JP5569190B2 - Wafer charge auxiliary stand - Google Patents
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Description
本発明は、ウェーハがセットされた縦型ボートを運搬し、縦型熱処理炉内にセットする際に好ましく用いられるウェーハチャージ補助台に関し、特に、縦型ボート内のウェーハの位置調整構造に関するものである。 The present invention relates to a wafer charge auxiliary table that is preferably used when a vertical boat on which wafers are set is transported and set in a vertical heat treatment furnace, and more particularly to a wafer position adjustment structure in a vertical boat. is there.
シリコンウェーハ加工工程の一つとしてPBS(Poly Back Seal)工程が知られている。PBS工程は、シリコンウェーハの裏面を高温のモノシラン(SiH4)ガス雰囲気にさらし、SiH4の熱分解によりポリシリコンを成膜してゲッタリング効果を付加する工程である。このPBS工程では、多数枚のウェーハを縦型熱処理炉内にセットするため縦型ボートが用いられる(例えば特許文献1参照)。多数枚のウェーハはこの縦型ボートにチャージされ、縦型ボートごと縦型熱処理炉内にセットされる。 A PBS (Poly Back Seal) process is known as one of silicon wafer processing processes. The PBS process is a process of adding a gettering effect by exposing the back surface of a silicon wafer to a high-temperature monosilane (SiH 4 ) gas atmosphere and forming a polysilicon film by thermal decomposition of SiH 4 . In this PBS process, a vertical boat is used to set a large number of wafers in a vertical heat treatment furnace (see, for example, Patent Document 1). A large number of wafers are charged in this vertical boat, and the entire vertical boat is set in a vertical heat treatment furnace.
PBS工程ではシリコンウェーハの裏面にのみポリシリコン膜が成膜される必要があるため、ウェーハの非成膜面同士を合わせて2枚重ねにして成膜処理するBack to Back法が採用される(特許文献2参照)。すなわち、一方の面のみが露出するように二枚のウェーハを重ねて密着状態とし、この状態にて縦型ボートにセットする。縦型ボートにウェーハをチャージするとき、縦型ボートは横置き状態とされ、ウェーハ治工具を用いてチャージされる。 In the PBS process, it is necessary to form a polysilicon film only on the back surface of the silicon wafer, so the back-to-back method is used in which the non-film-forming surfaces of the wafer are overlapped to form a film. Patent Document 2). That is, the two wafers are stacked and brought into close contact so that only one surface is exposed, and set in a vertical boat in this state. When a wafer is charged in the vertical boat, the vertical boat is placed in a horizontal position and charged using a wafer jig.
横置き状態の縦型ボートにウェーハをチャージすると、重力によってウェーハの下端側の外周部が縦型ボートの支柱に当接した状態となる。ウェーハがチャージされた縦型ボートは縦型熱処理炉内にセットされるが、縦型熱処理炉にセットするために縦型ボートを直立させたとしても、ウェーハの外周部は縦型ボートの支柱に当接したままである。しかし、直立状態の縦型ボート内においてウェーハが偏って配置され、ウェーハの外周部が縦型ボートの支柱に接触していると、その部分の成膜が不完全となる。そのため、縦型ボート内に縦型ボートをセットした後、各ウェーハが支柱と非接触状態となるようにセット後にはウェーハの位置を調整している。 When a wafer is charged in a horizontally placed vertical boat, the outer peripheral portion on the lower end side of the wafer is brought into contact with the vertical boat column by gravity. The vertical boat charged with wafers is set in the vertical heat treatment furnace, but even if the vertical boat is set upright to be set in the vertical heat treatment furnace, the outer periphery of the wafer is placed on the vertical boat column. It remains in contact. However, if the wafers are unevenly arranged in the vertical boat in an upright state and the outer peripheral portion of the wafer is in contact with the support of the vertical boat, the film formation on that portion becomes incomplete. Therefore, after the vertical boat is set in the vertical boat, the position of the wafer is adjusted after setting so that each wafer is in a non-contact state with the support.
