JP5574801B2 - インプリント装置及び物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。

近年、微細なパターンの形成を可能にするインプリント技術は、様々なデバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤなどの撮像デバイス、磁気ヘッドなど）を製造するための技術として注目されている。インプリント技術は、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板上の樹脂に微細なパターンが形成された原版（モールド）を押し付けた状態で、樹脂を硬化させて基板上に微細なパターンを転写する。

インプリント技術には、幾つかの樹脂硬化法があり、かかる樹脂硬化法の１つとして光硬化法が知られている。光硬化法では、紫外線硬化型の樹脂に透明なモールドを押し付けた状態で紫外線を照射し、樹脂を感光及び硬化させてからモールドを剥離（離型）する。光硬化法によるインプリント技術は、比較的容易に温度を制御することができることや透明なモールド越しに基板上のアライメントマークを観察することができることなどから、デバイスの製造に適している。

このようなインプリント技術を用いたインプリント装置においては、基板上の樹脂にモールドを押し付ける際に、モールドの姿勢が変化すると、基板に転写されるパターンが目標位置からずれてしまう。そこで、基板上の樹脂にモールドを押し付ける前に、モールドと基板との位置関係を基板上のショット領域ごとに調整する技術が提案されている（特許文献１参照）。

米国特許第６９８６９７５号明細書

しかしながら、従来技術では、基板上の樹脂にモールドを押し付けたときの押印力によって、モールドステージにおけるモールドの位置がずれてしまうことがある。特に、モールドとモールドステージのモールドと接触する保持面とが均一に接触していない場合には、基板上の樹脂にモールドを押し付けたときに、モールドステージの保持面におけるモールドの位置が変化する。その結果、基板に転写されるパターンが目標位置からずれ、パターン不良部分を生じることになる。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドのパターンを基板上の目標位置に転写することができる技術を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上の樹脂にモールドを押し付けた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記モールドと接触する保持面を含み、前記保持面で前記モールドを保持する保持部と、前記保持面における前記モールドの位置を計測する計測部と、前記インプリント処理の前に、前記モールドを前記保持面に押し付けて前記保持面における前記モールドの位置を安定化させる少なくとも１回の押し付け動作を含む準備処理を行う処理部と、を有し、前記処理部は、前記準備処理において、前記計測部によって計測される前記押し付け動作を行う前の前記モールドの位置に対する前記押し付け動作を行った後の前記モールドの位置の変化量が第１の閾値を超えている場合には前記押し付け動作を繰り返し行い、前記変化量が前記第１の閾値以下である場合には前記準備処理を終了することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、スループットの低下を抑えながら、モールドのパターンを基板上の目標位置に転写する技術を提供することができる。

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す図である。 図１に示すインプリント装置のモールドの周囲の構成を示す概略上面図である。 モールドステージの保持面とモールドとが均一に接触していない場合に、基板に転写されるパターンが目標位置からずれることを説明するための図である。 モールドを変形させた場合に、基板に転写されるパターンが目標位置からずれることを説明するための図である。 樹脂にモールドを押し付けた回数（押印回数）と、モールドステージの保持面におけるモールドの位置の変化量との関係を示す図である。 図１に示すインプリント装置の動作を説明するためのフローチャートである。 基板上に形成されているマークと準備処理において基板上のショット領域に転写されたモールドのパターンとの位置関係を示す図である。 図１に示すインプリント装置のスコープによる基板上に形成されているマークの検出を説明するための図である。 モールドのパターン面に界面活性剤が十分に付着していない場合に、パターン不良部分が生じることを説明するための図である。 界面活性剤を含む樹脂にモールドを押し付けた回数（押印回数）と、そのモールドを硬化した樹脂から剥離する際に要する剥離力との関係を示す図である。 図１に示すインプリント装置の動作を説明するためのフローチャートである。 モールドの側面に力を加えた回数（調整回数）と、モールドステージの保持面におけるモールドの位置の変化量との関係を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す図である。インプリント装置１００は、基板上の樹脂にモールドを押し付けた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを剥離（離型）することで基板上にパターンを転写（形成）するインプリント処理を行う。

インプリント装置１００は、基板ステージ１０２と、モールド１０６を保持するモールドステージ１０４と、供給部１０８と、駆動部１１０と、光源１１２と、検出部１１４と、調整部１１６と、計測部１１８と、スコープ１２０と、制御部１２２とを有する。

基板ステージ１０２は、基板チャックを介して、シリコンウエハやガラスプレートなどの基板ＳＴを保持し、基板ＳＴを駆動して所定の位置に位置決めする。

モールドステージ１０４は、モールド１０６と接触する保持面１０４ａを介して、モールド１０６を保持する保持部として機能する。モールド１０６は、光源１１２からの光を透過する材料で構成され、基板ＳＴに転写すべきパターン（凹凸パターン）が形成されたパターン面１０６ａを有する。

供給部１０８は、樹脂ＲＳを液滴として吐出する複数のディスペンサを含み、基板上（パターンを転写すべきショット領域）に樹脂ＲＳを供給（塗布）する。具体的には、供給部１０８を構成するディスペンサから樹脂ＲＳを吐出しながら基板ステージ１０２を駆動（スキャン駆動やステップ駆動）することで、基板ＳＴの上に樹脂ＲＳを塗布することが可能となる。なお、樹脂ＲＳは、本実施形態では、界面活性剤などの離型剤を含む光硬化型の樹脂である。

駆動部１１０は、エアシリンダやリニアモータなどで構成されたアクチュエータを含み、モールド１０６（モールド１０６を保持したモールドステージ１０４）を駆動する。駆動部１１０は、モールド１０６を下方向に駆動することによって、基板ＳＴの上に供給された樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付ける。また、駆動部１１０は、モールド１０６を上方向に駆動することによって、基板ＳＴの上の硬化した樹脂ＲＳからモールド１０６を剥離する。

