント１１４１乃至１１４４の上面１１４Ｔの面積は、第１絶縁膜１１３に接する底面積より小さい。

このような各セグメント１１４１乃至１１４４は、第２絶縁膜１１４に形成された格子状の溝ＧＲによって分離されている。この溝ＧＲは、互いに直交するＸ方向及びＹ方向に沿って形成され、第１絶縁膜１１３に到達している。このため、第１絶縁膜１１３は、各セグメント１１４１乃至１１４４の間から格子状に露出している。

画素電極ＰＥは、略長方形状に形成され、各セグメント１１４１乃至１１４４の上面１１４Ｔにそれぞれ配置されている。各画素電極ＰＥは、上面１１４Ｔのエッジよりも内側に位置しており、上面１１４Ｔの一部を露出している。勿論、各画素電極ＰＥは、側面１１４Ｓや第１絶縁膜１１３を覆うことはない。なお、各画素電極ＰＥと図示しないスイッチング素子ＳＷとを電気的に接続するコンタクトホールＣＨは、各セグメント１１４１乃至１１４４に形成されている。

これらの第１絶縁膜１１３、第２絶縁膜１１４、及び、画素電極ＰＥに対して、第３絶縁膜１１５が配置される領域を破線で示す。この第３絶縁膜１１５は、格子状に配置されている。すなわち、第３絶縁膜１１５は、画素電極ＰＥの枠状の周縁部ＰＥＰ、画素電極ＰＥから露出した第２絶縁膜１１４の各セグメント１１４１乃至１１４４の上面１１４Ｔ、各セグメント１１４１乃至１１４４の側面１１４Ｓ、及び、各セグメント１１４１乃至１１４４の間から格子状に露出した第１絶縁膜１１３をカバーしている。

図示しない有機層ＯＲＧは、第３絶縁膜１１５によって覆われていない画素電極ＰＥの上面、つまり、画素電極ＰＥの中央部ＰＥＣに配置されている。この有機層ＯＲＧは第３絶縁膜１１５の上面に延在していても良い。図示しない対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上面に配置されている。

上述した本実施形態によれば、アレイ基板１００に備えられた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、水分バリア膜として機能する封止膜１１６によって覆われているため、水分による劣化を抑制できる。しかしながら、封止膜１１６を形成する工程より以前に異物が存在していた場合などには、封止膜１１６の一部が途切れてしまうことがある。この場合には、封止膜１１６が途切れた部分から水分が浸入して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を招くおそれがある。特に、有機層ＯＲＧは、水分に対する耐性が低いため、有機層ＯＲＧに含まれる発光層が失活してしまう。このため、有機層ＯＲＧの劣化が進行すると、ダークスポットと称される非発光部が形成される。

また、比較的水分拡散性が高い有機化合物によって形成された有機薄膜に水分が達すると、この有機薄膜内を水分が拡散してしまう。例えば、画素間を絶縁するリブあるいは隔壁と称される有機薄膜がアクティブエリア１０２の全体に亘って格子状に形成された場合を考える。有機薄膜は、複数の画素に跨って延在しているため、このような有機薄膜に水分が浸入すると、その水分が有機薄膜を拡散して周辺の画素に到達する場合もあるし、有機薄膜が接している平坦化層などと称される絶縁膜（本実施形態では第２絶縁膜）を介して拡散した水分が周辺の画素に到達する場合もあり、いずれもの場合も複数の画素に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの有機層ＯＲＧに含まれる発光層を失活させるおそれがある。

本実施形態においては、各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極ＰＥの下地となる第２絶縁膜１１４は、互いに離間した複数のセグメントに分断されている。これらのセグメントを分断する溝ＧＲは、第２絶縁膜１１４の下地となる無機化合物によって形成された第１絶縁膜１１３に達している。つまり、無機化合物の第１絶縁膜１１３と有機化合物の第２絶縁膜１１４の間には、水分の拡散が許容されるパスが無い。

したがって、第２絶縁膜１１４を構成する複数のセグメント間を繋ぐ水分拡散のパスが存在しないため、たとえ１つのセグメントに水分が浸入したとしても、周辺のセグメントへの水分の拡散が抑制される。このため、１つのセグメント上に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが劣化したとしても、その周辺に配置された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を抑制することが可能となる。