PBS工程を経て得られるポリコートウェーハは、PBS工程が行われない通常のウェーハに比べて凹み不良発生率が高いことが問題となっている。凹み不良は、ウェーハを鏡面研磨する際、ウェーハの裏面に異物が付着していることが原因となる。異物の大きさは、一例では、高さ約4μm、横幅約1μmであり、ポリコート後には高さ約5μm、横幅約4μmにまで成長する。ウェーハの鏡面研磨時に異物が付着していると、反対側の面には突起ができる。この状態で研磨をすると、研磨面に凹み不良が形成される。凹み不良が形成されたウェーハは不良品であり、製品として提供することができないことから、凹み不良発生率を限りなくゼロに近づける対策が求められている。 A problem with the polycoated wafer obtained through the PBS process is that it has a higher incidence of dent defects than a normal wafer that is not subjected to the PBS process. The defective dent is caused by foreign matter adhering to the back surface of the wafer when the wafer is mirror-polished. In one example, the size of the foreign matter is about 4 μm in height and about 1 μm in width, and grows to about 5 μm in height and about 4 μm in width after polycoating. If foreign matter is adhered during mirror polishing of the wafer, a protrusion is formed on the opposite surface. When polishing is performed in this state, a dent defect is formed on the polished surface. Since a wafer on which a dent defect is formed is a defective product and cannot be provided as a product, a countermeasure to bring the dent defect occurrence rate to zero as much as possible is required.
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、ポリコートウェーハの凹み不良発生率を低下させることが可能なウェーハチャージ補助台を提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a wafer charge auxiliary table that can reduce the occurrence of dent defects in a polycoated wafer.
本願発明者は、PBS工程における凹み不良の発生原因について鋭意研究を重ねた結果、凹み不良の原因となる異物が縦型ボートの被膜材料であるポリシリコンからなり、凹み不良はウェーハと縦型ボートが互いに接触して擦れ合う箇所の近くで多く発生しているため、そのような擦れを防止すれば凹み不良の発生を防止できることを見出した。 As a result of intensive research on the cause of the dent defect in the PBS process, the inventor of the present application is made of polysilicon, which is the coating material of the vertical boat, and the dent defect is caused by the wafer and the vertical boat. It has been found that the occurrence of dent defects can be prevented if such rubbing is prevented, since many occur near the places where they rub against each other.
本発明はこのような技術的知見に基づくものであり、本発明によるウェーハチャージ補助台は、ウェーハがチャージされた縦型ボートの運搬に用いられるものであって、前記縦型ボートを支持する支持台と、前記支持台に横置き状態で搭載された縦型ボート内の前記ウェーハの外周の二点以上を支持し、縦置き状態において前記ウェーハを支持する前記縦型ボートの支柱と前記ウェーハの端面との非接触状態を確保する一対の支持棒とを備えることを特徴とする。 The present invention is based on such technical knowledge, and the wafer charge auxiliary table according to the present invention is used for transporting a vertical boat charged with a wafer, and supports the vertical boat. A vertical boat that supports two or more of the outer periphery of the wafer in the vertical boat mounted horizontally on the support table, and supports the wafer in the vertical state, It is characterized by comprising a pair of support rods that ensure a non-contact state with the end face.
本発明によれば、縦型ボート内にウェーハをチャージした際、ウェーハと縦型ボートの支柱との接触を防止することができ、縦型熱処理炉内にウェーハを縦型ボートごとチャージした後のウェーハの位置調整作業を不要にすることができる。そのため、ウェーハと縦型ボートの支柱との接触による発塵を防止することができ、最終的にはポリコートウェーハの凹み不良発生率を低減することができる。 According to the present invention, when a wafer is charged in the vertical boat, contact between the wafer and the support of the vertical boat can be prevented, and after the wafer is charged together with the vertical boat in the vertical heat treatment furnace. Wafer position adjustment work can be eliminated. Therefore, it is possible to prevent dust generation due to contact between the wafer and the support of the vertical boat, and finally, it is possible to reduce the occurrence rate of the dent defect of the polycoat wafer.
「ウェーハの外周の二点以上を支持する」とは、支持棒とウェーハとの接触が、厳密な点接触のみならず、線接触や面接触を含むことを意味する。一対の支持棒を用いてウェーハの外周の二点(線支持を含む)を支持する場合には、ウェーハとの接触を最小限としながらウェーハを確実に支持することができる。なお、支持棒は2本に限定されず、3本以上であっても良いが、ウェーハの外周の二点を支持するためには少なくとも2本の支持棒が必要である。 “Supporting two or more points on the outer periphery of the wafer” means that the contact between the support bar and the wafer includes not only exact point contact but also line contact and surface contact. When supporting two points (including line support) on the outer periphery of the wafer using a pair of support rods, the wafer can be reliably supported while minimizing contact with the wafer. The number of support rods is not limited to two, but may be three or more, but at least two support rods are required to support two points on the outer periphery of the wafer.