光源１１２は、基板ＳＴの上に供給された樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けた状態において（即ち、モールド１０６を介して）、樹脂ＲＳに紫外線を照射し、樹脂ＲＳを硬化させる。換言すれば、光源１１２は、基板ＳＴの上に供給された樹脂ＲＳを硬化させる硬化部として機能する。

検出部１１４は、基板ＳＴの上に供給された樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けたときの押印力、及び、基板ＳＴの上の硬化した樹脂ＲＳからモールド１０６を剥離する際に要する剥離力を検出する。検出部１１４は、本実施形態では、モールドステージ１０４に配置されたロードセルで構成されているが、これに限定されるものではない。例えば、モールド１０６を剥離する際に基板ステージ１０２に供給される電圧を検知する電圧計で検出部１１４を構成し、かかる電圧計で検知された電圧から剥離力を推定（検出）してもよい。

調整部１１６は、例えば、モールド１０６の側面を吸着する吸着部材と、かかる吸着部材を押し付ける又は引っ張るためのアクチュエータとで構成され、モールドステージ１０４に保持されたモールド１０６を変形させる機能を有する。調整部１１６は、基板ＳＴの上にモールド１０６のパターンを転写するインプリント処理を行う際にモールド１０６の側面に力を加えてモールド１０６の倍率及びディストーションなどを調整する。

計測部１１８は、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を計測する。計測部１１８は、本実施形態では、図２に示すように、モールド１０６の周囲に配置された複数の干渉計１１８ａで構成されているが、これに限定されるものではない。例えば、静電容量センサやエンコーダなどで計測部１１８を構成してもよい。ここで、図２は、モールド１０６の周囲の構成を示す概略上面図である。

スコープ１２０は、基板ＳＴに形成されているマークやモールド１０６に形成されているマークを検出する。また、スコープ１２０は、基板ステージ１０２に形成されている基準マークなども検出することが可能である。なお、スコープ１２０は、後述するように、基板ＳＴに形成されているマークだけではなく、基板ＳＴの上に転写されたモールド１０６のパターンも検出する検出光学系としても機能する。

制御部１２２は、ＣＰＵやメモリを含み、インプリント装置１００の各処理を行う処理部として機能する（即ち、インプリント装置１００を動作させる）。例えば、制御部１２２は、インプリント装置１００の各部を制御して、モールド１０６をモールドステージ１０４の保持面１０４ａに押し付けて保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を安定化させる少なくとも１回の押し付け動作を含む準備処理を行う。また、制御部１２２は、インプリント装置１００の各部を制御して、樹脂ＲＳに含まれる界面活性剤をモールド１０６のパターン面１０６ａに付着させる少なくとも１回の付着動作を含む付着処理を行う。更に、制御部１２２は、インプリント装置１００の各部を制御して、準備処理や付着処理の後に、基板ＳＴの上にモールド１０６のパターンを転写するインプリント処理を行う。

ここで、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を安定化させること（即ち、準備動作）の必要性について説明する。例えば、図３（ａ）に示すように、モールドステージ１０４がモールド１０６を保持する際に、モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触していない場合について考える。この場合、基板ＳＴの上の樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けると、図３（ｂ）に示すように、モールド１０６を押し付けたときの押印力によって、保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置（実際の位置）が所定の位置からずれてしまう。従って、基板ＳＴに転写されるパターンが目標位置からずれ、パターン不良部分を生じることになる。なお、図３（ｂ）では、モールド１０６の位置がＸ軸方向にずれた場合を示しているが、モールド１０６の位置がＹ軸方向にずれた場合やＸ−Ｙ平面において回転した場合も同様に、基板ＳＴに転写されるパターンが目標位置からずれることになる。

また、インプリント処理を行う際には、モールド１０６と基板ＳＴとのアライメントにおいて、プロセス等の要因に応じて、調整部１１６によってモールド１０６を変形させる（即ち、モールド１０６の倍率やディストーションを調整する）場合がある。この場合、図４に示すように、モールド１０６を変形させる前にモールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触していても、モールド１０６を変形させることで、保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触しなくなることがある。従って、上述したように、モールド１０６を押し付けたときの押印力によって、保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置（実際の位置）が所定の位置からずれ、基板ＳＴに転写されるパターンが目標位置からずれてしまうことになる。なお、図４（ａ）は、モールド１０６を変形させる前においてモールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触している状態を示している。また、図４（ｂ）は、図４（ｂ）に示す状態からモールド１０６の側面に力を加えてモールド１０６を変形させることで、モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触しなくなった状態を示している。図４（ａ）及び図４（ｂ）では、モールド１０６の位置がＸ軸方向にずれた場合を示しているが、モールド１０６の位置がＹ軸方向にずれた場合やＸ−Ｙ平面において回転した場合も同様に、基板ＳＴに転写されるパターンが目標位置からずれることになる。

従って、モールド１０６のパターンを基板上の目標位置に転写するためには、モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とを均一に接触させ、モールド１０６を押し付けたときの押印力に起因するモールド１０６の位置ずれを防止する必要がある。

そこで、本実施形態では、インプリント処理（通常のプロセス）を行う前に、モールド１０６をモールドステージ１０４の保持面１０４ａに押し付けて保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を安定化させる押し付け動作を含む準備処理を行う。モールド１０６をモールドステージ１０４の保持面１０４ａに押し付ける押し付け動作としては、例えば、基板ＳＴの上に供給された樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けることが考えられる。

