JP5576082B2 - 電子放出源形成用組成物、これを用いて形成された電子放出源およびその製造方法、並びにこれを用いた電界放出素子 - Google Patents
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Description
バインダである数平均分子量350,000のポリアクリレート30g、PE 320(味元商社)70g、PETIA 15g、CD 9051 15g、TPO 7g、HSP188 7g、CNT 10g、フィラーであるSnO2 20g、溶媒であるテルピネオール20gを混合し、10,000rpmで30分間撹拌した。その後、3ロールミルを用いて約2時間混合して、良好に分散された電子放出源形成用組成物を調製した。
バインダである数平均分子量350,000のポリアクリレート30g、PE 320 70g、PETIA 15g、CD 9051 0g、TPO 2.7g、HSP188 2.7g、CNT 10g、フィラーであるSnO2 20g、溶媒であるテルピネオール20gを混合し、10,000rpmで30分間撹拌した。その後、3ロールミルを用いて約2時間混合して、良好に分散された電子放出源形成用組成物を調製した。
バインダである数平均分子量350,000のポリアクリレート30g、PE 320 30g、PETIA 15g、CD 9051 15g、TPO 7g、HSP188 7g、CNT 10g、フィラーであるSnO2 20g、溶媒であるテルピネオール20gを混合し、10,000rpmで30分間撹拌した。その後、3ロールミルを用いて約2時間混合して、良好に分散された電子放出源形成用組成物を調製した。
バインダである数平均分子量350,000のポリアクリレート50g、PE 320 50g、PETIA 15g、CD 9051 7g、TPO 7g、HSP188 7g、CNT 10g、フィラーであるSnO2 20g、溶媒であるテルピネオール20gを混合し、10,000rpmで30分間撹拌した。その後、3ロールミルを用いて約2時間混合して、良好に分散された電子放出源形成用組成物を調製した。
バインダである数平均分子量350,000のポリアクリレート30g、PE 320 70g、PETIA 15g、CD 9051 15g、TPO 2g、HSP188 2g、CNT 10g、フィラーであるSnO2 20g、溶媒であるテルピネオール20gを混合し、10,000rpmで30分間撹拌した。その後、3ロールミルを用いて約2時間混合して、良好に分散された電子放出源形成用組成物を調製した。
バインダである数平均分子量350,000のポリアクリレート30g、PE 320 70g、PETIA 4g、CD 9051 15g、TPO 7g、HSP188 7g、CNT 10g、フィラーであるSnO2 20g、溶媒であるテルピネオール20gを混合し、10,000rpmで30分間撹拌した。その後、3ロールミルを用いて約2時間混合して、良好に分散された電子放出源形成用組成物を調製した。
PE 320に代えて、PU 600(味元商社)を用いたこと以外は、上記製造例1と同じ方法によって実施し、電子放出源形成用組成物を調製した。
バインダである数平均分子量350,000のポリアクリレート30g、PE 320 70g、PETIA 4g、CD 9051 15g、TPO 20g、HSP188 20g、CNT 10g、フィラーであるSnO2 20g、溶媒であるテルピネオール20gを混合し、10,000rpmで30分間撹拌した。その後、3ロールミルを用いて約2時間混合して、良好に分散された電子放出源形成用組成物を調製した。
PE 320に代えて、PU 600(味元商社)を用いたこと以外は、上記製造例8と同じ方法によって実施し、電子放出源形成用組成物を調製した。
バインダである数平均分子量350,000のポリアクリレート30g、PE 320 70g、PETIA 4g、CD 9051 15g、TPO 0g、HSP188 0g、CNT 10g、フィラーであるSnO2 20g、溶媒であるテルピネオール20gを混合し、10,000rpmで30分間撹拌した。その後、3ロールミルを用いて約2時間混合して、良好に分散された電子放出源形成用組成物を調製した。
TPO 1g、HSP188 1gを用いたこと以外は、上記比較製造例1と同じ方法によって実施し、電子放出源形成用組成物を調製した。