また、本実施形態においては、第２絶縁膜１１４の側面１１４Ｓや画素電極ＰＥが配置されていない上面１１４Ｔは、無機化合物によって形成された第３絶縁膜１１５によってカバーされている。このため、画素電極ＰＥの上に配置された有機層ＯＲＧが第２絶縁膜１１４に接することがない。

つまり、第２絶縁膜１１４と有機層ＯＲＧとの間には、無機化合物からなる第３絶縁膜１１５が介在しているため、第２絶縁膜１１４から有機層ＯＲＧに向かう水分拡散のパスがない。このため、第２絶縁膜１１４に水分が浸入したとしても、有機層ＯＲＧの劣化を抑制することが可能となる。

次に、本実施形態で適用可能な有機ＥＬ装置の製造方法について図４を参照しながら説明する。

まず、図４の（ａ）で示したように、画素電極ＰＥを形成した後にレジストＲＳＴを残しておく。すなわち、図示を省略するが、絶縁基板１０１の上にアンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、第１絶縁膜１１３、スイッチング素子ＳＷなどを形成した後に、紫外線硬化型樹脂あるいは熱硬化型樹脂を用いて第２絶縁膜１１４を形成する。そして、この第２絶縁膜１１４の上面１１４Ｔに、画素電極ＰＥを形成するための導電層を形成する。このとき、例えば、第２絶縁膜１１４の上面１１４Ｔに第１導電層としてＩＴＯからなる透過層を形成した後、この透過層の上面に第２導電層として銀（Ａｇ）からなる反射層を形成した後に、さらにこの反射層の上面に第３導電層としてＩＴＯからなる透過層を形成した。

その後、第３導電層の上面に画素電極ＰＥの形状に対応したレジストＲＳＴを形成し、レジストＲＳＴから露出した第３導電層、第２導電層、さらに、第１導電層をエッチングによって除去する。これにより、所望の形状を有する３層積層構造の画素電極ＰＥが形成されるとともに、レジストＲＳＴの間から第２絶縁膜１１４の一部の上面１１４Ｔが露出する。

続いて、図４の（ｂ）に示したように、レジストＲＳＴを介して第２絶縁膜１１４の酸素（Ｏ_２）によるドライエッチングを行う。このエッチングにより、レジストＲＳＴから露出した第２絶縁膜１１４が除去され、第１絶縁膜１１３に達した溝ＧＲが形成されるとともに、互いに離間したセグメント（ここでは、２つのセグメント１１４１及び１１４２を図示）が形成される。

このとき、形成された各セグメントにおいては、上面１１４Ｔと側面１１４Ｓとのなす角度θ１が９０度以上であることが望ましい。なす角度θ１が９０度である場合、第１絶縁膜１１３の上面１１３Ｔと第２絶縁膜１１４の側面１１４Ｓとのなす角度も９０度であり、第２絶縁膜１１４の各セグメントは、第１絶縁膜１１３の上面１１３Ｔに対して略垂直に形成されている。また、なす角度θ１が９０度より大きい場合、各セグメントは、上面１１４Ｔに向かってテーパー状に形成されている。このようなθ１の制御は、第２絶縁膜１１４をエッチングする条件を適宜調整することによって可能である。

続いて、図４の（ｃ）に示したように、画素電極ＰＥの上のレジストＲＳＴを除去する。

続いて、図４の（ｄ）に示したように、シリコン窒化物（ＳｉＮ）を用いて第３絶縁膜１１５を形成する。すなわち、画素電極ＰＥの上面ＰＴ、第２絶縁膜１１４の上面１１４Ｔ及び側面１１４Ｓ、さらには、第１絶縁膜１１３の上面１１３Ｔをカバーするシリコン窒化物からなる薄膜を形成する。その後、この薄膜のうち、画素電極ＰＥの周縁部ＰＥＰを除く中央部ＰＥＣの直上に位置する薄膜をエッチングにより除去する。これにより、画素電極ＰＥの周縁部ＰＥＰ、第２絶縁膜１１４の上面１１４Ｔ及び側面１１４Ｓ、及び、第１絶縁膜１１３の上面１１３Ｔをカバーした第３絶縁膜１１５が形成される。