本発明においては、前記支持棒の少なくとも表面が石英、樹脂又は炭化ケイ素からなることが好ましい。この構成によれば、ウェーハと支持棒とが接触することによるウェーハの汚染を確実に防止することができる。 In the present invention, it is preferable that at least the surface of the support rod is made of quartz, resin or silicon carbide. According to this configuration, contamination of the wafer due to contact between the wafer and the support rod can be reliably prevented.
本発明によるウェーハチャージ補助台は、前記支持台に設けられたハンドル部をさらに備えることが好ましく、当該ハンドル部は前記支持台の長手方向の一端側に設けられていることが好ましい。この構成によれば、ウェーハチャージ補助台の持ち運びや立ち上げを容易にすることができる。 The wafer charge auxiliary base according to the present invention preferably further includes a handle portion provided on the support base, and the handle portion is preferably provided on one end side in the longitudinal direction of the support base. According to this configuration, it is possible to easily carry and start up the wafer charge auxiliary base.
本発明によるウェーハチャージ補助台は、前記支持台の長手方向の他端側に設けられた車輪をさらに備えることが好ましい。この構成によれば、横置き状態とされた縦型ボートを容易に立設させることができ、この縦型ボートを縦型熱処理炉内に容易に移動させることができる。さらに、縦型ボートを立設させる際、ウェーハと縦型ボートの支柱とが接触することがないので、両者の摩擦による発塵を防止することができる。 The wafer charge auxiliary table according to the present invention preferably further includes a wheel provided on the other end side in the longitudinal direction of the support table. According to this configuration, it is possible to easily erect a vertical boat placed in a horizontal state, and it is possible to easily move the vertical boat into the vertical heat treatment furnace. Further, when the vertical boat is erected, the wafer and the vertical boat column do not come into contact with each other, so that dust generation due to friction between them can be prevented.
本発明によれば、縦型ボートにウェーハをチャージし、これによりポリコート成膜時の異物の付着を抑制することができ、研磨工程における凹み不良の発生を防止することができる。 According to the present invention, it is possible to charge a vertical boat with a wafer, thereby suppressing adhesion of foreign matters during polycoat film formation, and to prevent the occurrence of a dent defect in the polishing process.
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1及び図2は、本発明の好ましい実施の形態によるウェーハチャージ補助台の構成を示す略斜視図であって、図1は縦型ボートが搭載された状態、図2は縦型ボートが搭載されていない状態をそれぞれ示している。 1 and 2 are schematic perspective views showing the configuration of a wafer charge auxiliary table according to a preferred embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a state where a vertical boat is mounted, and FIG. 2 shows a case where a vertical boat is mounted. Each state is not shown.