準備処理においては、まず、モールド１０６がインプリント装置１００に搬入されてモールドステージ１０４の保持面１０４ａで保持されると、保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を計測部１１８で計測する。次いで、基板ＳＴの上に供給された樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けて樹脂ＲＳを硬化させ、硬化した樹脂ＲＳからモールド１０６を剥離して、保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を計測部１１８で計測する。そして、モールド１０６を樹脂ＲＳに押し付ける前（即ち、押し付け動作を行う前）のモールド１０６の位置に対するモールド１０６を樹脂ＲＳに押し付けた後（即ち、押し付け動作を行った後）のモールド１０６の位置の変化量Ｃｉを求める。

図５（ａ）は、樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けた回数（押印回数）Ｎと、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置の変化量Ｃｉとの関係を示す図である。プロットＲ１に対応する変化量Ｃ１は、モールド１０６を樹脂ＲＳに１回も押し付けていないとき（Ｎ＝０）のモールド１０６の位置に対するモールド１０６を樹脂ＲＳに１回押し付けたとき（Ｎ＝１）のモールド１０６の位置の変化量を示している。この場合、モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触していないため、変化量Ｃ１は、閾値（第１の閾値）ＴＨ１よりも大きくなっている。なお、閾値ＴＨ１は、基板上の目標位置にパターンを転写するために許容可能な変化量Ｃｉの最大値以下の値（即ち、最大値に対して所定のマージンを含む値）で設定され、実験的又は理論的に導出される値である。

基板ＳＴの上に供給された樹脂ＲＳへのモールド１０６の押し付けを繰り返し（複数回）行うことによって、モールド１０６はモールドステージ１０４の保持面１０４ａに徐々に均一に接触していく。従って、プロットＲ２、Ｒ３及びＲ４に示すように、変化量Ｃｉは、変化量Ｃ２、Ｃ３及びＣ４と徐々に小さくなっていく。そして、モールド１０６がモールドステージ１０４の保持面１０４ａに均一に接触すると、プロットＲ５、Ｒ６及びＲ７に示すように、変化量Ｃｉが収束する（変化量Ｃ５、Ｃ６及びＣ７の近傍の値となる）。

以下の式１に示すように、変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１以下になった場合（変化量Ｃ４乃至Ｃ７）、モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触していると考えられる。従って、モールド１０６を樹脂ＲＳに押し付けたときの押印力に起因するモールド１０６の位置ずれを低減して（即ち、位置ずれが許容値に収まる）、モールド１０６のパターンを基板上の目標位置に転写することが可能となる。
Ｃｉ ≦ ＴＨ１ ・・・（式１）
なお、準備処理において、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにモールド１０６を押し付ける押し付け動作、即ち、樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付ける動作が規定回数以上になっても、変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１以下にならない場合も考えられる。図５（ｂ）は、樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けた回数（押印回数）Ｎと、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置の変化量Ｃｉとの関係を示す図である。図５（ｂ）を参照するに、プロットＲ１乃至Ｒ７は、モールド１０６の押印回数Ｎが規定回数ＴＨ２に到達する前に、変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１以下になっている。一方、プロットＲ１’乃至Ｒ７’は、押印回数Ｎが規定回数ＴＨ２以上になっても変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１以下になっていない。このような場合、モールドステージ１０４やモールド１０６が正常な状態ではない可能性があるため、準備処理を終了してモールドステージ１０４やモールド１０６を検査し、かかる検査結果に応じてモールドステージ１０４やモールド１０６を交換する必要がある。そして、変化量Ｃｉと閾値ＴＨ１との関係、及び、モールド１０６の押印回数Ｎと規定回数ＴＨ２との関係が以下の式２を満たすことを確認して、インプリント処理を行う。
Ｃｉ ≦ ＴＨ１、且つ、Ｎ ≦ ＴＨ２ ・・・（式２）
以下、図６を参照して、インプリント装置１００の動作について、特に、インプリント処理の前に行われる準備処理に注目して説明する。なお、図６に示すインプリント装置１００の動作は、制御部１２２がインプリント装置１００の各部を統括的に制御することによって実行される。

Ｓ６０２では、インプリント装置１００にモールド１０６を搬入し、かかるモールド１０６をモールドステージ１０４（保持面１０４ａ）に保持させる。

Ｓ６０４では、インプリント装置１００にインプリント処理を行う基板ＳＴとは異なる準備処理用の基板を搬入し、かかる準備処理用の基板を基板ステージ１０２に保持させる。

Ｓ６０６では、モールド１０６をモールドステージ１０４の保持面１０４ａに押し付けて保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を安定化させる押し付け動作を含む準備処理を行う。具体的には、まず、供給部１０８によって準備処理用の基板上の複数の領域（ショット領域に相当）のそれぞれに樹脂ＲＳを供給する。次いで、基板ステージ１０２によって準備動作用の基板を駆動して、準備動作用の基板上のモールド１０６を押し付けるべき領域（対象領域）をモールド１０６（のパターン面１０６ａ）に対応する位置に配置する。次に、計測部１１８によってモールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を計測する。次いで、駆動部１１０によってモールド１０６を下方向に駆動して、準備動作用の基板上に供給された樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けて、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにモールド１０６を押し付ける押し付け動作を行う。次に、樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けた状態において、光源１１２によって樹脂ＲＳに紫外線を照射して樹脂ＲＳを硬化させる。次いで、駆動部１１０によってモールド１０６を上方向に駆動して、準備動作用の基板上の硬化した樹脂ＲＳからモールド１０６を剥離する。次に、計測部１１８によってモールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を計測する。そして、押し付け動作を行う前のモールド１０６の位置に対する押し付け動作を行った後のモールド１０６の位置の変化量Ｃｉを求める。このように、準備処理において、準備動作用の基板上に供給された樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けることによって、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにモールド１０６が均一に接触していく。

Ｓ６０８では、Ｓ６０６の準備処理において求めた変化量Ｃｉが閾値以下（即ち、閾値ＴＨ１以下）であるかどうかを判定する。変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１以下である場合には、モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触していると考えられるため、Ｓ６１０に移行して、準備処理用の基板をインプリント装置１００から搬出し、準備処理を終了する。また、変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１以下ではない、即ち、閾値ＴＨ１よりも大きい場合には、モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触していないと考えられるため、Ｓ６１６に移行する。

