JP5583766B2 - 時間的に変化する欠陥分類性能の監視のための方法、システムおよびコンピュータ可読媒体 - Google Patents
時間的に変化する欠陥分類性能の監視のための方法、システムおよびコンピュータ可読媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5583766B2 JP5583766B2 JP2012518552A JP2012518552A JP5583766B2 JP 5583766 B2 JP5583766 B2 JP 5583766B2 JP 2012518552 A JP2012518552 A JP 2012518552A JP 2012518552 A JP2012518552 A JP 2012518552A JP 5583766 B2 JP5583766 B2 JP 5583766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- total number
- inspection tool
- defect
- determined
- kishirube
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/265—Contactless testing
- G01R31/2656—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2894—Aspects of quality control [QC]
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B19/00—Program-control systems
- G05B19/02—Program-control systems electric
- G05B19/418—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM]
- G05B19/41875—Total factory control, i.e. centrally controlling a plurality of machines, e.g. direct or distributed numerical control [DNC], flexible manufacturing systems [FMS], integrated manufacturing systems [IMS] or computer integrated manufacturing [CIM] characterised by quality surveillance of production
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
- G05B2219/00—Program-control systems
- G05B2219/30—Nc systems
- G05B2219/37—Measurements
- G05B2219/37224—Inspect wafer
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/20—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by the properties tested or measured, e.g. structural or electrical properties
- H10P74/203—Structural properties, e.g. testing or measuring thicknesses, line widths, warpage, bond strengths or physical defects
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P74/00—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
- H10P74/23—Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices characterised by multiple measurements, corrections, marking or sorting processes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P90/00—Enabling technologies with a potential contribution to greenhouse gas [GHG] emissions mitigation
- Y02P90/02—Total factory control, e.g. smart factories, flexible manufacturing systems [FMS] or integrated manufacturing systems [IMS]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
この出願は、2009年7月1日に提出された米国特許仮出願第61/222,388号の優先権を主張するものであり、当該出願は、その総体が参照によって本明細書に組み込まれる。
方法は、1つまたは複数の走査型検査ツールからの1つまたは複数の標本の1つまたは複数の特性の指標となる、1つまたは複数の信号を受信することと、1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に適用される1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関を計算することと、を含みうるが、これに限定されるものではない。
上述の概要、および以下の詳細な説明は、共に例示的、説明的なものに過ぎず、必ずしも請求項に記載された本発明を限定するものではないことが理解されるべきである。添付の図面は、本明細書に組み込まれて本明細書の一部を構成し、本発明の実施形態を例示し、概要と共に、本発明の原理の説明に役立つものである。
本発明は以下の適用例としても実現可能である。
[適用例1]
時間的に変化する欠陥分類性能の監視のための方法であって、
1つまたは複数の走査型検査ツールからの1つまたは複数の標本の1つまたは複数の特性の指標となる、1つまたは複数の信号を受信することと、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、
1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に適用される1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関を計算することと、含む方法。
[適用例2]
適用例1に記載の方法であって、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールは、明視野パターン付きウェハ検査装置、パターン付き暗視野光子光学ウェハ検査装置、パターンなし暗視野光子光学ウェハ検査装置、および電子ビーム光学領域走査型検査装置のうちの少なくとも1つから選択される、方法。
[適用例3]
適用例1に記載の方法であって、
前記分類特性は、サイズ、形状、極性、テクスチャ、コントラスト、バックグラウンドビジネスのうちの少なくとも1つから選択される、方法。
[適用例4]
適用例1に記載の方法であって、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールは、走査型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡、共焦点顕微鏡のうちの少なくとも1つから選択される、方法。
[適用例5]
適用例1に記載の方法であって、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、少なくとも第1標本および第2標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することを含み、
