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JP5568320B2 - 検査装置および検査方法 - Google Patents
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Description

本発明は、基板を検査する検査装置,検査方法に関する。
半導体検査装置は被検査物(ウエハ)はFOUPを用いて提供される。このFOUPは識別子情報とウエハ存在スロット(棚)情報を検証・承認後に検査可能となる。装置は検査可能となった後に検査情報指示(検査対象スロット(棚)情報とレシピ(検査条件))により指定された検査を順次行う。レシピ情報が確定しない状態でも処理枚数情報の入力だけでFOUP処理所要時間の概算値を知ることができるようになると、実際にFOUP及びレシピ情報が手元に届く前で検査装置前工程・後工程の製造装置などの手配をスケジュールすることができるようになる。これにより、FOUPの処理待ち(装置空き待ち)時間や装置の処理FOUP待ち時間などを低減可能な手配計画ができるようになり、高効率でのロット手配が可能となる。
特開2001−345241号公報
ロット処理時間の予測に関するものとして、特開2001−345241号公報で開示されたものが知られているが、前期公報に開示されたものは、全ての情報が揃った状態での装置内部の処理時間予測が可能となっている。そのため、動作中ロットの終了後にしかける次ロット(FOUP到着前)の処理所要時間を前もって計算することができないため、十分とはいえない。また、前期公報に開示されたものは、ウエハ表面を処理対象とした装置としているため、最初の処理ユニットへ移動する時間は常に一定となっている。そのため裏面処理を考えた場合、FOUPから最初の処理ユニットへ移動する前にウエハ反転(裏面処理の場合)し、処理後にFOUPへ戻す前にウエハ反転(裏面処理終了の場合)する時間裏面対象の検査の場合はロット所要時間に含める必要がある。
上記目的を達成するために、本発明の第1の特徴は、レシピ指定無しの場合、所要時間を表面対象の標準処理(最短)から裏面対象の高密度処理(最長)の範囲で任意組合せの予測時間を複数パターン算出・通知可能とすることにある。
本発明の第2の特徴は、反転機能を有する基板格納容器と、処理部とを有し、前記処理部は、前記基板格納容器の反転を考慮して、前記基板格納容器のロードから前記格納容器のアンロードまでに要する時間を計算することにある。
本発明の第3の特徴は、前記処理部は、固定係数を使用することにある。
本発明の第4の特徴は、前記基板の反転に応じて、2つの式を使用することにある。
本発明の第5の特徴は、記憶部を有し、前記処理部は検査時間を計算し、前記検査時間は、複数の時間係数に分類され、前記記憶部へ保存されることを特徴とすることにある。
本発明の第6の特徴は、表示部を有し、前記表示部は、前記処理部によって計算された時間を表示することを特徴とすることにある。
本発明の第7の特徴は、基板格納容器とは別に反転機構を有することにある。
本発明によれば、ロット処理中の検査装置に対して現在のロットの装置処理所要時間予測に加えて次ロットの装置処理所要時間をレシピ情報無しでも算出可能となる。これにより、FOUPの高効率ロット手配が容易に行えるようになるためFOUP処理待ち時間が短縮される。
装置全体図。 検査装置の天板側から見た水平断面図。 FOUP搬入から搬出までの処理フロー。 ウエハ表面を処理対象としたウエハ連続処理フロー。 ウエハ裏面を処理対象としたウエハ連続処理フロー。(反転機能付きウエハ搬送アーム) ウエハ裏面を処理対象としたウエハ連続処理フロー。(独立反転ユニット:検査時間長) ウエハ裏面を処理対象としたウエハ連続処理フロー。(独立反転ユニット:検査時間短) FOUP占有時間算出情報通知GUI。 FOUP占有時間算出情報通知GUI(通知例)。 ロット所要時間演算フロー。 検査装置ウエハ処理フロー。 装置管理処理時間DB仮想値表。 HOSTからの演算指示及び装置からの演算結果通知例。 検査パターン。
図1に検査装置の構成を示す。検査装置は、試料(ウエハ等の基板を含む)を載置し、走査方向に移動する搬送系1111と、光1110を基板に照射する照射光学系1112と、試料からの光102(散乱光,反射光等)を検出する検出光学系1113と、検出結果から試料の検査を行う検査処理系1114と、様々な情報を表示し、入力する入出力系1115と、を有する。