Ｓ６１２では、インプリント装置１００にインプリント処理を行う基板ＳＴを搬入し、かかる基板ＳＴを基板ステージ１０２に保持させる。

Ｓ６１４では、Ｓ６１２で搬入した基板ＳＴの上にモールド１０６のパターンを転写するインプリント処理を行って、動作を終了する。なお、具体的なインプリント処理は、準備処理用の基板が基板ＳＴに置換されるだけで上述した準備処理と同様であるため、ここでの詳細な説明は省略する。但し、モールド１０６と基板ＳＴとの位置関係の調整、即ち、モールド１０６と基板ＳＴとの位置合わせ（アライメント）においては、グローバルアライメントが行われる。換言すれば、本実施形態では、モールド１０６と基板ＳＴとのアライメントを基板上のショット領域ごとには行わない。また、インプリント処理を行う際には、調整部１１６によってモールド１０６の側面に力を加えてモールド１０６の姿勢を変更する場合もある。このような場合には、モールド１０６の側面に加える力を、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を変化させない程度に抑える必要がある。

Ｓ６１６では、Ｓ６０６の準備動作において、基板ＳＴの上の樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けた回数（押印回数）Ｎが規定回数ＴＨ２以下であるかどうかを判定する。押印回数Ｎが規定回数ＴＨ２以下である場合には、Ｓ６０６に移行して、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにモールド１０６を押し付ける押し付け動作を繰り返す（即ち、準備処理を継続する）。また、押印回数Ｎが規定回数ＴＨ２を超えている場合には、Ｓ６１８に移行する。

Ｓ６１８では、準備処理用の基板をインプリント装置１００から搬出し、準備処理を終了する。また、Ｓ６２０では、モールドステージ１０４及びモールド１０６をインプリント装置１００から搬出する。

Ｓ６２２では、Ｓ６２０で搬出したモールドステージ１０４及びモールド１０６を検査する。そして、モールドステージ１０４及びモールド１０６の検査結果に応じて所定の処理（例えば、モールドステージ１０４やモールド１０６の交換）を行って、Ｓ６０４に移行する。

このように、本実施形態では、モールド１０６の位置の変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１を超えている場合には準備処理における押し付け動作を繰り返し行い、閾値ＴＨ１以下である場合には準備処理を終了する。これにより、押し付け動作を行う回数を最小回数にしながら（即ち、準備処理にかかる時間を短くしながら）モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とを均一に接触させることができる。従って、本実施形態のインプリント装置１００は、基板ＳＴの上の樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けたときの押印力に起因するモールド１０６の位置ずれを低減して、基板ＳＴの上の目標位置にモールド１０６のパターンを転写することができる。また、本実施形態のインプリント装置１００は、樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けたときのモールド１０６の位置ずれを防止しているため、グローバルアライメントを行うことが可能であり、スループット（生産性）の低下を抑制することができる。なお、本実施形態では、準備処理における押し付け動作の回数、即ち、押印回数Ｎが規定回数ＴＨ２を超えた場合には、準備処理を終了する。これにより、モールドステージ１０４（の保持面１０４ａ）やモールド１０６が正常な状態ではなく、押印回数Ｎを増やしても変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１以下にならない場合に、準備処理を継続してしまうことを防止することができる。

なお、以上の説明では、インプリント処理を行う基板ＳＴとは異なる準備処理用の基板を用いて準備処理を行っているが、インプリント処理を行う基板ＳＴを用いて準備処理を行ってもよい。この場合、制御部１２２によって、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置の変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１以下である場合には、そのときに基板ＳＴの上に転写されたモールド１０６のパターンは良品であると判定する。また、変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１を超えている場合には、そのときに基板ＳＴの上に転写されたモールド１０６のパターンは不良品であると判定する。そして、基板ＳＴの上に転写されたモールド１０６のパターンの良否を判定した判定結果をメモリなどの記憶部に記憶して、後工程としての検査工程などで利用する。具体的には、検査工程において、不良品であると判定されたパターンが転写されたショット領域を半導体製造プロセスから除外することができる。勿論、不良品であると判定されたパターンが転写されたショット領域であっても、検査工程での検査結果が良好である場合には、半導体製造プロセスから除外する必要はない。このように、基板ＳＴを用いて準備処理を行うことによって、準備処理がインプリント処理の一部となることもある。

また、本実施形態では、準備処理に用いられる樹脂とモールドのパターンを転写するインプリント処理に用いられる樹脂とは、同一の樹脂でなくてもよい。例えば、インプリント処理に用いられる樹脂には、界面活性剤が含まれていなくてもよい。

本実施形態では、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置の変化量Ｃｉを、計測部１１８（複数の干渉計１１８ａ）の計測結果から求める場合について説明した。但し、図７に示すように、基板上に形成されているマークＭＫと準備処理において基板上のショット領域に転写されたモールド１０６のパターンＰＴとを検出してもよい。なお、この場合には、準備処理において、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにモールド１０６を押し付ける（即ち、樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付ける）第１の押し付け動作と第２の押し付け動作の少なくとも２回の押し付け動作が必要となる。マークＭＫの位置を基準とすると、第１の押し付け動作で転写されたパターンＰＴの位置に対する第２の押し付け動作で転写されたパターンＰＴの位置の変化量Ｃｐは、保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置の変化量Ｃｉに相当している。この場合、変化量Ｃｐと閾値ＴＨ３との関係、及び、モールド１０６の押印回数Ｎと規定回数ＴＨ２との関係が以下の式３を満たすことを確認して、インプリント処理を行う。
Ｃｐ ≦ ＴＨ３、且つ、Ｎ ≦ ＴＨ２ ・・・（式３）
閾値ＴＨ３は、基板上の目標位置にパターンを転写するために許容可能な変化量Ｃｐの最大値以下の値（即ち、最大値に対して所定のマージンを含む値）で設定され、実験的又は理論的に導出される値である。