1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、少なくとも前記第1標本および前記第2標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することを含み、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に適用される1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関を前記計算することは、
前記1つまたは複数の光学検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に対する1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、1つまたは複数の欠陥タイプの総数の少なくとも前記第1標本および前記第2標本と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールの使用を通して決定された、1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の相対的安定性を計算することを含む、方法。
[適用例6]
適用例1に記載の方法であって、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に対する、1つまたは複数の分類規則を適用して、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定することを含み、
1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールの使用により、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定することを含み、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に適用される1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関を前記計算することは、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記標本に関連付けられた1つまたは複数の信号に対する1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第1相関を計算することと、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第2相関を計算することと、
前記第1相関と前記第2相関の間の相関を計算することと、を含む、方法。
[適用例7]
適用例1に記載の方法であって、
1つまたは複数の光学検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に対して適用される、1つまたは複数の分類規則を生成すること、を更に含む、方法。
[適用例8]
適用例1に記載の方法であって、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に対する1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの前記総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関に従って、1つまたは複数の分類規則を修正すること、を更に含む、方法。
[適用例9]
時間的に変化する欠陥分類性能の監視のためのシステムであって、
1つまたは複数の走査型検査ツールからの1つまたは複数の標本の1つまたは複数の特性の指標となる、1つまたは複数の信号を受信するための手段と、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定するための手段と、
1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定するための手段と、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に適用される1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関を計算するための手段と、を含むシステム。
[適用例10]
適用例9に記載のシステムであって、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールは、明視野パターン付きウェハ検査装置、パターン付き暗視野光子光学ウェハ検査装置、パターンなし暗視野光子光学ウェハ検査装置、および電子ビーム光学領域走査型検査装置のうちの少なくとも1つから選択される、システム。
[適用例11]
適用例9に記載のシステムであって、
前記分類性能は、サイズ、形状、極性、テクスチャ、コントラスト、バックグラウンドビジネスのうちの少なくとも1つから選択される、システム。
[適用例12]
適用例9に記載のシステムであって、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールは、走査型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡、共焦点顕微鏡のうちの少なくとも1つから選択される、システム。
[適用例13]
適用例9に記載のシステムであって、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定するための手段は、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、少なくとも第1標本および第2標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することを含み、
1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数を前記決定するための手段は、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、少なくとも前記第1標本および前記第2標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定するための手段を含み、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に適用される1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関を前記計算するための手段は、
前記1つまたは複数の光学検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に対する1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、1つまたは複数の欠陥タイプの総数の少なくとも前記第1標本および前記第2標本と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールの使用を通して決定された、1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の相対的安定性を計算するための手段を含む、システム。
[適用例14]
適用例9に記載のシステムであって、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に対する、1つまたは複数の分類規則を適用して、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を前記決定するための手段は、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールの使用により、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定するための手段を含み、