より、具体的には、搬送系1111は基板を載置する載置部1116と、載置部を搭載し、移動する走査部1117とを含む。照射光学系1112は光を発生する光源1と、基板と光源1との間に配置され、光を基板へ導く光学素子1118とを含む。検出光学系1113は、試料からの光を検出する光検出器1119を含むが、基板と光検出器1119との間に配置され、基板からの光を光検出器へ導く光学素子を含んでも良い。検査処理系1114は、光検出器の検出結果から試料の欠陥を検査する欠陥処理部1120を有する。入出力系1115は、検査結果や欠陥の情報を表示する表示部1121と、検査条件等を入力する入力部1122とを含む。
そして、検査装置では、レシピ指定無しの場合、FOUP所要時間を「表面」対象の標準処理(最短)から「裏面」対象の高密度処理(最長)の範囲で任意組合せの予測時間を複数パターン算出・通知可能とする。
以下、検査装置に本発明を適用した場合の実施例を図面を用いて説明する。
図3に示すように装置は[FOUP LOAD]+([WAFER LOAD]+[WAFER INSPECTION]+[WAFER UNLOAD])×処理枚数+[FOUP UNLOAD]にかかる時間FOUPを占有する。この時間を予め予測することにより次装置へのFOUP手配のスケジュールを効率よく行いFOUPの処理待ち時間を短縮することが可能となる。[FOUP LOAD]と[FOUP UNLOAD]は固定係数で予測時間の演算を行う。固定係数とは、装置のハードウエア構成及び制御ソフトなどにより予め算出・管理可能な時間定数を示す。
[WAFER LOAD]時間及び[WAFER UNLOAD]時間はウエハ反転有り無しにより必要時間が大きく変わるため2式の計算式を用意する。2式とは、検査面(表/裏)が2通りあることから、裏面検査=ウエハ反転有り、表面検査=ウエハ反転無しとなる。また、反転にかかる時間は装置設備により異なるため汎用性をもたせて対応する。汎用性とは例えば、ウエハ反転機構が独立したユニットの場合はウエハを反転ユニットへ移動・設置する時間,反転時間、及び変転ユニットからウエハを移動する時間が必要となるのに対して、ウエハ搬送アームに反転機構が備わっている場合は反転する時間のみを考慮すればよい。
[WAFER INSPECTION]時間は要求される検査精度及び装置が持つ性能により複数の時間係数に分類して管理しておく。これは例えばaレシピは係数r1を適用し検査対象はウエハ裏面、bレシピは係数r1を適用し検査対象はウエハ表面のように管理する。さらに、レシピが指定されていない状態では管理している時間係数全て(図14に示す6パターン)の予測時間、若しくは予め既定しておく代表係数1個、又は第一候補,第二候補のように任意個数の予測時間を通知することを可能とする。この予測時間通知についての詳細説明は後述する。
図10−C10[FOUP LOAD時間]処理の流れを図2引用により説明する。
装置にFOUPが設置されると[FOUP LOAD]を開始する。図2−107(ロードポート)へ図2−106(FOUP)が設置される。装置はFOUPを鉤形状機構で固定(以下クランプ)してFOUP識別一意情報(以下ID)を読み込む。その読み込み値を装置管理システム(以下HOST)へ通知してID照合を行う。このID照合はHOSTへ通知しないで操作者が行う場合もある。次に装置はFOUPを図2−122方向へ水平移動して図2−123(ゲート)とドッキングした後で、FOUPドアを(図2−123(ゲート)と同時に)オープンする。その後ウエハ配置情報(以下スロットマップ)をスキャンした結果をHOSTへ通知してスロットマップ照合を行う。このスロットマップ照合はHOSTへ通知しないで操作者が行う場合もある。これらの手順により、FOUPは検査処理可能状態となる。
これらはSEMI(Semiconductor Equipment and Materials International)のE30,E87等に準拠したGEM(Generic Equipment Model:包括的装置モデル)300対応装置の動作を例として説明している。しかし、FOUPと同様な形態の容器を用いて材料を搬送する半導体検査装置であればこの規格に準拠している必要はない。
図10−C60[FOUP UNLOAD時間]処理の流れを図2引用により説明する。
装置はウエハ処理が全て完了するとFOUPドアを(図2−123(ゲート)と同時に)クローズする。その後、FOUPと図2−123(ゲート)をアンドッキングしてデリバリポジションへ移動する。このタイミング又はこれ以前のタイミングで通知される搬出可能状態移行通知を受け取ったHOSTの指示によりFOUP搬出ロボット又は人手により搬出操作が行われる。このタイミング又はそれ以前に装置はFOUPのクランプを解除する。