なお、基板上に形成されているマークＭＫ及び準備処理において基板上のショット領域に転写されたモールド１０６のパターンＰＴは、例えば、スコープ１２０を用いて検出することができる。具体的には、図８（ａ）に示すように、基板上のマークＭＫに対して、スコープ１２０の光源からの光を垂直に照射し、マークＭＫで正反射された正反射光（０次光）のみをスコープ１２０の受光部で受光することで、マークＭＫの位置を検出することができる。また、図８（ｂ）に示すように、基板上のマークＭＫに対して、光を斜めに照射し、マークＭＫで反射された反射光のうちエッジ部からの散乱光又は回折光（ｎ次光）を受光することで、マークＭＫの位置を検出することもできる。

また、基板上のショット領域に転写されたモールド１０６のパターンＰＴは、マークＭＫと同様に、凹凸形状を有する。従って、パターンＰＴに対して、光を垂直に、或いは、斜めに照射することで、パターンＰＴの位置を検出することができる。但し、モールド１０６のパターンを構成するラインの線幅が数十ｎｍレベルである場合、ラインの線幅が微細であるため、ショット領域に転写されたパターンＰＴを構成する１本のラインのみを検出することは困難である。このような場合には、パターンＰＴを構成する複数のラインを１本のラインとみなして検出すればよい。

インプリント装置１００においては、樹脂ＲＳに含まれる界面活性剤をモールド１０６のパターン面１０６ａに付着させる付着動作を含む付着処理を行う必要もある。インプリント処理に１度も使用していないモールド（未使用のモールド）やインプリント処理に使用していない期間（使用停止期間）が予め定められた期間よりも長いモールドにおいては、パターン面に界面活性剤が十分に付着していない。従って、硬化した樹脂からモールドを剥離する際に要する剥離力が想定値よりも大きくなり、基板上に転写されたパターンがモールドに付着したまま剥離されてちぎれたり、モールドや基板が所定の位置からずれたり（又は変形したり）してしまう。

例えば、図９（ａ）に示すように、モールド１０６のパターン面１０６ａに界面活性剤が十分に付着しておらず、パターン面１０６ａの一部のみに界面活性剤が付着している場合について考える。図９（ａ）に示す状態において、基板ＳＴの上の樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けてモールド１０６と基板ＳＴとの間に樹脂ＲＳを充填させる。そして、樹脂ＲＳを硬化させ、硬化した樹脂ＲＳからモールド１０６を剥離すると、図９（ｂ）に示すように、基板ＳＴの上にモールド１０６のパターンが転写できていない部分（パターン不良部分）が生じてしまう。

このように、モールド１０６のパターンを高精度に転写するためには、モールド１０６のパターン面１０６ａに界面活性剤を均一に付着させ、硬化した樹脂ＲＳからモールド１０６を剥離する際に要する剥離力を低減させる必要がある。なお、モールド１０６のパターン面１０６ａに界面活性剤を付着させるためには、インプリント装置１００の外でパターン面１０６ａに界面活性剤を塗布したり、界面活性剤を含む樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けたりすることが必要となる。但し、インプリント装置１００の外でパターン面１０６ａに界面活性剤を塗布する場合には、インプリント装置１００以外の装置（半導体プロセス以外の処理）が必要となるため、コストや時間がかかり、スループット（生産性）に影響を及ぼすことになる。そこで、本実施形態では、界面活性剤を含む樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けることで、樹脂ＲＳに含まれる界面活性剤をモールド１０６のパターン面１０６ａに付着させる。

図１０は、界面活性剤を含む樹脂ＲＳにモールドを押し付けた回数（押印回数）Ｎと、モールド１０６を硬化した樹脂ＲＳから剥離する際に要する剥離力Ｐとの関係を示す図である。図１０を参照するに、プロットＲ１に対応する剥離力Ｐ１は、インプリント処理に１度も使用していないモールド又は使用停止期間が予め定められた期間よりも長いモールドを硬化した樹脂ＲＳから剥離する際に要する剥離力を示している。この場合、樹脂ＲＳに含まれる界面活性剤がモールドのパターン面に十分に付着していないため、剥離力Ｐ１は、閾値（第２の閾値）ＴＨ４よりも大きくなっている。なお、閾値ＴＨ４は、基板上にモールドのパターンを破損することなく転写するために必要な剥離力の最大値以下の値（即ち、最大値に対して所定のマージンを含む値）で設定され、実験的又は理論的に導出される値である。

界面活性剤を含む樹脂ＲＳへのモールドの押し付けを繰り返し（複数回）行うことによって、界面活性剤がモールドのパターン面に徐々に付着していく。従って、プロットＲ２、Ｒ３及びＲ４に示すように、モールドを硬化した樹脂ＲＳから剥離する際に要する剥離力は、剥離力Ｐ２、Ｐ３及びＰ４と徐々に低下していく。そして、界面活性剤がモールドのパターン面に均一に付着すると、プロットＲ５、Ｒ６及びＲ７に示すように、モールドを硬化した樹脂ＲＳから剥離する際に要する剥離力が収束する（剥離力Ｐ５、Ｐ６及びＰ７の近傍の値となる）。