PE 320に代えて、PU 600を用いたこと以外は、上記比較製造例1と同じ方法によって実施し、電子放出源形成用組成物を調製した。
PE 320に代えて、PU 600を用いたこと以外は、上記比較製造例2と同じ方法によって実施し、電子放出源形成用組成物を調製した。
上記製造例1で調製した電子放出源形成用組成物を、Crゲート電極、絶縁膜およびITO電極を有する基板上の電子放出源形成領域に印刷した。その後、得られた塗膜を120℃で20分間乾燥し、乾燥後の塗膜を約8J/cm2の露光エネルギーでUV露光した。
製造例1で調製したの電子放出源形成用組成物に代えて、上記製造例2〜9で調製した電子放出源形成用組成物をそれぞれ用いたこと以外は、上記実施例1と同じ方法によって実施し、電子放出源および電界放出素子を製造した。
上記比較製造例1で調製した電子放出源形成用組成物を、Crゲート電極、絶縁膜およびITO電極を有する基板上の電子放出源形成領域に印刷した。その後、得られた塗膜を120℃で20分間乾燥し、乾燥後の塗膜を約8J/cm2の露光エネルギーで露光した。
比較製造例1で調製した電子放出源形成用組成物に代えて、上記比較製造例2〜4で調製した電子放出源形成用組成物をそれぞれ用いたこと以外は、上記比較例1と同じ方法によって実施し、電子放出源および電界放出素子を製造した。
1.100μm×100μmの領域内のクラック数が2個以下である場合:×
2.100μm×100μmの領域内のクラック数が3〜6個である場合:○
3.100μm×100μmの領域内のクラック数が7以上である場合:◎
デジタルカメラを用いて、上記実施例7で製造された電界放出素子において、アノード電極上に形成された蛍光体層と衝突して得られた発光イメージを調べた。結果を図4に示す。図4は、同じサンプルの、印加電圧3.75V/μm、4.0V/μm、4.25V/μmのそれぞれの場合の発光イメージを示したものである。
11,111 電子放出源
11’ 電子放出源形成用組成物
11” 印刷・乾燥後の塗膜
14,114 亀裂部
15,15a,15b 針状物質
21 露光部
22 非露光部
120 第1電極
130 絶縁層
135 エミッタホール
140 第2電極
Claims (10)
- ナノサイズの針状物質を含む電子放出源形成用組成物を塗布、乾燥および熱処理することにより製造され、
少なくとも一部の領域に形成された、有機残留物を含む亀裂部を有し、前記針状物質が前記亀裂部内に露出しており、100μm×100μmの領域内の前記亀裂部の数が3個以上である、電子放出源。 - 前記亀裂部は、1〜20μmの幅を有することを特徴とする、請求項1に記載の電子放出源。
- 前記亀裂部は、1〜10μmの幅を有することを特徴とする、請求項2に記載の電子放出源。
- 前記亀裂部は、2μm以上の幅を有することを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子放出源。
- 前記有機残留物は、電子放出源形成用組成物が熱処理された後に残留する物質であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子放出源。
- 前記針状物質は前記亀裂部の内壁間に露出しており、
前記針状物質は、前記亀裂部の内壁を連結するブリッジ形状及び前記亀裂部の内壁から突出したチップ形状の少なくとも一方の形状を有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子放出源。 - 前記針状物質は、カーボンナノチューブまたはナノワイヤであることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子放出源。
- 前記ナノワイヤは、ZnOまたは金属からなることを特徴とする、請求項7に記載の電子放出源。
- 基板と、
前記基板上に形成された第1電極と、
前記第1電極上に形成された多数の電子放出源と、を有し、
前記電子放出源は、請求項1〜8のいずれか1項に記載の電子放出源であることを特徴とする、電界放出素子。 - 前記第1電極上に形成され、前記電子放出源がその内部に設けられる多数のエミッタホールが形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第2電極と、をさらに有することを特徴とする、請求項9に記載の電界放出素子。
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