クランプが解除されているFOUPをFOUP搬出ロボット又は人手が搬出する。装置はFOUP搬出後にFOUP搬入可能状態遷移をHOSTへ通知する。
図10−C30[ウエハ LOAD時間]処理の流れを図2引用により説明する。
表面対象検査の場合、装置は図2−106(FOUP)から図2−114(Arm1)により取り出したウエハを図2−109(PA)へ移載する。図2−109(PA)により事前アライメント調整されたウエハを図2−109(PA)から図2−114(Arm1)により取り出して図2−105(Chamba)へ移載する。
裏面対象検査の場合、装置は図2−106(FOUP)から図2−114(Arm1)により取り出したウエハを図2−111(反転ユニット)へ移載する。図2−111(反転ユニット)により裏面へ反転されたウエハを図2−114(Arm1)により取り出し図2−109(PA)へ移載する。図2−109(PA)により事前アライメント調整されたウエハを図2−109(PA)から図2−114(Arm1)により取り出して図2−105(Chamba)へ移載する。
装置が独立したウエハ反転ユニット(図2−111(反転ユニット))を装備しないでウエハ搬送アームが反転機能を有する場合のWAFER LOAD処理の流れを図2引用により説明する。装置は図2−106(FOUP)から図2−114(Arm1「反転機能有り」)により取り出したウエハを裏面へ反転後に図2−109(PA)へ移載する。図2−109(PA)により事前アライメント調整されたウエハを図2−109(PA)から図2−115(Arm2「反転機能無し」)により取り出して図2−105(Chamba)へ移載する。
図10−C50[ウエハ UNLOAD時間]処理の流れを図2引用により説明する。
表面対象検査の場合、装置は図2−105(Chamba)から処理済みウエハを図2−115(Arm2)により取り出して図2−106(FOUP)へ移載する。
裏面対象検査の場合、装置は図2−105(Chamba)から処理済みウエハを図2−115(Arm2)により取り出して図2−111(反転ユニット)へ移載する。図2−111(反転ユニット)により表面へ反転されたウエハを図2−115(Arm2)により図2−106(FOUP)へ移載する。
装置が独立したウエハ反転ユニット(図2−111(反転ユニット))を装備しないでウエハ搬送アームが反転機能を有する場合のWAFER UNLOAD処理の流れを図2引用により説明する。装置は図2−105(Chamba)から処理済みウエハを図2−114(Arm1「反転機能有り」)により取り出し、表面へ反転後に図2−106(FOUP)へ移載する。
連続処理によるChambaウエハ交換処理の流れ。
図10−C50[ウエハ UNLOAD時間]処理で図2−115(Arm2)により処理済みウエハを図2−105(Chamba)から取り出した時に次処理ウエハが図2−114(Arm1)上に存在する場合図2−105(Chamba)へ移載する。
表面対象ウエハ連続処理(LOAD INSPECTION UNLOAD)の流れを図4引用により説明する。最初のウエハをWF,中間のウエハをWM,最後のウエハをWLとする。
[A]WFはFOUPからPAへ図4−Arm1(1)時間で移載される。プリアライナ時間(図4−PA(1))経過後にChambaへ図4−Arm1(2)時間で移載される。
[B]次のウエハ(WM)はFOUPからPAへ図4−Arm1(3)時間で移載され、プリアライナ時間(図4−PA(2))経過後にChambaへ図4−Arm1(4)時間で移載される。この時先行ウエハの処理完了までChamba前で待機する。先行ウエハは処理完了後にChambaからArm2により取り出され(図4−Arm2(1)又は(2)時間開始)、代わりに待機していた次処理ウエハはArm1からChambaへ移載される。(このタイミングまでが図4−Arm1(4)又は(6)時間となる。)続いて処理済みウエハはArm2によりFOUPへ移載される(図4−Arm2(1)又は(2)時間)次に処理するウエハが存在する場合(WM)は[B]からの手順を繰り返す。次に処理するウエハが存在しない(現在処理中のウエハがWL)場合は[C]となる。
[C]Arm2はChamba前でWLの処理完了を待つ。先行ウエハは処理完了後にChambaからArm2により取り出され、図4−Arm2(3)時間でFOUPへ移載される。
(a)処理ウエハnが1の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(b)処理ウエハnが2の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(c)処理ウエハnが3以上の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(a)Arm1(1)+PA(1)+Arm1(2)+Chamba(1)+Arm2(1)