このとき、形成された第３絶縁膜１１５においては、その側面１１５Ｓと画素電極ＰＥの上面ＰＴとのなす角度θ２が９０度以下であることが望ましい。このようななす角度θ２の制御は、第３絶縁膜１１５を形成するための薄膜をエッチングする条件を適宜調整することによって可能である。

その後、画素電極ＰＥの上面ＰＴに有機層ＯＲＧを形成し、さらに、有機層ＯＲＧの上に対向電極ＣＥを形成し、その後、対向電極ＣＥの上に封止膜１１６を形成する。

ここで、なす角度θ１が９０度以上である場合、溝ＧＲをカバーする対向電極ＣＥや封止膜１１６の膜切れを抑制することが可能となる。また、なす角度θ２が９０度以下である場合には、画素電極ＰＥの上面ＰＴから第３絶縁膜１１５に延在する有機層ＯＲＧの膜切れを抑制することが可能となる。

以上説明したように、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの水分による劣化を抑制することが可能となり、信頼性を向上することができる。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

本実施形態は、有機ＥＬ装置として、有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ照明や有機ＥＬプリンターヘッドなどにも利用可能である。

本実施形態では、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがトップエミッションタイプである場合について説明したが、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがアレイ基板１００の絶縁基板１０１を介して光を放射するボトムエミッションタイプであっても良い。

１…表示パネル
１００…アレイ基板
１１３…第１絶縁膜
１１４…第２絶縁膜
１１５…第３絶縁膜
１１６…封止膜
２００…封止基板
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
ＧＲ…溝
ＰＥ…画素電極 ＰＴ…上面
ＰＥＰ…周縁部 ＰＥＣ…中央部
ＯＲＧ…有機層
ＣＥ…対向電極

Claims (9)

1. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板の上方に配置され、無機化合物によって形成された第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜の上に配置された電極と、
   前記第１絶縁膜及び前記電極の上に配置されるとともに前記第１絶縁膜を露出する格子状の溝が形成され、上面及び側面を有する有機化合物によって形成された第２絶縁膜と、
   前記溝によって囲まれた前記第２絶縁膜の上面に配置され、前記電極と接続された画素電極と、
   前記第２絶縁膜の上面及び側面、及び、前記溝によって露出した前記第１絶縁膜をカバーする無機化合物によって形成された第３絶縁膜と、
   前記画素電極の上に配置された有機層と、
   前記有機層の上に配置された対向電極と、
   を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 前記溝によって囲まれた前記第２絶縁膜の上面と側面とのなす角度は、９０度以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
3. 前記第３絶縁膜は、前記画素電極の周縁部をカバーし、前記画素電極の上面に対して９０度以下のなす角度を形成する側面を有することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
4. 前記第３絶縁膜は、シリコン窒化物、アルミニウム酸化物、シリコン酸化物のいずれかによって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
5. さらに、前記対向電極の上に配置され、無機化合物によって形成された封止膜を備えたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
6. 前記有機層は、前記溝と重なる位置に延在することなく前記画素電極の上に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
7. 絶縁基板と、
   前記絶縁基板の上方に配置され、無機化合物によって形成された第１絶縁膜と、
   前記第１絶縁膜の上に配置された電極と、
   前記第１絶縁膜及び前記電極の上にそれぞれ配置されるとともに互いに離間した複数の島状のセグメントによって構成され、各セグメントが上面及び側面を有する有機化合物によって形成された第２絶縁膜と、
   前記第２絶縁膜の各セグメントの上面にそれぞれ配置され、前記電極と接続された画素電極と、
   前記第２絶縁膜の各セグメントの上面及び側面、及び、各セグメント間から露出した前記第１絶縁膜をカバーする無機化合物によって形成された第３絶縁膜と、
   前記画素電極の上にそれぞれ配置された有機層と、
   前記有機層の上に配置された対向電極と、
   を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
8. 前記第２絶縁膜の各セグメントは、前記第１絶縁膜と接する底面から上面に向かってテーパー状に形成されたことを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ装置。
9. 前記有機層は、隣接する前記セグメント間に延在することなく前記画素電極の上にそれぞれ配置されたことを特徴とする請求項７に記載の有機ＥL装置。

Images