図1及び図2に示すように、ウェーハチャージ補助台1は、縦型ボート10を支持する支持台2と、支持台2上に搭載された縦型ボート10内のウェーハ20の外周を支持する一対の支持棒3A,3Bと、支持台2の長手方向の一端側に設けられたハンドル部4と、支持台2の長手方向の他端側に設けられた車輪5とを備えている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the wafer charge auxiliary table 1 supports a support table 2 that supports the
支持台2は、細長い矩形状の底板部2aと、底板部2aの長手方向と平行な二辺にそれぞれ設けられた第1及び第2側板部2b,2cと、底板部2aの短手方向と平行な二辺にそれぞれ設けられた第3及び第4側板部2d,2eとを備えている。これら4つの側板部2b〜2eは、支持台2上の縦型ボート10を位置決めするために設けられており、底板部2aと直交する平板部材である。底板部2aは、図示の横向き状態の支持台2上に縦型ボート10を搭載したとき、縦型ボート10の底面(搭載面)を構成しており、第4の側板部2eは、縦型ボート10が搭載された支持台2を直立状態にしたとき、縦型ボート10の底面(搭載面)を構成している。
The
一対の支持棒3A,3Bは、縦型ボート10内の各ウェーハ20の端面と接触しており、これにより、各ウェーハ20の端面と縦型ボート10の支柱との非接触状態が確保されている。支持棒3A,3Bは、第1及び第2の側板部2b,2cの上端部にそれぞれ固定されている。支持棒3A,3Bの材料はウェーハの汚染を防止できる非金属材料として樹脂、石英または炭化ケイ素であることが好ましく、表面のみが石英または炭化ケイ素でコーティングされたものを含む。樹脂は安価であり、石英と炭化ケイ素はどちらもウェーハの組成であるケイ素を含む化合物であって高純度かつ耐久性が高い点から好ましい。このように支持棒3A,3Bの少なくとも表面が樹脂、石英または炭化ケイ素からなる場合にはウェーハとの接触時においてウェーハの汚染を防止することができる。
The pair of
次に、ウェーハチャージ補助台1に搭載される縦型ボート10の構造について説明する。
Next, the structure of the
図3は、縦型ボート10の構成を示す略斜視図であり、ウェーハが収容されていない状態を示している。また、図4は、縦型ボートにウェーハが収容された状態を示す略断面図である。
FIG. 3 is a schematic perspective view showing the configuration of the
図3に示すように、縦型ボート10は、円盤状の天板11と底板12との間に4本の支柱13〜16が立設された構造を有している。底板12は二枚構成であり、底側を重くすることにより安定性が確保されている。各支柱13〜16は、ウェーハの収容空間を規定するものであり、各支柱13〜16には多数の溝部17が等間隔に設けられ、これによりウェーハを収容するためのスロットが構成されている。
As shown in FIG. 3, the
図4に示すように、縦型ボート10の表面にはポリシリコン被膜19が形成されている。このポリシリコン被膜19は、ウェーハの汚染を防止するために当初から成膜されているほか、PBS工程を経ることによっても追加的に成膜される。隣接する2つの溝部17,17の間に存在する凸部18はウェーハ20の外周面と接してウェーハを支持している。本実施形態では、1つのスロットに2枚のウェーハ20a、20bが収容され、露出面である一方の主面にのみポリシリコンを成膜するPBS工程が実現される。縦型ボート10が直立状態のとき、スロット内で重なり合う2枚のウェーハのうち下側のウェーハ20bのみが各支柱13〜16(本図では図13,14のみ表示)の凸部18と定常的に接触しているので、両者が擦れ合うことによってポリシリコン被膜19の一部が欠落して下段のウェーハ20aの表面に付着し、これが異物の原因となるものと考えられる。
As shown in FIG. 4, a
図5は、ウェーハチャージ補助台1に搭載されていない縦型ボート10内のウェーハ20の配置を示す略断面図である。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the arrangement of the
図5に示すように、4本の支柱13〜16の配置は、円盤状の天板11及び底板12の中心Pを通過するY方向の軸線D1から見て左右対称であり、天板11及び底板12の中心PからY方向の下方を基準(0度)とするとき、第1の一対の支柱13,14はθ1=±90°の位置にそれぞれ設けられており、第2の一対の支柱15,16はθ2=±30°の位置にそれぞれ設けられている。そのため、第2の一対の支柱15,16が下側となるように縦型ボート10を横置き状態としたとき、縦型ボート10にはウェーハ20を矢印Eで示す上方からチャージすることができる。こうしてチャージされたウェーハ20は、横方向(X方向)の動きが上側の2本の支柱13,14によって規制され、下方(Y方向)の動きが下側の2本の支柱15,16によって規制され、支柱13,14の延在方向(Z方向)の移動が各支柱13〜16の溝部の内側面によって規制される。また、横置きの縦型ボートにウェーハ20をセットしたとき、ウェーハ20の外周部は、重力によって下側の2本の支柱15,16と接している。
As shown in FIG. 5, the four
図6は、縦型ボート10内のウェーハ20の好ましい配置を示す略断面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a preferred arrangement of the