(b)Arm1(1)+PA(1)+Arm1(2)+Chamba(1)+Chamba(g)+Chamba(2)+Arm2(2)
(c)Arm1(1)+PA(1)+Arm1(2)+Chamba(1)+Chamba(g)+Chamba(2)+…Chamba(g)+Chamba(n)+Arm2(n)
Chamba(g):「検査完了ウエハを取り出して次検査ウエハをChambaへ移載する時間」
装置に反転機能を有するウエハ搬送アームがArm1に設置されている場合の裏面対象ウエハ連続処理(LOAD INSPECTION UNLOAD)の流れを図5引用により説明する。最初のウエハをWF,中間のウエハをWM,最後のウエハをWLとする。
[A]WFはFOUPから図5−Arm1(1)時間で取り出されて表面から裏面に反転されてからPAへ移載される。プリアライナ時間(図5−PA(1))経過後にChambaへ図5−Arm2(1)時間で移載される。
[B]次のウエハ(WM)はFOUPからArm1により(図5−Arm1(2)時間で)取り出されて表面から裏面に反転されてからPAへ移載される。プリアライナ時間(図5−PA(2))経過後にChambaへ図5−Arm2(2)時間で移載される。この時先行ウエハの処理完了までChamba前で待機する。先行ウエハは処理完了後にArm1により取り出され、代わりに待機していた次処理ウエハはArm2からChambaへ移載される。(このタイミングまでが図5−Arm2(2)又は(3)時間となる。)続いて処理済みウエハはArm1により反転(裏面から表面)してからFOUPへ移載される。(図5−Arm1(3)又は(5)時間)次に処理するウエハが存在する場合(WM)は[B]からの手順を繰り返す。次に処理するウエハが存在しない(現在処理中のウエハが最終ウエハWLの)場合は[C]となる。
[C]Arm1はChamba前でWLの処理完了を待つ。WLウエハは処理完了後にChambaからArm1により(図5−Arm1(6)時間で)取り出され反転(裏面から表面)してからFOUPへ移載される。
(a)処理ウエハnが1の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(b)処理ウエハnが2の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(c)処理ウエハnが3以上の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(a)Arm1(1)+PA(1)+Arm2(1)+Chamba(1)+Arm1(3)
(b)Arm1(1)+PA(1)+Arm2(1)+Chamba(1)+Chamba(g)+Chamba(2)+Arm1(4)
(c)Arm1(1)+PA(1)+Arm2(1)+Chamba(1)+Chamba(g)+Chamba(2)+…+Chamba(g)+Chamba(n)+Arm1(6)
Chamba(g):「検査完了ウエハを取り出して次検査ウエハをChambaへ移載する時間」
装置に独立したウエハ反転ユニットが設置されている場合の裏面対象ウエハ連続処理(LOAD INSPECTION UNLOAD)の流れを図6引用により説明する。これは次ウエハ準備(反転処理に要する)時間を上回る検査時間として説明する。最初のウエハをWF,中間のウエハをWM,最後のウエハをWLとする。
[A]WFはFOUPから図6−Arm1(1)時間で取り出されてRevU(独立反転ユニット)に移載される。RevUではWFを図6−RevU(1)時間で表面から裏面に反転する。裏面に反転したウエハをRevUから図6−Arm1(2)時間でArm1によりPAへ移載され、プリアライナ時間(図6−PA(1))経過後にChambaへ図6−Arm1(3)時間で移載される。
[B]次のウエハ(WM)はFOUPから図6−Arm1(4)時間で取り出されてRevU(独立反転ユニット)に移載される。RevUではWMを図6−RevU(2)時間で表面から裏面に反転する。裏面に反転したウエハをRevUから図6−Arm1(5)時間でArm1によりPAへ移載され、プリアライナ時間(図6−PA(2))経過後にChamba前へ図6−Arm1(6)時間で移載される。この時先行ウエハの処理完了までChamba前で待機する。先行ウエハは処理完了後にArm2により取り出され、代わりに待機していた次処理ウエハはArm1からChambaへ移載される。(このタイミングまでが図6−Arm1(6)又は(9)時間となる。)続いて処理済みウエハはArm2(図6−Arm2(1)時間)でRevU(独立反転ユニット)に移載される。RevUではウエハを図6−RevU(3)時間で裏面から表面に反転する。表面に反転したウエハをRevUから図6−Arm2(2)時間でArm2によりFOUPへ移載される。(図6−Arm2(2)又は(4)時間)次に処理するウエハが存在する場合(WM)は[B]からの手順を繰り返す。次に処理するウエハが存在しない(現在処理中のウエハが最終ウエハWLの)場合は[C]となる。