1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数を前記決定するための手段は、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールの使用により、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定することを含み、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に適用される1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関を前記計算するための手段は、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記標本に関連付けられた1つまたは複数の信号に対する1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第1相関を計算するための手段と、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第2相関を計算するための手段と、
前記第1相関と前記第2相関の間の相関を計算するための手段と、を含む、システム。
[適用例15]
適用例9に記載のシステムであって、
1つまたは複数の光学検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に対して適用される、1つまたは複数の分類規則を生成するための手段を更に含む、システム。
[適用例16]
適用例9に記載のシステムであって、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に対する1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの前記総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関に従って、1つまたは複数の分類規則を修正するための手段を更に含む、システム。
[適用例17]
コンピュータデバイス上でプロセスを実行するためのコンピュータ可読命令を含むコンピュータ可読媒体であって、前記プロセスは、
1つまたは複数の走査型検査ツールからの1つまたは複数の標本の1つまたは複数の特性の指標となる、1つまたは複数の信号を受信することと、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、
1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することと、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に適用される1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関を計算することと、を含むコンピュータ可読媒体。
[適用例18]
適用例17に記載のコンピュータ可読媒体であって、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を前記決定するための手段は、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、少なくとも第1標本および第2標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定することを含み、
1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数を前記決定するための手段は、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、少なくとも前記第1標本および前記第2標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を決定するための手段を含み、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に適用される1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関を前記計算するための手段は、
前記1つまたは複数の光学検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に対する1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、1つまたは複数の欠陥タイプの総数の少なくとも前記第1標本および前記第2標本と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールの使用を通して決定された、1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の相対的安定性を計算するための手段を含む、コンピュータ可読媒体。
[適用例19]
適用例17に記載のシステムであって、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記1つまたは複数の信号に、1つまたは複数の分類規則を適用して、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの総数を前記決定するための手段は、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールの使用により、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定するための手段を含み、
1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数を前記決定するための手段は、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールの使用により、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定することを含み、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に適用される1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記1つまたは複数の標本における前記1つまたは複数の欠陥タイプの総数と、の間の1つまたは複数の相関を前記計算するための手段は、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した前記標本に関連付けられた1つまたは複数の信号に対する1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第1相関を計算するための手段と、
前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第2相関を計算するための手段と、
前記第1相関と前記第2相関の間の相関を計算するための手段と、を含む、システム。
[適用例20]
適用例17に記載のシステムであって、
1つまたは複数の光学検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に対して適用される、1つまたは複数の分類規則を生成すること、を更に含む、システム。
[適用例21]
適用例17に記載のシステムであって、
前記1つまたは複数の走査型検査ツールから受信した1つまたは複数の信号に対する1つまたは複数の分類規則の適用によって決定された、前記1つまたは複数の標本における1つまたは複数の欠陥タイプの前記総数と、前記1つまたは複数の高分解能検査ツールを用いて決定された欠陥タイプの総数と、の間の前記1つまたは複数の相関に従って、1つまたは複数の分類規則を修正するための手段を更に含む、システム。
以下は、実装を示す一連のフローチャートの説明である。理解を容易にするために、フローチャートは、最初のフローチャートが実装例を用いて実装を提示し、その後、続くフローチャートが、先に提示されたフローチャート上に作り上げられる下位作業要素または追加作業要素として最初のフローチャートの代替の実装および/または拡張を提示するように編成されている。一般に、本明細書で用いられる提示の様式(例えば、実装例を提示するフローチャートの提示から開始し、その後、続くフローチャートにおいて、追加の、および/または更なる詳細を提供する)は、様々な工程の実装についての迅速かつ容易な理解を可能とすることを当業者は理解するであろう。加えて、本明細書で用いられる提示の様式は、それ自体をモジュール設計パラダイムおよび/またはオブジェクト指向設計パラダイムに置くことにもよく役立つことを当業者は更に理解するであろう。