また、付着処理において、界面活性剤を含む樹脂ＲＳにモールドを規定回数以上押し付けても、硬化した樹脂ＲＳからモールド１０６を剥離する際に要する剥離力が閾値ＴＨ４以下にならない場合も考えられる。このような場合には、界面活性剤を含む樹脂ＲＳやモールド１０６が正常な状態ではない可能性があるため、付着処理を終了して、樹脂ＲＳやモールドを検査し、かかる検査結果に応じて樹脂ＲＳやモールドを交換する必要がある。従って、付着処理では、剥離力Ｐと閾値ＴＨ４との関係、及び、押印回数Ｎと規定回数ＴＨ５との関係が以下の式４を満たすことを確認する。
Ｐ ≦ ＴＨ４、且つ、Ｎ ≦ ＴＨ５ ・・・（式４）
閾値ＴＨ４は、基板上にモールドのパターンを破損することなく転写するために必要な剥離力の最大値以下の値（即ち、最大値に対して所定のマージンを含む値）で設定され、実験的又は理論的に導出される値である。また、規定回数ＴＨ５は、基板上にモールドのパターンを破損することなく転写することができるまでに要した押印回数に基づいて決定すればよい。

なお、準備処理における押し付け動作として、基板ＳＴの上の樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付ける場合には、樹脂ＲＳに含まれる界面活性剤をモールド１０６のパターン面１０６ａに付着させる付着動作を含む付着処理を準備処理に含めることができる。換言すれば、準備処理において基板ＳＴの上の樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けることと、付着処理において基板ＳＴの上の樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けることとを共通化することができる。

以下、図１１を参照して、準備処理に付着処理を含ませた場合のインプリント装置１００の動作について説明する。なお、図１１に示すインプリント装置１００の動作は、制御部１２２がインプリント装置１００の各部を統括的に制御することによって実行される。

Ｓ１１０２では、インプリント装置１００にモールド１０６を搬入し、かかるモールド１０６をモールドステージ１０４（保持面１０４ａ）に保持させる。

Ｓ１１０４では、インプリント装置１００にインプリント処理を行う基板ＳＴとは異なる準備処理用の基板を搬入し、かかる準備処理用の基板を基板ステージ１０２に保持させる。

Ｓ１１０６では、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を安定化させる押し付け動作及び樹脂ＲＳに含まれる界面活性剤をモールド１０６のパターン面１０６ａに付着させる付着動作を含む準備処理を行う。具体的には、まず、供給部１０８によって準備処理用の基板上の複数の領域（ショット領域に相当）のそれぞれに樹脂ＲＳを供給する。次いで、基板ステージ１０２によって準備動作用の基板を駆動して、準備動作用の基板上のモールド１０６を押し付けるべき領域（対象領域）をモールド１０６（のパターン面１０６ａ）に対応する位置に配置する。次に、計測部１１８によってモールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を計測する。次いで、駆動部１１０によってモールド１０６を下方向に駆動して、準備動作用の基板上に供給された樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付ける。これにより、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにモールド１０６を押し付ける押し付け動作及樹脂ＲＳに含まれる界面活性剤をモールド１０６のパターン面１０６ａに付着させる付着動作が同時に（共通して）行われる。次に、樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けた状態において、光源１１２によって樹脂ＲＳに紫外線を照射して樹脂ＲＳを硬化させる。次いで、駆動部１１０によってモールド１０６を上方向に駆動して、準備動作用の基板上の硬化した樹脂ＲＳからモールド１０６を剥離する。この際、検出部１１４によって、準備動作用の基板上の硬化した樹脂ＲＳからモールド１０６を剥離する際に要する剥離力Ｐを検出する。次に、計測部１１８によってモールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を計測する。そして、押し付け動作を行う前のモールド１０６の位置に対する押し付け動作を行った後のモールド１０６の位置の変化量Ｃｉを求める。このように、準備処理において、準備動作用の基板上に供給された樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けることによって、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにモールド１０６が均一に接触していくと共に、界面活性剤がパターン面１０６ａに付着していく。

Ｓ１１０８では、Ｓ１１０２で搬入したモールド１０６が、インプリント処理に１度も使用していないモールド（未使用モールド）又はインプリント処理に使用していない期間（使用停止期間）が予め定められた期間Ｔよりも長いモールドであるかどうかを判定する。モールド１０６が未使用モールド又は使用停止期間が予め定められた時間Ｔよりも長いモールドである場合には、Ｓ１１１０に移行する。また、モールド１０６が未使用モールド又は使用停止期間が予め定められた時間Ｔよりも長いモールドでない場合には、Ｓ１１１２に移行する。

なお、予め定めたれた期間Ｔは、モールド１０６を使用した直前のインプリント処理が終了したときからパターン面１０６ａに付着していた界面活性剤が剥がれ始めるときまでの期間であって、実験的又は理論的に算出することが可能である。また、モールド１０６の使用履歴などを管理するモールド管理テーブルは、例えば、制御部１２２のメモリなどの記憶部に格納されている。従って、制御部１２２は、モールド管理テーブルを参照することで、モールド１０６が未使用モールド又はモールド１０６の使用停止期間が予め定められた期間Ｔよりも長いモールドであるかどうかを判定することができる。

Ｓ１１１０では、Ｓ１１０６の準備動作において計測された剥離力Ｐが第２の閾値以下（即ち、閾値ＴＨ４以下）であるかどうかを判定する。剥離力Ｐが閾値ＴＨ４以下でない、即ち、閾値ＴＨ４よりも大きい場合には、Ｓ１１２０に移行する。また、剥離力Ｐが閾値ＴＨ４以下である場合には、Ｓ１１１２に移行する。

Ｓ１１１２では、Ｓ１１０６の準備処理において求めた変化量Ｃｉが第１の閾値以下（即ち、閾値ＴＨ１以下）であるかどうかを判定する。変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１以下である場合には、モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触し、且つ、界面活性剤がパターン面１０６ａに均一に付着していると考えられるため、Ｓ１１１４に移行して、準備処理を終了する。なお、図１１に示すＳ１１１４乃至Ｓ１１１８は、図６に示すＳ６１０乃至Ｓ６１４と同じであるため、ここでの詳細な説明は省略する。一方、変化量Ｃｉが閾値ＴＨ１以下ではない、即ち、閾値ＴＨ１よりも大きい場合には、Ｓ１１２０に移行する。