[C]Arm2はChamba前でWLの処理完了を待つ。WLは処理完了後にChambaからArm2により(図6−Arm2(5)時間で)取り出されRevU(独立反転ユニット)に移載される。RevUではウエハを図6−RevU(6)時間で裏面から表面に反転する。表面に反転したウエハはRevUから図6−Arm2(6)時間でArm2によりFOUPへ移載される。
(a)処理ウエハnが1の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(b)処理ウエハnが2の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(c)処理ウエハnが3以上の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(a)Arm1(1)+RevU(1)+Arm1(2)+PA(1)+Arm1(3)+Chamba(1)+Arm2(1)+RevU(3)+Arm2(2)
(b)Arm1(1)+RevU(1)+Arm1(2)+PA(1)+Arm1(3)+Chamba(1)+Chamba(g)+Chamba(2)+Arm2(3)+RevU(5)+Arm2(4)
(c)Arm1(1)+RevU(1)+Arm1(2)+PA(1)+Arm1(3)+Chamba(1)+Chamba(g)+Chamba(2)+…+Chamba(g)+Chamba(n)+Arm2(5)+RevU(6)+Arm2(6)
Chamba(g):「検査完了ウエハを取り出して次検査ウエハをChambaへ移載する時間」
装置に独立したウエハ反転ユニットが設置されている場合の裏面対象ウエハ連続処理(LOAD INSPECTION UNLOAD)の流れを図7引用により説明する。これは次ウエハ準備(反転処理に要する)時間を下回る検査時間としてウエハ搬送シーケンスを最適化した場合を説明する。最初のウエハをWF,中間のウエハ1をWM1,中間のウエハ2をWM2,最後のウエハをWLとする。
[A]装置はFOUPからArm1でWFを取り出し、続けてWM1をArm2で取り出す。WFは図7−Arm1(1)時間でRevU(独立反転ユニット)に移載される。RevUではWFを図7−RevU(1)時間で表面から裏面に反転する。裏面に反転したウエハはRevUから図7−Arm1(2)時間でArm1によりPAへ移載される。プリアライナ時間の間にWM1をArm2からRevUへ移載する。(このタイミングまでが図7−Arm2(1)時間となる。)WFはプリアライナ時間(図7−PA(1))経過後にChambaへ図7−Arm1(3)時間で移載される。続けて裏面に反転されたWM1をRevUからPAへArm2(図7−Arm2(2))により移載する。
[B]次のウエハ(WM2)は、Arm1で取り出してRevUへ(図7−Arm1(4)時間で)移載し、プリアライナ済みとなっているWM1はPAからArm1で取り出してChamba前へ図7−Arm1(5)時間で移載される。この時先行ウエハの処理完了までChamba前で待機する。先行ウエハは処理完了後にArm2により取り出され、代わりに待機していた次処理ウエハはArm1からChambaへ移載される。(このタイミングまでが図7−Arm1(5)時間となる。)続いてRevUのウエハ(WM2)をArm1で取り出し、処理済みウエハはArm2(図7−Arm2(3)時間)でRevU(独立反転ユニット)に移載され、次処理ウエハ(WM2)はArm1(6)時間でPAへ移載される。RevUではウエハを図7−RevU(4)時間で裏面から表面に反転する。表面に反転したウエハをRevUから図7−Arm2(5)時間でArm1によりFOUPへ移載される。次に処理するウエハが存在する場合(WMn)は[B]の手順を繰り返す。次に処理するウエハが存在しない(現在処理中のウエハが最終ウエハWLの)場合は[C]となる。