図10〜14は、分類器性能の監視に関する作業例を表す作業フローを示す。作業フローの様々な例を含む図10〜14において、図1の上述の例についての、および/または他の例およびコンテクストについての検討および説明が提供される。しかしながら、この作業フローは、多くの他の環境およびコンテクストの中で、および/または図10〜14の修正版の中で、実行されうることが理解されるべきである。加えて、様々な作業フローが、示される順序において提示されるが、種々の作業は、示されたものとは異なる順序で実施されうるか、または同時に実施されうることが理解されるべきである。
Claims (21)
- 時間的に変化する欠陥分類性能の監視のための方法であって、
走査型検査ツールからの標本の特性の指標となる信号を受信することと、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、前記標本における欠陥タイプの総数を決定することと、
高分解能検査ツールを用いて、前記標本における前記欠陥タイプの総数を決定することと、
前記走査型検査ツールから受信した信号に適用される分類規則の適用によって決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、の間の相関を計算することと、含む方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、前記標本における欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、少なくとも第1標本および第2標本における欠陥タイプの総数を決定することを含み、
高分解能検査ツールを用いて、前記標本における前記欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記高分解能検査ツールを用いて、少なくとも前記第1標本および前記第2標本における欠陥タイプの総数を決定することを含み、
前記走査型検査ツールから受信した信号に適用される分類規則の適用によって決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、の間の相関を前記計算することは、
前記走査型検査ツールから受信した信号に対する分類規則の適用によって決定された、欠陥タイプの総数の少なくとも前記第1標本および前記第2標本と、前記高分解能検査ツールの使用を通して決定された、欠陥タイプの総数と、間の相対的安定性を計算することを含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、前記標本における欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に対する分類規則を適用して、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定することを含み、
高分解能検査ツールを用いて、前記標本における前記欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記高分解能検査ツールの使用により、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定することを含み、
前記走査型検査ツールから受信した信号に適用される分類規則の適用によって決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、の間の相関を前記計算することは、
前記走査型検査ツールから受信した前記標本に関連付けられた信号に対する分類規則の適用によって決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第1相関を計算することと、
前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第2相関を計算することと、
前記第1相関と前記第2相関の間の相関を計算することと、を含む、方法。 - 請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記走査型検査ツールから受信した信号に対して適用される分類規則を生成すること、を更に含む、方法。 - 請求項1から請求項4までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記走査型検査ツールから受信した信号に対する分類規則の適用によって決定された、前記標本における欠陥タイプの前記総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された欠陥タイプの総数と、の間の相関に従って、分類規則を修正すること、を更に含む、方法。 - 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記走査型検査ツールは、明視野パターン付きウェハ検査装置、パターン付き暗視野光子光学ウェハ検査装置、パターンなし暗視野光子光学ウェハ検査装置、および電子ビーム光学領域走査型検査装置のうちの少なくとも1つから選択される、方法。 - 請求項1から請求項6までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記分類規則は、サイズ、形状、極性、テクスチャ、コントラスト、バックグラウンドビジネスのうちの少なくとも1つから選択される、方法。 - 請求項1から請求項7までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記高分解能検査ツールは、走査型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡、共焦点顕微鏡のうちの少なくとも1つから選択される、方法。 - 時間的に変化する欠陥分類性能の監視のためのシステムであって、
走査型検査ツールからの標本の特性の指標となる信号を受信するための手段と、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、前記標本における欠陥タイプの総数を決定するための手段と、
高分解能検査ツールを用いて、前記標本における前記欠陥タイプの総数を決定するための手段と、
前記走査型検査ツールから受信した信号に適用される分類規則の適用によって決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、の間の相関を計算するための手段と、を含むシステム。 - 請求項9に記載のシステムであって、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、前記標本における欠陥タイプの総数を決定するための手段は、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、少なくとも第1標本および第2標本における欠陥タイプの総数を決定する手段を含み、
高分解能検査ツールを用いて、前記標本における前記欠陥タイプの総数を前記決定するための手段は、
前記高分解能検査ツールを用いて、少なくとも前記第1標本および前記第2標本における欠陥タイプの総数を決定するための手段を含み、
前記走査型検査ツールから受信した信号に適用される分類規則の適用によって決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、の間の相関を前記計算するための手段は、
前記走査型検査ツールから受信した信号に対する分類規則の適用によって決定された、欠陥タイプの総数と、前記高分解能検査ツールの使用を通して決定された、欠陥タイプの総数と、の少なくとも前記第1標本および前記第2標本の間の相対的安定性を計算するための手段を含む、システム。 - 請求項9に記載のシステムであって、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に対する分類規則を適用して、前記標本における欠陥タイプの総数を前記決定するための手段は、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定するための手段を含み、
高分解能検査ツールを用いて、前記標本における前記欠陥タイプの総数を前記決定するための手段は、
前記高分解能検査ツールの使用により、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定する手段を含み、