図6に示すように、縦型ボート10内のウェーハ20の外周部は、各支柱13〜16と非接触状態であることが好ましい。図5のようにウェーハ20が支柱13〜16と接触していると、当該接触部分においてポリシリコン膜が均一に成膜されないからである。従来、縦型ボート10内のウェーハの位置調整では、作業者の手作業によってウェーハ20を図5から図6の位置に調整していたが、このときウェーハ20と縦型ボート10の支柱13〜16とが擦れ合い、縦型ボート10の支柱13〜16の表面を覆うポリシリコン被膜19が欠落し、下段のウェーハ表面に付着して、これが凹み不良の発生原因となっていた。しかし、本実施形態では、縦型ボート10をウェーハチャージ補助台1に載せるだけで支柱15,16との非接触状態が確保され、ウェーハ20が図6の位置に調整されるので、上記のような問題は生じない。以下、ウェーハチャージ補助台1の使用方法について説明する。
As shown in FIG. 6, the outer peripheral portion of the
ウェーハチャージ補助台1の使用では、まず図2に示したようにウェーハチャージ補助台1を横向き状態とし、その後、図1に示したようにウェーハチャージ補助台1に空の縦型ボート10を搭載した後、この縦型ボート10にウェーハ20をチャージする。このとき、ウェーハ20は治工具を使用してチャージされ、各スロットには2枚のウェーハがチャージされる。
In the use of the wafer charge auxiliary table 1, first, as shown in FIG. 2, the wafer charge auxiliary table 1 is set in the horizontal state, and thereafter, an empty
図7は、ウェーハチャージ補助台1に搭載された縦型ボート10内のウェーハの状態を示す略断面図である。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing the state of wafers in the
図7に示すように、ウェーハチャージ補助台1にセットされた縦型ボート10内のウェーハ20は、その外周部の二点P1,P2が一対の支持棒3A,3Bに支持され、これによりウェーハ20の端面と縦型ボート10の下側の支柱15,16との非接触状態が確保されている。つまり、ウェーハ20は下側の支柱15,16よりも上方に浮いた状態である。また、縦型ボート10の天板11及び底板12の下端R1は支持台2の主面2sと接触しているが、ウェーハ20の下端は支持台2の主面2sと接触していない。
As shown in FIG. 7, the
図8及び図9は、ウェーハチャージ補助台1による縦型ボート10の搬送方法について説明するための模式図であって、図8は移動可能状態、図9は直立状態をそれぞれ示している。
FIGS. 8 and 9 are schematic diagrams for explaining a method of transporting the
図8に示すように、ウェーハチャージ補助台1を用いて縦型ボート10を搬送する場合、まず車輪5を起点にしてウェーハチャージ補助台1のハンドル部4側を持ち上げて移動可能状態とし、ウェーハチャージ補助台1を縦型熱処理炉(不図示)まで運ぶ。
As shown in FIG. 8, when the
その後、図9に示すように、縦型熱処理炉(不図示)の前でウェーハチャージ補助台1を起立させて直立状態とした後、ウェーハチャージ補助台1から縦型ボート10を下ろして縦型熱処理炉内に設置する。このとき、縦型ボート10の搭載面は支持台2の底板部2aから第4の側板部2eに切り替わり、第4の側板部2e上に搭載された状態となる。また、ウェーハチャージ補助台1をゆっくりと起立させることでウェーハ20は平置きの状態となり、縦型ボート10内のウェーハ20の位置(図7参照)はそのまま維持される。すなわち、縦型ボートにチャージしてから炉内に設置されるまでの間、ウェーハ20の外周部は支柱15,16とほぼ一定の距離を保ち、ウェーハ20の外周部は支柱15,16と非接触状態を維持している。縦型ボート10に過度な振動や衝撃が与えられない限り、平置き状態のウェーハ20の位置は安定的に維持される。
Thereafter, as shown in FIG. 9, the wafer charge auxiliary table 1 is erected in an upright state in front of a vertical heat treatment furnace (not shown), and then the
以上説明したように、本実施形態によるウェーハチャージ補助台1は、一対の支持棒3A,3Bを備え、支持台に横置き状態で搭載された縦型ボート10内のウェーハ20の外周部の二点を支持し、ウェーハ20の端面と縦型ボートの支柱との非接触状態を確保するので、縦型熱処理炉内に縦型ボート10をチャージした後のウェーハの位置調整作業を不要にすることができる。上記のように、ウェーハと縦型ボートの支柱とが接触している場合には、ウェーハの位置調整時に両者が擦れ合い、これによりポリシリコン被膜の微小片が欠落し、下方のウェーハ表面に付着して凹み不良の原因になる。しかし、本実施形態によれば、ウェーハの位置調整作業が不要であるため、ウェーハと縦型ボートの支柱との接触による発塵を防止することができる。したがって、PBS工程を経て得られるポリコートウェーハの凹み不良発生率を低減することができる。
As described above, the wafer charge auxiliary table 1 according to the present embodiment includes the pair of
また、本実施形態によるウェーハチャージ補助台1は、ハンドル部4及び車輪5を備えているので、ハンドル部4側を持ち上げて縦型ボート10を容易に立ち上げることができると共に、容易に搬送することができる。
Further, since the wafer charge
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。 The preferred embodiments of the present invention have been described above, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. Needless to say, it is included in the range.