[C]Arm2はChamba前でWLの処理完了を待つ。WLは処理完了後にChambaからArm2により(図7−Arm2(10)時間で)取り出されRevU(独立反転ユニット)に移載される。RevUではウエハを図7−RevU(8)時間で裏面から表面に反転する。表面に反転したウエハはRevUから図7−Arm2(11)時間でArm2によりFOUPへ移載される。
(a)処理ウエハnが1の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(b)処理ウエハnが2の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(c)処理ウエハnが3以上の場合のWAFER LOAD INSPECT UNLOAD所要時間
(a)Arm1(1)+RevU(1)+Arm1(2)+PA(1)+Arm1(3)+Chamba(1)+Arm2(1)+RevU(3)+Arm1(2)
(b)Arm1(1)+Arm2(0)+RevU(1)+Arm1(2)+PA(1)+Arm1(3)+Chamba(1)+Chamba(g)+Chamba(2)+Arm2(3)+RevU(5)+Arm2(4)
(c)Arm1(1)+Arm2(0)+RevU(1)+Arm1(2)+PA(1)+Arm1(3)+Chamba(1)+Chamba(g)+Chamba(2)+…+Chamba(g)+Chamba(n)+Arm2(10)+RevU(8)+Arm2(11)
Arm2(0):「1枚目を取り出した後に2枚目を取り出す時間」
Chamba(g):「検査完了ウエハを取り出して次検査ウエハをChambaへ移載する時間」
図10−C40[ウエハ検査]処理の流れを図2及び図11引用により説明する。
図11−S1に示すように検査対象ウエハはウエハ搬送アームにより図2−105(Chamba)の図2−113(検査ステージ)に設置されてウエハ検査(図11−S2)を行う。この検査時間は、図10−C40フローに示す通り、検査パターンでDB管理されている時間を用いて検査処理時間の演算を図2−100(演算装置)が行う。レシピが決定している場合は1パターンの演算結果となり、レシピが特定されていない場合は検査パターンを分類してDB管理した数の演算を行う。この検査パターンは予め装置が検査処理する際に処理時間に影響するレシピの装置調整値を処理時間により分類して図2−100(検査パターンDB)で管理する。検査対象ウエハは検査処理が完了すると図11−S3に示すとおり図2−113(検査ステージ)からウエハ搬送アームにより回収される。
上記内容により、下記の条件で本発明を利用した場合の通知例を図2,図8,図12及び図14引用により説明する。
この説明の例で装置は検査パターンをNormal,Middle,Highの3分類としてDB管理して全情報(図14に示す6パターン)を通知する設定とし、図2−107(1)(ロードポートA:LPa)のFOUPは検査処理中、図2−107(2)(ロードポートB:LPb)のFOUPは検査処理待ち(ロット予約済み)及び図2−107(3)(ロードポートC:LPc)はFOUPが無い状態とする。
図2−103(キーボード)又は図2−104(マウス)により操作者がロードポートCで処理を予定するウエハ枚数のみ(レシピ情報無し)を入力する。この入力から図2−100(演算装置)が演算処理を行い演算結果を図2−101(コンソールディスプレイ)に図8−FOUP占有時間算出情報通知GUIとして表示する。図8−FOUP占有時間算出情報通知GUIに表示される情報は、以下の通りとなる。
図8−LPa_R:レシピ情報,図8−LPa_C:処理ウエハ枚数,図8−LPa_V:FOUP占有時間情報(未処理ウエハ処理時間及びFOUP UNLOAD時間),図8−LPa_m:ウエハステータス表示(処理待ち/処理済み/対象外),図8−LPb_R:レシピ情報,図8−LPb_C:処理ウエハ枚数,図8−LPb_V:FOUP占有時間情報(LPaの検査完了時間を付加した未処理ウエハ処理時間及びFOUP UNLOAD時間),図8−LPb_m:ウエハステータス表示(処理待ち/処理済み/対象外),図8−LPc_R:空白(レシピ情報無しのため),図8−LPc_C:処理ウエハ枚数,図8−LPc_V:FOUP占有時間情報(LPa及びLPbの完了時間すなわちLPcのFOUPが処理開始可能となる時間),図8−LPc_m(表N):FOUP LOAD/UNLOAD時間及び指定ウエハ枚数の表面検査を検査パターンNormalの処理時間でWAFER LOAD INSPECTION UNLOADする時間を積算したFOUP占有時間情報,図8−LPc_m(表M):FOUP LOAD/UNLOAD時間及び指定ウエハ枚数の表面検査を検査パターンMiddleの処理時間でWAFER LOAD INSPECTION