前記走査型検査ツールから受信した信号に適用される分類規則の適用によって決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、の間の相関を前記計算するための手段は、
前記走査型検査ツールから受信した前記標本に関連付けられた信号に対する分類規則の適用によって決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第1相関を計算するための手段と、
前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第2相関を計算するための手段と、
前記第1相関と前記第2相関の間の相関を計算するための手段と、を含む、システム。 - 請求項9から請求項11までのいずれか一項に記載のシステムであって、
前記走査型検査ツールから受信した信号に対して適用される分類規則を生成するための手段を更に含む、システム。 - 請求項9から請求項12までのいずれか一項に記載のシステムであって、
前記走査型検査ツールから受信した信号に対する分類規則の適用によって決定された、前記標本における欠陥タイプの前記総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された欠陥タイプの総数と、の間の相関に従って、分類規則を修正するための手段を更に含む、システム。 - 請求項9から請求項13までのいずれか一項に記載のシステムであって、
前記走査型検査ツールは、明視野パターン付きウェハ検査装置、パターン付き暗視野光子光学ウェハ検査装置、パターンなし暗視野光子光学ウェハ検査装置、および電子ビーム光学領域走査型検査装置のうちの少なくとも1つから選択される、システム。 - 請求項9から請求項14までのいずれか一項に記載のシステムであって、
前記分類規則は、サイズ、形状、極性、テクスチャ、コントラスト、バックグラウンドビジネスのうちの少なくとも1つから選択される、システム。 - 請求項9から請求項15までのいずれか一項に記載のシステムであって、
前記高分解能検査ツールは、走査型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡、共焦点顕微鏡のうちの少なくとも1つから選択される、システム。 - コンピュータデバイス上でプロセスを実行するためのコンピュータ可読命令を含むコンピュータ可読媒体であって、前記プロセスは、
走査型検査ツールからの標本の特性の指標となる信号を受信することと、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、前記標本における欠陥タイプの総数を決定することと、
高分解能検査ツールを用いて、前記標本における前記欠陥タイプの総数を決定することと、
前記走査型検査ツールから受信した信号に適用される分類規則の適用によって決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、の間の相関を計算することと、を含むコンピュータ可読媒体。 - 請求項17に記載のコンピュータ可読媒体であって、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、前記標本における欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、少なくとも第1標本および第2標本における欠陥タイプの総数を決定することを含み、
高分解能検査ツールを用いて、前記標本における前記欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記高分解能検査ツールを用いて、少なくとも前記第1標本および前記第2標本における欠陥タイプの総数を決定することを含み、
前記走査型検査ツールから受信した信号に適用される分類規則の適用によって決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、の間の相関を前記計算することは、
前記走査型検査ツールから受信した信号に対する分類規則の適用によって決定された、欠陥タイプの総数の少なくとも前記第1標本および前記第2標本と、前記高分解能検査ツールの使用を通して決定された、欠陥タイプの総数と、の間の相対的安定性を計算することを含む、コンピュータ可読媒体。 - 請求項17に記載のコンピュータ可読媒体であって、
前記走査型検査ツールから受信した前記信号に分類規則を適用して、前記標本における欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記高分解能検査ツールの使用により、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定することを含み、
高分解能検査ツールを用いて、前記標本における前記欠陥タイプの総数を前記決定することは、
前記高分解能検査ツールの使用により、標本における少なくとも第1欠陥タイプおよび第2欠陥タイプの総数を決定することを含み、
前記走査型検査ツールから受信した信号に適用される分類規則の適用によって決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記標本における前記欠陥タイプの総数と、の間の相関を前記計算することは、
前記走査型検査ツールから受信した前記標本に関連付けられた信号に対する分類規則の適用によって決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第1相関を計算することと、
前記高分解能検査ツールを用いて決定された、前記第1欠陥タイプの前記総数と前記第2欠陥タイプの前記総数の間の第2相関を計算することと、
前記第1相関と前記第2相関の間の相関を計算することと、を含む、コンピュータ可読媒体。 - 請求項17から請求項19までのいずれか一項に記載のコンピュータ可読媒体であって、前記プロセスは、
前記走査型検査ツールから受信した信号に対して適用される分類規則を生成すること、を更に含む、コンピュータ可読媒体。 - 請求項17から請求項20までのいずれか一項に記載のコンピュータ可読媒体であって、前記プロセスは、
前記走査型検査ツールから受信した信号に対する分類規則の適用によって決定された、前記標本における欠陥タイプの前記総数と、前記高分解能検査ツールを用いて決定された欠陥タイプの総数と、の間の前記相関に従って、分類規則を修正することを更に含む、コンピュータ可読媒体。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US22238809P | 2009-07-01 | 2009-07-01 | |
| US61/222,388 | 2009-07-01 | ||
| PCT/US2010/039656 WO2011002651A1 (en) | 2009-07-01 | 2010-06-23 | Monitoring of time-varying defect classification performance |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2012532458A JP2012532458A (ja) | 2012-12-13 |
| JP2012532458A5 JP2012532458A5 (ja) | 2013-08-08 |
| JP5583766B2 true JP5583766B2 (ja) | 2014-09-03 |
Family
ID=43411380
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012518552A Expired - Fee Related JP5583766B2 (ja) | 2009-07-01 | 2010-06-23 | 時間的に変化する欠陥分類性能の監視のための方法、システムおよびコンピュータ可読媒体 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8537349B2 (ja) |
| EP (1) | EP2449390A1 (ja) |
| JP (1) | JP5583766B2 (ja) |
| KR (1) | KR20120093820A (ja) |
| CN (1) | CN102576045A (ja) |
| TW (1) | TWI435072B (ja) |