Ｓ１１２０では、Ｓ１１０６の準備動作において、基板ＳＴの上の樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付けた回数（押印回数）Ｎが規定回数ＴＨ２以下、且つ、規定回数ＴＨ５以下であるかどうかを判定する。押印回数Ｎが規定回数ＴＨ２以下、且つ、規定回数ＴＨ５以下である場合には、Ｓ１１０６に移行して、準備処理を継続する。また、押印回数Ｎが規定回数ＴＨ２及びＴＨ５の少なくとも一方を超えている場合には、Ｓ１１２２に移行する。

Ｓ１１２２では、準備処理用の基板をインプリント装置１００から搬出し、準備処理を終了する。また、Ｓ１１２４では、モールドステージ１０４及びモールド１０６をインプリント装置１００から搬出する。但し、押印回数Ｎが規定回数ＴＨ２以下である場合には、Ｓ１１２４において、モールドステージ１０４をインプリント装置１００から搬出する必要はない。

Ｓ１１２６では、Ｓ１１２２で搬出した準備動作用の基板上の樹脂ＲＳ、Ｓ１１２４で搬出したモールドステージ１０４及びモールド１０６を検査する。但し、押印回数Ｎが規定回数ＴＨ２以下である場合には、Ｓ１１２４において、モールドステージ１０４を検査する必要はない。同様に、押印回数Ｎが規定回数ＴＨ５以下である場合には、Ｓ１１２４において、樹脂ＲＳを検査する必要はない。そして、樹脂ＲＳ、モールドステージ１０４及びモールド１０６の検査結果に応じて所定の処理（例えば、樹脂ＲＳ、モールドステージ１０４及びモールド１０６の交換）を行って、Ｓ１１０４に移行する。

このように、本実施形態では、モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とを均一に接触させることに加えて、界面活性剤をモールド１０６のパターン面１０６ａに均一に付着させることができる。従って、本実施形態のインプリント装置１００は、パターン不良部分を生じることなく、パターン基板ＳＴの上の目標位置にモールド１０６のパターンを高精度に転写することができる。

なお、準備処理又は付着処理におけるモールドの押し付け条件は、その後に行われるインプリント処理におけるモールドの押し付け条件と異なっていてもよい。例えば、準備処理又は付着処理におけるモールドの押し付け時間をインプリント処理におけるモールドの押し付け時間よりも長くしてもよい。また、準備処理又は付着処理におけるモールドの押し付け力をインプリント処理におけるモールドの押し付け力よりも大きくしたりしてもよい。更に、準備動作又は付着処理においては、モールドと基板とを相対的に振動させてもよい。これにより、モールドステージの保持面にモールドを均一に接触させるために要するモールドの押し付け回数、及び、界面活性剤をパターン面に付着させるために要するモールドの押し付け回数を少なくすることが可能となる。

これまでは、モールド１０６をモールドステージ１０４の保持面１０４ａに押し付ける押し付け動作として、基板ＳＴの上に供給された樹脂ＲＳにモールド１０６を押し付ける場合について説明した。但し、モールド１０６の周囲に配置された調整部１１６を用いて（図２参照）、モールド１０６をモールドステージ１０４の保持面１０４ａに押し付ける押し付け動作を行うことも可能である。

具体的には、準備処理において、まず、モールド１０６がインプリント装置１００に搬入されてモールドステージ１０４の保持面１０４ａで保持されると、保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置を計測部１１８で計測する。次いで、モールド１０６の側面に力を加えることを調整部１１６に行わせてモールド１０６の姿勢を変更させることで、モールド１０６をモールドステージ１０４の保持面１０４ａに押し付ける押し付け動作を行う。そして、調整部１１６がモールド１０６の側面に力を加える前（即ち、押し付け動作を行う前）のモールド１０６の位置に対する調整部１１６がモールド１０６の側面に力を加えた後（即ち、押し付け動作を行った後）のモールド１０６の位置の変化量Ｃｍを求める。

図１２（ａ）は、調整部１１６がモールド１０６の側面に力を加えた回数（調整回数）Ｎｏと、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置の変化量Ｃｍとの関係を示す図である。プロットＲ１に対応する変化量Ｃｍ１は、モールド１０６の側面に１回も力を加えていないとき（Ｎｏ＝０）のモールド１０６の位置に対するモールド１０６の側面に力を１回加えたとき（Ｎｏ＝１）のモールド１０６の位置の変化量を示している。この場合、モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触していないため、変化量Ｃｍ１は、閾値ＴＨ６よりも大きくなっている。なお、閾値ＴＨ６は、基板上の目標位置にパターンを転写するために許容可能な変化量Ｃｍの最大値以下の値（即ち、最大値に対して所定のマージンを含む値）で設定され、実験的又は理論的に導出される値である。

モールド１０６の側面に力を加えることを繰り返し（複数回）行うことによって、モールド１０６はモールドステージ１０４の保持面１０４ａに徐々に均一に接触していく。従って、プロットＲ２、Ｒ３及びＲ４に示すように、変化量Ｃｍは、変化量Ｃｍ２、Ｃｍ３及びＣｍ４と徐々に小さくなっていく。そして、モールド１０６がモールドステージ１０４の保持面１０４ａに均一に接触すると、プロットＲ５、Ｒ６及びＲ７に示すように、変化量Ｃｍが収束する（変化量Ｃｍ５、Ｃｍ６及びＣｍ７の近傍の値となる）。