UNLOADする時間を積算したFOUP占有時間情報,図8−LPc_m(表H):FOUP LOAD/UNLOAD時間及び指定ウエハ枚数の表面検査を検査パターンHighの処理時間でWAFER LOAD INSPECTION UNLOADする時間を積算したFOUP占有時間情報,図8−LPc_m(裏N):FOUP LOAD/UNLOAD時間及び指定ウエハ枚数の裏面検査を検査パターンNormalの処理時間でWAFER LOAD INSPECTION UNLOADする時間を積算したFOUP占有時間情報,図8−LPc_m(裏M):FOUP LOAD/UNLOAD時間及び指定ウエハ枚数の表面検査を検査パターンMiddleの処理時間でWAFER LOAD INSPECTION UNLOADする時間を積算したFOUP占有時間情報,図8−LPc_m(裏H):FOUP LOAD/UNLOAD時間及び指定ウエハ枚数の表面検査を検査パターンHighの処理時間でWAFER LOAD INSPECTION UNLOADする時間を積算したFOUP占有時間情報の演算結果をそれぞれ表示して通知する。
HOSTからの演算要求に対する通知を図12,図13及び図9を引用して説明する。これは図12−表に示す仮想数値を用いた演算処理の結果通知例とする。
装置状態はLPa:FOUP有り・検査中(レシピ:Recipe_FN(表Normal検査)/未処理ウエハ5枚),LPb:FOUP有り・検査待ち(レシピ:Recipe_RH(裏High検査)/未処理ウエハ12枚),LPc:FOUP無し状態でレシピ未定のウエハ5枚処理の所要時間演算依頼をHOSTから装置に依頼(図13−H2Erequest)する。装置は演算結果(図13−E2Hreply)をHOSTに通知する。この内容をFOUP占有時間算出情報通知GUIで通知した場合を図9−GUIに示す。図8及び図9の右点線枠部分は予測時間を表面/Normalと表面/Middleの2パターン設定してある場合の通知例を示す。
図9−GUIの●は検査済みウエハ、○は検査中ウエハ、◎は検査待ちウエハをそれぞれ示している。
100 検査パターンDB及び演算装置
101 出力デバイス(コンソールディスプレイ)
103 入力デバイス(キーボード)
104 入力デバイス(マウス)
105 検査装置(Chamba)
106 FOUP
107 ロードポート
108 搬送装置
109 プリアライメント(PA)
110 コントローラ(検査パターンDB及び演算装置)
111 反転ユニット
113 検査ステージ
114 ハンドリングアーム1(Arm1)
115 ハンドリングアーム2(Arm2)
116 移動装置
122 シャッター
123 ゲート
131 ドッキング方向
132 アンドッキング方向
WF 最初の処理ウエハ
WM(WM1,WM2) 中間の処理ウエハ
WL 最後の処理ウエハ
(F−>f),(M[1|2]−>m[1|2]),(L−>l) 表から裏反転
(f−>F),(m[1|2]−>M[1|2]),(l−>L) 裏から表反転

Claims (5)

  1. 基板を検査する検査装置において、
    処理部、を有し、
    前記処理部は、
    反転機能を有する基板格納容器による前記基板の反転の有無を判断し、
    前記反転の有無に基づいて前記基板のロード時間、及び前記基板のアンロード時間を得て、
    さらに前記基板格納容器のロードから前記基板格納容器のアンロードまでに要する占有時間を得て、
    前記占有時間には、前記ロード時間、前記基板を検査する検査時間、及び前記アンロード時間が含まれることを特徴とする検査装置。
  2. 請求項1に記載の検査装置において、
    前記処理部は、固定係数を使用して前記基板格納容器のロード時間、及び前記基板格納容器のアンロード時間を得て、
    前記固定係数とは、前記処理部が予め得ることができる定数であることを特徴とする検査装置。
  3. 請求項1に記載の検査装置において
    記憶部を有し、
    前記検査時間は、複数の時間係数に分類され、前記記憶部へ保存され、
    前記時間係数とは要求される検査精度に応じて変わる前記検査時間を管理するためのものであることを特徴とする検査装置。
  4. 請求項1に記載の検査装置において、
    表示部を有し、
    前記表示部は、前記処理部によって得られた時間を表示することを特徴とする検査装置。
  5. 請求項1に記載の検査装置において、
    前記基板格納容器は、前記占有時間に応じて反転動作を切り換えることを特徴とする検査装置。
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