| WO (1) | WO2011002651A1 (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8607169B2 (en) * | 2011-12-28 | 2013-12-10 | Elitetech Technology Co., Ltd. | Intelligent defect diagnosis method |
| US9665931B2 (en) | 2011-12-28 | 2017-05-30 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Air pocket detection methods and systems |
| US9916653B2 (en) * | 2012-06-27 | 2018-03-13 | Kla-Tenor Corporation | Detection of defects embedded in noise for inspection in semiconductor manufacturing |
| JP5910428B2 (ja) * | 2012-09-13 | 2016-04-27 | オムロン株式会社 | 監視装置、監視方法、プログラムおよび記録媒体 |
| US9865512B2 (en) * | 2013-04-08 | 2018-01-09 | Kla-Tencor Corp. | Dynamic design attributes for wafer inspection |
| CN104122282B (zh) * | 2013-04-24 | 2017-01-18 | 泰科英赛科技有限公司 | 采用聚焦离子束的电路跟踪 |
| US9430824B2 (en) * | 2013-05-14 | 2016-08-30 | Kla-Tencor Corporation | Machine learning method and apparatus for inspecting reticles |
| US9910429B2 (en) * | 2013-09-03 | 2018-03-06 | The Procter & Gamble Company | Systems and methods for adjusting target manufacturing parameters on an absorbent product converting line |
| US10514685B2 (en) * | 2014-06-13 | 2019-12-24 | KLA—Tencor Corp. | Automatic recipe stability monitoring and reporting |
| CN104122272B (zh) * | 2014-08-01 | 2019-08-06 | 上海华力微电子有限公司 | 半导体器件缺陷的光学检测方法 |
| US9835566B2 (en) * | 2015-03-03 | 2017-12-05 | Kla-Tencor Corp. | Adaptive nuisance filter |
| US10216096B2 (en) * | 2015-08-14 | 2019-02-26 | Kla-Tencor Corporation | Process-sensitive metrology systems and methods |
| TWI637250B (zh) * | 2017-03-31 | 2018-10-01 | 林器弘 | 智慧加工調變系統及方法 |
| US10402963B2 (en) * | 2017-08-24 | 2019-09-03 | Kla-Tencor Corporation | Defect detection on transparent or translucent wafers |
| CN110945563A (zh) * | 2019-11-08 | 2020-03-31 | 长江存储科技有限责任公司 | 用于提高产出率的自动评估方法及其评估系统 |
| US12561793B2 (en) * | 2023-02-22 | 2026-02-24 | Applied Materials Israel Ltd. | Machine learning based examination for process monitoring |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6288780B1 (en) * | 1995-06-06 | 2001-09-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques |
| US5539752A (en) * | 1995-06-30 | 1996-07-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and system for automated analysis of semiconductor defect data |
| US6104835A (en) * | 1997-11-14 | 2000-08-15 | Kla-Tencor Corporation | Automatic knowledge database generation for classifying objects and systems therefor |
| JP4077951B2 (ja) * | 1998-01-14 | 2008-04-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | 欠陥解析方法、記録媒体及び工程管理方法 |
| US6408219B2 (en) * | 1998-05-11 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | FAB yield enhancement system |
| US6265232B1 (en) * | 1998-08-21 | 2001-07-24 | Micron Technology, Inc. | Yield based, in-line defect sampling method |
| US6185707B1 (en) * | 1998-11-13 | 2001-02-06 | Knights Technology, Inc. | IC test software system for mapping logical functional test data of logic integrated circuits to physical representation |
| US6407373B1 (en) * | 1999-06-15 | 2002-06-18 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for reviewing defects on an object |
| US6675134B2 (en) * | 2001-03-15 | 2004-01-06 | Cerebrus Solutions Ltd. | Performance assessment of data classifiers |
| US7359544B2 (en) * | 2003-02-12 | 2008-04-15 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Automatic supervised classifier setup tool for semiconductor defects |
| US7756320B2 (en) * | 2003-03-12 | 2010-07-13 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect classification using a logical equation for high stage classification |
| JP4443270B2 (ja) * | 2003-03-12 | 2010-03-31 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥分類方法 |