例えば、上記実施形態においては、支持棒3A,3Bが第1及び第2の側板部2b,2cの上端部にそれぞれ固定されているが、支持棒3A,3Bの固定方法は特に限定されない。したがって、例えば、支持棒3A,3Bの両端を第3及び第4の側板部2d,2eにそれぞれ固定してもよい。
For example, in the above embodiment, the support bars 3A and 3B are fixed to the upper ends of the first and second
また、上記実施形態においては、ウェーハチャージ補助台1が車輪5を備えているが、車輪5は必須ではなく、例えばウェーハチャージ補助台1の長手方向の両側にハンドル部を設けて、ウェーハチャージ補助台1を手で持ち上げて運ぶようにしてもよい。また、車輪を有する搬送台車を別途用意し、ウェーハチャージ補助台1を搬送台車に乗せて搬送するようにしてもよい。また、本発明において、ハンドル部4は任意の位置に設けることができ、さらにはハンドル部4の省略も可能である。
Moreover, in the said embodiment, although the wafer charge auxiliary |
また、上記実施形態においては、縦型ボートの各スロットにウェーハを2枚チャージしているが、本発明はこのような場合に限定されず、各スロットに1枚チャージする場合にも適用することができる。また、PBS工程に限定されるものではなく、シリコン膜、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等、成膜工程全般に適用可能であり、縦型ボートを用いる種々のウェーハ加工工程において使用することができる。 In the above embodiment, two wafers are charged in each slot of the vertical boat. However, the present invention is not limited to such a case, and is applicable to the case where one slot is charged. Can do. Further, the present invention is not limited to the PBS process, but can be applied to all film forming processes such as a silicon film, a silicon oxide film, and a silicon nitride film, and can be used in various wafer processing processes using a vertical boat. .
1 ウェーハチャージ補助台
2 支持台
2a 底板部
2b 第1の側板部
2c 第2の側板部
2d 第3の側板部
2e 第4の側板部
2s 支持台の主面
3A,3B 支持棒
4 ハンドル部
5 車輪
10 縦型ボート
11 天板
12 底板
13〜16 支柱
17 溝部
18 凸部
19 ポリシリコン被膜
20 ウェーハ
20a 上側ウェーハ
20b 下側ウェーハ
DESCRIPTION OF
Claims (2)
前記縦型ボートを支持する支持台と、
前記支持台に横置き状態で搭載された縦型ボート内の前記ウェーハの外周の二点以上を支持し、縦置き状態において前記ウェーハを支持する前記縦型ボートの支柱と前記ウェーハの端面との非接触状態を確保する一対の支持棒と、
前記支持台の長手方向の一端側に設けられたハンドル部と、
前記支持台の長手方向の他端側に設けられた車輪とを備え、
前記支持台は、横置き状態の前記縦型ボートに対する底面を構成する底板部と、縦置き状態の前記縦型ボートに対する底面を構成する側板部を含むことを特徴とするウェーハチャージ補助台。 A wafer charge auxiliary table used for transporting a vertical boat charged with wafers,
A support for supporting the vertical boat;
Supporting at least two points on the outer periphery of the wafer in the vertical boat mounted horizontally on the support table, and supporting the wafer in the vertical position between the column of the vertical boat and the end surface of the wafer A pair of support bars to ensure a non-contact state;
A handle portion provided on one end side in the longitudinal direction of the support base;
A wheel provided on the other end side in the longitudinal direction of the support base ,
The supporting table includes a bottom plate portion that forms a bottom surface of the vertical boat in a horizontally placed state, and a side plate portion that forms a bottom surface of the vertical boat in a vertically placed state .
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