以下の式５に示すように、変化量Ｃｍが閾値ＴＨ６以下になった場合（変化量Ｃｍ４乃至Ｃｍ７）、モールドステージ１０４の保持面１０４ａとモールド１０６とが均一に接触していると考えられる。従って、モールド１０６を樹脂ＲＳに押し付けたときの押印力に起因するモールド１０６の位置ずれが生じることなく、モールド１０６のパターンを基板上の目標位置に転写することが可能となる。
Ｃｍ ≦ ＴＨ６ ・・・（式５）
なお、準備処理において、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにモールド１０６を押し付ける押し付け動作、即ち、モールド１０６の側面に力を加える動作が規定回数以上になっても、変化量Ｃｍが閾値ＴＨ６以下にならない場合も考えられる。図１２（ｂ）は、調整部１１６がモールド１０６の側面に力を加えた回数（調整回数）Ｎｏと、モールドステージ１０４の保持面１０４ａにおけるモールド１０６の位置の変化量Ｃｍとの関係を示す図である。図１２（ｂ）を参照するに、プロットＲ１乃至Ｒ７は、調整回数Ｎｏが規定回数ＴＨ７に到達する前に、変化量Ｃｍが閾値ＴＨ６以下になっている。一方、プロットＲ１’乃至Ｒ７’は、調整回数Ｎｏが規定回数ＴＨ７以上になっても変化量Ｃｍが閾値ＴＨ６以下になっていない。このような場合、モールドステージ１０４やモールド１０６が正常な状態ではない可能性があるため、準備処理を終了してモールドステージ１０４やモールド１０６を検査し、かかる検査結果に応じてモールドステージ１０４やモールド１０６を交換する必要がある。そして、変化量Ｃｍと閾値ＴＨ６との関係、及び、調整回数Ｎｏと規定回数ＴＨ７との関係が以下の式６を満たすことを確認して、インプリント処理を行う。
Ｃｍ ≦ ＴＨ６、且つ、Ｎｏ ≦ ＴＨ７ ・・・（式６）
物品としてのデバイス（半導体デバイス、液晶表示素子等）の製造方法は、インプリント装置１００を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (10)

1. 基板上の樹脂にモールドを押し付けた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
   前記モールドと接触する保持面を含み、前記保持面で前記モールドを保持する保持部と、
   前記保持面における前記モールドの位置を計測する計測部と、
   前記インプリント処理の前に、前記モールドを前記保持面に押し付けて前記保持面における前記モールドの位置を安定化させる少なくとも１回の押し付け動作を含む準備処理を行う処理部と、
   を有し、
   前記処理部は、前記準備処理において、前記計測部によって計測される前記押し付け動作を行う前の前記モールドの位置に対する前記押し付け動作を行った後の前記モールドの位置の変化量が第１の閾値を超えている場合には前記押し付け動作を繰り返し行い、前記変化量が前記第１の閾値以下である場合には前記準備処理を終了することを特徴とするインプリント装置。
2. 前記モールドを駆動する駆動部を更に有し、
   前記処理部は、前記準備処理のために基板上に供給された樹脂に前記モールドを押し付けることを前記駆動部に行わせることで、前記押し付け動作を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記計測部は、前記モールドの周囲に配置された干渉計を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
4. 前記準備処理は、前記モールドを前記保持面に押し付けて前記保持面における前記モールドの位置を安定化させる第１の押し付け動作及び第２の押し付け動作の少なくとも２回の押し付け動作を含み、
   前記計測部は、前記基板上に形成されているマークと、前記準備処理のために基板上に供給された樹脂に前記モールドを押し付けた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上に転写された前記モールドのパターンとを検出する検出光学系を含み、
   前記検出光学系によって検出される前記第１の押し付け動作の後における前記マークと前記基板上に転写された前記モールドのパターンとの位置関係と、前記検出光学系によって検出される前記第２の押し付け動作の後における前記マークと前記基板上に転写された前記モールドのパターンとの位置関係とから、前記第２の押し付け動作を行う前の前記モールドの位置に対する前記第２の押し付け動作を行った後の前記モールドの位置の変化量を求めることを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
5. 前記処理部は、前記インプリント処理を行う基板とは異なる準備処理用の基板を用いて前記準備処理を行うことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
6. 前記インプリント処理を行う際に前記モールドの側面に力を加えて前記モールドの倍率及びディストーションを調整する調整部を更に有し、
   前記処理部は、前記準備処理において、前記モールドの側面に力を加えることを前記調整部に行わせて前記モールドの姿勢を変更させることで、前記押し付け動作を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
7. 前記処理部は、前記押し付け動作の繰り返し回数が規定回数以上になった場合には、前記準備処理を終了させることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記モールドを駆動する駆動部と、
   前記基板上の硬化した樹脂から前記モールドを剥離する際に要する剥離力を検出する検出部と、
   を更に有し、
   前記処理部は、前記インプリント処理の前に、前記基板上に供給された界面活性剤を含む樹脂に前記モールドを押し付けることを前記駆動部に行わせ、当該樹脂を硬化させて硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記界面活性剤を前記モールドのパターン面に付着させる少なくとも１回の付着動作を含む付着処理を行い、
   前記処理部は、前記付着処理において前記検出部によって検出される前記剥離力が第２の閾値を超えている場合には前記付着動作を繰り返し行い、前記付着処理において前記検出部によって検出される前記剥離力が前記第２の閾値以下である場合には前記付着処理を終了することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
9. 前記モールドを駆動する駆動部を更に有し、
   前記準備処理のために基板上に供給される樹脂は、界面活性剤を含み、
   前記処理部は、前記準備処理のために基板上に供給された前記界面活性剤を含む樹脂に前記モールドを押し付けることを前記駆動部に行わせることで、前記押し付け動作、及び、前記界面活性剤を前記モールドのパターン面に付着させる付着動作を行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
10. 請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成するステップと、
    前記パターンが形成された基板を加工するステップと、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。

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