| JP5134188B2 (ja) * | 2004-10-15 | 2013-01-30 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 試料上の欠陥を分析する装置 |
| JP4664708B2 (ja) * | 2005-03-07 | 2011-04-06 | 株式会社東芝 | 欠陥レビューシステム、欠陥レビュー方法、及び電子装置の製造方法 |
| CN1936614A (zh) * | 2005-08-15 | 2007-03-28 | 特克特朗尼克公司 | 拖放逻辑分析仪触发器 |
| US7554656B2 (en) * | 2005-10-06 | 2009-06-30 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of a wafer |
| US7747062B2 (en) * | 2005-11-09 | 2010-06-29 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods, defect review tools, and systems for locating a defect in a defect review process |
| US7570796B2 (en) * | 2005-11-18 | 2009-08-04 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
| US7728969B2 (en) * | 2006-12-05 | 2010-06-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for identifying defect types on a wafer |
-
2010
- 2010-06-23 KR KR1020127002877A patent/KR20120093820A/ko not_active Withdrawn
- 2010-06-23 US US12/811,319 patent/US8537349B2/en active Active
- 2010-06-23 JP JP2012518552A patent/JP5583766B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-23 EP EP10794564A patent/EP2449390A1/en not_active Withdrawn
- 2010-06-23 WO PCT/US2010/039656 patent/WO2011002651A1/en not_active Ceased
- 2010-06-23 CN CN2010800303112A patent/CN102576045A/zh active Pending
- 2010-07-01 TW TW099121738A patent/TWI435072B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI435072B (zh) | 2014-04-21 |
| CN102576045A (zh) | 2012-07-11 |
| US20110224932A1 (en) | 2011-09-15 |
| JP2012532458A (ja) | 2012-12-13 |
| WO2011002651A1 (en) | 2011-01-06 |
| EP2449390A1 (en) | 2012-05-09 |
| US8537349B2 (en) | 2013-09-17 |
| KR20120093820A (ko) | 2012-08-23 |
| TW201128183A (en) | 2011-08-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5583766B2 (ja) | 時間的に変化する欠陥分類性能の監視のための方法、システムおよびコンピュータ可読媒体 | |
| US8799831B2 (en) | Inline defect analysis for sampling and SPC | |
| JP5865585B2 (ja) | ウエハーの層の検査に用いる候補として検査装置の一つ以上の光学モードを同定するためにコンピューターにより実施する方法、コンピューター可読の媒体、および装置 | |
| KR102386536B1 (ko) | 시편 상의 관심 패턴의 하나 이상의 특성의 결정 | |
| US9201022B2 (en) | Extraction of systematic defects | |
| EP2828882B1 (en) | Method, computer system and apparatus for recipe generation for automated inspection semiconductor devices | |
| US20080231307A1 (en) | Testing method using a scalable parametric measurement macro | |
| TWI617816B (zh) | 晶圓的可適性電性測試 | |
| JP2011524635A5 (ja) | ||
| TWI672571B (zh) | 用於監測一晶圓檢驗配方隨著時間經過之穩定性之方法,系統及非暫態電腦可讀媒體 | |
| JP7146375B2 (ja) | 機械設備を点検するシステムおよび方法 | |
| TW202030475A (zh) | 基於設計及雜訊之關注區域 | |
| KR102248777B1 (ko) | 총 측정 불확도의 정량화 및 감소 | |
| US8649990B2 (en) | Method for detecting variance in semiconductor processes | |
| WO2010110365A1 (ja) | 要因分析装置および要因分析方法 | |
| US9983148B2 (en) | System and method for production line monitoring | |
| Fiekowsky et al. | Automating defect disposition in fabs and maskshops | |
| JP5291419B2 (ja) | データ処理装置及びデータ処理方法並びにこれを用いた検査作業支援システム | |
| JP2025133396A (ja) | 要因分析支援装置及び要因分析支援方法 | |
| CN118043951A (zh) | 用于经由缺陷及电性测试数据的相关性自动诊断及监测半导体缺陷裸片筛选性能的系统 | |
| JP4563990B2 (ja) | 分布解析方法および装置、異常設備推定方法および装置、上記分布解析方法または異常設備推定方法をコンピュータに実行させるためのプログラム、並びに上記プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
| Villa et al. | Increased productivity of repair verification by offline analysis of aerial images |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130620 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130620 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140225 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140523 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140617 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140716 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5583766 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |